KR101434276B1

KR101434276B1 - 예냉처리를 이용한 다년생 식물의 재배 방법

Info

Publication number: KR101434276B1
Application number: KR1020130036289A
Authority: KR
Inventors: 김기선; 이용하; 박주현; 이승연
Original assignee: 서울대학교산학협력단
Priority date: 2013-04-03
Filing date: 2013-04-03
Publication date: 2014-08-27

Abstract

다년생 식물의 재배방법이 제공된다. 본 발명의 일실시예에 따른 다년생 식물의 재배방법은 식물체를 예냉처리하는 단계 및 상기 식물체를 저온처리하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 다년생 식물의 재배 방법은 식물체와 토양층이 제공된 재배 상자를 준비하는 단계, 상기 식물체를 예냉처리하는 단계 및 상기 식물체를 저온처리하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

예냉처리를 이용한 다년생 식물의 재배 방법{CULTIVATION METHOD OF PERENNIAL PLANTS USING PRECOOLING TREATMENT}

본 발명은 예냉처리를 이용한 다년생 식물의 재배 방법에 관한 것이다.

일반적으로 다년생 식물의 경우 일정기간 발아ㆍ발육ㆍ성장이 정지하는 휴면상태를 거치기 때문에 자연적인 개화시기를 제외하고 원하는 시기에 다년생 식물을 수확할 수 없었다. 다년생 식물의 개화시기를 조절하여 원하는 시기에 다년생 식물을 수확하기 위해 휴면상태와 휴면타파를 인위적으로 조절할 수 있는 저온처리가 도입되었다. 그러나, 상기 저온처리를 수행하여도 개화율에 효과를 나타내지 않는 식물들도 있고, 식물에 따라서 개화율에 차이가 있다. 따라서, 상기 저온처리 방법을 수정 및 보완하는 연구가 이루어지고 있다. 또한, 종래의 저온처리 방법은 식물의 근경 및 구근 자체를 저온처리하기 때문에 저온처리 후 온실 또는 노지에 옮겨 심거나 파종을 하여야 하고, 이를 위해 많은 인력과 시간이 소요되는 문제점이 있다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 다년생 식물을 원하는 시기에 수확할 수 있는 다년생 식물의 재배 방법을 제공한다.

본 발명은 다년생 식물의 생산량을 높일 수 있는 다년생 식물의 재배 방법을 제공한다.

본 발명은 재배 과정이 간단한 다년생 식물의 재배 방법을 제공한다.

본 발명의 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 명확해 질 것이다.

본 발명의 실시예들에 따른 다년생 식물의 재배방법은, 식물체를 예냉처리하는 단계 및 상기 식물체를 저온처리하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 예냉처리 온도는 상기 저온처리 온도보다 높을 수 있다. 상기 예냉처리 온도는 10 ~ 15℃이고, 상기 저온처리 온도는 0 ~ 5℃ 일 수 있다.

상기 예냉처리 기간은 상기 저온처리 기간보다 짧을 수 있다. 상기 예냉처리 기간은 1 ~ 3주이고, 상기 저온처리 기간은 5 ~ 7주 일 수 있다.

상기 다년생 식물은 다년생 화훼류를 포함할 수 있다.

상기 다년생 식물의 재배 방법은 식물체와 토양층이 제공된 재배 상자를 준비하는 단계, 상기 식물체를 예냉처리하는 단계, 및 상기 식물체를 저온처리하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 토양층은 제1 토양층 및 제2 토양층을 포함하며, 상기 재배 상자를 준비하는 단계는 상기 재배 상자 내에 상기 제1 토양층을 제공하는 단계, 상기 제1 토양층 위에 상기 식물체를 제공하는 단계 및 상기 제1 토양층 위에 상기 식물체를 덮는 제2 토양층을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 제1 토양층은 상기 식물체가 뿌리를 내릴 수 있는 두께를 가질 수 있고, 상기 제2 토양층은 상기 식물체가 마르는 것을 방지할 수 있는 두께를 가질 수 있다.

상기 식물체는 다년생 화훼류의 구근 또는 근경을 포함할 수 있다.

상기 식물체는 상기 재배 상자에 식재되어 한번 이상 수확될 수 있다.

상기 식재된 식물체의 지상부는 상기 예냉처리 전에 제거될 수 있다.

