KR101415376B1 - 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일정 구간에 에칭 영역을 형성 후 이러한 에칭 영역에 아조벤젠 폴리머를 코팅하여 광 반응부를 형성함으로써, 기존 아조벤젠 폴리머가 코팅된 광섬유 격자 기반 자외선 센서의 기능은 그대로 보유하면서 자외선에 대한 반응속도 향상 및 자외선 소멸 시 초기값으로의 복원 속도 향상이 구현되는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서에 관한 것이며, 본 발명에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서는, 에칭(etching) 영역을 포함하여 상기 에칭 영역에 광섬유 브래그 격자(FBG:Fiber Bragg Grating)가 형성되는 광섬유와, 상기 광섬유 브래그 격자를 감싸는 상태로 상기 광섬유의 에칭 영역에 코팅되어 자외선 광에 노출 시 상기 광섬유 브래그 격자에 장력을 유도하는 아조벤젠 폴리머를 포함하여 구성되고, 여기서 상기 에칭 영역은 상기 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일정 구간의 클래딩 전체 및 코어 일부가 에칭(etching)되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서에 관한 것으로서, 특히 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일정 구간에 에칭 영역을 형성 후 이러한 에칭 영역에 아조벤젠 폴리머를 코팅하여 광 반응부를 형성함으로써, 기존 아조벤젠 폴리머가 코팅된 광섬유 격자 기반 자외선 센서의 기능은 그대로 보유하면서 자외선에 대한 반응속도 향상 및 자외선 소멸 시 초기값으로의 복원 속도 향상이 구현되는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서에 관한 것이다.
일반적으로 포토 리소그래피, 워터마크 제작, 광택, 코팅 등 다양한 분야에서 UV광(UV LED, UV 램프, 고출력 UV 레이저 등)이 사용되고 있으며, 최근 들어 이러한 UV광의 사용이 급격히 늘어나는 추세이다.
일례로, UV LED 및 고출력 UV 레이저는 여러 산업 분야에서의 이용 비중이 계속 증가하는 동시에 그 중요성도 점점 커지고 있다.
그리고 이와 같은 UV 광의 사용 증가는 해당 분야의 기술 발전에 도움을 주는 반면에, UV광의 유해성에 기인한 피부병변, 색소 침착, 백내장 등의 안과 질환, 인체 면역계통에 대한 악영향 등 여러 인체 피해 및 질병의 원인이 되기도 한다.
따라서, UV광의 세기를 실시간 및 원격 관찰할 수 있는 시스템의 필요성이 크게 대두되고 있으며, 최근에는 UV센서를 통해 폴리머 애자의 코로나 방전 시의 자외선 세기 특성을 실시간으로 모니터링하는 실험도 진행되었다. 또한 Drawing Tower 등 여러 산업 분야에 실시간 모니터링의 센서가 요구되고 있다.
이와 관련하여 한국등록특허 제734407호에 “자외선 감지용 반도체 소자”에 관한 기술이 제안되고 있으며, 그 기술 내용에 대해 간략하게 설명하면, 자외선 감지용 반도체 소자는 기판 위에 버퍼층, 광 흡수층, 쇼트키 접합층, 오믹접합층으로 구성된 구조를 갖는 자외선 감지용 반도체 수광 소자를 제공하고, 상기 버퍼층은 AlxGa1-xN(0≤x≤1) 층으로 구성되고, 상기 광 흡수층은 InxGa1-xN (0<x≤0.5) 층으로 구성되며, 상기 버퍼층이나 광 흡수층 상의 일부 영역에 오믹접합층이 형성되고, 상기 광흡수층 상에 쇼트키 접합층이 형성된다.
그러나, 상기와 같은 자외선 감지용 반도체 소자는 그 제작 시 다양한 공정을 필요로 하고, 따라서 많은 장비가 사용되는 등 그 제작에 과다한 시간과 노력 및 비용이 소요되는 난점을 안고 있다.
상기와 같은 이유로 본 출원인은 한국등록특허 제1145289호를 통해 “아조벤젠 폴리머가 코팅된 광섬유 격자 기반 자외선 센서 및 이를 이용한 자외선 광 감지 장치”를 제안한 바 있다.
