KR101449240B1 - Light emitting diode package - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광흡수 손실 및 광반사율 저해를 최소화할 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 서로 이격된 제1 부분 및 제2 부분을 갖는 리드 프레임, 제1 부분 상면에 실장된 발광 다이오드 칩, 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결되고, 제2 부분 상면에 실장된 정전기 보호용 칩, 발광 다이오드 칩과 정전기 보호용 칩을 둘러싸도록 형성된 하우징, 정전기 보호용 칩을 덮도록 형성된 제1 봉지재 및 제1 봉지재와 발광 다이오드 칩을 덮도록 형성된 제2 봉지재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 빛이 정전기 보호용 칩에 의해 흡수되는 것을 억제하여 광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package capable of minimizing light absorption loss and light reflectance inhibition.
A light emitting diode package according to the present invention includes a lead frame having a first portion and a second portion that are spaced apart from each other, a light emitting diode chip mounted on a top surface of the first portion, a light emitting diode chip electrically connected to the light emitting diode chip, A first encapsulant formed to cover the electrostatic protection chip, and a second encapsulant formed to cover the first encapsulant and the light emitting diode chip, characterized in that the encapsulant comprises a first encapsulant, an electrostatic protection chip, a housing formed to surround the light emitting diode chip and the electrostatic protection chip, .
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention has an effect of suppressing absorption of light emitted from a light emitting diode chip by an electrostatic protection chip, thereby improving light efficiency.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE [0002]

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 광흡수 손실 및 광반사율 저해를 최소화할 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package capable of minimizing light absorption loss and light reflectance inhibition.

발광 다이오드 (LED; Light Emitting Diode) 란, GaP계, GaPAsP계, GaAs계, GaN계, GaAlAs계, InGaN계, InGaAlP계, AlGaAs계 AlGaInP계 또는 SiC계 등의 화합물 반도체 재료로 발광원을 구성함으로써, 전계 발광 (Electroluminescence) 효과를 이용해 각 재료마다 다양한 색상의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다. 발광 다이오드는 백열전구나 형광등과 같은 기존 광원에 비해 고효율, 저전력, 긴 수명 등의 장점을 갖고 있어, 그 수요와 활용 분야가 계속 증가하고 있다.Light emitting diodes (LEDs) are light emitting diodes composed of compound semiconductor materials such as GaP, GaPAsP, GaAs, GaN, GaAlAs, InGaN, InGaAlP, AlGaAs AlGaInP or SiC , And a semiconductor device capable of realizing light of various colors for each material by using an electroluminescence effect. Light emitting diodes have advantages such as high efficiency, low power and long life compared to conventional light sources such as incandescent lamps and fluorescent lamps, and their demand and utilization fields are continuously increasing.

발광 다이오드의 색, 휘도, 휘도 세기 및 광 지향각은 1차적으로는 발광 다이오드에 사용된 화합물 반도체 재료에 의해 결정되나, 2차적으로 칩을 실장하는 발광 다이오드 패키지의 구조에 의해서도 영향을 받는다. 특히, 발광 다이오드 패키지의 구조는 발광 다이오드의 휘도 및 광 지향각의 특성에 영향을 미쳐, 최종적으로 발광 다이오드의 광효율까지 영향을 준다.The color, luminance, intensity, and light-directing angle of the light-emitting diode are determined primarily by the compound semiconductor material used for the light-emitting diode, but also by the structure of the light-emitting diode package that secondarily mounts the chip. In particular, the structure of the light emitting diode package affects the luminance and light directing angle characteristics of the light emitting diode, and ultimately affects the light efficiency of the light emitting diode.

한편, 발광 다이오드는 전기적 충격에 매우 약해, 정전기 (ESD; Electrostatic Discharge) 나 낙뢰로부터의 보호가 힘들다는 문제가 있다. 특히, 발광 다이오드가 이용되는 액정 표시 장치의 백라이트 유닛 (BLU; Back Light Unit) 또는 고출력 발광 다이오드를 이용하는 조명의 경우, 높은 신뢰성과 수명이 요구되므로, 정전기 등으로부터 전기적 신뢰성이 우수한 정전기 보호용 칩을 이용하여 발광 다이오드를 보호하는 방법이 이용되어 왔다.On the other hand, the light emitting diode is very vulnerable to electric shock, and it is difficult to protect it from electrostatic discharge (ESD) or lightning. In particular, in the case of a backlight unit (BLU) of a liquid crystal display device in which a light emitting diode is used or an illumination using a high output light emitting diode, high reliability and long lifetime are required. Therefore, an electrostatic protection chip Thereby protecting the light emitting diode.

