KR101411821B1 - Flexible pattern forming method - Google Patents

Flexible pattern forming method Download PDF

Info

Publication number
KR101411821B1
KR101411821B1 KR1020120116012A KR20120116012A KR101411821B1 KR 101411821 B1 KR101411821 B1 KR 101411821B1 KR 1020120116012 A KR1020120116012 A KR 1020120116012A KR 20120116012 A KR20120116012 A KR 20120116012A KR 101411821 B1 KR101411821 B1 KR 101411821B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
circuit pattern
plasma treatment
carbon
nano
Prior art date
Application number
KR1020120116012A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140049782A (en
Inventor
한준현
박상진
문명운
Original Assignee
한국과학기술연구원
충남대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술연구원, 충남대학교산학협력단 filed Critical 한국과학기술연구원
Priority to KR1020120116012A priority Critical patent/KR101411821B1/en
Publication of KR20140049782A publication Critical patent/KR20140049782A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101411821B1 publication Critical patent/KR101411821B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0041—Etching of the substrate by chemical or physical means by plasma etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/09—Treatments involving charged particles
    • H05K2203/092—Particle beam, e.g. using an electron beam or an ion beam
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/09—Treatments involving charged particles
    • H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes

Abstract

본 발명은 기판에 회로 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 플라즈마 처리로 기판의 표면을 개질한 후 무전해 도금으로 회로 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 전도성이 우수한 회로 패턴을 간단하게 형성시킬 수 있다.The present invention relates to a method for forming a circuit pattern on a substrate, and more particularly, to a method for forming a circuit pattern by electroless plating after modifying the surface of a substrate by a plasma treatment. The present invention can easily form a circuit pattern having excellent conductivity.

Description

플랙서블 패턴 형성 방법{FLEXIBLE PATTERN FORMING METHOD}FLEXIBLE PATTERN FORMING METHOD [0002]

본 발명은 기판에 회로 패턴을 형성시키는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a circuit pattern on a substrate.

최근, 스마트폰과 디스플레이 제품의 공급 및 수요가 크게 늘면서 플랙서블 회로기판(FPCB)이 장착된 전자기기의 관심이 급증하고 있다. 플렉서블 회로기판은 주로 폴리이미드 필름을 기재로 하며, 폴리이미드 필름 상에 구리 막을 코팅한 후 원하는 회로패턴으로 에칭하는 과정을 거쳐 회로 패턴을 형성시킨다.In recent years, as the supply and demand of smart phones and display products have greatly increased, interest in electronic devices equipped with flexible printed circuit boards (FPCB) has increased rapidly. The flexible circuit board is mainly made of a polyimide film, and a copper film is coated on the polyimide film, followed by etching with a desired circuit pattern to form a circuit pattern.

그런데, 상기와 같이 회로 패턴을 형성시킬 경우 구리막 코팅공정, 감광재 도포공정, 노광/현상공정 및 에칭공정 등을 거쳐야 하기 때문에 패턴 형성 과정이 복잡하고, 다량의 구리막이 제거됨에 따라 구리의 손실도 크기 때문에 비경제적이다. 또한, 노광/현상공정 및 에칭공정은 화학약품이 사용되기 때문에 친환경적이지 못한 문제점도 있다.However, when a circuit pattern is formed as described above, the pattern formation process is complicated because a copper film coating process, a photoresist coating process, an exposure / development process, and an etching process must be performed. Thus, a large amount of copper film is removed, The size is also uneconomical. Further, the exposure / development process and the etching process are not environmentally friendly because chemical agents are used.

따라서, 상기한 문제점을 해결하기 위해 에칭공정을 사용하지 않는 잉크젯 프린팅법이 제안된바 있다. 잉크젯 프린팅법은 전도성 잉크를 이용하여 기판 상에 원하는 회로 패턴을 직접 인쇄하는 방법이다.Therefore, in order to solve the above problems, an inkjet printing method which does not use an etching process has been proposed. The ink-jet printing method is a method of directly printing a desired circuit pattern on a substrate using a conductive ink.

그러나, 잉크젯 프린팅법은 인쇄 시 잉크가 번지거나 퍼지는 현상이 발생하여 미세한 회로 패턴을 형성시키기 어려운 문제점이 있다. 또한, 인쇄 후 표면 조도가 불균일하여 다층인쇄가 어려우며, 인쇄 시 잉크의 전이량이 적을 경우 인쇄두께가 얇아 전도성이 떨어지는 문제점도 있고 잉크도포 후 잉크 내 전도성 금속의 소결을 위해 추가적으로 열처리를 해주어야만 한다.However, in the ink-jet printing method, there is a problem in that ink tends to spread or spread during printing, so that it is difficult to form a fine circuit pattern. In addition, the surface roughness after printing is not uniform, and multilayer printing is difficult. When the amount of ink transferred at the time of printing is small, the printing thickness is thin and the conductivity is low.

대한민국 공개특허공보 제2006-0017686호Korean Patent Publication No. 2006-0017686

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해, 전도성이 우수한 미세 회로 패턴을 경제적으로 형성시킬 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a pattern forming method capable of economically forming a fine circuit pattern having excellent conductivity in order to solve the above problems.

또한, 본 발명은 상기 패턴 형성 방법으로 회로 패턴이 형성된 기판을 제공하는 것도 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a substrate on which a circuit pattern is formed by the pattern forming method.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, a) 폴리머 기판을 1차 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리하여 나노크기의 요철을 형성하는 단계; b) 상기 나노크기의 요철이 형성된 기판을 무전해 도금하기 위해 전처리하는 단계; c) 상기 전처리된 기판에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려 놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 소수성 탄소로 코팅하여 소수성 코팅층을 형성하는 단계; 및 d) 상기 소수성 코팅층이 형성된 기판을 무전해 도금하여 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a) forming a nano-sized irregularity by performing a first plasma treatment or an ion beam treatment on a polymer substrate; b) pretreating the substrate having the nano-sized unevenness formed thereon for electroless plating; c) placing a mask in the form of a circuit pattern on the pretreated substrate and coating the remaining non-circuit pattern forming portions with hydrophobic carbon to form a hydrophobic coating layer; And d) electroless plating the substrate on which the hydrophobic coating layer is formed to form a circuit pattern.

또한, 본 발명은 a′) 폴리머 기판에 비회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 회로 패턴 형성 부분을 1차 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리하여 나노크기의 요철을 형성하는 단계; b′) 상기 나노크기의 요철이 형성된 기판을 무전해 도금하기 위해 전처리하는 단계; c′) 상기 전처리된 기판에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려 놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 소수성 탄소로 코팅하여 소수성 코팅층을 형성하는 단계; 및 d′) 상기 소수성 코팅층이 형성된 기판을 무전해 도금하여 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법과,Further, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: a) placing a mask in the form of a non-circuit pattern on a polymer substrate, and performing a first plasma treatment or ion beam treatment on the remaining circuit pattern forming portion to form nano- b ') pre-treating the substrate having the nano-sized unevenness formed thereon for electroless plating; c ') placing a mask in the form of a circuit pattern on the pretreated substrate and coating the remaining non-circuit pattern forming portions with hydrophobic carbon to form a hydrophobic coating layer; And d ') a step of forming a circuit pattern by electroless plating the substrate on which the hydrophobic coating layer is formed,

a″) 폴리머 기판에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 1차 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리하여 나노크기의 요철을 형성하는 단계; b″) 상기 나노크기의 요철이 형성된 기판을 무전해 도금하기 위해 전처리하는 단계; c″) 상기 전처리된 기판에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려 놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 소수성 탄소로 코팅하여 소수성 코팅층을 형성하는 단계; 및 d″) 상기 소수성 코팅층이 형성된 기판을 무전해 도금하여 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법도 제공한다.a) ") placing a mask in the form of a circuit pattern on a polymer substrate and subjecting the remaining non-circuit pattern forming portions to a first-order plasma treatment or an ion beam treatment to form nano- b ") pre-treating the substrate having the nano-sized unevenness formed thereon for electroless plating; c ") placing a mask in the form of a circuit pattern on the pretreated substrate and coating the remaining non-circuit pattern forming portions with hydrophobic carbon to form a hydrophobic coating layer; And d ") a step of electroless plating the substrate on which the hydrophobic coating layer is formed to form a circuit pattern.

여기서, 상기 비회로 패턴 형성 부분이란 회로 패턴이 형성되지 않는 부분으로 정의될 수 있다.Here, the non-circuit pattern forming portion may be defined as a portion where no circuit pattern is formed.

또, 상기 기판이 친수성을 가질 때 수접촉각 범위는 10°이상 내지 90°미만으로 정의될 수 있으며, 상기 기판이 초친수성을 가질 때 수접촉각 범위는 0°이상 내지 10°미만으로 정의될 수 있다. 또한, 상기 기판이 소수성을 가질 때 수접촉각의 범위는 90°내지 180°로 정의될 수 있다.When the substrate has hydrophilicity, the range of the water contact angle may be defined as 10 ° or more to less than 90 °, and when the substrate has super hydrophilicity, the range of the water contact angle may be defined as 0 ° or more to less than 10 ° . Further, when the substrate has hydrophobicity, the range of the water contact angle may be defined as 90 ° to 180 °.

또, 상기 소수성 탄소는 소수성을 띠는 탄소 혹은 탄소 화합물로 정의될 수 있다.In addition, the hydrophobic carbon may be defined as a carbon or carbon compound having hydrophobicity.

한편, 본 발명은 상기 패턴 형성 방법으로 회로 패턴이 형성된 기판을 제공한다.Meanwhile, the present invention provides a substrate on which a circuit pattern is formed by the pattern forming method.

본 발명은 폴리머 기판을 플라즈마 처리하여 표면 개질한 후 무전해 도금하는 간단한 방법으로 회로 패턴을 형성하기 때문에 경제적으로 회로 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 에칭공정이 없어 환경오염을 줄일 수 있으며, 열처리 공정이 요구되는 잉크젯 프린팅법을 사용하지 않고 더욱 미세한 회로 패턴을 형성할 수 있다.The present invention can form a circuit pattern economically because a circuit pattern is formed by a simple method of plasma-treating the surface of a polymer substrate after surface modification and electroless plating. In addition, since there is no etching process, environmental pollution can be reduced, and a fine circuit pattern can be formed without using an inkjet printing method requiring a heat treatment process.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 회로 패턴 형성 방법의 일례들을 단계적으로 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 회로 패턴 형성 방법 중 나노구조의 요철이 형성된 기판을 확인한 것이다.
도 5는 본 발명의 회로 패턴 형성 방법에 따른 기판의 수접촉각을 확인한 것이다.
도 6은 본 발명의 회로 패턴 형성 방법에 의해 회로 패턴이 형성된 기판을 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 회로 패턴 형성 방법에 따른 기판의 수접촉각을 확인한 것이다.
도 8은 본 발명의 회로 패턴 형성 방법에 의해 회로 패턴이 형성된 기판을 나타낸 것이다.Figs. 1 to 3 show step-by-step examples of the circuit pattern forming method of the present invention.
4 is a view showing a substrate on which irregularities of nanostructures are formed in the circuit pattern forming method of the present invention.
5 is a view showing the water contact angle of the substrate according to the circuit pattern forming method of the present invention.
6 shows a substrate on which a circuit pattern is formed by the circuit pattern forming method of the present invention.
7 is a view showing the water contact angle of the substrate according to the circuit pattern forming method of the present invention.
8 shows a substrate on which a circuit pattern is formed by the circuit pattern forming method of the present invention.