상기 다년생 식물의 재배 방법은 상기 예냉처리 및 상기 저온처리는 저온고에서 수행될 수 있다.

상기 재배 상자는 2개 이상 수직으로 배치될 수 있다.

상기 다년생 식물의 재배 방법은 상기 저온처리단계 후에 상기 재배 상자를 온실 또는 노지에 배치하여 상기 식물체를 재배하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 다년생 식물에 대하여 예냉처리 및 저온처리를 수행하여 원하는 시기에 다년생 식물을 수확할 수 있고, 다년생 식물의 개화율을 높여서 생산량을 증대시킬 수 있다. 또, 재배 상자에 식재된 상태의 다년생 식물을 재활용하여 재배비용을 절감할 수 있다. 또, 재배 상자를 저온고 내에 수직으로 배치하여 상기 저온고의 공간 효율성을 높일 수 있고, 다년생 식물의 생산량을 증대시킬 수 있다. 또, 재배 상자를 이용하여 파종이나 옮겨심는 등의 작업을 수행할 필요가 없으므로 재배 과정이 간단하며, 적은 인력으로도 용이하게 다년생 식물을 재배할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다년생 식물의 재배 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다년생 식물의 재배 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다년생 식물의 재배 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 4 내지 도 11b는 본 발명의 실시예들에 따른 다년생 식물의 재배 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12a 내지 도 12c는 예냉처리 수행 여부에 따른 작약 꽃눈의 생장률의 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 예냉처리가 작약의 개화에 미치는 영향을 설명하기 위한 도면이다.
도 14a 내지 도 14c는 예냉처리 수행 여부에 따른 작약 꽃눈의 기관 형성의 차이를 설명하기 위한 도면이다.

이하, 실시예들을 통하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 본 발명의 목적, 특징, 장점은 이하의 실시예들을 통해 쉽게 이해될 것이다. 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고, 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 따라서, 이하의 실시예들에 의하여 본 발명이 제한되어서는 안 된다.

본 명세서에서 사용된 용어인 '다년생 식물'은 만 1년 넘게 여러 해 동안 생존하는 식물을 통틀어 이르는 말로서, 농업, 조림 및 원예 식물(관상 식물 포함) 등으로 분류될 수 있는 식물을 포함할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다년생 식물의 재배 방법을 개략적으로 나타낸 흐름도이다. 도 4 및 도 5는 도 1의 S10 단계를 설명하기 위한 도면이고, 도 8a 및 도 8b는 도 1의 S20 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 10은 도 1의 S40 단계 및 S50 단계를 설명하기 위한 도면이고, 도 11a 및 도 11b는 도 1의 S60 단계를 설명하기 위한 도면이다.

도 1, 도 4 및 도 5, 도 8a 및 도 8b, 도 10 내지 도 11b를 참조하면, 상기 다년생 식물의 재배 방법은 재배 상자(10)를 준비하는 단계(S10), 재배 상자(10)에 토양층(20)과 식물체(30)를 배치하는 단계(S20), 식물체(30)를 예냉처리하는 단계(S40), 식물체(30)를 저온처리하는 단계(S50), 및 재배 상자(10)를 온실 또는 노지에 배치하여 식물체(30)를 재배하는 단계(S60)를 포함할 수 있다.

재배 상자(10)를 준비한다(S10).

재배 상자(10)는 관통홀(11h)이 형성된 하부판(11) 및 하부판(11)에 연결된 측벽(12)을 포함할 수 있으며, 2개 이상 적재될 수 있는 형태를 가질 수 있다. 관통홀(11h)은 형상에 제한을 받지 않으며, 재배 상자(10) 내부에 제공되는 수분이 토양층(20)을 통과하여 재배 상자(10) 외부로 흐르게 할 수 있다. 측벽(12)은 토양층(20)이 제공되는 재배 상자(10) 내부 공간을 한정할 수 있다.

하부판(11) 위에 그물 구조망(15)을 배치한다.

그물 구조망(15)은 재배 상자(10) 내에 토양층(20)이 외부로 유실되는 것을 방지할 수 있고, 하부판(11) 외부에서 침입할 수 있는 병충을 물리적으로 차단할 수 있으며, 재배 상자(10) 내부에서 아래 방향으로 뻗은 식물체(30)의 뿌리에 의해서 하부판(11)과 토양층(20)이 고착되는 것을 방지할 수 있다.

