KR101461219B1 - Structure for protecting corrosion of peltier elements - Google Patents

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Abstract

부식을 방지할 수 있고, 내구성을 높일 수 있도록, 열전소자를 포함하여 반도체의 온도를 시험하는 반도체 온도 시험 검사장비의 열전소자 부식 방지 구조에 있어서, 상기 열전소자는 간격을 두고 배치되는 복수개의 반도체와, 상기 반도체의 상단과 하단에 설정된 패턴으로 배치되어 반도체와 전기적으로 접속되는 상단전극과 하단전극, 상기 상단전극과 하단전극 각각의 외측에 접합되는 열전달판, 상기 열전달판 사이를 실링하여 내부를 밀폐하는 실링부재를 포함하며, 상기 반도체의 측면에 방습 도료가 도포되어 코팅층을 형성한 구조의 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자 부식 방지 구조를 제공한다.A thermoelectric device corrosion prevention structure of a semiconductor temperature test inspection equipment for testing a temperature of a semiconductor including a thermoelectric element so as to prevent corrosion and enhance durability, the thermoelectric device comprising a plurality of semiconductors An upper electrode and a lower electrode electrically connected to the semiconductor, the upper electrode and the lower electrode being arranged in a pattern set at the upper and lower ends of the semiconductor, a heat transfer plate bonded to the outside of each of the upper electrode and the lower electrode, The present invention also provides a thermoelectric device corrosion prevention structure for low temperature inspection of a semiconductor temperature test equipment having a sealing member which is hermetically sealed and a coating layer is formed on the side surface of the semiconductor by applying a moisture-proof coating.

Description

반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자 부식 방지 장치{STRUCTURE FOR PROTECTING CORROSION OF PELTIER ELEMENTS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a thermoelectric device corrosion prevention device for low temperature inspection of semiconductor temperature test equipment,

본 발명은 열전소자에 관한 것이다. 더욱 상세하게 본 발명은 반도체 온도 시험 검사장비에 사용되는 열전소자의 부식을 방지하기 위한 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a thermoelectric device. More particularly, the present invention relates to a structure for preventing corrosion of thermoelectric elements used in semiconductor temperature test equipment.

일반적으로, 컴퓨터 등의 메모리로 사용되는 램(RAM : Random Access Memory)이나, 핸드폰을 포함하여 각종 모바일 장치의 메모리로 사용되는 모바일 램(RAM : Random Access Memory), 낸드 플래시 메모리(NAND Flash Memory)를 이용한 데이터 저장장치(Solid State Disk:SSD) 등 반도체를 이용한 저장장치의 사용이 급격히 증가하고 있다.In general, a random access memory (RAM) used in a memory of a computer or the like, a random access memory (RAM) used as a memory of various mobile devices including a mobile phone, a NAND flash memory, The use of semiconductor storage devices such as a solid state disk (SSD) using a semiconductor is rapidly increasing.

이러한 반도체는 사용되는 조건이 다양하고, 자체 발열로 인해 불량이 발생할 수 있으므로, 제품 출하 전에 온도 신뢰성 검사를 수행하게 된다. 점차적으로 반도체가 고집적화됨에 따라 자체 발열량 또한 커지게 되어 온도 신뢰성 검사는 중요한 검사라 할 것이다.These semiconductors have various conditions to be used and may cause defects due to their own heat generation, so that a temperature reliability test is performed before shipment. As the semiconductor becomes more highly integrated, the amount of self-heating increases, which is an important test.

한국등록실용신안 제20-0435565호(고안의 명칭 : 메모리 모듈 온도 검사장치), 한국등록특허 제10-00759491호(발명의 명칭 : 메모리 모듈 온도 검사장치), 한국등록특허 제10-0887730호(발명의 명칭 : 냉온풍 분출장치와 이를 이용한 메모리 모듈 온도 검사장치)는 반도체 온도 신뢰성을 검사하는 종래의 장치를 개시하고 있다.Korean Registered Utility Model No. 20-0435565 (entitled: Memory Module Temperature Inspection Device), Korean Patent No. 10-00759491 (Title: Memory Module Temperature Inspection Device), Korean Patent No. 10-0887730 Title of the Invention: Hot Air Spraying Apparatus and Memory Module Temperature Inspection Apparatus Using Same) discloses a conventional apparatus for checking semiconductor temperature reliability.

