KR101418760B1 - 투명 지문인식 센서 어레이 - Google Patents

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KR101418760B1
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허지호
함용주
홍봉엽
남윤덕
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실리콘 디스플레이 (주)
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Abstract

본 발명은 투명 지문인식 센서 어레이에 관한 것으로, 기판 상에 형성되는 화소 구동 회로; 상기 화소 구동 회로의 상부에 배치되는 정전기 방지 배선; 상기 화소 구동 회로에 접속되는 화소 전극;을 포함하고, 상기 화소 전극은 투명한 재료로 구성되거나, 중심부에 개구부가 형성된다.

Description

투명 지문인식 센서 어레이{TRNASPARENT FINGERPRINT RECOGNIZING SENSOR ARRAY}
본 발명은 투명 지문인식 센서 어레이에 관한 것으로, 보다 상세하게는 지문 인식이 가능한 센서 어레이에 관한 것이다.
일반적으로 정전 용량 방식의 지문 센서 어레이는 지문이 화소 전극(감지 전극)위의 보호막에 닿으면 지문요철에 따라 정전용량의 차이가 발생하고, 그 차이를 화소 회로에서 검출하여 지문을 인식한다.
도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 센서 어레이의 단면도이다.
종래의 센서어레이의 구조는 도 1에 도시된 바와 같이 기판(110), 화소 회로(120), 화소 전극(감지 전극)(130), 보호층(140)으로 이루어진다.
일반적으로 화소 회로(120)는 트랜지스터로 구성이 되고 그 상단에는 화소 전극(감지 전극)(130)이 있어서, 신호(정전 용량 차이)를 화소 회로(120)로 전달한다.
도 1에 도시된 센서 어레이는 손가락이 화소 전극(감지 전극)(130)위의 보호막에 닿으면, 사람의 신체에 충전된 정전기가 화소 전극(감지 전극)(130)으로 방전되고, 그 정전기로 인해 순간적으로 화소 회로(120)가 손상되거나 기능이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
이를 해결하기 위하여 종래에는 도 2에 도시된 바와 같이 화소 전극을 보호하기 위해 정전기 방지배선(150)을 화소 전극(130)보다 높게 위치시키는 방법을 사용하였다.
그러나, 종래 기술에 따르면 화소 전극(감지 전극)과 정전기 방지배선 등의 구성요소로 인하여 센서 어레이의 하부에 배치되는 디스플레이의 가시성이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 화소 전극을 투명한 재료로 구성하거나, 화소 전극의 중심부에 개구부를 형성하고, 센서 어레이의 기판을 투명 기판으로 구성하여, 센서 어레이의 빛 투과도를 보다 확보하여, 센서 어레이를 디스플레이 장치의 디스플레이와 결합시에 디스플레이의 가시성을 보다 확보하고자 한다.
전술한 문제를 해결하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이는, 기판 상에 형성되는 화소 구동 회로; 상기 화소 구동 회로의 상부에 배치되는 정전기 방지 배선; 상기 화소 구동 회로에 접속되는 화소 전극;을 포함하고, 상기 화소 전극은 투명한 재료로 구성되거나 중심부에 개구부가 형성된다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 화소 전극은 중심부에 사각형의 개구부가 형성된다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 화소 전극은 광 센서로 구성된다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 화소 전극은 상기 화소 구동 회로를 매립하는 절연층 내에 상기 구동 회로와 함께 매립되도록 구성된다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 화소 전극은 상기 정전기 방지 배선을 매립하는 보호층 내에 상기 정전기 방지 배선과 함께 매립되도록 구성된다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 화소 전극은 상기 센서 어레이 상에서 상기 화소 구동 회로 또는 상기 정전기 방지 배선이 형성되는 층과 동일한 층에 형성된다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 광 센서는 비정질 실리콘 포토다이오드, 유기물 광센서 및 퀀텀닷 중에서 어느 하나로 이루어진다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 기판은 투명한 재료로 이루어진 투명 기판으로 구성된다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 기판은 금속 기판에 절연막을 코팅하여 형성한 기판 및 절연 기판 중에서 어느 하나로 구성된다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 정전기 방지 배선은 금속, 금속 산화물 및 전도성 유기물 중에서 어느 하나의 재료로 형성된다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따르면, 상기 화소 구동 회로는 박막 트랜지스터를 포함하여 구성되고, 상기 박막 트랜지스터의 활성층은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 및 산화물 반도체 중에서 어느 하나로 구성된다.
