KR101478531B1 - 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법 - Google Patents

스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면에 묻어있는 이물질을 제거하는 제1단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사공에 장착된 분사팁을 제거하는 제2단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 사상하는 제3단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 열처리하는 제4단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 손상표면 및 분사공을 용접하여 육성하는 제5단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 육성표면을 균일하게 가공하고 분사공을 형성하는 제6단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록을 약품처리 하는 제7단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사공에 새로운 분사팁을 장착하는 제8단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 액체를 공급하여 분사공의 분사각도를 검사하는 제9단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 액체 또는 기체를 공급하여 기밀상태를 검사하는 제10단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 연마하는 제11단계로 이루어지는 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 일련적인 단계를 통해서 로우 블록 또는 어퍼 블록을 정비 및 수리하여 사용수명을 향상시킴은 물론 경제적인 비용을 절감할 수 있는 효과를 갖는다. 또한, 본 발명은 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사각도 및 분사상태를 정비 및 수리하여 슬래브의 스카핑 작업을 극대화할 수 있는 효과를 갖는다.

Description

스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법{Method maintenance lower block or upper block of apparatus scarfing}
본 발명은 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 일련적인 단계를 통해서 로우 블록 또는 어퍼 블록을 정비하여 사용수명을 향상시킬 수 있도록 하는 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법에 관한 것이다.
일반적으로 로우 블록 또는 어퍼 블록은 슬래브의 표면에 형성된 이물질을 제거하기 위한 스카핑 장치(1)에 포함된 구성으로, 도 1에 도시된 바와 같이 슬래브(A)의 표면과 예각으로 설치된 상태에서 분사공을 통해서 혼합가스를 분사하여 슬래브(A)의 표면을 산세함으로써 산화스케일 등과 같은 이물질을 제거할 수 있다.
이러한 로우 블록(40) 또는 어퍼 블록(30)은 슬래브(A)의 스카핑 작업시 발생하는 용손 및 고열로 인해서 열변형이 발생하고 혼합가스 분사공이 막히게 된다.
따라서 슬래브의 원활한 스카핑 작업을 위해서 정기적으로 로우 블록 또는 어퍼 블록의 정비작업을 진행하고 있다.
그러나 종래에는 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면에 묻어있는 이물질을 제거한 후 재사용하고 있으나, 이는 혼합가스를 분사하기 위한 분사공의 막힘 현상을 해소할 수 없을 뿐만 아니라 혼합가스의 분사각도 및 분사형태에 대한 정비작업을 진행할 수 없으므로 슬래브의 생산품질을 저하하는 문제점을 갖게 되었다.
또한, 종래에는 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 열변형 및 마모로 발생하는 손상부분을 정비할 수 없으므로 스카핑 작업의 효율성을 저하하는 문제점을 갖게 되었다.
특히 종래에는 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사공에 대한 압력 및 기밀상태에 대한 정비작업을 진행하지 못하므로 혼합가스의 원활한 분사 유무를 검증할 수 없는 심각한 문제점을 갖게 되었다.
미국등록특허 제5,497,976호(1996.5.12) 한국등록특허 제10-0248371호(2000.04.01) 한국등록특허 제10-0383868호(2003.05.14)
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서,
본 발명은 일련적인 단계를 통해서 로우 블록 또는 어퍼 블록을 정비할 수 있는 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법을 제공함에 목적이 있다.
또한, 본 발명은 로우 블록 또는 어퍼 블록을 정비하여 전체적인 사용수명을 연장할 수 있는 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법을 제공함에 다른 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법은,
로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면에 묻어있는 이물질을 제거하는 제1단계;
상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사공에 장착된 분사팁을 제거하는 제2단계;
상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 사상하는 제3단계;
상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 열처리하는 제4단계;
상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 손상표면 및 분사공을 용접하여 육성하는 제5단계;
상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 육성표면을 균일하게 가공하고 분사공을 형성하는 제6단계;
상기 로우 블록 또는 어퍼 블록을 약품처리 하는 제7단계;
상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사공에 새로운 분사팁을 장착하는 제8단계;
상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 액체를 공급하여 분사공의 분사각도를 검사하는 제9단계;
상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 액체 또는 기체를 공급하여 기밀상태를 검사하는 제10단계;
상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 연마하는 제11단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 제11단계에 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 광택하는 제12단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 일련적인 단계를 통해서 로우 블록 또는 어퍼 블록을 정비 및 수리하여 사용수명을 향상시킴은 물론 경제적인 비용을 절감할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사각도 및 분사상태를 정비 및 수리하여 슬래브의 스카핑 작업을 극대화할 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 일반적인 스카핑 장치의 구조를 나타내기 위한 측면도.
도 2는 본 발명 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법의 단계를 나타내기 위한 순서도.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법을 각 단계별로 나누어 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법의 단계를 나타내기 위한 순서도를 도시한 것이다.
