KR101444808B1 - Chuck plate for wafer prober of semiconductor and its method - Google Patents

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Abstract

According to the present invention, a wafer chuck plate for a semiconductor wafer probe comprises a functionality part formed of aluminum alloy materials and in a circular type; and a thermal expansion suppressing part placed in the functionality part and formed of invar alloy materials and in a steel wire or board type in order to suppress thermal expansion caused by a temperature change by the terminal expansion suppressing part. The thermal expansion suppressing part is formed of invar alloy materials showing a linear expansion coefficient (α) less than 1.2×10-6/°C around room temperature, at 30Vol.% to 80Vol.% of volume fraction to the whole volume of the chuck plate, and of an invar steel wire having 1mm to 5mm of diameter. An invar board having 0.5mm to 3mm of thickness is used. According to the present invention, the wafer chuck plate minimizes a linear expansion coefficient deteriorating a surface profile besides high strength and high heat conduction so that the problem of an existing chuck is minimized. Moreover, a surface profile problem caused by the enlargement of the wafer diameter and high intensity and high speed switching by fine pitch is solved so that the productivity of a semiconductor wafer test is significantly improved.

Description

반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트 및 그 제조방법{Chuck plate for wafer prober of semiconductor and its method}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a chuck plate for a semiconductor wafer probe,

본 발명은 반도체 웨이퍼 프로버 용 척 플레이트에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 내부에 인바 재질을 가진 다양한 형상의 구성물이 설치되고, 외부에 알루미늄 합금계 재료를 용해 주조하여 형성되도록 하여, 반도체 웨이퍼 검사시 요구되는 저온과 고온의 가혹한 온도사이클 조건 하에서도 변형 없이 견딜 수 있도록 반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트에 관한 것이다.The present invention relates to a chuck plate for a semiconductor wafer prober, and more particularly, to a chuck plate for a semiconductor wafer prober, in which various shapes of components having an invar material are provided therein, and an aluminum alloy- To a chuck plate for a semiconductor wafer probe which can withstand the deformation under a severe temperature cycling condition of a required low temperature and high temperature.

일반적으로 반도체 웨이퍼 상에 형성된 각 칩의 전기적인 특성을 검사하여, 칩의 정상 및 비정상 여부를 테스트하기 위한 장치로 프로브 스테이션(probe station)을 이용하며, 이러한 테스트의 결과에 의하여 칩이 정상적으로 작동되는지 혹은 비정상적으로 작동되는지 여부를 알 수 있다. 웨이퍼를 프로브 스테이션에 의하여 테스트하기 위하여, 프로브 스테이션에 존재하는 웨이퍼(wafer)는 소정의 테스트 과정에서는 소정의 온도로 셋팅되고, 다른 테스트 과정에서는 다른 온도로 셋팅된다.Generally, a probe station is used as an apparatus for testing the electrical characteristics of each chip formed on a semiconductor wafer to test whether the chip is normal or abnormal. The result of this test is whether the chip is normally operated Or whether it is operating abnormally. In order to test a wafer by a probe station, the wafer present in the probe station is set to a predetermined temperature in a predetermined test procedure, and set to a different temperature in another test procedure.

이러한 과정에 있어서, 웨이퍼의 온도는 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 척의 온도에 의하여 결정되며, 웨이퍼가 고온으로 셋팅될 필요가 있는 경우 웨이퍼 척이 고온으로 셋팅되며, 반대로 웨이퍼가 저온으로 셋팅될 필요가 있는 경우 웨이퍼 척이 저온으로 셋팅된다.In this process, the temperature of the wafer is determined by the temperature of the wafer chuck where the wafer is placed, and when the wafer needs to be set at a high temperature, the wafer chuck is set at a high temperature, and conversely when the wafer needs to be set at a low temperature The wafer chuck is set at a low temperature.

도 1은 종래 기술에 따른 프로브 스테이션의 개략적인 내부 구조를 나타낸 도면이다. 프로브 스테이션(10)은 웨이퍼 척(11), 웨이퍼 척(11)을 지지해 주는 지지대(12)를 구비하며, 웨이퍼 척(11)의 위에는 웨이퍼(15)가 로딩(loading)된다. 즉, 외부의 테스터 헤드(18)과 웨이퍼(15)가 프로브 카드(13)를 통하여 연결되어 웨이퍼(15)의 테스트가 수행된다. 웨이퍼(15)를 로딩(loading) 또는 프로빙(probing)하기 위하여 프로브 스테이션(10)의 내부에는 공간을 두게 된다.1 shows a schematic internal structure of a probe station according to the prior art. The probe station 10 has a wafer chuck 11 and a support table 12 for supporting the wafer chuck 11. The wafer 15 is loaded on the wafer chuck 11. That is, the external tester head 18 and the wafer 15 are connected to each other through the probe card 13, and the wafer 15 is tested. A space is placed in the interior of the probe station 10 for loading or probing the wafer 15.

웨이퍼 척(11)을 좀 더 상세하게 설명하면, 척(11)은 하중을 지지하는 구조물인 원판의 상단(11a)과 이 상단을 가열을 위한 히터(heater)를 부착하고, 또는 몇몇 고정용 볼트 홀을 설치한 하단(11b)으로 구성되어 있다. 상단과 하단은 용접으로 접합 처리되어 이루어진다. 여기서 하단(11b)에 구비된 히터의 가열 또는 냉각에 의한 온도가 상단(11a)에 전달되고, 상단(11a)위에 놓여진 웨이퍼에 전달되게 된다. 여기서 척(11)의 상단(11a)을 이루는 부분이 척 플레이트(11a)이다. 결국 웨이퍼 척(11)은, 실질적으로 웨이퍼가 놓여지고 웨이퍼에 열전도가 이루어지는 척플레이트(11a)와, 척플레이트(11a)에 열을 공급하는 하단(11b)로 이루어진다. 이하에서는 척플레이트(11a)란 척의 상단부분을 의미하는 것으로 히터를 내장한 하단(11b)과 구분짓는 의미로 사용하기로 한다.The wafer chuck 11 will be described in more detail. The chuck 11 has an upper end 11a of a circular plate as a structure for supporting a load and a heater for heating the upper end, And a lower end 11b provided with a hole. The upper and lower ends are welded together. Here, the temperature of the heater provided at the lower end 11b is transferred to the upper end 11a and transferred to the wafer placed on the upper end 11a. Here, the chuck plate 11a constitutes the upper end 11a of the chuck 11. The wafer chuck 11 is composed of a chuck plate 11a on which a wafer is placed and to which heat is transferred to the wafer and a lower end 11b for supplying heat to the chuck plate 11a. Hereinafter, the chuck plate 11a means the upper part of the chuck and is used to distinguish it from the lower end 11b in which the heater is built.