상기한 검사 장치는 온도 제어에 열전소자를 이용한 구조로 되어 있다. 열전소자는 복수개로 배열되는 반도체와, 반도체 상단과 하단에 배치되는 전극, 반도체 상하단에서 전극에 접합 설치되는 열전달판을 포함한다.The above inspection apparatus has a structure using a thermoelectric element for temperature control. The thermoelectric elements include a plurality of semiconductors, an electrode disposed at the upper and lower ends of the semiconductor, and a heat transfer plate bonded to the electrodes at upper and lower ends of the semiconductor.

그런데, 상기한 종래의 장치는 열전소자를 이용하여 온도 제어가 용이한 장점이 있으나, 냉각용으로 사용시 저온 구현에 따른 결로와 습기에 의해 열전소자가 부식되는 문제가 있다. 종래의 경우 열전소자의 저온 구현시 습기를 방지하기 위해 실리콘 고무를 이용하여 실링하고 있으나, 장시간 사용시 소재 자체의 미세 틈새를 통해 열전소자 내부로 습기가 침투함에 따라 부식을 완전히 방지하지 못하였다. However, the above-mentioned conventional apparatus has an advantage in that temperature control is easy using a thermoelectric element, but there is a problem that a thermoelectric element is corroded by condensation and moisture due to low temperature when used for cooling. Conventionally, in order to prevent the moisture at the low temperature of the thermoelectric element, the thermoelectric element is sealed using silicone rubber. However, when the thermoelectric element is used for a long time, the moisture penetrates into the thermoelectric element through the minute gap of the material itself.

이에, 종래 장비의 경우 부식 환경에 따라 열전조사의 수명이 6개월 이하로 나타나고, 이로 인해 검사 장비들의 수명이나 내구성이 저하되는 문제가 발생된다.Accordingly, in the case of the conventional equipment, the lifetime of the thermoelectric irradiation is less than 6 months depending on the corrosive environment, and the lifetime and durability of the inspection equipment are deteriorated.

이에, 부식을 방지할 수 있도록 된 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자 부식 방지 구조를 제공한다.Accordingly, there is provided a thermoelectric device corrosion prevention structure for low temperature inspection of a semiconductor temperature test inspection apparatus which can prevent corrosion.

또한, 내구성을 높일 수 있도록 된 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자 부식 방지 구조를 제공한다.The present invention also provides a thermoelectric device corrosion prevention structure for low temperature inspection of a semiconductor temperature test equipment that can enhance durability.

본 장치는 열전소자를 포함하여 반도체의 온도를 시험하는 반도체 온도 시험 검사장비의 열전소자 부식 방지 구조에 있어서, 상기 열전소자는 간격을 두고 배치되는 복수개의 반도체와, 상기 반도체의 상단과 하단에 설정된 패턴으로 배치되어 반도체와 전기적으로 접속되는 상단전극과 하단전극, 상기 상단전극과 하단전극 각각의 외측에 접합되는 열전달판, 상기 열전달판 사이를 실링하여 내부를 밀폐하는 실링부재를 포함하며, 상기 반도체의 측면에 방습 도료가 도포되어 코팅층을 형성한 구조일 수 있다.The present invention relates to a thermoelectric device corrosion prevention structure of a semiconductor temperature test inspection apparatus for testing a temperature of a semiconductor including a thermoelectric element, the thermoelectric device comprising a plurality of semiconductors arranged at intervals, And a sealing member sealing the inside of the heat transfer plate by sealing the inside between the upper and lower electrodes, the heat transfer plate being bonded to the outside of each of the upper and lower electrodes, A coating layer may be formed by applying a moisture-proof coating material to the side surface of the substrate.

상기 코팅층은 반도체에 접속되는 상단전극과 하단전극의 내측면에 형성될 수 있다.The coating layer may be formed on the inner surface of the upper electrode and the lower electrode connected to the semiconductor.

상기 코팅층을 이루는 도료는 탄소계 유기성 도료 또는 탄소계 무기성 도료일 수 있다.The coating material constituting the coating layer may be a carbon-based organic coating or a carbon-based inorganic coating.

상기 실링부재는 열전소자의 주변을 따라 열전달판과 열전달판 사이에 설치될 수 있다.The sealing member may be installed between the heat transfer plate and the heat transfer plate along the periphery of the thermoelectric element.

