KR101419858B1 - Phosphor, and preparing method of the same - Google Patents

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Abstract

알칼리 토금속염, 희토류 금속염, 3 족 금속염, 및 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체를 포함하는 혼합 용액을 수득하는 것; 및 상기 혼합 용액에 셀룰로오스를 첨가한 후 열처리 하는 것을 포함하는 형광체의 제조 방법, 및 상기 방법에 의하여 제조되는 형광체에 관한 것이다.Obtaining a mixed solution comprising an alkaline earth metal salt, a rare earth metal salt, a Group 3 metal salt, and an oxide precursor of an excessive Group 4 element; And a method of adding a cellulose to the mixed solution followed by heat treatment, and a phosphor produced by the method.

Description

형광체, 및 이의 제조 방법{PHOSPHOR, AND PREPARING METHOD OF THE SAME}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to phosphors,

본원은, 알칼리 토금속염, 희토류 금속염, 3 족 금속염, 및 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체를 포함하는 혼합 용액을 수득하는 것; 및 상기 혼합 용액에 셀룰로오스를 첨가한 후 열처리 하는 것을 포함하는 형광체의 제조 방법, 및 상기 방법에 의하여 제조되는 형광체에 관한 것이다.
The present invention provides a process for producing a mixed solution comprising an alkaline earth metal salt, a rare earth metal salt, a Group 3 metal salt, and an oxide precursor of an excess Group 4 element; And a method of adding a cellulose to the mixed solution followed by heat treatment, and a phosphor produced by the method.

1960 년대 최초로 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)가 개발된 이래로, 발광 다이오드 기술은 현저하게 발전되어 왔다. 발광 다이오드는 종래의 광원에 비해 높은 에너지 효율, 긴 수명, 더 좋은 환경 친화성 및 신뢰성을 보유한다는 점에서, 차세대 고체 조명 물질로서 주목 받고 있는 후보 물질이다. 다만, 발광 다이오드가 고온에서 높은 방출 효율 및 안정성을 유지하기 위해서는, 발광 다이오드의 주요 구성요소인 형광체가 종래에 가졌던 문제점, 즉, 발광 다이오드 작동 중의 발광 특성 감소 및 열 켄칭(thermal quenching) 현상이 개선될 필요가 있었다.Since the first light-emitting diodes (LEDs) were developed in the 1960s, light-emitting diode technology has evolved significantly. The light emitting diode is a candidate material that has attracted attention as a next-generation solid state lighting material in that it has higher energy efficiency, longer lifetime, better environment friendliness and reliability than conventional light sources. However, in order for the light emitting diode to maintain a high emission efficiency and stability at a high temperature, there is a problem that the phosphor, which is a main component of the light emitting diode, has had in the past, namely, the decrease in the light emitting property during the operation of the light emitting diode and the thermal quenching I needed to be.

한편, 종래의 형광체는 일반적으로 고상법(Solid State Reaction method, SSR)을 이용하여 제조되었다. 그러나, 상기 고상법을 이용하여 산화물 원료의 핸드-그라인딩(hand-grinding)에 의해 수득된 형광체의 전구체는 균일성이 떨어진다는 문제점이 있었다.Meanwhile, conventional phosphors are generally manufactured using a solid state reaction method (SSR). However, the precursor of the phosphor obtained by the hand-grinding of the oxide raw material using the solid-phase method has a problem in that the uniformity is inferior.

한편, 희토류계 금속을 함유하는 형광체는 희토류계 금속의 전자가에 따라 그 발광과 강도가 달라진다는 특징이 있다. 예를 들어, Eu3 +는 4f→4f 에너지 전위 차이로 인해 좁은 영역의 날카로운 발광을 나타내지만, Eu2 +는 5d→4f 에너지 전위 차이로 인해 넓은 영역의 발광을 나타낸다. 상기 희토류계 금속의 전자가는 산화 또는 환원을 통하여 조절할 수 있다. 예를 들어, 종래에는 상기 희토류계 금속의 환원을 통한 전자가 조절 방법으로서 산소가 배제되고 수소가 포함된 분위기 하에서 소성하는 방법을 이용하였다. 그러나, 이와 같은 방법은 환원 정도가 미흡하여 결과물로서 수득되는 형광체의 발광 강도가 균일하지 못하다는 문제점이 있었다.On the other hand, a phosphor containing a rare earth metal has a characteristic that its luminescence and intensity are different depending on the electrons of the rare earth metal. For example, Eu 3 + 4f → 4f is only due to the energy potential difference indicate a sharp light emission of a small region, Eu + 2 is due to the 5d → 4f energy potential difference it shows the emission of a large area. The electron quantity of the rare earth metal can be controlled through oxidation or reduction. For example, conventionally, as a method of controlling electrons through reduction of the rare earth metal, a method of removing oxygen and firing in an atmosphere containing hydrogen is used. However, such a method has a problem that the degree of reduction is insufficient and the emission intensity of the phosphor obtained as a result is not uniform.

발광이 안정하고 발광 강도가 균일한 형광체를 용이하고 경제적인 방법으로 제조하는 것이 가능해질 경우, 수득된 형광체는 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display, FED), 및 음극 형광 램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL) 등 다양한 분야에서 응용될 수 있다. 예를 들어, 형광체가 PDP에 유용하게 사용될 수 있다는 점에 대하여 대한민국등록특허 제10-1053884호 "형광체층 형성용 조성물, 플라즈마 디스플레이 패널 및 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법"에 개시되어 있다.
When it is possible to produce a phosphor having stable light emission and uniform light emission intensity by an easy and economical method, the obtained phosphor may be a light emitting diode (LED), a plasma display panel (PDP) A field emission display (FED), and a cold cathode fluorescent lamp (CCFL). For example, Korean Patent No. 10-1053884 entitled " Composition for forming a phosphor layer, a plasma display panel and a method for manufacturing the plasma display panel "discloses that a phosphor can be usefully used for a PDP.

본 발명자들은, 본원의 방법에 따라 형광체를 제조하는 경우, 발광이 안정하고 발광 강도가 균일한 형광체를 용이하고 경제적인 방법으로 제조할 수 있음을 발견하여 본원을 완성하였다.The inventors of the present invention have completed the present invention by discovering that, when a phosphor is produced according to the method of the present invention, a phosphor having stable luminescence and uniform luminescence intensity can be produced by an easy and economical method.

이에, 본원은, 알칼리 토금속염, 희토류 금속염, 3 족 금속염, 및 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체를 포함하는 혼합 용액을 수득하는 것; 및 상기 혼합 용액에 셀룰로오스를 첨가한 후 열처리 하는 것을 포함하는 형광체의 제조 방법, 및 상기 방법에 의하여 제조되는 형광체를 제공하고자 한다.Accordingly, the present invention provides a mixed solution comprising an alkaline earth metal salt, a rare earth metal salt, a Group 3 metal salt, and an oxide precursor of an excess Group 4 element; And a method of preparing a phosphor by adding cellulose to the mixed solution and then heat-treating the phosphor, and a phosphor prepared by the method.

그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
However, the problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본원의 제 1 측면은, 알칼리 토금속염, 희토류 금속염, 3 족 금속염, 및 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체를 포함하는 혼합 용액을 수득하는 것; 및 상기 혼합 용액에 셀룰로오스를 첨가한 후 열처리 하는 것을 포함하는, 형광체의 제조 방법을 제공한다.A first aspect of the present invention is directed to a process for preparing a mixed solution comprising an alkaline earth metal salt, a rare earth metal salt, a Group 3 metal salt, and an oxide precursor of an excess of a Group 4 element; And a step of adding cellulose to the mixed solution and then heat-treating the mixed solution.

본원의 제 2 측면은, 상기 본원의 제 1 측면에 따른 방법에 의하여 제조되는 형광체로서, 상기 형광체는 [M1-M2 2M3 2O8:M4 + xA]의 조성을 가지며, 상기 M1은 알칼리 토금속이고, 상기 M2는 3 족 금속이며, 상기 M3는 4 족 원소이고, 상기 M4는 희토류 금속 이온이며, 상기 A는 상기 M3의 산화물이고, 상기 x는 상기 A의 몰 수인, 형광체를 제공한다.
According to a second aspect of the present invention, there is provided a phosphor produced by the method according to the first aspect of the present invention, wherein the phosphor has a composition of [M 1 -M 2 2 M 3 2 O 8 : M 4 + xA] 1 is an alkaline earth metal, M 2 is a Group 3 metal, M 3 is a Group 4 element, M 4 is a rare earth metal ion, A is an oxide of M 3 , Phosphor, and phosphor.

본원에 따르면, 발광이 안정하고 발광 강도가 균일한 형광체를 용이하고 경제적인 방법으로 제조할 수 있다.According to the present invention, a phosphor having stable light emission and uniform light emission intensity can be produced by an easy and economical method.

구체적으로, 본원에 따라 종래의 고상법이 아닌 액상법(Liquid Phase Precursor method, LPP)을 이용하여 형광체를 제조하는 경우, 균일하게 혼합된 혼합 용액이 셀룰로오스 내로 함침되는 과정이 포함됨으로써 상기 형광체가 응집 없이 고르게 분포된 단결정의 균일한 형태의 형광체를 수득할 수 있다. 이에 따라, 본원의 형광체는 우수한 발광 효율을 나타내게 되고 둥근 형태를 가지며, 백색 LED 또는 CCFL 등 다양한 분야에서 이용될 수 있다. 또한, 본원에 따라 형광체를 제조하는 경우, 상대적으로 저온에서 단시간에 제조가 가능하기 때문에 생산성 및 경제성 또한 우수하다는 이점이 있다.Specifically, when a phosphor is manufactured using a liquid phase precursor method (LPP) instead of the conventional solid phase method according to the present invention, a process of impregnating the uniformly mixed solution into the cellulose is included, It is possible to obtain uniformly distributed phosphors of uniformly distributed single crystals. Accordingly, the phosphor of the present invention exhibits excellent luminous efficiency, has a round shape, and can be used in various fields such as white LED or CCFL. In addition, when the phosphor is manufactured according to the present invention, since it can be produced at a relatively low temperature in a short time, it is advantageous in productivity and economy.

한편, 희토류계 금속을 함유하는 형광체는 희토류계 금속의 전자가에 따라 그 발광과 강도가 달라진다는 특징이 있는바, 상기 희토류계 금속의 전자가를 조절할 수 있는 경우 발광이 안정하고 발광 강도가 균일한 형광체를 용이하고 경제적으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 2가의 유로퓸 이온(Eu2 +)은 형광체 내에서 활성제(Activator)로서 널리 사용되는 희토류계 금속 이온으로서, 4f65d1-4f7 허용된 전이로부터 발생되는 자외선부터 적색 스펙트럼 영역까지의 광범위한 방출 밴드를 나타낸다는 점에서 유용하다. 다만, 일반적인 형광체의 제조 환경에서는 Eu2 + 형태가 아닌 Eu3 + 형태로 존재하기 때문에, 형광체의 발광 안정성과 발광 강도가 제한된다. 그러나, 본원의 방법에 따라 형광체의 제조 과정에서 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체, 예를 들어 과량의 SiO2를 첨가하는 경우, 상기 SiO2의 모서리에 존재하는 풍부한 전자에 의하여 형광체가 합성되는 과정에서 더욱 많은 양의 Eu3 + Eu2 +로 환원될 수 있으며, 이에 따라 상기 형광체의 광발광(Photoluminescence, PL) 강도가 매우 향상될 수 있다는 이점이 있다.On the other hand, the fluorescent substance containing a rare earth metal has a feature that its luminescence and intensity are changed according to the electrons of the rare earth metal. When the electron of the rare earth metal can be controlled, the luminescence is stable, A phosphor can be produced easily and economically. For example, a rare earth metal-based metal ion is widely used divalent europium ion (Eu + 2) is an active agent (Activator) in the phosphor, 4f 6 5d 1 -4f 7 Is useful in that it exhibits a broad emission band from the ultraviolet light to the red spectral region resulting from the allowed transition. However, since it exists in Eu 3 + form rather than Eu 2 + form in a general phosphor manufacturing environment, the emission stability and light emission intensity of the phosphor are limited. However, when an excessive amount of an oxide precursor of a Group 4 element, for example, an excess amount of SiO 2 is added in the process of manufacturing the phosphor according to the method of the present invention, the process of synthesizing the phosphor by the abundant electrons existing at the corner of the SiO 2 A larger amount of Eu < 3 + > Eu < 2 + & gt ; , and thus the photoluminescence (PL) intensity of the phosphor can be greatly improved.

본원에 따라 용이하고 경제적인 방법으로 제조된, 발광이 안정하고 발광 강도가 균일한 형광체는, 발광 다이오드(LED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 전계 방출 디스플레이(FED), 및 음극형광램프(CCFL) 등 다양한 분야에서 응용될 수 있다.
Phosphors which are stable in light emission and uniform in light emission intensity and which are manufactured by an easy and economical method according to the present invention can be used for a light emitting diode (LED), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), and a cathode fluorescent lamp ) Can be applied in various fields.