도 1은 종래의 정전기 보호용 칩을 포함하는 발광 다이오드 패키지의 단면도이고, 도 2는 도 1의 정전기 보호용 칩이 정전기로부터 발광 다이오드 칩을 보호하는 원리를 나타낸 회로도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a light emitting diode package including a conventional electrostatic protection chip, and FIG. 2 is a circuit diagram showing the principle of protecting the LED chip from static electricity by the electrostatic protection chip of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하여, 종래의 정전기 보호용 칩을 포함하는 발광 다이오드 패키지에 대해 설명한다.A light emitting diode package including a conventional electrostatic protection chip will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 정전기 보호용 칩 (130) 을 포함하는 발광 다이오드 패키지 (100) 는 서로 이격된 제1 부분 (110a) 및 제2 부분 (110b) 을 갖는 리드 프레임 (110), 리드 프레임 (110) 의 제1 부분 (110a) 상에 실장된 발광 다이오드 칩 (120) 과 제2 부분 (110b) 상에 실장된 정전기 보호용 칩 (130), 발광 다이오드 칩 (120) 과 리드 프레임 (110) 의 제2 부분 (110b) 을 전기적으로 연결하는 제1 리드 선 (125), 정전기 보호용 칩 (130) 과 리드 프레임 (110) 의 제1 부분 (110a) 을 전기적으로 연결하는 제2 리드 선 (135), 리드 프레임 (110) 상면 상에서 발광 다이오드 칩 (120) 과 정전기 보호용 칩 (130) 을 둘러싸는 하우징 (140), 리드 프레임 (110) 하면에 형성된 하우징 (145) 및 발광 다이오드 칩 (120) 과 정전기 보호용 칩 (130) 을 덮는 봉지재 (150) 를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, a light emitting diode package 100 including a conventional electrostatic protection chip 130 includes a lead frame 110 having a first portion 110a and a second portion 110b spaced from each other, The light emitting diode chip 120 mounted on the first portion 110a of the lead frame 110 and the electrostatic protection chip 130 mounted on the second portion 110b, the light emitting diode chip 120 and the lead frame A first lead wire 125 electrically connecting the second portion 110b of the lead frame 110 to the first portion 110a of the lead frame 110, A housing 140 surrounding the light emitting diode chip 120 and the electrostatic protection chip 130 on the upper surface of the lead frame 110, a housing 145 formed on the undersurface of the lead frame 110, and a light emitting diode chip 120 And an encapsulant 150 covering the electrostatic protection chip 130. [

도 2에 도시된 바와 같이 정전기, 스위치에서 발생할 수 있는 스파크인 전기적 빠른 과도 현상 (EFT; Electrical Fast Transient), 낙뢰 등에 의한 서지 (surge) 로 인해 강한 과도 전압 (strong transient voltage) 이 발광 다이오드 칩 (120) 에 인가될 수 있다. 이러한 강한 과도 전압이 순간적으로 발광 다이오드 칩 (120) 에 가해지더라도, 정전기 보호용 칩 (130) 에 의해 전류를 바이패스 (by-pass) 시켜 흐르도록 함으로써, 발광 다이오드 칩 (120) 에는 클램프된 (clamped) 전압만이 인가되어 정전기 등으로부터 발광 다이오드를 보호할 수 있다.As shown in FIG. 2, a strong transient voltage is generated due to a surge due to static electricity, a spark electrical rapid transient (EFT), a lightning strike that may occur in a switch, 120). Even if such a strong transient voltage is instantaneously applied to the light emitting diode chip 120, the current is bypassed by the electrostatic protection chip 130 so that the light emitting diode chip 120 is clamped ) Voltage is applied to protect the light emitting diode from static electricity or the like.

한편, 종래의 정전기 보호용 칩 (130) 은 리드 프레임 (110) 상에서 발광 다이오드 칩 (120) 의 수평 선상에 실장되기 때문에 발광 다이오드 칩 (120) 에서 방출되는 빛의 일부가 정전기 보호용 칩 (130) 에 의해 흡수됨으로써 광 손실이 발생하는 문제가 있었다. 또한, 발광 다이오드 칩 (120) 에서 방출되는 빛이 정전기 보호용 칩 (130) 에 의해 산란되거나 굴절되어 광 지향각에 영향을 받는 문제도 있었다.Since the conventional electrostatic protection chip 130 is mounted on the horizontal line of the LED chip 120 on the lead frame 110, a part of the light emitted from the LED chip 120 is transferred to the electrostatic protection chip 130 There is a problem that optical loss is generated. In addition, there is a problem that light emitted from the LED chip 120 is scattered or refracted by the electrostatic protection chip 130 and is affected by the light directing angle.

이에 따라, 발광 다이오드 칩 (120) 을 정전기 등으로부터 보호하면서도, 발광 다이오드의 광효율을 저하시키지 않을 수 있는 패키지 구조에 대한 요구가 계속되었다.
[관련기술문헌]
1. 발광 다이오드 패키지 (공개특허공보 제 10-2011-0090008 호)Accordingly, there has been continued a demand for a package structure that does not deteriorate the light efficiency of the light emitting diode while protecting the light emitting diode chip 120 from static electricity or the like.
[Related Technical Literature]
1. Light emitting diode package (Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2011-0090008)

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 정전기 등으로 인해 발생하는 강한 과도 전압으로부터 발광 다이오드를 보호하면서, 발광 다이오드로부터 방출된 빛이 정전기 보호용 칩에 의해 흡수되어 발생하는 광효율 저하를 억제할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light emitting diode package capable of suppressing deterioration of light efficiency caused by absorption of light emitted from a light emitting diode by an electrostatic protection chip while protecting the light emitting diode from a strong transient voltage generated by static electricity, .