통상적으로 여러가지 가혹한 악조건하에서 반도체 칩들의 내구성 테스트를 수행하기 위해서는 임의적인 조건으로 웨이퍼(15)가 고온 또는 저온의 온도를 유지토록 해야 하며, 이를 위한 웨이퍼(15)의 가열 및 냉각은 웨이퍼 척(11)의 하단(11b)에 장착된 코일(히터)을 이용하여 웨이퍼 척 플레이트(11a)을 가열 또는 냉각함으로써 간접적인 방식을 취하고 있다. 현대 통상적으로 24인치 이하의 반도체 웨이퍼(15)를 테스트 하기 위해서는 보통 -40℃부터 +150℃ 사이의 온도로 제어되는 웨이퍼 척 플레이트(11a) 상에서 가역적으로 반복하여 수행된다.  Generally, in order to perform the durability test of semiconductor chips under various severe harsh conditions, it is necessary to keep the temperature of the wafer 15 at a high temperature or a low temperature under an arbitrary condition, and the heating and cooling of the wafer 15 for this purpose, The wafer chuck plate 11a is heated or cooled by using a coil (heater) mounted on the lower end 11b of the wafer chuck plate 11a. In order to test semiconductor wafers 15 of 24 inches or less in general, it is usually performed reversibly and repeatedly on a wafer chuck plate 11a, which is usually controlled at a temperature between -40 ° C and + 150 ° C.

이러한 전체적인 웨이퍼 척(11)은 반도체 웨이퍼(15)를 지탱하고 검사용 프로브카드(13)로 부터 인가되는 하중을 견디며, 주어지는 온도사이클에서 내구성과 안정성이 확보되어야 할 뿐만 아니라 특정의 측정온도에서 신속한 측정을 위해서는 우수한 열전도특성을 구비하여야 한다. 통상 현재 웨이퍼(15) 검사를 위해 사용되는 웨이퍼 척(11)에 요구되는 물성을 간략히 살펴보면, 특정의 온도에서 신속한 측정을 위하여 열전도도(W/m.K)는 130이상(25℃)이어야 하며, 정밀한 측정을 위해서 선팽창계수(×10-6/K)는 23보다 적어야 하고, 인가하중을 지탱하기 위해서 인장강도(MPa)는 600 이상이 되어야 한다. 이러한 요구조건을 만족하기 위해 현재는 7075P-T651, 7075P-T62의 초고강도 알루미늄 합금이 웨이퍼 척 플레이트(11a)의 재질로 사용되고 있다. 이러한 7000계 알루미늄 합금의 경우 알루미늄 합금중에는 가장 높은 인장강도특성을 보유하는 재질로 알려져 있어 사용되고 있다.This whole wafer chuck 11 is capable of supporting the semiconductor wafer 15 and enduring the load applied from the inspection probe card 13, ensuring durability and stability in a given temperature cycle, For the measurement, excellent heat conduction characteristics should be provided. In general, the physical properties required for the wafer chuck 11 used for inspection of the present wafer 15 should be briefly described. For rapid measurement at a specific temperature, the thermal conductivity (W / mK) should be 130 or higher (25 DEG C) For measurement, the linear expansion coefficient (× 10 -6 / K) should be less than 23, and the tensile strength (MPa) should be 600 or more to support the applied load. In order to satisfy these requirements, ultra high strength aluminum alloy of 7075P-T651 and 7075P-T62 is used as a material of the wafer chuck plate 11a. In case of 7000 aluminum alloy, it is known that aluminum alloy has the highest tensile strength.

그리고, 최근의 급격한 기술발전에 따라 웨이퍼(15)의 직경의 대형화, 파인 피치화(Fine pitch) 기술발달에 의한 소자의 고밀도화 및 소자 스위칭의 고속화가 이루어지고 있다. 따라서 이러한 웨이퍼(15)의 변화에 따라 이를 검사하기 위한 프로브 스테이션(10)의 각 조건 및 상태도 달라져야 하며, 웨이퍼 척(11) 역시 그 물성이 달라져야 한다. 이러한 웨이퍼 척(11)의 물성을 달리하기 위해서는 당연히 그 상단에 위치하는 척플레이트(11a)역시 물성을 달리 가져야 한다. In accordance with the recent rapid technological advancement, the diameter of the wafer 15 is increased, the densification of elements is brought about by the development of fine pitch technology, and the speed of device switching is increased. Therefore, the condition and the condition of the probe station 10 for the inspection of the wafer 15 must be changed according to the change of the wafer 15, and the physical properties of the wafer chuck 11 should also be changed. In order to vary the physical properties of the wafer chuck 11, the chuck plate 11a positioned at the upper end of the wafer chuck 11 must also have different physical properties.

웨이퍼(15)의 직경이 대형화 및 파인피치 기술발달에 의한 고밀도화 될수록 고강도, 저 선팽창 특성을 가져야 하며, 소자 스위칭의 고속화에 의한 발열로 검사온도 역시 증대하게 되며, 이럴 경우 최대 300℃ 까지의 온도를 견더내야 하며, 이에 따른 고내열 및 고열전도 특성을 가져야 한다.As the diameter of the wafer 15 becomes larger due to the enlargement of the diameter of the wafer and the development of fine pitch technology, the higher the density and the lower the linear expansion characteristic, the higher the device switching speed, the higher the inspection temperature. And must have high heat resistance and high thermal conductivity characteristics.

