KR101471892B1

KR101471892B1 - Radiation profile system

Info

Publication number: KR101471892B1
Application number: KR1020130067938A
Authority: KR
Inventors: 최준용; 김병일; 박현; 유인공; 이지섭; 조성진; 지원배; 홍승표
Original assignee: 한국원자력의학원
Priority date: 2013-06-13
Filing date: 2013-06-13
Publication date: 2014-12-12

Abstract

The present invention relates to a dosage control device and, more specifically, to a radiation profile system for monitoring the dosage and shape of radiation and a radiation profile method using the same. The radiation profile system comprises: a particle accelerator which generates radiation; an ion chamber which is placed on the route of the radiation; and a monitoring device which monitors the dosage and shape of the radiation by measuring the change amount of the radiation passing through the ion chamber.

Description

Radiation Profile System {RADIATION PROFILE SYSTEM}

본 발명은 방사선 프로파일 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 방사선의 선량 및 형상을 모니터링하는 방사선 프로파일 시스템으로서, 방사선을 발생시키는 입자 가속기, 상기 방사선의 경로 상에 놓이는 이온 챔버, 상기 이온 챔버를 통과하는 방사선의 총 전하량을 측정하여 방사선의 선량 및 형상을 모니터링하는 모니터링 장치를 포함하는 방사선 프로파일 시스템 및 상기 방사선 프로파일 시스템을 사용한 방사선 프로파일 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a radiation profile system, and more particularly, to a radiation profile system for monitoring dose and shape of radiation, comprising: a particle accelerator for generating radiation; an ion chamber located on the path of the radiation; And a monitoring device for monitoring the dose and the shape of the radiation by measuring the total amount of charge of the radiation, and a radiation profile method using the radiation profile system.

방사선 조사 시스템은 공학, 의학 등 다양한 분야에서 광범위하게 사용된다.차량 예컨대, 의학 분야의 경우 양성자를 실험체에 조사하여 실험체의 변이를 검사하는 용도로 방사선 조사 시스템이 사용되고 있으며, 이 외에도 다양한 목적으로 방사선 조사 시스템이 사용되고 있다.The radiation irradiation system is widely used in various fields such as engineering, medicine, etc. In the case of a vehicle, for example, in a medical field, a radiation irradiation system is used for examining a mutant of a test subject by irradiating a proton to a specimen. Research system is being used.

이러한 방사선 조사 시스템을 통해 소정의 검사를 수행할 경우, 조사되는 방사선량, 위치, 형상 등의 적절한 파악 및 조절이 매우 중요하다. 즉, 조사하고자 하는 방사선의 양, 위치, 형상 등을 명확히 파악하여 이에 따른 실험체의 변이 정도 및 형태의 정확한 정보를 얻음으로써 실질적으로 활용 가능한 방사선 기술이 개발될 수 있으므로, 방사선 조사량, 위치 등의 적절한 파악이 가능한 방사선 프로파일 시스템의 개발은 반드시 선행되어야 하는 문제이다.When performing a predetermined inspection through such a radiation irradiation system, it is very important to appropriately grasp and control the amount of radiation, position, shape, etc. to be irradiated. In other words, since the amount of radiation to be irradiated, the position and the shape of the radiation to be irradiated can be clearly identified, and accurate information of the degree and shape of the specimen can be obtained, the practically usable radiation technology can be developed. Development of understandable radiation profile systems is a problem that must be preceded.

[과제관리번호 : 1345194459, 부처명 : 교육과학기술부, 전문 기관 : 한국원자력의학원, 사업명 : 한국원자력의학원 연구운영비 지원, 과제명 : 연구용 사이클로트론 기반구축][Assignment number: 1345194459, name: Ministry of Education, Science and Technology, specialized agency: Korea Nuclear Academy, project name:

공개특허 10-2012-0066414&Lt; RTI ID = 0.0 >

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 방사선의 선량 및 형상을 모니터링하는 방사선 프로파일 시스템으로서, 방사선을 발생시키는 입자 가속기, 상기 방사선의 경로 상에 놓이는 이온 챔버, 상기 이온 챔버를 통과하는 방사선의 총 전하량을 측정하여 방사선의 선량 및 형상을 모니터링하는 모니터링 장치를 포함하는 방사선 프로파일 시스템을 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a radiation profile system for monitoring a dose and a shape of a radiation, comprising: a particle accelerator for generating radiation; an ion chamber disposed on a path of the radiation; And a monitoring device for monitoring the dose and shape of the radiation by measuring the total amount of charge of the radiation passing through the ion chamber.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 방사선 프로파일 시스템은, 방사선의 선량 및 형상을 모니터링하는 방사선 프로파일 시스템에 있어서, 방사선을 발생시키는 입자 가속기, 상기 방사선의 경로 상에 놓이는 이온 챔버, 상기 이온 챔버를 통과하는 방사선의 총 전하량을 측정하여 방사선의 선량 및 형상을 모니터링하는 모니터링 장치를 포함한다.In order to achieve the above object, a radiation profile system according to the present invention is a radiation profile system for monitoring a dose and a shape of a radiation, comprising: a particle accelerator for generating radiation; an ion chamber disposed on a path of the radiation; And a monitoring device for monitoring the dose and shape of the radiation by measuring the total charge of the radiation passing through the chamber.

바람직하게는, 상기 입자 가속기와 상기 이온 챔버 사이에 배치되는 조사량 조절 장치를 더 포함하며, 상기 조사량 조절 장치, 방사선을 차폐할 수 있는 차폐부, 및 상기 차폐부를 변위시키는 구동부를 포함하고, 상기 차폐부의 변위에 따라서 방사선의 조사 면적, 조사 형태 및 조사 위치가 가변되게 구성된다.Preferably, the apparatus further comprises a dose adjustment device disposed between the particle accelerator and the ion chamber, the dose adjustment device comprising a shield for shielding radiation, and a drive for displacing the shield, The irradiated area of the radiation, the irradiation pattern, and the irradiated position are variable depending on the negative displacement.

