KR101430628B1 - 공극층 구조의 광섬유 센서 - Google Patents

공극층 구조의 광섬유 센서 Download PDF

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KR101430628B1 KR1020130021545A KR20130021545A KR101430628B1 KR 101430628 B1 KR101430628 B1 KR 101430628B1 KR 1020130021545 A KR1020130021545 A KR 1020130021545A KR 20130021545 A KR20130021545 A KR 20130021545A KR 101430628 B1 KR101430628 B1 KR 101430628B1
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한원택
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광주과학기술원
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Abstract

본 발명은 코어층, 상기 코어층에 포함된 공극부 및 상기 코어층을 둘러싸는 클래딩층으로 이루어지고, 상기 코어층과 상기 클래딩층의 사이에 차폐층을 포함하고, 코어층에 감지 요소를 감지할 수 있는 센싱 물질을 도핑하고, 센싱 물질들 중 적어도 일부가 공극부에 노출되어 감지 요소를 감지할 수 있는 광섬유 센서, 고정층내에 복수개의 광섬유 센서다발을 위치시켜 하나의 광섬유 형태로 인출한 광섬유 센서 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

공극층 구조의 광섬유 센서{OPTICAL FIBER SENSOR WITH AIR-HOLE STRUCTURE}
본 발명은 광섬유 센서에 관한 것으로 공극층 구조의 광섬유 센서에 관한 것이다.
광섬유 센서는 빠른 응답 특성, 높은 신뢰성, 소형화, 그리고 주변의 자기장 및 전기장 등의 영향을 받지 않아 정확한 진단 및 측정이 가능한 장점으로 온도, 압력, 화학, 변위, 전류 등을 감지하는 기술에 활용되고 있다.
광섬유 센서는 다른 센서들에 비해 전자소자 대신에 빛을 이용해 측정한다는 사실과, 이 측정신호의 전달 역시 빛으로 하고 있는데서 기인하여 많은 장점을 가진다. 우선 전기가 통하는 전도체가 포함되어 있지 않으므로 주변의 여러 장치에서 발생할 수 있는 전자파장애에 의한 잡음이 없고, 전기적인 접지, 누전, 감전 등의 염려가 없다. 크기가 작고 가벼우며, 거의 모든 종류의 물리량 측정에 이용할 수 있다. 특히 파장이 매우 짧은 빛을 기준으로 측정하게 되어 매우 높은 감도를 보장하고 있다. 뿐만 아니라 통신의 경우와 마찬가지로 광손실이 적고 정보전송 대역폭이 넓어 많은 수의 센서를 광섬유 한 가닥에 연결하여 동시에 측정할 수 있는 배열형 센서가 가능하며, 수십 km 떨어진 거리에서도 원격측정을 할 수 있고, 위치에 따른 물리량의 분포를 측정하는 분포계측이 가능하다. 이러한 특징들과 함께 언급해야될 점은, 광섬유 센서를 이용하면 기존의 기술로는 센서의 동작이 불가능한 환경에서도 사용할 수 있다는 점이다. 예를 들면 전자파장애가 많은 환경(발전소, 변전소, 전기용접 등이 이루어지는 공장 등), 전자레인지 내부, 환자 혈액의 실시간 모니터링, 고온 다습 고압력의 환경, 폭발위험이 있는 환경 등이 있는 곳에 광섬유 센서는 특별한 어려움 없이 사용될 수 있다. 이러한 장점들을 바탕으로 광섬유 센서는 지난 20여 년간 꾸준히 발전해 왔으며, 지금은 주로 군사용, 산업용, 그리고 의료용을 중심으로 그 사용이 비약적으로 늘어나고 있고, 앞으로 방대한 시장을 형성할 뿐 아니라 다른 산업에의 파급 효과도 매우 클 것으로 기대되고 있다.
그러나 종래의 광섬유 센서는 센싱부가 센싱을 할 대상과 접촉을 위해 클래딩층에 위치하여 외부로 노출된 구조로, 외부 훼손에 대하여 자유롭지 못하고 단일 광섬유 센서의 경우 데이터 신뢰성의 문제점을 가지고 있다.
