KR101473356B1 - Grounding method of heat-slug - Google Patents

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KR101473356B1 KR1020130070063A KR20130070063A KR101473356B1 KR 101473356 B1 KR101473356 B1 KR 101473356B1 KR 1020130070063 A KR1020130070063 A KR 1020130070063A KR 20130070063 A KR20130070063 A KR 20130070063A KR 101473356 B1 KR101473356 B1 KR 101473356B1
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조창식
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에스티에스반도체통신 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a grounding method of a heat slug and, more particularly, to a heat radiation structure of a heat slug, a semiconductor package, and a grounding method of the heat slug, capable of performing a grounding operation with low costs and improving thermal or electrical properties by dividedly forming an oxidation preventing layer and a heat radiation layer on a slug body and using materials with high thermal conductivity and electric conductivity for the heat radiation layer.

Description

히트 슬러그의 접지방법{GROUNDING METHOD OF HEAT-SLUG}{GROUNDING METHOD OF HEAT-SLUG}

본 발명은 히트 슬러그의 접지방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 슬러그 몸체 상에 산화방지층과 방열층을 구분 형성하며, 상기 방열층을 열전도도 및 전기전도도가 우수한 소재를 사용함으로써 열적 내지 전기적 특성을 향상시킬 수 있으며, 저렴한 비용으로 접지할 수 있는 히트 슬러그의 접지방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of grounding a heat slug, and more particularly, to a method of grounding a heat slug, in which an antioxidant layer and a heat dissipation layer are separately formed on a slug body, and the heat dissipation layer is made of a material having excellent thermal conductivity and electrical conductivity. To a grounding method of a heat slug which can be grounded at a low cost.

일반적으로 반도체 패키지가 가져야 할 가장 중요한 특성 중의 하나는 열방출(Thermal dissipation)에 있다.In general, one of the most important characteristics of a semiconductor package is thermal dissipation.

종래 반도체 패키지는 기판, 반도체 칩 및 히트 슬러그를 포함한다. 여기서 기판 상면에는 반도체 칩이 탑재되고 전기적으로 접속되어 있다. 이와 같이 구성된 반도체 패키지는 반도체 칩 내 형성된 전자소자가 동작할 때 발생되는 열을 반도체 패키지 외부로 효과적으로 방출하기 위해 히트 슬러그가 설치되어 있다. 이러한 히트 슬러그를 배치한 후 기판 상에 배치된 반도체 칩, 히트 슬러그를 절연성 봉지재로 밀봉한다. 그리고 반도체 칩이 실장된 기판 하면에는 솔더범프가 형성되어 있다.Conventional semiconductor packages include a substrate, a semiconductor chip, and a heat slug. The semiconductor chip is mounted on the upper surface of the substrate and electrically connected thereto. In the semiconductor package thus constructed, a heat slug is provided to effectively dissipate the heat generated when the electronic device formed in the semiconductor chip operates to the outside of the semiconductor package. After placing such a heat slug, the semiconductor chip and the heat slug disposed on the substrate are sealed with an insulating sealing material. A solder bump is formed on the bottom surface of the substrate on which the semiconductor chip is mounted.

그리고, 도 5는 종래 기판과 히트 슬러그가 접지된 모습을 도시하는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a state where the conventional substrate and the heat slug are grounded.

도 5를 참조하면, 종래 히트 슬러그는 구리(Cu)로 이루어진 히트 슬러그 상에 니켈(Ni)로 이루어진 산화방지층이 형성되어 있으며, 기판에 형성된 접지단자와 히트 슬러그는 전도성 필러(conductive filler)가 혼합된 접착부재(conductive epoxy/adhesive)로 접지된다.5, the conventional heat slug includes a heat slug made of copper (Cu) and an anti-oxidation layer made of nickel (Ni) formed thereon. A ground terminal formed on the substrate and a heat slug are mixed with a conductive filler Lt; RTI ID = 0.0 > (epoxy / adhesive). ≪ / RTI >

다만, 이러한 종래 히트 슬러그의 접지구조는 전도성 필러(conductive filler)가 혼합된 접착부재(conductive epoxy/adhesive)로 접지되기 때문에 전기적 또는 열적 특성이 좋지 않다는 문제가 있다.
However, since the ground structure of such a conventional heat slug is grounded with a conductive epoxy / adhesive mixed conductive filler, there is a problem that electrical or thermal characteristics are poor.