바람직하게는, 상기 모니터링 장치는, 상기 차폐부의 변위에 따라서 방사선의 좌표별 테이터를 수집하는 처리부, 및 상기 좌표별 데이터를 2 차원 및 3 차원으로 출력하는 출력부를 더 포함한다.Preferably, the monitoring apparatus further includes a processing unit for collecting data of the coordinates of the radiation according to the displacement of the shielding unit, and an output unit for outputting the data for each coordinate in two dimensions and three dimensions.

바람직하게는, 상기 차폐부는, 상기 구동부에 의해서 변위되는 차폐벽 및 상기 차폐벽에 형성된 방사선 창을 포함하며, 상기 방사선 창의 위치는 상기 차폐벽의 변위에 따라서 가변하게 구성된다.Preferably, the shield includes a shielding wall that is displaced by the driving unit and a radiation window formed on the shielding wall, and the position of the radiation window is variable according to the displacement of the shielding wall.

바람직하게는, 상기 차폐부는, 복수의 차폐벽을 포함하며, 상기 복수의 차폐벽 사이의 공간으로 방사선이 통과하여 목적물에 조사되되, 상기 각각의 차폐벽이 변위함에 따라서 상기 차폐벽 사이의 공간의 면적, 형태 및 위치가 가변하게 구성된다.Preferably, the shield includes a plurality of shielding walls, the radiation passing through the space between the plurality of shielding walls being irradiated to the object, the shielding walls being arranged in a space between the shielding walls as the respective shielding walls displace The area, the shape, and the position are variable.

바람직하게는, 상기 차폐부는, 제1 차폐벽 및 제2 차폐벽을 포함하며, 상기 구동 장치는 상기 제1 차폐벽과 제2 차폐벽을 각각 변위시키게 구성된다.Preferably, the shield includes a first shielding wall and a second shielding wall, and the drive device is configured to displace the first shielding wall and the second shielding wall, respectively.

바람직하게는, 상기 구동 장치는, 상기 제1 차폐벽 및 제2 차폐벽을 각각, x 축, 및 y 축 방향으로 변위시키게 구성된다.Preferably, the driving device is configured to displace the first shielding wall and the second shielding wall in the x-axis direction and the y-axis direction, respectively.

바람직하게는, 상기 제1 차폐벽과 제2 차폐벽은 각각, 방사선이 관통할 수 있는 관통 영역을 갖는 판상으로 구성되며, 상기 제1 차폐벽과 제2 차폐벽이 변위하여 상기 관통 영역이 중첩되어 교차함에 따라서 상기 관통 영역으로 방사선이 관통하게 구성된다.Preferably, the first shielding wall and the second shielding wall are each in the form of a plate having a penetrating region through which radiation can penetrate, and the first shielding wall and the second shielding wall are displaced, So that the radiation penetrates into the penetrating region along the intersection.

본 발명에 따른 방사선 프로파일 방법은, 방사선을 발생시키는 입자 가속기; 상기 방사선의 경로 상에 놓이는 이온 챔버; 상기 이온 챔버를 통과하는 방사선의 총 전하량을 측정하여 방사선의 선량 및 형상을 모니터링하는 모니터링 장치; 상기 입자 가속기와 상기 이온 챔버 사이에 배치되어 방사선의 조사량을 조절하는 조사량 조절 장치를 포함하는 방사선 프로파일 시스템을 사용한 방사선 프로파일 방법으로서,A radiation profile method according to the present invention includes: a particle accelerator for generating radiation; An ion chamber positioned on the path of the radiation; A monitoring device for monitoring a dose and a shape of the radiation by measuring an amount of total charge of the radiation passing through the ion chamber; And a dose adjustment device disposed between the particle accelerator and the ion chamber for adjusting the dose of radiation, the method comprising the steps of:

입자 가속기를 통해 방사선을 조사하는 단계; 상기 조사량 조절 장치를 통해 상기 방사선의 통과량을 조절하는 단계; 상기 조사량 조절 장치를 통과한 방사선을 상기 이온 챔버를 통과시키는 단계; 및 상기 모니터링 장치를 사용하여 상기 이온 챔버를 통과한 방사선의 전하량을 모니터링하는 단계;를 포함한다.Irradiating the radiation through a particle accelerator; Adjusting a passing amount of the radiation through the irradiation amount adjusting device; Passing the radiation having passed through the dose adjusting device through the ion chamber; And monitoring the amount of charge of radiation passing through the ion chamber using the monitoring device.

바람직하게는, 본 발명에 따른 방사선 프로파일 방법은, 상기 조사량 조절 장치는, 방사선을 차폐할 수 있는 차폐부, 및 상기 차폐부를 변위시키는 구동부를 포함하고, 상기 차폐부의 변위에 따라서 상기 조사량 조절 장치를 통과하는 방사선의 조사 면적, 조사 형태 및 조사 위치가 가변되게 구성되는 방사선 프로파일 시스템을 사용한 방사선 프로파일 방법으로서, 상기 차폐부를 변위시켜서 상기 조사량 조절 장치를 통과하는 방사선의 위치를 가변하여 상기 방사선의 좌표별 데이터를 수집하는 단계; 상기 좌표별 데이터를 2 차원 및 3 차원으로 출력하는 단계;를 더 포함한다.Preferably, the radiation profile method according to the present invention is characterized in that the irradiation amount adjusting device includes a shielding portion capable of shielding radiation, and a driving portion for displacing the shielding portion, wherein the irradiation amount adjusting device A radiation profile method using a radiation profile system in which a radiation area, a radiation pattern and a radiation position of a passing radiation are variable, comprising: displacing the shield to vary the position of the radiation passing through the radiation dose control device, Collecting data; And outputting the data for each coordinate in two dimensions and three dimensions.