이하, 본 발명을 설명한다.
Hereinafter, the present invention will be described.

본 발명은 폴리머 기판의 일면을 전체적으로 플라즈마 처리하여 나노크기의 요철을 형성하거나, 기판의 일면을 부분적으로 플라즈마 처리하여 나노크기의 요철을 형성하는 과정을 통해 회로 패턴을 형성할 수 있는데, 이에 대해 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
The present invention can form a circuit pattern through a process of forming a nano-scale unevenness by plasma-processing one surface of a polymer substrate as a whole, or by forming a nano-sized unevenness by partially plasma-treating one surface of the substrate. Will be described in detail with reference to FIG.

1. 제 1 패턴 형성 방법1. First Pattern Forming Method

a) a) 나노크기의Nano-sized 요철 형성 Uneven formation

먼저, 폴리머 재질 기판(10)의 일면을 1차 플라즈마(plasma) 처리 또는 이온빔(ion beam) 처리하여 나노크기의 요철을 형성한다(도 1의 (a) 참조). 이와 같이 기판(10)에 나노크기의 요철을 형성하면, 평면일 경우보다 표면에너지가 증가하여 추후 기판(10) 상에 도포되는 물질(예를 들어, 전처리 공정에서의 예민화 처리 및 활성화 처리에 의해 결합되는 주석이온 및 팔라듐이온)의 결합력을 높일 수 있다.First, one surface of the polymer material substrate 10 is subjected to a first plasma treatment or an ion beam treatment to form nano-sized irregularities (see FIG. 1 (a)). When the nano-scale irregularities are formed on the substrate 10 as described above, the surface energy is increased compared to when the substrate is flat, so that the material to be coated on the substrate 10 (for example, The tin ion and the palladium ion to be bonded together) can be increased.

상기 나노크기의 요철을 형성하기 위해 사용되는 1차 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리방법은 당업계에 공지된 것이라면 특별히 한정되지 않는데, 그 중에서도 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 사불화탄소(CF4) 육불화황(SF6), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용한 1차 플라즈마 처리로 나노크기의 요철을 형성하는 것이 바람직하다.First plasma treatment or an ion beam processing method that is used to form the unevenness of the nano-size does not particularly restricted so long known in the art, particularly oxygen (O 2), hydrogen (H 2), water (H 2 O ), nitrogen (N 2), argon (Ar), carbon tetrafluoride (CF 4), sulfur hexafluoride (SF 6), carbon monoxide (CO) and ammonia (NH 3) 1 car using at least one precursor selected from the group consisting of It is preferable to form nano-sized irregularities by plasma treatment.

특히, 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용하는 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 전구체를 이용한 1차 플라즈마 처리로 기판(10)에 나노크기의 요철을 형성하면 기판(10) 표면에 나노크기의 요철이 형성됨과 동시에 친수성 표면을 얻을 수 있어 효율적이기 때문이다. 즉, 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용한 1차 플라즈마 처리로 기판(10)에 나노크기의 요철을 형성하면 기판(10)은 90°미만의 수접촉각(water contact angle)을 가져 친수성을 띠게 되는데, 이와 같이 기판(10)이 친수성을 띨 경우 무전해 도금을 위한 전처리 공정에서의 젖음성을 향상시킬 수 있기 때문이다. 여기서, 1차 플라즈마 처리는 기판(10)의 표면조도 및 친수성을 더 높이기 위해 산소를 전구체로 사용하는 것이 가장 바람직하다. In particular, the oxygen (O 2), hydrogen (H 2), water (H 2 O), nitrogen (N 2), argon (Ar), carbon monoxide (CO) and ammonia (NH 3) at least one member selected from the group consisting of It is more preferable to use a precursor. When the nano-size irregularities are formed on the substrate 10 by the first plasma process using such a precursor, nano-sized irregularities are formed on the surface of the substrate 10, and a hydrophilic surface can be obtained at the same time. That is, the oxygen (O 2), hydrogen (H 2), water (H 2 O), nitrogen (N 2), argon (Ar), carbon monoxide (CO) and ammonia (NH 3) at least one member selected from the group consisting of When the nano-size irregularities are formed on the substrate 10 by the first plasma process using the precursor, the substrate 10 has a water contact angle of less than 90 ° and is hydrophilic. If hydrophilicity is achieved, wettability in the pretreatment process for electroless plating can be improved. Here, it is most preferable to use oxygen as a precursor in order to further increase the surface roughness and hydrophilicity of the substrate 10 in the first plasma treatment.

상기 기판(10)을 1차 플라즈마 처리하는 시간, 압력 및 전압 조건은 특별히 한정되지 않으나, 나노크기의 요철 구조가 뚜렷이 형성될 수 있도록 시간은 1 내지 60분으로, 압력은 1 내지 100mTorr로, 전압은 -100 내지 -1000V로 하는 것이 바람직하다. 이외에, 기판(10)에 형성되는 요철 구조의 폭은 1 내지 100㎚이고, 높이는 1 내지 200㎚인 것이 바람직하다(하나의 요철을 기준으로 함).The time, pressure, and voltage conditions for the first plasma treatment of the substrate 10 are not particularly limited, but the time may be 1 to 60 minutes, the pressure may be 1 to 100 mTorr so that a nano- Is preferably -100 to -1000V. In addition, it is preferable that the width of the concavo-convex structure formed on the substrate 10 is 1 to 100 nm and the height is 1 to 200 nm (based on one unevenness).

한편, 1차 플라즈마 처리에 의해 나노크기의 요철이 형성됨과 동시에 친수성을 띠는 기판(10)의 수접촉각을 더 낮춰 기판(10)이 초친수성을 띠도록 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 2차 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. 기판(10)이 친수성을 넘어 초친수성을 띨 경우 무전해 도금을 위한 전처리 과정뿐만 아니라 무전해 도금 과정에서의 젖음성도 향상시킬 수 있기 때문이다. 여기서, 기판(10)을 2차 플라즈마 처리하는 시간은 1 내지 20초인 것이 바람직하며, 압력 및 전압 조건은 상기 1차 플라즈마 처리와 동일하다.On the other hand, the primary unevenness of the nano-size formed at the same time exhibiting hydrophilic by the plasma treatment is to lower further the water contact angle of the substrate 10, oxygen to exhibit a super-hydrophilic substrate 10 (O 2), hydrogen (H 2 ), it further comprises water (H 2 O), a nitrogen (N 2), argon (Ar), carbon monoxide (CO) and ammonia (NH 3) 1 or more selected from the group consisting of a secondary plasma processing desirable. If the substrate 10 has a superhydrophilic property beyond the hydrophilicity, it can improve not only the pretreatment process for electroless plating but also the wettability in electroless plating process. Here, the time for performing the secondary plasma treatment on the substrate 10 is preferably 1 to 20 seconds, and the pressure and voltage conditions are the same as the above-mentioned first plasma treatment.

상기 기판(10)으로 사용되는 폴리머는 특별히 한정되지 않으나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS), 폴리이미드(PI), 폴리디메틸실록산(PDMS) 및 폴리프로필렌 설파이드(PPS)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
The polymer used as the substrate 10 is not particularly limited and may be selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene (PS), polycarbonate (PC), acrylonitrile butadiene styrene ABS), polyimide (PI), polydimethylsiloxane (PDMS), and polypropylene sulfide (PPS).

b) 전처리 공정b) Pretreatment process

1차 플라즈마 처리에 의해 나노크기의 요철이 형성된 기판(10)을 무전해 도금하기 위해 전처리한다. 즉, 도금 용액에 포함된 금속 이온이 기판(10)에 잘 결합될 수 있도록 기판(10)을 전처리하는 것이다. 이러한 전처리는 기판(10)을 예민화 처리 및 활성화 처리하는 과정을 통해 이루어진다. 여기서, 예민화 처리 및 활성화 처리 방법은 특별히 한정되지 않으나, 염화주석(SnCl2) 용액에 기판(10)을 투입하여 요철 구조가 형성된 기판(10)에 주석이온(Sn2 +)을 결합시켜 예민화 처리한 후 이를 염화팔라듐(PdCl2) 용액에 투입하여 주석이온(Sn2 +)에 팔라듐이온(Pd2+)을 결합시켜 활성화 처리하는 방법을 들 수 있다(도 1 의 (b) 참조).The substrate 10 on which the nano-scale irregularities are formed by the first plasma treatment is pretreated for electroless plating. That is, the substrate 10 is pre-treated so that the metal ions contained in the plating solution can be well bonded to the substrate 10. This preprocessing is performed through a process of sensitizing and activating the substrate 10. Herein, the sensitizing treatment and the activating treatment method are not particularly limited, but the substrate 10 may be put into a tin chloride (SnCl 2 ) solution to bond the tin ions (Sn 2 + ) to the substrate 10 having the concavo- (Pd 2+ ) is added to the tin ion (Sn 2 + ) by adding palladium chloride (PdCl 2 ) solution to the solution (see FIG. 1 (b) .

이와 같이 전처리 공정은 염화주석(SnCl2) 또는 염화팔라듐(PdCl2)이 용해된 수용액에서 이루어지는데, 본 발명은 기판(10)에 나노크기의 요철을 형성하고 친수성을 부여한 후 전처리하기 때문에 수용액에서 이루어지는 전처리 공정의 젖음성(주석이온(Sn2 +) 및/또는 팔라듐이온(Pd2+)의 결합력을 높임)을 향상시킬 수 있다. 한편, 전처리 공정은 하기에서 설명할 소수성 코팅층(20)이 형성된 이후 수행될 수도 있다.
Since the pretreatment process is performed in an aqueous solution in which tin chloride (SnCl 2 ) or palladium chloride (PdCl 2 ) is dissolved, the present invention forms a nano-scale unevenness on the substrate (10) It is possible to improve the wettability (tin ion (Sn 2 + ) and / or palladium ion (Pd 2+ ) bonding force of the pretreatment process). On the other hand, the pretreatment step may be performed after the hydrophobic coating layer 20 to be described below is formed.

c) 소수성 코팅층 형성c) Formation of hydrophobic coating layer

상기 전처리된 기판(10)에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 소수성 탄소로 코팅하여 소수성 코팅층(20)을 형성한다(도 1의 (c) 참조). 즉. 회로 패턴이 형성되지 않을 부분이 소수성을 띠도록 소수성 탄소로 코팅하는 것이다. 이와 같이 회로 패턴이 형성되지 않는 부분을 선택하여 소수성 코팅층(20)을 형성하면 회로 패턴이 형성될 부분만 남아 추후 무전해 도금으로 회로 패턴을 형성할 수 있다.A mask in the form of a circuit pattern is placed on the pretreated substrate 10 and the remaining non-circuit pattern forming portions are coated with hydrophobic carbon to form a hydrophobic coating layer 20 (see FIG. 1 (c)). In other words. And the portion where the circuit pattern is not formed is coated with hydrophobic carbon so as to be hydrophobic. If the hydrophobic coating layer 20 is formed by selecting a portion where the circuit pattern is not formed, only the portion where the circuit pattern is to be formed is left, and then the circuit pattern can be formed by electroless plating.

