KR101408136B1 - 나노 다공성 물질의 제조방법 및 나노 다공성 물질 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 나노 다공성 물질의 제조방법은 기재를 준비하는 준비단계, 그리고 상기 기재에, 증착압력을 300 mTorr 이상으로 하는 플라즈마 증착을 이용하여 나노클러스터들이 서로 연결되어 네트워크를 형성한 나노 다공성 물질을 제조하는 제조단계를 포함한다. 상기 제조방법을 이용하면, 소재의 표면 및 내부까지 기공이 분포하는 다공성 물질을 한 번의 증착 과정으로 형성할 수 있으면서도, 별도의 추가적인 코팅층을 형성할 필요 없이 의도하는 표면에너지를 가지는 나노 다공성 물질을 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 소재의 표면 및 내부까지 기공이 분포하고 동시에 의도하는 표면에너지를 가지는 나노 다공성 물질을 한 번의 증착 과정으로 형성할 수 있는 나노 다공성 물질의 제조방법 및 나노 다공성 물질에 관한 것이다.
다공성 물질(porous material)은 기공(pore)을 가지고 있는 물질로써, GDL(Gas Diffusion Layer)이나 해수담수화 필터(desalination filter)와 같이 기공 사이로 기체가 이동해야 하는 응용 제품이나 유수분리필터(filter of oil-water separator)나 초소수/친수표면(super-hydrophobic/hydrophilic surface)와 같이 기공 사이로 사용자가 원하는 액체를 선택적으로 출입시켜야 하는 응용 제품들에 적용이 필요하여 최근 많은 관심을 받고 있는 물질이다. 이를 위한 재료로는, 부직포와 스펀지와 같은 물질들이 저렴하고, 대량으로 공급될 수 있는 재료들이 많이 이용되고 있다.
한편, 기체나 액체의 이동은 나노 또는 마이크로 수준에서 일어나는 일이기에, 위에 언급한 재료들의 물과 기름을 분리하는 능력이나 접촉각과 같은 제품의 효율을 좌우할 수 있는 특징이, 기공이 크기에 따라서 좌우되기도 하며, 나노 스케일 수준일 때가 마이크로 스케일 수준일 때보다 효율이 높은 것으로 알려져 있다. 예를 들어, 유수분리 필터의 경우에는, 부직포에 형성되어 있는 마이크로 기공만을 이용할 경우에는 필터 효율이 낮은 경향을 보이기 때문에, 부직포 위에 나노 구조를 추가로 형성함으로 효율을 높이는 것이 가능하다 [참고문헌: Bongsu Shin, et al., Soft matter 8 (2012) 1817-1823.].
다만, 이러한 나노 구조(나노 필라, 나노 닷, 나노 와이어 등)는 지금까지 소재의 표면에만 형성되어서, 재료의 내부까지 기공이 형성된 명확한 의미의 다공성이 아닌, 재료의 구조 일부(주로 표면)에만 기공이 형성되는 것에 불과했다.
또한, 대부분의 응용 제품이 낮은 표면에너지를 가지는 소재를 요구하지만, 나노 구조를 가지는 소재가 낮은 표면에너지를 동시에 가지도록 제조하기 어렵기 때문에, 낮은 표면에너지를 가지는 나노 구조의 소재를 제조하기 위해서는, 소재에 나노구조를 형성시킨 후에도 낮은 표면에너지를 가지는 특정한 물질을 또다시 코팅해줘야 하는 번거로움이 있다.
이러한 문제점들을 개선하기 위하여, 본 발명에서는 간단한 방법으로 원하는 표면에너지와 다공성 나노 구조를 동시에 가지는 나고 다공성 물질을 형성할 수 있는 방법을 제안하고자 한다.
본 발명의 목적은 소재의 표면 및 내부까지 기공이 분포하는 다공성 물질을 한 번 증착이라는 간단한 과정으로 형성할 수 있으면서도, 별도의 추가적인 코팅층을 형성할 필요 없이 의도하는 표면에너지를 가지는 나노 다공성 물질을 형성할 수 있는 나노 다공성 물질의 제조방법 및 나도 다공성 물질을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 다공성 물질의 제조방법은 기재를 준비하는 준비단계; 그리고 상기 기재에, 증착압력을 300 mTorr 이상으로 하는 플라즈마 증착을 이용하여 나노클러스터들이 서로 연결되어 네트워크를 형성한 나노 다공성 물질을 제조하는 제조단계;를 포함한다.
