KR101408663B1 - Method of processing an anti glare glass - Google Patents

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Abstract

안티 글레어 글래스 제조 방법은 유리 기판 상에 균일한 두께를 갖는 세라믹 코팅층을 형성하고, 제1 식각 용액으로 상기 세라믹 코팅층을 상기 유리 기판으로부터 박리하여 유리 기판의 표면에 제1 거칠기를 형성한 후, 제2 식각 용액으로 상기 유리 기판의 표면을 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 제2 거칠기를 형성함으로써 이루어진다. A method for manufacturing an anti-glare glass includes: forming a ceramic coating layer having a uniform thickness on a glass substrate; peeling the ceramic coating layer from the glass substrate with a first etching solution to form a first roughness on the surface of the glass substrate; 2 etching the surface of the glass substrate with an etching solution to form a second roughness on the surface of the glass substrate.

Description

안티 글레어 글래스 제조 방법{Method of processing an anti glare glass}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method of manufacturing an anti glare glass,

본 발명은 안티 글레어 글래스 제조 방법에 관한 것으로, 유리 기판의 눈부심을 방지하기 위한 안티 글레어 글래스 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing an anti glare glass, and relates to a method of manufacturing an anti glare glass for preventing the glare of the glass substrate.

일반적으로 유리 기판은 빛의 반사로 인해 눈부심이 발생한다. 상기 유리 기판의 눈부심을 방지하기 위해 상기 유리 기판의 표면을 다양한 방법으로 처리한다. Generally, glass substrates are glazed due to reflection of light. The surface of the glass substrate is treated in various ways to prevent the glare of the glass substrate.

우선, 상기 유리 기판의 표면을 식각 용액으로 식각하여 상기 유리 기판에 표면 거칠기를 형성할 수 있다. 상기 표면 거칠기로 인해 빛의 난반사가 일어나 눈부심을 방지할 수 있다. 그러나, 상기 유리 기판의 표면 거칠기를 조절하기가 어려운 문제점이 있다.First, the surface of the glass substrate is etched with an etching solution to form a surface roughness on the glass substrate. It is possible to prevent glare due to irregular reflection of light due to the surface roughness. However, there is a problem that it is difficult to control the surface roughness of the glass substrate.

또한, 상기 유리 기판의 표면에 빛의 굴절할 수 있는 안티 글래어(anti glare) 필름을 부착하여 상기 눈부심을 방지할 수 있다. 그러나, 상기 필름은 고굴절 필름과 저굴절 필름을 교대로 부착하여야 하므로 상기 유리 기판의 단가가 높아질 수 있다.Further, an anti-glare film capable of refracting light can be attached to the surface of the glass substrate to prevent the glare. However, since the high refraction film and the low refraction film are alternately adhered to the film, the cost of the glass substrate can be increased.

본 발명은 저렴한 비용으로 유리 기판이 균일한 표면 거칠기를 가질 수 있는 안티 글레어 글래스 제조 방법을 제공한다. The present invention provides a method for producing an anti glare glass in which a glass substrate can have a uniform surface roughness at low cost.

본 발명에 따른 안티 글레어 글래스 제조 방법은 유리 기판 상에 균일한 두께를 갖는 세라믹 코팅층을 형성하는 단계와, 제1 식각 용액으로 상기 세라믹 코팅층을 상기 유리 기판으로부터 박리하여 유리 기판의 표면에 제1 거칠기를 형성하는 단계 및 제2 식각 용액으로 상기 유리 기판의 표면을 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 제2 표면 거칠기를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. A method for manufacturing an anti-glare glass according to the present invention includes the steps of: forming a ceramic coating layer having a uniform thickness on a glass substrate; peeling the ceramic coating layer from the glass substrate with a first etching solution to form a first roughness And forming a second surface roughness on the surface of the glass substrate by etching the surface of the glass substrate with a second etching solution.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 세라믹 코팅층 형성은 용사 코팅 공정에 의해 이루어질 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the ceramic coating layer may be formed by a spray coating process.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 유리 기판 표면의 제1 표면 거칠기를 조절하기 위해 상기 용사 코팅 공정시 세라믹 분말의 입자 크기를 조절할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the particle size of the ceramic powder may be adjusted during the spray coating process to adjust the first surface roughness of the glass substrate surface.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 세라믹 분말의 입자 크기는 20 내지 30㎛ 일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the particle size of the ceramic powder may be 20 to 30 占 퐉.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 세라믹 코팅층의 두께는 10 내지 25㎛ 일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the thickness of the ceramic coating layer may be 10 to 25 占 퐉.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 세라믹 코팅층의 박리는 상기 세라믹 코팅층이 형성된 유리 기판을 상기 제1 식각 용액에 침지하거나 상기 세라믹 코팅 층이 형성된 유리 기판으로 상기 제1 식각 용액을 분사하여 이루어질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the ceramic coating layer may be peeled by dipping the glass substrate on which the ceramic coating layer is formed in the first etching solution or spraying the first etching solution onto the glass substrate on which the ceramic coating layer is formed .

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 제1 식각 용액은 불산, 질산 및 물의 혼합 용액으로 이루어지며, 상기 불산, 질산 및 물의 중량 퍼센트비는 5~10 : 10~30 : 60~85 일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first etching solution is composed of a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid and water, and the ratio by weight of hydrofluoric acid, nitric acid and water is 5 to 10:10 to 30:60 to 85 have.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 유리 기판의 식각은 상기 제1 거칠기를 갖는 유리 기판을 상기 제2 식각 용액에 침지하거나 상기 제1 거칠기를 갖는 유리 기판으로 상기 제2 식각 용액을 분사하여 이루어질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the etching of the glass substrate is performed by immersing the glass substrate having the first roughness in the second etching solution or spraying the second etching solution onto the glass substrate having the first roughness Lt; / RTI >

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 제2 식각 용액은 불산, 염산, 질산 및 물의 혼합 용액으로 이루어지며, 상기 불산, 염산, 질산 및 물의 중량 퍼센트비는 30~70 : 10~20 : 0.5~5 : 5~59.5 일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the second etching solution comprises a mixed solution of hydrofluoric acid, hydrochloric acid, nitric acid and water, and the ratio by weight of hydrofluoric acid, hydrochloric acid, nitric acid and water is 30 to 70:10 to 20: 0.5 ~ 5: 5 ~ 59.5.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 제1 표면 거칠기는 10점 평균 거칠기(Rz) 값이 1 내지 2 ㎛ 이고, 상기 제2 표면 거칠기는 10점 평균 거칠기(Rz) 값이 0.6 내지 1.3 ㎛ 일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the first surface roughness has a 10-point average roughness (Rz) value of 1 to 2 탆, the second surface roughness has a 10-point average roughness (Rz) value of 0.6 to 1.3 탆 Lt; / RTI >

본 발명에 따른 유리 기판 처리 방법은 용사 코팅 공정을 이용하여 형성된 세라믹 코팅막을 식각하여 유리 기판의 표면에 제1 거칠기를 형성하고, 제1 거칠기를 갖는 유리 기판을 식각하여 상기 유리 기판 표면에 제2 거칠기를 균일하게 형성할 수 있다. 따라서, 상기 유리 기판의 눈부심을 방지할 수 있다.A method of processing a glass substrate according to the present invention includes the steps of: forming a first roughness on a surface of a glass substrate by etching a ceramic coating film formed using a spray coating process; etching a glass substrate having a first roughness to form a second The roughness can be uniformly formed. Therefore, the glare of the glass substrate can be prevented.

