KR101462592B1 - Evaporation material feeding apparatus - Google Patents

Evaporation material feeding apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101462592B1
KR101462592B1 KR1020120121719A KR20120121719A KR101462592B1 KR 101462592 B1 KR101462592 B1 KR 101462592B1 KR 1020120121719 A KR1020120121719 A KR 1020120121719A KR 20120121719 A KR20120121719 A KR 20120121719A KR 101462592 B1 KR101462592 B1 KR 101462592B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
evaporation material
source
feeding
temperature
evaporation
Prior art date
Application number
KR1020120121719A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140055224A (en
Inventor
강창호
김태환
박남
이강희
이재준
Original Assignee
주식회사 에스에프에이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스에프에이 filed Critical 주식회사 에스에프에이
Priority to KR1020120121719A priority Critical patent/KR101462592B1/en
Publication of KR20140055224A publication Critical patent/KR20140055224A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101462592B1 publication Critical patent/KR101462592B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치는, 기판의 증착을 위해 마련되는 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다 높은 온도 대역으로 소스의 온도를 유지시키는 소스 온도 유지단계; 및 증발 물질이 저장되는 증발 물질 저장부에서 소스로 증발 물질을 피딩(feeding)시키는 증발 물질 피딩단계를 포함한다.Disclosed is an evaporation material feeding apparatus for improving the stability of crucible. According to an embodiment of the present invention, there is provided an evaporation material feeding apparatus for improving the stability of a crucible, the apparatus including a substrate holding unit for holding a temperature of a source at a temperature range higher than a melting point temperature of a vaporizing material, Maintaining the source temperature; And an evaporation material feeding step for feeding the evaporation material from the evaporation material storage part where the evaporation material is stored to the source.

Description

크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치{Evaporation material feeding apparatus}[0001] Evaporation material feeding apparatus for improving stability of crucibles [0002]

본 발명은, 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 증발 공정의 반복 진행 시 종전처럼 크루시블(crucible)의 파괴 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있어 크루시블의 안정성을 대폭 향상시킬 수 있는 크루시블의 안정성 향상을 위한 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a vaporizing material feeding device for improving the stability of crucibles, and more particularly, it relates to a vaporizing material feeding device for preventing the destruction of crucible, The present invention relates to a vaporizing material feeding device for improving the stability of crucibles for improving the stability of crucibles capable of greatly improving the stability of crucible.

정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광 받고 있다.As a result of the rapid development of information and communication technology and the expansion of the market, a flat panel display is attracting attention as a display device.

이러한 평판표시소자에는 액정표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes) 등이 있다.Such flat panel display devices include liquid crystal display devices, plasma display panels, and organic light emitting diodes.

이 중에서 유기전계발광소자, 예컨대 OLED는 빠른 응답속도, 기존의 LCD보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어서 초박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.Among these organic electroluminescent devices, for example, OLEDs have very good advantages such as high response speed, lower power consumption than conventional LCD, light weight, no need for a separate backlight device, And has been attracting attention as a next generation display device.

이러한 유기전계발광소자는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 순서대로 입히고, 양극과 음극 사이에 전압을 걸어줌으로써 적당한 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 스스로 발광하는 원리이다.Such an organic electroluminescent device is a principle in which an anode film, an organic thin film, and a cathode film are sequentially formed on a substrate, and a voltage is applied between the anode and the cathode to form a proper energy difference in the organic thin film and emit light by itself.

다시 말해, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며, 남는 여기 에너지가 빛으로 발생되는 것이다. 이때 유기 물질의 도펀트의 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 칼라(full color)의 구현이 가능하다.In other words, the injected electrons and holes are recombined, and the excitation energy generated is generated by light. At this time, since the wavelength of light generated according to the amount of the dopant of the organic material can be controlled, full color can be realized.

도 1은 유기전계발광소자의 구조도이다.1 is a structural view of an organic electroluminescent device.

이 도면에 도시된 바와 같이, 유기전계발광소자는 기판 상에 애노드(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 운송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 정공 방지층(hole blocking layer), 전자 운송층(electron transfer layer), 전자 주입층(electron injection layer), 캐소드(cathode) 등의 막이 순서대로 적층되어 형성된다.As shown in this figure, an organic electroluminescent device includes an anode, a hole injection layer, a hole transfer layer, an emitting layer, a hole blocking layer, an electron injection layer, a cathode, and the like are stacked in this order.

이러한 구조에서 애노드로는 면 저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 사용된다. 그리고 유기 박막은 발광 효율을 높이기 위하여 정공 주입층, 정공 운송층, 발광층, 정공 방지층, 전자 운송층, 전자 주입층의 다층으로 구성된다. 발광층으로 사용되는 유기물질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이 있다. 캐소드로는 LiF-Al 금속막이 사용된다. 그리고 유기 박막이 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 봉지막이 최상부에 형성된다.In this structure, ITO (Indium Tin Oxide), which has small surface resistance and good transparency, is mainly used as the anode. The organic thin film is composed of a multilayer of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer in order to increase the luminous efficiency. Organic materials used as the light emitting layer include Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, and TCTA. As the cathode, a LiF-Al metal film is used. And since the organic thin film is very weak to moisture and oxygen in the air, a sealing film for sealing is formed at the top to increase the lifetime of the device.

도 1에 도시된 유기전계발광소자를 다시 간략하게 정리하면, 유기전계발광소자는 애노드, 캐소드, 그리고 애노드와 캐소드 사이에 개재된 발광층을 포함하며, 구동 시 정공은 애노드로부터 발광층 내로 주입되고, 전자는 캐소드로부터 발광층 내로 주입된다. 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 발광층에서 결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.1, the organic electroluminescent device includes an anode, a cathode, and a light emitting layer interposed between the anode and the cathode. When the organic electroluminescent device is driven, holes are injected into the light emitting layer from the anode, Is injected into the light emitting layer from the cathode. The holes and electrons injected into the light emitting layer are combined in the light emitting layer to generate excitons, and the excitons emit light while transitioning from the excited state to the ground state.

이러한 유기전계발광소자는 구현하는 색상에 따라 단색 또는 풀 칼라(full color) 유기전계발광소자로 구분될 수 있는데, 풀 칼라 유기전계발광소자는 빛의 삼원색인 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 별로 패터닝된 발광층을 구비함으로써 풀 칼라를 구현한다.Such an organic electroluminescent device can be classified into a monochromatic or full color organic electroluminescent device according to the color to be realized. The full-color organic electroluminescent device includes red (R), green (G) and And a light emitting layer patterned for each blue (B) color is provided to realize a full color.

