KR101427532B1 - Lift-pin structure of electrostatic chuck - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 정전척 리프트 핀 구조에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 안정적인 정전척 구현이 가능하며, 특히 잔류 전하를 매우 효과적으로 배출 수 있는 정전척 리프트 핀 구조에 관한 것이다.
The present invention relates to an electrostatic chuck lift pin structure, and more particularly, to an electrostatic chuck lift pin structure capable of stable electrostatic chucking and particularly capable of discharging residual charges very effectively.
근래에 들어 과학이 발달함에 따라 새로운 물질의 개발 및 처리를 가능하게 하는 신소재 분야가 급속도로 발전하였고, 이러한 신소재 분야의 개발 성과물은 반도체 산업의 비약적인 발전 원동력이 되고 있다.In recent years, with the development of science, the field of new materials that enables the development and processing of new materials has developed rapidly, and the development results of these new materials have become the driving force of the semiconductor industry.
이러한 반도체 소자란, 웨이퍼의 상면에 수차례에 걸친 박막의 증착 및 이의 패터닝 등의 처리공정을 통해 구현되는 고밀도 집적회로(LSI: Large Scale Integration)로서, 이러한 박막의 증착 및 패터닝 등의 공정은 통상 밀폐된 반응 용기인 챔버의 내부에서 진행된다.Such a semiconductor element is a high-density integrated circuit (LSI: Large Scale Integration), which is realized through a process such as deposition of a thin film several times on the upper surface of a wafer and patterning thereof, and processes such as deposition and patterning And proceeds inside the chamber, which is a closed reaction vessel.
이에 낱장으로 공급되는 웨이퍼를 고정하는 척(chuck)을 챔버의 내부에 설치하여 공정진행을 가능하게 하는데, 이러한 척은 그 중심부에서 진공을 웨이퍼에 가해 고정하는 배큠척(vacuum chuck) 또는 직류전압을 인가하여 정전장을 형성하고, 이러한 정전장과 웨이퍼와의 정전상호 작용으로 이를 고정하는 정전척(electrostatic chuck)등이 활용되고 있다.In this case, a chuck for fixing a wafer to be supplied as a sheet is installed inside the chamber to allow the process to proceed. Such a chuck is provided with a vacuum chuck or a DC voltage And an electrostatic chuck for fixing the electrostatic field by electrostatic interaction between the electrostatic field and the wafer is utilized.
이 중 특히 정전척은 다른 여타의 척에 비해 우수한 특징을 가지고 있어 현재 에칭장치 또는 화학적 기상증착장치 등에 널리 사용되고 있는데, 한편 전술한 챔버 내에서 진행되는 반도체 제조공정에 있어서 웨이퍼의 온도제어는 완성소자의 특성 즉, 반도체 소자의 균일도(Uniformity), 선폭(critical), 프로파일(profile) 및 재현성(repeatability) 등에 중요한 영향을 미치게 된다.In particular, the electrostatic chuck has excellent characteristics compared to other chucks and is widely used in etchers or chemical vapor deposition apparatuses. In the semiconductor manufacturing process in the chamber, Criticality, profile, and repeatability of the semiconductor device, that is, the characteristics of the semiconductor device.
도 1은 종래기술에 따른 일반적인 정전척 형태를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional electrostatic chuck type according to the prior art.