그리고, 상기 용사 코팅 공정시 세라믹 분말의 크기를 조절하여 상기 유리 기판 표면에 형성되는 거칠기를 용이하게 조절할 수 있다.In addition, it is possible to control the roughness formed on the surface of the glass substrate by controlling the size of the ceramic powder during the spray coating process.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 안티 글레어 글래스 제조 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a method of manufacturing an anti-glare glass according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또 는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1은 본 발명에 따른 유리 기판 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 2 내지 도 6은 도 1에 도시된 유리 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면들이다.FIG. 1 is a flowchart for explaining a method of processing a glass substrate according to the present invention, and FIGS. 2 to 6 are views for explaining a glass substrate processing method shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 플라즈마 건(10)은 음극(12), 양극(14), 외주부(15), 지지대(16) 및 분말 주입구(17)를 포함한다. 그리고 플라즈마 건(10)의 내부에 형성되는 가스 주입구(11)를 통해서 플라즈마 가스가 주입된다. 상기 플라즈마 가스는 아르곤 가스, 헬륨 가스 등의 불활성 가스이거나 수소 가스 또는 산소 가스와 같은 비활성 가스일 수 있다. 이들 불활성 가스와 비활성 가스는 단독으로 사용될 수 있지만 혼합되어 사용될 수도 있다.1 and 2, the plasma gun 10 includes a cathode 12, an anode 14, a peripheral portion 15, a support 16, and a powder inlet 17. A plasma gas is injected through the gas injection port 11 formed in the plasma gun 10. The plasma gas may be an inert gas such as argon gas or helium gas, or an inert gas such as hydrogen gas or oxygen gas. These inert gas and inert gas may be used alone, but may be mixed and used.

구체적으로 가스 주입구는 외주부(15)와 음극(12)사이에 형성되며 최종적으로 양극(14) 사이의 좁은 공간까지 연장된다. 가스 주입구로 주입된 플라즈마 가스는 음극(12)과 양극(14) 사이에 걸리는 고전압 직류 고전력에 의해서 플라즈마 불꽃으로 변화되어 플라즈마 건(10)으로부터 분사된다.Specifically, a gas injection port is formed between the outer peripheral portion 15 and the cathode 12 and finally extends to a narrow space between the anodes 14. The plasma gas injected into the gas injection port is converted into a plasma flame by the high voltage DC high power applied between the cathode 12 and the anode 14 and is injected from the plasma gun 10.

이 때 상기 고전압 직류 고전력은 플라즈마 가스를 플라즈마 불꽃으로 변화시킬 수 있을 만큼 충분한 수치를 가져야 하며 일반적으로 약 30kV 내지 약 100kv의 전압 조건과 약 400A 내지 약 1000A의 전류 조건으로 인가되게 된다.The high voltage DC high power should have a sufficient value to convert the plasma gas into a plasma flame and is generally applied at a voltage of about 30 kV to about 100 kV and a current of about 400 A to about 1000 A. [

도 2에 도시된 바와 같이 음극(12)의 끝부분은 플라즈마 불꽃을 용이하게 발생시키기 위하여 날카로운 형상을 갖는다. 또한 음극(12)의 끝부분은 플라즈마 불꽃(18)의 발생으로 인한 침식과 같은 손상을 방지하기 위하여 통상적으로 물리적으로 강한 강도 및 경도를 갖는 텅스텐 또는 텅스텐 강화 금속 등을 포함한다.As shown in FIG. 2, the end of the cathode 12 has a sharp shape for easily generating a plasma flame. In addition, the end of the cathode 12 typically includes tungsten or tungsten-reinforced metal or the like having physically strong strength and hardness in order to prevent damage such as erosion due to the generation of the plasma flame 18.

양극(14)은 일반적으로 구리 도는 구리 합금과 같은 도전성 물질을 사용하여 형성한다. 또한 양극(14)의 내부에는 냉각 통로(13)가 형성되며 냉각 통로(13)를 통해서 양극(14)에 가해지는 열이 외부로 방출하도록 구성된다. 냉각 통로(13)가 구성되므로서 양극(14)에 가해지는 열적 손상을 최소화 시킬수 있으며 결과적으로 양극(14)의 수명을 연장시킬 수 있다.The anode 14 is generally formed using a conductive material such as copper or a copper alloy. A cooling passage 13 is formed in the anode 14 and the heat applied to the anode 14 through the cooling passage 13 is discharged to the outside. The cooling passage 13 is formed to minimize the thermal damage to the anode 14 and consequently to extend the lifetime of the anode 14.

외주부(15)는 플라즈마 건(10)의 외각에 위치하는 부분으로서 그 내부에는 음극(12)이 위치하며 양극(14)을 지지하는 기능을 한다. 외주부(15) 역시 플라즈마 불꽃의 발생으로 인한 열적 손상을 최소화 할 수 있는 물질로 구성되는 것이 바람직하다.The outer peripheral portion 15 is a portion located on the outer periphery of the plasma gun 10, and the cathode 12 is disposed inside the outer peripheral portion 15 and functions to support the cathode 14. The outer circumferential portion 15 is preferably made of a material capable of minimizing thermal damage due to the generation of a plasma flame.

외주부의 일측에는 지지대(16)가 결합되어 있으며 지지대(16)에는 분말 주입구(17)가 위치한다. 분말 주입구(17)를 통해서 플라즈마 불꽃에 세라믹 분말을 제공할 수 있다. 분말 주입구(17)를 통해서 플라즈마 불꽃에 제공된 세라믹 분말은 용융되어 플라즈마 건(10)과 마주보는 유리 기판(100)을 향해 분사된다. A support base 16 is coupled to one side of the outer peripheral portion and a powder injection port 17 is disposed on the support base 16. Ceramic powder can be provided to the plasma flame through the powder inlet 17. The ceramic powder supplied to the plasma flame through the powder inlet 17 is melted and ejected toward the glass substrate 100 facing the plasma gun 10. [

상기 분사된 세라믹 분말(18)은 상기 유리 기판(100)에 접착되어 세라믹 코팅층(110)을 형성한다(S110). 상기 세라믹 코팅층(110)은 상기 유리 기판(100)의 일면에만 형성되는 것이 바람직하나, 필요에 따라 상기 유리 기판(100)의 양면에 형성될 수도 있다. The injected ceramic powder 18 is adhered to the glass substrate 100 to form a ceramic coating layer 110 (S110). The ceramic coating layer 110 is preferably formed on only one side of the glass substrate 100, but may be formed on both sides of the glass substrate 100 if necessary.

