KR101475042B1 - 라인형 x-레이 이미지 검출 디텍터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터에 관한 것으로, 입사하는 X-레이를 측면입사부에서 받아들이는 라인형 구조의 디텍터 몸체와 상기 디텍터 몸체에 형성되어 전압을 인가하는 적어도 1이상의 전극, 상기 밀폐공간에 형성되는 적어도 1이상의 리드아웃 전극을 포함하며, 특히 상기 측면입사부는 보호층을 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 본 발명은 엑스레이가 입사되는 측면입사부의 두께를 다른 테두리부의 두께보다 최대한 얇게 형성하여, 엑스레이의 투과량을 월등히 향상시키는 한편, 얇은 두께의 측면입사부에 보호층을 형성하여 안정성을 확보하는 효과가 있다.
엑스레이, 디텍터, 라인타입, 간섭, 측면입사부, 보호층
Description
본 발명은 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터에 관한 것으로, 구체적으로는엑스레이 검출신호의 입사를 측면부에서 할 수 있는 라인형 엑스레이 디텍터를 형성하여 리드아웃 전극의 간섭현상이 없으면서도 제조공정의 간편성과 진공공정에서의 파손위험성을 줄일 수 있는 안정성이 확보된 디텍터를 제공하며, 영상취득시 크로스 토크(cross talk) 현상이 없어 회로에서 영상취득시 보다 선명한 영상을 취득할 수 있는 디텍터에 관한 것이다.
특히, 본 발명은 엑스레이가 입사되는 측면입사부의 두께를 다른 테두리부의 두께보다 최대한 얇게 형성하여, 엑스레이의 투과량을 월등히 향상시키는 한편, 얇은 두께의 측면입사부에 보호층을 형성하여 안정성을 확보할 수 있는 디텍터를 제공하는 기술에 관한 것이다.
엑스레이 검출기는 인체 또는 물체를 투과한 엑스선을 읽어들여 이를 영상으로 구현하는 장치를 말한다.
현재 의학용, 공학용 등으로 널리 사용되고 있는 X-레이 검사방법은 X-레이 감지필름을 사용하여 촬영하고, 그 결과를 알기 위하여 소정의 필름 인화단계를 거치게 된다. 그러나 이로 인해 일정시간이 흐른 후에 원하는 목적물에 대한 사진을 인지할 수 있다는 점에서 그 이용성에 있어서 시간이 길어지는 문제가 있었으며, 특히 촬영 후에 필름의 보관 및 보존이 어려워 필름 자체가 훼손되는 경우에는 결과물을 확인하기 어려운 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 방안으로 TFT(Thin Film Transistor)를 이용한 X-레이 이미지 검출용 디텍터가 연구/개발되었다. 상기 TFT를 이용한 디텍터는 TFT를 스위칭 소자로 사용하고 X-레이의 촬영 즉시 실시간으로 결과를 진단할 수 있는 이점을 구현할 수 있게된다. 현재 상용화되고 있는 TFT를 스위칭 소자로 사용하는 X-레이 신호 검출 방법은 간접방식과 직접방식으로 나눌 수 있다.
간접방식은 TFT 상에 포토다이오드(Photodiode)가 형성되고, 상기 포토다이오드 상에 X-레이 신호를 가시광선으로 바꿔주는 신틸레이터(Scintillator)를 도포하여 상기 신틸레이터에 의해 가시광선으로 변환된 X-레이 신호를 포토다이오드를 통해서 전기적 신호로 변환하여 TFT의 커패시터에 저장해 두었다가 TFT의 게이트 전극에 읽기 신호(readout signal)를 가하여 커패시터에 충전되어 있는 X-레이 신호를 읽어 들이는 방식이다.
직접방식은 상기 간접방식과 유사하게 TFT를 사용하며, TFT 상에 X-레이에 민감한 포토컨덕터(Photoconductor; a-Se, Csl, PbO)가 형성되어 X-레이 신호를 전기적 신호로 전환하며, X-레이에 의해 발생한 전자를 TFT의 커패시터에 저장한 후 게이트에 읽기 신호를 가하여 커패시터에 충전되어 있는 X-레이 신호를 읽어들이는 방식이다.
