KR101483661B1 - 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법 및 이를 이용한 오염 물질 정화제 - Google Patents
광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법 및 이를 이용한 오염 물질 정화제 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 오염 물질 정화용 반도체 촉매에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 (1) 밀폐 용기에 분말 또는 괴상의 금속을 넣고, 1000도 내지 2000도로 가열하는 단계; (2) 상기 밀폐 용기 내부에 산소 또는 질소를 10 내지 100시간 동안 주입하여, 상기 금속과 산소 또는 질소의 원자 비가 정수가 아닌 베르톨리드화합물(berthollide compounds)을 생성하는 단계; 및 (3) 상기 산소 또는 질소가 주입된 밀폐 용기를 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
본 발명에서 제안하고 있는 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법 및 이를 이용한 오염 물질 정화제에 따르면, 밀폐 용기에 천이 금속을 넣고 고온으로 가열한 후 일정한 분압의 산소 또는 질소를 주입하여 금속 결핍형 베르톨리드화합물을 생성하고, 이를 반도체 촉매로 이용함으로써, 자외선 또는 가시광선 등의 광조사 없이도 정공을 보유하는 p형 반도체 촉매를 제조할 수 있고, 넓은 범주의 소재를 저렴한 가격으로 다양한 용도에 맞게 제공할 수 있다.
본 발명에서 제안하고 있는 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법 및 이를 이용한 오염 물질 정화제에 따르면, 밀폐 용기에 천이 금속을 넣고 고온으로 가열한 후 일정한 분압의 산소 또는 질소를 주입하여 금속 결핍형 베르톨리드화합물을 생성하고, 이를 반도체 촉매로 이용함으로써, 자외선 또는 가시광선 등의 광조사 없이도 정공을 보유하는 p형 반도체 촉매를 제조할 수 있고, 넓은 범주의 소재를 저렴한 가격으로 다양한 용도에 맞게 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법 및 이를 이용한 오염 물질 정화제에 관한 것이다.
최근 산화력과 환원력을 가지는 광촉매를 활용하여 대기나 수질 중의 오염 물질을 정화하는 연구가 활발하게 진행되고 있다. 광촉매는, 빛을 받아들여 화학반응을 촉진시키는 물질을 말하고 대표적인 예로는 산화티탄(titanium dioxide, TiO2)이 있다. 산화티탄은 밴드 값 에너지 3.2eV에 상당하는 에너지를 파장 380nm의 자외선으로 받아 여기 함으로써, 반도체로서의 기능을 발휘하게 된다. 자외선으로부터 에너지를 받은 원자에서 전자가 여기되면 전자가 빠진 자취에는 정공이 형성되는데, 이 정공에 접촉한 물 분자(H20)는 전자를 빼앗겨 강력한 산화기능을 하는 히드록실 라디칼(OH-)을 생성할 수 있다. 히드록실 라디칼이 가지는 산화력은 환경오염의 원인이 되는 무기, 유기물을 구성하는 분자 중 C-C, C-H, C-N, C-O, O-H, N-H 등의 결합 에너지보다 크기 때문에 이러한 결합들을 분해할 수 있다. 이때 산화티탄 자신은 소모되거나 그 성질을 변화시키지 않으면서 영속적으로 반응을 진행하며, 생성된 히드록시 라디칼의 농도는 매우 낮아 인체에 무해하다는 장점이 있다. 따라서 산화티탄의 백색 미세분말(아나타제형)을 특정 구조의 담체에 코팅하여 탈취, 항균, 오염 방지제 등으로 사용할 수 있다.
이와 같은 산화티탄이 촉매로서 성능을 발휘하기 위해서는 태양광 중 4% 정도에 지나지 않은 자외선 조사가 필수이다. 따라서 실외에서의 산화티탄의 고기능화, 가시영역에서의 응답성을 목표로 다양한 개량이 시도되고 있다. 그 예로 산화티탄 상에 색소를 흡착시켜 가시광을 흡수하여 생긴 흡착 색소의 여기 상태에서 산화티탄에 전자를 주입하는 방법, Cr, Mn, Ni 등의 금속이온을 화학적으로 주입하는 방법, 플라스마 조사에 의한 산소 결함을 도입하는 방법, 이종 이온을 도입하는 방법 등이 있다. 그러나 이들 방법은 균일 분산이 어렵고, 전자와 정공의 재결합에 의해 광촉매 활성이 저하되며, 제조비용이 비싸다는 문제가 있다.