또한 본 출원인은 아조벤젠 폴리머가 코팅된 광섬유 격자 기반 자외선 센서의 반응속도와 초기값으로의 복원 성능 개선에 대한 연구를 통해 본 발명을 제안하게 되었다.
본 발명은 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일정 구간에 에칭 영역을 형성 후 이러한 에칭 영역에 아조벤젠 폴리머를 코팅하여 광 반응부를 형성함으로써, 기존 아조벤젠 폴리머가 코팅된 광섬유 격자 기반 자외선 센서의 기능은 그대로 보유하면서 자외선에 대한 반응속도 향상 및 자외선 소멸 시 초기값으로의 복원 속도 향상이 구현되는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서를 제공하는데 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서는, 에칭(etching) 영역을 포함하여 상기 에칭 영역에 광섬유 브래그 격자(FBG:Fiber Bragg Grating)가 형성되는 광섬유와, 상기 광섬유 브래그 격자를 감싸는 상태로 상기 광섬유의 에칭 영역에 코팅되어 자외선 광에 노출 시 상기 광섬유 브래그 격자에 장력을 유도하는 아조벤젠 폴리머를 포함하여 구성된다.
또한, 상기 에칭 영역은 상기 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일정 구간의 클래딩 전체 및 코어 일부가 에칭(etching)되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 아조벤젠 폴리머는 상기 에칭 영역 전체 및 에칭 영역과 연결되는 상기 광섬유의 일부 영역에 걸쳐 코팅되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 에칭 영역의 상기 코어는 그 지름이 101.21㎛~59.90㎛가 되도록 에칭(etching)되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 에칭 영역의 상기 코어는 그 지름이 101.21㎛, 83.93㎛, 69.12㎛, 59.90㎛ 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 아조벤젠 폴리머는 상기 광섬유의 에칭 영역에 열경화법 또는 UV 경화법을 이용하여 코팅되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 아조벤젠 폴리머는 비닐 이서 타입(vinyl ether-type)의 아조벤젠 모노머, TMPTA(trimethylol propane trimethacrylate), HEA(hydroxyethyl acrylate) 및 광개시제로 구성된 중합체인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서는, 상기 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일단에 연결되어 상기 광섬유의 에칭 영역 및 광섬유 브래그 격자 그리고 상기 아조벤젠 폴리머에 의해 형성되는 광 반응부를 향해 광을 조사하는 광원과, 상기 광섬유의 상기 광원 및 광섬유 브래그 격자 사이의 어느 한 지점에 연결되어 상기 광 반응부에서 반사되는 상기 광원의 빛이 입사되는 광 스펙트럼 분석기를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 광섬유의 상기 광원 및 광 반응부 사이에 서큘레이터(circulator)가 설치되고 상기 서큘레이터에 상기 광 스펙트럼 분석기가 연결되어 상기 광 반응부에서 반사되는 상기 광원의 빛이 상기 서큘레이터를 통해 상기 광 스펙트럼 분석기에 입사되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서는, 상기 광섬유의 상기 광원 및 광 반응부 사이의 어느 한 지점에 설치되어 상기 광원의 빛이 반사되면서 다시 광원으로 들어가는 것을 차단하는 아이솔레이터(Isolator)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 광원은 1550㎚ 영역의 광대역의 광원이 사용되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 광섬유는 4m~6m의 길이로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 광 반응부의 중심 파장은 상기 아조벤젠 폴리머가 자외선 광에 노출되는 시간에 비례하여 증가하는 동시에 자외선 광의 세기가 커짐에 따라 선형적으로 증가하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일정 구간에 에칭 영역을 형성 후 이러한 에칭 영역에 아조벤젠 폴리머를 코팅하여 광 반응부를 형성함으로써, 기존 아조벤젠 폴리머가 코팅된 광섬유 격자 기반 자외선 센서의 기능은 그대로 보유하면서 자외선에 대한 반응속도 향상 및 자외선 소멸 시 초기값으로의 복원 속도 향상이 구현된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서를 보인 도면