한편, 도 6은 종래 기판과 히트 슬러그가 접지된 모습을 도시하는 다른 단면도이다.6 is another cross-sectional view showing a state where the conventional substrate and the heat slug are grounded.

도 6을 참조하면, 종래 히트 슬러그는 상술한 종래 히트 슬러그의 접지방법의 전기적 또는 열적 특성을 향상시키기 위한 것이다. 구체적으로, 구리(Cu)로 이루어진 히트 슬러그 상에 니켈(Ni)로 이루어진 산화방지층이 형성되고, 산화방지층 상에 금(Au)과 같이 전도성이 우수한 소재로 도금을 하게 된다. 즉 Au/Ni plating을 이용하여 솔더 패이스트(solder paste)로 접지하기 때문에 전기적 또는 열적 특성을 향상시킬 수 있으나, Au/Ni plating으로 인해 제조 단가가 현저히 증가한다는 문제가 있었다.Referring to FIG. 6, the conventional heat slug is intended to improve the electrical or thermal characteristics of the conventional heat slug grounding method. Specifically, an antioxidant layer made of nickel (Ni) is formed on a heat slug made of copper (Cu), and the antioxidant layer is plated with a material having excellent conductivity such as gold (Au). That is, since Au / Ni plating is used for grounding with solder paste, electrical or thermal characteristics can be improved. However, there is a problem that the manufacturing cost is increased due to Au / Ni plating.

공개특허 제10-2005-0077866호 열방출형 반도체 패키지 및 그 제조방법(공개일 : 2005. 08. 04.)Published Japanese Patent Application No. 10-2005-0077866 Thermal Discharge Semiconductor Package and Manufacturing Method Thereof (Published: 2005. 08. 04.)

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 히트 슬러그 몸체 상에 산화방지층과 방열층을 구분 형성하며, 상기 방열층을 열전도도 및 전기전도도가 우수한 소재를 사용함으로써 열적 내지 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 히트 슬러그의 방열 구조, 반도체 패키지 및 히트 슬러그의 접지방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a heat slug body in which an antioxidant layer and a heat dissipation layer are separately formed, and the heat dissipation layer is made of a material having excellent thermal conductivity and electrical conductivity And to provide a heat dissipating structure of a heat slug capable of improving thermal or electrical characteristics, a semiconductor package, and a method of grounding a heat slug.

또한, 본 발명의 목적은 방열층을 OSP(organic solderability preservative) 방식으로 형성하기 때문에 저렴한 비용으로 형성하고 접지할 수 있는 히트 슬러그의 방열 구조, 반도체 패키지 및 히트 슬러그의 접지방법을 제공하는 것이다.
It is another object of the present invention to provide a heat dissipating structure, a semiconductor package, and a method of grounding a heat slug that can be formed and grounded at a low cost because a heat dissipation layer is formed by an OSP (organic solderability preservative) method.

이를 위해 본 발명에 따른 히트 슬러그의 방열 구조는 평탄부와, 상기 평탄부에서 연장되는 절곡부와, 상기 절곡부에서 연장되는 접속부로 이루어지는 히트 슬러그 몸체; 및 상기 히트 슬러그 몸체의 상기 접속부 하면에 형성되어 솔더링이 이루어지는 방열층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.To this end, the heat dissipating structure of the heat slug according to the present invention includes: a heat slug body including a flat portion, a bent portion extending from the flat portion, and a connecting portion extending from the bent portion; And a heat dissipation layer formed on the lower surface of the connection portion of the heat slug body and soldering the heat dissipation layer.

또한, 본 발명에 따른 히트 슬러그의 방열 구조는 히트 슬러그 몸체 중 상기 방열층 이외의 영역에 형성되는 산화방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The heat dissipation structure of the heat slug according to the present invention may further include an oxidation prevention layer formed in a region other than the heat dissipation layer of the heat slug body.

또한, 본 발명에 따른 히트 슬러그의 방열 구조의 방열층은 전기 전도성을 가지는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The heat dissipation layer of the heat slug according to the present invention is formed of a material having electrical conductivity.

