KR101455083B1 - Lighting device - Google Patents

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KR101455083B1
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조석현
윤상호
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Abstract

본 발명의 실시 형태에 따른 조명 장치는, 체결 림과, 상기 체결 림의 내측에 구비되는 지지 플레이트를 포함하는 베이스; 상기 체결 림에 체결되어 상기 지지 플레이트를 커버하며, 공기의 유입을 안내하는 유로와, 상기 유로를 통해 안내된 공기를 내부 공간으로 유입시키는 공기 유입홀을 구비하는 하우징; 상기 하우징에 의해 커버된 상기 지지 플레이트의 일면 상에 배치되어 공기를 상기 하우징의 내부 공간으로 흡기시키고, 흡기된 공기를 상기 베이스에 구비된 공기 방출홀을 통해 외부로 방출하는 냉각팬; 및 상기 지지 플레이트에 장착되는 광원 모듈;을 포함하고, 상기 유로는 상기 하우징의 외부 표면과 단차를 이루며 함몰된 영역을 이루는 것을 특징으로 한다.An illumination device according to an embodiment of the present invention includes a base including a fastening rim and a support plate provided inside the fastening rim; A housing which is fastened to the coupling rim and covers the support plate, and includes a flow path for guiding the inflow of air and an air inflow hole for introducing the air guided through the flow path into the internal space; A cooling fan disposed on one side of the support plate covered by the housing to draw air into the internal space of the housing and to discharge the intake air to the outside through an air release hole provided in the base; And a light source module mounted on the support plate, wherein the channel forms a stepped portion with the outer surface of the housing.

Description

조명 장치{LIGHTING DEVICE}LIGHTING DEVICE

본 발명은 조명 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a lighting device.

일반적으로 발광다이오드(LED)를 조명의 광원으로 사용하는 조명 장치는 광원에서 발생되는 열을 기판을 통해 히트 싱크로 전달하여 외부(예, 외부 공기)로 방출하는 구조이다. 자연 대류를 통한 열전달은 그 효율이 매우 낮아서 광원을 냉각시키기 위해서는 상당히 큰 히트 싱크의 장착이 필요하였다. 이를 개선하는 방법으로 광원과 기판의 접촉을 증가시켜서 열전도를 증대시키거나, 기판의 재질을 금속재료로 구성하여 열전달을 증대시키는 방법 등 다양한 방열 효율을 향상시키는 방법이 요구되고 있다.
2. Description of the Related Art In general, an illumination device using a light emitting diode (LED) as a light source of illumination transmits a heat generated from a light source through a substrate to a heat sink and emits the light to the outside (e.g., outside air). Heat transfer through natural convection was very inefficient and required a considerably large heat sink to cool the light source. There is a need for a method for improving various heat dissipation efficiency such as a method of increasing the contact between the light source and the substrate to increase the heat conduction or a method of increasing the heat transfer by using the material of the substrate as the material of the substrate.

당 기술분야에서는 종래의 자연 대류의 제한적인 방열 효율을 극복하여 방열 효율을 극대화함으로써 광원의 수명을 증대시키고, 광 출력을 향상시킬 수 있는 조명 장치가 요구되고 있다.There is a need in the art for an illumination device capable of increasing the lifetime of a light source and improving light output by overcoming the limited heat radiation efficiency of conventional natural convection to maximize heat radiation efficiency.

또한, 고출력에 따른 방열 효율을 향상시키면서 조명 장치가 ANSI 규격 범위내의 사이즈를 갖도록 하는 조명 장치도 요구되고 있다.
Further, there is also a demand for an illuminating device that allows the lighting device to have a size within the ANSI standard while improving heat radiation efficiency according to high output.

본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 장치는, According to an embodiment of the present invention,

체결 림과, 상기 체결 림의 내측에 구비되는 지지 플레이트를 포함하는 베이스; 상기 체결 림에 체결되어 상기 지지 플레이트를 커버하며, 공기의 유입을 안내하는 유로와, 상기 유로를 통해 안내된 공기를 내부 공간으로 유입시키는 공기 유입홀을 구비하는 하우징; 상기 하우징에 의해 커버된 상기 지지 플레이트의 일면 상에 배치되어 공기를 상기 하우징의 내부 공간으로 흡기시키고, 흡기된 공기를 상기 베이스에 구비된 공기 방출홀을 통해 외부로 방출하는 냉각팬; 및 상기 지지 플레이트에 장착되는 광원 모듈;을 포함하고, 상기 유로는 상기 하우징의 외부 표면과 단차를 이루며 함몰된 영역을 이룰 수 있다.A base including a fastening rim and a support plate provided inside the fastening rim; A housing which is fastened to the coupling rim and covers the support plate, and includes a flow path for guiding the inflow of air and an air inflow hole for introducing the air guided through the flow path into the internal space; A cooling fan disposed on one side of the support plate covered by the housing to draw air into the internal space of the housing and to discharge the intake air to the outside through an air release hole provided in the base; And a light source module mounted on the support plate, wherein the flow path is formed as a stepped portion with the outer surface of the housing.

상기 공기 유입홀은 상기 하우징의 둘레를 따라서 링 형상으로 구비되며, 상기 유로는 상기 하우징의 하단부에서 상기 하우징의 외측면을 따라 상부로 연장되어 상기 공기 유입홀과 연통할 수 있다.The air inlet hole may be formed in a ring shape along the circumference of the housing and may extend upward along the outer surface of the housing at the lower end of the housing to communicate with the air inlet hole.

상기 공기 유입홀은 상기 하우징의 둘레를 따라서 링 형상으로 구비되며, 상기 유로는 상기 공기 유입홀과 대응되는 위치에서 상기 하우징의 둘레를 따라 형성되어 상기 공기 유입홀과 연통하는 제1 유로와, 상기 제1 유로로부터 상기 하우징의 하단부로 연장되어 외부로 개방되는 제2 유로를 포함할 수 있다.Wherein the air inlet hole is formed in a ring shape along the circumference of the housing and the flow path is formed along the circumference of the housing at a position corresponding to the air inlet hole and communicated with the air inlet hole, And a second flow path extending from the first flow path to the lower end of the housing and opening to the outside.

상기 유로는 적어도 하나가 상기 하우징의 외부 표면에 리세스 형태의 함몰된 구조로 구비되어 상기 공기 유입홀과 연통할 수 있다.At least one of the flow passages may be formed in a recessed structure on the outer surface of the housing to communicate with the air inlet hole.

상기 체결 림은 상기 유로와 대응되는 위치에 상기 유로와 대응되는 형태의 홈을 구비하여 상기 하우징의 유로와 이어질 수 있다.The fastening rim may have a groove corresponding to the flow path at a position corresponding to the flow path, and may be connected to the flow path of the housing.

상기 체결 림은 하단부에 외측 방향으로 돌출된 플랜지부를 구비하고, 상기 플랜지부에는 상기 체결 림의 둘레를 따라서 복수의 통기구가 형성되어 상기 하우징의 유로와 이어질 수 있다.The fastening rim has a flange portion protruding outwardly at a lower end portion, and the flange portion has a plurality of vent holes formed along the circumference of the fastening rim, and may be connected to the flow path of the housing.

상기 베이스는 상기 지지 플레이트의 외주면과 상기 체결 림의 내측면 사이에 상기 공기 방출홀을 구비하여 상기 하우징의 내부 공간으로 유입된 공기를 외부로 방출할 수 있다.The base may include the air vent hole between the outer circumferential surface of the support plate and the inner surface of the tightening rim to discharge the air introduced into the inner space of the housing to the outside.

상기 베이스는 상기 지지 플레이트의 중심부에 상기 공기 방출홀을 구비하여 상기 하우징의 내부 공간으로 유입된 공기를 외부로 방출할 수 있다.The base may include the air discharge hole at the center of the support plate to discharge the air introduced into the inner space of the housing to the outside.

상기 베이스는 상기 냉각팬과 마주하는 상기 지지 플레이트의 상기 일면에 복수의 방열핀을 구비할 수 있다.The base may include a plurality of radiating fins on the one surface of the support plate facing the cooling fan.

본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 장치는, According to an embodiment of the present invention,

공기 방출홀을 구비하는 베이스; 상기 베이스의 일측에 배치되며, 외부 표면과 단차를 이루며 함몰된 영역을 형성하는 유로와, 상기 유로를 통해 안내된 공기를 내부 공간으로 유입시키는 공기 유입홀을 구비하는 하우징; 상기 하우징 내에 배치되어 공기를 상기 하우징의 내부 공간으로 흡기시키고, 흡기된 공기를 상기 공기 방출홀을 통해 외부로 방출하는 냉각팬; 및 상기 베이스의 타측에 배치되며, 적어도 하나의 발광소자와 상기 발광소자 상에 배치되는 적어도 하나의 렌즈를 갖는 렌즈 유닛을 포함하는 광원 모듈;을 포함할 수 있다.
A base having an air vent hole; A housing disposed at one side of the base, the housing having a flow path forming a depressed area with a stepped outer surface, and an air inflow hole for introducing the air guided through the flow path into the internal space; A cooling fan disposed in the housing for drawing air into the inner space of the housing and discharging the intake air to the outside through the air discharge hole; And a light source module disposed on the other side of the base and including a lens unit having at least one light emitting element and at least one lens disposed on the light emitting element.

자연 대류의 제한적인 방열 효율을 극복하여 방열 효율을 극대화함으로써 광원의 수명을 증대시키고, 광 출력을 향상시킬 수 있는 조명 장치가 제공될 수 있다.It is possible to provide an illumination device capable of increasing the lifetime of the light source and improving the light output by maximizing the heat radiation efficiency by overcoming the limited heat radiation efficiency of the natural convection.

또한, 고출력에 따른 방열 효율을 향상시키면서 조명 장치가 ANSI 규격 범위내의 사이즈를 갖도록 할 수 있는 조명 장치가 제공될 수 있다.Further, it is possible to provide an illumination device capable of making the illumination device have a size within the ANSI standard while improving the heat radiation efficiency according to the high output.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
The various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and can be more easily understood in the course of describing a specific embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 조명 장치에서 베이스를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3의 베이스 상에 냉각팬이 배치된 상태를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 4의 냉각팬 상에 역류 방지부가 배치된 상태를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 장치가 천장에 장착된 상태를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6의 사시도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 10은 도 8의 조명 장치에서 베이스를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 11은 도 10의 베이스 상에 냉각팬이 배치된 상태를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 12는 도 11의 냉각팬 상에 역류 방지부가 배치된 상태를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 조명 장치가 천장에 장착된 상태를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 14는 도 13의 사시도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 조명 장치가 천장에 장착된 상태를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 18은 도 15의 조명 장치에서 광원 모듈을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 19는 도 18의 광원 모듈에서 렌즈 유닛을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 20은 도 19의 렌즈 유닛에서 렌즈를 개략적으로 나타내는 절개사시도이다.
도 21은 도 18의 광원 모듈에서 광 경로를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 22는 렌즈의 배광 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 23a 내지 도 23c는 성형틀을 사용해 렌즈를 구비한 렌즈 유닛을 제조하는 공정을 단계별로 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 24a 및 도 24b에서는 일반적인 구조의 집광 렌즈와 본 실시예에 따른 슬림형 렌즈를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 25는 본 발명의 다양한 실시 형태에 따른 조명 장치에 채용될 수 있는 기판의 일 실시 형태를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 26은 상기 기판의 다른 실시 형태를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 27은 상기 도 26의 변형예에 따른 기판을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 28 내지 도 31은 상기 기판의 또 다른 다양한 실시 형태를 각각 개략적으로 나타내는 단면도들이다.
도 32는 본 발명의 다양한 실시 형태에 따른 조명 장치에 채용가능한 발광소자(LED 칩)의 일 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 33은 도 32의 발광소자(LED 칩)의 다른 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 34는 도 32의 발광소자(LED 칩)의 또 다른 예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 35는 본 발명의 다양한 실시 형태에 따른 조명 장치에 채용가능한 발광소자(LED 칩)로서 실장용 기판에 실장된 LED 칩의 예를 나타내는 단면도이다.
도 36은 CIE 1931 좌표계이다.
도 37은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 시스템을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 38은 도 37에 도시된 조명 시스템의 조명부의 상세 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 39는 도 37에 도시된 조명 시스템의 제어방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 40은 도 37에 도시된 조명 시스템을 개략적으로 구현한 사용 예시도이다.
도 41은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 조명 시스템의 블록도이다.
도 42는 본 발명의 지그비 신호의 포맷도이다.
도 43은 본 발명의 센싱 신호 분석부 및 동작 제어부의 설명도이다.
도 44는 본 발명의 무선 조명 시스템의 동작 흐름도이다.
도 45는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 조명 시스템의 구성 요소를 간략히 도시한 블록도이다.
도 46은 조명 시스템의 제어방법을 도시한 흐름도이다.
도 47은 또 다른 실시 형태에 따른 조명 시스템의 제어방법을 도시한 흐름도이다.
도 48은 또 다른 실시 형태에 따른 조명 시스템의 제어방법을 도시한 흐름도이다.
1 is an exploded perspective view schematically showing a lighting apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing a lighting apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view schematically showing a base in the illumination device of FIG.
FIG. 4 is a perspective view schematically showing a state where a cooling fan is disposed on the base of FIG. 3. FIG.
Fig. 5 is a perspective view schematically showing a state in which the backflow prevention portion is disposed on the cooling fan of Fig. 4;
6 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a lighting apparatus according to an embodiment of the present invention is mounted on a ceiling.
Fig. 7 is a perspective view of Fig. 6. Fig.
8 is an exploded perspective view schematically showing a lighting apparatus according to another embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view schematically showing a lighting apparatus according to another embodiment of the present invention.
10 is a perspective view schematically showing a base in the illumination apparatus of FIG.
11 is a perspective view schematically showing a state in which a cooling fan is disposed on the base of Fig.
Fig. 12 is a perspective view schematically showing a state in which the backflow prevention portion is disposed on the cooling fan of Fig. 11. Fig.
13 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a lighting apparatus according to another embodiment of the present invention is mounted on a ceiling.
14 is a perspective view of Fig.
15 is an exploded perspective view schematically showing a lighting apparatus according to still another embodiment of the present invention.
16 is a cross-sectional view schematically showing a lighting apparatus according to still another embodiment of the present invention.
17 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a lighting apparatus according to another embodiment of the present invention is mounted on a ceiling.
FIG. 18 is a perspective view schematically showing a light source module in the illumination device of FIG. 15; FIG.
Fig. 19 is a perspective view schematically showing a lens unit in the light source module of Fig. 18; Fig.
Fig. 20 is an exploded perspective view schematically showing a lens in the lens unit of Fig. 19; Fig.
21 is a cross-sectional view schematically showing a light path in the light source module of Fig. 18;
22 is a graph showing a light distribution curve of the lens.
23A to 23C are cross-sectional views schematically showing steps of manufacturing a lens unit with a lens using a mold.
24A and 24B are cross-sectional views schematically showing a condensing lens of a general structure and a slim lens according to the present embodiment.
25 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of a substrate that may be employed in a lighting apparatus according to various embodiments of the present invention.
26 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the substrate.
FIG. 27 is a cross-sectional view schematically showing a substrate according to a modification of FIG. 26; FIG.
Figs. 28 to 31 are cross-sectional views schematically showing still another various embodiments of the substrate, respectively.
32 is a cross-sectional view schematically showing an example of a light emitting device (LED chip) that can be employed in a lighting apparatus according to various embodiments of the present invention.
33 is a cross-sectional view schematically showing another example of the light emitting device (LED chip) of Fig. 32. Fig.
34 is a cross-sectional view schematically showing another example of the light emitting device (LED chip) of Fig. 32. Fig.
35 is a cross-sectional view showing an example of an LED chip mounted on a mounting substrate as a light emitting element (LED chip) that can be employed in a lighting apparatus according to various embodiments of the present invention.
36 is a CIE 1931 coordinate system.
37 is a block diagram schematically showing an illumination system according to an embodiment of the present invention.
Fig. 38 is a block diagram schematically showing the detailed configuration of the illumination unit of the illumination system shown in Fig. 37;
39 is a flowchart for explaining the control method of the illumination system shown in Fig.
Fig. 40 is a use example schematically illustrating the illumination system shown in Fig. 37. Fig.
41 is a block diagram of a lighting system according to another embodiment of the present invention.
42 is a format diagram of the ZigBee signal of the present invention.
43 is an explanatory diagram of a sensing signal analysis unit and an operation control unit of the present invention.
44 is a flowchart of the operation of the wireless lighting system of the present invention.
45 is a block diagram schematically illustrating components of an illumination system according to another embodiment of the present invention.
46 is a flowchart showing a control method of the illumination system.
47 is a flowchart showing a control method of a lighting system according to still another embodiment.
48 is a flowchart showing a control method of a lighting system according to still another embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art.

따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 장치에 대해 설명한다. A lighting apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a lighting apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a lighting apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2와 함께 도 1을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 조명 장치(10)는 베이스(100), 하우징(200), 냉각팬(300), 광원 모듈(400)을 포함할 수 있다.
Referring to FIG. 1 together with FIG. 2, the lighting apparatus 10 according to the present embodiment may include a base 100, a housing 200, a cooling fan 300, and a light source module 400.

베이스(100)는 냉각팬(300)과 광원 모듈(400)이 장착되어 고정되는 프레임 부재의 일종으로 체결 림(rim)(110)과, 상기 체결 림(110)의 내측에 구비되는 지지 플레이트(120)를 포함할 수 있다. The base 100 is a type of frame member to which the cooling fan 300 and the light source module 400 are mounted and fixed. The base 100 includes a rim 110 and a support plate (not shown) provided inside the coupling rim 110 120).

상기 체결 림(110)은 중심축(O)에 수직한 링 형태의 구조를 가지며, 하단부에 외측 방향으로 돌출된 플랜지부(111)를 구비할 수 있다. 이러한 플렌지부(111)는 도 6 및 도 7에서 도시하는 바와 같이 조명 장치(10)를 천장(1)과 같은 구조물에 장착하는 경우 천장(1)에 구비된 홀(2)에 끼워져 조명 장치(10)가 고정되도록 하는 역할을 한다. The fastening rim 110 may have a ring-shaped structure perpendicular to the center axis O and may have a flange portion 111 projecting outward at a lower end thereof. 6 and 7, the flange unit 111 is inserted into the hole 2 provided in the ceiling 1 when the lighting apparatus 10 is mounted on a structure such as the ceiling 1, 10) is fixed.

상기 체결 림(110)은 중심부 방향으로 함몰된 구조의 홈(112)을 구비할 수 있다. 상기 홈(112)은 추후 설명하는 하우징(200)의 유로(220)와 대응되는 형태를 가지며, 상기 유로(220)와 대응되는 위치에 형성된다. 이를 통해 상기 유로(220)는 상기 홈(112)과 연속하는 구조로 이어져 상기 유로(220)가 상기 체결 림(110)의 하부를 통해 외부로 노출될 수 있도록 한다. The fastening rim 110 may have a groove 112 recessed toward the center. The groove 112 has a shape corresponding to the flow path 220 of the housing 200 to be described later and is formed at a position corresponding to the flow path 220. The flow path 220 is continuous with the groove 112 so that the flow path 220 can be exposed to the outside through the lower portion of the coupling rim 110.

본 명세서에서 사용되는 '상부', '하부', '상면', '하면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 조명 장치가 배치되는 방향에 따라 그 용어는 달라질 수 있을 것이다.
As used herein, the terms 'upper', 'lower', 'upper', 'lower' and the like are based on the drawings and the term may vary depending on the direction in which the lighting apparatus is disposed.

본 실시 형태에 채용된 베이스(100)는 도 3을 참조하여 상세히 설명될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 지지 플레이트(120)는 상기 체결 림(110)의 내주면에 중심축(O) 방향과 수직한 수평 구조로 구비되며, 부분적으로 상기 체결 림(110)과 연결될 수 있다. 상기 지지 플레이트(120)는 서로 대향하는 평평한 일면(상면)(120a)과 타면(하면)(120b)을 가지며, 상기 일면(120a)에 복수의 방열핀(121)을 구비할 수 있다. 상기 복수의 방열핀(121)은 상기 지지 플레이트(120)의 중심에서 테두리 방향을 향해 방사상으로 배열될 수 있다. 이 경우, 상기 복수의 방열핀(121)은 각각 곡면을 가지며 전체적으로 나선형을 이루는 구조로 배열될 수 있다. 본 실시 형태에서는 구부러진 형태의 곡면을 갖는 상기 복수의 방열핀(121)이 나선형 구조로 배열되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 방열핀(121)은 직선 등의 기타 다양한 형태를 가지는 것도 가능하다. The base 100 employed in this embodiment can be described in detail with reference to Fig. 3, the support plate 120 has a horizontal structure perpendicular to the direction of the central axis O on the inner circumferential surface of the coupling rim 110, and may be partially connected to the coupling rim 110 have. The support plate 120 has a flat upper surface 120a and a lower surface 120b opposite to each other and a plurality of radiating fins 121 may be provided on the upper surface 120a. The plurality of radiating fins 121 may be arranged radially toward the rim from the center of the support plate 120. In this case, the plurality of radiating fins 121 may have a curved surface and may be arranged in a spiral shape as a whole. In the present embodiment, the plurality of radiating fins 121 having curved curved surfaces are arranged in a spiral structure. However, the present invention is not limited thereto, and the radiating fins 121 may have various other shapes such as straight lines .

상기 일면(120a)에는 고정부(122)가 소정 높이로 돌출되어 형성될 수 있다. 상기 고정부(122)에는 스크류 홀이 형성되어 추후 설명하는 하우징(200) 및 냉각팬(300)을 스크류(s)와 같은 고정수단을 통해 고정시킬 수 있다. The fixing portion 122 may protrude from the one surface 120a at a predetermined height. A screw hole is formed in the fixing part 122 to fix the housing 200 and the cooling fan 300 to be described later through fixing means such as a screw s.

상기 지지 플레이트(120)의 타면(120b)에는 추후 설명하는 광원 모듈(400)이 장착된다. 상기 타면(120b)에는 하부 방향으로 소정 높이를 가지며 돌출된 측벽(123)이 테두리 둘레를 따라서 구비될 수 있다. 이러한 측벽(123)의 내측으로는 소정 크기의 공간이 마련되어 상기 광원 모듈(400)을 그 내부에 수용할 수 있다.
A light source module 400 to be described later is mounted on the other surface 120b of the support plate 120. On the other surface 120b, a protruded side wall 123 having a predetermined height in the downward direction may be provided along the circumference of the rim. A space of a predetermined size is provided inside the side wall 123 to accommodate the light source module 400 therein.

상기 베이스(100)는 상기 지지 플레이트(120)의 외주면과 상기 체결 림(110)의 내측면 사이에 슬릿 형태의 공기 방출홀(130)을 구비할 수 있다. 상기 공기 방출홀(130)은 공기가 상기 지지 플레이트(120)의 일면(120a)에서 타면(120b) 방향으로 빠져나가는 통로 역할을 하며, 따라서 공기가 일면(120a) 쪽에 정체되지 않고 연속적으로 흐름을 유지할 수 있도록 한다.
The base 100 may include a slit-shaped air vent hole 130 between the outer circumferential surface of the support plate 120 and the inner surface of the concert rim 110. The air discharge hole 130 serves as a passage through which the air escapes from one surface 120a of the support plate 120 toward the other surface 120b so that the air flows continuously without being stagnated toward the one surface 120a. .

상기 베이스(100)는 열원인 광원 모듈(400)과 직접적으로 접촉하는 부분이므로 히트 싱크와 같은 방열 기능을 수행할 수 있도록 열전도율이 우수한 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 열전도율이 우수한 금속 또는 수지 등을 사용하여 사출 성형 등을 통해 체결 림(110)과 지지 플레이트(120)가 일체로 이루어진 베이스(100)를 형성할 수 있다. 또한, 체결 림(110)과 지지 플레이트(120)는 각각 별개의 구성요소로 개별 제조되어 조립될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(120)는 열전도율이 우수한 금속 또는 수지 등으로 이루어질 수 있고, 조명 장치 교체와 같은 작업 시 사용자가 직접 파지하는 부분인 체결 림(110)의 경우 화상에 의한 피해가 발생하는 것을 방지하도록 상대적으로 열전도율이 낮은 재질로 이루어질 수 있다.
Since the base 100 directly contacts the light source module 400 as a heat source, the base 100 may be made of a material having a high thermal conductivity so as to perform a heat dissipating function like a heat sink. For example, the base 100 having the fastening rim 110 and the support plate 120 integrally formed by injection molding or the like can be formed using a metal or resin having a high thermal conductivity. Further, the fastening rim 110 and the support plate 120 may be individually manufactured and assembled as separate components. In this case, the support plate 120 may be made of a metal or resin having a good thermal conductivity, and may cause damage due to an image in the case of the fastening rim 110, It may be made of a material having a relatively low thermal conductivity.

도 1 및 도 2에서와 같이, 하우징(200)은 상기 베이스(100)의 일측에 배치되며, 구체적으로 상기 체결 림(110)에 체결되어 상기 지지 플레이트(120)를 커버한다. 상기 하우징(200)은 상부로 볼록한 포물면 형태를 가지며, 상단부 쪽에는 외부 전원(예를 들어, 소켓)과의 체결을 위해 단자부(210)가 구비되고, 상기 베이스(100)와 체결되는 하단부 쪽에는 개구가 형성될 수 있다. 특히, 상기 하우징(200)에는 외부로부터 공기의 유입을 안내하도록 상기 하우징(200)의 외부 표면과 단차를 이루며 함몰된 영역을 형성하는 유로(220)와, 상기 유로(220)를 통해 안내된 공기를 내부 공간으로 유입시키는 공기 유입홀(230)이 구비된다. 1 and 2, the housing 200 is disposed on one side of the base 100, and specifically, the housing 200 is fastened to the fastening rim 110 to cover the support plate 120. The housing 200 has a convex parabolic shape at the top and a terminal portion 210 for fastening to an external power source such as a socket at an upper end thereof. An opening may be formed. Particularly, the housing 200 is provided with a flow path 220 forming a stepped portion with a step difference from the outer surface of the housing 200 to guide inflow of air from the outside, An air inlet hole 230 for introducing air into the inner space.

상기 공기 유입홀(230)은 상기 하우징(200)의 상단부 쪽에 인접하여 상기 하우징(200)의 둘레를 따라서 링 형상으로 구비될 수 있다. 그리고, 상기 유로(220)는 적어도 하나가 상기 하우징(200)의 외부 표면에 리세스 형태의 함몰된 구조로 형성되며, 상기 하우징(200)의 하단부에서 상기 하우징(200)의 외측면을 따라 상부로 연장되어 상기 공기 유입홀(230)과 연통하는 구조로 구비될 수 있다. The air inlet hole 230 may be formed in a ring shape along the periphery of the housing 200 adjacent to the upper end of the housing 200. At least one of the flow paths 220 is formed in a recessed structure on the outer surface of the housing 200. The flow path 220 is formed at the lower end of the housing 200 along the outer surface of the housing 200, And may communicate with the air inlet hole 230.

구체적으로, 상기 유로(220)는 상기 공기 유입홀(230)과 대응되는 위치에서 상기 하우징(200)의 둘레를 따라 형성되어 상기 공기 유입홀(230)과 연통하는 제1 유로(221)와, 상기 제1 유로(221)로부터 상기 하우징(200)의 하단부로 연장되어 외부로 개방되는 제2 유로(222)를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제2 유로(222)는 상기 하우징(200)의 하단부에 체결된 상기 체결 림(110)의 상기 홈(112)과 연속하는 구조로 이어지며, 상기 체결 림(110)의 하부로 연장되어 외부로 개방될 수 있다. 따라서, 외부 공기는 상기 체결 림(110)의 하부 방향에서 상기 하우징(200)의 외부 표면의 일부인 상기 유로(220)를 따라 유입 및 상부 방향으로 안내되고, 상기 공기 유입홀(230)을 통해 상기 하우징(200)의 내부 공간으로 유입될 수 있다. 본 실시 형태에서는 상기 제2 유로(222)가 한 쌍으로 서로 마주하는 구조로 구비되는 것으로 도시하고 있으나, 상기 제2 유로(222)의 개수 및 구비 위치는 다양하게 변경 가능하다.
Specifically, the flow path 220 includes a first flow path 221 formed along the circumference of the housing 200 at a position corresponding to the air inflow hole 230 and communicating with the air inflow hole 230, And a second flow path 222 extending from the first flow path 221 to the lower end of the housing 200 and opened to the outside. The second flow path 222 is continuous with the groove 112 of the coupling rim 110 fastened to the lower end of the housing 200 and extends to the lower portion of the coupling rim 110 And can be opened to the outside. Therefore, the outside air is guided in the inflow and upward direction along the passage 220 which is a part of the outer surface of the housing 200 in the downward direction of the coupling rim 110, And may be introduced into the inner space of the housing 200. In the present embodiment, the second flow paths 222 are arranged to be opposed to each other in a pair. However, the number and position of the second flow paths 222 may be variously changed.

도 4에서는 상기 베이스(100) 상에 냉각팬(300)이 배치된 상태를 개략적으로 나타내고 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 하우징(200) 내부에는 냉각팬(300)이 구비될 수 있다. 상기 냉각팬(300)은 상기 지지 플레이트(120)의 일면(120a) 상에 배치되어 외부로부터 공기를 상기 하우징(200)의 내부 공간으로 강제 흡기시키고, 흡기된 공기를 상기 베이스(100)에 구비된 공기 방출홀(130)을 통해 외부로 강제 방출한다. 이러한 강제적인 공기 흐름을 통해 상기 베이스(100)에 장착된 광원 모듈(400)에서 발생되는 열을 외부로 빠르게 방출하여 조명 장치(10)의 온도를 낮출 수 있다. FIG. 4 schematically shows a state in which the cooling fan 300 is disposed on the base 100. As shown in FIG. 4, a cooling fan 300 may be installed in the housing 200. The cooling fan 300 is disposed on one surface 120a of the support plate 120 so as to force air from the outside into the inner space of the housing 200 and to supply the intake air to the base 100 The air is discharged through the air discharge hole 130 to the outside. The heat generated from the light source module 400 mounted on the base 100 can be rapidly released to the outside through the forced air flow, thereby lowering the temperature of the lighting apparatus 10. [

상기 냉각팬(300)은 상기 지지 플레이트(120)의 고정부(122)에 놓여 지지되고 고정될 수 있다. 그리고, 상기 냉각팬(구체적으로, 상기 냉각팬의 상면)은 상기 하우징(200)에 구비된 공기 유입홀(230)과 적어도 동일 수평선 상에 놓이거나 보다 낮은 위치에 놓이도록 배치될 수 있다. 따라서, 공기 유입홀(230)을 통해 하우징(200)의 내부 공간으로 흡기된 공기가 상기 냉각팬(300)을 통과하여 바로 베이스(100)로 흐르도록 하여 공기의 이동 경로를 단순화할 수 있고, 따라서 공기의 흐름이 보다 원활해지도록 하여 방열 효율을 향상시킬 수 있다.
The cooling fan 300 may be supported and fixed on the fixing portion 122 of the support plate 120. The cooling fan (specifically, the upper surface of the cooling fan) may be disposed on at least the same horizontal line as the air inlet hole 230 provided in the housing 200 or at a lower position. Accordingly, air introduced into the internal space of the housing 200 through the air inlet hole 230 flows through the cooling fan 300 directly to the base 100, thereby simplifying the air flow path, Therefore, the flow of air can be made more smooth and the heat radiation efficiency can be improved.