정전척(20)의 구성을 가지는 장비에서는 보통 3가지 스텝으로 나눠진다. 첫 번째 스텝은 웨이퍼(wafer)를 리프트 핀(Lift-pin ; 20) 위에 투입하는 공정이며, 두 번째 스텝은 Lift pin이 하강하면서 정전척에 의하여 웨이퍼가 처킹(Chucking)되는 공정이다. 세 번째 스텝의 공정은 정전척에 밀착되어 있는 웨이퍼를 Lift pin의 상승에 의해 디처킹(De-chucking)하는 공정이다.In the equipment having the configuration of the
Lift Pin은 전기적 도전성을 갖는 재질로 구성되어 있으며, 일반적으로 알루미늄, 니켈 등 금속으로 구성되어 있다. 하지만, Robot Hand에 의하여 정전척의 Lift Pin위에 Wafer가 올려지게 되고, Lift Pin이 하강하여 정전척에 안착될 때 Wafer의 위치 틀어짐이 발생한다. 위치 틀어짐을 방지하기 위해 일반적인 실리콘 O-ring을 사용할 경우, 디처킹 시 Pin과 연결된 Ground로 잔류 전하를 방전 하는데 방해가 될 수 있는 문제점이 있다.The Lift Pin is made of electrically conductive material and is usually made of metal such as aluminum or nickel. However, the Wafer is raised on the lift pin of the electrostatic chuck by the Robot Hand, and the position of the Wafer is shifted when the Lift Pin is lowered and is seated on the electrostatic chuck. When a general silicon O-ring is used to prevent positional shift, there is a problem that it may interfere with discharging the residual charge to the ground connected to the pin during dechucking.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 정전척의 처킹/디처킹을 구현할 때 웨이퍼는 위치 틀어짐을 방지하고, 잔류 전하의 배출을 원활히 구현할 수 있는 정전척의 리프트 핀 구조를 제공하고자 하는데 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a lift pin structure of an electrostatic chuck capable of preventing displacement of a wafer and smoothly discharging residual charges when chucking / dechucking of an electrostatic chuck is realized.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체 웨이퍼를 포함하는 산업용 부품의 제조를 위한 다수의 진공 공정에서 임의의 공정을 위해 웨이퍼나 부품을 핸들러 시스템을 이용하여 공급 공정을 진행하기 위해 적어도 하나 이상의 진공 챔버 영역과 상기 진공 챔버 영역 내에 구비되어 이송 작업을 구현하는 핸들러를 포함하고, 어느 하나의 상기 진공 챔버 영역에 구비되어 핸들러가 공급한 대상물을 승/하강 이동시키기 위해 구비되는 정전척을 포함하며, 상기 정전척 상부에 안착되는 웨이퍼를 처킹(Chucking)/디처킹(De-chucking)하는 리프트 구조에 있어서, 상기 리프트 핀은, 그라운드와 접속되며 승/하강 구동하는 외부 구동장치와 결합되는 베이스에 평면상 수직하게 적어도 두 개 이상 구비되는 포스트, 상기 포스트 상단으로 구비되며, 상기 포스트와 결합되어 선택적으로 높이 조절이 가능한 높이조절부, 상기 높이조절부 상부 표면에 구성되며, 웨이퍼를 처킹/디처킹할 때 직접 접하는 전도성 물질로 구성되는 미끄럼 방지부재;를 포함하여 구성되고, 상기 포스트와 높이조절부와 미끄럼 방지부재는 전도성 물질로써 웨이퍼에 잔류하는 전류를 상기 베이스를 통해 방출시키도록 구성되는 것을 특징으로 한다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device including at least one vacuum process for manufacturing an industrial component including a semiconductor wafer, And an electrostatic chuck provided in any one of the vacuum chamber areas and provided for moving up and down the object supplied by the handler, the electrostatic chuck being provided in the vacuum chamber area and the vacuum chamber area, And a chucking / de-chucking step of chucking / de-chucking the wafer placed on the electrostatic chuck, wherein the lift pin is connected to the ground and is connected to an external driving device for raising / At least two vertically arranged posts on the plane, and a top end of the post, And a non-skid member formed on the upper surface of the height adjusting unit and made of a conductive material that is in direct contact with the wafer when the wafer is chucked / de-chucked, And the post, the height adjuster, and the non-skid member are configured to discharge a current, which remains in the wafer, with the conductive material through the base.
또한, 상기 미끄럼 방지부재는, 오링(O-ring)으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the non-slip member is formed of an O-ring.
또한, 상기 오링(O-ring)은, 전도성 고분자 또는 금속 함유 합성수지로 구성된다.Further, the O-ring is composed of a conductive polymer or a metal-containing synthetic resin.