본 발명에 따라서, 조사량 조절 장치를 통해 방사선의 위치별 데이터의 수집이 가능해지고, 모니터링 장치를 통해 상기 위치별 데이터가 2 차원 또는 3 차원으로 구현되므로, 방사선의 위치에 따른 데이터 산출 및 처리가 가능하여 정확한 방사선의 프로파일이 가능해질 수 있다.According to the present invention, it becomes possible to collect data by the position of the radiation through the irradiation amount adjusting device, and the data for each position can be two-dimensionally or three-dimensionally realized through the monitoring device, so that data can be calculated and processed according to the position of the radiation Thereby enabling a precise profile of radiation.

또한, 상기과 같은 조사량 조절은 간단한 구조를 갖는 조사량 조절 장치를 통해 방사선 조사의 조절이 이루어질 수 있다. 즉, 차폐벽을 평면 상에서 변위시키는 것 만으로 방사선의 조사 면적, 형태, 및 위치가 가변될 수 있으므로 별도의 복잡한 조사량 조절 장치를 구비함이 없이도 목적에 따른 적절한 방사선 조사가 이루어질 수 있다.In addition, the above-described dose adjustment can be controlled through a dose adjustment device having a simple structure. That is, the radiation area, shape, and position of the radiation can be varied only by displacing the shielding wall in a plane, so that appropriate radiation irradiation can be performed according to the purpose without having a complicated dose adjustment device.

도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템의 개념도이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템의 개념도이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템의 이온 챔버를 나타낸 도면이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템의 구조를 나타낸 도면이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템을 사용하여 측정한 방사선의 좌표별 데이터를 2 차원으로 나타낸 도면이다.
도 6 은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템을 사용하여 측정한 방사선의 좌표별 데이터를 3 차원으로 나타낸 도면이다.
도 7 은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템의 조사량 조절 장치의 개념도이다.
도 8 는 본 발명의 일 실시예에 따른 조사량 조절 장치의 동작 상태를 나타낸 도면이다.
도 9 는 본 발명의 일 실시예에 따른 조사량 조절 장치의 동작 상태를 나타낸 도면이다.
도 10 은 본 발명의 일 실시예에 따른 조사량 조절 장치의 동작 상태를 나타낸 도면이다.
도 11 은 본 발명의 일 실시예에 따른 조사량 조절 장치의 동작 상태를 나타낸 도면이다.1 is a conceptual diagram of a radiation profile system according to an embodiment of the present invention.
2 is a conceptual diagram of a radiation profile system according to an embodiment of the present invention.
3 is a view of an ion chamber of a radiation profile system according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating the structure of a radiation profile system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a two-dimensional diagram showing data of coordinates of radiation measured using a radiation profile system according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 6 is a three-dimensional view showing data of coordinates of radiation measured using a radiation profile system according to an embodiment of the present invention.
7 is a conceptual diagram of an irradiation dose adjusting apparatus of a radiation profile system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a view showing an operation state of the irradiation amount adjusting apparatus according to an embodiment of the present invention.
9 is a view showing an operation state of the irradiation amount adjusting apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a view showing an operation state of the irradiation amount adjusting apparatus according to an embodiment of the present invention.
11 is a view showing an operation state of the irradiation amount adjusting apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대하여 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다" 및/또는 "포함하는”은 언급된 부재 외의 하나 이상의 다른 부재의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used in the specification, "comprises" and / or "comprising " do not exclude the presence or addition of one or more other members other than the recited member.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

또한, 실시예에서 본 발명의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 본 발명을 이루는 구조에 대한 설명에서, 방향에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, in the embodiment, the directions mentioned in the process of describing the structure of the present invention are based on those described in the drawings. In the description of the structure constituting the present invention in the specification, reference points and positional relations with respect to directions are not explicitly referred to, reference is made to the related drawings.

도 1 및 도 2 는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템의 개념도이며, 도 3 은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템의 이온 챔버를 나타낸 도면이고, 도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템의 구조를 나타낸 도면이다.1 and 2 are conceptual views of a radiation profile system according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a view showing an ion chamber of a radiation profile system according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram illustrating the structure of a radiation profile system according to an embodiment. FIG.

도 1 및 도 2 를 참조하면, 본 발명에 따른 방사선 프로파일 시스템(1)은, 방사선의 선량 및 형상을 모니터링하는 방사선 프로파일 시스템(1)으로서, 방사선을 발생시키는 입자 가속기(100), 상기 방사선의 경로 상에 놓이는 이온 챔버(200), 상기 이온 챔버(200)를 통과하는 방사선의 총 전하량을 측정하여 방사선의 선량 및 형상을 모니터링하는 모니터링 장치(300)를 포함한다.Referring to Figures 1 and 2, a radiation profile system 1 according to the present invention is a radiation profile system 1 for monitoring the dose and shape of radiation, comprising a particle accelerator 100 for generating radiation, And a monitoring device 300 for monitoring the dose and shape of the radiation by measuring the total charge amount of the radiation passing through the ion chamber 200.

입자 가속기(100)는 소정의 방사선을 발생시켜 소정 방향으로 조사하도록 구비되며, 예컨대 상기 입자 가속기(100)는 양성자 빔을 조사할 수 있고, 이에 한정하지 않는다.The particle accelerator 100 is provided to generate a predetermined radiation and irradiate the particle accelerator 100 in a predetermined direction. For example, the particle accelerator 100 may irradiate a proton beam, but is not limited thereto.