상기와 같이 종래의 TFT를 이용한 디텍터는 제조가 어려운 난점 이외에도, 패널 내부의 픽셀 하나당 한 개의 박막트랜지스터가 필요하므로 대면적이 어렵고 비용이 증가하게 되며, 감도가 낮아지는 단점이 있었다. 이러한 단점을 해결하기 위하여, 최근 대체장비로써 디텍터를 PDP를 활용한 방안이 제시되고 있다. 즉 TFT를 활용한 구조가 아닌 PDP 구조를 채용하는 방식으로, 내부의 가스층의 가스가 엑스레이에 의해 이온화되면서 전자, 정공 쌍이 발생하게 되며 이 전자 역시 전기장에 의해 가속되어 다른 가스를 이온화시키거나 수집 전극으로 끌려가게 된다. 이렇게 수집된 전자들은 리드아웃 장치로 출력된 전기적 신호들은 영상 데이터로 변환되어 영상으로 출력하면 방사선 이미지가 생성되는 원리를 이용하는 것이다.
도 1을 참조하면, 플라즈마 디스플레이(PDP)를 이용한 검출기(100)는 방전 갭을 가지면서 인접하여 대향 배치되는 2개의 기판(110)과 상기 기판상의 대향면측에 형성된 유전층(120)과 상기 기판과 유전층의 사이에 형성된 전극층(130)과 상기 유전층의 사이에 형성되어 기판 내면에 밀폐 셀 구조를 형성시키는 격벽(140)과 상기 격벽과 기판의 내면 일 측 위에 형성되며, 방사선에 의해 자극되어 가시광선을 발생시키는 형광층(150)과 상기 격벽과 기판에 의해 형성되는 밀폐 셀 내부에 충진되어 방사선에 의해 자극되어 전자를 발생시키는 가스층(160)으로 구성된다.
이러한 구성에 있어서, PDP 구조를 이용한 디지털 X-ray 이미지 검출기에서, 인체를 투과한 X-레이가 가스층(160)에 도달하게 되면 가스층(160)은 X-ray 에 의해 전자, 정공 쌍이 발생하게 되는 데 이러한 가스층(160)에 의한 방사선의 전자 방출 효과를 이용하여 PDP 구조를 방사선 디텍터 기판으로 사용하는 것이다. 또한, 가스층(160)과 상호작용을 하지 못한 X-ray 는 가스층(160) 아래에 위치한 형광층(150)과 상호작용하고 그 결과 가시광선이 발생하게 되는데, 이때 발생된 가시광선을 일함수가 낮은 광음극층(미도시) 전자를 방출시켜 방사선 디텍터 기판으로 사용하는 것이다. 상기 방출된 전자는 상기 기판 위에 위치한 전극에 의해 가속되어 가스층(160) 내의 가스를 이온화시키거나 또는 바로 전극에 도달하게 된다.
가스가 이온화되면서 전자, 정공 쌍이 발생하게 되며 이 전자 역시 전기장에 의해 가속되어 다른 가스를 이온화시키거나 수집 전극(리드아웃 전극)으로 끌려가게 된다. 이렇게 수집된 전자들은 리드아웃 장치로 출력된 전기적 신호들은 영상 데이터로 변환되어 영상으로 출력하면 방사선 이미지가 생성되게 된다. 또한, 상기 형광층(150) 대신에 X-ray에 반응하여 전자, 정공 쌍을 발생시키는 광도전체층(미도시)을 사용할 수 있다.
종합하면, X-ray가 디텍터 내부의 가스와 충돌하여 전하(signal)가 발생하면, 발생된 전하는 리드아웃 장치를 통하여 회로로 전달되고, 회로부에서 이러한 아날로그 신호를 디지털 신호로 변경하여 영상을 획득할 수 있게 된다.