또한, 상기 높이조절부는, 상기 포스트와 나사 결합되며, 상기 높이조절볼트를 고정하기 위한 고정부재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The height adjusting unit may further include a fixing member screwed to the post and fixing the height adjusting bolt.
또한, 상기 고정부재는, 너트(nut)로 구성되는 것을 특징으로 한다.Further, the fixing member is formed of a nut.
또한, 상기 오링(O-ring)은, 체적 저항값이 0.01 내지 0.03Ω/cm의 값을 가지는 것을 특징으로 한다.Further, the O-ring has a volume resistance value of 0.01 to 0.03? / Cm.
또한, 상기 높이조절부, 포스트는 알루미늄(Al)로 구성되는 것을 특징으로 한다.
Further, the height adjusting portion and the post may be formed of aluminum (Al).
상기와 같이 구성되고 작용되는 본 발명은 진공 Aligner에서 정렬된 상태로 틀어짐 없이 Wafer를 정전척 위에 안착 시킬 수 있는 장점이 있다.The present invention constructed and operative as described above is advantageous in that the wafer can be placed on the electrostatic chuck without being misaligned in the aligned state in the vacuum aligner.
또한, 전도성 고분자나 전도성을 갖고 웨이퍼에 접촉하는 리프트 핀을 통해 De-chucking시 잔류 전하를 안정적으로 배출시킬 수 있는 장점이 있다.
In addition, there is an advantage that the residual charge can be stably discharged during de-chucking through conductive polymers or lift pins contacting the wafer with conductivity.
도 1은 종래기술에 따른 정전척과 리프트 핀(Lift-pin)에서 처킹(Chucking)/디처킹(Dechucking) 상태를 나타낸 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 정전척 리프트 핀이 적용된 정전척의 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 정전척 리프트 핀의 확대도,
도 4는 본 발명에 따른 정전척 리프트 핀 구조가 적용된 정전척의 정면도,
도 5는 본 발명에 따른 정전척 리프트 핀이 적용된 상태를 나타낸 평면도.1 is a cross-sectional view showing a chucking / dechucking state in an electrostatic chuck and a lift-pin according to the related art,
2 is a sectional view of an electrostatic chuck to which an electrostatic chuck lift pin according to the present invention is applied,
3 is an enlarged view of an electrostatic chuck lift pin according to the present invention,
4 is a front view of an electrostatic chuck to which an electrostatic chuck lift pin structure according to the present invention is applied;
5 is a plan view showing a state where an electrostatic chuck lift pin according to the present invention is applied.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 정전척 리프트 핀 구조의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the electrostatic chuck lift pin structure according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 정전척 리프트 핀 구조는, 반도체 웨이퍼를 포함하는 산업용 부품의 제조를 위한 다수의 진공 공정에서 임의의 공정을 위해 웨이퍼나 부품을 핸들러 시스템을 이용하여 공급 공정을 진행하기 위해 적어도 하나 이상의 진공 챔버 영역과 상기 진공 챔버 영역 내에 구비되어 이송 작업을 구현하는 핸들러를 포함하고, 어느 하나의 상기 진공 챔버 영역에 구비되어 핸들러가 공급한 대상물을 승/하강 이동시키기 위해 구비되는 정전척을 포함하며, 상기 정전척 상부에 안착되는 웨이퍼를 처킹(Chucking)/디처킹(De-chucking)하는 리프트 구조에 있어서, 상기 리프트 핀은, 그라운드와 접속되며 승/하강 구동하는 외부 구동장치와 결합되는 베이스에 평면상 수직하게 적어도 두 개 이상 구비되는 포스트, 상기 포스트 상단으로 구비되며, 상기 포스트와 결합되어 선택적으로 높이 조절이 가능한 높이조절부, 상기 높이조절부 상부 표면에 구성되며, 웨이퍼를 처킹/디처킹할 때 직접 접하는 전도성 물질로 구성되는 미끄럼 방지부재;를 포함하여 구성되고, 상기 포스트와 높이조절부와 미끄럼 방지부재는 전도성 물질로써 웨이퍼에 잔류하는 전류를 상기 베이스를 통해 방출시키도록 구성되는 것을 특징으로 한다.An electrostatic chuck lift fin structure in accordance with the present invention can be used in a number of vacuum processes for the manufacture of industrial components including semiconductor wafers to provide a wafer or component with a handler system for any process, And an electrostatic chuck provided in any one of the vacuum chamber areas and provided for moving up / down the object supplied by the handler, the vacuum chuck area including a vacuum chamber area and a handler for implementing a transfer operation, And a chucking / de-chucking step of chucking / de-chucking the wafer placed on the electrostatic chuck, wherein the lift pin is connected to the ground and is coupled to an external driving device for driving up and down At least two posts provided vertically on the plane, and a top of the posts, And a non-skid member formed on the upper surface of the height adjuster, the non-skid member being made of a conductive material that is in direct contact with the wafer when chucking / dechucking the wafer, The height adjusting portion and the non-slip member are configured to discharge a current, which remains in the wafer, with the conductive material through the base.