본 발명은 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면에 묻어있는 이물질을 제거하는 제1단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사공에 장착된 분사팁을 제거하는 제2단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 사상하는 제3단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 열처리하는 제4단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 손상표면 및 분사공을 용접하여 육성하는 제5단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 육성표면을 균일하게 가공하고 분사공을 형성하는 제6단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록을 약품처리 하는 제7단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사공에 새로운 분사팁을 장착하는 제8단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 액체를 공급하여 분사공의 분사각도를 검사하는 제9단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 액체 또는 기체를 공급하여 기밀상태를 검사하는 제10단계; 상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 연마하는 제11단계로 이루어진다.
<제1단계>
본 발명에서 제1단계는 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면에 묻어있는 이물질을 제거하여 후속단계의 작업성을 확보하기 위한 것이다.
여기서 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면에 묻어있는 산화스케일 및 슬러지 등과 같은 이물질이 제거하기 위한 샌딩기 또는 그라인더를 사용하였다.
이때 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면 손상을 최소화할 수 있도록 3㎏/㎠ 내지 6㎏/㎠ 압력으로 샌딩작업을 진행함이 바람직하다.
<제2단계>
본 발명에서 제2단계는 상기 제1단계가 완료된 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사공에 장착된 분사팁을 제거하기 위한 것이다.
이때 분사팁은 별도의 공구로 밀어서 제거하거나 또는 드릴을 이용하여 제거할 수 있다.
만일 분사팁이 열변형 등으로 쉽게 제거되지 않거나 이물질이 고착된 경우 방전기를 이용하여 제거할 수도 있다.
<제3단계>
본 발명에서 제3단계는 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면(모서리 및 전면)을 사상하여 후속단계의 작업성을 확보하고 상기 제1단계에서 제거하지 못한 이물질을 제거하기 위한 것이다.
이때 그라인더 또는 밀링머신을 이용하여 로우 블록 또는 어퍼 블록의 사상작업을 진행할 수 있다.
<제4단계>
본 발명에서 제4단계는 로우 블록 또는 어퍼 블록을 원활한 육성작업을 위해서 사전에 일정온도로 열처리(가열)하기 위한 것이다.
이때 로우 블록 또는 어퍼 블록의 규격 또는 형태에 따라서 열처리시간 및 열처리온도가 달라질 수 있음은 당연하다.
특히 열처리 단계는 토치 또는 가열로 등을 이용하여 열처리할 수 있다.
<제5단계>
본 발명에서 제5단계는 로우 블록 또는 어퍼 블록의 손상표면 및 분사공을 용접하여 육성하기 위한 것이다.
특히 스카핑 작업시 발생하는 고열로 인해서 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면이 용융되면서 손상됨은 물론 분사공은 열변형이 발생하여 사용할 수 없으므로 새로운 분사공을 형성하기 위해서 기존의 분사공을 메우는 육성작업이 필요한 것이다.
<제6단계>
본 발명에서 제6단계는 상기 제5단계가 완료된 로우 블록 또는 어퍼 블록의 육성표면을 균일하게 가공하고 분사공을 형성하기 위한 것이다.
특히 제6단계는 새로운 분사팁을 장착하기 위한 분사공을 새롭게 형성함은 물론 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 형성한 냉각수 또는 혼합가스가 순환할 수 있는 순환공을 드릴 또는 밀링 가공하여 형성할 수 있다.
<제7단계>
본 발명에서 제7단계는 로우 블록 또는 어퍼 블록을 약품처리 하여 육성작업 및 남아있는 이물질을 제거하기 위한 것이다.
이때 로우 블록 또는 어퍼 블록은 내부에 약품이 저장된 용기에 10시간 내지 14시간 동안 침전시켜 이물질을 제거할 수 있다.
특히 약품처리한 로우 블록 또는 어퍼 블록은 물을 이용하여 약품을 세척 및 건조 후 후속단계로 보내게 된다.
<제8단계>
본 발명에서 제8단계는 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사공에 새로운 분사팁을 장착하기 위한 것이다.
이때 상기 분사공의 내부에 분사팁을 압입하여 고정하거나 분사공의 내부에 탭(Tap)을 형성하여 분사팁과 나선결합할 수 있다.
<제9단계>
본 발명에서 제9단계는 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 액체를 공급하여 분사공의 분사각도를 검사하기 위한 것이다.
이때 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 공급하는 액체는 압력을 쉽게 조절할 수 있고 검사작업시 발생할 수 있는 안전사고를 방지하기 위해서 물을 사용하였다.
특히 분사공을 통해서 분사되는 물줄기의 각도와 형태를 별도의 검사판 또는 작업자가 시각적으로 검사하여 로우 블록 또는 어퍼 블록의 불량 여부를 손쉽게 검사할 수 있도록 분사압력은 1㎏/㎠ 내지 5㎏/㎠를 사용하였다.
<제10단계>
본 발명에서 제10단계는 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 액체 또는 기체를 공급하여 기밀상태를 검사하기 위한 것이다.
특히 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 일정한 압력의 액체 또는 기체를 공급한 후 압력의 변화를 측정하여 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 형성한 순환공의 가공상태 및 기밀상태를 검사할 수 있다.
이때 액체 또는 기체의 압력은 5㎏/㎠ 내지 20㎏/㎠를 사용하였다.
<제11단계>
본 발명에서 제11단계는 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 연마하기 위한 것이다.
특히 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 균일하게 연마하여 스카핑 장치의 다른 구성들과 원활하게 조립할 수 있다.
이때 밀링머신 등과 같은 공작기계를 이용하여 연마작업을 진행할 수 있다.
여기서 상기 제11단계에는 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 광택하는 제12단계를 더 포함하여 로우 블록 또는 어퍼 블록의 제품성을 향상시킬 수 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 일련적인 단계를 통해서 로우 블록 또는 어퍼 블록을 정비하여 사용수명을 형상시키고 스카핑 작업의 효율성을 확보할 수 있는 것이다.
이처럼 상기와 같이 본 발명의 실시한 예에 대하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 실시한 예와 실질적으로 균등의 범위에 있는 것까지 본 발명의 권리범위가 포함되는 것은 당연하다.
1: 스카핑 장치
10: 헤드 블록 20: 베이스 블록
30: 어퍼 블록 40: 로우 블록
50: 슈 블록
A: 슬래브