그러나, 현재 사용되는 웨이퍼 척 플레이트(11a)는 알루미늄 합금인 금속재료로 이루어져 있으므로 이러한 기술발전에 따른 대형화, 고밀도화, 고속스위칭화에 따른 웨이퍼(15) 검사에 따른 특성을 만족시키지 못하는 문제점이 있다. 좀 더 상세하게 설명하면, 검사 중 인가되는 온도사이클에 의해 척 플레이트(11a)의 열수축과 열팽창이 모든 방향으로 반복적으로 발생하여, 이로 인해 척의 표면조도가 급격히 나빠져 프로브 카드의 핀과 반도체 칩과의 접촉성이 나빠서, 측정 불량 상태를 유발하게 된다. 프로브 카드의 핀과 반도체 칩과의 거리를 일정하게 유지하기 위해서는 표면조도의 엄격한 관리가 요구되어야 한다.However, since the currently used wafer chuck plate 11a is made of a metal material, which is an aluminum alloy, there is a problem in that it can not satisfy the characteristics required for inspection of the wafer 15 due to enlargement, high density, and high speed switching due to such technological development. More specifically, the thermal shrinkage and thermal expansion of the chuck plate 11a are repeatedly generated in all directions due to the temperature cycle applied during the inspection, whereby the surface roughness of the chuck sharply deteriorates, The contactability is poor, and a measurement defective state is caused. In order to keep the distance between the pins of the probe card and the semiconductor chip constant, strict management of surface roughness is required.

즉, 고강도와 고열전도의 특성을 동시에 겸비하는 것은 금속에서는 용이하지 않은데 이는 두 특성은 소재의 미세조직에 의해 좌우되는 성질로써 강도를 높이기 위해서는 필연적으로 열전도 특성이 감소할 수밖에 없는 문제점이 있다.That is, it is not easy to combine high strength and high thermal conductivity at the same time. This is because the two properties are dependent on the microstructure of the material, and in order to increase the strength, the heat conduction characteristics necessarily decrease.

이 이외에도 선행기술문헌을 찾아보면, 국부적인 온도조절이 가능한 반도체 웨이퍼 제조장치의 웨이퍼 척(출원번호:1020040103532호) 및 가열기능을 갖는 반도체 웨이퍼 파지용 척의 구조(출원번호: 1020000060932호) 등이 있으나, 이는 어디까지나 국부적인 또는 가열을 위한 것으로, 본 발명에서 요구하는 고강도 고열전도의 특성을 만족하지는 못한다. In addition, there are wafer chucks (Application No. 1020040103532) and semiconductor wafer chucking chucks having a heating function (Application No.: 1020000060932) in a semiconductor wafer manufacturing apparatus capable of local temperature control , This is only for local heating or heating, and does not satisfy the characteristics of high strength and high heat conductivity required in the present invention.

따라서 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 고강도와 고열전도의 상반된 두가지 특성을 동시에 만족하도록 하는 반도체 웨이퍼 프로브용 웨이퍼 척 플레이트를 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a wafer chuck plate for a semiconductor wafer probe that simultaneously satisfies two characteristics of high strength and high thermal conductivity.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 프로브용 웨이퍼 척 플레이트는, 알루미늄 합금재질로 이루어지고, 원판형태를 이루는 기능성부와;According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer chuck plate for a semiconductor wafer probe, the wafer chuck plate including: a functional part made of an aluminum alloy material and having a disk shape;

상기 기능성부 내부에 위치하고, 인바 합금 재질로 이루어져 강선 또는 판재 형태로 이루어는 열팽창 억제부;로 구성되어 상기 열팽창억제부에 의해 온도 변화에 따른 열팽창이 억제되는 것을 기술적 특징으로 한다.And a thermal expansion restraining part formed of an invar alloy material and being in the form of a steel wire or a plate material, the thermal expansion suppressing part suppressing thermal expansion due to a temperature change.

그리고 바람직하기로는, 상기 열팽창 억제부는, 상온에서 1.2×10-6/℃ 이하의 선팽창계수(α)를 나타내는 인바합금 재질로 이루어지고, 상기 척플레이트 전체 부피에 대하여 부피분율은 30Vol.% 내지 80Vol.% 로 이루어지도록 하고, 직경이 1mm 내지 5mm 정도의 인바강선으로 이루어지도록 한다. 그리고 판재의 경우는 두께 0.5mm 내지 3mm 정도의 인바판재를 사용하도록 한다.Preferably, the thermal expansion restraining portion is made of an invar alloy material exhibiting a linear expansion coefficient (?) Of 1.2 x 10 < -6 > / DEG C or less at room temperature. The volume fraction of the chuck plate is from 30 to 80 vol %, And is made of an invar steel wire having a diameter of about 1 mm to 5 mm. In the case of a plate material, an invar plate having a thickness of about 0.5 mm to 3 mm is used.

또한, 본 발명은 인바 합금 재질로 이루어져 강선 또는 판재 형태로 이루어는 열팽창 억제부를 배치한 상태에서, 알루미늄합금의 용해 주조를 부어 원판 형태의 기능성부가 외면에 형성되도록 하여 상기 열팽창억제부에 의해 온도 변화에 따른 열팽창이 억제되는 반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트 제조방법을 제공하는 것을 다른 기술적 특징으로 한다.In addition, the present invention provides a method of manufacturing an aluminum alloy casting apparatus, comprising the steps of: casting an aluminum alloy melt casting in a state of being made of an invar alloy material in the form of a steel wire or plate, Wherein the thermal expansion of the chuck plate for the semiconductor wafer probe is suppressed.