도 1은, 본원의 제 1 측면에 따라 형광체를 제조하는 과정을 나타낸 순서도이다.
도 2는, 본원의 제 1 측면에 따라 형광체를 제조하는 과정 중 혼합 용액에 셀룰로오스를 첨가한 경우의 모식도 및 셀룰로오스의 화학구조식을 도식적으로 나타낸 것이다.
도 3은, 본원의 제 2 측면에 따른 형광체 중, 예시적으로 [CaAl2Si2O8:Eu2 +]의 결정 구조를 나타낸 모식도이다.
도 4는, 본원의 일 실시예에 따라 다양한 농도의 SiO2를 첨가하여 제조한 형광체 각각의 XRD 패턴을 나타낸 것으로서, 구체적으로, 도 4a는 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2++xSiO2], 도 4b는 형광체 [SrAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2], 도 4c는 형광체 [BaAl2Si2O8:Eu2++xSiO2]의 XRD 패턴이다.
도 5는, 본원의 일 실시예에 따라 다양한 농도의 SiO2를 첨가하여 제조한 형광체 각각의 광발광(Photoluminescence, PL) 스펙트럼을 나타낸 것으로서, 구체적으로, 도 5a는 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 여기 스펙트럼(점선), 발광 스펙트럼(실선), 및 430 nm의 파장에서 표준화된 발광 강도(삽도)이고, 도 5b는 형광체 [SrAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 여기 스펙트럼(점선) 및 발광 스펙트럼(실선)이며, 도 5c는 형광체 [BaAl2Si2O8:Eu2 ++ xSiO2]의 여기 스펙트럼(점선) 및 발광 스펙트럼(실선)이다.
도 6은, 본원의 일 실시예에 따라 다양한 농도의 SiO2를 첨가하여 제조한 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 광학 현미경 이미지를 나타낸 것으로서, 도 6a 내지 도 6c는 UV-램프 조사가 없는 경우의 이미지이고, 도 6d 내지 도 6f는 UV-램프 조사가 있는 경우의 이미지이다.
도 7은, 본원의 일 실시예에 따라 다양한 농도의 SiO2를 첨가하여 제조한 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 열안정성을 나타낸 그래프이다.
도 8은, 본원의 일 실시예에 따라 다양한 농도의 SiO2를 첨가하여 제조한 형광체 각각의 FE-SEM 이미지를 나타낸 것으로서, 구체적으로, 도 8a 내지 도 8d는 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2], 도 8e 내지 도 8i는 형광체 [SrAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2], 도 8j 내지 도 8m은 형광체 [BaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 FE-SEM 이미지이다.
1 is a flowchart showing a process of manufacturing a phosphor according to a first aspect of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing a schematic diagram and a chemical structural formula of cellulose when cellulose is added to a mixed solution in the process of producing a phosphor according to the first aspect of the present invention.
FIG. 3 is a schematic diagram showing a crystal structure of [CaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + ] as an example among the phosphors according to the second aspect of the present application.
FIG. 4 shows XRD patterns of phosphors prepared by adding various concentrations of SiO 2 according to an embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 4A shows the XRD patterns of phosphors [CaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2+ + xSiO 2 ], FIG. 4B is an XRD pattern of a phosphor [SrAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ], and FIG. 4C is a phosphor [BaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2+ + xSiO 2 ].
FIG. 5 shows a photoluminescence (PL) spectrum of each phosphor prepared by adding various concentrations of SiO 2 according to an embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 5A is a graph showing the emission spectra of phosphors [CaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2] of the excitation spectrum (dotted line), a light emitting spectrum (solid line), and the light emission intensity (sapdo) standardized by the wavelength of 430 nm, and FIG. 5b is a phosphor [SrAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2] of the excitation spectrum (dotted line) and emission spectrum (solid line), and Figure 5c is a phosphor [BaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2] of the excitation spectrum (dotted line) and emission spectrum (solid line) to be.
6 is an optical microscope image of a phosphor [CaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ] prepared by adding various concentrations of SiO 2 according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 6A to 6C Is an image in the case of no UV lamp irradiation, and Figs. 6d to 6f are images in the case of UV lamp irradiation.
FIG. 7 is a graph showing the thermal stability of a phosphor [CaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ] prepared by adding various concentrations of SiO 2 according to an embodiment of the present invention.
8 shows an FE-SEM image of each of the phosphors prepared by adding SiO 2 at various concentrations according to an embodiment of the present invention. Specifically, FIGS. 8A to 8D show the phosphors [CaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2], Figure 8e to Fig 8i is the phosphor [SrAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2], Figure 8j through 8m is phosphor [BaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2 ].

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, the same reference numbers are used throughout the specification to refer to the same or like parts.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it is not limited to a case where it is "directly connected" but also includes the case where it is "electrically connected" do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is "on " another member, it includes not only when the member is in contact with the other member, but also when there is another member between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise. The terms "about "," substantially ", etc. used to the extent that they are used throughout the specification are intended to be taken to mean the approximation of the manufacturing and material tolerances inherent in the stated sense, Accurate or absolute numbers are used to help prevent unauthorized exploitation by unauthorized intruders of the referenced disclosure. The word " step (or step) "or" step "used to the extent that it is used throughout the specification does not mean" step for.

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
Throughout this specification, the term "combination thereof" included in the expression of the machine form means one or more combinations or combinations selected from the group consisting of the constituents described in the expression of the machine form, And the like.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다.
Hereinafter, embodiments and examples of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본원의 제 1 측면은, 알칼리 토금속염, 희토류 금속염, 3 족 금속염, 및 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체를 포함하는 혼합 용액을 수득하는 것; 및 상기 혼합 용액에 셀룰로오스를 첨가한 후 열처리 하는 것을 포함하는, 형광체의 제조 방법을 제공한다.A first aspect of the present invention is directed to a process for preparing a mixed solution comprising an alkaline earth metal salt, a rare earth metal salt, a Group 3 metal salt, and an oxide precursor of an excess of a Group 4 element; And a step of adding cellulose to the mixed solution and then heat-treating the mixed solution.

예를 들어, 형광체의 기본 조성에서 요구되는 4 족 원소의 산화물 전구체는 약 2 mol일 수 있으며, 본원의 제 1 측면의 상기 혼합 용액에 포함되는 상기 "과량의 4 족 원소의 산화물 전구체"는 상기 약 2 mol을 초과하는 것일 수 있으나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다. For example, the oxide precursor of the Group 4 element required in the basic composition of the phosphor may be about 2 moles, and the "oxide precursor of the excess Group 4 element" contained in the mixed solution of the first aspect of the present invention, May be greater than about 2 moles, but the present disclosure is not limited thereto.

예를 들어, 본원의 제 1 측면에 따라 제조되는 형광체가 알칼리토금속으로서 Ca을 포함하는 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]인 경우, 상기 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체는 상기 형광체의 기본 조성인 CaAl2Si2O8에서 요구되는 약 2 mol을 초과하는 것일 수 있으나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 x가 약 0 초과 내지 약 7 미만이 되도록, 약 2 mol 초과 내지 약 9 mol 미만의 상기 4 족 원소의 산화물 전구체를 상기 혼합 용액에 포함시킬 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the phosphor prepared according to the first aspect of the present application, including Ca as an alkaline earth metal [CaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2] the case, the oxide precursor of the excess of the Group 4 element May be more than about 2 mol required for CaAl 2 Si 2 O 8 , which is a basic composition of the phosphor, but the present invention is not limited thereto. For example, an oxide precursor of the Group 4 element of greater than about 2 mol and less than about 9 mol may be included in the mixed solution, such that x is greater than about 0 and less than about 7, but is not limited thereto.

예를 들어, 본원의 제 1 측면에 따라 제조되는 형광체가 알칼리토금속으로서 Sr을 포함하는 [SrAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]인 경우, 상기 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체는 상기 형광체의 기본 조성인 SrAl2Si2O8에서 요구되는 약 2 mol을 초과하는 것일 수 있으나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 x가 약 0 초과 내지 약 3 미만이 되도록, 약 2 mol 초과 내지 약 5 mol 미만의 상기 4 족 원소의 산화물 전구체를 상기 혼합 용액에 포함시킬 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, when the phosphor prepared according to the first aspect of the present invention is [SrAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ] containing Sr as an alkaline earth metal, the oxide precursor of the excess Group 4 element is May be more than about 2 mol required for SrAl 2 Si 2 O 8 , which is the basic composition of the phosphor, but the present invention is not limited thereto. For example, an oxide precursor of the Group 4 element of greater than about 2 mol and less than about 5 mol may be included in the mixed solution, such that x is greater than about 0 and less than about 3, but is not limited thereto.

예를 들어, 본원의 제 1 측면에 따라 제조되는 형광체가 알칼리토금속으로서 Ba을 포함하는 [BaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]인 경우, 상기 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체는 상기 형광체의 기본 조성인 BaAl2Si2O8에서 요구되는 약 2 mol을 초과하는 것일 수 있으나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 x가 약 0 초과 내지 약 4 미만이 되도록, 약 2 mol 초과 내지 약 6 mol 미만의 상기 4 족 원소의 산화물 전구체를 상기 혼합 용액에 포함시킬 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이때, 첨가되는 SiO2의 양이 과도하게 많아지면 생성물 내의 형광체의 양이 첨가된 SiO2의 양보다 오히려 적어짐으로써 발광 휘도가 저하될 수도 있으므로 첨가되는 SiO2의 양을 적절하게 조절할 필요가 있으며, 상기 예시들은 상기 SiO2의 적절한 양을 고려한 것이나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, when the phosphor prepared according to the first aspect of the present invention is [BaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ] containing Ba as an alkaline earth metal, the excess oxide precursor of the Group 4 element is May be more than about 2 mol required for BaAl 2 Si 2 O 8 , which is a basic composition of the phosphor, but the present invention is not limited thereto. For example, an oxide precursor of the Group 4 element of greater than about 2 mol and less than about 6 mol may be included in the mixed solution, such that x is greater than about 0 and less than about 4, but is not limited thereto. At this time, if the amount of SiO 2 added is excessively large, the amount of the phosphor in the product is rather less than the amount of SiO 2 added, so that the luminescence brightness may be lowered, so the amount of SiO 2 to be added needs to be appropriately adjusted, The above examples illustrate but are not limited to the appropriate amount of SiO 2 .

예를 들어, 상기 형광체는, 상기 알칼리 토금속염, 상기 희토류 금속염, 및 상기 3 족 금속염 각각을 용매에 용해시켜 수용액 상태로 제조하고, 이에 액상의 4 족 원소의 산화물 전구체를 형광체의 기본 조성에서 요구되는 약 2 mol 이외에 추가적으로 더 첨가한 뒤 액상 교반을 통해 균일한 혼합 용액을 수득하고, 상기 혼합 용액을 상기 셀룰로오스에 함침하여 함침물을 수득하며, 상기 함침물을 열처리 함으로써 불순물이 제거된 형광체 분말을 수득하고, 상기 형광체 분말을 분쇄함으로써 최종적으로 증가된 표면적과 균일한 조성을 가지는 형광체의 형태로 제조될 수 있는 것이나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the phosphor may be prepared by dissolving each of the alkaline earth metal salt, the rare earth metal salt, and the Group 3 metal salt in an aqueous solution to prepare an oxide precursor of a liquid Group 4 element in the basic composition of the phosphor, And the mixed solution is impregnated with the cellulose to obtain impregnated material. The impregnated material is heat-treated to remove the impurity-removed phosphor powder. And may be produced in the form of a phosphor having a finally increased surface area and a uniform composition by pulverizing the phosphor powder, but the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 상기 형광체는, 상기 알칼리 토금속염으로서 Ca(NO3)2·4H2O, Sr(NO3)2·4H2O, 또는 BaCl2를 물에 녹여 수용액 상태로 제조하고, 상기 희토류 금속염으로서 EuCl3·3H2O를 물에 녹여 수용액 상태로 제조하고, 상기 3 족 금속염으로서 Al(NO3)3·9H2O를 물에 녹여 수용액 상태로 제조한 뒤, 상기 수용액들을 정량적으로 배합하고, 여기에 상기 4 족 원소의 산화물 전구체로서 SiO2 졸을 형광체의 기본 조성에서 요구되는 약 2 mol 이외에 추가적으로 더 첨가한 뒤 액상 교반을 통해 균일한 혼합 용액을 수득하고, 상기 혼합 용액을 상기 셀룰로오스에 함침하여 함침물을 수득하며, 상기 함침물을 건조하여 크세로겔 또는 크세로졸의 형태를 수득하고, 상기 크세로겔 또는 크세로졸을 열처리함으로써 최종적으로 구형의 형광체를 수득할 수 있는 것이나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the phosphor may be prepared by dissolving Ca (NO 3 ) 2 .4H 2 O, Sr (NO 3 ) 2 .4H 2 O, or BaCl 2 as the alkaline earth metal salt in water to prepare an aqueous solution, EuCl 3 .3H 2 O as a metal salt was dissolved in water to prepare an aqueous solution. Al (NO 3 ) 3 .9H 2 O was dissolved in water as the Group 3 metal salt to prepare an aqueous solution. The aqueous solutions were quantitatively mixed Then, an SiO 2 sol as an oxide precursor of the Group 4 element is further added to the mixture in addition to about 2 moles required in the basic composition of the phosphor, and then a liquid mixture is obtained through liquid-phase agitation, To obtain impregnated material, drying the impregnated material to obtain a shape of xerogel or xerosol, heat-treating the xerogel or xerosol to obtain a spherical fluorescent material , But is not limited thereto.