재배 상자(10)에 토양층(20)과 식물체(30)를 배치한다(S20).

토양층(20)은 제1 토양층(21) 및 제2 토양층(22)을 포함할 수 있다. 식물체(30)는 예를 들어, 작약의 구근 또는 근경 등을 포함할 수 있다. 재배 상자(10) 내에 토양층(20)과 식물체(30)가 다양한 방법으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 재배 상자(10) 내에 토양층(20)을 제공하고 식물체(30)를 배치한 후 재배 상자(10)를 흔들어 토양층(20)내에 식물체(30)가 배치되도록 할 수 있다. 또는 식물체(30)를 배치한 후 토양층(20)을 제공하여 재배 상자(10)를 흔들어 식물체(30)가 토양층(20)내에 배치되도록 하거나, 토양층(20)과 식물체(30)를 동시에 제공한 후 재배 상자(10)를 흔들어 토양층(20)내에 식물체(30)가 배치되도록 할 수 있다. 바람직하게는 재배 상자(10) 내에 제1 토양층(21)을 제공하고 제1 토양층(21) 위에 식물체(30)를 배치한 후, 제1 토양층(21) 위에 식물체(30)를 덮는 제2 토양층(22)을 제공할 수 있다.

식물체(30)를 예냉처리한다(S40).

재배 상자(10)를 저온고에 배치하여 식물체(30)의 예냉처리를 수행할 수 있다. 상기 예냉처리 온도는 예를 들어 10℃ ~ 15 ℃ 일 수 있으며, 상기 예냉처리 기간은 예를 들어 1 ~ 3주 일 수 있다. 식물체(30)가 제공된 2개 이상의 재배 상자를 수직방향으로 배치하여 상기 저온고의 공간 효율성을 높일 수 있고, 이에 의해 다년생 식물의 생산량을 증대시킬 수 있다.

상기 예냉처리는 식물의 영양생장을 인위적으로 조절하기 위해서 수행된다. 상기 예냉처리를 통해서 식물체(30)의 개화에 필요한 꽃기관을 발달시키고 생장시켜서, 촉성재배시 식물체(30)의 퇴화 현상을 감소시키고 고품질의 개화를 시킬 수 있다.

식물체(30)를 저온처리한다(S50).

상기 예냉처리 후 상기 저온고에서 식물체(30)의 저온처리를 수행할 수 있다. 상기 저온처리 온도는 상기 예냉처리 온도보다 낮은 온도, 예를 들어 0℃ ~ 5℃ 일 수 있으며, 상기 저온처리 기간은 예를 들어 5 ~ 7주 일 수 있다.

상기 저온처리는 식물의 영양생장을 인위적으로 조절하기 위해서 수행된다. 상기 저온처리를 통해서 식물체(30)는 휴면을 타파하게 되고, 식물체(30)의 수확시기를 앞당기는 촉성재배가 가능해진다.

재배 상자(10)를 온실 또는 노지에 배치하여 식물체(30)를 재배한다(S60).

재배 상자(10)를 적정온도 범위 내에서 유지되는 상기 온실 또는 상기 노지에 배치하여 식물체(30)를 재배할 수 있다. 재배 상자(10)를 이용하여 식물체(30)를 옮겨심는 과정 없이 재배할 수 있다. 상기 적정온도 범위는 10 ~ 25℃ 일 수 있다.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다년생 식물의 재배 방법을 개략적으로 나타낸 흐름도이다. 도 4 및 도 5는 도 2의 S10 단계를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 도 2의 S21 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 7은 도 2의 S22 단계를 설명하기 위한 도면이고, 도 8a 및 도 8b는 도 2의 S23 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 10은 도 2의 S40 단계 및 S50 단계를 설명하기 위한 도면이고, 도 11a 및 도 11b는 도 2의 S60 단계를 설명하기 위한 도면이다.

도 2, 도 4 내지 도 8b, 도 10 내지 도 11b를 참조하면, 상기 다년생 식물의 재배 방법은 재배 상자를 준비하는 단계(S10), 재배 상자에 제1 토양층을 제공하는 단계(S21), 제1 토양층 위에 식물체를 배치하는 단계(S22), 제1 토양층 위에 식물체를 덮는 제2 토양층을 제공하는 단계(S23), 식물체(30)를 예냉처리하는 단계(S40), 식물체(30)를 저온처리하는 단계(S50), 및 재배 상자를 온실 또는 노지에 배치하여 식물체(30)를 재배하는 단계(S60)를 포함할 수 있다.