한편, 도 1에 도시된 유기전계발광소자를 만들기 위해, 즉 발광층(유기물) 및 전극층(무기물)을 증착하기 위해 증발 공정(evaporation process)이 요구된다.Meanwhile, an evaporation process is required to form the organic electroluminescent device shown in FIG. 1, that is, to deposit the light emitting layer (organic material) and the electrode layer (inorganic material).

증발 공정은, 증발 물질(원료 물질 혹은 증착 물질이라고도 함)을 소스(evaporation source, 증발 소스라고도 함)에 채우는 피딩 공정(feeding process)과, 소스로부터 제공되는 증발 물질을 기판 상에 증착하는 증착 공정(deposition process)으로 크게 나뉠 수 있다.The evaporation process includes a feeding process for filling an evaporation source (also referred to as a raw material or a deposition material) into a source (evaporation source, also referred to as an evaporation source), a deposition process for depositing evaporation material provided from the source onto the substrate (deposition process).

물론, 피딩 공정과 증착 공정 사이사이에 소스를 가열하거나(heat-up) 냉각시키는(cool-down) 공정이 진행되는데, 이에 대하여 도 2에 도시된 소스의 공정 주기를 참조하여 설명한다.Of course, a process of heating (heat-up) and cooling (cool-down) the process between the feeding process and the deposition process proceeds, referring to the process cycle of the source shown in FIG.

도 2는 종래기술에 따른 소스의 공정 주기 그래프이다.2 is a process cycle graph of a source according to the prior art.

도 2를 참조하면, 먼저, 증발 물질이 소스로 피딩(feeding)되는 증발 물질의 피딩 공정이 진행된다. 이때의 소스는 상온의 온도를 유지한다.Referring to FIG. 2, first, a process of feeding a vaporized material, in which a vaporized material is fed to a source, proceeds. At this time, the source maintains the ambient temperature.

다음, 소스로 피딩된 증발 물질의 온도가 증착 공정(deposition process)의 진행을 위한 공정 온도에 도달될 수 있도록 소스를 가열하는 소스의 히트 업 공정(heat up process)이 진행된다. 이때는 소스의 온도를 최대로 램프 업(ramp up)시켜 소스가 공정 온도, 예컨대 1200℃ 이상의 공정 온도에 도달될 수 있도록 한다.Next, a heat-up process of the source is performed to heat the source so that the temperature of the evaporated material fed to the source can reach the process temperature for the progress of the deposition process. At this time, the temperature of the source is ramped up to a maximum so that the source can reach a process temperature, for example, a process temperature of 1200 ° C or higher.

소스가 공정 온도에 도달되면 이 상태에서 미리 결정된 시간동안 소스로부터 기판으로 제공되는 증발 물질에 의한 기판의 증착 공정(deposition process)이 진행된다.When the source reaches the process temperature, the deposition process of the substrate by the evaporation material provided from the source to the substrate proceeds for a predetermined time in this state.

기판의 증착 공정이 완료되면 소스가 다시 상온의 온도를 유지할 수 있도록 소스를 냉각시키는 소스의 쿨 다운 공정(cool down process)이 진행된다.When the deposition process of the substrate is completed, a cool down process of the source for cooling the source proceeds so that the source can maintain the normal temperature again.

소스의 쿨 다운 공정이 완료되어 소스가 상온의 온도를 유지하게 되면 이 상태에서 다시 전술한 증발 물질 피딩 공정이 반복된다.When the cool down process of the source is completed and the source maintains the room temperature, the evaporation material feeding process described above is repeated again in this state.

그런데, 소스의 공정 주기가 도 2와 같은 종래기술의 경우, 소스의 쿨 다운 공정이 완료된 후, 증발 물질의 피딩 공정이 진행될 때, 소스의 크루시블(crucible)이 파괴되는 현상이 발생되는 문제점이 있다.However, in the case of the conventional process cycle of the source as shown in FIG. 2, when the process of feeding the evaporation material proceeds after the cool down process of the source is completed, the source crucible is destroyed .

크루시블은 증발 물질이 저장되는 소위, 도가니인데, 이와 같은 크루시블의 파괴 현상은 알루미늄(Al)과 같은 금속 멜팅 물질(metal melting material)을 증발 물질로 사용할 때 주로 발생되는 것으로 알려지고 있다.Crucible is a so-called crucible in which evaporation material is stored. Such destruction of crucible is known to occur mainly when a metal melting material such as aluminum (Al) is used as a evaporation material .

예컨대, 소스의 쿨 다운 공정에 의해 크루시블의 온도 하강 시 크루시블의 안쪽 벽면에 붙은 액상의 증발 물질이 고화되면서 크루시블에 스트레스(stress)를 주게 되고, 반복적인 스트레스에 의하여 크루시블의 파괴 현상이 야기될 수 있다.For example, when the temperature of the crucible is lowered by the cooldown process of the source, the liquid phase evaporation material attached to the inner wall of the crucible solidifies and gives stress to the crucible, This can lead to the destruction of the particles.

크루시블은 고가의 장비일 뿐만 아니라 파괴된 크루시블을 교체하는 중간에는 장비의 가동이 중단될 수밖에 없어 생산성에 큰 차질이 빚어질 수 있으므로 종래처럼 크루시블의 파괴 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 기술 개발이 시급하다.Crucible is not only expensive equipment, but also interrupts the operation of the equipment in the middle of replacing the destroyed crucible, which can cause a serious problem in the productivity. Therefore, it prevents the destruction of the crucible It is imperative to develop a technology that can do this.

대한민국특허청 출원번호 제10-2007-7006395호Korea Patent Office Application No. 10-2007-7006395

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 증발 공정의 반복 진행 시 종전처럼 크루시블(crucible)의 파괴 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있어 크루시블의 안정성을 대폭 향상시킬 수 있는 크루시블의 안정성 향상을 위한 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION [0008] Accordingly, it is an object of the present invention to provide a cryocooler capable of preventing the breakdown phenomenon of crucible from occurring, And to provide a vaporizing material feeding device for improving the stability of crucibles for improving stability.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판의 증착을 위해 마련되는 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다 높은 온도 대역으로 소스의 온도를 유지시키는 소스 온도 유지단계; 및 상기 증발 물질이 저장되는 증발 물질 저장부에서 상기 소스로 상기 증발 물질을 피딩(feeding)시키는 증발 물질 피딩단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 방법이 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a source temperature holding step of maintaining a temperature of a source to a temperature band higher than a melting point temperature of a vaporizing material provided for depositing a substrate; And an evaporation material feeding step of feeding the evaporation material to the source in the evaporation material storage part where the evaporation material is stored, wherein the evaporation material feeding method for enhancing the stability of the crucible is provided .