이와 관련하여, 본원의 도 1은, 본원의 제 1 측면에 따라 형광체를 제조하는 과정을 나타낸 순서도이다. 예를 들어, 본원의 도 1을 세분화하여, 상기 혼합 용액을 수득하는 단계 1, 상기 혼합 용액을 셀룰로오스에 함침하는 단계 2, 함침된 셀룰로오스를 소성하는 단계 3, 보다 높은 온도에서 하소하는 단계 4, 및 환원 처리하는 단계 5로 나누어볼 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이하, 본원의 제 1 측면에 대한 이해를 돕기 위하여 상기 단계 1 내지 5에 대하여 예시적으로 설명하였으나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다.In this regard, FIG. 1 is a flow chart illustrating a process of manufacturing a phosphor according to a first aspect of the present invention. For example, the method of FIG. 1 may be subdivided into the steps of: 1) obtaining the mixed solution, 2) impregnating the mixed solution with cellulose, 3) calcining the impregnated cellulose, 4) And a reducing step 5, but the present invention is not limited thereto. Hereinafter, Steps 1 to 5 are exemplarily described to facilitate understanding of the first aspect of the present invention, but the present invention is not limited thereto.

먼저, 상기 혼합 용액을 수득하는 단계 1은, 상기 알칼리 토금속염으로서 Ca(NO3)2·4H2O, Sr(NO3)2·4H2O, 또는 BaCl2를 물에 녹여 수용액 상태로 제조하고, 상기 희토류 금속염으로서 EuCl3·3H2O를 물에 녹여 수용액 상태로 제조하고, 상기 3 족 금속염으로서 Al(NO3)3·9H2O를 물에 녹여 수용액 상태로 제조한 뒤, 상기 수용액들을 정량적으로 배합하고, 여기에 상기 4 족 원소의 산화물 전구체로서 SiO2 졸을 형광체의 기본 조성에서 요구되는 약 2 mol 이외에 추가적으로 더 첨가한 뒤 이를 액상 교반함으로써 균일하게 배합된 상기 혼합 용액을 수득하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. First, step 1 of obtaining the mixed solution is a step of dissolving Ca (NO 3 ) 2 .4H 2 O, Sr (NO 3 ) 2 .4H 2 O, or BaCl 2 as the alkaline earth metal salt in water to prepare an aqueous solution And EuCl 3 .3H 2 O as the rare earth metal salt is dissolved in water to prepare an aqueous solution. Al (NO 3 ) 3 .9H 2 O as the Group 3 metal salt is dissolved in water to prepare an aqueous solution. And further adding SiO 2 sol as an oxide precursor of the above-mentioned group 4 element in addition to about 2 mol required in the basic composition of the phosphor, followed by liquid phase stirring to obtain the mixed solution uniformly mixed But is not limited thereto.

다음으로, 상기 혼합 용액을 셀룰로오스에 함침하는 단계 2는, 앞서 제조한 상기 혼합 용액을 상기 셀룰로오스가 가지는 파이버(fiber) 형태의 균일하게 배열된 나노 크기 셀에 균일하게 스며들게 하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 혼합 용액에 포함되어 있는 금속염들의 이온 크기도 나노 크기이므로, 상기 셀룰로오스가 가지는 나노 크기 셀에 균일하게 스며드는 과정이 자발적으로 진행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 관련하여, 본원의 도 2는 본원의 제 1 측면에 따라 형광체를 제조하는 과정 중 혼합 용액에 셀룰로오스를 첨가한 경우의 모식도 및 셀룰로오스의 화학구조식을 도식적으로 나타낸 것이며, 상기 단계 2는 본원의 도 2를 참조하여 이해할 수 있다.Next, the step 2 of impregnating the mixed solution with cellulose may be to uniformly impregnate the mixed solution into uniformly arranged nano-sized cells of a fiber type having the cellulose, It is not. Since the ion sizes of the metal salts included in the mixed solution are nano-sized, the process of uniformly penetrating the nano-sized cells of the cellulose may be performed spontaneously, but the present invention is not limited thereto. In this regard, FIG. 2 of the present application is a diagrammatic view showing a schematic diagram and a chemical structure of cellulose when cellulose is added to a mixed solution during the process of manufacturing a phosphor according to the first aspect of the present invention, 2 < / RTI >

다음으로, 상기 함침된 셀룰로오스를 소성하는 단계 3은, 단계 2를 통하여 상기 혼합 용액의 금속염들이 균일하게 스며든 상기 셀룰로오스를 전기가열로 안에 넣고 가열함으로써 수행될 수 있으며, 이때 상기 셀룰로오스의 분해가 하기 반응식에 따라 진행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다:The step 3 of firing the impregnated cellulose may be carried out by heating the cellulose in which the metal salts of the mixed solution uniformly permeate through the step 2 into an electric heating furnace and heating the cellulose, The reaction may be carried out according to a reaction scheme, but is not limited thereto:

[(C6H10O6)n → CO↑ or CO2↑ + H2O↑ + O2↑][(C 6 H 10 O 6 ) n → CO ↑ or CO 2 ↑ + H 2 O ↑ + O 2 ↑]

상기 반응식에 따라 뼈대를 이루고 있던 상기 셀룰로오스가 일부 또는 전부 산화되어 제거될 수 있으며, 이 때 상기 혼합 용액의 수분도 증발하고 상기 혼합 용액 내부의 금속염들이 산화될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 단계 3의 소성은 약 500℃로 약 3 시간 동안 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to the above reaction formula, the cellulose which is a skeleton may be partially or wholly oxidized and removed. At this time, moisture of the mixed solution may be evaporated and metal salts in the mixed solution may be oxidized, but the present invention is not limited thereto. For example, the firing in step 3 may be performed at about 500 ° C for about 3 hours, but is not limited thereto.

다음으로, 상기 단계 3 보다 높은 온도에서 하소하는 단계 4는, 상기 단계 3을 통해 제거되지 않고 잔존하는 상기 셀룰로오스를 완전히 산화시켜 제거하는 한편, 상기 혼합 용액으로부터 형광체로서 기능을 발휘할 수 있는 금속산화물 결정을 수득하기 위해 결정화를 수행하기 위한 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 같은 단계 4를 수행하지 않을 경우, 셀룰로오스가 잔존할 수 있으며, 이 경우 셀룰로오스의 탄소 성분 때문에 검은 색에 가까운 형광체 분말이 수득된다. 상기 형광체 분말에 포함된 셀룰로오스의 잔재는 불순물로 작용하여 형광체의 휘도를 저하시키는 요인으로 작용할 수 있으므로, 단계 4와 같은 고온 하소를 수행함으로써 형광체의 휘도를 향상시킬 수 있으나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다.Next, step 4, which is calcined at a temperature higher than the step 3, is a step of completely oxidizing and removing the remaining cellulose that has not been removed through the step 3 and removing the metal oxide crystals But is not limited thereto. ≪ tb > < / TABLE > Without such step 4, cellulose may remain, in which case a phosphor powder close to black due to the carbon component of the cellulose is obtained. Since the remnants of the cellulose contained in the phosphor powders act as impurities to lower the brightness of the phosphor, it is possible to improve the brightness of the phosphor by performing the high temperature calcination as in the step 4. However, no.