본 발명에 따른 웨이퍼 척 플레이트는 고강도 및 고열전도뿐만 아니라, 표면조도를 악화시키는 선팽창계수를 최소화시키기 때문에, 기존 척의 문제점을 최소화할 뿐만 아니라 향후 웨이퍼 직경의 대형화, 파인피치에 의한 고밀도화 및 고속스위칭에 의한 발열문제로 반드시 초래하게 될 표면조도 문제를 해결함으로써 반도체 웨이퍼 검사의 생산성을 획기적으로 개선할 수 있는 효과가 있다.The wafer chuck plate according to the present invention minimizes not only the high strength and high thermal conductivity but also the coefficient of linear expansion which deteriorates the surface roughness. Therefore, it is possible to minimize the problems of the conventional chuck and also to increase the wafer diameter, It is possible to remarkably improve the productivity of inspection of semiconductor wafers by solving the problem of surface roughness which is necessarily caused by the heat generation problem caused by the semiconductor wafer inspection.

도 1은 일반적인 프로브 스테이션의 개념을 보인도.
도 2는 본 발명에 의한 웨이퍼 척 플레이트의 개념을 보인 예시도1 shows a concept of a general probe station;
FIG. 2 is an exemplary view showing the concept of the wafer chuck plate according to the present invention

기본적으로 본 발명은 알루미늄의 장점인 고열전도 특성을 그대로 살리면서, 선팽창특성만 제어하여, 표면조도 문제를 해결하고자 한다. 즉 척 플레이트 내부에 선팽창계수가 극도로 낮은 인바합금(Invar alloy, 1.2×10-6/K)의 강선 또는 판재를 배치하고, 그 위에 기존의 알루미늄 합금을 용해주조한 복합재료를 제조하여 척 플레이트의 선팽창특성을 최대한 낮추고자 한다. 이때 인바 재질의 구조물 형상은 임의의 직경의 강선 또는 임의의 두께의 판재 등을 사용할 수 있고, 그 구조물은 목적에 따라 여러 가지 형상을 이용할 수 있는데, 이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시 예를 상세하게 설명하고자 한다.Basically, the present invention aims at solving the problem of surface roughness by controlling only the linear expansion characteristic while maintaining the high heat conduction characteristic which is an advantage of aluminum. That is, a steel plate or plate of Invar alloy (1.2 × 10 -6 / K) having a very low coefficient of linear expansion is disposed in the inside of the chuck plate, and a composite material in which a conventional aluminum alloy is melt- As shown in Fig. In this case, as the structure of the invar material, a steel wire of any diameter or a plate material of an arbitrary thickness can be used, and various shapes can be used according to the purpose. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. One embodiment will be described in detail.

도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 척플레이트(100)의 개념을 도시하는 예시도이다. 도시된 바와 같이, 내부에 인바 와이어가 복수개 구비되어 이루어지거나, 인바강판, 인바메쉬 등 인바 합금재질로 이루어지는 열팽창 억제부(110)가 형성되고, 외부는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지고 고강도 및 고전기전도 역할을 수행하는 기능성부(120)로 이루어져, 이러한 두 구조가 상호 어우려져 고강도, 고열전도도 및 저열팽창의 세가지 특성을 만족하도록 하는 구조를 이루고 있다.2 is an exemplary view showing the concept of a wafer chuck plate 100 according to a preferred embodiment of the present invention. As shown in the drawing, a plurality of invar wires are provided in the inside, or a thermal expansion suppressing part 110 made of an invar alloy material such as an invar steel plate and an invar mesh is formed. The outside is made of aluminum or an aluminum alloy, And the functional part 120 that performs a role also plays a role in achieving the three characteristics of high strength, high thermal conductivity and low thermal expansion.

본 발명의 보다 명확한 이해를 돕기 위하여 먼저, 웨이퍼 척플레이트(100)가 갖추어야 하는 기본적인 물성을 살펴보도록 한다.In order to facilitate a clear understanding of the present invention, the basic physical properties of the wafer chuck plate 100 will be described.

통상 현재 웨이퍼 검사를 위해 사용되는 웨이퍼 척플레이트(100)에 요구되는 물성을 살펴보면, 특정의 온도에서 신속한 측정을 위하여 열전도도(W/m.K)는 130이상(25℃)이어야 하며, 정밀한 측정을 위해서 선팽창계수(×10-6/K)는 23보다 적어야 하고, 인가하중을 지탱하기 위해서 인장강도(MPa)는 600 이상이 되어야 한다. 이러한 기본적인 조건을 만족하면서 향후 고속 스위칭화에 의한 발열 문제로 최대 300℃까지의 고온에 견뎌 낼 수 있어야 한다. 그러나, 고온으로 갈수록 금속의 경우 인장강도가 약해지므로 단순히 종래 알루미늄 합금으로 이루어진 웨이퍼 척플레이트(11a)는 기본 물성을 충족하지 못하게 된다. 또한, 이와 반대로 고온특성을 만족하도록 금속소재 대신에 세라믹소재 또는 복합재료를 사용할 경우, 프로브 검사를 위한 전기전도도가 충족되지 못하게 된다. 따라서 이러한 두가지 요소를 모두 만족하는 신소재가 가장 좋으나, 현재 알려진 금속소재로는 뚜렷한 대안이 없는 실정이다. (W / mK) should be at least 130 (25 캜) for rapid measurement at a specific temperature. For accurate measurement, the wafer chuck plate 100 used for the current wafer inspection should have a thermal conductivity The coefficient of linear expansion (× 10 -6 / K) should be less than 23, and the tensile strength (MPa) should be at least 600 to support the applied load. In order to satisfy the above-mentioned basic conditions, it is necessary to be able to withstand high temperatures up to 300 ° C due to heat generation due to high-speed switching. However, since the tensile strength of metal becomes weaker toward higher temperature, the wafer chuck plate 11a made of the conventional aluminum alloy simply fails to satisfy the basic properties. On the contrary, when a ceramic material or a composite material is used instead of a metal material to satisfy a high temperature characteristic, electric conductivity for probe inspection is not satisfied. Therefore, new materials satisfying both of these factors are the best, but there is no clear alternative for the metal materials currently known.

