KR101425721B1 - Method for manufacturing of thin metal substrate and thin metal substrate using the same method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 모서리가 완만하도록 화학연마 공정을 이용하여 박판금속가공품을 제조하는 방법 및 이에 따라 제조된 박판금속가공품에 관한 것으로, 박판금속가공품은 상부면과 하부면에 의해 소정의 두께가 제공되고, 화학연마에 의해 제공되는 적어도 하나의 연마면을 포함하며, 상기 연마면은 상부면을 수평 연장한 면과 제1 각도(θ1)로 하향 경사지는 제1면과, 하부면을 수평 연장한 면과 제2 각도(θ2)로 상향 경사지는 제2면과, 상기 제1면과 제2면의 모서리를 연결하는 제3면을 포함하되, 상기 제1면 및 제2면의 모서리가 곡률을 갖도록 형성될 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a sheet metal workpiece using a chemical polishing process so that the edge is gentle and to a sheet metal workpiece produced thereby, wherein the sheet metal workpiece is provided with a predetermined thickness by the upper and lower surfaces, Wherein the polishing surface comprises a first surface inclined downward at a first angle? 1 and a first surface inclined downward at a first angle? 1, a surface horizontally extending the lower surface, A second surface inclined upwards at a second angle? 2, and a third surface connecting edges of the first surface and the second surface, wherein the edges of the first surface and the second surface are formed to have a curvature .
Description
본 발명은 박판금속 가공 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 모서리가 완만하도록 화학연마 공정을 이용하여 박판금속가공품을 제조하는 방법 및 이에 따라 제조된 박판금속가공품에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin metal processing technique, and more particularly, to a method of manufacturing a thin metal workpiece using a chemical polishing process so as to smooth the edge and a thin metal workpiece manufactured thereby.
일반적으로, 1 mm이하의 철니켈 합금 및 구리 합금으로 된 금속박판을 이용한 정밀 가공품이 반도체 전자부품 및 디스플레이용 부품인 리드프레임, 메탈 마스크(metal mask), 메탈인캡(metal encap) 등 다양한 용도로 개발 및 상용화되고 있다. In general, precision machined parts using metal thin plates made of iron nickel alloy and copper alloy of 1 mm or less are used for various applications such as lead frame, metal mask, metal encap, And has been developed and commercialized.
이러한 박판금속 가공품을 제조하는 공법은 프레스, 레이저 커팅, 워터 젯 스크라이빙(water jet scribing), 그리고 와이어 방전 커팅(wire cut electrical discharge machining) 등 여러 공법이 있지만, 이러한 제조 공법을 통해서 제작된 박판금속은 모서리에 버(Burr)가 발생한다. 이러한 버(Burr)가 발생하지 않도록 에칭 공법을 이용한 절단 공정을 도입한 박판금속 가공품의 제조방법이 개발되었다.There are various methods such as press, laser cutting, water jet scribing, and wire cut electrical discharge machining for the method of manufacturing such a thin metal workpiece. However, Burrs are generated at the edges of the metal. A method of manufacturing a thin metal workpiece by introducing a cutting process using an etching process has been developed so that such burrs do not occur.
하지만, 에칭 공법에 의해서 형성된 모서리는 도 1에 도시된 바와 같이 모서리 끝 부분이 날카로운 형상(X)을 갖고 있어, 모서리 부분으로 지나는 회로에 손상을 줄 수 있다. 예를 들어, 에칭 공법에 의해 제조된 메탈인캡의 날카로운 모서리가 모서리 측면을 지나는 회로에 물리적인 손상을 주어 OLED TV 모듈의 전기적인 신뢰성 불량을 야기하는 문제가 발생한다. However, the edge formed by the etching method has a sharp edge X at the corner edge as shown in Fig. 1, and can damage the circuit passing through the corner edge. For example, the sharp edges of the metal cap manufactured by the etching method physically damage the circuit passing the edge side, which causes a problem that the electrical reliability of the OLED TV module is poor.
상술한 문제점을 해결하기 위해, 대면적 메탈인캡을 제조하는 방법에서 날카로운 형상의 모서리에 의한 OLED TV 모듈의 측면 회로 손상을 방지할 수 있도록, 모서리의 날카로운 형상을 완만하도록 화학연마 공정을 이용하여 박판금속가공품을 제조하는 방법 및 이에 따라 제조된 박판금속가공품을 제공하는 데 그 목적이 있다. In order to solve the above-described problems, a method of manufacturing a large-area metal cap using a chemical polishing process so as to reduce the sharpness of edges, so as to prevent damage to the side circuit of the OLED TV module due to sharp- It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a thin metal workpiece and a thin metal workpiece manufactured thereby.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시 형태는, 베이스 기판의 양면 중 적어도 일면에 포토레지스트를 코팅하는 코팅공정; 상기 코팅된 포토레지스트 상에 패턴이 구현된 포토마스크를 배치하여 노광하는 노광공정; 상기 포토마스크를 현상하여 상기 코팅된 포토레지스트에 패턴을 형성하는 현상공정; 상기 패턴의 형성으로 노출된 베이스 기판 면에 에칭을 수행하여 베이스 기판을 패턴에 따라 절단하는 에칭공정; 및 절단된 베이스 기판의 모서리를 화학연마하는 화학연마 공정;을 포함하는 박판금속가공품의 제조방법을 포함할 수 있다.
According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including: coating a photoresist on at least one surface of a base substrate; An exposure step of exposing the coated photoresist by disposing a photomask having a pattern formed thereon; Developing the photomask to form a pattern on the coated photoresist; An etching process for etching the base substrate surface exposed by the pattern formation to cut the base substrate according to a pattern; And a chemical polishing step of chemically polishing the edges of the cut base substrate.
한편, 상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시 형태는, 베이스 기판 상에 레지스트를 코팅하는 코팅공정; 코팅된 레지스트에 레이저 빔을 이용해 패턴을 형성하는 레이저패터닝공정; 형성된 패턴에 의해 노출된 베이스 기판 면에 에칭을 수행하여 베이스 기판을 패턴에 따라 절단하는 에칭공정; 및 절단된 베이스 기판의 모서리를 화학연마하는 화학연마 공정;을 포함하는 박판금속가공품의 제조방법을 포함할 수 있다.
According to another aspect of the present invention for solving the above problems, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a coating step of coating a resist on a base substrate; A laser patterning step of forming a pattern on the coated resist using a laser beam; An etching process for etching the base substrate surface exposed by the formed pattern to cut the base substrate according to the pattern; And a chemical polishing step of chemically polishing the edges of the cut base substrate.
이때, 상기 화학연마 공정은, 상기 절단된 베이스 기판의 모서리를 연마액에 침지하는 것에 의해 이루어지거나, 상기 절단된 베이스 기판의 모서리에 연마액을 분사하는 것에 의해 이루어질 수 있다. In this case, the chemical polishing step may be performed by immersing the edge of the cut base substrate in a polishing liquid, or spraying a polishing liquid onto the edge of the cut base substrate.
또한, 상기 연마액의 온도가 20℃ 이상 50℃ 이하이며, 연마 시간은 10초 이상 120초 이하인 것을 특징으로 한다.Further, the temperature of the polishing liquid is 20 ° C or more and 50 ° C or less, and the polishing time is 10 seconds or more and 120 seconds or less.
또한, 상기 연마액은 과산화수소, 황산, 염산, 질산 및 일수소 이불화 암모늄 중 적어도 하나 이상을 포함하는 수용액이거나, 과산화수소와 황산, 염산, 질산 및 일수소 이불화 암모늄 중 적어도 하나 이상을 포함하는 수용액일 수 있으며,상기 과산화수소는 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 상기 황산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 상기 염산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 상기 질산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 상기 일수소 이불화 암모늄은 연마액 전체에 대하여 0.1~5중량%인 것을 특징으로 한다.
The polishing liquid may be an aqueous solution containing at least one of hydrogen peroxide, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid and ammonium dihydrogen fluoride, or an aqueous solution containing at least one of hydrogen peroxide and sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, The hydrogen peroxide is 1 to 20% by weight based on the whole polishing liquid, the sulfuric acid is 1 to 20% by weight based on the whole polishing liquid, the hydrochloric acid is 1 to 20% by weight with respect to the whole polishing liquid, The nitric acid is 1 to 20% by weight based on the whole polishing liquid, and the ammonium hydrogen fluoride monohydrate is 0.1 to 5% by weight based on the whole polishing liquid.