상기 실링부재는 열전소자의 내부에서 반도체와 반도체 사이에 설치될 수 있다.The sealing member may be installed between the semiconductor and the semiconductor inside the thermoelectric element.

상기 실링부재는 실리콘 입자를 포함하는 에폭시 재질로 이루어질 수 있다.The sealing member may be made of an epoxy material including silicon particles.

상기 실리콘 입자는 전체 실링부재에 대해 2 ~ 20중량% 이내로 포함될 수 있다.The silicon particles may be included in an amount of 2 to 20% by weight based on the total amount of the sealing member.

이와 같이 본 실시예에 의하면, 열전소자의 내습성이 개선되어 습기에 의한 부식을 방지하고 수명을 극대화할 수 있게 된다.As described above, according to the present embodiment, the moisture resistance of the thermoelectric element is improved, corrosion due to moisture can be prevented, and the service life can be maximized.

또한, 실링부재가 저온에서도 충분한 탄성력을 부여하여 열전소자의 내구성을 높일 수 있게 된다.In addition, it is possible to increase the durability of the thermoelectric element by giving the sealing member a sufficient elastic force even at a low temperature.

또한, 열전소자의 내구성 및 습기에 의한 내부식성을 높여 반도체 온도시험 검사 장비를 통한 보다 정확한 시험이 가능하게 된다.In addition, the durability of the thermoelectric element and the corrosion resistance due to moisture are increased, and a more accurate test can be performed through the semiconductor temperature test apparatus.

도 1은 본 실시예에 따른 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자를 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자의 사시도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자의 단면도이다.
도 4는 또다른 실시예에 따른 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자의 단면도이다.1 is an exploded perspective view showing a thermoelectric device for low temperature inspection of a semiconductor temperature test equipment according to the present embodiment.
2 is a perspective view of a thermoelectric element for low temperature inspection of the semiconductor temperature test equipment according to the present embodiment.
3 is a cross-sectional view of a thermoelectric element for low temperature inspection of the semiconductor temperature test equipment according to the present embodiment.
4 is a cross-sectional view of a thermoelectric element for low temperature inspection of a semiconductor temperature test equipment according to another embodiment.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 설명한다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 이해할 수 있는 바와 같이, 후술하는 실시예는 본 발명의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 형태로 변형될 수 있다. 가능한 한 동일하거나 유사한 부분은 도면에서 동일한 도면부호를 사용하여 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Wherever possible, the same or similar parts are denoted using the same reference numerals in the drawings.

이하에서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to limit the invention. The singular forms as used herein include plural forms as long as the phrases do not expressly express the opposite meaning thereto. Means that a particular feature, region, integer, step, operation, element and / or component is specified, and that other specific features, regions, integers, steps, operations, elements, components, and / And the like.

이하에서 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.All terms including technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Predefined terms are further interpreted as having a meaning consistent with the relevant technical literature and the present disclosure, and are not to be construed as ideal or very formal meanings unless defined otherwise.

도 1과 도 2는 본 실시예에 따른 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자를 도시하고 있으며, 도 3은 상기 열전소자의 단면 상태를 도시하고 있다.FIGS. 1 and 2 show a thermoelectric element for low temperature inspection of a semiconductor temperature test and inspection apparatus according to the present embodiment, and FIG. 3 shows a cross-sectional view of the thermoelectric element.

반도체의 온도시험을 위한 검사장비는 반도체에 가해지는 분위기를 조절하기 위해, 열전소자(10)를 구비한다.An inspection apparatus for temperature testing of semiconductors is provided with a thermoelectric element 10 for controlling the atmosphere applied to the semiconductor.

상기 열전소자(10)는 이극형 반도체를 조합했을 때에 생기는 냉각효과를 이용한 소자이다. 이종 금속에서는 금속 내의 전자의 퍼텐셜에너지에 차가 있기 때문에 퍼텐셜에너지가 낮은 상태에 있는 금속으로부터 높은 상태에 있는 금속으로 전자를 운반하는 데는 외부로부터 에너지를 얻어야 할 필요가 있다. 이에 열전소자는 이러한 원리에 따라 전류의 방향을 전환함으로써 열에너지를 빼앗기거나 열에너지를 방출하게 되어 온도 상승과 하강이 이루어지게 된다. The thermoelectric element 10 is an element using a cooling effect generated when a bipolar semiconductor is combined. In the case of dissimilar metals, there is a difference in the potential energy of electrons in the metal, so it is necessary to obtain energy from the outside in order to transfer electrons from a metal in a state of low potential energy to a metal in a high state. Therefore, the thermoelectric element changes the direction of the current according to this principle, thereby depriving the heat energy or releasing the heat energy, so that the temperature rise and fall are performed.

