KR101427091B1 - Atmospheric pressure plasma generating device and atmospheric pressure plasma device for treating the surface having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치에 관한 것으로, 하단부가 평탄한 반원형 또는 타원형 종단면형상을 가지는 전원전극; 상기 전원전극의 곡면형상의 측면부와 이격간격을 두고 설치되며 상기 전원전극과 반응하여 플라즈마를 생성하는 제1접지전극; 상기 전원전극의 평면형상의 하단부와 이격간격을 두고 설치되며 상기 전원전극과 반응하여 플라즈마를 생성하는 제2접지전극; 상기 전원전극과 제1접지전극간의 이격공간과, 상기 전원전극과 제2접지전극간의 이격공간 사이로 반응가스를 공급하는 가스공급포트; 상기 전원전극과 제1접지전극 사이의 이격공간 하부에 연통형성되며, 상기 전원전극의 일단부측에 위치되는 제1분사홀과, 상기 전원전극의 타단부측에 위치되는 제2분사홀이 구비되는 분사홀; 및 상기 제2접지전극의 전반에 상하로 관통형성되는 다수의 분사통공;을 포함하여 구성됨을 기술적 요지로 하여, 피처리대상물 전반에 걸쳐 안정적이고 균일한 처리가 이루어질 수 있으면서도 고효율의 플라즈마 표면처리가 가능한 구조의 상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an atmospheric-pressure plasma generating apparatus and an atmospheric-pressure plasma surface treating apparatus having the same, and more particularly, to a power supply electrode having a semicircular or oval-shaped vertical cross- A first ground electrode that is spaced apart from a curved side surface of the power electrode and generates plasma by reacting with the power electrode; A second ground electrode that is spaced apart from a lower end of the power supply electrode in a planar shape and generates plasma by reacting with the power supply electrode; A gas supply port for supplying a reactive gas between a space between the power electrode and the first ground electrode and a space between the power electrode and the second ground electrode; A first injection hole communicating with the lower portion of the space between the power electrode and the first ground electrode and positioned at one end of the power electrode and a second injection hole located at the other end of the power electrode, Injection hole; And a plurality of through-holes formed vertically through the first and second ground electrodes. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plasma processing apparatus comprises: And an atmospheric pressure plasma surface treatment apparatus having the same.

상압 플라즈마, 세정, 전원전극, 접지전극 Atmospheric pressure plasma, cleaning, power supply electrode, ground electrode

Description

상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치{Atmospheric pressure plasma generating device and atmospheric pressure plasma device for treating the surface having the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an atmospheric plasma generating apparatus and an atmospheric pressure plasma generating apparatus for treating the same,

본 발명은 상압 플라즈마 발생장치 및 상압 플라즈마 표면처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대기압하에서 방전에 의해 플라즈마를 발생시키고 외부로 분사하며 가공대상물의 표면을 처리할 수 있는 전극구조를 가지는 상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an atmospheric-pressure plasma generating apparatus and an atmospheric-pressure plasma surface treating apparatus, and more particularly, to an atmospheric-pressure plasma generating apparatus and an atmospheric-pressure plasma treating apparatus having an electrode structure capable of generating plasma by discharging under atmospheric pressure, Apparatus and an atmospheric pressure plasma surface treatment apparatus having the same.

일반적으로 FPD(Flat Panel Display) 및 반도체 기판 등을 생산하는 과정에서 기판 세정 공정을 필연적으로 거치게 되는데, 최근에는 건식 청정기술인 플라즈마 기술을 많이 사용하고 있으며, 이러한 플라즈마 기술의 하나로 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시켜 기판의 표면세정에 이용하는 상압 플라즈마 기술이 활발히 연구되고 있다.In general, a substrate cleaning process is inevitably carried out in the process of producing a flat panel display (FPD) and a semiconductor substrate. In recent years, plasma technology, which is a dry cleaning technology, is widely used. As one of such plasma technologies, Atmospheric pressure plasma technology used for cleaning the surface of a substrate has been actively studied.

이러한 상압 플라즈마 기술을 가지는 상압 플라즈마 장치에 대해 간단히 설명하기로 한다. 도 1은 일반적인 수직형 구조의 상압 플라즈마 세정장치를 도시한 개략도이다.An atmospheric pressure plasma apparatus having such an atmospheric plasma technique will be briefly described. 1 is a schematic view showing a general vertical type of atmospheric plasma cleaning apparatus.

상기 수직형 구조의 상압 플라즈마 세정장치는, 가스가 유전체의 충전 및 방전에 의해 플라즈마를 발생시키는 제1유전체(101)와 제2유전체(102) 사이에 형성되는 격벽 유전체 공간(105)으로 유입되며, 상기 제1유전체(101)와 제2유전체(102)는 평판형상으로 가스의 유입 및 플라즈마 분사방향에 대해 수직을 이루며 마주보고 있는 수직평행 대향형을 이루도록 설치되고, 제1유전체(101) 및 제2유전체(102)상에 교류전압을 인가하기 위해 제1유전체(101)상에 전원전극(104), 제2유전체(102)상에 접지전극(103)이 각각 형성된 구성을 가진다.In the atmospheric plasma cleaning apparatus of the vertical structure, the gas is introduced into the barrier dielectric space 105 formed between the first dielectric 101 and the second dielectric 102 generating plasma by charging and discharging the dielectric The first dielectric 101 and the second dielectric 102 are formed in a flat plate shape so as to form a vertically parallel opposing shape perpendicular to and perpendicular to the inflow of gas and the plasma injection direction, The power supply electrode 104 is formed on the first dielectric 101 and the ground electrode 103 is formed on the second dielectric 102 so as to apply an AC voltage on the second dielectric 102.

상기 종래기술에 의하면 가스를 상기 제1유전체(101) 및 제2유전체(102) 사이에 일정한 밀도를 유지하도록 공급하고 상기 제1유전체(101)와 제2유전체(102) 사이에서 생성된 플라즈마를 가스방출구(106)를 통해 하향분사함으로써, 상기 가스방출구(106) 하측에 설치된 이송장치(160)에 의해 일측으로 이송중인 피처리대상물(130)을 표면처리하게 된다.According to the prior art, a gas is supplied to maintain a constant density between the first dielectric 101 and the second dielectric 102, and a plasma generated between the first dielectric 101 and the second dielectric 102 The object to be processed 130 being transferred to one side is surface-treated by the transfer device 160 installed below the gas discharge port 106 by spraying downward through the gas discharge port 106.

