KR101405596B1 - New composition of aluminum silicate phosphor and preparing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 알루미늄 실리케이트계 형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 250∼500nm의 파장에서 여기하고 400∼800nm의 파장에서 발광 특성을 지니며, 하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체, 이의 제조방법 및 하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체를 포함하는 발광소자에 관한 것이다.
M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Qy......화학식(1)
상기 화학식(1)에서 M은 Li, Na, K, Rb, Cs 중에서 선택된 어느 하나의 알칼리금속이고; Q는 유로피움(Eu), 망간(Mn), 철(Fe), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 아연(Zn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세듐(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In) 중에서 선택된 한 개 이상의 활성제 또는 부활성제이고; x는 0 ≤ x ≤ 1; y는 0 < y ≤ 0.5이다.
The present invention relates to an aluminum silicate-based fluorescent material and a method for producing the same. More particularly, the present invention relates to an aluminum silicate-based fluorescent material which excites at a wavelength of 250 to 500 nm and has emission characteristics at a wavelength of 400 to 800 nm, A method for producing the same, and a light emitting device comprising an aluminum silicate-based phosphor represented by the following formula (1).
M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Q y ????? (1)
In the above formula (1), M is any alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs; Q is at least one of Eu, Mn, Fe, Cr, Ca, Zn, Co, Ni, Y, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, gadolinium, terbium, dysprosium, erbium, At least one activator or a coactivator selected from the group consisting of tulium (Tm), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), gallium (Ga), germanium (Ge) and indium (In); x is 0? x? 1; y is 0 < y &lt; 0.5.

Description

알루미늄 실리케이트계 형광체 및 이의 제조방법{New composition of aluminum silicate phosphor and preparing method thereof}TECHNICAL FIELD The present invention relates to an aluminum silicate phosphor and a method for producing the phosphor,

본 발명은 알루미늄 실리케이트계 형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 250∼500nm의 파장에서 여기하고 400∼800nm의 파장에서 발광 특성을 지니며, 하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체, 이의 제조방법 및 하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체를 포함하는 발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to an aluminum silicate-based fluorescent material and a method for producing the same. More particularly, the present invention relates to an aluminum silicate-based fluorescent material which excites at a wavelength of 250 to 500 nm and has emission characteristics at a wavelength of 400 to 800 nm, A method for producing the same, and a light emitting device comprising an aluminum silicate-based phosphor represented by the following formula (1).

M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Qy......화학식(1)M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Q y ????? (1)

상기 화학식(1)에서 M은 Li, Na, K, Rb, Cs 중에서 선택된 어느 하나의 알칼리금속이고; Q는 유로피움(Eu), 망간(Mn), 철(Fe), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 아연(Zn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세듐(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In) 중에서 선택된 한 개 이상의 활성제 또는 부활성제이고; x는 0 ≤ x ≤ 1; y는 0 < y ≤ 0.5이다.
In the above formula (1), M is any alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs; Q is at least one of Eu, Mn, Fe, Cr, Ca, Zn, Co, Ni, Y, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, gadolinium, terbium, dysprosium, erbium, At least one activator or a coactivator selected from the group consisting of tulium (Tm), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), gallium (Ga), germanium (Ge) and indium (In); x is 0? x? 1; y is 0 < y &lt; 0.5.

백색 발광 다이오드(white LED)는 기존의 일반 조명 중 가장 대표적이라 할 수 있는 형광등을 대체 할 수 있는 차세대 발광 소자 후보의 하나이다. White light emitting diodes (white LEDs) are one of the next-generation light emitting device candidates that can replace fluorescent light, which is one of the most typical conventional lighting.

발광 다이오드는 기존의 광원보다 소비전력이 적으며, 형광등과 달리 수은을 포함하지 않아 친환경적이라 할 수 있다. 또한 기존의 광원과 비교하여 수명이 길며 응답속도가 빠르다는 장점을 갖는다. Light emitting diodes have less power consumption than conventional light sources, and unlike fluorescent lamps, they do not contain mercury and can be said to be environmentally friendly. In addition, it has a longer life span and faster response time than conventional light sources.

백색 발광 다이오드를 제조하는 방법에는 크게 세 가지가 있는데 (1)적색, 녹색, 청색 LED 칩을 조합하여 백색광을 구현하는 방법, (2)청색 LED 칩에 황색 형광체를 도포하여 백색광을 구현하는 방법, (3)자외선(UV) LED 칩에 적색, 녹색, 청색 LED 칩을 조합하여 백색광을 구현하는 방법이 그것이다.There are three methods for manufacturing a white light emitting diode: (1) a method of realizing white light by combining red, green, and blue LED chips, (2) a method of implementing a white light by applying a yellow phosphor to a blue LED chip, (3) A method of implementing white light by combining red, green, and blue LED chips on an ultraviolet (UV) LED chip.

적색, 녹색, 청색 LED 칩을 조합하여 백색광을 구현하기 위해서는 InGaN,GaN, GaAs, ZnO 등의 서로 다른 막을 만들어야 하는데 이러한 제조 방법은 서로 다른 발광 다이오드를 제조해야 하므로 제조공정에 설비비가 많이 들고 생산비가 높아지는 단점이 있다. 또한 적색, 녹색, 청색 LED 칩을 조합하는 경우 각각의 LED 칩의 구동 전압이 달라 각각의 회로를 구성하는데 따른 제조 공정의 복잡성, 복잡한 구조로 인한 디자인의 제약 및 비용 상승이라는 문제점이 발생한다.In order to realize white light by combining red, green, and blue LED chips, different films such as InGaN, GaN, GaAs, and ZnO must be made. Such a manufacturing method requires manufacturing different light emitting diodes, . In addition, when the red, green, and blue LED chips are combined, the driving voltage of each LED chip is different. Therefore, there arises a problem of complexity of the manufacturing process and restriction of design due to the complicated structure of the respective circuits.

청색 LED 칩에 황색 형광체를 도포하여 백색광을 구현하는 방법은 현재 가장 널리 사용되며 발광 다이오드를 이용하여 백색광을 구현하는 가장 대표적인 방법이다. 현재 가장 널리 사용되고 있는 백색 발광 다이오드는 청색 LED 칩에 황색 형광체인 YAG:Ce 형광체를 도포하여 제조되고 있다. 청색 LED 칩과 황색 형광체를 결합하여 백색광을 구현하는 방법의 경우 발광 다이오드의 여기원이 450nm의 파장으로 450nm 여기 파장을 갖는 형광체를 찾는데 그 어려움이 있어 청색 LED 칩과 형광체를 결합하는데 있어 그 제약이 따른다. 청색 LED 칩으로 여기되는 형광체로서 황색 형광체를 사용하는 경우 적색 영역의 약한 발광으로 인해 연색 지수(Color Rendering Index, CRI)가 낮아지는 단점이 있다. 또한 상기 방법의 경우 청색 광원이 구동 전압에 따라 변하게 되므로 색좌표가 불안정한 단점을 갖게 된다.The method of applying a yellow phosphor to a blue LED chip to realize white light is currently the most widely used and is the most representative method of realizing white light by using a light emitting diode. Currently, the most widely used white light emitting diodes are manufactured by applying YAG: Ce phosphor, which is a yellow phosphor, to a blue LED chip. In the case of the method of combining white LED with blue LED chip and yellow phosphor, it is difficult to find a phosphor having an excitation wavelength of 450 nm and an excitation wavelength of 450 nm in light emitting diode. Therefore, Follow. When a yellow phosphor is used as a phosphor excited by a blue LED chip, there is a disadvantage that a color rendering index (CRI) is lowered due to weak light emission in a red region. In addition, since the blue light source changes according to the driving voltage in the above method, the color coordinate becomes unstable.

자외선 LED칩에 적색, 녹색, 청색 형광체를 조합하거나, 넓은 반치폭(Full Width Half Maximum, FWHM)의 발광 스펙트럼을 가지는 형광체를 이용하여 백색광을 구현하는 방법의 경우 상기의 문제점들을 해결할 수 있다. 장파장 자외선 발광 다이오드에 적색, 녹색, 청색 형광체를 도포하는 경우나 넓은 반치폭을 가지는 황색의 형광체의 경우 높은 연색지수를 갖는 태양광에 가까운 백색광을 만들어낼 수 있다. 따라서 이러한 자외선 및 청색 발광 다이오드에 의해 여기 되는 고연색 및 고효율의 형광체 개발이 절실히 요구되는 실정이다.The above problems can be solved in the case of combining a red, green, and blue phosphors in an ultraviolet LED chip or a method of implementing white light using phosphors having a full width half maximum (FWHM) emission spectrum. When a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor are applied to a long wavelength ultraviolet light emitting diode, or a yellow phosphor having a wide half width, white light similar to solar light having a high color rendering index can be produced. Therefore, there is an urgent need to develop phosphors having high color rendering and high efficiency which are excited by such ultraviolet and blue light emitting diodes.

본 발명과 관련된 선행기술로서 한국특허 제10-0621153호에 하기 화학식 1로 표시되는 백색 발광다이오드 소자용 실리케이트 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 발광다이오드 소자에 관한 것이 있다.As a prior art related to the present invention, Korean Patent No. 10-0621153 discloses a silicate phosphor for a white light emitting diode device represented by the following Chemical Formula 1, a process for producing the same, and a white light emitting diode device using the same.

SrXBa2-XSiO4:Eu...화학식 1 Sr X Ba 2-X SiO 4 : Eu ????? (1)

(상기에서, X는 1.00 ≤ X ≤ 1.96이다.) (In the above, X is 1.00? X? 1.96.)

또한 한국공개특허 제2003-0051345호에 10m2/g 이상의 BET 비표면적을 갖는 산화 규소 및 Ca, Sr, Ba, Mg, Eu, Mn 및 Zn 으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 화합물의 혼합물을 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리케이트 형광체의 제조 방법으로서, 상기 실리케이트 형광체는, mM1O · nM2O · 2SiO2(식 중, M1은 Ca, Sr 및 Ba 로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 원소이고, M2는 Mg 및 Zn 으로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 원소이며, m은 0.5 내지 3.5 이고, n은 0.5 내지 2.5 임)의 화학식으로 표시되는 화합물, 및 활성제로서 Eu 및 Mn으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리케이트 형광체 제조방법을 나타내고 있다.Also, in Korean Patent Publication No. 2003-0051345, a mixture of at least one metal compound selected from the group consisting of silicon oxide having a BET specific surface area of 10 m 2 / g or more and Ca, Sr, Ba, Mg, Eu, a method for producing a silicate phosphor comprising a step of, wherein the silicate phosphor, mM1O · nM2O · 2SiO least one element selected from, M1 is a group consisting of Ca, Sr and Ba of 2 (wherein, M2 is at least one element selected from the group consisting of Mg and Zn, m is from 0.5 to 3.5, and n is from 0.5 to 2.5, and Eu and Mn as the activator are selected from the group consisting of And at least one silicate phosphor.

