KR101394368B1 - Apparatus for processing substrate and method for processing substrate - Google Patents
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Abstract
기판처리장치 및 기판처리방법이 개시된다. 기판과 마스크를 얼라인하여 상기 기판에 대한 공정을 처리하는 기판처리장치로서, 기판과 마스크를 얼라인하여 상기 기판에 대한 공정을 처리하는 기판 처리 장치로서, 복수의 상기 기판이 순차적으로 투입되는 기판로딩챔버와; 상기 기판을 이송하는 기판트랜스챔버와;상기 기판트랜스챔버에서 양측으로 분기되며, 상기 기판과 상기 마스크를 얼라인하는 제1 얼라인챔버 및 제2 얼라인챔버와; 상기 제1 얼라인챔버 및 상기 제2 얼라인챔버와 연결되는 마스크회전챔버; 및 일단이 상기 마스크회전챔버에 연결되어, 상기 마스크회전챔버에 복수의 상기 마스크를 연속적으로 공급하는 마스크로딩챔버와; 상기 마스크로딩챔버의 타단에 연결되며 상기 기판에 대한 공정을 수행하는 공정챔버를 포함하는 기판처리장치는, 전체 공정 택 타임(tact-time)을 감소시키고, 기판처리과정에 사용되는 물질의 효율성을 증가 시킬 수 있다.A substrate processing apparatus and a substrate processing method are disclosed. A substrate processing apparatus for aligning a substrate and a mask to process the substrate, the apparatus comprising: a substrate loading chamber in which a plurality of the substrates are sequentially introduced, Wow; A first alignment chamber and a second alignment chamber which are branched at both sides of the substrate trans chamber and align the substrate and the mask; A mask rotating chamber connected to the first alignment chamber and the second alignment chamber; And a mask loading chamber connected at one end to the mask rotation chamber to continuously supply a plurality of the masks to the mask rotation chamber; The substrate processing apparatus includes a processing chamber connected to the other end of the mask loading chamber and performing a process on the substrate. The substrate processing apparatus reduces the overall process tact time and improves the efficiency of the material used in the substrate processing process .
Description
본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 공정챔버 내로 이동되는 각 기판들 사이에 발생하는 시간적 이격을 최소화하고, 기판처리과정에 사용되는 물질의 효율성을 높일 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. And more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of minimizing temporal spacing occurring between substrates transferred into a process chamber and increasing the efficiency of a material used in a substrate processing process.
최근, 정보기기에 대한 수요증가에 의하여, 정보기기에 정보를 표시할 수 있는 LCD(Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light Emitting Diodes) 디스플레이와 같은 영상표시장치의 수요가 증가하고 있다. 위와 같은 평면패널 디스플레이는 더 많은 정보를 쾌적하게 표시하고자 대형화 되고 있으며, 디스플레이 제조공정의 효율화를 위하여 디스플레이 패널의 대면적화가 진행되고 있다. 최근에는 한 변의 길이가 2미터 이상에 이르는 8세대 기판의 생산이 시도 되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for image display devices such as an LCD (Liquid Crystal Display) and OLED (Organic Light Emitting Diodes) display capable of displaying information on information devices due to an increase in demand for information devices. The above-mentioned flat panel display has been enlarged to display more information comfortably, and the display panel has been made larger in order to make the display manufacturing process more efficient. In recent years, production of an 8th generation substrate having a length of at least 2 meters on one side has been attempted.
이러한 평면패널 디스플레이의 제조공정은 기판에 대한 소성 등을 수행하는 전처리과정, 처리된 기판에 전극을 형성하는 전극형성과정, 형성된 전극 위에 색상 발현층을 형성하는 색상 발현층 형성과정 및 처리된 기판을 디스플레이 패널로 가공하는 후처리과정 등 네 단계로 나눌 수 있는데, 디스플레이 기판이 대면적화 될수록, 각 공정에서 소요되는 금속재료, 유기재료 등의 소모가 증가하게 된다. The fabrication process of the flat panel display includes a preprocessing process for performing firing and the like on the substrate, an electrode formation process for forming an electrode on the processed substrate, a color development layer formation process for forming a color development layer on the formed electrode, And a post-processing process for processing the display panel. As the display substrate becomes larger in size, consumption of metal materials and organic materials consumed in each process increases.
특히, 고가의 전계발광 유기물을 사용하여 색상 발현층을 형성하는 OLED 디스플레이 제조공정에서는, 물질 사용의 효율성을 높이는 것이 중요하다. 따라서, 다수의 챔버를 연결하고 그 내부에 복수의 기판을 연속적으로 이동시켜, 기판 전처리, 전극형성, 유기물증착 등을 연속적으로 처리하는 인라인(In-Line) 타입의 기판처리장치가 제시되었다. 이러한 인라인 타입의 기판처리장치로 인하여, 공정 택 타임(tact-time)이 감소하게 되었다.Particularly, in an OLED display manufacturing process in which a color developing layer is formed using an expensive electroluminescent organic material, it is important to improve the efficiency of material use. Accordingly, an in-line type substrate processing apparatus has been proposed in which a plurality of chambers are connected and a plurality of substrates are continuously moved in the chamber to continuously process substrate pretreatment, electrode formation, organic material deposition, and the like. Due to the inline type substrate processing apparatus, the process tact-time is reduced.
