KR101465343B1 - Method of fabricating a needle for probe card and the same thereof - Google Patents

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KR101465343B1
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probe card
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서수정
조영래
김진수
김태유
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성균관대학교산학협력단
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Abstract

The present invention relates to a method for fabricating a needle for a probe card. The purpose of the present invention is to facilitate the method for fabricating a needle for a probe card and to provide a simplified process. The method for fabricating a needle for a probe card according to an embodiment of the present invention comprises the following steps of: preparing a metal substrate whose surface is processed; patterning a photoresist on the substrate; forming a metal plated layer on a region where the photoresist has not been patterned using electroplating; removing the photoresist after forming the metal plated layer; coating a photosensitive film on the substrate and the metal plated layer after the photoresist; applying tape on the photosensitive film; and detaching the substrate.

Description

프로브 카드용 니들을 제조하는 방법 및 그 방법에 의해 제조된 프로브 카드용 니들 {METHOD OF FABRICATING A NEEDLE FOR PROBE CARD AND THE SAME THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method for manufacturing a needle for a probe card, and a needle for a probe card manufactured by the method.

본 발명은 프로브 카드용 니들을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 프로브 카드용 니들을 제조하는 방법의 용이성을 확보하고 단순화된 공정을 제공하기 위함이다.
The present invention relates to a method of manufacturing a probe card needle, in order to ensure the ease of manufacturing a probe card needle and to provide a simplified process.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼(Wafer)상에 패턴(pattern)을 형성시키는 패브리케이션(Fabrication) 공정과 패턴이 형성된 웨이퍼를 각각의 소자로 조립하는 어셈블리(Assembly) 공정을 통해서 제조된다.Generally, a semiconductor device is fabricated through a fabrication process for forming a pattern on a wafer and an assembly process for assembling a patterned wafer into each device.

패브리케이션 공정이 끝난 반도체 소자는 어셈블리 공정을 거치기 이전에 웨이퍼에 형성된 각각의 소자에 대해서 전기적 특성을 검사하는 이디에스(Electrical Die Sorting : 이하 'EDS'라 함.)공정을 거치게 된다.The semiconductor device subjected to the fabrication process is subjected to Electrical Die Sorting (hereinafter referred to as 'EDS') process for examining electrical characteristics of each device formed on the wafer before the assembly process.

여기서 EDS공정은 웨이퍼에 형성된 소자들 중에서 불량소자를 판별하기 위해서 실시되는 공정이다. EDS공정에서는 웨이퍼 위의 소자에 전기적 신호를 인가시키고 소자로부터 응답되는 전기적 신호를 분석하여 소자의 불량여부를 판정하는 검사장치를 주로 이용한다.Here, the EDS process is a process performed to identify a defective device among the devices formed on the wafer. In the EDS process, an inspection device is mainly used in which an electrical signal is applied to an element on a wafer and an electrical signal responded from the element is analyzed to determine whether the element is defective.

소자의 불량여부를 판정하는 검사장비와 소자의 패드 사이에 전기적 신호를 전달하기 위해 프로브 카드가 이용된다. 프로브 카드는 하나 이상의 니들(Needle)을 갖추고 있다. 웨이퍼 위의 소자에 연결된 패드에 니들을 접촉시킨다. 반도체 소자 검사장비는 프로브 카드의 니들을 통하여 소자의 패드와 전기적 신호를 주고 받음으로서 소자의 불량여부를 판단하게 된다.A probe card is used to transmit an electrical signal between the test equipment that determines whether the device is defective and the pad of the device. The probe card has one or more needles. The needles are brought into contact with pads connected to elements on the wafer. The semiconductor device testing device judges whether the device is defective by exchanging electric signals with the pad of the device through the needles of the probe card.

이러한 EDS공정은 웨이퍼를 구성하고 있는 칩들 중에서도 불량칩을 판별하기 위하여 수행하는 공정으로, 웨이퍼를 구성하고 있는 각 칩의 양,불량품을 선별하는 것 이외에도, 불량 칩 중에서 수리 가능한 칩을 수리하거나, FAB 공정에서의 문제점을 조기에 피드백(feedback)하기 위해서 또는 불량칩의 조기제거로 조립 및 검사에서의 원가절감을 위해서 수행된다.This EDS process is a process performed to discriminate defective chips among the chips constituting the wafer. In addition to selecting the defective chips and the amount of chips constituting the wafer, repairing the repairable chips among the defective chips, This is done for early feedback on problems in the process or for cost reduction in assembly and inspection by premature removal of defective chips.