여기서, 소수성 탄소를 코팅하여 소수성 코팅층(20)을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리를 이용할 수 있다. 상기 플라즈마 처리로 소수성 탄소를 코팅하기 위해 사용되는 전구체는 특별히 한정되지 않으나, 사불화탄소(CF4), 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 헥사플로오로에탄(C2F6) 및 에틸렌(C2H4)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다. 이때, 소수성 코팅층(20)이 소수성 탄소 중에서도 불소화된 다이아몬드 라이크 카본(Fluorinated Diamond Like Carbon)으로 이루어질 수 있도록 아세틸렌과 사불화탄소의 혼합가스(C2H2+CF4), 아세틸렌과 헥사플로오로에탄의 혼합가스(C2H2+C2F6) 및 메탄과 사불화탄소의 혼합가스(CH4+CF4)로 이루어진 군에서 선택된 전구체를 이용한 플라즈마 처리로 소수성 코팅층(20)을 형성하는 것이 바람직하다.Here, the method of forming the hydrophobic coating layer 20 by coating the hydrophobic carbon is not particularly limited, but plasma treatment or ion beam treatment can be used. The precursor used to coat the hydrophobic carbon by the plasma treatment is not particularly limited, but it is preferable to use a precursor such as carbon tetrafluoride (CF 4 ), methane (CH 4 ), acetylene (C 2 H 2 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ) And ethylene (C 2 H 4 ). In this case, the hydrophobic coating layer 20 may be made of fluorinated diamond like carbon among the hydrophobic carbon such that a mixed gas of acetylene and carbon tetrachloride (C 2 H 2 + CF 4 ), acetylene and hexafluoroethane It is preferable to form the hydrophobic coating layer 20 by a plasma treatment using a precursor selected from the group consisting of a mixed gas (C 2 H 2 + C 2 F 6 ) and a mixed gas of methane and carbon tetrafluoride (CH 4 + CF 4 ) .

즉, 사불화탄소(CF4), 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 헥사플로오로에탄(C2F6) 및 에틸렌(C2H4)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용하여 회로 패턴 형태의 마스크가 올려진 기판(10)을 플라즈마 처리할 경우 소수성 탄소가 기판(10)에 증착되어 소수성 코팅층(20)을 형성하게 되는데, 소수성 탄소 중에서도 불소화된 다이아몬드 라이크 카본이 증착될 수 있도록 아세틸렌과 사불화탄소의 혼합가스(C2H2+CF4), 아세틸렌과 헥사플로오로에탄의 혼합가스(C2H2+C2F6) 및 메탄과 사불화탄소의 혼합가스(CH4+CF4)로 이루어진 군에서 선택된 전구체를 이용하는 것이다. 이와 같이 소수성 코팅층(20)이 불소화된 다이아몬드 라이크 카본으로 이루어질 경우 더 높은 소수성을 띠게 되어 무전해 도금 시 비회로 패턴 형성 부분에 금속 이온이 결합되는 것을 최소화할 수 있다. 즉, 비회로 패턴 형성 부분에 소수성 코팅층(20)이 형성되면 비회로 패턴 형성 부분은 비활성화되기(구체적으로, 금속 이온이 결합되는 팔라듐 이온(Pd2 +)이 노출되어 있지 않음) 때문에 금속 이온의 결합을 막을 수 있는 것으로, 이로 인해 깨끗하고 정확한 회로 패턴을 형성할 수 있다.
That is, carbon tetrafluoride (CF 4), methane (CH 4), acetylene (C 2 H 2), hexahydro flow Oro ethane (C 2 F 6) and ethylene (C 2 H 4) as a precursor selected at least one from the group consisting of The hydrophobic carbon is deposited on the substrate 10 to form the hydrophobic coating layer 20. Among the hydrophobic carbon, the fluorinated diamond like carbon is deposited on the substrate 10 by vapor deposition A mixed gas of acetylene and carbon tetrachloride (C 2 H 2 + CF 4 ), a mixed gas of acetylene and hexafluoroethane (C 2 H 2 + C 2 F 6 ), and a mixed gas of methane and carbon tetrachloride (CH 4 + CF 4 ) is used as the precursor. When the hydrophobic coating layer 20 is made of fluorinated diamond-like carbon, the hydrophobic coating layer 20 has a higher hydrophobicity, so that binding of metal ions to the non-circuit pattern forming portion during electroless plating can be minimized. That is, when the hydrophobic coating layer 20 is formed on the non-circuit pattern forming portion, the non-circuit pattern forming portion is inactivated (specifically, the palladium ion Pd 2 + to which the metal ion is bound is not exposed) Thereby preventing the bonding, thereby forming a clean and accurate circuit pattern.

d) d) 무전해Electroless 도금 Plated

소수성 코팅층(20)이 형성된 기판(10)을 무전해 도금하여 회로 패턴(30)을 형성한다(도 1의 (d) 참조). 상기 소수성 코팅층(20)이 형성된 기판(10)은 회로 패턴 형성 부분만이 노출되어 있으며, 이때, 노출된 부분은 예민화 및 활성화 처리되어 있어 무전해 도금할 경우 도금 용액에 포함되어 있는 금속 이온이 노출된 부분에 결합하여 회로 패턴(30)을 형성하게 된다.The substrate 10 on which the hydrophobic coating layer 20 is formed is subjected to electroless plating to form a circuit pattern 30 (see Fig. 1 (d)). In the substrate 10 on which the hydrophobic coating layer 20 is formed, only the circuit pattern forming portion is exposed. At this time, the exposed portion is sensitized and activated, and when the electroless plating is performed, Thereby forming a circuit pattern 30 by bonding to the exposed portions.

여기서, 무전해 도금을 위해 사용되는 금속은 전도성을 띠는 것이라면 특별히 한정되지 않으나 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 코발트(Co)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
Here, the metal used for the electroless plating is not particularly limited as long as it is conductive, but it is preferable to use a metal such as copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), silver (Ag), tin (Sn) and cobalt At least one selected from the group consisting of

2. 제 2 패턴 형성 방법2. Second Pattern Forming Method

a′) a ') 나노크기의Nano-sized 요철을 회로 패턴 부분에 형성 Unevenness formed in circuit pattern part

폴리머 기판(10′)에 비회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 회로 패턴 형성 부분을 1차 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리하여 나노크기의 요철을 형성한다(도 2의 (a′) 참조). 상기 나노크기의 요철을 형성하기 위해 사용되는 1차 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리방법은 당업계에 공지된 것이라면 특별히 한정되지 않는데, 그 중에서도 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 사불화탄소(CF4) 육불화황(SF6), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용한 1차 플라즈마 처리를 사용하여 나노크기의 요철을 형성하는 것이 바람직하다.A mask in the form of a non-circuit pattern is placed on the polymer substrate 10 ', and the remaining circuit pattern forming portion is subjected to a first plasma treatment or an ion beam treatment to form nano-sized irregularities (see FIG. First plasma treatment or an ion beam processing method that is used to form the unevenness of the nano-size does not particularly restricted so long known in the art, particularly oxygen (O 2), hydrogen (H 2), water (H 2 O ), nitrogen (N 2), argon (Ar), carbon tetrafluoride (CF 4), sulfur hexafluoride (SF 6), carbon monoxide (CO) and ammonia (NH 3) 1 car using at least one precursor selected from the group consisting of It is preferable to form nano-sized irregularities using a plasma treatment.

특히, 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용하는 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 전구체를 이용한 1차 플라즈마 처리로 기판(10′)의 회로 패턴 형성 부분에 나노크기의 요철을 형성하면 기판(10′) 표면에 나노크기의 요철이 형성됨과 동시에 친수성 표면을 얻을 수 있어 효율적이기 때문이다. 즉, 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용한 1차 플라즈마 처리로 기판(10′)의 회로 패턴 형성 부분에 나노크기의 요철을 형성하면 기판(10′)의 회로 패턴 형성 부분은 90°미만의 수접촉각(water contact angle)을 가져 친수성을 띠게 되는데, 이와 같이 기판(10′)의 회로 패턴 형성 부분이 친수성을 띨 경우 무전해 도금을 위한 전처리 공정에서의 젖음성을 향상시킬 수 있기 때문이다. 여기서, 1차 플라즈마 처리는 기판(10′)의 회로 패턴 형성 부분의 표면조도 및 친수성을 더 높이기 위해 산소를 전구체로 사용하는 것이 가장 바람직하다.In particular, the oxygen (O 2), hydrogen (H 2), water (H 2 O), nitrogen (N 2), argon (Ar), carbon monoxide (CO) and ammonia (NH 3) at least one member selected from the group consisting of It is more preferable to use a precursor. When nano-sized irregularities are formed in the circuit pattern forming portion of the substrate 10 'by the first plasma process using such a precursor, nano-sized irregularities are formed on the surface of the substrate 10', and a hydrophilic surface can be obtained at the same time, . That is, the oxygen (O 2), hydrogen (H 2), water (H 2 O), nitrogen (N 2), argon (Ar), carbon monoxide (CO) and ammonia (NH 3) at least one member selected from the group consisting of When the nano-scale irregularities are formed in the circuit pattern forming portion of the substrate 10 'by the first plasma process using the precursor, the circuit pattern forming portion of the substrate 10' has a water contact angle of less than 90 ° This is because the wettability in the pretreatment process for electroless plating can be improved if the circuit pattern forming portion of the substrate 10 'has hydrophilicity as described above. Here, it is most preferable to use oxygen as a precursor in order to further increase the surface roughness and hydrophilicity of the circuit pattern forming portion of the substrate 10 '.

상기 기판(10′)의 회로 패턴 형성 부분을 1차 플라즈마 처리하는 시간, 압력 및 전압 조건은 특별히 한정되지 않으나, 나노크기의 요철 구조가 뚜렷이 형성될 수 있도록 시간은 1 내지 60분으로, 압력은 1 내지 100mTorr로, 전압은 -100 내지 -1000V로 하는 것이 바람직하다. 이외에, 기판(10′)의 회로 패턴 형성 부분에 형성되는 요철 구조의 폭은 1 내지 100㎚이고, 높이는 1 내지 200㎚인 것이 바람직하다(하나의 요철을 기준으로 함).The time, pressure, and voltage conditions for performing the first-order plasma treatment on the circuit pattern forming portion of the substrate 10 'are not particularly limited, but the time is 1 to 60 minutes so that the nano- 1 to 100 mTorr, and the voltage is preferably -100 to -1000 V. In addition, it is preferable that the width of the concavo-convex structure formed in the circuit pattern forming portion of the substrate 10 'is 1 to 100 nm and the height is 1 to 200 nm (based on one unevenness).