도 2는 도 1에 따른 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서의 요부를 확대 도시한 도면
도 3의 (a)~(d)는 에칭된 광섬유를 예시한 도면
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서에서 광 반응부를 통한 반사 광의 스펙트럼을 그래프로 보인 도면
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서에서 광섬유의 에칭된 코어 지름에 따른 중심 파장 변화를 그래프로 보인 도면
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서에서 광 반응부에 반응하는 자외선의 세기에 따른 중심 파장 변화를 그래프로 보인 도면
도 2는 도 1에 따른 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서의 요부를 확대 도시한 도면
도 3의 (a)~(d)는 에칭된 광섬유를 예시한 도면
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서에서 광 반응부를 통한 반사 광의 스펙트럼을 그래프로 보인 도면
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서에서 광섬유의 에칭된 코어 지름에 따른 중심 파장 변화를 그래프로 보인 도면
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서에서 광 반응부에 반응하는 자외선의 세기에 따른 중심 파장 변화를 그래프로 보인 도면
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서를 보인 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서(100, 이하 “자외선 센서”라 함)는 광섬유(110), 아조벤젠 폴리머(120), 광원(130), 광 스펙트럼 분석기(140)를 포함하여 구성된다. 또한 자외선 센서(100)는 서큘레이터(150, circulator), 아이솔레이터(160, Isolator)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
먼저 광섬유(110) 및 아노벤젠 폴리머(120)에 대해 도 2를 참조하여 설명한다.
광섬유(110)는 에칭(etching) 영역(111)을 포함하며, 이러한 에칭 영역(111)에 광섬유 브래그 격자(114, FBG:Fiber Bragg Grating)가 형성된다. 광섬유(110)의 에칭 영역(111)은 광섬유(110)의 길이 방향을 기준으로 일정 구간의 클래딩(113) 전체 및 코어(112) 일부가 에칭(etching)되어 형성된다. 그리고 에칭 영역(111)의 코어(112)는 그 지름이 101.21㎛~59.90㎛가 되도록 에칭(etching)되는 것일 수 있으며, 본 실시예에서는 에칭 영역(111)의 코어(112) 지름이 101.21㎛, 83.93㎛, 69.12㎛, 59.90㎛ 중 어느 하나인 것을 예로 하였다.
도 3의 (a) 내지 (d)는 코어(112) 지름이 101.21㎛, 83.93㎛, 69.12㎛, 59.90㎛인 에칭된 광섬유(110)를 순차적으로 보인 모식도이다.
다시 도 2로 돌아가서, 아조벤젠 폴리머(120)는 광섬유 브래그 격자(114)를 감싸는 상태로 광섬유(110)의 에칭 영역(111)에 코팅되며, 이러한 아조벤젠 폴리머(120)는 자외선 광에 노출 시 광섬유 브래그 격자(114)에 장력을 유도한다. 즉, 아노벤젠 폴리머(120)는 자외선에 노출 시 그 부피에 변화가 발생되고, 이러한 아노벤젠 폴리머(120)의 부피 변화에 따라 광섬유 브래그 격자(114)의 격자 간격에 변형이 발생되면서 광섬유의 중심파장이 변한다.
여기서, 아조벤젠 폴리머(120)는 광섬유(110)의 에칭 영역(111) 전체 및 에칭 영역(111)과 연결되는 광섬유(110)의 일부 영역에 걸쳐 코팅되는 것일 수 있다. 그리고 아조벤젠 폴리머(120)는 광섬유(110)의 에칭 영역(111)에 열경화법 또는 UV 경화법을 이용하여 코팅되는 것일 수 있다.
본 실시예에서는 이러한 아조벤젠 폴리머(120)가 비닐 이서 타입(vinyl ether-type)의 아조벤젠 모노머, TMPTA(trimethylol propane trimethacrylate), HEA(hydroxyethyl acrylate) 및 광개시제로 구성된 중합체인 것을 예로 하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고 광섬유(110)의 에칭 영역(111) 및 광섬유 브래그 격자(114) 그리고 아조벤젠 폴리머(120)가 광 반응부(115)를 형성하며, 이러한 광 반응부(115)의 중심 파장은 아조벤젠 폴리머(120)가 자외선 광에 노출되는 시간에 비례하여 증가하는 동시에 자외선 광의 세기가 커짐에 따라 선형적으로 증가한다.
