KR101391670B1 - Key input device and keyboard having the same - Google Patents

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Abstract

Disclosed are a key input device, which detects a switching operation within a switching matrix where a plurality of switches such as a keyboard are provided, and a keyboard having the same. The key input device is connected to a key matrix including a plurality of switches. The key input device includes a column scanning controller and a row scanning controller. The column scanning controller includes a plurality of column switch units corresponding to column scanning lines one-to-one, and (i) selectively receives one of a first input voltage (Vup) and a second input voltage (VA) in each column in normal scanning mode and (ii) performs a column scanning operation for each mode according to a switching operation of a column switch unit, which receives holding voltage (Vh), in power saving mode, according to column scanning signals and enable signals (EN) of a CPU. The row scanning controller is synchronized with a column scanning signal of the column scanning controller in the normal scanning mode to perform row scanning according to row scanning signals of the CPU, and is operated in the power saving mode according to EN. The column scanning controller includes a first variable resistor, which is arranged between reference voltage and each of the column switch units and varies a first input voltage (Vup) and supplies the varied input voltage to each of the column switch units.

Description

키입력장치 및 이를 포함하는 키보드{KEY INPUT DEVICE AND KEYBOARD HAVING THE SAME}[0001] KEY INPUT DEVICE AND KEYBOARD HAVING THE SAME [0002]

본 발명은 키입력장치 및 이를 포함하는 키보드에 관한 것으로, 특히 키보드와 같은 다수의 스위치가 구비된 스위칭 매트릭스내의 스위칭 동작을 검출하는 키입력장치 및 이를 포함하는 키보드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a key input device and a keyboard including the same, and more particularly, to a key input device for detecting a switching operation in a switching matrix having a plurality of switches such as a keyboard and a keyboard including the same.

일반적으로, 컴퓨터 시스템에서 키보드는 외부로부터의 입력을 받기 위한 주요한 수단에 하나이다. 많은 컴퓨터 시스템에 있어서, 중앙 처리 시스템에 대한 데이터입력은 키보드 상의 키펀치에 의해 행해진다.Generally, a keyboard in a computer system is one of the primary means for receiving input from the outside. In many computer systems, data entry into the central processing system is done by keying on the keyboard.

키보드에는 통상적으로 키로부터 입력 정보를 제어하기 위한 컨트롤 조직을 포함하는 키보드 인터페이스가 설치되어 있으며, 키보드 인터페이스는 마이컴(micom)으로부터 출력되는 스캔 아웃 라인(Scan out line)과, 마이컴으로 입력되는 스캔 인 라인(Scan in line)이 시스템 인터페이스에 연결된다.The keyboard usually has a keyboard interface including a control organization for controlling input information from a key. The keyboard interface includes a scan out line output from a micom and a scan out line from a micom. A line (scan in line) is connected to the system interface.

시스템 인터페이스는 스캔 아웃 라인을 통해 키보드 인터페이스에 상태 신호를 전송하고, 키입력에 따라 스캔 인 라인과 스캔 아웃 라인이 연결되어 키입력을 판단한다.The system interface transmits the status signal to the keyboard interface through the scan out line, and the scan in line and the scan out line are connected according to the key input to determine the key input.

상기한 입력 방식에 의해 키보드는 고스트키(Ghost Key) 또는 팬텀키(Phantom Key)라 불리는 현상이 발생하는 문제가 있는데, 고스트키 현상은 키보드에서 동시에 3개의 키버튼이 눌려졌을 때, 4개의 키버튼이 눌려진 것처럼 인식하는 현상을 말한다.The above-described input method has a problem that a keyboard is called a ghost key or a phantom key. The ghost key phenomenon occurs when three key buttons are simultaneously pressed on the keyboard, It is a phenomenon that a button is recognized as being pressed.

이러한 고스트키 현상은 매우 빨리 타이핑을 하는 사람의 경우, 하나씩 키를 누른다 해도 한꺼번에 3개의 눌리는 것으로 인식할 수 있으므로, 사용자가 누르지 않은 키의 입력이 발생되는 것이다.Such a ghost key phenomenon can be recognized by pressing three keys at a time even if the key is pressed one by one in the case of a person typing very quickly, so that an input of a key not pressed by the user occurs.

이를 방지하기 위하여 두 번째 누른 키 이후에 눌려진 세 번째 키버튼이 눌린 것을 감지하면, 이 키버튼이 눌리지 않은 것으로 처리하는 방법을 이용한다.In order to prevent this, when the third key pressed after the second pressed key is detected, the method is used in which the key is not pressed.

또한, 시프트키(Shift), 컨트롤키(Ctrl), 알트키(Alt)와 같이 3개의 키 조합이 동시에 눌려야 동작이 되는 경우에는 키 배치를 특별하게 하여 3개의 키버튼이 동시에 눌려도 고스트 현상이 나타나지 않도록 하는 방법을 이용한다.In addition, when three key combinations such as a shift key, a control key, and an alt key are operated simultaneously, the key arrangement is made special so that even if three key buttons are pressed simultaneously, Is not displayed.

하지만, 상기한 방식을 이용하더라도 게임과 같은 프로그램에서 특정 키버튼이 아닌, 일반 키버튼이 3개 이상 조합되어 눌려져야 하는 경우에는 동작이 불가능하게 되는 문제가 있다. 즉, PC에서 즐기는 게임 중에서 슈팅게임과 같은 경우, 컨트롤키(Ctrl), 알트키(Alt) 등의 특별한 키와의 조합이 아니라 일반적인 키만으로 조합하여 3개의 키 눌림을 요구한다.However, even if the above-described method is used, there is a problem in that a program such as a game can not be operated when a combination of three or more general key buttons is pressed instead of a specific key button. That is, in a game played on a PC, in the case of a shooting game, three key presses are required in combination with a general key, not a combination with a special key such as a control key (Ctrl) or alt key (Alt).

예를들어, 'W'는 위의 방향 이동, 'E'는 좌측 이동, 'P'는 발사 등으로 정해서 위쪽 좌측 방향으로 이동하면서 발사를 원하게 된다면, 3개의 키버튼이 동시에 눌려야만 한다.For example, if you want to fire with 'W' moving upwards, 'E' moving left, 'P' launching and so on, moving upwards left, three key buttons must be pressed at the same time.

그러나 종래의 고스트키 제거 방식에 의해 세 개의 키는 동작이 불가능하게 될 수 있는 것이다.However, with the conventional ghost key removal method, three keys can be disabled.

도 1은 고스트키 제거를 위한 일반적인 키입력장치를 설명하기 위한 블럭도이다. 1 is a block diagram for explaining a general key input device for ghost key removal.

도 1을 참조하면, 직렬로 연결된 저항(6)과 스위칭소자(5)를 각각 포함하는 다수의 스위칭장치들(S1...)이 키매트릭스(3)내에 구성된다. 여기서, 49개의 스위칭장치들이 제조된다. Referring to FIG. 1, a plurality of switching devices S1... Each including a resistor 6 and a switching device 5 connected in series are constituted in the key matrix 3. Here, 49 switching devices are manufactured.

키매트릭스(3)내의 각각의 스위칭장치(S1...)의 일단은 행주사라인들(X10~X16)(또는 X라인) 중 하나의 라인에 연결되고, 타단은 열주사라인들(Y30~Y36)(또는 Y라인) 중 하나의 라인에 연결된다.One end of each of the switching devices S1 ... in the key matrix 3 is connected to one of the row scan lines X10 to X16 (or X line), and the other end is connected to the column scan lines Y30- Y36) (or Y line).

행주사라인들(X10~X16) 각각의 일단은 행디코더(2)에 연결되어 있다.One end of each of the row syllables X10 to X16 is connected to the row decoder 2.

열주사라인들(Y30~Y36) 각각의 일단은 열디코더(1)에 연결되며, 타단은 검출회로(4)의 선택기(7)(또는 아날로그 스위칭 시스템을 갖는 데이터 선택기)에 연결되어 있다.One end of each of the column scan lines Y30 to Y36 is connected to the column decoder 1 and the other end is connected to the selector 7 of the detection circuit 4 (or a data selector having an analog switching system).

열디코더(1)는 열주사라인(Y30~Y36)으로부터 선택된 한 라인을 개방시키는 역할을 하는 한편, 나머지 라인들에 소정의 정전압을 인가하는 역할을 한다. 여기서, 정전압은 3V로 설정될 수 있다.The column decoder 1 serves to open one line selected from the column scan lines Y30 to Y36 and to apply a predetermined constant voltage to the remaining lines. Here, the constant voltage may be set to 3V.

과전류 방지용 저항(r4)과 역방향 전류 방지용 다이오드(Di) 및 정전압 제공용 제너다이오드(ZDi)가 열디코더(1)와 열주사라인들(Y30~Y36) 각각의 일단간에 제공되어 있다. 여기서, 열디코더(1)로부터의 전압과 전압비교기(8)의 비교전압을 출력하기 위해서는 도 1에 도시된 바대로 고가의 다이오드를 다량 사용해야 한다. 그 중 열디코더(1)와 연결된 다이오드는 스위치의 숫자만큼 다량을 사용해야함을 알 수 있다. An overcurrent preventing resistor r4 and a reverse current preventing diode Di and a zener diode ZDi for providing a constant voltage are provided between one end of each of the column decoder 1 and the column scanning lines Y30 to Y36. Here, in order to output the voltage from the column decoder 1 and the comparison voltage of the voltage comparator 8, a large amount of expensive diodes must be used as shown in Fig. It can be seen that the diode connected to the column decoder 1 must use a large amount as many as the number of switches.

열주사라인들(Y30~Y36) 각각의 타단은 선택기(7)에 연결되어 있다. 선택기(7)는 열주사라인들(Y30~Y36)중 하나를 연속으로 선택하여 스위칭동작을 위한 전압검출회로인 전압비교기(8)에 연결한다.The other end of each of the column scan lines Y30 to Y36 is connected to the selector 7. [ The selector 7 selects one of the column scan lines Y30 to Y36 successively and connects it to the voltage comparator 8 which is a voltage detecting circuit for the switching operation.

열디코더(1)와 선택기(7)는 클럭펄스와 동기하여 열주사라인들(Y30~Y36)상에서 주사동작을 수행한다. 그러므로, 열디코더(1)에 의해 열주사라인들(Y30~Y36)로부터 선택된 라인, 예를들어 열주사라인(Y30)은 선택기(7)에 의해 동시에 선택되어 전압비교기(8)에 연결된다.The column decoder 1 and the selector 7 perform a scanning operation on the column scanning lines Y30 to Y36 in synchronization with the clock pulse. Therefore, a line selected from the column scanning lines Y30 to Y36 by the column decoder 1, for example, the column scanning line Y30, is simultaneously selected by the selector 7 and connected to the voltage comparator 8. [

다른 한편, 전압비교기(8)의 입력단자(N1)에는 임피던스(R)를 통해 전원 Vcc(예, 5V)로부터 적당한 전압이 걸린다. 선택기(7)에 의해 선택되는 행주사라인의 전압들 또한 단자(N1)에 걸린다.On the other hand, an appropriate voltage is applied to the input terminal N1 of the voltage comparator 8 from the power supply Vcc (for example, 5 V) through the impedance R. [ The voltages of the row sine selected by the selector 7 are also applied to the terminal N1.

검출기준전압(예를들어 2.5~3.0V)을 한정하기 위한 저항(r3)과 제너다이오드(ZDi)는 다른 입력단(N2)에 연결되어 있다. 여기서, 검출기준전압은 2.6V로 설정된다.The resistor r3 for limiting the detection reference voltage (for example, 2.5 to 3.0 V) and the zener diode ZDi are connected to the other input terminal N2. Here, the detection reference voltage is set to 2.6V.

행주사라인들(X10~X16) 각각의 일단은 행디코더(2)에 연결되어 있다. 행디코더(2)는 상술한 바와 같은 선택기(7)와 열디코더(1)의 주사동작과 동기하여 주사동작을 수행하며 또한 행주사라인들(X10~X16)로부터 선택된 라인의 전압을 OV로 설정시키는 한편, 나머지 라인들을 개방상태로 두는 역할을 한다.One end of each of the row syllables X10 to X16 is connected to the row decoder 2. The row decoder 2 performs a scanning operation in synchronization with the scanning operation of the selector 7 and the column decoder 1 as described above and also sets the voltage of the selected line from the row scan lines X10 to X16 to OV While leaving the remaining lines open.

하나의 열주사라인(Y30)이 선택기(7)와 열디코더(1)에 의해 선택되고 또한 하나의 열주사라인(X10)이 행디코더(2)에 의해 선택될 때 하나의 열주사라인(Y30)의 전압은 5V에 유지되는 한편, 나머지 열주사라인들(Y31~Y36)의 전압은 3V에 유지된다.When one column scan line Y30 is selected by the selector 7 and the column decoder 1 and one column scan line X10 is selected by the row decoder 2, Is maintained at 5V while the voltage of the remaining column scanning lines Y31 to Y36 is maintained at 3V.

다른 한편, 행주사라인(X10)이 행디코더(2)에 의해 선택될 때 행주사라인(X10)의 전압은 OV에 설정되고 나머지 행주사라인들(X11~X16)은 개방된다.On the other hand, when the row sine X10 is selected by the row decoder 2, the voltage of the row sine X10 is set to OV and the remaining row sine X11 to X16 are opened.

그러한 상황에서 스위치(S1)를 누르면 열주사라인(Y30)과 행주사라인(X10)이 연결되며, VCC(5V)에 유지되는 열주사라인(Y30)의 전압은 OV로 강하하고, 거의 OV의 전압이 전압비교기(8)의 입력단자(N1)에 인가된다.In such a situation, when the switch S1 is pressed, the column scan line Y30 and the row scan line X10 are connected, and the voltage of the column scan line Y30 held at VCC (5V) drops to OV, A voltage is applied to the input terminal N1 of the voltage comparator 8. [

엄격히 말해, 입력단자(N2)의 전압의 완전히 OV까지 떨어지지 않는다. 왜냐하면 스위칭장치(S)내에 저항(6)의 저항성분(r)과 열주사라인(Y30)의 내부저항성분이 존재하기 때문이다. 그러나, 저항(6)의 저항성분(r)이 임피던스(R)의 것보다 작은 값, 예를들어 R의 1/10의 값에 설정되면 입력단자(N1 )에 대한 입력전압은 OV로 간주될 수 있다.Strictly speaking, the voltage of the input terminal N2 does not drop to the full OV. This is because the resistance component r of the resistor 6 and the internal resistance component of the column scan line Y30 are present in the switching device S. [ However, when the resistance component r of the resistor 6 is set to a value smaller than that of the impedance R, for example, a value of 1/10 of R, the input voltage to the input terminal N1 is regarded as OV .

이는 임피던스(R)의 값과 저항(6)의 저항성분(r)이 후술되는 바와 같이 본 발명에 독립적으로 변동될 수 있다는 사실에 근거한다.This is based on the fact that the value of the impedance R and the resistance component r of the resistor 6 can be varied independently of the present invention as described below.