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 서로 이격된 제1 부분 및 제2 부분을 갖는 리드 프레임, 제1 부분 상면에 실장된 발광 다이오드 칩, 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결되고, 제2 부분 상면에 실장된 정전기 보호용 칩, 발광 다이오드 칩과 정전기 보호용 칩을 둘러싸도록 형성된 하우징, 정전기 보호용 칩을 덮도록 형성된 제1 봉지재 및 제1 봉지재와 발광 다이오드 칩을 덮도록 형성된 제2 봉지재를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package including a lead frame having a first portion and a second portion spaced apart from each other, a light emitting diode chip mounted on a top surface of the first portion, A housing formed to surround the light emitting diode chip and the electrostatic protection chip, a first encapsulation member and a first encapsulation member formed to cover the electrostatic protection chip, and a light emitting diode chip And a second encapsulant formed to cover the first encapsulant.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 봉지재는 디메틸 (dimethyl) 계 실리콘 또는 페닐 (phenyl) 계 실리콘 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the first encapsulation material is characterized by containing at least one of dimethyl silicone or phenyl silicone.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 봉지재의 반사율은 제2 봉지재의 반사율보다 높은 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the reflectance of the first encapsulant is higher than that of the second encapsulant.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 부분 및 제2 부분 사이에서 리드 프레임 위로 돌출된 돌출부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is further provided a protrusion protruding from the lead frame between the first portion and the second portion.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 빛이 정전기 보호용 칩에 의해 흡수되는 것을 억제하여 광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention has an effect of suppressing absorption of light emitted from a light emitting diode chip by an electrostatic protection chip, thereby improving light efficiency.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 종래의 정전기 보호용 칩을 포함하는 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2는 정전기 보호용 칩이 정전기로부터 발광 다이오드 칩을 보호하는 원리를 나타낸 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른, 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting diode package including a conventional electrostatic protection chip.
2 is a circuit diagram showing the principle of protecting the light emitting diode chip from static electricity by the electrostatic protection chip.
3 is a cross-sectional view of a light emitting diode package, according to an embodiment of the invention.
4 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

소자 (elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)”로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.It is to be understood that elements or layers are referred to as being " on " other elements or layers, including both intervening layers or other elements directly on or in between.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it is needless to say that the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other partially or entirely and technically various interlocking and driving is possible as will be appreciated by those skilled in the art, It may be possible to cooperate with each other in association.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 발광 다이오드 패키지의 단면도를 도시한 것이다.Figure 3 illustrates a cross-sectional view of a light emitting diode package, in accordance with an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 패키지 (200) 는 리드 프레임 (210), 발광 다이오드 칩 (220), 정전기 보호용 칩 (230), 제1 리드 선 (225), 제2 리드선 (235), 리드 프레임 (210) 상면 상에 형성된 하우징 (240), 리드 프레임 (210) 하면에 형성된 하우징 (245), 제1 봉지재 (260) 및 제2 봉지재 (250) 를 포함한다.3, the light emitting diode package 200 includes a lead frame 210, a light emitting diode chip 220, an electrostatic protection chip 230, a first lead wire 225, a second lead wire 235, A housing 240 formed on the upper surface of the lead frame 210, a housing 245 formed on a lower surface of the lead frame 210, a first encapsulant 260 and a second encapsulant 250.

리드 프레임 (210) 은 판상으로 형성되고, 전도성 소재로 이루어진다. 리드 프레임 (210) 은 발광 다이오드 칩 (220) 과 정전기 보호용 칩 (230) 에 전기적으로 연결되어 외부로부터 공급되는 전원을 전달한다. 리드 프레임 (210) 의 서로 이격된 제1 부분 (210a) 과 제2 부분 (210b) 에는 외부전원으로부터 각각 다른 극성의 신호가 입력된다.The lead frame 210 is formed in a plate shape and is made of a conductive material. The lead frame 210 is electrically connected to the light emitting diode chip 220 and the electrostatic protection chip 230 to transmit power supplied from the outside. Signals of different polarities are input to the first and second portions 210a and 210b of the lead frame 210 from the external power source.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩 (220) 으로부터 발광 다이오드 패키지 (200) 하부로 방출되는 빛을 상부로 반사시키기 위해, 발광 다이오드 칩 (220) 이 실장되는 리드 프레임 (210) 의 실장면은 반사율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in order to reflect upward the light emitted from the light emitting diode chip 220 to the lower portion of the light emitting diode package 200, the light emitting diode chip 220 is mounted on the lead frame 210, The scene can be made of a material with high reflectance.

발광 다이오드 칩 (220) 은 리드 프레임 (210) 의 제1 부분 (210a) 상면에, 정전기 보호용 칩 (230) 은 리드 프레임 (210) 의 제2 부분 (210b) 상면에 표면실장기술 (SMT; Surface Mount Technology) 에 의해 실장될 수 있다.The light emitting diode chip 220 is mounted on the upper surface of the first portion 210a of the lead frame 210 while the static electricity protection chip 230 is mounted on the upper surface of the second portion 210b of the lead frame 210 by a surface mounting technique Mount Technology).