다시 도 1로 돌아가서, 본 실시예에서는 광섬유(110)가 4m~6m의 길이로 형성되는 것을 예로 하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
광원(130)은 광섬유(110)의 길이 방향을 기준으로 일단에 연결되어 에칭 영역(111), 광섬유 브래그 격자(114), 아조벤젠 폴리머(120)를 통해 형성되는 광 반응부(115)를 향해 빛을 조사한다. 본 실시예에서는 이러한 광원(130)으로써, 1550㎚ 영역의 광대역의 광원(130)이 사용된다.
광 스펙트럼 분석기(140)는 광원(130) 및 광 반응부(115) 사이에 위치한 광섬유(110)의 어느 한 지점에 연결되어 광 반응부(115)에서 반사되는 광원(130)의 빛을 입사 받는다.
서큘레이터(150, circulator)는 광원(130) 및 광 반응부(115) 사이에 위치한 광섬유(110)의 어느 한 지점에 설치되며, 이러한 서큘레이터(150)에 광 스펙트럼 분석기(140)가 연결된다. 이에 따라, 광 반응부(115)에서 반사되는 광원(130)의 빛이 서큘레이터(150)를 통해 광 스펙트럼 분석기(140)에 입사된다.
아이솔레이터(160, Isolator)는 광원(130) 및 광 반응부(115)사이에 위치한 광섬유(110)의 어느 한 지점에 설치되어 광원(130)의 빛이 반사되면서 다시 광원(130)으로 들어가는 것을 차단한다.
상기와 같은 구성에 의해서, 자외선 센서(100)는 광섬유(110)의 길이 방향을 기준으로 일정 구간에 에칭 영역(111)이 형성되고, 이러한 에칭 영역(111)에 아조벤젠 폴리머(120)가 코팅되는 형태의 광 반응부(115)를 가짐으로써, 기존 아조벤젠 폴리머가 코팅된 광섬유 격자 기반 자외선 센서의 기능은 그대로 보유하면서 자외선에 대한 반응속도 및 자외선 소멸 시 초기값으로의 복원 속도가 향상된다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 도 4는 자외선 센서(110)의 광 반응부(115)를 통해 반사되는 빛의 스펙트럼을 그래프로 보인 도면이고, 도 5는 광섬유(110)의 에칭된 코어(112) 지름 별 중심 파장 변화 상태를 그래프로 보인 도면이다. 그리고 도 6은 자외선 센서(100)의 광 반응부(115)에 반응하는 자외선의 세기에 따른 중심 파장 변화를 그래프로 보인 도면이다.