도 5에서는 상기 냉각팬(300) 상에 역류 방지부(500)가 배치된 상태를 개략적으로 나타내고 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 냉각팬(300) 상에는 역류 방지부(500)를 배치하여 상기 냉각팬(300)을 통해 상기 하우징(200) 내부 공간으로 흡기된 공기가 역류하는 것을 방지하도록 할 수 있다. 상기 역류 방지부(500)는 중앙홀(511)이 형성된 링 형태의 몸체(510)와, 상기 중앙홀(511)을 향해 연장된 복수의 가이드 핀(520)을 포함할 수 있다. 본 실시 형태에서는 상기 복수의 가이드 핀(520)이 곡면을 가지며 구부러져 나선형 구조로 배열되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 5 schematically shows a state in which the backflow prevention part 500 is disposed on the cooling fan 300. As shown in FIG. 5, the backflow prevention part 500 is disposed on the cooling fan 300 to prevent the intake air from flowing back into the internal space of the housing 200 through the cooling fan 300 . The backflow prevention part 500 may include a ring-shaped body 510 having a center hole 511 and a plurality of guide pins 520 extending toward the center hole 511. In the present embodiment, the plurality of guide pins 520 are curved and have a curved surface and are arranged in a spiral structure, but the present invention is not limited thereto.

상기 몸체(510)는 외주면이 상기 하우징(200)의 내측면과 접촉하는 구조로 형성될 수 있으며, 이를 통해 상기 냉각팬(300)과 상기 하우징(200) 사이의 틈을 막을 수 있다. 그리고, 상기 중앙홀(511)은 상기 냉각팬(300)과 대응되는 크기 및 형태로 형성될 수 있다. 상기 몸체(510)는 상기 하우징(200)에 구비된 공기 유입홀(230)과 적어도 동일 수평선 상에 놓이거나 보다 낮은 위치에 놓이도록 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 냉각팬(300)은 상기 역류 방지부(500)보다 낮은 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 하우징(200)의 공기 유입홀(230)을 통해 내부로 흡기된 공기는 온전히 상기 몸체(510)의 중앙홀(511)을 통과하여 상기 냉각팬(300)으로 흐르게 된다.
The body 510 may have a structure in which an outer circumferential surface thereof is in contact with an inner surface of the housing 200 to prevent a gap between the cooling fan 300 and the housing 200. The center hole 511 may have a size and shape corresponding to the cooling fan 300. The body 510 may be disposed on at least the same horizontal line as the air inlet hole 230 provided in the housing 200 or at a lower position. In this case, the cooling fan 300 may be disposed at a position lower than the backflow prevention part 500. The air sucked into the interior of the housing 200 through the air inlet hole 230 passes through the center hole 511 of the body 510 and flows into the cooling fan 300. [

한편, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(400)은 상기 복수의 방열핀(121)이 구비된 상기 지지 플레이트(120)의 일면(120a)과 대향하는 타면(120b)에 장착되어 광을 조사한다. 상기 광원 모듈(400)은 기판(410)과, 상기 기판(410)에 장착되는 적어도 하나의 발광소자(420)를 포함할 수 있다. 1 and 2, the light source module 400 is mounted on the other surface 120b opposite to the one surface 120a of the support plate 120 having the plurality of heat radiation fins 121, Light is irradiated. The light source module 400 may include a substrate 410 and at least one light emitting device 420 mounted on the substrate 410.

상기 기판(410)은 일반적인 FR4 타입의 PCB일 수 있고, 에폭시, 트리아진, 실리콘, 및 폴리이미드 등을 함유하는 유기 수지소재 및 기타 유기 수지소재로 형성되거나, AlN, Al2O3 등의 세라믹 소재, 또는 금속 및 금속화합물을 소재로 하여 형성될 수 있으며, MCPCB등을 포함할 수 있다.
The substrate 410 may be a general may be of FR4 type PCB, epoxy, triazine, silicone, and polyimide or the like or formed of an organic resin material, and other organic resin material containing a ceramic such as AlN, Al 2 O 3 Materials, or metal and metal compounds, and may include MCPCB and the like.

발광소자(420)는 상기 기판(410)상에 실장되어 전기적으로 접속된다. 상기 발광소자(420)는 외부에서 인가되는 전원에 의해 소정 파장의 빛을 발생시키는 반도체 소자의 일종이며, 발광다이오드(LED)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(420)는 함유되는 물질에 따라서 청색광, 녹색광 또는 적색광을 발광할 수 있으며, 백색광을 발광할 수도 있다. The light emitting device 420 is mounted on the substrate 410 and electrically connected thereto. The light emitting device 420 is a kind of semiconductor device that generates light of a predetermined wavelength by an external power source, and may include a light emitting diode (LED). The light emitting device 420 may emit blue light, green light, or red light, or may emit white light depending on the contained substance.

상기 발광소자(420)는 복수개가 상기 기판(410) 상에 배열될 수 있다. 이 경우, 상기 발광소자(420)는 동일한 파장의 빛을 발생시키는 동종(同種)이거나 또는 서로 상이한 파장의 빛을 발생시키는 이종(異種)으로 다양하게 구성될 수 있다. 상기 발광소자(420)는 LED 칩 자체일 수 있고, 또는 LED 칩을 내부에 구비하는 패키지 단품일 수 있다.
A plurality of the light emitting devices 420 may be arranged on the substrate 410. In this case, the light emitting devices 420 may be of the same type emitting light of the same wavelength, or may be of different types generating different light of different wavelengths. The light emitting device 420 may be an LED chip itself, or may be a single package having an LED chip therein.

한편, 상기 베이스(100)에는 상기 기판(410)과 발광소자(420)를 덮는 커버(600)가 장착될 수 있다. 상기 커버(600)는 상기 발광소자(420)에서 발생된 광이 외부로 조사될 수 있도록 투명 또는 반투명의 재질, 예를 들어, 실리콘 또는 에폭시 등의 수지로 형성될 수 있으며, 글라스를 소재로 형성될 수도 있다. Meanwhile, a cover 600 covering the substrate 410 and the light emitting device 420 may be mounted on the base 100. The cover 600 may be formed of a transparent or semitransparent material such as silicone or epoxy so that the light generated from the light emitting device 420 may be irradiated to the outside, .

상기 커버(600)는 각 발광소자(420)에 대응하여 렌즈(610)를 구비할 수 있다. 상기 렌즈(610)는 각 발광소자(420)와 마주하여 배치되며, 상기 발광소자(420)에서 발생되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 본 실시 형태에서는 상기 커버(600)에 각 발광소자(420)에 대응하는 렌즈(610)가 구비되는 구조를 설명하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 도면으로 도시하지는 않았으나, 상기 커버(600)는 그 자체가 렌즈로서 기능을 수행할 수 있도록 볼록 렌즈 형태로 돌출된 구조를 가질 수 있다. The cover 600 may include a lens 610 corresponding to each light emitting device 420. The lens 610 is arranged to face each light emitting device 420 and can control a directivity angle of the light generated from the light emitting device 420. In the present embodiment, the structure in which the cover 600 is provided with the lenses 610 corresponding to the light emitting devices 420 is described, but the present invention is not limited thereto. Although not shown in the drawings, the cover 600 may have a structure protruding in the form of a convex lens so as to function as a lens itself.

상기 커버(600)는 광 확산제를 함유할 수 있다. 이러한 광 확산제는 나노 크기의 입도를 가질 수 있으며, SiO2, TiO2 및 Al2O3등으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
The cover 600 may contain a light diffusing agent. Such a light diffusing agent may have a nano-sized particle size and may include one or more materials selected from the group consisting of SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 , and the like.

도 6 및 도 7에서는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 장치(10)가 천장(1)에 장착된 상태를 개략적으로 나타내고 있다. 상기 천장(1)에는 고정 유닛(3)이 장착되어 상기 조명 장치(10)를 체결 및 고정시킬 수 있으며, 상기 조명 장치(10)에 전원을 공급할 수 있다. 상기 조명 장치(10)는 상기 고정 유닛(3)에 의해 상기 천장(1)의 상부에 밀폐된 상태로 고정될 수 있다.6 and 7 schematically show a state in which the lighting apparatus 10 according to the embodiment of the present invention is mounted on the ceiling 1. Fig. A fixing unit 3 is mounted on the ceiling 1 to fasten and fix the lighting device 10 and supply power to the lighting device 10. [ The lighting device 10 can be fixed in a closed state on the ceiling 1 by the fixing unit 3. [

도시하는 바와 같이, 조명 장치(10)는 체결 림(110)이 상기 천장(1)의 홀(2)에 끼워지는 구조로 체결될 수 있다. 상기 천장(1)의 홀(2)은 상기 체결 림(110)과 대응되는 형태로 구비될 수 있으며, 따라서, 상기 체결 림(110)과 상기 홀(2) 사이에는 상기 체결 림(110)에 형성된 홈(112)에 상당하는 공간 외에는 틈새가 발생하지 않는다. 본 실시 형태에서는 조명 장치(10)가 상기 천장(1)의 홀(2)에 끼워지는 구조로 설명하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 상기 고정 유닛(3)이 상기 천장(1)의 홀(2)에 끼워지는 구조로 장착될 수 있고, 상기 조명 장치(10)는 체결 림(110)을 통해 상기 고정 유닛(3)에 끼워지는 구조로 체결될 수도 있다. 이 경우에도 상기 체결 림(110)과 상기 고정 유닛(3) 사이에는 상기 홈(112)에 상당하는 공간 외에는 틈이 발생하지 않을 수 있다.
As shown in the drawing, the lighting apparatus 10 can be fastened in such a structure that the fastening rim 110 is fitted in the hole 2 of the ceiling 1. [ The hole 2 of the ceiling 1 may be formed in a shape corresponding to the coupling rim 110 and may be formed between the coupling rim 110 and the hole 2, A gap is not generated except for the space corresponding to the formed groove 112. In the present embodiment, the lighting apparatus 10 is described as being fitted in the hole 2 of the ceiling 1, but the present invention is not limited thereto. That is, the fixing unit 3 can be mounted in a structure to be fitted in the hole 2 of the ceiling 1, and the lighting device 10 can be mounted on the fixing unit 3 via the fastening rim 110 And may be fastened with a fitting structure. In this case, no gap may be formed between the clamping rim 110 and the fixed unit 3 except for the space corresponding to the groove 112.

전원 공급에 의해 상기 하우징(200) 내의 냉각팬(300)이 작동하면 상기 체결 림(110)과 상기 천장(1) 사이의 공간인 상기 홈(112)을 통해 외부 공기(A)가 유입되며, 유입된 공기(A)는 상기 하우징(200)의 외부 표면에 형성된 상기 유로(220)를 따라 상기 하우징(200)의 하단부에서 상단부 방향으로 안내된다. 그리고, 상기 공기(A)는 상기 하우징(200)의 공기 유입홀(230)을 통해 상기 하우징(200)의 내부 공간으로 흡기된다. 하우징(200)의 내부 공간으로 흡기된 공기(A)는 냉각팬(300)을 통과하여 베이스(100)의 지지 플레이트(120)로 이송되고, 상기 지지 플레이트(120) 상의 방열핀(121)을 따라서 테두리 방향을 향해 방사상으로 흘러 상기 공기 방출홀(130)을 통해 외부로 방출된다. 이때, 상기 지지 플레이트(120) 상의 가열된 공기(A')는 하우징(200) 내부로 강제로 흡기되어 외부로 방출되는 공기의 흐름과 함께 외부로 방출됨으로써 상기 지지 플레이트(120) 및 상기 지지 플레이트(120)에 장착된 광원 모듈(400)을 냉각시키게 된다. 또한, 상기 하우징(200) 내부로 계속해서 흡기되는 차가운 공기(A)에 의해 상기 하우징(200) 내부를 냉각시키게 된다. 특히, 본 발명의 실시 형태에 따른 조명 장치(10)의 경우 하우징(200)의 외부 표면에 공기(A) 흐름을 위한 유로(220)를 구비함으로써 하우징(200)을 덮는 밀폐된 고정 유닛(3)(예를 들어, 하우징과 대응되는 형태를 가져 하우징의 외부 표면에 밀착되는 소켓 구조물)내에 조명 장치(10)를 장착하더라도 상기 유로(220)에 의해 형성되는 공간을 통해 외부 공기(A)를 하우징(200) 내부로 흡기하는 것이 가능하다. 이와 같이, 외부의 차가운 공기(A)를 강제로 흡기하여 조명 장치(10)를 냉각시킴으로써 방열 효율을 극대화할 수 있고, 따라서 광원 모듈(400)의 수명이 증대됨은 물론 발광효율도 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
When the cooling fan 300 in the housing 200 is operated by the power supply, the external air A flows through the groove 112, which is a space between the coupling rim 110 and the ceiling 1, The introduced air A is guided from the lower end to the upper end of the housing 200 along the flow path 220 formed on the outer surface of the housing 200. The air A is sucked into the inner space of the housing 200 through the air inlet hole 230 of the housing 200. The air A sucked into the internal space of the housing 200 is transferred to the support plate 120 of the base 100 through the cooling fan 300 and is guided along the heat radiating fins 121 on the support plate 120 And flows radially toward the rim direction and is discharged to the outside through the air discharge hole 130. At this time, the heated air A 'on the support plate 120 is forced to be sucked into the housing 200 and is discharged to the outside along with the flow of air discharged to the outside, whereby the support plate 120 and the support plate 120' Thereby cooling the light source module 400 mounted on the display unit 120. In addition, the inside of the housing 200 is cooled by the cold air A which is continuously sucked into the inside of the housing 200. Particularly, in the case of the lighting apparatus 10 according to the embodiment of the present invention, the flow path 220 for the air (A) flow is provided on the outer surface of the housing 200, Even if the lighting apparatus 10 is mounted in a socket structure (for example, a socket structure having a shape corresponding to the housing and closely adhered to the outer surface of the housing), the external air A is supplied through the space formed by the flow path 220 It is possible to suck the air into the housing 200. Thus, the cooling efficiency of the lighting apparatus 10 can be maximized by forcibly blowing the external cold air A, thereby increasing the lifetime of the light source module 400 and improving the luminous efficiency. Can be obtained.

도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 조명 장치에 대해 설명한다. A lighting apparatus according to another embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 8 and 9. Fig.

도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이고, 도 9는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 조명 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
FIG. 8 is an exploded perspective view schematically showing a lighting apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a sectional view schematically showing a lighting apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9에서 도시하는 실시 형태에 따른 조명 장치를 구성하는 구성은 상기 도 1 내지 도 7에 도시된 실시 형태와 기본적인 구조는 실질적으로 동일하다. 다만, 베이스 및 광원의 구조가 상기 도 1 내지 도 7에 도시된 실시 형태와 다르기 때문에 이하에서는 앞서 설명한 실시형태와 중복되는 부분에 관한 설명은 생략하고, 베이스 및 광원 모듈에 관한 구성을 위주로 설명한다.
The constitution of the illumination device according to the embodiment shown in Figs. 8 and 9 is substantially the same as that of the embodiment shown in Figs. 1 to 7 above. However, since the structures of the base and the light source are different from those of the embodiments shown in Figs. 1 to 7, the description of the parts overlapping with those of the above-described embodiment will be omitted, and the structure related to the base and the light source module will be mainly described .

도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 조명 장치(10')는 베이스(100'), 하우징(200'), 냉각팬(300'), 광원 모듈(400')을 포함할 수 있다.
8 and 9, a lighting apparatus 10 'according to another embodiment of the present invention includes a base 100', a housing 200 ', a cooling fan 300', a light source module 400 ' .

베이스(100')는 체결 림(rim)(110')과, 상기 체결 림(110')의 내측에 구비되는 지지 플레이트(120')를 포함할 수 있다. The base 100 'may include a rim 110' and a support plate 120 'disposed inside the rim 110'.

상기 체결 림(110')은 중심축(O)에 수직한 링 형태의 구조를 가지며, 하단부에 외측 방향으로 돌출된 플랜지부(111')를 구비할 수 있다. 상기 플렌지부(111')는 도 13 및 도 14에서와 같이 조명 장치(10')를 천장(1)과 같은 구조물에 장착하는 경우 천장(1)에 구비된 홀(2)에 끼워져 조명 장치(10')가 고정되도록 하는 역할을 한다. The fastening rim 110 'has a ring-shaped structure perpendicular to the center axis O and may have a flange portion 111' protruding outward at a lower end thereof. 13 and 14, the flange part 111 'is fitted in the hole 2 provided in the ceiling 1 when the lighting device 10' is mounted on a structure such as the ceiling 1, 10 ') are fixed.

상기 플랜지부(111')에는 복수의 통기구(113')가 상기 체결 림(110')의 둘레를 따라서 형성될 수 있다. 상기 복수의 통기구(113')는 상기 하우징(200')에 구비되는 유로(220')와 이어져 공기(A)가 상기 통기구(113')를 통과하여 상기 유로(220')로 흐르도록 한다.
A plurality of ventilation openings 113 'may be formed in the flange portion 111' along the periphery of the fastening rim 110 '. The plurality of air vents 113 'are connected to a flow path 220' provided in the housing 200 'so that the air A flows through the air vents 113' to the flow path 220 '.

본 실시 형태에 채용된 베이스(100')는 도 10을 참조하여 상세히 설명될 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 지지 플레이트(120')는 상기 체결 림(110')의 내주면에 중심축(O)에 수직한 구조로 구비되며, 외주면 전체가 상기 체결 림(110')과 연결될 수 있다. The base 100 'employed in this embodiment can be described in detail with reference to FIG. 10, the support plate 120 'has a structure perpendicular to the center axis O on the inner circumferential surface of the tightening rim 110', and the entire outer circumferential surface of the support plate 120 ' Can be connected.

상기 지지 플레이트(120')는 서로 대향하는 평평한 일면(상면)(120a')과 타면(하면)(120b')을 가지며, 상기 일면(120a')에 복수의 방열핀(121')을 구비할 수 있다. 상기 복수의 방열핀(121')은 상기 지지 플레이트(120')의 중심에서 테두리 방향을 향해 방사상으로 배열될 수 있다. 이 경우, 상기 복수의 방열핀(121')은 각각 곡면을 가지며 전체적으로 나선형을 이루는 구조로 배열될 수 있다. 본 실시 형태에서는 구부러진 형태의 곡면을 갖는 상기 복수의 방열핀(121')이 나선형 구조로 배열되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 방열핀(121')은 직선 등의 기타 다양한 형태를 가지는 것도 가능하다. The support plate 120 'may have a flat one surface (upper surface) 120a' and a lower surface 120b 'opposite to each other and a plurality of heat dissipation fins 121' may be provided on the one surface 120a ' have. The plurality of radiating fins 121 'may be radially arranged from the center of the support plate 120' toward the rim. In this case, the plurality of radiating fins 121 'may have a curved surface and may be arranged in a spiral shape as a whole. In the present embodiment, the plurality of radiating fins 121 'having curved curved surfaces are arranged in a spiral structure. However, the present invention is not limited thereto, and the radiating fins 121' may have other various forms such as straight lines It is possible.

상기 일면(120a')에는 고정부(122')가 소정 높이로 돌출되어 형성될 수 있다. 상기 고정부(122')에는 스크류 홀이 형성되어 상기 하우징(200') 및 상기 냉각팬(300')을 스크류(S)와 같은 고정수단을 통해 고정시킬 수 있다. The fixing part 122 'may protrude from the one surface 120a' at a predetermined height. A screw hole is formed in the fixing part 122 'to fix the housing 200' and the cooling fan 300 'through fixing means such as a screw S.

상기 지지 플레이트(120')의 타면(120b')에는 상기 광원 모듈(400')이 장착된다. 상기 타면(120b')에는 하부 방향으로 소정 높이를 가지며 돌출된 측벽(123')이 테두리 둘레를 따라서 구비될 수 있다. 이러한 측벽(123')의 내측으로는 소정 크기의 공간이 마련되어 상기 광원 모듈(400')을 그 내부에 수용할 수 있다.
The light source module 400 'is mounted on the other surface 120b' of the support plate 120 '. On the other surface 120b ', a protruded side wall 123' having a predetermined height in the downward direction may be provided around the rim. A space of a predetermined size is provided inside the side wall 123 'to accommodate the light source module 400' therein.

상기 베이스(100')는 상기 지지 플레이트(120')의 중심부에 상기 공기 방출홀(130')을 구비할 수 있다. 상기 공기 방출홀(130')은 공기(A')가 상기 지지 플레이트(120')의 일면(120a')에서 타면(120b') 방향으로 빠져나가는 통로 역할을 하며, 따라서 공기(A')가 일면(120a') 쪽에 정체되지 않고 연속적으로 흐름을 유지할 수 있도록 한다.
The base 100 'may include the air discharge hole 130' at the center of the support plate 120 '. The air discharge hole 130 'serves as a passage through which the air A' escapes from one surface 120a 'of the support plate 120' to the other surface 120b ', and thus the air A' So that the flow can be maintained continuously on the one surface 120a 'side without stagnation.

도 11에서는 상기 베이스(100') 상에 냉각팬(300')이 배치된 상태를 개략적으로 나타내고 있다. 도 11에서 도시하는 바와 같이, 상기 지지 플레이트(120')의 상기 일면(120a') 상에는 상기 냉각팬(300')이 배치된다. 상기 냉각팬(300')은 상기 고정부(122')에 고정될 수 있다.FIG. 11 schematically shows a state in which the cooling fan 300 'is disposed on the base 100'. As shown in FIG. 11, the cooling fan 300 'is disposed on the one surface 120a' of the support plate 120 '. The cooling fan 300 'may be fixed to the fixing portion 122'.

그리고, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 냉각팬(300')의 상부에는 역류 방지부(500')가 배치될 수 있다.
As shown in FIG. 12, a backflow prevention part 500 'may be disposed on the cooling fan 300'.

하우징(200')은 상기 베이스(100')의 상기 체결 림(110')에 체결되어 상기 지지 플레이트(120')를 커버한다. 상기 하우징(200')은 상부로 볼록한 포물면 형태를 가지며, 상단부 쪽에는 소켓과의 체결을 위해 단자부(210')가 구비되고, 상기 베이스(100')와 체결되는 하단부 쪽에는 개구가 형성될 수 있다. 상기 하우징(200')에는 외부로부터 공기(A)의 유입을 안내하도록 상기 하우징(200')의 외부 표면과 단차를 이루며 함몰된 영역을 형성하는 유로(220')와, 상기 유로(220')를 통해 안내된 공기(A)를 내부 공간으로 유입시키는 공기 유입홀(230')이 구비된다. The housing 200 'is fastened to the fastening rim 110' of the base 100 'to cover the support plate 120'. The housing 200 'has a convex parabolic shape with an upper portion and a terminal portion 210' for fastening with the socket. An opening may be formed at the lower end portion of the housing 200 ' have. The housing 200 'has a flow path 220' forming a stepped portion with the outer surface of the housing 200 'to guide the inflow of air A from the outside and a flow path 220' And an air inflow hole 230 'for introducing air (A) guided through the air inlet hole 230' into the inner space.

상기 공기 유입홀(230')은 상기 하우징(200')의 상단부 쪽에 인접하여 상기 하우징(200')의 둘레를 따라서 링 형상으로 구비될 수 있다. 그리고, 상기 유로(220')는 적어도 하나가 상기 하우징(200')의 외부 표면에 리세스 형태의 함몰된 구조로 구비되어 상기 공기 유입홀(230')과 연통하며, 상기 하우징(200')의 하단부에서 상기 하우징(200')의 외측면을 따라 상부로 연장되어 상기 공기 유입홀(230')과 연통하는 구조로 구비될 수 있다. The air inlet hole 230 'may be formed in a ring shape along the periphery of the housing 200' adjacent to the upper end of the housing 200 '. At least one of the flow channels 220 'is formed in a recessed structure on the outer surface of the housing 200' to communicate with the air inlet holes 230 ', and the housing 200' And the air inlet hole 230 'may extend upward along the outer surface of the housing 200' at a lower end of the housing 200 '.

상기 유로(220')는 상기 하우징(200')의 하단부에 체결된 상기 체결 림(110')의 상기 통기구(113')와 연속하는 구조로 이어지며, 상기 통기구(113')를 통해 외부로 개방될 수 있다. 따라서, 외부 공기(A)는 상기 체결 림(110')의 하부 방향에서 상기 통기구(113')를 통과하여 상기 하우징(200')의 외부 표면의 일부인 상기 유로(220')를 따라 유입 및 상부 방향으로 안내되고, 상기 공기 유입홀(230')을 통해 상기 하우징(200')의 내부 공간으로 유입될 수 있다. 도 8에서 도시하는 실시 형태에 따른 유로(220')는 상기 하우징(200')의 표면적 대부분을 차지하는 점에서 상기 도 1의 실시 형태와 차이가 있다. 본 실시 형태에서는 상기 유로(220')가 한 쌍으로 서로 마주하는 구조로 구비되는 것으로 도시하고 있으나, 상기 유로(220')의 개수 및 크기는 다양하게 변경 가능하다.
The flow path 220 'is continuous with the vent 113' of the fastening rim 110 'fastened to the lower end of the housing 200' and is connected to the outside through the vent 113 ' Can be opened. Accordingly, the external air A flows along the flow path 220 ', which is a part of the outer surface of the housing 200', through the air vent 113 'in the downward direction of the tightening rim 110' And may be introduced into the inner space of the housing 200 'through the air inlet hole 230'. The flow path 220 'according to the embodiment shown in FIG. 8 differs from the embodiment of FIG. 1 in that it occupies most of the surface area of the housing 200'. In this embodiment, the flow paths 220 'are shown as being opposed to each other in a pair. However, the number and the sizes of the flow paths 220' can be variously changed.

광원 모듈(400')은 상기 복수의 방열핀(121')이 구비된 상기 지지 플레이트(120')의 일면(120a')과 대향하는 타면(120b')에 장착되어 광을 조사한다. 상기 광원 모듈(400')은 기판(410')과, 상기 기판(410')에 장착되는 적어도 하나의 발광소자(420')를 포함할 수 있다. The light source module 400 'is mounted on the other surface 120b' opposite to the one surface 120a 'of the support plate 120' having the plurality of radiating fins 121 'to irradiate light. The light source module 400 'may include a substrate 410' and at least one light emitting device 420 'mounted on the substrate 410'.

상기 기판(410')은 일반적인 FR4 타입의 PCB일 수 있고, 에폭시, 트리아진, 실리콘, 및 폴리이미드 등을 함유하는 유기 수지소재 및 기타 유기 수지소재로 형성되거나, AlN, Al2O3 등의 세라믹 소재, 또는 금속 및 금속화합물을 소재로 하여 형성될 수 있으며, MCPCB등을 포함할 수 있다. The substrate 410 'may be a general FR4 type PCB or may be formed of an organic resin material containing epoxy, triazine, silicon, and polyimide, or other organic resin material, or may be formed of AlN, Al 2 O 3 , Ceramics, or metal and metal compounds, and may include MCPCB and the like.

상기 기판(410')은 상기 지지 플레이트(120')의 공기 방출홀(130')과 대응되는 위치에 공기 방출을 위한 관통홀(430')을 구비할 수 있다. 그리고, 상기 발광소자(420')는 상기 관통홀(430')의 둘레를 따라서 배열될 수 있다.
The substrate 410 'may include a through hole 430' for discharging air at a position corresponding to the air discharge hole 130 'of the support plate 120'. The light emitting device 420 'may be arranged along the perimeter of the through hole 430'.

발광소자(420')는 상기 기판(410')상에 실장된다. 상기 발광소자(420')는 외부에서 인가되는 전원에 의해 소정 파장의 빛을 발생시키는 반도체 소자의 일종이며, 발광다이오드(LED)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(420')는 함유되는 물질에 따라서 청색광, 녹색광 또는 적색광을 발광할 수 있으며, 백색광을 발광할 수도 있다. The light emitting device 420 'is mounted on the substrate 410'. The light emitting device 420 'is a kind of semiconductor device that generates light of a predetermined wavelength by an external power source, and may include a light emitting diode (LED). The light emitting device 420 'may emit blue light, green light, or red light, or may emit white light, depending on the contained substance.

상기 발광소자(420')는 복수개가 상기 기판(410') 상에 배열될 수 있다. 이 경우, 상기 발광소자(420')는 동일한 파장의 빛을 발생시키는 동종(同種)이거나 또는 서로 상이한 파장의 빛을 발생시키는 이종(異種)으로 다양하게 구성될 수 있다. 상기 발광소자(420')는 LED 칩 자체일 수 있고, 또는 LED 칩을 내부에 구비하는 패키지 단품일 수 있다.
A plurality of the light emitting devices 420 'may be arranged on the substrate 410'. In this case, the light emitting device 420 'may be composed of the same kind of light emitting the same wavelength or different kinds of light emitting different light of different wavelength. The light emitting device 420 'may be an LED chip itself, or may be a single package having an LED chip therein.

한편, 상기 베이스(100')에는 상기 기판(410')과 발광소자(420')를 덮는 커버(600')가 장착될 수 있다. 상기 커버(600')는 상기 광원 모듈(400')에서 발생된 광이 외부로 조사될 수 있도록 투명 또는 반투명의 재질, 바람직하게는 실리콘 또는 에폭시 등의 수지로 형성될 수 있으며, 글라스를 소재로 형성될 수도 있다. Meanwhile, a cover 600 'covering the substrate 410' and the light emitting device 420 'may be mounted on the base 100'. The cover 600 'may be formed of a transparent or semitransparent material, preferably silicon or epoxy resin, so that the light generated from the light source module 400' may be irradiated to the outside, .

상기 커버(600')는 상기 기판(410')의 관통홀(430')과 연결되는 방출관(620')을 중심부에 구비할 수 있다. 따라서, 상기 하우징(200') 내의 공기(A')는 상기 지지 플레이트(120')의 공기 방출홀(130')과 상기 기판(410')의 관통홀(430')을 통과하여 상기 방출관(620')을 통해 외부로 방출될 수 있다.
The cover 600 'may include a discharge pipe 620' connected to the through hole 430 'of the substrate 410'. Accordingly, the air A 'in the housing 200' passes through the air discharge hole 130 'of the support plate 120' and the through hole 430 'of the substrate 410' And may be discharged to the outside through the opening 620 '.