상기 소스 온도 유지단계 수행 시 상기 소스의 온도는 상기 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 공정 온도보다 낮게 유지될 수 있다.During the source temperature maintenance step, the temperature of the source may be kept lower than the process temperature at which the deposition process for the substrate proceeds.

상기 증발 물질 피딩단계는, 상기 증발 물질 저장부에서 미리 결정된 양만큼의 증발 물질을 수급하는 증발 물질 수급단계; 수급된 상기 증발 물질이 상기 소스에 주입되기 전에 상기 증발 물질을 미리 가열하는 증발 물질 가열단계; 및 미리 가열된 증발 물질을 상기 소스로 주입하는 증발 물질 주입단계를 포함할 수 있다.The evaporating material supplying step may include supplying and discharging evaporated material in a predetermined amount in the evaporating material storing unit. Heating the evaporated material in advance before the supplied evaporated material is injected into the source; And an evaporation material injecting step of injecting the preheated evaporation material into the source.

상기 소스로 피딩되기 위해 미리 가열되는 상기 증발 물질의 온도는 상기 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다는 낮은 온도 대역을 가질 수 있다.The temperature of the evaporation material pre-heated to be fed to the source may have a temperature band that is lower than the melting point temperature of the evaporation material.

상기 증발 물질 수급단계, 상기 증발 물질 가열단계 및 상기 증발 물질 주입단계는 상기 소스와 상기 증발 물질 저장부 사이에서 회전 가능하게 배치되어 상기 증발 물질을 피딩시키는 증발 물질 피딩용 로테이션 아암에 의해 수행될 수 있다.The step of supplying and discharging the evaporation material, the step of heating the evaporation material and the step of injecting the evaporation material may be performed by a rotation arm for feeding the evaporation material, which is rotatably disposed between the source and the evaporation material storage part, have.

상기 증발 물질 가열단계는 상기 증발 물질 피딩용 로테이션 아암에서 자체적으로 진행될 수 있다.The heating of the evaporation material may be carried out by itself in the rotation arm for feeding the evaporation material.

상기 증발 물질 가열단계는 상기 증발 물질 피딩용 로테이션 아암과는 별개로 마련되는 히팅 존(heating zone)을 통해 진행될 수 있다.The heating of the evaporation material may be performed through a heating zone provided separately from the rotation arm for feeding the evaporation material.

상기 증발 물질은 증발 공정(evaporation process)이 진행되기 전에 멜팅(melting)이 선행되는 금속 증발 물질일 수 있다.The evaporation material may be a metal evaporation material followed by melting prior to the evaporation process.

상기 금속 증발 물질은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 포함할 수 있으며, 상기 기판은 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes)용 기판일 수 있다.The metal evaporation material may include aluminum (Al) or silver (Ag), and the substrate may be a substrate for an organic light emitting diode.

상기 증발 물질 피딩단계 수행 시 상기 소스의 온도를 모니터링하면서 상기 증발 물질의 주입량 및 주입간격을 조절할 수 있다.The amount of the evaporation material to be injected and the injection interval may be adjusted while monitoring the temperature of the source during the evaporation material feeding step.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판의 증착을 위해 마련되는 증발 물질이 내부에 수용되며, 상기 증발 물질이 피딩(feeding)될 때, 상기 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다 높고 상기 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 공정 온도보다 낮은 온도 대역으로 유지되는 소스; 상기 소스로부터 이격된 위치에 배치되며, 상기 증발 물질이 저장되는 증발 물질 저장부; 및 상기 소스와 상기 증발 물질 저장부 사이에서 이동 가능하게 배치되어 상기 증발 물질 저장부로부터 수급되는 증발 물질을 상기 소스로 피딩시키는 증발 물질 피딩 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention there is provided a method of fabricating a substrate, the method comprising the steps of: receiving a vaporization material provided for vapor deposition of a substrate therein, the vaporization material having a melting point higher than a melting point temperature of the vaporization material, A source maintained at a temperature range lower than the process temperature at which the deposition process is performed; An evaporation material storage portion disposed at a position spaced apart from the source, the evaporation material storage portion storing the evaporation material; And an evaporation material feeding unit arranged to be movable between the source and the evaporation material storage unit to feed the evaporation material supplied from the evaporation material storage unit to the source. A vaporizing material feeding device may be provided.

상기 증발 물질 피딩 유닛은 상기 소스와 증발 물질 저장부 사이에서 회전 가능하게 배치되는 증발 물질 피딩용 로테이션 아암일 수 있다.The evaporation material feeding unit may be a rotation arm for feeding evaporation material rotatably disposed between the source and the evaporation material storage unit.

상기 증발 물질 피딩용 로테이션 아암에 의해 상기 증발 물질 저장부에서 상기 소스로 피딩되는 증발 물질은 미리 가열될 수 있다.The evaporation material fed from the evaporation material reservoir to the source by the rotation arm for feeding the evaporation material may be preheated.

상기 소스로 피딩되기 위해 미리 가열되는 상기 증발 물질의 온도는 상기 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다는 낮은 온도 대역을 가질 수 있다.The temperature of the evaporation material pre-heated to be fed to the source may have a temperature band that is lower than the melting point temperature of the evaporation material.

상기 증발 물질 저장부에서 상기 소스로 피딩되는 증발 물질을 미리 가열하는 작업은 상기 증발 물질 피딩용 로테이션 아암에서 자체적으로 진행될 수 있다.The operation of heating the evaporation material to be fed to the source in the evaporation material storage unit may be performed in the rotation arm for feeding the evaporation material.

상기 증발 물질 저장부에서 상기 소스로 피딩되는 증발 물질을 미리 가열하는 작업은 상기 증발 물질 피딩용 로테이션 아암과는 별개로 마련되는 히팅 존(heating zone)을 통해 진행될 수 있다.The operation of preheating the evaporation material to be fed to the source in the evaporation material storage part may proceed through a heating zone provided separately from the rotation arm for feeding the evaporation material.