상기 플라즈마 증착은 - 500 V 내지 - 1000 V의 전압의 범위로 이루어지는 것일 수 있다.
상기 플라즈마 증착은, 유입가스로 탄화수소계 기체를 포함하여 적용하는 것일 수 있다.
상기 탄화수소계 기체는 아세틸렌(C2H2), 메탄(CH4), 벤젠(C6H6), 헥사메틸디실록산(C6H18OSi2) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것일 수 있다.
상기 나노 다공성 물질은, 상기 물질의 표면 및 내부에 기공을 포함하는 것일 수 있다.
상기 나노 다공성 물질은 상기 물질의 내부에 포함되는 기공의 지름이 10 내지 70 nm인 것일 수 있고, 상기 물질에 포함되는 나노클러스터들의 직경이 10 내지 50 nm인 것일 수 있다.
상기 나노 다공성 물질은 그 두께가 1000 ㎛ 이하인 것일 수 있다.
상기 유입가스는 사불화탄소(CF4), 아르곤(Ar), 질소(N2), 실레인(SiH4) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 기능성가스를 더 포함하는 것일 수 있다.
상기 기재는, 세라믹, 금속, 플라스틱을 포함하는 군에서 선택된 어느 하나인 것일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 나노 다공성 물질은, 나노클러스터들이 서로 연결되어 네트워크를 형성한 것이다.
상기 나노 다공성 물질은, 상기 물질의 표면 및 내부에 기공을 포함하는 것일 수 있다.
상기 물질의 내부에 포함되는 기공은 그 지름이 10 내지 70 nm인 것일 수 있고, 상기 물질을 구성하는 나노클러스터들은 그 직경이 10 내지 50 nm인 것일 수 있다.
상기 나노 다공성 물질은 그 두께가 1000 ㎛ 이하인 것일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 필터의 제조방법은 상기 나노 다공성 물질의 제조방법을 포함한다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 초소수성 표면의 제조방법은, 상기 나노 다공성 물질의 제조방법을 포함한다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
플라즈마 증착 기술은, 원하는 기체에 높은 주파수(주로 radio frequency)의 전기에너지를 공급함으로 플라즈마 상태를 이용하여 박막을 형성시키는 기술을 의미한다. 이 플라즈마 상태는 매우 활성화된 입자의 상태로 이해될 수 있으며, 이 때 전압(bias-voltage) 차이를 인위적으로 형성시키거나 또는 자체적으로 형성된 전압(self bias-voltage) 차이에 의해서 활성화된 입자들이 특정 표면에 운동에너지를 가지고 입사된다. 여기서 입자들이 특정 표면에 쌓이게 되면, 박막이 증착이 되었다고 한다. 이러한 플라즈마 증착 기술은 이 입자들이 높은 운동에너지를 가지고 표면에 입사하기 때문에, 매우 압축된 박막이 형성이 된다는 특징이 있다. 즉, 일반적인 플라즈마 증착에 의하면 매우 충밀한 박막이 형성이 되며, 따라서 이러한 플라즈마 증착 기술은 내마모코팅이나 내산화코팅, 산소차단코팅과 같이 충밀(充密)한 박막을 형성시킬 때 주로 사용된다. 다만, 이는 본 발명에서 제작하고자 하는 나노 다공성 물질과는 그 특성이 정반대인 물질이다.
본 발명의 연구진은, 일반적으로 플라즈마를 이용하여 박막을 증착할 때 사용되는 저압 조건이 아닌, 극단적으로 높은 증착 압력을 사용하여 플라즈마 증착을 시행하면, 나노 다공성 물질이 형성된다는 점을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노 다공성 물질의 제조방법은, 기재(器財)를 준비하는 준비단계, 그리고 나노 다공성 물질을 제조하는 제조단계를 포함한다.
상기 제조단계는, 상기 기재 상에 플라즈마 증착을 이용하여 박막을 형성하는 과정을 포함하며, 이때 증착압력은 300 mTorr 이상으로 한다. 상기 나노 다공성 물질은 나노 스케일의 클러스터인 나노클러스터들이 서로 연결되어 네트워크를 형성한 형태의 나노 다공성 물질이며, 나노 다공성 물질의 표면뿐만 이니라 내부에까지도 나노 기공을 형성할 수 있다.
지금까지 일반적인 플라즈마 증착은, 높은 충밀도가 요구되는 박막의 제조에 이용되었고, 증착되는 입자가 비교적 높은 잔류 응력을 가져서, 기재(기판)으로부터 떨어져 벗겨지지 않는 한은 높은 충밀도를 가지는 물질을 형성하였다. 그러나, 극단적으로 낮은 운동에너지를 가진 입자를 증착하는 것에 대해서는 알려진 바가 없다.
