KR101408178B1 - 배기가스 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 배기가스 처리장치에 관한 것이며, 본 발명의 배기가스 처리장치는 선박의 엔진으로부터 배출되는 배기가스를 처리하는 배기가스 처리장치에 있어서, 상기 배기가스가 배출되는 경로 상에 설치되며, 환원제를 분사하여 배기가스에 포함되는 질소산화물(NOx)을 처리하는 제1처리부; 상기 제1처리부와 연결되며, 세정액을 분사하여 배기가스에 포함되는 황산화물(SOx)과 접촉시켜 하방으로 제거하는 제2처리부; 상기 제2처리부의 상측에 설치되며, 상기 제2처리부로부터 상측으로 유동하는 배기가스에 포함되는 미세입자를 집진하는 제3처리부;를 포함하며, 상기 제1처리부는 유동하는 배기가스에 펄스전압을 인가하여 플라즈마화하는 펄스인가부; 상기 배기가스 측으로 환원제를 분사하는 환원제 분사부; 플라즈마화된 배기가스에 포함되는 질소산화물과 상기 환원제 간의 반응속도를 증가시키는 촉매부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면, 플라즈마 처리를 통하여 질소산화물의 반응온도를 낮추고 황산화물을 친수성으로 변환시킴으로써 배기가스 처리효율을 향상시킬 수 있는 배기가스 처리장치가 제공된다.

Description

배기가스 처리장치{APPARATUS FOR PURIFICATING EXHAUST GAS}
본 발명은 배기가스 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 비교적 저온에서도 처리효율이 향상될 수 있는 배기가스 처리장치에 관한 것이다.
2-행정 대형 엔진을 이용하는 선박에서는 대부분 벙커 C유, 등유 등 저급연료를 사용하며 높은 출력이 요구되는 특성상 많은 유해물질을 함유한 채 대기중으로 배기가스가 배출된다. 이러한 배기가스 중 대표적인 유해물질로서는 미세먼지, 질소산화물(NOx), 황산화물(SOx) 등이 있다.
한편, 이러한 배기가스로 인한 오염을 줄이기 위하여, 선박을 대상으로 하는 배기가스 규제가 날이 갈수록 엄격해지고 있는 추세이다. 이러한, 규제에 대응하여 선박에도 선택적 촉매 환원법(SCR:Selective Catalytic Reduction)을 이용하는 배기가스 처리장치를 장착하고 있다.
도 1은 종래의 배기가스 처리장치의 일례를 개략적으로 도시한 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 배기가스 처리장치(10)는 SCR 장치(11)를 통하여 질소산화물(NOx)를 처리하는 동시에 물을 분사하여 황산화물(SOx) 및 그을음을 처리하는 장치(12)를 구비하고 있으며, 최종적으로 발생하는 미스트(백연) 또는 그을음은 데미스터(Demister)(13)를 통하여 제거하는 방식으로 구성된다.
다만, 이러한 종래의 배기가스 처리장치(10)의 SCR 장치(11)는 저온에서는 질소산화물 처리효율이 저하되는 문제가 있었으며, 이를 해결하기 위해서는 처리조건을 고온으로 유지해주는 별도의 장치가 요구되었다.
또한, 종래의 배기가스 처리장치(10)의 황산화물(SOx) 및 그을음 처리장치(12) 및 데미스터(13)를 통하여도 인체에 실질적으로 유해하게 작용하는 미세입자(PM:Particulate)는 처리되지 못한 상태로 배출되는 문제가 있었다.
[참고 선행문헌1] 일본 공개특허공보 특개평08-100631호(1996.04.16.)
[참고 선행문헌2] 일본 공개특허공보 특개평07-229418호(1995.08.29.)