따라서 본 발명은 웨이퍼 척플레이트(100)이 가지는 특성을 고려하되, 기능을 살펴보면 웨이퍼 척플레이트(100)에서 웨이퍼 프로브가 놓여져 검사를 수행하는 외부면을 이루는 기능성부(120)은 전기전도도, 강도특성을 고려하여야 하므로 금속소재가 그대로 사용되는 것이 적합하고, 웨이퍼 척플레이트(100)의 내부는 실지 프로브 검사와는 무관한 요소이므로 이러한 내부를 인바합금을 강화시켜 열팽창 저감효과를 기대하는 것이 바람직하다. 이를 위해 본 발명은 이러한 웨이퍼 척플레이트(100)의 외부면을 이루는 기능성부(120)과 내부를 이루는 열팽창억제부(110)에 각각에 서로 다른 물성을 가지고, 각 조건에 적합한 소재를 선택하여 결합시켜 복합화함으로서 온도사이클에 열팽창을 최소화하여, 플레이트의 표면조도를 최대한 평탄성을 유지할 수 있는 웨이퍼 척플레이트(100)의 구조를 달성할 수 있다.Therefore, the function of the wafer chuck plate 100 according to the present invention will be described with reference to the function of the functional part 120 forming the outer surface of the wafer chuck plate 100, It is preferable that the metal material is used as it is. Since the inside of the wafer chuck plate 100 is independent of the inspection of the actual probe, it is desirable to reinforce the inside of the wafer chuck plate 100 to expect a thermal expansion reduction effect. For this purpose, the present invention is characterized in that the material having different physical properties to each of the functional portion 120 forming the outer surface of the wafer chuck plate 100 and the thermal expansion suppressing portion 110 forming the inner portion is selected, It is possible to achieve the structure of the wafer chuck plate 100 that minimizes the thermal expansion in the temperature cycle and maintains the flatness of the surface roughness of the plate as much as possible.

이하 본 발명에 따른 웨이퍼 척플레이트(100)의 구조를 설명하기로 한다.Hereinafter, the structure of the wafer chuck plate 100 according to the present invention will be described.

먼저, 척 플레이트(100)의 내부에 위치하고, 고온에 따른 열팽창을 억제하는 열팽창 억제부(110)에 대하여 설명하기로 한다. 상술한 바와 같이, 열팽창 억제부(110)의 주 목적은 반도체 칩의 온도특성을 시험하기 위해 저온과 고온의 온도사이클 조건에서 발생하는 금속의 열팽창을 최소한 억제하기 위해 선팽창계수가 대단히 작은 인바합금 재질의 와이어(1.2×10-6/K)를 직선 형태로 내부에 배치한 형태를 보여주고 있다. 이렇게 인바강선이 내부에 배치됨으로서 인바강선이 열팽창을 억제함으로써 이를 포함하여 이루어지는 척 플레이트(100) 전체의 열팽창율 또한 현저히 감소하게 되며, 이로 인해 히터를 포함하는 하단이 용접결합되어 이루어지는 웨이퍼 척 전체의 열변형이 억제되고 표면조도의 평탄도가 유지되게 된다.First, a description will be given of a thermal expansion suppressing unit 110 located inside the chuck plate 100 for suppressing thermal expansion due to high temperature. As described above, the main purpose of the thermal expansion suppressing part 110 is to prevent the thermal expansion of the metal occurring at low temperature and high temperature temperature cycling conditions to minimize the thermal expansion characteristic of the semiconductor chip, (1.2 x 10 < -6 > / K) are arranged in a straight line. Since the invar steel wire is disposed in the inside of the wafer chuck, the thermal expansion rate of the entire chuck plate 100 including the in-bar steel wire is suppressed by the inverse steel wire, thereby significantly reducing the coefficient of thermal expansion of the entire chuck plate 100. As a result, The thermal deformation is suppressed and the flatness of the surface roughness is maintained.

그리고, 본 실시예에서는 그 형태를 와이어(wire)로 하였으나, 판상의 재료도 무방하며, 구조물의 형상 또한 메쉬(Mesh), 스프링(Spring) 등의 형상도 무방하다. 이러한 열팽창억제부(110)을 이루는 인바합금을 좀 더 상세히 설명하면, 통상적으로 인바합금은 철(Fe)과 타 금속이 합금된 것으로써, Fe-36% Ni 합금은 상온 부근에서 약 1.2×10-6/℃ 이하의 매우 적은 선팽창계수(α)를 나타내고, 온도가 변하여도 길이가 일정 불변(invariable) 으로 알려져 있다. 더구나 실온에서 선팽창계수(α)가 0에 가까운 Fe-32% Ni-4% Co 합금의 슈퍼 인바(super invar), α=10-7/℃의 Fe-52% Co-11% Cr 합금의 스테인리스 인바(stainless invar)가 본 발명에서 사용된다.In the present embodiment, the shape is wire, but a plate-like material is also acceptable. The shape of the structure may also be a shape such as a mesh or a spring. The Fe-36% Ni alloy has a thickness of about 1.2 x 10 < -3 > at about room temperature, and the Fe- It has a very low coefficient of linear expansion (α) of -6 / ° C or less and is known to be invariable in length even when the temperature changes. Also at room temperature, coefficient of linear expansion (α) is zero in the near Fe-32% Ni-4% Co alloy Super Invar (super invar), α = 10 -7 / ℃ of Fe-52% Co-11% Cr alloy of the stainless steel Stainless invar is used in the present invention.