한편, 상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시 형태는, 상기 박판금속가공품의 제조방법에 의해 제조될 수 있으며, 상부면과 하부면에 의해 소정의 두께가 제공되고, 화학연마에 의해 제공되는 적어도 하나의 연마면을 포함하며, 상기 연마면은 상부면을 수평 연장한 면과 제1 각도(θ1)로 하향 경사지는 제1면과, 하부면을 수평 연장한 면과 제2 각도(θ2)로 상향 경사지는 제2면과, 상기 제1면과 제2면의 모서리를 연결하는 제3면을 포함하되, 상기 제1면 및 제2면의 모서리가 곡률을 갖도록 형성되는 박판금속가공품을 포함할 수 있다.On the other hand, another embodiment of the present invention for solving the above-mentioned problems can be produced by the method of manufacturing the sheet metal workpiece, provided with a predetermined thickness by the upper surface and the lower surface, Wherein the polishing surface comprises a first surface inclined downward at a first angle (? 1) and a first surface inclined downward at a first angle (? 1), a surface horizontally extending the lower surface, and a second angle and a third surface connecting edges of the first surface and the second surface, wherein edges of the first surface and the second surface are formed to have a curvature, . ≪ / RTI >
이때, 상기 연마면의 제3면은 내측 방향으로 함입되어 형성된 적어도 하나의 오목부를 갖도록 형성될 수 있으며, 또한, 상기 연마면의 제1면 및 제2면의 각 모서리가 완만하도록 형성된 볼록부를 갖도록 형성될 수 있으며, 또한, 상기 연마면은 상기 제1면과 접하는 제1 볼록부, 상기 제2면과 접하는 제2 볼록부 및 상기 제1 볼록부와 제2 볼록부를 연결하는 오목부를 포함할 수 있다.At this time, the third surface of the polishing surface may be formed to have at least one concave portion formed by being embedded in the inward direction, and the first surface and the second surface of the polishing surface may be formed to have convex portions And the polishing surface may include a first convex portion contacting the first surface, a second convex portion contacting the second surface, and a concave portion connecting the first convex portion and the second convex portion. have.
또한, 상기 제1면과 접하는 제1 볼록부의 곡률 반경은 상기 제2면과 접하는 제2 볼록부의 곡률 반경보다 클 수 있으며, 상기 제1면과 접하는 제1 볼록부 및 상기 제2면과 접하는 제2 볼록부는 내측 또는 외측 방향으로 서로 어긋나게 형성되거나, 동일한 위치에 형성될 수 있다.The radius of curvature of the first convex portion contacting the first surface may be larger than the radius of curvature of the second convex portion contacting the second surface. The first convex portion contacting the first surface and the second convex portion contacting the second surface The two convex portions may be formed to be shifted from each other in the inner or outer direction, or may be formed at the same position.
또한, 상기 연마면의 제1면 및 제2면과 접하는 각 모서리에 대한 x축 상의 수직거리(D)는 2.9㎛ 이상 21㎛ 이하의 범위를 만족하는 값을 가질 수 있으며, 또한, 상기 제1 각도(θ1) 및 제2 각도(θ2)는 1° 이상 10° 이하의 범위를 만족하는 값을 가질 수 있으며, 또한, 상기 연마면의 제1면과 접하는 모서리의 곡률 반경(R1)은 6.6㎛ 이상 19.6㎛ 이하의 범위를 만족하는 값을 가질 수 있으며, 또한, 상기 연마면의 제2면과 접하는 모서리의 곡률 반경(R2)은 4.9㎛ 이상 11.6㎛ 이하의 범위를 만족하는 값을 가질 수 있다.
The perpendicular distance (D) on the x-axis to each of the corners contacting the first and second surfaces of the polishing surface may have a value that satisfies a range of 2.9 탆 to 21 탆, The angle? 1 and the second angle? 2 may have a value that satisfies a range of 1 ° to 10 °, and the curvature radius R1 of the edge of the polishing surface in contact with the first surface is 6.6 μm And the radius of curvature (R2) of the edge that is in contact with the second surface of the polishing surface may have a value that satisfies a range of 4.9 to 11.6 m .
한편, 상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시 형태는, 제19항 내지 제29항 중 어느 한 항에 기재된 박판금속가공품 상에 유기EL소자를 형성한 OLED TV 모듈을 포함할 수 있다.On the other hand, another embodiment of the present invention for solving the above-mentioned problems may include an OLED TV module in which an organic EL element is formed on the sheet metal workpiece according to any one of claims 19 to 29 .
본 발명에 따르면, 화학연마 공정을 통해 완만한 형상의 모서리를 갖는 박판금속가공품을 제조할 수 있다. 이를 통해 OLED TV 모듈의 측면 회로 손상을 방지하고 신뢰성을 확보할 수 있다. According to the present invention, a thin metal workpiece having a gentle shape edge can be produced through a chemical polishing process. This prevents damage to the side circuit of the OLED TV module and ensures reliability.
또한, 본 발명에 따르면, 화학연마 공정을 통해 날카로운 형상의 모서리를 완만하도록 함으로써 측면 접착력을 향상시켜 라미네이트 특성을 향상시킬 수 있으며, 이를 통해 OLED TV 모듈의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to improve the laminating property by improving the side adhesive force by making the edge of the sharp shape gentle through the chemical polishing process, thereby further improving the reliability of the OLED TV module.
또한, 화학연마 공정시 공정 조건을 다르게 하여 모서리의 형상을 다양화할 수 있어 다양한 고객의 요구를 만족시킬 수 있다.In addition, it is possible to diversify the shapes of corners by changing the process conditions in the chemical polishing process, thereby satisfying the needs of various customers.
도 1은 종래의 박판금속가공품의 제조방법에 따라 제조된 박판금속가공품의 모서리 형상의 확대이미지를 나타낸 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 박판금속가공품의 제조공정을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 도 2에 도시된 박판금속가공품의 제조공정에서 화학연마 공정 전, 후에 따른 박판금속가공품의 모서리 형상의 확대이미지를 나타낸 예시도이다.
도 4는 도 2에 도시된 박판금속가공품의 제조공정의 제1 실시예를 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 도 4에 도시된 박판금속가공품의 제조공정의 제1 실시예를 설명하기 위한 제조공정도이다.
도 6은 도 2에 도시된 박판금속가공품의 제조공정의 제2 실시예를 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 도 6에 도시된 박판금속가공품의 제조공정의 제2 실시예를 설명하기 위한 제조공정도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 박판금속가공품의 단면 모양을 설명하기 위한 예시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 박판금속가공품의 단면 모양에 대한 예시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an enlarged view of an edge shape of a thin metal workpiece manufactured according to a conventional method for manufacturing a thin metal workpiece; FIG.
2 is a flow chart for explaining a manufacturing process of a sheet metal workpiece according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is an enlarged view showing an enlarged image of a corner shape of the sheet metal workpiece before and after the chemical polishing step in the manufacturing process of the sheet metal workpiece shown in Fig. 2;
Fig. 4 is a flowchart for explaining a first embodiment of the manufacturing process of the sheet metal workpiece shown in Fig. 2; Fig.
Fig. 5 is a manufacturing process diagram for explaining a first embodiment of the manufacturing process of the sheet metal workpiece shown in Fig. 4; Fig.
Fig. 6 is a flowchart for explaining a second embodiment of the manufacturing process of the sheet metal workpiece shown in Fig. 2;
Fig. 7 is a manufacturing process diagram for explaining a second embodiment of the manufacturing process of the sheet metal workpiece shown in Fig. 6; Fig.
8 is an exemplary view for explaining a cross-sectional shape of a sheet metal workpiece according to an embodiment of the present invention.
9 is an exemplary view of a cross-sectional shape of a sheet metal workpiece according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 실시 예에 대해 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 그리고, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙였다. 또한, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, which will be readily apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Further, in order to clearly illustrate the present invention in the drawings, portions not related to the description are omitted. Like parts are denoted by like reference numerals throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 박판금속가공품의 제조공정을 설명하기 위한 순서도이다.2 is a flow chart for explaining a manufacturing process of a sheet metal workpiece according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 박판금속가공품의 제조공정은, 전처리 공정(P1), 코팅 공정(P2), 패턴 공정(P3), 에칭 공정(P4) 및 화학연마 공정(P5)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 2, the process of manufacturing a thin metal workpiece according to an embodiment of the present invention includes a pretreatment process P1, a coating process P2, a pattern process P3, an etching process P4, P5).