상기 플라즈마 건(10)은 상기 유리 기판(100)의 코팅층 형성면과 평행한 방향으로 일정 피치만큼 이동하면서 상기 세라믹 코팅층(110)을 형성한다. 상기 피치가 약 5mm를 초과하는 경우, 상기 유리 기판(100) 상에 세라믹 코팅층(110)이 형성되지 않는 부분이 발생한다. 또한, 상기 피치가 약 3mm 미만인 경우, 상기 세라믹 코팅층(110)이 중첩되는 부분이 발생한다. 즉, 상기 세라믹 코팅층(110)이 균일한 두께로 형성되지 않는다. 따라서, 균일한 두께의 세라믹 코팅층(110)을 형성하기 위해서는 상기 플라즈마 건(10)을 약 3 내지 5mm의 피치로 이동하는 것이 바람직하다. The plasma gun 10 forms the ceramic coating layer 110 while moving by a predetermined pitch in a direction parallel to the coating layer forming surface of the glass substrate 100. When the pitch exceeds about 5 mm, a portion where the ceramic coating layer 110 is not formed is formed on the glass substrate 100. In addition, when the pitch is less than about 3 mm, a portion where the ceramic coating layer 110 overlaps is generated. That is, the ceramic coating layer 110 is not formed to have a uniform thickness. Therefore, in order to form the ceramic coating layer 110 having a uniform thickness, it is preferable to move the plasma gun 10 at a pitch of about 3 to 5 mm.

상기 플라즈마 건(10)에서 분사되는 세라믹 분말의 속도가 약 18,000 cm/min보다 빠른 경우, 상기 유리 기판(100) 상에 세라믹 코팅층(110)이 형성되지 않는 부분이 발생한다. 또한, 상기 플라즈마 건(10)에서 분사되는 세라믹 분말의 속도가 약 4,000 cm/min 미만인 경우, 상기 세라믹 코팅층(110)이 중첩되는 부분이 발생한다. 즉, 상기 세라믹 코팅층(110)이 균일한 두께로 형성되지 않는다. 따라서, 균일한 두께의 세라믹 코팅층(110)을 형성하기 위해서는 상기 플라즈마 건(10)에서 분사되는 세라믹 분말의 속도가 약 4,000 내지 18,000 cm/min 속도를 갖는 것이 바람직하다. When the velocity of the ceramic powder injected from the plasma gun 10 is higher than about 18,000 cm / min, a portion where the ceramic coating layer 110 is not formed is formed on the glass substrate 100. In addition, when the speed of the ceramic powder injected from the plasma gun 10 is less than about 4,000 cm / min, a portion where the ceramic coating layer 110 overlaps is generated. That is, the ceramic coating layer 110 is not formed to have a uniform thickness. Therefore, in order to form the ceramic coating layer 110 having a uniform thickness, it is preferable that the speed of the ceramic powder injected from the plasma gun 10 is about 4,000 to 18,000 cm / min.

상기 플라즈마 건(10)과 상기 유리 기판(100) 사이의 거리가 약 50 cm 보다 먼 경우, 상기 유리 기판(100) 상에 세라믹 코팅층(110)이 형성되지 않는 부분이 발생하고, 상기 플라즈마 건(10)과 상기 유리 기판(100) 사이의 거리가 약 10cm 보다 가까운 경우, 상기 세라믹 코팅층(110)이 중첩되는 부분이 발생한다. 즉, 상기 세라믹 코팅층(110)의 두께가 불균일하다. 또한, 상기 플라즈마 건(10)과 상기 유리 기판(100) 사이의 거리가 약 10cm 보다 가까운 경우, 상기 용융된 세라믹 분말에 의한 열 충격으로 상기 유리 기판(100)이 손상될 수 있다. 따라서, 균일한 두께의 세라믹 코팅층(110)을 형성하고 상기 열충격을 방지하기 위해서는 상기 플라즈마 건(10)과 상기 유리 기판(100) 사이의 거리가 약 10 내지 50 cm 사이의 범위를 갖는 것이 바람직하다. When the distance between the plasma gun 10 and the glass substrate 100 is greater than about 50 cm, a portion where the ceramic coating layer 110 is not formed occurs on the glass substrate 100, 10 and the glass substrate 100 is less than about 10 cm, a portion where the ceramic coating layer 110 is overlapped is generated. That is, the thickness of the ceramic coating layer 110 is uneven. In addition, when the distance between the plasma gun 10 and the glass substrate 100 is less than about 10 cm, the glass substrate 100 may be damaged due to thermal shock caused by the melted ceramic powder. Therefore, in order to form the ceramic coating layer 110 having a uniform thickness and prevent the thermal shock, it is preferable that the distance between the plasma gun 10 and the glass substrate 100 is in the range of about 10 to 50 cm .

일반적으로 세라믹 분말은 분말로서 코팅층을 형성할 수 있는 모든 비금속 무기질 고체들이 사용될 수 있다. 상기 세라믹 분말의 예로는 Al2O3, Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2,BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 등을 들 수 있다. 이들은 단독 혹은 복합적으로 사용될 수 있다. In general, all non-metallic inorganic solids capable of forming a coating layer as a powder of ceramic powder can be used. Examples of the ceramic powder include Al2O3, Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite and AlF3. These may be used alone or in combination.

상기 세라믹 분말의 크기는 다양하게 조절될 수 있으나, 약 20 내지 30 ㎛ 인 것이 바람직하다. The size of the ceramic powder may be variously adjusted, but it is preferably about 20 to 30 탆.

상기 세라믹 코팅층(110)은 상기 플라즈마 건(10)을 이용한 용사 코팅 공정에 의해 형성되므로 균일한 두께를 갖는다. 상기 세라믹 코팅층(110)은 약 10 내지 25㎛의 두께를 갖는 것이 바람직하다. The ceramic coating layer 110 is formed by a spray coating process using the plasma gun 10, so that the ceramic coating layer 110 has a uniform thickness. The ceramic coating layer 110 preferably has a thickness of about 10 to 25 탆.

상기 세라믹 코팅층(110)의 두께가 약 25㎛를 초과하는 경우, 상기 세라믹 코팅층(110)이 상기 유리 기판(100)으로부터 박리될 수 있다. 특히, 상기 유리 기판(100)의 표면 거칠기가 낮은 경우, 상기 세라믹 코팅층(110)이 상기 유리 기판(100)으로부터 박리될 가능성이 높다. When the thickness of the ceramic coating layer 110 exceeds about 25 탆, the ceramic coating layer 110 can be peeled off from the glass substrate 100. Particularly, when the surface roughness of the glass substrate 100 is low, there is a high possibility that the ceramic coating layer 110 is peeled off from the glass substrate 100.

상기 세라믹 코팅층(110)의 두께가 약 10㎛ 미만인 경우, 상기 세라믹 코팅층(110)의 두께가 얇아 상기 유리 기판(100)에 상기 세라믹 코팅층(110)을 균일하게 형성하기 어렵다. 특히, 상기 유리 기판(100)의 표면 거칠기가 낮은 경우, 상기 세라믹 코팅층(110)과 상기 유리 기판(100)의 표면의 접착력이 저하로 인해 상기 세라믹 코팅층(110)이 균일하게 형성되지 않는다.When the thickness of the ceramic coating layer 110 is less than about 10 탆, it is difficult to uniformly form the ceramic coating layer 110 on the glass substrate 100 because the thickness of the ceramic coating layer 110 is thin. Particularly, when the surface roughness of the glass substrate 100 is low, the ceramic coating layer 110 is not formed uniformly due to a decrease in adhesion between the ceramic coating layer 110 and the surface of the glass substrate 100.