상기 증발 물질 피딩용 로테이션 아암은, 상기 증발 물질을 상기 소스로 주입하는 증발 물질 주입부가 마련되는 아암 바디; 및 상기 아암 바디에 마련되어 증발 물질을 가열하는 히팅 모듈을 포함할 수 있다.Wherein the rotary arm for feeding the evaporation material includes an arm body provided with an evaporation material injection unit for injecting the evaporation material into the source; And a heating module provided on the arm body to heat the evaporation material.

상기 증발 물질은 증발 공정(evaporation process)이 진행되기 전에 멜팅(melting)이 선행되는 금속 증발 물질일 수 있다.The evaporation material may be a metal evaporation material followed by melting prior to the evaporation process.

상기 금속 증발 물질은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 포함할 수 있으며, 상기 기판은 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes)용 기판일 수 있다.The metal evaporation material may include aluminum (Al) or silver (Ag), and the substrate may be a substrate for an organic light emitting diode.

상기 증발 물질의 피딩 시 상기 소스의 온도를 모니터링하면서 상기 증발 물질의 주입량 및 주입간격을 조절할 수 있다.The amount of the evaporation material to be injected and the injection interval can be controlled while monitoring the temperature of the source when the evaporation material is fed.

본 발명에 따르면, 증발 공정의 반복 진행 시 종전처럼 크루시블(crucible)의 파괴 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있어 크루시블의 안정성을 대폭 향상시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent the breakdown phenomenon of the crucible from occurring as in the past when the evaporation process is repeated, and the stability of the crucible can be greatly improved.

도 1은 유기전계발광소자의 구조도이다.
도 2는 종래기술에 따른 소스의 공정 주기 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발 물질 피딩 장치의 개략적인 구조도이다.
도 4는 증발 물질 피딩용 로테이션 아암의 동작 개념도이다.
도 5는 도 3의 증발 물질 피딩 장치에 적용되는 소스의 공정 주기 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 방법의 플로차트이다.1 is a structural view of an organic electroluminescent device.
2 is a process cycle graph of a source according to the prior art.
3 is a schematic structural view of an evaporation material feeding apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a conceptual diagram illustrating the operation of the rotation arm for feeding the evaporation material.
5 is a process cycle graph of a source applied to the evaporation material feeding apparatus of FIG.
FIG. 6 is a flowchart of a method of feeding evaporation material for improving the stability of crucible according to an embodiment of the present invention.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, operational advantages of the present invention, and objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings and the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

도면 대비 설명에 앞서, 평판표시소자는 액정표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes) 등을 포함하나 이하에서는 평판표시소자를 유기전계발광소자(OLED)용 기판이라 하여 설명한다.Prior to describing the drawings, the flat panel display device includes a liquid crystal display, a plasma display panel, an organic light emitting diode, etc. Hereinafter, a flat panel display device is referred to as an organic electric field And a substrate for a light emitting device (OLED).

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증발 물질 피딩 장치의 개략적인 구조도이고, 도 4는 증발 물질 피딩용 로테이션 아암의 동작 개념도이며, 도 5는 도 3의 증발 물질 피딩 장치에 적용되는 소스의 공정 주기 그래프이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 방법의 플로차트이다.FIG. 3 is a schematic structural view of a vaporizing material feeding device according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a conceptual diagram of operation of a rotation arm for feeding a vaporizing material, FIG. 5 is a cross- 6 is a flow chart of a method of feeding evaporation material for improving the stability of crucible according to an embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증발 물질 피딩 장치는, 기판의 증착을 위해 마련되는 증발 물질이 내부에 수용되는 소스(110)와, 증발 물질이 저장되는 증발 물질 저장부(120)와, 소스(110)와 증발 물질 저장부(120) 사이에서 이동 가능하게 배치되어 증발 물질 저장부(120)로부터 수급되는 증발 물질을 소스(110)로 피딩시키는 증발 물질 피딩 유닛(140)을 포함한다.3 and 4, an apparatus for feeding a vapor material according to an embodiment of the present invention includes a source 110 in which a vapor material to be provided for vapor deposition of a substrate is received, And an evaporation material supplying unit 120 that is disposed movably between the source 110 and the evaporation material storage unit 120 and feeds the evaporation material supplied from the evaporation material storage unit 120 to the source 110. [ (140).

본 실시예에서 사용되는 증발 물질은 예컨대, 증발 공정(evaporation process)이 진행되기 전에 멜팅(melting)이 선행되는 금속 증발 물질일 수 있다.The evaporation material used in this embodiment may be, for example, a metal evaporation material followed by melting before the evaporation process proceeds.

이와 같은 금속 증발 물질은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 포함할 수 있는데, 본 실시예에서는 알루미늄(Al)을 적용하고 있다.The metal evaporation material may include aluminum (Al) or silver (Ag). In this embodiment, aluminum (Al) is used.

한편, 본 실시예에서 소스(110)는 증발 물질이 피딩(feeding)될 때, 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다 높고 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 공정 온도보다 낮은 온도 대역으로 유지된다.Meanwhile, in this embodiment, when the evaporation material is fed, the source 110 is maintained at a temperature band higher than the melting point temperature of the evaporation material and lower than the process temperature at which the deposition process for the substrate proceeds .

이에 대해 살펴보면, 종래기술의 경우, 도 2의 그래프처럼 소스(110)의 쿨 다운 공정이 완료된 후, 즉 소스(110)를 상온으로 냉각시킨 후에 증발 물질의 피딩 공정을 진행하여 왔기 때문에 소스(110)의 크루시블(crucible, 미도시)이 파괴되는 현상이 발생되어 왔다.2, after the cooldown process of the source 110 is completed, that is, after the source 110 is cooled down to room temperature, the process of feeding the evaporation material has been proceeded, the source 110 A crucible (not shown) of the engine has been destroyed.

이는 앞서도 기술한 바와 같이, 소스(110)의 쿨 다운 공정에 의해 크루시블의 온도 하강 시 크루시블의 안쪽 벽면에 붙은 액상의 증발 물질이 고화되면서 크루시블에 스트레스(stress)를 주게 되고, 반복적인 스트레스에 의하여 크루시블의 파괴로 이어진 것이다.This is because, as described above, when the temperature of the crucible is lowered by the cooldown process of the source 110, the liquid evaporated material attached to the inner wall surface of the crucible solidifies and stresses the crucible , Resulting in the destruction of the crucible by repeated stresses.

하지만, 본 실시예의 경우, 종래처럼 공정 온도에서 상온까지 소스(110)를 냉각시킨 후에 증발 물질을 피딩(feeding)시키는 것이 아니라 증발 물질에 대한 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다 높고 공정 온도보다 낮은 온도 대역에서 증발 물질을 피딩시키고 있다.However, in the case of this embodiment, the evaporation material is not fed after the source 110 is cooled from the process temperature to room temperature as in the conventional method, but the temperature is higher than the melting point temperature for the evaporation material and lower than the process temperature It is feeding the evaporation material in the band.