구체적으로, 본 발명에 따른 제조 공정은, 먼저, 박판금속가공품의 원재료가 되는 베이스 기판에 대한 전처리 공정을 수행한다(P1). 베이스 기판에 대한 전처리 공정은 일반적으로 원자재 표면에 있는 이물질 및 유기물을 제거하고 추후 코팅 공정시 접착력을 높이기 위한 표면 조도를 형성하는 공정이다.Specifically, in the manufacturing process according to the present invention, first, a pretreatment process is performed on a base substrate which is a raw material of a thin metal workpiece (P1). The pretreatment process for the base substrate is generally a process for removing foreign substances and organic substances on the surface of raw materials and forming a surface roughness for increasing the adhesive strength in the subsequent coating process.
이를 위해 본 발명에 따른 전처리 공정은 순수를 이용한 수세과정과, 산성물질을 이용한 산처리 공정, 그리고 산처리 공정 이후에 알카리 용매를 투입하는 중화공정 및 재차 수세공정, 건조 공정 등의 세부공정으로 구현될 수 있다. 산성물질은 다양한 산성물질을 적용할 수 있음은 물론이며, 본 발명에서의 일 실시예로서는 0.01~0.1노르말 농도의 질산용액을 사용할 수 있으며, 중화공정에 적용되는 알카리용액은 1~5% KOH 또는 NaOH 용액을 적용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.To this end, the pretreatment process according to the present invention is implemented by a detailed process such as a washing process using pure water, an acid treatment process using an acidic substance, a neutralization process in which an alkaline solvent is introduced after the acid treatment process, . As an acidic material, it is possible to use various acidic materials. In one embodiment of the present invention, a nitric acid solution having a concentration of 0.01 to 0.1 N may be used, and an alkaline solution to be applied to the neutralization process may be 1 to 5% KOH or NaOH Solution may be applied, but the present invention is not limited thereto.
이후, 전처리가 된 베이스 기판의 일면 또는 양면에 레지스트 층을 코팅하는 공정이 수행된다(P2). 여기서, 레지스트 층은 이후 진행할 패턴 공정에 따라 달라질 수 있는데, 포토레지스트를 포함하는 다양한 열 또는 광 경화성 레진이 적용될 수 있으며, 나아가 드라이필름레지스트(DFR)를 적용할 수 있다. 예를 들어, 패턴 공정이 레이저를 이용한 패터닝을 수행하게 될 경우, 포토리소그래피 공정에 적용되는 양성감광물질 또는 음성감광물질 등의 특성에 한계를 두지 않고 범용적으로 레진을 적용할 수 있게 된다. 일반적으로 사용되는 포토 레지스트를 적용하는 것을 일예로 들면, 액상 포토레지스트를 딥핑 및 롤을 이용하여 도포하거나, 드라이필름 포토레지스트의 경우 라미네이팅 방식으로 열 압착하여 베이스기판의 표면에 레지스트층을 구현할 수도 있다.Thereafter, a process of coating a resist layer on one side or both sides of the pretreated base substrate is performed (P2). Here, the resist layer may vary depending on the pattern process to be performed, and various heat or photocurable resins including photoresist may be applied, and further, a dry film resist (DFR) may be applied. For example, when the patterning process is performed using a laser, the resin can be universally applied without limiting the properties of the positive photosensitive material or the negative photosensitive material applied to the photolithography process. As an example of applying a commonly used photoresist, a liquid photoresist may be applied by dipping and roll, or a dry film photoresist may be thermally pressed by a laminating method to form a resist layer on the surface of the base substrate .
이어서, 베이스 기판의 일면 또는 양면에 형성된 레지스트층에 패턴을 형성하는 공정이 수행된다(P3). 여기서, 패턴 공정은 레이저를 이용한 레이저 패터닝 공정 또는 포토리소그래피(Photolithography)를 이용한 패터닝 공정일 수 있다. 상기 패턴 공정에 대한 상세한 설명은 하기 도 4 내지 도 7에서 설명하도록 한다.Next, a step of forming a pattern on a resist layer formed on one or both surfaces of the base substrate is performed (P3). Here, the patterning process may be a laser patterning process using a laser or a patterning process using photolithography. The pattern process will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 7. FIG.
패터닝 공정 이후에, 패터닝된 레지스트층을 에칭 마스크로 하여 에칭액을 분사하여 베이스 기판을 에칭하는 공정이 수행된다(P4). 이로써 단면이 관통홀 구조의 패턴이 형성된 베이스 기판을 형성하게 된다. After the patterning step, a step of etching the base substrate by spraying an etching solution using the patterned resist layer as an etching mask is performed (P4). As a result, a base substrate having a pattern of a through-hole structure is formed.
여기서, 에칭 공정은 베이스 기판의 일면 또는 양면에 대한 에칭을 수행할 수 있으며, 양면 에칭의 경우, 2 단계 에칭으로 수행할 수도 있다. 2단계 에칭은 베이스 기판의 양면에 에칭 영역이 서로 다르게 형성되도록 할 수 있다. 이때, 에칭된 베이스 기판의 에칭면의 모서리는 날카로운 형상을 가질 수 있다. Here, the etching process may perform etching on one or both sides of the base substrate, and in the case of double-side etching, it may be performed by two-step etching. The two-step etching may be performed such that the etching regions are formed on both sides of the base substrate. At this time, the edge of the etched surface of the etched base substrate may have a sharp shape.
그리고, 에칭액은 다양한 에칭액을 적용할 수 있음은 물론이나, 본 일 실시예서는 염화철(FeCl2)로 금속박판을 에칭하여 통공을 형성하도록 구현할 수 있다.In addition, various etching solutions can be applied to the etching solution, but the present embodiment can be implemented to form a through hole by etching a thin metal plate with iron chloride (FeCl 2 ).
이어서, 베이스 기판의 에칭면 모서리를 연마하는 화학연마 공정이 수행된다(P5). 화학연마 공정은 연마액에 베이스 기판의 에칭면 모서리를 담그거나 연마액을 베이스 기판의 에칭면 모서리에 분사하는 것에 의해 날카롭게 튀어나온 부분을 용해시켜 편편하고 매끄러운 표면을 얻을 수 있다. 즉, 화학연마 공정을 통해 날카로운 형상의 모서리를 완만하도록 형성할 수 있다.Then, a chemical polishing process for polishing the edge of the etching surface of the base substrate is performed (P5). The chemical polishing process can obtain a smooth and smooth surface by immersing the sharpened protruding portion by immersing the etching surface corner of the base substrate in the polishing solution or spraying the polishing solution onto the etching surface corner of the base substrate. That is, the edge of the sharp shape can be gently formed through the chemical polishing process.
이때, 연마액은 과산화수소, 황산, 염산, 질산 및 일수소 이불화 암모늄 중 적어도 하나 이상을 포함하는 수용액일 수 있으며, 또한, 과산화수소와 황산, 염산, 질산 및 일수소 이불화 암모늄 중 적어도 하나 이상을 포함하는 수용액일 수 있다. 여기서, 과산화수소는 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 황산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 염산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 질산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 일수소 이불화 암모늄은 연마액 전체에 대하여 0.1~5중량%일 수 있다. At this time, the polishing liquid may be an aqueous solution containing at least one of hydrogen peroxide, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid and ammonium dihydrogen quaternary ammonium, and at least one of hydrogen peroxide and sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, Containing aqueous solution. The amount of hydrogen peroxide is 1 to 20 wt% with respect to the entire polishing liquid, the sulfuric acid is 1 to 20 wt% with respect to the entire polishing liquid, the hydrochloric acid is 1 to 20 wt% with respect to the entire polishing liquid, 1 to 20% by weight, and the ammonium pentaborohydride may be 0.1 to 5% by weight based on the whole polishing liquid.
그리고, 화학연마 공정시, 연마액의 온도는 20℃ 이상 50℃ 이하이며, 연마 시간은 10초 이상 120초 이하일 수 있다.In the chemical polishing step, the temperature of the polishing liquid is 20 ° C or more and 50 ° C or less, and the polishing time may be 10 seconds or more and 120 seconds or less.
상술한 바와 같이, 본 발명의 박판금속가공품의 제조공정에 따르면, 화학연마 공정을 통해 완만한 형상의 모서리를 갖는 박판금속가공품을 제조할 수 있고, 이로써 측면 접착력을 향상시킬 뿐만 아니라, 측면에 부착되는 회로의 손상을 방지하여 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
As described above, according to the manufacturing process of the sheet metal workpiece of the present invention, it is possible to produce a sheet metal workpiece having a gentle shape edge through a chemical polishing process, thereby not only improving the side adhesive force, It is possible to prevent the circuit from being damaged and improve the reliability of the product.