EDS의 기본요소로는 테스터 시스템, 프로버시스템, 프로브 카드, 테스터 프로그램 등을 들 수 있으며, 그 중에서 프로브 카드(probe card)는 아주 가는 니들(needle)을 인쇄회로 기판에 고정시켜 놓은 것으로 테스터에서 발생한 신호가 퍼포먼스(performance) 기판을 통해 프로브 카드의 니들까지 전달되고, 이 니들이 웨이퍼 내 칩(chip)의 패드에 접촉되어 디바이스 내부의 회로에 전기신호가 전달되도록 한 후, 인가된 전기신호로부터 체크되는 신호에 의해서 불량을 판단하게 된다.Basic elements of the EDS include a tester system, a prober system, a probe card, and a tester program. Among them, a probe card is a very thin needle fixed to a printed circuit board. The generated signal is transmitted to the needles of the probe card through the performance substrate and the needle is brought into contact with the pad of the chip in the wafer to transfer the electric signal to the circuit inside the device. The failure is judged by the signal that is generated.

EDS 공정을 위해 사용되는 프로브 카드의 니들은 텅스텐(Tungsten) 재질의 팁으로 에폭시 타입(epoxy type)과 블레이드 타입(blade type) 등이 있다.The probe card needle used for the EDS process is a tip of tungsten material and has epoxy type and blade type.

한편 최근 반도체 소자는 고집적화 및 극소형화가 되면서 패턴의 디자인 룰이 더욱 미세해지는 추세이다. 반도체 소자가 미세화 되어감에 따라 프로브 카드의 니들이 접촉되는 웨이퍼 다이의 패드의 크기도 미세화 되고 있다.On the other hand, as semiconductor devices have become highly integrated and extremely miniaturized, the design rule of the pattern becomes finer. The sizes of the pads of the wafer die, in which the needles of the probe card are contacted as the semiconductor elements are miniaturized, are miniaturized.

이러한 프로브 카드의 니들을 형성하는 방법에 있어서, 종래에는 실리콘 웨이퍼에 스퍼터를 이용한 금속층형성, PR을 이용하여 패터닝, 전해도금, PR제거, 에칭공정을 이용하여 프로브카드용 니들을 제조하였다.In the conventional method of forming needles of a probe card, a needle for a probe card is manufactured by forming a metal layer using a sputter on a silicon wafer, patterning using electroless plating, PR removal, and an etching process.

구체적으로 설명하면, 종래 방법에 따를 경우, 실리콘 웨이퍼 위에 도금을 하기 위해 씨드층(seed layer)으로 메탈층을 형성한후 PR(photoresist)을 사용하여 패터닝을 하고, 전해도금하여 프로브 카드용 니들을 형성하였고, 에칭을 통해 씨드층으로 사용한 메탈층을 제거하여 니들을 떼어냈다. 이때 씨드층에서 니들이 잘 떨어지지 아니하는 문제점이 있었고, 또한 경우에 따라서는 도금층 밑에 존재하는 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 경우도 발생하였다.More specifically, according to a conventional method, a metal layer is formed as a seed layer for plating on a silicon wafer, patterning is performed using PR (photoresist), electroplating is performed to form a needle for a probe card And the metal layer used as the seed layer was removed through etching to remove the needles. At this time, there was a problem that the needles did not fall off well in the seed layer, and in some cases, the silicon wafer existing under the plating layer was also etched.

종래 기술에 따른 씨드층을 이용한 니들 형성 방법은 씨드층 형성시 반드시 스퍼터링 공정이 필요하여 비용 및 시간이 많이 소요되는 문제점이 있었으며, 또한 경우에 따라서 실리콘 웨이퍼를 에칭함으로써 공정이 복잡해지고 실리콘 웨이퍼를 재사용하지 못하고 버려야 하는 문제점이 있었다.The need for a seed layer using a seed layer according to the prior art has a problem that a sputtering process is necessarily required at the time of forming a seed layer, which requires a lot of cost and time. In addition, etching the silicon wafer in some cases complicates the process, There was a problem to be abandoned.

또한, 니들을 씨드층이나 실리콘 웨이퍼로부터 분리한 이후 분리된 니들의 보관 및 이송이 용이하지 아니하다는 문제점도 있었다.
In addition, there has been a problem that it is not easy to store and transport the separated needles after separating the needles from the seed layer or the silicon wafer.