상기 세라믹 코팅층(110)이 균일한 두께를 갖지 않는 경우, 후술하는 식각 공정시 상기 세라믹 코팅층(110)의 얇은 부분과 두꺼운 부분에서 상기 유리 기판(100)에 대한 식각 속도 차이가 발생한다. 따라서, 상기 세라믹 코팅층(110)이 얇은 부분에서의 유리 기판(100) 표면이 과도하게 식각되므로, 상기 세라믹 코팅층(110)이 식각된 유리 기판(100)에서 일정 길이 내의 5개의 산높이와 2개의 골 깊이의 평균을 취한 10점 평균 거칠기(Rz) 값을 원하는 수준으로 얻을 수 없다. 또한, 상기 유리 기판(110)의 각 부분에서 상기 10점 평균 거칠기(Rz) 값이 서로 다르므로, 상기 유리 기판(100)에서 부분적으로 반사도가 높아져서 눈부심 현상이 발생하거나, 상기 유리 기판(100)이 뿌옇게 되는 현상이 발생할 수 있다.When the ceramic coating layer 110 does not have a uniform thickness, a difference in etching speed with respect to the glass substrate 100 occurs in a thin portion and a thick portion of the ceramic coating layer 110 in an etching process, which will be described later. Therefore, since the surface of the glass substrate 100 in the thin portion of the ceramic coating layer 110 is excessively etched, the height of the glass substrate 100 on which the ceramic coating layer 110 is etched is set to five mountain heights and two The 10-point average roughness (Rz) value obtained by taking the average of the bone depths can not be obtained at a desired level. In addition, since the 10-point average roughness (Rz) values are different from each other in each portion of the glass substrate 110, the degree of reflectivity of the glass substrate 100 may partially increase to cause glare, This phenomenon may occur.

상기 세라믹 코팅층(110)은 상기 세라믹 분말의 입자 크기로 인해 표면 거칠기를 갖는다. 상기 세라믹 분말의 입자 크기가 크면 상기 표면 거칠기 값이 커지고, 상기 세라믹 분말의 입자 크기가 작으면 상기 표면 거칠기 값이 작아진다. 상 기 세라믹 코팅층(110)의 표면 거칠기는 중심선에서 단면곡선까지의 평균 높이인 중심선평균 거칠기(Ra) 값이 약 2 내지 5㎛ 인 것이 바람직하다. 상기 표면 거칠기의 중심선평균 거칠기 값이 약 2 ㎛ 미만인 경우, 상기 유리 기판(100) 표면에 거칠기를 형성하기 어렵다. 상기 표면 거칠기의 중심선평균 거칠기 값이 약 5 ㎛를 초과하는 경우, 상기 유리 기판(100)의 반사도가 낮아 눈부심 현상을 억제할 수 있으나 상기 유리 기판(100) 표면에 형성되는 거칠기가 너무 커 표면이 뿌옇게 흐려질 수 있다.The ceramic coating layer 110 has a surface roughness due to the particle size of the ceramic powder. When the particle size of the ceramic powder is large, the surface roughness value becomes large. When the particle size of the ceramic powder is small, the surface roughness value becomes small. The surface roughness of the ceramic coating layer 110 is preferably about 2 to 5 占 퐉, wherein the center line average roughness (Ra) value is an average height from the center line to the sectional curve. When the center line average roughness value of the surface roughness is less than about 2 탆, it is difficult to form roughness on the surface of the glass substrate 100. When the centerline average roughness value of the surface roughness exceeds about 5 탆, the degree of reflection of the glass substrate 100 is low, so that the glare phenomenon can be suppressed. However, the roughness formed on the surface of the glass substrate 100 is too large, It can be cloudy.

또한, 상기 표면 거칠기 값에 따라 상기 세라믹 코팅층(110)의 기공 크기가 달라진다. 일 예로, 상기 표면 거칠기 값이 큰 경우, 상기 세라믹 분말 입자 크기가 커 상기 기공의 크기도 커진다. 다른 예로, 상기 표면 거칠기 값이 큰 경우, 상기 세라믹 분말 입자 크기가 작으므로 상기 기공의 크기도 작아진다. Also, the pore size of the ceramic coating layer 110 varies depending on the surface roughness value. For example, when the surface roughness value is large, the size of the ceramic powder particle is large and the size of the pore becomes large. As another example, when the surface roughness value is large, the size of the pores is also small because the size of the ceramic powder particles is small.

상기 플라즈마 건(10)으로 공급되는 세라믹 분말의 입자 크기를 조절하여 상기 세라믹 코팅층(110)의 표면 거칠기를 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 플라즈마 건(10)으로 공급되는 세라믹 분말의 입자 크기를 작으면, 상기 세라믹 코팅층(110)의 표면 거칠기도 작아진다. 반대로, 상기 플라즈마 건(10)으로 공급되는 세라믹 분말의 입자 크기가 크면, 상기 세라믹 코팅층(110)의 표면 거칠기도 커진다. The surface roughness of the ceramic coating layer 110 can be controlled by controlling the particle size of the ceramic powder supplied to the plasma gun 10. For example, when the particle size of the ceramic powder supplied to the plasma gun 10 is small, the surface roughness of the ceramic coating layer 110 is also reduced. On the contrary, if the particle size of the ceramic powder supplied to the plasma gun 10 is large, the surface roughness of the ceramic coating layer 110 becomes large.

상기 세라믹 코팅층(110)의 형성시 상기 용융된 세라믹 분말에 의한 열 충격에 의해 상기 세라믹 코팅층(110)과 상기 유리 기판(100)의 계면에 미세한 크랙이 발생한다. 상기 세라믹 분말의 크기가 클수록, 상기 세라믹 분말의 분사 속도가 클 수록 상기 크랙의 크기가 증가한다.When the ceramic coating layer 110 is formed, fine cracks are generated in the interface between the ceramic coating layer 110 and the glass substrate 100 by thermal shock caused by the melted ceramic powder. As the size of the ceramic powder increases, the size of the crack increases as the injection speed of the ceramic powder increases.

도 1 및 도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 세라믹 코팅층(110)이 형성된 유리 기판(100)으로 제1 식각 용액(20)을 공급한다. Referring to FIGS. 1 and 3 to 5, the first etching solution 20 is supplied to the glass substrate 100 on which the ceramic coating layer 110 is formed.

상기 제1 식각 용액(20)은 불산(HF)을 포함하는 혼합 용액일 수 있다. 일 예로, 상기 제1 식각 용액(20)은 불산 수용액일 수 있다. 다른 예로, 상기 제1 식각 용액(20)은 불산, 질산 및 물의 혼합 용액일 수 있다. 이때, 상기 불산, 질산 및 물의 중량 퍼센트비는 약 5~10 : 10~30 : 60~85 일 수 있다. The first etching solution 20 may be a mixed solution containing hydrofluoric acid (HF). For example, the first etching solution 20 may be an aqueous solution of hydrofluoric acid. As another example, the first etching solution 20 may be a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid, and water. In this case, the weight percentage of hydrofluoric acid, nitric acid, and water may be about 5:10 to 30:60 to 85.