본 발명에 따른 정전척 리프트 핀 구조는, 웨이퍼를 처킹(Chucking)할 때 웨이퍼의 안정적인 위치 결정과 더불어 잔류 전하의 배출을 리프트 핀으로 안정하게 구현할 수 있는 정전척 리프트 핀(Lift-Pin) 구조를 제안하는데 목적이 있다.An electrostatic chuck lift pin structure according to the present invention is an electrostatic chuck lift pin structure capable of stably positioning a wafer when the wafer is chucked and capable of stably discharging residual electric charge with a lift pin There is a purpose to propose.
도 2는 본 발명에 따른 정전척(100) 리프트 핀(110)이 적용된 정전척의 단면도이다. 정전척 리프트 핀은 정전척의 하부측에서 위치하며, 정전척의 관통부를 관통하여 승강함으로써 정전척 상부의 웨이퍼를 처킹/디처킹하게 된다.2 is a cross-sectional view of an electrostatic chuck to which an
여기서 본 발명은 정전척의 웨이퍼를 처킹/디처킹할 때 승/하강되는 리프트 핀의 구조를 개선하여 웨이터의 틀어짐을 방지하고 안정적인 잔류 전하를 배출시킬 수 있는 정전척 시스템을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an electrostatic chucking system capable of improving the structure of a lift pin that is lifted or lowered when chucking / dechucking a wafer of an electrostatic chuck, thereby preventing the wafer from being twisted and discharging stable residual charges.
또한, 본 발명에 적용되는 정전척은 반도체 웨이퍼 프로세스에서 각각의 공정 진행을 위하여 해당 공정마다 웨이퍼를 투입시켜 공정을 완료하면서 다시 배출한 핸들러 시스템에 적용되는 것이 바람직하다. 핸들러 시스템에서 필수적으로 구성되는 장치는 진공 챔버로써, 진공 분위기 내에서 웨이퍼 생산하게 되며, 이를 위해 적어도 하나 이상의 진공 챔버 영역이 존재하며 구체적으로는, 진공 영역(진공 챔버 영역)을 종래와 대비하여 로드락(load-lock) 챔버, 트랜스퍼(transfer) 챔버, 메인 챔버로 명명하기로 하며, 본 발명에 따른 각각의 진공 챔버 영역은 하나의 챔버 내에 구성된다. 상기 로드락 챔버는 공정을 수행할 웨이퍼를 대기하는 챔버에 해당하며, 트랜스퍼 챔버는 본 발명에 따른 핸들러 장치가 위치한다. 그리고 메인 챔버는 다양한 공정 예를 들어, 스퍼터링(sputtering) 공정이나 검사 공정 등의 공정을 실질적으로 수행하는 공간에 해당한다. 이때, 진공 챔버 영역 내에서 공급된 웨이퍼를 처킹하기 위해 정전척이 구비되며, 상기 정전척으로 리프트 핀이 구비된다.In addition, the electrostatic chuck according to the present invention is preferably applied to a handler system in which a wafer is charged for each process for each process in the semiconductor wafer process, and then the process is completed and the wafer is discharged again. An apparatus which is essentially constituted in the handler system is a vacuum chamber, which produces wafers in a vacuum atmosphere. To this end, at least one vacuum chamber region is present and specifically a vacuum region (vacuum chamber region) A load-lock chamber, a transfer chamber, and a main chamber, and each vacuum chamber region according to the present invention is configured in one chamber. The load lock chamber corresponds to a chamber that waits for a wafer to be processed, and the transfer chamber is a handler apparatus according to the present invention. The main chamber corresponds to a space for practically performing various processes such as a sputtering process and an inspection process. At this time, an electrostatic chuck is provided for chucking the supplied wafer in the vacuum chamber region, and the electrostatic chuck is provided with a lift pin.