한편, 최근에는 가시광 영역에서도 촉매 활성을 갖는 광촉매(특허출원 제10-2002-7015927호 참조), 높은 촉매 활성을 갖는 페로브스카이트형 산화물 등도 개발되고 있다(일본특허 공개 평10-244164호, 일본특허 공개 평8-196912호 참조). 그러나 이들 방법 모두 제법이 복잡하고, 얻어진 산화물의 안정성에 문제가 있어 실용화 단계에는 이르지 못하고 있다.
본 발명은 기존에 제안된 방법들의 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 밀폐 용기에 천이 금속을 넣고 고온으로 가열한 후 일정한 분압의 산소 또는 질소를 주입하여 금속 결핍형 베르톨리드화합물을 생성하고, 이를 반도체 촉매로 이용함으로써, 자외선 또는 가시광선 등의 광조사 없이도 정공을 보유하는 p형 반도체 촉매를 제조할 수 있고, 넓은 범주의 소재를 저렴한 가격으로 다양한 용도에 맞게 제공할 수 있는, 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법 및 이를 이용한 오염 물질 정화제를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법은,
(1) 밀폐 용기에 분말 또는 괴상의 금속을 넣고, 1000도 내지 2000도로 가열하는 단계;
(2) 상기 밀폐 용기 내부에 산소 또는 질소를 10 내지 100시간 동안 주입하여, 상기 금속과 산소 또는 질소의 원자 비가 정수가 아닌 베르톨리드화합물(berthollide compounds)을 생성하는 단계; 및
(3) 상기 산소 또는 질소가 주입된 밀폐 용기를 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 금속은,
Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni을 포함하는 천이금속 군에서 선택된 적어도 하나 이상일 수 있다.
바람직하게는, 상기 단계 (2)에서 제조되는 베르톨리드화합물은,
상기 산소 또는 질소의 원자 수보다 상기 금속의 원자 수가 적은 금속 결핍형 베르톨리드화합물일 수 있다.
바람직하게는,
상기 단계 (2)에서 주입되는 산소 또는 질소의 분압은,
10- log28atm 초과 10- log26atm 이하일 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 오염 물질 정화제는,
반도체 촉매로서, 금속의 산화 또는 질화물이고 상기 금속과 산소 또는 질소의 원자 비는 정수가 아닌 베르톨리드화합물(berthollide compounds)을 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 금속은,
Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni을 포함하는 천이금속 군에서 선택된 적어도 하나 이상일 수 있다.
바람직하게는, 상기 베르톨리드화합물은,
상기 산소 또는 질소의 원자 수보다 상기 금속의 원자 수가 적은 금속 결핍형 베르톨리드화합물일 수 있다.
바람직하게는, 상기 오염 물질 정화용 조성물은,
대기 또는 수질의 정화, 탈취 및 항균을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 용도로 사용될 수 있다.
본 발명에서 제안하고 있는 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법 및 이를 이용한 오염 물질 정화제에 따르면, 밀폐 용기에 천이 금속을 넣고 고온으로 가열한 후 일정한 분압의 산소 또는 질소를 주입하여 금속 결핍형 베르톨리드화합물을 생성하고, 이를 반도체 촉매로 이용함으로써, 자외선 또는 가시광선 등의 광조사 없이도 정공을 보유하는 p형 반도체 촉매를 제조할 수 있고, 넓은 범주의 소재를 저렴한 가격으로 다양한 용도에 맞게 제공할 수 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 광촉매의 유기물 분해 과정을 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법의 흐름을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법을 통해 제조된 반도체 촉매의 유기물 분해 과정을 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법의 흐름을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법을 통해 제조된 반도체 촉매의 유기물 분해 과정을 도시한 도면.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일 또는 유사한 부호를 사용한다.
덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 ‘연결’되어 있다고 할 때, 이는 ‘직접적으로 연결’되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 ‘간접적으로 연결’되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 ‘포함’한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
도 1 및 도 2는 종래의 광촉매의 유기물 분해 과정을 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 광촉매의 유기물 분해 과정은, 광촉매에 자외선을 조사하는 단계(S10), 광촉매의 원자가전자대(Valence Band)의 전자가 전도대(Conduction Band)로 이동하여 원자가전자대에 정공을 생성하는 단계(S20), 물 분자가 광촉매의 정공에 흡착하여 전자를 빼앗기고, 수소 이온과 히드록실 라디칼로 분해되는 단계(S30) 및 히드록실라디칼이 유기물 등을 분해하는 단계(S40)를 포함할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 광촉매의 일종인 산화티탄(TiO2)에, 자외선(태양광) 또는 가시광선(형광등)이 조사되면, 산화티탄 표면의 전자는 원자가전자대(Valence Band, VB)에서 전도대(Conduction Band, CB)로 여기(e- CB)되고, 원자가전자대에는 정공(hole, H+ VB)이 생성된다. 외부의 물 분자는, 산화티탄 표면에 생성된 정공에 흡착하여 전자를 빼앗기고 수소 이온과 히드록실 라디칼로 분해된다. 이때 생성된 히드록실 라디칼은 각종 유기물을 이산화탄소와 물로 분해하므로, 오염 물질을 정화하는데 사용될 수 있다. 이와 같이, 종래에 오염 물질 정화에 사용되는 히드록실 라디칼을 생성하기 위해서는 광조사에 의해 작용하는 광촉매를 사용하는 것이 일반적이었다. 따라서 광조사 조건에 따른 다양한 제약이 따랐다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법의 흐름을 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법을 통해 제조된 반도체 촉매의 유기물 분해 과정을 도시한 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법은, 밀폐 용기에 분말 또는 괴상의 금속을 넣고, 1000도 내지 2000도로 가열하는 단계(S100), 밀폐 용기 내부에 산소 또는 질소를 10 내지 100시간 동안 주입하여, 금속과 산소 또는 질소의 원자 비가 정수가 아닌 베르톨리드화합물(berthollide compounds)을 생성하는 단계(S200), 및 산소 또는 질소가 주입된 밀폐 용기를 냉각시키는 단계(S300)를 포함하여 구현될 수 있다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에서 제조된 반도체 촉매(TiO1 .25)는, 미리 정공을 형성하여 자외선 조사 없이도 물 분자가 접촉하면 물을 분해하여 히드록실 라디칼을 발생시킬 수 있다. 이하에서는 각 단계에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.
단계 S100에서는, 밀폐 용기에 분말 또는 괴상의 금속을 넣고, 1000도 내지 2000도로 가열하여 금속의 표면을 활성상태로 만들 수 있다. 금속은 Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni을 포함하는 천이금속(transition elements) 군에서 선택된 적어도 하나 이상일 수 있고, 가열온도는 1200도 내지 1800도로 하는 것이 바람직하다.
단계 S200에서는, 밀폐 용기 내부에 산소 또는 질소를 10 내지 100시간 동안 주입하여, 금속과 산소 또는 질소의 원자 비가 정수가 아닌 베르톨리드화합물(berthollide compounds)을 생성할 수 있다. 즉, 미리 정해진 온도(예: 1500도)에 이르면, 일정 분압으로 산소 또는 질소를 주입할 수 있다. 시간 경과에 따라 산소 또는 질소의 분압이 저하되므로 분압 조정을 통하여 일정한 분압을 유지하는 것이 바람직하다. 또한, 단계 S200에서 주입되는 산소 또는 질소의 분압은 10- log28atm 초과 10- log26atm 이하인 것이 바람직하다. 이에 대하여는 추후 실시예 1과 관련하여 더욱 상세하게 설명하기로 한다.
단계 S300에서는, 산소 또는 질소가 주입된 밀폐 용기를 냉각시킬 수 있다. 10 내지 100시간의 산화 또는 질화시킨 후(단계 S200) 가능한 한 급랭하는 것이 바람직하다.
이와 같이 금속(천이금속)을 고온(1000도 내지 2000도)에서 일정한 분압의 산소 또는 질소를 주입하여 산화 또는 질화시키되, 금속과 산소 또는 질소의 원자 비가 정수가 아닌 베르톨리드화합물로 제조함으로써, 광조사 없이도 반도체 상태를 나타내는 p형 반도체 촉매를 제조할 수 있다.