따라서, 그러한 구성을 갖는 입력검출장치에서는 하나의 스위치, 예를들어 스위치(S1)만을 누르면 스위칭장치가 연결되는 행주사라인의 검출전압은 OV로서 나타나므로, 상기 사실이 검출될 수 있다. 왜냐하면 검출전압 OV는 2.6V의 검출기준전압보다 낮기 때문이다.Therefore, in the input detecting apparatus having such a configuration, the detection voltage of the row sine to which the switching device is connected by pressing only one switch, for example, the switch S1, appears as OV, so that the fact can be detected. This is because the detection voltage OV is lower than the detection reference voltage of 2.6V.

다른 한편, 스위치(S1)를 누르지 않고 다른 스위칭장치들(S2~S4)을 동시에 잘못 누르면, 전압비교기(8)의 입력단자(N1)에 대한 입력전압이 적어도 3V이상으로 나타난다. On the other hand, if the other switch devices S2 to S4 are erroneously pressed at the same time without depressing the switch S1, the input voltage to the input terminal N1 of the voltage comparator 8 appears to be at least 3V or more.

그러므로, 누설통과 신호전류의 발생이 검출될 수 있다.Therefore, the occurrence of leakage passing signal current can be detected.

따라서, 스위칭장치들(S2~S4)은 스위칭장치(S1)대신 잘못 눌려짐에 의해 누설통과 신호전압이 발생하는 것을 마치 스위칭장치(S1)를 잘못 눌러서 된 것 같은 에러를 방지하는 것이 가능하다.Therefore, it is possible to prevent an error such that the leakage signal voltage is generated by mistakenly depressing the switching devices S1 to S4 instead of the switching device S1, as if the switching device S1 was pressed improperly.

그러나, 원하는 스위칭장치와 다수의 다른 스위칭장치를 동시에 누르면 누설통과 신호전압이 다른 스위칭장치가 연결된 행주사라인을 통해 발생되므로 검출전압이 증가하게 된다.However, when the desired switching device and a plurality of other switching devices are simultaneously pressed, the leakage passing signal voltage is generated through the diode connected to the other switching device, so that the detection voltage is increased.

그러므로, 원하는 스위칭장치의 동작을 검출할 수 없는 문제점이 발생한다.Therefore, there arises a problem that the operation of the desired switching device can not be detected.

상술한 상황에서의 누설통과 신호전압을 이하에 설명하면 다음과 같다.The leakage signal voltage in the above-described situation will be described below.

도 1에서는 스위칭장치들(S2~S8)을 원하는 스위칭장치(S1)와 동시에 잘못 누르면 다음과 같은 수식 1에 의해 나타내는 누설통과 신호 전압(V8)은 약 1.9V로서 검출된다.In FIG. 1, when the switching devices S2 to S8 are erroneously pressed at the same time as the desired switching device S1, the leakage passing signal voltage V8 indicated by Equation 1 below is detected as about 1.9V.

[수식 1][Equation 1]

Figure 112013037962353-pat00001
Figure 112013037962353-pat00001

이 전압은 판별해야 될 검출기준전압 2.6V보다 훨씬 작다.This voltage is much smaller than the detection reference voltage 2.6V to be discriminated.

그러므로, 스위치(S1)를 누르는 동작이 정확히 검출될 수 있다.Therefore, the operation of pressing the switch S1 can be accurately detected.

원하는 스위칭장치(S1)와 9개의 다른 스위칭장치들을 동시에 누르면, 예를들어 스위칭장치(S1)와 스위칭장치(S3~S11), 즉 총 10개의 스위치들은 중복하여 폐쇄되어 다음과 같은 수식 2로 나타내 누설통과 신호전압(V10)이 약 2.05V로서 검출된다.For example, the switching device S1 and the switching devices S3 to S11, that is, a total of 10 switches, are closed at the same time by pressing the desired switching device S1 and nine other switching devices at the same time, The leakage pass signal voltage V10 is detected as about 2.05V.

[수식 2][Equation 2]

Figure 112013037962353-pat00002
Figure 112013037962353-pat00002

이 전압은 판별될 검출기준전압(2.6V)보다 훨씬작다. 그러므로 스위치(S1)를 누르는 동작이 정확히 검출될 수 있다.This voltage is much smaller than the detection reference voltage (2.6V) to be discriminated. Therefore, the operation of pressing the switch S1 can be accurately detected.

하지만, 이러한 종래의 고스트키현상을 제거하는 방법은 스위치 매트릭스의 배열중 열디코더와 선택기를 따로 구성해야 하므로 시스템의 면적이 증가하여 제품의 생산원가가 상승되며 설계에 어려움이 있었다. 또한, 전원절약모드에 대한 정의가 없어 상용화에 문제점이 있었다. However, since the conventional method of removing the ghost key phenomenon requires a separate column decoder and a selector among the array of the switch matrix, the area of the system is increased and the production cost of the product is increased. Also, there is a problem in commercialization because there is no definition of the power saving mode.

또한, 스위치배열상에 열주사라인들(Y30~Y36)의 숫자만큼 일반 다이오드(Di)와 정전압 공급용 제너다이오드(ZDi)를 다량으로 사용해야 하였으므로 제조비용이 상승하는 문제가 있었으며 제조의 어려움도 있었다. Further, since a large number of the common diodes Di and the constant voltage supply Zener diodes ZDi have to be used as the number of the column scanning lines Y30 to Y36 on the switch array, there is a problem that the manufacturing cost is increased, .

이러한 점을 고려하여, 특허등록 제10-0971580호는 간단한 구성의 스위치를 이용하여 키매트릭스를 제어하여 고스트키 현상을 제거하고, 전원절약모드로 동작가능하며, 제조비용을 낮출 수 있는 키입력장치가 제안되었다.In consideration of this point, Patent Registration No. 10-0971580 discloses a key input device capable of controlling a key matrix by using a switch having a simple configuration to eliminate a ghost key phenomenon, operate in a power saving mode, .

하지만, 이러한 키입력장치를 채용하는 키보드가 카본으로 인쇄되는 멤브레인 키매트릭스를 포함하는 경우, 카본의 인쇄공차가 증가하여 저항편차가 증가한다. 저항편차가 증가하면, 저항감지 효율을 감소하는 문제점이 있다. 예를들어, 약한 키스트로킹으로 키보드가 눌려지는 경우, 정상적으로 키버튼의 터치 위치를 감지하지 못하는 문제점이 발생된다. However, when the keyboard employing such a key input device includes a membrane key matrix printed with carbon, the printing tolerance of the carbon increases and the resistance variation increases. If the resistance variation increases, there is a problem of reducing the resistance detection efficiency. For example, when the keyboard is pressed with a weak keystroke, the touch position of the key button is not normally detected.

한국등록특허 제10-0971580호Korean Patent No. 10-0971580 한국공개특허 제2005-0072493호Korean Patent Publication No. 2005-0072493 미국등록특허 US 7,256,768 B2US registered patent US 7,256,768 B2

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 키입력장치를 양산적용이 용이한 구성을 제안하여 하나의 반도체 내에 원칩화가 용이하도록 구성을 간단히 하였으며 전원절약이 가능하도록 하면서, 저항 편차가 발생되더라도 원활하게 키버튼의 위치를 감지할 수 있는 키입력장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a key input device that is easy to mass- The present invention provides a key input device capable of detecting the position of a key button smoothly even if a resistance variation occurs.

본 발명의 다른 목적은 상기한 키입력장치를 포함하는 키보드를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a keyboard including the key input device.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위하여 일실시예에 따른 키입력장치는 열주사라인들 및 행주사라인들이 연결된 복수의 스위치들을 포함하는 키매트릭스에 연결된다. 상기 키입력장치는 열주사제어장치, 행주사제어장치를 포함한다. 상기 열주사제어장치는 상기 열주사라인들과 일대일 대응되는 복수의 열스위치부들을 포함하고, CPU의 열주사신호와 인에이블신호(EN)에 따라, (i) 정상주사모드에서 각 열마다 제1 입력전압(Vup) 및 제2 입력전압(VA) 중 하나를 선택적으로 입력받고, (ii) 전원절약모드에서 홀딩전압(Vh)을 입력받는 열스위치부의 스위칭동작에 따라 열주사 동작을 상기 모드별로 수행한다. 상기 행주사제어장치는 상기 정상주사모드에서 상기 열주사제어장치의 열주사신호에 동기하여 상기 CPU의 행주사신호에 따라 행주사를 수행하고, 상기 인에이블신호(EN)에 따라 상기 전원절약모드로 동작한다. 상기 열주사제어장치는, 기준전압과 상기 열스위치부들 각각의 사이에 배치되고 상기 제1 입력전압(Vup)을 가변하여 상기 열스위치부들 각각에 제공하는 제1 가변저항을 포함한다.
일실시예에서, 상기 열주사제어장치는 열제어부, 복수의 스위치부들, 전원공급부 및 전압비교기를 포함할 수 있다. 상기 열제어부는 상기 CPU의 제어하에 열주사신호와 인에이블신호(EN)를 출력한다. 상기 스위치부들은 상기 열제어부의 열주사신호에 의해 선택된 열주사라인과 미선택된 나머지 열주사라인 각각을 입력되는 전압에 따라 스위칭하여 열주사를 수행하도록 상기 열주사라인에 일대일 대응하도록 연결된다. 상기 전원공급부는 상기 열제어부의 인에이블신호에 따라 선택적으로 인에이블 및 디스에이블되어 상기 제1 입력전압(Vup), 상기 제2 입력전압(VA) 및 상기 홀딩전압(Vh)을 상기 정상주사모드와 상기 전원절약모드에 따라 선택적으로 상기 스위치부로 출력한다. 상기 전압비교기는 상기 열제어부의 인에이블신호에 따라 인에이블되어 상기 정상주사모드로 동작하고, 상기 열제어부의 인에이블신호에 따라 디스에이블되어 상기 전원절약모드로 동작하되, 기준전압생성용 저항(R1, R2)의 저항값을 근거로 생성된 가변전압과 상기 제1 입력전압(Vup)을 비교하여 그 결과를 상기 CPU에 출력한다.
In order to realize the object of the present invention described above, a key input device according to an embodiment is connected to a key matrix including a plurality of switches connected to column scan lines and row scan lines. The key input device includes a column scan control device and a row scan control device. The column scan control device includes a plurality of column switch units corresponding one-to-one to the column scan lines. The column scan control device includes: (i) (Ii) receiving a holding voltage (Vh) in a power saving mode, and performing a column scanning operation in accordance with the switching operation of the column switch unit . Wherein said row scan controlling device performs row scanning in accordance with a row scan signal of said CPU in synchronization with a column scan signal of said column scan control device in said normal scan mode and controls said power saving mode in accordance with said enable signal . The column scan control apparatus includes a reference voltage and a first variable resistor which is disposed between each of the column switch units and varies the first input voltage Vup to provide the reference voltage to each of the column switch units.
In one embodiment, the thermal scan control apparatus may include a thermal control, a plurality of switch units, a power supply, and a voltage comparator. The column controller outputs a column scan signal and an enable signal EN under the control of the CPU. The switch units are connected in a one-to-one correspondence to the column scan lines to perform column scanning by switching the column scan lines selected by the column scan signal of the column control unit and the remaining unselected column scan lines according to the input voltage. Wherein the power supply unit is selectively enabled and disabled according to an enable signal of the thermal control unit to supply the first input voltage Vup, the second input voltage VA, and the holding voltage Vh to the normal scan mode And selectively outputs to the switch unit according to the power saving mode. Wherein the voltage comparator is enabled in the normal scan mode by being enabled according to an enable signal of the thermal controller and is disabled in accordance with an enable signal of the thermal controller to operate in the power saving mode, R1, R2) and the first input voltage (Vup), and outputs the result to the CPU.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위하여 일실시예에 따른 키보드는, 열주사라인들 및 행주사라인들이 연결된 복수의 스위치들을 포함하는 키매트릭스와, 상기 키매트릭스에 연결된 키입력장치를 포함한다. 상기 키입력장치는 열주사제어장치, 행주사제어장치를 포함한다. 상기 열주사제어장치는 상기 열주사라인들과 일대일 대응되는 복수의 열스위치부들을 포함하고, CPU의 열주사신호와 인에이블신호(EN)에 따라, (i) 정상주사모드에서 각 열마다 제1 입력전압(Vup) 및 제2 입력전압(VA) 중 하나를 선택적으로 입력받고, (ii) 전원절약모드에서 홀딩전압(Vh)을 입력받는 열스위치부의 스위칭동작에 따라 열주사 동작을 상기 모드별로 수행한다. 상기 행주사제어장치는 상기 정상주사모드에서 상기 열주사제어장치의 열주사신호에 동기하여 상기 CPU의 행주사신호에 따라 행주사를 수행하고, 상기 인에이블신호(EN)에 따라 상기 전원절약모드로 동작한다. 상기 열주사제어장치는, 기준전압과 상기 열스위치부들 각각의 사이에 배치되고 상기 제1 입력전압(Vup)을 가변하여 상기 열스위치부들 각각에 제공하는 제1 가변저항을 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a keyboard according to an embodiment of the present invention includes a key matrix including a plurality of switches connected to column scan lines and row scan lines, and a key input device connected to the key matrix . The key input device includes a column scan control device and a row scan control device. The column scan control device includes a plurality of column switch units corresponding one-to-one to the column scan lines. The column scan control device includes: (i) (Ii) receiving a holding voltage (Vh) in a power saving mode, and performing a column scanning operation in accordance with the switching operation of the column switch unit . Wherein said row scan controlling device performs row scanning in accordance with a row scan signal of said CPU in synchronization with a column scan signal of said column scan control device in said normal scan mode and controls said power saving mode in accordance with said enable signal . The column scan control apparatus includes a reference voltage and a first variable resistor which is disposed between each of the column switch units and varies the first input voltage Vup to provide the reference voltage to each of the column switch units.

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일실시예에서, 상기 키매트릭스는 멤브레인 스위치시트일 수 있다. In one embodiment, the key matrix may be a membrane switch sheet.

일실시예에서, 상기 키매트릭스는 포스 센싱 저항(Force sensing resister, FSR)시트일 수 있다. In one embodiment, the key matrix may be a force sensing resister (FSR) sheet.

일실시예에서, 상기 키보드는 일단이 상기 열스위치의 출력단에 연결된 외부저항과, 일단이 상기 외부저항의 타단에 연결되고, 타단이 그라운드 연결된 외부스위치를 더 포함할 수 있다. In one embodiment, the keyboard may further include an external resistor, one end of which is connected to the output terminal of the thermal switch, and an external switch, one end of which is connected to the other end of the external resistor and the other end thereof is grounded.

이러한 키입력장치 및 이를 포함하는 키보드에 의하면, 제1 입력전압(Vup)을 가변하여 열스위치부들에 제공하므로써, 카본으로 인쇄되는 멤브레인 키매트릭스에서 인쇄공차가 증가하여 저항편차가 증가하더라도 저항감지 효율을 감소하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 키입력장치는 저항이 작은 키매트릭스나 저항이 큰 키매트릭스에도 사용할 수 있다.According to the key input device and the keyboard including the key input device, the first input voltage Vup is varied and provided to the thermal switch parts, so that even if the resistance deviation increases, the printing tolerance increases in the membrane key matrix printed with carbon, Can be prevented from decreasing. Accordingly, the key input device according to the present invention can be used for a key matrix having a small resistance or a key matrix having a large resistance.