도 3은 도 2에 도시된 박판금속가공품의 제조공정에서 화학연마 공정 전, 후에 따른 박판금속가공품의 모서리 형상의 확대이미지를 나타낸 예시도로, (a)는 화학연마 공정 전의 박판금속가공품의 모서리, (b)는 화학연마 공정 후의 박판금속가공품의 모서리를 각각 나타낸다.Fig. 3 is an enlarged view showing an enlarged image of the edge shape of the sheet metal workpiece before and after the chemical polishing step in the manufacturing process of the sheet metal workpiece shown in Fig. 2, wherein (a) shows the edge of the sheet metal workpiece before the chemical polishing step, (b) show the corners of the thin metal workpieces after the chemical polishing step, respectively.
도 3의 (a) 및 (b)를 참조하면, 에칭 고정에 의해 형성된 날카로운 형상(X)의 모서리가 화학연마 공정을 통해 완만한 형상(Y)으로 연마된 것을 알 수 있다.
3 (a) and 3 (b), it can be seen that the edge of the sharp shape X formed by the etching fixation is polished to a gentle shape Y through the chemical polishing process.
도 4는 도 2에 도시된 박판금속가공품의 제조공정의 제1 실시예를 설명하기 위한 순서도이며, 도 5는 도 4에 도시된 박판금속가공품의 제조공정의 제1 실시예를 설명하기 위한 제조공정도이다.Fig. 4 is a flow chart for explaining a first embodiment of the manufacturing process of the sheet metal workpiece shown in Fig. 2, Fig. 5 is a view for explaining the first embodiment of the manufacturing process of the sheet metal workpiece shown in Fig. It is a process chart.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 박판금속가공품의 제조공정은 베이스 기판 표면의 이물질을 제거하는 전처리 공정과, 베이스 기판상에 레지스트를 코팅하는 코팅공정과, 상기 코팅된 레지스트에 레이저 빔을 이용해 직접 패턴을 형성하는 레이저패턴 공정과, 패턴의 형성으로 노출된 베이스 기판 면에 에칭을 수행하는 에칭공정과, 에칭공정에 의해 형성된 모서리를 연마하는 화학연마 공정을 포함하여 구성될 수 있다.4 and 5, a process for manufacturing a thin metal workpiece according to an embodiment of the present invention includes a pretreatment process for removing foreign substances on a surface of a base substrate, a coating process for coating a resist on the base substrate, An etching step of etching the base substrate surface exposed by the formation of the pattern, and a chemical polishing step of polishing the edge formed by the etching step, Lt; / RTI >
구체적으로, 본 발명에 따른 제조공정은 우선, 박판금속가공품의 원재료가 되는 베이스기판(110)에 대한 전처리 공정을 수행한다(P 10). 상기 베이스기판(110)에 대한 전처리 공정은 일반적으로 원자재 표면에 있는 이물질 및 유기물을 제거하고 추후 레지스트의 접착력을 높이기 위한 표면조도를 형성하는 공정이다. Specifically, the manufacturing process according to the present invention first carries out a pretreatment process on the
이를 위해 본 발명에 따른 전처리 공정은 순수를 이용한 수세과정과, 산성물질을 이용한 산처리 공정, 그리고 산처리 공정 이후에 알카리 용매를 투입하는 중화공정 및 재차 수세공정, 건조 공정 등의 세부공정으로 구현될 수 있다. 산성물질은 다양한 산성물질을 적용할 수 있음은 물론이며, 본 발명에서의 일 실시예로서는 0.01~0.1노르말 농도의 질산용액을 사용할 수 있으며, 중화공정에 적용되는 알카리용액은 1~5% KOH 또는 NaOH 용액을 적용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.To this end, the pretreatment process according to the present invention is implemented by a detailed process such as a washing process using pure water, an acid treatment process using an acidic substance, a neutralization process in which an alkaline solvent is introduced after the acid treatment process, . As an acidic material, it is possible to use various acidic materials. In one embodiment of the present invention, a nitric acid solution having a concentration of 0.01 to 0.1 N may be used, and an alkaline solution to be applied to the neutralization process may be 1 to 5% KOH or NaOH Solution may be applied, but the present invention is not limited thereto.
이후, 전처리가 수행된 베이스기판(110)의 일면 또는 양면에 레지스트 층(120)을 형성하는 공정이 수행된다(P 20). 상기 레지스트 층은 포토레지스트를 포함하는 다양한 열 또는 광 경화성 레진이 적용될 수 있으며, 나아가 드라이필름레지스트(DFR)를 적용할 수 있다. 즉, 본 발명에서는 레이저를 이용한 패터닝을 수행하게 되는바, 포토리소그래피 공정에 적용되는 양성감광물질 또는 음성감광물질 등의 특성에 한계를 두지 않고 범용적으로 레진을 적용할 수 있게 된다. 일반적으로 사용되는 포토레지스트를 적용하는 것을 일예로 들면, 액상 포토레지스트를 딥핑 및 롤을 이용하여 도포하거나, 드라이필름 포토레지스트의 경우 라미네이팅 방식으로 열 압착하여 베이스기판의 표면에 레지스트층을 구현할 수도 있다.Thereafter, a process of forming a resist
이어서, 베이스기판(110)의 일면 또는 양면에 형성된 레지스트층(120)에 패턴을 형성하는 레이저를 이용한 레이저패턴 공정이 수행된다(P 30).Next, a laser patterning process is performed using a laser to form a pattern on the resist
레이저패턴 공정이란, 레지스트(120) 표면을 레이저 빔(L)의 열을 이용하여 직접 제거하는 방식으로 원하는 부분의 레지스트 영역(121)을 제거하여 패터닝을 구현할 수 있다. 본 공정에서 적용되는 레이저는 특정한 종류의 레이저에 한정되는 것은 아니며, CO2 레이저, 엑시머레이저 등 다양한 레이저를 적용할 수 있다. 적용되는 레이저빔은 파장 350nm 또는 10640nm, 강도 10~100W의 레이저를 적용할 수 있다. 본 파장의 범위를 벗어나는 영역의 레이저빔은 레지스트를 제거할 수 없게 되거나, 베이스기판 표면에 영향을 미치게 된다. In the laser patterning process, the surface of the resist 120 is directly removed by using the heat of the laser beam L to remove the resist
상술한 레이저패턴 공정 이후에, 레이저로 선택적 영역이 제거된 레지스트층(121)을 에칭 마스크로 하여 에칭액(E1)을 분사하여 베이스 기판(110)을 에칭함으로써, 관통홀 구조의 패턴이 형성된 베이스기판(111)을 형성하게 된다(P 40). 상기 에칭액(E1)은 다양한 에칭액을 적용할 수 있음은 물론이나, 본 일 실시예서는 염화철(FeCl2)로 금속박판을 에칭하여 통공을 형성하도록 구현할 수 있다.After the above-described laser patterning process, the etching solution E1 is sprayed using the resist
그리고, 본 에칭 공정은 베이스 기판의 일면 또는 양면에 대한 에칭을 수행할 수 있으며, 양면 에칭의 경우, 2 단계 에칭으로 수행할 수도 있다. 2단계 에칭은 베이스 기판의 양면에 에칭 영역이 서로 다르게 형성되도록 할 수 있다. The present etching process may perform etching on one or both sides of the base substrate, and in the case of double-side etching, it may be performed by two-step etching. The two-step etching may be performed such that the etching regions are formed on both sides of the base substrate.
이때, 에칭된 베이스 기판의 에칭면의 모서리는 날카로운 형상을 가질 수 있다. 그리고, 에칭된 베이스 기판의 에칭면은 베이스 기판의 상부면과 하부면에 접하는 모서리를 연결하되 라운드지게 형성될 수 있으며, 이때 내측으로 함입되어 형성될 수 있다. 또한, 베이스 기판의 상부면 및 하부면과 각각 접하는 에칭면의 상측 단부 및 하측 단부는 내측 또는 외측 방향으로 서로 어긋나게 형성되거나, 동일한 위치에 형성될 수 있다.At this time, the edge of the etched surface of the etched base substrate may have a sharp shape. The etched surface of the etched base substrate may be rounded to connect the edges of the etched base substrate to the upper and lower surfaces of the base substrate, and may be formed to be embedded inward. Further, the upper end and the lower end of the etching surface, which are in contact with the upper and lower surfaces of the base substrate, respectively, may be formed to be offset from each other in the inner or outer direction, or may be formed at the same position.