다음으로, 상기 환원 처리하는 단계 5는, 희토류 금속의 2가 양이온을 포함하는 형광체를 수득하기 위하여 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 단계 3 및 4는 별도의 분위기를 조성하지 않고 공기 중에서 소성한 것으로, 이때 활성제로서 사용된 희토류 금속, 예를 들어, Eu는 3가 양이온으로 존재하게 된다. 상기 형광체의 활성제로서 사용되는 희토류 금속이 3가 양이온인 경우 4f-4f 전자전이만 하게 되며, 이 경우 최외각 전자껍질인 5번째 껍질이 외부로부터의 결정의 영향을 방해하게 되므로, 결과적으로 상기 형광체는 적색 발광만 할 수 있게 된다. 반면, 상기 형광체의 활성제로서 사용되는 희토류 금속이 2가 양이온인 경우 4f-5d 전자전이를 하게 되며, 이 경우 최외각 전자껍질로 전자전이 하는 것이기 때문에 결정의 영향을 많이 받게 되고, 결과적으로 상기 형광체는 결정에 따라 청색부터 적색까지 모든 발광을 할 수 있게 된다. 이와 같은 이유로, 상기 형광체의 활성제로서 사용되는 희토류 금속이 3가 양이온인 경우보다는 2가 양이온인 경우의 활용성이 높다. 다만, 2가 양이온 형태의 희토류 금속은 별도의 환원 분위기에서 소성을 해야 수득되는데, 이는 공기 중에서의 희토류 금속은 3가 양이온 형태인 Eu2O3로 존재하기 때문이다. 상기 환원 분위기는, 예를 들어, 반응로 안에 N2와 H2의 혼합가스, 비활성 기체와 H2의 혼합가스, 또는 CO 가스 등을 공급하여 조성할 수 있다. 상기 단계 5의 환원 처리까지 마치면, 비로소 희토류 금속의 2가 양이온을 포함하는 형광체를 수득할 수 있으나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다.Next, the reducing step 5 may be performed to obtain a phosphor containing a divalent cation of a rare earth metal, but the present invention is not limited thereto. In the above steps 3 and 4, the rare earth metal used as the activator, for example, Eu, is present as a trivalent cation. When the rare earth metal used as the activator of the phosphor is a trivalent cation, only the 4f-4f electron transition occurs. In this case, the fifth shell, which is the outermost electron shell, hinders the influence of crystals from the outside, Only the red light can be emitted. On the other hand, when the rare earth metal used as the activator of the phosphor is a divalent cation, 4f-5d electron-transfer occurs. In this case, since the electron is converted into the outermost electron shell, Can emit all the light from blue to red depending on the crystal. For this reason, the utility of the rare earth metal used as the activator of the phosphor is high when it is a divalent cation rather than a trivalent cation. However, the rare earth metal in divalent cation form is obtained by firing in a separate reducing atmosphere because the rare earth metal in air is present as Eu 2 O 3 in the trivalent cation form. The reducing atmosphere can be formed, for example, by supplying a mixed gas of N 2 and H 2 , a mixed gas of inert gas and H 2 , or a CO gas into the reaction furnace. Upon completion of the reduction treatment in step 5, a phosphor containing divalent cations of a rare earth metal can be obtained, but the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 알칼리 토금속염은 Ca, Sr, Ba, Mg, 또는 Be의 염을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 알칼리 토금속염은 Ca(NO3)2·4H2O, Sr(NO3)2·4H2O, 또는 BaCl2를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 혼합 용액에 포함되는 상기 알칼리 토금속염의 종류를 다양화함으로써, 제조되는 형광체의 조성을 다양화할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 형광체가 알칼리 토금속으로서 어떠한 원소를 포함하는지에 따라 형광체의 형광 특성이 영향을 받을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the alkaline earth metal salt may include, but is not limited to, a salt of Ca, Sr, Ba, Mg, or Be. For example, the alkaline earth metal salt may include, but is not limited to, Ca (NO 3 ) 2 .4H 2 O, Sr (NO 3 ) 2 .4H 2 O, or BaCl 2 . The composition of the phosphor to be produced can be varied by diversifying the kind of the alkaline earth metal salt contained in the mixed solution, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the fluorescent characteristics of the phosphor may be affected depending on which element the phosphor contains as the alkaline earth metal, the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 희토류 금속염은 Eu, La, Ce, Nd, Gd, Tb, Dy, Er, 또는 Yb의 염을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 희토류 금속염은 EuCl3·3H2O를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 희토류 금속염의 희토류 금속은 형광체의 활성제로서 작용하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the rare earth metal salt may include, but is not limited to, a salt of Eu, La, Ce, Nd, Gd, Tb, Dy, Er, or Yb. For example, the rare earth metal salt may include, but is not limited to, EuCl 3 .3H 2 O. The rare earth metal of the rare earth metal salt may act as an activator of the phosphor, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 3 족 금속염은 Al, Ga, 또는 In의 염을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 3 족 금속염은 Al(NO3)3·9H2O를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the Group 3 metal salt may include, but is not limited to, a salt of Al, Ga, or In. For example, the Group 3 metal salt may include Al (NO 3 ) 3 .9H 2 O, but is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 4 족 원소의 산화물 전구체는 SiO2, Si(OH)4, SiH4, Si(OC2H5)4, 수용성 실란, GeO2, Ge(OH)4, GeH4, Ge(OC2H5)4, SnO2, Sn(OH)4, SnH4, 또는 Sn(OC2H5)4를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 4 족 원소의 산화물 전구체는, WSS (water soluble silicate), 또는 입자 크기가 약 5 nm 내지 약 3000 nm인 SiO2 졸(sol)을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 4 족 원소의 산화물 전구체로는 SiO2, Si(OH)4, 또는 수용성 실란을 사용하는 것이 바람직할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the invention, an oxide precursor of the Group 4 element is SiO 2, Si (OH) 4 , SiH 4, Si (OC 2 H 5) 4, water soluble silane, GeO 2, Ge (OH) 4, GeH 4 , Ge (OC 2 H 5 ) 4 , SnO 2 , Sn (OH) 4 , SnH 4 , or Sn (OC 2 H 5 ) 4 . For example, the oxide precursor of the Group 4 element may be, but is not limited to, a water soluble silicate (WSS) or a SiO 2 sol having a particle size of about 5 nm to about 3000 nm . For example, it is preferable to use SiO 2 , Si (OH) 4 , or water-soluble silane as the oxide precursor of the Group 4 element, but the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체는 약 2 mol 초과 내지 약 20 mol 미만인 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 여기에서, 형광체 조성 자체에서 요구되는 상기 4 족 원소의 산화물 전구체는 약 2 mol 정도이나, 본원의 제 1 측면에 따른 형광체의 제조 방법은 상기 약 2 mol 정도의 4 족 원소의 산화물 전구체 이외에 추가적으로 첨가된 4 족 원소의 산화물 전구체를 포함하는 상기 혼합 용액을 수득하는 공정을 포함한다. 이와 같이, 본원의 제 1 측면에 따른 형광체의 제조 방법에서는, 형광체 조성 자체에서 요구되는 약 2 mol의 4 족 원소의 산화물 전구체를 초과하는 4 족 원소의 산화물 전구체가 이용되며, 이를 나타내기 위하여 본원의 제 1 측면에서는 "과량의 4 족 원소의 산화물 전구체"라는 표현을 사용하였다. 예를 들어, 상기 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체는 약 2 mol 초과 내지 약 5 mol 미만, 약 2 mol 초과 내지 약 8 mol 미만, 약 2 mol 초과 내지 약 12 mol 미만, 약 2 mol 초과 내지 약 15 mol 미만, 약 2 mol 초과 내지 약 20 mol 미만, 약 5 mol 초과 내지 약 8 mol 미만, 약 5 mol 초과 내지 약 12 mol 미만, 약 5 mol 초과 내지 약 15 mol 미만, 약 5 mol 초과 내지 약 20 mol 미만, 약 8 mol 초과 내지 약 12 mol 미만, 약 8 mol 초과 내지 약 15 mol 미만, 약 8 mol 초과 내지 약 20 mol 미만, 약 12 mol 초과 내지 약 15 mol 미만, 약 12 mol 초과 내지 약 20 mol 미만, 또는 약 15 mol 초과 내지 약 20 mol 미만인 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이처럼, 상기 혼합 용액에 상기 4 족 원소의 산화물 전구체를 과량으로 첨가함으로써 제조되는 형광체의 휘도를 높일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. According to one embodiment of the present disclosure, the oxide precursor of the excess Group 4 element may include, but is not limited to, greater than about 2 mol and less than about 20 mol. Here, the oxide precursor of the Group 4 element required for the phosphor composition itself is about 2 moles, but the method of manufacturing the phosphor according to the first aspect of the present invention is not limited to the addition of the oxide precursor of the Group 4 element And a step of obtaining the mixed solution containing an oxide precursor of the group IV element. As described above, in the method for producing a phosphor according to the first aspect of the present invention, an oxide precursor of a Group 4 element exceeding about 2 mol of an oxide precursor of a Group 4 element required for the phosphor composition itself is used, Quot; an oxide precursor of an excess Group 4 element "is used in the first aspect of the present invention. For example, the excess of the oxide precursor of the Group 4 element may include greater than about 2 mol to less than about 5 mol, greater than about 2 mol to less than about 8 mol, less than about 2 mol to less than about 12 mol, Less than about 10 mol, less than about 15 mol, less than about 2 mol, less than about 20 mol, less than about 5 mol, less than about 8 mol, less than about 5 mol, Less than about 20 moles, less than about 8 moles, less than about 12 moles, greater than about 8 moles less than about 15 moles, greater than about 8 moles less than about 20 moles, greater than about 12 moles less than about 15 moles, Less than 20 moles, or greater than about 15 moles to less than about 20 moles. As described above, the brightness of the phosphor produced by adding the oxide precursor of the Group 4 element to the mixed solution in an excessive amount can be increased, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체는, 상기 형광체를 제조하기 위해 사용되는 상기 혼합 용액의 조성에 따라 그 구체적인 양이 달라지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 알칼리 토금속으로서 Ca을 포함하는 형광체의 제조 시에는 상기 4 족 원소의 산화물 전구체가 형광체의 기본 조성을 위한 약 2 mol 이외에 추가적으로 약 5 mol 더 첨가되는 것이 바람직할 수 있고, 알칼리 토금속으로서 Sr을 포함하는 형광체의 제조 시에는 상기 4 족 원소의 산화물 전구체가 형광체의 기본 조성을 위한 약 2 mol 이외에 추가적으로 약 2 mol 더 첨가되는 것이 바람직할 수 있으며, 알칼리 토금속으로서 Ba을 포함하는 형광체의 제조 시에는 상기 4 족 원소의 산화물 전구체가 형광체의 기본 조성을 위한 약 2 mol 이외에 추가적으로 약 3 mol 더 첨가되는 것이 바람직할 수 있으나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다. 이에 대해서는, 이어지는 [실시예] 부분에서 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 보다 상세하게 설명하였으나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the excessive amount of the oxide precursor of the Group 4 element may vary depending on the composition of the mixed solution used for producing the phosphor, but the present invention is not limited thereto. For example, in preparing a phosphor containing Ca as an alkaline earth metal, it may be preferable that an oxide precursor of the Group 4 element is added in an amount of about 5 moles in addition to about 2 moles for the basic composition of the phosphor, and Sr It is preferable that an oxide precursor of the Group 4 element is added in an amount of about 2 moles in addition to about 2 moles for the basic composition of the phosphor. In the production of a phosphor containing Ba as an alkaline earth metal, It may be preferred that an oxide precursor of the Group 4 element is added in an amount of about 3 moles in addition to about 2 moles for the basic composition of the phosphor, but the present invention is not limited thereto. This is described in more detail with reference to FIGS. 5A to 5C in the following [Embodiment], but the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 혼합 용액은, 상기 알칼리 토금속염, 상기 희토류 금속염, 상기 3 족 금속염, 및 상기 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체가 균일하게 혼합된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the mixed solution may be a mixture of the alkaline earth metal salt, the rare earth metal salt, the Group 3 metal salt, and the oxide precursor of the excess Group 4 element, no.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 셀룰로오스는, 셀룰로오스 분말, 셀룰로오스 시트, 구형 셀룰로오스, 수용성 셀룰로오스, 펄프, 결정화 셀룰로오스, 비결정질 셀룰로오스, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 약 99.8% 이상의 순도를 가지며 미세한 매트릭스 형태를 가지는 고순도 펄프를 사용하는 것이 바람직할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the cellulose may be selected from the group consisting of cellulose powder, cellulose sheet, spherical cellulose, water-soluble cellulose, pulp, crystallized cellulose, amorphous cellulose, and combinations thereof, But is not limited thereto. For example, it may be desirable, but not limited, to use a high purity pulp having a purity of at least about 99.8% and having a finer matrix morphology.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 열처리는, 약 150℃ 내지 약 600℃에서 수행되는 1 차 열처리, 및 약 600℃ 내지 약 1500℃에서 수행되는 2 차 열처리가 순차적으로 수행되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 1 차 열처리는 약 150℃ 내지 약 300℃, 약 150℃ 내지 약 450℃, 약 150℃ 내지 약 600℃, 약 300℃ 내지 약 450℃, 약 300℃ 내지 약 600℃, 또는 약 450℃ 내지 약 600℃에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 예를 들어, 상기 2 차 열처리는 약 600℃ 내지 약 800℃, 약 600℃ 내지 약 1000℃, 약 600℃ 내지 약 1200℃, 약 600℃ 내지 약 1500℃, 약 800℃ 내지 약 1000℃, 약 800℃ 내지 약 1200℃, 약 800℃ 내지 약 1500℃, 약 1000℃ 내지 약 1200℃, 약 1000℃ 내지 약 1500℃, 또는 약 1200℃ 내지 약 1500℃에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the invention, the heat treatment may comprise a first heat treatment being performed at about 150 ° C to about 600 ° C, and a second heat treatment being performed at about 600 ° C to about 1500 ° C in sequence But is not limited thereto. For example, the primary heat treatment may be performed at a temperature of about 150 캜 to about 300 캜, about 150 캜 to about 450 캜, about 150 캜 to about 600 캜, about 300 캜 to about 450 캜, But is not limited to, at about < RTI ID = 0.0 > 450 C < / RTI > Also, for example, the secondary heat treatment may be performed at a temperature of about 600 캜 to about 800 캜, about 600 캜 to about 1000 캜, about 600 캜 to about 1200 캜, about 600 캜 to about 1500 캜, , About 800 ° C to about 1200 ° C, about 800 ° C to about 1500 ° C, about 1000 ° C to about 1200 ° C, about 1000 ° C to about 1500 ° C, or about 1200 ° C to about 1500 ° C, It is not.

예를 들어, 상기 1 차 열처리를 통하여 상기 셀룰로오스가 분해될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 1 차 열처리를 통하여 이루어지는 상기 셀룰로오스의 분해는, 상기 셀룰로오스에 포함된 고리 부분의 분해, 또는 상기 셀룰로오스 내부의 -OH 기 또는 -CH2O 기 부분의 분해를 포함하는 것일 수 있으며, 이외에도 불순물 리간드의 분해 및 제거를 위하여 상기 1 차 열처리가 수행될 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 1 차 열처리 온도가 약 150℃ 미만인 경우에는 상기 셀룰로오스의 분해가 어려울 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 상기 1 차 열처리 온도가 약 600℃ 초과인 경우에는 형광체의 전구체가 분해 및 산화됨으로써 산화물계 실리케이트 등 산화물이 형성되어 최종 결과물인 형광체에 영향을 미칠 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 별도의 분쇄 과정 없이도 상기 1 차 열처리를 수행할 수 있으며, 분쇄 과정을 병행하는 경우 보다 낮은 온도에서 균일한 형광체를 수득하기 용이할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the cellulose may be decomposed through the primary heat treatment, but the present invention is not limited thereto. For example, the decomposition of the cellulose through the primary heat treatment may include decomposition of the cyclic portion included in the cellulose, or decomposition of the -OH group or the -CH 2 O group portion within the cellulose , But the primary heat treatment may be performed to decompose and remove the impurity ligand, but the present invention is not limited thereto. For example, if the primary heat treatment temperature is less than about 150 ° C, the decomposition of the cellulose may be difficult, but is not limited thereto. On the other hand, when the primary heat treatment temperature is higher than about 600 ° C, the precursor of the phosphor is decomposed and oxidized to form an oxide such as an oxide-based silicate to affect the final phosphor, but the present invention is not limited thereto. The primary heat treatment may be performed without any separate pulverization process, and it may be easy to obtain a uniform phosphor at a lower temperature than in the case of performing the pulverization process, but the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 상기 2 차 열처리는, 상기 1 차 열처리를 통하여 수득된 고체 상태의 형광체 전구체 분말로부터 잔여 유기물을 제거하는 한편, 상기 형광체 전구체 분말을 결정화하기 위하여 산소 분위기 하에서 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이때, 상기 2 차 열처리가 수행되는 온도를 적절하게 조절함으로써 잔여 유기물의 제거 및 상기 형광체 전구체 분말의 결정화를 용이하게 수행할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 2 차 열처리를 약 600℃ 미만의 온도에서 수행하는 경우 비정질인 상기 형광체 전구체 분말을 결정화하기 어려우며 장시간의 열처리가 요구될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 상기 2 차 열처리를 약 1500℃ 초과의 온도에서 수행하는 경우 상기 형광체 전구체의 결정 안정성에 따라 일부가 산화됨으로써 산화 실리케이트 형광체 등 산화물이 형성되어 바람직하지 않을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the second heat treatment may be performed in an oxygen atmosphere in order to remove residual organic substances from the solid state phosphor precursor powder obtained through the first heat treatment and to crystallize the phosphor precursor powder. However, But is not limited to. At this time, the temperature at which the secondary heat treatment is performed may be appropriately adjusted to easily remove residual organic substances and crystallize the phosphor precursor powder. However, the present invention is not limited thereto. For example, when the second heat treatment is performed at a temperature less than about 600 ° C., the amorphous phosphor precursor powder is difficult to crystallize and a long heat treatment may be required, but the present invention is not limited thereto. On the other hand, when the second heat treatment is performed at a temperature higher than about 1500 ° C., the oxide may be undesirably formed due to oxidation of a part of the phosphor precursor depending on the crystal stability of the phosphor precursor, such as an oxide silicate phosphor.

본원의 일 구현예에 따르면, 본원의 제 1 측면의 형광체의 제조 방법은, 상기 2 차 열처리 후, 환원 분위기 하에서 3 차 열처리하여 희토류 금속을 환원시키는 것을 추가 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the method for producing a phosphor of the first aspect of the present invention may further include a step of performing a third heat treatment in the reducing atmosphere after the second heat treatment to reduce the rare earth metal, no.

예를 들어, 상기 3 차 열처리를 환원 분위기 하에서 수행함으로써, 상기 2 차 열처리를 통해 형성된 형광체 전구체의 결정을 성장시키는 한편 희토류계 금속 등 활성제를 환원시킬 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 3 차 열처리가 약 700℃ 미만의 온도에서 수행될 경우, 충분한 환원 분위기가 형성되기 어려우며, 결과적으로 형광체의 휘도 및 발광 강도 저하가 야기될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 상기 3 차 열처리가 약 1400℃ 초과의 온도에서 수행될 경우, 형광체 분말이 소결체로 되면서 분말의 특성을 잃을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. For example, the third heat treatment may be performed in a reducing atmosphere to grow a crystal of the phosphor precursor formed through the second heat treatment, while reducing the active agent such as a rare earth metal, but the present invention is not limited thereto. For example, when the third heat treatment is performed at a temperature of less than about 700 ° C, a sufficient reducing atmosphere is difficult to form, resulting in a decrease in luminance and emission intensity of the phosphor, but the present invention is not limited thereto. On the other hand, when the third heat treatment is performed at a temperature higher than about 1400 DEG C, the phosphor powder may become a sintered body and lose the characteristics of the powder, but the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 환원 분위기는 N2와 H2의 혼합가스, 비활성 기체와 H2의 혼합가스, 또는 CO 가스를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 비활성 기체는 He, Ne, 또는 Ar을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 환원 분위기는 N2/H2 = (약 90 내지 약 95)/(약 10 내지 약 5) 또는 Ar/H2 = (약 90 내지 약 95)/(약 10 내지 약 5)에 의하여 조성되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention, the reducing atmosphere may include, but is not limited to, a mixed gas of N 2 and H 2 , a mixed gas of inert gas and H 2 , or a CO gas. For example, the inert gas may include, but is not limited to, He, Ne, or Ar. For example, the reducing atmosphere can be selected from the group consisting of N 2 / H 2 = (about 90 to about 95) / (about 10 to about 5) or Ar / H 2 = (about 90 to about 95) / (about 10 to about 5) But it is not limited thereto.