리프트 핀(Lift-pin ; 110)은 포스트 베이스(130)에 수직하게 설치되는 포스트(120)와 상기 포스트의 끝단에 결합되는 접촉팁(140), 상기 접촉팁 표면에 구비되어 웨이퍼 처킹 시 접촉하는 도전성 부재(160)를 포함하여 구성된다.The lift-
포스트 베이스(130)는 리프트 핀을 구성하기 위해 다수의 포스트를 지지하며 외부 구동장치에 의해 승/하강 구현된다. 상기 포스트는 이 포스트 베이스에 결합되며 바람직한 예로 적어도 3개 이상의 포스트가 균형을 이룰 수 있도록 배치되어 포스트 베이스는 그라운드(ground) 연결되어 정전 전하를 외부로 배출하게 된다.The
포스트(120)는 길이형상의 전도성 부재로 제작되며, 포스트 베이스에 수직하게 연결되는 구조를 가진다. 바람직하게 상기 포스트는 금속 중에서도 알루미늄(Al) 재질로 구성되어 처킹 시 상기 포스트는 승강하게 된다.The
접촉팁(140)은 상기 포스트의 상부 끝단에 구비되어 웨이퍼를 처킹할 때 지지하는 중간체로써, 포스트와 나사선으로 결합되는 구조를 가진다. 이것은 나사선 결합을 통해 포스트 베이스에 고정된 포스트로부터 길이 높이 조절이 가능함에 따라 보다 안정적인 처킹을 구현할 수 있다.The
상기 접촉팁(140)은 일측은 포스트의 상부면에 수직하게 가공 형성된 나사선에 결합될 수 있는 볼트 가공체 형상을 가지며, 타측으로는 소정의 직경을 가지는 원통체로 형성되었다. 상기 접촉팁도 마찬가지로 알루미늄체로 구성되어 웨이퍼의 잔류 전하를 신속하게 배출될 수 있도록 구성한다.sOne side of the
도 3은 본 발명에 따른 정전척 리프트 핀의 확대도이다.3 is an enlarged view of an electrostatic chuck lift pin according to the present invention.
도 3을 통해 좀 더 상세히 설명하면, 포스트 베이스에 수직하게 결합된 포스트의 상단부에 접촉팁(140)이 구성된다. 여기서 상기 접촉팁은 앞서도 설명한 바와 같이 상기 포스트에 나사 결합되는 구조를 가지기 때문에 높이 조절이 자유롭다.3, a
또한, 본 발명의 주요 기술적 요지로 상기 접촉팁 상부표면으로는 웨이퍼를 직접적으로 접촉하는 전도성 부재(160)가 더 구성된다. 상기 전도성 부재(160)는 일종의 오링(O-ring)으로써, 전도성 고분자나 금속입자를 함유한 수지계로 구성될 수 있다.Further, as a main technical point of the present invention, the contact tip upper surface is further constituted by a
상기 접촉팁 표면으로 구성되는 전도성 부재의 오링은 마찰계수를 가지는 구성으로써, 실리콘 웨이퍼를 처킹/디처킹할 때 틀어짐을 방지함과 동시에 전도성 소재로 구성됨에 따라 웨이퍼의 잔류 전하를 고전도로 배출시킬 수 있는 장점이 있는 것이다.The O-ring of the conductive member constituted by the contact tip surface has a coefficient of friction. When the chucking / dechucking of the silicon wafer is prevented, the O-ring is made of a conductive material and the residual charge of the wafer can be discharged There is an advantage that it has.