Claims (2)

  1. 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면에 묻어있는 이물질을 3㎏/㎠ 내지 6㎏/㎠ 압력으로 샌딩작업을 하여 제거하는 제1단계;
    상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사공에 장착된 분사팁을 제거하는 제2단계;
    상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 사상하는 제3단계;
    상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 열처리하는 제4단계;
    상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 손상표면 및 분사공을 용접하여 육성하는 제5단계;
    상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 육성표면을 균일하게 가공하고 분사공을 형성하는 제6단계;
    상기 로우 블록 또는 어퍼 블록을 내부에 약품이 저장된 용기에 10시간 내지 14시간 동안 침전시켜 약품처리 하는 제7단계;
    상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 분사공에 새로운 분사팁을 장착하는 제8단계;
    상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 1㎏/㎠ 내지 5㎏/㎠의 압력을 갖는 액체를 공급하여 분사공의 분사각도를 검사하는 제9단계;
    상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 내부에 5㎏/㎠ 내지 20㎏/㎠의 압력을 갖는 액체 또는 기체를 공급하여 기밀상태를 검사하는 제10단계;
    상기 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 연마하는 제11단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제11단계에 로우 블록 또는 어퍼 블록의 표면을 광택하는 제12단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스카핑 장치의 로우 블록 또는 어퍼 블록 정비방법.
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