도 1은 종래기술에 따른 인라인(In-Line) 타입의 기판처리장치를 설명하기 위한 도면으로, 종래 기술에 따른 기판처리장치는, 기판(S)을 공급하는 기판로딩챔버(10), 기판을 대기시키거나 이동시키는 버퍼챔버(30), 마스크(M)를 공급하는 마스크로딩챔버(20), 기판과 마스크를 정렬하고 결합하는 얼라인챔버(32) 및 결합한 기판과 마스크에 금속재료를 증착하여 전극을 형성하거나, 유기물을 증착하여 유기박막을 형성하는 공정챔버(22)를 포함한다.FIG. 1 is a view for explaining an in-line type substrate processing apparatus according to the prior art. The substrate processing apparatus according to the related art includes a substrate loading chamber 10 for supplying a substrate S, A buffer chamber 30 for waiting or moving the mask M, a mask loading chamber 20 for supplying the mask M, an alignment chamber 32 for aligning and bonding the substrate with the mask, and a metal material And a
그러나, 종래 기술에 따른 인라인(In-Line) 타입의 기판처리장치의 경우, 복수의 기판을 인라인 시스템으로 이동시키는 과정에서 기판과 마스크를 정렬하고 결합하는 얼라인챔버(32)에서의 얼라인 시간이, 공정챔버(22) 내에서의 기판에 대한 공정 진행 시간 보다 길다. 따라서, 얼라인챔버(32)와 공정챔버(22) 내에서의 기판 체류시간의 차이로 인해 공정챔버(22)에서 연속적인 공정 수행이 어렵다는 문제점이 있다.However, in the case of an in-line type substrate processing apparatus according to the related art, the alignment time in the alignment chamber 32 for aligning and bonding the substrate and the mask in the process of moving the plurality of substrates to the inline system Is longer than the process progress time for the substrate in the
이에 따라, 공정챔버(22) 내로 이동되는 각 기판들 사이에 시간적 이격이 발생하여 전체 공정 택 타임이 증가되는 문제점이 있었다.Accordingly, there is a problem in that a time gap is generated between the substrates moved into the
또한, 공정챔버 내에서 기판에 금속이나 유기물을 증착하는 공정을 수행하는 경우, 이러한 시간적 이격으로 인해 기판을 향해 지속적으로 분사되는 물질들의 증착 효율이 낮아지게 되는 문제가 있다.
In addition, when a process of depositing metal or organic material on a substrate in a process chamber is performed, there is a problem that the deposition efficiency of materials continuously injected toward the substrate due to such temporal spacing is lowered.
본 발명은 공정챔버 내로 이동되는 각 기판들 사이에 발생하는 시간적 이격을 최소화하여 기판처리과정에 사용되는 물질의 효율성을 높일 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공한다.
The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of increasing the efficiency of a material used in a substrate processing process by minimizing a temporal separation occurring between substrates transferred into the process chamber.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판과 마스크를 얼라인하여 상기 기판에 대한 공정을 처리하는 기판처리장치로서, 복수의 상기 기판이 순차적으로 투입되는 기판로딩챔버와; 상기 기판을 이송하는 기판트랜스챔버와; 상기 기판트랜스챔버에서 양측으로 분기되며, 상기 기판과 상기 마스크를 얼라인하는 제1 얼라인챔버 및 제2 얼라인챔버와; 상기 제1 얼라인챔버 및 상기 제2 얼라인챔버와 연결되는 마스크회전챔버; 및 일단이 상기 마스크회전챔버에 연결되어, 상기 마스크회전챔버에 복수의 상기 마스크를 연속적으로 공급하는 마스크로딩챔버와; 상기 마스크로딩챔버의 타단에 연결되며 상기 기판에 대한 공정을 수행하는 공정챔버를 포함하는, 기판처리장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a substrate to process the substrate by aligning the substrate and the mask, the substrate processing apparatus comprising: a substrate loading chamber into which a plurality of the substrates are sequentially introduced; A substrate trans chamber for transferring the substrate; A first aligning chamber and a second aligning chamber branched on both sides of the substrate trans chamber and aligning the substrate and the mask; A mask rotating chamber connected to the first alignment chamber and the second alignment chamber; And a mask loading chamber connected at one end to the mask rotation chamber to continuously supply a plurality of the masks to the mask rotation chamber; And a processing chamber connected to the other end of the mask loading chamber and performing a process on the substrate.
상기 기판처리장치는, 상기 기판트랜스챔버와 상기 제1 얼라인챔버 사이에 게재되는 제1 기판버퍼챔버; 및 상기 기판트랜스챔버와 제2 얼라인챔버 사이에 게재되는 제2 기판버퍼챔버를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include: a first substrate buffer chamber disposed between the substrate transform chamber and the first aligning chamber; And a second substrate buffer chamber disposed between the substrate transform chamber and the second aligning chamber.
상기 기판처리장치는, 상기 마스크로딩챔버의 타단과 상기 공정챔버 사이에 개재되어, 상기 마스크로딩챔버에서 인출되는 상기 기판을 이송하는 버퍼챔버를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a buffer chamber interposed between the other end of the mask loading chamber and the process chamber to transfer the substrate drawn out from the mask loading chamber.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 기판처리장치를 이용하여 상기 기판에 대한 공정을 처리하는 방법으로서, 상기 기판로딩챔버에 제1 기판을 투입하는 단계; 상기 제1 기판을 상기 기판트랜스챔버에 이송하는 단계;According to another aspect of the present invention, there is provided a method of processing a substrate with a substrate processing apparatus, the method comprising: inputting a first substrate into the substrate loading chamber; Transferring the first substrate to the substrate transform chamber;
상기 마스크로딩챔버에 제1 마스크를 투입하는 단계; 상기 제1 마스크를 상기 마스크회전챔버로 이송하여 상기 제1 마스크를 회전시키는 단계; 이송된 상기 제1 기판과 회전된 상기 제1마스크를 제1 얼라인챔버로 이송하여, 상기 제1 기판과 상기 제1 마스크를 얼라인하여, 제1 얼라인 적층체를 형성하는 단계; 상기 제1 얼라인 적층체를 상기 마스크회전챔버로 이송하여 회전시키는 단계; 및 상기 회전된 상기 제1 얼라인 적층체를 상기 공정챔버로 이송하여 기판에 대한 공정을 수행하는 단계를 포함하는, 기판처리방법이 제공된다.Loading a first mask into the mask loading chamber; Transferring the first mask to the mask rotation chamber to rotate the first mask; Transferring the transferred first substrate and the rotated first mask to a first alignment chamber to align the first substrate and the first mask to form a first alignment laminate; Transferring the first alignment layer to the mask rotation chamber and rotating the first alignment layer; And transferring the rotated first aligned laminate to the process chamber to perform a process on the substrate.
상기 기판처리방법은, 상기 제1 얼라인 적층체를 형성하는 단계와 동시에 상기 기판로딩챔버에 제2 기판을 투입하고, 상기 마스크로딩챔버에 제2 마스크를 투입하는 단계를 더 포함할 수 있다.The substrate processing method may further include the step of simultaneously injecting a second substrate into the substrate loading chamber and injecting a second mask into the mask loading chamber simultaneously with the step of forming the first alignment layer.