또한, 본 발명에 따른 히트 슬러그의 방열 구조의 방열층은 OSP(organic solderability preservative) 방식으로 형성된 벤지미다졸(benzimidazole)인 것을 특징으로 한다.The heat dissipation layer of the heat slug according to the present invention is characterized by being a benzimidazole formed by an OSP (organic solderability preservative) method.

또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지는 기판과; 상기 기판 상에 형성되는 접지단자와; 평탄부와, 상기 평탄부에서 연장되는 절곡부와, 상기 절곡부에서 연장되는 접속부로 이루어지는 히트 슬러그 몸체 및 상기 히트 슬러그 몸체의 접속부 하면에 형성되어 솔더링이 이루어지는 방열층을 포함하는 히트 슬러그; 및 상기 접지단자와 상기 방열층 사이에 형성되는 솔더볼;을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor package comprising: a substrate; A ground terminal formed on the substrate; A heat slug including a flat portion, a bent portion extending from the flat portion, and a connecting portion extending from the bent portion, and a heat dissipating layer formed on the bottom surface of the connecting portion of the heat slug body and soldered; And a solder ball formed between the ground terminal and the heat dissipation layer.

또한, 본 발명에 따른 반도체 패키지의 방열층은 OSP(organic solderability preservative) 방식으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the heat dissipation layer of the semiconductor package according to the present invention is formed by an organic solderability preservative (OSP) method.

또한, 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법은 평탄부와, 상기 평탄부에서 연장되는 절곡부와, 상기 절곡부에서 연장되는 접속부로 이루어지는 히트 슬러그 몸체를 마련하는 단계와; 상기 히트 슬러그 몸체 상에 산화방지층을 형성하는 단계와; 상기 접속부의 하면에 형성된 산화방지층의 적어도 일부를 제거하는 단계와; 상기 산화방지층이 제거된 접속부 상에 방열층을 형성하는 단계; 및 상기 방열층 상에 솔더링하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of grounding a heat slug, comprising: providing a heat slug body including a flat portion, a bent portion extending from the flat portion, and a connecting portion extending from the bent portion; Forming an anti-oxidation layer on the heat slug body; Removing at least a part of the oxidation preventing layer formed on the lower surface of the connecting portion; Forming a heat dissipation layer on the connection portion from which the oxidation preventing layer is removed; And a step of soldering on the heat dissipation layer.

또한, 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법은 평탄부와, 상기 평탄부에서 연장되는 절곡부와, 상기 절곡부에서 연장되는 접속부로 이루어지는 히트 슬러그 몸체를 마련하는 단계와; 상기 히트 슬러그 몸체 중 접속부 하면에 마스크를 형성하는 단계와; 상기 히트 슬러그 몸체 상에 산화방지층을 형성하는 단계와; 상기 마스크를 제거하고, 상기 접속부 하면에 방열층을 형성하는 단계; 및 상기 방열층 상에 솔더링하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of grounding a heat slug, comprising: providing a heat slug body including a flat portion, a bent portion extending from the flat portion, and a connecting portion extending from the bent portion; Forming a mask on a bottom surface of a connecting portion of the heat slug body; Forming an anti-oxidation layer on the heat slug body; Removing the mask and forming a heat dissipation layer on the bottom surface of the connection portion; And a step of soldering on the heat dissipation layer.

이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 히트 슬러그의 방열 구조, 반도체 패키지 및 히트 슬러그의 접지방법에 의하면, 히트 슬러그 몸체 상에 산화방지층과 방열층을 구분 형성하며, 상기 방열층을 열전도도 및 전기전도도가 우수한 소재를 사용함으로써 열적 내지 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the heat dissipating structure of the heat slug of the present invention, the semiconductor package and the method of grounding the heat slug, the oxidation preventing layer and the heat dissipating layer are separately formed on the heat slug body, and the heat dissipating layer is formed by heat conduction and electrical conductivity It is possible to improve the thermal or electrical characteristics.