그러나 본 발명과 상기 선행기술들의 형광체는 각각의 주요 구성 성분 및 기술적 특징이 서로 상이하므로, 본 발명과 상기 선행기술들은 발명의 구성이 서로 다른 발명이다.
However, since the present invention and the phosphors of the prior art are different from each other in major components and technical features, the present invention and the prior art are inventions having different compositions.

본 발명은 자외선 및 청색 발광 다이오드에 여기되는 기존의 형광체에서 나타나는 낮은 연색성 및 밝기 등의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 자외선 및 청색 발광 다이오드가 나타내는 250∼500nm의 파장에 의해 여기되며, 400∼800nm 영역의 발광 파장 스펙트럼을 보이는 알루미늄 실리케이트계 형광체, 이의 제조방법, 상기의 알루미늄 실리케이트계 형광체를 포함하는 발광소자 및 상기의 알루미늄 실리케이트계 형광체를 포함하는 발광소자를 함유하는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
The present invention addresses the problems of low color rendering and brightness in conventional phosphors excited by ultraviolet and blue light emitting diodes, and is excited by a wavelength of 250 to 500 nm represented by ultraviolet and blue light emitting diodes, , A method for producing the same, a light-emitting device including the aluminum silicate-based fluorescent material, and a display device including the light-emitting device including the aluminum silicate-based fluorescent material .

본 발명은 자외선 및 청색 발광 다이오드가 나타내는 250∼500nm의 파장에서 여기하고 400∼800nm의 파장에서 발광 특성을 지니며, 하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체, 이의 제조방법 및 하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체를 포함하는 발광소자 및 하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체를 포함하는 발광소자를 함유하는 표시장치를 제공할 수 있다.The present invention relates to an aluminum silicate-based phosphor which is excited at a wavelength of 250 to 500 nm represented by ultraviolet and blue light emitting diodes and has a luminescence property at a wavelength of 400 to 800 nm and is represented by the following formula (1) 1), and a display device containing a light-emitting device comprising an aluminum silicate-based phosphor represented by the following formula (1).

M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Qy......화학식(1)M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Q y ????? (1)

상기 화학식(1)에서 M은 Li, Na, K, Rb, Cs 중에서 선택된 어느 하나의 알칼리금속이고; Q는 유로피움(Eu), 망간(Mn), 철(Fe), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 아연(Zn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세듐(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In) 중에서 선택된 한 개 이상의 활성제 또는 부활성제이고; x는 0 ≤ x ≤ 1; y는 0 < y ≤ 0.5이다.
In the above formula (1), M is any alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs; Q is at least one of Eu, Mn, Fe, Cr, Ca, Zn, Co, Ni, Y, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, gadolinium, terbium, dysprosium, erbium, At least one activator or a coactivator selected from the group consisting of tulium (Tm), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), gallium (Ga), germanium (Ge) and indium (In); x is 0? x? 1; y is 0 < y &lt; 0.5.

본 발명의 하기 화학식(1)로 나타내는 형광체는 M1+x-yAl1+xSi2-xO6를 모체로 하고 Q를 활성제 및/또는 부활성제로 하여 1200℃ 이상의 온도에서 열처리 공정을 거쳐 제조한 것으로써, 250∼500nm의 파장에서 여기하고 400∼800nm에 이르는 넓은 파장의 발광 스펙트럼을 나타낼 수 있다.The phosphor represented by the following formula (1) of the present invention is produced by a heat treatment process at a temperature of 1200 ° C or higher, using M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 as a matrix and Q as an activator and / , It is possible to excite at a wavelength of 250 to 500 nm and exhibit an emission spectrum of a wide wavelength ranging from 400 to 800 nm.

본 발명의 하기 화학식(1)로 나타내는 형광체는 Q를 활성제 및/또는 부활성제로 사용하는 알루미늄 실리케이트계 형광체를 제조할 수 있었으며, 자외선 및 청색 발광 다이오드를 여기 에너지원으로 사용하여 발광하는 형광체를 얻을 수 있다.The phosphor represented by the following formula (1) of the present invention can produce an aluminum silicate-based phosphor using Q as an activator and / or a negative activator, and obtains a phosphor emitting light by using ultraviolet and blue light emitting diodes as an excitation energy source .

본 발명의 형광체는 자외선 및 청색 발광 다이오드에 결합되어 발광소자, 바람직하게는 백색 발광 다이오드에 적용할 수 있다. The phosphor of the present invention can be applied to a light emitting device, preferably a white light emitting diode, coupled to ultraviolet and blue light emitting diodes.

M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Qy......화학식(1)M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Q y ????? (1)

상기 화학식(1)에서 M은 Li, Na, K, Rb, Cs 중에서 선택된 어느 하나의 알칼리금속이고; Q는 유로피움(Eu), 망간(Mn), 철(Fe), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 아연(Zn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세듐(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In) 중에서 선택된 한 개 이상의 활성제 또는 부활성제이고; x는 0 ≤ x ≤ 1; y는 0 < y ≤ 0.5이다.
In the above formula (1), M is any alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs; Q is at least one of Eu, Mn, Fe, Cr, Ca, Zn, Co, Ni, Y, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, gadolinium, terbium, dysprosium, erbium, At least one activator or a coactivator selected from the group consisting of tulium (Tm), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), gallium (Ga), germanium (Ge) and indium (In); x is 0? x? 1; y is 0 < y &lt; 0.5.

도 1은 본 발명의 알루미늄 실리케이트 형광체의 제조공정도이다.
도 2는 <실시예 1-1> 내지 <실시예 1-4>에서 열처리 온도에 따라 제조한 형광체를 395nm의 자외선으로 여기 시켜 얻은 형광체의 발광 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 3은 <실시예 1-1> 내지 <실시예 1-4>에서 열처리 온도에 따라 제조한 형광체의 흡수 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 4는 <실시예 1-1> 내지 <실시예 1-4>에서 열처리 온도에 따라 제조한 형광체의 XRD 회절 패턴을 나타낸 그래프이다.
도 5a 및 도 5b는 <실시예 2-1> 내지 <실시예 2-8>에서 제조한 K1+x-yAl1+xSi2-xO8:Eu2+ y(x=0, y=0.01∼0.25)의 알루미늄 실리케이트 형광체에서 활성제인 Eu2+ 농도가 1∼25몰%[Eu2+ y(y=0.01∼0.25)] 변화에 따른 형광체의 발광 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 6a 및 도 6b는 <실시예 3-1> 내지 <실시예 3-4>에서 제조한 각각의 K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0, 0.2, 0.6, 1, y=0.1)의 알루미늄 실리케이트 형광체에 대해 395nm 파장의 여기 하에서 450nm 필터(filter)를 사용하여 410∼800nm의 파장 범위에서 발광 파장을 측정한 PL 스펙트럼 그래프로서, 도 6a 및 도 6b에서 K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체는 A, K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.2, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체는 B, K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.6, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체는 C, K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=1, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체는 D를 나타낸다.
도 7은 <실시예 4-1>에서 제조한 K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.07Mn2+ 0.03 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체(C), <실시예 4-2>에서 제조한 K0.9AlSi2O8:Ce3+ 0.1 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체(B), <실시예 2-5>에서 제조한 K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.1 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체(A)에 대해 각각 400∼800nm 파장에서의 발광 스펙트럼인 PL 스펙트럼(photoluminescence spectrum)의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 8은 <적용예 1>에서 제조한 발광 다이오드를 3V, 20mA에서 구동하여 자외선 파장에서 여기 시켜 350∼750nm의 파장에서의 발광 스펙트럼(EL intensity)을 측정한 그래프이다.
1 is a view showing a process for producing the aluminum silicate phosphor of the present invention.
FIG. 2 is a graph showing the emission spectrum of a phosphor obtained by exciting a phosphor prepared according to the heat treatment temperature in Examples 1-1 to 1-4 with ultraviolet rays of 395 nm. FIG.
3 is a graph showing absorption spectra of the phosphors prepared according to the heat treatment temperatures in Examples 1-1 to 1-4.
4 is a graph showing the XRD diffraction pattern of the phosphor prepared according to the heat treatment temperature in Examples 1-1 to 1-4.
FIGS. 5A and 5B are graphs showing the relationship among the values of K 1 + xy Al 1 + x Si 2 -x O 8 : Eu 2+ y (x = 0, y = (Eu 2 + y (y = 0.01 to 0.25)) of the activator Eu 2+ in the aluminum silicate phosphor of 0.01 to 0.25.
6a and 6b are graphs showing the relationship between the K 1 + x y Al 1 + x Si 2-x O 6 : Eu 2+ y (x = 0, 0.2, 0.6, 1, y = 0.1) with a wavelength of 410 to 800 nm using a 450 nm filter under excitation of a 395 nm wavelength, and FIGS. 6A and 6B are graphs showing emission spectra of the aluminum silicate phosphors The aluminum silicate fluorescent material having the composition of K 1 + xy Al 1 + x Si 2 -x O 6 : Eu 2+ y (x = 0, y = 0.1) in 6b is A, K 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 0.2, y = 0.1) the composition of aluminum silicate phosphors B, K 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 0.6, y = 0.1) composition of the aluminum silicate fluorescent material is represented by C, K 1 + xy Al 1 + x Si 2 -x O 6 : Eu 2+ y (x = 1, y = 0.1)
7 is a graph showing the relationship between K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.07 Mn 2+ 0.03 (B) of the composition of K 0.9 AlSi 2 O 8 : Ce 3+ 0.1 prepared in Example 4-2, K of the aluminum silicate fluorescent substance (B) prepared in Example 2-4, (A) which has a composition of 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.1 in terms of a photoluminescence spectrum, which is an emission spectrum at a wavelength of 400 to 800 nm.
FIG. 8 is a graph showing emission spectra (EL intensity) at a wavelength of 350 to 750 nm by exciting the light emitting diode manufactured in Application Example 1 at 3 V and 20 mA at an ultraviolet wavelength.

