KR101469636B1 - Power supply of integrated circuit - Google Patents

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Abstract

본 발명은 IC의 초기 전원공급장치에 관한 것이다. The present invention relates to an initial power supply for an IC.

본 발명은 고압의 전원을 제공하는 전원공급원과 상기 전원공급원으로부터 고압의 전원을 입력받아 구동 소스로 사용하는 IC(INTEGRATED CIRCUIT), 및 상기 전원공급원에서 제공되는 고압의 전원으로부터 IC 구동전압을 생성하여 상기 IC로 제공하는 전원공급부를 포함하여서 된 것이다. The present invention generates an IC driving voltage from an IC (INTEGRATED CIRCUIT) that receives a high voltage power from the power supply source and uses it as a driving source, and a high voltage power source provided from the power supply source And a power supply unit provided to the IC.

본 발명은 IC 내부로 고압의 전원이 직접 인가되는 것을 차단하여, 극심한 또는 급격한 전기적 충격으로부터 IC를 보호할 수 있다. The present invention can prevent direct application of high-voltage power to the inside of the IC, thereby protecting the IC from an extreme or sudden electric shock.

Description

ＩＣ의 초기 전원공급장치{POWER SUPPLY OF INTEGRATED CIRCUIT}[0001] POWER SUPPLY OF INTEGRATED CIRCUIT [0002]

도 1은 종래 IC 전원공급 구조를 간략히 도시한 블럭도.1 is a block diagram schematically illustrating a conventional IC power supply structure.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 구성을 간략히도시한 블럭도.2 is a block diagram schematically illustrating a configuration according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 구성을 보다 구체적으로 도시한 회로도.3 is a circuit diagram more specifically showing a configuration according to an embodiment of the present invention;

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>Description of the Related Art [0002]

100 : 전원공급부 11 :전원레벨변환소자1100: Power supply unit 11: Power supply level conversion element 1

12 : 입력정전원소자 13 : 스위칭소자112: input constant power source element 13: switching element 1

14 : 충전소자 15 : 출력정전원소자14: Charging element 15: Output power element

16 : 전원레벨변환소자2 17 : 스위칭소자216: Power supply level conversion element 2 17: Switching element 2

18 : 다이오드 10 : IC18: diode 10: IC

30 : 전원공급원30: Power source

본 발명은 IC의 초기 전원공급장치에 관한 것이다. The present invention relates to an initial power supply for an IC.

IC는 'INTEGRATED CIRCUIT'의 약자로서 집적회로라 하며, 많은 전자회로소자가 하나의 기판 또는 기판자체에 분리가 불가능한 상태로 결합되어 있는 초소형 구조의 기능적인 복합적 전자소자 또는 시스템을 지칭한다.IC stands for "INTEGRATED CIRCUIT" and refers to an integrated electronic device or system with a very small structure in which many electronic circuit elements are combined in a state that they can not be separated from one substrate or the substrate itself.

이러한 IC는 전자회로 부분에 다방면으로 사용되고 있으며, 그 중 액정표시장치 분야에서는 고속/고압의 전원으로 작동하는 회로의 특성상 고압의 전원을 구동전원으로 하는 IC가 많이 적용되고 있다. 도 1을 참조하여 고압의 전원을 구동전원으로 하는 액정표시장치에서 이용되는 IC에 대해 설명한다.These ICs are widely used in electronic circuits. Among them, in the field of liquid crystal display devices, ICs using a high-voltage power supply as a driving power source are widely applied due to the characteristics of a circuit operating at a high-speed / high-voltage power supply. An IC used in a liquid crystal display device in which a high-voltage power source is used as a driving power source will be described with reference to Fig.

도 1은 종래 IC 전원공급 구조를 간략히 도시한 블럭도이다.1 is a block diagram schematically illustrating a conventional IC power supply structure.

