KR101429524B1 - 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법 및 이에 적용하기 위한 디퓨저 - Google Patents

Abstract

본 발명에 의한 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법은,
기판 위에 감광제를 도포하는 단계; 마스크의 패턴을 형성하는 단계; 빛을 조사하는 단계; 현상액을 이용하여 상기 감광제에 3차원 구조를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 빛을 조사하는 단계가 두 종류 이상의 디퓨저에서 산란된 빛이 상기 마스크를 통해 상기 감광제에 조사되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 형태에 의한 디퓨저는, 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법에 적용되는 디퓨저로서, 상기 디퓨저가 두 종류 이상의 디퓨저가 겹쳐진 것을 특징으로 한다.
본 발명은 복합적으로 이루어진 빛을 이용하기 때문에 기존의 디퓨저 리소그래피에 비해 얇은 두께와 낮은 경사도를 가지는 다양한 3차원 구조를 구현할 수 있는 효과가 있다.
또 본 발명은 종래의 기술들에 비하여 간단한 설비를 통해서 단면이 경사진 3차원 미세구조를 구현할 수 있는 효과가 있다.본 발명은 리소그래피 공정을 이용하기 때문에 대량 생산이 가능한 효과가 있다.

Description

디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법 및 이에 적용하기 위한 디퓨저{FABRICATION METHOD FOR 3D MICRO STRUCTURE BY DIFFUSER LITHOGRAPHY TECHNOLOGY AND DIFFUSER APPLIED FOR THE METHOD}

본 발명은 리소그래피 공정에 관한 것으로서, 자세하게는 3차원 미세구조를 형성하기 위한 리소그래피 공정과, 이에 적용하기 위한 디퓨저에 관한 것이다.

최근 반도체나 디스플레이 MEMS(micro electro mechanical system)등의 분야에서 다양한 3차원 구조를 형성하는 리소그래피 방법에 대한 연구가 활발히 일어나고 있다.

3차원 구조를 형성하는 종래의 기술 중에서 가장 대표적인 방법인 스테레오 리소그래피 공정은 래피드 프로토 타입이라고도 한다. 스테레오 리소그래피는 3차원 캐드를 바탕으로 빠르게 프로토 타입을 생성할 수 있는 기법이다. 스테레오 리소그래피 파일 형식은 여러 개의 얇은 층으로 구성되며, 기계의 층마다 프로토 타입의 층을 복제한다. 이 공정에서 액체 감광성 수지가 UV레이저 빔에 노출되어 경화가 되고, 프로토 타입이 후경화, 버링 가공 및 표면 처리과정을 거쳐서 3차원 구조를 만들게 되는데, 고가의 장비를 사용하여 막대한 비용이 소모되고, 시간이 오래 걸리는 단점들이 있어서 연구 분야에 제한적으로 사용되고 있다.

그레이톤(gray-tone) 리소그래피는 일반적인 그레이톤의 광학마스크를 사용하여 빛의 일부분만 투과시켜 투과된 양에 따라 감광제에 노광되는 깊이가 달라지게 되는 방법이다. 그레이톤 마스크 리소그래피 공정을 이용하여 형성된 3차원 구조는 곡면을 가지는 단면의 구현할 수 있지만 이 방법은 높은 에너지의 전자나 레이저 빔을 이용하기 때문에 장비 자체가 매우 고가이며, 이 장비에 필요한 마스크의 가격도 매우 높다. 또한, 스텝퍼와 같이 쓰이기 때문에 활용이 제한되어 있고 공정이 복잡하다.