예를 들어, 본원의 제 1 측면에 따른 형광체의 제조 과정 중에 상기 형광체를 분쇄하는 단계를 추가함으로써, 상기 형광체 분말을 보다 미립화하고 표면적을 증가시켜 산화·환원에 소요되는 시간을 단축시키거나 합성 온도를 낮출 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 분쇄하는 단계에는, 볼밀(ball mill), 롤러 제분기(rollermill), 진동 볼밀(ball mill), 아토라이타밀, 유성 볼밀(ball mill), 샌드밀(sand mill), 커터밀(cutter mill), 해머밀(hammer mill), 제트밀(jet mill) 등의 건식형 분산기, 초음파 분산기, 또는 고압 호모지나이저(homogenizer) 등의 분쇄 장치를 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
For example, by adding the step of pulverizing the phosphor during the manufacturing process of the phosphor according to the first aspect of the present invention, it is possible to further reduce the time required for oxidation and reduction by increasing the surface area of the phosphor powder, , But is not limited thereto. For example, the pulverizing step may include a ball mill, a roll mill, a vibrating ball mill, an atomizing mill, a ball mill, a sand mill, a cutter mill a pulverizer such as a dry type pulverizer such as a cutter mill, a hammer mill or a jet mill, an ultrasonic disperser, or a homogenizer may be used, but the present invention is not limited thereto.

본원의 제 2 측면은, 본원의 제 1 측면에 따른 방법에 의하여 제조되는 형광체로서, 상기 형광체는 [M1-M2 2M3 2O8:M4 + xA]의 조성을 가지며, 상기 M1은 알칼리 토금속이고, 상기 M2는 3 족 금속이며, 상기 M3는 4 족 원소이고, 상기 M4는 희토류 금속 이온이며, 상기 A는 상기 M3의 산화물이고, 상기 x는 상기 A의 몰 수인, 형광체를 제공한다.Second aspect of the present application, the phosphor produced by the method according to the first aspect of the invention, the phosphor is: having the composition of [M 1 -M 2 2 M 3 2 M 4 O 8 + xA], wherein M 1 Wherein M 2 is an element of Group 3 , M 3 is a Group 4 element, M 4 is a rare earth metal ion, A is an oxide of M 3 , and x is the mole number of A , And a phosphor.

본원의 제 2 측면의 형광체는 본원의 제 1 측면의 제조 방법에 따라 제조되는 것으로서, 본원의 제 1 측면에 대한 구현예, 실시예, 및 기타 모든 예시와 설명들은 중복하여 기재하지 않고 이를 생략하는 경우에도 본원의 제 2 측면에 그대로 적용되는 것일 수 있다.The phosphor of the second aspect of the present invention is produced according to the manufacturing method of the first aspect of the present invention, and the embodiments, examples, and all other examples and explanations of the first aspect of the present invention are not duplicated and omitted. May be applied as it is in the second aspect of the present application.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 M1은 Ca, Sr, Ba, Mg, 또는 Be을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 형광체에 포함되는 알칼리 토금속 M1의 종류를 다양화함으로써, 제조되는 형광체의 조성을 다양화할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 형광체가 알칼리 토금속으로서 어떠한 원소를 포함하는지에 따라 형광체의 형광 특성이 영향을 받을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention, the M 1 may include Ca, Sr, Ba, Mg, or Be, but is not limited thereto. The composition of the phosphor to be produced may be varied by diversifying the kind of the alkaline earth metal M 1 contained in the phosphor, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the fluorescent characteristics of the phosphor may be affected depending on which element the phosphor contains as the alkaline earth metal, the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 M2는 Al, Ga, 또는 In을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 형광체에 포함되는 3 족 금속 M2의 종류를 다양화함으로써, 제조되는 형광체의 조성을 다양화할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 형광체가 3 족 금속으로서 어떠한 원소를 포함하는지에 따라 형광체의 형광 특성이 영향을 받을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the M 2 may include, but is not limited to, Al, Ga, or In. The composition of the phosphor to be produced can be varied by diversifying the kind of Group 3 metal M 2 contained in the phosphor, but is not limited thereto. In addition, although the fluorescent property of the phosphor may be affected depending on which element is contained as the Group 3 metal, the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 M3는 Si, Ge, 또는 Sn을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 형광체에 포함되는 4 족 원소 M3의 종류를 다양화함으로써, 제조되는 형광체의 조성을 다양화할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 형광체가 4 족 원소로서 어떠한 원소를 포함하는지에 따라 형광체의 형광 특성이 영향을 받을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention, the M 3 may include Si, Ge, or Sn, but is not limited thereto. The composition of the phosphor to be produced may be varied by diversifying the kind of the Group 4 element M 3 contained in the phosphor, but is not limited thereto. In addition, the fluorescent characteristics of the phosphor may be affected depending on which element is contained as the Group 4 element, but the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 M4는 희토류 금속의 2가 또는 3가 양이온을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 앞서, 본원의 제 1 측면에서 상세하게 설명한 바와 같이, 상기 형광체에 포함되는 희토류 금속 이온이 2가 양이온인 경우 보다 다양한 색 범위의 발광이 가능해짐으로써 상기 형광체의 용도 범위가 확장될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the M 4 may include, but is not limited to, a divalent or trivalent cation of a rare earth metal. As described in detail in the first aspect of the present invention, when the rare earth metal ion contained in the phosphor is capable of emitting light in a wider range of colors than when the rare earth metal ion is a divalent cation, the application range of the phosphor can be extended. But is not limited to.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 M4는 Eu2 +, La2 +, Ce2 +, Nd2 +, Gd2 +, Tb2 +, Dy2+, Er2 +, 또는 Yb2 +를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 같이, 상기 형광체에 포함되는 희토류 금속 이온이 2가 양이온인 경우 보다 다양한 색 범위의 발광이 가능해짐으로써 상기 형광체의 용도 범위가 확장될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present application, the M 4 comprises a 2 + Eu, La + 2, Ce + 2, Nd + 2, Gd + 2, Tb + 2, Dy 2+, Er + 2, or Yb 2 + , But is not limited thereto. As described above, when the rare earth metal ion contained in the phosphor is divalent cation, it is possible to emit light in a wide range of colors, thereby expanding the application range of the phosphor, but the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 A는 SiO2, GeO2, 또는 SnO2를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 M3가 Si인 경우 상기 A는 SiO2일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 M3가 Ge인 경우 상기 A는 GeO2일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 M3가 Sn인 경우 상기 A는 SnO2일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 본원의 경우, 상기 형광체의 휘도 향상을 비롯한 물성 향상을 위하여, 상기 A가 과량으로 포함되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the A may include, but is not limited to, SiO 2 , GeO 2 , or SnO 2 . For example, when M 3 is Si, A may be SiO 2 , but is not limited thereto. For example, when M 3 is Ge, A may be GeO 2 , but is not limited thereto. For example, when M 3 is Sn, A may be SnO 2 , but is not limited thereto. In the present invention, in order to improve the physical properties including the improvement of the luminance of the phosphor, the A may be included in an excessive amount, but the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 x는 약 0 초과 내지 약 18 미만일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 여기에서, 상기 x는 4 족 원소의 산화물의 몰 수를 나타내는 것으로서, 본원의 제 1 측면의 제조 방법에서 사용되는 "과량의 4 족 원소의 산화물 전구체"와는 다소 상이할 수 있다. 구체적으로, 본원의 제 1 측면에서의 "과량의 4 족 원소의 산화물 전구체"라는 용어에는 형광체의 기본 조성에서 요구되는 약 2 mol 및 추가적으로 첨가된 부분이 모두 포함되나, 본원의 제 2 측면에 상기 x는 형광체의 기본 조성에서 요구되는 부분은 제외하고 추가적으로 첨가되어 최종적으로 결정 또는 비정질 입자로서 상기 형광체의 발광 입자의 표면에 부착되거나 또는 격리되어 존재하게 되는 4 족 원소의 산화물의 몰 수만을 의미한다. 예를 들어, 상기 x는 약 0 초과 내지 약 3 미만, 약 0 초과 약 6 미만, 약 0 초과 내지 약 10 미만, 약 0 초과 내지 약 14 미만, 약 0 초과 내지 약 18 미만, 약 3 초과 약 6 미만, 약 3 초과 내지 약 10 미만, 약 3 초과 내지 약 14 미만, 약 3 초과 내지 약 18 미만, 약 6 초과 내지 약 10 미만, 약 6 초과 내지 약 14 미만, 약 6 초과 내지 약 18 미만, 약 10 초과 내지 약 14 미만, 약 10 초과 내지 약 18 미만, 또는 약 14 초과 내지 약 18 미만일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present disclosure, x may be greater than about 0 and less than about 18, but is not limited thereto. Here, x represents the number of moles of the oxide of the Group 4 element and may be somewhat different from the "oxide precursor of the excess Group 4 element" used in the manufacturing method of the first aspect of the present application. Specifically, the term "oxide precursor of an excess Group 4 element" in the first aspect of the present invention includes both about 2 mol and the additionally added portion required in the basic composition of the phosphor. In the second aspect of the present invention, x means the number of moles of the oxide of the Group 4 element that is additionally added except for the portion required in the basic composition of the phosphor and is finally attached to the surface of the luminescent particles of the phosphor as crystalline or amorphous particles or isolated . For example, x may be greater than about 0 and less than about 3, greater than about 0 to less than about 6, greater than about 0 to less than about 10, greater than about 0 to less than about 14, greater than about 0 to less than about 18, Less than about 6, greater than about 3 to less than about 10, greater than about 3 to less than about 14, greater than about 3 to less than about 18, greater than about 6 to less than about 10, greater than about 6 to less than about 14, , Greater than about 10 to less than about 14, greater than about 10 to less than about 18, or greater than about 14 to less than about 18, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 형광체는 크리스토발라이트(cristobalite) 및 아노타이트(anorthite)의 혼합상을 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 형광체가 크리스토발라이트 및 아노타이트의 혼합상을 가지는 것은 본원의 도 4 등의 XRD 패턴으로부터 확인할 수 있다. 여기에서, 상기 형광체의 희토류 금속 이온은 아노타이트 결정 구조 내에 점유되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the phosphor may have a mixed phase of cristobalite and anorthite, but the present invention is not limited thereto. The fact that the phosphor has a mixed phase of cristobalite and anotite can be confirmed from the XRD pattern of Fig. 4 and the like of the present application. Here, the rare earth metal ion of the phosphor may be occupied within the anorthite crystal structure, but is not limited thereto.

예를 들어, 상기 형광체는 상기 x가 증가함에 따라 상기 크리스토발라이트 상의 강도가 증가하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 형광체의 제조 과정에서 첨가되는 4 족 원소의 산화물 전구체의 양이 증가함에 따라 상기 크리스토발라이트 상의 강도는 증가되고, 반면 상기 아노타이트 상의 강도는 감소될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the phosphor may be one in which the intensity of the cristobalite phase increases as x increases, but the present invention is not limited thereto. For example, as the amount of the oxide precursor of the Group 4 element added during the production of the phosphor is increased, the strength of the cristobalite phase is increased, while the strength of the anotite phase is decreased, but the present invention is not limited thereto.

이와 관련하여, 도 3은, 본원의 제 2 측면에 따른 형광체 중, 예시적으로 [CaAl2Si2O8:Eu2+]의 결정 구조를 나타낸 모식도이다. 도 3의 모식도에서 확인되는 바와 같이, 상기 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 +]의 결정 구조는 정사면체의 실리케이트 및 알루미네이트의 견고한 골격(framework)으로 구성되고, 여기에서 Ca2 + 이온은 상기 골격의 간극 자리(interstitial sites)를 차지하며, 이와 같은 견고한 구조 때문에 상기 형광체가 높은 발광 특성을 유지할 수 있는 것일 수 있으나, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다.In this connection, FIG. 3 is a schematic diagram showing a crystal structure of [CaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2+ ] as an example among the phosphors according to the second aspect of the present application. 3, the crystal structure of the phosphor [CaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + ] is composed of a tetrahedral silicate and a rigid framework of aluminate, wherein the Ca 2 + ion May occupy interstitial sites of the framework. Due to the solid structure, the phosphor may maintain high luminescence characteristics, but the present invention is not limited thereto.