본 발명은, 플라즈마 증착 과정에서 입자들이 극단적으로 낮은 운동에너지를 가진 상태로 증착됨으로써 나노 다공성 물질을 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 그리고, 입자들이 이렇게 극단적으로 낮은 운동에너지를 가지도록 하게 위해서는, 통상적으로 사용하는 증착압력이 아닌 극단적으로 높은 증착압력인 200 내지 300 mTorr의 값 이상의 증착압력에서 플라즈마 증착을 하는 것이 효과적임을 밝혔다. 상기한 높은 증착압력에서 플라즈마 증착 기술을 이용하여 박막을 형성할 경우에는, 증착되는 입자들의 평균 자유 행로(mean free path)가 크게 감소하는 특징이 있다. 이는, 활성화된 입자들이 주위에 있는 활성화된 다른 입자들과 충돌하여 상당량의 운동에너지를 잃게 되기 때문으로 파악되며, 따라서, 기재(기판) 상에 물질이 증착될 때에는 입자들이 상당히 낮은 운동에너지를 가진 상태로 증착되게 된다.
상기 증착압력은 300 mTorr 이상일 수 있고, 300 내지 500 mTorr일 수 있으며, 바람직하게 400 내지 500 mTorr일 수 있다. 상기 증착압력이 500 mTorr를 초과하는 경우에는 플라즈마가 불안정해질 염려가 있고, 상기 증착압력에 300 mTorr 미만인 경우에는 다공성막이 형성되지 않을 수 있어서 상기 증착압력의 범위에서 안정적으로 나도 다공성 물질을 증착할 수 있다. 또한, 상기 증착압력은 더욱 바람직하게 400 내지 500 mTorr일 수 있고, 이러한 범위에서 우수한 비표면적을 갖는 나노 다공성 물질을 제조할 수 있다.
즉, 플라즈마 증착 공정에서 활성화된 입자들의 운동에너지 감소는 입자들간의 결합에너지의 감소를 유발하고, 따라서 제조된 물질에 별도의 열처리나 어닐링 처리를 할 필요 없이 간단한 공정으로 나노 다공성 구조를 가진 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 다공성 물질의 제조방법을 나타낸 개념도이다. 상기 도 1을 참조하면, 본 발명의 제조방법에 의하여 플라즈마 증착을 행하면, 입자들은 수 개가 모여서 나노클러스터를 형성하고, 이들이 네트워크를 형성하며 서로 연결되어서 나노 다공성 물질을 형성할 수 있다.
상기 나노 다공성 물질은, 상기 물질의 표면 및 내부에 분포되어 있는 기공을 포함한다. 상기 나노 다공성 물질은, 일단 물질이 증착되어 박막이 형성되면, 그 내부의 일부 물질을 제거하거나 추가적인 나노 구조의 형성 과정 또는 어닐링하는 과정을 거칠 필요 없이, 물질의 표면 및 내부에 고르게 기공을 포함할 수 있다. 이는, 기존의 나노 다공성 물질의 제조방법과 다르게, 제조하는 과정에서 이미 클러스터 형태를 이루는 나노 물질이 낮은 운동 에너지를 가진 상태에서 증착되면서 나노 다공성 물질을 형성하기 때문이다.
상기 나노 다공성 물질은 상기 물질의 내부에 포함되는 기공의 지름이 10 내지 70 nm일 수 있고, 상기 물질에 포함되는 나노클러스터들은 그 직경이 10 내지 50 nm인 것일 수 있다. 상기 기공의 크기 및 나노 클러스터들의 직경 범위로 상기 나노 다공성 물질을 제조하는 경우에는, 세미한 나노 기공에 의해서 상기 나노 다공성 물질을 응용한 제품들의 성능이 기존의 마이크로 수준의 다소 큰 기공 사이즈를 가진 다공성 물질을 응용한 제품들에 비해서 향상될 수 있다.
상기 플라즈마 증착은, - 500 V 내지 - 1000 V의 전압의 범위에서 이루어지는 것일 수 있다. 상기 전압의 범위에서 상기 플라즈마 증착이 이루어지는 경우에는 본 발명의 높은 압력 조건에서도 안정적인 플라즈마를 형성시킬 수 있다.
상기 플라즈마 증착에 사용되는 유입가스는, 플라즈마 방식의 증착 기술에 적용될 수 있는 기체이면 어떤 것이든 적용할 수 있고, 주로 탄화수소계 기체가 폭넓게 적용될 수 있다.