도 1은 고스트키 제거를 위한 일반적인 키입력장치를 설명하기 위한 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 키입력장치를 설명하기 위한 블럭도이다.
도 3은 도 2에 도시된 열주사제어장치의 일례를 설명하기 위한 블록도이다.
도 4는 도 2에 도시된 행주사제어장치의 일례를 설명하기 위한 블록도이다.
도 5a는 도 2에 도시된 키매트릭스에 대응하여 열주사제어장치의 전압비교기에 인가되는 전압들을 설명하기 위한 개략도이다.
도 5b는 도 5a에 도시된 키매트릭스에 인가되는 주사신호들을 설명하기 위한 파형도이다.
도 5c는 도 5b에 도시된 A 영역을 확대한 파형도이다.
도 6a는 세개의 스위치들이 눌려졌을 때 전류흐름을 설명하기 위한 회로도이다.
도 6b는 도 6a에 도시된 회로를 간략화한 등가회로도이다.
도 7a는 여섯개의 스위치들이 눌려졌을 때 전류흐름을 설명하기 위한 회로도이다.
도 7b는 도 7a에 도시된 회로를 간략화한 등가회로도이다.
도 8는 도 3의 동작중의 전원절약모드를 설명하기 위한 회로도이다.
도 9은 도 3에 도시된 전원공급부의 일례를 설명하기 위한 블록도이다.
도 10은 도 3에 도시된 전원공급부의 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다.
도 11은 도 2에 도시된 열주사제어장치의 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다.
도 12는 도 11에 도시된 아날로그-디지털 변환기를 설명하기 위한 블럭도이다.
도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 키보드를 설명하기 위한 블록도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 키보드를 설명하기 위한 블록도이다.
1 is a block diagram for explaining a general key input device for ghost key removal.
2 is a block diagram illustrating a key input device according to an embodiment of the present invention.
3 is a block diagram for explaining an example of the column scan control device shown in FIG.
Fig. 4 is a block diagram for explaining an example of the row scan controlling apparatus shown in Fig. 2. Fig.
5A is a schematic diagram for explaining voltages applied to the voltage comparator of the column scan control device corresponding to the key matrix shown in FIG.
FIG. 5B is a waveform diagram for explaining scan signals applied to the key matrix shown in FIG. 5A.
5C is a waveform diagram of the area A shown in FIG. 5B enlarged.
6A is a circuit diagram for explaining current flow when three switches are pressed.
Fig. 6B is an equivalent circuit diagram in which the circuit shown in Fig. 6A is simplified.
7A is a circuit diagram for explaining current flow when six switches are pressed.
Fig. 7B is an equivalent circuit diagram in which the circuit shown in Fig. 7A is simplified.
8 is a circuit diagram for explaining a power saving mode in operation of FIG.
9 is a block diagram for explaining an example of the power supply unit shown in FIG.
10 is a block diagram for explaining another example of the power supply unit shown in FIG.
11 is a block diagram for explaining another example of the column scan control device shown in Fig.
12 is a block diagram for explaining the analog-digital converter shown in FIG.
13 is a block diagram for explaining a keyboard according to an embodiment of the present invention.
14 is a block diagram for explaining a keyboard according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서, 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Also, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 키입력장치를 설명하기 위한 블럭도이다.2 is a block diagram illustrating a key input device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 키입력장치는 7열(Y30~Y36)과 7행(X10~X16)을 예로 한 키매트릭스(12)와 7열(Y30~Y36)과 연결되어 키스캐닝의 열주사를 제어하기 위한 열주사제어장치(11)와 7행(X10~X16)과 연결되어 키스캐닝의 행주사를 제어하기 위한 행주사제어장치(13)를 포함한다. 상기 열주사제어장치(11) 및 상기 행주사제어장치(13)는 집적회로(IC) 타입으로 구현될 수 있다. 2, the key input device according to the embodiment of the present invention includes a key matrix 12, a seventh column Y30 to Y36, and a seventh column Y30 to Y36, each of which includes seven columns Y30 to Y36 and seven rows X10 to X16, And a row scanning control device 13 connected to the column scanning control device 11 and the seventh row X10 to X16 for controlling the column scanning of the key scanning to control the row scanning of the key scanning. The column scan control device 11 and the row scan control device 13 may be implemented in an integrated circuit (IC) type.

상기 키입력장치는 상기 열주사제어장치(11)와 상기 행주사제어장치(13)를 제어하기 위한 제어신호를 인가하는 CPU(10)를 더 포함할 수 있다. 상기 CPU(10)는 일반적으로 마이크로 콘트롤러 유닛을 사용할 수 있다. The key input device may further include a CPU 10 for applying a control signal for controlling the column scan control device 11 and the row scan control device 13. The CPU 10 can generally use a microcontroller unit.

상기 키매트릭스(12)는 직렬로 연결된 스위칭 소자(121)와 스위칭 저항(122)을 각각 포함하는 다수의 스위칭장치들(S1, S2, S3, S4...)이 제조된다. 본 실시예에서, 7행과 7열이므로 49개의 스위칭장치들이 제조될 수 있다. 상기 키매트릭스(12)는 멤브레인센서를 포함하는 키매트릭스일 수도 있고, FSR(Force sensing resister)센서를 포함하는 키매트릭스일 수도 있다. The key matrix 12 includes a plurality of switching devices S1, S2, S3, S4,... Each including a switching device 121 and a switching resistor 122 connected in series. In the present embodiment, 49 switching devices can be manufactured since 7 rows and 7 columns. The key matrix 12 may be a key matrix including a membrane sensor or a key matrix including a force sensing resister (FSR) sensor.

각각의 스위칭장치(S1, S2, S3...)의 일단은 복수의 행주사라인들(X10~X16)중 하나의 열주사라인에 연결되고, 그의 타단은 복수의 열주사라인들(Y30~Y36)중 하나의 행주사라인에 연결되어 있다.One end of each switching device S1, S2, S3, ... is connected to one column scan line of a plurality of column scan lines X10 to X16, and the other end thereof is connected to a plurality of column scan lines Y30- Y36) is connected to one of the rows of rows.

상기 행주사라인들(X10~X16)의 일단은 상기 행주사제어장치(13)에 연결되며, 상기 열주사라인들(Y30~Y36)의 일단은 상기 열주사제어장치(11)에 연결된다. One end of the row scan lines X10 to X16 is connected to the row scan control device 13 and one end of the column scan lines Y30 to Y36 is connected to the column scan control device 11. [

상기 열주사제어장치(11)는 상기 열주사라인들(Y30~Y36)에서 선택된 하나의 열주사라인을 개방시키는 역할을 하는 한편, 나머지 열주사라인들에 소정의 정전압을 인가하는 역할을 한다. 본 실시예에서, 정전압은 예를들어, 3V일 수 있다. The column scan control device 11 serves to open one column scan line selected from the column scan lines Y30 to Y36 while applying a predetermined constant voltage to the remaining column scan lines. In this embodiment, the constant voltage may be, for example, 3V.

또한, 상기 열주사제어장치(11)는 열주사라인들중 하나를 연속으로 선택하여 스위칭동작을 위한 전압검출회로인 전압비교기(도 3의 참조번호 16)를 구성한다.In addition, the column scan control device 11 sequentially selects one of the column scan lines to constitute a voltage comparator (reference numeral 16 in Fig. 3) which is a voltage detection circuit for a switching operation.

상기 열주사제어장치(11)는 상기 CPU(10)의 제어하에 상기 열주사라인들(Y30~Y36)상에서 주사동작을 수행하고, 상기 행주사라인들(X10~X16) 각각의 일단은 상기 행주사제어장치(13)에 연결되어 상기 열주사제어장치(11)의 주사동작과 동기하여 주사동작을 수행한다. 또한 상기 행주사제어장치(13)는 상기 행주사라인들(X10~X16)중 선택된 행주사라인의 전압을 OV로 설정시키는 한편, 나머지 행주사라인들을 개방상태로 두도록 제어한다. The column scan control device 11 performs a scanning operation on the column scan lines Y30 to Y36 under the control of the CPU 10. One end of each of the column scan lines X10 to X16 is connected to the column And performs a scanning operation in synchronization with the scanning operation of the column scanning control device 11. [ In addition, the row scan control device 13 sets the voltage of the selected row line out of the row line drivers X10 to X16 to OV, and controls the remaining row line drivers to be in the open state.

도 3은 도 2에 도시된 열주사제어장치(11)의 일례를 설명하기 위한 블록도이다. 3 is a block diagram for explaining an example of the column scan control device 11 shown in Fig.

도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 열주사제어장치(11)는 열제어부(14), 전원공급부(15), 풀업저항(Rh), 제1 가변저항(R0), 복수의 열스위치부들, 버퍼(B), 고정저항(R2), 제2 가변저항(R1) 및 전압비교기(16)를 포함한다. 2 and 3, the column scan control device 11 includes a column control unit 14, a power supply unit 15, a pull-up resistor Rh, a first variable resistor R0, a plurality of column switch units, A buffer B, a fixed resistor R2, a second variable resistor R1 and a voltage comparator 16. [

상기 열제어부(14)는 CPU(10)의 제어에 따라 열주사신호와 인에이블신호(EN)를 출력한다.The column controller 14 outputs a column scan signal and an enable signal EN under the control of the CPU 10. [

상기 전원공급부(15) 및 상기 전압비교기(16)는 상기 열제어부(14)의 인에이블신호(EN)에 따라 인에이블 또는 디스에이블된다.The power supply unit 15 and the voltage comparator 16 are enabled or disabled according to the enable signal EN of the thermal control unit 14. [

상기 풀업저항(Rh)은 기준전압(VCC)과 상기 열스위치부들 각각의 사이에 배치되어 홀딩전압(Vh)을 상기 열스위치부들 각각에 제공한다. The pull-up resistor Rh is disposed between the reference voltage VCC and each of the thermal switch parts to provide a holding voltage Vh to each of the thermal switch parts.

상기 제1 가변저항(R0)은 기준전압(VCC)과 상기 열스위치부들 각각의 사이에 배치되어, 상기 열제어부(14)에서 제공되는 제3 조정값(adj2)에 의해 가변되어 제1 입력전압(Vup)을 상기 열스위치부들 각각에 제공한다. The first variable resistor R0 is disposed between the reference voltage VCC and each of the thermal switch units and is varied by a third adjustment value adj2 provided by the thermal controller 14, (Vup) to each of the thermal switch parts.

상기 열스위치부들은 제1 열스위치부(17a) 내지 제7 열스위치부(17g)를 포함하여, 상기 열제어부(14)의 열주사신호에 의해 선택된 하나의 열주사라인과 미선택된 나머지 여섯개의 열주사라인들 각각을 스위칭하여 열주사동작을 수행한다. 도 3에서, 제1 열스위치부(17a)와 제7 열스위치부(17g)만을 도시하였으며, 나머지 제2 열 내지 제6 열스위치부는 생략하여 도시한다. The thermal switch units include a first column switch unit 17a to a seventh column switch unit 17g and are connected to one column scan line selected by the column scan signal of the column control unit 14 and six column scan lines Each column scan line is switched to perform a column scan operation. In FIG. 3, only the first column switch portion 17a and the seventh column switch portion 17g are shown, and the remaining second to sixth column switch portions are omitted.

상기 버퍼(B)는 제1 입력전압(Vup)을 일정 시간 동안 임시 저장한 후 인터럽트신호(INT)를 상기 CPU(10)에 제공한다. 이에 따라, 상기 CPU(10)는 상기 버퍼(B)로부터 인터럽트신호(INT)를 입력받아 전원절약모드에서 탈출하여 일반 키입력 검출 상태인 정상주사모드로 동작되어, 키입력을 확인하기 위한 열주사와 행주사를 실시하여 사용자로부터 눌려진 키의 위치를 파악하여 눌려진 키값을 인식한다.The buffer B temporarily stores the first input voltage Vup for a predetermined time and provides the CPU 10 with an interrupt signal INT. Accordingly, the CPU 10 receives the interrupt signal INT from the buffer B and exits from the power save mode, operates in the normal scan mode, which is the general key input detection state, And recognizes the pressed key value by grasping the position of the key pressed by the user.

상기 고정저항(R2)의 일단은 제2 입력전압(VA)이 인가되는 상기 열스위치부들 각각의 입력단에 공통 연결되고, 타단은 상기 제2 가변저항(R1)의 일단 및 전압비교기(16)의 부극성단자에 공통 연결된다. One end of the fixed resistor R2 is commonly connected to the input terminal of each of the thermal switch units to which the second input voltage VA is applied and the other end thereof is connected to one end of the second variable resistor R1, And are commonly connected to negative polarity terminals.

상기 제2 가변저항(R1)의 일단은 상기 고정저항(R2)의 타단 및 상기 전압비교기(16)의 부극성단자에 공통 연결된다. One end of the second variable resistor R1 is commonly connected to the other end of the fixed resistor R2 and the negative terminal of the voltage comparator 16. [

상기 고정저항(R2)과 상기 제2 가변저항(R1)은 상기 열스위치부들(17a~17g) 각각에 입력되는 제2 입력전압(VA)을 전압 분배하여 생성한 가변전압(Vref)을 상기 전압비교기(16)의 부극성단자에 제공한다. The fixed resistor R2 and the second variable resistor R1 are connected in parallel to each other by a variable voltage Vref generated by voltage division of a second input voltage VA input to each of the thermal switch units 17a to 17g, To the negative terminal of the comparator 16.

상기 전압비교기(16)는 상기 열스위치부들(17a~17g) 각각과 연결되고, 인에이블신호(EN)에 의해 인에이블된다. 상기 전압비교기(16)는 열스위치부들 각각에 인가되는 제1 입력전압(Vup)과 가변전압(Vref)을 비교하여 그 결과를 상기 CPU(10)에 출력한다. 본 실시예에서, 상기 전압비교기(16)는 노이즈 마진을 줄이기 위해 히스테리시스 특성을 갖는다. 즉, 입력신호의 노이즈로 인한 오동작을 줄인다. 이러한 히스테리시스 비교기는 슈미트 트리거를 포함할 수 있다. The voltage comparator 16 is connected to each of the thermal switch units 17a to 17g and is enabled by an enable signal EN. The voltage comparator 16 compares the first input voltage Vup applied to each of the thermal switch units with the variable voltage Vref and outputs the comparison result to the CPU 10. In the present embodiment, the voltage comparator 16 has a hysteresis characteristic in order to reduce the noise margin. That is, it reduces malfunction due to noise of the input signal. This hysteresis comparator may include a Schmitt trigger.