도 13 및 도 14에서는 본 실시 형태에 따른 조명 장치(10')가 천장(1)에 장착된 상태를 개략적으로 나타내고 있다. 도시하는 바와 같이, 조명 장치(10')는 체결 림(110')이 상기 천장(1)의 홀(2)에 끼워지는 구조로 체결될 수 있다. 상기 천장(1)의 홀(2)은 상기 체결 림(110')과 대응되는 형태를 가질 수 있으며, 따라서, 상기 체결 림(110')과 상기 홀(2) 사이에는 틈새가 발생하지 않는다.
13 and Fig. 14 schematically show a state in which the lighting apparatus 10 'according to the present embodiment is mounted on the ceiling 1. Fig. As shown, the lighting device 10 'can be fastened with a structure in which the fastening rims 110' fit into the holes 2 of the ceiling 1. The hole 2 of the ceiling 1 may have a shape corresponding to the coupling rim 110 'so that there is no gap between the coupling rim 110' and the hole 2.

전원 공급에 의해 상기 하우징(200') 내의 냉각팬(300')이 작동하면, 외부 공기(A)는 상기 플랜지부(111')에 구비된 복수의 통기구(113')를 통해 유입되며, 상기 하우징(200')의 외부 표면에 형성된 상기 유로(220')를 따라 상기 하우징(200')의 하단부에서 상단부 방향으로 안내된다. 그리고, 상기 공기(A)는 상기 하우징(200')의 공기 유입홀(230')을 통해 상기 하우징(200')의 내부 공간으로 흡기된다. 하우징(200')의 내부 공간으로 흡기된 공기(A)는 냉각팬(300')을 통과하여 베이스(100')의 지지 플레이트(120')로 이송되고, 상기 지지 플레이트(120')의 공기 방출홀(130')과 상기 기판(410')의 관통홀(430')을 통과하여 상기 방출관(620')을 통해 외부로 방출된다. 이때, 상기 지지 플레이트(120') 상의 가열된 공기(A')는 하우징(200') 내부로 강제로 흡기되어 외부로 방출되는 공기의 흐름과 함께 외부로 방출됨으로써 상기 지지 플레이트(120') 및 상기 지지 플레이트(120')에 장착된 광원 모듈(400')을 냉각시키게 된다. When the cooling fan 300 'in the housing 200' is operated by the power supply, the outside air A flows through the plurality of air vents 113 'provided in the flange portion 111' Is guided from the lower end to the upper end of the housing 200 'along the flow path 220' formed on the outer surface of the housing 200 '. The air A is sucked into the inner space of the housing 200 'through the air inlet hole 230' of the housing 200 '. The air A sucked into the internal space of the housing 200 'is transferred to the support plate 120' of the base 100 'through the cooling fan 300' Passes through the discharge hole 130 'and the through hole 430' of the substrate 410 'and is discharged to the outside through the discharge pipe 620'. At this time, the heated air A 'on the support plate 120' is forcibly drawn into the housing 200 'and is discharged to the outside along with the flow of air discharged to the outside, Thereby cooling the light source module 400 'mounted on the support plate 120'.

본 발명의 실시 형태에 따른 조명 장치(10')는 천장(1)의 홀(2)과 체결 림(110') 사이에 틈새가 발생하지 않는 구조로 끼움 고정되더라도 플랜지부(111')에 구비되는 통기구(113')를 통해 외부 공기(A)를 흡기할 수 있으며, 소켓 구조물과 같이 밀폐된 고정 유닛(3)에 조명 장치(10')가 체결되더라도 하우징(200')의 표면에 구비된 유로(220')에 의해 형성된 공간을 통해 외부 공기(A)를 강제 유입시켜 조명 장치(10')를 냉각시킬 수 있다.
The lighting apparatus 10 'according to the embodiment of the present invention is provided with the flange 111', even if it is fitted with a structure in which no gap is formed between the hole 2 of the ceiling 1 and the fastening rim 110 ' Even if the illumination device 10 'is fastened to the closed fixed unit 3 like the socket structure, the external air A can be sucked through the ventilation hole 113' provided on the surface of the housing 200 ' It is possible to cool the lighting apparatus 10 'by forcibly introducing the outside air A through the space formed by the flow path 220'.

도 15 내지 도 21을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 조명 장치에 대해 설명한다. A lighting apparatus according to another embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 15 to 21. Fig.

도 15 내지 도 21에서 도시하는 실시 형태에 따른 조명 장치를 구성하는 구성은 상기 도 1 내지 도 7에 도시된 실시 형태와 기본적인 구조는 실질적으로 동일하다. 다만, 광원의 구조가 상기 도 1 내지 도 7에 도시된 실시 형태와 다르기 때문에 이하에서는 앞서 설명한 실시형태와 중복되는 부분에 관한 설명은 생략하고, 광원 모듈에 관한 구성을 위주로 설명한다.
The construction of the lighting apparatus according to the embodiment shown in Figs. 15 to 21 is substantially the same as that of the embodiment shown in Figs. 1 to 7 above. However, since the structure of the light source is different from the embodiment shown in Figs. 1 to 7, the description of the parts overlapping with the embodiments described above will be omitted, and the structure related to the light source module will be mainly described.

도 15 및 도 16에서 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 조명 장치(10'')는 베이스(100''), 하우징(200''), 냉각팬(300'') 및 광원 모듈(400'')을 포함하여 구성될 수 있다.
15 and 16, the lighting apparatus 10 '' according to the present embodiment includes a base 100 '', a housing 200 '', a cooling fan 300 '', and a light source module 400 ''').

상기 베이스(100'')는 체결 림(110'')과, 상기 체결 림(110'')의 내측에 구비되는 지지 플레이트(120'')를 포함하여 구성되며, 상기 지지 플레이트(120'')의 외주면과 상기 체결 림(110'')의 내측면 사이에 슬릿 형태의 공기 방출홀(130'')을 구비할 수 있다.The base 100 '' comprises a fastening rim 110 '' and a support plate 120 '' disposed inside the fastening rim 110 '', and the support plate 120 ''. And an air vent hole 130 '' in the form of a slit may be provided between the outer peripheral surface of the coupling rim 110 '' and the inner peripheral surface of the coupling rim 110 ''.

상기 하우징(200'')은 상기 베이스(100'')의 일측에 배치되며, 상기 체결 림(110'')에 체결되어 상기 지지 플레이트(120'')를 커버한다. 상기 하우징(200'')에는 공기의 유입을 안내하도록 외부 표면과 단차를 이루며 함몰된 영역을 형성하는 유로(220'')와, 상기 유로(220'')를 통해 안내된 공기를 내부 공간으로 유입시키는 공기 유입홀(230'')이 구비된다.The housing 200 '' is disposed at one side of the base 100 '' and is fastened to the fastening rim 110 '' to cover the support plate 120 ''. A flow path 220 '' for forming a depressed area with a step difference from the outer surface to guide inflow of air into the housing 200 '', and air guided through the flow path 220 ' An air inlet hole 230 "

상기 냉각팬(300'')은 상기 하우징(200'') 내에 구비되어 공기를 상기 하우징(200'')의 내부 공간으로 강제 흡기시키고, 흡기된 공기를 상기 베이스(100'')에 구비된 공기 방출홀(130'')을 통해 외부로 방출한다.The cooling fan 300 '' is provided in the housing 200 '' to forcibly draw air into the inner space of the housing 200 '', and to supply the intake air to the base 200 ' Through the air discharge hole 130 ''.

상기 베이스(100''), 하우징(200'') 및 냉각팬(300'')은 상기 도 1의 실시 형태에 따른 조명 장치(10)의 구성 부재 및 구조와 실질적으로 동일하기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
Since the base 100 '', the housing 200 '' and the cooling fan 300 '' are substantially the same as those of the lighting device 10 according to the embodiment of FIG. 1, Is omitted.

한편, 상기 냉각팬(300'') 상에는 상기 냉각팬(300'')과 상기 하우징(200'') 사이의 틈을 막아주는 스페이서(700'')가 구비될 수 있다. 상기 스페이서(700'')는 중앙홀(710'')이 형성된 링 형태의 구조를 가지며, 외주면이 상기 하우징(200'')의 내측면과 접촉하는 구조로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 중앙홀(710'')은 상기 냉각팬(300'')과 대응되는 크기 및 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 하우징(200'')의 공기 유입홀(230'')을 통해 내부로 흡기된 공기는 온전히 상기 중앙홀(710'')을 통과하여 상기 냉각팬(300'')으로 흐르게 된다.
On the other hand, a spacer 700 '' for blocking a gap between the cooling fan 300 '' and the housing 200 '' may be provided on the cooling fan 300 ''. The spacer 700 '' may have a ring-shaped structure formed with a center hole 710 '', and the outer circumferential surface thereof may be in contact with the inner surface of the housing 200 ''. The center hole 710 " may be formed in a size and shape corresponding to the cooling fan 300 ". Therefore, air sucked in through the air inlet hole 230 '' of the housing 200 '' flows completely through the center hole 710 '' to the cooling fan 300 ''.

도 15 및 도 16에서와 같이, 상기 하우징(200'')에는 단자부(210'') 내에 수용되어 외부 전원을 상기 광원 모듈(400'')로 공급하는 전원공급장치(PSU)(800'')가 장착될 수 있다. 상기 전원공급장치(800'')는 커패시터(capacitor) 등이 실장된 구동 회로(810'') 및 상기 구동 회로(810'')와 접속되며 상기 단자부(210'') 밖으로 돌출되는 전극핀(820'')을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 전극핀(820'')은 핀 홀더(830'')를 통해 고정될 수 있다.As shown in FIGS. 15 and 16, the housing 200 '' includes a power supply unit (PSU) 800 '' accommodated in the terminal unit 210 '' and supplying external power to the light source module 400 ''. Can be mounted. The power supply device 800 '' includes a driving circuit 810 '' in which a capacitor or the like is mounted and an electrode pin 810 '' which is connected to the driving circuit 810 '' and protrudes out of the terminal portion 210 ' 820 "). The electrode pin 820 " may be fixed through a pin holder 830 ".

상기 전원공급장치(800'')는 상기 하우징(200'')의 상기 공기 유입홀(230'')보다 높은 위치의 상부에 배치될 수 있으며, 따라서, 공기 유입홀(230'')을 통해 하우징(200'')의 내부 공간으로 흡기된 공기는 상기 냉각팬(300'')을 통과하여 바로 베이스(100'')로 흐르게 된다. 이 경우, 상기 전원공급장치(800'')에서 발생된 열은 상기 흡기된 공기(A)에 의해 외부로 방출될 수 있다.
The power supply 800 '' may be disposed above the air inlet hole 230 '' of the housing 200 '', and thus through the air inlet hole 230 '' The air sucked into the inner space of the housing 200 '' flows through the cooling fan 300 '' and directly to the base 100 ''. In this case, the heat generated in the power supply device 800 '' may be discharged to the outside by the intake air (A).

상기 광원 모듈(400'')은 상기 지지 플레이트(120'')에 장착되며, 상기 전원공급장치(800'')를 통해 인가되는 전원에 의해 광을 방출한다. 본 실시 형태에 따른 광원 모듈(400'')은 적어도 하나의 발광소자(420'') 및 상기 발광소자(420'') 상에 배치되는 렌즈(450'')를 구비하는 렌즈 유닛(440'')을 포함하며, 상기 발광소자(420'')가 실장되는 기판(410'')을 더 포함할 수 있다.
The light source module 400 '' is mounted on the support plate 120 '' and emits light by a power source applied through the power source device 800 ''. The light source module 400 '' according to the present embodiment includes a lens unit 440 'having at least one light emitting device 420''and a lens 450''disposed on the light emitting device 420''.'), And may further include a substrate 410''on which the light emitting device 420''is mounted.

상기 렌즈 유닛(440'')은 상기 베이스(100'')의 타측에 배치되어 상기 기판(410'')과 복수의 발광소자(420'')를 덮을 수 있다. 상기 렌즈 유닛(440'')은 상기 발광소자(420'')를 외부 환경으로부터 보호하거나, 발광소자(420'') 외부로 나가는 광 추출 효율을 개선하기 위해 투광성 물질로 이루어질 수 있다. 투광성 물질로는, 예를 들어, 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 아크릴(acrylic) 등을 포함할 수 있다. 또한, 글라스 재질로 이루어질 수도 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
The lens unit 440 '' may be disposed on the other side of the base 100 '' to cover the substrate 410 '' and the plurality of light emitting devices 420 ''. The lens unit 440 '' may be made of a light transmitting material to protect the light emitting device 420 '' from the external environment or to improve light extraction efficiency to the outside of the light emitting device 420 ''. The translucent material may include, for example, polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), acrylic, and the like. Further, it may be made of a glass material, but is not limited thereto.

도 18에서는 상기 광원 모듈(400'')을 개략적으로 나타내고 있으며, 도 19에서는 상기 광원 모듈(400'')의 렌즈 유닛(440'')을 개략적으로 나타내고 있다.FIG. 18 schematically shows the light source module 400 '', and FIG. 19 schematically shows a lens unit 440 '' of the light source module 400 ''.

도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 상기 렌즈 유닛(440'')은 상기 발광소자(420'')와 마주하는 제1면(440''-1) 및 상기 제1면(440''-1)과 대향하는 제2면(440''-2)을 가지며, 상기 렌즈 유닛(440'')에는 상기 발광소자(420'') 각각에 대향하여 배치되는 복수개의 렌즈(450'')가 구비될 수 있다. 상기 복수의 렌즈(450'')는 각 발광소자(420'') 상에 배치되어 상기 발광소자(420'')에서 발생된 광이 외부로 조사되는 영역을 조절할 수 있다. 상기 복수의 렌즈(450'')는 일체로 이어져 상기 렌즈 유닛(440'')을 이룰 수 있다.
18 and 19, the lens unit 440 '' includes a first surface 440 '' - 1 facing the light emitting device 420 '', and a first surface 440 '' - 1 facing the first surface 440 ''. And a plurality of lenses 450 '' disposed on the lens unit 440 '' so as to face each of the light emitting devices 420 ''. May be provided. The plurality of lenses 450 '' may be disposed on each light emitting device 420 '' to control a region irradiated with light generated from the light emitting device 420 ''. The plurality of lenses 450 '' may integrally lead to form the lens unit 440 ''.

본 실시 형태에 채용되는 렌즈(450'')는 도 20 및 도 21을 참조하여 보다 상세히 설명될 수 있다. 도 20 및 도 21에서와 같이, 상기 렌즈(450'')는 상기 제1면(440-1'')에 구비되며, 상기 발광소자(420'')의 광이 입사되는 중앙 입사면(451'')과, 상기 중앙 입사면(451'')의 둘레를 따라서 상기 발광소자(420'')를 향해 돌출되며, 중앙의 광축(Z)을 기준으로 대칭을 이루는 반사부(452'')를 가질 수 있다. 그리고, 상기 렌즈(450'')는 상기 제2면(440''-2)에 구비되며, 상기 발광소자(420'')와 반대 방향으로 돌출되고, 상기 광축(Z)을 기준으로 대칭을 이루는 굴절부(455'')를 가질 수 있다.
The lens 450 " employed in this embodiment can be described in more detail with reference to Figs. 20 and 21. Fig. 20 and 21, the lens 450 '' is provided on the first surface 440-1 '' and has a central incidence surface 451 'through which the light of the light emitting device 420''is incident ', A reflector 452''projecting toward the light emitting device 420''along the central incidence surface 451''and symmetrical with respect to the optical axis Z at the center, Lt; / RTI > The lens 450 '' is provided on the second surface 440 '' - 2 and protrudes in a direction opposite to the light emitting device 420 '', and is symmetric with respect to the optical axis Z May have a refracting portion 455 "

상기 중앙 입사면(451'')은 그 중앙을 통과하는 상기 광축(Z)에 수직하게 상기 발광소자(420'')의 직상부에 배치되며, 전체적으로 평평한 평면 형상을 가지거나 완만한 곡면 형상을 갖는 구조로 형성될 수 있다. 상기 중앙 입사면(451'')에는 단차 구조를 갖는 함몰부(456'')가 형성될 수 있다. 이러한 함몰부(456'')는 추후 설명하는 밀핀(eject pin)과 대응되는 형태로 형성되어 상기 밀핀과 접촉할 수 있다.
The central incidence surface 451 '' is disposed directly above the light emitting device 420 '' perpendicular to the optical axis Z passing through the center thereof and has a generally planar or gently curved surface shape . ≪ / RTI > A depression 456 '' having a stepped structure may be formed on the central incidence surface 451 ''. The depression 456 '' may be formed in a shape corresponding to an eject pin to be described later, and may be in contact with the above-mentioned milipin.

상기 반사부(452'')는 상기 중앙 입사면(451'')을 감싸는 형태로 그 가장자리 둘레를 따라서 링 형태로 구비되며, 상기 광축(Z)에 대해 상이한 회전 반경을 가지며 동심원을 이루는 제1 반사부(452a'') 및 제2 반사부(452b'')를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 중앙 입사면(451'')을 감싸도록 그 가장자리 둘레를 따라 상기 제1 반사부(452a'')가 구비되고, 상기 제1 반사부(452a'')를 감싸도록 그 가장자리 둘레를 따라 상기 제2 반사부(452b'')가 구비될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 반사부(452a'', 452b'')는 상기 광축(Z)에 대해 각각 상이한 지름을 갖는 링 형태의 구조를 가질 수 있다.
The reflective portion 452 " is formed in a ring shape along the periphery of the central incidence surface 451 '', and has a first radius of rotation with respect to the optical axis Z, And may include a reflective portion 452a '' and a second reflective portion 452b ''. For example, the first reflecting portion 452a '' is provided along the periphery of the central incidence surface 451 '' so as to surround the first reflecting portion 452a ' The second reflecting portion 452b " may be provided along the periphery. The first and second reflecting portions 452a '' and 452b '' may have a ring-shaped structure having different diameters with respect to the optical axis Z. [

상기 제1 반사부(452a'') 및 제2 반사부(452b'')는 각각 상기 발광소자(420'')의 광이 입사되는 사이드 입사면(453'') 및 상기 입사된 광을 상기 제2면(440''-2)으로 반사하는 반사면(454'')을 구비할 수 있다. The first reflector 452a '' and the second reflector 452b '' each have a side incident surface 453 '' on which the light of the light emitting device 420 '' is incident, And a reflective surface 454 " that reflects to the second surface 440 " - 2.

상기 사이드 입사면(453'')은 상기 발광소자(420'')의 광 중에서 측방향으로 조사되는 광이 수광되도록 하며, 이를 위해 상기 사이드 입사면(453'')은 상기 제1면(440''-1)으로부터 상기 발광소자(420'') 방향으로 돌출되어 상기 광축(Z)을 따라서 소정 길이만큼 연장되어 형성될 수 있다. The side incident surface 453 '' receives light radiated laterally out of the light of the light emitting device 420 '', and the side incident surface 453 '' is formed on the first surface 440 '-1) to the light emitting device 420' 'and extend a predetermined length along the optical axis Z.

상기 반사면(454'')은 상기 사이드 입사면(453'')을 통해 수광된 광이 상기 제2면(440''-2)을 향하도록 반사시키며, 이를 위해 상기 반사면(454'')은 상기 사이드 입사면(453'')의 연장된 끝단과 상기 제1면(440''-1)을 연결하는 포물면 형태로 형성될 수 있다. The reflective surface 454 '' reflects the received light through the side incidence surface 453 '' toward the second surface 440 '' - 2, and the reflective surface 454 '' ' May be formed in a parabolic shape that connects the extended end of the side incident surface 453 '' to the first surface 440 '' - 1.

본 실시 형태에서는 상기 반사면(454'')이 포물면 형태를 가지는 것으로 예시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 반사면(454'')은 직선의 경사진 형태로 형성될 수 있으며, 이 외에도 상기 사이드 입사면(453'')을 통해 수광된 광을 상기 제2면(440''-2)으로 향하도록 반사시키는 형상이면 자유롭게 변경될 수 있음은 물론이다.
In the present embodiment, the reflective surface 454 " is illustrated as having a parabolic surface shape, but is not limited thereto. For example, the reflective surface 454 " may be formed in a straight inclined shape, and the light received through the side incident surface 453 " may be formed on the second surface 440 " 2, it can be freely changed.

한편, 상기 반사부(452'')는 상기 제1면(440''-1)으로부터 돌출된 길이가 상기 광축(Z)으로부터 멀어질수록 증가하는 구조로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 반사부(452a'')보다 상기 제2 반사부(452b'')가 상기 발광소자(420'')를 향해 보다 길게 돌출되며, 따라서 상기 제2 반사부(452b'')는 상기 제1 반사부(452a'')보다 전체적으로 큰 크기로 형성될 수 있다.
The reflector 452 '' may have a structure in which the length of the protrusion 452 '' projected from the first surface 440 '' - 1 increases as the distance from the optical axis Z increases. That is, the second reflective portion 452b '' protrudes more toward the light emitting device 420 '' than the first reflective portion 452a '', and thus the second reflective portion 452b ' May be formed to have a larger overall size than the first reflecting portion 452a ''.

본 실시 형태에서는 상기 반사부(452'')가 상기 제1 및 제2 반사부(452a'', 452b'')로 구성되는 2중고리 구조를 가지는 것으로 예시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 반사부(452'')는 상기 제2 반사부(452b'')보다 큰 크기와 지름을 갖는 미도시된 제3 반사부를 더 구비하여 3중고리 이상의 구조를 가지는 것도 가능하다.
In the present embodiment, the reflective portion 452 '' is exemplified as having a two-height structure including the first and second reflective portions 452a '' and 452b '', but the present invention is not limited thereto. For example, the reflector 452 '' may further include a third reflector (not shown) having a size and a diameter larger than that of the second reflector 452b '', .

상기 제1면(440''-1)과 대향하는 상기 제2면(440''-2)은 상기 제1면(440''-1)으로 입사된 광을 외부로 방출하는 광 출사면에 해당한다. 상기 제2면(440''-2)에는 상기 발광소자(420'')와 반대 방향으로 돌출되고, 상기 광축(Z)을 기준으로 대칭을 이루는 굴절부(455'')가 구비된다.
The second surface 440 " - 2 facing the first surface 440 " - 1 is disposed on a light exit surface that emits light incident on the first surface 440 " . The second surface 440 '' - 2 is provided with a refracting portion 455 '' that protrudes in a direction opposite to the light emitting device 420 '' and is symmetrical with respect to the optical axis Z.

상기 굴절부(455'')는 중앙의 제1 굴절부(455a'')와 상기 제1 굴절부(455a'')를 둘러싸는 제2 굴절부(455b'')를 포함할 수 있다.The refraction portion 455 '' may include a first refraction portion 455a '' at the center and a second refraction portion 455b '' surrounding the first refraction portion 455a ''.

상기 제1 굴절부(455a'')는 상기 발광소자(420'')의 직상부에 배치되며, 상기 광축(Z)을 정점으로 하는 볼록한 곡면을 가질 수 있다. 그리고, 상기 제2 굴절부(455b'')는 상기 광축(Z)에 대해 복수의 동심원을 이루며, 상기 제1 굴절부(455a'')의 둘레를 따라 형성된 요철 형태의 구조를 가질 수 있다. 상기 제2 굴절부(455b'')를 이루는 요철 형태는, 예를 들어, 프레넬 패턴(Fresnel pattern)을 포함할 수 있다.
The first refraction portion 455a '' is disposed directly above the light emitting device 420 '' and may have a convex curved surface with the optical axis Z as a vertex. The second refraction portion 455b '' has a plurality of concentric circles with respect to the optical axis Z and may have a concavo-convex structure formed along the circumference of the first refraction portion 455a ". The concavo-convex form of the second refraction portion 455b '' may include, for example, a Fresnel pattern.

상기 굴절부(455'')는 평평한 상기 제2면(440''-2)에 음각 형태로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 굴절부(455a'')의 곡면과 상기 제2 굴절부(455b'')의 요철 형상은 적어도 상기 제2면(440''-2)과 공면(coplanar)을 이루거나 보다 낮은 높이로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 굴절부(455'')는 상기 제2면(440''-2) 위로 돌출되지 않으며, 상기 렌즈(450'')의 높이(또는 두께)(TL)는 상기 제1면(440''-1)으로부터 돌출된 상기 반사부(452'')의 끝단과 상기 제2면(440''-2) 사이의 거리로 정의될 수 있다.The refraction portion 455 " may be formed on the flat second surface 440 " That is, the curved surface of the first refraction portion 455a '' and the concavo-convex shape of the second refraction portion 455b '' are coplanar with or at least coplanar with the second surface 440 " And may be formed at a low height. Therefore, the height (or thickness) T L of the lens 450 '' does not protrude from the first surface 440 '' - 2, and the refractive portion 455 '' does not protrude above the second surface 440 ' May be defined as the distance between the end of the reflective portion 452 " protruding from the second surface 440 " - 1 and the second surface 440 " - 2.

본 실시 형태에서는 상기 굴절부(455'')가 상기 제2면(440''-2)으로부터 돌출되지 않는 경우를 예시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 굴절부(455'')는 부분적으로 상기 제2면(440''-2)의 상부로 돌출되는 것도 가능하다. 다만, 그 돌출되는 정도는 상기 렌즈(450'')의 전체 높이(또는 두께)(TL)에 대해 극히 일부에 지나지 않으므로 상기 렌즈(450'')의 높이(TL)에 큰 영향을 미치지 않는다.
In the present embodiment, the refraction portion 455 " does not protrude from the second surface 440 " - 2, but the present invention is not limited thereto. For example, the refracting portion 455 " may partially protrude above the second surface 440 " - 2. However, the degree of protrusion is only a small fraction of the total height (or thickness) T L of the lens 450 ", so that the height T L of the lens 450 " Do not.

한편, 상기 렌즈(450'')는 상기 광축(Z)을 기준으로 상기 반사부(452'')가 상기 굴절부(455'')의 외측에 배치되어 상기 굴절부(455'')를 둘러싸는 구조를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 제2면(440''-2)에 형성된 상기 굴절부(455'')에 대향하여 상기 제1면(440''-1)에 상기 중앙 입사면(451'')이 상기 굴절부(455'')와 대응하는 크기로 형성되고, 따라서, 상기 반사부(452'')는 상기 굴절부(455'')의 외측에 배치되어 상기 굴절부(455'')를 둘러싸는 구조로 형성될 수 있다.
On the other hand, in the lens 450 '', the reflecting portion 452 '' is disposed outside the refracting portion 455 '' with respect to the optical axis Z so as to surround the refracting portion 455 '' Can have a structure. Specifically, the central incidence surface 451 "'on the first surface 440 " - 1 opposes the refracting portion 455 " formed on the second surface 440 " Is formed with a size corresponding to the refraction portion 455 ", so that the reflection portion 452 " is disposed outside the refraction portion 455 " to surround the refraction portion 455 " Structure.

도 22는 상기 렌즈(450'')의 배광 곡선을 나타내는 그래프이다. 도시하는 바와 같이 지향각이 대략 24° 내지 25°의 범위를 가지는 집광된 배광 분포를 나타내는 것을 확인할 수 있다. 이는 종래의 집광 렌즈가 대략 24.4°정도의 지향각을 가지는 것과 비교할 때 집광 능력에서 큰 차이가 없을 알 수 있다.
22 is a graph showing a light distribution curve of the lens 450 ". As shown in the figure, it can be confirmed that the condensed light distribution distribution having a directivity angle in a range of approximately 24 to 25 degrees is obtained. This can be understood that there is not a large difference in the condensing ability compared with the conventional condensing lens having the directivity angle of about 24.4 degrees.

상기 렌즈(450'')는 유동성의 용제를 성형틀에 주입하여 고형화하는 방식으로 상기 렌즈 유닛(440'')과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 인젝션 몰딩(injection molding), 트랜스퍼 몰딩(transfer molding), 컴프레션 몰딩(compression molding) 등의 방식이 포함될 수 있다.
The lens 450 '' may be integrally formed with the lens unit 440 '' in such a manner that a fluid solvent is injected into the mold and solidified. For example, injection molding, transfer molding, compression molding and the like may be included.

도 23a 내지 도 23c에서는 성형틀을 사용해 상기 렌즈를 구비한 렌즈 유닛을 제조하는 공정을 개략적으로 도시하고 있다. 도 23a 내지 도 23c는 본 실시 형태에 따른 렌즈 유닛을 제조하는 공정을 단계별로 개략적으로 나타내는 단면도이다.23A to 23C schematically show a process of manufacturing a lens unit including the lens using a molding frame. 23A to 23C are cross-sectional views schematically showing steps of manufacturing the lens unit according to the present embodiment.

우선, 도 23a에서 도시하는 바와 같이, 렌즈 형상을 갖는 공간이 마련된 성형틀(M1, M2)을 준비하고, 그 내부에 유동성 용제, 예를 들어, 수지를 주입한 후 경화시켜 렌즈(450'')를 구비한 렌즈 유닛(440'')을 완성한다. First, as shown in Fig. 23A, molds M1 and M2 provided with a space having a lens shape are prepared, a fluidic solvent such as resin is injected into the molds M1 and M2, Is completed. The lens unit 440 "

다음으로, 도 23b에서 도시하는 바와 같이, 상기 성형틀(M1, M2)을 분리하여 완성된 렌즈 유닛(440'')이 부분적으로 상기 성형틀(M1, M2)로부터 분리될 수 있도록 한다.Next, as shown in Fig. 23B, the molds M1 and M2 are separated to allow the completed lens unit 440 '' to be partly separated from the molds M1 and M2.

다음으로, 도 23c에서 도시하는 바와 같이, 성형틀(M1, M2)에 구비된 밀핀(eject pin)(P)을 통해 상기 렌즈 유닛(440'')이 상기 성형틀(M1, M2)로부터 완전히 분리될 수 있도록 한다. 상기 밀핀(P)은 적어도 3개 이상으로 구비될 수 있으며, 따라서 상기 렌즈 유닛(440'')을 분리하는 과정에서 상기 렌즈 유닛(440'')에 변형이 발생하는 것을 최소화할 수 있다. 예를 들어, 상기 밀핀(P)은 상기 렌즈(450'')에 가해지는 힘이 전체적으로 균일하게 분산될 수 있도록 상기 렌즈(450'')의 양측 가장자리 영역 및 상기 렌즈(450'')의 중앙 영역과 각각 접촉하도록 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 렌즈(450'')의 중앙 영역과 접촉하도록 배치되는 밀핀(P)은 상기 렌즈(450'')의 중앙 입사면(451'')에 형성된 함몰부(456'')와 접촉할 수 있다.Next, as shown in Fig. 23C, the lens unit 440 '' is completely removed from the molds M1 and M2 through an eject pin P provided in the molds M1 and M2 To be separated. At least three of the microns P may be provided, thereby minimizing the occurrence of deformation of the lens unit 440 '' in the process of separating the lens unit 440 ''. For example, the microneedle (P) is arranged at both side edge regions of the lens 450 '' and at the center of the lens 450 '' so that the force applied to the lens 450 ' Regions, respectively. In this case, the microneedle P arranged to contact the central region of the lens 450 '' contacts the depression 456 '' formed on the central incidence plane 451 '' of the lens 450 '' can do.