일반적으로 천이 금속의 정비산화물 및 정비질화물들의 결정은 전기적으로 중성이다. 또한, 천이 금속은 각각의 원자가 복수의 가전자 상태를 구성하므로 부정비산화물이나 부정비질화물과 같은 베르톨리드화합물(부정비화합물)을 구성할 수 있다. 베르톨리드화합물(不定比化合物, non-stoichiometric compound)은, 성분원소의 비율이 간단한 정수비로 되지 않는, 즉 정비례의 법칙에 따르지 않는 화합물을 의미하는 것으로서, 금속을 하나의 성분원소로 하는 경우, 금속 결핍형 베르톨리드화합물과 금속 과잉형 베르톨리드화합물로 분류될 수 있다. 즉, 산화 또는 질화 금속의 경우, 산소 또는 질소의 원자 수보다 금속의 원자 수가 적은 경우 금속 결핍형 베르톨리드화합물이 되고, 그 반대의 경우 금속 과잉형 베르톨리드화합물이 된다. 금속 결핍형 베르톨리드화합물은, 그 생성과 동시에 전기적 중성을 보과, 유지하기 위하여 결핍하고 있는 금속원자(+전하)에 상당하는 정공이 결정 내에 형성되게 된다. 즉, 금속 결핍형 베르톨리드산화물 및 질화물은 모두 미리 정공을 보유하는 p형의 반도체로 이용할 수 있다.
표 1은 천이 금속의 산화물에 대한 반도체형을 조사한 표이다.
표 1에서 계수 X는 화합물의 한쪽을 구성하는 원소의 타원소에 대한 원자 비율을 나타내고 있다. 전기적 중성을 나타내는 TiO의 경우 x=1로서 정비산화물을 의미한다. X<1은 금속 과잉형 베르톨리드산화물이 되어 과잉인 금속의 플러스 전자에 밸런스 하는 n형 (-) 반도체를 구성할 수 있다. X>1은 금속 결핍형(산소 과잉형) 베르톨리드산화물을 형성한다. 과잉인 산소의 마이너스 전자에 밸런스 하는 정공을 생성하여 p형 (+) 반도체를 구성할 수 있다. 표 1의 반도체 형태에서 p형 반도체가 가능한 TiOx, MnxO, FexO, VOx 모두 본 발명에서 제안하는 미리 정공을 형성하는 반도체 촉매로 이용될 수 있다. 단, p형 반도체 촉매를 형성하기 위해서는 금속 결핍형이어야 하므로, 산소 또는 질소의 원자 수보다 금속의 원자 수가 적어야 한다. 즉, 산소 또는 질소(A)와 금속(B)의 원자 비(A:B)는, 1:X(X<1)이어야 한다.
한편, 본 발명의 다른 측면은, 반도체 촉매로서, 금속의 산화 또는 질화물이고 상기 금속과 산소 또는 질소의 원자 비는 정수가 아닌 베르톨리드화합물(berthollide compounds)을 포함하는 것을 특징으로 하는 오염 물질 정화제를 제공하고자 한다. 본 발명의 일실시예에 따른 오염 물질 정화제에서, 금속은 Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni을 포함하는 천이금속 군에서 선택된 적어도 하나 이상일 수 있고, 베르톨리드화합물은 산소 또는 질소의 원자 수보다 금속의 원자 수가 적은 금속 결핍형 베르톨리드 화합물일 수 있다. 또한, 오염 물질 정화용 조성물은 대기 또는 수질의 정화, 탈취 및 항균을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 용도로 사용될 수 있다.
본 발명에서는, 고온에서 일정한 분압으로 산화 또는 질화시킴으로써, 제조된 금속 결핍형 베르톨리드화합물을 이용함으로써, 이미 촉매에 정공이 형성되어 있어 광조사 없이도 촉매에 극미량의 수분이 접촉하면 물을 산화 분해하여 히드록실 라디칼을 생성시킬 수 있다. 본 발명에 따르면 기존의 광촉매와 달리 광촉매가 발휘하는 유기물 분해능을 가질 뿐만 아니라, 더욱 넓은 범주의 소재를 저렴한 가격으로 환경에 구애받지 않고 다양한 용도에 맞게 제공할 수 있다. 또한, 파동 촉매에 산소 분자가 흡착하면 정공은 산소 분자로부터 전자를 빼앗아 슈퍼옥사이드 라디칼을 생성하며, 이는 히드록실 라디칼 보다 더욱 우수한 산화력을 가질 수 있다.