발광 다이오드 칩 (220) 은 빛을 방출하는 구성으로서, 전자를 제공하는 n형 화합물 반도체층, 정공을 제공하는 p형 화합물 반도체층, n형 화합물 반도체층 및 p형 화합물 반도체층 각각으로부터 제공받은 전자와 정공이 재결합되어 빛을 방출하는 활성화층, n형 전극 및 p형 전극을 포함할 수 있다. 활성화층으로부터 방출되는 빛은 재료 특성에 따라 고유한 색을 띨 수 있고, 색상이 없는 자외선일 수도 있다.The light emitting diode chip 220 emits light. The light emitting diode chip 220 includes an n-type compound semiconductor layer for providing electrons, a p-type compound semiconductor layer for providing holes, an n-type compound semiconductor layer, And an active layer that recombines holes to emit light, an n-type electrode, and a p-type electrode. The light emitted from the activation layer may have a unique color depending on the material characteristics, and may be ultraviolet ray having no color.

발광 다이오드 칩 (220) 의 n형 전극 및 p형 전극이 수직으로 배치된 경우, n형 전극 및 p형 전극 중 하나의 전극은 리드 프레임 (210) 의 제1 부분 (210a) 과 접촉되고, n형 전극 및 p형 전극 중 다른 하나의 전극은 제1 리드 선 (225) 을 통해 리드 프레임 (210) 의 제2 부분 (210b) 과 연결된다.When the n-type electrode and the p-type electrode of the light emitting diode chip 220 are arranged vertically, one of the n-type electrode and the p-type electrode is in contact with the first portion 210a of the lead frame 210, And the other electrode of the p-type electrode is connected to the second portion 210b of the lead frame 210 through the first lead wire 225. [

발광 다이오드 칩 (220) 의 n형 전극 및 p형 전극이 수평으로 배치된 경우, 발광 다이오드 칩 (220) 의 n형 전극 및 p형 전극 중 하나의 전극은 제3 리드선 (미도시) 을 통해 리드 프레임 (210) 의 제1 부분 (210a) 과 연결되고, 발광 다이오드 칩 (220) 의 n형 전극 및 p형 전극 중 다른 하나의 전극은 제1 리드 선 (225) 을 통해 리드 프레임 (210) 의 제2 부분 (210b) 과 연결될 수 있다.When the n-type electrode and the p-type electrode of the light emitting diode chip 220 are arranged horizontally, one of the n-type electrode and the p-type electrode of the light emitting diode chip 220 is connected to the lead (not shown) The other one of the n-type electrode and the p-type electrode of the light emitting diode chip 220 is connected to the first portion 210a of the frame 210 through the first lead wire 225, And may be connected to the second portion 210b.

정전기 보호용 칩 (230) 은 제너 다이오드 (Zener diode), 바리스터 (varistor), 쇼트키 장벽 다이오드 (Schottky barrier diode) 등일 수 있고, 발광 다이오드 패키지 (200) 의 수율, 제조 비용 등을 고려할 때, 정전기 보호용 칩 (230) 은 제너 다이오드인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 이때, 제너 다이오드는 양방향 제너 다이오드일 수 있으며, 이러한 양방향 제너 다이오드는 정전기 등으로부터 기인한 강한 과도 전압이 순방향이든 역방향이든 순간적으로 발광 다이오드 칩 (220) 에 가해지더라도, 전류를 바이패스 시켜 흐르도록 하므로, 발광 다이오드 칩 (220) 에는 클램프된 전압만이 인가되어 정전기 등으로부터 발광 다이오드를 보호할 수 있다.The electrostatic protection chip 230 may be a zener diode, a varistor, a Schottky barrier diode, or the like. In consideration of the yield and manufacturing cost of the light emitting diode package 200, The chip 230 is preferably a Zener diode, but is not limited thereto. At this time, the Zener diode may be a bi-directional Zener diode, and even if a strong transient voltage due to static electricity or the like is applied to the LED chip 220 momentarily, whether forward or reverse, , Only the clamped voltage is applied to the light emitting diode chip 220 to protect the light emitting diode from static electricity or the like.

정전기 보호용 칩 (230) 은 제2 리드선 (235) 을 통해 발광 다이오드 칩 (220) 이 전기적으로 연결된 리드 프레임 (210) 과 연결된다. 정전기 보호용 칩 (230) 은 발광 다이오드 칩 (220) 과 병렬 연결되어, 정전기 등으로 인한 강한 과도 전압이 발광 다이오드 칩 (220) 에 인가되는 것을 억제한다.The electrostatic protection chip 230 is connected to the lead frame 210 through which the light emitting diode chip 220 is electrically connected through the second lead wire 235. The electrostatic protection chip 230 is connected in parallel with the light emitting diode chip 220 to prevent a strong transient voltage due to static electricity from being applied to the light emitting diode chip 220.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 정전기 보호용 칩 (230) 은 리드 프레임 (210) 을 거치지 않고 리드 선만을 통해 발광 다이오드 칩 (220) 과 직접적으로 병렬 연결될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the electrostatic protection chip 230 may be directly connected in parallel with the light emitting diode chip 220 through only the lead wire without passing through the lead frame 210.