탄화수소계 기체를 유입가스로 이용하여 플라즈마 공정으로 나노 다공성 물질을 증착하면, 수소를 일부 포함하는 막 형태의 탄소 물질이 형성될 수 있다.
이러한 나노 다공성 탄소 물질은, 생체적합성이 뛰어나고, 도핑과 같은 방법으로 다른 원소와 결합시켜 새로운 특성을 부여하기도 용이하며, 탄소나노튜브나 그래핀과 같이 그 구조에 따라 독특하고 유용한 특성을 가질 수 있다.
상기 유입가스로 탄화수소계 기체를 적용하는 경우에는, 나노 다공성 물질로 탄소 나노 클러스터가 포함된 물질이 형성될 수 있으며, 상기 물질은 수소를 포함하는 것일 수 있다.
상기 탄화수소계 기체는 아세틸렌(C2H2), 메탄(CH4), 벤젠(C6H6), 헥사메틸디실록산(C6H18OSi2) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것일 수 있고, 바람직하게 아세틸렌(C2H2)일 수 있다.
상기 유입가스는 기능성 가스를 더 포함하는 것일 수 있고, 상기 기능성 가스는 사불화탄소(CF4), 아르곤(Ar), 질소(N2), 실레인(SiH4) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 상기 기능성 가스는, 기공의 크기를 조절하는 등의 상기 나노 다공성 물질에 기능성을 부여하는 것일 수 있으며, 이는 특별하게 추가적인 공정을 부가하지 않고, 유입가스에 기능성 가스를 더 포함하여 플라즈마 증착하는 간단한 과정으로 제조된 나노 다공성 물질에 추가적인 기능성을 부과할 수 있어서, 제조 공정을 더욱 단순화할 수 있다.
특히, 상기 기능성 가스로 상기 사불화탄소 가스를 혼합하면, 나노 클러스터의 지름 사이즈를 조절할 수 있고, 나노 다공성 물질에 포함된 기공의 크기 등을 조절할 수 있다.
상기 사불화탄소 가스는 상기 유입가스에 상기 탄화수소계 가스와 1:3 내지 4:1의 비율로 포함될 수 있으며, 이러한 경우에는 나노 다공성 물질에 포함되는 기공의 크기를 수십 나노에서 수백 나노의 수준에서, 그리고 나노 클러스터의 지름을 수 나노에서 수십 나노의 수준의 범위에서 조절할 수 있다.
상기 나노 다공성 물질은 그 두께가 1000 ㎛ 이하인 것일 수 있고, 0.1 내지 1000 ㎛인 것일 수 있으며, 1000 ㎛ 이상인 것일 수 있다. 또한, 상기 나노 다공성 물질은 그 두께가 500 nm 내지 1000 nm 인 것일 수 있다.
상기 나노 다공성 물질은 그 표면뿐만 아니라 내부에도 나노 기공을 포함하고 있는 물질이지만, 본 발명의 제조방법을 이용하면 1000 ㎛ 이상의 상당히 높은 두께로도 제조가 가능하며, 필요에 따라서 나노 다공성 물질의 증착 두께를 조절하여 상기 나노 다공성 물질의 두께를 적절한 수준으로 조절할 수 있다.
상기 기재(기판)는 특별하게 그 소재를 제한받지 않으며, 이러한 점이 본 발명의 우수한 특징 중 하나이다. 즉, 상기 기재는 세라믹, 금속, 플라스틱을 포함하는 군에서 선택된 어느 하나인 것을 사용할 수 있으며, 기재의 형상이나 소재에 제한 없이 상기 나노 다공성 물질을 증착시킬 수 있다. 이는, 극단적으로 낮은 운동에너지를 입자들이 증착되기 때문에 형성된 나노 다공성 물질 내부에 잔류 응력이 극히 낮기 때문인 것으로 판단된다.