본 발명은 알루미늄 실리케이트계 형광체를 나타낸다.The present invention shows an aluminum silicate-based phosphor.

본 발명은 하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체를 나타낸다.The present invention relates to an aluminum silicate-based phosphor represented by the following formula (1).

M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Qy......화학식(1)M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Q y ????? (1)

상기 화학식(1)에서 M은 Li, Na, K, Rb, Cs 중에서 선택된 어느 하나의 알칼리금속이고; Q는 유로피움(Eu), 망간(Mn), 철(Fe), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 아연(Zn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세듐(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In) 중에서 선택된 한 개 이상의 활성제 또는 부활성제이고; x는 0 ≤ x ≤ 1; y는 0 < y ≤ 0.5이다.In the above formula (1), M is any alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs; Q is at least one of Eu, Mn, Fe, Cr, Ca, Zn, Co, Ni, Y, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, gadolinium, terbium, dysprosium, erbium, At least one activator or a coactivator selected from the group consisting of tulium (Tm), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), gallium (Ga), germanium (Ge) and indium (In); x is 0? x? 1; y is 0 < y &lt; 0.5.

상기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체는 250∼500nm의 파장에서 여기하는 특성을 나타낸다.The aluminum silicate-based phosphor represented by the above formula (1) exhibits a property of exciting at a wavelength of 250 to 500 nm.

상기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체는 400∼800nm의 파장에서 발광하는 특성을 나타낸다.The aluminum silicate-based phosphor represented by the above formula (1) exhibits a characteristic of emitting light at a wavelength of 400 to 800 nm.

상기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체는 250∼500nm의 파장에서 여기하고 400∼800nm의 파장에서 발광하는 특성을 나타낸다.The aluminum silicate-based phosphor represented by the formula (1) excites at a wavelength of 250 to 500 nm and emits light at a wavelength of 400 to 800 nm.

상기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체의 크기는 0.5∼20㎛일 수 있다.The size of the aluminum silicate-based phosphor represented by the formula (1) may be 0.5 to 20 탆.

상기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체의 크기는 1∼10㎛일 수 있다.The size of the aluminum silicate-based phosphor represented by the formula (1) may be 1 to 10 탆.

상기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체는 큐빅(cubic), 테트라고날(Tetragonal), 올소롬빅(Orthorhombic), 헥사고날(Hexagonal) 중에서 선택된 어느 1개 이상의 결정상을 주상으로 이루어질 수 있다.
The aluminum silicate-based fluorescent material represented by the formula (1) may have at least one crystal phase selected from among cubic, tetragonal, orthorhombic, and hexagonal.

본 발명은 알루미늄 실리케이트계 형광체의 제조방법을 나타낸다.The present invention shows a method for producing an aluminum silicate-based phosphor.

본 발명은 용매에 알루미늄(Al), 실리카(Si), 알칼리 금속 및 활성제를 첨가하고 혼합한 후 건조하는 단계; 상기의 건조한 혼합물을 열처리하는 단계; 및 상기 열처리 단계 후 상온으로 냉각시키고 분쇄하는 단계를 포함하도록 하여 하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체의 제조방법을 나타낸다(도 1 참조).The present invention relates to a method for producing an aluminum alloy, comprising the steps of: adding aluminum (Al), silica (Si), an alkali metal and an activator to a solvent, Heat treating the dry mixture; And a step of cooling and pulverizing the mixture to a normal temperature after the heat treatment step, thereby producing an aluminum silicate-based phosphor represented by the following formula (1) (see FIG. 1).

M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Qy......화학식(1)M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Q y ????? (1)

상기 화학식(1)에서 M은 Li, Na, K, Rb, Cs 중에서 선택된 어느 하나의 알칼리금속이고; Q는 유로피움(Eu), 망간(Mn), 철(Fe), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 아연(Zn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세듐(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In) 중에서 선택된 한 개 이상의 활성제 또는 부활성제이고; x는 0 ≤ x ≤ 1; y는 0 < y ≤ 0.5이다.
In the above formula (1), M is any alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs; Q is at least one of Eu, Mn, Fe, Cr, Ca, Zn, Co, Ni, Y, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, gadolinium, terbium, dysprosium, erbium, At least one activator or a coactivator selected from the group consisting of tulium (Tm), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), gallium (Ga), germanium (Ge) and indium (In); x is 0? x? 1; y is 0 < y &lt; 0.5.

상기에서 알루미늄(Al), 실리카(Si), 알칼리 금속 및/또는 활성제는 산화물 형태인 화합물을 사용할 수 있다.In the above, compounds in the form of aluminum (Al), silica (Si), alkali metal and / or activator may be used.

상기에서 알루미늄(Al), 실리카(Si), 알칼리 금속 및/또는 활성제는 염화물 형태인 화합물을 사용할 수 있다.In the above, compounds in the form of aluminum (Al), silica (Si), alkali metal and / or activator in chloride form can be used.

상기에서 알루미늄(Al), 실리카(Si), 알칼리 금속 및/또는 활성제는 수산화물 형태인 화합물을 사용할 수 있다.In the above, aluminum (Al), silica (Si), alkali metal and / or activator may be in a hydroxide form.

상기에서 알루미늄(Al), 실리카(Si), 알칼리 금속 및/또는 활성제는 질산화물 형태인 화합물을 사용할 수 있다.In the above, aluminum (Al), silica (Si), alkali metal and / or activator may be in the form of a nitrate form.

상기에서 알루미늄(Al), 실리카(Si), 알칼리 금속 및/또는 활성제는 탄산화물 형태인 화합물을 사용할 수 있다.In the above, aluminum (Al), silica (Si), alkali metal and / or activator may be in the form of carbonates.

상기에서 알루미늄(Al), 실리카(Si), 알칼리 금속 및/또는 활성제는 초산화물 형태인 화합물을 사용할 수 있다.As the aluminum (Al), silica (Si), alkali metal and / or activator in the above, compounds in the form of super oxide may be used.

상기에서 형광체의 원료 성분 중에서 알루미늄의 일예로서 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 알루미늄 클로라이드(AlCl3) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.Among the raw material components of the phosphor, any one or more selected from among aluminum nitride (Al (NO 3 ) 3 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and aluminum chloride (AlCl 3 ) can be used.

상기에서 형광체의 원료 성분 중에서 실리카의 일예로서 테트라올소실리케이트(Tetraorthosilicate, TEOS), 메타-소듐 실리케이트(Na2SiO3) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다. Among the raw material components of the phosphor, at least one selected from tetraorthosilicate (TEOS) and meta-sodium silicate (Na 2 SiO 3 ) can be used as an example of silica.

상기에서 형광체의 원료 성분 중에서 알칼리 금속의 일예로서 소듐 나이트레이트(NaNO3), 소듐 클로라이드(NaCl), 리튬 나이트레이트(LiNO3), 리튬 클로라이드(LiCl), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 포타슘 클로라이드(KCl) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다. Among the raw materials of the phosphor, sodium nitrate (NaNO 3 ), sodium chloride (NaCl), lithium nitrate (LiNO 3 ), lithium chloride (LiCl), potassium nitrate (KNO 3 ), potassium chloride (KCl) may be used.

상기에서 형광체의 원료 성분 중에서 활성제는 유로피움 클로라이드(EuCl3), 유로피움 나이트레이트(Eu(NO3)3), 이트륨 나이트레이트(Y(NO3)3), 란타늄 나이트레이트(La(NO3)3), 망간 클로라이드(MnCl2), 망간 나이트레이트(Mn(NO3)2), 카파 나이트레이트(Cu(NO3)2), 세륨 나이트레이트(Ce(NO3)3) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.
Active agents from the raw material component of the fluorescent substance in the above is europium chloride (EuCl 3), europium nitrate (Eu (NO 3) 3) , yttrium nitrate (Y (NO 3) 3) , lanthanum nitrate (La (NO 3 3) 3), manganese chloride (MnCl 2), manganese nitrate (Mn (NO 3) 2) , kappa nitrate (Cu (NO 3) 2) , any one selected from cerium nitrate (Ce (NO 3) 3) Or more can be used.

상기에서 용매는 탄소수 1 내지 10개인 알코올 용매, 아세톤 및 물 중에서 선택된 1종 이상인 것을 사용할 수 있다.The solvent may be at least one selected from the group consisting of an alcohol solvent having 1 to 10 carbon atoms, acetone, and water.

상기 용매의 일예로 메탄올(methanol)을 사용할 수 있다.As an example of the solvent, methanol may be used.

상기 용매의 일예로 에탄올(ethanol)을 사용할 수 있다.As an example of the solvent, ethanol may be used.

상기 용매의 일예로 아세톤(acetone)을 사용할 수 있다.As an example of the solvent, acetone may be used.

상기 용매의 일예로 물(water)을 사용할 수 있다.As an example of the solvent, water may be used.

상기에서 용매 및 용매에 혼합된 원료물질을 교반 및/또는 초음파 진동장치 (ultrasonic)를 이용하여 균일한 조성이 되도록 혼합할 수 있다.In the above, the raw materials mixed in the solvent and the solvent may be mixed to have a uniform composition using stirring and / or ultrasonic vibration.

상기에서 용매 및 용매에 혼합된 원료물질을 100∼500rpm으로 1∼24시간 동안 교반 및/또는 50∼100kHz의 주파수를 발산할 수 있는 초음파 진동장치(ultrasonic)를 이용하여 균일한 조성이 되도록 혼합할 수 있다. The raw material mixed in the solvent and the solvent is mixed with stirring at 100 to 500 rpm for 1 to 24 hours and / or ultrasonic vibration using a ultrasonic oscillator capable of emitting a frequency of 50 to 100 kHz so as to have a uniform composition .

상기에서 건조는 50∼200℃에서 상기 용매가 없어질 때까지 완전히 건조할 수 있다.Drying can be done completely at 50-200 &lt; 0 &gt; C until the solvent disappears.