재배 상자(10)를 준비한다(S10).

하부판(11) 위에 그물 구조망(15)을 배치한다.

재배 상자(10)에 제1 토양층(21)을 제공한다(S21).

제1 토양층(21)은 식물체(30)가 제1 토양층(21) 내부 방향으로 뿌리를 내릴 수 있는 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 다년생 식물의 재배를 위해 제1 토양층(21)은 하부판(11) 위에 5 ~ 15㎝ 두께를 갖도록 고르게 제공될 수 있다.

제1 토양층(21) 위에 식물체(30)를 배치한다(S22).

제1 토양층(21) 위에 배치되는 식물체(30)의 크기에 따라 식재할 개체수를 정할 수 있다.

제1 토양층(21) 위에 식물체(30)를 덮는 제2 토양층(22)을 제공한다(S23).

제2 토양층(22)은 제1 토양층(21) 위에 배치된 식물체(30)가 마르는 것을 방지할 수 있는 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 토양층(22)은 제1 토양층(21) 위에 3 ~ 7㎝ 두께를 갖도록 고르게 제공될 수 있다.

식물체(30)를 예냉처리한다(S40).

재배 상자(10)를 저온고에 배치하여 식물체(30)의 예냉처리를 수행할 수 있다. 상기 예냉처리 온도는 예를 들어 10℃ ~ 15 ℃ 일 수 있으며, 상기 예냉처리 기간은 예를 들어 1 ~ 3주 일 수 있다. 식물체(30)가 제공된 2개 이상의 재배 상자를 수직방향으로 배치하여 상기 저온고의 공간 효율성을 높일 수 있고, 이에 의해 식물의 생산량을 증대시킬 수 있다.

식물체(30)를 저온처리한다(S50).

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다년생 식물의 재배 방법을 개략적으로 나타낸 흐름도이다. 도 9는 도 3의 S30 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 10은 도 3의 S40 및 S50 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 11a 및 도 11b는 도 3의 S60 단계를 설명하기 위한 도면이다.

도 3 및 도 9 내지 도 11b를 참조하면, 상기 다년생 식물의 재배 방법은 재배 상자에 식재된 식물체(31)의 지상부를 제거하는 단계(S30), 식물체(31)를 예냉처리 하는 단계(S40), 식물체(31)를 저온처리 하는 단계(S50), 및 재배 상자를 온실 또는 노지에 배치하여 식물체(31)를 재배하는 단계(S60)를 포함할 수 있다.

재배 상자에 식재된 식물체(31)의 지상부를 제거한다(S30).

식물체(31)는 이미 한번 이상 재배된 식물로서 휴면상태일 수 있으며, 식물체(31)의 지상부를 제거한 후 재배 상자와 함께 재활용하여 다년생 식물을 재배하는데 사용될 수 있다.

도 9에 도시된 바와 같이, 토양층의 윗부분을 걷어내면, 식물체(31)의 뿌리에는 꽃눈(40)이 형성되어 있다. 이와 같이 다년생 식물은 수확 후에도 뿌리에 새로운 꽃눈(40)이 형성되므로 반복하여 수확할 수 있다.

식물체(31)를 예냉처리한다(S40).

재배 상자(10)를 저온고에 배치하여 식물체(31)의 예냉처리를 수행할 수 있다. 상기 예냉처리 온도는 예를 들어 10℃ ~ 15 ℃ 일 수 있으며, 상기 예냉처리 기간은 예를 들어 1 ~ 3주 일 수 있다. 식물체(31)가 제공된 2개 이상의 재배 상자를 수직방향으로 배치하여 상기 저온고의 공간 효율성을 높일 수 있고, 이에 의해 식물의 생산량을 증대시킬 수 있다.

상기 예냉처리는 식물의 영양생장을 인위적으로 조절하기 위해서 수행된다. 상기 예냉처리를 통해서 식물체(31)는 꽃눈(40)의 개화에 필요한 꽃기관을 발달시키고 생장시켜서, 촉성재배시 꽃눈(40)의 퇴화 현상을 감소시키고 고품질의 개화를 시킬 수 있다.