본 발명의 나노 다공성 물질의 제조방법에 의하면, 단순한 방법으로 물질의 표면과 내부에 모두 나노 기공이 형성되어 있는 나노 다공성 물질을 제조할 수 있다. 이러한 방법은, 추가적인 열처리나 어닐링 과정 없이도 기공을 형성할 수 있고, 단 한번의 플라즈마 증착 공정으로 이렇게 내부까지 기공이 형성되어 있는 나노 다공성 물질을 제조할 수 있다는 면에서, 나노 다공성 물질의 제조 공정을 획기적으로 단순화시킬 수 있다. 또한, 상당히 두꺼운 두께의 나노 다공성 물질도 플라즈마 증착 과정을 이용하여 증착시킬 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 나노 다공성 물질은 나노클러스터들이 서로 연결되어 네트워크를 형성한 것일 수 있다. 상기 나노 다공성 물질은, 나노 입자들을 증착하는 과정에서 낮은 운동 에너지를 가진 입자들이 서로 연결되면서 증착되도록 하여서 나노 다공성 물질의 표면만이 아니라 내부까지 고르게 나노 스케일의 기공이 형성되어 있는 나노 다공성 물질을 제조할 수 있다.
또한, 상기 나노 다공성 물질은 극히 낮은 운동 에너지를 가지는 입자들이 증착되어 제조되기 때문에, 형성된 나노 다공성 물질에 잔존하는 응력이 극히 낮고, 따라서 기재의 형상이나 소재에 제한 없이 나노 다공성 물질의 형성이 가능하다.
상기 나노 다공성 물질은 박막 형태를 가진 것일 수 있다.
상기 나노 다공성 물질은, 물질의 내부에 포함되는 기공의 지름이 10 내지 70 nm인 것일 수 있고, 상기 물질을 구성하는 나노클러스터들의 직경이 10 내지 50 nm인 것일 수 있다.
상기 나노 다공성 물질은, 그 두께가 0.1 내지 1000 ㎛인 것일 수 있고, 1000 ㎛ 이상인 것일 수 있으며, 그 두께가 500 nm 내지 1000 nm 인 것일 수 있다. 상기 나노 다공성 물질은 두께를 조절하여 형성할 수 있으며, 상당히 두꺼운 1000 ㎛ 이상의 두께도 가질 수 있다. 이러한 나노 다공성 물질은 그 두께를 필요에 따라서 조절하여 형성할 수 있어서 나노 다공성 물질의 활용 범위를 높일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 필터의 제조방법은, 상기 나노 다공성 물질의 제조방법을 포함한다. 상기 나노 다공성 물질의 제조방법을 이용하여 간단하고 단순한 공정으로 기공의 크기 등을 조절하여 필더를 제조할 수 있으며, 이러한 필더는 유수분리필터 또는 GDL(Gas diffusion layer)와 같은 필터로 적용될 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 초소수성 표면의 제조방법은 상기 나노 다공성 물질의 제조방법을 포함한다. 상기 초소수성 표면은 마이크로가 아닌 나노 스케일의 다공성 구조에 의해 초소수성의 효과를 극대화시킬 수 있고, 제조 효율도 향상시킬 수 있다.
본 발명의 나노 다공성 물질의 제조방법은, 소재의 표면 및 내부까지 기공이 분포하는 다공성 물질을 한 번의 증착 과정으로 형성할 수 있다. 또한, 별도의 추가적인 코팅층을 형성할 필요 없이 의도하는 표면에너지를 가지는 나노 다공성 물질을 형성할 수 있다. 즉, 기공의 형성을 위해서 추가적인 어닐링이나 고온처리 등의 추가 처리가 필요하지 않으며, 한 번의 플라즈마 증착이라는 단순한 공정으로도 의도하는 표면 에너지를 가지면서 표면과 내부에 기공을 포함하는 나노 다공성 물질의 형성이 가능하다. 나아가, 본 발명의 나노 다공성 물질은 기재에 제한 없이 우수한 다공성을 가지는 물질을 적층할 수 있으며, 나노 다공성 물질의 두께도 상당히 두꺼운 1000 ㎛ 이상까지도 제조가 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 다공성 물질의 제조방법을 나타낸 개념도이다.
도 2는 비교예 1 및 2, 실시예 1 내지 3에 의해 제작된 나노 다공성 물질의 표면 구조를 주사전자현미경(SEM)으로 촬영한 사진이다. 각각 증착 압력이 (a) 100 (비교예 1), (b) 200 (비교예 2), (c) 300 (실시예 1), (d) 400 (실시예 2), (e) 500 (실시예 3) mTorr인 것을 나타낸다.
도 3은 비교예 1 및 2, 실시예 1 내지 3에 의해 제작된 나노 다공성 물질의 단면을 주사전자현미경(SEM)으로 촬영한 사진이다. 각각 증착 압력이 (a) 100 (비교예 1), (b) 200 (비교예 2), (c) 300 (실시예 1), (d) 400 (실시예 2), (e) 500 (실시예 3) mTorr 인 것을 나타낸다.