상기 종래기술은 플라즈마의 분사면적이 이송장치에 의해 이송되는 가공대상물을 커버링할 수 있을 정도로 연장된 직선형상으로 형성된 구조를 가짐에 따라 액정표시장치패널(liquid crystal display panel)이나 반도체기판과 같이 평판형의 가공표면을 가지는 피처리대상물(130)을 처리하기에 적합하나, 상기 가스방출구(106)의 하측에 위치되는 상기 피처리대상물(130)의 일부만이 상기 제1유전체(101)와 제2유전체(102)가 형성하는 간격에 해당되는 폭으로 고압확산되는 플라즈마에 노출되어 처리가 이루어지게 되므로 상기 피처리대상물(130) 전반에 걸쳐 안정적이고 균일한 처리가 이루어지기 어렵다는 문제점이 있었다.The above-mentioned prior art has a structure in which the injection area of the plasma is formed in a linear shape extended to cover an object to be processed, which is conveyed by the transfer device, so that it can be used as a liquid crystal display panel The object to be processed 130 having a machining surface of the shape of the gas discharge port 106 is suitable for processing but the part of the object to be processed 130 located under the gas discharge port 106 is only partially processed by the first dielectric 101 Since the plasma is exposed to a high-pressure diffusion plasma with a width corresponding to the interval formed by the two dielectrics 102, it is difficult to perform a stable and uniform treatment throughout the object to be processed 130.

도 2에 도시된 바와 같은 Remote 타입의 상압 플라즈마 발생장치(200)는 상하부에 각각 위치한 제1유전체(210), 제2유전체(220)가 일정한 간극을 두고 설치되어 1개의 대형평행판 형태를 이룬다. 상기 제1유전체(210) 및 제2유전체(220)는 각각 전원전극(211) 및 접지전극(221)이 형성되어 있다. 그리고 제2유전체(220) 및 접지전극(221) 전반에는 제2유전체(220) 및 접지전극(221)을 관통하는 복수의 가스방출홀(223)이 형성되어 있다. 여기서, 가스방출홀(223)은 상기 제1유전체(210)와 제2유전체(220) 사이의 격벽유전체공간(230)에 유입된 반응가스로부터 생성된 플라즈마 가스 이온(양이온, 전자, 라디컬 등)이 세정대상물에 분사되게 한다.2, the remote type atmospheric-pressure plasma generator 200 has a first dielectric 210 and a second dielectric 220 disposed at upper and lower portions with a predetermined clearance to form one large parallel plate . The first dielectric 210 and the second dielectric 220 are formed with a power supply electrode 211 and a ground electrode 221, respectively. A plurality of gas discharge holes 223 penetrating the second dielectric 220 and the ground electrode 221 are formed in the second dielectric 220 and the ground electrode 221. The gas discharge holes 223 are formed in the barrier dielectric space 230 between the first and second dielectric layers 210 and 220. The plasma gas ions generated from the reactive gas introduced into the barrier dielectric space 230 between the first dielectric layer 210 and the second dielectric layer 220 ) Is sprayed onto the object to be cleaned.

상기 제1, 2유전체(210, 220) 전면에 걸쳐 결합형성된 상기 전원전극(211) 및 접지전극(221)에 의해 상기 격벽유전체공간(230)상에서 플라즈마가 전반에 걸쳐 고르게 형성되며, 상기 제2유전체(220) 및 접지전극(221) 전반에서 상기 가스방출구(223)를 통과하며 플라즈마 분사가 이루어지게 되고, 상기 제2유전체(220) 및 접지전극(221)에 인접한 위치로 이송된 피처리대상물을 세정시키게 된다.The plasma is uniformly formed over the entirety of the barrier dielectric space 230 by the power supply electrode 211 and the ground electrode 221 formed over the entire surface of the first and second dielectric layers 210 and 220, The plasma is injected through the gas discharge port 223 in the entirety of the dielectric 220 and the ground electrode 221 and the plasma is injected in the vicinity of the second dielectric 220 and the ground electrode 221, Thereby cleaning the object.

상기 Remote 타입의 상압 플라즈마 발생장치(200)에 의하면 미세하게 분산형성된 상기 가스방출홀(223)을 통해 피처리대상물 전반에 걸쳐 플라즈마 처리가 보다 안정적으로 이루어질 수 있으나, 이온형태가 아닌 라디컬형태로만 주로 외부 분사가 이루어지게 되므로 상기 수직형 상압 플라즈마에 비해 효율이 낮다는 문제점이 있었다.According to the remote type atmospheric plasma generator 200, plasma processing can be more stably performed throughout the object to be processed through the gas discharge holes 223 finely dispersed. However, There is a problem that efficiency is lower than that of the vertical atmospheric pressure plasma.

상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명은, 피처리대상물 전반에 걸쳐 안정적이고 균일한 처리가 이루어질 수 있으면서도 고효율의 플라즈마 표면처리가 가능한 구조의 상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems. It is an object of the present invention to provide an atmospheric-pressure plasma generator having a structure capable of performing stable and uniform treatment over an object to be treated, And an object thereof is to provide a processing apparatus.

상술한 바와 같은 목적 달성을 위한 본 발명은, 하단부(111)가 평탄한 반원형 또는 타원형 종단면형상을 가지는 전원전극(110); 상기 전원전극(110)의 곡면형상의 측면부(112)와 이격간격을 두고 설치되며, 상기 전원전극(110)과 반응하여 상기 전원전극(110)과의 이격공간 사이에 플라즈마를 생성하는 제1접지전극(120); 상기 전원전극의 평면형상의 하단부(111)와 이격간격을 두고 설치되며, 상기 전원전극(110)과 반응하여 상기 전원전극(110)과의 이격공간 사이에 플라즈마를 생성하는 제2접지전극(130); 상기 전원전극(110)과 제1접지전극(120)간의 이격공간과, 상기 전원전극(110)과 제2접지전극(130)간의 이격공간 사이로 반응가스를 공급하는 가스공급포트(140); 상기 전원전극(110)과 제1접지전극(120)이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 상기 전원전극(110)과 제1접지전극(120) 사이의 이격공간 하부에 연통형성되며, 상기 전원전극(110)의 일단부측에 위치되는 제1분사홀(151)과, 상기 전원전극(110)의 타단부측에 위치되는 제2분사홀(152)이 구비되는 분사홀(150); 및 상기 전원전극(110)과 제2접지전극(130)이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 상기 제2접지전극(130)의 전반에 상하로 관통형성되는 다수의 분사통공(160);을 포함하여 구성되는 상압 플라즈마 발생장치(100)를 기술적 요지로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a power supply electrode having a lower end portion having a flat semicircular or oval profile; A first ground electrode that is spaced apart from the curved side surface portion 112 of the power electrode 110 and generates plasma between the power electrode 110 and the power electrode 110, An electrode 120; A second ground electrode 130 installed at a distance from the lower end 111 of the planar electrode of the power electrode and generating plasma between the power electrode 110 and the space between the power electrode 110 and the power electrode 110, ; A gas supply port 140 for supplying a reactive gas between a space between the power electrode 110 and the first ground electrode 120 and a space between the power electrode 110 and the second ground electrode 130; The power electrode 110 and the first ground electrode 120 are communicated with each other at a lower portion of the space between the power electrode 110 and the first ground electrode 120 so that the generated plasma gas can pass therethrough, A spray hole 150 having a first spray hole 151 located at one end of the power electrode 110 and a second spray hole 152 located at the other end of the power electrode 110; And a plurality of spray holes (160) formed vertically through the second ground electrode (130) so that plasma gas generated by the reaction between the power electrode (110) and the second ground electrode (130) can pass therethrough. The plasma generating apparatus includes a plasma generating section for generating plasma from a plasma;