도 1과 같이 전원공급원(3)을 통해서 공급되는 고압의 전원(HV)을 구동전원으로 사용하는 IC(1)는 내부에 자체적으로 고압의 전원(HV)으로부터 구동에 필요한 전류 소스를 직접 만들어 사용하고 있다.As shown in FIG. 1, the IC 1 using the high-voltage power supply HV supplied through the power supply source 3 itself generates a current source necessary for driving from the high-voltage power supply HV itself .

그러나, 이러한 고압의 전원(HV)을 구동전원으로 사용하는 IC(1)는 급작스런 과전압 과전류가 공급될 경우, 무방비 상태로 내부회로가 파괴되어 기능을 상실하는 문제점이 있다.However, the IC 1 using such a high-voltage power supply HV as a driving power source has a problem in that when the overvoltage and overcurrent are suddenly supplied, the internal circuit is destroyed in an unprotected state and the function is lost.

또한, 고압의 전원(HV)의 구동전원은 전류 파형의 특성상 신속한 응답 반응이 이루어지지 않게 되므로, 전원의 ON/OFF 동작이 신속히 이루어지지 않을 뿐 아 니라, 이로 인해 결과적으로 IC의 구동 오류를 발생시키는 원인으로 작용하는 문제점이 있다. In addition, since the driving power of the high-voltage power supply (HV) is not quickly responsive to the characteristics of the current waveform, the ON / OFF operation of the power supply is not quickly performed. As a result, There is a problem in that it acts as a cause of the problem.

본 발명은 IC 내부로 고압의 전원이 직접 인가되는 것을 차단할 수 있는 ＩＣ의 초기 전원공급장치를 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an initial power supply device for an IC that can block direct application of high voltage power to an IC.

본 발명은 고압의 전원을 제공하는 전원공급원과 상기 전원공급원으로부터 고압의 전원을 입력받아 구동 소스로 사용하는 IC(INTEGRATED CIRCUIT), 및 상기 전원공급원에서 제공되는 고압의 전원으로부터 IC 구동전압을 생성하여 상기 IC로 제공하는 전원공급부를 포함하며, 상기 전원공급부는 고압의 전원을 내부적유통 전원 상태로 변환시키는 전원레벨변환소자1; 상기 전원레벨변환소자1로부터 전원이 인가되면 일정전원을 유지하면서 제공하는 입력정전원소자; 상기 입력정전원소자로부터 제공되는 일정전원을 동작신호로 하여 IC의 구동에 필요한 전원을 도통 차단시키는 스위칭소자1; 상기 스위칭소자1의 도통 상태에 따라 충/방전하면서 구동전원을 제공하는 충전소자; 상기 스위칭소자1의 도통 상태에 따라 충전, 방전 하면서 구동전원을 제공하는 충전소자에 충전된 전원을 일정전원으로 유지하면서 VCC단으로 출력시키는 출력정전원소자; 상기 출력정전원소자로부터 인가되는 전원이 전원레벨변환소자2를 통해 구동전원으로 변환 입력되면, 스위칭소자1의 구동 전원을 우회시켜 OFF시키는 스위칭소자2를 포함한다.The present invention generates an IC driving voltage from an IC (INTEGRATED CIRCUIT) that receives a high voltage power from the power supply source and uses it as a driving source, and a high voltage power source provided from the power supply source And a power supply unit provided to the IC, wherein the power supply unit includes a power supply level conversion element 1 for converting a high voltage power supply to an internal distributed power supply state; An input electrostatic power source element for supplying a constant power when the power is supplied from the power level converting element 1; A switching element (1) for turning off a power source necessary for driving an IC by using a constant power source provided from the input constant power source element as an operation signal; A charging device for supplying driving power while charging / discharging according to the conduction state of the switching device 1; An output constant power source element for outputting the power charged in the charge element providing the drive power while charging and discharging according to the conduction state of the switching element 1 while maintaining a constant power source and outputting the power to the VCC stage; And a switching element 2 for turning off the driving power of the switching element 1 when the power applied from the output constant power source element is converted into the driving power source through the power level converting element 2 and turned off.