또한 일반적인 리소그래피 공정은 기판 위에 형성된 감광성 폴리머 또는 레지스트 막을 기하학적인 구조를 가지는 포토 마스크를 통과한 자외선 혹은 그 외의 광에 노출시키고, 그 노출된 부분을 현상하는 과정을 통해 원하는 3차원 구조를 형성한다. 양성 감광성 레지스트를 사용한 경우에는 빛에 노출된 부분이 현상용액에 용해되어서 3차원 구조가 형성되고, 음성 감광성 레지스트를 사용한 경우에는 빛에 노출되지 않은 부분이 현상용액에 용해되어서 3차원 구조를 형성한다. 이러한 일반적 리소그래피 공정은 감광성 폴리머 또는 레지스트에 대한 노광 공정 단계에서 기판에 수직인 빛을 조사하므로 제조된 폴리머 또는 레지스트의 3차원 구조는 단면이 수직인 구조를 이루게 된다.(S. Wolf and R. N. Tauber, "Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 1 - Process Technology", Lattice Press, pp. 408, 1986)

이처럼 장방형 수직 구조를 갖는 폴리머 또는 레지스트의 3차원 구조는 갈수록 다양해지고 있는 반도체 공정 및 3차원 구조체에 대한 수요를 만족시킬 수가 없다. 다양한 반도체 기술이 발전되고, 다양한 응용이 필요해짐에 따라, 마이크로렌즈, 곡면의 금속 박막을 가지는 마이크로 스위치, 마이크로 플루이딕 채널 등 곡면을 갖는 폴리머 패턴 혹은 금속층을 형성시키는 기술 또한 그 필요성이 증가되고 있다.

이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 레지스트에 경사진 3차원 구조를 형성하는 리소그래피 방법이 Urquihart에 의해 발명되었다. (Andy Urguhart, Kam-Shui Chan, and Gregory D. Anderson, "Method for sloping the profile of an opening in resist", US Patent 4,912,022, 1990)

종래의 레지스트에 경사진 3차원 구조를 형성하는 방법에 관한 특허(미국특허 제4,912,022)는 일반적인 리소그래피 장치에서 빛의 진행 경로 중에 광원으로부터의 빛을 산란시키는 개체, 즉 유리 디퓨저를 놓음으로써, 노광 되는 빛을 산란시켜 레지스트에 단면이 경사진 3차원 구조를 형성한다. 그러나 이렇게 디퓨저를 이용하여 경사진 3차원 구조를 형성하는 리소그래피 방법은 정해진 빛의 산란 정도를 사용하여야 하므로 다양한 곡률을 가지는 3차원 구조를 형성하는데 제약이 있다. 또한, 한 번의 리소그래피 공정에서는 사용되는 디퓨저에 의한 빛의 산란 정도가 전 영역에 똑같이 결정되므로 전체 레지스트 구조에 모두 똑같은 경사를 가지는 3차원 구조만 형성할 수 있기 때문에 다양한 응용이 불가능한 단점이 있다.

한국공개번호 10-2004-0032514 한국공개번호 10-0643684 미국 등록특허 4,912,022

S. Wolf and R. N. Tauber, "Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 1 - Process Technology", Lattice Press, pp. 408, 1986.

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 3차원 미세구조 형성방법에 관한 것으로서, 디퓨저 리소그래피를 이용하여 3차원 미세구조를 형성하는 방법 및 이에 적용되는 디퓨저를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법은, 기판 위에 감광제를 도포하는 단계; 마스크의 패턴을 형성하는 단계; 빛을 조사하는 단계; 현상액을 이용하여 상기 감광제에 3차원 구조를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 빛을 조사하는 단계가 두 종류 이상의 디퓨저에서 산란된 빛이 상기 마스크를 통해 상기 감광제에 조사되는 것을 특징으로 한다.

상기 디퓨저는 가우시안 산란을 유발하는 디퓨저와 램버시안 산란을 유발하는 디퓨저를 포함한다.

상기 가우시안 산란을 유발하는 디퓨저는 불투명 유리 디퓨저이고, 상기 램버시안 산란을 유발하는 디퓨저는 오팔 유리 디퓨저인 것이 바람직하다.

이때, 불투명 유리 디퓨저가 오팔 유리 디퓨저보다 투과도가 훨씬 좋기 때문에, 불투명 유리 디퓨저를 오팔 유리 디퓨저보다 빛이 먼저 통과되는 위치에 놓는 것이 바람직하다.