한편, 에칭 공정 전에 상기 레이저 패터닝 공정으로 노출되는 베이스 기판의 표면에 대한 전처리 에칭(Pre etching)이 수행될 수 있다. 본 전처리 에칭은 레이저로 제거되어 노출되는 베이스 기판의 표면에 제거되지 않고 잔존하는 산화피막 및 감광막을 완전히 제거함과 동시에 노출되는 베이스 기판의 영역의 표면적을 넓게 하여 추후, 염화철 등의 에칭액으로 베이스 기판을 에칭하여 통공을 형성할 때 균일한 통공을 형성하기 위함이다.Pre-etching may be performed on the surface of the base substrate exposed to the laser patterning process before the etching process. This preprocessing etching is performed by removing the oxide film and the photoresist film which are not removed on the surface of the base substrate exposed by the laser and completely exposing the remaining oxide film and the photoresist film while increasing the surface area of the exposed area of the base substrate, So as to form a uniform through hole when the through hole is formed by etching.
에칭공정 이후에, 패턴 형성을 위해 잔존하는 레지스트 층을 특정 용매(E 2)를 적용한 박리액, 세정액을 이용해 박리 및 세정하는 공정이 수행될 수 있다(P 50). After the etching process, a step of peeling and cleaning the remaining resist layer for pattern formation using a peeling solution and a cleaning solution to which a specific solvent (E 2) is applied can be performed (P 50).
이어서, 베이스 기판의 에칭면 모서리를 연마하는 화학연마 공정이 수행된다(P 60). 화학연마 공정은 연마액에 베이스 기판의 에칭면 모서리를 담그거나 연마액을 베이스 기판의 에칭면 모서리에 분사하는 것에 의해 모서리의 날카롭게 튀어나온 부분을 용해시켜 편편하고 매끄러운 표면을 얻을 수 있다. 즉, 본 화학연마 공정을 통해 날카로운 형상의 모서리를 완만하도록 형성할 수 있다.Then, a chemical polishing process is performed to polish the edge of the etched surface of the base substrate (P60). The chemical polishing process can obtain a smooth and smooth surface by immersing the sharpened protruding portion of the edge by immersing the edge of the etching surface of the base substrate in the polishing solution or spraying the polishing solution onto the edge of the etching surface of the base substrate. That is, the edges of the sharp shape can be gently formed through the chemical polishing process.
이때, 연마액은 과산화수소, 황산, 염산, 질산 및 일수소 이불화 암모늄 중 적어도 하나 이상을 포함하는 수용액일 수 있으며, 과산화수소는 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 황산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 염산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 질산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 일수소 이불화 암모늄은 연마액 전체에 대하여 0.1~5중량%일 수 있다. At this time, the polishing liquid may be an aqueous solution containing at least one of hydrogen peroxide, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid and ammonium dihydrogen ammonium hydroxide, the hydrogen peroxide is 1 to 20% by weight based on the whole polishing liquid, 1 to 20% by weight based on the whole polishing liquid, hydrochloric acid is 1 to 20% by weight with respect to the whole polishing liquid, 1 to 20% by weight with respect to the whole silver nitrate polishing liquid, and ammonium fluoride monohydrate is 0.1 to 5% %. ≪ / RTI >
그리고, 본 화학연마 공정시, 연마액의 온도는 20℃ 이상 50℃ 이하이며, 연마 시간은 10초 이상 120초 이하일 수 있다.In the present chemical polishing step, the temperature of the polishing liquid may be 20 ° C or more and 50 ° C or less, and the polishing time may be 10 seconds or more and 120 seconds or less.
또한, 본 화학연마 공정에서 화학연마 강도가 클수록, 즉 연마 시간이 길어지거나, 또는 연마액의 농도가 클수록 모서리의 곡률 반경은 커지며 각 모서리 간 x축 상의 수직거리가 짧아질 수 있다. Further, in the present chemical polishing process, the larger the chemical polishing strength, that is, the longer the polishing time, or the larger the concentration of the polishing liquid, the larger the radius of curvature of the edge and the vertical distance on each x-axis between the edges can be shortened.
화학연마 공정 이후에, 베이스 기판에 잔존하는 연마액을 세정액을 이용해 세정한 후 건조하는 공정이 수행될 수 있다(P 60).After the chemical polishing step, a step of cleaning the polishing liquid remaining on the base substrate by using a cleaning liquid and then drying may be performed (P 60).
상술한 바와 같이, 본 발명의 박판금속가공품의 제조공정에 따르면, 화학연마 공정을 통해 완만한 형상의 모서리를 갖도록 박판금속가공품을 제조할 수 있고, 이로써 측면 접착력을 향상시킬 뿐만 아니라, 측면에 부착되는 회로의 손상을 방지하여 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
As described above, according to the manufacturing process of the sheet metal workpiece of the present invention, it is possible to manufacture the sheet metal workpiece so as to have a gentle shape edge through the chemical polishing process, thereby improving not only the side adhesive force, It is possible to prevent the circuit from being damaged and improve the reliability of the product.
도 6은 도 2에 도시된 박판금속가공품의 제조공정의 제2 실시예를 설명하기 위한 순서도이며, 도 7은 도 6에 도시된 박판금속가공품의 제조공정의 제2 실시예를 설명하기 위한 제조공정도이다.Fig. 6 is a flowchart for explaining a second embodiment of the manufacturing process of the sheet metal workpiece shown in Fig. 2, and Fig. 7 is a flowchart for explaining a second embodiment of the manufacturing process of the sheet metal workpiece shown in Fig. It is a process chart.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 박판금속가공품의 제조공정은, 베이스 기판 표면의 이물질을 제거하는 전처리 공정과, 베이스 기판의 양면 중 적어도 일면에 포토레지스트를 코팅하는 PR코팅공정과, 상기 코팅된 포토레지스트 상에 패턴이 구현된 포토마스크를 배치하여 노광하는 UV노광공정과, 상기 포토마스크를 현상하여 상기 코팅된 포토레지스트에 패턴을 형성하는 현상공정과, 패턴의 형성으로 노출된 베이스 기판 면에 에칭을 수행하는 에칭공정과, 에칭공정에 의해 형성된 모서리를 완만하도록 연마하는 화학연마 공정을 포함하여 구성될 수 있다.6 and 7, a process for manufacturing a thin metal workpiece according to an embodiment of the present invention includes a pretreatment process for removing foreign substances on a surface of a base substrate, a process for coating a photoresist on at least one side of both surfaces of the base substrate A photoresist coating process, a UV exposure process for exposing and exposing a photomask having a pattern formed on the coated photoresist, a developing process for developing the photomask to form a pattern on the coated photoresist, An etching process for performing etching on the exposed base substrate surface, and a chemical polishing process for gently grinding the edge formed by the etching process.
구체적으로, 본 발명에 따른 제조공정은 우선, 박판금속가공품의 원재료가 되는 베이스기판(210)에 대한 전처리 공정을 수행한다(P 100). 상기 베이스기판(210)에 대한 전처리 공정은 일반적으로 원자재 표면에 있는 이물질 및 유기물을 제거하고 추후 레지스트의 접착력을 높이기 위한 표면조도를 형성하는 공정이다. Specifically, the manufacturing process according to the present invention first carries out a pretreatment process on the
이를 위해 본 발명에 따른 전처리 공정은 순수를 이용한 수세과정과, 산성물질을 이용한 산처리 공정, 그리고 산처리 공정 이후에 알카리 용매를 투입하는 중화공정 및 재차 수세공정, 건조 공정 등의 세부공정으로 구현될 수 있다. 산성물질은 다양한 산성물질을 적용할 수 있음은 물론이며, 본 발명에서의 일 실시예로서는 0.01~0.1노르말 농도의 질산용액을 사용할 수 있으며, 중화공정에 적용되는 알카리용액은 1~5% KOH 또는 NaOH 용액을 적용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.To this end, the pretreatment process according to the present invention is implemented by a detailed process such as a washing process using pure water, an acid treatment process using an acidic substance, a neutralization process in which an alkaline solvent is introduced after the acid treatment process, . As an acidic material, it is possible to use various acidic materials. In one embodiment of the present invention, a nitric acid solution having a concentration of 0.01 to 0.1 N may be used, and an alkaline solution to be applied to the neutralization process may be 1 to 5% KOH or NaOH Solution may be applied, but the present invention is not limited thereto.