또한, 본 발명에 따른 히트 슬러그의 방열 구조, 반도체 패키지 및 히트 슬러그의 접지방법에 의하면, 방열층을 OSP(organic solderability preservative) 방식으로 형성하기 때문에 저렴한 비용으로 형성하고 접지할 수 있는 효과가 있다.
According to the heat dissipating structure of the heat slug, the semiconductor package and the method of grounding the heat slug according to the present invention, since the heat dissipating layer is formed by the OSP (organic solderability preservative) method, it can be formed at low cost and grounded.

도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법의 일실시예를 도시하는 평면도 및 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 일실시예를 도시하는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법의 일실시예를 도시하는 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법의 다른 실시예를 도시하는 단면도들이다.1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view showing an embodiment of a method of grounding a heat slug according to the present invention.
2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor package according to the present invention.
3A to 3E are cross-sectional views illustrating an embodiment of a method of grounding a heat slug according to the present invention.
4A to 4E are sectional views showing another embodiment of a method of grounding a heat slug according to the present invention.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 판례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In addition, the terms described below are defined in consideration of the functions of the present invention, and these may vary depending on the intention of the user, the operator, or the precedent. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.

도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법의 일실시예를 도시하는 평면도 및 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 일실시예를 도시하는 단면도이다.FIGS. 1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view illustrating an embodiment of a method of grounding a heat slug according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor package according to the present invention.

도 1a 내지 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 패키지(100)는 크게 기판(130)과, 반도체 칩(140)과, 상기 반도체 칩(140) 상에 사이에 형성되는 히트 슬러그(110) 및 상기 기판(130)과 히트 슬러그(110) 사이에 형성되는 솔더볼(137)을 포함할 수 있다. 그리고 기판(130) 상에 형성되고, 적어도 상기 반도체 칩(140) 및 히트 슬러그(110)를 밀봉하는 몰딩부(미도시)를 더 포함할 수 있다.1A and 1B, a semiconductor package 100 according to the present invention includes a substrate 130, a semiconductor chip 140, a heat slug 110 formed on the semiconductor chip 140, And a solder ball (137) formed between the substrate (130) and the heat slug (110). And a molding part (not shown) formed on the substrate 130 and sealing at least the semiconductor chip 140 and the heat slug 110.

상기 기판(130)은 회로패턴(131)을 구비하고, 상면 및 하면에 각각 형성되는 상부 접지단자(133) 및 하부 접지단자(134)와, 상기 상부 접지단자(133) 및 하부 접지단자(134)를 연결하는 비아콘택(135)이 형성된다.The substrate 130 has an upper ground terminal 133 and a lower ground terminal 134 formed on the upper and lower surfaces and a circuit pattern 131. The upper ground terminal 133 and the lower ground terminal 134 The via contact 135 is formed.

상기 상부 접지단자(133)는 히트 슬러그(110)와 접속하고, 상기 하부 접지단자(134)에는 솔더범프(139)가 형성된다.The upper ground terminal 133 is connected to the heat slug 110 and the lower ground terminal 134 is formed with a solder bump 139.

상기 회로패턴(131) 상에는 반도체 칩(140)이 탑재되며, 상기 회로패턴(131) 과 반도체 칩(140)의 단자(141)는 솔더볼(137a)에 의해 전기적으로 접속된다.A semiconductor chip 140 is mounted on the circuit pattern 131 and the circuit pattern 131 and the terminals 141 of the semiconductor chip 140 are electrically connected by a solder ball 137a.

상기 반도체 칩(140)은 플립칩(flip chip) 본딩 구조인 것을 예시할 수 있다.The semiconductor chip 140 may be a flip chip bonding structure.

상기 반도체 칩(140) 상에는 열전도층(150)(Thermal Interface Material:TIM)이 형성된다.A thermal interface material (TIM) 150 is formed on the semiconductor chip 140.

상기 열전도층(150)은 상기 반도체 칩(140)에서 발생하는 열을 히트 슬러그(110)로 전달하여 방열 효과를 높이는 역할을 하는 것으로서, 열전도성 물질로 이루어진 패드를 부착하거나 열전도성 페이스트를 도포하여 형성할 수 있다.The heat conduction layer 150 transmits heat generated from the semiconductor chip 140 to the heat slug 110 to improve the heat dissipation effect. The heat conduction layer 150 may be formed by attaching a pad made of a thermally conductive material or applying a thermally conductive paste .