상기 제1 내지 제7 열스위치부들(17a~17g)의 출력단과 열주사라인들(Y30~Y36) 사이에 제1 외부저항(Rx0) 내지 제7 외부저항(Rx6) 및 제1 외부스위치(SW0) 내지 제7 외부스위치(SW6)을 더 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제7 외부저항들(Rx0~Rx6) 및 상기 제1 내지 제7 외부스위치들(SW0~SW6)은 IC 형태로 구비되는 열주사제어장치(11)에 배치될 수도 있다. 한편, 상기 제1 내지 제7 외부저항들(Rx0~Rx6) 및 상기 제1 내지 제7 외부스위치들(SW0~SW6)은 IC 형태로 구비되는 열주사제어장치(11)의 외부에 배치될 수도 있다. A first external resistor Rx0 to a seventh external resistor Rx6 and a first external switch SW0 are provided between the output terminals of the first to seventh column switch parts 17a to 17g and the column scan lines Y30 to Y36, ) To the seventh external switch SW6. The first to seventh external resistors Rx0 to Rx6 and the first to seventh external switches SW0 to SW6 may be arranged in a column scan control device 11 provided in IC form. The first to seventh external resistors Rx0 to Rx6 and the first to seventh external switches SW0 to SW6 may be disposed outside the column scan control device 11 provided in IC form have.

상기 제1 내지 제7 외부저항들(Rx0~Rx6) 각각의 일단은 상기 제1 내지 제7 열스위치들(17a~17g)의 출력단 및 열주사라인들(Y30~Y36)에 공통 연결되고, 타단은 상기 제1 내지 제7 외부스위치들(SW0~SW6)에 연결된다. 상기 제1 내지 제7 외부스위치들(SW0~SW6) 각각은 상기 열제어부(14)에서 제공되는 스위치신호들(SS0~SS6)에 응답하여 온 또는 오프된다. 예를들어, 제1 스위치신호(SS0)에 의해 제1 외부스위치(SW0)가 오프되면 제1 외부스위치(SW0)는 플로팅되고, 상기 제1 스위치신호(SS0)에 의해 상기 제1 외부스위치(SW0)가 온되면, 상기 제1 외부저항(Rx0)의 타단은 그라운드 연결된다. One end of each of the first to seventh external resistors Rx0 to Rx6 is commonly connected to the output ends of the first to seventh column switches 17a to 17g and the column scan lines Y30 to Y36, Are connected to the first to seventh external switches SW0 to SW6. Each of the first to seventh external switches SW0 to SW6 is turned on or off in response to the switch signals SS0 to SS6 provided by the column controller 14. [ For example, when the first external switch SW0 is turned off by the first switch signal SS0, the first external switch SW0 floats, and the first external switch SW0 is turned on by the first switch signal SS0 SW0 are turned on, the other end of the first external resistor Rx0 is grounded.

상기 제1 내지 제7 외부저항들(Rx0~Rx6)은 IC 외부에 배치되는 응용회로에 연결되어 FSR센서나 멤브레인센서가 IC가 수용할 수 없는 수준의 큰 온 저항값을 가질 때 상기 제1 내지 제7 외부저항들(Rx0~Rx6)의 저항값을 조정하여 상기 전압비교기(16)의 입력단으로 인가되는 키 누름에 의한 제1 입력전압(Vup)의 범위를 조정하는 역할을 수행한다. 여기서, IC가 수용할 수 없는 수준의 큰 온 저항값은 키 누름에 의해 발생될 수 있다. The first to seventh external resistors Rx0 to Rx6 are connected to an application circuit disposed outside the IC so that when the FSR sensor or the membrane sensor has a large on-resistance value that the IC can not accommodate, And adjusts the resistance value of the seventh external resistors Rx0 to Rx6 to adjust the range of the first input voltage Vup by the key pressing applied to the input terminal of the voltage comparator 16. [ Here, a large on-resistance value at a level that the IC can not accommodate can be generated by key depression.

전원절약모드에서, 상기 제1 내지 제7 외부스위치들(SW0~SW6)를 오프시키므로써, 상기 기준전압(VCC), 상기 제1 가변저항(R0), 상기 제1 내지 제7 외부저항들(Rx0~Rx6), 상기 제1 내지 제7 외부스위치들(SW0~SW6), 그리고 그라운드(GND)로 흐르는 전류를 차단하거나, 상기 기준전압(VCC), 상기 풀업저항(Rh), 상기 제1 내지 제7 외부저항들(Rx0~Rx6), 상기 제1 내지 제7 외부스위치들(SW0~SW6), 그리고 그라운드(GND)로 흐르는 전류를 차단한다. 이에 따라, IC가 불필요하게 전류를 소비하는 것을 방지할 수 있다. In the power saving mode, the first to seventh external switches SW0 to SW6 are turned off so that the reference voltage VCC, the first variable resistor R0, the first to seventh external resistors Rx0 to Rx6), the first to seventh external switches SW0 to SW6, and the ground GND, or the reference voltage VCC, the pull-up resistor Rh, The seventh external resistors Rx0 to Rx6, the first to seventh external switches SW0 to SW6, and the ground GND. Thus, it is possible to prevent the IC from unnecessarily consuming current.

이상에서 설명된 바와 같이, 카본으로 인쇄되는 멤브레인 키매트릭스에서 인쇄공차가 증가하여 저항편차가 증가하더라도 제1 입력전압(Vup)을 가변하여 열스위치부들에 제공하므로써, 저항감지 효율을 감소하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 키입력장치는 저항이 작은 키매트릭스나 저항이 큰 키매트릭스에도 사용할 수 있다.As described above, the printing tolerance increases in the membrane key matrix printed with carbon, and the first input voltage Vup is varied to provide the same to the thermal switch units even if the resistance deviation increases, thereby preventing the resistance detection efficiency from being reduced can do. Therefore, the key input device according to the present invention can be used for a key matrix having a small resistance or a key matrix having a large resistance.

도 4는 도 2에 도시된 행주사제어장치(13)의 일례를 설명하기 위한 블록도이다. Fig. 4 is a block diagram for explaining an example of the row scan controlling device 13 shown in Fig.

도 2 및 도 4를 참고하면, 행주사제어장치(13)는 CPU(10)의 제어하에 행주사신호에 따라 키매트릭스(12)가 행주사 동작을 수행하도록 제어하는 행제어부(18)와 행제어부(18)로부터의 행주사신호들(SC0~SC6)에 의해 행주사를 수행하도록 7행과 연결된 7개의 스위치들(19....)을 포함한다. 도 4에서는 각 스위치중 첫 번째 행의 스위치(19)와 마지막행의 스위치만을 도시하고, 나머지 행들의 스위치는 생략하여 도시한다. 도 4에서, 스위치(19)는 NMOS 트랜지스터를 포함할 수 있다. 상기 NMOS 트랜지스터는 게이트를 통해 하이전압이 인가되면 턴온되고 로우전압이 인가되면 턴오프된다. 2 and 4, the row scanning control device 13 includes a row control unit 18 for controlling the key matrix 12 to perform a row scanning operation in response to a row scanning signal under the control of the CPU 10, And seven switches 19 .... connected to seven rows to perform row scanning by the row scanning signals SC0 to SC6 from the control unit 18. [ In Fig. 4, only the switch 19 in the first row and the switch in the last row of each switch are shown, and the switches in the remaining rows are omitted. In Fig. 4, the switch 19 may comprise an NMOS transistor. The NMOS transistor is turned on when a high voltage is applied through the gate and turned off when a low voltage is applied.

상기 행제어부(18)는 CPU(10)의 제어하에 행주사신호들(SC0~SC6)을 스위치들(19)에 순차적으로 출력한다. 이때, 행주사신호에 따라 7개 행의 스위치들(19....)중에 선택된 행의 스위치(19)의 온저항값을 0옴(ohm)으로 설정하고 나머지 행의 스위치를 개방시켜 열주사 동작에 동기하여 행주사 동작을 수행한다. The row control unit 18 sequentially outputs the row scan signals SC0 to SC6 to the switches 19 under the control of the CPU 10. [ At this time, the on-resistance value of the switch 19 of the selected row among the seven rows of switches 19 .... is set to 0 ohm (ohm) according to the row scan signal, the switch of the remaining row is opened, And performs a row scan operation in synchronization with the operation.

여기서, 상기 행제어부(18)는 정상주사모드에서는 CPU(10)의 제어를 받아 순차적으로 행주사라인을 각각 0V에 연결하는 기능을 수행하며, 전원절약모드에서는 행주사라인을 모두 0V로 연결하는 기능을 수행한다. In the normal scan mode, the row control unit 18 sequentially controls the row scan lines to 0V under the control of the CPU 10. In the power save mode, the row scan lines are all connected to 0V Function.

도 5a는 도 2에 도시된 키매트릭스(12)에 연결된 열주사제어장치(11) 및 행주사제어장치(13)를 간략히 설명하기 위한 회로도이다. 도 5b는 도 5a에 도시된 키매트릭스(12)에 인가되는 주사신호들을 설명하기 위한 파형도이다. 도 5c는 도 5b에 도시된 A 영역을 확대한 파형도이다. 도 5a에서, 도면부호 Rh는 풀업저항, R0는 제1 가변저항, 16은 전압비교기를 칭한다. 본 실시예에서 전원전압(VCC)은 5.0V, 전원공급부(15, 도 3에 도시됨)에서 출력되는 제2 입력전압(VA)은 3.0V, 제1 가변저항(R0)은 최대 100KOhm의 저항값을 갖는 것으로 가정한다. 경우에 따라 제1 가변저항(R0)는 최대 200KOhm을 가질 수 있다.FIG. 5A is a circuit diagram for explaining the column scan control device 11 and the column scan control device 13 connected to the key matrix 12 shown in FIG. 5B is a waveform diagram for explaining scan signals applied to the key matrix 12 shown in FIG. 5A. 5C is a waveform diagram of the area A shown in FIG. 5B enlarged. In Fig. 5A, reference numeral Rh denotes a pull-up resistor, R0 denotes a first variable resistor, and 16 denotes a voltage comparator. In this embodiment, the power source voltage VCC is 5.0 V, the second input voltage VA outputted from the power supply unit 15 (shown in FIG. 3) is 3.0 V, the first variable resistor R0 is a resistor having a maximum of 100KOhm Value. ≪ / RTI > In some cases, the first variable resistor R0 can have a maximum of 200KOhm.

도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 정상주사모드에서 스캔동작이 시작됨에 따라, 온레벨의 전압(Scan Out0~Scan Outn)이 행주사제어장치(13)에 구비되는 NMOS 트랜지스터들 각각의 게이트에 순차적으로 인가된다. 이에 따라, NMOS 트랜지스터들은 순차적으로 턴온된다. 5A to 5C, as the scan operation is started in the normal scan mode, the ON level voltages Scan Out0 to Scan Outn are sequentially applied to the gates of the NMOS transistors included in the scan control device 13 . Thus, the NMOS transistors are sequentially turned on.

상기 NMOS 트랜지스터들이 턴온되는 구간동안, 열주사라인들에는 제1 입력전압(Vup)이 순차적으로 인가되고, 제1 입력전압(Vup)이 인가되지 않은 열주사라인들에는 제2 입력전압(VA)가 인가된다. 열주사라인에 인가되는 제1 입력전압(Vup)은 전압비교기(16)의 정극성단자에 인가되고, 가변전압(Vref)은 전압비교기(16)의 부극성단자에 인가된다. The first input voltage Vup is sequentially applied to the column scan lines and the second input voltage VA is applied to the column scan lines to which the first input voltage Vup is not applied during the period in which the NMOS transistors are turned on. Is applied. The first input voltage Vup applied to the column scan line is applied to the positive terminal of the voltage comparator 16 and the variable voltage Vref is applied to the negative terminal of the voltage comparator 16. [

상기 전압비교기(16)는 키입력이 발생되었는지의 여부를 결정하기 위해 제1 입력전압(Vup)과 가변전압(Vref)을 비교하여 하이레벨 또는 로우레벨의 신호를 출력한다. The voltage comparator 16 compares the first input voltage Vup with the variable voltage Vref to determine whether a key input has been generated, and outputs a signal of a high level or a low level.

예를들어, 제1 입력전압(Vup)이 가변전압(Vref) 보다 높다면, 상기 전압비교기(16)는 하이레벨의 신호를 출력한다. 한편, 제1 입력전압(Vup)이 가변전압(Vref) 보다 낮거나 같다면, 상기 전압비교기(16)는 로우레벨의 신호를 출력할 수 있다. For example, if the first input voltage Vup is higher than the variable voltage Vref, the voltage comparator 16 outputs a high-level signal. On the other hand, if the first input voltage Vup is lower than or equal to the variable voltage Vref, the voltage comparator 16 can output a low level signal.

키입력이 발생되면 제1 입력전압(Vup)은 가변전압(Vref)보다 낮고, 키입력이 발생되지 않으면 제1 입력전압(Vup)은 가변전압(Vref)과 등가의 전압이다. When the key input is generated, the first input voltage Vup is lower than the variable voltage Vref, and when the key input is not generated, the first input voltage Vup is equivalent to the variable voltage Vref.

한편, 일정 시간 동안 사용자의 키매트릭스의 키입력이 없다면 전원절약모드로 진입한다. 전원절약모드로 진입하면, 열주사라인들 모두에는 홀딩전압(Vh)이 인가되어 열주사라인들은 5V 수준의 전압이 유지된다. 행주사제어장치(13)의 모든 NMOS 트랜지스터들을 턴온시켜 행주사라인들을 0V로 유지한다. On the other hand, if there is no key input of the user's key matrix for a predetermined time, the power saving mode is entered. When entering the power saving mode, the holding voltage Vh is applied to all of the column scan lines, and the voltage of the column scan lines is maintained at the level of 5V. All the NMOS transistors of the row scan control device 13 are turned on to keep the row scan lines at 0V.

한편, 전원절약모드에서 사용자에 의해 키입력이 발생하면, 키입력에 대응하는 스위칭 소자에 대응하는 행주사라인과 열주사라인은 0V를 유지한다. 특정 열주사라인이 0V를 유지하므로 해당 열주사라인의 홀딩전압(Vh)은 0V부근의 값, 즉 로우레벨을 갖는다. 로우레벨의 홀딩전압(Vh)은 도 3에 도시된 버퍼(B)에 인가되고, 버퍼(B)는 인터럽트신호(INT)를 CPU(10, 도 3에 도시됨)를 출력하여 열주사제어장치(11)와 행주사제어장치(13)를 웨이크업한다. On the other hand, when a key input is generated by the user in the power saving mode, the row scan line and the column scan line corresponding to the switching element corresponding to the key input maintain 0V. Since the specific column scan line maintains 0 V, the holding voltage Vh of the column scan line has a value near 0 V, that is, a low level. The holding voltage Vh of the low level is applied to the buffer B shown in Fig. 3 and the buffer B outputs the interrupt signal INT to the CPU 10 (shown in Fig. 3) Up controller 11 and the row scanning control device 13. [

이하에서, 도 3의 열주사제어장치(11)와 도 4의 행주사제어장치(13)의 동작을 좀 더 상세히 설명한다. Hereinafter, the operations of the column scan control device 11 of FIG. 3 and the row scan control device 13 of FIG. 4 will be described in more detail.