본 발명은 이러한 종래 기술의 문제점을 해결하여, 프로브 카드의 니들 형성 공정을 용이하고 단순하게 함으로써, 공정의 간소화, 시간 및 비용 절감을 이루는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to solve the problems of the prior art and to simplify the process, and to save time and cost by simplifying and simplifying the needle forming process of the probe card.

본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드용 니들을 제조하는 방법은, 표면 처리된 금속 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 포토레지스트를 패터닝하는 단계; 전해 도금(electroplating)을 이용하여 상기 포토레지스트가 패터닝되지 아니한 부분에 금속 도금층을 형성하는 단계; 상기 금속 도금층을 형성한 이후 포토레지스트를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거한 이후 상기 기판 및 상기 금속 도금층 위에 감광성 필름을 코팅하는 단계; 상기 감광성 필름 위에 테이프를 입히는 단계; 및 상기 기판을 떼어내는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a probe card needle according to an embodiment of the present invention includes: preparing a surface-treated metal substrate; Patterning a photoresist on the substrate; Forming a metal plating layer on the portion where the photoresist is not patterned using electroplating; Removing the photoresist after forming the metal plating layer; Coating the photosensitive film on the substrate and the metal plating layer after removing the photoresist; Applying a tape onto the photosensitive film; And removing the substrate.

이 경우 상기 표면 처리된 금속 기판은, 젖음성(wettability)이 감소된 금속 기판이거나 또는 표면이 거칠어진 금속 기판인 것을 특징으로 한다.In this case, the surface-treated metal substrate is a metal substrate having reduced wettability or a surface-roughened metal substrate.

이 경우에 젖음성(wettability)이 감소된 금속 기판의 젖음각(wetting angle)은 70도~80도이고, 표면 조도는 200~300nm인 것이 바람직하다.In this case, the wetting angle of the metal substrate with reduced wettability is preferably 70 to 80 degrees, and the surface roughness is preferably 200 to 300 nm.

또한, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계는, 아세톤 및 IPA(isopropyl alcohol)을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The step of removing the photoresist is characterized by using acetone and IPA (isopropyl alcohol).

한편, 상기 기판을 떼어낸 이후, 아세톤을 이용해 상기 감광성 필름을 제거하여 상기 도금된 금속층을 상기 테이프로부터 분리해냄으로써 프로프 카드용 니들을 얻는 것을 특징으로 한다.Meanwhile, after removing the substrate, the photosensitive film is removed using acetone to separate the plated metal layer from the tape, thereby obtaining a professional card needle.

본 발명에 따른 프로프 카드의 니들 형성 방법을 이용하면, 종래 기술에 따른 스퍼터링 공정과 같은 진공 공정이 생략되므로 공정이 간소화될 뿐만 아니라, 시간 및 비용이 절감되는 장점을 갖는다.Using the method of forming a probe card according to the present invention, a vacuum process such as a sputtering process according to the prior art is omitted, which simplifies the process and saves time and cost.

또한, 기판을 재활용 가능하므로 종래 기술과 같이 웨이퍼를 에칭함으로써 재사용하지 못하는 문제점을 해결할 수 있다는 장점도 갖는다.
In addition, since the substrate can be recycled, there is an advantage that it is possible to solve the problem that the wafer can not be reused by etching the wafer as in the prior art.

도 1은 종래 기술에 따른 프로브 카드용 니들을 제조하는 방법의 순서도이다.
도 2a-2e는 종래 기술에 따른 프로브 카드용 니들을 제조하는 방법을 개시하고 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드용 니들을 제작하기 위한 방법의 순서도이다.
도 4a-4h는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드용 니들을 제작하기 위한 방법의 개략도이다.
다양한 실시예들이 이제 도면을 참조하여 설명되며, 전체 도면에서 걸쳐 유사한 도면번호는 유사한 엘리먼트를 나타내기 위해서 사용된다. 설명을 위해 본 명세서에서, 다양한 설명들이 본 발명의 이해를 제공하기 위해서 제시된다. 그러나 이러한 실시예들은 이러한 특정 설명 없이도 실행될 수 있음이 명백하다. 다른 예들에서, 공지된 구조 및 장치들은 실시예들의 설명을 용이하게 하기 위해서 블록 다이아그램 형태로 제시된다.
1 is a flow chart of a method for manufacturing a probe card needle according to the prior art.
2A-2E disclose a method for manufacturing a needle for a probe card according to the prior art.
3 is a flowchart of a method for manufacturing a probe card needle according to an embodiment of the present invention.
4A-4H are schematic views of a method for fabricating a needle for a probe card according to an embodiment of the present invention.
Various embodiments are now described with reference to the drawings, wherein like reference numerals are used throughout the drawings to refer to like elements. For purposes of explanation, various descriptions are set forth herein to provide an understanding of the present invention. It is evident, however, that such embodiments may be practiced without these specific details. In other instances, well-known structures and devices are shown in block diagram form in order to facilitate describing the embodiments.