한편, 1차 플라즈마 처리에 의해 나노크기의 요철이 형성됨과 동시에 친수성을 띠는 기판(10′)의 회로 패턴 형성 부분의 수접촉각을 더 낮춰 회로 패턴 형성 부분이 초친수성을 띠도록 2차 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 기판(10′)에 비회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 회로 패턴 형성 부분을 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 2차 플라즈마 처리하는 것이다. 이와 같이 기판(10′)의 회로 패턴 형성 부분이 친수성을 넘어 초친수성을 띨 경우 무전해 도금을 위한 전처리 과정뿐만 아니라 무전해 도금 과정에서의 젖음성도 향상시킬 수 있다. 여기서, 기판(10′)의 회로 패턴 형성 부분을 2차 플라즈마 처리하는 시간은 1 내지 20초인 것이 바람직하며, 압력 및 전압 조건은 상기 1차 플라즈마 처리와 동일하다.On the other hand, the nano-size irregularities are formed by the first plasma treatment, and the water contact angle of the circuit pattern forming portion of the hydrophilic substrate 10 'is further lowered, so that the circuit pattern forming portion is subjected to the secondary plasma treatment The method comprising the steps of: In other words, place the mask in a non-circuit pattern form on a substrate (10 '), of oxygen to the pattern forming portion of the remaining circuits (O 2), hydrogen (H 2), water (H 2 O), nitrogen (N 2), argon (Ar), carbon monoxide (CO), and ammonia (NH 3 ). In the case where the circuit pattern forming portion of the substrate 10 'has hydrophilicity beyond the hydrophilicity, not only the pretreatment process for electroless plating but also the wettability in the electroless plating process can be improved. Here, the time for performing the secondary plasma treatment of the circuit pattern forming portion of the substrate 10 'is preferably 1 to 20 seconds, and the pressure and voltage conditions are the same as the above-mentioned first-order plasma treatment.

상기 기판(10′)으로 사용되는 폴리머는 특별히 한정되지 않으나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS), 폴리이미드(PI), 폴리디메틸실록산(PDMS) 및 폴리프로필렌 설파이드(PPS)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
The polymer used as the substrate 10 'is not particularly limited and may be selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene (PS), polycarbonate (PC), acrylonitrile butadiene styrene (ABS), polyimide (PI), polydimethylsiloxane (PDMS), and polypropylene sulfide (PPS).

b′) 전처리 공정b ') Pretreatment process

1차 플라즈마 처리에 의해 회로 패턴 형성 부분에 나노크기의 요철이 형성된 기판(10′)을 무전해 도금하기 위해 전처리한다. 즉, 도금 용액에 포함된 금속 이온이 기판(10′)에 잘 결합될 수 있도록 기판(10′)을 전처리하는 것이다. 이러한 전처리는 기판(10′)을 예민화 처리 및 활성화 처리하는 과정을 통해 이루어진다. 여기서, 예민화 처리 및 활성화 처리 방법은 특별히 한정되지 않으나, 염화주석(SnCl2) 용액에 기판(10′)을 투입하여 부분적으로 요철 구조가 형성된 기판(10′)에 주석이온(Sn2 +)을 결합시켜 예민화 처리한 후 이를 염화팔라듐(PdCl2) 용액에 투입하여 주석이온(Sn2 +)에 팔라듐이온(Pd2+)을 결합시켜 활성화 처리하는 방법을 들 수 있다(도 2의 (b′) 참조).The substrate 10 'on which the nano-scale unevenness is formed in the circuit pattern forming portion by the first plasma treatment is pretreated for electroless plating. That is, the substrate 10 'is pretreated such that metal ions contained in the plating solution can be well bonded to the substrate 10'. This preprocessing is performed through a process of sensitizing and activating the substrate 10 '. Herein, the sensitizing treatment and the activating treatment method are not particularly limited. However, when the substrate 10 'is put into a tin chloride (SnCl 2 ) solution and tin ions (Sn 2 + ) are added to the substrate 10' after the sensitization process by bonding them by combining palladium chloride (PdCl 2) the palladium ion (Pd 2+) to the tin ion (Sn + 2) were charged into a solution and a method for the activation treatment (Fig. 2 ( b ')).

이와 같이 전처리 공정은 염화주석(SnCl2) 또는 염화팔라듐(PdCl2)이 용해된 수용액에서 이루어지는데, 본 발명은 기판(10′)의 회로 패턴 형성 부분에 나노크기의 요철을 형성하고 친수성을 부여한 후 전처리하기 때문에 수용액에서 이루어지는 전처리 공정의 젖음성(주석이온(Sn2 +) 및/또는 팔라듐이온(Pd2+)의 결합력을 높임)을 향상시킬 수 있다. 한편, 전처리 공정은 하기에서 설명할 소수성 코팅층(20′)이 형성된 이후 수행될 수도 있다.
In this way, the pretreatment process is performed in an aqueous solution in which tin chloride (SnCl 2 ) or palladium chloride (PdCl 2 ) is dissolved. In the present invention, nano-sized irregularities are formed in the circuit pattern forming portion of the substrate 10 ' (Tin ion (Sn 2 + ) and / or palladium ion (Pd 2+ ) bonding force) in the pretreatment process in an aqueous solution can be improved. On the other hand, the pretreatment step may be performed after the hydrophobic coating layer 20 'to be described below is formed.

c′) 소수성 코팅층 형성c ') Formation of hydrophobic coating layer

상기 전처리된 기판(10′)에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 소수성 탄소로 코팅하여 소수성 코팅층(20′)을 형성한다(도 2의 (c′) 참조). 즉. 회로 패턴이 형성되지 않을 부분이 소수성을 띠도록 소수성 탄소로 코팅하는 것이다. 이와 같이 회로 패턴이 형성되지 않는 부분을 선택하여 소수성 코팅층(20′)을 형성하면 회로 패턴이 형성될 부분만 남아 추후 무전해 도금으로 회로 패턴을 형성할 수 있다.A mask in the form of a circuit pattern is placed on the pretreated substrate 10 'and the remaining non-circuit pattern forming portion is coated with hydrophobic carbon to form a hydrophobic coating layer 20' (see FIG. 2 (c ')). In other words. And the portion where the circuit pattern is not formed is coated with hydrophobic carbon so as to be hydrophobic. If the hydrophobic coating layer 20 'is formed by selecting a portion where no circuit pattern is formed, only the portion where the circuit pattern is to be formed is left, and then the circuit pattern can be formed by electroless plating.

여기서, 소수성 탄소를 코팅하여 소수성 코팅층(20′)을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리를 이용할 수 있다. 상기 플라즈마 처리로 소수성 탄소를 코팅하기 위해 사용되는 전구체는 특별히 한정되지 않으나, 사불화탄소(CF4), 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 헥사플로오로에탄(C2F6) 및 에틸렌(C2H4)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다. 이때, 소수성 코팅층(20′)이 소수성 탄소 중에서도 불소화된 다이아몬드 라이크 카본(Fluorinated Diamond Like Carbon)으로 이루어질 수 있도록 아세틸렌과 사불화탄소의 혼합가스(C2H2+CF4), 아세틸렌과 헥사플로오로에탄의 혼합가스(C2H2+C2F6) 및 메탄과 사불화탄소의 혼합가스(CH4+CF4)로 이루어진 군에서 선택된 전구체를 이용한 플라즈마 처리로 소수성 코팅층(20′)을 형성하는 것이 바람직하다.Here, the method of forming the hydrophobic coating layer 20 'by coating hydrophobic carbon is not particularly limited, but plasma treatment or ion beam treatment can be used. The precursor used to coat the hydrophobic carbon by the plasma treatment is not particularly limited, but it is preferable to use a precursor such as carbon tetrafluoride (CF 4 ), methane (CH 4 ), acetylene (C 2 H 2 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ) And ethylene (C 2 H 4 ). In this case, the hydrophobic coating layer 20 'may be made of a fluorinated diamond like carbon among the hydrophobic carbon, a mixed gas of acetylene and carbon tetrachloride (C 2 H 2 + CF 4 ), acetylene and hexafluoroethane To form the hydrophobic coating layer 20 'by plasma treatment using a precursor selected from the group consisting of a mixed gas of C 2 H 2 + C 2 F 6 and a mixed gas of methane and carbon tetrafluoride (CH 4 + CF 4 ) desirable.

즉, 사불화탄소(CF4), 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 헥사플로오로에탄(C2F6) 및 에틸렌(C2H4)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용하여 회로 패턴 형태의 마스크가 올려진 기판(10′)을 플라즈마 처리할 경우 소수성 탄소가 기판(10′)에 증착되어 소수성 코팅층(20′)을 형성하게 되는데, 소수성 탄소 중에서도 불소화된 다이아몬드 라이크 카본이 증착될 수 있도록 아세틸렌과 사불화탄소의 혼합가스(C2H2+CF4), 아세틸렌과 헥사플로오로에탄의 혼합가스(C2H2+C2F6) 및 메탄과 사불화탄소의 혼합가스(CH4+CF4)로 이루어진 군에서 선택된 전구체를 사용하는 것이다. 이와 같이 소수성 코팅층(20′)이 불소화된 다이아몬드 라이크 카본으로 이루어질 경우 더 높은 소수성을 띠게 되어 무전해 도금 시 비회로 패턴 형성 부분에 금속 이온이 결합되는 것을 최소화할 수 있다. 즉, 비회로 패턴 형성 부분에 소수성 코팅층(20′)이 형성되면 비회로 패턴 형성 부분은 비활성화되기(구체적으로, 금속 이온이 결합되는 팔라듐 이온(Pd2 +)이 노출되어 있지 않음) 때문에 금속 이온의 결합을 막을 수 있는 것으로, 이로 인해 깨끗하고 정확한 회로 패턴을 형성할 수 있다.
That is, carbon tetrafluoride (CF 4), methane (CH 4), acetylene (C 2 H 2), hexahydro flow Oro ethane (C 2 F 6) and ethylene (C 2 H 4) as a precursor selected at least one from the group consisting of The hydrophobic carbon layer is deposited on the substrate 10 'to form the hydrophobic coating layer 20'. In the hydrophobic carbon, the fluorinated diamond like material is used as the material of the substrate 10 ' (C 2 H 2 + CF 4 ), a mixed gas of acetylene and hexafluoroethane (C 2 H 2 + C 2 F 6 ), and a mixture of methane and carbon tetrafluoride And a gas (CH 4 + CF 4 ). When the hydrophobic coating layer 20 'is made of fluorinated diamond-like carbon, the hydrophobic coating layer 20' has higher hydrophobicity, so that binding of the metal ion to the non-circuit pattern forming portion during electroless plating can be minimized. That is, when the hydrophobic coating layer 20 'is formed on the non-circuit pattern forming portion, the non-circuit pattern forming portion is inactivated (specifically, the palladium ion Pd 2 + And thus, a clean and accurate circuit pattern can be formed.

d′) d ') 무전해Electroless 도금 Plated

소수성 코팅층(20′)이 형성된 기판(10′)을 무전해 도금하여 회로 패턴(30′)을 형성한다(도 2의 (d′) 참조). 상기 소수성 코팅층(20′)이 형성된 기판(10′)은 회로 패턴 형성 부분만이 노출되어 있으며, 이때, 노출된 부분은 예민화 및 활성화 처리되어 있어 무전해 도금할 경우 도금 용액에 포함되어 있는 금속 이온이 노출된 부분에 결합하여 회로 패턴(30′)을 형성하게 된다.The substrate 10 'on which the hydrophobic coating layer 20' is formed is subjected to electroless plating to form a circuit pattern 30 '(see FIG. 2 (d')). In the substrate 10 'on which the hydrophobic coating layer 20' is formed, only the circuit pattern forming portion is exposed. In this case, the exposed portion is sensitized and activated, and when the electroless plating is performed, Ions are bonded to the exposed portion to form a circuit pattern 30 '.