도 3에서, 상기 열제어부(14)는 CPU(10)의 열주사신호에 응답하여 상기 제1 내지 제7 열스위치부들(17a~17g)에 인에이블신호(EN)를 인가하여 상기 제1 내지 제7 열스위치부들(17a~17g)를 인에이블시킨다. 또한, 상기 열제어부(14)는 제1 내지 제6 선택신호들(SL0~SL6) 각각을 상기 제1 내지 제7 열스위치부들(17a~17g)에 순차적으로 인가하여 상기 제1 내지 제7 열스위치부들(17a~17g)중 하나를 선택한다. 3, the column control unit 14 applies an enable signal EN to the first to seventh column switch units 17a to 17g in response to the column scan signal of the CPU 10, The seventh column switch units 17a to 17g are enabled. The column controller 14 applies each of the first to sixth select signals SL0 to SL6 sequentially to the first to seventh column switch units 17a to 17g to sequentially output the first to seventh columns And selects one of the switch portions 17a to 17g.

상기 제1 내지 제7 열스위치부들(17a~17g) 각각은 제1 내지 제6 선택신호들(SL0~SL6)에 응답하여 선택된 열주사라인에는 제1 입력전압(Vup)이 인가되도록 스위칭하고, 미선택된 열주사라인에는 제2 입력전압(VA)이 인가되도록 스위칭한다. Each of the first to seventh column switch units 17a to 17g switches to apply the first input voltage Vup to the selected column scan line in response to the first to sixth select signals SL0 to SL6, And switches the second input voltage VA to be applied to the unselected column scan line.

여기서, 제1 내지 제7 열스위치부들(17a~17g) 각각은 세 개의 전압들, 즉 홀딩전압(Vh), 제1 입력전압(Vup) 및 제2 입력전압(VA)을 상기 전원공급부(15)로부터 선택적으로 입력받도록 구성되며, 상기 열제어부(14)로부터 제1 내지 제6 선택신호들(SL0~SL6)과 인에이블신호(EN)가 인가되는 정상주사모드에서는 제1 입력전압(Vup) 또는 제2 입력전압(VA)을 선택적으로 입력받고, 전원절약모드에서는 홀딩전압(Vh)을 입력받도록 스위칭 동작한다. 상기 전원공급부(15)는 상기 열제어부(14)의 제1 조정값(adj0)에 응답하여 제2 입력전압(VA)을 가변하여 출력할 수 있다. Each of the first through seventh column switch units 17a through 17g is connected to the power supply unit 15 (i.e., the first power supply unit 15a, the second power supply unit 15b, In the normal scan mode in which the first to sixth select signals SL0 to SL6 and the enable signal EN are applied from the column controller 14, Or the second input voltage VA, and performs a switching operation to receive the holding voltage Vh in the power saving mode. The power supply unit 15 may vary the second input voltage VA in response to the first adjustment value adj0 of the thermal controller 14 and output the second input voltage VA.

상기 전압비교기(16)는 가변전압(Vref)과 제1 입력전압(Vup)을 비교하여 상기 스위치(S1)에 의한 키입력이 발생했는지의 여부를 결정한다. 예를들어, 상기 스위치(S1)에 의한 키입력이 발생되면, 상기 전압비교기(16)에 입력되는 제1 입력전압(Vup)은 가변전압(Vref)보다 더 낮다. 한편, 상기 스위치(S1)에 의한 키입력이 발생되지 않으면, 상기 전압비교기(16)에 입력되는 제1 입력전압(Vup)은 전원전압(VCC)와 등가의 전압이다. 여기서, 상기 제1 입력전압(Vup)이 가변전압(Vref)보다 낮은 전압으로 생성되도록 각각의 저항값의 비율을 결정한다. The voltage comparator 16 compares the variable voltage Vref with the first input voltage Vup to determine whether a key input by the switch S1 has occurred. For example, when a key input is generated by the switch S1, the first input voltage Vup input to the voltage comparator 16 is lower than the variable voltage Vref. On the other hand, if no key input is generated by the switch S1, the first input voltage Vup input to the voltage comparator 16 is a voltage equivalent to the power supply voltage VCC. Here, the ratio of each resistance value is determined so that the first input voltage Vup is generated to be lower than the variable voltage Vref.

즉, 상기 전압비교기(16)에 입력되는 제1 입력전압(Vup)을 결정하기 위해 도 3의 제1 가변저항(R0)의 저항값과 도 2의 스위칭 저항(122)의 저항값을 조절하고, 가변전압(Vref)을 결정하기 위해 도 3의 고정된 값을 갖는 고정저항(R2)의 저항값과 제2 가변저항(R1)의 저항값을 조절한다. 여기서, 기존시스템의 도 1에 전압비교기(8)의 경우는 전압을 생성하기 위해 고가의 고전력 다이오드와 그 다이오드들의 전류제한용 저항들을 이용해야 한다. That is, the resistance value of the first variable resistor R0 of FIG. 3 and the resistance value of the switching resistor 122 of FIG. 2 are adjusted to determine the first input voltage Vup input to the voltage comparator 16 And adjusts the resistance value of the fixed resistor R2 and the resistance value of the second variable resistor R1 having the fixed value in Fig. 3 to determine the variable voltage Vref. Here, in the case of the voltage comparator 8 of FIG. 1 of the existing system, an expensive high-power diode and resistors for limiting the current of the diodes must be used to generate a voltage.

하지만, 본 실시예에 따르면 상기 전압비교기(16)의 가변전압(Vref)을 발생하기 위해 고정값을 갖는 고정저항(R2)과 가변값을 갖는 제2 가변저항(R1)을 조절하여 간단히 구현한다. However, according to the present embodiment, a fixed resistor R2 having a fixed value and a second variable resistor R1 having a variable value are simply adjusted to generate a variable voltage Vref of the voltage comparator 16 .

이하에서, 저항들과 전압과의 관계를 하기 식을 이용하여 좀 더 상세히 설명한다. Hereinafter, the relationship between the resistors and the voltage will be described in more detail using the following equation.

전원전압(VCC)을 5.0V, 제1 가변저항(R0)는 10KOhm, 스위칭 저항(122)을 7KOhm(다음 수식에서는 r로 표현한다), 제2 입력전압(VA)을 3.0V로 설정하고, 도 4에 도시된 스위치(19)의 온 저항값을 0 Ohm(실제는 0 Ohm은 아니지만, 상대적으로 매우 작은 저항값이라 무시할 수 있음)으로 설정할 경우, 행과 열의 주사가 발생할 경우 해당 스위치가 하나 눌릴 경우 제1 입력전압(Vup1)은 아래의 수식 3과 같다.The power supply voltage VCC is set to 5.0 V, the first variable resistor R0 is set to 10 KOHm, the switching resistance 122 is set to 7 KOHm (expressed as r in the following equation) and the second input voltage VA is set to 3.0 V, When the on-resistance value of the switch 19 shown in Fig. 4 is set to 0 Ohm (which is not 0 ohm in practice but can be ignored as a relatively small resistance value), when a row and column scan occurs, The first input voltage Vup1 is expressed by Equation 3 below.

[수식 3][Equation 3]

Figure 112013037962353-pat00003
Figure 112013037962353-pat00003

이때, 상기 전원공급부(15)의 제2 입력전압(VA)을 고정저항(R2)와 제2 가변저항(R1)의 비율을 이용하여 전압비교기(16)의 가변전압(Vref)을 2.5V로 설정하면, 제1 입력전압(Vup1)은 2.5V보다 작으므로 해당 키(S1)가 눌린 것으로 인지할 수 있다. At this time, the second input voltage VA of the power supply unit 15 is set to 2.5 V (Vref) of the voltage comparator 16 using the ratio of the fixed resistor R2 and the second variable resistor R1 Since the first input voltage Vup1 is less than 2.5V, it can be recognized that the corresponding key S1 is pressed.

아무런 키도 눌리지 않았다면, 제1 입력전압(Vup1)의 전압은 전원전압(VCC)과 근접한 값이 발생하게 됨으로 가변전압(Vref)보다 높은 전압이 되어 키버튼이 눌리지 않은 것으로 인식할 수 있다. If no key is pressed, the voltage of the first input voltage Vup1 is close to the power supply voltage VCC, so that the voltage of the first input voltage Vup1 is higher than the variable voltage Vref and the key button is not pressed.

따라서, 상기 전원전압(VCC)은 가장 높은 전압이 되며, 전원공급부(15)의 제2 입력전압(VA)은 중간 전압, 그리고 가변전압(Vref)은 세 전압중 가장 낮은 전압이 되며, 본 발명의 구성을 위해서는 다음의 수식 4를 만족하도록 설정한다.Therefore, the power supply voltage VCC is the highest voltage, the second input voltage VA of the power supply unit 15 is the intermediate voltage, and the variable voltage Vref is the lowest voltage among the three voltages. The following equation (4) is satisfied.

[수식 4] [Equation 4]

VCC > VA > VrefVCC> VA> Vref

또한, 한 개 이상의 키버튼이 눌렸을 때 제1 입력전압(Vup)은 항상 다음의 수식 5와 같은 관계를 갖는다. In addition, when one or more key buttons are pressed, the first input voltage Vup always has the relationship expressed by the following equation (5).

[수식 5] [Equation 5]

Vref > VupVref> Vup

또한, 아무런 키버튼이 눌리지 않았을 때 제1 입력전압(Vup)은 항상 다음의 수식 6와 같은 관계를 갖는다. In addition, when no key button is depressed, the first input voltage Vup always has the relationship expressed by the following equation (6).

[수식 6] [Equation 6]

Vref < Vup, Vup = VCCVref < Vup, Vup = VCC

또한, 본 발명에 의해서 고스트키 현상을 발생시키는 일정 수량의 키버튼이 동시에 눌렸을 경우에도 눌리지 않은 키버튼이 고스트키 현상에 의해서 눌린 키로 인식되지 않을 수 있도록 수식 4 내지 수식 6의 관계식이 유지될 수 있는 시스템의 유지가 필요하며, 만약 10개의 키버튼이 동시에 고스트키 현상을 발생시킬 수 있는 조합으로 눌렸다 하더라도 눌리지 않은 키를 정확하게 판별할 수 있다. In addition, according to the present invention, even if a certain number of key buttons for generating a ghost key phenomenon are simultaneously pressed, the relational expressions (4) to (6) are maintained so that the unpressed key button can not be recognized as a key pressed by the ghost key phenomenon It is necessary to maintain a system that can not be depressed even if the ten key buttons are pressed in combination to cause the ghost key phenomenon at the same time.

도 6a는 3개의 스위치들이 동시에 눌려졌을 때 터치 패널을 설명하기 위한 회로도이다. 도 6b는 3개의 스위치들이 동시에 눌려졌을 때 터치 패널을 설명하기 위한 등가회로도이다. 특히, 세개의 포인트가 눌려지고 제1 스위치가 눌려지지 않았을 때, 제1 스위치가 눌려지지 않은 것을 감지하는 것을 설명한다. 6A is a circuit diagram for explaining a touch panel when three switches are simultaneously pressed. 6B is an equivalent circuit diagram for explaining a touch panel when three switches are simultaneously pressed. In particular, it will be described that when the three points are depressed and the first switch is not depressed, the first switch is not depressed.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 제2 스위치(S2), 제3 스위치(S3) 및 제4 스위치(S4)이 동시에 눌려지면, 하나의 전류경로가 설정된다. 여기서, 전류경로는 상기 제3 스위치(S3), 상기 제4 스위치(S4) 및 상기 제2 스위치(S2)를 경유하는 경로이다. 도 6a 및 도 6b에서, R은 10KOhm이고, r은 7KOhm로 설정된 것을 가정한다. 6A and 6B, when the second switch S2, the third switch S3 and the fourth switch S4 are simultaneously pressed, one current path is set. Here, the current path is a path via the third switch S3, the fourth switch S4, and the second switch S2. 6A and 6B, it is assumed that R is set to 10 KOhm, and r is set to 7 KOhm.

이때, 제2 입력전압(VA)이 인가되지 않으면, 검출전압(VO)는 아래의 수식 7에 의해 산출된다. At this time, if the second input voltage VA is not applied, the detection voltage VO is calculated by the following expression (7).

[수식 7][Equation 7]

Figure 112013037962353-pat00004
Figure 112013037962353-pat00004

한편, 제2 입력전압(VA)이 인가되면, 검출전압(VO)은 아래의 수식 8에 의해 산출된다. On the other hand, when the second input voltage VA is applied, the detection voltage VO is calculated by the following expression (8).

[수식 8][Equation 8]

Figure 112013037962353-pat00005
Figure 112013037962353-pat00005

만일, 가변전압(Vref)이 2.5V라면, 두 경우 모두 제1 스위치(S1)가 눌려지지 않은 것으로 잘 인식된다. If the variable voltage Vref is 2.5 V, it is recognized that the first switch S1 is not pressed in both cases.

따라서, 제2 입력전압(VA)을 공급한 경우는 그렇지 않은 경우에 비해 검출전압(VO)이 높기 때문에 노이즈 마진이 우수하다. Therefore, when the second input voltage VA is supplied, the noise margin is excellent because the detection voltage VO is higher than when the second input voltage VA is supplied.

상기 전압비교기(16)의 가변전압(Vref)을 2.5V로 설정하였을 경우 모두 제1 스위치(S1)가 눌리지 않은 것을 판별할 수 있다. 하지만, 제2 입력전압(VA)이 인가되면 어떠한 경우도 제2 입력전압(VA)에 비해서 검출되는 검출전압(VO)이 보다 높게 형성이 된다. 따라서, 상기 전압비교기(16)의 가변전압(Vref)를 제2 입력전압(VA)보나 낮게 설정하면 안정적인 키의 눌림과 그렇지 않음을 감지할 수 있다. When the variable voltage Vref of the voltage comparator 16 is set to 2.5 V, it can be determined that the first switch S1 is not pressed. However, when the second input voltage VA is applied, the detection voltage VO detected in comparison with the second input voltage VA is higher in any case. Therefore, if the variable voltage Vref of the voltage comparator 16 is set lower than the second input voltage VA, it is possible to detect whether the key is stable or not.

멤브레인센서 및 FSR센서의 가공 오차와 환경에 의한 변화량과 IC의 제조 공차까지를 감안하면 제2 입력전압(VA)을 공급하므로써, 보다 안정적으로 동작하는 결과를 얻을 수 있다. 여기서, 가공 오차와 환경에 의한 변화량은 에이징(Aging)이 진행되어 저항값이 증가 또는 감소되는 경우이다. Considering the processing errors of the membrane sensor and the FSR sensor, the variation due to the environment, and the manufacturing tolerance of the IC, the second input voltage VA is supplied to obtain a stable operation result. Here, the amount of change due to the processing error and the environment is a case where the resistance value increases or decreases due to aging.