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플라즈마 처리를 통하여 질소산화물의 반응온도를 낮추고 황산화물을 친수성으로 변환시킴으로써 배기가스 처리효율을 향상시킬 수 있고, 입자상 물질의 처리효율을 향상시킬 수 있는 배기가스 처리장치를 제공함에 있다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 선박의 엔진으로부터 배출되는 배기가스를 처리하는 배기가스 처리장치에 있어서, 상기 배기가스가 배출되는 경로 상에 설치되며, 환원제를 분사하여 배기가스에 포함되는 질소산화물(NOx)을 처리하는 제1처리부; 상기 제1처리부와 연결되며, 세정액을 분사하여 배기가스에 포함되는 황산화물(SOx)과 접촉시켜 하방으로 제거하는 제2처리부; 상기 제2처리부의 상측에 설치되며, 상기 제2처리부로부터 상측으로 유동하는 배기가스에 포함되는 미세입자를 집진하는 제3처리부;를 포함하며, 상기 제1처리부는 유동하는 배기가스에 펄스전압을 인가하여 플라즈마화하는 펄스인가부; 상기 배기가스 측으로 환원제를 분사하는 환원제 분사부; 플라즈마화된 배기가스에 포함되는 질소산화물과 상기 환원제 간의 반응속도를 증가시키는 촉매부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치에 의해 달성된다.
삭제
또한, 상기 펄스인가부는 상기 배기가스의 유동방향을 따라 길게 형성되는 펄스봉; 상기 펄스봉에 펄스전원을 공급하는 전원공급부;를 포함하고, 상기 환원제 분사부는 상기 펄스봉의 외면을 둘러싸며 상기 전원공급부로부터 공급되는 전원을 상기 펄스봉에 인가하되, 상기 배기가스의 유동방향과 수직한 방향으로 환원제가 분사되도록 외주면에는 분사구가 형성될 수 있다.
상기 제1처리부는 내부에 설치되는 펄스봉과의 사이에서 플라즈마를 발생하도록 전기적으로 접지되는 챔버부를 더 포함하고, 상기 환원제 분사부는 상기 펄스봉과 상기 챔버부 사이의 전기적인 누설이 방지되도록 절연소재로 마련될 수 있다.
또한, 상기 제2처리부는 배기가스가 유입되도록 유입구가 형성되는 케이싱; 상기 케이싱 내부의 상단에 설치되어 하측으로 세정액을 분사하는 복수개의 세정액 분사 노즐; 세정액이 하전되도록 상기 세정액 분사 노즐로부터 분사되는 세정액의 유동경로를 둘러싸며 고전압을 인가하는 유도전극;을 포함할 수 있다.
또한, 상기 세정액 분사 노즐로부터 분사되는 세정액 입자는 상기 유도전극으로부터 인가되는 고전압에 의하여 미세화될 수 있다.
또한, 상기 제3처리부는 상기 세정액 분사 노즐로부터 상측으로 이격되는 위치에 상호 이격되게 배치되는 복수개의 집진판; 상기 집진판 상에 수막이 형성되도록 세정액을 분사하는 수막 형성 유도부; 이웃하는 집진판 사이에 위치하여 방전을 일으키는 방전부; 상기 방전부에 고전압을 인가하는 고전압 인가부;를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 배기가스를 플라즈마화 함으로써 질소산화물이 저온에서도 환원제와 반응하여 처리 수율을 향상시킬 수 있는 배기가스 처리장치가 제공된다.
또한, 배기가스를 플라즈마화하여 소수성 특성의 황산화물을 친수성으로 특성 변환함으로써, 세정수와의 결합으로 인한 황산화물의 처리효율이 향상될 수 있다.
또한, 세정수를 하전시킴으로써 황산화물 입자와의 결합강도를 향상시킬 수 있다.
또한, 코로나 방전을 통하여 집진판 상에 미세입자를 집진함으로써, 인체에 유해한 미세입자 처리가 가능하다.
또한, 세정수 분사를 통하여 황산화물을 처리하는 제2처리부의 상측에 제3처리부를 설치하여, 제3처리부에서의 수막형성용 세정수가 제2처리부에 유입되어 황산화물을 처리함으로써 처리 성능을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 배기가스 처리장치의 일례를 개략적으로 도시한 것이고,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 배기가스 처리장치를 개략적으로 도시한 것이고,
도 3은 도 2의 배기가스 처리장치의 제1처리부를 개략적으로 도시한 것이고,
도 4는 도 2의 배기가스 처리장치의 제2처리부를 개략적으로 도시한 것이고,
도 5는 도 2의 배기가스 처리장치의 세정액 분사노즐과 유도전극의 구조를 개략적으로 도시한 것이고,
도 6은 도 2의 배기가스 처리장치의 세정액 분사노즐과 유도전극의 구조의 변형례를 개략적으로 도시한 것이고,
도 7은 도 2의 배기가스 처리장치의 제3처리부를 개략적으로 도시한 것이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 배기가스 처리장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 배기가스 처리장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 배기가스 처리장치(100)는 선박에 사용되는 엔진(E)으로부터 배출되는 배기가스를 처리하기 위한 장치로서, 제1처리부(110)와 제2처리부(120)와 제3처리부(130)를 포함한다.