상기 히트 슬러그(110)는 상기 열전도층(150)을 통해 전달된 열을 외부로 방열시키는 역할을 하는 것으로서, 크게 히트 슬러그 몸체(111)와, 산화방지층(125) 및 방열층(120)으로 이루어질 수 있다.The heat slug 110 serves to dissipate the heat transmitted through the heat conduction layer 150 to the outside and includes a heat slug body 111 and an oxidation prevention layer 125 and a heat dissipation layer 120 .

상기 히트 슬러그 몸체(111)는 평탄부(112)와, 상기 평탄부(112)에서 연장되는 절곡부(113)와, 상기 절곡부(113)에서 연장되는 접속부(114)로 이루어질 수 있다.The heat slug body 111 may include a flat portion 112, a bent portion 113 extending from the flat portion 112 and a connecting portion 114 extending from the bent portion 113.

상기 평탄부(112)는 그 하면이 상기 열전도층(150)과 접촉되어 반도체 칩(140)에서 발생하는 열을 흡수하는 역할을 하는 것으로서, 사각 형상으로 도시되어 있으나, 이는 예시에 불과하므로 다른 다양한 형상으로 이루어질 수 있다.The lower surface of the flat portion 112 is in contact with the thermally conductive layer 150 to absorb the heat generated in the semiconductor chip 140. The flat portion 112 is shown in a rectangular shape, Shape.

상기 절곡부(113)는 상기 평탄부(112)와 접속부(114) 사이에 형성되며, 상기 접속부(114)는 상기 기판(130)의 상부 접지단자(133)에 접속하고 상기 흡수된 열을 상부 접지단자(133)로 전달하는 역할을 한다.The bending part 113 is formed between the flat part 112 and the connection part 114. The connection part 114 is connected to the upper ground terminal 133 of the substrate 130, To the ground terminal 133.

상기 히트 슬러그 몸체(111)는 열 및 전기 전도도가 우수한 구리로 이루어지는 것을 예시할 수 있다.The heat slug body 111 may be formed of copper having excellent heat and electrical conductivity.

상기 산화방지층(125)은 구리 등으로 이루어지는 히트 슬러그 몸체(111)가 산화되는 것을 방지하는 역할을 하는 것으로서, 니켈(Ni) 도금하여 형성되는 것을 예시할 수 있다.The anti-oxidation layer 125 serves to prevent oxidation of the heat slug body 111 made of copper or the like, and may be formed by plating nickel (Ni).

상기 방열층(120)은 솔더볼(137)을 통해 상기 상부 접지단자(133)와 접지되고 히트 슬러그(110)의 열을 배출할 뿐만 아니라, 상기 산화방지층(125)과 마찬가지로 접속부(114)의 산화를 방지하는 역할도 수행한다.The heat dissipation layer 120 is grounded with the upper ground terminal 133 through the solder ball 137 and discharges the heat of the heat slug 110. In addition to the oxidation prevention layer 125, As well as to prevent it.

따라서, 상기 방열층(120)은 열적 및 전기적 전도 특성은 물론, 솔더볼과의 접속력이 요구된다.Therefore, the heat dissipation layer 120 requires not only thermal and electrical conduction characteristics, but also a connection force with the solder ball.

상기 방열층(120)은 이러한 특성을 만족하는 것이라면 특별한 방식의 제한이 없이 도금 형태로 이루어질 수 있다.The heat dissipation layer 120 may be formed in a plating form without limitation in a specific manner as long as it satisfies such characteristics.

다만, 상기 방열층(120)은 OSP(organic solderability preservative) 방식으로 형성된 벤지미다졸(benzimidazole)인 것이 바람직하다.However, it is preferable that the heat dissipation layer 120 is a benzimidazole formed by an OSP (organic solderability preservative) method.

왜냐하면, 상기 OSP(organic solderability preservative) 방식으로 형성된 방열층은 종래 히트 슬러그 몸체 상에 니켈 및 금 도금이 형성된 것에 비해 저렴하고, 상술한 열적 및 전기적 전도 특성, 솔더볼과의 접속력이 우수하기 때문이다.
This is because the heat dissipation layer formed by the OSP (organic solderability preservative) method is inexpensive as compared with the conventional heat slug body formed with nickel and gold plating, and has excellent thermal and electrical conduction characteristics and connection ability with solder balls .