다음, 기능성부(120)을 설명하기로 한다. 기능성부(120)는 그 표면에 검사를 수행하여야 할 웨이퍼가 놓여지며, 빠른 검사를 수행하기 위한 높은 열전도 특성 및 고속스위칭에 의한 고온 내구성특성을 가져야 한다. 이러한 기본적인 특성은 종래 사용되는 7000계 알루미늄 합금 재질을 이용하면 족할 것이다. 다만, 본 발명에서는 이러한 재질을 이용하되, 그 제작방법을 달리하게 되며, 간략히 설명하기로 한다. 먼저, 척플레이트(100)의 내부를 이루도록 인바합금 재질로 이루어진 인바강선, 인바판재 등으로 이루어지는 열팽창억제부(110)을 배치하고, 그 위에 기존의 알루미늄 합금을 용해 주조하여 복합재료로 이루어지는 척 플레이트(100)를 제작한다. 이후, 제작된 척플레이트(100) 아래에 히터(Heater)을 부착하고 고정용 홀을 설치하여 용접으로 하단부를 마무리하여 전체적인 웨이퍼 척을 제작하게 된다. Next, the functional unit 120 will be described. The functional unit 120 has a wafer to be inspected on the surface thereof, and has high thermal conductivity characteristics for performing a quick inspection and high temperature durability characteristics by high-speed switching. Such a basic characteristic may be satisfactorily used in a conventional 7000-series aluminum alloy material. However, in the present invention, such a material is used, but the manufacturing method thereof is different, and a brief description will be given. First, a thermal expansion suppressing part 110 made of an invar steel wire or an invar plate made of an invar alloy material is disposed so as to form the interior of the chuck plate 100, and a conventional aluminum alloy is melted and cast thereon to form a chuck plate (100). Then, a heater is attached to the lower part of the fabricated chuck plate 100, a fixing hole is provided, and the lower end is finished by welding, thereby fabricating the entire wafer chuck.

다음, 상기와 같이 본 발명에서 요구되는 열팽창억제부(110)을 이루는 인바합금으로 이루어진 형태 중에서 인바강선과 인바판재의 특성 및 제원에 대해 설명하고자 한다. 인바합금의 기계적 특성 및 성분, 직경, 두께 등은 아래의 표1과 같다.Next, characteristics and specifications of the invar steel wire and the invar plate will be described in the form of the invar alloy constituting the thermal expansion suppression part 110 required in the present invention as described above. The mechanical properties and components, diameter and thickness of the Invar alloy are shown in Table 1 below.

하기 표에서 직경(mm)로 나타난 부분은 인바합금을 와이어 즉 강선 형태로 제작되어 강선의 직경을 나타낸 것이고, 두께(mm)로 표기된 부분은 판재 형태로 제작된 인바합금의 판재두께를 나타낸 것이다. 즉, 본 실시예에서는 인바합금의 여러 형태중 인바와어어와 인바판재의 두가지를 선정하여 테스트 하였다.In the following table, the portion indicated by the diameter (mm) shows the diameter of the steel wire made of Invar alloy in the form of wire, that is, the steel wire, and the portion denoted by the thickness (mm) shows the thickness of the steel sheet made of the sheet metal. That is, in the present embodiment, two types of invar alloy, namely, invar, porcelain and invar plate, were selected and tested.

인바재질의 종류, 제특성 및 사이즈Types of Insulating Materials, Properties and Sizes 합금 성분Alloy component 기계적 강도
(MPa)Mechanical strength
(MPa) 선팽창계수
(×10-6/K)Coefficient of linear expansion
(× 10 -6 / K) 직경(mm)Diameter (mm) 두께(mm)Thickness (mm) Fe-36%NiFe-36% Ni 600~1300600 to 1300 1.21.2 1~51-5 0.5~30.5 to 3 Fe-32%Ni-4%CoFe-32% Ni-4% Co 600~1300600 to 1300 00 1~51-5 0.5~30.5 to 3 Fe-52%Co-11%CrFe-52% Co-11% Cr 600~1300600 to 1300 -10-10 1~51-5 0.5~30.5 to 3

상기 Fe-36%Ni 성분의 인바소재의 강선(인장강도 110kgf/mm2, 직경 3.5mm)를 선택하여, 도 2와 같이 직선 형상의 구조물을 척 플레이트 내부에 배치하고, 외부에 7000계 알루미늄 합금을 용해 주조하여, 척 플레이트를 제조하여 그 특성을 조사하였다. 이때 내부에 배치한 강선의 수를 변화시켜 즉 점적율(부피비율 30~80%)을 달리하여 열팽창특성을 변화를 조사하였다. 그 결과는 아래 표 2에 정리하였다.A steel wire (tensile strength: 110 kgf / mm 2 , diameter: 3.5 mm) of the Fe-36% Ni component was selected, and a straight structure as shown in FIG. 2 was placed inside the chuck plate. To prepare a chuck plate, and its characteristics were examined. At this time, the change in the thermal expansion characteristics was investigated by varying the number of steel wires arranged inside, that is, by varying the spot rate (volume ratio 30 to 80%). The results are summarized in Table 2 below.

Fe-36%Ni 성분의 인바와이어(인장강도 110kgf/mm2, 직경 3.5mm) 적용시 척플레이트의 부피분율에 따른 특성 변화Change in characteristics according to volume fraction of chuck plate when Fe-36% Ni component Invar wire (tensile strength 110kgf / mm 2 , diameter 3.5mm) 부피분율(Vol.%)Volume fraction (Vol.%) 3030 4545 6060 7070 8080 선팽창계수(×10-6/K)
@20℃Coefficient of linear expansion (× 10 -6 / K)
@ 20 ℃ 12.012.0 8.08.0 6.06.0 4.04.0 2.02.0 열전도도(W/m.K)
@20℃Thermal conductivity (W / mK)
@ 20 ℃ 130130 130130 130130 130130 130130 인장강도(MPa)Tensile Strength (MPa) 600600 620620 650650 670670 700700

표 2에 보는 바와 같이, 열전도 특성, 인장강도특성의 악화 없이 선팽창계수가 알루미늄 합금의 그것이 비해 급격히 감소한 것을 알 수 있다. 이렇게 제작된 척 플레이트를 이용할 경우, 기존 척에서 발생하는 온도사이클의 반복에 따라 발생하는 표면조도의 악화를 최소화할 수 있을 것으로 판단된다.As shown in Table 2, the coefficient of thermal expansion was drastically reduced compared with that of the aluminum alloy without deteriorating the thermal conductivity and tensile strength characteristics. Using the chuck plate manufactured in this way, the deterioration of the surface roughness caused by repetition of the temperature cycle occurring in the conventional chuck can be minimized.