상술한 바와 같은 선행기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 외부에 노출되지 않는 센싱부로 외부훼손으로부터 자유로운 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 동일 감지요소에 대해 여러 채널로 센싱 특성을 평가한 복수의 데이터를 통하여 센서의 재현성을 확보함을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 각각의 공극부에 다른 물질을 감지할 수 있는 형태로 구성하여 한번에 여러 물질을 감지할 수 있는 멀티 센싱부로도 활용이 가능하다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 코어층, 상기 코어층을 둘러싸는 클래딩층, 상기 코어층의 내부에 길이방향으로 위치하는 공극부 및 상기 코어층에 위치하여 상기 공극부를 지나는 감지물질을 센싱하는 센싱 물질을 포함하는 광섬유 센서에 의하여 달성된다.
바람직하게는, 상기 센싱 물질 중 일부는 공극부로 노출될 수 있다.
바람직하게는, 상기 코어층과 상기 클래딩층 사이에 차폐층(Depressed Region)을 포함할 수 있으며, 광신호의 전송 효율을 높일 수 있다.
바람직하게는, 상기 공극부는 코어층의 내부에 길이 방향으로 관통하여 위치할 수 있다. 공극부의 단면 직경은 100 ㎛ 이하일 수 있다. 코어층의 두께는 1 ㎛ 내지 3 ㎛, 차폐층의 두께는 10 ㎛ 내지 20 ㎛, 클래딩층을 포함한 광섬유 직경은 125 ㎛ 일 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수개의 광섬유 센서를 하나의 광섬유 다발의 형태로 인출하여 고정층 내에 위치시킬 수 있으며, 상기 고정층은 다공성 구조를 갖춤으로써 동일 감지요소에 대해 여러 채널로 센싱 특성을 평가하여 센서의 재현성을 확보할 수 있다.
바람직하게는, 상기 개별 광섬유 센서로 이루어진 광섬유 센서 다발은 광섬유 중심을 기준으로 1채널, 주위에 허니콤 모양으로 6채널이 포함된 총 7채널일 수 있다. 더욱 바람직하게는 19채널일 수 있다.
바람직하게는, 상기 광섬유 센서 다발이 7채널인 경우, 상기 고정층에 위치한 개별 광섬유 센서의 공극부의 단면 직경은 30 ㎛이하일 수 있다. 코어층의 두께는 0.5 ㎛ 내지 1.5 ㎛, 차폐층의 두께는 1 ㎛ 내지 3 ㎛, 클래딩의 두께는 1 ㎛ 내지 3 ㎛ 일 수 있다.
바람직하게는, 상기 클래딩층은 상기 클래딩층의 굴절률보다 낮은 굴절률의 폴리머 코팅으로 코팅된다.
바람직하게는, 상기 센싱 물질은 Pt, Pd, Pd-In2O3 , Pd-Rb-In2O3, Au, Ag, Cu, Fe, Co 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
본 발명에서는 공극부를 가진 코어층에 센싱 물질을 도핑함으로써 내부의 감지 요소를 감지할 수 있고 외부 훼손으로부터 자유로우며, 복수개의 광섬유 센서 다발을 사용하여 측정값의 신뢰성을 높일 수 있고, 코어층에 도핑하는 센싱 물질을 다양화하여 가스 및 화학물질 등뿐만 아니라 온도, 압력, 속도 등 거의 모든 물리량을 감지할 수 있는 센서를 제공할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 광섬유 센서의 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광섬유 센서의 단면을 나타내는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 광섬유 센서 다발이 고정층 내에 위치하도록 구성된 광섬유 센서의 단면을 나타내는 도면이다.
도 4은 본 발명의 일실시예에 따른 광섬유 센서의 제조 과정에 사용되는 수직형 용액 첨가법의 장치 셋팅을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 광섬유 센서의 제조 과정에 사용되는 수평형 용액 첨가법의 장치 셋팅을 나타내는 도면이다.