상기 열전소자(10)는 동일면상에 간격을 두고 배치되는 복수개의 반도체(11)와, 상기 반도체(11)의 상단과 하단에 배치되어 상기 반도체(11)를 전기적으로 연결하는 상단전극(16)과 하단전극(17), 상기 상단전극(16)과 하단전극(17)쪽의 외측에 각각 접합되어 열전달면을 이루는 열전달판(18,19), 상기 열전달판(18,19) 사이를 실링하여 내부를 밀폐하는 실링부재(20)를 포함한다.The thermoelectric element 10 includes a plurality of semiconductors 11 disposed on the same plane with an interval therebetween and a top electrode 16 disposed at the top and bottom of the semiconductor 11 to electrically connect the semiconductors 11, The heat transfer plates 18 and 19 joined to the outer sides of the upper electrode 16 and the lower electrode 17 to form a heat transfer surface and the heat transfer plates 18 and 19 are sealed And a sealing member 20 that seals the interior.

상기 반도체(11)는 N형 반도체(12)와 P형 반도체(14)로 이루어지며, 서로 교대로 배치되고 상단과 하단에서 상단전극(16)과 하단전극(17)이 설정된 패턴으로 N형 반도체(12)와 P형 반도체(14)를 전기적으로 연결한다. 이하 설명에서 도면부호 (11)는 N형 또는 P형에 무관하게 반도체를 지칭하며, 도면부호 (14)와 (16)은 각각 N형 반도체와 P형 반도체를 지칭한다.The semiconductor 11 is composed of an N-type semiconductor 12 and a P-type semiconductor 14 and is arranged alternately with the upper electrode 16 and the lower electrode 17 at the upper and lower ends, (12) and the P-type semiconductor (14). Reference numeral 11 in the following description refers to a semiconductor regardless of the N-type or P-type, and reference numerals 14 and 16 refer to an N-type semiconductor and a P-type semiconductor, respectively.

두 개의 열전달판(18,19)은 반도체(11) 전체를 덮는 크기로 이루어져 상단전극(16)과 하단전극(17) 외측에서 각 전극에 부착되어 열전소자(10)의 대향되는 양면을 이룬다. 상기 두 개의 열전달판(18,19) 사이에 복수개의 반도체(11)가 배치되는 것이다. The two heat transfer plates 18 and 19 have a size covering the entirety of the semiconductor 11 and are attached to the respective electrodes at the outside of the upper electrode 16 and the lower electrode 17 to form opposing sides of the thermoelectric element 10. And a plurality of semiconductors 11 are disposed between the two heat transfer plates 18 and 19.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 열전소자(10)의 둘레를 따라 상기 두 개의 열전달판(18,19) 사이에 상기 실링부재(20)가 설치된다.As shown in FIG. 3, the sealing member 20 is installed between the two heat transfer plates 18 and 19 along the periphery of the thermoelectric element 10.

본 실시예에서, 상기 실링부재(20)는 실리콘 입자(24)를 포함하는 에폭시(22) 재질로 이루어질 수 있다. 종래와 같이, 실링부재가 실리콘 재질로 이루어진 경우 실리콘 소재 자체의 미세 틈새 발생으로 습기가 열전소자(10) 내부로 침투하게 된다. 또한, 실링부재가 에폭시 재질로만 이루어진 경우에는 저온에서 실링부재가 경화되어 외부 충격을 흡수하지 못하는 문제가 발생된다.In the present embodiment, the sealing member 20 may be made of an epoxy 22 material including silicon particles 24. [ When the sealing member is made of a silicon material as in the prior art, the moisture penetrates into the thermoelectric element 10 due to the fine crevices of the silicon material itself. In addition, when the sealing member is made of an epoxy material, the sealing member is hardened at a low temperature and the external shock can not be absorbed.