도 7a는 6개의 스위치들이 동시에 눌려졌을 때 터치 패널을 설명하기 위한 회로도이다. 도 7b는 6개의 스위치들이 동시에 눌려졌을 때 터치 패널을 설명하기 위한 등가회로도이다. 특히, 여섯개의 포인트가 눌려지고 제1 스위치가 눌려지지 않았을 때, 제1 스위치가 눌려지지 않은 것을 감지하는 것을 설명한다.7A is a circuit diagram for explaining a touch panel when six switches are simultaneously pressed. 7B is an equivalent circuit diagram for explaining a touch panel when six switches are simultaneously pressed. In particular, it will be described that when six points are depressed and the first switch is not depressed, the first switch is not depressed.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제2 스위치(S2), 제3 스위치(S3), 제4 스위치(S4), 제5 스위치(S5), 제6 스위치(S6), 제7 스위치(S7)이 동시에 눌려지면, 2개의 전류경로들이 설정된다. 즉, 하나의 전류경로는 상기 제3 스위치(S3), 상기 제4 스위치(S4) 및 상기 제2 스위치(S2)를 경유하는 제1 전류경로이고, 다른 하나의 전류경로는 상기 제5 스위치(S5), 상기 제6 스위치(S6) 및 상기 제2 스위치(S2)를 경유하는 제2 전류경로이다. 도 7a 및 도 7b에서, R은 10KOhm이고, r은 7KOhm로 설정된 것을 가정한다.7A and 7B, the second switch S2, the third switch S3, the fourth switch S4, the fifth switch S5, the sixth switch S6, the seventh switch S7, Is pressed at the same time, two current paths are set. That is, one current path is a first current path via the third switch S3, the fourth switch S4, and the second switch S2, and the other current path is connected to the fifth switch S5), the sixth switch (S6), and the second switch (S2). 7A and 7B, it is assumed that R is set to 10 KOhm, and r is set to 7 KOhm.

제1 전류경로에 대응하는 병렬저항(A)은 아래와 같은 수식 9에 의해 정의된다. The parallel resistor (A) corresponding to the first current path is defined by the following equation (9).

[수식 9][Equation 9]

Figure 112013037962353-pat00006
Figure 112013037962353-pat00006

따라서, A=r이다. Therefore, A = r.

이때, 제2 입력전압(VA)이 인가되지 않으면, 검출전압(VO)는 아래의 수식 10에 의해 산출된다.At this time, if the second input voltage VA is not applied, the detection voltage VO is calculated by the following expression (10).

[수식 10][Equation 10]

Figure 112013037962353-pat00007
Figure 112013037962353-pat00007

한편, 제2 전류경로에 대응하는 병렬저항(B)은 아래와 같은 수식 11에 의해 정의된다. On the other hand, the parallel resistor (B) corresponding to the second current path is defined by the following expression (11).

[수식 11][Equation 11]

Figure 112013037962353-pat00008
Figure 112013037962353-pat00008

따라서, B=0.5r이다. Therefore, B = 0.5r.

이때, 제2 입력전압(VA)이 인가되면, 검출전압(VO)은 아래의 수식 12에 의해 산출된다. At this time, when the second input voltage VA is applied, the detection voltage VO is calculated by the following expression (12).

[수식 12][Equation 12]

Figure 112013037962353-pat00009
Figure 112013037962353-pat00009

상기 전압비교기(16)의 가변전압(Vref)이 2.5V라면, 두 경우 모두 제1 스위치(S1)가 눌려지지 않은 것으로 잘 인식된다. If the variable voltage Vref of the voltage comparator 16 is 2.5 V, it is recognized that the first switch S1 is not pressed in both cases.

따라서, 제2 입력전압(VA)을 공급한 경우는 그렇지 않은 경우에 비해 검출전압이 높기 때문에 노이즈 마진이 우수하다. Therefore, when the second input voltage VA is supplied, the noise margin is excellent because the detection voltage is higher than when the second input voltage VA is supplied.

상기 전압비교기(16)의 가변전압(Vref)을 2.5V로 두었을 경우 모두 제1 스위치(S1)가 눌리지 않은 것을 판별할 수 있다. 하지만, 제2 입력전압(VA)이 인가되면 어떠한 경우도 제2 입력전압(VA)에 비해서 검출되는 검출전압(VO)이 보다 높게 형성이 된다. 따라서, 상기 전압비교기(16)의 가변전압(Vref)을 제2 입력전압(VA)보나 낮게 설정하면 안정적인 키의 눌림과 그렇지 않음을 감지할 수 있다. When the variable voltage Vref of the voltage comparator 16 is set to 2.5 V, it can be determined that the first switch S1 is not pressed. However, when the second input voltage VA is applied, the detection voltage VO detected in comparison with the second input voltage VA is higher in any case. Therefore, if the variable voltage Vref of the voltage comparator 16 is set lower than the second input voltage VA, it is possible to detect whether the key is stable or not.

멤브레인센서 및 FSR센서의 가공 오차와 환경에 의한 변화량과 IC의 제조 공차까지를 감안하면 제2 입력전압(VA)을 공급하므로써, 보다 안정적으로 동작하는 결과를 얻을 수 있다. 여기서, 가공 오차와 환경에 의한 변화량은 에이징(Aging)이 진행되어 저항값이 증가 또는 감소되는 경우이다. Considering the processing errors of the membrane sensor and the FSR sensor, the variation due to the environment, and the manufacturing tolerance of the IC, the second input voltage VA is supplied to achieve a more stable operation. Here, the amount of change due to the processing error and the environment is a case where the resistance value increases or decreases due to aging.

이러한 전원공급부(15)와 제1 열스위치부(17a)의 동작중에서 전원절약모드에 대해 도 8을 참고하여 좀 더 상세히 살펴본다.The power saving mode among the operations of the power supply unit 15 and the first column switch unit 17a will be described in more detail with reference to FIG.

도 8는 도 3의 동작중의 전원절약모드를 설명하기 위한 회로도이다. 8 is a circuit diagram for explaining a power saving mode in operation of FIG.

전원절약모드는 일정시간 사용자의 키매트릭스(12)의 키입력이 없거나 유에스비(USB) 키보드의 경우 서스펜드(suspend) 모드로 진입하는 경우에 발생한다. 전원절약모드가 되면, 상기 열제어부(14)에서 출력되는 인에이블신호(EN)는 디스에이블되어 상기 전원공급부(15)와 상기 전압비교기(16)를 디스에이블시켜 슬림(sleep) 상태로 변경된다. The power save mode occurs when there is no key input of the key matrix 12 of the user for a predetermined time or when the USB keyboard enters a suspend mode. In the power save mode, the enable signal EN output from the column controller 14 is disabled and the power supply unit 15 and the voltage comparator 16 are disabled to change to a sleep state .

또한, 상기 제1 내지 제7 열스위치부들(17a~17g)는 모든 열주사라인들(Y30~Y36, 도 2에 도시됨)에 전원전압(VCC)과 높은 저항값을 같은 풀업저항(Rh)를 연결하여 모든 열주사라인들(Y30~Y36)에 전원전압(VCC) 수준의 전압이 유지되도록 설정한다. 그리고 행주사제어장치(13)의 모든 스위치(19...)를 온시켜 행주사라인들(X10~X16, 도 2에 도시됨)을 0V로 유지한다. 이렇게 하면 전원절약모드에 진입하게 되어 CPU(10)는 인터럽트를 인에이블하고 클럭 발생을 정지한다. The first to seventh column switch units 17a to 17g are connected to the column scan lines Y30 to Y36 (shown in FIG. 2) So that the voltage of the power supply voltage VCC level is maintained in all the column scan lines Y30 to Y36. Then, all the switches 19 ... of the row scanning control device 13 are turned on to keep the row scan lines X10 to X16 (shown in Fig. 2) at 0V. In this manner, the power saving mode is entered, and the CPU 10 enables the interrupt and stops the clock generation.

도 8을 참고하면, 전원절약모드는 스위칭 소자(rs0, 도 2의 키매트릭스(12)내의 물리적 스위칭소자(121))가 개방된 상태이다. 이때, 모든 열주사라인들(Y30~Y36)은 풀업저항(Rh)에 의한 풀업 상태가 되고, 모든 행주사라인들(X10~X16)은 NMOS 트랜지스터(19)에 의한 N채널 오픈드레인(N-channel Open Drain)이 인에이블(Enable)된 상태로 0V 부근의 전압을 갖게 된다. 이때, 인터럽트신호(INT)는 열주사라인의 전압과 동일하게 전원전압(VCC)부근의 값을 갖게 되어 홀딩전압(Vh)은 하이레벨을 갖는다. Referring to Fig. 8, the power saving mode is a state in which the switching element rs0 (the physical switching element 121 in the key matrix 12 in Fig. 2) is opened. At this time, all the column scan lines Y30 to Y36 are pulled up by the pull-up resistor Rh, and all of the row scan lines X10 to X16 are connected to the N channel open drain N- channel Open Drain) is enabled and has a voltage near 0V. At this time, the interrupt signal INT has a value near the power supply voltage VCC in the same manner as the voltage of the column scan line, so that the holding voltage Vh has a high level.

한편, 전원절약모드에서 사용자에 의해 키입력이 발생하면, 스위칭소자(rs0, 또는 도 2의 121)가 연결되어, 풀업저항(Rh), 스위칭 저항(rm, 도 2의 122) 그리고 행주사라인에 연결된 NMOS 트랜지스터(19)의 온저항(rs1)이 전원전압(VCC)과 0V전압 사이에 직렬 형태로 형성된다. 이때, 풀업저항(Rh)의 저항값이 키매트릭스(12)내의 스위칭 저항(rm)에 비해서 충분히 큰 값을 갖고 스위치들의 온저항(rs0, rs1)의 저항값이 풀업저항(Rh)이나 스위칭 저항(rm)에 비해서 충분히 작다면, 홀딩전압(Vh)은 0V부근의 값, 즉 로우레벨을 갖는다. 이때, 인터럽트신호(INT)는 홀딩전압(Vh)이 0V 부근의 값이므로 CPU(10)로 인터럽트신호(INT)를 출력하여 웨이크업(wake-up: 정상상태로 변경)임을 CPU(10)에 알린다. Meanwhile, when a key input is generated by the user in the power saving mode, the switching element rs0 or 121 in Fig. 2 is connected to the pull-up resistor Rh, the switching resistor rm (122 in Fig. 2) The on resistance rs1 of the NMOS transistor 19 connected to the power supply voltage VCC and the 0V voltage is formed in series. At this time, since the resistance value of the pull-up resistor Rh is sufficiently larger than the switching resistance rm in the key matrix 12 and the resistance value of the on-resistances rs0 and rs1 of the switches is larger than the resistance value of the pull- (rm), the holding voltage Vh has a value near 0 V, that is, a low level. At this time, since the holding voltage Vh is a value near 0V, the CPU 10 outputs an interrupt signal INT to the CPU 10 to indicate that the interrupt signal INT is wake-up It informs.

이러한 인터럽트신호(INT)에 의해 CPU(10)는 다시 클럭을 발생하고 열주사제어 동작과 행주사제어 동작을 수행하도록 열주사제어장치(11)와 행주사제어장치(13)를 제어한다. The CPU 10 generates a clock again by the interrupt signal INT and controls the column scan control device 11 and the column scan control device 13 to perform the column scan control operation and the row scan control operation.

이와 같이 전원절약모드에서 사용자의 키입력에 의해서 도 3의 홀딩전압(Vh)이 하이레벨에서 로우레벨로 변경되어, 버퍼(B, 도 3에 도시됨)는 CPU(10)에 인터럽트신호(INT)를 출력한다. 이에 따라, CPU(10)는 버퍼(B)로부터 인터럽트신호(INT)를 입력받아 전원절약모드에서 탈출하여 일반 키입력 검출 상태인 정상주사모드로 동작하게 되어, 키입력을 확인하기 위한 열주사 동작과 행주사 동작을 실시하여 사용자에 의해 눌려진 키의 위치를 인식한다.3, the holding voltage Vh of FIG. 3 is changed from the high level to the low level by the user's key input in the power saving mode, and the buffer B (shown in FIG. 3) ). Accordingly, the CPU 10 receives the interrupt signal INT from the buffer B and exits from the power save mode, operates in the normal scan mode, which is the normal key input detection state, and performs a column scan operation And recognizes the position of the key pressed by the user by performing the row scanning operation.

도 3에 도시된 전원공급부(15)는 정전압 레귤레이터 방식으로 구성될 수도 있고, 저항분배에 의한 전류증폭기 방식으로 구성될 수도 있다. The power supply unit 15 shown in FIG. 3 may be constituted by a constant voltage regulator system or a current amplifier system by resistance distribution.

도 9은 도 3에 도시된 전원공급부의 일례를 설명하기 위한 블록도이다. 특히, 정전압 레귤레이터 방식에 의해 구성되는 전원공급부가 도시된다. 9 is a block diagram for explaining an example of the power supply unit shown in FIG. Particularly, a power supply portion constituted by a constant voltage regulator system is shown.

도 9을 포함하면, 정전압 레귤레이터 방식의 전원공급부(15)는 기준전압 생성회로(20), 앰프(21), PMOS 트랜지스터(Tr), 직렬 저항(Rr) 및 가변 저항(Rv)을 포함한다. 9, the power supply unit 15 of the constant voltage regulator type includes a reference voltage generating circuit 20, an amplifier 21, a PMOS transistor Tr, a series resistor Rr, and a variable resistor Rv.

상기 앰프(21)는 상기 기준전압 생성회로(20)로부터 출력하고자 하는 제2 입력전압(VA)의 가변전압(Vref)을 공급받으며, 전압 출력을 위한 PMOS 트랜지스터와 그라운드 사이에 연결된 직렬 저항(Rr)과 가변 저항(Rv)의 분배 전압과 가변전압(Vref)과의 비교를 이용하여 적절한 PMOS 트랜지스터의 게이트-소스간 전압(Vgs)을 제어하여 PMOS 트랜지스터 양단에 흐르는 전류를 제어함으로써, 원하는 제2 입력전압(VA)을 발생시킨다. The amplifier 21 receives the variable voltage Vref of the second input voltage VA to be output from the reference voltage generating circuit 20 and outputs a series resistor Rr Source voltage Vgs of the appropriate PMOS transistor by controlling the current flowing across the PMOS transistor using the comparison between the divided voltage of the variable resistor Rv and the variable voltage Vref, Thereby generating an input voltage VA.

도 10은 도 3에 도시된 전원공급부의 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다. 특히, 저항분배에 의한 전류증폭기 방식에 의해 구성되는 전원공급부가 도시된다. 10 is a block diagram for explaining another example of the power supply unit shown in FIG. Particularly, a power supply section constituted by a current amplifier system by resistance distribution is shown.

도 10을 참조하면, 전류증폭기 방식의 전류공급부(15)는 일단이 전원전압(VCC)에 연결된 직렬 저항(Rr), 일단이 직렬 저항(Rr)의 타단에 연결된 가변 저항(Rv), 가변 저항(Rv)의 타단에 연결된 PMOS 트랜지스터(Tr) 및 앰프(22)를 포함한다. 10, the current supply unit 15 of the current amplifier type includes a series resistor Rr having one end connected to the power supply voltage VCC, a variable resistor Rv having one end connected to the other end of the series resistor Rr, And a PMOS transistor Tr and an amplifier 22 connected to the other end of the resistor Rv.

전원전압(VCC)로부터 직렬 저항(Rr)과 가변 저항(Rv)에 의해 분배되는 가변전압(Vref)을 증폭률 1을 갖는 앰프(22)의 음의 궤환을 통해 제2 입력전압(VA)는 가변전압(Vref)과 동일하지만 전류의 공급 능력만을 증폭하여 제2 입력전압(VA)를 생성하여 출력한다. The variable voltage Vref divided by the series resistor Rr and the variable resistor Rv from the power supply voltage VCC is supplied to the variable input terminal of the amplifier 22 via the negative feedback of the amplifier 22, Is equal to the voltage Vref but amplifies only the supply capability of the current to generate and output the second input voltage VA.