본원의 일 구현예에 따르면, 상기 A는 결정 또는 비정질 입자로서 상기 형광체의 표면에 부착되거나 또는 격리되어 존재하는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 A가 SiO2인 경우, 상기 SiO2는 결정으로서 상기 형광체의 표면 상에 형성될 수도 있고, 작은 비정질 SiO2 입자로서 상기 형광체로부터 이격적으로 존재할 수도 있으며, 상기 SiO2의 결정 및 상기 비정질 SiO2 입자는 동시에 공존할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이처럼 상기 형광체 내에 상기 A가 존재하는 형태는 광학 현미경 이미지, 또는 FE-SEM 이미지 등을 분석함으로써 확인할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention, the A may include, but is not limited to, crystals or amorphous particles that are attached to the surface of the phosphor or exist in isolation. For example, if the A is SiO 2, the SiO 2 may be formed on the surface of the phosphor crystals, and a smaller amorphous SiO 2 particles may be present from said fluorescent material with spaced small, crystals of the SiO 2 And the amorphous SiO 2 particles may coexist at the same time, but are not limited thereto. The presence of A in the phosphor can be confirmed by analyzing an optical microscope image or an FE-SEM image, but the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 상기 형광체는 고휘도의 형광체 특성을 가지고, 둥근 입자 형태를 가지며, 약 50 nm 내지 약 20 μm의 입자 크기를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 형광체는, 약 50 nm 내지 약 100 nm, 약 50 nm 내지 약 500 nm, 약 50 nm 내지 약 1 μm, 약 50 nm 내지 약 10 μm, 약 50 nm 내지 약 20 μm, 약 100 nm 내지 약 500 nm, 약 100 nm 내지 약 1 μm, 약 100 nm 내지 약 10 μm, 약 100 nm 내지 약 20 μm, 또는 약 1 μm 내지 약 10 μm, 약 1 μm 내지 약 20 μm의 크기를 가지는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the phosphor may have a high-brightness phosphor property, a rounded particle shape, and a particle size of about 50 nm to about 20 占 퐉, but the present invention is not limited thereto. For example, the phosphor may have a wavelength of from about 50 nm to about 100 nm, from about 50 nm to about 500 nm, from about 50 nm to about 1 μm, from about 50 nm to about 10 μm, from about 50 nm to about 20 μm, from about 100 from about 100 nm to about 10 탆, from about 100 nm to about 20 탆, or from about 1 탆 to about 10 탆, from about 1 탆 to about 20 탆, But is not limited thereto.

본원은, 예를 들어, 상기 형광체를 포함하는 디스플레이를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 디스플레이는 브라운관, 발광 다이오드(LED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 또는 전계 방출 디스플레이(FED)를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The present invention may include, but is not limited to, a display including, for example, the phosphor. For example, the display may include, but is not limited to, a cathode ray tube, a light emitting diode (LED), a plasma display panel (PDP), or a field emission display (FED).

본원은, 예를 들어, 상기 형광체를 포함하는 램프를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
The present invention may, for example, include a lamp including the phosphor, but is not limited thereto.

이하, 본원에 대하여 실시예를 이용하여 보다 더 구체적으로 설명하지만, 본원이 이에 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

[[ 실시예Example ]]

1. 형광체의 제조1. Manufacture of phosphor

본 실시예에서, 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2] (여기에서, x는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 또는 13 mol이고, 비교예로서 SiO2+Eu2 +도 이용함)는 본원의 제 1 측면에 따른 액상법을 이용하여 제조되었다. In this embodiment, the phosphor [CaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2] ( where, x is 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, or 13 mol, as a comparative example SiO 2 + Eu < 2 + & gt ; is also used) was prepared using the liquid phase method according to the first aspect of the present invention.

먼저, 30 중량%의 Ca(NO3)2·4H2O (Junsei chemical Co., Japan), 50 중량%의 Al(NO3)3·9H2O (Samchun Chemical Co., 98%), 20 중량%의 SiO2 (sol, 20 nm, Snotex-O, Nissan Chemical), 및 50 중량%의 EuCl3·3H2O (Aldrich grade) 용액을 함께 혼합하여 혼합 용액을 조성하였으며, 이를 결정 셀룰로오스 분말 (avicel, Asahe) 내로 함침하였다. 상기 함침된 셀룰로오스 전구체는 공기 중에서 3 시간 동안 박스 로(box furnace) 내에서 500℃에서 빠르게 하소함으로써, 상기 셀룰로오스가 CO2 및 H2O 가스로서 증발되도록 하였다. 이후, 공기 중에 2 시간 동안 1200℃에서 소성(firing) 하였다. 이후, 상기 형광체에 포함된 Eu3 +을 Eu2 +로 환원시키기 위하여 N2/H2 (95/5) 환원 분위기 하에서 10 시간 동안 1000℃에서 추가 소성함으로써 최종적으로 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]를 수득하였다.First, 30 wt% of Ca (NO 3 ) 2 .4H 2 O (Junsei chemical Co., Japan), 50 wt% of Al (NO 3 ) 3 .9H 2 O (Samchun Chemical Co., 98% was the composition of the mixed solution is mixed with the% of SiO 2 (sol, 20 nm, Snotex-O, Nissan Chemical), and 50% by weight of EuCl 3 · 3H 2 O (Aldrich grade) by weight of the solution, this cellulose powder ( avicel, Asahe). The impregnated cellulose precursor was calcined rapidly in air in a box furnace for 3 hours in air to allow the cellulose to evaporate as CO 2 and H 2 O gases. Thereafter, it was fired in air at 1200 DEG C for 2 hours. Then, the final phosphor [CaAl 2 Si 2 O 8 to Eu 3 + contained in the phosphor is fired at 1000 ℃ added for 10 hours in a N 2 / H 2 (95/5) in a reducing atmosphere in order to return to Eu 2 + : Eu 2 + + xSiO 2 ].

본 실시예에서, 형광체 [SrAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2] 및 [BaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2] 각각은 알칼리 토금속염의 종류를 제외하고는 위와 동일한 공정으로 제조하였다. 여기에서, [SrAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 제조를 위하여 사용한 알칼리 토금속염은 30 중량%의 Sr(NO3)2·4H2O (Junsei chemical Co., Japan)였고, [BaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 제조를 위하여 사용한 알칼리 토금속염은 30 중량%의 BaCl2 (Junsei chemical Co., Japan)였다.
In the present embodiment, each of the phosphors [SrAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ] and [BaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ] are the same as above except for the types of alkaline earth metal salts Process. Here, the alkaline earth metal salt used for the production of [SrAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ] was 30% by weight of Sr (NO 3 ) 2 .4H 2 O (Junsei chemical Co., Japan) , And the alkaline earth metal salt used for the preparation of [BaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ] was 30 wt% BaCl 2 (Junsei chemical Co., Japan).

2. 형광체의 특성 분석 방법2. Characterization method of phosphor

상기 실시예 1에 따라 제조한 형광체 각각의 결정상은 XRD (CuKα, λ= 1.5406, 40kV, 20mA, Rigaku, Japan)에 의하여 분석하였다. 또한, 상기 형광체의 광발광 특성은 500W 제논 방전 램프(Xenon discharge lamp)가 장착된 PL 스펙트로미터(SINCO, FS-2, Korea)를 사용하여 측정하였다. 또한, 상기 형광체의 열 켄칭(quenching) 특성은 5 nm 슬릿을 사용하여 작동하는 다른 PL 스펙트로미터 (Drasa PRO 5300, 500W, Korea)를 사용하여 분석하였다. 또한, 상기 형광체 입자의 발광 특성은 광학 현미경(OLYMPUS, CKX31, MPlanN 50 X 0.75 ∞/0/FN22, Japan) 및 UV-램프(Filtered lamp for fluorescence, VILBER Lourmat, France)에 의해 확인하였다. 또한, 상기 형광체 입자의 형태는 FE-SEM(JEOL, JSM7500F, Japan)에 의해 확인하였다.
The crystal phase of each of the phosphors prepared according to Example 1 was analyzed by XRD (CuK ?,? = 1.5406, 40 kV, 20 mA, Rigaku, Japan). In addition, the photoluminescence characteristics of the phosphor were measured using a PL spectrometer (SINCO, FS-2, Korea) equipped with a 500 W xenon discharge lamp. The quenching characteristics of the phosphor were analyzed using another PL spectrometer (Drasa PRO 5300, 500 W, Korea) operating with a 5 nm slit. The emission characteristics of the phosphor particles were confirmed by an optical microscope (OLYMPUS, CKX31, MPlanN 50 X 0.75 ∞ / 0 / FN22, Japan) and a UV lamp (Filtered lamp for fluorescence, VILBER Lourmat, France). The shape of the phosphor particles was confirmed by FE-SEM (JEOL, JSM7500F, Japan).

3. 형광체의 특성 분석 결과3. Characteristic Analysis of Phosphor

[분석 1] X-선 [Analysis 1] X-ray 회절diffraction 분석 ( analysis ( XRDXRD ))

형광체의 결정성이 우수한 경우, 또는 형광체 내에 유일한 결정상이 존재하는 경우 상기 형광체의 휘도가 향상되므로, X-선 회절 분석(XRD)을 통하여 상기 형광체의 결정 형태를 확인함으로써 본 실시예에 따라 제조된 다양한 형광체들 간의 휘도를 비교 분석할 수 있다.Since the brightness of the phosphor is improved when the crystallinity of the phosphor is excellent or when a unique crystal phase exists in the phosphor, the crystal form of the phosphor is confirmed through X-ray diffraction analysis (XRD) The luminance between the various phosphors can be comparatively analyzed.

이와 관련하여, 본원의 도 4는, 본 실시예에 따라 다양한 농도의 SiO2를 첨가하여 제조한 형광체 각각의 XRD 패턴을 나타낸 것으로서, 구체적으로, 도 4a는 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2], 도 4b는 형광체 [SrAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2], 도 4c는 형광체 [BaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 XRD 패턴이다.In this regard, FIG. 4 shows XRD patterns of phosphors prepared by adding various concentrations of SiO 2 according to the present embodiment. Specifically, FIG. 4A is a graph showing the XRD patterns of phosphors [CaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2], Figure 4b phosphor [SrAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2], Figure 4c phosphor [BaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2] is the XRD pattern .

먼저 도 4a를 참조하면, 상기 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]는 주로 CaAl2Si2O8 (JCPDF card #041-1486 아노타이트) 상과 SiO2 (JCPDF card #082-0512 크리스토발라이트) 상을 나타내었다. 상기 도 4a의 XRD 패턴은 SiO2 농도, 즉 x 값의 증가에 따라 상기 CaAl2Si2O8 상은 감소되고 SiO2 상은 증가되었음을 분명하게 보여주었다. 이러한 변화는 보다 높은 SiO2 농도, 즉, x가 6 및 13인 경우에서 좀 더 지배적으로 나타났으며, 이는 첨가된 SiO2 융제(flux)가 결정성 SiO2 상의 생성에 기여함을 나타내는 결과였다. 대체적으로, 상기 SiO2 농도의 증가는 상기 CaAl2Si2O8:Eu2+ 상을 감소시키고 상기 SiO2 상을 증가시켰다. 단, SiO2 및 Eu2 +만을 사용하여 합성된 형광체, 즉 SiO2+Eu2 +는 상기 샘플의 비정질 성질을 나타내는 XRD 패턴에서 어떤 피크도 나타내지 않았다. 이와 같은 도 4a의 XRD 패턴은, 상기 형광체 내에서 과잉의 SiO2는 상기 결정성 및 비정질 형태로 모두 존재할 수 있음을 시사하는 것이었다. Referring first to Figure 4a, the phosphor [CaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2] is mainly CaAl 2 Si 2 O 8 (JCPDF card # 041-1486 cyano tight) and a SiO 2 (JCPDF card # 082-0512 cristobalite). The XRD pattern of Figure 4a is SiO 2 The concentration of CaAl 2 Si 2 O 8 Reduction phase and SiO 2 The awards showed a clear increase. This change is due to higher SiO 2 Concentration, that is, showed a more dominant in the case of x = 6 and 13, which was added SiO 2 If the flux is crystalline SiO 2 The results are shown in Fig. In general, the SiO 2 Increase in the concentration of the CaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2+ and wherein the reducing SiO 2 . However, the phosphor synthesized using only SiO 2 and Eu 2 + , that is, SiO 2 + Eu 2 + , did not show any peak in the XRD pattern showing the amorphous nature of the sample. The XRD pattern of FIG. 4A suggests that excess SiO 2 in the phosphor may exist in both crystalline and amorphous forms.

형광체 [SrAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 XRD 패턴에 해당하는 도 4b 또한, 도 4a와 유사하게 SiO2 결정상을 나타내었다.FIG. 4B corresponding to the XRD pattern of the phosphor [SrAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ] also showed a SiO 2 crystal phase similar to FIG. 4A.

한편, 형광체 [BaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 XRD 패턴에 해당하는 도 4c에서는, 도 4a 및 4b와는 달리 SiO2 결정상이 나타나지 않았는데, 이는 과량의 SiO2가 비정질 형태로 존재하기 때문인 것으로 추정되었다.On the other hand, in FIG. 4C corresponding to the XRD pattern of the phosphor [BaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ], unlike FIG. 4A and FIG. 4B, the SiO 2 crystal phase did not appear because the excess SiO 2 was in an amorphous form It was presumed that it existed.

한편, 도 4a 내지 4c는 모두 공통적으로 M1Al2Si2O8 결정 패턴의 크기가 x 값이 증가함에 따라 감소하였는데, 이는 SiO2의 농도가 증가함에 따라 상대적으로 형광체의 양이 감소하기 때문인 것으로 분석되었다.
4A to 4C, the size of the M 1 Al 2 Si 2 O 8 crystal pattern is decreased as the x value increases. This is because the amount of the phosphor is relatively decreased as the concentration of SiO 2 increases Respectively.