본 발명에 따르면 화소 전극을 투명한 재료로 구성하거나, 화소 전극의 중심부에 개구부를 형성하고, 센서 어레이의 기판을 투명 기판으로 구성하여, 센서 어레이의 빛 투과도를 보다 확보할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 투명 지문인식 센서 어레이를 디스플레이 장치의 디스플레이와 결합시에 디스플레이의 가시성을 보다 확보할 수 있다.
도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 센서 어레이의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 단면도이다.
도 5는 도 3 및 도 4의 실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 상면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 단면도이다.
도 8은 도 6 및 도 7의 실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 상면도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이가 디스플레이에 결합되는 단면을 도시한 도면이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 본 발명의 일실시예에 대해서 상세히 설명한다. 다만, 실시형태를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 단면도이다.
본 발명의 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이는 기판(210), 화소 구동 회로(220), 화소 전극(230), 정전기 방지 배선(240)을 포함하여 구성된다.
화소 구동 회로(220)는 기판(210) 상에 형성되며, 이때 상기 화소 구동 회로(220)는 박막 트랜지스터를 포함하여 구성되고, 상기 박막 트랜지스터의 활성층은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 및 산화물 반도체 중에서 어느 하나로 구성된다.
정전기 방지 배선(240)은 상기 화소 구동 회로(220)의 상부에 배치된다. 이때, 상기 정전기 방지 배선(240)은 금속, 금속 산화물 및 전도성 유기물 중에서 어느 하나의 재료로 형성된다.
화소 전극(230)은 화소 구동 회로(220)에 접속되어 상기 화소 구동 회로(220)에 의해 구동된다.
이때, 도 3의 실시예에서는 상기 화소 전극(230)은 투명한 재료로 구성되며, 또한 상기 화소 전극(230)은 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 다양한 도전성의 투명한 재료를 이용하여 구성할 수 있다.
상기와 같이 화소 전극(230)을 투명한 재료로 구성하면, 센서 어레이의 빛 투과도를 보다 확보할 수 있으므로, 투명 지문인식 센서 어레이를 디스플레이와 결합시에 디스플레이의 가시성을 확보할 수 있다.
절연층(221)은 상기 기판(210) 상에 형성된 화소 구동 회로(220)와 화소 전극(230)을 덮도록 구성된다.
이때, 화소 전극(230)은 화소 구동 회로(220)와 함께 절연층(221) 내에 매립되도록 구성되고, 정전기 방지 배선(240)은 상기 화소 구동 회로(220)의 상부에 배치되어 보호층(241) 내에 매립되는 형태로 구성될 수 있다.
그에 따라, 화소 전극(230)과 화소 구동 회로(220)는 상호 오버랩(overlap)되지 않도록 배치되며, 정전기 방지 배선(240)은 화소 구동 회로(220)의 상부에 오버랩(overlap) 되도록 배치된다.
본 발명에서 오버랩이란 수직 방향에서 바라보는 경우 평면상의 배치가 상호 겹치지 않는 배치구조를 말한다. 즉, 도 3의 배치와 같이 화소 구동 회로(220)와 화소 전극(230)이 수직 방향으로 상호 겹치는 부분이 없도록 배치되어 있으므로, 오버랩 되지 않는 구조로 구성된다.
상기 기판(210)은 투명한 재료를 이용하여 구성하며, 이때 상기 기판(210)은 절연 기판으로 구성되거나, 또는 금속 기판에 절연막을 코팅하여 구성된다.
상기와 같인 기판(210)을 투명한 재료를 이용하여 구성하면, 센서 어레이의 빛 투과도를 보다 확보할 수 있으므로, 투명 지문인식 센서 어레이를 디스플레이와 결합시에 디스플레이의 가시성을 확보할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 단면도이다.
도 4의 실시예에서는 상기 도 3의 실시예와 유사한 구성이나, 화소 구동 회로(220)만이 절연층(221) 내에 매립되도록 구성되고, 화소 전극(230)과 정전기 방지 배선(240)은 보호층(241) 내에 매립되는 형태로 구성된다.
그에 따라, 화소 전극(230)과 화소 구동 회로(220)는 상호 오버랩(overlap)되지 않도록 배치되며, 정전기 방지 배선(240)은 화소 구동 회로(220)의 상부에 오버랩(overlap) 되도록 배치된다.