상기 기판처리방법은, 상기 제2 마스크를 투입하는 단계 이후에, 상기 제2 기판을 상기 기판트랜스챔버에 이송하는 단계와; 상기 제2 마스크를 상기 마스크회전챔버로 이송하여 상기 제2 마스크를 회전시키는 단계와; 이송된 상기 제2 기판과 회전된 상기 제2 마스크를 제2 얼라인챔버로 이송하여, 상기 제2 기판과 상기 제2 마스크를 얼라인하여, 제2 얼라인 적층체를 형성하는 단계와; 상기 제2 얼라인 적층체를 상기 마스크회전챔버로 이송하여 회전시키는 단계; 및 상기 회전된 상기 제2 얼라인 적층체를 상기 공정챔버로 이송하여 기판에 대한 공정을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.The substrate processing method may further include transferring the second substrate to the substrate trans chamber after the step of inserting the second mask; Transferring the second mask to the mask rotation chamber to rotate the second mask; Transferring the transferred second substrate and the second mask rotated to a second alignment chamber to align the second substrate and the second mask to form a second alignment laminate; Transferring the second alignment layer to the mask rotation chamber and rotating the second alignment layer; And transferring the rotated second alignment layer to the process chamber to perform a process on the substrate.
상기 기판처리방법은, 상기 기판에 대한 공정을 수행하는 단계 이후에, 상기 제1 얼라인 적층체를 상기 기판과 상기 마스크로 분리하는 단계; 및 분리된 상기 마스크를 상기 마스크로딩챔버에 재공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.
The method of processing a substrate may further include separating the first alignment layer into a substrate and a mask after performing a process on the substrate. And re-supplying the separated mask to the mask loading chamber.
본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은 공정챔버 내로 이동되는 각 기판들 사이에 발생하는 시간적 이격을 최소화하여 기판처리과정에 사용되는 물질의 효율성을 높일 수 있다.The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the embodiments of the present invention minimize the temporal spacing between the substrates moved into the process chamber, thereby increasing the efficiency of the materials used in the substrate processing process.
또한, 공정챔버의 가동율을 높일 수 있어 전체 공정 택 타임(tact-time)을 감소시킬 수 있다.
In addition, the operating rate of the process chamber can be increased, and the total process tact time can be reduced.
도 1은 종래 기술에 따른 기판처리장치를 설명하기 위한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리방법의 순서도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to the prior art; Fig.
2 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a flowchart of a substrate processing method according to another embodiment of the present invention;
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
이하, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus and method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like or corresponding components, A duplicate description will be omitted.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 2에는 기판로딩챔버(10), 기판트랜스챔버(12), 제1 얼라인챔버(14), 제2 얼라인챔버(16), 마스크회전챔버(18), 마스크로딩챔버(20), 공정챔버(22), 제1 기판버퍼챔버(24), 제2 기판버퍼챔버(26), 버퍼챔버(30), 제1 얼라인 적층체(S1) 및 제2 얼라인 적층체(S2)가 도시되어 있다.2 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 shows a substrate loading chamber 10, a substrate trans chamber 12, a first aligning chamber 14, a second aligning chamber 16, a mask rotating chamber 18, a mask loading chamber 20, The
본 실시예에 다른 기판처리장치는, 기판과 마스크를 얼라인하여 기판에 대한 공정을 처리하는 기판처리장치로서, 복수의 기판이 순차적으로 투입되는 기판로딩챔버(10)와; 기판을 이송하는 기판트랜스챔버(12)와; 기판트랜스챔버(12)에서 양측으로 분기되며, 기판과 마스크를 얼라인하는 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)와; 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)와 연결되는 마스크회전챔버(18)와; 일단이 마스크회전챔버(18)에 연결되어, 마스크회전챔버(18)에 복수의 마스크를 연속적으로 공급하는 마스크로딩챔버(20); 마스크로딩챔버(20)의 타단에 연결되며 기판에 대한 공정을 수행하는 공정챔버(22)를 포함하여, 전체 공정 택 타임(tact-time)을 감소시키고, 기판처리과정에 사용되는 물질의 효율성을 증가 시킬 수 있다.Another substrate processing apparatus according to the present embodiment is a substrate processing apparatus for processing a substrate to process a substrate by aligning the substrate and the mask, comprising: a substrate loading chamber 10 into which a plurality of substrates are sequentially introduced; A substrate trans chamber (12) for transferring the substrate; A first alignment chamber (14) and a second alignment chamber (16) branched on both sides in the substrate trans chamber (12) and aligning the substrate and the mask; A mask rotating chamber 18 connected to the first aligning chamber 14 and the second aligning chamber 16; A mask loading chamber 20 connected to the mask rotation chamber 18 at one end to continuously supply a plurality of masks to the mask rotation chamber 18; And a
기판로딩챔버(10)에는, 복수의 기판이 순차적으로 투입된다. 복수의 기판은 기판로딩챔버(10) 외부로부터 투입될 수 있으며, 기판로딩챔버(10) 내부 일측에 형성된 별도의 기판저장공간으로부터 기판로딩챔버(10) 내부로 투입될 수 있다. 본 실시예에서는 육면체의 기판로딩챔버(10)를 제시한다.In the substrate loading chamber 10, a plurality of substrates are sequentially introduced. The plurality of substrates may be introduced from outside the substrate loading chamber 10 and may be introduced into the substrate loading chamber 10 from a separate substrate storage space formed on one side of the substrate loading chamber 10. In this embodiment, a hexahedral substrate loading chamber 10 is shown.
기판트랜스챔버(12)는, 기판로딩챔버(10)에 투입된 기판을 이송한다. 기판트랜스챔버(12)는, 기판로딩챔버(10)로부터 이송된 기판을 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)로 분배한다. 기판트랜스챔버(12)는 이송된 기판을 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)로 번갈아 투입할 수 있도록 내부에 이송장치를 구비한다. 이송장치는 로봇 암, 이송트랙, 회전트랙 등이 될 수 있다.The substrate trans chamber 12 transports the substrate loaded into the substrate loading chamber 10. The substrate trans chamber 12 distributes the substrate transferred from the substrate loading chamber 10 to the first aligning chamber 14 and the second aligning chamber 16. The substrate trans chamber 12 has a transfer device therein so as to alternately transfer the transferred substrate to the first aligning chamber 14 and the second aligning chamber 16. The transfer device may be a robot arm, a transfer track, a rotary track, or the like.