도 4는 500 mTorr의 증착압력으로 제작된 실시예 3의 나노 다공성 물질을 투사전자현미경(TEM)으로 촬영한 사진이다.
도 5는 500 mTorr의 증착압력으로 제작된 실시예 3의 나노 다공성 코팅을 이용하여 그 기공 크기를 질소 가스를 이용한 물리흡착 방식에 의해 측정한 그래프이다.
도 6은 500 mTorr의 증착압력으로 제작한 실시예 4 내지 7의 나노 다공성 물질의 표면을 주사전자현미경 (SEM)으로 촬영한 사진이다. 유입가스는 사불화탄소와 아세틸렌을 유량비(CF4/C2H2)로 (a) 5/15 (실시예 4), (b) 10/10 (실시예 5), (c) 15/5 (실시예 6), (d) 16/4 (실시예 7)혼합하여 제조한 예이다.
도 7은 알루미늄 (실시예 8), 실리콘 (실시예 9), 폴리에틸렌 (실시예 10) 소재의 표면 위에 각각 500 mTorr의 증착압력으로 나노 다공성 구조를 증착한 실시예 8 내지 10의 나노 다공성 물질의 표면을 주사전자현미경 (SEM)으로 촬영한 사진이다.
도 2는 비교예 1 및 2, 실시예 1 내지 3에 의해 제작된 나노 다공성 물질의 표면 구조를 주사전자현미경(SEM)으로 촬영한 사진이다. 각각 증착 압력이 (a) 100 (비교예 1), (b) 200 (비교예 2), (c) 300 (실시예 1), (d) 400 (실시예 2), (e) 500 (실시예 3) mTorr인 것을 나타낸다.
도 3은 비교예 1 및 2, 실시예 1 내지 3에 의해 제작된 나노 다공성 물질의 단면을 주사전자현미경(SEM)으로 촬영한 사진이다. 각각 증착 압력이 (a) 100 (비교예 1), (b) 200 (비교예 2), (c) 300 (실시예 1), (d) 400 (실시예 2), (e) 500 (실시예 3) mTorr 인 것을 나타낸다.
도 4는 500 mTorr의 증착압력으로 제작된 실시예 3의 나노 다공성 물질을 투사전자현미경(TEM)으로 촬영한 사진이다.
도 5는 500 mTorr의 증착압력으로 제작된 실시예 3의 나노 다공성 코팅을 이용하여 그 기공 크기를 질소 가스를 이용한 물리흡착 방식에 의해 측정한 그래프이다.
도 6은 500 mTorr의 증착압력으로 제작한 실시예 4 내지 7의 나노 다공성 물질의 표면을 주사전자현미경 (SEM)으로 촬영한 사진이다. 유입가스는 사불화탄소와 아세틸렌을 유량비(CF4/C2H2)로 (a) 5/15 (실시예 4), (b) 10/10 (실시예 5), (c) 15/5 (실시예 6), (d) 16/4 (실시예 7)혼합하여 제조한 예이다.
도 7은 알루미늄 (실시예 8), 실리콘 (실시예 9), 폴리에틸렌 (실시예 10) 소재의 표면 위에 각각 500 mTorr의 증착압력으로 나노 다공성 구조를 증착한 실시예 8 내지 10의 나노 다공성 물질의 표면을 주사전자현미경 (SEM)으로 촬영한 사진이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
비교예
1 및
비교예
2
기재에, 유압가스인 아세틸렌가스(C2H2) 20 sccm의 유량으로 플라즈마 반응기에 도입하고, 증착공정을 실시하였다.
증착공정에서 rf-power는 600 W로 bias-voltage는 -600 V로 일정하게 유지하였고, 100 mTorr의 증착압력으로 얻어진 박막을 비교예 1로, 다른 조건은 동일하나, 증착압력만을 200 mTorr로 하여서 제조한 박막을 비교예 2로 하였다.
상기 비교예 1 및 2의 박막의 표면 미세 구조를 주사전자현미경으로 관찰하였고, 그 사진을 각각 도 2의 (a)와 (b)로 나타내었다. 또한, 비교예 1 및 2의 박막의 단면 미세 구조를 주사전자현미경으로 관찰하였고, 그 사진을 각각 도 3의 (a)와 (b)로 나타내었다.
실시예
1 내지
실시예
3
기재에, 유압가스인 아세틸렌가스(C2H2) 20 sccm의 유량으로 플라즈마 반응기에 도입하고, 증착공정을 실시하였다.