그러나 이러한 PDP를 이용한 검출기는 상부기판에서 엑스레이 흡수율이 매우 높아 감도가 낮으며, 내부 구조중의 필수요소라 할 수 있는 격벽을 세우기가 어렵다. 특히 상기 격벽을 이용하여 가스층의 공간을 마련하여야 하는데 이 경우 격벽이 무너지는 경우가 빈번하여 제조상의 수율이 낮고, 또한 격벽을 미세하게 제조하기도 어렵다는 문제도 발생하였다. 특히 복잡한 설계와 낮은 감도로 인한 품질상의 문제를 가지고 있으며, 형광층의 고른 도포가 극히 어려운바, 이로 인한 엑스레이의 감도 역시 현저하게 떨어지는 문제와 가스 충진 공간의 보다 폭넓은 확보가 어려운 문제도 발생하였다. 또한, 상하 좌우 픽셀 간에 경계가 불분명하여 각 픽셀 간에 간섭작용이 발생하여 높은 질의 이미지 영상을 구현하는데 한계가 있는 문제도 발생하였다.특히, 이러한 PDP 형 디텍터의 경우에는 패널의 전면에서 전체적인 검출신호를 읽어들이는 방식을 취하고 있으며, 이 경우, 회로부로 검출신호를 보내는 경우, 리드아웃 전극에서 간섭이 발생하여 영상의 간섭현상이 발생하게 되는 문제가 발생하게 된다.
아울러, 종래의 디텍터의 경우, 엑스레이가 입사되는 패널의 내부에, 유기기판과 전극, 형광층, 유전체 등의 재료로 인해 실제신호에 영향을 주는 엑스레이의 양이 줄어들어 신호의 감도를 떨어뜨리는 문제가 발생하게 된다.
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 엑스레이가 입사되는 측면입사부의 두께를 다른 테두리부의 두께보다 최대한 얇게 형성하여, 엑스레이의 투과량을 월등히 향상시키는 한편, 얇은 두께의 측면입사부에 보호층을 형성하여 측면입사부의 두께가 얇아짐에 따라 바깥표면에 엑스레이 투과율이 높은 보포층을 사용하여 패널의 안정성을 확보하고 신호의 감도를 향상시킬 수 있는 디텍터를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위하여, 내부에 가스층을 형성하는 밀폐공간을 구비하며, 입사하는 X-레이를 측면입사부에서 받아들이는 라인형 구조의 디텍터 몸체와 상기 디텍터 몸체에 형성되어 전압을 인가하는 적어도 1이상의 전극과 상기 밀폐공간에 형성되는 적어도 1이상의 리드아웃 전극; 을 포함하며, 상기 측면입사부는 보호층을 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터를 제공한다.
특히, 본 발명에서 상술한 보호층을 형성하되, 상기 보호층은 폴리머, 바람직하게는 에폭시를 이용하여 형성할 수 있도록 해, 엑스레이의 투과율을 높이는 한편, 전체 측면입사부의 두께가 얇아짐에 따른 취약점을 보완할 수 있도록 하였다.
또한, 본 발명은 상기 측면 입사부의 두께(T1)가 디텍터 몸체의 테두리부 두 께(T2)보다 얇은 구조로 형성되게 형성할 수 있다. 즉 엑스레이가 입사되는 곳의 유리를 최대한 얇게 제작할 수 있도로록 해, 입사되는 엑스레이의 투과율을 향상시킬 수 있도록 한다.
이러한 바람직한 상기 측면입사부의 두께(T1)는 0.1~5.0mm 로 형성될 수 있다.
또한, 상기 디텍터 몸체는, 서로 이격되는 상부기판과 하부기판을 포함하며, 각 기판의 사이에 구획격벽에 의해 구획되는 단위밀폐공간이 형성된 구조를 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 리드아웃 전극은 상기 단위밀폐공간 내의 하부기판에 각각 형성되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 상기 리드아웃 전극은 상기 단위밀폐공간의 길이방향을 따라서 배치되게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에서의 상부기판에 형성되는 전극은 전면전극으로 구성되어 상부기판의 내부 또는 외부면에 형성될 수 있다.
