KR101420434B1 - 유기전계발광표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 기판 상에서 상호 교차하도록 배선된 복수의 데이터 배선 및 스캔 배선; 및 기판 상에 위치하는 복수의 데이터 배선 및 스캔 배선에 연결되어 서로 다른 색을 발광하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 단위 픽셀들을 포함하되, 복수의 데이터 배선 중 제1데이터 배선과 제2데이터 배선은, 단위 픽셀들 중 제1단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀과 제2단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀을 공유하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
유기전계발광표시장치, 단위 픽셀, 데이터 배선
Description
본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.
또한, 유기전계발광소자는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식과 배면발광(Bottom-Emission) 방식 등이 있고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.
이러한 유기전계발광소자를 이용한 유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호 및 데이터신호 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있게 된다.
일반적으로 유기전계발광표시장치에 포함된 단위 픽셀은 서로 다른 색을 발광하는 3개의 서브 픽셀이 일정 순서로 반복 배치되는 구조를 사용하였다. 단위 픽셀의 배치는 유기전계발광표시장치뿐만 아니라 액정 표시장치나 플라즈마 표시장치와 같은 다른 평판 표시장치도 이와 같은 방식으로 구성되어 있었다.
그러나, 유기전계발광표시장치의 경우, 단위 픽셀에 포함된 서브 픽셀을 형성할 때, 서브 픽셀 간의 마진이 적어 고해상도의 표시장치로 제조하는데 많은 어려움이 있어 이의 개선이 요구된다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 서브 픽셀의 배치를 달리하여 고해상도 구현의 용이성을 줄 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은, 기판 상에서 상호 교차하도록 배선된 복수의 데이터 배선 및 스캔 배선; 및 기판 상에 위치하는 복수의 데이터 배선 및 스캔 배선에 연결되어 서로 다른 색을 발광하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 단위 픽셀들을 포함하되, 복수의 데이터 배선 중 제1데이터 배선과 제2데이터 배선은, 단위 픽셀들 중 제1단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀과 제2단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀을 공유하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
제1단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀과 제2단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀은 동일한 행에서 서로 인접 배치될 수 있다.
제1단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀과 제2단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀은 동일한 서브 픽셀일 수 있다.
제1단위 픽셀과 제2단위 픽셀에 각각 포함되며 하나의 데이터 배선을 공유하는 서브 픽셀은 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 색을 발광할 수 있다.
n번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀과 제3서브 픽셀에 인접하며, n+1번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀은, 동일한 색을 발광할 수 있다.
n번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀과 제3서브 픽셀에 인접하며, n+1번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀은, 다른 색을 발광할 수 있다.
복수의 서브 픽셀은, 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함할 수 있다.
n번째 행에 위치하는 제n단위 픽셀에 포함된 복수의 서브 픽셀과 n+1번째 행에 위치하는 제n+1단위 픽셀에 포함된 복수의 서브 픽셀은 하나 이상 같거나 다른 색을 발광하도록 배치될 수 있다.
n번째 행에 위치하는 제n단위 픽셀에 포함된 복수의 서브 픽셀과 n+1번째 행에 위치하는 제n+1단위 픽셀에 포함된 복수의 서브 픽셀은 모두 동일한 색을 발광하도록 배치될 수 있다.
복수의 서브 픽셀 중 하나의 서브 픽셀은, 스캔 배선으로부터 공급된 스캔 신호를 공급받아 스위칭하는 스위칭 트랜지스터와, 데이터 배선으로부터 공급된 데이터 신호를 저장하는 커패시터와, 커패시터에 저장된 데이터 신호에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터가 구동함에 따라 발광하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.
본 발명은, 서브 픽셀의 배치를 달리하여 고해상도 구현의 용이성을 줄 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 블록도이고, 도 2a내지 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀 회로의 일 예이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 표시패널(100), 스캔 구동부(200), 데이터 구동부(300) 및 제어부(400)을 포함한다.
표시패널(100)은 복수의 신호라인(S1~Sn, D1~Dm), 복수의 전원라인(미도시) 및 이들에 연결되어 매트릭스 형태로 배열된 복수의 서브 픽셀(PX)을 포함한다.
복수의 신호라인(S1~Sn, D1~Dm)은 스캔신호를 전달하는 복수의 스캔 배선(S1~Sn) 및 데이터 신호를 전달하는 데이터 배선(D1~Dm)을 포함하며, 각 전원라인(미도시)은 전원 전압(VDD)등을 각 서브 픽셀(PX)에 전달할 수 있다.