즉, 종래의 집광 렌즈의 경우 어느 정도 두께(예를 들어, 10mm 정도)가 확보되고 있기 때문에 사출 성형 시 밀핀을 렌즈의 외측에 배치해도 문제가 없으나, 본 실시 형태와 같이 렌즈(450'')의 두께(즉, 높이)가 얇은 경우에는 변형이 발생될 가능성이 있다. 따라서, 중앙 부분에도 밀핀(P)을 배치하여 상기 렌즈(450'')에 가해지는 힘이 전체적으로 균일하게 분산될 수 있도록 하여 렌즈 유닛(440'')에서의 변형 발생을 방지할 수 있다.
That is, since the conventional condensing lens has a certain thickness (for example, about 10 mm), there is no problem even if the micrind pin is disposed outside the lens during injection molding. However, as in the present embodiment, There is a possibility that deformation may occur when the thickness (i.e. Therefore, it is possible to prevent the lens unit 440 '' from being deformed by disposing the pinhole P in the central portion so that the force applied to the lens 450 '' can be uniformly dispersed as a whole.

이와 같이 제조된 본 실시예에 따른 렌즈(450'')는, 도 20에서와 같이, 예를 들어 대략 2mm ~ 4.5mm 정도의 얇은 두께(또는 높이)(TL)를 가질 수 있다. 즉, 기존의 집광 렌즈(대략 10mm 정도의 두께를 가짐, 도 24a 참조)에 비해 절반 정도의 얇은 두께를 가짐으로써 소형화에 적합하며, 조명 장치에 채용될 경우 ANSI 규격(ANSI C78.24-2001) 범위 내의 사이즈를 갖도록 할 수 있다.The lens 450 '' according to this embodiment thus manufactured may have a thin thickness (or height) T L of about 2 mm to 4.5 mm, for example, as shown in FIG. Namely, it is suitable for miniaturization because it has a thickness as thin as about half compared with the conventional condensing lens (having a thickness of about 10 mm, see FIG. 24A), and when it is used in a lighting device, it is ANSI standard (ANSI C78.24-2001) It is possible to have a size within the range.

예를 들어, 미국 규격협회에서 제정하는 램프 규격(ANSI C78.24-2001)에 따르면, 도 16에서 도시하는 구조의 조명 램프의 경우 최대 T1: 46mm, T2: 4.5mm, TT: 50.5mm의 기준을 준수할 것을 요구하고 있다.For example, according to the lamp standard (ANSI C78.24-2001) established by the American National Standards Institute, the maximum T 1 : 46 mm, T 2 : 4.5 mm, T T : 50.5 mm to meet the standards.

현재의 50W급 MR16 제품과 같은 고출력 램프에서는 자연방열방식으로는 충분한 냉각을 구현하기 곤란하기 때문에 냉각팬 사용이 필수적이다. 이 경우, 냉각팬 장착에 따라 제품의 사이즈가 증가하게 되어 ANSI 규격을 초과하게 되는 문제가 발생한다. In high power lamps such as the current 50W MR16 products, it is difficult to achieve sufficient cooling with the natural heat dissipation method, so it is essential to use the cooling fan. In this case, the size of the product increases according to the installation of the cooling fan, which causes a problem that it exceeds the ANSI standard.

T1의 치수(dimension)로 제한되는 하우징의 경우 소켓등과의 체결을 위해 규격화된 구조를 가지므로 본 실시예에서는 T2의 치수로 제한되는 렌즈를 슬림화하여 ANSI 규격을 초과하는 문제를 해결할 수 있다. 도 24a 및 도 24b에서는 각각 일반적인 구조의 집광 렌즈와 본 실시예에 따른 슬림형 렌즈를 개략적으로 비교하여 나타내고 있다. 도면에서 확인할 수 있듯이 동등한 광학 특성을 유지하면서도 렌즈의 높이(또는 두께)는 절반 정도로 감소되어 ANSI 규격을 준수하는 조명 램프를 구현할 수 있다.
In the case of a housing limited to the dimension of T 1 , since it has a standardized structure for fastening with a socket or the like, in this embodiment, the lens which is limited to the dimension of T 2 can be slimmed to solve the problem exceeding the ANSI standard . Figs. 24A and 24B schematically show a condenser lens of a general structure and a slim lens according to the present embodiment, respectively. As can be seen in the drawings, the height (or thickness) of the lens is reduced to about half, while maintaining the same optical characteristics, so that an illumination lamp conforming to the ANSI standard can be realized.

한편, 상기 기판(410'')은 전자소자인 발광소자(420'')가 실장되기 위한 회로기판을 구성하는 베이스 부재에 해당하며, 이른바 인쇄회로기판(Printed Circuit Board: PCB)일 수 있다. 또한, 상기 기판(410'')은 베이스 부재로서 상기 발광소자(420'')를 지지하는 패키지 본체일 수 있다.Meanwhile, the substrate 410 '' corresponds to a base member constituting a circuit board for mounting the light emitting device 420 '', which is an electronic device, and may be a so-called printed circuit board (PCB). In addition, the substrate 410 '' may be a package body that supports the light emitting device 420 '' as a base member.

상기 기판(410'')은 예를 들어, FR-4, CEM-3 등의 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 기판(410'')은 글라스나 에폭시 재질 또는 세라믹 재질 등으로도 이루어질 수 있다. 또한, 금속 및 금속화합물을 소재로 하여 형성될 수 있으며, MCPCB, MCCL 등을 포함할 수 있다.
The substrate 410 '' may be made of, for example, FR-4 or CEM-3, but is not limited thereto. For example, the substrate 410 " may be formed of glass, epoxy, ceramic, or the like. Further, it may be formed of a metal and a metal compound, and may include MCPCB, MCCL, and the like.

도 17에서는 본 실시 형태에 따른 조명 장치(10'')가 천장(1)에 장착된 상태를 개략적으로 나타내고 있다. 상기 천장(1)에는 고정 유닛(3)이 장착되어 상기 조명 장치(10'')를 체결 및 고정시킬 수 있으며, 상기 조명 장치(10'')에 전원을 공급할 수 있다. 상기 조명 장치(10'')는 상기 고정 유닛(3)에 의해 상기 천장(1)의 상부에 밀폐된 상태로 고정될 수 있다.Fig. 17 schematically shows a state in which the lighting apparatus 10 " according to the present embodiment is mounted on the ceiling 1. Fig. A fixing unit 3 is mounted on the ceiling 1 to fix and fix the lighting device 10 '' and to supply power to the lighting device 10 ''. The lighting device 10 '' may be hermetically fixed to the upper portion of the ceiling 1 by the fixing unit 3.

도시하는 바와 같이, 조명 장치(10'')는 체결 림(110'')이 상기 천장(1)의 홀(2)에 끼워지는 구조로 체결될 수 있다. 상기 천장(1)의 홀(2)은 상기 체결 림(110'')과 대응되는 형태로 구비될 수 있으며, 따라서, 상기 체결 림(110'')과 상기 홀(2) 사이에는 상기 체결 림(110'')에 형성된 홈(112'')에 상당하는 공간 외에는 틈새가 발생하지 않는다. As shown, the lighting device 10 '' can be fastened in a structure in which the fastening rim 110 '' fits into the hole 2 in the ceiling 1. The holes 2 of the ceiling 1 may be formed in a shape corresponding to the fastening rim 110 '' so that the fastening rim 110 ' There is no gap except a space corresponding to the groove 112 " formed in the groove 110 "

전원 공급에 의해 상기 하우징(200'') 내의 냉각팬(300'')이 작동하면 상기 체결 림(110'')과 상기 천장(1) 사이의 공간인 상기 홈(112'')을 통해 외부 공기(A)가 유입되며, 유입된 공기(A)는 상기 하우징(200'')의 외부 표면에 형성된 상기 유로(220'')를 따라 상기 하우징(200'')의 하단부에서 상단부 방향으로 안내된다. 그리고, 상기 공기(A)는 상기 하우징(200'')의 공기 유입홀(230'')을 통해 상기 하우징(200'')의 내부 공간으로 흡기된다. 하우징(200'')의 내부 공간으로 흡기된 공기(A)는 스페이서(700'')와 냉각팬(300'')을 통과하여 베이스(100'')의 지지 플레이트(120'')로 흐르고, 상기 지지 플레이트(120'') 상의 방열핀(121'')을 따라서 테두리 방향을 향해 방사상으로 흘러 상기 공기 방출홀(130'')을 통해 외부로 방출된다. 이때, 상기 지지 플레이트(120'') 상의 가열된 공기(A')는 하우징(200'') 내부로 강제로 흡기되어 외부로 방출되는 공기의 흐름과 함께 외부로 방출됨으로써 상기 지지 플레이트(120'') 및 상기 지지 플레이트(120'')에 장착된 광원 모듈(400'')을 냉각시키게 된다. 또한, 상기 하우징(200'') 내부로 계속해서 흡기되는 차가운 공기(A)에 의해 상기 하우징(200'') 내부를 냉각시키게 된다. 특히, 본 발명의 실시 형태에 따른 조명 장치(10'')는 하우징(200'')의 외부 표면에 공기(A) 흐름을 위한 유로(220'')를 구비함으로써 하우징(200'')을 덮는 밀폐된 고정 유닛(3)(예를 들어, 하우징과 대응되는 형태를 가져 하우징의 외부 표면에 밀착되는 소켓 구조물)내에 조명 장치(10'')를 장착하더라도 상기 유로(220'')에 의해 형성되는 공간을 통해 외부 공기(A)를 하우징(200'') 내부로 흡기하는 것이 가능하다. 이와 같이, 외부의 차가운 공기(A)를 강제로 흡기하여 조명 장치(10'')를 냉각시킴으로써 방열 효율을 극대화할 수 있고, 따라서 광원 모듈(400'')의 수명이 증대됨은 물론 발광효율도 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
When the cooling fan 300 '' in the housing 200 '' is operated by power supply, the cooling fan 300 '' is operated through the groove 112 '', which is a space between the coupling rim 110 '' and the ceiling 1, The air A flows in from the lower end to the upper end of the housing 200 '' along the flow path 220 '' formed on the outer surface of the housing 200 ''. do. The air A is sucked into the inner space of the housing 200 '' through the air inlet hole 230 '' of the housing 200 ''. The air A sucked into the inner space of the housing 200 '' flows through the spacer 700 '' and the cooling fan 300 '' to the support plate 120 '' of the base 100 '' Flows radially toward the rim along the radiating fins 121 '' on the support plate 120 '', and is radiated to the outside through the air discharge hole 130 ''. At this time, the heated air A 'on the support plate 120''is forcibly drawn into the housing 200''and is discharged to the outside along with the flow of air discharged to the outside, 'And the light source module 400''mounted on the support plate 120''. Further, the inside of the housing 200 '' is cooled by the cold air A which is continuously sucked into the housing 200 ''. Particularly, the lighting device 10 '' according to the embodiment of the present invention includes the housing 200 '' having the flow path 220 '' for flow of the air A on the outer surface of the housing 200 '', Even if the illuminating device 10 " is mounted in the closed fixed unit 3 (for example, a socket structure having a shape corresponding to the housing and in close contact with the outer surface of the housing) It is possible to draw the outside air A into the inside of the housing 200 '' through the formed space. As described above, the heat radiation efficiency can be maximized by cooling the illumination device 10 '' by forcibly blowing the external cold air A, thereby increasing the lifetime of the light source module 400 '', An improvement effect can be obtained.

이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 다양한 실시 형태에 따른 광원 모듈에 채용될 수 있는 다양한 기판 구조에 대해 설명한다. Hereinafter, various substrate structures that can be employed in the light source module according to various embodiments of the present invention described above will be described.

도 25에서 도시하는 바와 같이, 상기 기판(1100)은 일면에 소정의 회로 패턴(1111,1112)이 형성된 절연 기판(1110), 상기 회로 패턴(1111,1112)과 접촉되게 상기 절연 기판(1110)에 형성되며 상기 발광소자(120)에서 발생하는 열을 방출하기 위한 상부열확산판(1140), 상기 절연 기판(1110)의 타면에 형성되며 상기 상부열확산판(1140)에 의해 전달되는 열을 외부로 전달하기 위한 하부열확산판(1160)을 포함하며, 상기 상부열확산판(1140)과 하부열확산판(1160)은 상호간의 열전도가 이루어질 수 있도록 상기 절연 기판(1110)을 관통하며 내벽이 도금처리된 적어도 하나의 관통공(1150)에 의해 연결될 수 있다. 25, the substrate 1100 includes an insulating substrate 1110 having predetermined circuit patterns 1111 and 1112 formed on one surface thereof, an insulating substrate 1110 contacting the circuit patterns 1111 and 1112, An upper thermal diffusion plate 1140 formed on the other surface of the insulating substrate 1110 for emitting heat generated by the light emitting device 120 and a heat transfer member The upper thermal diffusion plate 1140 and the lower thermal diffusion plate 1160 are connected to each other through the insulating substrate 1110 so as to allow mutual thermal conduction between the upper thermal diffusion plate 1140 and the lower thermal diffusion plate 1160, And can be connected by one through hole 1150.

상기 절연 기판(1110)은 세라믹 또는 에폭시 수지 계열인 FR4 코어 위에 동박을 입히고, 식각공정을 통해 회로 패턴(1111,1112)이 형성될 수 있다. 상기 기판의 하면에는 절연물질로 얇게 코팅처리되어 절연박막(1130)이 형성될 수 있다.
The insulating substrate 1110 is coated with a copper foil on a ceramic or epoxy resin-based FR4 core, and circuit patterns 1111 and 1112 can be formed through an etching process. The lower surface of the substrate may be thinly coated with an insulating material to form an insulating thin film 1130.

도 26에서는 상기 기판의 다른 실시 형태를 도시하고 있다. 도 26에서 도시하는 바와 같이, 상기 기판(1200)은 제1 금속층(1210) 상에 형성된 절연층(1220) 및 상기 절연층(1220) 상에 형성된 제2 금속층(1230)을 포함할 수 있다. 상기 기판(1200)의 적어도 일측 단부에는 상기 절연층(1220)을 노출시키는 단차 영역(R)이 형성될 수 있다.Fig. 26 shows another embodiment of the substrate. The substrate 1200 may include an insulating layer 1220 formed on the first metal layer 1210 and a second metal layer 1230 formed on the insulating layer 1220. Referring to FIG. A step region R for exposing the insulating layer 1220 may be formed on at least one end of the substrate 1200.

상기 제1 금속층(1210)은 발열 특성이 좋은 재료로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 알루미늄(Al), 철(Fe) 등의 금속 또는 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 상기 절연층(1220)은 기본적으로 절연 특성을 지닌 재료로 형성될 수 있으며, 무기질 또는 유기질 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(1220)은 에폭시계 절연 수지로 형성될 수 있으며, 열전도성을 향상시키기 위해 알루미늄(Al) 분말 등의 금속 분말이 포함된 형태로 사용될 수 있다. 상기 제2 금속층(1230)은 통상 구리(Cu) 박막으로 형성할 수 있다.The first metal layer 1210 may be formed of a material having good heat generating characteristics and may be formed of a metal or an alloy such as aluminum (Al) or iron (Fe), and may be formed as a single layer or a multilayer structure . The insulating layer 1220 may be formed of a material having an insulating property, and may be formed using an inorganic or organic material. For example, the insulating layer 1220 may be formed of an epoxy-based insulating resin, and may include a metal powder such as aluminum (Al) powder to improve thermal conductivity. The second metal layer 1230 may be formed of a copper (Cu) thin film.

도 26에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 금속 기판은 절연층(1220)의 일측 단부의 노출된 영역의 거리, 즉 절연 거리는 절연층(1220)의 두께보다 크도록 형성될 수 있다. 본 명세서에서 절연 거리라 함은 제1 금속층(1210) 및 제2 금속층(1230) 사이의 절연층(1220)이 노출된 영역의 거리를 의미한다. 그리고, 금속 기판의 상방에서 관찰한 경우 절연층(1220)의 노출된 영역의 폭을 노출폭(W1)이라 한다. 도 26의 R 영역은 금속 기판 제조 과정에서 연삭 공정 등에 의해 제거된 영역으로, 제2 금속층(1230)의 표면으로부터 하방으로 h만큼의 깊이만큼 제거되어 절연층(1220)이 W1의 노출폭만큼 노출되어 단차 구조를 나타내고 있다. 만일 금속 기판의 단부가 제거되지 않은 상태인 경우 절연 거리는 절연층(1220)의 두께(h1+h2)이며, 단부의 일부분이 제거됨으로써 대략 W1 만큼의 절연 거리를 더 확보할 수 있다. 이에 따라 금속 기판의 내전압 실험을 실시하는 경우, 단부에서의 두 금속층(1210,1230)의 접촉 가능성을 최소화할 수 있는 구조를 지닌 금속 기판을 제공할 수 있다.
26, the metal substrate according to the present embodiment can be formed such that the distance of the exposed region at one side end of the insulating layer 1220, that is, the insulating distance is larger than the thickness of the insulating layer 1220. [ In this specification, the insulation distance refers to the distance of the exposed region of the insulating layer 1220 between the first metal layer 1210 and the second metal layer 1230. The width of the exposed region of the insulating layer 1220 when viewed from above the metal substrate is referred to as an exposure width W1. The R region shown in FIG. 26 is removed by a grinding process or the like in the process of manufacturing a metal substrate, and is removed by a depth h downward from the surface of the second metal layer 1230, so that the insulating layer 1220 is exposed And shows a stepped structure. If the end portion of the metal substrate is not removed, the insulation distance is the thickness (h1 + h2) of the insulation layer 1220, and a part of the end portion is removed, thereby securing an insulation distance of about W1. Accordingly, when the withstand voltage test of the metal substrate is performed, it is possible to provide a metal substrate having a structure capable of minimizing the possibility of contact between the two metal layers 1210 and 1230 at the ends.

도 27에서는 상기 도 26의 변형예에 따른 금속 기판의 구조를 개략적으로 나타내고 있다. 도 27을 참조하면, 상기 금속 기판(1200')은 제1 금속층(1210') 상에 형성된 절연층(1220') 및 상기 절연층(1220') 상에 형성된 제2 금속층(1230')을 포함한다. 그리고, 상기 절연층(1220')과 제2 금속층(1230')은 소정 경사 각도(δ1)로 제거된 영역을 포함하고 있으며, 제1 금속층(1210')에도 소정 경사 각도(δ1)로 제거된 영역이 포함될 수 있다.FIG. 27 schematically shows the structure of the metal substrate according to the modification of FIG. Referring to FIG. 27, the metal substrate 1200 'includes an insulating layer 1220' formed on a first metal layer 1210 'and a second metal layer 1230' formed on the insulating layer 1220 ' do. In addition, the insulating layer 1220 'and the second metal layer 1230' include regions removed at a predetermined tilt angle? 1, and the first metal layer 1210 'is also removed at a predetermined tilt angle? Region may be included.

여기서, 경사 각도(δ1)는 절연층(1220') 및 제2 금속층(1230')의 계면과 절연층(1220')의 단부가 이루는 각도를 나타내며, 절연층(1220')의 두께를 고려하여 원하는 절연 거리(I)를 확보할 수 있도록 선택될 수 있다. 경사 각도(δ1)는 0 < δ1 < 90 (degree) 범위에서 선택될 수 있다. 경사 각도(δ1)가 커질수록 절연 거리(I) 및 절연층(1220')의 노출 영역의 폭(W2)은 커지게 되므로, 보다 큰 절연 거리를 확보하기 위해서 경사 각도(δ1)는 작도록 선택될 수 있으며, 예를 들어 0 < δ1 ≤ 45 (degree) 범위에서 선택될 수 있다.
Here, the inclination angle? 1 represents the angle formed by the interface between the insulating layer 1220 'and the second metal layer 1230' and the end of the insulating layer 1220 ', and considering the thickness of the insulating layer 1220' Can be selected so as to secure the desired insulation distance (I). The inclination angle? 1 can be selected in a range of 0 <? 1 <90 (degree). The larger the inclination angle? 1, the larger the insulating distance I and the width W2 of the exposed region of the insulating layer 1220 '. Therefore, in order to secure a larger insulating distance, the inclination angle? For example, 0 <? 1? 45 (degrees).

도 28에서는 상기 기판의 또 다른 실시 형태를 개략적으로 나타내고 있다. 도 28을 참조하면, 상기 기판(1300)은 메탈 지지기판(1310)상에 절연층(1321) 및 상기 절연층(1321) 상에 적층된 동박(1322)으로 이루어진 레진코팅동박막(Resin Coated Copper, RCC)(1320)을 적층하여 형성되며, 상기 렌진코팅동박막(1320)의 일부를 제거하여 상기 발광소자(420)가 장착될 수 있는 적어도 하나의 홈이 형성될 수 있다. 이러한 금속 기판은 발광소자(420)의 하부영역에서 렌진코팅동박막(1320)을 제거하여 발광소자(420)가 직접 메탈 지지기판(1310)에 접촉되는 구조를 가지기 때문에 발광소자(420)로부터 발생된 열이 메탈 지지기판(1310)에 바로 전달되게 되어 방열 성능이 향상된다. 발광소자(420)는 솔더링(1340,1341)을 통해 전기적으로 연결 또는 고정될 수 있다. 동박(1322)의 상측에는 액상 PSR로 이루어진 보호층(1330)이 형성될 수 있다.
Fig. 28 schematically shows another embodiment of the substrate. 28, the substrate 1300 includes a resin-coated copper thin film made of a copper foil 1322 laminated on the insulating layer 1321 and the insulating layer 1321 on a metal supporting substrate 1310, (RCC) 1320, and at least one groove for mounting the light emitting device 420 may be formed by removing a part of the coated thin film 1320. The metal substrate is removed from the light emitting device 420 because the metal thin film 1320 is removed from the lower region of the light emitting device 420 and the light emitting device 420 contacts the metal supporting substrate 1310 directly. The heat is directly transferred to the metal supporting substrate 1310, so that the heat radiation performance is improved. The light emitting device 420 may be electrically connected or fixed through soldering 1340 and 1341. On the upper side of the copper foil 1322, a protective layer 1330 made of a liquid PSR may be formed.

도 29에서는 상기 기판의 또 다른 실시 형태를 개략적으로 나타내고 있다. 본 실시 형태에 따른 기판은 열방출 특성이 우수하고, 제조 비용이 낮은 양극산화 금속 기판을 포함한다. 도 29를 참조하면, 양극산화 금속 기판(1400)은 금속 플레이트(1410), 상기 금속 플레이트(1410) 상에 형성된 양극산화막(1420), 상기 양극산화막(1420) 상에 형성된 전기적 배선(1430)을 포함할 수 있다.29 schematically shows another embodiment of the substrate. The substrate according to the present embodiment includes an anodized metal substrate having excellent heat radiation characteristics and low manufacturing cost. 29, an anodized metal substrate 1400 includes a metal plate 1410, an anodic oxide film 1420 formed on the metal plate 1410, and an electrical wiring 1430 formed on the anodic oxide film 1420 .

상기 금속 플레이트(1410)는 비교적 저가로 손쉽게 얻을 수 있는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금일 수 있으며, 그 밖에도 양극산화가 가능한(anodisable) 다른 금속으로 이루어질 수 있는바, 예컨대, 티타늄, 마그네슘 등의 재료가 가능하다.The metal plate 1410 may be aluminum (Al) or aluminum alloy, which can be easily obtained at a relatively low cost. Alternatively, the metal plate 1410 may be made of another metal that is anodisable. For example, materials such as titanium and magnesium Is possible.

알루미늄을 양극산화(anodizing) 처리하여 얻은 알루미늄 양극산화막(Al2O3)(1420)도 약 10 내지 30W/mK의 비교적 높은 열전달 특성을 갖는다. 따라서, 양극산화 금속 기판은 종래의 폴리머 기판의 PCB 또는 MCPCB 등에 비하여 보다 우수한 열 방출 특성을 나타내게 된다.
The aluminum anodic oxide film (Al 2 O 3) 1420 obtained by anodizing aluminum also has a relatively high heat transfer characteristic of about 10 to 30 W / mK. Therefore, the anodized metal substrate exhibits better heat emission characteristics compared to PCBs or MCPCBs of conventional polymer substrates.

도 30에서는 상기 기판의 또 다른 실시 형태를 개략적으로 나타내고 있다. 도 30에서 도시하는 바와 같이, 상기 기판(1500)은 메탈기판(1510)에 도포된 절연수지(1520)와, 상기 절연수지(1520)에 형성된 회로패턴(1530)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 절연수지(1520)는 200㎛ 이하의 두께를 가질 수 있으며, 고상의 필름형태로 상기 메탈기판(1510)에 라미네이션(lamination) 되거나, 액상 형태로 스핀코팅이나 블레이드를 이용한 주조방식으로 도포될 수 있다. 또한, 상기 회로패턴(1530)은 상기 절연수지(1520)에 음각된 회로패턴의 문양에 구리 등의 금속 물질이 충전되어 형성될 수 있다. 발광소자(420)는 상기 회로패턴(1530)과 전기적으로 연결되도록 실장될 수 있다.
30 schematically shows another embodiment of the substrate. The substrate 1500 may include an insulating resin 1520 applied to the metal substrate 1510 and a circuit pattern 1530 formed on the insulating resin 1520. [ The insulating resin 1520 may have a thickness of 200 μm or less and may be laminated on the metal substrate 1510 in the form of a solid film or may be coated by a casting method using a spin coating or a blade in liquid form . The circuit pattern 1530 may be formed by filling metal patterns such as copper in the pattern of the circuit pattern engraved on the insulating resin 1520. The light emitting device 420 may be mounted to be electrically connected to the circuit pattern 1530.

한편, 상기 기판은 변형이 자유로운 연성회로기판(FPCB)을 포함할 수 있다. 도 31에서 도시하는 바와 같이, 상기 기판(1600)은 하나 이상의 관통구(1611)가 형성되는 연성회로기판(1610), 상기 연성회로기판(1610)이 안착되는 지지 기판(1620)을 포함하며, 상기 관통구(1611)에는 상기 발광소자(420)의 저면과 상기 지지 기판(1620)의 상면을 결합시키는 방열 접착제(1640)가 구비될 수 있다. 여기서, 상기 발광소자(420)의 저면은 칩 패키지의 저면, 또는 상면에 칩이 실장된 리드 프레임의 저면 또는 메탈 블록일 수 있다. 상기 연성회로기판(1610)에는 회로 배선(1630)이 형성되어 있어 상기 발광소자(420)와 전기적으로 연결될 수 있다.Meanwhile, the substrate may include a flexible circuit board (FPCB) that is deformable. 31, the substrate 1600 includes a flexible circuit board 1610 on which at least one through hole 1611 is formed and a support substrate 1620 on which the flexible circuit board 1610 is mounted, The through hole 1611 may be provided with a heat dissipation adhesive 1640 for bonding the bottom surface of the light emitting device 420 and the upper surface of the support substrate 1620. Here, the bottom surface of the light emitting device 420 may be the bottom surface of the chip package or the bottom surface of the lead frame on which the chip is mounted, or a metal block. A circuit wiring 1630 is formed on the flexible circuit board 1610 to be electrically connected to the light emitting device 420.

이와 같이, 연성회로기판(1610)을 사용하여 두께 및 중량 감소를 통해 슬림화 및 경량화가 가능해지고, 제조원가가 절감되며, 방열 접착제(1640)에 의해 발광소자(420)가 지지 기판(1620)에 직접 접합되게 되어 발광소자(420)에서 발생되는 열의 방열 효율을 증대시킬 수 있다.
As described above, the flexible circuit board 1610 can be used to reduce the thickness and weight of the light emitting device 420, thereby making it possible to make the light emitting device 420 slimmer and lighter, So that heat radiation efficiency of heat generated in the light emitting device 420 can be increased.

상술한 기판은 평평하고 납작한 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. 다만, 상기 기판의 사이즈와 구조는 본 실시 형태에 따른 광원 모듈이 사용될 장치, 예를 들어, 조명 장치의 구조에 대응하여 다양하게 변형될 수 있다.
The above-described substrate may be formed into a flat and flat plate shape. However, the size and structure of the substrate may be variously modified in correspondence with the structure of an apparatus, for example, a lighting apparatus in which the light source module according to the present embodiment is to be used.

상기 기판에는 발광소자가 실장되어 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광소자(420)는 외부에서 인가되는 전원에 의해 소정 파장의 빛을 발생시키는 광전소자라면 어느 것이나 이용 가능하며, 대표적으로, 성장 기판 상에 반도체층을 에피텍셜 성장시킨 반도체 발광다이오드(LED)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(420)는 함유되는 물질에 따라서 청색 광, 녹색 광 또는 적색 광을 발광할 수 있으며, 백색 광을 발광할 수도 있다.A light emitting device may be mounted on the substrate and electrically connected thereto. The light emitting device 420 may be any photoelectric device that generates light having a predetermined wavelength by a power source applied from the outside. Typically, a semiconductor light emitting diode (LED) having a semiconductor layer epitaxially grown on a growth substrate, . &Lt; / RTI &gt; The light emitting device 420 may emit blue light, green light, or red light, or may emit white light, depending on the contained substance.

이에 한정하는 것은 아니나, 예를 들면 상기 발광소자(420)는 n형 반도체층 및 p형 반도체층과 이들 사이에 배치된 활성층의 적층 구조를 가질 수 있다. 또한, 여기서 상기 활성층은 단일 또는 다중 양자우물구조로 이루어진 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1)을 포함하는 질화물 반도체로 구성될 수 있다.
For example, the light emitting device 420 may have a stacked structure of an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and an active layer disposed therebetween. The active layer may be a nitride semiconductor containing In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, x + y? 1) Lt; / RTI &gt;

한편, 상술된 실시 형태에 따른 조명 장치에 채용될 수 있는 발광소자는 다양한 구조의 LED 칩 또는 이러한 LED 칩을 포함하는 다양한 형태의 LED 패키지가 사용될 수 있다. 이하, 본 조명 장치들에 유익하게 채용될 수 있는 다양한 LED 칩 및 LED 패키지를 설명한다.
On the other hand, the light emitting device which can be employed in the illumination apparatus according to the above-described embodiment may be variously configured LED chips or various types of LED packages including such LED chips. Hereinafter, various LED chips and LED packages which can be advantageously employed in the present lighting apparatuses will be described.

<발광소자 - 제1 예>&Lt; Light emitting device - First example >

도 32는 LED 칩으로서의 발광소자의 일 예를 개략적으로 나타내는 측단면도이다. 32 is a side sectional view schematically showing an example of a light emitting element as an LED chip.

도 32에 도시된 바와 같이, 발광소자(2000)는 성장 기판(2001) 상에 형성된 발광 적층체(L)를 포함할 수 있다. 상기 발광 적층체(L)는 제1 도전형 반도체층(2004), 활성층(2005) 및 제2 도전형 반도체층(2006)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 32, the light emitting device 2000 may include a light emitting stack L formed on a growth substrate 2001. The light emitting stack L may include a first conductive semiconductor layer 2004, an active layer 2005, and a second conductive semiconductor layer 2006.