이와 같이, 본 발명에서는 산화방지층과 구분되는 방열층을 히트 슬러그 몸체의 접속부 하면에 형성함으로써, 종래의 히트 슬러그 몸체에 니켈(Ni)도금으로 이루어진 산화방지층만이 형성된 구조에 비해 열적 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명은 종래의 히트 슬러그 몸체 상에 니켈(Ni)도금 산화방지층 및 금(Au)도금을 순차적으로 형성하는 것에 비해 제조비용을 현저히 절감할 수 있는 장점이 있다.
As described above, in the present invention, by forming the heat dissipating layer separated from the oxidation preventing layer on the bottom surface of the connecting portion of the heat slug body, the thermal and electrical characteristics are improved compared to the structure in which the conventional heat slug body has only the nickel (Ni) There is an advantage to be improved. In addition, the present invention has an advantage that the manufacturing cost can be remarkably reduced as compared with the case where a nickel (Ni) plating oxidation prevention layer and gold (Au) plating are sequentially formed on a conventional heat slug body.

이하에서는 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 다만, 본 실시예에서는 상술한 히트 슬러그 내지 반도체 패키지의 구성과 동일 내지 유사한 구성에 대해서는 동일 내지 유사한 도면부호를 부여하고, 그 자세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a method of grounding a heat slug according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present embodiment, the same or similar components as those of the above-described heat slug or semiconductor package are denoted by the same or similar reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법의 일실시예를 도시하는 단면도들이다. 3A to 3E are cross-sectional views illustrating an embodiment of a method of grounding a heat slug according to the present invention.

도 3a 내지 도 3e를 참조하면, 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법은 S11단계 내지 S15단계로 이루어질 수 있으며, 기판(130) 상에 반도체 칩(140)과, 열전도층(150)을 형성한 후, 기판과의 접지를 하는 것이다.3A to 3E, a method of grounding a heat slug according to the present invention may include steps S11 to S15. In this case, a semiconductor chip 140 and a thermally conductive layer 150 are formed on a substrate 130 After that, the substrate is grounded.

먼저, 도 3a를 참조하면, 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법에 따른 S11단계는 평탄부(112)와, 상기 평탄부(112)에서 연장되는 절곡부(113)와, 상기 절곡부(113)에서 연장되는 접속부(114)로 이루어지는 히트 슬러그 몸체(111)를 마련하는 단계이다. 상기 히트 슬러그 몸체(111)는 구리로 이루어지는 것을 예시할 수 있다.Referring to FIG. 3A, step S11 of the method of grounding a heat slug according to the present invention includes a flat portion 112, a bent portion 113 extending from the flat portion 112, And a connecting portion 114 extending from the heat sink body 111. In this case, The heat slug body 111 may be made of copper.

다음으로, 도 3b를 참조하면, S12단계는 상기 히트 슬러그 몸체(111) 상에 니켈 또는 니켈 합금 등으로 도금하여 이루어진 산화방지층(125)을 형성하는 단계이다.Next, referring to FIG. 3B, in step S12, the oxidation preventing layer 125 is formed on the heat slug body 111 by plating with nickel or a nickel alloy.

그 다음으로, 도 3c를 참조하면, S13단계는 상기 산화방지층(125) 중에서 접속부(114)의 하면만을 제거하는 단계로서, 에칭(etching) 등의 방식으로 이루어지는 것을 예시할 수 있다.Next, referring to FIG. 3C, step S13 is a step of removing only the lower surface of the connection part 114 from the oxidation preventing layer 125, and may be exemplified by etching or the like.

그 다음으로, 도 3d를 참조하면, S14단계에서 산화방지층(125)이 제거된 접속부(114) 상에 방열층(120)을 형성함으로써, 본 실시예에 따른 히트 슬러그의 제조가 완료된다.Next, referring to FIG. 3D, the heat dissipation layer 120 is formed on the connection part 114 from which the oxidation preventing layer 125 is removed in step S14, thereby completing the manufacture of the heat slug according to the present embodiment.