또한, 도 4의 실시예에서도 상기 화소 전극(230)은 투명한 재료로 구성되며, 또한 상기 화소 전극(230)은 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 다양한 도전성의 투명한 재료를 이용하여 구성할 수 있다.
상기와 같이 화소 전극(230)을 투명한 재료로 구성하고, 마찬가지로 기판(210) 또한 투명한 재료를 이용하여 구성하면, 센서 어레이의 빛 투과도를 보다 확보할 수 있으므로, 투명 지문인식 센서 어레이를 디스플레이와 결합시에 디스플레이의 가시성을 확보할 수 있다.
도 5는 도 3 및 도 4의 실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 상면도이다.
도 5의 a에 도시된 바와 같이 상기 정전기 방지배선(240)은 투명 지문인식 센서 어레이 전면에 걸쳐 격자의 형태로 구성된다. 이와 같이 격자의 형태로 구성된 정전기 방지배선(240)은 신호 배선들(250, 251)과 박막 트랜지스터로 구성된 화소 구동 회로(220)의 상부를 덮는 구조로 구성된다.
화소 전극(230)은 일정 간격을 두고 정전기 방지배선(240)과 격리되어 있으며, 투명한 재료로 구성된다.
보다 상세하게 살펴보면, 투명 지문인식 센서 어레이는 도 5의 b에 도시된 바와 같이, 화소 전극(230)의 주변으로 일정 간격을 두고 둘러싸는 격자의 형태로 정전기 방지배선(240)이 배치된다.
이때, 본 발명의 일실시예에 따르면 화소 전극(230)이 다양한 도전성의 투명한 재료를 이용하여 구성되므로, 투명 지문인식 센서 어레이를 디스플레이와 결합시에 디스플레이의 가시성을 확보할 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 단면도이다.
도 3의 실시예와 마찬가지로, 도 6의 실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이는 기판(210), 화소 구동 회로(220), 화소 전극(231), 정전기 방지 배선(240)을 포함하여 구성된다.
즉, 화소 구동 회로(220)는 기판(210) 상에 형성되고, 정전기 방지 배선(240)은 상기 화소 구동 회로(220)의 상부에 배치되며, 화소 전극(231)은 화소 구동 회로(220)에 접속되어 상기 화소 구동 회로(220)에 의해 구동된다.
이때, 도 6의 실시예에서는 투명 지문인식 센서 어레이의 상면에서 바라보았을 때, 상기 화소 전극(231)의 중심부에 개구부가 형성되어, 투명 지문인식 센서 어레이를 디스플레이와 결합시에 디스플레이의 가시성을 확보할 수 있다.
또한, 화소 전극(231)은 화소 구동 회로(220)와 함께 절연층(221) 내에 매립되도록 구성되고, 정전기 방지 배선(240)은 상기 화소 구동 회로(220)의 상부에 배치되어 보호층(241) 내에 매립되는 형태로 구성되어, 화소 전극(231)과 화소 구동 회로(220)는 상호 오버랩(overlap)되지 않도록 배치되며, 정전기 방지 배선(240)은 화소 구동 회로(220)의 상부에 오버랩(overlap) 되도록 배치된다.
그뿐만 아니라, 기판(210)은 투명한 재료를 이용하여 구성하며, 그에 따라 센서 어레이의 빛 투과도를 보다 확보할 수 있으므로, 투명 지문인식 센서 어레이를 디스플레이와 결합시에 디스플레이의 가시성을 확보할 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 단면도이다.
도 7의 실시예에서는 화소 구동 회로(220)만이 절연층(221) 내에 매립되도록 구성되고, 화소 전극(231)과 정전기 방지 배선(240)은 보호층(241) 내에 매립되는 형태로 구성될 수 있다.
그에 따라, 화소 전극(231)과 화소 구동 회로(220)는 상호 오버랩(overlap)되지 않도록 배치되며, 정전기 방지 배선(240)은 화소 구동 회로(220)의 상부에 오버랩(overlap) 되도록 배치된다.
도 7의 실시예에서는 도 6의 실시예에서와 마찬가지로 투명 지문인식 센서 어레이의 상면에서 바라보았을 때, 상기 화소 전극(231)은 중심부에 개구부가 형성될 수 있으며, 이때 상기 화소 전극(231)은 광 센서로 구성될 수도 있다.