이온 챔버(200)는 상기 방사선의 경로 상에 놓여 방사선이 통과하도록 구비된다. The ion chamber 200 is provided so that the radiation passes through the path of the radiation.

일 예에 의하면, 상기 이온 챔버(200)는 소정의 기체가 충진되고 소정의 전극이 구비되는 구성을 가질 수 있다.According to an example, the ion chamber 200 may have a configuration in which a predetermined gas is filled and a predetermined electrode is provided.

이에 따르면, 입자 가속기(100)에서 발생한 방사선이 이온 챔버(200)의 일면을 통해 입사하면, 이온 챔버(200) 내의 기체는 이온화되어 이온쌍을 형성한다. 이때, 소정의 전원에 의하여 상기 전극에 800V 내지 1300V 정도의 고전압이 걸리게 되면, 상기 전극 사이에 전기장이 형성되고, 이에 따라 상기 이온쌍 중 전자와 이온화된 분자가 각각의 전극 쪽으로 유동(drift)하게 된다. 이와 같은 전자와 이온화된 분자의 유동에 의하여 전류를 생성하게 되고, 이 전류를 소정의 신호검출부에서 검출하여 방사선량을 측정할 수 있다.According to this, when the radiation generated in the particle accelerator 100 is incident through one surface of the ion chamber 200, the gas in the ion chamber 200 is ionized to form an ion pair. At this time, when a high voltage as high as about 800 V to 1300 V is applied to the electrode by a predetermined power source, an electric field is formed between the electrodes, so that molecules of the ion pair and ionized molecules drift toward the respective electrodes do. The current is generated by the flow of electrons and ionized molecules, and the amount of radiation can be measured by detecting the current in a predetermined signal detection unit.

모니터링 장치(300)는 상기 이온 챔버(200)를 통과하는 방사선의 총 전하량을 측정하여 방사선의 선량 및 형상을 모니터링할 수 있다. The monitoring device 300 can monitor the dose and shape of the radiation by measuring the total amount of charge of the radiation passing through the ion chamber 200.

바람직하게는, 도 4 를 참조하면, 본 발명에 따른 방사선 모니터링 시스템은 상기 입자 가속기(100)와 상기 이온 챔버(200) 사이에 배치되는 조사량 조절 장치(400)를 더 포함하며, 상기 조사량 조절 장치(400)는, 방사선을 차폐할 수 있는 차폐부, 및 상기 차폐부를 변위시키는 구동부를 포함하고, 상기 차폐부의 변위에 따라서 방사선의 조사 면적, 조사 형태 및 조사 위치가 가변되게 구성될 수 있다.4, the radiation monitoring system according to the present invention further includes a dose adjustment device 400 disposed between the particle accelerator 100 and the ion chamber 200, (400) includes a shielding portion capable of shielding the radiation, and a driving portion for displacing the shielding portion, and the irradiation area, the radiation pattern, and the irradiation position of the radiation can be varied according to the displacement of the shielding portion.

상기 조사량 조절 장치(400)는 목적물에 대한 방사선 조사를 조절하도록 구비된다. 상기 조사량 조절 장치(400)는 방사선 조사량, 또는 방사선 조사 위치 등을 조절할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. The dose adjustment device 400 is provided to adjust irradiation of the object with radiation. The irradiation dose adjusting device 400 may adjust the irradiation dose, the irradiation position, etc., but is not limited thereto.

조사량 조절 장치(400)는 입자 가속기(100)로부터 조사되는 방사선의 경로 상에 놓임에 따라서 방사선의 적어도 일부를 제한할 수 있게 배치된다. 즉, 방사선의 경로 상에 상기 조사량 조절 장치(400)가 놓이며, 상기 방사선의 적어도 일부를 차단하거나 제한함에 따라서 방사선 조사가 조절될 수 있다.The dose adjustment device 400 is arranged to limit at least a part of the radiation as it lies on the path of the radiation irradiated from the particle accelerator 100. That is, the irradiation dose adjusting device 400 is placed on the path of the radiation, and the irradiation of radiation can be controlled by blocking or limiting at least a part of the radiation.

상기 조사량 조절 장치(400)는 방사선을 제한할 수 있는 차폐부, 및 상기 차폐부를 변위시키는 구동부를 포함하고, 상기 차폐부의 변위에 따라서 방사선의 조사량 및 조사 위치가 가변될 수 있다.The irradiation dose adjusting device 400 includes a shielding portion capable of limiting radiation, and a driving portion for displacing the shielding portion, and the irradiation amount and irradiation position of the radiation can be varied according to the displacement of the shielding portion.

상기 차폐부는 방사선이 차폐부에 도달할 때 방사선이 투과할 수 없도록 방사선을 제한할 수 있는 재질로 구성될 수 있다. 따라서, 방사선은 소정의 두께를 갖는 판상의 벽부와 같이 구성될 수 있으며, 예컨대 강철, 콘크리트 등으로 구성될 수 있고 이에 한정하지 아니한다. 바람직하게는, 상기 차폐부는 텅스텐을 포함하는 텅스텐 콜리메이터(Collimetor)로 구성될 수 있다.The shield may be made of a material that can limit the radiation so that it can not transmit radiation when the radiation reaches the shield. Accordingly, the radiation may be configured as a plate-like wall portion having a predetermined thickness, and may be composed of, for example, steel, concrete or the like, but is not limited thereto. Preferably, the shield may comprise a tungsten collimator comprising tungsten.