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이때, 상기 전원레벨변환소자1,2는 저항일 수 있으며, 상기 저항는 고정 저항일 수 도 있고, 가변 저항일 수 있다. At this time, the power level converting elements 1 and 2 may be resistors, and the resistors may be fixed resistors or variable resistors.

또한, 상기 입력,출력정전원소자는 제너다이오드일 수 있다.Also, the input and output electrostatic elements may be zener diodes.

또한, 상기 스위칭소자1은 MOS-FET(전계효과트랜지스터)일 수도 있으며, 상기 스위칭소자2는 트랜지스터일 수 도 있다. Also, the switching element 1 may be a MOS-FET (field effect transistor), and the switching element 2 may be a transistor.

끝으로, 상기 충전소자는 커패시터일 수 있다.Finally, the charging station may be a capacitor.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 구성을 간략히 도시한 블럭도이며, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 구성을 보다 구체적으로 도시한 회로도이다.FIG. 2 is a block diagram briefly showing a configuration according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration according to an embodiment of the present invention in more detail.

전원공급부(100)는 구동 소스인 고압의 전원을 제공하는 전원공급원(30)과 피구동체인 IC(10)의 VCC단 사이에 배치되어, 전원공급원(30)에서 제공되는 고압의 전원으로부터 IC 구동전압을 생성하여 IC(10)로 제공한다. The power supply unit 100 is disposed between the power supply source 30 that provides a high voltage power source as a driving source and the VCC stage of the IC 10 as a driven member, And provides the generated voltage to the IC 10. [

여기서, 본 발명 중 상기 전원공급부(100)는 고압의 전원을 내부적 유통 전원 상태로 변환시키는 전원레벨변환소자1(11); 상기 전원레벨변환소자1(11)로부터 전원이 인가되면 일정전원을 유지하면서 제공하는 입력정전원소자(12); 상기 입력정전원소자(12)로부터 제공되는 일정전원을 동작신호로 하여 IC(10)의 구동에 필요한 전원을 도통 차단시키는 스위칭소자1(13); 상기 스위칭소자1(13)의 도통 상태에 따라 충/방전하면서 구동전원을 제공하는 충전소자(14); 상기 충전소자(14)에 충전 된 전원을 일정전원으로 유지하면서 VCC단으로 출력시키는 출력정전원소자(15); 상기 출력정전원소자(15)로부터 인가되는 전원이 전원레벨변환소자2(16)를 통해 구동전원으로 변환 입력되면, 스위칭소자1(13)의 구동 전원을 우회시켜 OFF시키는 스위칭소자2(17)를 포함한다.Here, the power supply unit 100 of the present invention includes a power level conversion device 1 (11) for converting a high-voltage power source into an internal distributed power source state; An input constant power source element 12 for supplying a constant power when the power is supplied from the power level conversion element 1; A switching element 1 (13) for turning off a power source necessary for driving the IC (10) by using a constant power provided from the input constant power source element (12) as an operation signal; A charging device 14 for providing driving power while charging / discharging according to the conduction state of the switching device 1; An output constant power source element 15 for outputting the power charged in the charging element 14 to the VCC stage while maintaining the constant power source; A switching element 2 (17) for turning off the driving power of the switching element 1 (13) and turning it off when the power applied from the output constant power source element 15 is converted into driving power via the power level converting element 2 (16) .

이때, 상기 전원레벨변환소자1,2(11)(16)는 저항이다.At this time, the power supply level converting elements 1, 2 (11) and 16 are resistors.

또한, 상기 입력정전원소자(12)는 제너다이오드이다.Further, the input electrostatic power source element 12 is a zener diode.

또한, 상기 스위칭소자1(13)은 MOS-FET(전계효과트랜지스터)이다.The switching element 13 is a MOS-FET (Field Effect Transistor).

또한, 상기 충전소자(14)는 커패시터이다.The charging element 14 is a capacitor.