아울러 본 발명은 상기 전면전극에 의해 인가되는 전압에 의해 형성된 전자 및 정공에 의한 신호량을 상기 리드아웃 전극을 통해 리드아웃하는 회로부를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상술한상기 구획 격벽을 형성함에 있어서 상부기판 또는 하부기판에 일체형으로 형성할 수 도 있다.
본 발명의 단위밀폐공간에 형성되는 상기 가스층은 페닝가스로 이루어지되, 상기 페닝가스는 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 어느 하나 또는 적어도 2이상이 혼합된 혼합가스로 이루어질 수 있도록 한다.
본 발명에 따르면, 엑스레이 검출신호의 입사를 측면부에서 할 수 있는 라인형 엑스레이 디텍터를 형성하되, 세로형 구조로 구성하여 리드아웃 전극의 간섭현상이 없으면서도 제조공정의 간편성과 진공공정에서의 파손위험성을 줄일 수 있는 안정성이 확보된 디텍터를 제공하며, 영상취득시 크로스 토크(cross talk) 현상이 없어 회로에서 영상취득시 보다 선명한 영상을 취득할 수 있는 효과가 있다.
특히, 본 발명은 엑스레이가 입사되는 측면입사부의 두께를 다른 테두리부의 두께보다 최대한 얇게 형성하여, 엑스레이의 투과량을 월등히 향상시키는 한편, 얇은 두께의 측면입사부에 보호층을 형성하여 안정성을 확보하는 효과도 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다.
본 발명의 요지는 기존의 PDP평 디텍터가 평판 패널의 전(前)면에서 디텍팅을 하는 구조와는 달리 디텍터를 세워서 측면 방향에서 엑스레이가 들어오는 형태를 취함으로써, 세로나 가로면의 측면입사부를 통해 선형(라인형)으로 검출을 구현할 수 있는 구조에 관한 것이다. 나아가 상술한 측면입사부를 형성하는 부분의 기판을 최대한 얇게 형성하여 엑스레이의 투과량을 증대시키고, 얇아진 구조을 보완하여 보호층을 형성하는 구조를 가지는 것을 또한 요지로 한다.
도 2를 참조하면, 도 2의 (a)는 바람직할 일 실시예의 사시도이며, (b)는 분해사시도이다. 본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터는 아울러 내부 구조에 있어서도 종래 방식과는 상이한 격벽구조와 전극구조를 구비하고 있다.
본 발명은 기본적으로 내부에 가스층(30)을 형성하는 밀폐공간을 구비하며, 입사하는 X-레이를 측면입사부(60)에서 받아들이는 구조의 디텍터 몸체를 구비하며, 상기 디텍터 몸체에 전압을 인가하는 적어도 1 이상의 전극(70)을 구비할 수 있으며, 또한, 상기 밀폐공간에는 적어도 1이상의 리드아웃 전극(40)이 형성된다.
특히, 상기 디텍터 몸체는 도시된 것처럼, 상부와 하부기판, 그리고 양 기판을 지지 및 밀폐하는 측면 테두리부를 포함하는 개념이다.
디텍터 몸체는 상부기판(10)과 하부기판(20)이 이격되며, 이격된 사이에 구획격벽(50)을 배치하여 밀폐공간을 형성하는 구조로 형성될 수 있으며, 상기 구획격벽(50)은 도시된 것과 같이 독립적으로 형성하여 상부기판과 하부기판을 밀착하여 형성하거나, 상기 구획격벽(50)이 상부기판이나 하부기판에 일체형으로 형성되도록 포밍(forming)하여 형성할 수 도 있다. 특히, 본 발명에 따른 실시예에서는 상술한 측면 테두리부를 통하여 X-레이가 입사되도록 측면 테두리 부중 어느 하나를 측면 입사부(60)로 형성한다.