상기 디퓨저들 사이의 이격 거리는 0인 것이 바람직하다.

디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조를 형성하기 위한 디퓨저는, 기판 위에 감광제를 도포하는 단계; 마스크의 패턴을 형성하는 단계; 디퓨저에서 산란된 빛이 상기 마스크를 통해 상기 감광제에 조사되는 단계; 현상액을 이용하여 상기 감광제에 3차원 구조를 형성하는 단계를 포함하는 3차원 미세구조 형성방법에 적용되는 디퓨저로서, 상기 디퓨저가 두 종류 이상의 디퓨저가 겹쳐진 것을 특징으로 한다.

본 발명은 복합적으로 이루어진 빛을 이용하기 때문에 기존의 디퓨저 리소그래피에 비해 얇은 두께와 낮은 경사도를 가지는 다양한 3차원 구조를 구현할 수 있는 효과가 있다.

또 본 발명은 종래의 기술들에 비하여 간단한 설비를 통해서 단면이 경사진 3차원 미세구조를 구현할 수 있는 효과가 있다.

본 발명은 리소그래피 공정을 이용하기 때문에 대량 생산이 가능한 효과가 있다.

도 1은 본 실시예에 따른 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법 공정도이다.
도 2는 도 1의 (b) 공정의 입체도이다.
도 3는 본 실시예에 사용된 포토 마스크 패턴 사진이다.
도 4은 본 실시예에 사용된 디퓨저의 광학현미경 사진이다.
도 5는 본 실시예와 비교예의 방법으로 형성된 3차원구조의 전계방출주사전자현미경(FE-SEM)사진이다.
도 6은 본 실시예와 비교예의 방법으로 형성된 3차원구조의 전계방출주사전자현미경(FE-SEM)사진이다.
도 7은 본 실시예와 비교예의 방법으로 형성된 3차원구조 단면의 전계방출주사현미경(FE-SEM)사진이다.

이하 본 발명에 따른 3차원 미세구조 형성방법을 구체적으로 설명한다.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조의 형성방법은 기판 위에 감광제를 도포하는 단계; 마스크의 패턴을 형성하는 단계; 빛을 조사하는 단계; 현상액을 이용하여 상기 감광제에 3차원 구조를 형성하는 단계를 포함하고,

상기 빛을 조사하는 단계가 두 종류 이상의 디퓨저에서 산란된 빛이 상기 마스크를 통해 상기 감광제에 조사되는 것을 특징으로 한다.

도 2는 도 1의 (b)공정의 입체도이다.

일련의 과정은 기존의 디퓨저 리소그래피를 이용한 과정과 유사하지만, 도 2에서 기존의 디퓨저 리소그래피와의 차별성을 확인할 수 있다. 첫 번째 디퓨저를 통과하면서 산란된 빛이 두 번째 디퓨저를 통과하면서 산란 되는 각도가 더욱 커지게 된다. 이렇게 큰 각도를 가지고 산란된 빛이 마스크를 통과하면, 기존의 일직선으로 통과하던 빛과는 다른 경로를 가지게 된다.

일 예로서, 가우시안 산란과 램버시안 산란이 복합적으로 이루어진 빛의 산란을 얻을 수 있으며, 이러한 원리 때문에 기존의 한 개의 디퓨저를 이용한 리소그래피에 비해 얇은 두께와 낮은 경사도를 가지는 다양한 모양의 3차원 구조를 구현할 수 있다.

도 1에서는 두 개의 디퓨저를 사용한 경우를 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 노광 장비에서 조사된 빛이 감광제에 작용할 수 있다면 두 개 이상의 디퓨저를 함께 사용할 수도 있다.