또한, 상기 출력정전원소자(15)는 제너다이오드이다.The output electrostatic power source element 15 is a zener diode.

끝으로, 상기 스위칭소자2(17)는 트랜지스터이다.Finally, the switching element 2 (17) is a transistor.

이와 같이 구성된 본 발명의 회로 결선을 살펴보면 다음과 같다.The circuit connection of the present invention having such a structure will be described as follows.

먼저, 상기 전원레벨변환소자1(11)의 일단은 전원공급원(30)에 연결되고, 타단은 상기 입력정전원소자(12)의 캐소드와 스위칭소자1(13)의 게이트 및 스위칭소자2(17)의 컬렉터에 연결된다.One end of the power level converting element 11 is connected to the power source 30 and the other end is connected to the cathode of the input electrostatic power element 12 and the gate of the switching element 13 and the switching element 2 Lt; / RTI &gt; collector.

또한, 상기 입력정전원소자(12)의 애노드는 충전소자(14)의 타단과 출력정전원소자(15)의 애노드에 연결된다.The anode of the input electrostatic power element 12 is connected to the other end of the charging element 14 and the anode of the output electrostatic power element 15. [

또한, 상기 스위칭소자1(13)의 드레인은 전원공급원(30)과 전원레벨변환소자1(11)의 일단에 연결되며, 소스는 전원레벨변환소자2(16)의 일단과 다이오드(18)의 애노드에 연결된다. 다이오드(18)의 캐소드는 충전소자(14)의 일단에 연결된다.The drain of the switching element 1 13 is connected to the power supply source 30 and one end of the power supply level conversion element 11 and the source thereof is connected to one end of the power supply level conversion element 16, And is connected to the anode. The cathode of the diode 18 is connected to one end of the charging element 14.

또한, 상기 출력정전원소자(15)의 캐소드는 전원레벨변환소자2(16)의 타단과 스위칭소자2(17)의 이미터에 연결된다.The cathode of the output electrostatic power source element 15 is connected to the other end of the power supply level conversion element 16 and the emitter of the switching element 2 (17).

이와 같이 구성되는 본 발명의 동작 상태를 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of the present invention will be described.

먼저, 상기 전원공급원(30)으로부터 고압의 전원이 인가되면, 전원레벨변환소자1(11)인 저항가 입력 전원을 내부적으로 유통 가능한 전원 상태로 변환 즉, 전압 강하시킨다.First, when a high-voltage power is applied from the power supply source 30, the resistive input power source, which is the power level conversion element 1 (11), is converted into a power supply state capable of internally flowing.

그리되면, 상기 전압 강하된 전원은 입력정전원소자(12)인 제너다이오드 측으로 인가되며, 이때, 입력정전원소자(12)인 제너다이오드의 캐소드에 +전원이 가해지다 어느 시점의 전원 레벨에서 제너효과에 의해 항복 전류가 흘러 정전원(예컨대, 전압 : 3V ~ 12V, 전류 10mA)을 발생시킨다.In this case, when the + source voltage is applied to the cathode of the Zener diode, which is the input electrostatic power element 12, the Zener diode (For example, voltage: 3 V to 12 V, current 10 mA) due to the effect of the breakdown current.

그리되면, 상기 정전원은 스위칭소자1(13)인 MOS-FET의 게이트로 인가되어, 스위칭소자1(13)이 도통 상태(게이트에 +전압이 가해지면 P형 기판에 -전하가 형성되어 전도채널이 형성되며, 전류는 드레인에서 소스로 상기 전도채널을 따라 흐른다.)가 되어, 전원공급원(30)에서 출력되는 고압의 전원을 충전소자(14)로 전달한다.Then, the positive power source is applied to the gate of the MOS-FET which is the switching element 1 (13), and the switching element 1 13 is in the conduction state (when a positive voltage is applied to the gate, And a current flows from the drain to the source along the conduction channel) to transfer the high voltage power output from the power source 30 to the charging element 14. [