물론 상기 디텍터 몸체는 측면 테두리부는 기판과 동일한 재질 또는 다른 재질의 기판으로 밀봉될 수 있으며, 본 발명에 따른 디텍터 몸체를 형성하는 기판은 유기기판 또는 투명한 재질의 기판을 사용할 수 있다.
특히, 본 발명에서는 상기 측면입사부(60부분을 형성하는 측면테두리부 21) 의 두께(T1)를 최대한 얇게 형성하여 다른 측면테두리부의 두께(T2)보다 얇은 구조로 형성함이 바람직하다. 즉, 이는 엑스레이의 투과도를 높여 검출신호의 감도를 향상시킬 수 있도록 하기 위함이다.
또한, 이처럼 측면입사부(60)의 두께가 얇아지는 경우에는 그 안정성이 취약해저 파손될 우려가 동시에 수반되는바, 이를 보완하기 위한 보호층(22)을 상기 측면입사부의 내부면 외부면에 형성할 수 있다.
특히 이러한 보호층(22)을 형성하는 재료로는 엑스레이 투과율이 좋은 재료를 사용함이 바람직하며, 폴리머를 사용할 수 있으며, 특히 바람직하게는 에폭시를 이용하여 형성될 수 있다.
{표 1}
상술한 표 1은 각 재료에 따른 엑스레이 투과율을 시험한 것이다.
{※X-ray condition : 70kvp, 100mA, 0.032sec / Temperature : 25.4℃ / Humidity : 68%}
이상과 같은 결과를 고려할 때 본 발명에 따른 보호층의 두께는 0.1~5.0mm 로 형성됨이 특히 바람직하다.
또한, 상기 디텍터 몸체를 형성함에 있어서, 상기 상부기판(10)의 상면에는 전극(70)을 형성하되, 전극을 전면 전극으로 도포하여 형성할 수 있다. 아울러 하부기판에는 패턴이 형성된 리드아웃 전극(40)을 형성한다. 특히 상기 리드아웃 전극(40)은 단위밀폐공간에 길이방향으로 도시된 것처럼 패턴화 하여 형성함이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 라인디텍터는 도 2에 도시된 형상을 위로 세워서 사용하는 것도 가능하다.
본 발명에 따른 디텍터의 검출구조는 기본적인 X-레이가 측면입사부를 통해 입사하고, 입사된 X-레이는 내부에 충진된 가스층(30)과 부딪혀 전자, 정공을 형성하게 된다. 이렇게 형성된 전하는 리드아웃(40)을 통해 외부 회로부 쪽으로 보내지게 된다. 따라서, 상기 전면전극에 의해 인가되는 전압에 의해 형성된 전자 및 정공에 의한 신호량을 상기 리드아웃 전극을 통해 리드아웃하는 회로부(미도시)를 더 포함하여 구성됨이 바람직하다.
개략적인 본 발명에 따른 제조공정을 도면을 참조하여 설명하자면, 상부기판(10)의 전(全)면에 전극을 도포하고, 하부기판(20)에는 리드아웃을 할 패턴을 그려 전극(40)을 도포한다. 이후 구획격벽(50)을 형성하고, 전극이 도포된 상부기판과 하부기판을 붙인다. 내부에 열처리와 진공 공정 후 반응가스를 주입하여 제조하게 된다. 특히 상기 구획격벽을 형성하는 경우에는 상부기판 또는 하부기판에 일체형으로 포밍(forming)하여 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터의 가스층에 주입되는 가스는, 페닝가스로 이루어진 것을 특징으로 하며, 아울러 상기 페닝가스는 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 어느 하나이거나, 이 중에서 선택된 2 이상의 가스를 혼합한 혼합페닝가스로 형성할 수 있다. 이를 테면, 이러한 상기 혼합페닝가스는 Xe+Ne, Kr+Ne, Ar+Ne, Xe+CO2, Kr+CO2, Ar+CO2, Xe+CH4, Kr+CH4, Ar+CH4 중 선택된 어느 하나를 이용할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 디텍터에서 실제로 유리병 속에 있는 분발을 검출한 적용례를 도시한 것이다.