도 6는 본 발명의 일실시예에 따른 광섬유 센서의 제조 과정에 사용되는 아토마이저를 이용한 용액 첨가법의 장치 셋팅을 나타내는 도면이다.
도 7은 표면 플라즈몬 공진을 이용하여 서로 다른 굴절률을 갖는 매칭용액 활용한 결과를 나타내는 도면이다.
도 8은 표면 강화 라만 산란을 이용한 경우 물질에 따른 라만 피크의 차이점을 나타낸 도면이다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 광섬유 센서의 구조를 나타내는 도면이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명에 따른 광섬유 센서(10)는 코어층(11), 상기 코어층(11)을 둘러싸는 클래딩층(12), 상기 코어층(11)의 내부에 길이방향으로 위치하는 공극부(13), 및 상기 코어층(11)에 위치하며 상기 공극부(13)를 지나는 감지 물질을 센싱하는 센싱 물질(14)로 이루어진다. 상기 센싱 물질(14)은 코어층(11)에 위치함으로써 외부 훼손으로부터 자유로울 수 있다. 상기 코어층(11)과 상기 클래딩층(12)의 사이에 위치하는 차폐층(Depressed Region)(15)은 광신호의 전송 효율을 높이기 위한 구간으로 광섬유의 외부 밴딩 및 기타 환경에서 광섬유 코어 영역으로 진행하는 빛이 광섬유 클래딩 영역으로 빠져 나가는 것을 방지할 수 있다.
바람직하게는 상기 센싱 물질들 중 적어도 일부가 공극부(13)에 노출될 수 있다.
바람직하게는 MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition)에 의해 광섬유가 제조될 경우에는 센싱 물질(14)들 중 적어도 일부가 내부에 노출되도록 코어층(11)의 내부에 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 광섬유 센서는 유리 튜브를 이용하여 광섬유 코어층에 센싱 물질이 함유된 광섬유를 제조하기 때문에 식각 공정이 불필요하며, 필요에 의해서 코어층의 너비를 줄이기 위해 일부 식각 공정을 추가할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광섬유 센서의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따르면 코어층(11)과 클래딩층(12)의 사이에 차폐층(15)이 포함될 수 있다.
상기 차폐층(15)은 광신호의 전송 효율을 높이기 위한 구간으로 광섬유의 외부 밴딩 및 기타 환경에서 광섬유 코어 영역으로 진행하는 빛이 광섬유 클래딩 영역으로 빠져 나가는 것을 방지하기 위한 것이다. 클래딩 영역 보다 굴절률을 낮게하여 광섬유 코어와의 굴절률을 클래딩에 비해 상대적으로 낮게 함으로써 광손실을 줄일 수 있다.
본 발명에 따른 공극부(13)는 코어층(11)내에 형성되며, 코어층(11)의 길이 방향으로 관통하여 위치할 수 있다. 공극부(13)의 단면 직경은 100 ㎛이하일 수 있다. 코어층(11)의 두께는 1 ㎛ 내지 3 ㎛, 차폐층(15)의 두께는 10 ㎛ 내지 20 ㎛, 클래딩층(12)을 포함한 광섬유 직경은 125 ㎛ 일 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 광섬유 센서를 하나의 광섬유 다발의 형태로 인출하여 고정층(16)내에 위치시킨 광섬유 센서의 단면을 나타내는 도면이다.
도 3a 및 도 3b을 참조하면, 이 경우 고정층(16)내에 복수개의 개별 광섬유 센서(10`)가 위치한다. 상기 복수의 개별 광섬유 센서(10`)는 각각 클래딩층, 차폐층, 코어층, 공극부로 이루어진다. 개별 광섬유 센서(10`)에서 코어층이 센싱부로 활용되기 때문에 차폐층은 서로 인접한 개별 광섬유 센서의 공극부간의 누화(Cross-talk)를 줄이고 개별 센싱부의 신호 간섭을 최소화하여 센싱 효율을 높일 수 있다.