그리되면, 충전소자(14)인 커패시터는 용량에 맞게 충전과 방전을 하며, 상기 출력정전원소자(15)가 충전소자(14)로부터 방전되면서 제공하는 전원을 일정하게 유지하면서 다이오드(18)를 통해 출력시키게 되는데, 상기 다이오드(18)는 출력정전원소자(15)로부터 출력되는 전원에서 리플을 제거하는 한편, 스위칭소자2(17) 측의 전압 특히, 스위칭소자2(17)인 트랜지스터의 베이스와 연결된 래지스터에 걸린 전압이 역류하거나, 충전소자(14)의 전압이 역류하여 스위칭소자1(13)의 동작에 영향을 미치는 것을 방지한다.
또한, VCC단의 전압이 입력정전원소자(12)인 제너다이오드에 인가되는 전압보다 높아지면, 전원레벨변환소자2(16)인 레지스터의 전압이 높아지게 되어 스위칭소자1(13)인 MOS-FET가 오프(OFF)될 수 있다. 이를 방지하기 위해 다이오드(18)가 배치될 수 있다. 이와 같이, 다이오드(18)가 배치됨으로써, VCC단의 전압이 전원레벨변환소자2(16)에 영향을 주지 않게 된다.The capacitor serving as the charging element 14 is charged and discharged in accordance with the capacity of the charging element 14 and the diode 18 is kept charged while discharging the charging element 14 from the charging element 14, The diode 18 removes the ripple from the power source output from the output electrostatic power source element 15 while the voltage on the side of the switching element 2 17, And prevents the voltage of the charging element 14 from flowing backward and influencing the operation of the switching element 13 by the reverse flow.
When the voltage of the VCC stage becomes higher than the voltage applied to the Zener diode serving as the input constant power source element 12, the voltage of the resistor as the power supply level conversion element 16 becomes high and the MOS- Can be turned off. To prevent this, a diode 18 may be disposed. In this manner, the voltage of the VCC stage does not affect the power supply level conversion element 16 by arranging the diode 18. [

이때, 상기 출력 전원은 VCC단을 통해 출력되어 상기 IC(10)의 구동전원으로 제공되는 한편, 전원레벨변환소자2(16)인 저항를 거쳐 스위칭소자2(17)의 구동전원으로 인가되어, 스위칭소자1(13)로 인가되던 구동전원을 우회시켜 접지측으로 배출시킨다.At this time, the output power is outputted through the VCC stage to be supplied as driving power for the IC 10, while being applied to the driving power source of the switching device 2 (17) through the resistance of the power level converting element 2 (16) The driving power applied to the element 1 (13) is bypassed and discharged to the ground side.

그리되면, 스위칭소자1(13)이 오프(OFF)되면서 구동을 정지하게 되어, 전원공급원(30)으로부터 공급되던 전원이 차단된다.As a result, the switching element 1 (13) is turned off to stop driving, and the power supplied from the power supply source 30 is cut off.

상기 전원공급부(100)는 이와 같은 동작을 반복하여 초기 IC 구동 전원을 생성시킬 수 있다.The power supply unit 100 may repeat the above operation to generate the initial IC driving power.

이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. On the contrary, those skilled in the art will appreciate that many modifications and variations of the present invention are possible without departing from the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, all such appropriate modifications and changes, and equivalents thereof, should be regarded as within the scope of the present invention.

본 발명에 의하면, IC 내부로 고압의 전원이 직접 인가되는 것을 차단하여, 극심한 또는 급격한 전기적 충격으로부터 IC를 보호할 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent direct application of high-voltage power to the inside of the IC, thereby protecting the IC from an extreme or sudden electric shock.

또한, 본 발명에 의하면, FET와 같은 스위칭소자를 적용하여 신속하면서 용이하게 전원의 흐름을 제어함으로써, 회로를 ON/OFF시킬 수 있다. Further, according to the present invention, it is possible to quickly and easily control the flow of power by applying a switching element such as a FET, thereby turning the circuit on and off.