각 합금에서의 기계적 강도는 와이어 및 판재 형상에 무관하게 규정한 강도가 요구되는데, 이는 기지소재의 인장강도보다 높은 것을 사용하는 것이 보강재 역할 측면에서 바람직하기 때문이며, 인장강도 상한은 상기 합금에서 얻어질 수 있는 최고강도에 해당된다.The mechanical strength of each alloy requires a specified strength irrespective of the shape of the wire and the plate. This is because it is preferable to use a material having a tensile strength higher than that of the base material in view of the role of the reinforcing material, and the upper limit of tensile strength is obtained from the alloy It corresponds to the highest strength possible.

형태상 와이어의 경우, 직경이 1mm보다 적은 너무 세선을 적용할 경우, 많은 신선가공이 필요하여 원가가 높아지고, 가공 또한 용이하지 않으며, 직경이 5mm이상으로 너무 직경이 굵은 경우는 구조물 형상으로 제작하는데 어려움이 있으므로 직경이 1mm 내지 5mm 정도가 가장 현실적으로 적합하다.In the case of shape wire, if the wire is too thin with a diameter of less than 1mm, it needs a lot of drawing process, and the cost is high and the process is not easy. If the diameter is 5mm or more and the diameter is too large, Because of the difficulty, a diameter of about 1 mm to 5 mm is most suitable in reality.

그리고 이러한 내부에 배치하는 인바재질의 구조물의 점적율(부피분율)은 30Vol.% 미만일 경우, 선팽창계수의 감소가 현저하지 않기 때문에 그 기대효과 측면에서 부족하며, 80Vol.% 이상은 성능적인 측면에서는 우수하나, 구조물의 양이 너무 많아 제조상 용이하지 않음을 알 수 있었다. If the void fraction (volume fraction) of the in-va structure is less than 30 vol.%, The decrease of the coefficient of linear expansion is insignificant in terms of the expected effect. But it was not easy to manufacture because the amount of the structure was too much.

한편, 판재를 적용한 실시예는 아래와 같다. Fe-36%Ni 성분의 인바소재 판재(인장강도 100kgf/mm2, 두께 1.5mm)를 선택하여, 판재를 펀칭으로 가공하여 정사각형의 구멍이 사방으로 일정 간격으로 뚫은 후, 그것을 수 층 수직으로 구성하여 고정시킨 구조물을 형성하여, 척 플레이트 내부에 배치한 하고, 외부에 7000계 알루미늄 합금을 용해 주조하여, 척 플레이트를 제조하여 그 특성을 조사하였다. 이때 내부에 배치한 판재의 수를 변화시켜 즉 점적율(부피비율 30~80%)을 달리하여 열팽창특성을 변화를 조사하였다. 그 결과는 아래 표 3에 정리하였다.On the other hand, examples in which the sheet material is applied are as follows. (Tensile strength: 100 kgf / mm 2 , thickness: 1.5 mm) of Fe-36% Ni component was selected, and the plate material was punched to form square holes at regular intervals in four directions, To form a structure. Then, the structure was placed inside the chuck plate, and a 7000-series aluminum alloy was melted and cast on the outside to prepare a chuck plate and its characteristics were examined. At this time, the change in the thermal expansion characteristics was investigated by changing the number of the plates disposed inside, that is, by varying the spot rate (volume ratio 30 to 80%). The results are summarized in Table 3 below.

Fe-36%Ni 성분의 인바판재(인장강도 100kgf/mm2, 직경 1.5mm) 적용시 척플레이트의 부피분율에 따른 특성 변화Change of properties according to the volume fraction of chuck plate when Fe-36% Ni component invar plate (tensile strength 100kgf / mm 2 , diameter 1.5mm) 부피분율(Vol.%)Volume fraction (Vol.%) 3030 4545 6060 7070 8080 선팽창계수(×10-6/K)
@20℃Coefficient of linear expansion (× 10 -6 / K)
@ 20 ℃ 12.012.0 8.08.0 6.06.0 4.04.0 2.02.0 열전도도(W/m.K)
@20℃Thermal conductivity (W / mK)
@ 20 ℃ 130130 130130 130130 130130 130130 인장강도(MPa)Tensile Strength (MPa) 580580 600600 625625 645645 675675

인바와이어의 결과와 비교할 경우, 인장강도 이외엔 아주 유사한 특성을 보이고 있어 형태는 어느 형태든 가능함을 알 수 있다. 다만 인장강도의 강도는 표2의 와어아 형태보다 다소 약하게 나타나나, 이는 판재 두께의 감소에 따른 강도의 감소에 의한 것으로 보여지며, 판재 두께를 두껍게 할 경우 인장강도가 증가 함은 물론이다. 형태상 판재의 경우, 두께가 0.5mm보다 적은 경우, 많은 신선가공이 필요하여 원가가 높아지고 가공 또한 용이하지 않으며, 두께가 5mm이상으로 너무 굵은 경우는 구조물 형상으로 제작하는데 어려움이 있으므로 두께가 0.5mm 내지 3mm 정도가 가장 현실적으로 적합하다.Compared with the results of the Invar wire, it shows very similar characteristics except tensile strength, and it can be seen that any shape is possible. However, the strength of the tensile strength appears to be slightly weaker than that of the wahoe shape in Table 2, which is considered to be due to the reduction of the strength due to the reduction of the thickness of the plate, and the tensile strength increases when the plate thickness is increased. If the thickness is less than 0.5 mm, it is necessary to draw a lot of drawing process, and the cost is high and the processing is not easy. If the thickness is 5 mm or more and too thick, About 3 mm is most suitable.