또한, 상기 제2 도전형 반도체층(2006) 상에는 오믹 컨택층(2008)이 형성될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(2004) 및 오믹 컨택층(2008)의 상면에는 각각 제1 및 제2 전극(2009a,2009b)이 형성될 수 있다.
The ohmic contact layer 2008 may be formed on the second conductive semiconductor layer 2006. The first conductive semiconductor layer 2004 and the ohmic contact layer 2008 may be formed on the upper surface of the first conductive semiconductor layer 2004 and the ohmic contact layer 2008, Two electrodes 2009a and 2009b may be formed.

본 명세서에서, '상부', '상면', '하부, '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 발광소자가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다. In the present specification, terms such as 'upper', 'upper surface', 'lower surface', 'lower surface', 'side surface' and the like are based on the drawings and may actually vary depending on the direction in which the light emitting device is disposed.

이하, 발광소자의 주요 구성요소에 대해 보다 상세하게 설명하기로 한다.
Hereinafter, the main components of the light emitting device will be described in more detail.

[기판][Board]

발광소자를 구성하는 기판은 에피 성장을 위한 성장용 기판이다. 상기 기판(2001)으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.The substrate constituting the light emitting element is a substrate for growth for epitaxial growth. As the substrate 2001, an insulating, conductive, or semiconductor substrate may be used if necessary. It may be, for example, sapphire, SiC, Si, MgAl 2 O 4, MgO, LiAlO 2, LiGaO 2, GaN. A GaN substrate, which is a homogeneous substrate, is preferable for epitaxial growth of a GaN material, but a GaN substrate has a problem of high production cost due to its difficulty in manufacturing.

이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며, 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판(2001)과 GaN계인 발광 적층체(L) 사이의 버퍼층(2002)을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.
Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates, and sapphire substrates are used more than silicon carbide substrates, which are expensive. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using the buffer layer 2002 between the substrate 2001 and the GaN-based light emitting laminate L. [

상기 기판(2001)은 발광 적층체(L)의 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.The substrate 2001 may be completely or partially removed or patterned in the chip fabrication process to improve the light or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the light emitting stack L. [

예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.For example, in the case of a sapphire substrate, the substrate can be separated by irradiating the laser to the interface with the semiconductor layer through the substrate, and the silicon or silicon carbide substrate can be removed by a method such as polishing / etching.

또한, 상기 기판 제거시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키기 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the support substrate may be bonded by using a reflective metal, or the reflection structure may be inserted in the middle of the bonding layer can do.

기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 발광 적층체의 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.
Substrate patterning improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after growth of the light emitting stack on the main surface (front surface or both sides) or the side surface of the substrate. The size of the pattern can be selected from the range of 5 nm to 500 μm and it is possible to make a structure for improving the light extraction efficiency with a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.

상기 사파이어 기판의 경우, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.In the case of the sapphire substrate, the lattice constants of the hexagonal-rhombo-cubic (Hexa-Rhombo R3c) symmetry are 13.001 Å and 4.758 Å in the c-axis and the a- , R (1102), and the like. In this case, the C-plane is relatively easy to grow the nitride film, and is stable at high temperature, and thus is mainly used as a substrate for nitride growth.

상기 기판(2001)의 다른 물질로는 Si 기판을 들 수 있으며, 대구경화에 보다 적합하고 상대적으로 가격이 낮아 양산성이 향상될 수 있다. (111)면을 기판면으로 갖는 Si 기판이 GaN와의 격자상수의 차이가 17% 정도로 격자 정수의 차이로 인한 결정 결함의 발생을 억제하는 기술이 필요하다. 또한, 실리콘과 GaN 간의 열팽창률의 차이는 약 56% 정도로, 이 열팽창률 차이로 인해서 발생한 웨이퍼 휨을 억제하는 기술이 필요하다. 웨이퍼 휨으로 인해, GaN 박막의 균열을 가져올 수 있고, 공정 제어가 어려워 동일 웨이퍼 내에서 발광 파장의 산포가 커지는 등의 문제를 발생시킬 수 있다.As another material of the substrate 2001, a Si substrate can be exemplified, which is more suitable for large-scale curing and relatively low in cost, and the mass productivity can be improved. There is a need for a technique for suppressing the occurrence of crystal defects due to the difference in lattice constant between the Si substrate having the (111) plane as the substrate surface and the lattice constant difference of about 17% with GaN. Further, the difference in thermal expansion coefficient between silicon and GaN is about 56%, and a technique for suppressing the wafer warping caused by the difference in thermal expansion rate is needed. Wafer warpage can cause cracking of the GaN thin film, and process control is difficult, which can cause problems such as a large scattering of the emission wavelength in the same wafer.

상기 실리콘(Si) 기판은 GaN계 반도체에서 발생하는 빛을 흡수하여 발광소자의 외부 양자 효율이 낮아지므로, 필요에 따라 상기 기판을 제거하고 반사층이 포함된 Si, Ge, SiAl, 세라믹, 또는 금속 기판등의 지지 기판을 추가로 형성하여 사용한다.
Since the external quantum efficiency of the light emitting device is lowered by absorbing the light generated from the GaN-based semiconductor, the silicon (Si) substrate may be removed, if necessary, and Si, Ge, SiAl, Or the like is further formed and used.

[버퍼층][Buffer layer]

상기 Si 기판과 같이 이종 기판상에 GaN 박막을 성장시킬 때, 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자 상수의 불일치로 인해 전위(dislocation) 밀도가 증가하고, 열팽창 계수 차이로 인해 균열(crack) 및 휨이 발생할 수 있다. 발광 적층체(L)의 전위 및 균열을 방지하기 위한 목적으로 기판(2001)과 발광 적층체(L) 사이에 버퍼층(2002)을 배치시킨다. 버퍼층(2002)은 활성층 성장시 기판의 휘는 정도를 조절해 웨이퍼의 파장 산포를 줄이는 기능도 한다.When a GaN thin film is grown on a different substrate such as the Si substrate, the dislocation density increases due to the lattice constant mismatch between the substrate material and the thin film material, and cracks and warpage Lt; / RTI &gt; The buffer layer 2002 is disposed between the substrate 2001 and the light emitting stacked body L for the purpose of preventing dislocation and cracking of the light emitting stacked body L. [ The buffer layer 2002 also functions to reduce the scattering of the wavelength of the wafer by controlling the degree of warping of the substrate during the growth of the active layer.

상기 버퍼층(2002)은 AlxInyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1), 특히 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, 또는 InGaNAlN를 사용할 수 있으며, 필요에 따라 ZrB2, HfB2, ZrN, HfN, TiN 등의 물질도 사용할 수 있다. 또한, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.
The buffer layer 2002 may be made of Al x In y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1), in particular GaN, AlN, AlGaN, InGaN or InGaNAlN. ZrB 2 , HfB 2 , ZrN, HfN, TiN and the like can also be used. Further, a plurality of layers may be combined, or the composition may be gradually changed.

Si 기판은 GaN와 열팽창 계수 차이가 크기 때문에, 실리콘 기판에 GaN계 박막 성장시, 고온에서 GaN 박막을 성장시킨 후, 상온으로 냉각시 기판과 박막 간의 열팽창 계수의 차이에 의해 GaN 박막에 인장응력이 가해져 균열이 발생하기 쉽다. 균열을 막기 위한 방법으로 성장 중에 박막에 압축 응력이 걸리도록 성장하는 방법을 이용해 인장응력을 보상한다.Since the Si substrate has a large difference in thermal expansion coefficient from that of GaN, the GaN thin film is grown at a high temperature when the GaN thin film is grown on the silicon substrate, and then the tensile stress is applied to the GaN thin film due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the thin film And cracks are likely to occur. Tensile stress is compensated by using a method to prevent cracks by growing the thin film so that the thin film undergoes compressive stress during growth.

실리콘(Si)은 GaN과의 격자 상수 차이로 인해, 결함 발생 가능성도 크다. Si 기판을 사용하는 경우는 결함 제어뿐만 아니라 휨을 억제하기 위한 응력 제어를 동시에 해줘야 하기 때문에 복합 구조의 버퍼층을 사용한다. Silicon (Si) has a high probability of occurrence of defects due to a difference in lattice constant with GaN. In case of using Si substrate, a complex structure buffer layer is used because it is necessary not only to control defects but also to control stress to suppress warpage.

예를 들어, 먼저 기판(2001) 상에 AlN를 형성한다. Si와 Ga 반응을 막기 위해 Ga을 포함하지 않은 물질을 사용하는 것이 좋다. AlN 뿐만 아니라 SiC 등의 물질도 사용할 수 있다. Al 소스와 N 소스를 이용하여 400 ~ 1300℃ 사이의 온도에서 성장시킨다. 필요에 따라, 복수의 AlN 층 사이에 GaN 중간에 응력을 제어하기 위한 AlGaN 중간층을 삽입할 수 있다.
For example, first, AlN is formed on the substrate 2001. It is advisable to use a material that does not contain Ga to prevent Si and Ga reactions. AlN as well as materials such as SiC can be used. And grown at a temperature between 400 and 1300 ° C using an Al source and an N source. If necessary, an AlGaN intermediate layer for controlling the stress in the middle of GaN can be inserted between the plurality of AlN layers.

[발광 적층체][Luminescent laminate]

3족 질화물 반도체의 다층 구조를 구비하는 발광 적층체(L)를 보다 자세히 설명하면, 제1 및 제2 도전형 반도체층(2004, 2006)은 각각 n형 및 p형 불순물이 도핑된 반도체로 이루어질 수 있다.More specifically, the first and second conductivity-type semiconductor layers 2004 and 2006 are made of semiconductors doped with n-type and p-type impurities, respectively, .

다만, 이에 제한되는 것은 아니고 반대로 각각 p형 및 n형 반도체층이 될 수도 있을 것이다. 예를 들어, 제1 및 제2 도전형 반도체층(2004, 2006)은 3족 질화물 반도체, 예컨대, AlxInyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 물론, 이에 한정되지 않으며, AlGaInP계열 반도체나 AlGaAs계열 반도체와 같은 물질도 이용될 수 있을 것이다. However, the present invention is not limited thereto, and conversely, it may be a p-type and an n-type semiconductor layer, respectively. For example, the first and second conductivity type semiconductor layer (2004, 2006), group III nitride semiconductor, for example, Al x In y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0? X + y? 1). Of course, the present invention is not limited to this, and materials such as AlGaInP series semiconductor and AlGaAs series semiconductor may be used.

한편, 제1 및 제2 도전형 반도체층(2004, 2006)은 단층 구조로 이루어질 수 있지만, 이와 달리, 필요에 따라 서로 다른 조성이나 두께 등을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 도전형 반도체층(2004, 2006)은 각각 전자 및 정공의 주입 효율을 개선할 수 있는 캐리어 주입층을 구비할 수 있으며, 또한, 다양한 형태의 초격자 구조를 구비할 수도 있다.Meanwhile, the first and second conductivity type semiconductor layers 2004 and 2006 may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure having different compositions and thicknesses as needed. For example, the first and second conductivity type semiconductor layers 2004 and 2006 may have a carrier injection layer capable of improving injection efficiency of electrons and holes, respectively, and may have various superlattice structures You may.

상기 제1 도전형 반도체층(2004)은 활성층(2005)과 인접한 부분에 전류 확산층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 상기 전류 확산층은 서로 다른 조성을 갖거나, 서로 다른 불순물 함량을 갖는 복수의 InxAlyGa(1-x-y)N층이 반복해서 적층되는 구조 또는 절연 물질 층이 부분적으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 2004 may further include a current diffusion layer (not shown) at a portion adjacent to the active layer 2005. The current diffusion layer may have a structure in which a plurality of In x Al y Ga (1-xy) N layers having different compositions or having different impurity contents are repeatedly laminated, or a layer of an insulating material may be partially formed.

상기 제2 도전형 반도체층(2006)은 활성층(2005)과 인접한 부분에 전자 차단층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 상기 전자 차단층은 복수의 서로 다른 조성의 InxAlyGa(1-x-y)N를 적층한 구조 또는 AlyGa(1-y)N로 구성된 1층 이상의 층을 가질 수 있으며, 활성층(2005)보다 밴드갭이 커서 제2 도전형(p형) 반도체층(2006)으로 전자가 넘어가는 것을 방지한다.
The second conductivity type semiconductor layer 2006 may further include an electron blocking layer (not shown) at a portion adjacent to the active layer 2005. The electron blocking layer may have a structure in which a plurality of different In x Al y Ga (1-xy) N layers are stacked or a single layer or more of Al y Ga (1-y) N, (P-type) semiconductor layer 2006. The second conductive type (p-type) semiconductor layer 2006 has a bandgap larger than that of the second conductive type

상기 발광 적층체(L)는 MOCVD 장치를 사용하며, 제조방법으로는 성장 기판(2001)을 설치한 반응 용기 내에 반응 가스로 유기 금속 화합물 가스(예, 트리메틸 갈륨 (TMG), 트리메틸 알루미늄(TMA) 등)와 질소 함유 가스(암모니아(NH3) 등)을 공급하고, 기판의 온도를 900℃∼1100℃의 고온으로 유지하고, 기판상에 질화 갈륨계 화합물 반도체를 성장하면서, 필요에 따라 불순물 가스를 공급해, 질화 갈륨계 화합물 반도체를 언도프, n형, 또는 p형으로 적층한다. n형 불순물로는 Si이 잘 알려져 있고, p형 불순물으로서는 Zn, Cd, Be, Mg, Ca, Ba 등이 있으며, 주로 Mg, Zn가 사용된다. The light emitting laminate L may be an MOCVD apparatus and may be fabricated by using an organic metal compound gas such as trimethyl gallium (TMG), trimethyl aluminum (TMA), or the like as a reaction gas in a reaction vessel provided with a growth substrate 2001, , Etc.) and a nitrogen-containing gas (ammonia (NH 3) or the like) are supplied to the substrate, the temperature of the substrate is maintained at a high temperature of 900 ° C to 1100 ° C and a gallium nitride compound semiconductor is grown on the substrate. And a gallium nitride compound semiconductor is laminated in an undoped, n-type, or p-type. As the n-type impurity, Si is well known. As the p-type impurity, Zn, Cd, Be, Mg, Ca, Ba, etc. are mainly used.

또한, 제1 및 제2 도전형 반도체층(2004, 2006) 사이에 배치된 활성층(2005)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조, 예컨대, 질화물 반도체일 경우, GaN/InGaN 구조가 사용될 수 있으며, 다만, 단일 양자우물(SQW) 구조를 사용할 수도 있을 것이다.
The active layer 2005 disposed between the first and second conductivity type semiconductor layers 2004 and 2006 may be a multiple quantum well (MQW) structure in which a quantum well layer and a quantum barrier layer are alternately stacked, for example, a nitride semiconductor , A GaN / InGaN structure may be used, but a single quantum well (SQW) structure may also be used.

[오믹 컨택층 및 제1 및 제2 전극][The ohmic contact layer and the first and second electrodes]

상기 오믹 컨택층(2008)은 불순물 농도를 상대적으로 높게 해서 오믹 컨택 저항을 낮추어 소자의 동작 전압을 낮추고 소자 특성을 향상시킬 수 있다. 상기 오믹 컨택층(2008)은 GaN, InGaN, ZnO, 또는 그래핀층으로 구성될 수 있다.The ohmic contact layer 2008 may have a relatively high impurity concentration to lower the ohmic contact resistance, thereby lowering the device operating voltage and improving the device characteristics. The ohmic contact layer 2008 may be composed of GaN, InGaN, ZnO, or a graphene layer.

제1 또는 제2 전극(2009a, 2009b)으로는 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있으며, Ni/Ag, Zn/Ag, Ni/Al, Zn/Al, Pd/Ag, Pd/Al, Ir/Ag. Ir/Au, Pt/Ag, Pt/Al, Ni/Ag/Pt 등과 같이 2층 이상의 구조로 채용될 수 있다.
The first and second electrodes 2009a and 2009b may include materials such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, , Ni / Al, Zn / Al, Pd / Ag, Pd / Al, Ir / Ag. Or two or more layers such as Ir / Au, Pt / Ag, Pt / Al, and Ni / Ag / Pt.

도 32에 도시된 LED 칩은 하나의 예로 제1 및 제2 전극이 광추출면과 동일한 면을 향하고 있는 구조이나 광추출면과 반대 방향으로 되는 플립칩 구조, 제1 전극 및 제2 전극을 상호 반대되는 면에 형성한 수직구조, 전류 분산의 효율 및 방열 효율을 높이기 위한 구조로 칩에 여러 개의 비아를 형성하여 전극 구조를 채용한 수직수평 구조등 다양한 구조로 구현될 수 있다.
The LED chip shown in FIG. 32 includes, for example, a structure in which the first and second electrodes face the same surface as the light extracting surface, a flip chip structure in which the first and second electrodes are opposite to the light extracting surface, The vertical structure formed on the opposite surface, the structure for increasing the efficiency of current dispersion and the heat dissipation efficiency, and the vertical and horizontal structure employing the electrode structure by forming multiple vias on the chip.

<발광소자 - 제2 예>&Lt; Light emitting device - Example 2 &

고출력을 위한 대면적 발광소자를 제조하는 경우, 전류분산의 효율과 방열 효율을 위한 구조로 도 33에 도시된 LED 칩이 있을 수 있다. In the case of manufacturing a large-area light emitting device for high output, the LED chip shown in FIG. 33 may be a structure for efficiency of current dispersion and heat dissipation efficiency.

도 33에 도시된 바와 같이, LED 칩(2100)은 제1 도전형 반도체층(2104), 활성층(2105), 제2 도전형 반도체층(2106), 제2 전극층(2107), 절연층(2102), 제1 전극층(2108) 및 기판(2101)을 포함한다. 이때 제1 전극층(2108)은 제1 도전형 반도체층(2104)에 전기적으로 접속하기 위하여 제2 도전형 반도체층(2106) 및 활성층(2105)과는 전기적으로 절연되어 제1 전극층(2108)의 일면으로부터 제1 도전형 반도체층(2104)의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 이상의 콘택 홀(H)을 포함한다. 상기 제1 전극층(2108)은 본 실시예에서 필수적인 구성요소는 아니다. 33, the LED chip 2100 includes a first conductive semiconductor layer 2104, an active layer 2105, a second conductive semiconductor layer 2106, a second electrode layer 2107, an insulating layer 2102 ), A first electrode layer 2108, and a substrate 2101. The first electrode layer 2108 is electrically insulated from the second conductivity type semiconductor layer 2106 and the active layer 2105 to be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 2104, And at least one contact hole (H) extending from one surface to at least a partial region of the first conductive type semiconductor layer (2104). The first electrode layer 2108 is not an essential component in the present embodiment.

상기 콘택홀(H)은 제1 전극층(2108)의 계면에서부터 제2 전극층(2107), 제2 도전형 반도체층(2106) 및 활성층(2105)을 통과하여 제1 도전형 반도체층(2104) 내부까지 연장된다. 적어도 활성층(2105) 및 제1 도전형 반도체층(2104)의 계면까지는 연장되고, 바람직하게는 제1 도전형 반도체층(2104)의 일부까지 연장된다. 다만, 콘택홀(H)은 제1 도전형 반도체층(2104)의 전기적 연결 및 전류분산을 위한 것이므로 제1 도전형 반도체층(2104)과 접촉하면 목적을 달성하기 때문에 제1 도전형 반도체층(2104)의 외부표면까지 연장될 필요는 없다.The contact hole H is formed in the first conductive semiconductor layer 2104 through the second electrode layer 2107, the second conductivity type semiconductor layer 2106, and the active layer 2105 from the interface of the first electrode layer 2108, . At least to the interface between the active layer 2105 and the first conductivity type semiconductor layer 2104 and preferably to a portion of the first conductivity type semiconductor layer 2104. [ However, since the contact hole H is for electrical connection and current dispersion of the first conductivity type semiconductor layer 2104, the contact hole H may be formed in contact with the first conductivity type semiconductor layer 2104, 2104, &lt; / RTI &gt;

제2 도전형 반도체층(2106)과 접속되도록 형성된 제2 전극층(2107)은, 광 반사 기능과 제2 도전형 반도체층(2106)과 오믹 컨택 기능을 고려하여 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질 중에서 선택하여 사용될 수 있으며, 스퍼터링이나 증착 등의 공정을 이용할 수 있다.A second electrode layer 2107 connected to the second conductivity type semiconductor layer 2106 may be formed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, or the like in consideration of the light reflection function, the second conductivity type semiconductor layer 2106, , Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, and Au, and may be sputtered or deposited.

상기 콘택홀(H)은 상기 제1 도전형 반도체층(2104)에 연결되도록 제2 전극층(2107), 제2 도전형 반도체층(2106) 및 활성층(2105)을 관통하는 형상을 갖는다. 이러한 콘택홀(H)은 식각 공정, 예컨대, ICP-RIE 등을 이용하여 실행될 수 있다.The contact hole H has a shape penetrating the second electrode layer 2107, the second conductivity type semiconductor layer 2106, and the active layer 2105 to be connected to the first conductivity type semiconductor layer 2104. Such a contact hole H can be performed using an etching process, for example, ICP-RIE.

상기 콘택홀(H)의 측벽과 상기 제2 전극층(2107)의 하면을 덮도록 절연층(2102)을 형성한다. 이 경우, 상기 콘택홀(H)에 의해 제1 도전형 반도체층(2104)은 적어도 일부가 노출될 수 있다. 상기 절연층(2102)은 SiO2, SiOxNy, SixNy과 같은 절연 물질을 증착시켜 형성될 수 있다. 상기 절연층(2102)은 CVD 공정을 통해 500℃ 이하에서 대략 0.01㎛ ~ 3㎛ 두께로 증착할 수 있다.An insulating layer 2102 is formed to cover the side wall of the contact hole H and the lower surface of the second electrode layer 2107. In this case, at least a part of the first conductivity type semiconductor layer 2104 may be exposed by the contact hole H. The insulating layer 2102 may be formed by depositing an insulating material such as SiO 2 , SiO x N y , or Si x N y . The insulating layer 2102 may be deposited to a thickness of approximately 0.01 μm to 3 μm at 500 ° C. or lower through a CVD process.

상기 콘택홀(H)에는 도전 물질이 충전되어 형성된 도전성 비아를 포함한 제1 전극층(2108)이 형성된다. 상기 도전성 비아는 하나의 발광소자 영역에 복수개 형성될 수 있다. 복수의 비아가 제1 도전형 반도체층(2104)과 접촉하는 영역의 평면 상에서 차지하는 면적은 발광소자 영역의 면적의 1% 내지 5%의 범위가 되도록 비아 개수 및 접촉 면적이 조절될 수 있다. 비아의 제1 도전형 반도체층(2104)과 접촉하는 영역의 평면상의 반경은, 예를 들어, 5㎛ 내지 50㎛의 범위일 수 있으며, 비아의 개수는 발광소자 영역의 넓이에 따라 발광소자 영역당 1개 내지 50개일 수 있다. 상기 비아는 발광소자 영역의 넓이에 따라 다르지만 바람직하게는 3개 이상이 좋으며, 각 비아 간의 거리는 100㎛ 내지 500㎛ 범위의 행과 열을 가지는 매트릭스 구조일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 150㎛ 내지 450㎛ 범위일 수 있다. 각 비아간의 거리가 100㎛보다 작으면 비아의 개수가 증가하게 되고, 상대적으로 발광면적이 줄어들어 발광효율이 작아지며, 거리가 500㎛보다 커지면 전류 확산이 어려워 발광효율이 떨어지는 문제가 있을 수 있다. 콘택홀(H)의 깊이는 제2 도전형 반도체층 및 활성층의 두께에 따라 다르나 대략 0.5㎛ 내지 5.0㎛의 범위일 수 있다.A first electrode layer 2108 including a conductive via filled with a conductive material is formed in the contact hole H. The plurality of conductive vias may be formed in one light emitting device region. The number of vias and the contact area can be adjusted so that the area occupied by the plurality of vias on the plane of the region in contact with the first conductivity type semiconductor layer 2104 is in the range of 1% to 5% of the area of the light emitting device region. The radius on the plane of the region of the via contacting the first conductive type semiconductor layer 2104 may be, for example, in the range of 5 to 50 占 퐉, and the number of vias may be, Can be from 1 to 50 per one. The distance between the vias may be a matrix structure having rows and columns in the range of 100 to 500 mu m, more preferably 150 to 450 mu m, and more preferably, Lt; / RTI &gt; If the distance between the vias is less than 100 탆, the number of vias increases, the light emission area decreases, and the luminous efficiency decreases. If the distance is larger than 500 탆, current diffusion becomes difficult and the luminous efficiency may become poor. The depth of the contact hole H may be in a range of approximately 0.5 탆 to 5.0 탆 though it depends on the thickness of the second conductivity type semiconductor layer and the active layer.

이어 제1 전극층(2108)의 하부에 기판(2101)을 형성한다. 이러한 구조에서, 기판(2101)은 제1 도전형 반도체층(2104)과 접속되는 도전성 비아에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.Subsequently, a substrate 2101 is formed under the first electrode layer 2108. In this structure, the substrate 2101 may be electrically connected by the conductive vias connected to the first conductive type semiconductor layer 2104.

상기 기판(2101)은 이에 한정되지는 않으나 Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs, SiAl, Ge, Sic, AlN, Al2O3, GaN, AlGaN 중 어느 하나를 포함하는 물질로 이루어질 수 있으며, 도금, 스퍼터링, 증착 또는 접착 등의 공정으로 형성될 수 있다. Material that the substrate 2101 includes any one of, but are not limited to Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs, SiAl, Ge, Sic, AlN, Al 2 O 3, GaN, AlGaN And may be formed by a process such as plating, sputtering, vapor deposition or adhesion.

상기 콘택홀(H)은 접촉 저항이 낮아지도록 개수, 형상, 피치, 제1 및 제2 도전형 반도체층(2104, 2106)과의 접촉 면적 등이 적절히 조절될 수 있으며, 행과 열을 따라 다양한 형태로 배열됨으로써 전류 흐름이 개선될 수 있다. 이때, 상기 제2 전극층(2107)은 상기 제2 도전형 반도체층(2106)과 접촉하는 계면 중 일부가 노출된 영역, 즉 노출 영역(E)을 적어도 하나 이상 구비할 수 있다. 상기 노출 영역(E) 상에는 외부 전원을 상기 제2 전극층(2107)에 연결하기 위한 전극패드부(2109)를 구비할 수 있다.The number, shape, pitch, contact area of the first and second conductivity type semiconductor layers 2104 and 2106, and the like can be appropriately adjusted so that the contact resistance of the contact hole H is lowered. The current flow can be improved. At this time, the second electrode layer 2107 may include at least one exposed region E, that is, a portion of the interface between the second conductive semiconductor layer 2106 and the second conductive semiconductor layer 2106. And an electrode pad portion 2109 for connecting an external power source to the second electrode layer 2107 may be provided on the exposed region E. [

이와 같이, 도 32에 도시된 LED칩(2100)은, 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 가지며, 각각 상기 제1 및 제2 주면을 제공하는 제1 및 제2 도전형 반도체층(2104, 2106)과 그 사이에 형성된 활성층(2105)을 갖는 발광 구조체와, 상기 제2 주면으로부터 상기 활성층(2105)을 지나 상기 제1 도전형 반도체층(2104)의 일 영역에 연결된 콘택홀(H)과, 상기 발광 구조체의 제2 주면 상에 형성되며 상기 제1 도전형 반도체층(2104)의 일 영역에 상기 콘택홀(H)을 통해 연결된 제1 전극층(2108)과, 상기 발광 구조체의 제2 주면 상에 형성되며 상기 제2 도전형 반도체층(2106)에 연결된 제2 전극층(2107)을 포함하는 것으로 설명될 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2 전극층(2108, 2107) 중 어느 하나가 상기 발광 구조체의 측방향으로 인출된 구조를 가질 수 있다.
32, the LED chip 2100 includes first and second conductive semiconductor layers 2104 and 2102 having first and second major surfaces opposite to each other and providing the first and second main surfaces, respectively, A contact hole H connected to one region of the first conductive type semiconductor layer 2104 from the second main surface through the active layer 2105 and a second conductive type semiconductor layer 2104 formed between the second main surface and the active layer 2105; A first electrode layer 2108 formed on a second main surface of the light emitting structure and connected to one region of the first conductivity type semiconductor layer 2104 through the contact hole H, And a second electrode layer 2107 formed on the second conductive semiconductor layer 2106 and connected to the second conductive semiconductor layer 2106. Here, one of the first and second electrode layers 2108 and 2107 may have a structure that is drawn out laterally of the light emitting structure.

<발광소자 - 제3 예>&Lt; Light emitting device - third example &

LED를 이용한 조명 장치는 방열 특성이 개선된 특징을 제공하고 있으나, 전체적인 방열 성능 측면에서 볼 때에, 조명 장치에 채용되는 LED 칩 자체를 발열량이 적은 LED 칩으로 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 요건을 만족하는 LED 칩으로서, 나노 구조체를 포함한 LED 칩(이하, "나노 LED 칩"이라 함)이 사용될 수 있다.Although the illumination device using the LED provides the improved heat dissipation characteristic, it is preferable that the LED chip itself used in the illumination device is used as an LED chip having a small heat generation amount in terms of overall heat radiation performance. An LED chip (hereinafter referred to as a "nano LED chip") including a nano structure may be used as the LED chip satisfying these requirements.

이러한 나노 LED 칩으로 최근에 개발된 코어(core)/셀(shell)형 나노 LED 칩이 있으며, 특히, 결합 밀도가 작아서 상대적으로 열 발생이 작을 뿐만 아니라, 나노 구조체를 활용하여 발광면적을 늘려 발광 효율을 높일 수 있으며, 비극성 활성층을 얻을 수 있어 분극에 의한 효율저하를 방지할 수 있으므로, 드랍(droop)특성을 개선할 수 있다.
In recent years, there has been developed a core / shell type nano LED chip as a nano LED chip. Particularly, since the bonding density is relatively small, the heat generation is relatively small and the light emitting area is increased by utilizing the nano structure, The efficiency can be increased, and the nonpolar active layer can be obtained, so that the decrease in efficiency due to polarization can be prevented, and droop characteristics can be improved.

도 34에는 광원 모듈에 채용될 수 있는 LED 칩의 또 다른 예로서 나노 LED 칩이 예시되어 있다.
Fig. 34 exemplifies a nano-LED chip as another example of the LED chip that can be employed in the light source module.

도 34에 도시된 바와 같이, 나노 LED 칩(2200)은 기판(2201) 상에 형성된 다수의 나노 발광 구조체(N)를 포함한다. 본 예에서 나노 발광 구조체(N)는 코어-셀(core-shell) 구조로서 로드 구조로 예시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 피라미드 구조와 같은 다른 구조를 가질 수 있다. As shown in FIG. 34, the nano-LED chip 2200 includes a plurality of nano-light-emitting structures N formed on a substrate 2201. In this example, the nano-light-emitting structure N is illustrated as a rod-like structure as a core-shell structure, but it is not limited thereto and may have another structure such as a pyramid structure.