이후 전처리가 수행된 베이스기판(210)의 일면 또는 양면에 포토레지스트(220)를 코팅하는 공정이 수행된다(P 200). 포토레지스트는 다양한 열 또는 광 경화성 레진이 적용될 수 있으며, 포토레지스트의 코팅 공정은 예를 들어, 액상 포토레지스트를 딥핑 및 롤을 이용하여 도포하여 베이스기판의 표면에 포토레지스트층을 구현할 수 있다.Thereafter, a process of coating the
이후에, 다양한 패턴이 구현되는 포토마스크(M)를 베이스 기판(210)의 상부에 배치하고, UV 등의 노광기를 이용하여 노광하는 공정이 수행된다(P 300).Thereafter, a photomask M on which various patterns are implemented is disposed on the top of the
노광공정이 수행된 이후에는 포토레지스트(221)는 그 특성에 따라 달라지기는 하지만 일반적으로 노광에 노출되는지 여부에 따라 패턴 형상이 결정되며, 이후 현상 공정을 거쳐서 베이스기판(210)의 표면을 노출시키게 된다(P 400).After the exposure process is performed, the pattern shape is determined depending on whether or not the
그런 다음, 선택적 영역이 제거된 포토레지스트(220)를 에칭 마스크로 하여 에칭액(E1)을 분사하여 베이스 기판(210)을 에칭함으로써, 관통 패턴 등의 패턴이 구현되는 박판금속가공품(211)을 구현하게 된다(P 500). 상기 에칭액(E1)은 다양한 에칭액을 적용할 수 있음은 물론이나, 본 일 실시예서는 염화철(FeCl2)로 금속박판을 에칭하여 통공을 형성하도록 구현할 수 있다. 한편, 본 에칭 공정은 에칭액을 이용한 습식 에칭 공정 방식을 사용하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 건식 에칭 방식을 이용할 수도 있다.Then, a
그리고, 본 에칭 공정은 베이스 기판의 일면 또는 양면에 대한 에칭을 수행할 수 있으며, 양면 에칭의 경우, 2 단계 에칭으로 수행할 수도 있다. 2단계 에칭은 베이스 기판의 양면에 에칭 영역이 서로 다르게 형성되도록 할 수 있다. The present etching process may perform etching on one or both sides of the base substrate, and in the case of double-side etching, it may be performed by two-step etching. The two-step etching may be performed such that the etching regions are formed on both sides of the base substrate.
이때, 에칭된 베이스 기판의 에칭면의 모서리는 날카로운 형상을 가질 수 있다. 그리고, 에칭된 베이스 기판의 에칭면은 베이스 기판의 상부면과 하부면에 접하는 모서리를 연결하되 라운드지게 형성될 수 있으며, 이때 내측으로 함입되어 형성될 수 있다. 또한, 베이스 기판의 상부면 및 하부면과 각각 접하는 에칭면의 상측 단부 및 하측 단부는 내측 또는 외측 방향으로 서로 어긋나게 형성되거나, 동일한 위치에 형성될 수 있다.At this time, the edge of the etched surface of the etched base substrate may have a sharp shape. The etched surface of the etched base substrate may be rounded to connect the edges of the etched base substrate to the upper and lower surfaces of the base substrate, and may be formed to be embedded inward. Further, the upper end and the lower end of the etching surface, which are in contact with the upper and lower surfaces of the base substrate, respectively, may be formed to be offset from each other in the inner or outer direction, or may be formed at the same position.
한편, 에칭 공정 전에 패터닝 공정으로 노출되는 베이스 기판의 표면에 대한 전처리 에칭(Pre etching)이 수행될 수 있다. 전처리 에칭은 패터닝되어 노출되는 베이스 기판의 표면에 제거되지 않고 잔존하는 산화피막 및 감광막을 완전히 제거함과 동시에 노출되는 베이스 기판의 영역의 표면적을 넓게 하여 추후, 염화철 등의 에칭액으로 베이스 기판을 에칭하여 통공을 형성할 때 균일한 통공을 형성하기 위함이다.On the other hand, pre-etching may be performed on the surface of the base substrate exposed in the patterning process before the etching process. The pretreatment etching is performed by completely removing the oxide film and the photoresist film that are not removed on the surface of the base substrate exposed by patterning, and the surface area of the exposed area of the base substrate is widened so that the base substrate is etched with an etching solution such as iron chloride, So as to form a uniform through-hole.
에칭공정 이후에, 패턴 형성을 위해 잔존하는 레지스트 층을 특정 용매(E 2)를 적용한 박리액, 세정액을 이용해 박리 및 세정하는 공정이 수행될 수 있다(P 600).After the etching step, a step of peeling and cleaning the remaining resist layer for pattern formation using a peeling solution and a cleaning solution to which a specific solvent (E 2) is applied can be performed (P 600).
이어서, 베이스 기판의 에칭면 모서리를 연마하는 화학연마 공정이 수행된다(P 700). 화학연마 공정은 연마액에 베이스 기판의 에칭면 모서리를 담그거나 연마액을 베이스 기판의 에칭면 모서리에 분사하는 것에 의해 모서리의 날카롭게 튀어나온 부분을 용해시켜 편편하고 매끄러운 표면을 얻을 수 있다. 즉, 본 화학연마 공정을 통해 날카로운 형상의 모서리를 완만하도록 형성할 수 있다.Next, a chemical polishing process is performed to polish the edge of the etched surface of the base substrate (P700). The chemical polishing process can obtain a smooth and smooth surface by immersing the sharpened protruding portion of the edge by immersing the edge of the etching surface of the base substrate in the polishing solution or spraying the polishing solution onto the edge of the etching surface of the base substrate. That is, the edges of the sharp shape can be gently formed through the chemical polishing process.
이때, 연마액은 과산화수소, 황산, 염산, 질산 및 일수소 이불화 암모늄 중 적어도 하나 이상을 포함하는 수용액일 수 있으며, 과산화수소는 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 황산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 염산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 질산은 연마액 전체에 대하여 1~20중량%이며, 일수소 이불화 암모늄은 연마액 전체에 대하여 0.1~5중량%일 수 있다. In this case, the polishing liquid may be an aqueous solution containing at least one of hydrogen peroxide, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid and ammonium dihydrogen ammonium hydroxide, the hydrogen peroxide is 1 to 20% by weight based on the whole polishing liquid, 1 to 20% by weight based on the whole polishing liquid, hydrochloric acid is 1 to 20% by weight with respect to the whole polishing liquid, 1 to 20% by weight with respect to the whole silver nitrate polishing liquid, and ammonium fluoride monohydrate is 0.1 to 5% %. ≪ / RTI >
그리고, 본 화학연마 공정시, 연마액의 온도는 20℃ 이상 50℃ 이하이며, 연마 시간은 10초 이상 120초 이하일 수 있다.In the present chemical polishing step, the temperature of the polishing liquid may be 20 ° C or more and 50 ° C or less, and the polishing time may be 10 seconds or more and 120 seconds or less.
화학연마 공정 이후에, 베이스 기판(211)에 잔존하는 연마액을 세정액을 이용해 세정한 후 건조하는 공정이 수행될 수 있다(P 800).After the chemical polishing step, the polishing liquid remaining on the
상술한 바와 같이, 본 발명의 박판금속가공품의 제조공정에 따르면, 화학연마 공정을 통해 완만한 형상의 모서리를 갖도록 박판금속가공품을 제조할 수 있고, 이로써 측면 접착력을 향상시킬 뿐만 아니라, 측면에 부착되는 회로의 손상을 방지하여 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
As described above, according to the manufacturing process of the sheet metal workpiece of the present invention, it is possible to manufacture the sheet metal workpiece so as to have a gentle shape edge through the chemical polishing process, thereby improving not only the side adhesive force, It is possible to prevent the circuit from being damaged and improve the reliability of the product.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 박판금속가공품의 단면 모양을 설명하기 위한 예시도로, (a)는 제조된 박판금속가공품을 개략적으로 나타낸 사시도이며, (b)는 화학연마를 수행한 경우의 박판금속가공품의 단면 모양을 나타낸 단면도이다.FIG. 8 is an exemplary view for explaining a cross-sectional shape of a sheet metal workpiece according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a perspective view schematically showing a manufactured sheet metal workpiece, (b) Sectional view showing a cross-sectional shape of a sheet metal workpiece of FIG.