[분석 2] [Analysis 2] 광발광Photoluminescence 특성( characteristic( PhotoluminescencePhotoluminescence propertiesproperties , , PLPL ))

상기 실시예 1에 따라 환원 분위기에서의 소성 과정까지 수행하여 제조한 형광체의 경우에도, Eu3 +가 100% Eu2 +로 환원되는 것은 아니며, 상대적으로는 환원된 희토류 금속 이온의 양이 많을수록 상기 형광체의 발광 휘도가 증가한다. 상기 형광체의 발광 휘도(효율)은 PL 스펙트럼을 측정하여 형광체의 흡수 파장, 발광 파장, 및 강도를 확인함으로써 비교 분석할 수 있다.In the case of the phosphor was performed produced by the firing process in a reducing atmosphere according to the first embodiment and are therefore not an Eu 3 + is reduced to 100% Eu 2 +, relatively the greater the amount of the reduced rare earth metal ions, the The luminescence brightness of the phosphor increases. The emission luminance (efficiency) of the phosphor can be compared and measured by measuring the PL spectrum and confirming the absorption wavelength, emission wavelength, and intensity of the phosphor.

이와 관련하여, 본원의 도 5는, 본 실시예에 따라 다양한 농도의 SiO2를 첨가하여 제조한 형광체 각각의 광발광(Photoluminescence, PL) 스펙트럼을 나타낸 것으로서, 구체적으로, 도 5a는 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 여기 스펙트럼(점선), 발광 스펙트럼(실선), 및 430 nm의 파장에서 표준화된 발광 강도(삽도)이고, 도 5b는 형광체 [SrAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 여기 스펙트럼(점선) 및 발광 스펙트럼(실선)이며, 도 5c는 형광체 [BaAl2Si2O8:Eu2 ++ xSiO2]의 여기 스펙트럼(점선) 및 발광 스펙트럼(실선)이다.In this regard, the present Figure 5, as an explanation of the various added to a concentration of SiO 2 phosphor each light emission produced by (Photoluminescence, PL) spectra in accordance with the present embodiment, in particular, Figure 5a is a phosphor [CaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2] of the excitation spectrum (dotted line), a light emitting spectrum (solid line), and 430 nm an emission intensity (sapdo) standardized by the wavelength of, and Figure 5b is a phosphor [SrAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2 ] of the excitation spectrum (dotted line) and emission spectrum (solid line), and Figure 5c is a phosphor [BaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2] of the excitation spectrum (dotted line) and emission Spectrum (solid line).

먼저 도 5a를 참조하면, 상기 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]는 넓은 여기 및 발광 스펙트럼을 나타냄을 확인할 수 있다. 구체적으로, 여기 스펙트럼은 365 nm를 중심으로 하는 280 nm 내지 400 nm 파장에서 관찰되었고, 발광 스펙트럼은 430 nm를 중심으로 하는 400 nm 내지 600 nm 파장에서 관찰되었다. 특히, 상기 여기 스펙트럼은 320 nm (t2g) 및 370 nm (eg)를 중심으로 하는 2 개의 겹치는 피크를 나타내었는데, 이것은 결정 필드 분리 피크(crystal field splitting peaks)로 인해 5d 오비탈이 분리되었기 때문에 나타난 결과이다. First, referring to FIG. 5A, it can be seen that the phosphor [CaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ] exhibits wide excitation and emission spectrum. Specifically, the excitation spectrum was observed at a wavelength of 280 nm to 400 nm centered at 365 nm, and the emission spectrum was observed at a wavelength of 400 nm to 600 nm centered at 430 nm. In particular, the excitation spectrum showed two overlapping peaks centered at 320 nm (t 2g ) and 370 nm (e g ), because the 5d orbital was isolated due to crystal field splitting peaks This is the result.

한편, 상기 도 5a의 발광 스펙트럼은 430 nm 및 470 nm에서 2 개의 근접하게 겹치는 피크를 나타냈다. Eu2 +는 SiO2 결정 내에 Si4 + 사이트를 대체하는 것으로 여겨질 수 있음에도 불구하고, Eu2 +는 6 내지 10 배위인 반면 Si4 +는 4 배위로서 전하 및 배위수가 상이하기 때문에, Eu2 +는 상기 Si4 + 사이트를 점유할 수 없었다. 또한, Eu2+의 이온 크기는 1.17 내지 1.35Å 정도의 값으로 너무 크기 때문에 SiO2 결정 내의 0.26 Å 정도에 불과한 Si4 + 사이트를 대체하거나 간극 자리(interstitial site)를 점유할 수는 없었다. 따라서, 상기 발광 스펙트럼의 겹치는 피크는 CaAl2Si2O8 결정 내의 2 개의 Eu2 + 사이트가 각각 Eu2 + 이온에 대해 상이한 환경을 조성하기 때문인 것으로 볼 수 있으며, 이는 도 3의 모식도를 통해 보다 분명하게 확인할 수 있다.On the other hand, the emission spectrum of FIG. 5A showed two closely overlapping peaks at 430 nm and 470 nm. Eu 2 + is SiO 2 Because even though can be considered a replacement for Si 4 + sites in the crystal and, Eu 2 +, while the Si 4 + is from 6 to 10 coordinated to different number of the charge and coordination as 4 coordination, Eu 2 + is the Si 4 + The site could not be occupied. In addition, the ion size of Eu 2+ was too large to be in the range of 1.17 to 1.35 Å, so it could not replace the Si 4 + site or occupy the interstitial site of only 0.26 Å in the SiO 2 crystal. Thus, the overlapping peak of the emission spectrum may be found to be due CaAl 2 Si 2 O 8 2 of Eu 2 + site is Eu 2 + to create a different environment for the ions each in the crystal, which is more by the schematic diagram of Figure 3 It can be confirmed clearly.

한편, 도 5a의 삽도는 형광체의 발광 강도, 또는 휘도에 대한 SiO2 첨가의 효과를 보여주는 것으로서, 상기 발광 강도는 추가적으로 존재하는 SiO2 농도인 x가 0 mol 에서 5 mol 정도까지 증가됨에 따라 이에 비례하여 함께 증가하였다. 특히, x 값이 5인 경우의 형광체는 x 값이 0인 경우의 형광체와 비교할 때 110% 향상된 발광 강도를 나타내었다. 이처럼 휘도가 증가하는 이유는 과량으로 첨가한 SiO2의 정사면체 실리케이트 결정의 구조적 특징 때문이다. 상기 SiO2는 결정 혹은 비정질에서 SiO4 4 -의 형태로 존재하게 되며, 그 가장자리(edge)에 풍부한 전자를 갖고 있게 되는 바, 과량으로 첨가된 SiO2는 형광체의 표면에 존재하여 고온에서 환원하는 동안 전자를 형광체 안으로 공급해주는 역할을 하므로 더욱 더 강력한 환원 분위기를 조성할 수 있다. 이에 따라 Eu2 +로 환원된 형광체의 양이 증가하게 되고, 결과적으로 형광체의 발광 특성이 강화되는 것이다. 증가된 Eu2 +의 함량은, Eu2 +가 높은 청색 발광을 유발하는 점을 이용하여 확인할 수 있다. 다만, x 값이 과도하게 큰 형광체, 즉 x가 6 또는 13 mol인 경우의 형광체에서는 오히려 발광 강도의 감소가 관찰되었으며, 이로부터 형광체의 발광 강도의 향상을 위한 SiO2의 포화 농도가 존재함을 확인할 수 있었다. 상기 발광 강도의 감소는, 상기 형광체 중 발광 재료인 CaAl2Si2O8의 함량의 상대적 감소 때문인 것으로 추정되었다. 또는, 불순물로서의 SiO2역할이 더 강해졌기 때문인 것으로 추정되었다.On the other hand, the illustration in FIG. 5A shows the light emission intensity of the phosphor, or SiO 2 Lt; RTI ID = 0.0 > SiO2 < / RTI > As the concentration x increased from 0 mol to 5 mol, it increased proportionally. Particularly, when the x value is 5, the phosphor exhibits 110% improvement in luminescence intensity as compared with the phosphor when the x value is 0. This increase in brightness is due to the structural characteristics of the tetrahedral silicate crystals of SiO 2 added in excess. The SiO 2 exists in the form of SiO 4 4 - in the crystal or amorphous state and has a rich electron at the edge thereof. The excess SiO 2 is present on the surface of the phosphor and is reduced at a high temperature It is possible to provide a stronger reducing atmosphere because it serves to supply electrons into the phosphor. As a result, the amount of the phosphor reduced to Eu 2 + increases, and as a result, the luminescent property of the phosphor is enhanced. Increased content of Eu 2 + is, it can be confirmed by using a point to cause the blue light-emitting Eu 2 + high. However, in the case of the phosphor having an excessively large x value, that is, the phosphor having x of 6 or 13 mol, a decrease in the emission intensity was observed rather than a saturation concentration of SiO 2 for improving the emission intensity of the phosphor. I could confirm. The decrease in the light emission intensity was presumed to be due to the relative decrease in the content of CaAl 2 Si 2 O 8 as a light emitting material in the phosphor. Or that the role of SiO 2 as an impurity is stronger.

한편, 도 5a의 형광체 중 단지 SiO2 및 Eu2 + 만을 사용하여 합성된 샘플, 즉 SiO2+Eu2+에 대해서는 여기 및 발광 스펙트럼이 나타나지 않았으며, 이로부터 상기 Eu2+가 상기 비정질 SiO2 사이트 내에 점유될 수 없었음을 확인할 수 있었다.On the other hand, among the phosphors of FIG. 5A, excitation and emission spectra are not shown for a sample synthesized using only SiO 2 and Eu 2 + , that is, SiO 2 + Eu 2+ , from which Eu 2+ is converted to amorphous SiO 2 I could confirm that it could not be occupied within the site.

한편, 형광체의 발광 강도를 극대화할 수 있는 SiO2의 농도는, 상기 형광체에 포함되는 알칼리 토금속의 종류에 따라 다소 차이가 있었으며, 이는 상기 알칼리 토금속의 종류에 따라 이온 크기가 다르기 때문인 것으로 추정되었다. 구체적으로, Sr을 포함하는 형광체는 x 값이 2 mol인 경우 최대 발광 강도가 나타났으며, Ba를 포함하는 형광체는 x 값이 3 mol인 경우 최대 발광 강도가 나타났고, 이는 각각 도 5b 및 도 5c를 통해 확인할 수 있었다.
On the other hand, the concentration of SiO 2 , which can maximize the emission intensity of the phosphor, was somewhat different depending on the type of the alkaline earth metal contained in the phosphor, which is presumed to be due to the difference in ion size depending on the type of the alkaline earth metal. Specifically, the phosphor containing Sr showed the maximum emission intensity when the x value was 2 mol, and the maximum emission intensity when the x value was 3 mol for the phosphor containing Ba, 5c.

[분석 3] 광학 현미경 이미지[Analysis 3] Optical microscope image

본 실시예에서는, 상기 실시예 1에 따라 제조한 형광체 내에서 SiO2가 어떻게 존재하는지 확인해보기 위해서 광학 현미경 이미지를 이용하였다. 먼저, 광학적 형미경의 광원을 이용하여 전체 입자들의 위치를 확인하였고, 광원을 제거한 후 UV 램프로 365 nm의 자외선을 조사했을 때 발광하는 입자의 위치를 이용하여 어떤 입자들이 형광체에 해당하는지 추적하였다.In this example, an optical microscope image was used to check how SiO 2 exists in the phosphor prepared according to Example 1 above. First, the positions of all the particles were confirmed by using a light source of optical type, and when the light source was removed, ultraviolet rays of 365 nm were irradiated with a UV lamp to track which particles correspond to the fluorescent material .

이와 관련하여, 본원의 도 6은, 본 실시예에 따라 다양한 농도의 SiO2를 첨가하여 제조한 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 광학 현미경 이미지를 나타낸 것으로서, 도 6a 내지 도 6c는 UV-램프 조사가 없는 경우의 이미지이고, 도 6d 내지 도 6f는 UV-램프 조사가 있는 경우의 이미지이다. 구체적으로, 도 6a 및 도 6d는 x값이 0인 경우로서 UV-램프 조사 전후의 이미지들이고, 도 6b 및 도 6e는 x값이 3인 경우로서 UV-램프 조사 전후의 이미지들이며, 도 6c 및 도 6f는 x값이 13인 경우로서 UV-램프 조사 전후의 광학 현미경 이미지들이다.In this connection, FIG. 6 shows an optical microscope image of the phosphor [CaAl 2 Si 2 O 8 : Eu 2 + + xSiO 2 ] prepared by adding various concentrations of SiO 2 according to the present embodiment, 6a to 6c are images in the absence of UV lamp illumination, and Figs. 6d to 6f are images in the presence of UV lamp illumination. 6A and 6B are images before and after UV-lamp irradiation, and FIGS. 6B and 6E are images before and after UV-lamp irradiation when x value is 3, FIG. 6F shows optical microscope images before and after UV-lamp irradiation when x value is 13.