상기 나노 LED 칩(2200)은 기판(2201) 상에 형성된 베이스층(2202)을 포함한다. 상기 베이스층(2202)은 나노 발광 구조체(N)의 성장면을 제공하는 층으로서 제1 도전형 반도체층일 수 있다. 상기 베이스층(2202) 상에는 나노 발광 구조체(N)(특히, 코어) 성장을 위한 오픈영역을 갖는 마스크층(2203)이 형성될 수 있다. 상기 마스크층(2203)은 SiO2 또는 SiNx와 같은 유전체 물질일 수 있다.The nano-LED chip 2200 includes a base layer 2202 formed on a substrate 2201. The base layer 2202 may be a first conductive semiconductor layer as a layer for providing a growth surface of the nano-light emitting structure N. On the base layer 2202, a mask layer 2203 having an open region for growing the nano-light-emitting structure N (in particular, a core) may be formed. The mask layer 2203 may be a dielectric material such as SiO 2 or SiN x .

상기 나노 발광 구조체(N)는 오픈영역을 갖는 마스크층(2203)을 이용하여 제1 도전형 반도체층을 선택 성장시킴으로써 제1 도전형 나노 코어(2204)를 형성하고, 상기 나노 코어(2204)의 표면에 쉘층으로서 활성층(2205) 및 제2 도전형 반도체층(2206)을 형성한다. 이로써, 나노 발광 구조체(N)는 제1 도전형 반도체층이 나노 코어가 되고, 나노 코어를 감싸는 활성층(2205) 및 제2 도전형 반도체층(2206)이 쉘층이 되는 코어-쉘(core-shell) 구조를 가질 수 있다.The nano-light-emitting structure N may be formed by selectively growing a first conductive type semiconductor layer using a mask layer 2203 having an open region to form a first conductive type nanocore 2204, An active layer 2205 and a second conductivity type semiconductor layer 2206 are formed as a shell layer on the surface. The nano-light-emitting structure N may include a core-shell structure in which the first conductivity type semiconductor layer becomes a nanocore, the active layer 2205 that surrounds the nanocore, and the second conductivity type semiconductor layer 2206 form a shell layer. ) Structure.

본 예에 따른 나노 LED 칩(2200)은 나노 발광 구조체(N) 사이에 채워진 충전물질(2207)을 포함한다. 상기 충전물질(2207)은 나노 발광 구조체(N)를 구조적으로 안정화시키고, 광학적으로 개선하기 위하여 필요에 따라 채용될 수 있다. 상기 충전물질(2207)은 이에 한정되지는 않으나, SiO2와 같은 투명한 물질로 형성될 수 있다. 상기 나노 발광 구조체(N) 상에는 제2 도전형 반도체층(2206)에 접속되도록 오믹 콘택층(2208)이 형성될 수 있다. 상기 나노 LED 칩(2200)은 제1 도전형 반도체층으로 이루어진 상기 베이스층(2202)과 상기 오믹 콘택층(2208)에 각각 접속된 제1 및 제2 전극(2209a,2209b)을 포함한다.
The nano-LED chip 2200 according to the present example includes a filling material 2207 filled between the nano-light-emitting structures N. The filling material 2207 may be employed as needed to structurally stabilize and optically improve the nano-luminous structure N. [ The filling material 2207 is not limited thereto, but may be formed of a transparent material such as SiO 2 . The ohmic contact layer 2208 may be formed on the nano-light-emitting structure N so as to be connected to the second conductive semiconductor layer 2206. The nano-LED chip 2200 includes first and second electrodes 2209a and 2209b connected to the base layer 2202 and the ohmic contact layer 2208, respectively.

나노 발광 구조체(N)의 직경, 성분 및 도핑농도 중 적어도 하나를 달리 구현하여 단일한 소자에서 2 이상의 다른 파장의 광을 방출할 수 있다. 다른 파장의 광을 적절히 조절하여 단일 소자에서 형광체를 사용하지 않고도 백색 광을 구현할 수 있으며, 이러한 소자와 함께 다른 LED 칩을 결합하거나 또는 형광체와 같은 파장변환 물질을 결합하여 원하는 다양한 색깔의 광 또는 색온도가 다른 백색 광을 구현할 수 있다.
At least one of the diameter, the component and the doping concentration of the nanostructured structure N may be differently applied to emit light of two or more different wavelengths in a single device. White light can be realized without using a phosphor in a single device by appropriately controlling light of other wavelengths and it is possible to combine other LED chips with such a device or to combine wavelength conversion materials such as phosphors to obtain desired color light or color temperature Different white light can be realized.

<발광소자 - 제4 예>&Lt; Light emitting device - fourth example &

도 35에는 조명 장치에 채용될 수 있는 광원으로서, 실장 기판(2320) 상에 실장된 LED 칩(2310)을 갖는 반도체 발광소자(2300)가 도시되어 있다. 35 shows a semiconductor light emitting element 2300 having an LED chip 2310 mounted on a mounting substrate 2320 as a light source which can be employed in an illumination apparatus.

도 35에 도시된 반도체 발광소자(2300)는 실장 기판(2320)과 실장 기판(2320)에 탑재된 LED 칩(2310)을 포함한다. 상기 LED 칩(2310)은 앞서 설명된 예와 다른 LED 칩으로 제시되어 있다. The semiconductor light emitting device 2300 shown in FIG. 35 includes a mounting substrate 2320 and an LED chip 2310 mounted on the mounting substrate 2320. The LED chip 2310 is shown as an LED chip different from the example described above.

상기 LED 칩(2310)은 기판(2301)의 일면 상에 배치된 발광 적층체(L)와, 상기 발광 적층체(L)를 기준으로 상기 기판(2301) 반대 측에 배치된 제1 및 제2 전극 (2308a,2308b)을 포함한다. 또한, 상기 LED 칩(2310)은 상기 제1 및 제2 전극(2308a,2308b)을 덮도록 형성되는 절연부(2303)를 포함한다. The LED chip 2310 includes a light emitting stacked body L disposed on one side of the substrate 2301 and first and second light emitting element units 2301 and 2302 disposed on the side opposite to the substrate 2301 with respect to the light emitting stacked body L, Electrodes 2308a and 2308b. In addition, the LED chip 2310 includes an insulating portion 2303 formed to cover the first and second electrodes 2308a and 2308b.

상기 제1 및 제2 전극(2308a, 2308b)은 제1 및 제2 전기연결부(2309a,2309b)에 의해 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극 패드(2319a,2319b)를 포함할 수 있다.
The first and second electrodes 2308a and 2308b may include first and second electrode pads 2319a and 2319b electrically connected to each other by first and second electrical connection portions 2309a and 2309b.

상기 발광 적층체(L)는 제1 도전형 반도체층(2304), 활성층(2305) 및 제2 도전형 반도체층(2306)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(2308a)은 상기 제2 도전형 반도체층(2306) 및 활성층(2305)을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층(2304)과 접속된 도전성 비아로 제공될 수 있다. 상기 제2 전극(2308b)는 제2 도전형 반도체층(2306)과 접속될 수 있다.The light emitting layered product L may include a first conductive type semiconductor layer 2304, an active layer 2305, and a second conductive type semiconductor layer 2306. The first electrode 2308a may be provided as a conductive via connected to the first conductive type semiconductor layer 2304 through the second conductive type semiconductor layer 2306 and the active layer 2305. [ The second electrode 2308b may be connected to the second conductive type semiconductor layer 2306. [

상기 도전성 비아는 하나의 발광소자 영역에 복수개 형성될 수 있다. 복수의 비아들이 제1 도전형 반도체층(2304)과 접촉하는 영역의 평면상에서 차지하는 면적은 발광소자 영역의 면적의 1% 내지 5%의 범위가 되도록 비아의 개수 및 접촉 면적이 조절될 수 있다. 비아의 제1 도전형 반도체층(2304)과 접촉하는 영역의 평면상의 반경은, 예를 들어, 5㎛ 내지 50㎛의 범위일 수 있으며, 비아의 개수는 발광소자 영역의 넓이에 따라, 발광소자 영역 당 1개 내지 50개일 수 있다. 상기 비아는 발광소자 영역의 넓이에 따라 다르지만 바람직하게는 3개 이상이 좋으며, 각 비아간의 거리는 100㎛ 내지 500㎛ 범위의 행과 열을 가지는 매트릭스 구조일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 150㎛ 내지 450㎛ 범위일 수 있다. 각 비아간의 거리가 100㎛ 보다 작으면 비아의 개수가 증가하게 되고 상대적으로 발광면적이 줄어들어 발광 효율이 작아지며, 거리가 500㎛보다 커지면 전류 확산이 어려워 발광 효율이 떨어지는 문제가 있을 수 있다. 비아의 깊이는 제2 도전형 반도체층(2306) 및 활성층(2305)의 두께에 따라 다르나 0.5㎛ 내지 5㎛의 범위일 수 있다.The plurality of conductive vias may be formed in one light emitting device region. The number of vias and the contact area can be adjusted so that the area occupied by the plurality of vias on the plane of the region in contact with the first conductivity type semiconductor layer 2304 is in a range of 1% to 5% of the area of the light emitting device region. The radius on the plane of the region of the via contact with the first conductivity type semiconductor layer 2304 may be, for example, in the range of 5 占 퐉 to 50 占 퐉, and the number of vias depends on the width of the light emitting element region, And may be from 1 to 50 per region. The distance between the vias may be a matrix structure having rows and columns in the range of 100 to 500 mu m, more preferably 150 to 450 mu m, and more preferably, Lt; / RTI &gt; If the distance between the vias is less than 100 탆, the number of vias increases, the emission area decreases, and the luminous efficiency decreases. If the distance is larger than 500 탆, current diffusion becomes difficult and the luminous efficiency may become poor. The depth of the via depends on the thickness of the second conductivity type semiconductor layer 2306 and the active layer 2305, but may be in the range of 0.5 μm to 5 μm.

상기 발광 적층체(L) 상에 도전성 오믹 물질을 증착하여 상기 제1 및 제2 전극(2308a,2308b)을 형성한다. 상기 제1 및 제2 전극(2308a,2308b)은 Ag, Al, Ni, Cr, Cu, Au, Pd, Pt, Sn, Ti, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn 또는 이들을 포함하는 합금물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(2308b)은 제2 도전형 반도체층(2306)을 기준으로 적층된 Ag층의 오믹 전극일 수 있다. 상기 Ag 오믹 전극은 광의 반사층의 역할도 한다. 상기 Ag층 상에 선택적으로 Ni, Ti, Pt, W의 단일층 혹은 이들의 합금층이 교대로 적층될 수 있다. 구체적으로 Ag층 상에 Ni/Ti층, TiW/Pt층 혹은 Ti/W층이 적층되거나 또는 이들 층이 교대로 적층될 수 있다. A conductive ohmic material is deposited on the light emitting stacked body (L) to form the first and second electrodes 2308a and 2308b. The first and second electrodes 2308a and 2308b may be formed of a material such as Ag, Al, Ni, Cr, Cu, Au, Pd, Pt, Sn, Ti, W, Rh, Ir, Ru, Mg, Zn, Or the like. For example, the second electrode 2308b may be an ohmic electrode of the Ag layer stacked with respect to the second conductive type semiconductor layer 2306. The Ag ohmic electrode also serves as a light reflection layer. A single layer of Ni, Ti, Pt, or W, or an alloy layer thereof may alternatively be stacked on the Ag layer. Specifically, a Ni / Ti layer, a TiW / Pt layer, or a Ti / W layer may be laminated on the Ag layer, or these layers may be alternately laminated.

상기 제1 전극(2308a)은 제1 도전형 반도체층(2304)을 기준으로 Cr층이 적층되고, 상기 Cr층 상에 Au/Pt/Ti층이 순서대로 적층되거나, 혹은 제2 도전형 반도체층(2306)을 기준으로 Al층이 적층되고, 상기 Al층 상에 Ti/Ni/Au층이 순서대로 적층될 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극(2308a,2308b)은 오믹 특성 또는 반사 특성을 향상시키기 위해 상기 실시예 외에 다양한 재료 또는 적층 구조를 적용할 수 있다.The first electrode 2308a may include a Cr layer stacked on the first conductive type semiconductor layer 2304, an Au / Pt / Ti layer stacked on the Cr layer in order, An Al layer is stacked on the Al layer 2306, and a Ti / Ni / Au layer is stacked on the Al layer in this order. The first and second electrodes 2308a and 2308b may be formed of various materials or laminated structures in addition to the above embodiments in order to improve ohmic characteristics or reflection characteristics.

상기 절연부(2303)는 상기 제1 및 제2 전극(2308a,2308b)의 적어도 일부를 노출시키도록 오픈 영역을 구비하며, 상기 제1 및 제2 전극 패드(2319a,2319b)는 상기 제1 및 제2 전극(2308a,2308b)과 접속될 수 있다. 상기 절연부(2303)는 SiO2 및/또는 SiN CVD 공정을 통해 500℃ 이하에서 0.01㎛ ~ 3㎛ 두께로 증착될 수 있다.The insulating portion 2303 may have an open region to expose at least a portion of the first and second electrodes 2308a and 2308b and the first and second electrode pads 2319a and 2319b may be formed in the first and second electrodes 2308a and 2308b. And may be connected to the second electrodes 2308a and 2308b. The insulating portion 2303 may be deposited to a thickness of 0.01 탆 to 3 탆 at a temperature of 500 캜 or lower through a SiO 2 and / or SiN CVD process.

상기 제1 및 제2 전극(2308a,2308b)은 서로 동일한 방향으로 배치될 수 있으며, 후술할 바와 같이, 리드 프레임 등에 소위, 플립 칩(flip-chip) 형태로 실장될 수 있다. The first and second electrodes 2308a and 2308b may be disposed in the same direction as each other. The first and second electrodes 2308a and 2308b may be mounted on a lead frame or the like in a so-called flip-chip manner.

특히, 상기 제1 전극(2308a)은 상기 제2 도전형 반도체층(2304) 및 활성층(2305)을 관통하여 상기 발광 적층체(L) 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층(2304)에 연결된 도전성 비아를 갖는 제1 전기연결부(2309a)와 접속될 수 있다. In particular, the first electrode 2308a penetrates the second conductive type semiconductor layer 2304 and the active layer 2305 and is electrically connected to the first conductive type semiconductor layer 2304 in the light emitting layered structure (L) May be connected to the first electrical connection 2309a having a via.

도전성 비아와 상기 제1 전기 연결부(2309a)는 접촉 저항이 낮아지도록 개수, 형상, 피치, 제1 도전형 반도체층(2304)과의 접촉 면적 등이 적절히 조절될 수 있으며, 상기 도전성 비아와 상기 제1 전기 연결부(2309a)는 행과 열을 이루어 배열됨으로써 전류 흐름이 개선될 수 있다. The number, shape, pitch, contact area with the first conductive type semiconductor layer 2304, and the like of the conductive via and the first electrical connection portion 2309a can be appropriately adjusted so that the contact resistance is lowered, 1 electrical connection portions 2309a are arranged in rows and columns so that current flow can be improved.

다른 한편의 전극구조는, 상기 제2 도전형 반도체층(2306) 상에 직접 형성되는 제2 전극(2308b)과 그 상부에 형성되는 제2 전기연결부(2309b)를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(2308b)은 상기 제2 도전형 반도체층(2306)과의 전기적 오믹을 형성하는 기능 외에 광 반사 물질로 이루어짐으로써 도 35에 도시된 바와 같이, LED 칩(2310)을 플립칩 구조로 실장된 상태에서, 활성층(2305)에서 방출된 빛을 기판(2301) 방향으로 효과적으로 방출시킬 수 있다. 물론, 주된 광방출 방향에 따라, 상기 제2 전극(2308b)은 투명 전도성 산화물과 같은 광투과성 도전 물질로 이루어질 수도 있다.
The other electrode structure may include a second electrode 2308b directly formed on the second conductive type semiconductor layer 2306 and a second electrical connection portion 2309b formed on the second electrode 2308b. The second electrode 2308b is formed of a light reflecting material in addition to the function of forming an electrical ohmic contact with the second conductive type semiconductor layer 2306. As a result, The light emitted from the active layer 2305 can be effectively radiated toward the substrate 2301. [0154] FIG. Of course, depending on the main light emitting direction, the second electrode 2308b may be made of a light-transmitting conductive material such as a transparent conductive oxide.

상기 설명된 2개의 전극구조는 절연부(2303)에 의하여 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 절연부(2303)는 전기적으로 절연 특성을 갖는 물질이면 어느 것이나 사용할 수 있지만, 광흡수율이 낮은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, SiO2, SiOxNy, SixNy 등의 실리콘 산화물, 실리콘 질화물을 이용할 수 있을 것이다. 필요에 따라, 광투과성 물질 내에 광 반사성 필러를 분산시켜 광반사 구조를 형성할 수 있다.The two electrode structures described above can be electrically separated from each other by an insulating portion 2303. The insulating portion 2303 may be any material having an electrically insulating property, but it is preferable to use a material having a low light absorptivity. For example, silicon oxide such as SiO 2 , SiO x N y , Si x N y , or silicon nitride may be used. If necessary, a light reflecting structure can be formed by dispersing a light reflecting filler in a light transmitting substance.

상기 제1 및 제2 전극패드(2319a, 2319b)는 각각 제1 및 제2 전기연결부(2309a,2309b)와 접속되어 LED 칩(2310)의 외부 단자로 기능할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 전극 패드(2319a, 2319b)는 Au, Ag, Al, Ti, W, Cu, Sn, Ni, Pt, Cr, NiSn, TiW, AuSn 또는 이들의 공융 금속일 수 있다. 이 경우에, 실장 기판(2320)에 실장시 공융 금속을 이용하여 접합될 수 있으므로, 플립 칩 본딩 시 일반적으로 요구되는 별도의 솔더 범프를 사용하지 않을 수 있다. 솔더 범프를 이용하는 경우에 비하여 공융 금속을 이용한 실장 방식에서 방열 효과가 더욱 우수한 장점이 있다. 이 경우, 우수한 방열 효과를 얻기 위하여 제1 및 제2 전극 패드(2319a, 2319b)는 넓은 면적을 차지하도록 형성될 수 있다.The first and second electrode pads 2319a and 2319b may be connected to the first and second electrical connection portions 2309a and 2309b to function as external terminals of the LED chip 2310, respectively. For example, the first and second electrode pads 2319a and 2319b may be Au, Ag, Al, Ti, W, Cu, Sn, Ni, Pt, Cr, NiSn, TiW, AuSn, have. In this case, since the solder bumps can be bonded to the mounting substrate 2320 using eutectic metals, a separate solder bump generally required for flip chip bonding can be omitted. There is an advantage that the heat dissipation effect is more excellent in the mounting method using the eutectic metal than in the case of using the solder bump. In this case, in order to obtain an excellent heat radiation effect, the first and second electrode pads 2319a and 2319b may be formed to occupy a wide area.

상기 기판(2301) 및 상기 발광 적층체(L)는 반대되는 설명이 없는 한, 도 32를 참조하여 설명된 내용을 참조하여 이해될 수 있다. 또한, 구체적으로 도시하지는 않았으나, 상기 발광 적층체(L)와 기판(2301) 사이에는 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있으며, 버퍼층은 질화물 등으로 이루어진 언도프 반도체층으로 채용되어, 그 위에 성장되는 발광구조물의 격자 결함을 완화할 수 있다.The substrate 2301 and the light emitting stack L can be understood with reference to the description with reference to FIG. 32, unless otherwise described. Although not shown in detail, a buffer layer (not shown) may be formed between the light-emitting stacked body L and the substrate 2301, and the buffer layer is employed as an undoped semiconductor layer made of nitride or the like, The lattice defects of the light emitting structure can be relaxed.

상기 기판(2301)은 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 가질 수 있으며, 상기 제1 및 제2 주면 중 적어도 하나에는 요철 구조가 형성될 수 있다. 상기 기판(2301)의 일면에 형성된 요철 구조는 상기 기판(2301)의 일부가 식각되어 상기 기판과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 기판(2301)과 다른 이종 물질로 구성될 수도 있다.The substrate 2301 may have first and second major surfaces opposite to each other, and at least one of the first and second major surfaces may have a concave-convex structure. The concavo-convex structure formed on one surface of the substrate 2301 may be formed of the same material as the substrate 2301, or may be formed of a different material from the substrate 2301.

본 예와 같이, 상기 기판(2301)과 상기 제1 도전형 반도체층(2304)의 계면에 요철 구조를 형성함으로써, 상기 활성층(2305)으로부터 방출된 광의 경로가 다양해 질 수 있으므로, 빛이 반도체층 내부에서 흡수되는 비율이 감소하고 광 산란 비율이 증가하여 광 추출 효율이 증대될 수 있다. Since the path of the light emitted from the active layer 2305 may be varied by forming the concave-convex structure on the interface between the substrate 2301 and the first conductive type semiconductor layer 2304, The rate of absorption of the light is reduced and the light scattering ratio is increased, so that the light extraction efficiency can be increased.

구체적으로, 상기 요철 구조는 규칙 또는 불규칙적인 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 요철을 이루는 이종 물질은 투명 전도체나 투명 절연체 또는 반사성이 우수한 물질을 사용할 수 있다. 투명 절연체로는 SiO2, SiNx, Al2O3, HfO, TiO2 또는 ZrO와 같은 물질을, 투명 전도체는 ZnO나 첨가물(Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Sn)이 함유된 인듐 산화물(Indium Oxide) 등과 같은 투명 전도성 산화물(TCO)을, 반사성 물질로는 Ag, Al 또는 굴절율이 서로 다른 다층막 구조의 DBR을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Specifically, the concavo-convex structure may be formed to have a regular or irregular shape. A transparent conductor, a transparent insulator, or a material having excellent reflectivity may be used as the heterogeneous material forming the unevenness. As the transparent insulator, a material such as SiO 2 , SiN x , Al 2 O 3 , HfO, TiO 2 or ZrO is used as the transparent conductor, ZnO or the additive (Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, A transparent conductive oxide (TCO) such as indium oxide containing indium tin oxide (ITO), tin oxide (ITO), tin oxide DBRs having a multi-layer structure can be used, but the present invention is not limited thereto.

상기 기판(2301)은 상기 제1 도전형 반도체층(2304)으로부터 제거될 수 있다. 기판 제거에는 레이저를 이용한 LLO(Laser Lift Off) 공정 또는 식각, 연마 공정을 사용할 수 있다. 또한, 기판이 제거된 제1 도전형 반도체층의 표면에 요철을 형성할 수 있다. The substrate 2301 may be removed from the first conductive semiconductor layer 2304. For removing the substrate, a laser lift off (LLO) process or an etching and polishing process can be used. In addition, the surface of the first conductivity type semiconductor layer from which the substrate has been removed can be provided with irregularities.

도 35에 도시된 바와 같이, 상기 LED 칩(2310)은 실장 기판(2320)에 탑재되어 있다. 상기 실장 기판(2320)은 기판 본체(2311) 상면 및 하면에 각각 상부 및 하부 전극층(2312b,2312a)이 형성되고, 상기 상부 및 하부 전극층(2312b,2312a)을 연결하도록 상기 기판 본체(2311)를 관통하는 비아(2313)를 포함한다. 상기 기판 본체(2311)는 수지, 세라믹 또는 금속일 수 있으며, 상기 상부 또는 하부 전극층(2312b,2312a)은 Au, Cu, Ag, Al과 같은 금속층일 수 있다.As shown in FIG. 35, the LED chip 2310 is mounted on a mounting substrate 2320. The mounting substrate 2320 includes upper and lower electrode layers 2312b and 2312a formed on the upper and lower surfaces of the substrate body 2311 and the substrate body 2311 to connect the upper and lower electrode layers 2312b and 2312a. And a via 2313 penetrating therethrough. The upper and lower electrode layers 2312b and 2312a may be a metal layer such as Au, Cu, Ag, or Al. The substrate body 2311 may be made of resin, ceramic, or metal.

물론, 상술된 LED 칩(2310)이 탑재되는 기판은 도 35에 도시된 실장 기판(2320)의 형태에 한정되지 않으며, LED 칩(2310)을 구동하기 위한 배선 구조가 형성된 기판이라면 어느 것이나 적용 가능하다. 예를 들어, 상기 도 25 내지 도 31의 기판 중 어느 하나이거나, 한 쌍의 리드 프레임을 갖는 패키지 본체에 LED 칩이 실장된 패키지 구조로도 제공될 수 있다.
Of course, the substrate on which the above LED chip 2310 is mounted is not limited to the form of the mounting substrate 2320 shown in FIG. 35, and any substrate having a wiring structure for driving the LED chip 2310 can be applied Do. For example, either of the substrates of Figs. 25 to 31 or a package structure in which an LED chip is mounted on a package body having a pair of lead frames may be provided.

<발광소자의 기타 예>&Lt; Other Example of Light Emitting Element >

상술된 LED 칩 외에도 다양한 구조의 LED 칩이 사용될 수 있다. 예를 들어, LED 칩의 금속-유전체 경계에 표면 플라즈몬 폴라리톤(surface-plasmon polaritons: SPP)을 형성시켜 양자우물 엑시톤과 상호작용 시킴으로써 광추출 효율을 크게 개선시킨 LED 칩도 유용하게 사용될 수 있다.
In addition to the LED chips described above, LED chips of various structures can be used. For example, an LED chip having greatly improved light extraction efficiency by interacting with quantum well excitons by forming surface-plasmon polarites (SPP) on the metal-dielectric boundary of the LED chip may be usefully used.

한편, 발광소자(420)는 청색 LED에 황색, 녹색, 적색 또는 오렌지색의 형광체를 조합하여 백색 광을 발하는 발광소자와 보라색, 청색, 녹색, 적색 또는 적외선 발광소자 중 적어도 하나를 포함하게 구성할 수 있다. 이 경우, 발광소자(420)는 연색성(CRI)을 나트륨(Na)등(연색지수 40)에서 태양광(연색지수 100) 수준으로 조절할 수 있으며, 또한 색 온도를 2000K에서 20000K 수준으로 다양한 백색 광을 발생시킬 수 있으며, 필요에 따라서는 보라색, 청색, 녹색, 적색, 오렌지색의 가시광 또는 적외선을 발생시켜 주위 분위기 또는 기분에 맞게 조명 색을 조절할 수 있다. 또한, 식물 성장을 촉진할 수 있는 특수 파장의 광을 발생시킬 수도 있다.The light emitting device 420 may include at least one of a light emitting device that emits white light in combination with a phosphor of yellow, green, red, or orange and a purple, blue, green, red, or infrared light emitting device have. In this case, the light emitting device 420 can adjust the color rendering index (CRI) from sodium (Na) or the like (color rendering index 40) to the level of sunlight (color rendering index 100), and can change the color temperature from 2000K to 20000K If necessary, the visible light or the infrared light of purple, blue, green, red, or orange may be generated to adjust the illumination color according to the ambient atmosphere or mood. In addition, light of a special wavelength capable of promoting plant growth may be generated.

상기 청색 LED에 황색, 녹색, 적색 형광체 및/또는 녹색, 적색 LED의 조합으로 만들어지는 백색광은 2개 이상의 피크 파장을 가지며, 도 36에서 도시하는 CIE 1931 좌표계의 (x, y)좌표가 (0.4476, 0.4074), (0.3484, 0.3516), (0.3101, 0.3162), (0.3128, 0.3292), (0.3333, 0.3333)을 잇는 선분 상에 위치할 수 있다. 또는 상기 선분과 흑체 복사 스펙트럼으로 둘러싸인 영역에 위치할 수 있다. 상기 백색광의 색 온도는 2000K ~ 20000K사이에 해당한다.
(X, y) coordinates of the CIE 1931 coordinate system shown in FIG. 36 is (0.4476) in the case where the white light made of the combination of yellow, green, red phosphors and / or green and red LEDs in the blue LED has two or more peak wavelengths. , 0.4074), (0.3484, 0.3516), (0.3101, 0.3162), (0.3128, 0.3292), (0.3333, 0.3333). Or may be located in an area surrounded by the line segment and the blackbody radiation spectrum. The color temperature of the white light corresponds to between 2000K and 20000K.

형광체는 다음과 같은 조성식 및 컬러(color)를 가질 수 있다.The phosphor may have the following composition formula and color.

산화물계 : 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:CeOxide system: yellow and green Y3Al5O12: Ce, Tb3Al5O12: Ce, Lu3Al5O12: Ce

실리케이트계 : 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce(Ba, Sr) 2SiO4: Eu, yellow and orange (Ba, Sr) 3SiO5: Ce

질화물계 : 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:EuEu, Sr2Si5N8: Eu, SrSiAl4N7: Eu, Eu3O3: Eu, Eu3O3: Eu,

플루오라이트(fluoride)계 : KSF계 적색 K2SiF6:Mn4+
Fluoride system: KSF system Red K2SiF6: Mn4 +

형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.The phosphor composition should basically conform to the stoichiometry, and each element can be replaced with another element in each group on the periodic table. For example, Sr can be substituted with Ba, Ca, Mg, etc. of the alkaline earth (II) group, and Y can be replaced with lanthanide series Tb, Lu, Sc, Gd and the like. In addition, Eu, which is an activator, can be substituted with Ce, Tb, Pr, Er, Yb or the like according to a desired energy level.

또한, 형광체 대체 물질로 양자점(Quantum Dot, QD) 등의 물질들이 적용될 수 있으며, LED에 형광체와 QD를 혼합 또는 단독으로 사용될 수 있다.In addition, materials such as Quantum Dots (QD) can be applied as a substitute for a fluorescent material, and fluorescent materials and QDs can be mixed with LEDs or used alone.

QD는 CdSe, InP 등의 코어(Core)(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 셀(Shell)(0.5 ~ 2nm) 및 Core, Shell의 안정화를 위한 리간드(ligand)의 구조로 구성될 수 있으며, 사이즈에 따라 다양한 컬러를 구현할 수 있다.
QD can be composed of a core (3 to 10 nm) such as CdSe and InP, a shell (0.5 to 2 nm) such as ZnS and ZnSe, and a ligand for stabilizing core and shell , And various colors can be implemented depending on the size.

아래 표 1은 청색 LED(440 ~ 460nm)를 사용한 백색 발광소자의 응용분야별 형광체 종류이다.Table 1 below shows the types of phosphors for application fields of white light emitting devices using blue LEDs (440 to 460 nm).