또한 도면에서는 디퓨저에 의한 빛의 산란을 표시하기 위하여 디퓨저를 이격시켜 표현하였으나, 디퓨저 사이의 간격은 다양하게 조절될 수 있으며, 광 소실을 최소화하기 위하여 이격거리를 0으로 할 수도 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 들어 설명하도록 한다.

실시예 1

도 1은 도 1은 본 실시예에 따른 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법 공정도이다.

먼저, 편평한 기판 위에 도 1의 (a)와 같이 3차원 구조 형성을 위한 감광제 층을 형성하기 위해 양성과 음성 감광제 각각을 약 10㎛-12㎛ 두께로 도포하였다. 감광제를 도포하는 공정은 300rpm 10초, 2000rpm 40초, 300rpm 10초의 순서로 수행하였다.

양성 감광제는 빛(주로 자외선)을 조사했을 때, 빛에 노출된 부분이 화학적인 분해로 인해 노광 후 현상액에 용해되어 패턴이 형성되는 감광제이다. 음성 감광제는 반대로 빛에 노출된 부분이 화학적으로 결합하여 현상액에 용해되지 않고 상대적으로 결합이 약한 노출 되지 않은 부분이 현상액에 용해되어 패턴을 형성하는 감광제를 말한다.

다음으로 감광제의 3차원 미세구조를 형성하기 위해 패턴이 형성된 포토 마스크를 준비한다.

도 3은 본 실시예에 사용된 포토 마스크 패턴사진이다.

도 3의 (a)는 30㎛크기 및 20㎛간격의 평행한 배열을 갖는 정사각형 어레이 패턴, 도 3의 (b)는 20㎛간격의 평행한 배열을 갖는 120㎛의 길이와 20㎛의 폭을 갖는 직사각형 어레이 패턴, 도 3의 (c)는 20㎛ 지름을 갖고 20㎛ 간격의 평행한 배열을 갖는 원 어레이 패턴, 도 3의 (d)는 한 변이 20㎛이고, 20㎛의 간격의 평행한 배열을 갖는 삼각형 어레이 패턴이다. 도형 패턴 영역은 노광 과정 중 빛을 차단해주는 부분이다. 이러한 각각의 패턴들은 수백 nm부터 수백 ㎛까지 다양한 크기의 마스크로 제작하여 3차원 구조 형성에 사용된다.

그리고 도 1의 (b)와 같이 노광 공정을 수행하였다. 노광 공정에서는 두 종류의 디퓨저를 통해 산란된 자외선 빛이 패턴이 형성된 포토 마스크를 통과하여 기판에 도포된 감광제에 조사된다.

본 실시예에서는 노광 장비로서 580-600mJ/cm²의 에너지를 가지는 광원을 사용였다. 그리고 본 실시예에서 사용된 두 종류의 디퓨저는 가우시안 산란을 유발하는 불투명 유리 120(NT45-656, Edmund Optics, USA) 디퓨저와, 램버시안 산란을 유발하는 오팔 유리(NT43-719, Edmund Optics, USA) 디퓨저이다. 불투명 유리 디퓨저의 광투과성이 오팔 유리 디퓨저의 광투과성보다 높기 때문에, 불투명 유리 디퓨저를 위쪽에 설치하여 광손실을 최소화하였다.

도 4는 본 실시예에 사용된 디퓨저의 광학현미경 사진이다.

도 4의 (a)는 불투명 유리 120 디퓨저이고, 이 불투명 유리 디퓨저를 이용하게 되면 가우시안 산란 효과를 낼 수 있다. 가우시안 산란 효과는 산란하는 빛의 세기가 0°에서 멀어지는 각도가 될수록 가우시안 분포를 나타내면서 감소하는 산란을 의미한다.

도 4의 (c)는 오팔 유리 디퓨저로서, 이 디퓨저를 이용하게 되면 램버시안 산란 효과를 낼 수 있다. 램버시안 산란은 빛의 세기가 코사인 각도에 정비례하여 감소하는 산란을 의미한다.