본 발명은 이하의 실시예에 의하여 더욱 상세히 설명되나, 본 발명이 이하의 실시예에 의해 어떤 식으로든 제한되는 것은 아니다.
본 발명의
일실시예에
따른
광조사가
필요 없는 반도체 촉매의 제조
Ti 0.5g(순도 99.995%)을 로듐/백금제 도가니에 넣고 온도를 1500도까지 상승시킨 후, 각각 10- log30atm, 10-log29atm, 10- log28atm, 10- log27atm, 10- log26atm 분압의 산소(순도 99.99%)를 50시간 동안 주입하였다.
표 2는 산소 분압에 따른 산소 함량 및 산화물의 조성을 도시한 표이다.
산소 분압이 10- log30atm 이하로 낮아지면 Ti2O3가 생성되었고, 10- log26atm 초과의 높은 산소 분압에서는 일정한 베르톨리드화합물의 생성이 어려웠다. 또한, 표 2에 나타난 바와 같이, 산소 분압 10- log28atm인 경우에는 TiO의 정비산화물이 생성되었고, 산소 분압 10- log30atm 이상 10- log28atm 미만의 경우에는 금속 과잉형 베르톨리드화합물이 생성되었다. 따라서, 산소의 원자 비율이 높은 금속 결핍형 베르톨리드화합물 생성을 위해서는 산소 분압을 10- log28atm 초과 10- log26atm 이하로 하는 것이 바람직함을 확인할 수 있었다.
이하에서는, 본 발명의 효과를 실험예를 통하여 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명의 권리범위가 하기 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실험예
1. 본 발명의
일실시예에
따른
광조사가
필요 없는 반도체 촉매의 유기물 분해력 확인 실험
실시예 1과 같은 방법으로 제조된 TiO1 .25, TiN1 .30, V1 .29와 종래의 광촉매인 TiO2의 유기물 분해력을 비교하기 위하여 메틸렌블루(MB)수용액의 광블리칭법을 사용하였다.
TiO1 .25(실험군 1, 2), TiN1 .30(실험군 3, 4), V1 .29(실험군 5, 6), TiO2(비교군 1, 2)를 각각 두 개씩의 동일한 용기에 넣어 총 6개의 측정 시료를 준비하였다. 메틸렌블루 7.48㎎을 1ℓ의 증류수에 용해하여 2.0×10-5mol/ℓ의 메틸렌블루수용액을 제조하였다. 각 시료 0.20g을 메틸렌블루수용액 200㎖가 들어있는 비커에 넣고 마그네틱 스터러를 사용하여 각각 분산시켰다. 각 시료를 분산시킨 메틸렌블루수용액 중에서 실험군 1, 3, 5와 비교군 1에는 하방조사형 500w의 Xe 램프를 이용하여 빛을 조사하였다. 실험군 1 내지 6과 비교군 1 및 2의 메틸렌블루수용액을 석영셀에 각각 채취하고, 분광광도계를 사용하여 투과 스펙트럼을 측정하였다. 흡광도를 측정한 시료는 원래 상태로 되돌리고, 교반과 광조사를 반복하고, 시간 경과마다 흡광도를 측정하였다. 흡광도가 1.0에서 0.1로 변화하는 시간의 역수에 의해 블리칭의 속도를 평가하였다.
표 3은 반도체 촉매의 블리칭 효과를 비교한 표이다.
실험군 1과 2는 금속 결핍형 티탄산화물 TiO1 .25이며, 실험군 3과 4는 금속 결핍형 티탄질화물 TiN1 .30, 실험군 5 및 6은 금속 결핍형 바나듐산화물VO1 .29이고, 비교군 1 및 2는 기존의 광촉매 TiO2이다. 표 3에 나타난 바와 같이, 기존의 광촉매는 램프의 광조사 없이는 거의 분해력을 보이지 않는 반면, 본 발명의 일실시예에 따른 실험군 1 내지 6의 촉매들은 램프의 조사 여부에 상관없이 분해력을 나타내었다. 또한, TiO2보다도 짧은 시간 내에 높은 분해효과를 나타냄을 확인할 수 있었다. 즉, 본 발명에서 제안하는 방법에 따라 제조된 반도체 촉매는 미리 정공이 생성되어 있으므로 빛의 유무에 상관없이 히드록실 라디칼을 생성하여 무기물이나 유기물을 분해하는 것이 가능한 것이다.