여기서, 상기 전원전극(110)은, 상기 제1분사홀(151)이 위치되는 일측면부와 상기 제2분사홀(152)이 위치되는 타측면부가 서로 동일한 반응면적과 플라즈마 가스 유동경로를 가지도록 상호 대칭되는 곡면형상을 가지는 것이 바람직하다.Here, the power electrode 110 may be formed such that one side portion where the first injection hole 151 is located and the other side portion where the second injection hole 152 is located have the same reaction area and a plasma gas flow path It is preferable to have a curved surface shape which is mutually symmetrical.

또한, 상기 전원전극(110)은, 상기 제1분사홀(151)이 위치되는 일측면부와 상기 제2분사홀(152)이 위치되는 타측면부가 서로 다른 반응면적과 플라즈마 가스 유동경로를 가지도록 상호 비대칭인 곡면형상을 가지는 것도 바람직하다.The power electrode 110 may be formed so that one side portion where the first injection hole 151 is located and the other side portion where the second injection hole 152 is located have different reaction areas and a plasma gas flow path It is also desirable to have a curved surface shape that is mutually asymmetric.

그리고, 상기 제1접지전극(120)은, 상기 전원전극의 측면부(112)와 일정한 이격간격을 형성하는 반원형 홀이 하단부에 형성된 사각형 종단면 형상을 가지며, 상기 제2접지전극(130)은, 상기 전원전극의 하단부(111)와 일정한 이격간격을 형성하는 납작한 평판형상을 가지는 것이 바람직하다.The first ground electrode 120 has a rectangular cross-sectional shape having a semicircular hole formed at a lower end portion of the power electrode to form a constant spacing distance from the side surface portion 112 of the power electrode, And has a flat plate shape having a constant spacing from the lower end 111 of the power electrode.

또한, 상기 전원전극(110), 제1접지전극(120), 제2접지전극(130) 중 적어도 어느 하나에는, 과열에 의한 손상을 방지하도록 냉각수 공급라인(170)이 형성 또는 접속설치되는 것이 바람직하다.At least one of the power supply electrode 110, the first ground electrode 120, and the second ground electrode 130 may be provided with a cooling water supply line 170 so as to prevent damage due to overheating desirable.

그리고, 상기 분사홀(150)은, 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)이 플라즈마 가스가 하향분사되도록 수직방향으로 연통형성되거나, 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)이 각각 상기 전원전극(110)을 기준으로 일측과 타측으로 경사지게 연통형성되는 것이 바람직하다.The first injection hole 151 and the second injection hole 152 may communicate with each other in a vertical direction so that the plasma gas is injected downward. The first injection hole 151 and the second injection hole 152 may communicate with each other. And the two injection holes 152 are formed so as to be inclined to one side and the other side with respect to the power source electrode 110, respectively.

또한, 상기 분사홀(150)은, 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)의 하단이 서로 다른 수직위치상에 형성되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the injection holes 150 are formed on the vertical positions where the lower ends of the first injection holes 151 and the second injection holes 152 are different from each other.

그리고, 본 발명은, 하단부(111)가 평탄한 반원형 또는 타원형 종단면형상을 가지는 전원전극(110); 상기 전원전극(110)의 곡면형상의 측면부(112)와 이격간격을 두고 설치되며, 상기 전원전극(110)과 반응하여 상기 전원전극(110)과의 이격공간 사이에 플라즈마를 생성하는 제1접지전극(120); 상기 전원전극의 평면형상의 하단부(111)와 이격간격을 두고 설치되며, 상기 전원전극(110)과 반응하여 상기 전원전극(110)과의 이격공간 사이에 플라즈마를 생성하는 제2접지전극(130); 상기 전원전극(110)과 제1접지전극(120)간의 이격공간과, 상기 전원전극(110)과 제2접지전극(130)간의 이격공간 사이로 반응가스를 공급하는 가스공급포트(140); 상기 전원전극(110)과 제1접지전극(120)이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 상기 전원전극(110)과 제1접지전극(120) 사이의 이격공간 하부에 연통형성되며, 상기 전원전극(110)의 일단부측에 위치되는 제1분사홀(151)과, 상기 전원전극(110)의 타단부측에 위치되는 제2분사홀(152)이 구비되는 분사홀(150); 상기 전원전극(110)과 제2접지전극(130)이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 상기 제2접지전극(130)의 전반에 상하로 관통형성되는 다수의 분사통공(160); 및 상기 제1분사홀(151), 제2분사홀(152)과 다수의 분사통공(160)을 통해 분사되는 플라즈마 가스에 피처리대상물(10)의 표면이 노출되도록 피처리대상물(10)을 이송하는 이송수단(200);을 포함하여 구성되는 상압 플라즈마 표면처리장치를 다른 기술적 요지로 한다.Further, the present invention provides a plasma display panel comprising: a power supply electrode (110) having a bottom portion (111) having a flat semicircular or oval profile; A first ground electrode that is spaced apart from the curved side surface portion 112 of the power electrode 110 and generates plasma between the power electrode 110 and the power electrode 110, An electrode 120; A second ground electrode 130 installed at a distance from the lower end 111 of the planar electrode of the power electrode and generating plasma between the power electrode 110 and the space between the power electrode 110 and the power electrode 110, ; A gas supply port 140 for supplying a reactive gas between a space between the power electrode 110 and the first ground electrode 120 and a space between the power electrode 110 and the second ground electrode 130; The power electrode 110 and the first ground electrode 120 are communicated with each other at a lower portion of the space between the power electrode 110 and the first ground electrode 120 so that the generated plasma gas can pass therethrough, A spray hole 150 having a first spray hole 151 located at one end of the power electrode 110 and a second spray hole 152 located at the other end of the power electrode 110; A plurality of spray holes 160 formed in the upper portion of the second ground electrode 130 so as to allow the generated plasma gas to pass through the reaction between the power electrode 110 and the second ground electrode 130; And the object to be treated 10 is exposed so that the surface of the object 10 is exposed to the plasma gas injected through the first injection hole 151 and the second injection hole 152 and the plurality of injection holes 160 And a transfer means (200) for transferring the transferred plasma.