도 9이나 도 10에서 도시된 상기 전원공급부(15)는 전원절약모드의 동작을 위해서 모두 인에이블신호(EN)의 입력을 받아 동작을 디스에이블할 수 있도록 하여 디스에이블시에는 전류소비를 줄일 수 있다. 또한, 도 9나 도 10에 도시된 상기 전원공급부(15)는 CPU(10)로부터 입력되는 제1 조정값(adj0)에 의해 생성해 내는 출력전압의 값을 가변할 수 있다. The power supply unit 15 shown in FIG. 9 or 10 may be enabled to disable the operation by receiving the enable signal EN in order to operate in the power saving mode, thereby reducing the current consumption at the time of disable have. In addition, the power supply unit 15 shown in FIG. 9 or 10 can vary the value of the output voltage generated by the first adjustment value (adj0) input from the CPU 10. FIG.

도 11은 도 2에 도시된 열주사제어장치(11)의 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다. 11 is a block diagram for explaining another example of the column scan control device 11 shown in Fig.

도 2 및 도 11을 참조하면, 열주사제어장치(11)는 열제어부(14), 전원공급부(15), 풀업저항(Rh), 제1 가변저항(R0), 복수의 열스위치부들, 버퍼(B), 고정저항(R2), 제2 가변저항(R1) 및 아날로그-디지털 변환기(116)를 포함한다. 도 11에 도시된 열주사제어장치(11)는 아날로그-디지털 변환기(116)를 제외한 도 3에 도시된 열주사제어장치(11)와 실질적으로 동일하므로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고 그 상세한 설명은 생략한다. 2 and 11, the column scan control device 11 includes a column control unit 14, a power supply unit 15, a pull-up resistor Rh, a first variable resistor R0, a plurality of column switch units, (B), a fixed resistor (R2), a second variable resistor (R1) and an analog-to-digital converter (116). The column scan control device 11 shown in Fig. 11 is substantially the same as the column scan control device 11 shown in Fig. 3 except for the analog-to-digital converter 116, so that the same components are given the same reference numerals A detailed description thereof will be omitted.

상기 아날로그-디지털 변환기(116)는 열스위치부들(17a~17g) 각각과 연결되고, 인에이블신호(EN)에 의해 인에이블된다. 상기 아날로그-디지털 변환기(116)는 열스위치부들 각각에 인가되는 제1 입력전압(Vup)과 가변전압(Vref)을 비교하여 그 결과를 CPU(10)에 출력한다. The analog-to-digital converter 116 is connected to each of the thermal switch units 17a to 17g, and is enabled by the enable signal EN. The analog-to-digital converter 116 compares the first input voltage Vup applied to each of the thermal switch units with the variable voltage Vref, and outputs the result to the CPU 10.

도 12는 도 11에 도시된 아날로그-디지털 변환기를 설명하기 위한 블럭도이다. 특히, 완전-차동(Fully-differential) 아날로그-디지털 변환기가 도시된다. 12 is a block diagram for explaining the analog-digital converter shown in FIG. In particular, a fully-differential analog-to-digital converter is shown.

도 12를 참조하면, 아날로그-디지털 변환기(116)는 제1 디지털-아날로그 변환기(DAC)(116a), 제2 디지털-아날로그 변환기(116b), 상기 변환기들(116a, 116b)에서 출력되는 전압을 비교하는 비교기(116c) 및 축차근사 레지스터(Successive Approximation Register, SAR)(116d)를 포함한다. 12, the analog-to-digital converter 116 includes a first digital-to-analog converter (DAC) 116a, a second digital-to-analog converter 116b, a voltage output from the converters 116a and 116b And a comparator 116c and a successive approximation register (SAR) 116d.

동작시, 상기 제1 디지털-아날로그 변환기(116a)와 상기 제2 디지털-아날로그 변환기(116b)에서 디지털 신호를 아날로그 전압으로 변환하여 출력한다. In operation, the first digital-to-analog converter 116a and the second digital-to-analog converter 116b convert the digital signal into an analog voltage and output it.

상기 비교기(116c)는 상기 제1 디지털-아날로그 변환기(116a)의 출력 전압 값과 상기 제2 디지털-아날로그 변환기(116b)의 출력 전압 값의 크기를 비교하고, 비교 결과 어느 쪽 전압 값이 큰지를 한 개의 디지털 값으로 상기 축차근사 레지스터(116d)에 출력한다. The comparator 116c compares the output voltage value of the first digital-to-analog converter 116a with the output voltage value of the second digital-to-analog converter 116b, And outputs it to the approximation register 116d as one digital value.

도 13a는 본 발명의 일실시예에 따른 키보드를 설명하기 위한 분해사시도이다. 도 13b는 도 13a에 도시된 멤브레인 스위치시트를 설명하기 위한 분해사시도이다. 특히, 키매트릭스가 멤브레인 스위치시트로 구성된 키보드가 도시된다. 13A is an exploded perspective view illustrating a keyboard according to an embodiment of the present invention. 13B is an exploded perspective view for explaining the membrane switch sheet shown in FIG. 13A. In particular, a keyboard in which the key matrix is composed of a membrane switch sheet is shown.

도 13a 및 도 13b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 멤브레인 스위치 키보드는 하부케이스(100), 상부케이스(200), 러버돔 시트(300), 멤브레인 스위치시트(400) 및 마이크로 콘트롤 유닛(Micro Control Unit)(500)을 포함한다. 13A and 13B, a membrane switch keyboard according to an embodiment of the present invention includes a lower case 100, an upper case 200, a rubber dam sheet 300, a membrane switch sheet 400, and a micro control unit Micro Control unit 500).

상기 하부케이스(100)는 상기한 구성요소들이 적층되는 베이스(110)를 제공한다. 본 실시예에서, 상기 하부케이스(100)는 직사각형의 평판이며, 배면부에 스크류 조립을 위한 복수의 볼트홀들(H)이 형성되고, 상기 배면부의 좌우 상측에 멤브레인 스위치 키보드(100)의 기울기를 조절할 수 있는 다리(미도시)가 힌지 연결되어 설치되며, 상기 배면부의 좌우 하측에는 미끄럼을 방지하는 고무부재(미도시)로 이루어진 다리가 고정 설치된다. The lower case 100 provides a base 110 on which the above components are stacked. In the present embodiment, the lower case 100 is a rectangular flat plate, a plurality of bolt holes H for screw assembly are formed on the back surface portion, and a slope of the membrane switch keyboard 100 is formed on the left and right upper sides of the back surface portion. (Not shown) is hingedly connected to the left and right lower sides of the rear portion, and a leg made of a rubber member (not shown) for preventing slippage is fixedly installed.

상기 상부케이스(200)에는 복수의 키버튼들(210)이 배치되고, 상기 하부케이스(100)와의 체결을 통해 상기 멤브레인 스위치시트(400), 상기 마이크로 콘트롤 유닛(500) 및 상기 러버돔 시트(300)를 수용한다. A plurality of key buttons 210 are disposed in the upper case 200 and the membrane switch sheet 400, the micro control unit 500 and the rubber dome sheet 300 ).

상기 러버돔 시트(300)는 상기 멤브레인 스위치시트(400) 위에 배치된다. 상기 러버돔 시트(300)에는 복수의 러버돔들(310)이 형성된다. The rubber dam sheet (300) is disposed on the membrane switch sheet (400). A plurality of rubber dome 310 are formed on the rubber dam sheet 300.

상기 멤브레인 스위치시트(400)는 하부 시트(410), 상기 하부 시트(410) 위에 배치된 스페이서 시트(420) 및 상기 스페이서 시트(420) 위에 배치된 상부 시트(430)를 포함한다. The membrane switch sheet 400 includes a lower sheet 410, a spacer sheet 420 disposed on the lower sheet 410, and an upper sheet 430 disposed on the spacer sheet 420.

상기 스페이서 시트(420)에는 복수의 스페이서 홀들이 형성된다. 상기 스페이서 홀들이 형성되지 않은 영역은 상기 하부 시트(410)에 형성된 주사라인과 상기 상부 시트(430)에 형성된 주사라인간의 쇼트를 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 하부 시트(410)에 형성된 주사라인이 열주사라인이라면, 상기 상부 시트(430)에 형성된 주사라인은 행주사라인이다. 물론, 그 역도 가능하다. A plurality of spacer holes are formed in the spacer sheet 420. The area where the spacer holes are not formed can prevent a short circuit between the scan line formed in the lower sheet 410 and the scan line formed in the upper sheet 430. If the scan line formed in the lower sheet 410 is a thermal scan line, the scan line formed in the upper sheet 430 is a scan line. Of course, the reverse is also possible.

상기 하부 시트(410)는 하부 베이스필름(412)과, 상기 하부 베이스필름(412)의 일면에 제1 방향으로 인쇄된 제1 도전성 잉크층(414)을 포함한다. 상기 제1 도전성 잉크층(414)은 상기 베이스필름(412)의 전면에 인쇄될 수도 있고, 배면(rear surface)에 인쇄될 수도 있다. 본 실시예에서, 상기 베이스필름(412)의 전면은 상기 상부 시트(430)에 인접하는 면이고, 상기 베이스필름(412)의 배면은 상기 전면의 반대면이다. The lower sheet 410 includes a lower base film 412 and a first conductive ink layer 414 printed on one side of the lower base film 412 in a first direction. The first conductive ink layer 414 may be printed on the front surface of the base film 412 or may be printed on a rear surface. In this embodiment, the front surface of the base film 412 is adjacent to the upper sheet 430, and the rear surface of the base film 412 is opposite to the front surface.

상기 제1 도전성 잉크층(414)은 카본을 포함할 수 있다. 상기 카본은 실버에 비해 가격이 저렴하다. 상기 제1 도전성 잉크층(414)은 1도 인쇄되어 열주사라인들(414a)과 제1 접점전극들(414b)을 형성한다. 상기 열주사라인(414a)은 예를들어 수평방향(또는 X축 방향)으로 인쇄된다. 상기 제1 접점전극들(414b) 각각은 상기 열주사라인(414a)에서 분기된다. 하나의 열주사라인(414a)에는 복수개의 제1 접점전극들(414b)이 연결된다. The first conductive ink layer 414 may include carbon. The carbon is cheaper than silver. The first conductive ink layer 414 is also printed at one degree to form the column scan lines 414a and the first contact electrodes 414b. The column scan line 414a is printed, for example, in the horizontal direction (or the X-axis direction). Each of the first contact electrodes 414b branches at the column scan line 414a. A plurality of first contact electrodes 414b are connected to one column scan line 414a.

상기 제1 접점전극(414b)은 원형상을 포함하는 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 접점전극(414b)이 원형상을 갖는다면, 상기 제1 접점전극(414b)의 직경은 상기 열주사라인(414a)의 폭보다 클 수 있다. 예를들어, 상기 제1 접점전극(414b)의 직경은 상기 열주사라인(414a)의 폭에 비해 두 배, 세 배 또는 네 배의 크기를 가질 수 있다. The first contact electrode 414b may have various shapes including a circular shape. If the first contact electrode 414b has a circular shape, the diameter of the first contact electrode 414b may be larger than the width of the column scan line 414a. For example, the diameter of the first contact electrode 414b may be two, three, or four times the width of the column scan line 414a.

상기 스페이서 시트(420)는 상기 하부 시트(410) 위에 배치되고, 키버튼 영역들 각각에 대응하여 복수의 스페이서 홀들(422)이 형성된다. 멤브레인 스위치 키보드가 103 키보드라면, 스페이서 홀들의 수는 103개이다. The spacer sheet 420 is disposed on the lower sheet 410, and a plurality of spacer holes 422 are formed corresponding to each of the key button regions. If the membrane switch keyboard is a 103 keyboard, the number of spacer holes is 103.

상기 상부 시트(430)는 상기 스페이서 시트(420) 위에 배치되고, 상부 베이스필름(432)과, 상기 상부 베이스필름(432)의 하부면에 제2 방향으로 인쇄된 제2 도전성 잉크층(434)을 포함한다. 상기 제2 도전성 잉크층(434)은 카본을 포함할 수 있다. The upper sheet 430 is disposed on the spacer sheet 420 and includes an upper base film 432 and a second conductive ink layer 434 printed on the lower surface of the upper base film 432 in a second direction, . The second conductive ink layer 434 may include carbon.

상기 제2 도전성 잉크층(434)은 1도 인쇄되어 행주사라인들(434a)과 제2 접점전극들(434b)을 형성한다. 상기 행주사라인(434a)은 예를들어 수직방향(또는 Y축 방향)으로 인쇄된다. 상기 제2 접점전극들(434b) 각각은 상기 행주사라인(434a)의 폭보다 넣게 확장되어 상기 행주사라인(434a)에 형성된다. 하나의 행주사라인(434a)에는 복수개의 제2 접점전극들(434b)이 연결된다. The second conductive ink layer 434 is also printed to form the first and second contact electrodes 434a and 434b. The row spacing 434a is printed in the vertical direction (or the Y-axis direction), for example. Each of the second contact electrodes 434b is formed in the row sine line 434a so as to extend beyond the width of the row sine line 434a. A plurality of second contact electrodes 434b are connected to one row of scan lines 434a.

상기 제2 접점전극(434b)은 원형상을 포함하는 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 접점전극(434b)이 원형상을 갖는다면, 상기 제2 접점전극(434b)의 직경은 상기 행주사라인(434a)의 폭보다 클 수 있다. 예를들어, 상기 제2 접점전극(434b)의 직경은 상기 행주사라인(434a)의 폭에 비해 두 배, 세 배 또는 네 배의 크기를 가질 수 있다. 본 실시예에서, 가압된 키버튼의 좌표 검출을 위해, 상기 열주사라인은 좌표 검출을 위한 사각파의 송신신호를 전달하고, 상기 행주사라인은 좌표 검출을 위한 사각파의 수신신호를 전달할 수 있다. 한편, 가압된 키버튼의 좌표 검출을 위해, 상기 행주사라인은 좌표 검출을 위한 송신신호를 전달하고, 상기 열주사라인은 좌표 검출을 위한 수신신호를 전달할 수 있다. The second contact electrode 434b may have various shapes including a circular shape. If the second contact electrode 434b has a circular shape, the diameter of the second contact electrode 434b may be larger than the width of the row contact line 434a. For example, the diameter of the second contact electrode 434b may be two, three, or four times the width of the row sine ring 434a. In this embodiment, for the coordinate detection of the pressed key button, the column scan line carries a square wave transmission signal for coordinate detection, and the square line sensor can transmit a square wave reception signal for coordinate detection have. On the other hand, for the coordinate detection of the pressed key button, the row sine line transmits a transmission signal for coordinate detection, and the column scanning line can transmit a reception signal for coordinate detection.

상기 행주사라인(434a)과 상기 열주사라인(414a)은, XY 평면상에서 관찰할 때, 서로 교차할 수 있다. 상기 제2 접점전극들(434b) 각각은, XY 평면상에서 관찰할 때, 상기 제1 접점전극들(414b) 각각과 오버랩될 수 있다. 이때, 오버랩되는 상기 제2 접점전극(434b)과 상기 제1 접점전극(414b) 사이에는 상기 스페이서 시트(420)에 형성된 스페이서 홀(422)이 배치된다. The row scan line 434a and the column scan line 414a may intersect each other when viewed on the XY plane. Each of the second contact electrodes 434b may overlap each of the first contact electrodes 414b when viewed on the XY plane. At this time, a spacer hole 422 formed in the spacer sheet 420 is disposed between the overlapped second contact electrode 434b and the first contact electrode 414b.