도면에 도시되지는 아니하였으나, 상기 구동부는 상기 차폐부를 목적에 따라서 적절히 이동시킬 수 있는 구동 장치로 구성될 수 있으며 그 형태 및 종류는 한정하지 아니한다. 일 예로, 상기 구동부는 소정의 모터와 같은 구동 장치를 포함하여 상기 차폐부를 변위시킴에 따라서 상기 방사선의 조사량 및 위치가 적절히 제한되도록 할 수 있다. Although not shown in the drawing, the driving unit may be configured as a driving unit capable of appropriately moving the shielding unit according to the purpose, and the form and the type are not limited. For example, the driving unit may include a driving device such as a predetermined motor so that the dose and position of the radiation can be appropriately limited as the shield is displaced.

한편, 상기 구동부에 소정의 구동 신호를 입력하기 위한 소정의 입력 장치가 구비될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. Meanwhile, a predetermined input device for inputting a predetermined driving signal to the driving unit may be provided, but the present invention is not limited thereto.

바람직하게는, 상기 차폐부는, 도 4 에 도시된 바와 같이, 상기 구동부에 의해서 변위되는 차폐벽(C) 및 상기 차폐벽(C)에 형성된 방사선 창(H)을 포함하며, 상기 방사선 창(H)의 위치는 상기 차폐벽(C)의 변위에 따라서 가변하게 구성된다.Preferably, the shield includes a shielding wall C displaced by the drive and a radiation window H formed in the shielding wall C, as shown in FIG. 4, and the radiation window H Is configured to be variable in accordance with the displacement of the shielding wall (C).

즉, 도 4 에 도시된 바와 같이, 상기 차폐부는 소정의 좌표로 변위되는 차폐벽(C)을 구비하며, 상기 차폐벽(C)에는 방사선 창(H)이 형성되어, 차폐벽(C)의 변위에 따라서 상기 방사선 창(H)의 위치가 가변함에 따라, 방사선의 위치에 따른 데이터가 수집될 수 있다.That is, as shown in FIG. 4, the shield has a shielding wall C displaced to a predetermined coordinate, and the shielding wall C is formed with a radiation window H, As the position of the radiation window H changes according to the displacement, data according to the position of the radiation can be collected.

이때, 상기 방사선 창(H)은 차폐벽(C)에 형성된 소정의 홀, 또는 방사선이 통과할 수 있도록 얇은 두께를 갖는 소정의 부위일 수 있고, 이에 한정하지 않는다. 아울러, 후술하는 바와 같이 복수의 차폐벽 사이에 형성된 소정의 관통 공간으로 구성될 수 있고, 이에 한정하지 않는다.At this time, the radiation window H may be a predetermined hole formed in the shielding wall C, or a predetermined portion having a thin thickness through which the radiation can pass, but is not limited thereto. In addition, as described later, it may be formed as a predetermined through-space formed between a plurality of shielding walls, but is not limited thereto.

바람직하게는, 상기 모니터링 장치(300)는, 상기 차폐부의 변위에 따라서 방사선의 좌표별 테이터를 수집하는 처리부, 및 상기 좌표별 데이터를 2 차원 및 3 차원으로 출력하는 출력부를 더 포함한다.Preferably, the monitoring apparatus 300 further includes a processing unit for collecting data of the coordinates of the radiation according to the displacement of the shielding unit, and an output unit for outputting the data for each coordinate in two dimensions and three dimensions.

즉, 상술한 바와 같이, 차폐부의 변위에 따라서 상기 방사선 조절 장치를통과하는 방사선의 좌표가 가변되므로, 모니터링 장치(300)는 방사선의 좌표에 따른 위치별 데이터를 수집하도록 소정의 처리부, 및 상기 수집된 좌표별 데이터를 2 차원 및 3 차원으로 출력할 수 있도록 소정의 출력부를 포함할 수 있다.That is, as described above, since the coordinates of the radiation passing through the radiation adjusting apparatus are variable according to the displacement of the shielding portion, the monitoring apparatus 300 includes a predetermined processing unit for collecting the position-specific data according to the coordinates of the radiation, And a predetermined output unit for outputting the data for each coordinate in two dimensions and three dimensions.

일 예로, 상기 방사선의 좌표에 따른 위치별 데이터를 2 차원으로 나타낼 경우, 도 5 에 도시된 바와 같이 세기의 차이를 명도 차이로 나타낸 그래프가 도출될 수 있다.For example, when the data for each position according to the coordinates of the radiation are represented in two dimensions, a graph showing the difference in intensity as the brightness difference as shown in FIG. 5 can be derived.

다른 예로, 상기 방사선의 좌표에 따른 위치별 데이터를 3 차원으로 나타낼 경우, 도 6 에 도시된 바와 같이 세기의 차이를 색채 및 입체의 높낮이 차이로 나타낸 3 차원 그래프가 도출될 수 있다.As another example, when the data for each position according to the coordinates of the radiation are represented in three dimensions, a three-dimensional graph showing the differences in intensity between the height of the color and the stereoscopic body can be derived as shown in FIG.

이하에서는 도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템(1)의 조사량 조절 장치(400)를 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings, an irradiation dose control apparatus 400 of a radiation profile system 1 according to an embodiment of the present invention will be described.

도 7 은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 프로파일 시스템(1)의 조사량 조절 장치(400)의 개념도이며, 도 8 는 본 발명의 일 실시예에 따른 조사량 조절 장치(400)의 동작 상태를 나타낸 도면이고, 도 9 는 본 발명의 일 실시예에 따른 조사량 조절 장치(400)의 동작 상태를 나타낸 도면이며, 도 10 은 본 발명의 일 실시예에 따른 조사량 조절 장치(400)의 동작 상태를 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a conceptual diagram of a dose adjustment device 400 of the radiation profile system 1 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a view illustrating an operation state of the dose adjustment device 400 according to an embodiment of the present invention. FIG. 9 is a view illustrating an operation state of the irradiation amount adjusting apparatus 400 according to an embodiment of the present invention. FIG. 10 is a view illustrating an operation state of the irradiation amount adjusting apparatus 400 according to an embodiment of the present invention. FIG.