상기와 같은 구성에 의한 본 발명은, 전원전극과 제1접지전극간의 반응에 의해 생성된 플라즈마 가스를 제1분사홀과 제2분사홀을 통해 분사가능하여 고효율의 플라즈마 표면처리가 가능하면서도, 전원전극과 제2접지전극간의 반응에 의해 생성된 플라즈마 가스를 다수의 분사통공을 통해 상기 제1분사홀과 제2분사홀 사이에서 분사시키며 피처리대상물 전반에 걸쳐 안정적이고 균일한 플라즈마 표면처리가 이루어질 수 있다는 효과가 있다.According to the present invention, plasma gas generated by a reaction between a power supply electrode and a first ground electrode can be injected through a first injection hole and a second injection hole to perform a high-efficiency plasma surface treatment, The plasma gas generated by the reaction between the electrode and the second ground electrode is injected through the plurality of spray holes between the first spray hole and the second spray hole and a stable and uniform plasma surface treatment is performed throughout the object to be treated Can be effective.

또한, 전원전극 측면부의 제1분사홀이 위치되는 일측부와 제2분사홀이 위치되는 타측부 각각의 곡률, 제1접지전극과의 대향 접속면적, 플라즈마 가스의 분사가 이루어지도록 최종가이드하는 하부의 표면형상과, 제1접지전극의 일측부와 타측부 및 제1분사홀과 제2분사홀 각각의 하단위치에 따라, 제1분사홀과 제2분사홀에서 분사되는 플라즈마 가스의 분사압력 및 면적, 각도를 다양하게 형성할 수 있다는 다른 효과가 있다.Further, the curvature of each of the one side portion where the first injection hole is located and the other side portion where the second injection hole is located, the opposing connection area with the first ground electrode, and the bottom The injection pressure of the plasma gas injected from the first injection hole and the second injection hole and the injection pressure of the plasma gas injected from the first injection hole and the second injection hole are changed according to the surface shape of the first ground electrode and the position of the other side, There is another effect that the area and the angle can be variously formed.

본 발명은 피처리대상물 전반에 걸쳐 안정적이고 균일한 처리가 이루어질 수 있으면서도 고효율의 플라즈마 표면처리가 가능하도록 하는 구조의 상압 플라즈마 발생장치(100)와, 상기 상압 플라즈마 발생장치(100)를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치를 기술적 요지로 하며, 이하에서는 본 발명에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 다양한 실시예를 들어 본 발명에 따른 상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다.The present invention relates to an atmospheric pressure plasma generator (100) having a structure capable of performing a stable and uniform treatment over an object to be treated and a high efficiency of plasma surface treatment, and an atmospheric pressure plasma generator The present invention will be described in more detail with reference to various embodiments of an atmospheric plasma surface treatment apparatus according to the present invention and an atmospheric pressure plasma surface treatment apparatus having the same according to the present invention. .

도 3, 4, 5, 6은 각각 본 발명에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 제1, 2, 3, 4실시예를 도시한 개략도이다.3, 4, 5 and 6 are schematic views showing first, second, third and fourth embodiments of the atmospheric plasma surface treatment apparatus according to the present invention, respectively.

본 발명에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치는, 대기압하에서 방전에 의해 플라즈마를 발생시키고 외부로 분사하며 가공대상물의 표면을 처리할 수 있는 전극구조를 가지는 플라즈마 발생장치를 구비한 표면처리장치로, 크게 상압 플라즈마 발생장치(100)와 이송수단(200)으로 이루어지며, 상기 상압 플라즈마 발생장치(100)는 전원전극(110), 제1접지전극(120), 제2접지전극(130), 가스공급포트(140), 분사홀(150), 분사통공(250)으로 이루어진 구조를 가지며, 상기 이송수단(200)은 상기 상압 플라즈마 발생장치(100)와 이격된 위치에서 상기 분사홀(150)과 분사통공(250)을 통해 분사되는 플라즈마 가스에 피처리대상물(10)을 노출시키면서 일측으로 이송가능한 구조를 가진다.An atmospheric pressure plasma surface treatment apparatus according to the present invention is a surface treatment apparatus having a plasma generating apparatus having an electrode structure capable of generating plasma by discharge under atmospheric pressure and spraying the plasma to the outside and treating the surface of the object to be processed, The atmospheric plasma generating apparatus 100 includes a power supply electrode 110, a first ground electrode 120, a second ground electrode 130, a gas supply port 130, Wherein the transfer means 200 has a structure in which the injection hole 140 and the injection hole 150 and the injection hole 250. The transfer means 200 is disposed at a position spaced apart from the atmospheric plasma generator 100, The plasma processing apparatus 100 has a structure capable of being transferred to one side while exposing the object 10 to the plasma gas injected through the plasma processing unit 250.

상기 전원전극(110)은 하단부(111)가 평탄한 반원형 또는 타원형 종단면형상을 가지고 수평방향으로 연장되는 반원형 빔과 같은 형상을 가지며, 상기 전원전극(110)의 측면부(112)와 하단부(111)는 각각 상기 제1접지전극(120), 제2접지전극(130)과 전기적으로 반응하여 플라즈마를 생성가능한 전기적 반응면적과, 반응가스 및 플라즈마 가스의 수직방향 유동과 수평방향 유동이 원활하게 이루어질 수 있도록 하는 가이드면을 제공한다.The power electrode 110 has the shape of a semicircular beam having a flat semicircular or elliptical vertical cross section and extending in the horizontal direction and the side and bottom portions 112 and 111 of the power electrode 110 The first and second grounding electrodes 120 and 130 are electrically connected to each other so that an electric reaction area capable of generating plasma and a vertical and horizontal flow of the reactive gas and the plasma gas can be smoothly performed. The guide surface is provided.