다시 말해, 증발 물질이 멜팅 포인트의 온도보다 낮아지지 않도록 소스(110)와 피딩되는 증발 물질의 온도를 관리하고 있는 것이다. 따라서 소스(110)의 온도는 증발 물질의 멜팅 포인트 온도보다 높게 관리된다.In other words, the temperature of the evaporated material fed to the source 110 is controlled so that the evaporated material is not lower than the melting point temperature. Thus, the temperature of the source 110 is controlled to be higher than the melting point temperature of the evaporation material.

이때, 증발 물질의 멜팅 포인트 온도보다 높고 공정 온도보다 낮은 온도 대역의 피딩 온도를 선택하는 까닭, 특히 멜팅 포인트 온도보다 높은 온도에서 증발 물질을 피딩시키는 까닭은, 크루시블의 파괴 원인이 크루시블의 안쪽 벽면에 붙은 액상의 증발 물질이 고화될 때 발생되기 때문이므로 증발 물질이 고화되지 않고 액체 상태를 유지할 수 있도록 하기 위함이다.In this case, the feeding temperature higher than the melting point temperature of the evaporation material and lower than the process temperature is selected. In particular, the evaporation material is fed at a temperature higher than the melting point temperature because the cause of the destruction of the cre- Is formed when the liquid evaporation material attached to the inner wall surface of the evaporation material is solidified, so that the evaporation material can be maintained in a liquid state without solidification.

그리고 공정 온도보다 낮은 온도에서 증발 물질을 피딩시키는 까닭은, 공정 온도에서는 증발 물질의 증기(vapor)량이 많아 물질 효율이 떨어질 뿐만 아니라 피딩 기구부의 오염을 발생시킬 소지가 높기 때문으로 이러한 점을 방지하기 위함이다.The reason why the evaporation material is fed at a temperature lower than the process temperature is that the vapor efficiency of the evaporation material is high at the process temperature and the possibility of causing the contamination of the feeding mechanism is high. It is for this reason.

종합해보면, 본 실시예처럼 증발 물질에 대한 멜팅 포인트 온도보다 높고 공정 온도보다 낮은 온도 대역에서 증발 물질을 피딩시키는 것이 바람직하며, 이렇게 되면, 크루시블의 안쪽 벽면에 붙은 액상의 증발 물질이 고화되지 않기 때문에 스트레스(stress)로 인한 크루시블의 파괴 현상은 일어나지 않는다. 다시 말해, 크루시블의 안정성을 향상시킬 수 있다.In summary, it is desirable to feed the evaporation material at a temperature range higher than the melting point temperature for the evaporation material and lower than the processing temperature, as in the present embodiment. In this case, the liquid evaporation material attached to the inner wall surface of the crucible is not solidified Therefore, the destruction of the crucible due to the stress does not occur. In other words, the stability of the crucible can be improved.

증발 물질 저장부(120)는 소스(110)로부터 이격된 위치에 배치되어 증발 물질이 저장되는 장소를 형성한다. 증발 물질 저장부(120)가 소스(110)와 이격 배치되고 있기 때문에 증발 물질 저장부(120)가 소스(110)로부터의 영향을 받지 않는다.The evaporation material storage part 120 is disposed at a position spaced apart from the source 110 to form a place where the evaporation material is stored. The evaporated substance storage portion 120 is not influenced by the source 110 because the evaporated substance storage portion 120 is spaced apart from the source 110. [

한편, 도 3처럼 증발 물질 저장부(120)로 이동된 증발 물질은 증발 물질 피딩 유닛(140)의 동작에 의해 미리 가열되면서 소스(110)로 피딩될 수 있다.3, the evaporated material transferred to the evaporation material storage unit 120 may be preheated by the operation of the evaporation material deposition unit 140 and may be fed to the source 110. [

이처럼 증발 물질 피딩 유닛(140)은 소스(110)와 증발 물질 저장부(120) 사이에서 이동 가능하게 배치되어 증발 물질 저장부(120)로부터 수급되는 증발 물질을 소스(110)로 피딩시키는 역할을 한다.The evaporation material feeding unit 140 is disposed movably between the source 110 and the evaporation material storage unit 120 to feed the evaporation material supplied from the evaporation material storage unit 120 to the source 110 do.

본 실시예에서 증발 물질 피딩 유닛(140)은 소스(110)와 증발 물질 저장부(120) 사이에서 회전 가능하게 배치되는 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)으로 적용된다.In this embodiment, the evaporation material feeding unit 140 is applied to the rotation arm 140 for feeding the evaporation material, which is disposed rotatably between the source 110 and the evaporation material storage unit 120.

증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)은, 증발 물질을 소스(110)로 주입하는 증발 물질 주입부(142)가 마련되는 아암 바디(141)와, 아암 바디(141)에 마련되어 증발 물질을 가열하는 히팅 모듈(143)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 히팅 모듈(143)이 증발 물질 주입부(142) 영역에 마련될 수도 있다.The rotary arm 140 for feeding the evaporation material includes an arm body 141 provided with an evaporation material injection unit 142 for injecting a evaporation material into the source 110 and an arm body 141 provided on the arm body 141 to heat the evaporation material And a heating module 143. Alternatively, the heating module 143 may be provided in the region of the evaporation material injection portion 142.

아암 바디(141)가 도 4의 점선에서 실선으로 혹은 실선에서 점선으로 회전될 수 있도록 아암 바디(141)는 회전수단(130, 도 3 참조)에 의해 지지된다. 회전수단(130)은 모터와 샤프트 등의 기계식 구조일 수 있다.The arm body 141 is supported by the rotating means 130 (see FIG. 3) so that the arm body 141 can be rotated from the dotted line in FIG. 4 to the solid line or the solid line in dotted line. The rotating means 130 may be a mechanical structure such as a motor and a shaft.

한편, 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)에 의해 증발 물질 저장부(120)에서 소스(110)로 피딩되는 증발 물질은 미리 가열된다. 소스(110)로 피딩되기 위해 미리 가열되는 증발 물질의 온도는 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다는 낮은 온도 대역을 갖는다.On the other hand, the evaporation material fed from the evaporation material storage part 120 to the source 110 by the rotation arm 140 for feeding the evaporation material is preheated. The temperature of the evaporation material preheated to be fed to the source 110 has a temperature band that is lower than the melting point temperature of the evaporation material.