상기 고정층(16)내에는 복수개의 광섬유 센서(10`)를 위치시켜 하나의 광섬유 다발의 형태로 인출할 수 있다. 이 경우 상기 고정층(16)은 내부에 다공성 구조를 갖춤으로써 동일 감지요소에 대해 여러 채널로 센싱 특성을 평가하여 센서의 재현성을 확보할 수 있고 각각의 공극부에 다른 물질을 감지할 수 있는 형태로 구성하여 한번에 여러 물질을 감지할 수 있다. 바람직하게는 상기 개별 광섬유 센서(10`)로 이루어진 광섬유 센서 다발은 광섬유 중심을 기준으로 1채널, 주위에 허니콤 모양으로 6채널이 포함된 총 7채널일 수 있다. 더욱 바람직하게는 19채널일 수 있다.
도 3a를 참조하면, 상기 고정층(16)의 직경은 100 ㎛ 내지 600 ㎛일 수 있고, 바람직하게는 125 ㎛일 수 있다. 이는 단지 예시적인 것으로서, 고정층(16)의 형상, 크기 및/또는 광섬유 센서(10`) 다발의 배치는 광섬유 센서의 크기 및 용도 등을 고려하여 당업자에 의해 적절하게 결정될 수 있다.
본 발명의 코어층(11)에 존재하는 센싱 물질(14)은 Pt, Pd, Pd-In2O3 , Pd-Rb-In2O3, Au, Ag, Cu, Fe, Co 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 센싱 물질(14)은 코어층(11)에 도핑되며, 이들 중 적어도 일부가 공극부(13)에 노출될 수 있다. 상기 센싱 물질(14)들이 외부에서 가해지는 온도, 압력, 전기장, 자기장, 회전, 화학물질의 농도, 기계적인 움직임 등 거의 모든 종류의 물리량을 의미하는 특정 감지 요소에 반응하여 변화되는 광섬유 내부에서 전송되는 빛의 세기, 위상, 편광, 파장 등의 신호들을 측정하여 감지 요소를 측정한다.
이하, 본 발명에서 제시하는 각각의 센싱 물질(14)들이 어떠한 방법으로 감지 물질을 감지하는지 상세하게 설명한다.
상기 센싱 물질(14)은 표면 플라즈몬 공진(Surface Plasmon Resonance; SPR) 및/또는 표면 강화 라만 산란 (Surface enhanced Raman Scattering; SERS)을 발생시킬 수 있다. 광신호는 공극부(13)내 및/또는 코어층(11)내에서 전반사 되어 전파된다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 광섬유 센서가 다발의 형태로 고정층내에 위치하여 구성된 광섬유 센서의 경우에도 개별 광섬유 센서(10`)의 코어층 및/또는 공극부로 광신호가 전반사되어 전파될 수 있다.
도 1b를 참조하면 광신호가 코어층 내에서 전반사 되어 전파되는 경우, 특정 물질의 고유 굴절률을 측정하는 방식으로 공극부(13)에 감지 물질의 고유 굴절률에 따른 특정 표면 플라즈몬 공진 피크의 이동을 측정하여 감지물질의 유무 및 양 등을 검출할 수 있다.
도 7은 표면 플라즈몬 공진을 이용하여 서로 다른 굴절률을 갖는 매칭용액 활용한 결과를 나타내는 도면이다. 도 7을 참조하면 표준 물질의 굴절률을 알고 있는 상태에서 다른 용액들의 표면 플라즈몬 공진의 파장이 바뀌게 되어 감지물질의 유무 및 양 등을 검출할 수 있다.
도 1a를 참조하면 광신호가 공극부 내에서 전반사 되어 전파되는 경우, 라만 분광기(Raman Spectrometer)에서 발생된 광신호에 의한 라만 시프트 피크를 측정하는 방식으로 코어층에 존재하는 센싱 물질이 표면 공명 현상 및 센싱 효율을 증대시키는 원리에 의해 감지 물질의 라만 시프트 피크의 강도를 증대시켜 감지물질의 유무 및 양 등을 검출할 수 있다.
도 8은 표면 강화 라만 산란을 이용한 경우 물질에 따른 라만 피크의 차이점을 나타낸 도면이다. 도 8을 참조하면 감지 물질을 감지하면서 파장의 피크가 증가하여 감지물질의 유무 및 양 등을 검출할 수 있다.