본 발명에 따르면, 엑스레이가 입사되는 곳에 기판의 두께를 얇게 형성하여 가스층과 반응하는 엑스레이의 양을 최대한 많이 투과하 수 있도록 하여, 회로에 전달되는 신호를 증가시킴으로써, 고화질의 영상을 확보할 수 있게 된다.
또한, 기판의 두께가 얇아짐에 따른 측면입사부의 강도를 보완하기 위하여 에폭시 등의 엑스레이 투과율이 높은 보호층을 형성하여 구조적 안정성을 확보할 수 있는 장점도 있다.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 종래의 PDP 형 엑스레이 디텍터를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 바람직할 일 실시예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 다른 디텍터를 적용한 사진을 도시한 것이다.
Claims (12)
- 내부에 가스층을 형성하는 밀폐공간을 구비하며, 입사하는 X-레이를 측면입사부에서 받아들이는 라인형 구조의 디텍터 몸체;상기 디텍터 몸체에 형성되어 전압을 인가하는 적어도 1이상의 전극;상기 밀폐공간에 형성되는 적어도 1이상의 리드아웃 전극;을 포함하며,상기 측면입사부는 보호층을 더 구비하고,상기 측면 입사부의 두께(T1)가 디텍터 몸체의 테두리부 두께(T2)보다 얇은 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.
- 청구항 1에 있어서,상기 보호층은 폴리머로 형성되는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,상기 측면입사부의 두께는 0.1~5.0mm 로 형성되는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.
- 청구항 1에 있어서,상기 디텍터 몸체는, 서로 이격되는 상부기판과 하부기판을 포함하며, 각 기판의 사이에 구획격벽에 의해 구획되는 단위밀폐공간이 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.
- 청구항 5에 있어서,상기 리드아웃 전극은 상기 단위밀폐공간 내의 하부기판에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.
- 청구항 6에 있어서,상기 리드아웃 전극은 상기 단위밀폐공간의 길이방향을 따라서 배치되는 것 을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.
- 청구항 6에 있어서,상기 전극은 상부기판에 형성되는 전극은 전면전극으로 구성되어 상부기판의 내부 또는 외부면에 형성되는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.
- 청구항 8에 있어서,상기 전면전극에 의해 인가되는 전압에 의해 형성된 전자 및 정공에 의한 신호량을 상기 리드아웃 전극을 통해 리드아웃하는 회로부를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.
- 청구항 5에 있어서,상기 구획격벽은 상부기판 또는 하부기판에 일체형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.
- 청구항 1, 2 또는 10 중 어느 한항에 있어서,상기 가스층은 페닝가스로 이루어진 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.
- 청구항 11에 있어서,상기 페닝가스는 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 어느 하나 또는 적어도 2이상이 혼합된 혼합가스인 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080100500A KR101475042B1 (ko) | 2008-10-14 | 2008-10-14 | 라인형 x-레이 이미지 검출 디텍터 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080100500A KR101475042B1 (ko) | 2008-10-14 | 2008-10-14 | 라인형 x-레이 이미지 검출 디텍터 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100041354A KR20100041354A (ko) | 2010-04-22 |
KR101475042B1 true KR101475042B1 (ko) | 2014-12-31 |
Family
ID=42217110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080100500A KR101475042B1 (ko) | 2008-10-14 | 2008-10-14 | 라인형 x-레이 이미지 검출 디텍터 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101475042B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020034992A (ko) * | 1999-04-22 | 2002-05-09 | 테루오 히루마 | 광학 소자, 방사선 이미지 센서 및 광학 소자의 제조 방법 |
KR20030089674A (ko) * | 2003-11-04 | 2003-11-22 | 남상희 | 플라즈마 디스플레이 패널 구조를 이용한 디지털 엑스레이검출기 |
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-
2008
- 2008-10-14 KR KR1020080100500A patent/KR101475042B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100041354A (ko) | 2010-04-22 |
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