이와 같이 화소 전극(231)의 중심부에 개구부가 형성되도록 구성하면, 센서 어레이의 빛 투과도를 보다 확보할 수 있으므로, 투명 지문인식 센서 어레이를 디스플레이와 결합시에 디스플레이의 가시성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
도 8은 도 6 및 도 7의 실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이의 상면도이다.
도 8의 a에 도시된 바와 같이 상기 정전기 방지배선(240)은 투명 지문인식 센서 어레이 전면에 걸쳐 격자의 형태로 구성되어, 신호 배선들(250, 251)과 박막 트랜지스터로 구성된 화소 구동 회로(220)의 상부를 덮는 구조로 구성된다.
화소 전극(230)은 일정 간격을 두고 정전기 방지배선(240)과 격리되도록 구성된다.
보다 상세하게 살펴보면, 투명 지문인식 센서 어레이는 도 8의 b에 도시된 바와 같이, 화소 전극(230)의 주변으로 일정 간격을 두고 둘러싸는 격자의 형태로 정전기 방지배선(240)이 배치된다.
이때, 본 발명의 일실시예에 따르면 투명 지문인식 센서 어레이의 상면에서 바라보았을 때, 상기 화소 전극(230)은 중심부에 개구부(231)가 형성되어, 투명 지문인식 센서 어레이 하부의 디스플레이의 가시성을 확보하도록 구성된다.
한편, 상기 화소 전극(230)은 광 센서로 구성될 수 있으며, 상기 광 센서는 비정질 실리콘 포토다이오드, 유기물 광센서 및 퀀텀닷 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 투명 지문인식 센서 어레이가 디스플레이에 결합되는 단면을 도시한 도면이다.
본 발명의 일실시예에서와 같이 화소 전극을 투명한 재료로 구성하거나, 화소 전극의 중심부에 개구부를 형성하고, 또한 투명 지문인식 센서 어레이의 기판을 투명 기판으로 구성하면, 투명 지문인식 센서 어레이(330)의 빛 투과도를 보다 확보할 수 있으므로, 투명 지문인식 센서 어레이(330)를 디스플레이 장치(310)의 디스플레이(320)와 결합시에 디스플레이의 가시성을 보다 확보할 수 있는 효과가 있다.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
210: 기판
220: 화소 구동 회로
221: 절연층
230, 231: 화소 전극
240: 전정기 방지 배선
241: 보호층

Claims (11)

  1. 기판 상에 형성되는 화소 구동 회로;
    상기 화소 구동 회로의 상부에 배치되는 정전기 방지 배선;
    상기 화소 구동 회로에 접속되는 화소 전극;
    을 포함하고,
    상기 화소 전극은,
    투명한 재료로 구성되거나, 중심부에 사각형의 개구부가 형성되는 투명 지문인식 센서 어레이.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 화소 전극은,
    광 센서로 구성되는 투명 지문인식 센서 어레이.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 화소 전극은,
    상기 화소 구동 회로를 매립하는 절연층 내에 상기 구동 회로와 함께 매립되어 구성되는 투명 지문인식 센서 어레이.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 화소 전극은,
    상기 정전기 방지 배선을 매립하는 보호층 내에 상기 정전기 방지 배선과 함께 구성되는 투명 지문인식 센서 어레이.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 화소 전극은,
    상기 투명 지문인식 센서 어레이 상에서 상기 화소 구동 회로 또는 상기 정전기 방지 배선이 형성되는 층과 동일한 층에 형성되는 투명 지문인식 센서 어레이.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 광 센서는,
    비정질 실리콘 포토다이오드, 유기물 광센서 및 퀀텀닷 중에서 어느 하나로 이루어진 투명 지문인식 센서 어레이.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은,
    투명한 재료로 이루어진 투명 기판인 투명 지문인식 센서 어레이.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은,
    금속 기판에 절연막을 코팅하여 형성한 기판 및 절연 기판 중에서 어느 하나인 투명 지문인식 센서 어레이.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 정전기 방지 배선은,
    금속, 금속 산화물 및 전도성 유기물 중에서 어느 하나의 재료로 형성되는 투명 지문인식 센서 어레이.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 화소 구동 회로는,
    박막 트랜지스터를 포함하여 구성되고,
    상기 박막 트랜지스터의 활성층은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 및 산화물 반도체 중에서 어느 하나로 구성되는 투명 지문인식 센서 어레이.
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