제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)는, 기판트랜스챔버(12)에서 양측으로 분기되며, 기판과 마스크를 정렬하고 결합한다. 기판에 금속 또는 유기물을 증착하여 화소를 형성하기 위해서는 기판의 일면에 화소의 형상을 음각한 마스크가 정밀하게 결합되어야 한다. 기판과 마스크의 결합은 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16) 내부에 구비된 얼라이너에 의해서 수행된다. The first alignment chamber 14 and the second alignment chamber 16 are branched on both sides in the substrate trans chamber 12 to align and bond the substrate and the mask. In order to form a pixel by depositing a metal or an organic material on a substrate, a mask engraved with the shape of the pixel must be precisely coupled to one surface of the substrate. The combination of the substrate and the mask is performed by an aligner provided inside the first alignment chamber 14 and the second alignment chamber 16.
기판로딩챔버(10)로 순차적으로 투입된 기판은 기판트랜스챔버(12)에 의해 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)로 번갈아 이송되고, 각 얼라인챔버(14, 16)로 유입된 기판에 마스크를 정렬하여 제1 얼라인 적층체(S1) 및 제2 얼라인 적층체(S2)를 형성하게 된다.Substrates sequentially injected into the substrate loading chamber 10 are alternately transferred to the first aligning chamber 14 and the second aligning chamber 16 by the substrate trans chamber 12 and the respective alignment chambers 14 and 16 The first alignment layer S1 and the second alignment layer S2 are formed by aligning the mask on the substrate.
본 실시예에서는 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)를 병렬로 배치하여, 기판과 마스크의 결합체인 제1 얼라인 적층체(S1) 및 제2 얼라인 적층체(S2)를 공정챔버(22)에 연속적으로 공급함으로써, 전체 공정 택 타임(tact-time)을 줄일 수 있다.In this embodiment, the first alignment chamber 14 and the second alignment chamber 16 are arranged in parallel to form a first alignment layer S1 and a second alignment layer 16 which are a combination of a substrate and a mask S2 are continuously supplied to the
마스크회전챔버(18)는, 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)와 연결된다. 마스크회전챔버(18)는 일측에서 공급되는 마스크를 회전시킬 수 있다. 마스크는 기판의 형상을 따라 가로와 세로의 길이가 서로 다를 수 있으므로, 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)에서 별도의 회전동작을 하지 않도록 미리 마스크를 회전시킨다.The mask rotation chamber 18 is connected to the first alignment chamber 14 and the second alignment chamber 16. The mask rotation chamber 18 can rotate the mask supplied from one side. Since the masks may have different lengths in length and width depending on the shape of the substrate, the mask is rotated in advance so as not to perform a separate rotation operation in the first aligning chamber 14 and the second aligning chamber 16.
마스크회전챔버(18)에서 회전된 마스크는 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)로 로딩되어 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16) 내에서 제1 얼라인 적층체(S1) 및 제2 얼라인 적층체(S2)가 형성 된다. 마스크로딩챔버(20)는 복수의 마스크를 마스크회전챔버(18)로 연속적으로 공급한다.The mask rotated in the mask rotation chamber 18 is loaded into the first alignment chamber 14 and the second alignment chamber 16 to form a first alignment chamber 14 and a second alignment chamber 16 in the first alignment chamber 14 and the second alignment chamber 16, The first alignment laminate S1 and the second alignment laminate S2 are formed. The mask loading chamber 20 continuously supplies a plurality of masks to the mask rotation chamber 18. [
한편, 마스크회전챔버(18)는 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)에서 결합된 제1 얼라인 적층체(S1) 및 제2 얼라인 적층체(S2)를 공정챔버(22)에 제공하기 위하여 회전시킬 수 있다. 마스크회전챔버(18) 내부에 구비되는 회전장치는 로봇암, 회전트랙, 회전반 등일 수 있다.On the other hand, the mask rotation chamber 18 is configured to process the first alignment layer S1 and the second alignment layer S2 combined in the first alignment chamber 14 and the second alignment chamber 16 And may be rotated to provide for the
마스크로딩챔버(20)는, 일단이 마스크회전챔버(18)에 연결되어, 마스크회전챔버(18)에 복수의 마스크를 연속적으로 공급한다. 마스크로딩챔버(20)에서는 복수의 마스크가 순차적으로 공급된다. 복수의 마스크는 마스크로딩챔버(20) 외부로부터 투입될 수 있으며, 마스크로딩챔버(20) 내부 일측에 형성된 별도의 마스크저장공간으로부터 마스크로딩챔버(20) 내부로 투입될 수 있다. The mask loading chamber 20 is connected at one end to the mask rotation chamber 18 to continuously supply a plurality of masks to the mask rotation chamber 18. [ In the mask loading chamber 20, a plurality of masks are sequentially supplied. A plurality of masks may be introduced from outside the mask loading chamber 20 and may be introduced into the mask loading chamber 20 from a separate mask storage space formed on one side of the inside of the mask loading chamber 20.
마스크로딩챔버(20)는 복수의 마스크를 마스크회전챔버(18)로 연속적으로 공급하고, 마스크회전챔버(18)는 마스크를 회전시켜 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)로 번갈아 공급한다. 마스크로딩챔버(20)에는 복수의 마스크를 보관하기 위한, 다층의 이동식 카세트가 구비될 수 있다.The mask loading chamber 20 continuously supplies a plurality of masks to the mask rotating chamber 18 and the mask rotating chamber 18 rotates the mask to form the first aligning chamber 14 and the second aligning chamber 16 ). The mask loading chamber 20 may be provided with a multi-layer movable cassette for storing a plurality of masks.