일 예로, 도 3과 같이 상기 유리 기판(100)을 제1 식각 용액(20)이 담긴 용기(30)에 침지하여 상기 유리 기판(100)으로 제1 식각 용액(20)을 공급할 수 있다. 상기 제1 식각 용액(20)이 상기 불산, 질산 및 물의 혼합 용액인 경우, 상기 유리 기판(100)은 약 10 내지 300분 정도 상기 제1 식각 용액(20)에 침지될 수 있다. 다른 예로, 도 4와 같이 상기 제1 식각 용액(20)을 분사 노즐(40)로 분사하여 상기 유리 기판(100)으로 제1 식각 용액(20)을 공급할 수 있다. 이때, 상기 유리 기판(100)을 수직으로 세워진 상태이며, 다수의 분사 노즐(40)에서 상기 제1 식각 용액(20)이 상기 유리 기판(100)으로 균일하게 제공된다. For example, the glass substrate 100 may be immersed in a container 30 containing a first etching solution 20 to supply the first etching solution 20 to the glass substrate 100, as shown in FIG. When the first etching solution 20 is a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid, and water, the glass substrate 100 may be immersed in the first etching solution 20 for about 10 to 300 minutes. As another example, the first etching solution 20 may be supplied to the glass substrate 100 by spraying the first etching solution 20 with the injection nozzle 40, as shown in FIG. At this time, the glass substrate 100 is vertically erected, and the first etching solution 20 is uniformly supplied to the glass substrate 100 from the plurality of injection nozzles 40.

상기 제1 식각 용액(20)은 상기 세라믹 코팅층(110)의 기공과 크랙을 통해 상기 세라믹 코팅층(110)이 형성된 유리 기판(100)의 표면으로 침투한다. The first etching solution 20 penetrates the surface of the glass substrate 100 on which the ceramic coating layer 110 is formed through pores and cracks of the ceramic coating layer 110.

상기 기공은 상기 세라믹 코팅층(110) 전체에 분포되고 상기 크랙은 상기 세라믹 코팅층(110)과 상기 유리 기판(100)의 계면에 분포되어 있으므로, 상기 제1 식각 용액(20)의 플루오르(F) 성분이 상기 기공과 크랙을 통해 침투하여 상기 유리 기판(100)의 표면을 식각한다. 따라서, 상기 기공과 크랙이 위치한 부분의 유리 기판(100)은 상대적으로 많이 식각되고, 상기 기공과 크랙이 위치하지 않은 부분의 유리 기판(100)은 상대적으로 적게 식각된다. 상기 세라믹 코팅층(110)은 상기 유리 기판(100)의 식각에 의해 상기 유리 기판(100)으로부터 박리될 수 있다. Since the pores are distributed throughout the ceramic coating layer 110 and the cracks are distributed at the interface between the ceramic coating layer 110 and the glass substrate 100, the fluorine (F) component of the first etching solution 20 Penetrates through the pores and cracks, and the surface of the glass substrate 100 is etched. Therefore, the glass substrate 100 at the portion where the pores and cracks are located is relatively etched relatively, and the glass substrate 100 where the pores and cracks are not located is relatively less etched. The ceramic coating layer 110 may be peeled from the glass substrate 100 by etching the glass substrate 100.

한편, 상기 세라믹 코팅층(110)이 상기 유리 기판(100)과 동일한 재질로 이루어지는 경우, 상기 세라믹 코팅층(110)은 상기 유리 기판(100)과 동시에 식각될 수 있다. If the ceramic coating layer 110 is made of the same material as the glass substrate 100, the ceramic coating layer 110 may be etched at the same time as the glass substrate 100.

이때, 상기 제1 식각 용액(20)에 의해 박리 또는 식각되는 상기 세라믹 코팅층(110)의 두께와 상기 유리 기판(100)의 두께의 합은 약 50 내지 300 ㎛ 정도이다. At this time, the sum of the thickness of the ceramic coating layer 110 and the thickness of the glass substrate 100, which are peeled or etched by the first etching solution 20, is about 50 to 300 μm.

상기 제1 식각 용액(20)에의 침지 또는 상기 제1 식각 용액(20)의 분사로 인해 상기 유리 기판(100)은 상기 제1 식각 용액(20)과 균일하게 접촉하므로, 상기 유리 기판(100)이 균일하게 식각될 수 있다. The glass substrate 100 is uniformly in contact with the first etching solution 20 due to the immersion in the first etching solution 20 or the injection of the first etching solution 20, Can be uniformly etched.

따라서, 상기 세라믹 코팅층(110)을 박리하면서 상기 유리 기판(100)을 식각하여 상기 세라믹 코팅층(110)이 형성된 면에 제1 표면 거칠기(120)를 형성할 수 있다(S120). Accordingly, the first surface roughness 120 may be formed on the surface of the ceramic coating layer 110 by etching the glass substrate 100 while stripping the ceramic coating layer 110 (S120).

이때, 제1 표면 거칠기(120)의 10점 평균 거칠기(Rz) 값은 약 1 내지 2 ㎛ 인 것이 바람직하다. 10점 평균 거칠기(Rz) 값이 약 1 ㎛ 미만이거나 약 2 ㎛를 초과하는 경우, 후속하는 식각 공정을 통해 상기 유리 기판(100)에 원하는 거칠기를 형성하기 어렵다. At this time, the 10-point average roughness (Rz) value of the first surface roughness 120 is preferably about 1 to 2 占 퐉. When the 10-point average roughness (Rz) value is less than about 1 占 퐉 or more than about 2 占 퐉, it is difficult to form a desired roughness on the glass substrate 100 through a subsequent etching process.

상기 유리 기판(100)에서 상기 세라믹 코팅층(110)이 형성되지 않은 면은 상기 제1 식각 용액(20)에 의해 균일하게 식각되므로, 상기 유리 기판(100)의 두께가 감소될 수 있다.Since the surface of the glass substrate 100 on which the ceramic coating layer 110 is not formed is uniformly etched by the first etching solution 20, the thickness of the glass substrate 100 can be reduced.

도 1 및 도 6을 참조하면, 제1 표면 거칠기(120)를 갖는 유리 기판(100)으로 제2 식각 용액을 공급한다. Referring to FIGS. 1 and 6, a second etching solution is supplied to a glass substrate 100 having a first surface roughness 120.

상기 제2 식각 용액은 불산(HF)을 포함하는 혼합 용액일 수 있다. 일 예로, 상기 제2 식각 용액은 불산 수용액일 수 있다. 다른 예로, 상기 제2 식각 용액은 불산, 염산, 질산 및 물의 혼합 용액일 수 있다. 이때, 상기 염산, 불산, 질산 및 물의 중량 퍼센트비는 약 30~70 : 10~20 : 0.5~5 : 5~59.5 일 수 있다. The second etching solution may be a mixed solution containing hydrofluoric acid (HF). For example, the second etching solution may be an aqueous solution of hydrofluoric acid. As another example, the second etching solution may be a mixed solution of hydrofluoric acid, hydrochloric acid, nitric acid, and water. The ratio by weight of hydrochloric acid, hydrofluoric acid, nitric acid, and water may be about 30 to 70:10 to 20: 0.5 to 5: 5 to 59.5.