여기서, 복수의 신호라인은 스캔 배선(S1~Sn) 및 데이터 배선(D1~Dm)만을 포함하는 것으로 도시하고 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 구동방식에 따라 소거신호를 전달하는 소거라인(미도시)을 더 포함할 수도 있다.
그러나, 소거 신호가 사용되는 경우에도 소거 배선이 생략되는 것이 가능하다. 이러한 경우에는 소거 신호를 다른 라인으로 공급할 수 있다. 예를 들면, 도시하지는 않았지만, 표시 패널(100)에는 전원 전압(VDD)을 공급하는 전원 배선이 더 포함되는 경우에, 소거 신호는 전원 배선을 통해 공급될 수도 있다.
도 2a를 참조하면, 서브 픽셀(PX)은 스캔 배선(Sn)으로부터 스캔 신호를 공급받아 스위칭 동작하는 스위칭 트랜지스터(T1)와, 데이터 배선(Dm)으로부터 공급된 데이터 신호를 저장하는 커패시터(Cst)와, 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 신호에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터(T2)와, 구동 트랜지스터(T2)가 구동함에 따라 발광하는 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.
이와 달리, 서브 픽셀은, 도 2b에 도시한 바와 같이, 스캔 배선(Sn)으로부터 스캔 신호를 공급받아 스위칭 동작하는 스위칭 트랜지스터(T1)와, 데이터 배선(Dm)으로부터 공급된 데이터 신호를 저장하는 커패시터(Cst)와, 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 신호에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터(T2)와, 구동 트랜지스터(T2)가 구동함에 따라 발광하는 유기 발광다이오드(OLED)와, 소거 배선(En)으로부터 공급된 소거 신호에 따라 커패시터에 저장된 데이터 신호를 소거하는 소거용 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다.
도 2b에 도시한 픽셀 회로는 하나의 프레임을 복수개의 서브필드로 나누어 계조를 표현하는 디지털 구동 방식에 의하여 유기전계발광표시장치를 구동할 경우, 어드레스 시간보다 발광 시간이 작은 서브필드에 소거 신호를 공급함으로써 발광 시간을 조절할 수 있다. 따라서, 유기전계발광표시장치의 최소 휘도를 낮출 수 있는 장점이 있다.
다시 도 1을 참조하면, 스캔 구동부(200)는 표시패널(100)의 스캔 배선(S1~Sn)에 연결되어, 제1트랜지스터(M1, T1)를 턴온시킬 수 있는 스캔신호를 스캔 배선(S1~Sn)에 각각 인가한다.
데이터 구동부(300)는 표시패널(100)의 데이터 배선(D1~Dm)에 연결되어 출력 영상 신호(DAT)를 나타내는 데이터 신호를 데이터 배선(D1~Dm)에 인가한다. 이러한, 데이터 구동부(300)는 데이터 배선(D1~Dm)에 연결되는 적어도 하나의 데이터 구동 집적회로(integrated circuit, IC)를 포함할 수 있다.
데이터 구동 IC는 차례로 연결되어 있는 쉬프트 레지스터(shift register), 래치(latch), 디지털-아날로그 변환부(DA-converter) 및 출력 버퍼(output buffer)를 포함할 수 있다.
쉬프트 레지스터는 수평동기시작신호(STH)(또는 시프트 클록신호)가 들어오면 데이터 클록신호(HCLK)에 따라 출력 영상 신호(DAT)를 래치에 전달할 수 있다. 데이터 구동부(300)가 복수의 데이터 구동 IC를 포함하는 경우, 한 구동 IC의 시프트 레지스터는 시프트 클록신호를 다음 구동 IC의 시프트 레지스터로 내보낼 수 있다.
래치는 출력 영상 신호(DAT)를 기억하며, 기억하고 있는 출력 영상 신호(DAT)를 로드 신호(LOAD)에 따라 해당 계조 전압을 선택하여 출력 버퍼로 내보낼 수 있다.
디지털-아날로그 변환부는 출력 영상 신호(DAT)에 따라 해당 계조 전압을 선택하여 출력 버퍼로 내보낼 수 있다.
출력 버퍼는 디지털-아날로그 변환부로부터의 출력 전압을 데이터 신호로서 데이터 배선(D1~Dm)으로 출력하며, 이를 1 수평 주기(1H) 동안 유지할 수 있다.