공정챔버(22)는, 마스크로딩챔버(20)의 타단에 연결되며 기판에 대한 공정을 수행한다. 공정챔버(22)는, 마스크로딩챔버(20)의 타단에 연결되어 있으며, 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)에서 각각 결합된 제1 얼라인 적층체(S1) 및 제2 얼라인 적층체(S2)가 마스크로딩챔버(20)를 통과하여 순차적으로 공정챔버(22)에 유입되어 기판에 대한 공정이 이루어진다. 공정챔버(22)에서는 기판에 대한 금속이나 유기물 증착공정이 수행될 수 있다.The
상술한 바와 같이 종래 기술에 따른 인라인 기판처리장치의 경우, 하나의 얼라인 챔버로 기판에 대한 얼라인을 진행한 후, 얼라인된 기판에 대한 공정이 진행되므로, 얼라인챔버 내의 기판에 대한 얼라인 시간과 공정챔버(22) 내에서의 공정 진행 시간의 차이로 인해 공정챔버(22) 내에서 연속적인 공정 수행이 어려웠다. As described above, in the case of the inline substrate processing apparatus according to the related art, since the process is performed on the aligned substrate after aligning the substrate with one aligning chamber, the alignment of the substrate in the aligning chamber It is difficult to carry out a continuous process in the
그러나, 본 실시예에 따른 기판처리장치는 하나의 공정챔버(22)의 전단에 다수 개의 얼라인 챔버를 두어 공정챔버(22) 내로 이동되는 각 기판들 사이에 시간적 이격을 최소화하여 전체 공정 택 타임을 줄일 수 있다. 또한, 공정챔버(22) 내에서 금속이나 유기물을 증착하는 공정을 수행하는 경우, 기판을 향해 지속적으로 분사되는 물질들의 증착효율을 높일 수 있다.However, the substrate processing apparatus according to the present embodiment has a plurality of alignment chambers at the front end of one
한편, 본 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판트랜스챔버(12)와 제1 얼라인챔버(14) 사이에 게재되는 제1 기판버퍼챔버(24); 및 기판트랜스챔버(12)와 제2 얼라인챔버(16) 사이에 게재되는 제2 기판버퍼챔버(26)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a first
제1 기판버퍼챔버(24)와 제2 기판버퍼챔버(26)는 기판트랜스챔버(12)에 순차적으로 유입는 복수의 기판을 시간차를 두고 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16) 각각에 전달하는 역할을 한다. The first
제1 기판버퍼챔버(24) 및 제2 기판버퍼챔버(26)의 내부에는 기판을 이동시킬 수 있는 장치가 구비될 수 있다. 제1 기판버퍼챔버(24) 및 제2 기판버퍼챔버(26)는 내부에서 기판을 이동시키기 위하여 원통형상 또는 육면체형상일 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 육면체 형상을 제시한다. 또한 내부의 진공도 조절, 기판 클리닝 등이 제1 기판버퍼챔버(24) 및 제2 기판버퍼챔버(26)의 내부에서 수행될 수 있다.The first
그리고, 본 실시예에 따른 기판처리장치는, 마스크로딩챔버(20)의 타단과 공정챔버(22) 사이에 개재되어, 마스크로딩챔버(20)에서 인출되는 기판을 이송하는 버퍼챔버(30)를 더 포함할 수 있다. 버퍼챔버(30)는 기판을 대기시키거나 이동시킴으로써, 생산공정에서 발생할 수 있는 각 공정 사이의 시간차를 해소할 수 있다. 또한, 챔버 내부의 진공도 조절, 기판 클리닝 등이 버퍼챔버(30) 내부에서 수행될 수 있다. The substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a buffer chamber 30 interposed between the other end of the mask loading chamber 20 and the
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리방법의 순서도이다.3 is a flowchart of a substrate processing method according to another embodiment of the present invention.
본 실시예에 따른 기판처리방법은, 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른, 기판처리장치를 이용하여 기판에 대한 공정을 처리하는 방법으로서, 기판로딩챔버(10)에 제1 기판을 투입하는 단계; 제1 기판을 기판트랜스챔버(12)에 이송하는 단계; 마스크로딩챔버(20)에 제1 마스크를 투입하는 단계; 제1 마스크를 마스크회전챔버(18)로 이송하여 제1 마스크를 회전시키는 단계; 이송된 제1 기판과 회전된 제1마스크를 제1 얼라인챔버(14)로 이송하여 제1 기판과 제1 마스크를 얼라인하여 제1 얼라인 적층체(S1)를 형성하는 단계; 제1 얼라인 적층체(S1)를 마스크회전챔버(18)로 이송하여 회전시키는 단계; 및 회전된 제1 얼라인 적층체(S1)를 공정챔버(22)로 이송하여 기판에 대한 공정을 수행하는 단계를 포함한다.The substrate processing method according to the present embodiment is a method for processing a substrate using a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, wherein the first substrate is loaded into the substrate loading chamber 10 step; Transferring the first substrate to the substrate trans chamber (12); Injecting a first mask into the mask loading chamber 20; Transferring the first mask to the mask rotation chamber 18 to rotate the first mask; Transferring the transferred first substrate and the rotated first mask to the first alignment chamber 14 to align the first substrate and the first mask to form the first alignment lamination S1; Transferring and rotating the first alignment layer stack (S1) to the mask rotation chamber (18); And transferring the rotated first alignment layer S1 to the
도 2를 참조하여, 본 실시예에 따른 기판처리방법을 살펴 보면, 기판로딩챔버(10)에 제1 기판을 투입한다(S110). 기판로딩챔버(10) 외부 또는 기판로딩챔버(10) 내부 일측에 형성된 별도의 기판저장공간으로부터 제1 기판을 기판로딩챔버(10) 내부로 투입한다. Referring to FIG. 2, a substrate processing method according to the present embodiment will be described. A first substrate is loaded into a substrate loading chamber 10 (S110). The first substrate is loaded into the substrate loading chamber 10 from a separate substrate storage space formed outside the substrate loading chamber 10 or inside the substrate loading chamber 10.
그리고, 제1 기판을 기판트랜스챔버(12)에 이송한다(S210). 기판로딩챔버(10)에 투입된 제1 기판을 기판트랜스챔버(12)로 이송한다. 기판트랜스챔버(12)는 연속적으로 이송되는 기판을 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)로 번갈아 투입할 수 있도록 내부에 이송장치를 구비한다. 기판로딩챔버(10)로부터 복수 개의 기판이 연속적으로 기판트랜스챔버(12)로 이송되고, 기판트랜스챔버(12)는 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)에 기판을 번갈아 투입하게 된다.Then, the first substrate is transferred to the substrate transformer chamber 12 (S210). The first substrate loaded into the substrate loading chamber 10 is transferred to the substrate trans chamber 12. [ The substrate trans chamber 12 has a transfer device therein so that the substrate to be successively transferred can be alternately inserted into the first aligning chamber 14 and the second aligning chamber 16. [ A plurality of substrates are successively transferred from the substrate loading chamber 10 to the substrate trans chamber 12 and the substrate trans chamber 12 is moved to the first aligning chamber 14 and the second aligning chamber 16 And will be put in turn.