상기 제1접지전극(120)은 상기 전원전극(110)의 곡면형상의 측면부(112)와 일정한 이격간격을 두고 설치되고, 상기 전원전극(110)과 반응하여 상기 전원전극(110)과의 이격공간 사이에 플라즈마를 생성하며, 상기 제2접지전극(130)은 상기 전원전극(110)의 평면형상의 하단부(111)와 일정한 이격간격을 두고 설치되고, 상기 전원전극(110)과 반응하여 상기 전원전극(110)과의 이격공간 사이에 플라즈마를 생성한다.The first ground electrode 120 is spaced apart from the curved side surface 112 of the power electrode 110 by a predetermined distance and is spaced apart from the power electrode 110 in a reaction with the power electrode 110, The second ground electrode 130 is spaced apart from the planar lower end 111 of the power supply electrode 110 by a predetermined distance and reacts with the power supply electrode 110, And generates a plasma between the spaced apart spaces from the electrode (110).

상기 제1접지전극(120)과 제2접지전극(130)은 상기 전원전극(110)과 일정한 이격간격을 두고 설치되어 상기 전원전극(110)으로 공급되는 저주파 고전압 또는 고주파 저전압의 전원에 의해 상기 전원전극(110)과 전기적으로 반응함으로써, 상기 가스공급포트(140)를 통해 공급된 반응가스를 상기 전원전극(110)과 제1접지전극(120) 사이, 상기 전원전극(110)과 제2접지전극(130) 사이에서 각각 플라즈마 상태로 변환시키게 된다.The first ground electrode 120 and the second ground electrode 130 are spaced apart from the power supply electrode 110 by a predetermined distance and are connected to the power supply electrode 110 by a low- The reactive gas supplied through the gas supply port 140 is electrically connected to the power electrode 110 and the first ground electrode 120 and between the power electrode 110 and the second ground electrode 120, And the ground electrode 130, respectively.

상기 전원전극(110)이 상측으로 볼록하고 하단부(111)가 평탄한 형상을 가짐에 따라, 상기 제1접지전극(120)은 상기 전원전극의 측면부(112)와 일정한 이격간격을 형성가능한 크기와 형상의 반원형 홀이 하단부에 형성된 사각형 종단면 형상을 가지는 것이 바람직하며, 지정 압력과 생성률로 플라즈마 가스를 신뢰성있게 생성가능하다면 상기 전원전극(110)과 대향되지 않는 다른 부분의 형태는 무관하며, 상기 제2접지전극(130)은 상기 전원전극(110)의 하단부(111)와 일정한 이격간격을 형성하는 납작한 평판형상을 가지는 것이 바람직하다.Since the power electrode 110 is convex upward and the lower end 111 has a flat shape, the first ground electrode 120 may have a size and shape capable of forming a certain gap from the side surface 112 of the power electrode. It is preferable that the semicircular hole of the second electrode has a rectangular cross-sectional shape formed at the lower end thereof. If the plasma gas can be reliably generated at the specified pressure and generation rate, the shape of the other portion not facing the power electrode 110 is irrelevant, It is preferable that the ground electrode 130 has a flat plate shape having a constant spacing from the lower end 111 of the power supply electrode 110.

상기 전원전극(110), 제1접지전극(120), 제2접지전극(130)의 표면에는 각 전극사이의 절연을 확보하여, 플라즈마를 발생 및 유지시키는 유전체층이 형성되어 있으며, 본 발명에서 상기 전원전극(110), 제1접지전극(120), 제2접지전극(130)의 표면에 형성된 유전체의 소재와 부착 내지 코팅방법에 대해서는 처리대상물 및 사용조건에 따라 당업계의 공지기술 중에서 적합한 것을 선택적용을 하는 것이 바람직하며, 당업계 공지기술을 따르는 바 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.A dielectric layer is formed on the surfaces of the power supply electrode 110, the first ground electrode 120, and the second ground electrode 130 to secure insulation between the electrodes and to generate and maintain plasma. In the present invention, The material of the dielectric material formed on the surfaces of the power electrode 110, the first ground electrode 120, and the second ground electrode 130 and the method of applying or coating the dielectric material may be appropriately selected according to the object to be treated and the conditions of use It is preferable to apply selection, and a detailed description thereof will be omitted in accordance with the well-known techniques in the art.

상기 가스공급포트(140)는 상기 전원전극(110)과 제1접지전극(120)간의 이격공간과, 상기 전원전극(110)과 제2접지전극(130)간의 이격공간 사이로 반응가스를 공급가능하도록 상기 제1접지전극(120)상에 관통형성되며, 본 발명에서는 상기 전원전극(110)이 상측으로 볼록한 반원형 내지 타원형상을 가지고 플라즈마를 하향분사시키는 작동구조를 구현하게 됨에 따라, 상기 전원전극(110)의 상단부측으로 반응가스를 하향공급 가능하도록 형성시키는 것이 바람직하다.The gas supply port 140 may supply a reactive gas between the power electrode 110 and the first ground electrode 120 and between the power electrode 110 and the second ground electrode 130 In the present invention, the power supply electrode 110 has a semi-circular or elliptical shape convex upward, and an operation structure for spraying the plasma downward is realized. Accordingly, It is preferable that the reaction gas is formed so as to be downwardly supplied to the upper end side of the reaction tube 110.

상기 분사홀(150)은 상기 전원전극(110)과 제1접지전극(120)이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 상기 전원전극(110)과 제1접지전극(120) 사이의 이격공간 하부에 연통형성되며, 상기 전원전극(110)의 일단부측에 위치되는 제1분사홀(151)과, 상기 전원전극(110)의 타단부측에 위치되는 제2분사홀(152)로 이루어진다.The spray hole 150 is formed in the space between the power electrode 110 and the first ground electrode 120 so that the plasma gas generated by the reaction between the power electrode 110 and the first ground electrode 120 can pass therethrough. A first spray hole 151 positioned at one end of the power electrode 110 and a second spray hole 152 located at the other end of the power electrode 110. The first spray hole 151 is located at one end of the power electrode 110,

상기 분사통공(160)은 상기 전원전극(110)과 제2접지전극(130)이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 상기 제2접지전극(130)의 전반에 걸쳐 다수가 상하로 관통형성되며, 상기 이송수단(200)은 플라즈마 표면처리공정 중에 상기 제1분사홀(151), 제2분사홀(152)과 다수의 분사통공(160)을 통해 분사되는 플라즈마 가스에 피처리대상물(10)의 표면이 노출되도록 상기 피처리대상물(10)을 지정속도로 연속이송시킨다.A plurality of through holes 160 are formed through the second ground electrode 130 so that plasma gas generated by the reaction between the power supply electrode 110 and the second ground electrode 130 can pass therethrough. And the transfer means 200 is connected to the plasma gas injected through the plurality of injection holes 160 and the first injection hole 151 and the second injection hole 152 during the plasma surface treatment process, The object 10 is continuously fed at a specified speed so that the surface of the object 10 is exposed.