바람직한 일 실시예에 의하면, 상기 조사량 조절 장치(400)의 차폐부는, 복수의 차폐벽(C)을 포함하며, 상기 복수의 차폐벽(C) 사이의 공간으로 방사선이 통과하여 목적물에 조사되되, 상기 각각의 차폐벽(C)이 변위함에 따라서 상기 차폐벽(C) 사이의 공간의 면적, 형태 및 위치가 가변하게 구성된다. 즉, 여기서 상술한 방사선 창(H)은 차폐벽(C) 사이의 공간으로 구성될 수 있다.According to a preferred embodiment, the shielding portion of the irradiation amount adjusting device 400 includes a plurality of shielding walls C, and the radiation is passed through the space between the plurality of shielding walls C, As the respective shielding walls (C) are displaced, the area, shape and position of the space between the shielding walls (C) are variable. That is, the above-described radiation window H can be configured as a space between the shielding walls C.

즉, 상기 차폐부는 복수의 차폐벽(C)을 포함하되, 상기 차폐벽(C) 사이에는 소정의 공간이 형성되되, 상기 공간은 복수의 차폐벽(C)의 변위에 따라서 면적 및 위치가 가변하거나 또는 개폐될 수 있게 구성되어 상기 공간을 통과하는 방사선의 조사가 조절될 수 있다. That is, the shielding portion includes a plurality of shielding walls C, and a predetermined space is formed between the shielding walls C, the space being variable in area and position depending on the displacement of the plurality of shielding walls C, Or can be configured to be opened or closed so that irradiation of radiation passing through the space can be controlled.

한편, 바람직한 일 실시예에 의하면, 도 7 에 도시된 바와 같이 상기 차폐부는, 제1 차폐벽(410) 및 제2 차폐벽(420)을 포함하며, 상기 구동 장치는 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)을 각각 변위시키게 구성된다. 7, the shield includes a first shielding wall 410 and a second shielding wall 420, and the driving device may include a first shielding wall 410 And the second shielding wall 420, respectively.

즉, 상기 차폐부는 제1 차폐벽(410) 및 제2 차폐벽(420)을 포함하며, 상기 제1 차폐벽(410) 및 제2 차폐벽(420)이 각각 변위함에 따라서 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420) 사이의 공간이 가변할 수 있다. That is, the shield includes a first shielding wall 410 and a second shielding wall 420, and as the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 are respectively displaced, The space between the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 may vary.

바람직한 일 실시예에 의하면, 상기 구동 장치는, 상기 제1 차폐벽(410) 및 제2 차폐벽(420)을 각각 x 축, 및 y 축 방향으로 변위시킬 수 있게 구성된다.According to a preferred embodiment, the driving device is configured to displace the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 in the x-axis and y-axis directions, respectively.

즉, 상기 구동 장치는 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)을 각각 x 축 및 y 축 방향으로 변위시킬 수 있게 구성됨에 따라서 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)이 소정의 평면 상에서 위치가 가변되며, 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420) 사이의 공간의 면적 및 위치 또한 가변될 수 있다. That is, the driving device is configured to displace the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 in the x-axis and y-axis directions, respectively, so that the first and second shielding walls 410, The area of the space between the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 can be changed and the position of the space between the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 can be changed.

일 예로, 상기 구동 장치는 모터와 같은 소정의 구동수단과, 상기 차폐벽의 변위를 안내하는 가이드부를 포함할 수 있다. 상기 가이드부는 소정의 가이드 레일과 같이 구성될 수 있다. 예컨대, 도 11 에 도시된 바와 같이, 상기 가이드부는 제1 차폐벽(410)의 x 축 방향 변위 및 y 축 방향 변위를 각각 안내하는 제1 가이드부(432), 및 제2 가이드부(434)와, 제2 차폐벽(420)의 x 축 방향 변위 및 y 축 방향 변위를 각각 안내하는 제3 가이드부(442), 및 제4 가이드부(444)를 포함할 수 있다.For example, the driving device may include predetermined driving means such as a motor and a guide portion for guiding displacement of the shielding wall. The guide portion may be configured as a predetermined guide rail. 11, the guide portion includes a first guide portion 432 for guiding the x-axis displacement and a y-axis displacement of the first shielding wall 410, and a second guide portion 434, A third guide portion 442 for guiding the displacement of the second shielding wall 420 in the x-axis direction and a displacement in the y-axis direction, and a fourth guide portion 444.

바람직한 일 실시예에 의하면, 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)은 각각, 적어도 일 부분이 방사선이 관통할 수 있는 관통 영역(K)을 갖는 판상으로 구성되며, 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)이 변위하여 상기 관통 영역(K)이 중첩되어 교차함에 따라서 상기 관통 영역(K)으로 방사선이 관통하게 구성된다.According to a preferred embodiment, the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 are each formed in a plate shape having a penetration area K through which at least one portion can penetrate radiation, The first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 are displaced so that the penetration region K is overlapped and intersected with the penetration region K so that the radiation penetrates through the penetration region K. [

상기 관통 영역(K)이라 함은 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)의 일 영역이 제거되어 형성된 제거 영역일 수 있으나, 이에 한정하지 아니하며, 얇은 두께를 갖거나 다른 재질로 형성되어 방사선의 관통이 이루어질 수 있는 영역이면 그 형태에 한정을 두지 아니한다.The penetration region K may be a removal region formed by removing one region of the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420. However, the penetration region K may have a thin thickness or other materials It is not limited to the shape of the region in which the radiation can be penetrated.