그러나, 상기한 바와 같이, 본 실시예의 실링부재(20)는 에폭시(22) 내에 실리콘 입자(24)가 포함되어, 상기 열전소자(10)는 에폭시에 의한 작용효과와 실리콘에 의한 작용효과를 동시에 확보할 수 있게 된다. 이에, 본 실시예의 열전소자(10)는 실링부재(20)가 저온에서 보다 확실하게 열전달판(18,19) 사이를 차단하여 외부 습기 침투를 방지함과 더불어 열전소자(10)에 가해지는 외부 충격을 흡수하여 내구성을 높일 수 있게 된다.However, as described above, the sealing member 20 of the present embodiment includes the silicon particles 24 in the epoxy 22, and the thermoelectric element 10 has both the action effect by the epoxy and the action effect by the silicon . Therefore, the thermoelectric element 10 of the present embodiment can prevent the sealing member 20 from interfering with the external moisture by blocking the heat transfer plates 18 and 19 more reliably at a low temperature, and at the same time, And the durability can be improved by absorbing impact.

본 실시예에서, 상기 실리콘 입자(24)는 전체 실링부재(20)에 대해 2 ~ 20중량%로 포함될 수 있다.In this embodiment, the silicon particles 24 may be included in an amount of 2 to 20% by weight with respect to the total sealing member 20.

상기 실리콘 입자(24)가 2중량%보다 적게 혼합되는 경우에는 저온에서 실링부재(20)가 경화되어 열전소자(10)의 내구성을 확보하기 어렵고 외부 충격에 의해 열전소자(10)의 손상을 초래할 수 있다. 상기 실리콘 입자(24)가 20중량%를 넘는 경우에는 실리콘 입자(24)를 통해 외부 습기가 열전소자(10) 내부로 침투할 수 있어, 실링부재(20)의 역할을 제대로 수행하지 못하게 된다.When the silicon particles 24 are mixed in less than 2% by weight, the sealing member 20 is hardened at a low temperature, so that it is difficult to secure the durability of the thermoelectric element 10, and the thermoelectric element 10 is damaged by an external impact . If the amount of the silicon particles 24 exceeds 20% by weight, external moisture can penetrate into the thermoelectric element 10 through the silicon particles 24, thereby failing to perform the role of the sealing member 20 properly.

도 4는 또다른 실시예의 실링부재(20)를 구비한 열전소자(10)를 도시하고 있다. Fig. 4 shows a thermoelectric element 10 with a sealing member 20 of another embodiment.

여기서본 실시예의 열전소자(10)는 상기 실링부재(20)의 도포 구조를 제외하고 위에서 언급한 구조와 동일하므로 이하 동일한 구성부에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며 그 상세한 설명은 생략한다.Here, the thermoelectric element 10 of the present embodiment is the same as the above-mentioned structure except for the coating structure of the sealing member 20, and hence the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 열전소자(10)는 P형 반도체(12)와 N형 반도체(14), 상단전극(16)과 하단전극(17), 상기 상단전극(16)과 하단전극(17)쪽의 외측에 각각 접합되어 열전달면을 이루는 열전달판(18,19), 상기 열전달판(18,19) 사이를 실링하여 내부를 밀폐하는 실링부재(20)를 포함한다.4, the thermoelectric transducer 10 of the present embodiment includes a P-type semiconductor 12 and an N-type semiconductor 14, a top electrode 16 and a bottom electrode 17, a top electrode 16, And a sealing member 20 sealing the inside of the heat transfer plates 18 and 19 by sealing the heat transfer plates 18 and 19 joined to the outside of the lower electrode 17 to form a heat transfer surface.

본 실시예에서 상기 실링부재(20)는 실리콘 입자(24)를 포함하는 에폭시(22) 재질로 이루어지며, 열전소자(10)의 주변을 따라 열전달판(18,19)과 열전달판(18,19) 사이 및 열전소자(10)의 내부에서 반도체(11)와 반도체(11) 사이에 설치된 구조로 되어 있다.The sealing member 20 is made of an epoxy material 22 including silicon particles 24 and the heat transfer plates 18 and 19 and the heat transfer plates 18 and 19 are formed along the periphery of the thermoelectric element 10. In this embodiment, 19 and between the semiconductor 11 and the semiconductor 11 in the thermoelectric conversion element 10.