정전기 보호용 칩 (230) 으로서 단방향 제너 다이오드가 사용되는 경우, 단방향 제너 다이오드의 극성과 발광 다이오드 칩의 극성이 반대가 되도록 병렬 연결되어야 하나, 정전기 보호용 칩 (230) 으로서 양방향 제너 다이오드가 사용되는 경우, 극성과 무관하게 양방향 제너 다이오드와 발광 다이오드 칩 (210) 이 병렬 연결될 수 있고, 발광 다이오드 칩 (210) 을 정전기 등으로부터 보호할 수 있다.When a unidirectional Zener diode is used as the electrostatic protection chip 230, the polarity of the unidirectional Zener diode and the polarity of the LED chip are opposite to each other. However, when the bidirectional Zener diode is used as the electrostatic protection chip 230, The bidirectional Zener diode and the light emitting diode chip 210 can be connected in parallel without regard to polarity and the light emitting diode chip 210 can be protected from static electricity or the like.

리드 프레임 (210) 의 상면 상에 형성된 하우징 (240) 은 발광 다이오드 칩 (220) 과 정전기 보호용 칩 (230) 을 둘러싼다. 리드 프레임 (210) 의 상면 상에 형성된 하우징 (240) 은 발광 다이오드 패키지 (200) 의 몸체를 구성하며, 리드 프레임 (210) 을 외부로부터 절연시키는 플라스틱 재질로 이루어지고, 그 재질로서 폴리프탈 아미드 (PPA; polyptal amide) 또는 에폭시 수지 (epoxy resin) 등이 사용될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The housing 240 formed on the upper surface of the lead frame 210 surrounds the light emitting diode chip 220 and the electrostatic protection chip 230. The housing 240 formed on the upper surface of the lead frame 210 constitutes the body of the LED package 200 and is made of a plastic material which insulates the lead frame 210 from the outside, Polyether amide (PPA), epoxy resin, and the like may be used, but the present invention is not limited thereto.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩 (220) 으로부터 방출되는 빛을 발광 다이오드 패키지 (200) 상부로 효율적으로 반사시키기 위해, 리드 프레임 (210) 의 상면 상에 형성된 하우징 (240) 의 외면, 즉 발광 다이오드 칩 (220) 을 바라보는 하우징 (240) 의 면은 반사율이 높은 알루미늄 (Al), 은 (Ag), 백금 (Pt), 티탄 (Ti), 크롬 (Cr) 또는 구리 (Cu) 등의 물질로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The outer surface of the housing 240 formed on the upper surface of the lead frame 210 may be formed in the upper surface of the lead frame 210 in order to efficiently reflect light emitted from the LED chip 220 onto the LED package 200. [ (Al), silver (Ag), platinum (Pt), titanium (Ti), chromium (Cr), or copper (Cu) having a high reflectance, the surface of the housing 240 facing the light emitting diode chip 220, And the like, but the present invention is not limited thereto.

리드 프레임 (210) 의 하면에 형성된 하우징 (245) 은 리드 프레임 (210) 의 상면 상에 형성된 하우징 (240) 과 함께 리드 프레임 (210) 을 수용하는 형태로 형성된다. 리드 프레임 (210) 의 하면에 형성된 하우징 (245) 은 리드 프레임 (210) 을 외부로부터 절연시키는 플라스틱 재질로 이루어지고, 그 재질로서 폴리프탈 아미드 (PPA; polyptal amide) 또는 에폭시 수지 (epoxy resin) 등이 사용될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The housing 245 formed on the lower surface of the lead frame 210 is formed to receive the lead frame 210 together with the housing 240 formed on the upper surface of the lead frame 210. The housing 245 formed on the lower surface of the lead frame 210 is made of a plastic material which insulates the lead frame 210 from the outside and is made of polyether amide (PPA), epoxy resin May be used, but is not limited thereto.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 리드 프레임 (210) 의 하면에 형성된 하우징 (245) 은 리드 프레임 (210) 의 상면에 형성된 하우징 (240) 과 동일한 재료로 이루어질 수 있으나, 다른 재료로 이루어질 수도 있다. 또한, 발광 다이오드 패키지 (200) 에서 외부로의 열 방출을 용이하게 하기 위해, 리드 프레임 (210) 의 하면에 형성된 하우징 (245) 의 하면에는 히트 싱크 (heat sink) 나 방열 슬러그 (heat slug) 등이 형성될 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, the housing 245 formed on the lower surface of the lead frame 210 may be made of the same material as the housing 240 formed on the upper surface of the lead frame 210, but may be made of another material . A heat sink or a heat dissipating slug may be formed on the lower surface of the housing 245 formed on the lower surface of the lead frame 210 to facilitate heat dissipation from the light emitting diode package 200 to the outside. May be formed.