이때, 증발 물질 저장부(120)에서 소스(110)로 피딩되는 증발 물질을 미리 가열하는 작업은 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)에서 자체적으로 진행될 수도 있고, 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)과는 별개로 마련되는 히팅 존(heating zone, 미도시)을 통해 진행될 수 있다.The operation of heating the evaporation material fed to the source 110 from the evaporation material storage unit 120 may be performed by the rotation arm 140 for feeding the evaporation material or may be performed by the rotation arm 140 for feeding the evaporation material. And a heating zone (not shown) provided separately from the heating zone.

이와 관련하여 좀 더 부연 설명한다. 본 실시예처럼 증발 물질 피딩 유닛(140)을 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)으로 적용하는 이유는 증발 물질 저장부(120)가 소스(110)의 근처에 있으면 증발 물질의 증기(vapor) 간섭의 원인이 되고, 증발 물질의 증기(vapor)에 의해 오염될 뿐만 아니라 열변형이 될 수 있기 때문이다.I will explain more in this regard. The reason why the evaporation material feeding unit 140 is applied to the rotation arm 140 for feeding the evaporation material as in this embodiment is that when the evaporation material storage unit 120 is in the vicinity of the source 110, And may be thermally deformed as well as contaminated by the vapor of the evaporation material.

따라서 본 실시예처럼 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)을 마련하여 증발 물질의 피딩 시에만 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)이 소스(110) 근처로 배치될 수 있도록 함으로써 증발 물질의 증기(vapor) 간섭 문제, 증발 물질의 증기(vapor)에 의한 오염 문제, 그리고 열변형 문제 등을 해소할 수 있다.Therefore, by providing the rotation arm 140 for feeding the evaporation material as in the present embodiment, the rotation arm 140 for feeding the evaporation material can be disposed near the source 110 only when the evaporation material is fed, ) Interference problem, vaporization problem of evaporation material, and heat distortion problem can be solved.

한편, 본 실시예처럼 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)을 사용하지 않고 증발 물질 저장부(120) 자체가 회전되도록 하면서 증발 물질을 소스(110)로 피딩시키는 경우에 대해 고려해볼 수도 있겠으나 이 경우, 필요 이상으로 부피와 무게가 큰 장치인 증발 물질 저장부(120)가 회전되어야 하기 때문에 기계 구조의 메커니즘 상 바람직하지가 않다.It is also possible to consider the case where the evaporation material storage part 120 itself is rotated without using the rotation arm 140 for feeding the evaporation material and the evaporation material is fed to the source 110 as in the present embodiment, It is not preferable in view of the mechanism of the mechanical structure because the evaporated substance storage portion 120, which is a bulky and heavy-weight apparatus, needs to be rotated.

따라서 본 실시예처럼 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)을 적용하게 되면 한번에 많은 양이 아닌 적정량의 증발 물질을 소스(110)로 피딩시키기가 유리하고, 특히 피딩 중에 자체적으로 구비되는 히팅 모듈(143)에 의해 증발 물질을 자체적으로 미리 히팅시킬 수 있기 때문에 증발 물질 저장부(120) 자체를 회전시키는 것에 비해 월등히 우수한 효과를 제공할 수 있다.Therefore, when the rotation arm 140 for feeding the evaporation material is applied, it is advantageous to feed a proper amount of the evaporation material to the source 110 at a time, It is possible to provide an excellent effect as compared with the case of rotating the evaporation material storage unit 120 itself.

증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)의 동작을 살펴본다. 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)이 증발 물질 저장부(120)에 배치되어 증발 물질을 수급한 후, 증발 물질을 가열한다. 다음, 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)이 소스(110)로 회전 배치되어 증발 물질 주입부(142)를 통해 증발 물질을 소스(110)로 주입한다.The operation of the rotation arm 140 for feeding the evaporation material will be described. A rotation arm 140 for feeding evaporation material is disposed in the evaporation material storage part 120 to supply the evaporation material, and then the evaporation material is heated. Next, a rotation arm 140 for feeding the evaporation material is rotationally disposed in the source 110 to inject the evaporation material into the source 110 through the evaporation material injection unit 142.

이때의 증발 물질 가열 온도는 증발 물질이 젤(gel)로 형성되기 전의 온도 대역, 주로 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다는 약간 낮은 온도 대역을 갖는 것이 바람직하다.The heating temperature of the evaporation material at this time is preferably a temperature range before the evaporation material is formed into a gel, and a temperature range slightly lower than the melting point temperature of the evaporation material.

그 이유는 증발 물질이 부분적으로 젤(gel)로 형성되면 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)에서 소스(110)로 증발 물질의 주입(피딩)이 잘 되지 않을 수 있고, 액화되면 주입 과정에서 용융된 증발 물질이 히터(heater)와 같은 부품들에 흘러들어가 쇼트 발생 등의 위험을 발생시킬 수 있기 때문이다.The reason for this is that when the evaporation material is partially formed into a gel, the evaporation material may not be injected (fed) into the source 110 from the rotation arm 140 for feeding the evaporation material. When the evaporation material is liquefied, The evaporated material may flow into parts such as a heater and cause a risk of short-circuiting.

실제, 증발 물질은 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140) 영역에 잔류되지 않아야 하기 때문에 증발 물질의 가열 온도는 증발 물질이 젤(gel)로 형성되기 전의 온도 대역으로 관리되는 것이 바람직할 수 있다.Actually, since the evaporation material should not remain in the region of the rotation arm 140 for feeding the evaporation material, it is preferable that the heating temperature of the evaporation material is controlled to a temperature range before the evaporation material is formed into a gel.

이하, 도 5와 도 6을 참조하여 본 발명의 작용에 대해 설명한다.Hereinafter, the operation of the present invention will be described with reference to Figs. 5 and 6. Fig.

우선, 소스(110) 내의 증발 물질의 온도가 증착 공정(deposition process)의 진행을 위한 공정 온도에 도달될 수 있도록 소스(110)를 가열하는 소스(110)의 히트 업 공정(heat up process)이 진행된다. 이때는 소스(110)의 온도를 최대로 램프 업(ramp up)시켜 소스(110)가 공정 온도, 예컨대 1200℃ 이상의 공정 온도에 도달될 수 있도록 한다.First of all, a heat up process of the source 110 that heats the source 110 so that the temperature of the evaporation material in the source 110 can reach the process temperature for the progress of the deposition process It proceeds. At this time, the temperature of the source 110 is ramped up to a maximum so that the source 110 can reach a process temperature, for example, a process temperature of 1200 ° C or higher.