도 3은 도 2의 배기가스 처리장치의 제1처리부를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 상기 제1처리부(110)는 배기가스가 배출되는 경로 상에 설치되어 질소산화물(NOx)를 처리하기 위한 것으로서, 펄스인가부(111)와 환원제 분사부(115)와 촉매부(117)를 포함한다.
상기 펄스인가부(111)는 배기가스가 플라즈마화 되도록 유동하는 배기가스에 펄스를 인가하는 것으로서, 챔버부(112)와 펄스봉(113)과 전원공급부(114)를 포함한다.
상기 챔버부(112)는 배기가스의 외부 누설을 방지한 상태로 내부에서 유동하는 배기가스에 포함되는 질소산화물(NOx)를 1차적으로 처리한 후에, 배기가스의 유동경로를 후술하는 제2처리부(120) 측으로 안내하기 위한 것이다. 챔버부(112)의 내부는 다수의 격벽으로 구획되어, 구획된 챔버부(112) 내부의 공간을 통하여 배기가스가 유동한다.
한편, 챔버부(112)는 펄스봉(113)과의 사이에서 플라즈마를 발생시키기 위하여 전기적으로 접지된 상태를 유지한다.
상기 펄스봉(113)은 배기가스 내에 포함되는 일산화질소(NO)를 이산화질소(NO2)로 변환시키는 동시에, 소수성(hydrophobic)의 황산화물(SOx)을 친수성(hydrophilic)의 황산화물로 개질시키기 위하여 배기가스를 플라즈마화 하는 것으로서, 챔버부(112)의 구획된 각 공간 내에 길이방향을 따라 장착된다.
상기 전원공급부(114)는 각 펄스봉(113)과 전기적으로 연결되어 펄스전압을 인가하기 위한 것이다.
상기 환원제 분사부(115)는 배기가스에 포함되는 질소산화물의 처리를 위하여 배기가스 측으로 환원제를 분사하기 위한 것이다. 배기가스가 유입되는 쪽의 환원제 분사부(115)는 펄스봉(113) 단부의 외면에 장착되며, 환원제가 챔버부(112)의 구획된 공간 측으로 환원제를 분사할 수 있도록 환원제 분사부(115)의 외주면에는 복수개의 분사구(116)가 형성된다.
또한, 환원제의 분사방향이 배기가스의 유동방향과 수직을 이룰 수 있는 구조로 분사구(116)가 형성되나, 분사구(116)의 형태, 위치, 개수 등은 이에 제한되지 않고, 배기가스의 유량, 유속 등을 종합적으로 고려하여 결정하는 것이 바람직하다.
한편, 본 실시예에서 분사되는 환원제는 암모니아(NH3) 또는 탄화수소(HC, hydrocarbon) 중 하나가 이용되나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 환원제 분사부(115)는 절연성 소재로 마련되어, 고전압이 인가되는 펄스봉(113)과 접지가 되는 챔버부(112) 사이의 전기적 누설이 발생하지 않도록 절연부의 역할을 수행한다. 본 실시예에서 환원제 분사부(115)는 절연소재인 세라믹으로 마련되나, 우수한 절연성을 가지는 소재라면 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 촉매부(117)는 배기가스에 포함되는 질소산화물과 환원제 간의 반응을 촉진시키기 위한 것으로서, 제한되지는 않으나, 백금(Pt), 바나듐(V), 제올라이트(zeolite) 등이 이용될 수 있다.
즉, 상술한 바와 같이, 본 실시예에서 제1처리부(110)는 환원제 분사부(115)와 촉매부(117)로 구성되는 선택적 촉매 환원법(SCR:Selective Catalytic Reduction)을 이용하는 후처리 장치와 펄스인가부(111)로 구성되어 배기가스를 플라즈마화 하는 전저리 장치가 병합된 복합 장치이다.