식물체(31)를 저온처리한다(S50).

상기 예냉처리 후 상기 저온고에서 식물체(31)의 저온처리를 수행할 수 있다. 상기 저온처리 온도는 상기 예냉처리 온도보다 낮은 온도, 예를 들어 0℃ ~ 5℃ 일 수 있으며, 상기 저온처리 기간은 예를 들어 5 ~ 7주 일 수 있다.

상기 저온처리는 식물의 영양생장을 인위적으로 조절하기 위해서 수행된다. 상기 저온처리를 통해서 식물체(31)는 휴면을 타파하게 되고, 식물체(31)의 수확시기를 앞당기는 촉성재배가 가능해진다.

재배 상자(10)를 온실 또는 노지에 배치하여 식물체(31)를 재배한다(S60).

재배 상자(10)를 적정온도 범위 내에서 유지되는 상기 온실 또는 상기 노지에 배치하여 식물체(31)를 재배할 수 있다. 재배 상자(10)를 이용하여 식물체(31) 를 옮겨심는 과정 없이 재배할 수 있다. 상기 적정온도 범위는 10 ~ 25℃ 일 수 있다.

도 12a 내지 도 12c는 예냉처리 수행 여부에 따른 작약 꽃눈의 생장률의 차이를 설명하기 위한 도면이다. 도 12a와 도 12b는 저온처리만 수행한 경우의 작약 꽃눈의 생장률을 나타내고, 도 12c는 예냉처리와 저온처리를 모두 수행한 경우의 작약 꽃눈의 생장률을 나타낸다.

도 12a를 참조하면, 예냉처리 없이 8주 동안 저온처리만 수행하였을 때 작약 꽃눈의 생장률은 약 5%로 나타났다.

도 12b를 참조하면, 먼저 2주 동안 자연상태의 노지에 배치하였을 때 작약 꽃눈의 생장률은 약 2%로 나타났고, 이어서 6주 동안 저온처리를 수행하였을 때, 작약 꽃눈의 생장률은 약 5%로 나타났다. 따라서, 전체 8주 동안 작약 꽃눈의 생장률은 약 7%로 나타났다.

도 12c를 참조하면, 먼저 2주 동안 예냉처리를 수행하였을 때 작약 꽃눈의 생장률은 약 25%로 나타났고, 이어서 6주 동안 저온처리를 수행하였을 때 작약 꽃눈의 생장률은 약 8%로 나타났다. 따라서, 전체 8주 동안 작약 꽃눈의 생장률은 약 33%로 나타났다.

상술한 바와 같이, 동일 기간에 저온처리만 수행한 경우보다 예냉처리와 저온처리를 모두 수행한 경우에 작약 꽃눈의 생장률이 약 25% 이상 더 높은 것으로 나타났다. 이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 다년생 식물의 재배 방법은 저온 처리를 수행하기 전에 예냉처리를 수행함으로써 작약 꽃눈의 생장률을 높일 수 있다.

도 13은 예냉처리가 작약의 개화에 미치는 영향을 설명하기 위한 도면이다. CO 그래프와 NT 그래프는 저온처리만 수행한 경우를 나타내고, P10 그래프는 예냉처리와 저온처리를 모두 수행한 경우를 나타낸다. 도 13에서 초기 단계(early stage)는 꽃눈이 토양층을 뚫고 나오는 단계를 나타내고, 후기 단계(late stage)는 꽃눈이 토양층을 뚫고 나온 후 생장하여 개화되기 전의 단계를 나타낸다.

도 13의 CO 그래프를 참조하면, 예냉처리 없이 8주 동안 저온처리만 수행하였을 때 개화율(식물체 전체 개체수에 대하여 개화에 이르게 된 식물체 개체수의 비율)은 약 42%로 나타났다. 초기 단계에서 작약 꽃눈이 퇴화하는 비율은 약 3%로 나타났고, 후기 단계에서 작약 꽃눈이 퇴화하는 비율은 약 55%로 나타났다.