소스(110)가 공정 온도에 도달되면 이 상태에서 미리 결정된 시간동안 소스(110)로부터 기판으로 제공되는 증발 물질에 의한 기판의 증착 공정(deposition process)이 진행된다.When the source 110 has reached the process temperature, the deposition process of the substrate by the evaporation material provided from the source 110 to the substrate proceeds for a predetermined time in this state.

기판의 증착 공정이 완료되면 소스(110)를 냉각시키는 소스(110)의 쿨 다운 공정(cool down process)이 진행된 후, 증발 물질이 소스(110)로 피딩(feeding)되는 증발 물질의 피딩 공정이 진행된다.After the substrate 110 is completely cooled down, the evaporation material is fed to the source 110 after the cool down process of the source 110 is completed. It proceeds.

한편, 본 발명에서 소스(110)의 쿨 다운 공정 시 종래처럼 공정 온도에서 상온까지 소스(110)를 냉각시키지 않고, 공정 온도보다는 낮지만 적어도 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다 높은 온도 대역으로 소스(110)의 온도가 관리 및 유지된다(S10).In the cool down process of the source 110, the source 110 is not cooled from the process temperature to the ambient temperature, but the temperature of the source 110 is lower than the melting point of the evaporation material The temperature of the source 110 is managed and maintained (S10).

이처럼 소스(110)의 온도가 관리 및 유지된 상태에서 증발 물질을 피딩시키게 되는데(S20), 소스(110)가 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다 높은 온도 대역으로 관리되고 있기 때문에 크루시블의 파괴 현상은 일어나지 않는다.Since the temperature of the source 110 is controlled and maintained, the evaporation material is fed (S20). Since the source 110 is maintained at a temperature range higher than the melting point temperature of the evaporation material, The breakdown phenomenon does not occur.

증발 물질의 피딩 과정을 살펴보면, 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)이 증발 물질 저장부(120)에 배치되어 증발 물질을 수급한 후(S21), 증발 물질을 미리 가열한다(S22).In the feeding process of the evaporation material, the rotation arm 140 for feeding the evaporation material is disposed in the evaporation material storage unit 120 to supply the evaporation material (S21), and then the evaporation material is heated in advance (S22).

그런 다음, 증발 물질 피딩용 로테이션 아암(140)이 소스(110)로 회전 배치되어 증발 물질 주입부(142)를 통해 증발 물질을 소스(110)로 주입함으로써(S23) 소스(110)의 피딩 과정이 진행된다. 이때는 크루시블의 온도를 모니터링하면서 주입되는 양과 간격을 조절할 수 있다.The rotation arm 140 for feeding the evaporation material is rotationally disposed with the source 110 to inject the evaporation material into the source 110 through the evaporation material injection unit 142 . In this case, the amount and interval of injection can be adjusted while monitoring the temperature of the crucible.

증발 물질의 피딩 공정이 완료되면 다시 소스(110)의 히트 업 공정이 진행되어 소스(110)가 공정 온도에 도달되도록 한 상태에서 기판의 증착 공정을 진행하는 등 그 공정이 계속해서 반복된다.When the evaporation material feeding process is completed, the substrate 110 is continuously heated again so that the heat-up process of the source 110 proceeds and the source 110 reaches the process temperature.

이와 같은 구조와 동작을 갖는 본 실시예에 따르면, 증발 물질이 피딩(feeding)될 때, 소스(110)가 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다 높고 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 공정 온도보다 낮은 온도 대역으로 유지 관리되기 때문에, 크루시블(crucible)의 파괴 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있어 크루시블의 안정성을 대폭 향상시킬 수 있게 된다.According to this embodiment having such a structure and operation, when the evaporation material is fed, the process temperature at which the source 110 is higher than the melting point temperature of the evaporation material and the deposition process for the substrate proceeds It is possible to prevent the breakdown phenomenon of the crucible from being generated and to greatly improve the stability of the crucible.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Accordingly, such modifications or variations are intended to fall within the scope of the appended claims.

110 : 소스 120 : 증발 물질 저장부
140 : 증발 물질 피딩용 로테이션 아암 141 : 아암 바디
142 : 증발 물질 주입부 143 : 히팅 모듈110: source 120: evaporation material storage part
140: Rotation arm for feeding evaporation material 141: Arm body
142: evaporation material injecting part 143: heating module