도 4는 도 2의 배기가스 처리장치의 제2처리부를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2처리부(120)는 제1처리부(110)의 후단에 장착되어 제1처리부(110)에서 1차적으로 처리된 후에 배기되는 가스를 2차적으로 처리하기 위한 것으로서, 케이싱(121)과 세정액 분사 노즐(123)과 유도전극(124)과 패킹부(125)를 포함한다.
상기 케이싱(121)은 제1처리부(110)로부터 처리된 후에 배출되는 배기가스를 공급받은 상태에서 이를 재처리하기 위한 공간을 제공하는 것으로서, 내부에 공간이 형성되고, 하단 측면에는 제1처리부(110)와 연통되어 배기가스를 공급받는 유입구(122)가 형성된다.
따라서, 케이싱(121) 하단의 유입구(122)로 유입되는 배기가스는 케이싱(121)의 내부공간을 따라 상측으로 이동하나, 케이싱(121)의 유입구(122)의 위치는 이에 제한되지는 않는다.
도 5는 도 2의 배기가스 처리장치의 세정액 분사노즐과 유도전극의 구조를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 세정액 분사 노즐(123)은 복수개가 케이싱(121) 내부에 설치되어 케이싱(121) 내에 유입된 배기가스의 황산화물(SOx)을 처리하기 위한 세정액을 하방으로 분사하기 위한 부재이다. 세정액 분사 노즐(123)은 실린더형으로 형성되어 중력방향을 따라 길게 형성된다.
상기 유도전극(124)은 세정액 분사 노즐(123)로부터 분사되는 세정액 입자를 하전시키기 위한 것으로서, 링 형상으로 형성되어 복수개의 세정액 분사 노즐(123) 각각을 둘러싸는 형태로 배치된다.
도 6은 도 2의 배기가스 처리장치의 세정액 분사노즐과 유도전극의 구조의 변형례를 개략적으로 도시한 것이다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 변형례에서는 유도전극(124')은 한 쌍의 상호 이격되는 판 형태로 마련되며, 세정액 분사 노즐(123')을 가운데 두고 양측에 각각 배치되는 구조로 마련되어, 세정액 입자를 하전시킬 수도 있다.
상기 패킹부(125)는 분사되는 세정액과 유입되는 배기가스 간의 접촉면적을 증가시키기 위한 것으로서, 복수개가 구 형상으로 케이싱(121) 내부의 세정액이 유동하는 경로 상에 설치되며, 세정액이 흘러내릴 수 있도록 소정의 공극을 형성한다. 이때, 패킹부(125)의 공극은 세정액이 충분히 흘러 내릴 수 있을 정도로 마련되는 것이 바람직하다.
도 7은 도 2의 배기가스 처리장치의 제3처리부를 개략적으로 도시한 것이다.
도 7을 참조하면, 상기 제3처리부(130)는 상술한 제2처리부(120)에서 처리되지 못한 미세입자를 처리하기 위한 것으로서, 집진판(131)과 방전부(132)와 수막 형성 유도부(133)와 고전압 인가부(134)를 포함한다.
상기 집진판(131)은 제1처리부(110) 및 제2처리부(120)에서는 처리하지 못한 입자상 물질(PM:Particulate Matter), 즉, 미세입자를 집진하기 위한 판형태의 부재로서, 복수개가 상호 대향하는 상태에 이격되게 배치된다.
상기 방전부(132)는 이웃하는 집진판(131)의 사이에 배치되어, 후술하는 고전압 인가부(134)로부터 고전압을 인가받아 집진판(131)과의 사이에서 코로나 방전을 일으키도록 하는 것으로서, 코로나 방전에 의하여 배기가스 내의 입자상 물질(PM:Particulate Matter)는 집진판(131)에 집진된다.
상기 수막 형성 유도부(133)는 집진판(131) 측으로 세정액을 분사하여 전면(全面)에 수막이 형성되도록 함으로 집진판(131)이 노출되는 것을 방지하는 동시에, 집진판(131)으로부터 이탈되어 하방으로 낙하하는 세정액이 제2처리부(120)에서 황산화물을 처리하는 세정액으로서의 역할을 수행하도록 하는 부재이다.
상기 고전압 인가부(134)는 상술한 방전부(132)와 전기적으로 연결되어, 고전압을 인가한다.
지금부터는 상술한 배기가스 처리장치(100)의 일실시예의 작동에 대하여 설명한다.