상술한 바와 같이, 상기 방열층(120)은 OSP(organic solderability preservative) 방식으로 코팅하여 형성된 벤지미다졸(benzimidazole)을 예시할 수 있다.As described above, the heat dissipation layer 120 may include benzimidazole formed by coating with an OSP (organic solderability preservative) method.

그 다음으로, 도 3e를 참조하면, S15단계는 상기 방열층(120) 상에 솔더링하는 단계로서, 구체적으로 기판(130)에 형성된 상부 접지단자(133) 및 방열층(120) 사이에 위치한 솔더볼(137)로 솔더링하여 접지가 이루어진다.3E, the step S15 is a step of soldering on the heat dissipation layer 120. Specifically, the step of forming the solder ball 120 between the upper ground terminal 133 and the heat dissipation layer 120 formed on the substrate 130, (137).

이와 같이, 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법에 따르면, 열 및 전기 전도가 집중적 이루어지는 접속부의 하면에만 방열층을 형성함으로써, 산화방지 및 방열 특성을 모두 만족할 수 있게 된다.
As described above, according to the method of grounding the heat slug according to the present invention, the heat dissipation layer is formed only on the lower surface of the connection portion where the heat and the electric conduction are intensively concentrated.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법의 다른 실시예를 도시하는 단면도들이다.4A to 4E are sectional views showing another embodiment of a method of grounding a heat slug according to the present invention.

도 4a 내지 도 4e를 참조하면, 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법은 S21단계 내지 S25단계로 이루어질 수 있다.4A to 4E, the method of grounding the heat slug according to the present invention may be performed in steps S21 to S25.

먼저, 도 4a를 참조하면, 본 발명에 따른 히트 슬러그의 접지방법에 따른 S21단계는 평탄부(112)와, 상기 평탄부(112)에서 연장되는 절곡부(113)와, 상기 절곡부(113)에서 연장되는 접속부(114)로 이루어지는 히트 슬러그 몸체(111)를 마련하는 단계이다. 상기 히트 슬러그 몸체(111)는 구리로 이루어지는 것을 예시할 수 있다.Referring to FIG. 4A, the step S21 of the method for grounding the heat slug according to the present invention includes a flat portion 112, a bent portion 113 extending from the flat portion 112, a bent portion 113 And a connecting portion 114 extending from the heat sink body 111. In this case, The heat slug body 111 may be made of copper.

다음으로, 도 4b를 참조하면, S22단계는 상기 히트 슬러그 몸체(111) 중 적어도 접속부(114) 하면에 마스크(M)를 형성하는 단계이다.Next, referring to FIG. 4B, step S22 is a step of forming a mask M on at least a lower surface of the connecting portion 114 of the heat slug body 111. In this case, as shown in FIG.

그 다음으로, 도 4c를 참조하면, S23단계는 상기 히트 슬러그 몸체(111) 상에 산화방지층(125)을 형성하는 단계이다.Next, referring to FIG. 4C, the step S23 is a step of forming the oxidation preventing layer 125 on the heat slug body 111. FIG.

상기 마스크(M)가 형성된 영역에는 산화방지층(125)이 형성되지 않으며, 나머지 영역에만 산화방지층(125)을 형성함으로써, 손쉽게 방열층(120)을 형성할 수 있게 된다.The oxidation preventing layer 125 is not formed in the region where the mask M is formed and the oxidation preventing layer 125 is formed only in the remaining region so that the heat dissipating layer 120 can be easily formed.

상기 산화방지층(125)은 니켈(Ni)을 도금하거나 또는 스퍼터링(sputtering)하여 형성되는 것을 예시할 수 있다.The anti-oxidation layer 125 may be formed by plating nickel or sputtering Ni.

그 다음으로, 도 4d를 참조하면, S24단계는 상기 마스크를 제거하고, 상기 접속부(114) 하면에 방열층(120)을 형성하는 단계이다. 상기 방열층(120)을 형성함으로써, 본 실시예에 따른 히트 슬러그의 제조가 완료된다.Next, referring to FIG. 4D, step S24 is a step of removing the mask and forming a heat dissipation layer 120 on the lower surface of the connection part 114. Referring to FIG. By forming the heat dissipation layer 120, the production of the heat slug according to the present embodiment is completed.