Claims (8)

고압의 전원을 제공하는 전원공급원 및A power source providing high voltage power, and 상기 전원공급원에서 제공되는 고압의 전원으로부터 IC 구동전압을 생성하여 IC로 제공하는 전원공급부를 포함하며,And a power supply unit for generating an IC driving voltage from a high voltage power supply provided from the power supply source and providing the IC driving voltage to the IC, 상기 전원공급부는The power supply unit 고압의 전원을 내부적 유통 전원 상태로 변환시키는 전원레벨변환소자1;A power level converting element 1 for converting a high voltage power source into an internal circulating power source state; 상기 전원레벨변환소자1로부터 전원이 인가되면 일정전원을 유지하면서 제공하는 입력정전원소자;An input electrostatic power source element for supplying a constant power when the power is supplied from the power level converting element 1; 상기 입력정전원소자로부터 제공되는 일정전원을 동작신호로 하여 IC의 구동에 필요한 전원을 도통 차단시키는 스위칭소자1;A switching element (1) for turning off a power source necessary for driving an IC by using a constant power source provided from the input constant power source element as an operation signal; 상기 스위칭소자1의 도통 상태에 따라 충전, 방전 하면서 구동전원을 제공하는 충전소자에 충전된 전원을 일정전원으로 유지하면서 VCC단으로 출력시키는 출력정전원소자;An output constant power source element for outputting the power charged in the charge element providing the drive power while charging and discharging according to the conduction state of the switching element 1 while maintaining a constant power source and outputting the power to the VCC stage; 상기 출력정전원소자로부터 인가되는 전원이 전원레벨변환소자2를 통해 구동 전원으로 변환 입력되면, 스위칭소자1의 구동 전원을 우회시켜 OFF시키는 스위칭소자2를 포함하는 것을 특징으로 하는 IC의 초기 전원공급장치.And a switching element (2) for turning off the driving power of the switching element (1) when the power applied from the output constant power source element is converted into driving power via the power level converting element (2) Device. 삭제delete 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 전원레벨변환소자1,2는 저항인 것을 특징으로 하는 IC의 초기 전원공급장치.Characterized in that the power supply level conversion elements (1, 2) are resistors. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 전원레벨변환소자1,2는 고정 저항 또는 가변 저항인 것을 특징으로 하는 IC의 초기 전원공급장치.Characterized in that the power supply level converting elements (1, 2) are fixed resistors or variable resistors. 제 1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 입력,출력정전원소자는 제너다이오드인 것을 특징으로 하는 IC의 초기 전원공급장치.Wherein the input and output electrostatic elements are zener diodes. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 스위칭소자1은 MOS-FET인 것을 특징으로 하는 IC의 초기 전원공급장치.Characterized in that the switching element (1) is a MOS-FET. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 스위칭소자2는 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 IC의 초기 전원공급장치. Wherein the switching element (2) is a transistor. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 충전소자는 커패시터인 것을 특징으로 하는 IC의 초기 전원공급장치. Wherein the charging device is a capacitor.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001161060A (en) * 1999-11-30 2001-06-12 Sharp Corp Power supply circuit
KR20030049916A (en) * 2001-12-17 2003-06-25 엘지전자 주식회사 Integrated Circuit Testing Device and Method for the Same
KR200343267Y1 (en) * 2003-11-07 2004-03-04 박동호 Phase controller with voltage detection circuit
JP2007148747A (en) * 2005-11-28 2007-06-14 Sharp Corp Voltage control circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001161060A (en) * 1999-11-30 2001-06-12 Sharp Corp Power supply circuit
KR20030049916A (en) * 2001-12-17 2003-06-25 엘지전자 주식회사 Integrated Circuit Testing Device and Method for the Same
KR200343267Y1 (en) * 2003-11-07 2004-03-04 박동호 Phase controller with voltage detection circuit
JP2007148747A (en) * 2005-11-28 2007-06-14 Sharp Corp Voltage control circuit

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