상기 비교예 1 및 2와 동일하게 증착공정에서의 rf-power는 600 W로, bias-voltage는 -600 V로 일정하게 유지하였고, 증착압력을 각각 300, 400, 500 mTorr로 변경하면서 실시예 1, 2, 및 3의 박막을 제조하였다.
상기 실시예 1 내지 3의 박막의 표면 미세 구조를 주사전자현미경으로 관찰하였고, 그 사진을 각각 도 2의 (c) 내지 (e)로 나타내었다. 또한, 이들 박막의 단면 미세 구조를 주사전자현미경으로 관찰하여, 그 사진을 각각 도 3의 (c) 내지 (e)로 나타내었다. 상기 도 2 및 도 3의 사진들을 참조하면, 비교예 1 및 2와 비교하여 실시예 1 내지 3의 박막에서 나노 다공성 구조가 뚜렷하게 관찰된다는 점을 확인할 수 있었다.
도 4는 상기 실시예 3의 박막을 투사전자현미경(TEM)으로 촬영한 사진이다. 상기 도 4를 참조하면, 지름이 수십 나노미터인 나노 클러스터들이 서로 연결되어 네트워크를 형성하고 있는 것을 확인할 수 있었다.
상기 실시예 3의 박막의 기공 사이즈를 확인하기 위해서 질소 가스를 이용한 물리흡착 방식으로 평가하여 그 결과를 도 5에 나타내었다. 도 5를 참조하면, 실시예 3의 박막은 10 nm에 가까운 매우 작은 사이즈의 기공으로부터 약 60 nm에 이르는 크기의 나노 수준의 기공까지 형성되어 있다는 점을 확인할 수 있었다.
실시예
4 내지
실시예
7
기재에, 유압가스를 20 sccm의 유량으로 도입하면서 플라즈마 반응기에서 증착공정을 실시하였다. 상기 비교예 1 및 2, 실시예 1 내지 3과 동일하게 증착공정에서의 rf-power는 600 W로, bias-voltage는 -600 V로 일정하게 유지하였고, 증착압력은 모두 500 mTorr로 동일하게 적용하였다. 다만, 유압가스를, 아세틸렌(C2H2) 가스에 기능성 가스인 사불화탄소(CF4) 가스를 혼합하여 적용하였으며, 그 유량비(CF4/C2H2, 부피비)를 각각 (a) 5/15, (b) 10/10, (c) 15/5, (d) 16/4 하여서 실시예 4, 5, 6, 및 7의 박막을 제조하였다.
상기 실시예 4 내지 7의 박막의 표면 구조를 주사전자현미경 (SEM)으로 관찰하였으며, 그 사진을 도 6에 나타내었다. 상기 도6을 참조하면, 탄화수소계 가스인 아세틸렌 가스와 기능성 가스인 사불화탄소 가스를 혼합하는 비율에 따라서 나노 클러스터와 기공의 지름과 크기를 조절할 수 있었으며, 기능성 가수인 사불화탄소가 더 많은 양으로 혼합될수록, 더 조밀한 나노 클러스터가 형성되는 것을 확인할 수 있었다.
실시예
8 내지
실시예
10
기재에, 아세틸렌(C2H2) 가스인 유압가스를 20 sccm의 유량으로 도입하면서 플라즈마 반응기에서 증착공정을 실시하였다. 증착공정에서의 rf-power는 600 W로, bias-voltage는 -600 V로 일정하게 유지하여 상기 비교예 1 및 2, 그리고 실시예 1 내지 7과 동일하게 적용하였고, 증착압력도 모두 500 mTorr로 동일하게 적용하였다.