NT 그래프를 참조하면, 2주 동안 자연상태의 노지에 배치한 후 6주 동안 저온처리를 수행하였을 때 개화율은 약 38%로 나타났다. 초기 단계에서 작약 꽃눈이 퇴화하는 비율은 약 10%로 나타났고, 후기 단계에서 작약 꽃눈이 퇴화하는 비율은 약 52%로 나타났다.

P10 그래프를 참조하면, 2주 동안 예냉처리 후 6주 동안 저온처리를 수행하였을 때 개화율은 약 80%로 나타났다. 초기 단계에서 작약 꽃눈이 퇴화하는 비율은 약 4%로 나타났고, 후기 단계에서 작약 꽃눈이 퇴화하는 비율은 약 16%로 나타났다.

상술한 바와 같이, 동일 기간에 저온 처리만 수행한 경우보다 예냉처리와 저온처리를 모두 수행한 경우에 개화율은 약 40% 더 높은 것으로 나타났고, 개화에 이르지 못하고 퇴화하는 비율은 약 40% 더 낮은 것으로 나타났다. 이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 다년생 식물의 재배 방법은 저온처리를 수행하기 전에 예냉처리를 수행함으로써 작약 꽃눈의 개화율을 높일 수 있다.

도 14a 내지 도 14c는 예냉처리 수행 여부에 따른 작약 꽃눈의 기관 형성의 차이를 설명하기 위한 도면이다. 도 14a와 도 14b는 저온처리만 수행한 경우의 작약 꽃눈의 기관 형성을 나타내고, 도 14c는 예냉처리와 저온처리를 모두 수행한 경우의 작약 꽃눈의 기관 형성을 나타낸다.

도 14a를 참조하면, 예냉처리 없이 8주 동안 저온처리만 수행하였을 때 꽃받침(Se)만 형성되고 꽃잎(Pe)과 수술(St)은 형성되지 않았다.

도 14b를 참조하면, 2주 동안 자연상태의 노지에 배치한 후 6주 동안 저온처리를 수행하였을 때 꽃받침(Se)만 형성되고 꽃잎(Pe)과 수술(St)은 형성되지 않았다.

도 14c를 참조하면, 2주 동안 예냉처리를 수행한 후 6주 동안 저온처리를 수행하였을 때 꽃받침(Se), 꽃잎(Pe), 수술(St)이 모두 형성되었다.

상술한 바와 같이, 동일 기간에 저온처리만 수행한 경우보다 예냉처리와 저온처리를 모두 수행한 경우에 개화에 필요한 작약 꽃눈의 기관이 빠르게 형성되는 것으로 나타났다.

예냉처리에 의한 작약의 촉성재배

재배 상자에 식재된 상태의 3년생 작약을 준비하였다. 상기 작약이 휴면에 들어간 2011년 9월 16일에 상기 작약의 지상부를 제거한 후 10℃ 유지되는 저온고에서 2주간 예냉처리를 수행하였다. 상기 작약을 휴면타파를 위해 0℃ 유지되는 저온고에 6주간 저온처리를 수행하였다. 상기 저온처리 후 작약이 식재된 재배 상자를 온실로 이동하였다. 상기 온실의 최저 온도 12℃ 유지한 후 약 2개월 재배하여, 상기 작약이 2011년 1월 13일에 개화하였다. 이렇게 개화된 작약을 3 ~ 4개월 동안 상기 온실에서 계속 재배하였다. 이후 작약의 지상부는 고사하게 되면 휴면에 들어가게 된다. 6월 중순에 휴면에 들어간 작약을 10℃ 유지되는 저온고에서 2주간 예냉처리를 수행하고, 0℃ 유지되는 저온고에서 6주간 저온처리를 수행하였다. 상기 저온처리 후 상기 작약을 상기 온실 또는 노지에서 재배하여 11월에 다시 개화하였다. 상기 실시예에 따르면, 자연개화 시기인 5 ~ 6월에만 제한적으로 생산되던 작약을 이른 봄, 늦은 가을에도 개화할 수 있었다.

예냉처리가 작약의 겨울철 생육에 미치는 영향

9월16일부터 3그룹의 작약에 대하여 각각 8주 동안 CO, NT, P10 처리를 수행한 후 맹아, 버스팅, 수확, 및 개화에 이르는 평균일수를 측정하여 아래 표 1에 나타내었다.