도 4의 (d)는 오팔 유리 디퓨저를 광학현미경을 이용하여 1000배의 배율로 측정한 사진이다. 이 사진을 통해 오팔 유리 디퓨저가 거친 표면이 있다는 사실을 확인할 수 있다.

도 1의 (c), (d)는 감광제에 3차원 구조를 전사하여 현상액을 이용하여 3차원 구조를 형성한 결과를 나타낸다. 3차원 구조를 만들기 위해 감광제를 용해시키는 현상액으로는 AZ 400K(AZ-EM, USA) 습식 현상액을 사용하였다. 도 1의 (c)는 음성 감광제를 이용하여 빛에 노출되지 않은 부분을 현상한 결과이고, 도 1의 (d)는 양성 감광제를 사용하여 빛에 노출되어 약해진 부분을 현상한 결과이다.

실시예 2

실시예 1에서와 3차원 미세구조 형성 방법의 공정 조건은 동일하게 하되, 두 종류의 디퓨저로서 가우시안 산란을 유발하는 불투명 유리 220 디퓨저와 램버시안 산란을 유발하는 오팔 유리 디퓨저를 이용하였다.

불투명 유리 120 디퓨저와 불투명 유리 220 디퓨저의 뒤에 붙어 있는 숫자는 불투명 유리 디퓨저 제작 시에 이용되는 입자의 크기에 대한 정보이다. 숫자의 역수가 입자의 크기를 표현하기 때문에 뒤의 숫자가 높을수록 더 작은 입자를 사용하였음을 의미한다. 도 4의 (b)는 불투명 유리 220 디퓨저의 사진이며, 도 4의 (a)와 (b)의 사진에서 불투명 유리 120 디퓨저가 불투명 유리 220 디퓨저보다 표면이 더 거친 것을 알 수 있다.

비교예

실시예 1에서와 3차원 미세구조 형성 방법의 공정 조건은 동일하게 하되, 하나의 디퓨저만을 사용하였으며, 디퓨저로는 불투명 유리 120 디퓨저(비교예 1), 불투명 유리 220 디퓨저(비교예 2) 및 오팔 유리 디퓨저(비교예 3)을 각각 사용하였다.

이하, 본 발명의 실시예들과 비교예들을 통해 효과를 확인한다.

도 5는 본 실시예와 비교예의 방법으로 형성된 3차원구조의 전계방출주사전자현미경(FE-SEM)사진이다.

도 5의 (a), (b), (c), (d), (e), (f)에 도시된 3차원 구조를 형성하기 위한 감광제로는 AZP 4620(AZ-EM, USA)감광제를 사용하였다. 도 5의 (a), (d)는 비교예 1의 방법으로 형성된 3차원 구조에 대한 사진이고, 도 5의 (b), (e)는 비교예 3의 방법으로 형성된 3차원 구조에 대한 사진이며, 도 5의 (c), (f)는 실시예 1의 방법으로 형성된 3차원 구조에 대한 사진이다.

도 5의 (a), (b), (c)에 도시된 3차원 구조는 도 3의 (c)의 패턴을 30㎛ 지름의 크기로 사용하였고, 도 5의 (d), (e), (f)에 도시된 3차원 구조는 도 3의 (b)의 패턴을 30㎛ x 120㎛ 크기로 사용하여 3차원 구조를 형성한 경우이다.

도 5의 (a), (d)에 도시된 3차원 구조는 완만한 굴곡을 가지는 구조이고, 도 5의 (b), (e)에 도시된 3차원 구조는 경사가 급한 굴곡 구조를 가진다. 이에 비해 도 5의 (c), (f)에 도시된 3차원 구조는 (a), (d)와 (b), (e)의 구조가 가지는 형상과는 다르게 얇은 두께와 낮은 경사도를 가지는 구조인 것을 확인할 수 있다.

도 6은 본 실시예와 비교예의 방법으로 형성된 3차원구조의 전계방출주사전자현미경(FE-SEM)사진이다.