먼저, 엔진 내에서 연소를 통하여 배출되는 배기가스가 제1처리부(110)의 챔버부(112) 내에 진입한다. 배기가스가 챔버부(112)의 복수개로 구획된 영역 내로 진입하면, 전원공급부(114)로부터 펄스전원을 공급받는 펄스봉(113)은 배기가스를 플라즈마화 한다. 이와 동시에, 환원제 분사부(115)는 분사구(116)를 통하여 배기가스의 유동방향과 수직방향으로 환원제를 분사한다.
이때, 플라즈마화되는 배기가스 내부에 포함되는 질소산화물(NOx)은 하기의 [반응식]과 같은 반응을 일으킴으로써, 일산화질소(NO)와 이산화질소(NO2)의 비율을 50:50에 가까워지도록 하나, 이러한 하기의 [반응식]은 이론적인 반응이므로, 일산화질소와 이산화질소의 비율이 50:50에 완벽히 일치하는 것은 아니다.
[반응식] 9NO + NO2 + 2O2 -> 5NO + 5NO2
한편, 이러한 반응과 동시에, 플라즈마화 되는 배기가스 내부에 포함되는 황산화물(SOX)의 특성이 소수성(hydrophobic) 특성에서 친수성(hydrophilic)으로 특성개질된다.
다시 설명하면, 펄스인가부(111)에 의하여 플라즈마화 되는 배기가스 내에 포함되는 질소산화물의 일산화질소(NO)와 이산화질소(NO2)의 비율이 동일해지는 동시에, 황산화물의 특성이 친수성으로 개질된다.
플라즈마화 처리된 배기가스는 촉매부(117)를 통과하면서 환원제와 반응하며 질소산화물이 처리된다. 한편, 일반적으로 100℃ 내지 200℃ 의 낮은 온도에서 환원제와 반응율은 일산화질소보다 이산화질소가 높다.
즉, 본 실시예에서는 플라즈마 처리로 인하여 이산화질소의 비율이 최초 배기가스에서 보다 높아진 상태로 촉매부(117)를 통과함에 따라, 환원제와는 더욱 쉽게 반응하며 전체적인 질소산화물의 처리 성능이 높아진다. 따라서, 제1처리부(110)를 고온 상태로 유지하기 위한 별도의 장치 없이도 용이한 질소산화물 처리가 가능하다.
제1처리부(110)를 통과하여 질소산화물이 처리된 배기가스는 유입구(122)를 통과하여 제2처리부(120)의 케이싱(121) 내로 유입되어 세정액 분사 노즐(123)이 위치한 케이싱(121)의 상부로 유동한다.
이때, 세정액 분사 노즐(123)에서는 하방으로 세정액을 분사함으로써 황산화물이 세정액과 결합하여 처리되도록 한다. 또한, 케이싱(121) 내에 충진된 패킹부(125)는 황산화물과 세정액 간의 접촉면적을 더욱 높이므로, 황산화물 처리성능이 증가할 수 있다.
한편, 상술한 과정과 동시에 유도전극(124)을 통하여 전압을 인가하여 분사된 세정액을 하전시킨다. 유도전극(124)에 의하여 하전된 상태의 세정수 입자와 황산화물 간의 결합 효율은 더욱 커지게 된다. 이와 동시에, 배기가스 내에 포함되는 황산화물(SOx)은 제1처리부(110) 내에서 친수성을 갖도록 개질되어 제2처리부(120)를 통과하므로, 친수성으로 개질된 황산화물은 세정액 입자와 더욱 쉽게 결합하여 처리된다.
즉, 제2처리부(120)에서 황산화물의 개선된 처리성능에 대해서 다시 설명하면, 유도전극(124)에 의하여 세정수 입자는 하전됨으로써 황산화물과의 결합력은 커지고, 이와 동시에 제1처리부(110) 내에서 황산화물은 친수성으로 개질되어 세정수 입자와의 결합확률이 더욱 높아지므로, 제2처리부(120)에서의 전체적인 황산화물의 처리 성능이 향상된다.
제2처리부(120)에서 황산화물 처리가 완료된 상태의 배기가스는 상측으로 이동하며 제3처리부(130)에 진입한다. 이때, 제3처리부(130)의 고전압 인가부(134)는 방전부(132)에 고전압을 인가하여 집진판(131)과의 사이에서 코로나 방전이 발생되도록 한다.