일 예로, 상기 유리 기판(100)을 제2 식각 용액이 담긴 용기에 침지하여 상기 유리 기판(100)으로 제2 식각 용액을 공급할 수 있다. 다른 예로, 상기 제2 식각 용액을 분사 노즐로 분사하여 상기 유리 기판(100)으로 제2 식각 용액을 공급할 수 있다. 이때, 상기 유리 기판(100)을 수직으로 세워진 상태이며, 다수의 분사 노즐에서 상기 제2 식각 용액이 상기 유리 기판(100)으로 균일하게 제공된다. For example, the glass substrate 100 may be immersed in a container containing a second etching solution to supply the second etching solution to the glass substrate 100. As another example, the second etching solution may be injected into the injection nozzle to supply the second etching solution to the glass substrate 100. At this time, the glass substrate 100 is vertically erected, and the second etching solution is uniformly supplied to the glass substrate 100 from a plurality of injection nozzles.

따라서, 상기 제2 식각 용액으로 상기 제1 표면 거칠기(120)가 형성된 유리 기판(100)을 식각하여 제2 표면 거칠기(130)를 형성할 수 있다(S130). Accordingly, the second surface roughness 130 may be formed by etching the glass substrate 100 having the first surface roughness 120 formed thereon with the second etching solution (S130).

상기 유리 기판(100)에서 돌출된 부분은 상기 제2 식각 용액과 접촉 면적이 넓어 상대적으로 많이 식각되고, 상기 유리 기판(100)에서 오목한 부분은 상기 제2 식각 용액과 접촉 면적이 좁아 상대적으로 적게 식각된다. 따라서, 제2 표면 거칠기(130)의 값은 상기 제1 표면 거칠기(120)의 값보다 작을 수 있다. 예를 들면, 제 2 표면 거칠기(130)의 10점 평균 거칠기(Rz) 값은 약 0.6 내지 1.3 ㎛ 인 것이 바람직하며, 약 0.8 내지 1.2㎛인 것이 보다 바람직하다. A portion of the glass substrate 100 protruding from the glass substrate 100 is relatively more etched due to a large contact area with the second etchant solution and a concave portion of the glass substrate 100 has a relatively small contact area with the second etchant solution, Etched. Accordingly, the value of the second surface roughness 130 may be smaller than the value of the first surface roughness 120. [ For example, the 10-point average roughness (Rz) value of the second surface roughness 130 is preferably about 0.6 to 1.3 탆, more preferably about 0.8 to 1.2 탆.

상기 10점 평균 거칠기(Rz)가 약 1.3 ㎛를 초과하는 경우, 상기 유리 기판(100)의 반사도가 낮아 눈부심 현상이 일어나지 않지만 표면이 뿌옇게 흐려질 수 있다. 또한, 상기 10점 평균 거칠기(Rz)가 약 0.6 ㎛ 미만인 경우, 상기 유리 기판(100)이 깨끗하게 보이지만 과도하게 반사도가 높아져 눈부심 현상이 존재한다.When the 10-point average roughness (Rz) is more than about 1.3 占 퐉, the degree of reflection of the glass substrate 100 is low, so that the glare phenomenon does not occur but the surface may be cloudy. When the 10-point average roughness (Rz) is less than about 0.6 탆, the glass substrate 100 looks clean, but the reflectance is excessively high, and there is a glare phenomenon.

상기 제2 표면 거칠기가 형성된 유리 기판(100)을 상기 제2 식각 용액으로부터 꺼내거나 상기 제2 식각 용액의 분사를 중단한 후, 잔류하는 제2 식각 용액을 제거하기 위하여 상기 유리 기판(100)을 세정 및 건조하여 상기 유리 기판(100)의 표면 처리를 완료한다.The glass substrate 100 on which the second surface roughness is formed is taken out of the second etching solution or the injection of the second etching solution is stopped and then the glass substrate 100 is removed to remove the remaining second etching solution And the surface treatment of the glass substrate 100 is completed.

상기 안티 글레어 글래스 제조 방법을 이용하여 상기 유리 기판(100)에 상기 제2 표면 거칠기를 형성할 수 있으므로, 상기 유리 기판(100)으로 입사되는 빛을 난반사 하거나 굴절시켜 눈부심을 방지할 수 있다. 또한, 상기 안티 글레어 글래스 제조 방법은 공정이 단순하므로, 상기 유리 기판(100)의 표면 처리 비용을 줄일 수 있다.Since the second surface roughness can be formed on the glass substrate 100 using the anti-glare glass manufacturing method, the light incident on the glass substrate 100 can be diffused or refracted to prevent glare. In addition, the anti-glare glass manufacturing method can simplify the process and reduce the surface treatment cost of the glass substrate 100.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유리 기판 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 8 및 도 9는 도 7에 도시된 유리 기판 처리 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.FIG. 7 is a flow chart for explaining a glass substrate processing method according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 8 and 9 are sectional views for explaining the glass substrate processing method shown in FIG.

도 7 및 도 8을 참조하면, 유리 기판(200)의 표면에 블라스트 공정을 수행한다. 일 예로, 상기 블라스트 공정은 비드를 이용하여 이루어질 수 있다. 다른 예 로, 상기 블라스트 공정은 샌드를 이용하여 이루어질 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the surface of the glass substrate 200 is subjected to a blast process. For example, the blasting process may be performed using beads. As another example, the blasting process may be performed using a sand.

따라서, 유리 기판(200)의 표면에 제1 표면 거칠기(210)를 형성한다(S210). Accordingly, the first surface roughness 210 is formed on the surface of the glass substrate 200 (S210).

상기 제1 표면 거칠기(210)는 상기 유리 기판(200)에서 일정 길이 내의 5개의 산높이와 2개의 골 깊이의 평균을 취한 10점 평균 거칠기(Rz) 값이 약 1.2 내지 1.7 ㎛인 것이 바람직하다. 상기 제1 표면 거칠기(210)의 10점 평균 거칠기(Rz) 값이 약 1.2 ㎛ 미만이거나, 약 1.7 ㎛를 초과하는 경우, 후술하는 유리 기판(200)을 식각하더라도 상기 유리 기판(200)에 원하는 거칠기를 형성하기 어렵다. The first surface roughness 210 preferably has a ten-point average roughness (Rz) value of about 1.2 to 1.7 탆 obtained by taking an average of five mountain heights and two trough depths within a certain length on the glass substrate 200 . If the 10-point average roughness Rz of the first surface roughness 210 is less than about 1.2 占 퐉 or more than about 1.7 占 퐉, even if a glass substrate 200 described later is etched, It is difficult to form roughness.