제1 봉지재 (260) 는 정전기 보호용 칩 (230) 을 덮도록 형성된다. 이때, 제1 봉지재 (260) 는 정전기 보호용 칩 (230) 을 덮으면서, 정전기 보호용 칩 주위의 리드 프레임 (210) 의 실장면 또는 리드 프레임 (210) 의 상면 상에 형성된 하우징 (240) 의 일부를 덮을 수도 있다.The first encapsulant 260 is formed to cover the electrostatic protection chip 230. At this time, the first encapsulant 260 covers the electrostatic protection chip 230, and a portion of the housing 240 formed on the upper surface of the lead frame 210, As shown in FIG.

정전기 보호용 칩 (230) 이 리드 프레임 (210) 상에서 발광 다이오드 칩 (220) 의 수평 선상에 실장될 때, 발광 다이오드 칩 (220) 에서 방출되는 빛의 일부가 정전기 보호용 칩 (230) 에 의해 흡수됨으로써 광 손실이 발생한다. 따라서, 정전기 보호용 칩 (230) 방향으로 입사되는 빛을 발광 다이오드 패키지 (200) 의 상부로 반사시키기 위해, 정전기 보호용 칩 (230) 은 반사율이 높은 물질로 이루어지는 것이 유리하다. 또한, 제1 봉지재 (260) 는 발광 다이오드 칩 (220) 을 덮지 않도록 형성되어야, 발광 다이오드 칩 (220) 에서 방출되는 빛의 경로를 방해하지 않아, 제1 봉지재 (260) 에 의해 반사된 빛이 발광 다이오드 패키지 (200) 의 상부로 방출될 수 있다.A part of the light emitted from the LED chip 220 is absorbed by the electrostatic protection chip 230 when the electrostatic protection chip 230 is mounted on the horizontal line of the LED chip 220 on the lead frame 210 Optical loss occurs. Therefore, in order to reflect the light incident on the electrostatic protection chip 230 toward the upper portion of the light emitting diode package 200, the electrostatic protection chip 230 is advantageously made of a material having high reflectance. The first encapsulant 260 must be formed so as not to cover the LED chip 220 so that the first encapsulant 260 does not interfere with the path of the light emitted from the LED chip 220, Light may be emitted to the upper portion of the light emitting diode package 200.

한편, 제1 봉지재 (260) 는 정전기 보호용 칩 (230) 과 제2 리드 선 (235) 을 비롯해, 리드 프레임 (210) 의 실장면까지 덮을 수 있으므로, 절연 물질로 이루어져야 하고, 외부로부터 정전기 보호용 칩 (230) 으로 전원이 연결되어 발광 다이오드 칩 (220) 을 정전기 등으로부터 보호할 수 있다.The first encapsulant 260 may be covered with the electrostatic protection chip 230 and the second lead 235 as well as the lead frame 210 so that the first encapsulant 260 must be made of an insulating material. A power source may be connected to the chip 230 to protect the light emitting diode chip 220 from static electricity or the like.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 봉지재 (260) 는 디메틸 (dimethyl) 계 실리콘 또는 페닐 (phenyl) 계 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 절연 물질이면서 높은 반사율을 가지는 재료라면 제1 봉지재 (260) 로 이용될 수 있다. 제1 봉지재 (260) 의 반사율을 높이기 위해, 제1 봉지재 (260) 는 이산화 티타늄 (TiO2) 을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first encapsulant 260 may include at least one of dimethyl-silicon or phenyl-based silicone. If the encapsulant 260 is an insulating material and has a high reflectivity, And can be used as the sealing material 260. In order to increase the reflectance of the first encapsulant 260, the first encapsulant 260 may further include titanium dioxide (TiO 2 ).

본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드 패키지 (200) 의 제조 공정 시, 제1 봉지재 (260) 가 토출될 때, 제1 봉지재 (260) 의 점성으로 인해 정전기 보호용 칩 (230) 을 볼록하게 덮는 형태로 형성될 수 있다. 이때, 바깥쪽으로 기울어진 경사는 발광 다이오드 칩 (220) 으로부터 방출되는 빛을 발광 다이오드 패키지 (200) 의 상부로 반사시키는데 효과적일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the first encapsulant 260 is discharged during the manufacturing process of the LED package 200, the electrostatic protection chip 230 may be damaged due to the viscosity of the first encapsulant 260 And may be formed in a convexly covered form. At this time, the outwardly inclined slope may be effective to reflect the light emitted from the LED chip 220 to the upper portion of the LED package 200.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 봉지재 (260) 의 반사율은, 발광 다이오드 칩 (220) 에서 방출되는 빛이 반사되는 리드 프레임 (210) 의 실장면과 리드 프레임 (210) 의 상면 상에 형성된 하우징 (240) 의 경사면의 반사율보다도 높을 수 있다.The reflectance of the first encapsulant 260 is higher than the reflectivity of the lead frame 210 on which the light emitted from the light emitting diode chip 220 is reflected and the upper surface of the lead frame 210 May be higher than the reflectance of the inclined surface of the housing 240 formed in the light guide plate 240. [