제어부(400)는 스캔 구동부(200) 및 데이터 구동부(300)의 동작을 제어한다. 또한, 제어부(400)는 입력 영상 신호(R, G, B)를 감마변환하여 출력 영상 신호(DAT)를 생성하는 신호변환부(450)을 포함할 수 있다.
즉, 제어부(400)는 스캔 제어 신호(CONT1) 및 데이터 제어 신호(CONT2) 등을 생성한 후, 스캔 제어 신호(CONT1)를 스캔 구동부(200)로 출력하고, 데이터 제어 신호(CONT2)와 처리한 출력 영상 신호(DAT)를 데이터 구동부(300)로 출력할 수 있다.
또한, 제어부(400)는 외부의 그래픽 콘트롤러(미도시)로부터의 입력 영상 신호(R, G, B) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호를 수신한다. 여기서, 입력 제어 신호의 예로는 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 메인 클록(MCLK), 데이터 인에이블 신호(DE) 등이 있을 수 있다.
이러한 구동장치(200, 300, 400) 각각은 적어도 하나의 집적 회로 칩의 형태로 표시패널(100) 위에 직접 장착되거나, 연성 인쇄회로 필름(Flexible Printed Circuit Film)(미도시) 위에 장착되어 TCP(tape carrier package)의 형태로 표시패널(100)에 부착되거나, 별도의 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)(미도시) 위에 장착될 수도 있다.
이와는 달리, 이들 구동장치(200, 300, 400)가 복수의 신호라인(S1~Sn, D1~Dm) 또는 트랜지스터(T1, T2, T3) 등과 함께 표시패널(100)에 집적될 수도 있다.
또한, 구동장치(200, 300, 400)는 단일 칩으로 집적될 수 있으며, 이 경우 이들 중 적어도 하나 또는 이들을 이루는 적어도 하나의 회로소자가 단일 칩 외부 에 있을 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 구조를 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 일 방향으로 배열된 스캔 배선(120a), 상기 스캔 배선(120a)과 수직하게 배열된 데이터 배선(140a) 및 데이터 배선(140a)과 평행하게 배열된 전원 배선(140e)에 의해 정의되는 화소 영역 및 상기 화소 영역 외의 비화소 영역을 포함하는 기판이 위치한다.
화소 영역에는 스캔 배선(120a) 및 데이터 배선(140a)과 연결된 스위칭 트랜지스터(T1)와, 스위칭 트랜지스터(T1) 및 전원 배선(140e)과 연결된 커패시터(Cst)와, 커패시터(Cst) 및 전원 배선(140e)과 연결된 구동 트랜지스터(T2)가 위치할 수 있다. 여기서, 커패시터(Cst)는 커패시터 하부전극(120b) 및 커패시터 상부전극(140b)을 포함할 수 있다.
또한, 화소 영역에는 상기 구동 트랜지스터(T2)와 전기적으로 연결된 제1전극(미도시)과, 제1전극 상에 발광층(미도시) 및 제2전극(미도시)을 포함하는 유기 발광다이오드가 위치할 수 있다.
비화소 영역은 스캔 배선(120a), 데이터 배선(140a) 및 전원 배선(140e)을 포함할 수 있다.
도 4a는 도 3의 I-I'에 따른 단면도이다.
먼저, 도 4a를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 더욱 자세히 살펴보면 다음과 같다.
기판(110) 상에 버퍼층(105)이 위치한다. 버퍼층(105)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 트랜지스터를 보호하기 위해 형성하는 것으로, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용하여 선택적으로 형성할 수 있다.
여기서, 기판(110)은 유리, 플라스틱 또는 금속일 수 있다.
버퍼층(105) 상에 반도체층(111)이 위치한다. 상기 반도체층(111)은 비정질 실리콘 또는 결정화된 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.
또한, 반도체층(111)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역 이외의 채널 영역을 포함할 수 있다.
반도체층(111) 상에 게이트 절연막일 수 있는 제1절연막(115)이 위치한다. 제1절연막(115)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.
제1절연막(115)의 상에 위치하는 반도체층(111)의 일정 영역, 즉 불순물이 주입되었을 경우의 채널 영역과 대응되는 위치에 게이트 전극(120c)이 위치할 수 있다. 그리고, 상기 게이트 전극(120c)과 동일층 상에 스캔 배선(120a) 및 커패시터 하부 전극(120b)이 위치할 수 있다.
게이트 전극(120c)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.
또한, 게이트 전극(120c)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다.
또한, 게이트 전극(120c)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.