상기에서 열처리는 건조한 혼합물을 1200∼1500℃ 온도에서 1∼10시간 동안 실시할 수 있다.The heat treatment may be carried out at a temperature of 1200 to 1500 ° C for 1 to 10 hours.

상기에서 열처리는 건조한 혼합물을 1200∼1500℃ 온도 및 질소, 네온 또는 아르곤 75∼98부피% 및 수소 2∼25부피%가 혼합된 혼합 가스 환원 분위기하에서 1∼10시간 동안 실시할 수 있다. The heat treatment may be carried out at a temperature of 1200 to 1500 占 폚 and for 1 to 10 hours under a mixed gas reducing atmosphere in which 75 to 98% by volume of nitrogen, neon or argon and 2 to 25% by volume of hydrogen are mixed.

상기에서 열처리는 건조한 혼합물을 알루미나 도가니에 넣고 1200∼1500℃ 온도에서 1∼10시간 동안 실시할 수 있다.The heat treatment may be performed by placing the dried mixture in an alumina crucible at a temperature of 1200 to 1500 ° C for 1 to 10 hours.

상기에서 열처리는 건조한 혼합물을 알루미나 도가니에 넣고 1200∼1500℃ 온도 및 질소, 네온 또는 아르곤 75∼98부피% 및 수소 2∼25부피%가 혼합된 혼합 가스 환원 분위기하에서 1∼10시간 동안 실시할 수 있다.
The heat treatment can be carried out by placing the dried mixture in an alumina crucible for 1 to 10 hours at a temperature of 1,200 to 1,500 DEG C and a mixed gas reducing atmosphere in which 75 to 98% by volume of nitrogen, neon or argon and 2 to 25% have.

상기에서 열처리 단계 후 상온까지 냉각시킨 후 분쇄(grinding)하여 분말 형광체를 얻을 수 있다. After the heat treatment step, the powder is cooled to room temperature and then grinded to obtain a powdery phosphor.

상기의 분쇄공정은 형광체의 크기가 0.5∼20㎛가 되도록 실시할 수 있다.The grinding step may be carried out such that the size of the phosphor is 0.5 to 20 mu m.

상기의 분쇄공정은 형광체의 크기가 1∼10㎛가 되도록 실시할 수 있다.The pulverizing step may be carried out such that the size of the phosphor is 1 to 10 mu m.

상기에서 상온은 20∼30℃의 온도, 바람직하게는 20∼25℃의 온도를 의미한다.In the above, the normal temperature means a temperature of 20 to 30 캜, preferably 20 to 25 캜.

상기에서 제조된 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체는 큐빅(cubic), 테트라고날(Tetragonal), 올소롬빅(Orthorhombic), 헥사고날(Hexagonal) 중에서 선택된 1개 이상의 결정상을 주상으로 이루어질 수 있다.
The aluminum silicate-based fluorescent material represented by the formula (1) prepared above may have at least one crystal phase selected from cubic, tetragonal, orthorhombic, and hexagonal as a main phase .

본 발명은 상기에서 언급한 화학식(1)로 표시되는 형광체 또는 상기에서 언급한 방법에 의해 제조하며 화학식(1)로 표시되는 형광체를 함유하는 발광소자를 포함한다.The present invention includes a phosphor represented by the above-mentioned formula (1) or a phosphor prepared by the above-mentioned method and containing a phosphor represented by the formula (1).

상기에서 발광소자는 화학식(1)로 표시되는 형광체를 포함하는 발광층을 구비할 수 있다.The light emitting device may include a light emitting layer including a phosphor represented by Formula (1).

상기에서 발광소자는 화학식(1)로 표시되는 형광체가 에폭시에 분산된 형태의 발광층을 구비할 수 있다.The light emitting device may include a light emitting layer in which a phosphor represented by Formula (1) is dispersed in epoxy.

상기에서 발광소자는 화학식(1)로 표시되는 형광체를 스크린 프린팅(screen printing) 방법, 잉크젯 방법(inkjet) 혹은 그라비아 프린팅(gravure printing) 방법에 의해 제조한 막 형태의 발광층을 구비할 수 있다.The light emitting device may include a light emitting layer in the form of a film formed by a screen printing method, an inkjet method, or a gravure printing method using the phosphor represented by Formula (1).

상기에서 발광소자는 화학식(1)로 표시되는 형광체를 포함하는 백색 발광 다이오드(white LED)일 수 있다.The light emitting device may be a white LED including a phosphor represented by Formula (1).

상기에서 발광소자의 일예인 발광 다이오드는 광을 내는 광원, 상기 광원을 지지하는 기판 및 상기 광원 주위를 몰딩한 몰딩부재를 포함하는 발광 다이오드에 있어서, 본 발명의 화학식(1)로 표시되는 따른 알루미늄 실리케이트계 형광체 및 몰딩부재로써 에폭시를 포함하는 발광소자용 코팅 형광체 조성물을 상기 발광 다이오드 칩의 주위에 도포함으로써 발광 다이오드를 구성할 수 있다.
The light emitting diode includes a light source for emitting light, a substrate for supporting the light source, and a molding member molded around the light source, wherein the light emitting diode includes an aluminum A light emitting diode can be constituted by coating a coated phosphor composition for a light emitting element containing epoxy with a silicate-based fluorescent material and a molding member around the light emitting diode chip.

본 발명은 상기에서 언급한 화학식(1)로 표시되는 형광체를 포함하는 발광소자 또는 상기에서 언급한 방법에 의해 제조하며 화학식(1)로 표시되는 형광체를 포함하는 발광소자 함유된 표시장치를 포함한다.The present invention includes a display device containing a light-emitting element comprising a phosphor represented by the above-mentioned formula (1) or a phosphor prepared by the above-mentioned method and comprising a phosphor represented by the formula (1) .

상기에서 표시장치에 함유된 발광소자는 화학식(1)로 표시되는 형광체가 에폭시에 분산된 형태의 발광층을 구비할 수 있다.The light-emitting device contained in the display device may include a light-emitting layer in which a phosphor represented by Formula (1) is dispersed in epoxy.

상기에서 표시장치에 함유된 발광소자는 화학식(1)로 표시되는 형광체를 스크린 프린팅(screen printing) 방법, 잉크젯 방법(inkjet) 혹은 그라비아 프린팅(gravure printing) 방법에 의해 제조한 막 형태의 발광층을 구비할 수 있다.The light-emitting device contained in the display device includes a film-type light-emitting layer manufactured by a screen printing method, an inkjet method, or a gravure printing method using the phosphor represented by Chemical Formula (1) can do.

상기에서 표시장치에 함유된 발광소자는 화학식(1)로 표시되는 형광체를 포함하는 백색 발광 다이오드(white LED)일 수 있다.The light emitting device contained in the display device may be a white LED including a phosphor represented by Formula (1).

상기에서 표시장치는 조명(照明)일 수 있다.The display device may be an illumination (illumination).

상기에서 표시장치는 백라이트(back light) 및/또는 디스플레이(display)일 수 있다.
The display device may be a back light and / or a display.

본 발명의 알루미늄 실리케이트계 형광체 및 이의 제조방법에 대해 다양한 조건으로 실시한바, 본 발명의 목적을 달성하기 위해서는 상기에서 언급한 조건에 의해 알루미늄 실리케이트계 형광체 및 이의 제조방법을 제공하는 것이 바람직하다.
In order to achieve the object of the present invention, the aluminum silicate-based fluorescent material of the present invention and the method for producing the same are provided under various conditions, and it is preferable to provide the aluminum silicate-based fluorescent material and the production method thereof by the above-mentioned conditions.

이하 본 발명의 내용을 실시예, 시험예 및 적용예를 통하여 구체적으로 설명한다. 그러나, 이들은 본 발명을 보다 상세하게 설명하기 위한 일예로서 본 발명의 권리범위가 이들에 의해 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples, test examples and application examples. However, these are only examples for explaining the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited thereto.

<실시예 1-1> 열처리 온도에 따른 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 형광체 제조<Example 1-1> Preparation of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 phosphor according to heat treatment temperature

도 1에 나타낸 M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Qy 조성의 알루미늄 실리케이트계 형광체를 제조 공정을 이용하여 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 형광체(M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Qy 조성의 알루미늄 실리케이트계 형광체에서 M=칼륨(K), x=0, y=0.05인 형광체)를 제조하였다. The aluminum silicate-based phosphor having a composition of M 1 + xy Al 1 + x Si 2 -x O 6 : Q y shown in FIG. 1 was prepared by using a manufacturing process of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 phosphor (M 1 + xy (K), x = 0, y = 0.05 in an aluminum silicate-based phosphor having a composition of Al 1 + x Si 2 -x O 6 : Q y ).

K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.05)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(Tetraorthosilicate, TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 . (2) by dissolving Tetraorthosilicate (TEOS) in 10 ml of ethanol at a 2-x molar ratio ((x = 0, y = x = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred by ultrasonic ultrasonic vibration to obtain a mixture having a uniform composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1200℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was completely dried at 120 ° C until the solvent was removed, and then heat-treated at a temperature of 1200 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 1-2> 열처리 온도에 따른 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 형광체 제조<Example 1-2> Preparation of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 phosphor according to heat treatment temperature

열처리 온도를 1300℃로 하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1-1과 동일한 방법을 이용하여 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
An aluminum silicate phosphor of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 was prepared in the same manner as in Example 1-1, except that the heat treatment temperature was changed to 1300 ° C.

<실시예 1-3> 열처리 온도에 따른 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 형광체 제조Example 1-3 Preparation of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 Phosphor by Annealing Temperature

열처리 온도를 1400℃로 하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1-1과 동일한 방법을 이용하여 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
An aluminum silicate phosphor of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 was prepared in the same manner as in Example 1-1 except that the heat treatment temperature was changed to 1400 ° C.

<실시예 1-4> 열처리 온도에 따른 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 형광체 제조<Example 1-4> Preparation of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 phosphor according to heat treatment temperature

열처리 온도를 1500℃로 하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1-1과 동일한 방법을 이용하여 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
An aluminum silicate phosphor of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 was prepared using the same method as in Example 1-1 except that the heat treatment temperature was set to 1500 ° C.