용도Usage 형광체Phosphor LED TV BLULED TV BLU β-SiAlON:Eu2+
(Ca, Sr)AlSiN3:Eu2+
L3Si6O11:Ce3+
K2SiF6:Mn4+
? -SiAlON: Eu2 +
(Ca, Sr) AlSiN3: Eu &lt; 2 + &gt;
L3Si6O11: Ce3 +
K2SiF6: Mn4 +
조명light Lu3Al5O12:Ce3+
Ca-α-SiAlON:Eu2+
L3Si6N11:Ce3+
(Ca, Sr)AlSiN3:Eu2+
Y3Al5O12:Ce3+
K2SiF6:Mn4+
Lu3Al5O12: Ce3 +
Ca-α-SiAlON: Eu2 +
L3Si6N11: Ce3 +
(Ca, Sr) AlSiN3: Eu &lt; 2 + &gt;
Y3Al5O12: Ce3 +
K2SiF6: Mn4 +
Side View
(Mobile, Note PC)
Side View
(Mobile, Note PC)
Lu3Al5O12:Ce3+
Ca-α-SiAlON:Eu2+
L3Si6N11:Ce3+
(Ca, Sr)AlSiN3:Eu2+
Y3Al5O12:Ce3+
(Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4:Eu2+
K2SiF6:Mn4+
Lu3Al5O12: Ce3 +
Ca-α-SiAlON: Eu2 +
L3Si6N11: Ce3 +
(Ca, Sr) AlSiN3: Eu &lt; 2 + &gt;
Y3Al5O12: Ce3 +
(Sr, Ba, Ca, Mg) 2SiO4: Eu2 +
K2SiF6: Mn4 +
전장
(Head Lamp, etc.)
Battlefield
(Head Lamp, etc.)
Lu3Al5O12:Ce3+
Ca-α-SiAlON:Eu2+
L3Si6N11:Ce3+
(Ca, Sr)AlSiN3:Eu2+
Y3Al5O12:Ce3+
K2SiF6:Mn4+
Lu3Al5O12: Ce3 +
Ca-α-SiAlON: Eu2 +
L3Si6N11: Ce3 +
(Ca, Sr) AlSiN3: Eu &lt; 2 + &gt;
Y3Al5O12: Ce3 +
K2SiF6: Mn4 +

상기 형광체 또는 양자점의 도포 방식은 크게 발광소자에 뿌리는 방식, 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The coating method of the fluorescent substance or the quantum dot may be at least one of a method of sprinkling on the light emitting device, a method of covering with a film form, and a method of attaching a sheet form such as a film or a ceramic fluorescent substance.

뿌리는 방식으로는 디스펜싱(dispensing), 스프레이 코팅(spray coating)등이 일반적이며, 디스펜싱은 공압 방식과 스크류(screw), 리니어 타입(linear type) 등의 기계적(mechanical) 방식을 포함한다. 제팅(jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광소자 상에 스프레이 방식으로 형광체를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다.Dispensing, spray coating and the like are generally used as a rooting method, and dispensing includes a mechanical method such as a pneumatic method and a screw or a linear type. It is also possible to control the amount of dyeing through a small amount of jetting by a jetting method and to control the color coordinates thereof. The method of collectively applying the phosphor on the wafer level or the light emitting element by a spray method can easily control productivity and thickness.

발광소자 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅(screen printing) 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며, 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다. The method of directly covering the light emitting device in a film form can be applied by a method of electrophoresis, screen printing or phosphor molding, and there may be a difference in the method depending on necessity of application of the chip side.

발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재흡수 하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR) 층을 포함할 수 있다. 균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 칩 위에 부착(attach)할 수 있다.In order to control the efficiency of the long wavelength light emitting phosphor that reabsers light emitted from a short wavelength among two or more kinds of phosphors having different emission wavelengths, it is possible to distinguish two or more kinds of phosphor layers having different emission wavelengths, And a DBR (ODR) layer between each layer to minimize interference. In order to form a uniform coating film, the phosphor may be formed into a film or ceramic form and then attached to a chip.

광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트(remote) 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치할 수 있다.In order to differentiate the light efficiency and the light distribution characteristic, the photoelectric conversion material may be located in a remote format. In this case, the photoelectric conversion material may be positioned together with the light transmission polymer, glass, etc. depending on the durability and heat resistance.

형광체 도포 기술은 발광소자에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체의 균일 분산등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다.Since the phosphor coating technique plays a great role in determining the optical characteristics in the light emitting device, control techniques such as the thickness of the phosphor coating layer and uniform dispersion of the phosphor have been studied variously.

QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 발광소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광변환을 할 수도 있다.
QD can also be located in the light emitting device in the same manner as the phosphor, and can be positioned between the glass or transparent polymer material to perform photo conversion.

본 실시 형태에서 상기 발광소자는 LED 칩을 내부에 구비하는 패키지 단품을 예시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 발광소자는 LED 칩 자체일 수 있다. 이 경우, LED 칩은 COB 타입으로 상기 기판 상에 실장되어 플립 칩 본딩 방식 또는 와이어 본딩 방식으로 상기 기판과 직접 전기적으로 접속될 수 있다. In the present embodiment, the light emitting device exemplifies a package single unit having an LED chip therein, but the present invention is not limited thereto. For example, the light emitting device may be an LED chip itself. In this case, the LED chip may be mounted on the substrate in a COB type and directly electrically connected to the substrate by a flip chip bonding method or a wire bonding method.

또한, 상기 발광소자는 복수개가 상기 기판 상에 배열될 수 있으며, 이 경우, 발광소자는 모두 동일한 파장의 광을 발생시키는 동종(同種)일 수 있다. 또한, 서로 상이한 파장의 광을 발생시키는 이종(異種)으로 다양하게 구성될 수도 있다. 본 실시 형태에서는 상기 발광소자가 복수개로 배열되는 것으로 예시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 단일로 구비되는 것도 가능하다.
In addition, a plurality of the light emitting devices may be arranged on the substrate. In this case, the light emitting devices may all be the same type that emits light of the same wavelength. In addition, they may be variously configured to generate light of mutually different wavelengths. In the present embodiment, a plurality of light emitting devices are exemplified, but the present invention is not limited thereto, and a single device may be used.

상술된 LED를 이용한 조명 장치는 그 용도에 따라 크게 실내용(indoor) 과 실외용(outdoor)으로 구분될 수 있다. 실내용 LED 조명 장치는 주로 기존 조명 대체용(Retrofit)으로 램프, 형광등(LED-tube), 평판형 조명장치가 여기에 해당되며 실외용 LED 조명장치는 가로등, 보안등, 투광등, 경관등, 신호등 등이 해당된다.The lighting apparatus using the above-described LEDs can be roughly divided into indoor and outdoor depending on the use thereof. Indoor LED lighting equipment is mainly used for lamps, fluorescent lamps (LED-tubes) and flat-panel lighting devices. Outdoor LED lighting devices are street lights, security lights, floodlights, And so on.

또한, LED를 이용한 조명 장치는 차량용 내외부 광원으로 활용 가능하다. 내부 광원으로는 차량용 실내등, 독서등, 계기판의 각종 광원등으로 사용 가능하며, 차량용 외부 광원으로 전조등, 브레이크등, 방향지시등, 안개등, 주행등 등 모든 광원에 사용 가능하다. Further, the illumination device using the LED can be utilized as an internal and external light source for a vehicle. As an internal light source, it can be used as a vehicle interior light, a reading light, various light sources of a dashboard, etc. It is an external light source for a vehicle and can be used for all light sources such as headlights, brakes, turn signals, fog lights,

아울러, 로봇 또는 각종 기계 설비에 사용되는 광원으로 LED 조명 장치가 적용될 수 있다. 특히, 특수한 파장대를 이용한 LED 조명은 식물의 성장을 촉진시키고, 감성 조명으로서 사람의 기분을 안정시키거나 병을 치료할 수도 있다.
In addition, an LED lighting device can be applied as a light source used in a robot or various kinds of mechanical equipment. In particular, LED lighting using a special wavelength band can stimulate the growth of plants, emotional lighting can stabilize a person's mood or heal disease.

도 37 내지 도 40을 참조하여 상술한 조명 장치를 채용한 조명 시스템을 설명한다. 본 실시 형태에 따른 조명 시스템은 주변 환경(예를 들어, 온도 및 습도)에 따라 색온도를 자동적으로 조절 가능하며, 단순한 조명의 역할이 아니라 인간의 감성을 충족시킬 수 있는 감성 조명으로써 조명 장치를 제공할 수 있다.
An illumination system employing the above-described illumination device will be described with reference to Figs. 37 to 40. Fig. The illumination system according to the present embodiment can automatically adjust the color temperature according to the surrounding environment (for example, temperature and humidity), and can provide a lighting device as emotional lighting capable of satisfying human sensibility, can do.

도 37은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 시스템을 개략적으로 나타내는 블록도이다.37 is a block diagram schematically showing an illumination system according to an embodiment of the present invention.

도 37을 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 조명 시스템(10000)은 센싱부(10010), 제어부(10020), 구동부(10030) 및 조명부(10040)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 37, an illumination system 10000 according to an embodiment of the present invention may include a sensing unit 10010, a control unit 10020, a driver 10030, and an illumination unit 10040.

센싱부(10010)는 실내 또는 실외에 설치될 수 있으며, 온도센서(10011) 및 습도센서(10012)를 구비하여 주변의 온도 및 습도 중 적어도 하나의 공기 조건을 측정한다. 그리고, 상기 센싱부(10010)는 전기적으로 접속된 상기 제어부(10020)로 상기 측정한 공기 조건, 즉 온도 및 습도를 전달한다. The sensing unit 10010 may be installed indoors or outdoors and includes a temperature sensor 10011 and a humidity sensor 10012 to measure at least one of ambient temperature and humidity. The sensing unit 10010 transmits the measured air condition, that is, temperature and humidity, to the controller 10020 electrically connected thereto.

제어부(10020)는 측정된 공기의 온도 및 습도를 사용자에 의해 미리 설정된 공기 조건(온도 및 습도 범위)과 비교하고, 그 비교 결과, 상기 공기 조건에 상응하는 조명부(10040)의 색온도를 결정한다. 상기 제어부(10020)는 상기 구동부(10030)와 전기적으로 접속되며, 상기 결정된 색온도로 상기 조명부(10040)를 구동할 수 있도록 상기 구동부(10030)를 제어한다.
The control unit 10020 compares the temperature and humidity of the measured air with the air condition (temperature and humidity range) preset by the user, and determines the color temperature of the illumination unit 10040 corresponding to the air condition as a result of the comparison. The control unit 10020 is electrically connected to the driving unit 10030 and controls the driving unit 10030 so that the lighting unit 10040 can be driven at the determined color temperature.

조명부(10040)는 상기 구동부(10030)에서 공급하는 전원에 따라 동작한다. 상기 조명부(10040)는 상기 도 1, 도 8 및 도 15에서 도시한 조명 장치를 적어도 하나 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 조명부(10040)는 도 38에서 도시하는 바와 같이, 서로 다른 색온도를 갖는 제1 조명 장치(10041) 및 제2 조명 장치(10042)로 구성될 수 있으며, 각 조명 장치(10041, 10042)는 동일한 백색광을 발광하는 복수의 발광소자를 구비할 수 있다.
The illumination unit 10040 operates according to the power supplied from the driving unit 10030. The illumination unit 10040 may include at least one illumination device shown in FIGS. 1, 8, and 15. For example, as shown in FIG. 38, the illumination unit 10040 may include a first illumination device 10041 and a second illumination device 10042 having different color temperatures, and each illumination device 10041, 10042 may include a plurality of light emitting elements emitting the same white light.

제1 조명 장치(10041)는 제1 색온도의 백색광을 방출하며, 제2 조명 장치(10042)는 제2 색온도의 백색광을 방출하며, 제1 색온도가 제2 색온도보다 낮을 수 있다. 또는, 반대로 제1 색온도가 제2 색온도보다 높을 수도 있다. 여기서, 상대적으로 색온도가 낮은 백색은 따뜻한 백색에 해당하고, 상대적으로 색온도가 높은 백색은 차가운 백색에 해당한다. 이러한 제1 및 제2 조명 장치(10041, 10042)에 전원이 공급되면, 각각 제1 및 제2 색온도를 갖는 백색광을 방출하고, 각 백색광은 서로 혼합되어 제어부(10020)에서 결정된 색온도를 갖는 백색광을 구현할 수 있다.The first illuminator 10041 emits white light of the first color temperature and the second illuminator 10042 emits white light of the second color temperature and the first color temperature may be lower than the second color temperature. Alternatively, the first color temperature may be higher than the second color temperature. Here, a relatively white color having a relatively low color temperature corresponds to a warm white color, and a relatively white color having a relatively high color temperature corresponds to a cool white color. When power is supplied to the first and second illuminating devices 10041 and 10042, white light having the first and second color temperatures is emitted, and the white light is mixed with the white light having the color temperature determined by the control unit 10020 Can be implemented.

구체적으로, 제1 색온도가 제2 색온도보다 낮을 경우, 제어부(10020)에서 결정된 색온도가 상대적으로 높게 결정되면, 제1 조명 장치(10041)의 광량을 감소시키고, 제2 조명 장치(10042)의 광량을 증가시켜 혼합된 백색광이 상기 결정된 색온도가 되도록 구현할 수 있다. 반대로, 결정된 색온도가 상대적으로 낮게 결정되면, 제1 조명 장치(10041)의 광량을 증가시키고, 제2 조명 장치(10042)의 광량을 감소시켜 혼합된 백색광이 상기 결정된 색온도가 되도록 구현할 수 있다. 이때, 각 조명 장치(10041, 10042)의 광량은 전원을 조절하여 전체 발광소자의 광량을 조절하는 것에 의해 구현되거나, 구동되는 발광소자 수를 조절하는 것에 의해 구현될 수 있다.
Specifically, when the first color temperature is lower than the second color temperature, if the color temperature determined by the control unit 10020 is determined to be relatively high, the amount of light of the first illuminating apparatus 10041 is decreased and the light amount of the second illuminating apparatus 10042 So that the mixed white light has the determined color temperature. Conversely, if the determined color temperature is determined to be relatively low, it is possible to increase the amount of light of the first illuminating device 10041 and reduce the amount of light of the second illuminating device 10042 so that the mixed white light becomes the determined color temperature. At this time, the light quantity of each of the illumination devices 10041 and 10042 may be realized by adjusting the power of the light emitting devices by adjusting the power, or by adjusting the number of the light emitting devices to be driven.

도 39는 도 37에 도시된 조명 시스템의 제어방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 39를 참조하면, 먼저 사용자가 제어부(10020)를 통해 온도 및 습도 범위에 따른 색온도를 설정한다(S10). 설정된 온도 및 습도 데이터는 제어부(10020)에 저장된다.
39 is a flowchart for explaining the control method of the illumination system shown in Fig. Referring to FIG. 39, the user sets a color temperature according to the temperature and humidity range through the control unit 10020 (S10). The set temperature and humidity data is stored in the control unit 10020.

일반적으로 색온도가 6000K 이상이면 청색 등의 체감적으로 시원한 느낌의 색상을 연출할 수 있으며, 색온도가 4000K 이하이면, 적색 등의 체감적으로 따뜻한 느낌의 색상을 연출할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에서는 사용자가 제어부(10020)를 통해 온도 및 습도가 20도 및 60%를 넘는 경우, 조명부(10040)의 색온도가 6000K 이상으로 점등되도록 설정하고, 온도 및 습도가 10도 ~ 20도 및 40% ~ 60%인 경우, 조명부(10040)의 색온도가4000 ~ 6000K 사이로 점등되도록 설정하고, 온도 및 습도가 10도 이하 및 40% 이하인 경우, 조명부(10040)의 색온도가 4000K 이하로 점등되도록 설정한다.
In general, when the color temperature is 6000K or more, it can produce a feeling of cool feeling such as blue, and when the color temperature is 4000K or less, it is possible to produce a warm feeling feeling such as red. Therefore, in the present embodiment, when the temperature and humidity exceed 20% and 60% through the control unit 10020, the color temperature of the illumination unit 10040 is set to be lit up to 6000K or more, The color temperature of the illumination unit 10040 is set to be between 4000 and 6000K and the temperature and humidity of the illumination unit 10040 are set to 1040 degrees or less and 40% .

다음으로, 센싱부(10010)는 주변의 온도 및 습도 중 적어도 하나의 조건을 측정한다(S20). 센싱부(10010)에서 측정된 온도 및 습도는 제어부(10020)로 전달된다.
Next, the sensing unit 10010 measures at least one of the ambient temperature and humidity (S20). The temperature and humidity measured by the sensing unit 10010 are transmitted to the controller 10020.

이어서, 제어부(10020)는 센싱부(10010)로부터 전달된 측정값과 설정값을 비교한다(S30). 여기서, 측정값은 센싱부(10010)에서 측정한 온도 및 습도 데이터이며, 설정값은 사용자가 제어부(10020)에 미리 설정하여 저장된 온도 및 습도 데이터이다. 즉, 제어부(10020)는 상기 측정된 온도 및 습도와 미리 설정된 온도 및 습도를 비교한다.
Next, the control unit 10020 compares the measured value transmitted from the sensing unit 10010 with the set value (S30). Here, the measurement value is the temperature and humidity data measured by the sensing unit 10010, and the set value is the temperature and humidity data preset by the user in the control unit 10020. That is, the controller 10020 compares the measured temperature and humidity with preset temperatures and humidity.

비교결과, 측정값이 설정값 범위를 만족하는지 판단한다(S40). 측정값이 설정값 범위를 만족하면 현재 색온도를 유지하고, 다시 온도 및 습도를 측정한다(S20). 한편, 측정값이 설정값 범위를 만족하지 못할 경우, 측정값에 해당하는 설정값을 검출하고, 이에 해당하는 색온도를 결정한다(S50). 그리고, 제어부(10020)는 결정한 색온도로 조명부(10040)가 구동되도록 구동부(10030)를 제어한다.
As a result of the comparison, it is determined whether the measurement value satisfies the set value range (S40). If the measurement value satisfies the set value range, the current color temperature is maintained, and the temperature and humidity are again measured (S20). On the other hand, if the measured value does not satisfy the set value range, the set value corresponding to the measured value is detected and the corresponding color temperature is determined (S50). The control unit 10020 controls the driving unit 10030 to drive the illumination unit 10040 at the determined color temperature.

그러면, 구동부(10030)는 상기 결정된 색온도가 되도록 조명부(10040)를 구동한다(S60). 즉, 구동부(10030)는 결정된 색온도를 구동하기 위해 필요한 전원을 조명부(10040)에 공급한다. 이로써, 조명부(10040)는 주변의 온도 및 습도에 따라 사용자가 미리 설정한 온도 및 습도에 해당하는 색온도로 조절될 수 있다.
Then, the driving unit 10030 drives the illumination unit 10040 so as to obtain the determined color temperature (S60). That is, the driving unit 10030 supplies a power source necessary for driving the determined color temperature to the illumination unit 10040. Thus, the illumination unit 10040 can be adjusted to the color temperature corresponding to the temperature and humidity preset by the user according to the ambient temperature and humidity.

이로써, 조명 시스템은 주변의 온도 및 습도 변화에 따라 자동적으로 실내 조명부의 색온도를 조절할 수 있으며, 이로써 자연 환경 변화에 따라 달라지는 인간의 감성을 충족시킬 수 있고, 또한, 심리적 안정감을 줄 수 있다.
Thus, the illumination system can automatically adjust the color temperature of the indoor lighting unit according to the ambient temperature and humidity change, thereby satisfying the human sensibility that changes according to the change of the natural environment, and also providing the psychological stability feeling.

도 40은 도 37에 도시된 조명 시스템을 개략적으로 구현한 사용 예시도이다. 도 40에 도시된 바와 같이, 조명부(10040)는 실내 조명등으로써 천장에 설치될 수 있다. 이때, 센싱부(10010)는 실외의 외기 온도 및 습도를 측정하기 위해, 별도의 개별 장치로 구현되어 외부 벽에 설치될 수 있다. 그리고, 제어부(10020)는 사용자의 설정 및 확인이 용이하도록 실내에 설치될 수 있다. 하지만, 본 발명의 조명 시스템은 이에 한정되는 것은 아니며, 인테리어 조명을 대신하여 벽에 설치되거나, 스탠드등과 같이 실내외에서 사용할 수 있는 조명등에 모두 적용될 수 있다.
Fig. 40 is a use example schematically illustrating the illumination system shown in Fig. 37. Fig. As shown in FIG. 40, the illumination unit 10040 can be installed on the ceiling as an indoor illumination light. At this time, the sensing unit 10010 may be implemented as a separate unit and installed in the outer wall to measure outdoor air temperature and humidity. The controller 10020 may be installed in the room to facilitate user setting and confirmation. However, the illumination system of the present invention is not limited thereto, and may be applied to a wall mounted on a wall instead of an interior light, or an illumination light which can be used indoors or outdoors, such as a stand.

도 41 내지 도 44를 참조하여 상술한 조명 장치를 사용한 조명 시스템의 다른 실시 형태를 설명한다. 본 실시 형태에 따른 조명 시스템은 감시 대상 위치의 모션 및 조도를 검출하여 정해진 제어를 자동적으로 수행할 수 있는 조명 시스템을 제공할 수 있다.
Another embodiment of the lighting system using the above-described lighting apparatus will be described with reference to Figs. 41 to 44. Fig. The illumination system according to the present embodiment can provide an illumination system capable of detecting the motion and illuminance of the monitored position and automatically performing a predetermined control.

도 41은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 조명 시스템의 블록도이다.41 is a block diagram of a lighting system according to another embodiment of the present invention.

도 41을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 조명 시스템(10000')은 무선 센싱 모듈(10100) 및 무선 조명 제어 장치(10200)를 포함한다.Referring to Fig. 41, an illumination system 10000 'according to the present embodiment includes a wireless sensing module 10100 and a wireless lighting control apparatus 10200. [

무선 센싱 모듈(10100)은 모션을 센싱하는 모션 센서(10110)와, 조도를 센싱하는 조도 센서(10120)와, 상기 모션 센서(10110)로부터의 모션 센싱 신호와, 상기 조도 센서(10120)로부터의 조도 센싱 신호를 포함하여 기설정된 통신 규약에 따르는 무선 신호를 생성하여 송신하는 제1 무선 통신부를 포함할 수 있다. 상기 제1 무선 통신부는, 기설정된 지그비 통신 규약에 따르는 지그비 신호를 생성하여 송신하는 제1 지그비 통신부(10130)로 이루어질 수 있다.
The wireless sensing module 10100 includes a motion sensor 10110 for sensing motion, an illuminance sensor 10120 for sensing the illuminance, a motion sensing signal from the motion sensor 10110, And a first wireless communication unit including a roughness sensing signal to generate and transmit a wireless signal conforming to a predetermined communication protocol. The first wireless communication unit may include a first Zigbee communication unit 10130 that generates and transmits a ZigBee signal conforming to a predetermined ZigBee communication protocol.

무선 조명 제어 장치(10200)는, 상기 제1 무선 통신부로부터의 무선 신호를 수신하여 센싱 신호로 복원하는 제2 무선 통신부와, 상기 제2 무선 통신부로부터의 센싱 신호를 분석하는 센싱 신호 분석부(10220)와, 상기 센싱 신호 분석부(10220)의 분석 결과에 따라 미리 정해진 제어를 수행하는 동작 제어부(10230)를 포함할 수 있다. 상기 제2 무선 통신부는 상기 제1 지그비 통신부로부터의 지그비 신호를 수신하여 센싱 신호로 복원하는 제2 지그비 통신부(10210)로 이루어질 수 있다.
The wireless lighting control apparatus 10200 includes a second wireless communication unit for receiving a wireless signal from the first wireless communication unit and restoring the wireless signal to a sensing signal, a sensing signal analysis unit 10220 for analyzing a sensing signal from the second wireless communication unit And an operation control unit 10230 for performing predetermined control according to an analysis result of the sensing signal analysis unit 10220. The second wireless communication unit may include a second Zigbee communication unit 10210 receiving the zigbee signal from the first zigbee communication unit and restoring the received signal as a sensing signal.

도 42는 본 발명의 지그비 신호의 포맷도이다. 42 is a format diagram of the ZigBee signal of the present invention.

도 42를 참조하면, 상기 제1 지그비 통신부(10130)의 지그비 신호는, 통신 채널을 규정하는 채널정보, 무선망을 규정하는 무선망 식별정보(PAN_ID), 대상 디바이스를 지정하는 디바이스 주소 및 상기 모션 및 조도 신호를 포함하는 센싱 데이터로 이루어질 수 있다.42, the ZigBee signal of the first Zigbee communication unit 10130 includes channel information defining a communication channel, wireless network identification information (PAN_ID) defining a wireless network, a device address specifying a target device, And sensing data including an illuminance signal.

또한, 상기 제2 지그비 통신부(10210)의 지그비 신호는, 통신 채널을 규정하는 채널정보, 무선망을 규정하는 무선망 식별정보(PAN_ID), 대상 디바이스를 지정하는 디바이스 주소 및 상기 모션 및 조도 신호를 포함하는 센싱 데이터로 이루어질 수 있다.
The ZigBee signal of the second Zigbee communication unit 10210 includes channel information defining a communication channel, wireless network identification information (PAN_ID) defining a wireless network, a device address specifying a target device, and a motion and illumination signal The sensing data may include the sensing data.

상기 센싱 신호 분석부(10220)는, 상기 제2 지그비 통신부(10210)로부터의 센싱신호를 분석하여, 센싱된 모션 및 조도에 따라 복수의 조건중에서 만족하는 조건을 찾아내도록 이루어질 수 있다.The sensing signal analyzing unit 10220 may analyze the sensing signal from the second Zigbee communication unit 10210 and find a satisfying condition among a plurality of conditions according to the sensed motion and illuminance.

이때, 상기 동작 제어부(10230)는, 상기 센싱 신호 분석부(10220)에서 기설정된 복수의 조건에 따른 복수의 제어를 설정하고, 상기 센싱 신호 분석부(10220)에서 찾아낸 조건에 해당되는 제어를 수행하도록 이루어질 수 있다.
At this time, the operation control unit 10230 sets a plurality of controls according to a plurality of predetermined conditions in the sensing signal analysis unit 10220, and performs control corresponding to the conditions detected by the sensing signal analysis unit 10220 .

도 43은 본 발명의 센싱 신호 분석부 및 동작 제어부의 설명도이다. 도 43을 참조하면, 예를 들어, 상기 센싱 신호 분석부(10220)가, 상기 제2 지그비 통신부(10210)로부터의 센싱 신호를 분석하여, 센싱된 모션 및 조도에 따라 제1, 제2 및 제3 조건(조건1, 조건2, 조건3)중에서 만족하는 조건을 찾아내도록 이루어질 수 있다.43 is an explanatory diagram of a sensing signal analysis unit and an operation control unit of the present invention. 43, for example, the sensing signal analyzing unit 10220 analyzes the sensing signal from the second Zigbee communication unit 10210 and outputs the first, second, and third sensing signals according to the sensed motion and illuminance. 3 conditions (condition 1, condition 2, condition 3).

이때, 상기 동작 제어부(10230)는, 상기 센싱 신호 분석부(10220)에서 기설정된 제1, 제2 및 제3 조건(조건1, 조건2, 조건3)에 따른 제1, 제2, 제3 제어(제어1, 제어2, 제어3)를 설정하고, 상기 센싱 신호 분석부(10220)에서 찾아낸 조건에 해당되는 제어를 수행하도록 이루어질 수 있다.
At this time, the operation control unit 10230 controls the operation of the first, second, and third sensing signals according to the first, second, and third conditions (condition 1, condition 2, condition 3) Control (control 1, control 2, control 3), and perform control corresponding to the condition detected by the sensing signal analyzer 10220. [

도 44는 본 발명의 무선 조명 시스템의 동작 흐름도이다.44 is a flowchart of the operation of the wireless lighting system of the present invention.

도 44에서, S110은 본 발명의 모션센서(10110)가 모션을 검출하는 과정이다. S120은 본 발명의 조도센서(10120)가 조도를 검출하는 과정이다. S200은 지그비 신호의 송수신 과정으로, 이는 상기 제1 지그비 통신부(10130)가 지그비 신호를 송신하는 과정과 상기 제2 지그비 통신부(10210)가 지그비 신호를 수신하는 과정을 포함한다. S220은 본 발명의 센싱 신호 분석부(10220)가 센싱 신호를 분석하는 과정이다. S230은 본 발명의 동작 제어부(10230)가 정해진 제어를 수행하는 과정이다. 그리고, S240은 시스템 종료를 판단하는 과정이다.
In Fig. 44, S110 is a process in which the motion sensor 10110 of the present invention detects motion. S120 is a process in which the illuminance sensor 10120 of the present invention detects illuminance. S200 is a transmission / reception process of a ZigBee signal, which includes a process of transmitting the ZigBee signal by the first Zigbee communication unit 10130 and a process of receiving the ZigBee signal by the second Zigbee communication unit 10210. In step S220, the sensing signal analyzing unit 10220 analyzes the sensing signal. S230 is a process in which the operation control unit 10230 of the present invention performs predetermined control. In step S240, it is determined whether the system is terminated.

도 41 내지 도 44를 참조하여, 본 발명의 무선 센싱 모듈, 무선 조명 제어 장치의 작동에 대해 설명한다.41 to 44, the operation of the wireless sensing module and the wireless lighting control apparatus of the present invention will be described.

먼저 도 41, 도 42 및 도 44를 참조하여 본 발명에 따른 무선 조명 시스템의 무선 센싱 모듈(10100)에 대해 설명하면, 본 발명에 따른 무선 센싱 모듈(10100)은 조명이 설치된 장소에 설치되어, 현재 조명의 조도를 검출하고, 조명 주변의 사람의 움직임을 검출한다.First, the wireless sensing module 10100 of the wireless lighting system according to the present invention will be described with reference to FIGS. 41, 42 and 44. The wireless sensing module 10100 according to the present invention is installed in a place where lights are installed, Detects the illuminance of the current illumination, and detects the movement of a person around the illumination.

즉, 상기 무선 센싱 모듈(10100)의 모션 센서(10110)는, 사람을 감지할 수 있는 적외선 센서 등으로 이루어져, 모션을 센싱하여 제1 지그비 통신부(10130)에 제공한다(도 43의 S110). 상기 무선 센싱 모듈(10100)의 조도 센서(10120)는 조도를 센싱하여 제1 지그비 통신부(10130)에 제공한다(S120).That is, the motion sensor 10110 of the wireless sensing module 10100 includes an infrared sensor capable of sensing a person, and senses motion and provides the sensed motion to the first Zigbee communication unit 10130 (S110 in FIG. 43). The illuminance sensor 10120 of the wireless sensing module 10100 senses the illuminance and provides the sensed illuminance to the first Zigbee communication unit 10130 (S120).

이에 따라, 상기 제1 지그비 통신부(10130)는, 상기 모션 센서(10110)로부터의 모션 센싱 신호와, 상기 조도 센서(10120)로부터의 조도 센싱 신호를 포함하여 기설정된 통신 규약에 따르는 지그비 신호를 생성하여 무선으로 송신한다(S130).Accordingly, the first Zigbee communication unit 10130 generates a zigbee signal according to a predetermined communication protocol including the motion sensing signal from the motion sensor 10110 and the roughness sensing signal from the roughness sensor 10120 And transmits it wirelessly (S130).

도 42를 참조하면, 상기 제1 지그비 통신부(10130)의 지그비 신호는, 통신 채널을 규정하는 채널정보, 무선망을 규정하는 무선망 식별정보(PAN_ID), 대상 디바이스를 지정하는 디바이스 주소 및 센싱 데이터를 포함할 수 있고, 상기 센싱 데이터는 모션값 및 조도값을 포함한다.
Referring to FIG. 42, the Zigbee signal of the first Zigbee communication unit 10130 includes channel information defining a communication channel, wireless network identification information (PAN_ID) defining a wireless network, device address specifying a target device, And the sensing data includes a motion value and an illumination value.