여기서, 무전해 도금을 위해 사용되는 금속은 전도성을 띠는 것이라면 특별히 한정되지 않으나 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 코발트(Co)로 이루어진 군에서 1종 이상을 선택하여 사용할 수 있다.
Here, the metal used for the electroless plating is not particularly limited as long as it is conductive, but it is preferable to use a metal such as copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), silver (Ag), tin (Sn) and cobalt One or more of these can be selected and used.

3. 제 3 패턴 형성 방법3. Third Pattern Forming Method

a″) a ") 나노크기의Nano-sized 요철을  Uneven 비회로Non-circuit 패턴 부분에 형성 Formation in pattern part

폴리머 기판(10″)에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 1차 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리하여 나노크기의 요철을 형성한다(도 3의 (a″) 참조). 상기 나노크기의 요철을 형성하기 위해 사용되는 1차 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리방법은 당업계에 공지된 것이라면 특별히 한정되지 않는데, 그 중에서도 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 사불화탄소(CF4), 육불화황(SF6), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용한 1차 플라즈마 처리를 사용하여 나노크기의 요철을 형성하는 것이 바람직하다.A mask in the form of a circuit pattern is placed on the polymer substrate 10 ", and the remaining non-circuit pattern forming portions are subjected to a first-order plasma treatment or an ion beam treatment to form nano-sized irregularities (see Fig. 3 (a)). First plasma treatment or an ion beam processing method that is used to form the unevenness of the nano-size does not particularly restricted so long known in the art, particularly oxygen (O 2), hydrogen (H 2), water (H 2 O ), nitrogen (N 2), argon (Ar), carbon tetrafluoride (CF 4), sulfur hexafluoride (SF 6), carbon monoxide (CO) and ammonia (NH 3) 1 with at least one precursor selected from the group consisting of It is preferable to form nano-sized irregularities using a differential plasma treatment.

특히, 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용하는 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 전구체를 이용한 1차 플라즈마 처리로 기판(10″)에 나노크기의 요철을 형성하면 기판(10″) 표면에 나노크기의 요철이 형성됨과 동시에 친수성 표면을 얻을 수 있어 효율적이기 때문이다. 즉, 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용한 1차 플라즈마 처리로 기판(10″)의 비회로 패턴 형성 부분에 나노크기의 요철을 형성하면 기판(10″)의 비회로 패턴 형성 부분에 표면조도가 높은 나노크기의 요철을 형성할 수 있기 때문이다.In particular, the oxygen (O 2), hydrogen (H 2), water (H 2 O), nitrogen (N 2), argon (Ar), carbon monoxide (CO) and ammonia (NH 3) at least one member selected from the group consisting of It is more preferable to use a precursor. When the nano-scale irregularities are formed on the substrate 10 " by the first plasma treatment using such a precursor, nano-sized irregularities are formed on the surface of the substrate 10 ", and a hydrophilic surface can be obtained at the same time. That is, the oxygen (O 2), hydrogen (H 2), water (H 2 O), nitrogen (N 2), argon (Ar), carbon monoxide (CO) and ammonia (NH 3) at least one member selected from the group consisting of When the nano-sized irregularities are formed in the non-circuit pattern forming portion of the substrate 10 " by the first plasma process using the precursor, nano-sized irregularities having high surface roughness are formed in the non-circuit pattern forming portion of the substrate 10 & It is because.

상기 기판(10″)의 비회로 패턴 형성 부분을 1차 플라즈마 처리하는 시간, 압력 및 전압 조건은 특별히 한정되지 않으나, 나노크기의 요철 구조가 뚜렷이 형성될 수 있도록 시간은 1 내지 60분으로, 압력은 1 내지 100mTorr로, 전압은 -100 내지 -1000V로 하는 것이 바람직하다. 이외에, 기판(10″)의 비회로 패턴 형성 부분에 형성되는 요철 구조의 폭은 1 내지 100㎚이고, 높이는 1 내지 200㎚인 것이 바람직하다(하나의 요철을 기준으로 함).The time, pressure, and voltage conditions for performing the first plasma treatment on the non-circuit pattern forming portion of the substrate 10 " are not particularly limited, but the time is 1 to 60 minutes so that a nano- Is preferably 1 to 100 mTorr, and the voltage is preferably -100 to -1000 V. In addition, it is preferable that the width of the concavo-convex structure formed in the non-circuit pattern forming portion of the substrate 10 " is 1 to 100 nm and the height is 1 to 200 nm (based on one unevenness).

한편, 비회로 패턴 형성 부분에 나노크기의 요철이 형성된 기판(10″) 상에 비회로 패턴 형성 부분과 일치하는 마스크를 올려놓고, 나머지 회로 패턴 형성 부분을 2차 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 즉, 회로 패턴 형성 부분이 친수성을 띨 수 있도록 기판(10″)에 비회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 회로 패턴 형성 부분을 산소(O2), 수소(H2), 물(H2O), 질소(N2), 아르곤(Ar), 일산화탄소(CO) 및 암모니아(NH3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 2차 플라즈마 처리하는 것이다. 이와 같이 기판(10″)의 회로 패턴 형성 부분이 친수성을 띨 경우 무전해 도금을 위한 전처리 과정의 젖음성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 기판(10″)의 회로 패턴 형성 부분을 2차 플라즈마 처리하는 시간은 1 내지 20초인 것이 바람직하며, 압력 및 전압 조건은 상기 1차 플라즈마 처리와 동일하다.On the other hand, the method further includes a step of placing a mask coinciding with the non-circuit pattern forming portion on the substrate 10 " having the nano-scale irregularities formed on the non-circuit pattern forming portion and performing the second plasma processing on the remaining circuit pattern forming portion . That is, the circuit, place the mask in a non-circuit pattern form on a substrate (10 ") so that the pattern forming portion can ttil hydrophilic, oxygen-pattern forming portion remaining circuits (O 2), hydrogen (H 2), water (H 2 O), nitrogen (N 2 ), argon (Ar), carbon monoxide (CO) and ammonia (NH 3 ). As described above, when the circuit pattern forming portion of the substrate 10 " is hydrophilic, the wettability of the pretreatment process for electroless plating can be improved. Here, the time for performing the secondary plasma treatment on the circuit pattern forming portion of the substrate 10 " is preferably 1 to 20 seconds, and the pressure and voltage conditions are the same as those of the above-mentioned first plasma treatment.

상기 기판(10″)으로 사용되는 폴리머는 특별히 한정되지 않으나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS), 폴리이미드(PI), 폴리디메틸실록산(PDMS) 및 폴리프로필렌 설파이드(PPS)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
The polymer used as the substrate 10 " is not particularly limited, but may be polyethylene terephthalate (PET), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene (PS), polycarbonate (PC), acrylonitrile butadiene styrene (ABS), polyimide (PI), polydimethylsiloxane (PDMS), and polypropylene sulfide (PPS).

b″) 전처리 공정b ") Pretreatment process

1차 플라즈마 처리에 의해 비회로 패턴 형성 부분에 나노크기의 요철이 형성된 기판(10″)을 무전해 도금하기 위해 전처리한다. 즉, 도금 용액에 포함된 금속 이온이 기판(10″)에 잘 결합될 수 있도록 기판(10″)을 전처리하는 것이다. 이러한 전처리는 기판(10″)을 예민화 처리 및 활성화 처리하는 과정을 통해 이루어진다. 여기서, 예민화 처리 및 활성화 처리 방법은 특별히 한정되지 않으나, 염화주석(SnCl2) 용액에 기판(10″)을 투입하여 부분적으로 요철 구조가 형성된 기판(10″)에 주석이온(Sn2 +)을 결합시켜 예민화 처리한 후 이를 염화팔라듐(PdCl2) 용액에 투입하여 주석이온(Sn2 +)에 팔라듐이온(Pd2+)을 결합시켜 활성화 처리하는 방법을 들 수 있다(도 3의 (b″) 참조).The substrate 10 " having the nano-scale unevenness formed on the non-circuit pattern forming portion by the first plasma treatment is pretreated for electroless plating. That is, the substrate 10 " is pretreated such that the metal ions contained in the plating solution can be well bonded to the substrate 10 ". This preprocessing is performed through a process of sensitizing and activating the substrate 10 ". Here, although sensitization treatment and activating treatment method is not particularly limited, tin chloride (SnCl 2), the substrate (10 ") was added tin ion (Sn 2 +) to put into the partially concave-convex structure formed in the substrate (10") (Pd 2+ ) to tin ions (Sn 2 + ) by activating the palladium ions (Pd 2+ ) in the solution of palladium chloride (PdCl 2 ) b ")).

이와 같이 전처리 공정은 염화주석(SnCl2) 또는 염화팔라듐(PdCl2)이 용해된 수용액에서 이루어지는데, 본 발명은 기판(10″)의 회로 패턴 형성 부분에 친수성을 부여한 후 전처리하기 때문에 수용액에서 이루어지는 전처리 공정의 젖음성(주석이온(Sn2 +) 및/또는 팔라듐이온(Pd2+)의 결합력을 높임)을 향상시킬 수 있다. 한편, 전처리 공정은 하기에서 설명할 소수성 코팅층(20″)이 형성된 이후 수행될 수도 있다.
In this way, the pretreatment step is performed in an aqueous solution in which tin chloride (SnCl 2 ) or palladium chloride (PdCl 2 ) is dissolved. Since the present invention preprocesses the circuit pattern forming portion of the substrate 10 " It is possible to improve the wettability of the pretreatment process (increase the binding force of tin ion (Sn 2 + ) and / or palladium ion (Pd 2+ )). On the other hand, the pretreatment step may be performed after the hydrophobic coating layer 20 "

c″) 소수성 코팅층 형성c ") hydrophobic coating layer formation

상기 전처리된 기판(10″)에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 소수성 탄소로 코팅하여 소수성 코팅층(20″)을 형성한다(도 3의 (c″) 참조). 즉. 회로 패턴이 형성되지 않을 부분이 소수성을 띠도록 소수성 탄소로 코팅하는 것이다. 이와 같이 회로 패턴이 형성되지 않는 부분을 선택하여 소수성 코팅층(20″)을 형성하면 회로 패턴이 형성될 부분만 남아 추후 무전해 도금으로 회로 패턴을 형성할 수 있다.A mask in the form of a circuit pattern is placed on the pretreated substrate 10 ", and the remaining non-circuit pattern forming portion is coated with hydrophobic carbon to form a hydrophobic coating layer 20 " (see Fig. In other words. And the portion where the circuit pattern is not formed is coated with hydrophobic carbon so as to be hydrophobic. When the portion where the circuit pattern is not formed is selected and the hydrophobic coating layer 20 " is formed as described above, only the portion where the circuit pattern is to be formed remains and the circuit pattern can be formed by electroless plating.