상기 비드 또는 상기 샌드의 입자 크기에 따라 상기 제1 표면 거칠기(210)가 달라진다. 따라서, 상기 블라스트 공정시 상기 비드 또는 상기 샌드의 입자 크기를 조절하여 상기 제1 표면 거칠기(210)를 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 비드 또는 상기 샌드의 입자 크기가 작으면, 상기 유리 기판(200)의 제1 표면 거칠기(210)도 작아진다. 반대로, 예를 들면, 상기 비드 또는 상기 샌드의 입자 크기가 크면, 상기 유리 기판(200)의 제1 표면 거칠기(210)도 커진다.The first surface roughness 210 varies depending on the particle size of the beads or the sand. Accordingly, the first surface roughness 210 can be adjusted by controlling the particle size of the beads or the sand during the blast process. For example, if the particle size of the beads or the sand is small, the first surface roughness 210 of the glass substrate 200 also becomes small. Conversely, for example, if the particle size of the beads or the sand is large, the first surface roughness 210 of the glass substrate 200 also becomes large.

상기 블라스트 공정으로 인해 상기 유리 기판(200)의 표면에 다수의 마이크로 글래스와 마이크로 크랙(crack)이 존재한다. Due to the blast process, a large number of micro-glass and micro cracks exist on the surface of the glass substrate 200.

도 7 및 도 9를 참조하면, 상기 제1 표면 거칠기(210)를 갖는 유리 기판(200)으로 식각 용액을 공급한다. Referring to FIGS. 7 and 9, the etching solution is supplied to the glass substrate 200 having the first surface roughness 210.

상기 식각 용액은 불산(HF)을 포함하는 혼합 용액일 수 있다. 일 예로, 상기 식각 용액은 불산 수용액일 수 있다. 다른 예로, 상기 식각 용액은 불산, 질산 및 물의 혼합 용액일 수 있다. 이때, 상기 불산, 질산 및 물의 중량 퍼센트비는 약 5~10 : 10~30 : 60~85 일 수 있다. 또 다른 예로, 상기 식각 용액은 불산, 염산, 질산 및 물의 혼합 용액일 수 있다. 이때, 상기 불산, 염산, 질산 및 물의 중량 퍼센트비는 약 30~70 : 10~20 : 0.5~5 : 5~59.5 일 수 있다. The etching solution may be a mixed solution containing hydrofluoric acid (HF). As an example, the etching solution may be an aqueous solution of hydrofluoric acid. As another example, the etching solution may be a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid, and water. In this case, the weight percentage of hydrofluoric acid, nitric acid, and water may be about 5:10 to 30:60 to 85. As another example, the etching solution may be a mixed solution of hydrofluoric acid, hydrochloric acid, nitric acid, and water. At this time, the weight percentage of hydrofluoric acid, hydrochloric acid, nitric acid, and water may be about 30 to 70:10 to 20: 0.5 to 5: 5 to 59.5.

일 예로, 상기 유리 기판(200)을 식각 용액이 담긴 용기에 침지하여 상기 유리 기판(200)으로 식각 용액을 공급할 수 있다. 상기 식각 용액이 상기 불산, 질산 및 물의 혼합 용액인 경우, 상기 유리 기판(200)은 약 10 내지 300분 정도 상기 식각 용액에 침지될 수 있다. 다른 예로, 상기 식각 용액을 분사 노즐을 분사하여 상기 유리 기판(200)으로 식각 용액을 공급할 수 있다. 이때, 상기 유리 기판(200)을 수직으로 세워진 상태이며, 다수의 분사 노즐에서 상기 식각 용액이 상기 유리 기판(200)으로 균일하게 제공된다.For example, the glass substrate 200 may be immersed in a container containing the etching solution to supply the etching solution to the glass substrate 200. When the etching solution is a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid, and water, the glass substrate 200 may be immersed in the etching solution for about 10 to 300 minutes. As another example, the etching solution may be supplied to the glass substrate 200 by spraying the etching nozzle. At this time, the glass substrate 200 is vertically erected, and the etching solution is uniformly supplied to the glass substrate 200 from a plurality of injection nozzles.

상기 식각 용액은 상기 유리 기판(200)을 식각한다. 상기 식각 용액에 침지된 상기 유리 기판(200)은 상기 식각 용액과 균일하게 접촉하므로, 상기 유리 기판(200)이 균일하게 식각될 수 있다. 예를 들면, 상기 식각 용액은 상기 유리 기판(200) 표면의 마이크로 글래스를 식각하여 제거한다. 또한, 상기 식각 용액의 플루오르(F) 성분이 상기 마이크로 크랙을 따라 침투하여 상기 유리 기판(200)을 식각한다. The etching solution etches the glass substrate 200. The glass substrate 200 immersed in the etching solution is in uniform contact with the etching solution, so that the glass substrate 200 can be uniformly etched. For example, the etching solution etches the micro-glass on the surface of the glass substrate 200. Further, a fluorine (F) component of the etching solution penetrates along the micro cracks to etch the glass substrate 200.

따라서, 상기 유리 기판(200)을 식각하여 제2 표면 거칠기(220)를 형성할 수 있다(S220). Accordingly, the second surface roughness 220 can be formed by etching the glass substrate 200 (S220).

상기 유리 기판(200)에서 일정 길이 내의 5개의 산높이와 2개의 골 깊이의 평균을 취한 10점 평균 거칠기(Rz)는 약 0.6 내지 1.3 ㎛ 인 것이 바람직하며, 약 0.8 내지 1.2㎛인 것이 보다 바람직하다. The 10-point average roughness (Rz) obtained by taking the average of the five mountain heights and the two groove depths within a certain length in the glass substrate 200 is preferably about 0.6 to 1.3 탆, more preferably about 0.8 to 1.2 탆 Do.

상기 10점 평균 거칠기(Rz)가 약 1.3 ㎛를 초과하는 경우, 상기 유리 기판(200)의 반사도가 낮아 눈부심 현상을 방지할 수 있지만 표면이 뿌옇게 흐려질 수 있다. 또한, 상기 10점 평균 거칠기(Rz)가 약 0.6 ㎛ 미만인 경우, 상기 유리 기판(200)이 깨끗하게 보이지만 과도하게 반사도가 높아져 눈부심 현상이 발생할 수 있다.When the 10-point average roughness (Rz) is more than about 1.3 占 퐉, the degree of reflection of the glass substrate 200 is low to prevent glare, but the surface may be blurry. If the 10-point average roughness (Rz) is less than about 0.6 탆, the glass substrate 200 may appear clean, but the reflectance may be excessively increased, thereby causing glare.

이후, 상기 제2 표면 거칠기(220)가 형성된 유리 기판(200)을 상기 식각 용액으로부터 꺼내거나 상기 식각 용액의 분사를 중단한 후, 잔류하는 식각 용액을 제거하기 위하여 상기 유리 기판(200)을 세정 및 건조하여 상기 유리 기판(200)의 표면 처리를 완료한다.Thereafter, the glass substrate 200 on which the second surface roughness 220 is formed is taken out of the etching solution or the etching of the etching solution is stopped, and then the glass substrate 200 is cleaned And dried to complete the surface treatment of the glass substrate 200.