하기 설명은 본 발명의 실시예에 대한 기본적인 이해를 제공하기 위해서 하나 이상의 실시예들의 간략화된 설명을 제공한다. 본 섹션은 모든 가능한 실시예들에 대한 포괄적인 개요는 아니며, 모든 엘리먼트들 중 핵심 엘리먼트를 식별하거나, 모든 실시예의 범위를 커버하고자 할 의도도 아니다. 그 유일한 목적은 후에 제시되는 상세한 설명에 대한 도입부로서 간략화된 형태로 하나 이상의 실시예들의 개념을 제공하기 위함이다.The following description provides a simplified description of one or more embodiments in order to provide a basic understanding of embodiments of the invention. This section is not a comprehensive overview of all possible embodiments and is not intended to identify key elements or to cover the scope of all embodiments of all elements. Its sole purpose is to present the concept of one or more embodiments in a simplified form as a prelude to the more detailed description that is presented later.

도 2a-2e는 종래 기술에 따른 프로브 카드용 니들을 제조하는 방법을 개시하고 있다.2A-2E disclose a method for manufacturing a needle for a probe card according to the prior art.

종래 기술에 따르면, 프로브 카드용 니들은 도 1에서와 같이 접착층이 부착된 웨이퍼 상에 금속 씨드층을 형성하는 단계(S 110); 금속 씨드층 위에 포토레지스트(PR; Photoresist)를 패터닝하는 단계(S 120); 금속 도금층(니들)을 형성하는 단계(S 130); 포토레지스트를 제거하는 단계(S 140); 및 금속 씨드층을 에칭하는 단계(S 150)를 거쳐 제작된다. 각각의 단계는 도 2a-2e에 대응된다.According to the prior art, a needle for a probe card includes a step (S 110) of forming a metal seed layer on a wafer to which an adhesive layer is attached, as in FIG. 1; Patterning a photoresist (PR) on the metal seed layer (S 120); Forming a metal plating layer (needle) (S 130); Removing the photoresist (S 140); And etching the metal seed layer (S 150). Each step corresponds to Figs. 2A-2E.

이러한 종래 기술에 따르면, 씨드층에서 니들(금속 도금층)이 잘 떨어지지 아니하는 문제점이 있었고, 또한 경우에 따라서는 도금층 밑에 존재하는 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 경우도 발생하였다.According to this conventional technique, there is a problem that the needle (metal plating layer) does not fall off well in the seed layer, and in some cases, the silicon wafer existing under the plating layer is also etched.

또한, 종래 기술에 따른 씨드층을 이용한 니들 형성 방법은 S 110 단계에서 금속 씨드층 형성시 반드시 스퍼터링 공정이 필요하여 비용 및 시간이 많이 소요되는 문제점이 있었다. Further, in the needle forming method using the seed layer according to the prior art, a sputtering process is necessarily required at the step of forming the metal seed layer at step S 110, which has a problem in that it takes a lot of time and cost.

또한, 경우에 따라서 실리콘 웨이퍼를 에칭함으로써 공정이 복잡해지고 실리콘 웨이퍼를 재사용하지 못하고 버려야 하는 문제점이 있었다. 이 경우 웨이퍼를 에칭할 경우 대략 24시간 정도의 시간이 소요되어 공정 시간이 매우 길다는 문제점이 존재한다.In addition, there is a problem in that the process is complicated by etching the silicon wafer in some cases, and the silicon wafer can not be reused and must be discarded. In this case, when the wafer is etched, it takes about 24 hours and the process time is very long.

또한, 니들을 씨드층이나 실리콘 웨이퍼로부터 분리한 이후 분리된 니들의 보관 및 이송이 용이하지 아니하다는 문제점도 있었다.In addition, there has been a problem that it is not easy to store and transport the separated needles after separating the needles from the seed layer or the silicon wafer.

이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 도 3에서와 같은 방법을 이용해 프로브 카드용 니들을 제작하는 방법을 소개한다.In order to solve such a problem, a method of manufacturing a probe card needle using the method as shown in FIG. 3 will be described.