도 3을 예로 부연 설명하면, 도 3의 (d)에 예시한 광섬유를 사용하는 자외선 센서가 자외선에 대한 반응속도 및 자외선 소멸 시 초기값으로의 복원 속도가 가장 빠르며, 이와 반대로 (a)에 예시한 광섬유를 사용하는 자외선 센서가 자외선에 대한 반응속도 및 자외선 소멸 시 초기값으로의 복원 속도가 가장 느리다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 자외선 센서는 초기값의 복원이 매우 신속하게 정확하게 이루어질 수 있음에 따라, 광 반응기로의 활용도가 더 커질 수 있는바, 계측기 산업의 경쟁력 강화에 큰 역할을 할 수 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
100 : 자외선 센서 110 : 광섬유
111 : 에칭 영역 112 : 코어
113 : 클래딩 114 : 광섬유 브래그 격자
115 : 광 반응부 120 : 아조벤젠 폴리머
130 : 광원 140 : 광 스펙트럼 분석기
150 : 서큘레이터 160 : 아이솔레이터
111 : 에칭 영역 112 : 코어
113 : 클래딩 114 : 광섬유 브래그 격자
115 : 광 반응부 120 : 아조벤젠 폴리머
130 : 광원 140 : 광 스펙트럼 분석기
150 : 서큘레이터 160 : 아이솔레이터
Claims (13)
- 에칭(etching) 영역을 포함하여 상기 에칭 영역에 광섬유 브래그 격자(FBG:Fiber Bragg Grating)가 형성되는 광섬유;
상기 광섬유 브래그 격자를 감싸는 상태로 상기 광섬유의 에칭 영역에 코팅되어 자외선 광에 노출 시 상기 광섬유 브래그 격자에 장력을 유도하는 아조벤젠 폴리머를 포함하며,
상기 에칭 영역은 상기 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일정 구간의 클래딩 전체 및 코어 일부가 에칭(etching)되어 형성되고,
상기 에칭 영역의 상기 코어는 그 지름이 101.21㎛~59.90㎛가 되도록 에칭(etching)되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 아조벤젠 폴리머는 상기 에칭 영역 전체 및 에칭 영역과 연결되는 상기 광섬유의 일부 영역에 걸쳐 코팅되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 에칭 영역의 상기 코어는 그 지름이 101.21㎛, 83.93㎛, 69.12㎛, 59.90㎛ 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서. - 제 1 항에 있어서,
상기 아조벤젠 폴리머는 상기 광섬유의 에칭 영역에 열경화법 또는 UV 경화법을 이용하여 코팅되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서. - 제 6 항에 있어서,
상기 아조벤젠 폴리머는 비닐 이서 타입(vinyl ether-type)의 아조벤젠 모노머, TMPTA(trimethylol propane trimethacrylate), HEA(hydroxyethyl acrylate) 및 광개시제로 구성된 중합체인 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서. - 에칭(etching) 영역을 포함하여 상기 에칭 영역에 광섬유 브래그 격자(FBG:Fiber Bragg Grating)가 형성되는 광섬유;
상기 광섬유 브래그 격자를 감싸는 상태로 상기 광섬유의 에칭 영역에 코팅되어 자외선 광에 노출 시 상기 광섬유 브래그 격자에 장력을 유도하는 아조벤젠 폴리머;
상기 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일단에 연결되어 상기 광섬유의 에칭 영역 및 광섬유 브래그 격자 그리고 상기 아조벤젠 폴리머에 의해 형성되는 광 반응부를 향해 광을 조사하는 광원;
상기 광섬유의 상기 광원 및 광섬유 브래그 격자 사이의 어느 한 지점에 연결되어 상기 광 반응부에서 반사되는 상기 광원의 빛이 입사되는 광 스펙트럼 분석기를 포함하며,
상기 에칭 영역은 상기 광섬유의 길이 방향을 기준으로 일정 구간의 클래딩 전체 및 코어 일부가 에칭(etching)되어 형성되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서. - 제 8 항에 있어서,
상기 광섬유의 상기 광원 및 광 반응부 사이에 서큘레이터(circulator)가 설치되고 상기 서큘레이터에 상기 광 스펙트럼 분석기가 연결되어 상기 광 반응부에서 반사되는 상기 광원의 빛이 상기 서큘레이터를 통해 상기 광 스펙트럼 분석기에 입사되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서. - 제 8 항에 있어서,
상기 광섬유의 상기 광원 및 광 반응부 사이의 어느 한 지점에 설치되어 상기 광원의 빛이 반사되면서 다시 광원으로 들어가는 것을 차단하는 아이솔레이터(Isolator)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서. - 제 8 항에 있어서,
상기 광원은 1550㎚ 영역의 광대역의 광원이 사용되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서. - 제 8 항에 있어서,
상기 광섬유는 4m~6m의 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서. - 제 8 항에 있어서,
상기 광 반응부의 중심 파장은 상기 아조벤젠 폴리머가 자외선 광에 노출되는 시간에 비례하여 증가하는 동시에 자외선 광의 세기가 커짐에 따라 선형적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서.
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|---|---|---|---|
| KR1020130028709A KR101415376B1 (ko) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | 에칭된 광섬유 브래그 격자 및 아조벤젠 폴리머 기반의 자외선 센서 |
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