상기 전원전극(110)이 도 3에 도시된 제1실시예와 같이 상기 제1분사홀(151)이 위치되는 일측면부와 상기 제2분사홀(152)이 위치되는 타측면부가 상호 대칭되는 곡면형상을 가지도록 형성되고, 상기 제1접지전극(120)이 이에 대응되는 형상을 가지면, 상기 전원전극(110)의 일측면부와 타측면부가 서로 동일한 반응면적과 플라즈마 가스 유동경로를 형성하게 되어, 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)을 통해 동일한 압력 및 생성율로 변환된 플라즈마 가스를 외부로 분사시키게 된다3, the power electrode 110 has a curved surface in which the one side portion where the first injection hole 151 is located and the other side portion where the second injection hole 152 is located are symmetrical to each other When the first ground electrode 120 has a shape corresponding to the shape of the first ground electrode 120, one side surface and the other side surface of the power source electrode 110 form the same reaction area and plasma gas flow path, The plasma gas converted into the same pressure and production rate is injected to the outside through the first injection hole 151 and the second injection hole 152

상기 전원전극(110)이 도 4에 도시된 제2실시예와 같이 상기 제1분사홀(151)이 위치되는 일측면부와 상기 제2분사홀(152)이 위치되는 타측면부가 상호 비대칭인 곡면형상을 가지도록 형성되고, 상기 제1접지전극(120)이 이에 대응되는 형상을 가지면, 상기 전원전극(110)의 일측면부와 타측면부가 서로 다른 반응면적과 플라즈마 가스 유동경로를 형성하게 되어, 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)을 통해 각각 다른 압력 및 생성율로 변환된 플라즈마 가스를 외부로 분사시키게 된다.4, the power electrode 110 may be formed as a curved surface in which the one side portion where the first injection hole 151 is located and the other side portion where the second injection hole 152 is located are mutually asymmetric, When the first ground electrode 120 has a shape corresponding thereto, one side surface and the other side surface of the power source electrode 110 form a reaction gas area and a plasma gas flow path having different reaction areas, The plasma gas converted into different pressures and generation rates through the first injection holes 151 and the second injection holes 152 is injected to the outside.

도 3 및 도 4에 도시된 본 발명의 제1, 2실시예에서 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)은 수직방향으로 연통형성되고 동일한 수직위치에 하단이 위치되는 구조를 가짐에 따라, 플라즈마 가스를 수직하강되는 방향으로 하향분사시키게 되어 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)의 하단크기에 대응되는 면적에 걸쳐 보다 고효율로 플라즈마 처리를 수행가능하다.In the first and second embodiments of the present invention shown in FIGS. 3 and 4, the first injection hole 151 and the second injection hole 152 are communicated with each other in the vertical direction and the lower end is positioned at the same vertical position The plasma gas can be injected downward in the vertical direction so that plasma treatment can be performed with higher efficiency over the area corresponding to the size of the lower end of the first injection hole 151 and the second injection hole 152 Do.

상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)을 도 5에 도시된 제3실시예와 같이 각각 상기 전원전극(110)을 기준으로 일측과 타측으로 경사지게 연통형성되는 구조를 가지도록 형성하면, 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)을 통해 피처리대상 물(10)에 분사되는 플라즈마 가스의 분사 면적이 상기 제1, 2실시예 보다 넓게 형성될 수 있다. 따라서,수직형 플라즈마 구조에 의한 고효율을 가지면서도, 적절하게 저감시키며 플라즈마의 고압 처리면적을 보다 확장시킬 수 있다.The first injection hole 151 and the second injection hole 152 may be formed so as to have a structure in which they are formed so as to be inclined from one side to the other side with respect to the power source electrode 110 as in the third embodiment shown in FIG. The injection area of the plasma gas injected to the object 10 through the first injection hole 151 and the second injection hole 152 can be formed wider than those of the first and second embodiments . Therefore, it is possible to appropriately reduce the plasma efficiency while having a high efficiency by the vertical plasma structure, and to further expand the high pressure treatment area of the plasma.

도 6에 도시된 제4실시예와 같이 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)의 하단이 서로 다른 수직위치상에 형성되도록 하면, 상기 전원전극(110)의 일측면부와 타측면부가 서로 대칭되는 곡면형상을 가지는 경우에도, 상기 전원전극(110)의 일측면부와 타측면부가 서로 다른 반응면적과 플라즈마 가스 유동경로를 형성하게 되며, 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)의 분사각도를 서로 차별적으로 형성하며 플라즈마 표면처리에 적용시킬 수 있다.As shown in FIG. 6, when the lower ends of the first injection holes 151 and the second injection holes 152 are formed at different vertical positions, a side surface of the power source electrode 110, The first and the second side surfaces of the power supply electrode 110 and the side surface of the power supply electrode 110 form a reaction gas flow path and a plasma gas flow path different from each other, The injection angle of the two injection holes 152 can be differentiated and applied to the plasma surface treatment.

상기 전원전극(110), 제1접지전극(120), 제2접지전극(130)을 포함한 본 발명에 따른 상압 플라즈마 발생장치(100) 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치에서 상기 전원전극(110), 제1접지전극(120) 및 제2접지전극(130) 중 적어도 어느 하나에는, 피처리대상물(10)이 플라즈마 반응과정에서 발생되는 과열에 의해 손상되지않도록 냉각수(PCW, Process Cooling water)를 이용해 지정온도로 냉각 및 유지시키는 라디에이터의 냉각수 공급라인(170)이 내부에 관통형성되거나 표면에 접속되게 설치되는 것이 바람직하다.In the atmospheric pressure plasma generating apparatus 100 according to the present invention including the power supply electrode 110, the first ground electrode 120 and the second ground electrode 130 and the atmospheric pressure plasma surface treatment apparatus having the same, A process cooling water (PCW) is supplied to at least one of the first ground electrode 120 and the second ground electrode 130 to prevent the object 10 from being damaged by overheating generated during the plasma reaction process, It is preferable that a cooling water supply line 170 for cooling and maintaining the radiator at a predetermined temperature is formed through the inside or connected to the surface.