따라서 본 발명은, 대기오염이나 수질 오염의 정화, 탈취, 정수, 항균 등이 용도로 사용될 수 있는 촉매로서, 다양한 용도의 제품에 사용 가능할 것으로 기대된다.
이상 설명한 본 발명은 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양한 변형이나 응용이 가능하며, 본 발명에 따른 기술적 사상의 범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.
S10: 광촉매에 자외선을 조사하는 단계
S20: 광촉매의 원자가전자대(Valence Band)의 전자가 전도대(Conduction Band)로 이동하여 원자가전자대에 정공을 생성하는 단계
S30: 물 분자가 광촉매의 정공에 흡착하여 전자를 빼앗기고, 수소 이온과 히드록실 라디칼로 분해되는 단계
S40: 히드록실라디칼이 유기물 등을 분해하는 단계
S100: 밀폐 용기에 분말 또는 괴상의 금속을 넣고, 1000도 내지 2000도로 가열하는 단계
S200: 밀폐 용기 내부에 산소 또는 질소를 10 내지 100 시간 동안 주입하여, 금속과 산소 또는 질소의 원자 비가 정수가 아닌 베르톨리드화합물(berthollide compounds)을 생성하는 단계
S300: 산소 또는 질소가 주입된 밀폐 용기를 냉각시키는 단계
S20: 광촉매의 원자가전자대(Valence Band)의 전자가 전도대(Conduction Band)로 이동하여 원자가전자대에 정공을 생성하는 단계
S30: 물 분자가 광촉매의 정공에 흡착하여 전자를 빼앗기고, 수소 이온과 히드록실 라디칼로 분해되는 단계
S40: 히드록실라디칼이 유기물 등을 분해하는 단계
S100: 밀폐 용기에 분말 또는 괴상의 금속을 넣고, 1000도 내지 2000도로 가열하는 단계
S200: 밀폐 용기 내부에 산소 또는 질소를 10 내지 100 시간 동안 주입하여, 금속과 산소 또는 질소의 원자 비가 정수가 아닌 베르톨리드화합물(berthollide compounds)을 생성하는 단계
S300: 산소 또는 질소가 주입된 밀폐 용기를 냉각시키는 단계
Claims (8)
- 반도체 촉매 제조 방법으로서,
(1) 밀폐 용기에 분말 또는 괴상의 금속을 넣고, 1000도 내지 2000도로 가열하는 단계;
(2) 상기 밀폐 용기 내부에 산소 또는 질소를 10 내지 100시간 동안 주입하여, 상기 금속과 산소 또는 질소의 원자 비가 정수가 아닌 베르톨리드화합물(berthollide compounds)을 생성하는 단계; 및
(3) 상기 산소 또는 질소가 주입된 밀폐 용기를 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속은,
Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni을 포함하는 천이금속 군에서 선택된 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서 제조되는 베르톨리드화합물은,
상기 산소 또는 질소의 원자 수보다 상기 금속의 원자 수가 적은 금속 결핍형 베르톨리드화합물인 것을 특징으로 하는, 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단계 (2)에서 주입되는 산소 또는 질소의 분압은,
10-log28atm 초과 10-log26atm 이하인 것을 특징으로 하는, 광조사가 필요 없는 오염 물질 정화용 반도체 촉매 제조 방법.
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|---|---|---|---|---|
| KR20020046836A (ko) * | 2000-12-15 | 2002-06-21 | 권영한 | 열전반도체 초미분 제조 방법 |
| US20090184281A1 (en) | 1996-09-03 | 2009-07-23 | Tapesh Yadav | Method of forming non-stoichiometric nanoscale powder comprising temperature-processing of a stoichiometric metal compound. |
| US8026404B2 (en) * | 2002-12-20 | 2011-09-27 | Ishihara Sangyo Kaisha, Ltd. | Method of making harmful material remediating agent and for using the same |
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2013
- 2013-11-15 KR KR20130139448A patent/KR101483661B1/ko active IP Right Grant
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