본 발명에 따른 프로브 카드용 니들을 제작하는 방법은, 표면 처리된 금속 기판을 준비하는 단계(S 310); 상기 기판 상에 포토레지스트를 패터닝하는 단계(S 320); 전해 도금(electroplating)을 이용하여 상기 포토레지스트가 패터닝되지 아니한 부분에 금속 도금층을 형성하는 단계(S 330); 상기 금속 도금층을 형성한 이후 포토레지스트를 제거하는 단계(S 340); 상기 포토레지스트를 제거한 이후 상기 기판 및 상기 금속 도금층 위에 감광성 필름을 코팅하는 단계(S 350); 상기 감광성 필름 위에 테이프를 입히는 단계(S 360); 및 상기 기판을 떼어내는 단계(S 370)를 포함한다.A method of manufacturing a probe card needle according to the present invention includes: preparing a surface-treated metal substrate (S 310); Patterning (S 320) a photoresist on the substrate; A step (S 330) of forming a metal plating layer on the portion where the photoresist is not patterned by using electroplating; Removing the photoresist after forming the metal plating layer (S 340); Coating the photosensitive film on the substrate and the metal plating layer after removing the photoresist (S 350); Applying a tape onto the photosensitive film (S 360); And removing the substrate (S 370).

도 4a-4h는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드용 니들을 제작하기 위한 방법의 개략도를 도시하고 있으며, 도 4a-4g는 단계 S 310 내지 S 370에 각각 대응된다. 이하에서는 각각의 단계에 대해 상세히 설명하도록 하겠다.
Figures 4A-4H show schematic diagrams of a method for making needles for a probe card according to an embodiment of the present invention, Figures 4A-4G correspond to steps S 310 to S 370, respectively. Hereinafter, each step will be described in detail.

1. 표면 처리된 금속 기판을 준비하는 단계(S 310)1. Preparing a surface-treated metal substrate (S 310)

기판은 금속성 기판이어야 한다. 종래 기술의 경우에는 실리콘 웨이퍼를 이용하고 있으므로 전해 도금을 위해 실리콘 웨이퍼 위에 접착층(adhesion layer)(도 2에서는 Ti 층을 접착층으로 이용)을 형성한 이후 그 위에 금속 씨드층(도 2에서는 Cu seed layer를 이용)을 올리게 되지만, 본 발명에서는 금속성 기판을 이용함으로써 전해도금을 위한 금속 씨드층이 별도로 필요하지 않다.The substrate must be a metallic substrate. In the prior art, since a silicon wafer is used, an adhesion layer (a Ti layer is used as an adhesive layer in FIG. 2) is formed on a silicon wafer for electrolytic plating, and then a metal seed layer However, in the present invention, a metal seed layer for electrolytic plating is not separately required by using a metallic substrate.

따라서, 종래 기술과 같이 금속 씨드층을 올리기 위해 진공 공정인 스퍼터 공정이 생략되므로 시간 및 비용의 감축이 이루어진다.Therefore, as in the prior art, the sputtering process, which is a vacuum process, is omitted in order to raise the metal seed layer, thereby reducing time and cost.

다만, 금속 씨드층이 별도로 존재하지 아니하므로, 본 발명에 따른 금속 기판은 표면이 처리되어야 한다.However, since the metal seed layer does not exist separately, the surface of the metal substrate according to the present invention must be treated.

표면이 처리되었다는 의미는, 전해 도금이 효율적으로 이루어질 수 있도록 전해 도금이 이루어질 부분의 표면의 젖음성(wettability)이 낮도록 하거나 또는 적절한 거칠기를 갖도록 표면을 처리한다는 의미이다.Means that the wettability of the surface of the portion to be electroplated is low or the surface is treated to have an appropriate roughness so that the electroplating can be efficiently performed.

젖음성을 낮도록 할 때 젖음각(wetting angle)은 70도~80도가 바람직하며, 표면 조도는 200~300nm일 경우가 바람직하다. 왜냐하면 젖음각이 너무 낮거나 표면 조도가 너무 낮을 경우 도금막 형성이 잘 이루어지지 아니하기 때문이다. 이러한 젖음각이나 표면 조도의 조절을 위해 샌드 페이퍼를 이용해 폴리싱을 수행할 수 있다.
When the wettability is low, the wetting angle is preferably 70 to 80 degrees, and the surface roughness is preferably 200 to 300 nm. This is because if the wetting angle is too low or the surface roughness is too low, the film formation will be poor. In order to adjust the wetting angle or the surface roughness, polishing can be performed using a sandpaper.