도 6의 (a), (d)는 비교예 2의 방법으로 형성된 3차원 구조에 대한 사진이고, 도 6의 (b), (e)는 비교예 3의 방법으로 형성된 3차원 구조에 대한 사진이며, 도 6의 (c), (f)는 실시예 2의 방법으로 형성된 3차원 구조에 대한 사진이다. 도 6의 (c)의 구조는 도 6의 (a)와 (b)의 구조가 복합된 구조를 띄고 있는 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 6의 (f)의 구조도 도 6의 (d)와 (e)의 구조가 복합된 구조를 띄고 있는 것을 확인할 수 있다. 하지만, 이 구조는 도 5의 (e), (f)와는 또 다른 구조임을 확인할 수 있다. 이 결과 어떤 종류의 디퓨저를 사용하느냐에 따라 구현할 수 있는 3차원 구조가 달라지는 것을 의미한다.

도 7은 본 실시예와 비교예의 방법으로 형성된 3차원구조 단면의 전계방출주

사현미경(FE-SEM)사진이다.

도 7에 따르면, 도 7의 (a)는 도 5의 (f)사진에 나타난 3차원 구조의 단면을 측정한 사진이다. 사진에서 보이는 바와 같이 완만한 형태의 굴곡을 지니고 있으며 제일 높은 부분과 낮은 부분의 높낮이 차가 5㎛ 이하이다. 기존의 3차원 구조를 만드는 리소그래피 공정이나, 비교예 1과 비교예 2의 공정으로는 도 7의 (a), (b)와 같은 부드러운 곡면 구조를 구현하기가 어렵다.

도 7의 (b)는 도 6의 (f) 사진에 나타난 3차원 구조의 단면을 측정한 전계방출주사 현미경 사진이다. 사진에서 보이는 바와 같이 굉장히 완만한 형태의 굴곡을 지니고 있으며 제일 높은 부분과 낮은 부분의 높낮이 차가 1㎛ 이하이다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로

서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (14)

1. 기판 위에 감광제를 도포하는 단계;
   마스크의 패턴을 형성하는 단계;
   빛을 조사하는 단계;
   현상액을 이용하여 상기 감광제에 3차원 구조를 형성하는 단계를 포함하고,
   상기 빛을 조사하는 단계가 두 종류 이상의 디퓨저에서 산란된 빛이 상기 마스크를 통해 상기 감광제에 조사되고, 상기 디퓨저들은 가우시안 산란을 유발하는 디퓨저와 램버시안 산란을 유발하는 디퓨저를 포함하는 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법.
2. 삭제
3. 청구항 1항에 있어서,
   상기 가우시안 산란을 유발하는 디퓨저는 불투명 유리(ground glass)디퓨저인 것을 특징으로 하는 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법.
4. 청구항 1항에 있어서,
   상기 램버시안 산란을 유발하는 디퓨저는 오팔 유리(opal glass)디퓨저인 것을 특징으로 하는 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법.
5. 청구항 1항에 있어서,
   상기 빛을 조사하는 단계에서 램버시안 산란을 유발하는 디퓨저보다 가우시안 산란을 유발하는 디퓨저에서 빛이 먼저 산란되는 것을 특징으로 하는 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세 구조 형성방법.
6. 청구항 1항에 있어서,
   상기 디퓨저들 사이의 이격 거리는 0인 것을 특징으로 하는 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법.
7. 청구항 1항에 있어서,
   상기 마스크의 패턴은 사각형, 원형, 삼각형, 육각형에서 선택된 어느 하나 의 모양인 것을 특징으로 하는 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법.
8. 삭제
9. 청구항 1항에 있어서,
   상기 감광제는 0.1㎛에서 100㎛ 범위의 두께로 도포되는 것을 특징으로 하는 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법.
10. 청구항 1항에 있어서,
    상기 감광제는 양성 또는 음성 감광제인 것을 특징으로 하는 디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법.
11. 삭제
12. 삭제
13. 삭제
14. 삭제

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