스캔 배선(120a)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 스캔 배선(120a)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 또한, 스캔 배선(120a)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.
층간 절연막이 되는 제2절연막(125)은 스캔 배선(120a), 커패시터 하부 전극(120b) 및 게이트 전극(120c)을 포함하는 기판(110) 상에 위치한다. 제2절연막(125)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.
제2절연막(125) 및 제1절연막(115) 내에 반도체층(111)의 일부를 노출시키는 콘택홀들(130b, 130c)이 위치한다.
제2절연막(125) 및 제1절연막(115)을 관통하는 콘택홀들(130b, 130c)을 통하 여 반도체층(111)과 전기적으로 연결되는 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)이 화소 영역에 위치한다.
드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.
그리고, 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)과 동일층 상에 데이터 배선(140a), 커패시터 상부 전극(140b) 및 전원 배선(140e)이 위치할 수 있다.
비화소 영역에 위치하는 데이터 배선(140a), 전원 배선(140e)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 데이터 배선(140a) 및 전원 배선(140e)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.
또한, 데이터 배선(140a) 및 전원 배선(140e)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.
이 밖에, 데이터 배선(140a) 및 전원 배선(140e)은 몰리브덴/알루미늄-네오 디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.
제3절연막(145)은 데이터 배선(140a), 커패시터 상부 전극(140b), 드레인 및 소오스 전극(140c, 140d)과 전원 배선(140e) 상에 위치한다. 제3절연막(145)은 하부 구조의 단차를 완화하기 위한 평탄화막일 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물 또는 실리콘 산화물을 액상 형태로 코팅한 다음 경화시키는 SOG(spin on glass)와 같은 무기물로 형성될 수 있다.
이와는 달리, 제3절연막(145)은 패시베이션막일 수 있으며, 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.
제3절연막(145) 내에 드레인 및 소오스 전극(140c, 140d) 중 어느 하나를 노출시키는 비어홀(165)이 위치하며, 제3절연막(145) 상에 비어홀(165)을 통하여 드레인 및 소오스 전극(140c, 140d) 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 제1전극(160)이 위치한다.
제1전극(160)은 애노드일 수 있으며, 투명한 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 여기서, 유기전계발광표시장치의 구조가 배면 또는 양면발광일 경우에 제1전극(160)은 투명한 전극일 수 있으며, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 유기전계발광표시장치의 구조가 전면발광일 경우에 제1전극(160)은 반사 전극일 수 있으며, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있고, 이와 더불어, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 반사층을 포함할 수 있다.
제1전극(160) 상에 인접하는 제1전극들을 절연시키며, 제1전극(160)의 일부를 노출시키는 개구부(175)를 포함하는 제4절연막(155)이 위치한다. 개구부(175)에 의해 노출된 제1전극(160) 상에 발광층(170)이 위치한다.
발광층(170) 상에 제2전극(180)이 위치한다. 제2전극(180)은 캐소드 전극일 수 있으며, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.
여기서, 제2전극(180)은 유기전계발광표시장치가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광표시장치가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다.
전술한 실시 예는 총 7매의 마스크 즉, 반도체층, 게이트 전극(스캔 배선 및 커패시터 하부전극 포함), 콘택홀들, 소오스 전극 및 드레인 전극(데이터 배선, 전원 배선, 커패시터 상부전극 포함), 비어홀, 제1전극 및 개구부를 형성하는 공정에 마스크가 사용된 유기전계발광표시장치의 구조를 예로 설명하였다.
이하에서는, 총 5매의 마스크를 이용하여 유기전계발광표시장치가 형성된 실시 예를 개시한다. 하기에 개시하는 실시 예에서 전술한 유기전계발광표시장치와 중복되는 부분의 설명은 생략한다.
도 4b는 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도 이다.
도 4b를 참조하면, 기판(110) 상에 버퍼층(105)이 위치하고, 버퍼층(105) 상에 반도체층(111)이 위치한다. 반도체층(111) 상에 제1절연막(115)이 위치하고, 제1절연막(115) 상에 게이트 전극(120c), 커패시터 하부전극(120b) 및 스캔 배선(120a)이 위치한다. 게이트 전극(120c) 상에 제2절연막(125)이 위치한다.
제2절연막(125) 상에 제1전극(160)이 위치하고, 반도체층(111)을 노출시키는 콘택홀들(130b, 130c)이 위치한다. 제1전극(160)과 콘택홀들(130b, 130c)은 동시에 형성될 수 있다.