그리고, 마스크로딩챔버(20)에 제1 마스크를 투입한다(S310). 마스크로딩챔버(20) 외부 또는 마스크로딩챔버(20) 내부 일측에 형성된 별도의 마스크저장공간에서 제1 마스크를 마스크로딩챔버(20) 내부로 투입한다.Then, the first mask is loaded into the mask loading chamber 20 (S310). The first mask is introduced into the mask loading chamber 20 in a separate mask storage space formed outside the mask loading chamber 20 or inside the mask loading chamber 20. [
그리고, 제1 마스크를 마스크회전챔버(18)로 이송하여 제1 마스크를 회전시킨다(S410). 마스크로딩챔버(20)에 투입된 제1 마스크는 마스크회전챔버(18)로 이송되며, 마스크회전챔버(18) 내부에 구비된 회전장치에 의하여, 제1 마스크가 회전된다. 마스크는 기판의 형상을 따라 가로와 세로의 길이가 서로 다를 수 있으므로, 제1 얼라인챔버(14) 및 제2 얼라인챔버(16)에서 별도의 회전동작을 하지 않도록 마스크회전챔버(18)에서 미리 마스크를 회전시키는 것이다. Then, the first mask is transferred to the mask rotation chamber 18 to rotate the first mask (S410). The first mask charged into the mask loading chamber 20 is transferred to the mask rotation chamber 18 and the first mask is rotated by a rotation device provided inside the mask rotation chamber 18. [ Since the masks may have different lengths in length and width depending on the shape of the substrate, the mask may be rotated in the mask rotation chamber 18 so as not to perform a separate rotation operation in the first aligning chamber 14 and the second aligning chamber 16 The mask is rotated in advance.
그리고, 회전된 제1 기판과 회전된 제1마스크를 제1 얼라인챔버(14)로 이송하여 제1 기판과 제1 마스크를 얼라인하여 제1 얼라인 적층체(S1)를 형성한다(S510). 회전된 제1 기판과 제1 마스크가 제1 얼라인챔버(14)로 각각 이송되며, 제1 얼라인챔버(14)에서 기판과 마스크를 정렬한 후 결합하여 제1 얼라인 적층체(S1)를 형성한다.Then, the rotated first substrate and the rotated first mask are transferred to the first aligning chamber 14 to align the first substrate and the first mask to form the first aligned laminate S1 (S510) . The rotated first substrate and the first mask are respectively transferred to the first aligning chamber 14 and the substrate and the mask are aligned in the first aligning chamber 14 and then combined to form the first aligning laminate S1, .
그리고, 제1 얼라인 적층체(S1)를 마스크회전챔버(18)로 이송하여 회전시킨다(S610). 제1 얼라인챔버(14)에서 형성된 제1 얼라인 적층체(S1)는 마스크회전챔버(18)로 이송되며, 마스크회전챔버(18) 내부에 구비된 회전장치에 의하여, 제1 얼라인 적층체(S1)가 회전된다.Then, the first alignment layered body S1 is transferred to the mask rotation chamber 18 and rotated (S610). The first alignment laminate S1 formed in the first alignment chamber 14 is transferred to the mask rotation chamber 18 and is rotated by a rotating device provided inside the mask rotation chamber 18, The body S1 is rotated.
그리고, 회전된 제1 얼라인 적층체(S1)를 공정챔버(22)로 이송하여 기판에 대한 공정을 수행한다(S710). 회전된 제1 얼라인 적층체(S1)에 금속 또는 유기물을 증착시킬 수 있도록 공정챔버(22)로 이송한다. 공정챔버(22)에서 이송된 제1 얼라인 적층체(S1)를 대상으로 금속 또는 유기물을 증착하는 공정을 진행한다.Then, the rotated first alignment layer S1 is transferred to the
복수의 기판에 대해 순차적으로 공정을 수행하기 위해, 제1 얼라인 적층체(S1)를 형성하는 단계와 동시에, 기판로딩챔버(10)에 제2 기판을 투입하고, 마스크로딩챔버(20)에 제2 마스크를 투입한다(S120). 제1 얼라인 적층체(S1)가 형성되는 시점에, 제2 얼라인 적층체(S2)의 형성을 위한 준비를 함으로써, 공정챔버(22)에 복수의 얼라인 적층체를 연속적으로 투입할 수 있다.The second substrate is loaded into the substrate loading chamber 10 at the same time as the step of forming the first aligned laminate S1 and the second substrate is loaded into the mask loading chamber 20 in order to sequentially perform the processes on the plurality of substrates The second mask is charged (S120). The plurality of aligned layers can be continuously introduced into the
제1 얼라인 챔버(14) 내에서 제1 얼라인 적층체(S1)를 형성하는 과정에서 기판로딩챔버(10)에 제2 기판이 투입되고, 마스크로딩챔버(20)에 제2 마스크가 투입된다.The second substrate is loaded into the substrate loading chamber 10 in the process of forming the first alignment layer S1 in the first alignment chamber 14 and the second mask is introduced into the mask loading chamber 20 do.
본 실시예에서 '동시'라는 의미는 시간적으로 동일하다는 의미뿐만 아니라 각 단계가 겹쳐서 이루어진다는 의미를 포함한다.In the present embodiment, the term " simultaneous " means not only that they are the same in terms of time, but also means that the respective steps are overlapped.