도 8의 (a)를 참조하면, 박판금속가공품(211)은 상부면(211-1)과 하부면(211-2)에 의해 소정의 두께(T)가 제공되고, 화학연마에 의해 제공되는 적어도 하나의 연마면(211-3)을 포함할 수 있다. 여기서, 박판금속가공품의 길이 방향을 x축 방향, 두께 방향을 y축 방향이라고 하고, x축 방향에 대해 일측을 내측 방향, x축 방향에 대해 타측을 외측 방향이라고 한다.8 (a), the
또한, 본 발명에 따른 박판금속가공품(211)의 연마면(211-3)은 상부면(211-1)과 접하는 모서리와 하부면(211-2)과 접하는 모서리가 완만한 곡률을 갖는 형상일 수 있다. The polished surface 211-3 of the
또한, 상부면(211-1)과 접하는 모서리와 하부면(211-2)과 접하는 모서리를 연결하는 면이 내측 방향으로 함입되어 형성될 수 있다.In addition, the side connecting the upper surface 211-1 and the side tangent to the lower surface 211-2 may be embedded in the inner direction.
또한, 상부면(211-1)과 접하는 모서리와 하부면(211-2)과 접하는 모서리가 박판금속기판의 길이방향인 x축 상에서 서로 내측 또는 외측 방향으로 서로 어긋나게 형성되거나, 동일한 위치에 형성될 수 있다. In addition, the corners tangent to the upper surface 211-1 and the tangent to the lower surface 211-2 are formed to be shifted from each other in the inner or outer direction on the x axis, which is the longitudinal direction of the thin plate metal substrate, .
한편, 도 8의 (b)를 참조하면, 박판금속가공품(211)은 상부면(211-1), 하부면(211-2) 및 연마면(211-3)을 두께 방향(T)으로 절단한 가상의 단면에 의해 각각 제공되는 상측선(1), 하측선(2) 및 연마선(3)을 갖는다.8 (b), the
상기 연마선(3)은 상측선(1)과 접하면서 제1각도로 하향 경사지는 제1면(3-1)과, 하측선(2)과 접하면서 제2각도로 상향 경사지는 제2면(3-2)과, 제1면(3-1)과 제2면(3-2)의 각 모서리를 연결하는 제3면(3-3)을 포함할 수 있으며, 제1면(3-1)과 제2면(3-2)의 각 모서리(3-4, 3-5)는 완만한 곡률을 갖도록 형성될 수 있다. 여기서, 제3면(3-3)은 내측 방향으로 함입되도록 라운드지게 형성될 수 있다.The
본 박판금속가공품(211)은 두께 방향(T)으로 절단한 가상의 단면의 연마선(3)에서 양 모서리에 대한 x축 상의 수직거리를 D라고 하고, 상측선(1)의 수평 연장한 선과 제1면(3-1)이 만나 이루는 제1각도를 θ1라고 하고, 하측선(2)의 수평 연장한 선과 제2면(3-2)이 이루는 제2각도를 θ2라고 하고, 제1면(3-1)의 모서리의 곡률 반경을 R1이라 하고, 제2면(3-2)의 모서리의 곡률 반경을 R2라고 한다.The vertical distance on the x axis with respect to both edges of the
이때, 수직거리(D)는 2.9㎛ 이상 21.0㎛ 이하의 범위를 만족하는 값을 가질 수 있으며, 제1각도(θ1) 및 제2각도(θ2)는 1° 이상 10° 이하의 범위를 만족하는 값을 가질 수 있다. In this case, the vertical distance D may have a value satisfying a range of 2.9 to 21.0 m, and the first angle? 1 and the second angle? 2 may satisfy a range of 1 ° to 10 ° Value. ≪ / RTI >
또한, 곡률 반경 R1은 6.6㎛ 이상 19.6㎛ 이하의 범위를 만족하는 값을 가질 수 있으며, 곡률 반경 R2은 4.9㎛ 이상 11.6㎛ 이하의 범위를 만족하는 값을 가질 수 있다. 여기서, 곡률 반경 R1은 곡률 반경 R2 보다 큰 값을 가질 수 있다.
The curvature radius R1 may have a value that satisfies a range of 6.6 to 19.6 m, and the curvature radius R2 may have a value that satisfies a range of 4.9 to 11.6 m. Here, the curvature radius R1 may have a value larger than the curvature radius R2.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 박판금속가공품의 단면 모양에 대한 예시도이며, (a)는 에칭공정에 의해 절단된 박판금속가공품의 모서리 형상을, (b) 내지 (e)는 제조된 박판금속가공품의 모서리 형상의 확대이미지를 각각 나타낸다. 여기서, 화학연마 강도는 (b)에서 (e)로 갈수록 크게 적용된 것이다. Fig. 9 is an exemplary view of a cross-sectional shape of a sheet metal workpiece according to an embodiment of the present invention, wherein (a) shows the edge shape of the sheet metal workpiece cut by the etching process, and (b) Respectively. As shown in Fig. Here, the chemical polishing strength is applied to (b) to (e).
도 9의 (a)를 참조하면, 박판금속가공품의 두께 T가 100㎛ 이면, 수직거리 D는 27.008㎛, 상부면과 에칭면이 만나는 모서리의 내각은 81.253°, 하부면과 에칭면이 만나는 모서리의 내각은 48.336°을 갖도록 에칭공정에 의해 절단됨을 알 수 있다.9A, when the thickness T of the thin metal workpiece is 100 mu m, the vertical distance D is 27.008 mu m, the internal angle of the corner where the upper surface meets the etching surface is 81.253 DEG, the corner where the lower surface meets the etching surface Is cut by an etching process so as to have an internal angle of 48.336 DEG.
한편, 도 9의 (b)를 참조하면, 에칭공정에 의해 절단된 박판금속가공품에 대한 화학연마 공정이 PT1 시간 동안 수행될 경우, 박판금속가공품의 두께 T가 100㎛ 이면, 수직거리 D는 16.239㎛, 상부면과 연마면이 만나 이루는 제1각도 θ1은 2.862°, 하부면과 연마면이 만나 이루는 제2각도 θ2는 1.347°, 상부면과 연마면이 만나는 모서리의 곡률 반경 R1은 6.675㎛, 하부면과 연마면이 만나는 모서리의 곡률 반경 R2는 4.983㎛을 갖도록 제조됨을 알 수 있다.9 (b), when the chemical polishing process for the thin metal workpiece cut by the etching process is performed for PT1 time, if the thickness T of the thin metal workpiece is 100 m, the vertical distance D is 16.239 The first angle? 1 at which the upper surface and the polishing surface meet is 2.862 占 The second angle? 2 at which the lower surface and the polishing surface meet is 1.347 占 The radius of curvature R1 at which the upper surface and the polishing surface meet is 6.675 占 퐉, And the curvature radius R2 of the corner where the lower surface and the polishing surface meet is 4.983 mu m.
한편, 도 9의 (c)를 참조하면, (b)의 경우와 다른 공정 조건은 동일하며 박판금속가공품에 대한 화학연마 공정이 PT2 시간 동안 수행될 경우, 박판금속가공품의 두께 T가 100㎛ 이면, 수직거리 D는 13.513㎛, 상부면과 연마면이 만나 이루는 제1각도 θ1은 2.950°, 하부면과 연마면이 만나 이루는 제2각도 θ2는 2.380°, 상부면과 연마면이 만나는 모서리의 곡률 반경 R1은 10.072㎛, 하부면과 연마면이 만나는 모서리의 곡률 반경 R2는 5.096㎛을 갖도록 제조됨을 알 수 있다. 이때, 화학연마 시간은 PT2 > PT1 이다.On the other hand, referring to FIG. 9 (c), when the chemical polishing process for the thin metal workpiece is performed for PT2 time, the thickness T of the thin metal workpiece is 100 占 퐉 , The vertical distance D is 13.513 mu m, the first angle &thetas; 1 between the upper surface and the polished surface is 2.950 DEG, the second angle &thetas; 2 between the lower surface and the polished surface is 2.380 DEG, The radius R1 is 10.072 mu m, and the curvature radius R2 of the corner where the lower surface and the polishing surface meet is 5.096 mu m. At this time, the chemical polishing time is PT2 > PT1.
한편, 도 9의 (d)를 참조하면, (b)의 경우와 다른 공정 조건은 동일하며 박판금속가공품에 대한 화학연마 공정이 PT3 시간 동안 수행될 경우, 박판금속가공품의 두께 T가 100㎛ 이면, 수직거리 D는 9.174㎛, 상부면과 연마면이 만나 이루는 제1각도 θ1은 6.115°, 하부면과 연마면이 만나 이루는 제2각도 θ2는 9.211°, 상부면과 연마면이 만나는 모서리의 곡률 반경 R1은 12.417㎛, 하부면과 연마면이 만나는 모서리의 곡률 반경 R2는 10.858㎛을 갖도록 제조됨을 알 수 있다. 이때, 화학연마 시간은 PT3 > PT2 > PT1 이다.On the other hand, referring to FIG. 9 (d), when the chemical polishing process for the thin metal workpiece is performed for PT3 time, the thickness T of the thin metal workpiece is 100 占 퐉 , The vertical distance D is 9.174 mu m, the first angle &thetas; 1 between the upper surface and the polished surface is 6.115 DEG, the second angle &thetas; 2 between the lower surface and the polished surface is 9.211 DEG, The radius R1 is 12.417 mu m, and the curvature radius R2 of the corner where the lower surface and the polishing surface meet is 10.858 mu m. At this time, the chemical polishing time is PT3> PT2> PT1.