상기 안티 글레어 글래스 제조 방법을 이용하여 상기 유리 기판(200)에 상기 제2 표면 거칠기(220)를 형성할 수 있으므로, 상기 유리 기판(200)으로 입사되는 빛을 난반사하거나 굴절시켜 눈부심을 방지할 수 있다. 또한, 상기 안티 글레어 글래스 제조 방법은 공정이 단순하므로, 상기 유리 기판(200)의 표면 처리 비용을 줄일 수 있다.Since the second surface roughness 220 can be formed on the glass substrate 200 using the anti-glare glass manufacturing method, the light incident on the glass substrate 200 can be diffused or refracted to prevent glare have. In addition, the method of manufacturing the anti-glare glass can simplify the process and reduce the surface treatment cost of the glass substrate 200.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유리 기판 처리 방법은 용사 코팅 공정을 이용하여 형성된 세라믹 코팅막을 박리하여 유리 기판 표면에 제1 거칠기를 형성하고, 제1 거칠기를 갖는 유리 기판을 식각하여 제2 거칠기를 갖는 유리 기판을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 유리 기판의 눈부심을 방지할 수 있다.As described above, in the glass substrate processing method of the present invention, the ceramic coating film formed using the spray coating process is peeled off to form a first roughness on the glass substrate surface, the glass substrate having the first roughness is etched to form a second roughness Can be formed. Therefore, the glare of the glass substrate can be prevented.

그리고, 상기 용사 코팅 공정시 세라믹 분말의 크기를 조절하여 상기 유리 기판 표면에 형성되는 제1 거칠기 및 제2 거칠기를 용이하게 조절할 수 있다.The first roughness and the second roughness formed on the surface of the glass substrate can be easily controlled by adjusting the size of the ceramic powder during the spray coating process.

상기 안티 글레어 글래스 제조 방법은 공정이 단순하므로, 상기 유리 기판의 표면 처리 비용을 줄일 수 있다.Since the process for producing the anti glare glass is simple, the surface treatment cost of the glass substrate can be reduced.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 안티 글레어 글래스 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an anti glare glass according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 6은 도 1에 도시된 안티 글레어 글래스 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.FIGS. 2 to 6 are cross-sectional views illustrating the method of manufacturing the anti-glare glass shown in FIG.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 안티 글레어 글래스 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an anti-glare glass according to another embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9는 도 7에 도시된 안티 글레어 글래스 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.FIGS. 8 and 9 are cross-sectional views illustrating the method of manufacturing the anti-glare glass shown in FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Description of the Related Art [0002]

100 : 유리 기판 110 : 세라믹 코팅층100: glass substrate 110: ceramic coating layer

10 : 플라즈마 건 20 : 식각액10: plasma gun 20: etching liquid

30 : 용기 40 : 분사 노즐30: vessel 40: injection nozzle

Claims (10)

유리 기판 상에 균일한 두께를 갖는 세라믹 코팅층을 형성하는 단계;Forming a ceramic coating layer having a uniform thickness on a glass substrate; 제1 식각 용액으로 상기 세라믹 코팅층을 상기 유리 기판으로부터 박리하여 유리 기판의 표면에 제1 표면 거칠기를 형성하는 단계; 및Peeling the ceramic coating layer from the glass substrate with a first etching solution to form a first surface roughness on the surface of the glass substrate; And 제2 식각 용액으로 상기 유리 기판의 표면을 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 제2 표면 거칠기를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 안티 글레어 글래스 제조 방법.And etching the surface of the glass substrate with a second etching solution to form a second surface roughness on the surface of the glass substrate. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 코팅층 형성은 용사 코팅 공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 안티 글레어 글래스 제조 방법.The method of claim 1, wherein the ceramic coating layer is formed by a spray coating process. 제2항에 있어서, 상기 유리 기판 표면의 제1 표면 거칠기를 조절하기 위해 상기 용사 코팅 공정시 세라믹 분말의 입자 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 안티 글레어 글래스 제조 방법.3. The method of claim 2, wherein the particle size of the ceramic powder is controlled during the thermal spray coating process to adjust the first surface roughness of the glass substrate surface. 제3항에 있어서, 상기 세라믹 분말의 입자 크기는 20 내지 30㎛ 인 것을 특징으로 하는 안티 글레어 글래스 제조 방법.The method of claim 3, wherein the ceramic powder has a particle size of 20 to 30 占 퐉. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 코팅층의 두께는 10 내지 25㎛ 인 것을 특징으 로 하는 안티 글레어 글래스 제조 방법.The method of claim 1, wherein the thickness of the ceramic coating layer is 10 to 25 占 퐉. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 코팅층의 박리는 상기 세라믹 코팅층이 형성된 유리 기판을 상기 제1 식각 용액에 침지하거나 상기 세라믹 코팅층이 형성된 유리 기판으로 상기 제1 식각 용액을 분사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 안티 글레어 글래스 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the ceramic coating layer is peeled by immersing the glass substrate on which the ceramic coating layer is formed in the first etching solution or spraying the first etching solution onto a glass substrate on which the ceramic coating layer is formed. Method of manufacturing glare glass. 제1항에 있어서, 상기 제1 식각 용액은 불산, 질산 및 물의 혼합 용액으로 이루어지며, 상기 불산, 질산 및 물의 중량 퍼센트비는 5~10 : 10~30 : 60~85 인 것을 특징으로 하는 안티 글레어 글래스 제조 방법.The method of claim 1, wherein the first etching solution comprises a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid, and water, and the ratio by weight of hydrofluoric acid, nitric acid, and water is 5 to 10:10 to 30:60 to 85. Method of manufacturing glare glass. 제1항에 있어서, 상기 유리 기판의 식각은 상기 제1 표면 거칠기를 갖는 유리 기판을 상기 제2 식각 용액에 침지하거나 상기 제1 표면 거칠기를 갖는 유리 기판으로 상기 제2 식각 용액을 분사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 안티 글레어 글래스 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the etching of the glass substrate is performed by immersing the glass substrate having the first surface roughness in the second etching solution or spraying the second etching solution onto a glass substrate having the first surface roughness Characterized in that the method comprises the steps of: 제1항에 있어서, 상기 제2 식각 용액은 불산, 염산, 질산 및 물의 혼합 용액으로 이루어지며, 상기 불산, 염산, 질산 및 물의 중량 퍼센트비는 30~70 : 10~20 : 0.5~5 : 5~59.5 인 것을 특징으로 하는 안티 글레어 글래스 제조 방법.The method of claim 1, wherein the second etching solution comprises a mixed solution of hydrofluoric acid, hydrochloric acid, nitric acid, and water, and the ratio by weight of hydrofluoric acid, hydrochloric acid, nitric acid, and water is 30 to 70:10 to 20: 0.5 to 5: To 59.5. ≪ / RTI > 제1항에 있어서, 상기 제1 표면 거칠기는 10점 평균 거칠기(Rz) 값이 1 내지 2 ㎛ 이고, 상기 제2 표면 거칠기는 10점 평균 거칠기(Rz) 값이 0.6 내지 1.3 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 안티 글레어 글래스 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the first surface roughness has a 10-point average roughness (Rz) value of 1 to 2 占 퐉, and the second surface roughness has a 10-point average roughness (Rz) value of 0.6 to 1.3 占 퐉 Wherein the method comprises the steps of:
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