제2 봉지재 (250) 는 제1 봉지재 (260) 와 발광 다이오드 칩 (220) 을 덮도록 형성된다. 제2 봉지재 (250) 는 발광 다이오드 칩 (220) 등의 구성들을 외부 환경으로부터 봉지시켜 보호하기 위해 형성되며, 에폭시 수지나 실리콘 수지 등과 같은 투명 수지 계열의 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 빛을 효과적으로 발광 다이오드 패키지 (200) 의 상부로 방출시킬 수 있도록, 에폭시 수지나 실리콘 수지 등에 형광체가 첨가될 수 있다. 형광체는 발광 다이오드 칩 (220) 으로부터 방출되는 상대적으로 단파장인 빛의 일부를 장파장으로 파장 변환 (wavelength conversion) 시키며, 발광 다이오드 칩 (220) 의 나머지 단파장 빛과 형광체에 의해 파장 변환된 장파장의 빛이 혼합되어 백색광이 구현된다.The second encapsulant 250 is formed to cover the first encapsulant 260 and the light emitting diode chip 220. The second encapsulant 250 is formed to encapsulate and protect the structures of the light emitting diode chip 220 and the like from the external environment and may be made of a transparent resin material such as epoxy resin or silicone resin. In addition, a phosphor may be added to the epoxy resin, the silicone resin, and the like so that light can be effectively emitted to the upper portion of the light emitting diode package 200. The phosphor emits light having a relatively short wavelength emitted from the light emitting diode chip 220 to wavelength conversion into a long wavelength and a light having a long wavelength converted by the short wavelength light of the light emitting diode chip 220 and a phosphor White light is realized.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 봉지재 (260) 의 반사율은 제2 봉지재 (250) 의 반사율보다 높을 수 있다. 따라서, 제1 봉지재 (260) 에 의해 반사되는 빛이 제2 봉지재 (250) 를 통해 효과적으로 외부로 방출될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the reflectance of the first encapsulant 260 may be higher than that of the second encapsulant 250. Therefore, light reflected by the first encapsulant 260 can be effectively emitted to the outside through the second encapsulant 250. [

도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른, 발광 다이오드 패키지의 단면도를 도시한 것이다.4 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 패키지 (300) 는 리드 프레임 (310), 발광 다이오드 칩 (320), 정전기 보호용 칩 (330), 제1 리드 선 (325), 제2 리드선 (335), 리드 프레임 (310) 상면 상에 형성된 하우징 (340), 리드 프레임 (310) 하면에 형성된 하우징 (345), 제1 봉지재 (360), 제2 봉지재 (350) 및 돌출부 (370) 를 포함한다. 리드 프레임 (310), 발광 다이오드 칩 (320), 정전기 보호용 칩 (330), 제1 리드 선 (325), 제2 리드선 (335), 리드 프레임 (310) 상면 상에 형성된 하우징 (340), 리드 프레임 (310) 하면에 형성된 하우징 (345), 제1 봉지재 (360) 및 제2 봉지재 (350)는 도 3에 도시된 리드 프레임 (210), 발광 다이오드 칩 (220), 정전기 보호용 칩 (230), 제1 리드 선 (225), 제2 리드선 (235), 리드 프레임 (210) 상면 상에 형성된 하우징 (240), 리드 프레임 (210) 하면에 형성된 하우징 (245), 제1 봉지재 (260) 및 제2 봉지재 (250) 와 실질적으로 동일하므로, 중복 설명을 생략한다.4, the light emitting diode package 300 includes a lead frame 310, a light emitting diode chip 320, an electrostatic protection chip 330, a first lead wire 325, a second lead wire 335, A housing 340 formed on an upper surface of the lead frame 310, a housing 345 formed on a lower surface of the lead frame 310, a first encapsulant 360, a second encapsulant 350 and a protrusion 370 . The lead frame 310, the light emitting diode chip 320, the electrostatic protection chip 330, the first lead wire 325, the second lead wire 335, the housing 340 formed on the upper surface of the lead frame 310, The housing 345, the first encapsulant 360 and the second encapsulant 350 formed on the undersurface of the frame 310 include the lead frame 210, the light emitting diode chip 220, the electrostatic protection chip A housing 240 formed on the upper surface of the lead frame 210, a housing 245 formed on the undersurface of the lead frame 210, a first encapsulant 230, a first encapsulant 230, a first lead 225, a second lead 235, 260 and the second encapsulant 250, and thus redundant description will be omitted.

일반적으로 봉지재는 점성을 가지고 있어, 흘러내리는 경향이 있다. 따라서, 도 4에 도시되어 있는 바와 같이, 리드 프레임의 제1 부분 (310a) 과 제2 부분 (310b) 사이에서 리드 프레임 (310) 위로 돌출된 돌출부 (370) 가 형성되면, 발광 다이오드 패키지 (300) 의 제조 공정 시, 제1 봉지재 (360) 가 토출되는 과정에서, 제1 봉지재 (360) 가 리드 프레임 (310) 상에 흘러서 퍼지는 것을 막아, 제1 봉지재 (360) 가 정전기 보호용 칩 (330) 만을 덮을 수 있게 된다.In general, the encapsulant has a viscosity and tends to flow down. 4, when the protrusion 370 protruding from the lead frame 310 is formed between the first portion 310a and the second portion 310b of the lead frame, the light emitting diode package 300 The first encapsulant 360 is prevented from spreading on the lead frame 310 in the process of discharging the first encapsulant 360 so that the first encapsulant 360 can be prevented from flowing to the lead frame 310, (Not shown).