본 발명의 일실시 형태로서, 센싱 물질(14)이 PT, Pd, Pd-In2O3 , Pd-Rb-In2O3 중 어느 하나이고 감지물질이 수소가스인 경우, 노출된 팔라듐과 수소가 반응하여 팔라듐의 전자구조를 변화 시키거나, 팔라듐 표면의 굴절률을 변화시켜 광흡수 특성의 변화를 유도하게 되어 이를 통해 수소가스 유무를 감지할 수 있다
또 다른 실시 형태로서 센싱 물질(14)이 Au, Ag, Cu, Fe, Co, Ni 중 어느 하나 인 경우 노출된 센싱 물질이 감지물질, 예를 들면 아세톤, 알콜, 메탄올 등 고유한 굴절률 값을 가지는 산업용 화학용액, 굴절률 메칭 용액 및 단백질 등이 있으며 각각의 고유 굴절률에 따라 표면 플라즈몬 파장이 달라지는 특성으로 감지물질을 감지할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 광섬유 센서(10, 10`)의 제조공정에 관하여 상세히 설명한다.
1) 먼저, 석영 유리관 내부에 클래딩층을 형성하고 CF4 또는 BCl3 등 음의 굴절률을 갖는 물질을 첨가하여 차폐층을 형성한다.
그리고 석영 유리관 내부에 적정 비율로 혼합된 SiCl4, POCl3, CF4 , GeCl4 및 산소를 혼합하여 코어층을 부분 소결층으로 형성시킨다. 상기 물질들은 광신호의 전송을 위해 굴절률을 높이는 물질이다.
여기서, 코어 층을 부분소결하는 이유는 유리 미립자 사이에 다량의 공극을 갖는 다공성 구조를 형성하여 이하의 용액 첨가법에 의한 금속 나노입자가 함유된 용액이 코어 층에 쉽게 침투 및 흡착되도록 하기 위한 것이다. 만약 소결을 전혀 수행하지 않을 경우에 이하의 용액 첨가법에 의한 도핑 단계에서 클래딩 층의 붕괴가 발생할 수 있다.
2) 그 다음, 용액 첨가법에 의해, 즉 금속 나노입자 또는 센싱 물질을 함유하는 용액을 석영 유리관 내부에 주입하여 코어 층의 부분 소결된 다공성 구조내에 금속 나노입자 또는 센싱 물질을 도핑한다.
여기서, 코어 층에 금속 나노입자 또는 센싱 물질을 도핑하는 단계는 도 4 내지 6에 나타낸 용액 도핑 장치에 의해 수행될 수 있다.
도 4를 참조하면, 코어 층을 부분 소결한 후에는 석영 유리관(1) 내부에 코어 층이 될 유리 미립자(2)가 증착된 석영 유리관(1)이 만들어지는데, 이 유리 미립자(2)가 증착된 석영 유리관(1)을 커넥터(3)를 사용하여 호스(4)에 연결하고 지면(5)에 수직이 되도록 설치한다. 이어서, 호스(4)를 사용하여 코어 층에 함유시킬 금속 나노입자 또는 센싱 물질이 함유된 용액(6)을 주입시키면 커넥터(3)를 통과하여 용액(6)이 석영 유리관(1) 내부로 채워진다.
이 상태에서 용액(6)이 수트 사이에 침투되도록 일정시간이 경과한 후 호스(4)를 통하여 용액(6)을 석영 유리관(1) 밖으로 배출시킨다. 대부분의 용액(6)은 호스(4)를 통하여 석영 유리관(1) 밖으로 배출되나, 용액(6)이 배출된 후에도 수트 사이의 공극에 용액(6)의 일부가 수트에 흡착되어 남게 되며 이를 통하여 원하는 금속 나노입자 또는 센싱 물질이 코어 층에 도핑된다.