이때, 바람직하게는 도 7 에 도시된 바와 같이, 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)은 각각, 중심을 기준으로 4 개의 사분면으로 분류할 때 어느 하나의 사분면에 상기 관통 영역(K)이 배치된 판상으로 구성될 수 있다.7, the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 may be divided into four quadrants based on the center, And a region K in which the regions K are arranged.

이때, 상기 제1 차폐벽(410)의 관통 영역(K)이 배치된 사분면과 상기 제2 차폐벽(420)의 관통 영역(K)이 배치된 사분면은 서로 중심을 기준으로 대칭되게 위치할 수 있다.The quadrant of the first shielding wall 410 and the quadrant of the second shielding wall 420 may be positioned symmetrically with respect to the center of the quadrant, have.

일 예로, 상기 제1 차폐벽(410)은 ?? 자 형태로 구성되며, 제2 차폐벽(420)은 ?? 자 형태로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 관통 영역(K)은 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)의 소정의 사분면이 제거된 제거 영역으로 구성될 수 있다.For example, the first shielding wall 410 may be formed of a transparent material. And the second shielding wall 420 is formed in a shape of? Can be configured in a letter shape. In this case, the penetration region K may be formed as a removal region from which a predetermined quadrant of the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 is removed.

이때, 상기 제1 차폐벽(410)의 제3 사분면에 관통 영역(K)이 형성되며, 상기 제2 차폐벽(420)의 제1 사분면에 관통 영역(K)이 형성되어, 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)의 관통 영역(K)은 서로 중심을 기준으로 대칭되게 위치할 수 있다. At this time, a penetration region K is formed in a third quadrant of the first shielding wall 410, a penetration region K is formed in a first quadrant of the second shielding wall 420, The penetration areas K of the wall 410 and the second shielding wall 420 may be positioned symmetrically with respect to the center.

도 7 내지 도 10 에 도시된 차폐벽의 형태는 어디까지나 일 예를 도시한 것으로서, 다른 사분면에 관통 영역(K)이 위치하거나 또는 다른 형태의 차폐벽이 구성되는 것도 가능하며, 이에 한정하지 아니한다.The shape of the shielding wall shown in Figs. 7 to 10 is merely an example, and it is also possible, but not limited, that the penetration region K is located in another quadrant or another type of shielding wall .

상기와 같은 관통 영역(K)이 구비됨에 따라서, 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)의 관통 영역(K)이 중첩되면 상기 중첩된 관통 영역(K)을 통해 방사선이 통과하여 목적물에 조사될 수 있다. 즉, 도 9 내지 도 11 에 도시된 바와 같이 각각의 차폐벽에 형성된 관통 영역(K)이 방사선 조사 방향으로 겹쳐지면 상기 차폐벽에 의해서 방사선이 차단되지 아니하는 영역(H)이 발생하며, 상기 영역(H)을 통해 방사선이 통과할 수 있다.When the penetration area K of the second shielding wall 420 is overlapped with the first shielding wall 410 according to the provision of the penetration area K as described above, And can be irradiated to the object. That is, as shown in FIGS. 9 to 11, when the penetrating region K formed in each shielding wall is overlapped in the irradiation direction, a region H in which radiation is not blocked by the shielding wall is generated, The radiation can pass through the region H.

도 11 은 본 발명의 일 실시예에 따른 조사량 조절 장치(400)의 동작 상태를 비교하여 나타낸 도면으로서, (a) 는 전체 개방, (b) 는 50% 내외 개방, (c) 는 미세한 부분을 제외한 대부분 차단 상태를 나타낸다. 한편, 도 5 에서는 도 1 내지 도 4 에 도시된 바와 다른 사분면에 관통 영역(K)이 형성되고 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)의 형태가 달리 도시되었으나, 상술한 바와 같이 그 위치 및 형태를 한정하지 아니한다.11A and 11B are views showing a comparison of the operation states of the irradiation amount adjusting apparatus 400 according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a total opening, (b) is 50% Most of the exceptions indicate the blocking status. 5, the penetration area K is formed in a quadrant different from that shown in FIGS. 1 to 4 and the shapes of the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 are differently shown. However, And does not limit its position and form.

상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)의 위치가 가변함에 따라서 상기 관통 영역(K)이 중첩된 영역(H)의 면적, 형태 및 위치가 가변될 수 있다. 즉, 도 8 내지 도 11 에 도시된 바와 같이 상기 제1 차폐벽(410)과 제2 차폐벽(420)의 위치가 가변함에 따라서 상기 영역(H)의 면적, 형태, 및 위치가 가변하며, 도 8 및 도 11 의 에 도시된 바와 같이 상기 관통 영역(K) 사이의 중첩이 없도록 상기 제1 차폐벽(410) 및 제2 차폐벽(420)이 위치하면 방사선이 목적물에 조사되는 것이 차단될 수 있다.As the positions of the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 vary, the area, shape, and position of the area H in which the penetrating areas K are overlapped can be varied. 8 to 11, the area, shape, and position of the area H vary as the positions of the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 vary, As shown in FIGS. 8 and 11, when the first shielding wall 410 and the second shielding wall 420 are positioned such that there is no overlap between the penetrating regions K, radiation is prevented from being irradiated to the object .