<시험예 1>&Lt; Test Example 1 >

상기의 <실시예 1-1> 내지 <실시예 1-4>에서 열처리 온도를 달리하여 제조한 각각의 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 알루미늄 실리케이트 형광체를 395nm 파장에서 여기시킨 후 450nm 필터(filter)를 사용하여 발광파장을 측정하고 이를 도 2에 나타내었다.Each of the K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 aluminum silicate phosphors prepared at different heat treatment temperatures in Examples 1-1 to 1-4 was excited at a wavelength of 395 nm, The emission wavelength was measured using a filter, which is shown in Fig.

도 2의 결과에서처럼 <실시예 1-1> 내지 <실시예 1-4>에서 제조한 각각의 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 알루미늄 실리케이트 형광체는 400∼800nm 범위에서 발광 파장이 측정되었고, 특히 450∼550nm 범위에서 최대의 발광 파장을 나타내고 있음을 알 수 있었다. 또한 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 알루미늄 실리케이트 형광체 제조시 열처리 온도가 1200∼1400℃로 처리하여 제조한 형광체의 발광 특성이 보다 우수함을 알 수 있었다.
As shown in FIG. 2, each of the K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 aluminum silicate phosphors prepared in Examples 1-1 to 1-4 had emission wavelengths in the range of 400 to 800 nm , In particular, in the range of 450 to 550 nm. It was also found that the phosphor prepared by treating the K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 aluminum silicate phosphor with a heat treatment temperature of 1200 to 1400 ° C had better luminescence properties.

<시험예 2>&Lt; Test Example 2 &

상기의 <실시예 1-1> 내지 <실시예 1-4>에서 열처리 온도를 각기 달리하여 제조한 각각의 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 알루미늄 실리케이트 형광체에 대한 흡수 스펙트럼을 측정하고 이들의 결과를 이를 도 3에 나타내었다.The absorption spectra of each of the K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 aluminum silicate phosphors prepared by varying the heat treatment temperatures in Examples 1-1 to 1-4 were measured, The results are shown in FIG.

도 3에서처럼 <실시예 1-1> 내지 <실시예 1-4>에서 열처리 온도를 각기 달리하여 제조한 각각의 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 알루미늄 실리케이트 형광체는 특히 300nm 전후 영역에서 흡수 스펙트럼이 높음을 알 수 있었다.
The K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 aluminum silicate phosphor prepared by varying the heat treatment temperature in each of Examples 1-1 to 1-4 as shown in FIG. 3 exhibited absorption The spectrum was high.

<시험예 3> K0.95AlSi2O6:Eu2 0.05 형광체의 열처리 온도에 따른 XRD 회절 패턴. &Lt; Test Example 3 > K 0.95 AlSi 2 O 6 : Eu 2 0.05 XRD diffraction pattern according to heat treatment temperature of phosphor.

상기의 <실시예 1-1> 내지 <실시예 1-4>에서 열처리 온도를 각기 달리하여 제조한 각각의 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 알루미늄 실리케이트 형광체에 대한 XRD 회절 패턴을 측정하고 이를 도 4에 나타내었다.The XRD diffraction pattern of each of the K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 aluminum silicate phosphors prepared by varying the heat treatment temperatures in Examples 1-1 to 1-4 was measured This is shown in FIG.

도 4에서 보는 것과 같이 1200℃∼1500℃의 온도의 열처리 조건을 이용하여 <실시예 1-1> 내지 <실시예 1-4>에서 제조한 각각의 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 알루미늄 실리케이트 형광체는 단일상이 형성되는 것을 확인할 수 있었다. 또한 고온으로 열처리를 할수록 K0.95AlSi2O8 조성에 더욱 가까운 단일상의 알루미늄 실리케이트가 형성되었다.As shown in FIG. 4, each of the K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 prepared in <Examples 1-1> to <1-4> was subjected to heat treatment at a temperature of 1200 ° C. to 1500 ° C. It was confirmed that the aluminum silicate phosphor formed a single phase. In addition, the single - phase aluminum silicate was formed closer to the K 0.95 AlSi 2 O 8 composition as the heat treatment was performed at high temperature.

한편 도 4의 하단에 기재된 PDF#86-1650은 상기 <실시예 1-1> 내지 <실시예 1-4>에서 제조한 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05의 알루미늄 실리케이트 형광체가 정확하게 합성되었는지 알려주는 기존의 참고 샘플(reference sample)의 XRD 패턴으로서, <실시예 1-1> 내지 <실시예 1-4>에서 제조한 각각의 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 알루미늄 실리케이트 형광체와 기존의 reference sample의 패턴이 일치하므로 형광체 조성이 잘 합성되었음을 알 수 있었다.
On the other hand, PDF # 86-1650 described in the lower part of FIG. 4 shows that the aluminum silicate phosphor of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 prepared in the above <Examples 1-1> to <Example 1-4> , The XRD patterns of the conventional reference samples indicating that the K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 aluminum silicate phosphors prepared in <Examples 1-1> to <1-4> And the pattern of the existing reference sample were matched, it was found that the phosphor composition was well synthesized.

<실시예 1-5>&Lt; Example 1-5 >

K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.05)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(Tetraorthosilicate, TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 . (2) by dissolving Tetraorthosilicate (TEOS) in 10 ml of ethanol at a 2-x molar ratio ((x = 0, y = x = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred by ultrasonic ultrasonic vibration to obtain a mixture having a uniform composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1200℃의 온도에서 3시간 동안 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent was gone and heat-treated at a temperature of 1200 ° C for 3 hours.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 1-6> 열처리 온도에 따른 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 형광체 제조<Example 1-6> Preparation of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 phosphor according to heat treatment temperature

열처리 온도를 1300℃로 하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1-5와 동일한 방법을 이용하여 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
An aluminum silicate phosphor of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 was prepared in the same manner as in Example 1-5, except that the heat treatment temperature was changed to 1300 ° C.

<실시예 1-7> 열처리 온도에 따른 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 형광체 제조<Example 1-7> Preparation of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 phosphor according to heat treatment temperature

열처리 온도를 1400℃로 하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1-5와 동일한 방법을 이용하여 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
An aluminum silicate phosphor of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 was prepared in the same manner as in Example 1-5, except that the heat treatment temperature was changed to 1400 ° C.

<실시예 1-8> 열처리 온도에 따른 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 형광체 제조<Example 1-8> Preparation of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 phosphor according to heat treatment temperature

열처리 온도를 1500℃로 하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1-5와 동일한 방법을 이용하여 K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
An aluminum silicate phosphor of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05 was prepared in the same manner as in Example 1-5, except that the heat treatment temperature was set to 1500 ° C.

<실시예 2-1> K0.99AlSi2O8:Eu2+ y(y=0.01)의 알루미늄 실리케이트 형광체 제조<Example 2-1> Preparation of aluminum silicate phosphor of K 0.99 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ y (y = 0.01)

K0.99AlSi2O8:Eu2+ 0.01 조성의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.01)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor having the composition of K 0.99 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.01. (2) a solution of tetraorthosilicate (TEOS) in 10 ml of ethanol at a 2-x molar ratio (x) of 1 x x: 1 + xy: y mol ratio = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred with ultrasonic ultrasonic waves to obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 2-2> K0.97AlSi2O8:Eu2+ y(y=0.03)의 알루미늄 실리케이트 형광체 제조<Example 2-2> Preparation of aluminum silicate phosphor of K 0.97 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ y (y = 0.03)

K0.97AlSi2O8:Eu2+ 0.03 조성의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.03)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor having a composition of K 0.97 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.03 ) Was dissolved respectively in a ratio of 1 + x: 1 + xy: y mol (x = 0, y = 0.03) to obtain a solution; (2) tetraorthosilicate (TEOS) = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred with ultrasonic ultrasonic waves to obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 2-3> K0.95AlSi2O8:Eu2+ y(y=0.05)의 알루미늄 실리케이트 형광체 제조<Example 2-3> Preparation of aluminum silicate phosphor of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ y (y = 0.05)

K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 조성의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.05)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor having a composition of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05. ) Was dissolved in a ratio of 1 + x: 1 + xy: y mol respectively (x = 0, y = 0.05) to obtain a solution; (2) tetraorthosilicate (TEOS) = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred with ultrasonic ultrasonic waves to obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 2-4> K0.93AlSi2O8:Eu2+ y(y=0.07)의 알루미늄 실리케이트 형광체 제조Example 2-4 Aluminum Silicate Phosphor Production of K 0.93 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ y (y = 0.07)

K0.93AlSi2O8:Eu2+ 0.07 조성의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.07)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor having a composition of K 0.93 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.07 ) Was dissolved in each of 1 + x: 1 + xy: y mol ratios (x = 0, y = 0.07) to obtain a solution; (2) tetraorthosilicate (TEOS) = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred with ultrasonic ultrasonic waves to obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 2-5> K0.9AlSi2O8:Eu2+ y(y=0.1)의 알루미늄 실리케이트 형광체 제조Example 2-5 Preparation of aluminum silicate phosphor of K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ y (y = 0.1)

K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.1 조성의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.1)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor having a composition of K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.1 ) Was dissolved in each of 1 + x: 1 + xy: y mol ratios (x = 0, y = 0.1) to obtain a solution; (2) tetraorthosilicate (TEOS) = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred with ultrasonic ultrasonic waves to obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 2-6> K0.85AlSi2O8:Eu2+ y(y=0.15)의 알루미늄 실리케이트 형광체 제조Example 2-6 Preparation of aluminum silicate phosphor of K 0.85 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ y (y = 0.15)

K0.85AlSi2O8:Eu2+ 0.15 조성의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y: y mol 비율(x=0, y=0.15)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor having a composition of K 0.85 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.15. ) Was dissolved in each of 1 + x: 1 + xy: y mol ratios (x = 0, y = 0.15) to obtain a solution; (2) tetraorthosilicate (TEOS) = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred with ultrasonic ultrasonic waves to obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 2-7> K0.8AlSi2O8:Eu2+ y(y=0.20)의 알루미늄 실리케이트 형광체 제조Example 2-7 Preparation of aluminum silicate phosphor of K 0.8 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ y (y = 0.20)