제2절연막(125) 상에 소오스 전극(140d), 드레인 전극(140c), 데이터 배선(140a), 커패시터 상부전극(140b) 및 전원 배선(140e)이 위치한다. 여기서 드레인 전극(140c)의 일부는 제1전극(160) 상에 위치할 수 있다.
전술한 구조물이 형성된 기판(110) 상에 화소정의막 또는 뱅크층일 수 있는 제3절연막(145)이 위치하고, 제3절연막(145)에는 제1전극(160)을 노출시키는 개구부(175)가 위치한다. 개구부(175)에 의해 노출된 제1전극(160) 상에 발광층(170)이 위치하고, 그 상부에 제2전극(180)이 위치한다.
위와 같이, 총 5매의 마스크 즉, 반도체층, 게이트 전극(스캔 배선 및 커패시터 하부전극 포함), 제1전극(콘택홀 포함), 소오스/드레인 전극(데이터 배선, 전원 배선, 커패시터 상부전극 포함) 및 개구부를 형성하는 공정에 마스크가 사용된 유기전계발광표시장치는 마스크의 개수를 줄여 제조 비용을 절감하고 대량 생산의 효율성을 높일 수 있는 이점이 있다.
이러한 유기전계발광표시장치는 컬러영상을 구현함에 있어서 여러가지 방법이 있을 수 있는데, 도 5a내지 5b를 참조하여 그 구현방법에 대해 살펴보기로 한다.
도 5a내지 5b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치에서 컬러 영상을 구현하는 실시예들을 나타내는 도면이다.
먼저, 도 5a에 나타낸 컬러 영상 구현 방식은 적색, 녹색, 청색의 빛을 각각 방출하는 적색 발광층(170R), 녹색 발광층(170G), 청색 발광층(170B)을 별도로 구비한 유기전계발광표시장치의 컬러 영상 구현방식을 나타낸 것이다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 적색광, 녹색광, 청색광이 각각의 발광층(170R, 170G, 170B)으로부터 각각 제공됨으로써, 적색광/녹색광/청색광이 혼합되어 컬러 영상을 표시할 수 있다.
여기서 각 발광층(170R, 170G, 170B)의 상, 하부에는 전자수송층(ETL), 정공수송층(HTL) 등이 더 포함될 수 있으며, 그 배열 및 구조에 대해서는 다양한 변형이 가능하다.
또한, 도 5b에 나타낸 컬러 영상 구현 방식은 백색 발광층(270W)과 적색 컬러필터(290R), 녹색 컬러필터(290G), 청색 컬러필터(290B)를 구비한 유기전계발광표시장치의 컬러 영상 구현방식을 나타낸 것이다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 백색 발광층(270W)으로부터 제공되는 백색 빛이 적색 컬러필터(290R), 녹색 컬러필터(290G), 청색 컬러필터(290B)를 각각 투과하면서, 적색광/녹색광/청색광이 각각 생성되어 혼합됨으로써, 컬러 영상을 표시할 수 있다.
여기서 각 백색 발광층(270W)의 상, 하부에는 전자수송층(ETL), 정공수송층(HTL) 등이 더 포함될 수 있으며, 그 배열 및 구조에 대해서는 다양한 변형이 가능하다.
여기서, 도 5a 내지 도 5b에서는 배면발광구조를 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 전면발광구조에 따라, 그 배열 및 구조에 대해서 다양한 변형이 가능하다.
또한, 컬러 영상 구현방식에 대해서, 두 가지 종류의 구동방식을 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 다양한 변형이 가능하다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광다이오드의 계층 구조도 이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광다이오드는 기판(110), 기판(110)에 위치하는 제1전극(160)이 위치하고, 상기 제1전극(160) 상에 위치하는 정공주입층(171), 정공수송층(172), 발광층(170), 전자수송층(173), 전자주입층(174) 및 전자주입층(174)상에 위치하는 제2전극(180)을 포함할 수 있다.
먼저, 제1전극(160) 상에 정공주입층(171)이 위치한다. 상기 정공주입층(171)은 상기 제1전극(160)으로부터 발광층(170)으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
앞서 설명한, 정공주입층(171)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있다.
정공수송층(172)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
정공수송층(172)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있다.
앞서 설명한 발광층(170)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.
발광층(170)이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(170)이 녹색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함 하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(170)이 청색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다.