여기서, 상기 오링의 체적 저항은 0.01 내지 0.03Ω/cm의 특성을 갖는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the volume resistance of the O-ring has a characteristic of 0.01 to 0.03? / Cm.
한편, 상기 나사 결합되는 접촉팁은 높이를 고정할 수 있는 너트로 구비되는 고정부(150)가 더 구비된다. 상기 고정부는 너트로 준비됨에 따라 볼트로 가공된 접촉팁에 우선적으로 결합된 후 접촉팁이 포스트에 결합된다. 따라서, 포스트에 결합되는 깊이를 상기 고정부(150)로 구속함으로써 견고하고 정밀한 결합이 가능하고 고정밀 웨이퍼 산업에서 정밀 처킹/디처킹이 가능한 것이다.In addition, the
도 4는 본 발명에 따른 정전척 리프트 핀 구조가 적용된 정전척의 정면도이다. 앞서도 설명한 바와 같이 정전척 하부에 위치하여 승강 구동하는 포스트베이스에 3개의 포스트가 결합되고, 상기 포스트의 상부 끝단에 접촉팁(140)과 여기에 오링(160)이 구비되는 것이다.
4 is a front view of an electrostatic chuck to which an electrostatic chuck lift pin structure according to the present invention is applied. As described above, three posts are coupled to the post base, which is located at the lower part of the electrostatic chuck, and the
도 5는 본 발명에 따른 정전척 리프트 핀이 적용된 상태를 나타낸 평면도이다. 도 5에서와 같이 Load lock에 진공 Aligner를 구성하여, 진공Aligner → 진공 Robot → 정전척(Stage)까지 이동하는 System에서는 Wafer가 정전척에 안착되어 검사 공정을 사용하는 시스템을 나타낸 것이다.5 is a plan view showing a state where an electrostatic chuck lift pin according to the present invention is applied. As shown in FIG. 5, in a system in which a vacuum aligner is formed in a load lock, and the vacuum aligner is moved from a vacuum robot to an electrostatic chuck, a wafer is placed on the electrostatic chuck to use the inspection process.
진공 Robot → 정전척(Stage)으로 이송되어 정전척에 위치 틀어짐이 없이 안착하게 해주는 구성을 도 4에서 나타내었다. 그 동작의 구성 : 진공Aligner → 진공 Robot → Pin up 상태에서 Wafer Loading → Pin down → ESC Chucking→ Pin up(De-chucking) 배출은 역순으로 진행된다. c. 그림 2.1.3은 Wafer의 잔류 전하를 신속하게 방전할 수 있도록 접지를 연결했다는 걸 도시한 것이다.The vacuum robot is transferred from the vacuum robot to the electrostatic chuck so as to be placed on the electrostatic chuck without being misaligned. Configuration of operation: Vacuum Aligner → Vacuum Robot → Wafer Loading → Pin down → Pin down → ESC Chucking → Pin up (De-chucking) c. Figure 2.1.3 shows that the ground is connected so that the residual charge of the wafer can be discharged quickly.
이와 같이 구성되는 본 발명은 우선적으로 웨이퍼와 접촉하여 처킹/디처킹을 구현하는 리프트 핀 끝단으로 임의의 마찰계수와 도전성을 가지는 오링을 설치함으로써 웨이퍼의 틀어짐을 방지할 수 있고, 전도성 오링으로 인해 잔류 전하를 안정적으로 배출할 수 있는 장점이 있다.According to the present invention configured as described above, it is possible to prevent the wafer from being tilted by providing an O-ring having an arbitrary friction coefficient and conductivity at the tip of the lift pin which is first brought into contact with the wafer to implement chucking / dechucking, There is an advantage that the charge can be stably discharged.
또한, 구조가 간소하여 제작의 용이성, 제조비용의 만족성을 제고한다.In addition, the structure is simple, thereby enhancing the ease of manufacture and the satisfaction of the manufacturing cost.