UV-램프 조사가 없는 경우인 도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 광학 현미경 이미지에서 큰 입자와 함께 다수의 작은 입자들이 존재하는 것을 확인할 수 있다. 그러나, UV-램프 조사가 있는 경우인 도 6d 내지 도 6f를 참조하면, 광학 현미경 이미지에서 대부분의 작은 입자들은 사라지고 큰 입자들만이 남아있는 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 6d 내지 도 6f의 큰 입자들의 크기는, 도 6a 내지 도 6c에서의 그것보다 크기가 작게 나타났다. 도 6a 내지 도 6c에서는 존재하였으나 도 6d 내지 도 6f에서는 사라진 입자들은, UV-램프 조사시 발광할 수 없는 SiO2 부분에 해당한다. 이로부터, 대부분의 작은 입자들 및 형광체 표면에 존재하는 입자들이 모두 단결정 또는 비정질의 SiO2인 것으로 추정할 수 있었으며, 본원의 형광체에 첨가된 과량의 SiO2가 어떻게 존재하는지 확인할 수 있었다.
6A to 6C in the absence of UV-lamp irradiation, it can be seen that a large number of small particles are present along with large particles in the optical microscope image. However, referring to FIGS. 6d to 6f in the case of UV-lamp irradiation, it can be seen that most of the small particles disappear and only large particles remain in the optical microscope image. Further, the sizes of the large particles of Figs. 6D to 6F were smaller than those of Figs. 6A to 6C. 6A to 6C, the particles disappeared in FIGS. 6D to 6F correspond to the SiO 2 portion which can not emit light when irradiated with UV lamps. From this, it can be assumed that most of the small particles and the particles present on the phosphor surface are both monocrystalline or amorphous SiO 2 , and it is possible to confirm how excessive SiO 2 added to the phosphor of the present invention exists.

[분석 4] 열 켄칭([Analysis 4] Thermal quenching ( ThermalThermal quenchingquenching ))

본원의 도 7은, 본원의 일 실시예에 따라 다양한 농도의 SiO2를 첨가하여 제조한 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2] (x는 0, 3, 및 13)의 열안정성을 나타낸 그래프이다.Of the present application 7 is prepared by the addition of SiO 2 in various concentrations according to an embodiment of the present phosphors [CaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2] (x is 0, 3, and 13) Thermal stability.

만약, 형광체에 포함되는 SiO2가 Eu2 +-도핑된 CaAl2Si2O8 형광체의 표면 상에 코팅되는 것이라면, SiO2는 결정상이 아닌 비정질 상이어야 하며, 상기 비정질 상의 SiO2는 열안정성이 우수하므로, 상기 형광체의 열안정성이 향상되는 것으로 나타나야 한다.If the SiO 2 contained in the phosphor is to be coated on the surface of the Eu 2 + -doped CaAl 2 Si 2 O 8 phosphor, the SiO 2 should be an amorphous phase rather than a crystalline phase, and the amorphous phase SiO 2 has a thermal stability It is necessary to show that the thermal stability of the phosphor is improved.

그러나, 도 7을 참조할 때, 상기 형광체의 열안정성은 SiO2의 첨가 여부와 무관하게 거의 동일한 값으로 나타났으며, 이로부터 상기 형광체에 비정질 상의 SiO2가 코팅되는 것이 아니라, 상기 SiO2가 결정 형태로 상기 형광체의 표면 상에 부착되는 것임을 추정할 수 있었다.
However, even when 7, the thermal stability of the phosphor was shown to substantially the same value regardless of the addition of Status of SiO 2, not from this that the SiO 2 on the amorphous coating to the phosphor, that the SiO 2 It was presumed that it was adhered on the surface of the phosphor in a crystalline form.

[분석 5] [Analysis 5] FEFE -- SEMSEM 이미지 image

일반적으로, 형광체 입자 모양이 균일하고 구형에 가까운 모양일수록 장치에 적용하는데 유리하며, 형광체 입자 모양은 FE-SEM 이미지를 통해 확인할 수 있다.In general, the more uniform the shape of the phosphor particles and the closer to the spherical shape, the more favorable the application to the apparatus, and the shape of the phosphor particles can be confirmed by the FE-SEM image.

이와 관련하여, 본원의 도 8은, 본 실시예에 따라 다양한 농도의 SiO2를 첨가하여 제조한 형광체 각각의 FE-SEM 이미지를 나타낸 것으로서, 구체적으로, 도 8a 내지 도 8d는 형광체 [CaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2], 도 8e 내지 도 8h는 형광체 [SrAl2Si2O8:Eu2++xSiO2], 도 8i 내지 도 8l은 형광체 [BaAl2Si2O8:Eu2 ++xSiO2]의 FE-SEM 이미지이다.In this regard, FIG. 8 shows an FE-SEM image of each of the phosphors prepared by adding SiO 2 at various concentrations according to the present embodiment. Specifically, FIGS. 8A to 8D show the phosphors [CaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2], Fig. 8e through 8h are phosphor [SrAl 2 Si 2 O 8: Eu 2+ + xSiO 2], Figure 8i to 8l is also phosphor [BaAl 2 Si 2 O 8: Eu 2 + + xSiO 2 ].

도 8a 내지 도 8l을 참조할 때, 본원의 형광체의 입자 크기 및 형태는 균일하지 않았으며, 상기 형광체의 표면에는 다수의 작은 입자들이 존재하여 그 자체로서 장치에 적용하기는 어려운 형태였다. 그러나, 이는 본원의 형광체의 표면에는 SiO2 결정이 부착되어 있어, 과잉 전자들을 형광체 내에 제공하면서 강한 환원 분위기를 조성하여 휘도가 향상된 형광체가 수득되도록 하고 있기 때문에 나타난 결과이며, 입자 크기 및 형태의 불균일성은 추가적인 세정을 통하여 결정 모양을 다듬어 해결할 수 있다.
8A to 8L, the particle size and shape of the phosphor of the present invention were not uniform, and a large number of small particles existed on the surface of the phosphor, so that it was difficult to apply to the device itself. However, this is because the SiO 2 crystal is adhered to the surface of the phosphor of the present invention, so that a strong reducing atmosphere is provided by providing excess electrons in the phosphor to obtain a phosphor having improved brightness, Can be resolved by smoothing the crystal shape through additional cleaning.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성요소들도 결합된 형태로 실시될 수도 있다.
It will be understood by those of ordinary skill in the art that the foregoing description of the embodiments is for illustrative purposes and that those skilled in the art can easily modify the invention without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention .

Claims (20)

알칼리 토금속염, 희토류 금속염, 3 족 금속염, 및 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체를 포함하는 혼합 용액을 수득하는 것; 및
상기 혼합 용액에 셀룰로오스를 첨가한 후 열처리 하는 것
을 포함하는,
형광체의 제조 방법으로서,
상기 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체는, 형광체 조성 자체에서 요구되는 2 mol을 초과하는 함량의 4 족 원소의 산화물 전구체로서, 2 mol 초과 내지 20 mol 미만인 것을 포함하는 것인,
형광체의 제조 방법.
Obtaining a mixed solution comprising an alkaline earth metal salt, a rare earth metal salt, a Group 3 metal salt, and an oxide precursor of an excessive Group 4 element; And
Adding cellulose to the mixed solution and then performing heat treatment
/ RTI >
As a method for producing a phosphor,
Wherein the oxide precursor of the excess Group 4 element is an oxide precursor of a Group 4 element in an amount exceeding 2 mol required in the phosphor composition itself and contains more than 2 mol and less than 20 mol.
Gt;
제 1 항에 있어서,
상기 알칼리 토금속염은 Ca, Sr, Ba, Mg, 또는 Be의 염을 포함하는 것인, 형광체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the alkaline earth metal salt comprises a salt of Ca, Sr, Ba, Mg, or Be.
제 1 항에 있어서,
상기 희토류 금속염은 Eu, La, Ce, Nd, Gd, Tb, Dy, Er, 또는 Yb의 염을 포함하는 것인, 형광체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the rare earth metal salt comprises a salt of Eu, La, Ce, Nd, Gd, Tb, Dy, Er, or Yb.
제 1 항에 있어서,
상기 3 족 금속염은 Al, Ga, 또는 In의 염을 포함하는 것인, 형광체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the Group III metal salt comprises a salt of Al, Ga, or In.
제 1 항에 있어서,
상기 4 족 원소의 산화물 전구체는 SiO2, Si(OH)4, SiH4, Si(OC2H5)4, 수용성 실란, GeO2, Ge(OH)4, GeH4, Ge(OC2H5)4, SnO2, Sn(OH)4, SnH4, 또는 Sn(OC2H5)4를 포함하는 것인, 형광체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Oxide precursor of the Group 4 element is SiO 2, Si (OH) 4 , SiH 4, Si (OC 2 H 5) 4, water soluble silane, GeO 2, Ge (OH) 4, GeH 4, Ge (OC 2 H 5 ) 4 , SnO 2 , Sn (OH) 4 , SnH 4 , or Sn (OC 2 H 5 ) 4 .
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 혼합 용액은, 상기 알칼리 토금속염, 상기 희토류 금속염, 및 상기 3 족 금속염, 및 상기 과량의 4 족 원소의 산화물 전구체가 균일하게 혼합된 것인, 형광체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the mixed solution is obtained by uniformly mixing the alkaline earth metal salt, the rare earth metal salt, the Group 3 metal salt, and the oxide precursor of the excess Group 4 element.
제 1 항에 있어서,
상기 셀룰로오스는, 셀룰로오스 분말, 셀룰로오스 시트, 구형 셀룰로오스, 수용성 셀룰로오스, 펄프, 결정화 셀룰로오스, 비결정질 셀룰로오스, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 형광체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the cellulose includes one selected from the group consisting of cellulose powder, cellulose sheet, spherical cellulose, water-soluble cellulose, pulp, crystallized cellulose, amorphous cellulose, and combinations thereof.
제 1 항에 있어서,
상기 열처리는, 150℃ 내지 600℃에서 수행되는 1 차 열처리, 및 600℃ 내지 1500℃에서 수행되는 2 차 열처리가 순차적으로 수행되는 것을 포함하는 것인, 형광체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the heat treatment includes a first heat treatment performed at 150 ° C to 600 ° C and a second heat treatment performed at 600 ° C to 1500 ° C sequentially.
제 9 항에 있어서,
상기 2 차 열처리 후, 환원 분위기 하에서 3 차 열처리하여 희토류 금속을 환원시키는 것을 추가 포함하는, 형광체의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
Further comprising a third heat treatment in a reducing atmosphere after the second heat treatment to reduce the rare earth metal.
제 10 항에 있어서,
상기 환원 분위기는 N2와 H2의 혼합가스, 비활성 기체와 H2의 혼합가스, 또는 CO 가스를 포함하는 것인, 형광체의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the reducing atmosphere includes a mixed gas of N 2 and H 2 , a mixed gas of an inert gas and H 2 , or a CO gas.
제 1 항에 따른 방법에 의하여 제조되는 형광체로서,
상기 형광체는 [M1-M2 2M3 2O8:M4 + xA]의 조성을 가지며,
상기 M1은 알칼리 토금속이고,
상기 M2는 3 족 금속이며,
상기 M3는 4 족 원소이고,
상기 M4는 희토류 금속 이온이며,
상기 A는 상기 M3의 산화물로서, 결정 또는 비정질 입자로서 상기 형광체의 표면에 부착되거나 또는 격리되어 존재하는 것을 포함하는 것이고,
상기 x는 상기 A의 몰 수로서, 0 초과 내지 18 미만인,
형광체.
A phosphor produced by the method according to claim 1,
The phosphor has a composition of [M 1 -M 2 2 M 3 2 O 8 : M 4 + xA]
Wherein M 1 is an alkaline earth metal,
M 2 is a Group 3 metal,
M 3 is a Group 4 element,
M 4 is a rare earth metal ion,
Wherein A is an oxide of M 3, which is present as crystals or amorphous particles attached to the surface of the phosphor or isolated,
Wherein x is the number of moles of A and is greater than 0 and less than 18,
Phosphor.
제 12 항에 있어서,
상기 M1은 Ca, Sr, Ba, Mg, 또는 Be을 포함하는 것인, 형광체.
13. The method of claim 12,
Wherein M 1 comprises Ca, Sr, Ba, Mg, or Be.
제 12 항에 있어서,
상기 M2는 Al, Ga, 또는 In을 포함하는 것인, 형광체.
13. The method of claim 12,
And M 2 is Al, Ga, or In.
제 12 항에 있어서,
상기 M3는 Si, Ge, 또는 Sn을 포함하는 것인, 형광체.
13. The method of claim 12,
Wherein M 3 comprises Si, Ge, or Sn.
제 12 항에 있어서,
상기 M4는 희토류 금속의 2가 또는 3가 양이온을 포함하는 것인, 형광체.
13. The method of claim 12,
And M < 4 > includes a divalent or trivalent cation of a rare earth metal.
제 12 항에 있어서,
상기 M4는 Eu2 +, La2 +, Ce2 +, Nd2 +, Gd2 +, Tb2 +, Dy2 +, Er2 +, 또는 Yb2 +를 포함하는 것인, 형광체.
13. The method of claim 12,
The M 4 is 2 + Eu, La + 2, Ce + 2, Nd + 2, Gd + 2, Tb + 2, Dy + 2, Er + 2, or the fluorescent material comprises a Yb + 2.
제 12 항에 있어서,
상기 A는 SiO2, GeO2, 또는 SnO2를 포함하는 것인, 형광체.
13. The method of claim 12,
And A is the one containing SiO 2, GeO 2, or SnO 2, the phosphor.
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