본 발명에 따른 상압 플라즈마 발생장치(100) 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치에 의하면, 상기 전원전극(110)과 제1접지전극(120)간의 반응에 의해 생성된 플라즈마 가스를 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)을 통해 분사가능하 여 기존의 수직형 플라즈마 발생장치의 이점인 고효율의 플라즈마 표면처리가 가능함과 동시에, 상기 전원전극(110)과 제2접지전극(130)간의 반응에 의해 생성된 플라즈마 가스를 상기 다수의 분사통공(160)을 통해 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152) 사이에서 분사시키며 피처리대상물 전반에 걸쳐 안정적이고 균일한 플라즈마 표면처리가 이루어질 수 있어 기존의 remote타입의 플라즈마 발생장치의 이점을 그대로 구현할 수 있다.According to the atmospheric-pressure plasma generating apparatus 100 and the atmospheric-pressure plasma surface treating apparatus having the same, the plasma gas generated by the reaction between the power supply electrode 110 and the first ground electrode 120 is supplied to the first plasma- The power supply electrode 110 and the second ground electrode 152 can be sprayed through the hole 151 and the second injection hole 152 to enable high-efficiency plasma surface treatment, which is an advantage of the conventional vertical plasma generator, 130) is sprayed between the first spray hole (151) and the second spray hole (152) through the plurality of spray holes (160), and the plasma gas generated by the reaction between the first spray hole A plasma surface treatment can be performed, and the advantage of the conventional remote type plasma generating apparatus can be realized as it is.

상기 전원전극(110) 측면부(112)의 상기 제1분사홀(151)이 위치되는 일측부와 상기 제2분사홀(152)이 위치되는 타측부 각각의 형상과, 상기 제1접지전극(120)의 일측부와 타측부 및 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152) 각각의 하단위치에 따라, 상기 제1분사홀(151)과 상기 제2분사홀(152)에서 분사되는 플라즈마 가스의 분사압력 및 면적, 각도를 다양하게 형성할 수 있다.A shape of each of the side portions of the side surface portion 112 of the power electrode 110 where the first injection hole 151 is located and the other side portion where the second injection hole 152 is located, The first injection hole 151 and the second injection hole 152 are formed in the first injection hole 151 and the second injection hole 152 in accordance with the lower end positions of the first injection hole 151 and the second injection hole 152, The injection pressure, the area, and the angle of the plasma gas can be variously formed.

이에 따라, 상기 전원전극(110)의 형태를 변경함으로써 피처리대상물의 처리조건에 맞추어 플라즈마 가스의 생성률 및 분사상태를 조정가능할 뿐 아니라, 동일한 형태의 상기 전원전극(110)을 이용함에 있어서도 상기 제1접지전극(120)의 형상 또는 상기 제1분사홀(151)과 제2분사홀(152)의 형성위치를 조정함으로써 피처리대상물의 처리조건에 맞추어 플라즈마 가스의 분사상태를 조정가능하다. Accordingly, by changing the shape of the power supply electrode 110, it is possible not only to adjust the generation rate and the spraying state of the plasma gas in accordance with the processing conditions of the object to be processed, but also to use the power supply electrode 110 of the same type, The position of the first ground electrode 120 or the position of the first spray hole 151 and the second spray hole 152 can be adjusted to adjust the spraying state of the plasma gas in accordance with the processing conditions of the object to be treated.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것이 아니고, 상기 실시예들을 기존의 공지기술과 단순 조합을 적용한 실시예와 함께 본 발명의 특허청구범위와 상세한 설명에서 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 변형하여 이용할 수 있는 기술은 본 발명의 기술범위 에 당연히 포함된다고 보아야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It is to be understood that the technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments.

도 1 - 일반적인 수직형 상압 플라즈마 세정장치를 도시한 개략도1 is a schematic view showing a general vertical atmospheric plasma cleaning apparatus;

도 2 - 일반적인 Remote타입의 상압 플라즈마 발생장치를 도시한 개략도2 is a schematic view showing a general remote type atmospheric pressure plasma generator;

도 3 - 본 발명에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 제1실시예를 도시한 개략도3 is a schematic view showing a first embodiment of an atmospheric plasma surface treatment apparatus according to the present invention

도 4 - 본 발명에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 제2실시예를 도시한 개략도4 is a schematic view showing a second embodiment of the atmospheric plasma surface treatment apparatus according to the present invention

도 5 - 본 발명에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 제3실시예를 도시한 개략도5 is a schematic view showing a third embodiment of the atmospheric plasma surface treatment apparatus according to the present invention

도 6 - 본 발명에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 제4실시예를 도시한 개략도6 is a schematic view showing a fourth embodiment of the atmospheric plasma surface treatment apparatus according to the present invention

<도면에 사용된 주요 부호에 대한 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE SYMBOLS USED IN THE DRAWINGS

10 : 피처리대상물 100 : 상압 플라즈마 발생장치 10: object to be processed 100: atmospheric pressure plasma generator

110 : 전원전극 111 : 전원전극의 하단부 110: power supply electrode 111: lower end of the power supply electrode

112 : 전원전극의 측면부 120 : 제1접지전극 112: side portion of the power supply electrode 120: first ground electrode

130 : 제2접지전극 140 : 가스공급포트 130: second ground electrode 140: gas supply port

150 : 분사홀 151 : 제1분사홀 150: injection hole 151: first injection hole

152 : 제2분사홀 160 : 분사통공 152: second injection hole 160: injection hole

170 : 냉각수 공급라인 200 : 이송수단170: Cooling water supply line 200:

Claims (9)