앞서 설명한 수직형 용액 첨가법 외에도 도 5 및 6에 각각 나타내 바와 같은, 이 기술분야에서 이미 알려진 수평형 용액 첨가법 및 아토마이저를 이용한 용액 첨가법을 사용하여 도핑하는 것도 물론 가능하다.
3) 이렇게 금속 나노 입자 또는 센싱 물질이 도핑된 코어 층을 건조시킨 후 완전 소결한다.
4) 이에 내부의 코어층 내에 존재하는 센싱 물질들을 외부로 노출시키기 위해 내부 식각 공정을 수행할 수 있다. 이 에칭 단계를 통해 금속 나노입자 또는 센싱 물질이 함유된 코어 영역이 외부물질과 원할하게 접촉할 수 있게 된다. 바람직하게는 본 단계는 산성 용액(예를 들면 HF 용액)을 이용하여 수행될 수 있다.
5) 이 후, 광섬유 인출 장비를 통해 단일 공극부를 갖는 광섬유로 인출한다. 고온의 인출 과정, 바람직하게는 약 2150℃의 고온 광섬유 인출 공정을 통해 위에서 얻어진 광섬유 모재를 인출하여 예정된 코어와 클래딩 직경을 갖는 광섬유를 제조한다.
인출 시 공극부의 직경 조절을 위해 광섬유 인출 온도를 조절하며, 인출 온도를 낮추면 광섬유 공극부의 직경을 넓일수 있다.
6) 그리고 바람직하게는 광섬유 인출 과정에서 금속 나노입자 또는 센싱 물질에 의한 표면 플라즈몬 공명 효과 및 기타 센싱 효과를 극대화하기 위해, 클래딩 층의 굴절률 보다 낮은 굴절률을 갖는 저굴절률 폴리머(Low-index polymer) 코팅으로 클래딩 층을 코팅하여 광신호의 전송 효율을 증대시킬 수 있다.
7) 추가적으로, 고정층 내에 복수개의 광섬유 센서 다발을 포함하는 광섬유를 제조하기 위해서는 제조된 단일 공극부를 갖는 광섬유 모재를 MCVD 및 DT를 이용하여 광섬유 모재 인출 공정을 수행하여 작은 직경을 갖는 광섬유 모재로 길이 방향으로 늘인다.
8) 이후, 이렇게 연신된 단일 공극부를 갖는 광섬유 모재를 허니콤 모양으로 쌓아서 하나의 형태로 구성하여 광섬유 인출 장비인 DT를 통해 하나의 형태를 갖는 광섬유로 인출한다. 이때 연신된 개별의 공극부를 갖는 광섬유 모재들을 큰직경을 갖는 고정층 내에 삽입하여 광섬유로 인출한다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 광섬유 센서
10`: 고정층에 포함되는 광섬유 센서
11: 코어층
12: 클래딩층
13: 공극부
14: 센싱 물질
15: 차폐층
16: 고정층

Claims (7)

  1. 복수개의 광섬유 센서부의 다발을 포함하는 광섬유 센서로서,
    각 광섬유 센서부는 다발 형태로 고정층 내에 형성되며,
    상기 광섬유 센서부는
    코어층;
    상기 코어층을 둘러싸는 클래딩층;
    상기 코어층과 상기 클래딩층 사이에 위치한 차폐층;
    상기 코어층에 길이방향으로 위치하는 공극부; 및
    상기 코어층에 위치하며, 상기 공극부를 지나는 감지물질을 센싱하는 센싱부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 센서.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 광섬유 센서 다발은 허니콤 구조인 것을 특징으로 하는 광섬유 센서.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 센싱부는 공극부에 노출되는 것을 특징으로 하는 광섬유 센서.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 공극부의 단면 직경은 100 ㎛ 이하, 코어층의 너비는 1 ㎛ 내지 3 ㎛, 차폐층의 너비는 10 ㎛ 내지 20 ㎛ 및 클래딩층을 포함한 광섬유 직경은 125 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 광섬유 센서.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 센싱 물질은 Pt, Pd, Pd-In2O3, Pd-Rb-In2O3, Au, Ag, Cu, Fe, Co 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 광섬유 센서.
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