그리고, 제2 기판을 기판트랜스챔버(12)에 이송한다(S220). 기판로딩챔버(10)에 투입된 제2 기판은 기판트랜스챔버(12)로 이송되며, 이때, 제1 얼라인 적층체(S1)는 제1 얼라인챔버(14)에서 마스크회전챔버(18)로 이송되며, 마스크회전챔버(18)에서 회전될 수 있다.Then, the second substrate is transferred to the substrate trans chamber 12 (S220). The second substrate placed in the substrate loading chamber 10 is transferred to the substrate trans chamber 12 where the first alignment lamina S1 is transferred from the first alignment chamber 14 to the mask rotation chamber 18 And can be rotated in the mask rotation chamber 18. [
그리고, 제2 마스크를 마스크회전챔버(18)로 이송하여 제2 마스크를 회전시킨다(S320). 마스크로딩챔버(20)에 투입된 제2 마스크는 마스크회전챔버(18)로 이송되며, 마스크회전챔버(18) 내부에 구비된 회전장치에 의하여, 제2 마스크가 회전된다. 이때, 제1 얼라인 적층체(S1)는 마스크로딩챔버(20)로 이송될 수 있다.Then, the second mask is transferred to the mask rotation chamber 18 to rotate the second mask (S320). The second mask charged into the mask loading chamber 20 is transferred to the mask rotation chamber 18 and the second mask is rotated by a rotation device provided inside the mask rotation chamber 18. [ At this time, the first alignment layer S1 may be transferred to the mask loading chamber 20.
그리고, 이송된 제2 기판과 회전된 제2 마스크를 제2 얼라인챔버(16)로 이송하여 제2 기판과 제2 마스크를 얼라인하여 제2 얼라인 적층체(S2)를 형성한다(S420). 회전된 제2 기판과 제2 마스크는 제2 얼라인챔버(16)로 각각 이송되며, 기판과 마스크를 정렬한 후 결합하여 제2 얼라인 적층체(S2)가 형성된다. 이때, 제1 얼라인 적층체(S1)는 공정챔버(22)로 이동하여, 금속 또는 유기물 증착공정이 수행될 수 있으며, 또 다른 얼라인 적층체를 형성하기 위하여 제3 기판 및 제3 마스크가 기판로딩챔버(10) 또는 마스크로딩챔버(20)에 투입될 수 있다.Then, the transferred second substrate and the rotated second mask are transferred to the second aligning chamber 16 to align the second substrate and the second mask to form the second alignment layer S2 (S420) . The rotated second substrate and the second mask are respectively transported to the second aligning chamber 16, and the substrate and the mask are aligned and combined to form the second alignment lamination S2. At this time, the first alignment layer S1 moves to the
그리고, 제2 얼라인 적층체(S2)를 마스크회전챔버(18)로 이송하여 회전시키킨다(S520). 제2 얼라인 적층체(S2)가 마스크회전챔버(18)로 이송되며, 마스크회전챔버(18) 내부에 구비된 회전장치에 의하여, 제2 얼라인 적층체(S2)가 회전된다.그리고, 회전된 제2 얼라인 적층체(S2)를 공정챔버(22)로 이송하여 기판에 대한 공정을 수행한다(S620). 회전된 제2 얼라인 적층체(S2)에 금속 또는 유기물을 증착시킬 수 있도록 공정챔버(22)로 이송한다. 공정챔버(22)에서 이송된 제2 얼라인 적층체(S2)를 대상으로 금속 또는 유기물을 증착하는 공정이 진행된다.Then, the second alignment layer S2 is transferred to the mask rotation chamber 18 and rotated (S520). The second alignment layer S2 is transferred to the mask rotation chamber 18 and the second alignment layer S2 is rotated by the rotation device provided in the mask rotation chamber 18. Then, The rotated second alignment layer S2 is transferred to the
제2 기판과 제2 마스크는 제2 얼라인 챔버(16) 내에 투입되어 제2 얼라인 적층체(S2)를 형성하고, 이 과정에서 완성된 제1 얼라인 적층체(S1)는 제1 얼라인 챔버를 빠져나와 마스크회전챔버(18)와 마스크로딩챔버(20)를 거쳐 공정챔버(22) 전단에 위치한다. 제1 얼라인 적층체(S1)가 제1 얼라인 챔버(16)에서 공정챔버(22)로 이동하는 동안 제2 얼라인 적층체(S2)가 완성되어 제1 얼라인 적층체(S1)의 후단에 위치하게 된다. The second substrate and the second mask are introduced into the second aligning chamber 16 to form a second alignment laminate S2. In this process, the first alignment lamination S1 is completed, And is placed in front of the
그리고, 제1 얼라인 적층체(S1)를 기판과 마스크로 분리하고, 분리된 마스크를 마스크로딩챔버(20)에 재공급할 수 있다. 기판에 대한 제1 얼라인 적층체(S1)에 대한 금속 또는 유기물 증착공정이 수행된 이후, 증착공정이 완료된 제1 기판은 후 처리를 위하여, 제1 마스크와 분리되며, 분리된 제1 마스크는 다시 마스크로딩챔버(20)에 공급되어 재사용될 수 있다.
Then, the first alignment layer S1 can be separated into a substrate and a mask, and the separated mask can be re-supplied to the mask loading chamber 20. [ After the metal or organic material deposition process for the first alignment layer S1 on the substrate is performed, the first substrate on which the deposition process is completed is separated from the first mask for post-processing, and the separated first mask And then supplied to the mask loading chamber 20 again for reuse.
상기에서는 본 발명의 특정의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as set forth in the following claims It will be understood that the invention may be modified and varied without departing from the scope of the invention.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
Many embodiments other than the above-described embodiments are within the scope of the claims of the present invention.
S: 기판 10: 기판로딩챔버
12: 기판트랜스챔버 14: 제1 얼라인챔버
16: 제2 얼라인챔버 18: 마스크회전챔버
20: 마스크로딩챔버 22: 공정챔버
24: 제1 기판버퍼챔버 26: 제2 기판버퍼챔버
30: 버퍼챔버 32: 얼라인챔버S: substrate 10: substrate loading chamber
12: substrate trans chamber 14: first alignment chamber
16: second aligning chamber 18: mask rotating chamber
20: mask loading chamber 22: process chamber
24: first substrate buffer chamber 26: second substrate buffer chamber
30: buffer chamber 32: alignment chamber
Claims (7)
복수의 상기 기판이 순차적으로 투입되는 기판로딩챔버;
상기 기판을 이송하는 기판트랜스챔버;
상기 기판트랜스챔버에서 양측으로 분기되며, 상기 기판과 상기 마스크를 얼라인하여 제1 얼라인 적층체 및 제2 얼라인 적층체를 형성하는 제1 얼라인챔버 및 제2 얼라인챔버;
상기 제1 얼라인챔버 및 상기 제2 얼라인챔버와 연결되는 마스크회전챔버;
일단이 상기 마스크회전챔버에 연결되어, 상기 마스크회전챔버에 복수의 상기 마스크를 연속적으로 공급하는 마스크로딩챔버; 및
상기 마스크로딩챔버의 타단에 연결되며 상기 기판에 대한 공정을 수행하는 공정챔버를 포함하고,
상기 마스크회전챔버는, 상기 마스크로딩챔버에서 공급된 마스크를 회전시켜 상기 제1 얼라인챔버 및 제2 얼라인챔버로 공급하고 상기 제1 얼라인 적층체 및 제2 얼라인 적층체를 상기 공정챔버로 공급하는 것을 특징으로 하는, 기판처리장치.