하단부가 평탄한 반원형 또는 타원형 종단면형상을 가지는 전원전극;A power supply electrode having a semicircular or oval-shaped vertical cross-sectional shape with a flat lower end; 상기 전원전극의 곡면형상의 측면부와 이격간격을 두고 설치되며, 상기 전원전극과 반응하여 상기 전원전극과의 이격공간 사이에 플라즈마를 생성하는 제1접지전극;A first ground electrode that is spaced apart from a side surface of the curved surface of the power electrode and generates plasma between the power electrode and the space between the power electrode and the power electrode; 상기 전원전극의 평면형상의 하단부와 이격간격을 두고 설치되며, 상기 전원전극과 반응하여 상기 전원전극과의 이격공간 사이에 플라즈마를 생성하는 제2접지전극;A second ground electrode that is spaced apart from a lower end of the planar shape of the power electrode and that generates plasma between the power electrode and the spaced space from the power electrode; 상기 전원전극과 제1접지전극간의 이격공간과, 상기 전원전극과 제2접지전극간의 이격공간 사이로 반응가스를 공급하는 가스공급포트;A gas supply port for supplying a reactive gas between a space between the power electrode and the first ground electrode and a space between the power electrode and the second ground electrode; 상기 전원전극과 제1접지전극이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 상기 전원전극과 제1접지전극 사이의 이격공간 하부에 연통형성되며, 상기 전원전극의 일단부측에 위치되는 제1분사홀과, 상기 전원전극의 타단부측에 위치되는 제2분사홀이 구비되는 분사홀; 및The plasma display apparatus of claim 1, wherein the plasma display apparatus further comprises: a plasma display panel having a first electrode and a second electrode, the plasma display panel comprising: And a second injection hole located on the other end side of the power source electrode; And 상기 전원전극과 제2접지전극이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 상기 제2접지전극의 전반에 상하로 관통형성되는 다수의 분사통공;A plurality of spray holes formed vertically in the front half of the second ground electrode so that the generated plasma gas can pass through the reaction between the power electrode and the second ground electrode; 을 포함하며,/ RTI &gt; 상기 전원전극은,The power supply electrode 상기 제1분사홀이 위치되는 일측면부와 상기 제2분사홀이 위치되는 타측면부가 서로 동일한 반응면적과 플라즈마 가스 유동경로를 가지도록 상호 대칭되는 곡면형상을 가지는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.Wherein at least one side surface of the first spray hole and a side surface of the second spray hole are symmetrical with respect to each other so that the first spray hole and the second spray hole have the same reaction area and a plasma gas flow path, respectively. 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 전원전극은,The plasma display apparatus according to claim 1, 상기 제1분사홀이 위치되는 일측면부와 상기 제2분사홀이 위치되는 타측면부가 서로 다른 반응면적과 플라즈마 가스 유동경로를 가지도록 상호 비대칭인 곡면형상을 가지는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.Wherein at least one side surface of the first spray hole and a side surface of the second spray hole have curved shapes that are mutually asymmetric so as to have a different reaction area and a plasma gas flow path. 제 1항에 있어서, 상기 제1접지전극은,The plasma display apparatus according to claim 1, wherein the first ground electrode 상기 전원전극의 측면부와 일정한 이격간격을 형성하는 반원형 홀이 하단부에 형성된 사각형 종단면 형상을 가지며,Wherein a semicircular hole forming a constant spacing from the side surface of the power electrode has a rectangular cross-sectional shape formed at a lower end thereof, 상기 제2접지전극은,Wherein the second ground electrode comprises: 상기 전원전극의 하단부와 일정한 이격간격을 형성하는 납작한 평판형상을 가지는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.And a flat plate shape having a constant spacing from a lower end of the power electrode. 제 1항에 있어서, 상기 전원전극, 제1접지전극 중 적어도 어느 하나에는,The plasma display apparatus of claim 1, wherein at least one of the power supply electrode and the first ground electrode includes: 과열에 의한 손상을 방지하도록 냉각수 공급라인이 형성 또는 접속설치되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.Wherein a cooling water supply line is formed or connected so as to prevent damage due to overheating. 제 1항에 있어서, 상기 분사홀은,The ink cartridge according to claim 1, 상기 제1분사홀과 제2분사홀이 플라즈마 가스가 하향분사되도록 수직방향으로 연통형성되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.Wherein the first injection hole and the second injection hole are vertically communicated so that a plasma gas is injected downward. 제 1항에 있어서, 상기 분사홀은,The ink cartridge according to claim 1, 상기 제1분사홀과 제2분사홀이 각각 상기 전원전극을 기준으로 일측과 타측으로 경사지게 연통형성되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.Wherein the first ejection hole and the second ejection hole are formed so as to be inclined from one side to the other side with respect to the power source electrode. 제 1항에 있어서, 상기 분사홀은,The ink cartridge according to claim 1, 상기 제1분사홀과 제2분사홀의 하단이 서로 다른 수직위치상에 형성되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.And the lower end of the first injection hole and the lower end of the second injection hole are formed on different vertical positions. 하단부가 평탄한 반원형 또는 타원형 종단면형상을 가지는 전원전극;A power supply electrode having a semicircular or oval-shaped vertical cross-sectional shape with a flat lower end; 상기 전원전극의 곡면형상의 측면부와 이격간격을 두고 설치되며, 상기 전원전극과 반응하여 상기 전원전극과의 이격공간 사이에 플라즈마를 생성하는 제1접지전극;A first ground electrode that is spaced apart from a side surface of the curved surface of the power electrode and generates plasma between the power electrode and the space between the power electrode and the power electrode; 상기 전원전극의 평면형상의 하단부와 이격간격을 두고 설치되며, 상기 전원전극과 반응하여 상기 전원전극과의 이격공간 사이에 플라즈마를 생성하는 제2접지전극;A second ground electrode that is spaced apart from a lower end of the planar shape of the power electrode and that generates plasma between the power electrode and the spaced space from the power electrode; 상기 전원전극과 제1접지전극간의 이격공간과, 상기 전원전극과 제2접지전극간의 이격공간 사이로 반응가스를 공급하는 가스공급포트;A gas supply port for supplying a reactive gas between a space between the power electrode and the first ground electrode and a space between the power electrode and the second ground electrode; 상기 전원전극과 제1접지전극이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 상기 전원전극과 제1접지전극 사이의 이격공간 하부에 연통형성되며, 상기 전원전극의 일단부측에 위치되는 제1분사홀과, 상기 전원전극의 타단부측에 위치되는 제2분사홀이 구비되는 분사홀;The plasma display apparatus of claim 1, wherein the plasma display apparatus further comprises: a plasma display panel having a first electrode and a second electrode, the plasma display panel comprising: And a second injection hole located on the other end side of the power source electrode; 상기 전원전극과 제2접지전극이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 상기 제2접지전극의 전반에 상하로 관통형성되는 다수의 분사통공; 및A plurality of spray holes formed vertically in the front half of the second ground electrode so that the generated plasma gas can pass through the reaction between the power electrode and the second ground electrode; And 상기 제1분사홀, 제2분사홀과 다수의 분사통공을 통해 분사되는 플라즈마 가스에 피처리대상물의 표면이 노출되도록 상기 피처리대상물을 이송하는 이송수단;Transfer means for transferring the object to be processed so that the surface of the object is exposed to the plasma gas injected through the first injection hole, the second injection hole and the plurality of injection holes; 을 포함하며,/ RTI &gt; 상기 전원전극은,The power supply electrode 상기 제1분사홀이 위치되는 일측면부와 상기 제2분사홀이 위치되는 타측면부가 서로 동일한 반응면적과 플라즈마 가스 유동경로를 가지도록 상호 대칭되는 곡면형상을 가지는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리장치.Wherein at least one of the side surface portions on which the first spray holes are located and the other side surface portions on which the second spray holes are located have a curved shape symmetrical to each other so as to have the same reaction area and a plasma gas flow path, .
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