한편, 도 9의 (e)를 참조하면, (b)의 경우와 다른 공정 조건은 동일하며 박판금속가공품에 대한 화학연마 공정이 PT4 시간 동안 수행될 경우, 박판금속가공품의 두께 T가 100㎛ 이면, 수직거리 D는 5.714㎛, 상부면과 연마면이 만나 이루는 제1각도 θ1은 9.090°, 하부면과 연마면이 만나 이루는 제2각도 θ2는 7.646°, 상부면과 연마면이 만나는 모서리의 곡률 반경 R1은 12.478㎛, 하부면과 연마면이 만나는 모서리의 곡률 반경 R2는 11.676㎛을 갖도록 제조됨을 알 수 있다. 이때, 화학연마 시간은 PT4 > PT3 > PT2 > PT1 이다.9 (e), when the chemical polishing process for the thin metal workpiece is performed for PT4 hours, the thickness T of the thin metal workpiece is 100 占 퐉 , The vertical distance D is 5.714 mu m, the first angle &thetas; 1 where the upper surface and the abrasive surface meet is 9.090 DEG, the second angle &thetas; 2 between the lower surface and the abrasive surface is 7.646 DEG, The radius R1 is 12.478 占 퐉, and the curvature radius R2 of the corner where the lower surface and the polishing surface meet is 11.676 占 퐉. At this time, the chemical polishing time is PT4> PT3> PT2> PT1.
이와 같이 본 박판금속가공품은 화학연마 강도가 커질수록, 예를 들어, 화학연마 시간이 길어지거나, 화학연마액의 농도가 증가할수록, 수직거리 D는 작아지고, 제1각도 θ1 및 제2각도 θ2는 커지며, 모서리의 곡률 반경 R1 및 R2는 커짐을 알 수 있다. As described above, as the chemical polishing strength increases, for example, the chemical polishing time becomes longer or the concentration of the chemical polishing liquid increases, the vertical distance D becomes smaller and the first angle? 1 and the second angle? 2 And the curvature radii R1 and R2 of the corners become larger.
또한, 본 박판금속가공품은 화학연마 강도가 커질수록 수직거리 D가 작아지므로 양 모서리를 연결하는 면이 평활해짐을 알 수 있다.In addition, it can be seen that as the chemical polishing strength of the present thin metal workpiece increases, the vertical distance D becomes smaller, so that the plane joining the both edges becomes smooth.
또한, 본 박판금속가공품은 상부면과 연마면이 만나는 모서리의 곡률 반경 R1이 하부면과 연마면이 만나는 모서리의 곡률 반경 R2보다 큼을 알 수 있다.
Further, it can be seen that the radius of curvature R1 of the corner where the upper surface and the polishing surface meet is larger than the radius of curvature R2 of the corner where the lower surface and the polishing surface meet.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시 예들을 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 한다.The present invention has been described with reference to the preferred embodiments. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Accordingly, the disclosed embodiments are to be considered in an illustrative rather than a restrictive sense, and all differences within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the present invention.
110, 210. 베이스 기판
111, 211. 패턴이 형성된 베이스 기판(박판금속가공품)
120, 레지스트층 121. 레이저 패터닝된 레지스트층
220. 포토레지스트층 221. 패터닝된 레지스트층110, 210. Base substrate
111, and 211. A base substrate on which a pattern is formed (a thin metal plate)
120, resist
220.
Claims (30)
화학연마에 의해 제공되는 적어도 하나의 연마면을 포함하며,
상기 연마면은 상부면을 수평 연장한 면과 제1 각도(θ1)로 하향 경사지는 제1면과, 하부면을 수평 연장한 면과 제2 각도(θ2)로 상향 경사지는 제2면과, 상기 제1면과 제2면의 모서리를 연결하는 제3면을 포함하되, 상기 제1면 및 제2면의 모서리가 곡률을 갖도록 형성되고,
상기 연마면의 제3면은 내측 방향으로 함입되어 형성된 적어도 하나의 오목부를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박판금속가공품.A predetermined thickness is provided by the upper surface and the lower surface,
At least one polishing surface provided by chemical polishing,
Wherein the polishing surface has a first surface inclined downward at a first angle (? 1), a second surface inclined upward at a second angle (? 2) with a surface horizontally extending the lower surface, And a third surface connecting edges of the first surface and the second surface, wherein edges of the first surface and the second surface are formed to have a curvature,
Wherein the third surface of the polishing surface is formed to have at least one recess formed inwardly embedded therein.
상기 연마면의 제1면 및 제2면의 각 모서리가 완만하도록 형성된 볼록부를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박판금속가공품.20. The method of claim 19,
Wherein the first and second surfaces of the polishing surface are formed so as to have convex portions formed so as to be gently corners.
상기 연마면은 상기 제1면과 접하는 제1 볼록부, 상기 제2면과 접하는 제2 볼록부 및 상기 제1 볼록부와 제2 볼록부를 연결하는 오목부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박판금속가공품.22. The method of claim 21,
Wherein the polishing surface includes a first convex portion contacting the first surface, a second convex portion contacting the second surface, and a concave portion connecting the first convex portion and the second convex portion.
상기 제1면과 접하는 제1 볼록부의 곡률 반경은 상기 제2면과 접하는 제2 볼록부의 곡률 반경보다 큰 것을 특징으로 하는 박판금속가공품.23. The method of claim 22,
Wherein a radius of curvature of the first convex portion contacting the first surface is larger than a radius of curvature of the second convex portion contacting the second surface.
상기 제1면과 접하는 제1 볼록부 및 상기 제2면과 접하는 제2 볼록부는 길이방향의 x축 좌표상에 있어서 서로 다른 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 박판금속가공품.23. The method of claim 22,
Wherein the first convex portion contacting with the first surface and the second convex portion contacting with the second surface are formed at different positions on the x axis coordinate in the longitudinal direction.
상기 제1면과 접하는 제1 볼록부 및 상기 제2면과 접하는 제2 볼록부는 길이방향의 x축 좌표상에 있어서 동일한 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 박판금속가공품.23. The method of claim 22,
Wherein the first convex portion contacting with the first surface and the second convex portion contacting with the second surface are formed at the same position on the x axis coordinate in the longitudinal direction.
상기 연마면의 제1면 및 제2면과 접하는 각 모서리의 길이방향의 x축 좌표상의 위치 간 수직거리(D)는 2.9㎛ 이상 21㎛ 이하의 범위를 만족하는 값을 갖는 것을 특징으로 하는 박판금속가공품.20. The method of claim 19,
And a vertical distance (D) between positions on the x-axis coordinate in the longitudinal direction of each of the corners contacting the first and second surfaces of the polishing surface has a value satisfying a range of 2.9 탆 to 21 탆. Metal work products.
상기 제1 각도(θ1) 및 제2 각도(θ2)는 1° 이상 10° 이하의 범위를 만족하는 값을 갖는 것을 특징으로 하는 박판금속가공품.20. The method of claim 19,
Wherein the first angle (? 1) and the second angle (? 2) have values that satisfy a range of 1 ° to 10 °.
상기 연마면의 제1면과 접하는 모서리의 곡률 반경(R1)은 6.6㎛ 이상 19.6㎛ 이하의 범위를 만족하는 값을 갖는 것을 특징으로 하는 박판금속가공품.20. The method of claim 19,
And a radius of curvature (R1) of an edge of the polishing surface that is in contact with the first surface has a value that satisfies a range of 6.6 탆 to 19.6 탆.
상기 연마면의 제2면과 접하는 모서리의 곡률 반경(R2)은 4.9㎛ 이상 11.6㎛ 이하의 범위를 만족하는 값을 갖는 것을 특징으로 하는 박판금속가공품.20. The method of claim 19,
And a radius of curvature (R2) of a corner that is in contact with the second surface of the polishing surface has a value that satisfies a range of 4.9 占 퐉 to 11.6 占 퐉.
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