A substrate processing apparatus for aligning a substrate and a mask to process the substrate,
A substrate loading chamber into which a plurality of the substrates are sequentially introduced;
A substrate trans chamber for transferring the substrate;
A first aligning chamber and a second aligning chamber branching at both sides of the substrate transform chamber and aligning the substrate and the mask to form a first alignment layer and a second alignment layer;
A mask rotating chamber connected to the first alignment chamber and the second alignment chamber;
A mask loading chamber, one end of which is connected to the mask rotation chamber, for continuously supplying a plurality of the masks to the mask rotation chamber; And
And a process chamber connected to the other end of the mask loading chamber and performing a process on the substrate,
Wherein the mask rotating chamber rotates the mask supplied from the mask loading chamber to supply the first alignment chamber and the second alignment chamber to the first alignment chamber and the second alignment chamber, To the substrate processing apparatus.
상기 기판트랜스챔버와 상기 제1 얼라인챔버 사이에 게재되는 제1 기판버퍼챔버; 및
상기 기판트랜스챔버와 상기 제2 얼라인챔버 사이에 게재되는 제2 기판버퍼챔버를 더 포함하는, 기판처리장치.
The method according to claim 1,
A first substrate buffer chamber disposed between the substrate transform chamber and the first alignment chamber; And
And a second substrate buffer chamber disposed between the substrate trans chamber and the second alignment chamber.
상기 마스크로딩챔버의 타단과 상기 공정챔버 사이에 개재되어, 상기 마스크로딩챔버에서 인출되는 상기 기판을 이송하는 버퍼챔버를 더 포함하는, 기판처리장치.
The method according to claim 1,
And a buffer chamber interposed between the other end of the mask loading chamber and the process chamber for transferring the substrate drawn out of the mask loading chamber.
상기 기판로딩챔버에 제1 기판을 투입하는 단계;
상기 제1 기판을 상기 기판트랜스챔버에 이송하는 단계;
상기 마스크로딩챔버에 제1 마스크를 투입하는 단계;
상기 제1 마스크를 상기 마스크회전챔버로 이송하여 상기 제1 마스크를 회전시키는 단계;
이송된 상기 제1 기판과 회전된 상기 제1마스크를 제1 얼라인챔버로 이송하여, 상기 제1 기판과 상기 제1 마스크를 얼라인하여, 제1 얼라인 적층체를 형성하는 단계;
상기 제1 얼라인 적층체를 상기 마스크회전챔버로 이송하여 회전시키는 단계; 및
상기 회전된 상기 제1 얼라인 적층체를 상기 공정챔버로 이송하여 기판에 대한 공정을 수행하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
A method of processing a substrate with a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
Loading a first substrate into the substrate loading chamber;
Transferring the first substrate to the substrate transform chamber;
Loading a first mask into the mask loading chamber;
Transferring the first mask to the mask rotation chamber to rotate the first mask;
Transferring the transferred first substrate and the rotated first mask to a first alignment chamber to align the first substrate and the first mask to form a first alignment laminate;
Transferring the first alignment layer to the mask rotation chamber and rotating the first alignment layer; And
And transferring the rotated first alignment layer to the process chamber to perform a process on the substrate.
상기 제1 얼라인 적층체를 형성하는 단계와 동시에 상기 기판로딩챔버에 제2 기판을 투입하고, 상기 마스크로딩챔버에 제2 마스크를 투입하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
5. The method of claim 4,
Further comprising injecting a second substrate into the substrate loading chamber at the same time as forming the first alignment layer, and introducing a second mask into the mask loading chamber.
상기 제2 마스크를 투입하는 단계 이후에,
상기 제2 기판을 상기 기판트랜스챔버에 이송하는 단계와;
상기 제2 마스크를 상기 마스크회전챔버로 이송하여 상기 제2 마스크를 회전시키는 단계와;
이송된 상기 제2 기판과 회전된 상기 제2 마스크를 제2 얼라인챔버로 이송하여, 상기 제2 기판과 상기 제2 마스크를 얼라인하여, 제2 얼라인 적층체를 형성하는 단계와;
상기 제2 얼라인 적층체를 상기 마스크회전챔버로 이송하여 회전시키는 단계; 및
상기 회전된 상기 제2 얼라인 적층체를 상기 공정챔버로 이송하여 기판에 대한 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
6. The method of claim 5,
After the step of injecting the second mask,
Transferring the second substrate to the substrate transform chamber;
Transferring the second mask to the mask rotation chamber to rotate the second mask;
Transferring the transferred second substrate and the second mask rotated to a second alignment chamber to align the second substrate and the second mask to form a second alignment laminate;
Transferring the second alignment layer to the mask rotation chamber and rotating the second alignment layer; And
And transferring the rotated second alignment layer to the process chamber to perform a process on the substrate.
상기 기판에 대한 공정을 수행하는 단계 이후에,
상기 제1 얼라인 적층체를 상기 기판과 상기 마스크로 분리하는 단계; 및
분리된 상기 마스크를 상기 마스크로딩챔버에 재공급하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
5. The method of claim 4,
After performing the process on the substrate,
Separating the first alignment layer into the substrate and the mask; And
Further comprising the step of re-supplying the separated mask to the mask loading chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120107960A KR101394368B1 (en) | 2012-09-27 | 2012-09-27 | Apparatus for processing substrate and method for processing substrate |
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