2. 기판 상에 포토레지스트를 패터닝하는 단계(S 320)2. Patterning the photoresist on the substrate (S 320)

표면 처리된 금속 기판 상에 포토레지스트를 패터닝하는 과정이고, 이용되는 포토레지스트에 대한 특별한 제한은 없다.
A process for patterning a photoresist on a surface-treated metal substrate, and there is no particular limitation on the photoresist to be used.

3. 전해 도금을 이용하여 포토레지스트가 패터닝되지 아니한 부분에 금속 도금층을 형성하는 단계(S 330)3. A step (S 330) of forming a metal plating layer on a portion where the photoresist is not patterned by electrolytic plating,

전해 도금(electroplating)은 통상적인 방법에 의해 수행되며, 금속 도금층은 도금액 속에서 도금된다. 이용되는 도금액은 바람직하게는 NiCo 도금액이 이용된다. 이러한 금속 도금에 의해 만들어진 금속 도금층이 프로브 카드용 니들로 이용되는 것이다.
Electroplating is performed by a conventional method, and the metal plating layer is plated in a plating solution. The plating solution used is preferably a NiCo plating solution. A metal plating layer made by such a metal plating is used as a probe card needle.

4. 금속 도금층을 형성한 이후 포토레지스트를 제거하는 단계(S 340)4. Removing the photoresist after forming the metal plating layer (S 340)

금속 도금층을 형성한 이후, 아세톤 및 IPA(isopropyl alcohol)를 이용하여 포토레지스트를 제거하게 된다. 이 경우 도 4d에서 보는 것처럼, 포토레지스트를 제거하는데 이용된 아세톤은 패턴 벽에 남아 있고(도 4d에서 작은 점들이 남아 있는 아세톤임), 이러한 남아 있는 아세톤은 이후 감광성 필름(DFR)이 코팅되었을 때 DFR의 연결 고리를 끊어주는 역할을 하게 된다. 따라서, 단계 S 370에서와 같이 기판을 떼어내게 되면 패턴 벽 주위의 DFR도 떨어져 나가게 된다.
After the metal plating layer is formed, the photoresist is removed using acetone and IPA (isopropyl alcohol). In this case, as shown in FIG. 4d, the acetone used to remove the photoresist stays on the pattern wall (the acetone remains small in FIG. 4D), and this remaining acetone is then removed when the photosensitive film DFR is coated DFR linkage is broken. Therefore, if the substrate is removed as in step S 370, the DFR around the pattern wall is also detached.

5. 포토레지스트를 제거한 이후 기판 및 금속 도금층 위에 감광성 필름을 코팅하는 단계(S 350)5. Step (S 350) of coating the photosensitive film on the substrate and the metal plating layer after removing the photoresist,

도 4e에서와 같이 금속 및 금속 도금층 위에 감광성 필름(DFR; Dry Film Resist)을 코팅한다. 이용되는 감광성 필름의 종류에는 특별한 제한은 없다.
4E, a photosensitive film (DFR) is coated on the metal and metal plating layers. There is no particular limitation on the type of the photosensitive film to be used.

6. 감광성 필름 위에 테이프를 입히는 단계(S 360)6. Step of applying a tape onto the photosensitive film (S 360)

DFR 위에 테이프를 입히게 되며 이용되는 테이프의 종류에는 특별한 제한은 없다. 이러한 테이프는 프로브 카드용 니들의 보관 및 이송을 용이하게 하는 역할을 한다. 도 4g에서 보는 것처럼, 기판을 떼어내면 금속 도금층(니들)/DFR/테이프의 구조가 남게 되며, 이 상태로 이송 및 보관이 용이하기 때문이다. 이 상태로 보관하다가 니들을 이용할 때 최종적으로 S 380에서와 같이 DFR을 제거하고 니들을 사용하면 된다.
There is no particular restriction on the type of tapes used to apply the tape over the DFR. These tapes serve to facilitate storage and transport of the needles for the probe card. As shown in FIG. 4G, when the substrate is peeled off, the structure of the metal plating layer (needle) / DFR / tape is left, and transfer and storage are easy in this state. When using the needle while keeping it in this state, finally remove the DFR as in S 380 and use the needle.