K0.8AlSi2O8:Eu2+ 0.20 조성의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.20)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor having a composition of K 0.8 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.20. ) Was dissolved respectively in a ratio of 1 + x: 1 + xy: y mol (x = 0, y = 0.20) to obtain a solution; (2) tetraorthosilicate (TEOS) = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred with ultrasonic ultrasonic waves to obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 2-8> K0.75AlSi2O8:Eu2+ y(y=0.25)의 알루미늄 실리케이트 형광체 제조Example 2-8 Preparation of aluminum silicate phosphor of K 0.75 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ y (y = 0.25)

K0.75AlSi2O8:Eu2+ 0.25 조성의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.25)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor having a composition of K 0.75 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.25. ) Was dissolved in a ratio of 1 + x: 1 + xy: y mol respectively (x = 0, y = 0.25) to obtain a solution; (2) tetraorthosilicate (TEOS) = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred with ultrasonic ultrasonic waves to obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<시험예 4><Test Example 4>

상기 <실시예 2-1> 내지 <실시예 2-8>에서 제조한 K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0, y=0.01∼0.25)의 알루미늄 실리케이트 형광체에서 활성제인 Eu2+ 농도가 1∼25몰%[Eu2+ y(y=0.01∼0.25)] 변화에 따라 395nm 파장의 여기 하에서 400∼800nm 범위에서의 발광 파장을 측정하고 이를 도 5a, 도 5b에 나타내었다. (X = 0, y = 0.01 to 0.25) prepared in the above Examples 2-1 to 2-8 were mixed to prepare a mixture of K 1 + xy Al 1 + x Si 2 -x O 6 : Eu 2+ y The emission wavelength in the range of 400 to 800 nm under the excitation of the 395 nm wavelength is measured according to the change of the Eu 2+ concentration in the aluminum silicate phosphor of 1 to 25 mol% [Eu 2+ y (y = 0.01 to 0.25)], 5a and 5b.

도 5a에서와 같이 K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0, y=0.01∼0.25)의 알루미늄 실리케이트 형광체에서 Eu2+ 농도가 증가함에 따라 발광 강도가 변화하고, 460∼540nm 부근에서 중심 파장이 관찰되었다. As the Eu 2+ concentration increases in the aluminum silicate phosphor of K 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Eu 2+ y (x = 0, y = 0.01 to 0.25) And a central wavelength was observed in the vicinity of 460 to 540 nm.

도 5b는 도 5a의 발광 파장 440∼560nm 범위에서 Eu 농도에 따른 발광 파장의 변화를 나타낸 것이다.
FIG. 5B shows the change of the emission wavelength according to the Eu concentration in the emission wavelength range of 440 to 560 nm of FIG. 5A.

<실시예 2-9> K0.95AlSi2O8:Eu2+ y(y=0.05)의 알루미늄 실리케이트 형광체 제조Example 2-9 Preparation of aluminum silicate phosphor of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ y (y = 0.05)

K0.95AlSi2O8:Eu2+ 0.05 조성의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.05)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor having a composition of K 0.95 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.05. ) Was dissolved in a ratio of 1 + x: 1 + xy: y mol respectively (x = 0, y = 0.05) to obtain a solution; (2) tetraorthosilicate (TEOS) = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred with ultrasonic ultrasonic waves to obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 &lt; [deg.] &Gt; C until the solvent was gone and heat treated at 1400 [deg.] C for 3 hours.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 2-10> K0.9AlSi2O8:Eu2+ y(y=0.1)의 알루미늄 실리케이트 형광체 제조Example 2-10 Preparation of aluminum silicate phosphor of K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ y (y = 0.1)

K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.1 조성의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.1)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.(Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were added to 10 ml of water to prepare a phosphor having a composition of K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.1 ) Was dissolved in each of 1 + x: 1 + xy: y mol ratios (x = 0, y = 0.1) to obtain a solution; (2) tetraorthosilicate (TEOS) = 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred with ultrasonic ultrasonic waves to obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 &lt; [deg.] &Gt; C until the solvent was gone and heat treated at 1400 [deg.] C for 3 hours.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 3-1> M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0, y=0.1) 알루미늄 실리케이트 형광체Example 3-1 M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Eu 2+ y (x = 0, y = 0.1) Aluminum silicate phosphors

K1+x-0.1Al1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0, y=0.1)의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.1)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다. K 1 + x-0.1 Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 0, y = 0.1) aluminum nitrate (1) 10ml of water to produce the phosphor (of Al (NO 3 ), 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ), and europium chloride (EuCl 3 ) were dissolved in a ratio of 1 + x: 1 + xy: y mol respectively (x = 0, y = 0.1) (3) The solution of (1) and the solution of (2) are ultrasonically dissolved in 10 ml of ethanol by dissolving tetraorthosilicate (TEOS) in a 2-x molar ratio (x = 0) And the mixture was stirred to obtain a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 3-2> M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.2, y=0.1) 알루미늄 실리케이트 형광체Example 3-2 M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Eu 2+ y (x = 0.2, y = 0.1) Aluminum silicate phosphors

K1+x-0.1Al1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.2, y=0.1)의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0.2, y=0.1)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0.2)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다. K 1 + x-0.1 Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 0.2, y = 0.1) (1) for producing the phosphor of the aluminum in water 10ml nitrate (Al (NO 3 ), 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ), and europium chloride (EuCl 3 ) were dissolved respectively in the ratio of 1 + x: 1 + xy: y mol (x = 0.2, y = 0.1) (3) The solution of the above (1) and the solution of (2) were ultrasonically dissolved in 10 ml of ethanol by dissolving tetraorthosilicate (TEOS) in a 2-x molar ratio (x = 0.2) And the mixture was stirred to obtain a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 3-3> M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.6, y=0.1) 알루미늄 실리케이트 형광체Example 3-3 M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Eu 2+ y (x = 0.6, y = 0.1) Aluminum silicate phosphors

K1+x-0.1Al1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.6, y=0.1)의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0.6, y=0.1)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(Tetraorthosilicate, TEOS)를 2-x mol 비율(x=0.6)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다. K 1 + x-0.1 Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 0.6, y = 0.1) (1) for producing the phosphor of the aluminum in water 10ml nitrate (Al (NO 3 ) 3), potassium nitrate (KNO 3), and europium chloride (a EuCl 3) 1 + x, respectively: 1 + xy: y is dissolved in mol ratio (x = 0.6, y = 0.1 ) to obtain a solution, (2 Dissolving tetraorthosilicate (TEOS) in a 2-x molar ratio (x = 0.6) to 10 ml of ethanol to obtain a solution; (3) dissolving the solution of (1) and the solution of (2) ) To obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 3-4> M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=1, y=0.1) 알루미늄 실리케이트 형광체Example 3-4 M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Eu 2+ y (x = 1, y = 0.1) Aluminum silicate phosphors

K1+x-0.1Al1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=1, y=0.1)의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=1, y=0.1)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=1)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다. K 1 + x-0.1 Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 1, y = 0.1) (1) for producing the phosphor of aluminum nitrate in water, 10ml (Al (NO 3 ), 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were dissolved respectively in the ratio of 1 + x: 1 + xy: y mol (x = 1, y = 0.1) (3) The solution of (1) and the solution of (2) are ultrasonically dissolved in 10 ml of ethanol by dissolving tetraorthosilicate (TEOS) in a 2-x molar ratio And the mixture was stirred to obtain a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<시험예 5>&Lt; Test Example 5 >

상기 <실시예 3-1> 내지 <실시예 3-4>에서 제조한 K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0, 0.2, 0.6, 1, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체에 대해 395nm 파장의 여기 하에서 450nm 필터(filter)를 사용하여 410∼800nm의 파장 범위에서 발광 파장인 PL 스펙트럼을 측정하고 이들의 결과를 도 6a, 도 6b에 각각 나타내었다.The <Example 3-1> to <Example 3-4> A K 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 prepared: Eu 2+ y (x = 0 , 0.2, 0.6, 1, y = 0.1) was measured with a 450 nm filter under excitation of 395 nm wavelength, and PL spectra of emission wavelengths in the wavelength range of 410 to 800 nm were measured. The results are shown in FIGS. 6A and 6B, respectively .

도 6a 및 도 6b에서처럼 K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0, 0.2, 0.6, 1, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체는 최대 발광 강도를 x=0.6에서 보였으며, 도 6b에서처럼 x값의 변화에 따라 480nm에서 550nm 부근의 장파장으로 이동됨을 알 수 있었다.As shown in FIGS. 6A and 6B, the aluminum silicate phosphor having a composition of K 1 + xy Al 1 + x Si 2 -x O 6 : Eu 2+ y (x = 0, 0.2, 0.6, 1, y = 0.1) x = 0.6. As shown in FIG. 6B, it was found that the wavelength shifts from 480 nm to a long wavelength near 550 nm according to the change of x value.

도 6a 및 도 6b에서 K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체는 A, K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.2, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체는 B, K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.6, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체는 C, K1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=1, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체는 D를 나타낸다.
The aluminum silicate fluorescent material having a composition of K 1 + xy Al 1 + x Si 2 -x O 6 : Eu 2+ y (x = 0, y = 0.1) in FIGS. 6A and 6B is A, K 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 0.2, y = 0.1) the composition of aluminum silicate phosphors B, K 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 0.6, y = 0.1), the aluminum silicate fluorescent material having a composition of C, K 1 + xy Al 1 + x Si 2 -x O 6 : Eu 2+ y (x = 1, y = 0.1) .