다만, 기재를 금속 소재인 알루미늄, 세라믹 소재인 실리콘, 그리고 플라스틱 소재인 폴리에틸렌으로 각각 변경하면서 실시예 8, 9, 및 10의 나노 다공성 물질을 형성하였으며, 이들의 미세 표면 구조를 주사전자현미경 (SEM)으로 관찰하여 도 7에 나타내었다,
상기 도 7을 참조하면, 기재의 종류가 금속인지, 세라믹인지 또는 플라스틱인지와 무관하게 모두 유사한 나도 다공성 박막이 형성되었다는 점을 확인할 수 있었으며, 이는 증착되는 입자들이 매우 낮은 운동에너지를 가지고 있기 때문에, 박막 내부의 잔류 응력이 극히 낮아서 기재의 소재와 무관하게 증착된 박막이 에너지적으로 불안정하기 않기 때문이라 파악된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Claims (15)
- 기재를 준비하는 준비단계, 그리고
상기 기재에, 증착압력을 300 mTorr 이상, 500 mTorr 미만으로 하는 플라즈마 증착을 이용하여 나노클러스터들이 서로 연결되어 네트워크를 형성한 나노 다공성 물질을 제조하는 제조단계
를 포함하는, 나노 다공성 물질의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 플라즈마 증착은 - 500 V 내지 - 1000 V의 전압의 범위로 이루어지는 것인, 나노 다공성 물질의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 플라즈마 증착은, 유입가스로 탄화수소계 기체를 포함하여 적용하는 것인, 나노 다공성 물질의 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 탄화수소계 기체는 아세틸렌(C2H2), 메탄(CH4), 벤젠(C6H6), 헥사메틸디실록산(C6H18OSi2) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인, 나노 다공성 물질의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 나노 다공성 물질은, 상기 물질의 표면 및 내부에 기공을 포함하는 것인, 나노 다공성 물질의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 나노 다공성 물질은 상기 물질의 내부에 포함되는 기공의 지름이 10 내지 70 nm이고, 상기 물질에 포함되는 나노클러스터들의 직경이 10 내지 50 nm인 것인, 나노 다공성 물질의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 나노 다공성 물질은 그 두께가 0.1 내지 1000 ㎛인 것인, 나노 다공성 물질의 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 유입가스는 사불화탄소(CF4), 아르곤(Ar), 질소(N2), 실레인(SiH4) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 기능성가스를 더 포함하는 것인, 나노 다공성 물질의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 기재는, 세라믹, 금속, 플라스틱을 포함하는 군에서 선택된 어느 하나인 것인, 나노 다공성 물질의 제조방법. - 나노클러스터들이 서로 연결되어 네트워크를 형성한 것인, 나노 다공성 물질로서, 상기 물질의 내부에 포함되는 기공의 지름이 10 내지 70 nm이고, 상기 물질을 구성하는 나노클러스터들의 직경이 10 내지 50 nm인 것인, 나노 다공성 물질.
- 제10항에 있어서,
상기 나노 다공성 물질은, 상기 물질의 표면 및 내부에 기공을 포함하는 것인, 나노 다공성 물질. - 삭제
- 제10항에 있어서,
상기 나노 다공성 물질은 그 두께가 0.1 내지 1000 ㎛인 것인, 나노 다공성 물질. - 제1항에 따른 나노 다공성 물질의 제조방법을 포함하는 필터의 제조방법.
- 제1항에 따른 나노 다공성 물질의 제조방법을 포함하는 초소수성 표면의 제조방법.
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10233098B2 (en) | 2015-01-15 | 2019-03-19 | Ut-Battelle, Llc | Nanoporous graphene membrane for desalination of salt water |
| CN110090557B (zh) * | 2019-04-22 | 2021-10-15 | 大连理工大学 | 一种结构梯度变化的多孔超疏水膜制备方法 |
| WO2021162997A1 (en) * | 2020-02-10 | 2021-08-19 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Electrically gated nanostructure devices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070068126A (ko) * | 2005-12-26 | 2007-06-29 | 한국과학기술원 | 나노크기 이하의 기공을 가지는 카본나이트라이드나노튜브, 이의 제조방법 및 카본나이트라이드 나노튜브의기공 크기와 양을 조절하는 방법 |
| KR20120116277A (ko) * | 2011-04-12 | 2012-10-22 | 한국과학기술연구원 | 재사용이 용이한 기공체 - 위성 나노입자 복합체 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7901776B2 (en) * | 2006-12-29 | 2011-03-08 | 3M Innovative Properties Company | Plasma deposited microporous carbon material |
-
2012
- 2012-10-26 KR KR1020120119810A patent/KR101408136B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-08-22 US US13/973,013 patent/US20140116936A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070068126A (ko) * | 2005-12-26 | 2007-06-29 | 한국과학기술원 | 나노크기 이하의 기공을 가지는 카본나이트라이드나노튜브, 이의 제조방법 및 카본나이트라이드 나노튜브의기공 크기와 양을 조절하는 방법 |
| KR20120116277A (ko) * | 2011-04-12 | 2012-10-22 | 한국과학기술연구원 | 재사용이 용이한 기공체 - 위성 나노입자 복합체 및 그 제조방법 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Francesca Baletto, Structural properties of nanoclusters: Energetic, thermodynamic, REVIEWS OF MODERN PHYSICS, VOLUME 77, JANUARY 2005 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR20140053637A (ko) | 2014-05-08 |
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