7. 기판을 떼어내는 단계(S 370)7. Removing the substrate (S 370)

마지막으로 기판을 떼어내게 되는데, 이 경우에 DFR과 금속 도금층과의 결합력이 금속 도금층과 기판 사이의 결합력 보다 크기 때문에 기판은 용이하게 금속 도금층으로부터 분리될 수 있다. 분리된 기판은 종래 기술과 같이 에칭에 의해 제거되는 것이 아니기 때문에 재활용 가능하다.
Finally, the substrate is peeled off. In this case, since the bonding force between the DFR and the metal plating layer is larger than the bonding force between the metal plating layer and the substrate, the substrate can be easily separated from the metal plating layer. The separated substrate is recyclable because it is not removed by etching as in the prior art.

8. 프로브 카드용 니들을 얻는 단계 (S 380)8. Step of obtaining needle for probe card (S 380)

도 4g와 같은 상태로 보관 및 이송을 하다가 프로브 카드용 니들을 실제로 이용할 때에는 DFR을 제거하게 된다. DFR은 아세톤으로 제거가 가능하며, DFR을 제거함으로써 프로브 카드용 니들은 바로 사용 가능한 상태가 된다.
The DFR is removed when the needle for the probe card is actually used while storing and transporting in the state shown in FIG. 4G. DFR can be removed with acetone. By removing DFR, needle for probe card can be used immediately.

아래에서는 구체적인 실시예와 함께 본 발명을 추가적으로 설명하도록 하겠다.
Hereinafter, the present invention will be further described with specific examples.

샌드 페이퍼를 이용해 폴리싱을 실시한 SUS 기판을 준비하였다. 해당 기판의 젖음각(wetting angle)과 표면 조도를 측정한 결과 젖음각은 75도 정도를 보였으며, 표면 조도는 200~300 nm 이었다.An SUS substrate polished using a sand paper was prepared. The wetting angle and surface roughness of the substrate were found to be about 75 degrees and the surface roughness was 200 to 300 nm.

위와 같이 표면 처리된 기판을 준비하고, 이러한 기판 위에 포토레지스터를 이용해 포토레지스트를 기판 위에 올린다. 이용된 포토레지스트는 PMER N-, CA 3000PM, Tokyo Ohka Kogyo Co.로서 포토레지스트를 기판 위에 올리기 위해 스핀 코터(spin coater)를 이용하여 두 단계 공정(10sec/500rpm - 25sec/2500rpm)을 통해 포토레지스트를 코팅하였다.A substrate surface-treated as described above is prepared, and a photoresist is placed on the substrate using a photoresist. The photoresist used was PMER N-, CA 3000PM, Tokyo Ohka Kogyo Co., and a photoresist was applied through a two step process (10 sec / 500 rpm - 25 sec / 2500 rpm) using a spin coater to raise the photoresist on the substrate. Lt; / RTI >

이후 패터닝을 위해 노광 시간(exposure time)을 42sec 처리하였고, P-7G를 이용하여 디벨럽(develop) 공정을 진행하여 기판에 패턴을 형성시켰다. 이용된 PR 디벨럽퍼는 CPD - BD (TMAH 2.38%)(디지콘셉 코리아)이고 디벨럽 시간은 4min 30sec였다.Then, an exposure time was performed for 42 seconds for patterning, and a development process was performed using P-7G to form a pattern on the substrate. The PR diversity used was CPD - BD (TMAH 2.38%) (Digicon Concept Korea) and the development time was 4min 30sec.

전해도금을 이용하여 금속 도금층을 형성하게 되는데, 이 경우에 도금액은 NiCo 도금액을 이용하였고, 1.5mA/cm로 10min을 도금하였다. 이후 포토레지스트를 제거하기 위해 아세톤 및 IPA을 이용하였다. A metal plating layer was formed using electrolytic plating. In this case, a NiCo plating solution was used as the plating solution, and the plating solution was plated at 1.5 mA / cm for 10 minutes. Acetone and IPA were then used to remove the photoresist.

포토레지스트의 제거 이후, 감광성 필름(DFR, Dry Film Resist)을 라미네이트하였으며, 이때 사용된 DFR은 RY-3625, Hitachi Chemical이고 두께는 25nm였다. 그 위에 테이핑을 하였으며 이용된 테잎은 PI 테잎이었다.After removal of the photoresist, a photosensitive film (DFR, Dry Film Resist) was laminated, wherein the DFR used was RY-3625, Hitachi Chemical with a thickness of 25 nm. Taping was applied on it and the used tape was PI tape.