이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
여기서, 전자수송층(173)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
전자수송층(173)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있다. 전자수송층(173)은 제1전극으로부터 주입된 정공이 발광층을 통과하여 제2전극으로 이동하는 것을 방지하는 역할도 할 수 있다. 즉, 정공저지층의 역할을 하여 발광층에서 정공과 전자의 결합을 효율적이게 하는 역할을 할 수도 있다.
여기서, 전자주입층(174)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
전자주입층(174)은 전자주입층을 이루는 유기물과 무기물을 진공증착법으로 형성할 수 있다.
여기서, 정공주입층(171) 또는 전자주입층(174)은 무기물을 더 포함할 수 있으며, 상기 무기물은 금속화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 금속화합물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함할 수 있다. 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물은 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
즉, 전자주입층(174)내의 무기물은 제2전극(180)으로부터 발광층(170)으로 주입되는 전자의 호핑(hopping)을 용이하게 하여, 발광층내로 주입되는 정공과 전자의 밸런스를 맞추어 발광효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 정공주입층(171) 내의 무기물은 제1전극(160)으로부터 발광층(170)으로 주입되는 정공의 이동성을 줄여줌으로써, 발광층(170)내로 주입되는 정공과 전자의 밸런스를 맞추어 발광효율을 향상시킬 수 있다.
여기서, 본 발명은 도 6에 한정되는 것은 아니며, 전자주입층(174), 전자수송층(173), 정공수송층(172), 정공주입층(171) 중 적어도 어느 하나가 생략될 수도 있다.
이하의 설명에서 서브 픽셀은, 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함하는 단 위 픽셀이 표시패널의 평면 상에 배치되는 실시예를 설명한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 표시패널에 포함된 단위 픽셀의 배치도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 미 도시된 기판 상에는 상호 교차하도록 배선된 복수의 데이터 배선(D1..D6) 및 스캔 배선(S1..S6)이 위치할 수 있다. 또한, 미 도시된 기판 상에 위치하는 복수의 데이터 배선(D1..D6) 및 스캔 배선(S1..S6)에 연결되어 서로 다른 색을 발광하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R)이 위치할 수 있다.
복수의 데이터 배선(D1..D6) 중 제1데이터 배선(D1)과 제2데이터 배선(D2)은 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R) 중 제1단위 픽셀(R,G,B)에 포함된 하나의 서브 픽셀(B)과 제2단위 픽셀(B,R,G)에 포함된 하나의 서브 픽셀(B)을 공유할 수 있다.
여기서, 제1단위 픽셀(R,G,B)에 포함된 하나의 서브 픽셀(B)과 제2단위 픽셀(B,R,G)에 포함된 하나의 서브 픽셀(B)은 도시된 바와 같이 동일한 행에서 서로 인접 배치된 것일 수 있다.
이와 같은 설명에 따르면, 복수의 데이터 배선(D1..D6) 중 제2데이터 배선(D2)과 제3데이터 배선(D3)은 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R) 중 제2단위 픽셀(B,R,G)에 포함된 하나의 서브 픽셀(G)과 제3단위 픽셀(G,B,R)에 포함된 하나의 서브 픽셀(G)을 공유하는 형태로 배치될 수 있다.
제1스캔 배선(S1)이 위치하는 영역에 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R)이 이와 같은 형태로 배치된다면, 제2스캔 배선(S2)부터 제6스캔 배선(S6)에 위치하는 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R) 또한 위와 같은 형태로 배치할 수 있다.
그러면, 각 데이터 배선(D1..D6)은 B, G, R, B, G, R 이런 형태의 규칙성을 갖고 각 단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀을 공유하게 된다.
요약하면, n번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀과 제3서브 픽셀에 인접하며, n+1번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀은, 동일한 색을 발광하도록 배치할 수 있다.
이와 같이 공유되는 서브 픽셀은 동일한 공정에 의해 형성된 동일 서브 픽셀일 수 있다. 이에 따르면, 공유되는 서브 픽셀은 다른 서브 픽셀보다 적게는 1.5배 이상의 크기로 많게는 2배 이상의 크기로 형성된다 라고 볼 수도 있다.
한편, 이와 같이 공유되는 서브 픽셀의 휘도는 공유되지 않은 서브 픽셀의 휘도보다 높게 발광시킬수록 유리하다.
따라서, 종래 유기전계발광표시장치는 N개의 단위 픽셀을 구성하기 위해 3 * N개의 서브 픽셀과 데이터 배선이 필요하지만 본 발명의 경우, (2 * N) + 1개의 서브 픽셀과 데이터 배선을 요구하므로 고해상도 디스플레이 구현시 화질이 감소하지 않으면서도 개구율을 확보(또는 증가)할 수 있으며 데이터 배선과 서브 픽셀의 수를 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 8은 도 7의 변형된 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 표시패널에 포함된 단위 픽셀의 배치도이다.