<실시예 3-5> M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0, y=0.1) 알루미늄 실리케이트 형광체Example 3-5 M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Eu 2+ y (x = 0, y = 0.1) Aluminum silicate phosphors

K1+x-0.1Al1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0, y=0.1)의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0, y=0.1)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다. K 1 + x-0.1 Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 0, y = 0.1) aluminum nitrate (1) 10ml of water to produce the phosphor (of Al (NO 3 ), 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ), and europium chloride (EuCl 3 ) were dissolved in a ratio of 1 + x: 1 + xy: y mol respectively (x = 0, y = 0.1) (3) The solution of (1) and the solution of (2) are ultrasonically dissolved in 10 ml of ethanol by dissolving tetraorthosilicate (TEOS) in a 2-x molar ratio (x = 0) And the mixture was stirred to obtain a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 &lt; [deg.] &Gt; C until the solvent was gone and heat treated at 1400 [deg.] C for 3 hours.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 3-6> M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.2, y=0.1) 알루미늄 실리케이트 형광체Example 3-6 M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Eu 2+ y (x = 0.2, y = 0.1) Aluminum silicate phosphors

K1+x-0.1Al1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.2, y=0.1)의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0.2, y=0.1)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0.2)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다. K 1 + x-0.1 Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 0.2, y = 0.1) (1) for producing the phosphor of the aluminum in water 10ml nitrate (Al (NO 3 ), 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ), and europium chloride (EuCl 3 ) were dissolved respectively in the ratio of 1 + x: 1 + xy: y mol (x = 0.2, y = 0.1) (3) The solution of the above (1) and the solution of (2) were ultrasonically dissolved in 10 ml of ethanol by dissolving tetraorthosilicate (TEOS) in a 2-x molar ratio (x = 0.2) And the mixture was stirred to obtain a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 &lt; [deg.] &Gt; C until the solvent was gone and heat treated at 1400 [deg.] C for 3 hours.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 3-7> M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.6, y=0.1) 알루미늄 실리케이트 형광체Example 3-7 M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Eu 2+ y (x = 0.6, y = 0.1) Aluminum silicate phosphors

K1+x-0.1Al1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=0.6, y=0.1)의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=0.6, y=0.1)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(Tetraorthosilicate, TEOS)를 2-x mol 비율(x=0.6)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다. K 1 + x-0.1 Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 0.6, y = 0.1) (1) for producing the phosphor of the aluminum in water 10ml nitrate (Al (NO 3 ) 3), potassium nitrate (KNO 3), and europium chloride (a EuCl 3) 1 + x, respectively: 1 + xy: y is dissolved in mol ratio (x = 0.6, y = 0.1 ) to obtain a solution, (2 Dissolving tetraorthosilicate (TEOS) in a 2-x molar ratio (x = 0.6) to 10 ml of ethanol to obtain a solution; (3) dissolving the solution of (1) and the solution of (2) ) To obtain a mixture having a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 &lt; [deg.] &Gt; C until the solvent was gone and heat treated at 1400 [deg.] C for 3 hours.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 3-8> M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=1, y=0.1) 알루미늄 실리케이트 형광체Example 3-8 M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Eu 2+ y (x = 1, y = 0.1) Aluminum silicate phosphors

K1+x-0.1Al1+xSi2-xO6:Eu2+ y(x=1, y=0.1)의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3)를 각각 1+x:1+x-y:y mol 비율(x=1, y=0.1)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=1)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다. K 1 + x-0.1 Al 1 + x Si 2-x O 6: Eu 2+ y (x = 1, y = 0.1) (1) for producing the phosphor of aluminum nitrate in water, 10ml (Al (NO 3 ), 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ) and europium chloride (EuCl 3 ) were dissolved respectively in the ratio of 1 + x: 1 + xy: y mol (x = 1, y = 0.1) (3) The solution of (1) and the solution of (2) are ultrasonically dissolved in 10 ml of ethanol by dissolving tetraorthosilicate (TEOS) in a 2-x molar ratio And the mixture was stirred to obtain a homogeneous composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 &lt; [deg.] &Gt; C until the solvent was gone and heat treated at 1400 [deg.] C for 3 hours.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 4-1> K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.07,Mn2+ 0.03 알루미늄 실리케이트 형광체&Lt; Example 4-1 > K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.07 , Mn 2+ 0.03 Aluminum silicate phosphor

K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.07Mn2+ 0.03의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3), 망간 클로라이드(MnCl2)를 각각 1+x:1+x-0.07-0.03:0.07:0.03 mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.07 Mn 2+ 0.03 (1) To 10 ml of water was added aluminum nitrate (Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ), europium chloride (EuCl 3 ) and manganese chloride (MnCl 2 ) at a ratio of 1 + x: 1 + x-0.07-0.03: 0.07: 0.03 mol respectively (x = 0) to obtain a solution. (2) To 10 ml of ethanol, (3) The solution of the above (1) and the solution of (2) are stirred by ultrasonics to obtain a homogeneous composition (2) by dissolving silicate (TEOS) To obtain a mixture.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 4-2> K0.9AlSi2O8:Ce3+ 0.1 알루미늄 실리케이트 형광체Example 4-2 K 0.9 AlSi 2 O 8 : Ce 3+ 0.1 Aluminum silicate phosphor

K0.9AlSi2O8:Ce3+ 0.1의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 세륨 나이트레이트(Ce(NO3)3)를 각각 1+x:1+x-0.1:0.1 mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x는 0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다. K 0.9 AlSi 2 O 8: Ce (1) for the preparation of a 0.1 3+ phosphor of aluminum in water 10ml nitrate (Al (NO 3) 3) , potassium nitrate (KNO 3), cerium nitrate (Ce (NO 3) 3), each 1 + x: 1 + x- 0.1: 0.1 mol ratio (to get the solution dissolved with x = 0), (2) tetra in ethanol 10ml ortho-silicate (TEOS) for 2-x mol ratio ( x was 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred by ultrasonic ultrasonic vibration to obtain a mixture having a uniform composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 수소 5부피% 및 질소 95부피%가 혼합된 혼합가스의 환원 분위기하에서 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 ° C until the solvent disappears and then heat-treated at a temperature of 1400 ° C for 3 hours in a reducing atmosphere of a mixed gas of 5% by volume of hydrogen and 95% by volume of nitrogen.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<시험예 6>&Lt; Test Example 6 >

상기 <실시예 4-1>에서 활성제로 유로피윰(Eu)과 망간(Mn)을 사용하여 제조한 K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.07Mn2+ 0.03 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체, <실시예 4-2>에서 활성제로 세륨(Ce)을 사용하여 제조한 K0.9AlSi2O8:Ce3+ 0.1 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체, <실시예 2-5>에서 활성제로 유로피움(Eu)을 이용하여 제조한 K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.1 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체에 대해 각각 395nm 파장의 여기 하에서 450nm 필터(filter)를 사용하여 410∼800nm 파장에서의 발광 스펙트럼인 PL 스펙트럼(photoluminescence spectrum)의 변화를 측정하고 이의 결과를 도 7에 나타내었다. K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.07 Mn 2+ 0.03 (Mn) prepared by using Eu (Eu) and Mn (Mn) as an activator in the above <Example 4-1> , An aluminum silicate fluorescent material having a composition of K 0.9 AlSi 2 O 8 : Ce 3+ 0.1 prepared by using cerium (Ce) as an activator in Example 4-2, The aluminum silicate phosphor of K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.1 composition prepared by using europium (Eu) as an activator was irradiated with ultraviolet light at a wavelength of 410 to 800 nm using a 450 nm filter under excitation of 395 nm wavelength, The change in the photoluminescence spectrum, which is the emission spectrum, was measured and the results are shown in Fig.

도 7에서처럼 <실시예 4-1>에서 제조한 K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.07Mn2+ 0.03 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체(C), <실시예 4-2>에서 제조한 K0.9AlSi2O8:Ce3+ 0.1 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체(B) 및 <실시예 2-5>에서 제조한 K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.1 조성의 알루미늄 실리케이트 형광체(A)는 활성제에 따라 다른 발광 스펙트럼을 나타내고 있음을 알 수 있었다.
As shown in FIG. 7, K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.07 Mn 2+ 0.03 (C), K 0.9 AlSi 2 O 8 : Ce 3+ 0.1 prepared in Example 4-2 (B) prepared in Example 2-5 and K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.1 It was found that the composition of the aluminum silicate phosphor (A) exhibits different luminescence spectra depending on the activator.

<실시예 4-3> K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.07,Mn2+ 0.03 알루미늄 실리케이트 형광체Example 4-3 K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.07 , Mn 2+ 0.03 Aluminum silicate phosphor

K0.9AlSi2O8:Eu2+ 0.07Mn2+ 0.03의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 유로피움 클로라이드(EuCl3), 망간 클로라이드(MnCl2)를 각각 1+x:1+x-0.07-0.03:0.07:0.03 mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다.K 0.9 AlSi 2 O 8 : Eu 2+ 0.07 Mn 2+ 0.03 (1) To 10 ml of water was added aluminum nitrate (Al (NO 3 ) 3 ), potassium nitrate (KNO 3 ), europium chloride (EuCl 3 ) and manganese chloride (MnCl 2 ) at a ratio of 1 + x: 1 + x-0.07-0.03: 0.07: 0.03 mol respectively (x = 0) to obtain a solution. (2) To 10 ml of ethanol, (3) The solution of the above (1) and the solution of (2) are stirred by ultrasonics to obtain a homogeneous composition (2) by dissolving silicate (TEOS) To obtain a mixture.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 &lt; [deg.] &Gt; C until the solvent was gone and heat treated at 1400 [deg.] C for 3 hours.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<실시예 4-4> K0.9AlSi2O8:Ce3+ 0.1 알루미늄 실리케이트 형광체Example 4-4 K 0.9 AlSi 2 O 8 : Ce 3+ 0.1 Aluminum silicate phosphor

K0.9AlSi2O8:Ce3+ 0.1의 형광체를 제조하기 위해 (1)물 10ml에 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 세륨 나이트레이트(Ce(NO3)3)를 각각 1+x:1+x-0.1:0.1 mol 비율(x=0)로 용해시켜 용액을 얻고, (2)에탄올 10ml에 테트라올소실리케이트(TEOS)를 2-x mol 비율(x는 0)로 용해시켜 용액을 얻고, (3)상기 (1)의 용액과 (2)의 용액을 울트라 소닉(ultrasonic)으로 교반하여 균일한 조성이 되도록 혼합한 혼합물을 얻었다. K 0.9 AlSi 2 O 8: Ce (1) for the preparation of a 0.1 3+ phosphor of aluminum in water 10ml nitrate (Al (NO 3) 3) , potassium nitrate (KNO 3), cerium nitrate (Ce (NO 3) 3), each 1 + x: 1 + x- 0.1: 0.1 mol ratio (to get the solution dissolved with x = 0), (2) tetra in ethanol 10ml ortho-silicate (TEOS) for 2-x mol ratio ( x was 0) to obtain a solution. (3) The solution of (1) and the solution of (2) were stirred by ultrasonic ultrasonic vibration to obtain a mixture having a uniform composition.