이렇게 제작된 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브카드용 니들은 니들/DFR/테잎으로 이루어지게 되며, 사용시 층 사이에 존재하는 DFR은 아세톤을 이용하여 간단히 제거 가능하다. 패턴의 종류에 따라 다를 수 있지만 대략 10초 정도면 제거 가능하다. 종래 기술에 의해 제작된 프로브카드용 니들은 니들이 잘 안떨어져 웨이퍼를 녹여낼 경우 약 24시간 정도의 공정 시간이 소요되고, 또한 웨이퍼의 재사용이 불가능하다는 문제점이 있었으나, 본 발명과 같이 제작된 경우 아세톤을 이용해 니들은 DFR로부터 손쉽고 빠르게 제거 가능하다.
The needle for a probe card according to one embodiment of the present invention thus fabricated is made of needle / DFR / tape, and DFR existing between layers can be easily removed by using acetone. Depending on the type of pattern, it can be removed in about 10 seconds. The needle for a probe card manufactured according to the prior art has a problem that it takes about 24 hours to process the wafer when the needle is not easily kneaded and the wafer can not be reused. However, when manufactured according to the present invention, , The needle can be easily and quickly removed from the DFR.

제시된 실시예들에 대한 설명은 임의의 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 이용하거나 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 변형들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이며, 여기에 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 그리하여, 본 발명은 여기에 제시된 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 여기에 제시된 원리들 및 신규한 특징들과 일관되는 최광의의 범위에서 해석되어야 할 것이다. The description of the disclosed embodiments is provided to enable any person skilled in the art to make or use the present invention. Various modifications to these embodiments will be readily apparent to those skilled in the art, and the generic principles defined herein may be applied to other embodiments without departing from the scope of the invention. Thus, the present invention is not intended to be limited to the embodiments shown herein but is to be accorded the widest scope consistent with the principles and novel features presented herein.

Claims (6)

표면 처리된 금속 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 포토레지스트를 패터닝하는 단계;
전해 도금(electroplating)을 이용하여 상기 포토레지스트가 패터닝되지 아니한 부분에 금속 도금층을 형성하는 단계;
상기 금속 도금층을 형성한 이후 포토레지스트를 제거하는 단계;
상기 포토레지스트를 제거한 이후 상기 기판 및 상기 금속 도금층 위에 감광성 필름을 코팅하는 단계;
상기 감광성 필름 위에 테이프를 입히는 단계; 및
상기 기판을 떼어내는 단계를 포함하는,
프로브 카드용 니들을 제조하는 방법.
Preparing a surface-treated metal substrate;
Patterning a photoresist on the substrate;
Forming a metal plating layer on the portion where the photoresist is not patterned using electroplating;
Removing the photoresist after forming the metal plating layer;
Coating the photosensitive film on the substrate and the metal plating layer after removing the photoresist;
Applying a tape onto the photosensitive film; And
And removing the substrate.
A method for manufacturing a needle for a probe card.
제 1 항에 있어서,
상기 표면 처리된 금속 기판은, 젖음성(wettability)이 감소된 금속 기판인 것을 특징으로 하는,
프로브 카드용 니들을 제조하는 방법.
The method according to claim 1,
Characterized in that the surface-treated metal substrate is a metal substrate with reduced wettability.
A method for manufacturing a needle for a probe card.
제 2 항에 있어서,
상기 젖음성(wettability)이 감소된 금속 기판의 젖음각(wetting angle)은 70도~80도이고, 표면 조도는 200~300nm인 것을 특징으로 하는,
프로브 카드용 니들을 제조하는 방법.
3. The method of claim 2,
Characterized in that the wetting angle of the metal substrate with reduced wettability is from 70 to 80 degrees and the surface roughness is from 200 to 300 nm.
A method for manufacturing a needle for a probe card.
제 1 항에 있어서,
상기 포토레지스트를 제거하는 단계는, 아세톤 및 IPA(isopropyl alcohol)을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는,
프로브 카드용 니들을 제조하는 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of removing the photoresist comprises using acetone and IPA (isopropyl alcohol)
A method for manufacturing a needle for a probe card.
제 1 항에 있어서,
상기 기판을 떼어낸 이후, 아세톤을 이용해 상기 감광성 필름을 제거하여 상기 금속 도금층을 상기 테이프로부터 분리해냄으로써 프로프 카드용 니들을 얻는 것을 특징으로 하는,
프로브 카드용 니들을 제조하는 방법.
The method according to claim 1,
Removing the substrate, removing the photosensitive film using acetone, and separating the metal plating layer from the tape to obtain a probe card needles.
A method for manufacturing a needle for a probe card.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된, 프로브 카드용 니들.A needle for a probe card, manufactured according to the method of any one of claims 1 to 5.
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