Claims (20)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판의 증착을 위해 마련되는 증발 물질이 내부에 수용되며, 상기 증발 물질이 피딩(feeding)될 때, 상기 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다 높고 상기 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 공정 온도보다 낮은 온도 대역으로 유지되는 소스;
상기 소스로부터 이격된 위치에 배치되며, 상기 증발 물질이 저장되는 증발 물질 저장부; 및
상기 소스와 상기 증발 물질 저장부 사이에서 이동 가능하게 배치되어 상기 증발 물질 저장부로부터 수급되는 증발 물질을 상기 소스로 피딩시키는 증발 물질 피딩 유닛을 포함하며,
상기 증발 물질 피딩 유닛은 상기 소스와 증발 물질 저장부 사이에서 회전 가능하게 배치되는 증발 물질 피딩용 로테이션 아암이며,
상기 증발 물질 피딩용 로테이션 아암에 의해 상기 증발 물질 저장부에서 상기 소스로 피딩되는 증발 물질은 미리 가열되며,
상기 소스로 피딩되기 위해 미리 가열되는 상기 증발 물질의 온도는 상기 증발 물질의 멜팅 포인트(Melting point) 온도보다는 낮은 온도 대역을 갖는 것을 특징으로 하는 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치.Wherein a vaporization material provided for vapor deposition of a substrate is accommodated therein and wherein when the vaporization material is fed, a process temperature at which the vaporization material is higher than a melting point temperature of the vaporization material, A source maintained at a lower temperature band;
An evaporation material storage portion disposed at a position spaced apart from the source, the evaporation material storage portion storing the evaporation material; And
And an evaporation material feeding unit which is movably disposed between the source and the evaporation material storage part and feeds the evaporation material supplied from the evaporation material storage part to the source,
Wherein the evaporation material feeding unit is a rotation arm for feeding evaporation material rotatably disposed between the source and the evaporation material storage part,
The evaporation material fed from the evaporation material reservoir to the source by the rotation arm for feeding the evaporation material is preheated,
Wherein the temperature of the evaporation material previously heated to be fed to the source has a temperature lower than a melting point temperature of the evaporation material. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제11항에 있어서,
상기 증발 물질 저장부에서 상기 소스로 피딩되는 증발 물질을 미리 가열하는 작업은 상기 증발 물질 피딩용 로테이션 아암에서 자체적으로 진행되는 것을 특징으로 하는 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the operation for preheating the evaporation material fed to the source in the evaporation material storage part proceeds in the rotation arm for feeding the evaporation material in advance. 제11항에 있어서,
상기 증발 물질 저장부에서 상기 소스로 피딩되는 증발 물질을 미리 가열하는 작업은 상기 증발 물질 피딩용 로테이션 아암과는 별개로 마련되는 히팅 존(heating zone)을 통해 진행되는 것을 특징으로 하는 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the operation of preheating the evaporation material fed to the source in the evaporation material storage portion proceeds through a heating zone provided separately from the rotation arm for feeding the evaporation material. Evaporation material feeding device for improving stability. 제11항에 있어서,
상기 증발 물질 피딩용 로테이션 아암은,
상기 증발 물질을 상기 소스로 주입하는 증발 물질 주입부가 마련되는 아암 바디; 및
상기 아암 바디에 마련되어 증발 물질을 가열하는 히팅 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치.12. The method of claim 11,
The rotary arm for feeding the evaporation material includes:
An arm body provided with an evaporation material injection unit for injecting the evaporation material into the source; And
And a heating module provided on the arm body to heat the evaporation material. The evaporation material feeding device for improving the stability of the crucible. 제11항에 있어서,
상기 증발 물질은 증발 공정(evaporation process)이 진행되기 전에 멜팅(melting)이 선행되는 금속 증발 물질인 것을 특징으로 하는 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the evaporation material is a metal evaporation material followed by melting before the evaporation process is performed. 제18항에 있어서,
상기 금속 증발 물질은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 포함하며,
상기 기판은 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes)용 기판인 것을 특징으로 하는 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the metal evaporation material comprises aluminum (Al) or silver (Ag)
Wherein the substrate is a substrate for organic light emitting diodes. 2. The apparatus of claim 1, wherein the substrate is a substrate for organic light emitting diodes. 제11항에 있어서,
상기 증발 물질의 피딩 시 상기 소스의 온도를 모니터링하면서 상기 증발 물질의 주입량 및 주입간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 크루시블의 안정성 향상을 위한 증발 물질 피딩 장치.12. The method of claim 11,
Wherein an amount of the evaporation material and an injection interval of the evaporation material are controlled while monitoring the temperature of the source when the evaporation material is fed.
KR1020120121719A 2012-10-31 2012-10-31 Evaporation material feeding apparatus KR101462592B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120121719A KR101462592B1 (en) 2012-10-31 2012-10-31 Evaporation material feeding apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120121719A KR101462592B1 (en) 2012-10-31 2012-10-31 Evaporation material feeding apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140055224A KR20140055224A (en) 2014-05-09
KR101462592B1 true KR101462592B1 (en) 2014-11-20

Family

ID=50886917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120121719A KR101462592B1 (en) 2012-10-31 2012-10-31 Evaporation material feeding apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101462592B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102252620B1 (en) * 2019-12-27 2021-05-17 주식회사 에스에프에이 Apparatus for etching substrates

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06173004A (en) * 1992-12-03 1994-06-21 Kobe Steel Ltd Raw material feeder in continuous vacuum-deposition plating
KR200376118Y1 (en) * 2004-11-30 2005-02-23 윈테크 코포레이션 Device for evaporation
KR20050117442A (en) * 2004-06-10 2005-12-14 박병주 Organic semiconducting device, method and apparatus for producing the same
JP2009299081A (en) * 2008-05-16 2009-12-24 Ulvac Japan Ltd Evaporator, film-forming apparatus, method for forming organic thin film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06173004A (en) * 1992-12-03 1994-06-21 Kobe Steel Ltd Raw material feeder in continuous vacuum-deposition plating
KR20050117442A (en) * 2004-06-10 2005-12-14 박병주 Organic semiconducting device, method and apparatus for producing the same
KR200376118Y1 (en) * 2004-11-30 2005-02-23 윈테크 코포레이션 Device for evaporation
JP2009299081A (en) * 2008-05-16 2009-12-24 Ulvac Japan Ltd Evaporator, film-forming apparatus, method for forming organic thin film

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140055224A (en) 2014-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8123862B2 (en) Deposition apparatus and manufacturing apparatus
CN1679375B (en) Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
KR101760897B1 (en) Deposition source and apparatus for organic layer deposition having the same
JP4013859B2 (en) Organic thin film manufacturing equipment
US8710492B2 (en) Organic EL display device and method for manufacturing the same
TWI445445B (en) Organic light emitting device and manufacturing method thereof
JP4275962B2 (en) Method for producing organic layer
KR101479942B1 (en) Linear evaporation source and thin layers deposition apparatus for flat panel display having the same
KR20080007820A (en) The rotation evaporator for vapor deposition of thin film and apparatus for vapor deposition of thin film using rotation evaporators
Dong et al. Low-temperature vacuum deposition of green phosphorescent OLED devices using close-space sublimation of spirobifluorene hosts
KR101462592B1 (en) Evaporation material feeding apparatus
KR20040068000A (en) Using compacted organic materials in making white light emitting oleds
KR101462593B1 (en) Evaporation material feeding apparatus
JP2002246175A (en) Method and device for forming organic material thin film, and manufacturing method for organic electroluminescent element
KR101850147B1 (en) Light emitting layer of organic light emitting diodde device and method of fabricating the same
KR101920759B1 (en) Method of fabricating organic light emitting display device
KR101462594B1 (en) Evaporation material feeding apparatus
JP2008293675A (en) Deposition device and organic el element
KR102160508B1 (en) Linear evaporation source
US20200259084A1 (en) Method for forming oled organic thin film layers for using rf sputtering apparatus, rf sputtering apparatus, and apparatus for forming target to be used in rf sputtering apparatus
KR102229161B1 (en) Glass deposition apparatus
KR102190640B1 (en) Linear evaporation source
KR102186853B1 (en) An organic-inorganic hybrid perovskite light emitting diode and a method for manufacturing the same
KR100813199B1 (en) The evaporators with the openings having different angles and apparatus for vapor deposition of thin film using the evaporators
JP2007046098A (en) Vacuum deposition system

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181031

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190930

Year of fee payment: 6