한편, 돌출부 (370) 의 반대 측으로는 리드 프레임 (310) 의 상면 상에 형성된 하우징 (340) 에 의해, 제1 봉지재 (360) 가 흘러서 퍼지는 것이 막힐 수 있다.On the other hand, the first encapsulant 360 may be prevented from spreading by the housing 340 formed on the upper surface of the lead frame 310 on the opposite side of the protrusion 370.

도 4에 도시되어 있는 바와 같이, 돌출부 (370) 는 리드 프레임 (310) 하면에 형성된 하우징 (345) 에 포함될 수 있으나, 반드시 하우징 (345) 에 포함될 필요는 없고, 독립적으로 형성될 수도 있다.4, the protrusion 370 may be included in the housing 345 formed on the lower surface of the lead frame 310, but it is not necessarily included in the housing 345, and may be formed independently.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩 (320) 으로부터 방출된 빛이 리드 프레임 (310) 위로 돌출된 돌출부 (370) 에 의해 흡수되는 것을 억제하기 위해, 돌출부 (370) 의 표면은 반사율이 높은 물질로 이루어질 수 있다. 다만, 리드 프레임 (310) 의 제1 부분 (310a) 과 제2 부분 (310b) 을 전기적으로 분리시키기 위해 돌출부 (370) 의 표면은 절연 물질로 이루어져야 한다.According to one embodiment of the present invention, in order to suppress the light emitted from the light emitting diode chip 320 from being absorbed by the protrusion 370 protruding above the lead frame 310, the surface of the protrusion 370 has a reflectance It can be made of high material. However, in order to electrically separate the first portion 310a and the second portion 310b of the lead frame 310, the surface of the protrusion 370 should be made of an insulating material.

이상으로 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the scope of the present invention but to limit the scope of the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100, 200, 300: 발광 다이오드 패키지
110, 210, 310: 리드 프레임
110a, 210a, 310a: 리드 프레임의 제1 부분
110b, 210b, 310b: 리드 프레임의 제2 부분
120, 220, 320: 발광 다이오드 칩
125, 225, 325: 제1 리드 선
135, 235, 335: 제2 리드 선
130, 230, 330: 정전기 보호용 칩
140, 240, 340: 리드 프레임 상면 상에 형성된 하우징
145, 245, 345: 리드 프레임 하면에 형성된 하우징
150, 250, 350: 제2 봉지재
260, 360: 제1 봉지재
370: 돌출부 100, 200, 300: light emitting diode package
110, 210, 310: lead frame
110a, 210a, 310a: a first portion of the lead frame
110b, 210b, 310b: a second portion of the lead frame
120, 220, 320: Light emitting diode chip
125, 225, 325: first lead wire
135, 235, 335: second lead wire
130, 230, 330: Static electricity protection chip
140, 240, 340: a housing formed on the upper surface of the lead frame
145, 245, 345: a housing formed on the bottom surface of the lead frame
150, 250, 350: second bag material
260, 360: first bag material
370:

Claims (4)

서로 이격된 제1 부분 및 제2 부분을 갖는 리드 프레임;
상기 제1 부분 상면에 실장된 발광 다이오드 칩;
상기 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 부분 상면에 실장된 정전기 보호용 칩;
상기 발광 다이오드 칩과 상기 정전기 보호용 칩을 둘러싸도록 형성된 하우징;
상기 정전기 보호용 칩을 덮도록 형성된 제1 봉지재;
상기 제1 봉지재와 상기 발광 다이오드 칩을 덮도록 형성된 제2 봉지재; 및
상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 사이에서 상기 리드 프레임 위로 돌출된 돌출부를 포함하고,
상기 돌출부의 표면은 반사성 물질로 이루어지고,
상기 돌출부는 상기 제1 봉지재의 상기 리드 프레임상으로의 퍼짐을 방지하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 패키지.A lead frame having a first portion and a second portion spaced apart from each other;
A light emitting diode chip mounted on the upper surface of the first portion;
An electrostatic protection chip electrically connected to the light emitting diode chip and mounted on the upper surface of the second portion;
A housing formed to surround the light emitting diode chip and the electrostatic protection chip;
A first encapsulation member formed to cover the electrostatic protection chip;
A second encapsulant formed to cover the first encapsulant and the LED chip; And
A protrusion protruding above the lead frame between the first portion and the second portion,
The surface of the protrusion is made of a reflective material,
And the projecting portion prevents spreading of the first encapsulant on the lead frame. 제1 항에 있어서,
상기 제1 봉지재는 디메틸 (dimethyl) 계 실리콘 또는 페닐 (phenyl) 계 실리콘 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first encapsulant comprises at least one of dimethyl silicone or phenyl silicone. 제1 항에 있어서,
상기 제1 봉지재의 반사율은 상기 제2 봉지재의 반사율보다 높은 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
And the reflectance of the first encapsulant is higher than that of the second encapsulant. 삭제delete
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