집진판(131) 사이의 공간을 통과하는 배기가스 내에 포함되는 입자상 물질(PM), 즉, 미세입자는 코로나 방전에 의하여 집진판(131) 상에 집진된다. 한편, 이러한 미세입자의 집진과 동시에, 수막 형성 유도부(133)는 집진판(131) 측으로 세정수를 분사하여 집진판(131)의 전면(全面)에 수막이 형성되도록 한다. 따라서, 집진판(131)에 형성되는 수막에 의하여 미세입자는 집진판(131)과 직접적으로 접촉되지 못하고, 흘러내리는 수막과 함께 하방으로 낙하하여 처리된다.
한편, 수막을 형성한 후에 집진판(131)으로부터 이탈하는 세정액은 제2처리부(120)에 유입되어, 황산화물과 결합함으로써, 황산화물의 처리 효율을 더욱 향상시키는 역할을 하게 된다.
따라서, 본 실시예의 배기가스 처리장치에 의하면, 향상된 성능으로 질소산화물 및 황산화물을 처리하는 동시에, 입자상 물질까지 제거하여 정화가스를 외부로 배출시킬 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
100 : 본 발명의 일실시예에 따른 배기가스 처리장치
110 : 제1처리부 111 : 펄스인가부
115 : 환원제 분사부 117 : 촉매부
120 : 제2처리부 130 : 제3처리부

Claims (7)

  1. 선박의 엔진으로부터 배출되는 배기가스를 처리하는 배기가스 처리장치에 있어서,
    상기 배기가스가 배출되는 경로 상에 설치되며, 환원제를 분사하여 배기가스에 포함되는 질소산화물(NOx)을 처리하는 제1처리부;
    상기 제1처리부와 연결되며, 세정액을 분사하여 배기가스에 포함되는 황산화물(SOx)과 접촉시켜 하방으로 제거하는 제2처리부;
    상기 제2처리부의 상측에 설치되며, 상기 제2처리부로부터 상측으로 유동하는 배기가스에 포함되는 미세입자를 집진하는 제3처리부;를 포함하며,
    상기 제1처리부는 유동하는 배기가스에 펄스전압을 인가하여 플라즈마화하는 펄스인가부; 상기 배기가스 측으로 환원제를 분사하는 환원제 분사부; 플라즈마화된 배기가스에 포함되는 질소산화물과 상기 환원제 간의 반응속도를 증가시키는 촉매부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 펄스인가부는 상기 배기가스의 유동방향을 따라 길게 형성되는 펄스봉; 상기 펄스봉에 펄스전원을 공급하는 전원공급부;를 포함하고,
    상기 환원제 분사부는 상기 펄스봉의 외면을 둘러싸며 상기 전원공급부로부터 공급되는 전원을 상기 펄스봉에 인가하되, 상기 배기가스의 유동방향과 수직한 방향으로 환원제가 분사되도록 외주면에는 분사구가 형성되는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1처리부는 내부에 설치되는 펄스봉과의 사이에서 플라즈마를 발생하도록 전기적으로 접지되는 챔버부를 더 포함하고,
    상기 환원제 분사부는 상기 펄스봉과 상기 챔버부 사이의 전기적인 누설이 방지되도록 절연소재로 마련되는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2처리부는 배기가스가 유입되도록 유입구가 형성되는 케이싱; 상기 케이싱 내부의 상단에 설치되어 하측으로 세정액을 분사하는 복수개의 세정액 분사 노즐; 세정액이 하전되도록 상기 세정액 분사 노즐로부터 분사되는 세정액의 유동경로를 둘러싸며 고전압을 인가하는 유도전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 세정액 분사 노즐로부터 분사되는 세정액 입자는 상기 유도전극으로부터 인가되는 고전압에 의하여 미세화되는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제3처리부는 상기 세정액 분사 노즐로부터 상측으로 이격되는 위치에 상호 이격되게 배치되는 복수개의 집진판; 상기 집진판 상에 수막이 형성되도록 세정액을 분사하는 수막 형성 유도부; 이웃하는 집진판 사이에 위치하여 방전을 일으키는 방전부; 상기 방전부에 고전압을 인가하는 고전압 인가부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
  7. 삭제
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