이와 같이, 실링부재(20)가 열전달판(18,19)과 열전달판(18,19) 사이 뿐 아니라, 열전소자(10) 내부의 반도체(11)와 반도체(11) 사이에도 도포됨에 따라 열전달판(18,19)과 열전달판(18,19) 내부의 빈 공간은 모두 실링부재(20)가 채워지게 된다. As the sealing member 20 is applied not only between the heat transfer plates 18 and 19 and the heat transfer plates 18 and 19 but also between the semiconductor 11 and the semiconductor 11 in the thermoelectric element 10, Both the plates 18 and 19 and the empty space inside the heat transfer plates 18 and 19 are filled with the sealing member 20.

따라서, 실링부재(20)에 의한 습기 차단 효과 및 충격 흡수에 의한 열전소자(10)의 내구성을 더욱 높일 수 있게 된다.Therefore, it is possible to further enhance the damping effect by the sealing member 20 and the durability of the thermoelectric element 10 by shock absorption.

여기서, 본 실시예의 열전소자(10)는 습기에 의한 부식 방지를 위해, 상기 반도체(11)의 측면에 방습 도료가 도포되어 코팅층(30)을 형성한 구조로 되어 있다. Here, the thermoelectric element 10 of the present embodiment has a structure in which a coating layer 30 is formed by applying a moisture-proof coating on the side surface of the semiconductor 11 in order to prevent corrosion by moisture.

또한, 도 3과 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 코팅층(30)은 반도체(11) 측면 외에 반도체(11)에 접속되는 상단전극(16)과 하단전극(17)의 내측면에 형성될 수 있다. 이에, 상기 코팅층(30)은 두 개의 열전달판(18,19) 사이에서 열전달판과 접합되는 면을 제외한 외부로 노출된 모든 측면에 형성된다.3 and 4, the coating layer 30 may be formed on the inner surfaces of the upper electrode 16 and the lower electrode 17 connected to the semiconductor 11 in addition to the side surface of the semiconductor 11. [ have. Thus, the coating layer 30 is formed on all the exposed surfaces of the two heat transfer plates 18 and 19 except for the surface bonded to the heat transfer plate.

본 실시예에서, 상기 코팅층(30)은 도료는 탄소계 유기성 도료 또는 탄소계 무기성 도료로 형성될 수 있다. 즉, 상기 열전소자(10)는 상기 도료를 반도체(11)의 측면과 반도체(11)에 접속되는 상단전극(16) 및 하단전극(17)의 내측면에 도포하여 코팅층(30)을 형성한다. In this embodiment, the coating layer 30 may be formed of a carbon-based organic coating or a carbon-based inorganic coating. That is, the thermoelectric element 10 forms the coating layer 30 by coating the paint on the side surfaces of the semiconductor 11 and the inner surfaces of the upper electrode 16 and the lower electrode 17 connected to the semiconductor 11 .

상기 코팅층(30)의 형성은 다양한 방법이 적용될 수 있고, 코팅층(30)의 형성 두께 역시 특별히 한정되지 않으며 다양하게 변형가능하다.The coating layer 30 may be formed by various methods, and the thickness of the coating layer 30 is not particularly limited, and may be variously modified.

본 실시예에서, 상기 코팅층(30)은 탄소계 유기성 도료 또는 탄소계 무기성 도료로 이루어짐에 따라 열전소자(10)의 내부 구성에 대한 내열성과 내후성, 화학안정성, 전기절연성 등을 충분히 확보할 수 있게 된다.In this embodiment, since the coating layer 30 is made of a carbon-based organic coating or a carbon-based inorganic coating, heat resistance, weather resistance, chemical stability, electrical insulation and the like of the internal structure of the thermoelectric element 10 can be sufficiently secured .

이와 같이, 본 열전소자(10)는 상기 코팅층(30)을 통해 반도체(11)를 포함하여 열전소자(10) 내부 구성부에 대한 피막을 형성함으로써, 내습성을 향상시켜 열전소자(10) 내부로 침투되는 습기에 대해 열전소자(10)가 부식되는 것을 방지하게 된다. 또한, 상기 코팅층(30)은 반도체(11)의 강도를 증가시켜 열전소자(10)에 가해지는 하중과 외부 충격에 대해 열전소자(10)의 내구성을 높이게 된다.Thus, the present thermoelectric element 10 includes the semiconductor 11 through the coating layer 30 to form a film on the internal constituent part of the thermoelectric element 10, thereby improving moisture resistance, It is possible to prevent the thermoelectric element 10 from corroding with respect to the moisture penetrated into the thermoelectric element 10. The coating layer 30 increases the strength of the semiconductor 11 to increase the durability of the thermoelectric element 10 against the load applied to the thermoelectric element 10 and the external impact.