여기서, 소수성 탄소를 코팅하여 소수성 코팅층(20″)을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리를 이용할 수 있다. 상기 플라즈마 처리로 소수성 탄소를 코팅하기 위해 사용되는 전구체는 특별히 한정되지 않으나, 사불화탄소(CF4), 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 헥사플로오로에탄(C2F6) 및 에틸렌(C2H4)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다. 이때, 소수성 코팅층(20″)이 소수성 탄소 중에서도 불소화된 다이아몬드 라이크 카본(Fluorinated Diamond Like Carbon)으로 이루어질 수 있도록 아세틸렌과 사불화탄소의 혼합가스(C2H2+CF4), 아세틸렌과 헥사플로오로에탄의 혼합가스(C2H2+C2F6) 및 메탄과 사불화탄소의 혼합가스(CH4+CF4)로 이루어진 군에서 선택된 전구체를 이용한 플라즈마 처리로 소수성 코팅층(20″)을 형성하는 것이 바람직하다.Here, the method of forming the hydrophobic coating layer 20 " by coating hydrophobic carbon is not particularly limited, but plasma treatment or ion beam treatment can be used. The precursor used to coat the hydrophobic carbon by the plasma treatment is not particularly limited, but it is preferable to use a precursor such as carbon tetrafluoride (CF 4 ), methane (CH 4 ), acetylene (C 2 H 2 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ) And ethylene (C 2 H 4 ). In this case, the hydrophobic coating layer 20 '' may be made of fluorinated diamond like carbon among the hydrophobic carbon so that a mixed gas of acetylene and carbon tetrafluoride (C 2 H 2 + CF 4 ), acetylene and hexafluoroethane To form a hydrophobic coating layer 20 " by plasma treatment using a precursor selected from the group consisting of a mixed gas of C 2 H 2 + C 2 F 6 and a mixed gas of methane and carbon tetrafluoride (CH 4 + CF 4 ) desirable.

즉, 사불화탄소(CF4), 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 헥사플로오로에탄(C2F6) 및 에틸렌(C2H4)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전구체를 이용하여 회로 패턴 형태의 마스크가 올려진 기판(10″)을 플라즈마 처리할 경우 소수성 탄소가 기판(10″)에 증착되어 소수성 코팅층(20″)을 형성하게 되는데, 소수성 탄소 중에서도 불소화된 다이아몬드 라이크 카본이 증착될 수 있도록 아세틸렌과 사불화탄소의 혼합가스(C2H2+CF4), 아세틸렌과 헥사플로오로에탄의 혼합가스(C2H2+C2F6) 및 메탄과 사불화탄소의 혼합가스(CH4+CF4)로 이루어진 군에서 선택된 전구체를 사용하는 것이다. 이와 같이 소수성 코팅층(20″)이 불소화된 다이아몬드 라이크 카본으로 이루어질 경우 더 높은 소수성을 띠게 되어 무전해 도금 시 비회로 패턴 형성 부분에 금속 이온이 결합되는 것을 최소화할 수 있다. 즉, 비회로 패턴 형성 부분에 소수성 코팅층(20″)이 형성되면 비회로 패턴 형성 부분은 비활성화되기(구체적으로, 금속 이온이 결합되는 팔라듐 이온(Pd2 +)이 노출되어 있지 않음) 때문에 금속 이온의 결합을 막을 수 있는 것으로, 이로 인해 깨끗하고 정확한 회로 패턴을 형성할 수 있다.
That is, carbon tetrafluoride (CF 4), methane (CH 4), acetylene (C 2 H 2), hexahydro flow Oro ethane (C 2 F 6) and ethylene (C 2 H 4) as a precursor selected at least one from the group consisting of When the substrate 10 "on which the mask in the form of a circuit pattern is formed is subjected to plasma treatment, hydrophobic carbon is deposited on the substrate 10" to form the hydrophobic coating layer 20 ". Among the hydrophobic carbon, (C 2 H 2 + CF 4 ), a mixed gas of acetylene and hexafluoroethane (C 2 H 2 + C 2 F 6 ), and a mixture of methane and carbon tetrafluoride And a gas (CH 4 + CF 4 ). When the hydrophobic coating layer 20 '' is made of fluorinated diamond-like carbon, the hydrophobic coating layer 20 'has a higher hydrophobicity, so that the binding of metal ions to the non-circuit pattern forming portion during electroless plating can be minimized. That is, when the hydrophobic coating layer 20 " is formed in the non-circuit pattern forming portion, the non-circuit pattern forming portion is inactivated (specifically, the palladium ion Pd 2 + And thus, a clean and accurate circuit pattern can be formed.

d″) d ") 무전해Electroless 도금 Plated

소수성 코팅층(20″)이 형성된 기판(10″)을 무전해 도금하여 회로 패턴(30″)을 형성한다(도 3의 (d″) 참조). 상기 소수성 코팅층(20″)이 형성된 기판(10″)은 회로 패턴 형성 부분만이 노출되어 있으며, 이때, 노출된 부분은 예민화 및 활성화 처리되어 있어 무전해 도금할 경우 도금 용액에 포함되어 있는 금속 이온이 노출된 부분에 결합하여 회로 패턴(30″)을 형성하게 된다.The substrate 10 " on which the hydrophobic coating layer 20 " is formed is subjected to electroless plating to form a circuit pattern 30 " (see Fig. 3 (d)). The substrate 10 "on which the hydrophobic coating layer 20" is formed is exposed only to the circuit pattern forming portion. The exposed portion is sensitized and activated, and when electroless plating is performed, the metal contained in the plating solution To form a circuit pattern 30 " by bonding to the exposed portion of the ion.

여기서, 무전해 도금을 위해 사용되는 금속은 전도성을 띠는 것이라면 특별히 한정되지 않으나 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag), 주석(Sn) 및 코발트(Co)로 이루어진 군에서 1종 이상을 선택하여 사용할 수 있다.
Here, the metal used for the electroless plating is not particularly limited as long as it is conductive, but it is preferable to use a metal such as copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), silver (Ag), tin (Sn) and cobalt One or more of these can be selected and used.

4. 기판4. Substrate

본 발명은 상기 제1 내지 제3 패턴 형성 방법을 이용하여 회로 패턴이 형성된 기판을 제공한다. 상기 제1 내지 제3 패턴 형성 방법은 회로 패턴이 형성되지 않을 부분에 소수성 코팅층을 형성한 후 무전해 도금으로 회로 패턴을 형성하기 때문에 전도성 금속의 낭비를 최소화하면서도 미세하고 정확한 회로 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 이러한 방법으로 회로 패턴이 형성된 본 발명의 기판은 우수한 전도성을 나타낼 수 있으며, 미세회로기판이 필요한 분야에 유용하게 활용될 수 있다. 구체적으로 본 발명의 기판은 플렉서블 회로기판이다.
The present invention provides a substrate on which a circuit pattern is formed by using the first to third pattern forming methods. In the first to third pattern formation methods, since a circuit pattern is formed by electroless plating after a hydrophobic coating layer is formed in a portion where no circuit pattern is formed, a fine and accurate circuit pattern can be formed while minimizing the waste of the conductive metal have. Therefore, the substrate of the present invention in which a circuit pattern is formed in this manner can exhibit excellent conductivity, and can be usefully used in fields where a microcircuit substrate is required. Specifically, the substrate of the present invention is a flexible circuit board.

이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명하기로 한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples. However, these examples are for illustrating the present invention specifically, and the scope of the present invention is not limited to these examples.

[[ 실시예Example 1] One]

폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 재질의 기판 위 전체를 산소 플라즈마로 처리하여 나노크기의 요철을 형성하였다. 이때, 플라즈마 처리는 13.56MHz로 Plasma assisted etching 방식을 이용하여 30분 동안 10mTorr 및 -400V에서 이루어졌다. 플라즈마 처리된 기판을 주사전자현미경으로 관찰한 결과, 나노크기의 요철이 형성된 것을 확인할 수 있었다(도 4 참조).The entire surface of the substrate made of polyethylene terephthalate (PET) was treated with an oxygen plasma to form nano-sized irregularities. At this time, the plasma treatment was performed at 13.56 MHz at 10 mTorr and -400 V for 30 minutes using a plasma assisted etching method. The substrate subjected to the plasma treatment was observed with a scanning electron microscope, and it was confirmed that nano-sized irregularities were formed (see FIG. 4).

나노크기의 요철이 형성된 기판에 추가적으로 산소 플라즈마를 10초 동안 처리하여 기판에 초친수성을 부여하였다. 기판에 초친수성이 부여되었는지 여부를 물방울 젖음성 실험으로 확인할 결과 초친수성 처리에 의해 기판의 수접촉각이 측정할 수 없을 정도로 매우 작은 것을 확인할 수 있었다. 즉, 도 5의 A는 아무런 처리가 되지 않는 기판에 물방울을 떨어뜨린 것이고, 도 5의 B는 초친수성이 부여된 기판에 물방울을 떨어뜨린 것으로, 도 5의 B를 보면 물방울이 기판에 완전히 퍼져있는 것을 확인할 수 있다.An oxygen plasma was further applied to the substrate having the nano-sized irregularities for 10 seconds to impart superhydrophilic property to the substrate. As a result, it was confirmed that the contact angle of water on the substrate was too small to be measured by superhydrophilic treatment. That is, in Fig. 5A, water droplets are dropped on a substrate to which no treatment is performed, and Fig. 5B is a state in which water droplets are dropped on a substrate to which superhydrophilic property is imparted. .

다음으로, 염화주석(SnCl2), 염산(HCl) 및 증류수를 함유하는 용액에 기판을 투입하여 예민화 처리한 후 염화팔라듐(PdCl2), 염산(Hcl) 및 증류수를 함유하는 용액에 투입하여 활성화 처리하였다. 예민화 처리 및 활성화 처리된 기판에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고 플라즈마 공정으로 불소화된 다이아몬드 라이크 카본을 코팅하여 소수성 코팅층을 형성하였다. 구체적으로, 13.56 MHz로 Plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) 방식을 이용하였으며, C2H2+CF4 혼합 가스를 전구체(precursor)로서 사용하여 플라즈마를 형성한 후 10초 동안 0.49Pa 및 -400V에서 불소화된 다이아몬드 라이크 카본를 코팅하였다.Next, the substrate is immersed in a solution containing tin chloride (SnCl 2 ), hydrochloric acid (HCl) and distilled water, and the solution is added to a solution containing palladium chloride (PdCl 2 ), hydrochloric acid (HCl) and distilled water Activated. A mask in the form of a circuit pattern was placed on the substrate subjected to sensitization treatment and activation treatment, and a fluorinated diamond like carbon was coated by a plasma process to form a hydrophobic coating layer. Specifically, a plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD) method was used at 13.56 MHz, and a plasma was formed using a C 2 H 2 + CF 4 mixed gas as a precursor, and then plasma was formed at 0.49 Pa and -400 V The fluorinated diamond like carbon was coated.

소수성 코팅층이 형성된 기판을 도금 용액에 투입하여 무전해 도금함으로써 회로 패턴을 형성하였다. 이때, 도금 용액으로는 황산구리(CuSO4)와 EDTA(ethylendiamine tetra acetic acid), 포르말린(formalin), 수산화나트륨(NaOH) 및 증류수가 혼합된 것을 사용하였다.The substrate on which the hydrophobic coating layer was formed was placed in a plating solution and electroless-plated to form a circuit pattern. At this time, copper sulfate (CuSO 4 ), ethylendiamine tetra acetic acid (EDTA), formalin, sodium hydroxide (NaOH) and distilled water were mixed as a plating solution.