도 8에 도시된 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R)의 배치를 살펴보면, 도 7 에 도시된 것과 유사하지만 공유되는 서브 픽셀의 크기와 공유되지 않는 서브 픽셀의 크기가 같게 형성된 것을 나타낸다.
이와 같이 같은 경우, 공유되는 서브 픽셀은 공유되지 않는 서브 픽셀보다 더 높은 휘도로 발광할 수 있도록 구동 드라이버로부터 출력되는 데이터 신호를 조절하는 것이 유리하다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 표시패널에 포함된 단위 픽셀의 배치도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 미 도시된 기판 상에는 상호 교차하도록 배선된 복수의 데이터 배선(D1..D6) 및 스캔 배선(S1..S6)이 위치할 수 있다. 또한, 미 도시된 기판 상에 위치하는 복수의 데이터 배선(D1..D6) 및 스캔 배선(S1..S6)에 연결되어 서로 다른 색을 발광하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R)이 위치할 수 있다.
복수의 데이터 배선(D1..D6) 중 제1데이터 배선(D1)과 제2데이터 배선(D2)은 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R) 중 제1단위 픽셀(R,G,B)에 포함된 하나의 서브 픽셀(B)과 제2단위 픽셀(B,R,G)에 포함된 하나의 서브 픽셀(B)을 공유할 수 있다.
여기서, 제1단위 픽셀(R,G,B)에 포함된 하나의 서브 픽셀(B)과 제2단위 픽셀(B,R,G)에 포함된 하나의 서브 픽셀(B)은 도시된 바와 같이 동일한 행에서 서로 인접 배치된 것일 수 있다.
이와 같은 설명에 따르면, 복수의 데이터 배선(D1..D6) 중 제2데이터 배 선(D2)과 제3데이터 배선(D3)은 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R) 중 제2단위 픽셀(B,R,G)에 포함된 하나의 서브 픽셀(G)과 제3단위 픽셀(G,B,R)에 포함된 하나의 서브 픽셀(G)을 공유하는 형태로 배치될 수 있다.
제1스캔 배선(S1)이 위치하는 영역에 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R)이 이와 같은 형태로 배치된다면, 제2스캔 배선(S2)부터 제3스캔 배선(S3)에 위치하는 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R)은 위와 다른 형태로 배치할 수 있다.
그러므로, 제2스캔 배선(S2)에 위치하는 제1데이터 배선(D1)과 제2데이터 배선(D2)의 경우, 제2스캔 배선(S2)에 위치하는 제1단위 픽셀(G,B,R) 및 제2단위 픽셀(R,G,B)에 각각 포함된 하나의 서브 픽셀(R)을 공유할 수 있다. 그리고, 제2데이터 배선(D2)과 제3데이터 배선(D3)은 제2스캔 배선(S2)에 위치하는 제2단위 픽셀(R,G,B) 및 제3단위 픽셀(B,R,G)에 각각 포함된 하나의 서브 픽셀(B)을 공유할 수 있다.
또한, 제3스캔 배선(S3)에 위치하는 제1데이터 배선(D1)과 제2데이터 배선(D2)의 경우, 제3스캔 배선(S3)에 위치하는 제1단위 픽셀(B,R,G) 및 제2단위 픽셀(G,B,R)에 각각 포함된 하나의 서브 픽셀(G)을 공유할 수 있다. 그리고, 제2데이터 배선(D2)과 제3데이터 배선(D3)은 제3스캔 배선(S3)에 위치하는 제2단위 픽셀(G,B,R) 및 제3단위 픽셀(R,G,B)에 각각 포함된 하나의 서브 픽셀(R)을 공유할 수 있다.
그러면, 각 데이터 배선(D1..D6)은 제1스캔 배선(S1)에서는 B, G, R, B, G, R 이런 형태의 규칙성을 갖고 각 단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀을 공유하게 되고, 제2스캔 배선(S2)에서는 R, B, G, R, B, G 이런 형태의 규칙성을 갖고 각 단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀을 공유하게 되며, 제3스캔 배선(S3)에서는 G, R, B, G, R, B 이런 형태의 규칙성을 갖고 각 단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀을 공유하게 된다.