다음, 도 41 내지 도 44를 참조하여 본 발명에 따른 무선 조명 시스템의 무선 조명 제어 장치(10200)에 대해 설명하면, 본 발명에 따른 무선 조명 제어 장치(10200)는 상기 무선 센싱 모듈(10100)로부터의 지그비 신호에 포함된 조도값 및 모션값에 따라 미리 정해진 동작을 제어할 수 있다.
Next, a wireless lighting control apparatus 10200 of a wireless lighting system according to the present invention will be described with reference to FIGS. 41 to 44. A wireless lighting control apparatus 10200 according to the present invention includes: It is possible to control the predetermined operation according to the illumination value and the motion value included in the Zigbee signal.

즉, 본 발명의 무선 조명 제어 장치(10200)의 제2 지그비 통신부(10210)는, 상기 제1 지그비 통신부(10130)로부터의 지그비 신호를 수신하여 지그비 신호에서 센싱신호를 복원하여 센싱 신호 분석부(10220)에 제공한다(도 44의 S210).That is, the second Zigbee communication unit 10210 of the wireless lighting control apparatus 10200 of the present invention receives the Zigbee signal from the first Zigbee communication unit 10130, restores the sensing signal from the Zigbee signal, 10220 (S210 in FIG. 44).

도 42를 참조하면, 상기 제2 지그비 통신부(10210)의 지그비 신호는, 통신 채널을 규정하는 채널정보, 무선망을 규정하는 무선망 식별정보(PAN_ID), 대상 디바이스를 지정하는 디바이스 주소 및 센싱 데이터를 포함하며, 상기 채널정보 및 무선망 식별정보(PAN_ID)에 기초해서 무선망을 식별하고, 상기 디바이스 주소에 기초해서 센싱한 디바이스를 인식할 수 있다. 그리고, 상기 센싱 신호는 상기 모션값 및 조도값을 포함한다.Referring to FIG. 42, the Zigbee signal of the second Zigbee communication unit 10210 includes channel information defining a communication channel, wireless network identification information (PAN_ID) defining a wireless network, device address specifying a target device, And can identify the wireless network based on the channel information and the wireless network identification information (PAN_ID), and recognize the device sensed based on the device address. The sensing signal includes the motion value and the illumination value.

또한, 도 41을 참조하면, 상기 센싱 신호 분석부(10220)는, 상기 제2 지그비 통신부(10210)로부터의 센싱 신호에 포함된 조도값 및 모션값을 분석하여 분석결과를 동작 제어부(10230)에 제공한다(도 44의 S220).41, the sensing signal analyzing unit 10220 analyzes the illuminance value and the motion value included in the sensing signal from the second Zigbee communication unit 10210 and outputs the analysis result to the operation control unit 10230 (S220 in FIG. 44).

이에 따라, 상기 동작 제어부(10230)는, 상기 센싱 신호 분석부(10220)의 분석 결과에 따라 미리 정해진 제어를 수행할 수 있다(S230).
Accordingly, the operation control unit 10230 may perform predetermined control according to the analysis result of the sensing signal analysis unit 10220 (S230).

상기 센싱 신호 분석부(10220)는, 상기 제2 지그비 통신부(10210)로부터의 센싱 신호를 분석하여, 센싱된 모션 및 조도에 따라 복수의 조건중에서 만족하는 조건을 찾아낼 수 있다. 이때, 상기 동작 제어부(10230)는, 상기 센싱 신호 분석부(10220)에서 기설정된 복수의 조건에 따른 복수의 제어를 설정하고, 상기 센싱 신호 분석부(10220)에서 찾아낸 조건에 해당되는 제어를 수행할 수 있다.
The sensing signal analyzing unit 10220 analyzes the sensing signal from the second Zigbee communication unit 10210 and finds a satisfying condition among a plurality of conditions according to the sensed motion and illuminance. At this time, the operation control unit 10230 sets a plurality of controls according to a plurality of predetermined conditions in the sensing signal analysis unit 10220, and performs control corresponding to the conditions detected by the sensing signal analysis unit 10220 can do.

도 43을 참조하여 예를 들어 설명하면, 상기 센싱 신호 분석부(10220)가, 상기 제2 지그비 통신부(10210)로부터의 센싱 신호를 분석하여, 센싱된 모션 및 조도에 따라 제1, 제2 및 제3 조건(조건1, 조건2, 조건3)중에서 만족하는 조건을 찾아낼 수 있다.43, the sensing signal analysis unit 10220 analyzes a sensing signal from the second Zigbee communication unit 10210 and outputs the first, second, and third sensing signals according to sensed motion and illuminance. It is possible to find a satisfying condition among the third condition (condition 1, condition 2, condition 3).

이때, 상기 동작 제어부(10230)는, 상기 센싱 신호 분석부(10220)에서 기설정된 제1, 제2 및 제3 조건(조건1, 조건2, 조건3)에 따른 제1, 제2, 제3 제어(제어1, 제어2, 제어3)를 설정하고, 상기 센싱 신호 분석부(10220)에서 찾아낸 조건에 해당되는 제어를 수행할 수 있다.At this time, the operation control unit 10230 controls the operation of the first, second, and third sensing signals according to the first, second, and third conditions (condition 1, condition 2, condition 3) Control (control 1, control 2, control 3) is set, and control corresponding to the conditions found in the sensing signal analyzer 10220 can be performed.

예를 들어, 상기 제1 조건(조건1)은 현관에 모션이 있고, 현관 조도가 어둡지 않을 때이면, 상기 제1 제어는 기설정된 램프를 모두 오프(Off)시킬 수 있다. 상기 제2 조건(조건2)은 현관에 모션이 있고, 현관 조도가 어두울 때이면, 상기 제2 제어는 기설정된 램프중 일부(현관의 램프 일부와 거실의 램프 일부)를 온(On)시킬 수 있다. 그리고, 상기 제3 조건(조건3)은 현관에 모션이 있고, 현관 조도가 아주 어두울 때이면, 상기 제3 제어는 기설정된 램프 모두를 온시킬 수 있다.For example, if the first condition (condition 1) is motion on the porch, and the front illuminance is not dark, the first control may turn off all predetermined lamps. If the second condition (condition 2) is motion of the entrance and the front illumination is dark, the second control may turn on some of the predetermined lamps (part of the lamp of the entrance hall and part of the lamp of the living room) have. If the third condition (condition 3) is motion in the entrance and the front illumination is very dark, the third control may turn on all the predetermined lamps.

이와 달리, 상기 제1, 제2 및 제3 제어는 램프를 온 또는 오프 시키는 동작 이외에도 미리 설정하기에 따라 다양하게 적용될 수 있으며, 예를 들면, 여름에 램프와 에어콘 동작이나 겨울에 램프와 난방 동작에 연계될 수도 있다.
Alternatively, the first, second, and third controls may be variously applied in addition to the operation of turning on or off the lamp. For example, when the lamp and the air conditioner are operated in summer, . &Lt; / RTI &gt;

도 45 내지 도 48을 참조하여 상술한 조명 장치를 사용한 조명 시스템의 또 다른 실시 형태를 설명한다. Another embodiment of the illumination system using the above-described illumination device will be described with reference to Figs. 45 to 48. Fig.

도 45는 본 실시 형태에 따른 조명 시스템의 구성 요소를 간략히 도시한 블록도이다. 본 실시 형태에 따른 조명 시스템(10000'')은 모션센서부(11000), 조도센서부(12000), 조명부(13000), 제어부(14000)를 포함할 수 있다.45 is a block diagram briefly showing components of the illumination system according to the present embodiment. The illumination system 10000 '' according to the present embodiment may include a motion sensor unit 11000, an illumination sensor unit 12000, an illumination unit 13000, and a control unit 14000.

모션센서부(11000)는 자체의 움직임을 감지한다. 조명 시스템은, 예컨대 컨테이너 또는 자동차와 같이 움직임을 갖는 물체에 부착될 수 있는데, 모션센서부(11000)는 이러한 움직이는 물체의 자체 움직임을 감지한다. 자체 움직임이 감지되면 제어부(14000)에 신호를 출력하고 조명 시스템은 활성화된다. 모션센서부(11000)는 가속도 센서 또는 지자기 센서 등을 포함할 수 있다.
The motion sensor unit 11000 detects motion of itself. The illumination system can be attached to an object having motion, such as a container or an automobile, for example, and the motion sensor unit 11000 detects the self motion of such a moving object. When self motion is detected, the controller 14000 outputs a signal and the illumination system is activated. The motion sensor unit 11000 may include an acceleration sensor or a geomagnetic sensor.

조도센서부(12000)는 광센서의 일종으로 주위환경의 조도를 측정한다. 조도센서부(12000)는 모션센서부(11000)에서 자체움직임을 감지한 경우 제어부(14000)에서 출력하는 신호에 따라 활성화된다. 조명 시스템은 야간 작업이나 어두운 환경에서 조명을 밝혀 작업자에게 주위를 환기시키고, 야간 운전중인 운전자에게 가시거리를 확보하게 해주므로 자체움직임이 있는 경우라도 일정 이상의 조도가 확보된 경우(주간인 경우) 조명을 밝힐 필요가 없다. 또한, 주간의 경우라도 비가 오는 날씨에는 주위의 조도가 낮아 작업자에게 컨테이너의 이동을 알릴 필요가 있으므로 조명부의 발광이 필요하다. 따라서, 조도센서부(12000)에서 측정되는 조도값에 따라 조명부(13000)의 발광이 결정된다.The illuminance sensor unit 12000 is a type of optical sensor and measures the illuminance of the surrounding environment. The illuminance sensor unit 12000 is activated according to a signal output from the controller 14000 when the motion sensor unit 11000 detects its own motion. The lighting system illuminates the operator in night work or in a dark environment, allowing the operator to see the surroundings and ensuring the visible distance to the driver in the nighttime. There is no need to reveal. Also, even in the case of daylight, since the ambient illuminance is low in the rainy weather, it is necessary to notify the operator of the movement of the container, so the illumination of the illumination unit is necessary. Accordingly, the emission of the illumination unit 13000 is determined according to the illumination value measured by the illumination sensor unit 12000. [

조도센서부(12000)에서 주위환경의 조도를 측정하여 측정값을 후술하는 제어부(14000)에 출력한다. 한편, 조도값이 설정값 이상인 경우 조명부(13000)의 발광이 불필요하므로 전체 시스템은 종료된다.
The illuminance sensor unit 12000 measures the illuminance of the surrounding environment and outputs the measured value to the control unit 14000 to be described later. On the other hand, when the illuminance value is equal to or higher than the set value, the illumination of the illumination unit 13000 is unnecessary, and the entire system is ended.

조명부(13000)는 조도센서부(12000)에서 측정한 조도값이 설정값 이하를 나타내는 경우 발광한다. 작업자는 조명부(13000)의 발광을 인식하여 컨테이너 등의 이동을 인식하게 된다. 이러한 조명부(13000)는 상술한 조명 장치가 채용될 수 있다.The illuminating unit 13000 emits light when the illuminance value measured by the illuminance sensor unit 12000 indicates a set value or less. The operator recognizes the light emission of the illumination unit 13000 and recognizes the movement of the container or the like. The illuminating unit 13000 may employ the above-described illuminating apparatus.

또한, 조명부(13000)는 외부환경의 조도값에 따라 발광세기를 조절할 수 있다. 조도값이 낮은 경우 발광의 세기를 크게 하고, 조도값이 상대적으로 큰 경우 발광세기를 낮게 하여 전력의 낭비를 방지한다.
In addition, the illumination unit 13000 can adjust the intensity of light according to the illuminance value of the external environment. When the illuminance value is low, the intensity of the light emission is increased. When the illuminance value is relatively large, the emission intensity is decreased to prevent power waste.

제어부(14000)는 상술한 모션센서부(11000), 조도센서부(12000), 조명부(13000)를 전체적으로 제어한다. 모션센서부(11000)에서 자체의 움직임을 감지하고 신호를 제어부에 출력하면, 제어부(14000)는 조도센서부(12000)에 작동신호를 출력하고, 조도센서부(12000)에서 측정한 조도값을 받아 조명부(13000)의 발광 여부를 결정한다.
The control unit 14000 controls the motion sensor unit 11000, the illumination sensor unit 12000, and the illumination unit 13000 as a whole. When the motion sensor unit 11000 detects its own motion and outputs a signal to the control unit, the control unit 14000 outputs an operation signal to the illumination sensor unit 12000 and outputs the illumination value measured by the illumination sensor unit 12000 And determines whether the illumination unit 13000 emits light.

도 46은 조명 시스템의 제어방법을 도시한 흐름도이다. 이하, 이를 참조하여 조명 시스템의 제어방법을 설명한다.46 is a flowchart showing a control method of the illumination system. Hereinafter, a control method of the illumination system will be described with reference to these.

먼저, 자체 움직임을 감지하여 동작신호를 출력한다(S310). 모션센서부(11000)에서 조명 시스템이 장착된 컨테이너 또는 자동차의 움직임을 감지하고, 자체 움직임이 감지된 경우 동작신호를 출력한다. 동작신호는 전체 전원을 활성화시키는 신호로 볼 수 있다. 즉 자체 움직임이 감지된 경우 모션센서부(11000)는 동작신호를 제어부(14000)에 출력한다.
First, it detects its own motion and outputs an operation signal (S310). The motion sensor unit 11000 senses the motion of the container or the vehicle equipped with the illumination system, and outputs an operation signal when the self motion is detected. The operation signal can be regarded as a signal that activates the entire power source. That is, when self motion is detected, the motion sensor unit 11000 outputs an operation signal to the controller 14000.

다음, 상기 동작신호에 따라 외부환경의 조도를 측정하고 조도값을 출력한다(S320). 동작신호가 제어부(14000)에 인가되면, 제어부(14000)는 조도센서부(12000)에 신호를 출력하고, 그에 따라 조도센서부(12000)는 외부환경의 조도를 측정한다. 그리고 조도센서부(12000)는 외부환경의 조도값을 다시 제어부(14000)에 출력한다. 그 후, 조도값에 따라 발광 여부를 결정하여 발광한다.
Next, the illuminance of the external environment is measured according to the operation signal, and the illuminance value is output (S320). When an operation signal is applied to the control unit 14000, the control unit 14000 outputs a signal to the illumination sensor unit 12000, and the illumination sensor unit 12000 measures the illuminance of the external environment accordingly. Then, the illuminance sensor unit 12000 outputs the illuminance value of the external environment to the controller 14000 again. Thereafter, whether or not to emit light is determined according to the illuminance value, and the light is emitted.

우선, 조도값과 설정값을 비교,판단한다(S330). 제어부(14000)에 조도값이 입력되면, 제어부(14000)는 미리 저장되어있는 설정값과 비교하여 조도값이 설정값보다 작은 값을 갖는지 판단한다. 여기서 설정값은 조명의 발광여부를 결정하는 값으로, 예를 들면 해가지기 시작하여 작업자 또는 운전자의 눈으로 사물을 식별하기 어렵거나, 실수를 일으킬 수 있는 조도값에 해당하는 값이라고 볼 수 있다.
First, the illuminance value and the set value are compared and judged (S330). When the illuminance value is input to the controller 14000, the controller 14000 compares the illuminance value with a previously stored set value and determines whether the illuminance value is smaller than the set value. Here, the set value is a value for determining whether or not the light is emitted. For example, the set value may be a value corresponding to an illuminance value that is difficult to identify an object with the operator's or driver's eyes or may cause a mistake.

조도센서부(12000)에서 측정한 조도값이 설정값보다 큰 경우라면 조명의 발광이 불필요한 상태이므로 제어부(14000)는 전체 시스템을 종결한다.If the illuminance value measured by the illuminance sensor unit 12000 is larger than the set value, the controller 14000 terminates the entire system because the illumination is not necessary.

반면에 조도값이 설정값보다 작은 경우라면 조명의 발광이 필요한 상태이므로 제어부(14000)는 조명부(13000)에 신호를 출력하고 조명부(13000)는 발광하게 된다(S340).
On the other hand, if the illuminance value is smaller than the set value, the controller 14000 outputs a signal to the illumination unit 13000 and the illumination unit 13000 emits light (S340).

도 47은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 조명 시스템의 제어방법을 도시한 흐름도이다. 이하, 이를 참조하여 조명 시스템의 제어방법을 설명하기로 한다. 다만, 도 46을 참조하여 설명한 조명 시스템의 제어방법과 동일한 절차에 대한 설명은 생략하기로 한다.47 is a flowchart showing a control method of a lighting system according to still another embodiment of the present invention. Hereinafter, a control method of the illumination system will be described with reference to these. However, the description of the same procedure as the control method of the illumination system described with reference to FIG. 46 will be omitted.

도 47에 도시된 것과 같이, 본 실시 형태에 따른 조명 시스템의 제어방법은 외부환경의 조도값에 따라 조명의 발광 세기를 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 47, the control method of the illumination system according to the present embodiment is characterized in that the light emission intensity of the illumination can be adjusted according to the illuminance value of the external environment.

상술한 것과 같이, 조도센서부(12000)에서 조도값을 제어부(14000)에 출력한다(S320). 조도값이 설정값보다 작은 경우(S330), 제어부(14000)는 조도값의 범위를 판단한다(S340-1). 제어부(14000)에는 조도값의 범위가 세분화되어 입력되어있고, 제어부(14000)는 측정된 조도값의 범위를 판단한다.As described above, the illuminance sensor unit 12000 outputs the illuminance value to the control unit 14000 (S320). If the illuminance value is smaller than the set value (S330), the controller 14000 determines the range of the illuminance value (S340-1). A range of illumination values is subdivided in the controller 14000, and the controller 14000 determines a range of the measured illumination values.

다음, 조도값의 범위가 판단되면 제어부(14000)는 조명발광의 세기를 결정하고(S340-2) 그에 따라 조명부(13000)는 발광하게 된다(S340-3). 조명발광의 세기는 조도값에 따라 세분화될 수 있는데, 조도값은 날씨, 시간, 주위환경에 따라 달라지므로, 그에 따라 조명발광의 세기도 조절될 수 있다. 조도값의 범위에 따라 발광세기를 조절함으로써 전원의 낭비를 방지할 수 있고, 작업자에게 주의를 환기시킬 수 있다.
Next, when the range of the illuminance value is determined, the controller 14000 determines the intensity of the illumination light (S340-2), and the illumination unit 13000 emits light according to the determined intensity (S340-3). The intensity of illumination light emission can be subdivided according to the illumination value, and the illumination value varies depending on the weather, time, and the surrounding environment, so that the intensity of illumination light can be adjusted accordingly. It is possible to prevent the waste of the power source by adjusting the light emission intensity according to the range of the illuminance value, and it is possible to call attention to the operator.

도 48은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 조명 시스템의 제어방법을 도시한 흐름도이다. 이하, 이를 참조하여 조명 시스템의 제어방법을 설명하기로 한다. 다만, 도 46 및 도 47을 참조하여 설명한 조명 시스템의 제어방법과 동일한 절차에 대한 설명은 생략하기로 한다.48 is a flowchart showing a control method of a lighting system according to still another embodiment of the present invention. Hereinafter, a control method of the illumination system will be described with reference to these. However, the description of the same procedure as the control method of the illumination system described with reference to Figs. 46 and 47 will be omitted.

본 실시 형태에 따른 조명 시스템의 제어방법은 조명부(13000)의 발광이 발생하면, 자체 움직임이 유지되는지 여부를 판단하여 발광유지 여부를 결정하는 단계(S350)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The control method of the illumination system according to the present embodiment further includes a step S350 of determining whether or not the self-motion is maintained when the illumination of the illumination unit 13000 occurs, and determining whether to maintain the self-motion.

우선, 조명부(13000)에서 발광이 시작되면 발광의 종료를 조명 시스템이 장착된 컨테이너 또는 자동차의 움직임 여부에 의해 결정될 수 있다. 이는 컨테이너의 움직임이 종결된 경우 작업이 종료한 것으로 판단할 수 있고, 또는 자동차가 횡단보도에서 일시 정지의 경우 조명의 발광을 중단하여 상대방에 대한 운전방해를 방지할 수 있다.First, when light emission is started in the illumination unit 13000, the end of light emission can be determined by the movement of the container or the vehicle equipped with the illumination system. This can determine that the operation is completed when the movement of the container is terminated, or stop the light emission of the vehicle in case of a temporary stop in the crosswalk, thereby preventing the driver from interfering with the operation.

그리고, 컨테이너가 이동되거나, 자동차가 다시 이동하면 재차 모션센서부(11000)가 작동하여 다시 조명부(14000)의 발광이 시작될 수 있다.When the container is moved or the automobile is moved again, the motion sensor unit 11000 may operate again and the light emission of the illumination unit 14000 may start again.

이러한 발광유지 여부의 결정은 모션센서부(11000)에서 자체 움직임이 감지되는지 여부에 따라 결정된다. 모션센서부(11000)에서 자체 움직임이 계속 감지되면, 다시 조도를 측정하고 발광의 유지 여부가 결정된다. 한편 자체 움직임이 감지되지 않으면 시스템을 종료한다.
The determination of whether or not to maintain the light emission is determined depending on whether or not the motion sensor unit 11000 detects its own motion. When the motion sensor unit 11000 continues to detect motion itself, the illuminance is measured again and it is determined whether or not to maintain the emission. On the other hand, if the self motion is not detected, the system is shut down.

LED를 이용한 상술한 조명 장치는 제품 형태, 장소 및 목적에 따라 광학 설계가 변할 수 있다. 예컨대, 상술한 감성 조명과 관련하여 조명의 색, 온도, 밝기 및 색상을 컨트롤하는 기술 외에 스마트폰과 같은 휴대기기를 활용한 무선(원격) 제어 기술을 이용하여 조명을 제어하는 기술을 들 수 있다.The above-described illumination device using LEDs may vary in optical design depending on the product type, place and purpose. For example, in connection with the emotional illumination described above, there is a technique of controlling illumination using a wireless (remote) control technique utilizing a portable device such as a smart phone, in addition to a technique of controlling the color, temperature, brightness, and color of illumination .

또한, 이와 더불어 LED 조명 장치와 디스플레이 장치들에 통신 기능을 부가하여 LED 광원의 고유 목적과 통신 수단으로서의 목적을 동시에 달성하고자 하는 가시광 무선통신 기술도 가능하다. 이는 LED 광원이 기존의 광원들에 비해 수명이 길고 전력 효율이 우수하며 다양한 색 구현이 가능할 뿐만 아니라 디지털 통신을 위한 스위칭 속도가 빠르고 디지털 제어가 가능하다는 장점을 갖고 있기 때문이다.In addition, a visible light wireless communication technology is also available in which a communication function is added to the LED illumination device and the display devices to simultaneously achieve the intrinsic purpose of the LED light source and the purpose of the communication means. This is because the LED light source has a longer lifetime than the conventional light sources, has excellent power efficiency, can realize various colors, and has a fast switching speed for digital communication and digital control.

가시광 무선통신 기술은 인간이 눈으로 인지할 수 있는 가시광 파장 대역의 빛을 이용하여 무선으로 정보를 전달하는 무선통신 기술이다. 이러한 가시광 무선통신 기술은 가시광 파장 대역의 빛을 이용한다는 측면에서 기존의 유선 광통신기술 및 적외선 무선통신과 구별되며, 통신 환경이 무선이라는 측면에서 유선 광통신 기술과 구별된다. The visible light wireless communication technology is a wireless communication technology that wirelessly transmits information using light of a visible light wavelength band that can be perceived by human eyes. Such a visible light wireless communication technology is distinguished from existing wired optical communication technology and infrared wireless communication in that it uses light in a visible light wavelength band and is distinguished from wired optical communication technology in terms of wireless communication environment.

또한, 가시광 무선통신 기술은 RF 무선통신과 달리 주파수 이용 측면에서 규제 또는 허가를 받지 않고 자유롭게 이용할 수 있다는 편리성과 물리적 보안성이 우수하고 통신 링크를 사용자가 눈으로 확인할 수 있다는 차별성을 가지고 있으며, 무엇보다도 광원의 고유 목적과 통신기능을 동시에 얻을 수 있다는 융합 기술로서의 특징을 가지고 있다.
In addition, unlike RF wireless communication, visible light wireless communication technology has the advantage that it can be freely used without being regulated or licensed in terms of frequency utilization, has excellent physical security, and has a difference in that a user can visually confirm a communication link. And has the characteristic of being a convergence technology that can obtain the intrinsic purpose of the light source and the communication function at the same time.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is intended to be limited by the appended claims.

따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.

100... 베이스 110... 체결 림
111... 플랜지부 120... 지지 플레이트
130... 공기 방출홀 200... 하우징
210... 단자부 220... 유로
300... 냉각팬 400... 광원 모듈
410... 기판 420... 발광소자
500... 역류 방지부 600... 커버
610... 렌즈
100 ... base 110 ... fastening rim
111 ... flange portion 120 ... support plate
130 ... air release hole 200 ... housing
210 ... terminal portion 220 ... flow path
300 ... cooling fan 400 ... light source module
410 ... substrate 420 ... light emitting element
500 ... reverse flow prevention portion 600 ... cover
610 ... Lens

Claims (10)

체결 림과, 상기 체결 림의 내측에 구비되는 지지 플레이트를 포함하는 베이스;
상기 체결 림에 체결되어 상기 지지 플레이트를 커버하며, 공기의 유입을 안내하는 유로와, 상기 유로를 통해 안내된 공기를 내부 공간으로 유입시키는 공기 유입홀을 구비하는 하우징;
상기 하우징에 의해 커버된 상기 지지 플레이트의 일면 상에 배치되어 공기를 상기 하우징의 내부 공간으로 흡기시키고, 흡기된 공기를 상기 베이스에 구비된 공기 방출홀을 통해 외부로 방출하는 냉각팬; 및
상기 지지 플레이트에 장착되는 광원 모듈;을 포함하고,
상기 유로는 상기 하우징의 외부 표면과 단차를 이루며 함몰된 영역을 이루는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
A base including a fastening rim and a support plate provided inside the fastening rim;
A housing which is fastened to the coupling rim and covers the support plate, and includes a flow path for guiding the inflow of air and an air inflow hole for introducing the air guided through the flow path into the internal space;
A cooling fan disposed on one side of the support plate covered by the housing to draw air into the internal space of the housing and to discharge the intake air to the outside through an air release hole provided in the base; And
And a light source module mounted on the support plate,
Wherein the channel forms a stepped section with the outer surface of the housing.
제1항에 있어서,
상기 공기 유입홀은 상기 하우징의 둘레를 따라서 링 형상으로 구비되며,
상기 유로는 상기 하우징의 하단부에서 상기 하우징의 외측면을 따라 상부로 연장되어 상기 공기 유입홀과 연통하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
The method according to claim 1,
The air inlet hole is provided in a ring shape along the periphery of the housing,
And the flow path extends upward along the outer surface of the housing at a lower end of the housing to communicate with the air inlet hole.
제1항에 있어서,
상기 공기 유입홀은 상기 하우징의 둘레를 따라서 링 형상으로 구비되며,
상기 유로는 상기 공기 유입홀과 대응되는 위치에서 상기 하우징의 둘레를 따라 형성되어 상기 공기 유입홀과 연통하는 제1 유로와, 상기 제1 유로로부터 상기 하우징의 하단부로 연장되어 외부로 개방되는 제2 유로를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
The method according to claim 1,
The air inlet hole is provided in a ring shape along the periphery of the housing,
Wherein the flow path includes a first flow path formed along a circumference of the housing at a position corresponding to the air inflow hole and communicating with the air inflow hole, a second flow path extending from the first flow path to a lower end of the housing, And a flow path.
제1항에 있어서,
상기 유로는 적어도 하나가 상기 하우징의 외부 표면에 리세스 형태의 함몰된 구조로 구비되어 상기 공기 유입홀과 연통하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
The method according to claim 1,
Wherein at least one of the flow paths is formed in a recessed structure in a recessed form on an outer surface of the housing to communicate with the air inlet hole.
제1항에 있어서,
상기 체결 림은 상기 유로와 대응되는 위치에 상기 유로와 대응되는 형태의 홈을 구비하여 상기 하우징의 유로와 이어지는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the fastening rim has a groove corresponding to the flow path at a position corresponding to the flow path and is connected to the flow path of the housing.
제1항에 있어서,
상기 체결 림은 하단부에 외측 방향으로 돌출된 플랜지부를 구비하고, 상기 플랜지부에는 상기 체결 림의 둘레를 따라서 복수의 통기구가 형성되어 상기 하우징의 유로와 이어지는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the fastening rim has a flange portion protruding outwardly at a lower end portion, and a plurality of vent holes are formed in the flange portion along the periphery of the fastening rim to connect to the flow path of the housing.
제1항에 있어서,
상기 베이스는 상기 지지 플레이트의 외주면과 상기 체결 림의 내측면 사이에 상기 공기 방출홀을 구비하여 상기 하우징의 내부 공간으로 유입된 공기를 외부로 방출하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the base includes the air discharge hole between an outer circumferential surface of the support plate and an inner surface of the concave rim to discharge air introduced into the inner space of the housing to the outside.
제1항에 있어서,
상기 베이스는 상기 지지 플레이트의 중심부에 상기 공기 방출홀을 구비하여 상기 하우징의 내부 공간으로 유입된 공기를 외부로 방출하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the base includes the air discharge hole at the center of the support plate to discharge the air introduced into the inner space of the housing to the outside.
제1항에 있어서,
상기 베이스는 상기 냉각팬과 마주하는 상기 지지 플레이트의 상기 일면에 복수의 방열핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the base includes a plurality of radiating fins on the one surface of the support plate facing the cooling fan.
공기 방출홀을 구비하는 베이스;
상기 베이스의 일측에 배치되며, 외부 표면과 단차를 이루며 함몰된 영역을 형성하는 유로와, 상기 유로를 통해 안내된 공기를 내부 공간으로 유입시키는 공기 유입홀을 구비하는 하우징;
상기 하우징 내에 배치되어 공기를 상기 하우징의 내부 공간으로 흡기시키고, 흡기된 공기를 상기 공기 방출홀을 통해 외부로 방출하는 냉각팬; 및
상기 베이스의 타측에 배치되며, 적어도 하나의 발광소자와 상기 발광소자 상에 배치되는 적어도 하나의 렌즈를 갖는 렌즈 유닛을 포함하는 광원 모듈;
을 포함하는 조명 장치.
A base having an air vent hole;
A housing disposed at one side of the base, the housing having a flow path forming a depressed area with a stepped outer surface, and an air inflow hole for introducing the air guided through the flow path into the internal space;
A cooling fan disposed in the housing for drawing air into the inner space of the housing and discharging the intake air to the outside through the air discharge hole; And
A light source module disposed on the other side of the base and including a lens unit having at least one light emitting element and at least one lens disposed on the light emitting element;
&Lt; / RTI &gt;
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