본 발명에 따른 방사선 프로파일 방법은, 방사선을 발생시키는 입자 가속기(100); 상기 방사선의 경로 상에 놓이는 이온 챔버(200); 상기 이온 챔버(200)를 통과하는 방사선의 총 전하량을 측정하여 방사선의 선량 및 형상을 모니터링하는 모니터링 장치(300); 상기 입자 가속기(100)와 상기 이온 챔버(200) 사이에 배치되어 방사선의 조사량을 조절하는 조사량 조절 장치(400)를 포함하는 방사선 프로파일 시스템(1)을 사용한 방사선 프로파일 방법으로서,A radiation profile method according to the present invention comprises: a particle accelerator (100) for generating radiation; An ion chamber (200) lying on the path of the radiation; A monitoring device 300 for monitoring a dose and a shape of the radiation by measuring a total amount of the radiation passing through the ion chamber 200; A radiation profile method using a radiation profile system (1) comprising a particle accelerator (100) and a dose adjustment device (400) disposed between the ion accelerator (100) and the ion chamber (200)

입자 가속기(100)를 통해 방사선을 조사하는 단계; 상기 조사량 조절 장치(400)를 통해 상기 방사선의 통과량을 조절하는 단계; 상기 조사량 조절 장치(400)를 통과한 방사선을 상기 이온 챔버(200)를 통과시키는 단계; 및 상기 모니터링 장치(300)를 사용하여 상기 이온 챔버(200)를 통과한 방사선의 전하량을 모니터링하는 단계;를 포함한다.Irradiating the radiation through the particle accelerator (100); Adjusting the amount of the radiation passing through the irradiation amount adjusting device (400); Passing radiation through the ion chamber (200) through the dose adjustment device (400); And monitoring the amount of charge of radiation passing through the ion chamber 200 using the monitoring device 300.

바람직하게는, 본 발명에 따른 방사선 프로파일 방법은, 상기 조사량 조절 장치(400)는, 방사선을 차폐할 수 있는 차폐부, 및 상기 차폐부를 변위시키는 구동부를 포함하고, 상기 차폐부의 변위에 따라서 상기 조사량 조절 장치(400)를 통과하는 방사선의 조사 면적, 조사 형태 및 조사 위치가 가변되게 구성되는 방사선 프로파일 시스템(1)을 사용한 방사선 프로파일 방법으로서, 상기 차폐부를 변위시켜서 상기 조사량 조절 장치(400)를 통과하는 방사선의 위치를 가변하여 상기 방사선의 좌표별 데이터를 수집하는 단계; 상기 좌표별 데이터를 2 차원 및 3 차원으로 출력하는 단계;를 더 포함한다.Preferably, in the radiation profile method according to the present invention, the dose adjustment device 400 includes a shielding portion capable of shielding the radiation, and a driving portion for displacing the shielding portion, wherein the irradiation amount A radiation profile method using a radiation profile system (1) in which an irradiation area, an irradiation shape and an irradiating position of radiation passing through a regulating device (400) are variable, characterized in that the shielding part is displaced to pass through the irradiation amount adjusting device Varying the position of the radiation to collect data of the coordinates of the radiation; And outputting the data for each coordinate in two dimensions and three dimensions.

본 발명에 따라서, 조사량 조절 장치(400)를 통해 방사선의 위치별 데이터의 수집이 가능해지고, 모니터링 장치(300)를 통해 상기 위치별 데이터가 2 차원 또는 3 차원으로 구현되므로, 방사선의 위치에 따른 데이터 산출 및 처리가 가능해질 수 있다.According to the present invention, it becomes possible to collect data by position of the radiation through the irradiation amount adjusting device 400, and since the position-specific data is implemented in two or three dimensions through the monitoring device 300, Data calculation and processing can be enabled.

또한, 상기과 같은 조사량 조절은 간단한 구조를 갖는 조사량 조절 장치(400)를 통해 방사선 조사의 조절이 이루어질 수 있다. 즉, 차폐벽을 평면 상에서 변위시키는 것 만으로 방사선의 조사 면적, 형태, 및 위치가 가변될 수 있으므로 별도의 복잡한 조사량 조절 장치(400)를 구비함이 없이도 목적에 따른 적절한 방사선 조사가 이루어질 수 있다.In addition, the irradiation dose can be controlled through the dose adjustment apparatus 400 having a simple structure. In other words, the irradiated area, shape, and position of the radiation can be varied only by displacing the shielding wall in a plane, so that appropriate irradiation can be performed according to the purpose without having a complicated dose adjusting device 400.

이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.

1: 방사선 프로파일 시스템
100: 입자 가속기
200: 이온 챔버
300: 모니터링 장치
400: 조사량 조절 장치1: Radiation profile system
100: particle accelerator
200: ion chamber
300: Monitoring device
400: dose adjustment device

Claims

A radiation profile system for monitoring dose and shape of radiation,
A particle accelerator for generating radiation,
An ion chamber disposed on the path of the radiation,
A monitoring device for monitoring the dose and shape of the radiation by measuring the total charge of the radiation passing through the ion chamber, and
And a dose adjustment device disposed between the particle accelerator and the ion chamber,
The irradiation amount adjusting device comprises:
A shielding portion capable of shielding radiation, and
And a driving portion for displacing the shield portion,
The irradiated area of the radiation, the irradiation shape and the irradiated position are variable according to the displacement of the shielding part,
The monitoring device includes:
A processing unit for collecting data per coordinate of radiation in accordance with the displacement of the shielding unit, and
And an output unit for outputting the data for each coordinate in two dimensions and three dimensions,
The shielding portion
And first and second shielding walls displaced by the driving portion,
The driving unit
Displacing the first shielding wall and the second shielding wall in the x-axis and y-axis directions respectively,
The first shielding wall and the second shielding wall may be formed of,
A plate-like shape having a through region through which radiation can penetrate,
Wherein the first shielding wall and the second shielding wall are displaced so that the radiation passes through the penetrating region as the penetrating regions overlap each other,
The first shielding wall and the second shielding wall may be formed of,
When the quadrant is divided into four quadrants on the basis of the center, the quadrant has a plate-
Wherein the penetrating region of the first shielding wall and the penetrating region of the second shielding wall,
A radiation profile system positioned symmetrically with respect to the center of each other.

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