이상 설명한 바와 같이 본 발명의 예시적인 실시예가 도시되어 설명되었지만, 다양한 변형과 다른 실시예가 본 분야의 숙련된 기술자들에 의해 행해질 수 있을 것이다. 이러한 변형과 다른 실시예들은 첨부된 청구범위에 모두 고려되고 포함되어 본 발명의 진정한 취지 및 범위를 벗어나지 않는다 할 것이다.While the illustrative embodiments of the present invention have been shown and described, various modifications and alternative embodiments may be made by those skilled in the art. These variations and other embodiments are to be considered and included in the appended claims so as not to depart from the true spirit and scope of the invention.

10 : 열전소자 11 : 반도체
12 : P형 반도체 14 : N형 반도체
16 : 상단전극 17 : 하단전극
18,19 : 열전달판 20 : 실링부재
22 : 에폭시 24 : 실리콘 입자
30 : 코팅층10: thermoelectric element 11: semiconductor
12: P-type semiconductor 14: N-type semiconductor
16: upper electrode 17: lower electrode
18, 19: heat transfer plate 20: sealing member
22: Epoxy 24: Silicon particles
30: Coating layer

Claims (7)

열전소자를 포함하여 반도체의 온도를 시험하는 반도체 온도 시험 검사장비의 열전소자 부식 방지 장치에 있어서,
상기 열전소자는 간격을 두고 배치되는 복수개의 이극형반도체와, 상기 이극형반도체의 상단과 하단에 설정된 패턴으로 배치되어 이극형반도체와 전기적으로 접속되는 상단전극과 하단전극, 상기 상단전극과 하단전극 각각의 외측에 접합되는 열전달판, 상기 열전달판 사이를 실링하여 내부를 밀폐하는 실링부재를 포함하며, 상기 이극형반도체의 측면에 방습 도료가 도포되어 코팅층을 형성한 구조의 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자 부식 방지 장치.A thermoelectric device corrosion prevention device of a semiconductor temperature test inspection equipment for testing a temperature of a semiconductor including a thermoelectric element,
The thermoelectric elements include a plurality of bipolar semiconductors arranged at intervals, an upper electrode and a lower electrode arranged in a pattern set at the upper and lower ends of the bipolar semiconductor and electrically connected to the bipolar semiconductor, And a sealing member sealing the inside of the heat transfer plate by sealing between the heat transfer plates, wherein a moisture-proof coating is applied to a side surface of the bipolar semiconductor to form a coating layer. Thermoelectric device corrosion prevention device for low temperature inspection. 제 1 항에 있어서,
상기 코팅층은 이극형반도체에 접속되는 상단전극과 하단전극의 내측면에 형성된 구조의 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자 부식 방지 장치.The method according to claim 1,
Wherein the coating layer is formed on the inner surface of the upper electrode and the lower electrode connected to the bipolar semiconductor. 제 2 항에 있어서,
상기 코팅층은 탄소계 유기성 도료 또는 탄소계 무기성 도료인 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자 부식 방지 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the coating layer is a carbon-based organic coating or a carbon-based inorganic coating. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 실링부재는 열전소자의 주변을 따라 열전달판과 열전달판 사이에 설치된 구조의 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자 부식 방지 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the sealing member is disposed between the heat transfer plate and the heat transfer plate along the periphery of the thermoelectric device. 제 4 항에 있어서,
상기 실링부재는 열전소자의 내부에서 이극형반도체와 이극형반도체 사이에 설치된 구조의 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자 부식 방지 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the sealing member is provided between the bipolar semiconductor and the bipolar semiconductor inside the thermoelectric element. 제 5 항에 있어서,
상기 실링부재는 실리콘 입자를 포함하는 에폭시 재질로 이루어진 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자 부식 방지 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the sealing member is made of an epoxy material including silicon particles. 제 6 항에 있어서,
상기 실리콘 입자는 전체 실링부재에 대해 2 ~ 20중량%로 포함된 반도체 온도시험 검사장비의 저온검사용 열전소자 부식 방지 장치.The method according to claim 6,
Wherein the silicon particles are contained in an amount of 2 to 20% by weight based on the total amount of the sealing member.
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