무전해 도금을 통해 회로 패턴이 형성된 기판을 광학현미경으로 확인한 결과 회로 패턴이 뚜렷하게 형성된 것을 확인할 수 있었다(도 6 참조)
The substrate on which the circuit pattern was formed through electroless plating was confirmed with an optical microscope, and it was confirmed that the circuit pattern was clearly formed (see FIG. 6)

[[ 실시예Example 2] 2]

폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 재질의 기판 위에 회로 패턴 형성 부분과 일치하는 형태의 마스크를 올려놓고 플라즈마 처리하여 기판의 비회로 패턴 형성 부분에 나노구조의 요철을 형성하였다.A mask having a shape matching the circuit pattern forming portion was placed on a substrate made of polyethylene terephthalate (PET), and plasma processing was performed to form irregularities of the nano structure in the non-circuit pattern forming portion of the substrate.

부분적으로 나노구조의 요철이 형성된 기판을 상기 실시예 1과 동일한 조건으로 예민화 처리 및 활성화 처리한 후 나노구조의 요철이 형성된 부분에 플라즈마 공정으로 불소화된 다이아몬드 라이크 카본을 코팅하여 소수성 코팅층을 형성시켰다. 나노구조 요철 상에 소수성 코팅층이 형성된 기판에 물방울 젖음성 실험을 한 결과 소수성 코팅층에 의해 기판의 수접촉각이 100°이상을 나타내는 것을 확인할 수 있었다(도 7 참조).The substrate on which the irregularities of the nanostructures were partially formed was subjected to the sensitization and activation treatment under the same conditions as in Example 1, and then the diamond-like carbon fluorinated by the plasma process was coated on the portion where the irregularities of the nanostructure were formed to form a hydrophobic coating layer . As a result of water drop wettability test on a substrate having a hydrophobic coating layer formed on the nano-structured unevenness, it was confirmed that the water contact angle of the substrate was more than 100 ° by the hydrophobic coating layer (see FIG. 7).

이후 상기 실시예 1과 동일한 조건으로 무전해 도금하여 회로 패턴을 형성하였다. 무전해 도금을 통해 회로 패턴이 형성된 기판을 광학현미경으로 확인한 결과 회로 패턴이 뚜렷하게 형성된 것을 확인할 수 있었다(도 8 참조).
Then, electroless plating was performed under the same conditions as in Example 1 to form a circuit pattern. The substrate on which the circuit pattern was formed through electroless plating was confirmed by an optical microscope, and it was confirmed that a circuit pattern was clearly formed (see FIG. 8).

[[ 비교예Comparative Example 1] One]

시판되는 동판(무산소동, 순도 99.99%)을 실시예 1과 동일한 크기로 준비하였다.
A commercially available copper plate (oxygen free copper, purity 99.99%) was prepared in the same size as in Example 1.

[[ 비교예Comparative Example 2]  2]

나노크기의 요철형성시키는 과정 및 친수성을 부가하는 과정을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 과정을 거쳐 기판에 회로 패턴을 형성시켰다.
A circuit pattern was formed on the substrate through the same process as in Example 1 except for the process of forming the nano-size unevenness and the process of adding the hydrophilic property.

[[ 실험예Experimental Example 1] 전기전도도 평가 1] Electrical conductivity evaluation

4 point probe를 이용하여 실시예 1에 따라 회로 패턴이 형성된 기판과 비교예의 동판의 전기비저항(resistivity)을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The electrical resistivity of the substrate having the circuit pattern formed according to Example 1 and the copper plate of the comparative example was measured using a 4-point probe. The results are shown in Table 1 below.

실시예 1Example 1 비교예Comparative Example 전기비저항Electrical resistivity 6.33 x10-8Ωm6.33 x 10 < -8 > 4.74 x10-7Ωm4.74 x 10 < -7 >

상기 표 1을 보면, 본 발명에 따른 방법으로 회로 패턴이 형성된 실시예 1의 기판이 비교예의 기판보다 전기전도도가 우수한 것을 확인할 수 있다.
From Table 1, it can be seen that the substrate of Example 1 having a circuit pattern formed by the method according to the present invention has better electric conductivity than the substrate of the comparative example.

[[ 실험예Experimental Example 2] 접착력 평가 2] Evaluation of adhesion

실시예 1에 따라 회로 패턴이 형성된 기판과 비교예 2의 기판을 폭 15mm, 길이 100mm 크기로 절단한 후 90도 peel tester(MTS사)를 이용하여 peel 강도를 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The substrate on which the circuit pattern was formed according to Example 1 and the substrate of Comparative Example 2 were cut to a width of 15 mm and a length of 100 mm and peel strength was measured using a 90 degree peel tester (MTS) Respectively.

실시예 1Example 1 비교예 2Comparative Example 2 peel 강도peel strength 0.13N/mm0.13 N / mm 측정안됨Not measured

상기 표 2를 보면, 본 발명에 따른 방법으로 회로 패턴이 형성된 실시예 1은 구리 회로 패턴과 폴리머 기판 간의 접착력(결합력)이 우수한 것을 확인할 수 있다. 반면에, 나노크기의 요철 및 초친수성 처리가 되지 않은 비교예 2는 peel 강도를 측정할 수 없을 정도로 구리 회로 패턴이 폴리머 기판에 접착되지 않음을 확인할 수 있다. 이러한 점은 기판에 나노크기의 요철을 형성시킴에 따라 구리 회로 패턴과 기판의 접착력이 향상됨을 뒷받침하는 것이다.In Table 2, it can be seen that Example 1 in which a circuit pattern is formed by the method according to the present invention has excellent adhesive force (bonding force) between the copper circuit pattern and the polymer substrate. On the other hand, it can be confirmed that the copper circuit pattern is not adhered to the polymer substrate to such an extent that peel strength can not be measured in Comparative Example 2 in which nano-sized unevenness and superhydrophilic treatment are not performed. This supports the improvement of the adhesion between the copper circuit pattern and the substrate by forming nano-sized irregularities on the substrate.

10, 10′, 10″: 기판
20, 20′, 20″: 소수성 코팅층
30, 30′, 30″: 회로 패턴10, 10 ', 10 ": substrate
20, 20 ', 20 ": hydrophobic coating layer
30, 30 ', 30 ": circuit pattern

Claims (15)