상기의 혼합물을 120℃의 온도에서 용매가 없어질 때까지 완전 건조하고 1400℃의 온도에서 3시간 동안 열처리하였다.The mixture was thoroughly dried at 120 &lt; [deg.] &Gt; C until the solvent was gone and heat treated at 1400 [deg.] C for 3 hours.

열처리 후 25℃까지 냉각시킨 후 크기가 10±1㎛가 되도록 분쇄하여 분말 형태의 알루미늄 실리케이트 형광체를 제조하였다.
After the heat treatment, the mixture was cooled to 25 ° C and pulverized to a size of 10 ± 1 μm to prepare an aluminum silicate phosphor in powder form.

<적용예 1><Application Example 1>

상기 <실시예 2-5>에서 제조한 M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(M=K, x=0, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트계 형광체, 청색 형광체 및 적색 형광체를 에폭시 수지에 균일하게 분산시켜 경화부를 제조하였다.Aluminum silicate-based phosphors of the composition M 1 + xy Al 1 + x Si 2 -x O 6 : Eu 2+ y (M = K, x = 0, y = 0.1) The blue phosphor and the red phosphor were uniformly dispersed in an epoxy resin to prepare a hardened portion.

발광 다이오드 칩은 Al2O3 소재의 기판상에 자외선 파장 영역에서 광자를 방출시키는 칩 LED를 은 페이스트(Ag paste)로 리드 프레임 전극(애노드, 캐소드)에 접착 고정시켰다. 이후 발광 다이오드 칩 상에 상기 M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(M=K, x=0, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트계 형광체, 청색 형광체 및 적색 형광체를 포함하는 경화부를 도포하여 150℃에서 1시간 동안 경화시켜 발광 다이오드(LED)를 제조하였다. The light-emitting diode chip has a chip LED that emits photons in the ultraviolet wavelength region on a substrate made of Al 2 O 3 and adhered to the lead frame electrode (anode, cathode) with silver paste. Then, an aluminum silicate-based phosphor having a composition of M 1 + xy Al 1 + x Si 2 -x O 6 : Eu 2+ y (M = K, x = 0, y = 0.1) The cured portion including the phosphor was applied and cured at 150 ° C for 1 hour to prepare a light emitting diode (LED).

상기에서 청색 형광체는 420nm∼480nm의 발광파장 영역을 가지는 것을 사용하였고, 적색 형광체는 570nm∼750nm의 발광파장 영역을 가지는 것을 사용하였다.
The blue phosphor having an emission wavelength region of 420 nm to 480 nm was used and the red phosphor having an emission wavelength region of 570 nm to 750 nm was used.

<시험예 7>&Lt; Test Example 7 >

상기 <적용예 1>에서 제조한 발광 다이오드를 3V, 20mA에서 구동하여 자외선 파장에서 여기 시켜 350∼750nm의 파장에서의 발광 스펙트럼(EL intensity)을 측정하고 이의 결과를 도 8에 나타내었다.The light emitting diode manufactured in <Application Example 1> was excited at an ultraviolet wavelength by driving at 3 V and 20 mA, and the emission intensity at a wavelength of 350 to 750 nm was measured. The results are shown in FIG.

도 8에서처럼 자외선 소스의 발광 스펙트럼 이외에 M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Eu2+ y(M=K, x=0, y=0.1) 조성의 알루미늄 실리케이트계 형광체의 발광 스펙트럼, 청색 형광체의 발광 스펙트럼 및 적색 형광체의 발광 스펙트럼을 나타내고 있음을 알 수 있었다.
8, the emission spectrum of the aluminum silicate-based phosphor having a composition of M 1 + xy Al 1 + x Si 2 -x O 6 : Eu 2+ y (M = K, x = 0, y = 0.1) , The emission spectrum of the blue phosphor and the emission spectrum of the red phosphor.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예, 시험예 및 적용예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
As described above, the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, test examples and application examples of the present invention. However, it should be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims It will be understood that the invention may be variously modified and changed.

본 발명의 하기 화학식(1)로 나타내는 형광체는 자외선 및 청색 발광 다이오드가 나타내는 250∼500nm의 파장에 의해 여기되며, 400∼800nm 영역의 발광 파장 스펙트럼을 보이는 알루미늄 실리케이트계 형광체 및 상기 형광체를 포함하는 발광소자를 나타낼 수 있어 산업상 이용가능성이 있다. The phosphor represented by the following formula (1) of the present invention is an aluminum silicate-based phosphor excited by a wavelength of 250 to 500 nm represented by ultraviolet and blue light emitting diodes and having an emission wavelength spectrum in a range of 400 to 800 nm, Device, which is industrially applicable.

M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Qy......화학식(1)M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Q y ????? (1)

상기 화학식(1)에서 M은 Li, Na, K, Rb, Cs 중에서 선택된 어느 하나의 알칼리금속이고; Q는 유로피움(Eu), 망간(Mn), 철(Fe), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 아연(Zn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세듐(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In) 중에서 선택된 한 개 이상의 활성제 또는 부활성제이고; x는 0 ≤ x ≤ 1; y는 0 < y ≤ 0.5이다.
In the above formula (1), M is any alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs; Q is at least one of Eu, Mn, Fe, Cr, Ca, Zn, Co, Ni, Y, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, gadolinium, terbium, dysprosium, erbium, At least one activator or a coactivator selected from the group consisting of tulium (Tm), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), gallium (Ga), germanium (Ge) and indium (In); x is 0? x? 1; y is 0 < y &lt; 0.5.

Claims (10)

하기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체.
M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Qy......화학식(1)
상기 화학식(1)에서 M은 Li, Na, K, Rb, Cs 중에서 선택된 어느 하나의 알칼리금속이고; Q는 유로피움(Eu), 망간(Mn), 철(Fe), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 아연(Zn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세듐(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In) 중에서 선택된 한 개 이상의 활성제 또는 부활성제이고; x는 0.6 ≤ x ≤ 1; y는 0 < y ≤ 0.5이다.
An aluminum silicate-based phosphor represented by the following formula (1).
M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Q y ????? (1)
In the above formula (1), M is any alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs; Q is at least one of Eu, Mn, Fe, Cr, Ca, Zn, Co, Ni, Y, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, gadolinium, terbium, dysprosium, erbium, At least one activator or a coactivator selected from the group consisting of tulium (Tm), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), gallium (Ga), germanium (Ge) and indium (In); x is 0.6? x? 1; y is 0 < y &lt; 0.5.
제1항에 있어서,
상기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체는 250∼500nm의 파장에서 여기하고 400∼800nm의 파장에서 발광 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트계 형광체.
The method according to claim 1,
Wherein the aluminum silicate-based phosphor represented by the formula (1) excites at a wavelength of 250 to 500 nm and exhibits luminescence characteristics at a wavelength of 400 to 800 nm.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 x는 0.6 또는 1이며, 상기 y는 0.1인 알루미늄 실리케이트계 형광체.3. The aluminum silicate-based phosphor according to claim 1 or 2, wherein x is 0.6 or 1, and y is 0.1. 용매에 알루미늄(Al), 실리카(Si) 및 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 활성제를 첨가하고 혼합한 후 건조하는 단계;
상기의 건조한 혼합물을 열처리하는 단계;
상기 열처리 단계 후 상온으로 냉각시킨 후 분쇄하는 단계;를 포함하도록 하여 하기 화학식(1)로 표시되는 형광체를 제조하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트계 형광체의 제조방법.
M1+x-yAl1+xSi2-xO6:Qy......화학식(1)
상기 화학식(1)에서 M은 Li, Na, K, Rb, Cs 중에서 선택된 어느 하나의 알칼리금속이고; Q는 유로피움(Eu), 망간(Mn), 철(Fe), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 아연(Zn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세듐(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 튤륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In) 중에서 선택된 한 개 이상의 활성제 또는 부활성제이고; x는 0.6 ≤ x ≤ 1; y는 0 < y ≤ 0.5이다.
Adding aluminum (Al), silica (Si) and an alkali metal, an alkaline earth metal and an activator to a solvent, mixing and drying the mixture;
Heat treating the dry mixture;
And cooling the mixture to a room temperature and then pulverizing the phosphor to produce a phosphor represented by the following formula (1).
M 1 + xy Al 1 + x Si 2-x O 6 : Q y ????? (1)
In the above formula (1), M is any alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs; Q is at least one of Eu, Mn, Fe, Cr, Ca, Zn, Co, Ni, Y, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, gadolinium, terbium, dysprosium, erbium, At least one activator or a coactivator selected from the group consisting of tulium (Tm), ytterbium (Yb), lutetium (Lu), gallium (Ga), germanium (Ge) and indium (In); x is 0.6? x? 1; y is 0 < y &lt; 0.5.
제4항에 있어서,
상기 알루미늄(Al), 실리카(Si) 및 알칼리 금속 및 활성제는 산화물, 염화물, 수산화물, 질산화물, 탄산화물 및 초산화물 중에서 선택된 어느 하나 이상의 형태인 것을 특징으로 하는 알루미늄 실리케이트계 형광체의 제조방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the aluminum (Al), the silica (Si), the alkali metal and the activator are at least one selected from oxides, chlorides, hydroxides, nitrates, carbonates and super oxides.
제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 x는 0.6 또는 1이며, 상기 y는 0.1인 알루미늄 실리케이트계 형광체의 제조방법.
The method according to claim 4 or 5,
Wherein x is 0.6 or 1, and y is 0.1.
제6항에 있어서,
상기 화학식(1)로 표시되는 알루미늄 실리케이트계 형광체는 250∼500nm의 파장에서 여기하고 400∼800nm의 파장에서 발광 특성을 나타내는 알루미늄 실리케이트계 형광체의 제조방법.
The method according to claim 6,
Wherein the aluminum silicate-based phosphor represented by the formula (1) excites at a wavelength of 250 to 500 nm and exhibits luminescence characteristics at a wavelength of 400 to 800 nm.
청구항 제1항의 화학식(1)로 표시되는 형광체로 표시되는 형광체를 포함하는 발광소자.A light emitting device comprising a phosphor represented by the formula (1) of claim 1. 제8항에 있어서,
발광소자는 상기 형광체가 에폭시에 분산된 발광층을 포함하는 발광소자
9. The method of claim 8,
The light emitting element includes a light emitting element including the light emitting layer in which the phosphor is dispersed in epoxy
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