그 다음으로, 도 4e를 참조하면, S25단계는 상기 방열층(120) 상에 솔더링하는 단계로서, 구체적으로 기판에 형성된 상부 접지단자(133) 및 방열층(120) 사이에 위치한 솔더볼(137)로 솔더링하여 접지가 이루어진다.
4E, step S25 is a step of soldering on the heat dissipation layer 120. Specifically, a solder ball 137 positioned between the upper ground terminal 133 and the heat dissipation layer 120 formed on the substrate, To ground.

한편, 본 발명의 상세한 설명 및 첨부도면에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명은 개시된 실시예에 한정되지 않고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들을 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and similarities. Accordingly, the scope of the present invention should be construed as being limited to the embodiments described, and it is intended that the scope of the present invention encompasses not only the following claims, but also equivalents thereto.

100 : 반도체 패키지 110 : 히트 슬러그
111 : 히트 슬러그 몸체 112 : 평탄부
113 : 절곡부 114 : 접속부
120 : 방열층 125 : 산화방지층
130 : 기판 131 : 회로패턴
133 : 상부 접지단자 134 : 하부 접지단자
135 : 비아콘택 137 : 솔더볼
139 : 솔더범프 140 : 반도체 칩
141 : 단자 150 : 열전도층
M : 마스크100: semiconductor package 110: heat slug
111: heat slug body 112: flat part
113: bending section 114: connection section
120: heat dissipation layer 125: oxidation prevention layer
130: substrate 131: circuit pattern
133: upper ground terminal 134: lower ground terminal
135: via contact 137: solder ball
139: solder bump 140: semiconductor chip
141: terminal 150: thermally conductive layer
M: Mask

Claims (10)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 평탄부와, 상기 평탄부에서 연장되는 절곡부와, 상기 절곡부에서 연장되는 접속부로 이루어지는 히트 슬러그 몸체를 마련하는 단계와;
상기 히트 슬러그 몸체 상에 산화방지층을 형성하는 단계와;
상기 접속부의 하면에 형성된 산화방지층의 적어도 일부를 제거하는 단계와;
상기 산화방지층이 제거된 접속부 상에 방열층을 형성하는 단계; 및
상기 방열층 상에 솔더링하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 슬러그의 접지방법.Providing a heat slug body including a flat portion, a bent portion extending from the flat portion, and a connecting portion extending from the bent portion;
Forming an anti-oxidation layer on the heat slug body;
Removing at least a part of the oxidation preventing layer formed on the lower surface of the connecting portion;
Forming a heat dissipation layer on the connection portion from which the oxidation preventing layer is removed; And
A step of soldering on the heat dissipation layer;
And a grounding step of grounding the heat slug. 평탄부와, 상기 평탄부에서 연장되는 절곡부와, 상기 절곡부에서 연장되는 접속부로 이루어지는 히트 슬러그 몸체를 마련하는 단계와;
상기 히트 슬러그 몸체 중 접속부 하면에 마스크를 형성하는 단계와;
상기 히트 슬러그 몸체 상에 산화방지층을 형성하는 단계와;
상기 마스크를 제거하고, 상기 접속부 하면에 방열층을 형성하는 단계; 및
상기 방열층 상에 솔더링하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 히트 슬러그의 접지방법.Providing a heat slug body including a flat portion, a bent portion extending from the flat portion, and a connecting portion extending from the bent portion;
Forming a mask on a bottom surface of a connecting portion of the heat slug body;
Forming an anti-oxidation layer on the heat slug body;
Removing the mask and forming a heat dissipation layer on the bottom surface of the connection portion; And
A step of soldering on the heat dissipation layer;
And a grounding step of grounding the heat slug. 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 방열층은 OSP(organic solderability preservative) 방식으로 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 히트 슬러그의 접지방법.9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the heat dissipation layer is formed by coating an OSP (organic solderability preservative) method. 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 방열층은 벤지미다졸(benzimidazole)인 것을 특징으로 하는 히트 슬러그의 접지방법.

9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the heat dissipation layer is a benzimidazole.

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