이상, 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. On the contrary, those skilled in the art will appreciate that many modifications and variations of the present invention are possible without departing from the spirit and scope of the appended claims. And all such modifications and changes as fall within the scope of the present invention are therefore to be regarded as being within the scope of the present invention.
100 : 정전척
110 : 리프트 핀
120 : 포스트
130 : 포스트 베이스
140 : 높이조절볼트
150 : 고정부
160 : 전도성 부재100: electrostatic chuck
110: Lift pin
120: Post
130: Post base
140: height adjustment bolt
150:
160: conductive member
Claims (7)
상기 리프트 핀은,
그라운드와 접속되며 승/하강 구동하는 외부 구동장치와 결합되는 베이스에 평면상 수직하게 적어도 두 개 이상 구비되는 포스트;
상기 포스트 상단으로 구비되며, 상기 포스트와 결합되어 선택적으로 높이 조절이 가능한 높이조절부;
상기 높이조절부 상부 표면에 구성되며, 웨이퍼를 처킹/디처킹할 때 직접 접하는 전도성 물질로 구성되는 미끄럼 방지부재;를 포함하여 구성되고,
상기 포스트와 높이조절부와 미끄럼 방지부재는 전도성 물질로써 웨이퍼에 잔류하는 전류를 상기 베이스를 통해 방출시키되,
상기 미끄럼 방지부재는 마찰계수와 도전성을 갖기위해 금속함유 합성수지로 만든 오링(O-ring)으로 구성되고,
상기 오링(O-ring)은, 체적 저항값이 0.01 내지 0.03Ω/cm의 값을 가지며,
상기 높이조절부는, 상기 포스트와 나사 결합되고, 높이조절볼트를 고정하기 위한 고정부가 더 포함되고,
상기 높이조절부의 상부에 배치되는 오링은, 안쪽은 빈공간이면서 원형의 테두리를 갖는 형상으로, 웨이퍼를 처킹할 때 안쪽은 웨이퍼와 접촉되지 않으면서 상기 테두리의 상단전체가 웨이퍼와 접촉되어 웨이퍼의 안정적인 위치결정과 잔류전하의 배출을 안정하게 구현하는 정전척 리프트 핀 구조.
A plurality of vacuum chambers and at least one vacuum chamber region are provided in the vacuum chamber region for carrying out a supply process using a wafer or a component handler system for any process in a plurality of vacuum processes for the manufacture of industrial components including semiconductor wafers And an electrostatic chuck provided in any one of the vacuum chamber areas and provided for moving the object supplied by the handler up and down, wherein the wafer placed on the electrostatic chuck is chucked In a lift pin structure for chucking / de-chucking,
The lift pin
A post which is connected to the ground and is coupled to an external driving device for driving up and down, at least two vertically disposed on the base;
A height adjuster provided at an upper end of the post and selectively adjustable in height by being coupled with the post;
And a non-skid member which is formed on the upper surface of the height adjuster and is made of a conductive material that is in direct contact with the wafer when chucking / dechucking the wafer,
The post, the height adjuster, and the non-slip member are made of a conductive material to release a current that remains in the wafer through the base,
The non-slip member is made of an O-ring made of a metal-containing synthetic resin to have a friction coefficient and conductivity,
The O-ring has a volume resistance value of 0.01 to 0.03? / Cm,
The height adjusting portion may further include a fixing portion for screwing the post and fixing the height adjusting bolt,
The O-ring disposed on the upper portion of the height adjuster has a hollow space and a circular rim shape. When the wafer is chucked, the inside of the O-ring is not in contact with the wafer and the entire top of the rim contacts the wafer, An electrostatic chuck lift pin structure that provides stable positioning and discharging of residual charge.
상기 높이조절부, 포스트는 알루미늄(Al)로 구성되는 것을 특징으로 하는 정전척 리프트 핀 구조.The method according to claim 1,
And the height adjusting portion and the post are made of aluminum (Al).
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|---|---|---|---|
| KR1020130089083A KR101427532B1 (en) | 2013-07-26 | 2013-07-26 | Lift-pin structure of electrostatic chuck |
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