처리시작일	처리	일수
처리시작일	처리	맹아 (sprouting)		버스팅 (bursting)		수확 (harvest)		개화 (flowering)
9월16일	CO	19.6	a^y	27.0	a	69.2	a	74.3	a
	NT	16.2	ab	25.1	ab	68.0	a	71.7	ab
	P10	12.5	b	20.0	cd	55.1	ab	61.1	bc

CO : 예냉처리 없이 8주 동안 저온처리 수행

NT : 2주 동안 자연상태의 노지에 배치한 후 6주 동안 저온처리 수행

P10 : 2주 동안 예냉처리 후 6 주 동안 저온처리 수행

맹아(sprouting) : 꽃눈이 땅을 뚫고 나오는 시기

버스팅(bursting) : 꽃눈을 둘러싼 표피가 벗겨지면서 꽃눈이 보이기 시작한 시기

수확(harvest) : 꽃눈이 생장한 후 꽃이 피기 전의 시기

개화(flowering) : 꽃이 핀 시기

y : P=0.05에서 던컨의 다중범위 테스트(Duncan's multiple range test)에 의한 평균치검정

상기 표 1을 참조하면, CO 처리를 수행하는 경우, 저온 처리 완료 후 맹아하는데 평균 19.6일, 버스팅하는데 평균 27일이 소요되었고, 수확하는데 평균 69.2일, 개화하는데 평균 74.3일이 소요되었다.

NT 처리를 수행하는 경우, 저온 처리 완료 후 맹아하는데 평균 16.2일, 버스팅하는데 평균 25.1일이 소요되었고, 수확하는데 평균 68일, 개화하는데 평균 71.7일이 소요되었다.

P10 처리를 수행하는 경우, 저온 처리 완료 후 맹아하는데 평균 12.5일, 버스팅하는데 평균 20일이 소요되었고, 수확하는데 평균 55.1일, 개화하는데 평균 61.1일이 소요되었다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따라 예냉처리를 수행하였을 때 생장이 빨라져서 맹아, 버스팅, 수확, 및 개화에 소요되는 평균일수가 모두 적은 것으로 나타났으며, 던컨의 다중범위 테스트에 의해서도 처리방법에 따라 상기 평균일수에 차이가 있는 것으로 나타났다.

이제까지 본 발명에 대한 구체적인 실시예들을 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

10 : 재배 상자 11 : 하부판
11h : 관통홀 12 : 측벽
15 : 그물 구조망 20 : 토양층
21 : 제1 토양층 22 : 제2 토양층
30, 31 : 식물체 40 : 꽃눈

Claims

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식물체와 토양층이 제공된 재배 상자를 준비하는 단계;
상기 식물체를 예냉처리하는 단계; 및
상기 식물체를 저온처리하는 단계를 포함하고,
상기 토양층은 제1 토양층 및 제 2 토양층을 포함하고,
상기 재배 상자를 준비하는 단계는,
상기 재배 상자 내에 상기 제1 토양층을 제공하는 단계,
상기 제1 토양층 위에 상기 식물체를 제공하는 단계, 및
상기 제1 토양층 위에 상기 식물체를 덮는 상기 제2 토양층을 제공하는 단계를 포함하는 다년생 식물의 재배 방법.
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제 7 항에 있어서,
상기 제1 토양층은 상기 식물체가 뿌리를 내릴 수 있는 두께를 갖고,
상기 제2 토양층은 상기 식물체가 마르는 것을 방지할 수 있는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다년생 식물의 재배 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 식물체는 다년생 화훼류의 구근 또는 근경을 포함하는 것을 특징으로 하는 다년생 식물의 재배 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 식물체는 상기 재배 상자에 식재되어 한번 이상 수확된 것을 특징으로 하는 다년생 식물의 재배 방법.
제 11 항에 있어서,
상기 식물체의 지상부는 상기 예냉처리 전에 제거되는 것을 특징으로 하는 다년생 식물의 재배 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 예냉처리 및 상기 저온처리는 저온고에서 수행되는 것을 특징으로 하는 다년생 식물의 재배 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 재배 상자는 2개 이상 수직으로 배치되는 것을 특징으로 하는 다년생 식물의 재배 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 저온처리 후에 상기 재배 상자를 온실 또는 노지에 배치하여 상기 식물체를 재배하는 단계를 더 포함하는 다년생 식물의 재배 방법.