그리고 이러한 내부에 배치하는 인바재질의 구조물의 점적율(부피분율)은 30Vol.% 미만일 경우, 선팽창계수의 감소가 현저하지 않기 때문에 그 기대효과 측면에서 부족하며, 80Vol.% 이상은 성능적인 측면에서는 우수하나, 구조물의 양이 너무 많아 제조상 용이하지 않음을 알 수 있었다. If the void fraction (volume fraction) of the in-va structure is less than 30 vol.%, The decrease of the coefficient of linear expansion is insignificant in terms of the expected effect. But it was not easy to manufacture because the amount of the structure was too much.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부한 도면에 의해 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서, 치환, 변형 및 변환이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에서, 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. It will be clear to those who have knowledge of.

100 : 척플레이트 110 : 열팽창억제부
120 : 기능성부100: chuck plate 110: thermal expansion control unit
120: Functional unit

Claims (6)

원판 형태로 이루어지고 상단에 위치하는 척 플레이트와, 히터를 포함하는 하단이 상호 용접 결합되어 이루어지는 반도체 웨이퍼 프로브용 척에 있어서,
상기 척 플레이트는,
알루미늄 합금재질로 이루어지고, 원판형태를 이루는 기능성부와;
상기 기능성부 내부에 위치하고, 인바 합금 재질로 이루어지는 열팽창 억제부;로 구성되어
상기 열팽창억제부에 의해 온도 변화에 따른 열팽창이 억제되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트.A chuck for a semiconductor wafer probe comprising a chuck plate disposed at an upper end and a lower end including a heater welded to each other,
Wherein the chuck plate
A functional part made of an aluminum alloy material and having a disk shape;
And a thermal expansion suppressing portion located inside the functional portion and made of an invar alloy material
And the thermal expansion of the semiconductor wafer probe is suppressed by the thermal expansion suppressing part according to the temperature change. 제 1항에 있어서, 상기 열팽창 억제부는,
상온에서 1.2×10-6/℃ 이하의 선팽창계수(α)를 나타내는 인바합금 재질로 이루어지고, 상기 척플레이트 전체 부피에 대하여 부피분율은 30Vol.% 내지 80Vol.% 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트.The apparatus according to claim 1, wherein the thermal expansion-
And a linear expansion coefficient (alpha) of 1.2 x 10 < -6 > / DEG C or less at room temperature, wherein the volume fraction of the chuck plate is 30 vol% to 80 vol% Chuck plate for probe. 제 2항에 있어서, 상기 열팽창 억제부는,
직경이 1mm 내지 5mm로 이루어지는 인바강선이 복수개로 배열되어 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트. 3. The apparatus according to claim 2, wherein the thermal expansion-
Wherein a plurality of in-bar steel wires having a diameter of 1 mm to 5 mm are arranged. 제 2항에 있어서, 상기 열팽창 억제부는,
두께가 0.5mm 내지 3mm로 이루어지는 인바판재가 복수개로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트. 3. The apparatus according to claim 2, wherein the thermal expansion-
And a thickness of 0.5 mm to 3 mm. The chuck plate for a semiconductor wafer probe according to claim 1, 원판 형태로 이루어지고 상단에 위치하는 척 플레이트와, 히터를 포함하는 하단이 상호 용접 결합되어 이루어지는 반도체 웨이퍼 프로브용 척에 있어서,
상기 척 플레이트는,
인바 합금 재질로 이루어져 강선 또는 판재 형태로 이루어는 열팽창 억제부를 배치한 상태에서, 알루미늄합금의 용해 주조를 부어 원판 형태의 기능성부가 외면에 형성되도록 하여 상기 열팽창억제부에 의해 온도 변화에 따른 열팽창이 억제되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트 제조방법.A chuck for a semiconductor wafer probe comprising a chuck plate disposed at an upper end and a lower end including a heater welded to each other,
Wherein the chuck plate
Wherein a function plate of a disc shape is formed on the outer surface by pouring molten casting of an aluminum alloy in the form of a steel wire or a sheet material in the form of a steel wire or a plate material so that the thermal expansion due to the temperature change is suppressed Wherein the chuck plate is made of a metal. 제 5항에 있어서, 상기 열팽창 억제부는,
상온에서 1.2×10-6/℃ 이하의 선팽창계수(α)를 나타내고 직경이 1mm 내지 5mm로 이루어지는 인바강선 또는 두께가 0.5 내지 3mm로 이루어지는 인바판재 형태로 이루어지는 인바합금 재질로 이루어지고, 상기 척플레이트 전체 부피에 대하여 부피분율은 30Vol.% 내지 80Vol.% 로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트 제조방법. 6. The apparatus according to claim 5,
And is made of an invar alloy material having a linear expansion coefficient (alpha) of 1.2 x 10 < -6 > / DEG C or less at room temperature and an invar steel wire having a diameter of 1 to 5 mm or an invar plate having a thickness of 0.5 to 3 mm, And a volume fraction with respect to the total volume is 30 vol.% To 80 vol.%.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000058040A (en) * 1999-02-17 2000-09-25 안자키 사토루 The method for manufacturing temperature controller and said temperature controller
KR20100071979A (en) * 2007-09-11 2010-06-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate placing mechanism, substrate processing apparatus, method for suppressing film deposition on substrate placing mechanism, and storage medium
KR20120052102A (en) * 2010-11-15 2012-05-23 주식회사 썬닉스 Stack type stage heater for semiconductor process with possibility of sectional temperature control

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000058040A (en) * 1999-02-17 2000-09-25 안자키 사토루 The method for manufacturing temperature controller and said temperature controller
KR20100071979A (en) * 2007-09-11 2010-06-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate placing mechanism, substrate processing apparatus, method for suppressing film deposition on substrate placing mechanism, and storage medium
KR20120052102A (en) * 2010-11-15 2012-05-23 주식회사 썬닉스 Stack type stage heater for semiconductor process with possibility of sectional temperature control

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