a) 폴리머 기판을 1차 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리하여 나노크기의 요철을 형성하는 단계;
b) 상기 나노크기의 요철이 형성된 기판을 무전해 도금하기 위해 전처리하는 단계;
c) 상기 전처리된 기판에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 소수성 탄소로 코팅하여 소수성 코팅층을 형성하는 단계; 및
d) 상기 소수성 코팅층이 형성된 기판을 무전해 도금하여 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 b) 단계는 상기 나노크기의 요철이 형성된 기판에 주석이온과 팔라듐이온을 결합시켜 기판을 전처리하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.a) forming a nano-sized unevenness by performing a first plasma treatment or an ion beam treatment on a polymer substrate;
b) pretreating the substrate having the nano-sized unevenness formed thereon for electroless plating;
c) placing a mask in the form of a circuit pattern on the pretreated substrate and coating the remaining non-circuit pattern forming portions with hydrophobic carbon to form a hydrophobic coating layer; And
d) electroless plating the substrate on which the hydrophobic coating layer is formed to form a circuit pattern,
Wherein the step b) comprises pre-treating the substrate by bonding tin ions and palladium ions to the substrate having the nano-sized irregularities. 제1항에 있어서,
상기 a) 단계의 기판은 1차 플라즈마 처리에 의해 나노크기의 요철이 형성되며, 상기 1차 플라즈마 처리는 산소, 수소, 물, 질소, 아르곤, 일산화탄소 및 암모니아로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 이용하고,
상기 1차 플라즈마 처리에 의해 상기 기판은 90°미만의 수접촉각을 가져 친수성을 띠는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The method according to claim 1,
The substrate of the step a) is formed with nano-scale irregularities by a first plasma treatment, and the first plasma treatment uses at least one selected from the group consisting of oxygen, hydrogen, water, nitrogen, argon, carbon monoxide and ammonia and,
Wherein the substrate has a water contact angle of less than < RTI ID = 0.0 > 90 < / RTI > by the primary plasma treatment. 제2항에 있어서,
상기 a) 단계는, 1차 플라즈마 처리된 기판의 수접촉각을 더 낮추기 위해 산소, 수소, 물, 질소, 아르곤, 일산화탄소 및 암모니아로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 2차 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.3. The method of claim 2,
The step a) further includes a second plasma treatment with at least one selected from the group consisting of oxygen, hydrogen, water, nitrogen, argon, carbon monoxide and ammonia to further lower the water contact angle of the substrate subjected to the first plasma treatment Wherein the pattern forming method comprises the steps of: 제3항에 있어서,
상기 1차 플라즈마 처리 시간은 1 내지 60분이며, 상기 2차 플라즈마 처리 시간은 1 내지 20초인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The method of claim 3,
Wherein the first plasma treatment time is 1 to 60 minutes, and the second plasma treatment time is 1 to 20 seconds. 제3항에 있어서,
상기 1차 플라즈마 처리와 상기 2차 플라즈마 처리의 압력은 1 내지 100mTorr이고, 전압은 -100 내지 -1000V인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The method of claim 3,
Wherein the pressure of the first plasma treatment and the pressure of the second plasma treatment is 1 to 100 mTorr and the voltage is -100 to -1000 V. 제1항에 있어서,
상기 c) 단계의 소수성 탄소는 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리에 의해 기판에 코팅되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the hydrophobic carbon in step c) is coated on the substrate by a plasma treatment or an ion beam treatment. 제6항에 있어서,
상기 c) 단계의 소수성 탄소는 불소화된 다이아몬드 라이크 카본이며,
상기 불소화된 다이아몬드 라이크 카본은 아세틸렌과 사불화탄소의 혼합가스, 아세틸렌과 헥사플로오로에탄의 혼합가스 및 메탄과 사불화탄소의 혼합가스로 이루어진 군에서 선택된 전구체를 이용한 플라즈마 처리에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.The method according to claim 6,
The hydrophobic carbon in step c) is a fluorinated diamond like carbon,
Wherein the fluorinated diamond like carbon is coated by plasma treatment using a precursor selected from the group consisting of a mixed gas of acetylene and carbon tetrafluoride, a mixed gas of acetylene and hexafluoroethane, and a mixed gas of methane and carbon tetrafluoride Pattern formation method. a′) 폴리머 기판에 비회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 회로 패턴 형성 부분을 1차 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리하여 나노크기의 요철을 형성하는 단계;
b′) 상기 나노크기의 요철이 형성된 기판을 무전해 도금하기 위해 전처리하는 단계;
c′) 상기 전처리된 기판에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 소수성 탄소로 코팅하여 소수성 코팅층을 형성하는 단계; 및
d′) 상기 소수성 코팅층이 형성된 기판을 무전해 도금하여 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 b′) 단계는 상기 나노크기의 요철이 형성된 기판에 주석이온과 팔라듐이온을 결합시켜 기판을 전처리하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.a ') placing a mask in the form of a non-circuit pattern on a polymer substrate and subjecting the remaining circuit pattern-formed portions to first-order plasma treatment or ion beam treatment to form nano-sized irregularities;
b ') pre-treating the substrate having the nano-sized unevenness formed thereon for electroless plating;
c ') placing a mask in the form of a circuit pattern on the pretreated substrate and coating the remaining non-circuit pattern forming portions with hydrophobic carbon to form a hydrophobic coating layer; And
d ') forming a circuit pattern by electroless plating the substrate on which the hydrophobic coating layer is formed,
Wherein the step b ') comprises pre-treating the substrate by bonding tin ions and palladium ions to the substrate having the nano-scale irregularities. 제8항에 있어서,
상기 a′) 단계의 기판은 1차 플라즈마 처리에 의해 회로 패턴 형성 부분에 나노크기의 요철이 형성되며, 상기 1차 플라즈마 처리는 산소, 수소, 물, 질소, 아르곤, 일산화탄소 및 암모니아로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 이용하고,
상기 1차 플라즈마 처리에 의해 상기 기판의 회로 패턴 형성 부분은 90°미만의 수접촉각을 가져 친수성을 띠는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.9. The method of claim 8,
The substrate in the step a ') is formed by nano-scale irregularities in the circuit pattern forming portion by the first plasma treatment, and the first plasma treatment is performed in the group consisting of oxygen, hydrogen, water, nitrogen, argon, carbon monoxide and ammonia Using at least one selected,
Wherein the circuit pattern forming portion of the substrate by the first plasma treatment has a water contact angle of less than 90 DEG and is hydrophilic. 제9항에 있어서,
상기 a′) 단계는, 상기 기판의 회로 패턴 형성 부분의 수접촉각을 더 낮추기 위해 기판에 비회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 회로 패턴 형성 부분을 산소, 수소, 물, 질소, 아르곤, 일산화탄소 및 암모니아로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 2차 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.10. The method of claim 9,
In the step a '), in order to further lower the water contact angle of the circuit pattern forming portion of the substrate, a mask in the form of a non-circuit pattern is placed on the substrate, and the remaining circuit pattern forming portion is filled with oxygen, hydrogen, water, nitrogen, argon, And ammonia. 2. The method according to claim 1, wherein the second plasma treatment is performed using at least one selected from the group consisting of ammonia and ammonia. 제8항에 있어서,
상기 c′) 단계의 소수성 탄소는 불소화된 다이아몬드 라이크 카본이며,
상기 불소화된 다이아몬드 라이크 카본은 아세틸렌과 사불화탄소의 혼합가스, 아세틸렌과 헥사플로오로에탄의 혼합가스 및 메탄과 사불화탄소의 혼합가스로 이루어진 군에서 선택된 전구체를 이용한 플라즈마 처리에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.9. The method of claim 8,
The hydrophobic carbon in step c ') is a fluorinated diamond like carbon,
Wherein the fluorinated diamond like carbon is coated by plasma treatment using a precursor selected from the group consisting of a mixed gas of acetylene and carbon tetrafluoride, a mixed gas of acetylene and hexafluoroethane, and a mixed gas of methane and carbon tetrafluoride Pattern formation method. a″) 폴리머 기판에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 1차 플라즈마 처리 또는 이온빔 처리하여 나노크기의 요철을 형성하는 단계;
b″) 상기 나노크기의 요철이 형성된 기판을 무전해 도금하기 위해 전처리하는 단계;
c″) 상기 전처리된 기판에 회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 비회로 패턴 형성 부분을 소수성 탄소로 코팅하여 소수성 코팅층을 형성하는 단계; 및
d″) 상기 소수성 코팅층이 형성된 기판을 무전해 도금하여 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 b″) 단계는 상기 나노크기의 요철이 형성된 기판에 주석이온과 팔라듐이온을 결합시켜 기판을 전처리하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.a) ") placing a mask in the form of a circuit pattern on a polymer substrate and subjecting the remaining non-circuit pattern forming portions to a first-order plasma treatment or an ion beam treatment to form nano-
b ") pre-treating the substrate having the nano-sized unevenness formed thereon for electroless plating;
c ") placing a mask in the form of a circuit pattern on the pretreated substrate and coating the remaining non-circuit pattern forming portions with hydrophobic carbon to form a hydrophobic coating layer; And
d ") forming a circuit pattern by electroless plating the substrate on which the hydrophobic coating layer is formed,
Wherein the step b) comprises pre-treating the substrate by bonding tin ions and palladium ions to the substrate having the nano-scale irregularities. 제12항에 있어서,
상기 a″) 단계는,
상기 기판에 비회로 패턴 형태의 마스크를 올려놓고, 나머지 회로 패턴 형성 부분을 산소, 수소, 물, 질소, 아르곤, 일산화탄소 및 암모니아로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 2차 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하며,
상기 2차 플라즈마 처리에 의해 상기 회로 패턴 형성 부분은 90°미만의 수접촉각을 가져 친수성을 띠는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.13. The method of claim 12,
The step a)
Further comprising the step of placing a mask in the form of a non-circuit pattern on the substrate and subjecting the remaining circuit pattern forming portion to a second plasma treatment with at least one selected from the group consisting of oxygen, hydrogen, water, nitrogen, argon, carbon monoxide and ammonia In addition,
Wherein the circuit pattern forming portion by the secondary plasma treatment has a water contact angle of less than 90 DEG and is hydrophilic. 제12항에 있어서,
상기 c″) 단계의 소수성 탄소는 불소화된 다이아몬드 라이크 카본이며,
상기 불소화된 다이아몬드 라이크 카본은 아세틸렌과 사불화탄소의 혼합가스, 아세틸렌과 헥사플로오로에탄의 혼합가스 및 메탄과 사불화탄소의 혼합가스로 이루어진 군에서 선택된 전구체를 이용한 플라즈마 처리에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.13. The method of claim 12,
The hydrophobic carbon in step c) is a fluorinated diamond like carbon,
Wherein the fluorinated diamond like carbon is coated by plasma treatment using a precursor selected from the group consisting of a mixed gas of acetylene and carbon tetrafluoride, a mixed gas of acetylene and hexafluoroethane, and a mixed gas of methane and carbon tetrafluoride Pattern formation method. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 패턴 형성 방법으로 회로 패턴이 형성된 기판.A substrate on which a circuit pattern is formed by the pattern forming method according to any one of claims 1 to 14.
KR1020120116012A 2012-10-18 2012-10-18 Flexible pattern forming method KR101411821B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120116012A KR101411821B1 (en) 2012-10-18 2012-10-18 Flexible pattern forming method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120116012A KR101411821B1 (en) 2012-10-18 2012-10-18 Flexible pattern forming method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140049782A KR20140049782A (en) 2014-04-28
KR101411821B1 true KR101411821B1 (en) 2014-06-24

Family

ID=50655224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120116012A KR101411821B1 (en) 2012-10-18 2012-10-18 Flexible pattern forming method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101411821B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101631923B1 (en) * 2015-10-27 2016-06-20 국방과학연구소 Method for fabricating various patterned flexible plasma electrode using conductive inks and atmospheric pressure plasma jets
CN107371338B (en) * 2016-05-13 2019-08-20 苏州卫鹏机电科技有限公司 A kind of preparation method of the printed wiring board of ultra-thin metal layer
KR102459020B1 (en) * 2020-05-29 2022-10-27 한국기계연구원 Hydrophobic-hydrophilic composite pattern structure using nano structures

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020071437A (en) * 2001-03-06 2002-09-12 유승균 Plating method of metal film on the surface of polymer
JP2008078310A (en) 2006-09-20 2008-04-03 Toppan Printing Co Ltd Method of forming conductive pattern, wiring circuit board, and method of manufacturing the same
KR20090014151A (en) * 2006-05-30 2009-02-06 파나소닉 주식회사 Atmospheric pressure plasma generating method, plasma procesing method and component mounting method using same, and device using these methods
KR20090108863A (en) * 2008-04-14 2009-10-19 주성엔지니어링(주) Method for manufacturing thin film pattern

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020071437A (en) * 2001-03-06 2002-09-12 유승균 Plating method of metal film on the surface of polymer
KR20090014151A (en) * 2006-05-30 2009-02-06 파나소닉 주식회사 Atmospheric pressure plasma generating method, plasma procesing method and component mounting method using same, and device using these methods
JP2008078310A (en) 2006-09-20 2008-04-03 Toppan Printing Co Ltd Method of forming conductive pattern, wiring circuit board, and method of manufacturing the same
KR20090108863A (en) * 2008-04-14 2009-10-19 주성엔지니어링(주) Method for manufacturing thin film pattern

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140049782A (en) 2014-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2426648C (en) Plating method of metal film on the surface of polymer
KR100765363B1 (en) Method for fabricating conductive particle
US20130295287A1 (en) Composition for forming layer to be plated, and process for producing laminate having metal film
JP5135575B2 (en) Functional molecular adhesives and molecular adhesive resin surfaces, methods for producing them, and methods for producing resin-plated products or printed wiring boards
JP2014103419A (en) Method for forming pattern of deposit metal on polymeric substrate
KR101371088B1 (en) a fabricating method of metal thin film using electroless deposition and a thin film device fabricated thereby
KR101468074B1 (en) Conductive thin film by direct plating and method for manufacturing the same
TWI627885B (en) Method for producing three-dimensional conductive pattern structure and material for three-dimensional molding used there
KR20090079913A (en) Process for producing metal-film-coated substrate, metal-film-coated substrate, process for producing metallic-pattern material, and metallic-pattern material
JP2010185128A (en) Photosensitive resin composition for plating, laminate, method of producing surface metal film material using the same, surface metal film material, method of producing metal pattern material, metal pattern material, and wiring board
KR101607519B1 (en) Method for forming circuit pattern using plasma and metal material
WO2012165168A1 (en) Resin substrate having metal film pattern formed thereon
KR101411821B1 (en) Flexible pattern forming method
US20100051329A1 (en) Printed circuit board and method of manufacturing the same
JP4647954B2 (en) Method for producing laminate for flexible printed wiring board
JP4862508B2 (en) Conductor pattern forming method
Wang et al. Direct surface in-situ activation for electroless deposition of robust conductive copper patterns on polyimide film
KR101180366B1 (en) Printed circuit board and method for manufacturing the same
KR102097539B1 (en) Display device with metal mesh and method for manufacturing the same
JP2009007613A (en) Metal thin film pattern forming method on polyimide resin base material, metal thin film circuit pattern forming method on polyimide resin base material, metal thin film base material and metal thin film circuit base material
JP7453632B1 (en) Transfer laminate and its manufacturing method
TWI629375B (en) Flexible conductive substrate with high transmittancy and method for preparing the same
JP2008274390A (en) Process for producing metal-film-coated substrate, metal-film-coated substrate, process for producing metallic-pattern material, and metallic-pattern material
CN1630458A (en) Method for forming plain conductor pattern by means of ink-jet
KR20150071809A (en) A method for forming metal pattern on synthetic resin

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170619

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180615

Year of fee payment: 5