요약하면, n번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀과 제3서브 픽셀에 인접하며, n+1번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀은, 다른 색을 발광하도록 배치할 수 있다.
이와 같이 공유되는 서브 픽셀은 동일한 공정에 의해 형성된 동일 서브 픽셀일 수 있다. 이에 따르면, 공유되는 서브 픽셀은 다른 서브 픽셀보다 적게는 1.5배 이상의 크기로 많게는 2배 이상의 크기로 형성된다 라고 볼 수도 있다.
한편, 이와 같이 공유되는 서브 픽셀의 휘도는 공유되지 않은 서브 픽셀의 휘도보다 높게 발광할수록 유리하다.
도 10은 도 9의 변형된 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 표시패널에 포함된 단위 픽셀의 배치도이다.
도 10에 도시된 단위 픽셀들(R,G,B..B,R,G..G,B,R)의 배치를 살펴보면, 도 9에 도시된 것과 유사하지만 공유되는 서브 픽셀의 크기와 공유되지 않는 서브 픽셀의 크기가 같게 형성된 것을 나타낸다.
이와 같이 같은 경우, 공유되는 서브 픽셀은 공유되지 않는 서브 픽셀보다 더 높은 휘도로 발광할 수 있도록 구동 드라이버로부터 출력되는 데이터 신호를 조 절하는 것이 유리하다.
이상의 본 발명은 고해상도 디스플레이 구현시 화질이 감소하지 않으면서도 개구율을 확보(또는 증가)할 수 있으며 데이터 배선과 서브 픽셀의 수를 줄일 수 있는 효과가 있다. 따라서 본 발명은, 고해상도 구현에 적합한 단위 픽셀 배열을 제공할 수 있는 효과가 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 블록도.
도 2a내지 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 서브픽셀 회로의 일 예시도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 나타낸 평면도.
도 4a 및 도 4b는 도 3의 I-I'에 따른 단면도.
도 5a내지 5b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치에서 컬러 영상을 구현하는 실시 예시도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광다이오드의 계층 구조도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 평면도.
도 8은 도 7의 변형된 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 평면도.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 평면도.
도 10은 도 9의 변형된 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 평면도.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
100: 표시패널 200: 스캔 구동부
300: 데이터 구동부 400: 제어부
Claims (10)
- 기판 상에서 상호 교차하도록 배선된 복수의 데이터 배선 및 스캔 배선; 및상기 기판 상에 위치하는 상기 복수의 데이터 배선 및 스캔 배선에 연결되어 서로 다른 색을 발광하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 단위 픽셀들을 포함하되,상기 복수의 데이터 배선 중 제1데이터 배선과 제2데이터 배선은,상기 단위 픽셀들 중 제1단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀과 제2단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀을 공유하는 유기전계발광표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀과 상기 제2단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀은 동일한 행에서 서로 인접 배치된 유기전계발광표시장치.
- 제2항에 있어서,상기 제1단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀과 상기 제2단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀은 동일한 서브 픽셀인 유기전계발광표시장치.
- 제2항에 있어서,상기 제1단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀과 상기 제2단위 픽셀에 포함된 하나의 서브 픽셀은 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 색을 발광하는 유기 전계발광표시장치.
- 제2항에 있어서,n번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀과 상기 제3서브 픽셀에 인접하며, n+1번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀은,동일한 색을 발광하는 유기전계발광표시장치.
- 제2항에 있어서,n번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀과 상기 제3서브 픽셀에 인접하며, n+1번째 행에 위치하는 단위 픽셀에 포함된 제3서브 픽셀은,다른 색을 발광하는 유기전계발광표시장치.
- 제2항에 있어서,상기 복수의 서브 픽셀은,적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀을 포함하는 유기전계발광표시장치.
- 삭제
- 제7항에 있어서,n번째 행에 위치하는 제n단위 픽셀에 포함된 복수의 서브 픽셀과 n+1번째 행에 위치하는 제n+1단위 픽셀에 포함된 복수의 서브 픽셀은 모두 동일한 색을 발광하도록 배치된 유기전계발광표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 서브 픽셀 중 하나의 서브 픽셀은,상기 스캔 배선으로부터 공급된 스캔 신호를 공급받아 스위칭하는 스위칭 트랜지스터와, 상기 데이터 배선으로부터 공급된 데이터 신호를 저장하는 커패시터와, 상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터가 구동함에 따라 발광하는 유기 발광다이오드를 포함하는 유기전계발광표시장치.
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|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190617 Year of fee payment: 6 |