본 실시예에서, 상기 행주사라인(434a) 및 상기 제2 접점전극(434b)은 송신라인에 대응할 수도 있고, 상기 열주사라인(414a) 및 상기 제1 접점전극(414b)은 수신라인에 대응할 수 있다. 물론, 그 역도 가능하다. The row scan line 434a and the second contact electrode 434b may correspond to a transmission line and the column scanning line 414a and the first contact electrode 414b may correspond to a reception line . Of course, the reverse is also possible.

예를들어, 특정 제1 접점전극(414b)과 특정 제2 접점전극(434b)이 근접하면, 해당 제1 접점전극(414b)과 해당 제2 접점전극(434b)간에는 정전용량이 변경된다. 변경된 정전용량은 제2 접점전극(434b)에 연결된 행주사라인을 통해 마이크로 콘트롤 유닛(500, 도 1에 도시됨)에 제공되어 정전용량이 변경된 특정 좌표가 인식될 수 있다. For example, when the specific first contact electrode 414b and the specific second contact electrode 434b are close to each other, the capacitance between the first contact electrode 414b and the second contact electrode 434b is changed. The changed capacitance is provided to the microcontrol unit 500 (shown in FIG. 1) through a row line connected to the second contact electrode 434b so that the specific coordinate whose capacitance has changed can be recognized.

상기 마이크로 콘트롤 유닛(500)은 상기 멤브레인 스위치시트(400)에서 제공되는 정전용량 감지신호를 근거로 키좌표를 연산하고, 연산된 키좌표를 컴퓨터 본체(미도시) 등에 제공한다. The micro control unit 500 calculates key coordinates based on the capacitance sensing signal provided from the membrane switch sheet 400 and provides the computed key coordinates to a computer main body (not shown).

키를 누르면 키는 러버돔 시트의 러버돔을 누르게 되며, 눌려진 러버돔은 아래에 있는 상부 시트를 누른다. 상부 시트가 눌리면, 하부 시트와의 접점전극이 연결되며, 키 스트로크가 인식된다. 즉, 사용자가 특정한 키를 눌렀을 때, 키보드에는 [x 번째 열과 y 번째 행의 교점]이라는 식의 데이터가 입력되어 키좌표를 판별한다.When the key is pressed, the key presses the rubber dome of the rubber dome sheet, and the pressed rubber dome presses the upper sheet below. When the upper sheet is pressed, the contact electrode is connected to the lower sheet, and the keystroke is recognized. That is, when the user presses a specific key, data such as [the intersection of the x-th column and the y-th row] is input to the keyboard to determine the key coordinate.

도 14a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 키보드를 설명하기 위한 분해사시도이다. 도 14b는 도 14a에 도시된 멤브레인 스위치시트를 설명하기 위한 분해사시도이다. 특히, 키매트릭스가 포스 센싱 저항(Force sensing resister, FSR) 부재로 구성된 키보드가 도시된다. 14A is an exploded perspective view illustrating a keyboard according to another embodiment of the present invention. 14B is an exploded perspective view for explaining the membrane switch sheet shown in FIG. 14A. In particular, a keyboard is shown in which the key matrix is composed of a force sensing resister (FSR) member.

도 14a 및 도 14b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 FSR 키보드는 하부케이스(100), 상부케이스(200), 러버돔 시트(300), FSR 부재(600) 및 마이크로 콘트롤 유닛(500)을 포함한다. 도 14a에 도시된 키보드는 FSR 부재(600)를 제외하고는 도 13a에 도시된 키보드와 동일하므로, 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고 그 상세한 설명은 생략한다. 14A and 14B, an FSR keyboard according to another embodiment of the present invention includes a lower case 100, an upper case 200, a rubber dam sheet 300, an FSR member 600, and a microcontrol unit 500, . Since the keyboard shown in Fig. 14A is the same as the keyboard shown in Fig. 13A except for the FSR member 600, the same components are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

상기 FSR 부재(600)는 하부 기판(610), 상기 하부 기판(610) 위에 배치된 스페이서 시트(620) 및 상기 스페이서 시트(620) 위에 배치된 FSR 시트(630)를 포함한다. The FSR member 600 includes a lower substrate 610, a spacer sheet 620 disposed on the lower substrate 610, and an FSR sheet 630 disposed on the spacer sheet 620.

상기 하부 기판(610)는 베이스기판, 상기 베이스기판의 일면에 제1 방향으로 인쇄된 제1 도전성 잉크층, 및 상기 베이스기판의 타면에 제2 방향으로 인쇄된 제2 도전성 잉크층을 포함한다. The lower substrate 610 includes a base substrate, a first conductive ink layer printed on one side of the base substrate in a first direction, and a second conductive ink layer printed on the other side of the base substrate in a second direction.

상기 베이스기판은 경성의 PCB 기판 또는 연성의 플렉서블 기판을 포함할 수 있다.The base substrate may include a rigid PCB substrate or a flexible flexible substrate.

상기 제1 도전성 잉크층은 카본을 포함할 수 있다. 상기 카본은 실버에 비해 가격이 저렴하다. 상기 제1 도전성 잉크층은 1도 인쇄되어 열주사라인들과 제1 접점전극들을 형성한다. 상기 열주사라인은 예를들어 수평방향(또는 X축 방향)으로 인쇄된다. 상기 제1 접점전극들 각각은 상기 열주사라인에서 분기된다. 하나의 열주사라인에는 복수개의 제1 접점전극들이 연결된다. 상기 제1 접점전극은 원형상을 포함하는 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 접점전극이 원형상을 갖는다면, 상기 제1 접점전극의 직경은 상기 열주사라인의 폭보다 클 수 있다. 예를들어, 상기 제1 접점전극의 직경은 상기 열주사라인의 폭에 비해 두 배, 세 배 또는 네 배의 크기를 가질 수 있다. The first conductive ink layer may include carbon. The carbon is cheaper than silver. The first conductive ink layer is printed once to form the column scan lines and the first contact electrodes. The column scan lines are printed in, for example, the horizontal direction (or the X-axis direction). Each of the first contact electrodes is branched at the column scan line. A plurality of first contact electrodes are connected to one column scan line. The first contact electrode may have various shapes including a circular shape. If the first contact electrode has a circular shape, the diameter of the first contact electrode may be larger than the width of the column scan line. For example, the diameter of the first contact electrode may be two, three or four times the width of the column scan line.

상기 제2 도전성 잉크층은 1도 인쇄되어 행주사라인들과 제2 접점전극들을 형성한다. 상기 행주사라인은 예를들어 수직방향(또는 Y축 방향)으로 인쇄된다. 상기 제2 접점전극들 각각은 상기 행주사라인의 폭보다 넣게 확장되어 상기 행주사라인에 형성된다. 하나의 행주사라인에는 복수개의 제2 접점전극들이 연결된다. 상기 제2 접점전극은 원형상을 포함하는 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 제2 접점전극이 원형상을 갖는다면, 상기 제2 접점전극의 직경은 상기 행주사라인의 폭보다 클 수 있다. 예를들어, 상기 제2 접점전극의 직경은 상기 행주사라인의 폭에 비해 두 배, 세 배 또는 네 배의 크기를 가질 수 있다. 본 실시예에서, 가압된 키버튼의 좌표 검출을 위해, 상기 열주사라인은 좌표 검출을 위한 사각파의 송신신호를 전달하고, 상기 행주사라인은 좌표 검출을 위한 사각파의 수신신호를 전달할 수 있다. 한편, 가압된 키버튼의 좌표 검출을 위해, 상기 행주사라인은 좌표 검출을 위한 송신신호를 전달하고, 상기 열주사라인은 좌표 검출을 위한 수신신호를 전달할 수 있다. The second conductive ink layer is also printed to form the first contact electrodes and the second contact electrodes. The row sagittal is printed in the vertical direction (or Y axis direction), for example. Each of the second contact electrodes is formed to extend in a width direction of the row of the row electrodes. A plurality of second contact electrodes are connected to one row of scan lines. The second contact electrode may have various shapes including a circular shape. If the second contact electrode has a circular shape, the diameter of the second contact electrode may be larger than the width of the first contact electrode. For example, the diameter of the second contact electrode may be twice, three times, or four times as large as the width of the row electrode. In this embodiment, for the coordinate detection of the pressed key button, the column scan line carries a square wave transmission signal for coordinate detection, and the square line sensor can transmit a square wave reception signal for coordinate detection have. On the other hand, for the coordinate detection of the pressed key button, the row sine line transmits a transmission signal for coordinate detection, and the column scanning line can transmit a reception signal for coordinate detection.

상기 행주사라인과 상기 열주사라인은, XY 평면상에서 관찰할 때, 서로 교차할 수 있다. 상기 제2 접점전극들 각각은, XY 평면상에서 관찰할 때, 상기 제1 접점전극들 각각과 오버랩될 수 있다. 이때, 오버랩되는 상기 제2 접점전극과 상기 제1 접점전극에 대응하여 상기 스페이서 시트(620)에 형성된 스페이서 홀(622)이 배치된다. The row scan lines and the column scan lines may intersect each other when viewed on the XY plane. Each of the second contact electrodes may overlap each of the first contact electrodes when viewed on an XY plane. At this time, the spacer holes 622 formed in the spacer sheet 620 are disposed corresponding to the second contact electrodes and the first contact electrodes overlapping each other.

본 실시예에서, 상기 행주사라인 및 상기 제2 접점전극은 송신라인에 대응할 수도 있고, 상기 열주사라인 및 상기 제1 접점전극은 수신라인에 대응할 수 있다. 물론, 그 역도 가능하다. In this embodiment, the row scan line and the second contact electrode may correspond to the transmission line, and the column scanning line and the first contact electrode may correspond to the reception line. Of course, the reverse is also possible.

예를들어, 특정 제1 접점전극과 특정 제2 접점전극이 근접하면, 해당 제1 접점전극과 해당 제2 접점전극간에는 정전용량이 변경된다. 변경된 정전용량은 제2 접점전극에 연결된 행주사라인을 통해 마이크로 콘트롤 유닛(500)에 제공되어 정전용량이 변경된 특정 좌표가 인식될 수 있다. For example, when a specific first contact electrode and a specific second contact electrode are close to each other, capacitance between the first contact electrode and the second contact electrode is changed. The changed electrostatic capacity is provided to the microcontrol unit 500 via a row line connected to the second contact electrode, so that the specific coordinate whose capacitance is changed can be recognized.

상기 스페이서 시트(620)는 상기 하부 기판(610) 위에 배치되고, 키버튼 영역들 각각에 대응하여 복수의 스페이서 홀들(622)이 형성된다. 스위치 키보드가 103 키보드라면, 스페이서 홀들의 수는 103개이다. The spacer sheet 620 is disposed on the lower substrate 610, and a plurality of spacer holes 622 are formed corresponding to each of the key button regions. If the switch keyboard is a 103 keyboard, the number of spacer holes is 103.

상기 FSR 시트(630)는 상기 스페이서 시트(620) 위에 배치된다. 상기 FSR 시트(630)는 도전성 카본 입자들이 혼입된 폴리에틸렌(polyethylene)으로부터 형성될 수 있다. The FSR sheet 630 is disposed on the spacer sheet 620. The FSR sheet 630 may be formed of polyethylene in which conductive carbon particles are mixed.

사용자가 키버튼을 누르면, 상기 FSR 시트(630)의 특정 부위는 가압되어 저항성 도전 경로(resistive conductive path)가 FSR을 통해 하부 기판(610)에 형성된 제1 접점전극과 제2 접점전극 사이에 형성된다. 여기서 저항값은 사용자가 키버튼을 누르는 힘에 종속한다. 예를들어, 키버튼을 누르는 힘이 10 그램이라면 FSR의 저항값은 1 MOhm일 수 있고, 키버튼을 누르는 힘이 500 그램이라면, FSR의 저항값은 1 kOhm일 수 있다. When a user presses a key button, a specific portion of the FSR sheet 630 is pressed so that a resistive conductive path is formed between the first contact electrode and the second contact electrode formed on the lower substrate 610 through the FSR do. Where the resistance value depends on the force the user presses the key button. For example, if the force pressing the key button is 10 grams, the resistance value of the FSR may be 1 MOhm, and if the force of pressing the key button is 500 grams, the resistance value of the FSR may be 1 kOhm.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. You will understand.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 제1 입력전압(Vup)을 가변하여 열스위치부들에 제공하므로써, 카본으로 인쇄되는 멤브레인 키매트릭스에서 인쇄공차가 증가하여 저항편차가 증가하더라도 저항감지 효율을 감소하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 키입력장치는 저항이 작은 키매트릭스나 저항이 큰 키매트릭스에도 사용할 수 있다.As described above, according to the present invention, by varying the first input voltage Vup and providing the first input voltage Vup to the thermal switch units, the printing tolerance increases in the membrane key matrix printed with carbon, Can be prevented. Accordingly, the key input device according to the present invention can be used for a key matrix having a small resistance or a key matrix having a large resistance.

또한, 간단한 구성의 스위치를 이용하여 키매트릭스를 제어하여 고스트키 현상을 제거함은 물론 전원절약모드로 동작가능하며, 제조비용을 낮출 수 있다. In addition, the key matrix can be controlled by using a switch having a simple structure to eliminate the ghost key phenomenon, operate in a power saving mode, and reduce manufacturing cost.

10 : CPU 11 : 열주사제어장치
13 : 행주사제어장치 14 : 열제어부
15 : 전원공급부 16 : 전압비교기
18 : 행제어부 20 : 기준전압 생성회로
21, 22 : 앰프 Rh : 풀업저항
R0 : 제1 가변저항 R2 : 고정저항
R1 : 제2 가변저항 B : 버퍼
R2 : 고정저항 R1 : 제2 가변저항
Rr : 직렬 저항 Rv : 가변 저항
16 : 아날로그-디지털 변환기 110, 120 : 디지털-아날로그 변환기
130 : 비교기 140 : 축차근사 레지스터
100 : 하부케이스 200 : 상부케이스
300 : 러버돔 시트 400 : 멤브레인 스위치시트
410 : 하부 시트 420 : 스페이서 시트
430 : 상부 시트 500 : 마이크로 콘트롤 유닛
600 : FSR 부재 610 : 하부 기판
620 : 스페이서 시트 630 : FSR 시트
10: CPU 11: column scan control device
13: a row scanning control device 14:
15: power supply unit 16: voltage comparator
18: row control unit 20: reference voltage generation circuit
21, 22: amplifier Rh: pull-up resistor
R0: first variable resistor R2: fixed resistor
R1: second variable resistor B: buffer
R2: fixed resistor R1: second variable resistor
Rr: series resistance Rv: variable resistance
16: analog-to-digital converter 110, 120: digital-to-analog converter
130: Comparator 140: Decision approximation register
100: Lower case 200: Upper case
300: Rubber dam sheet 400: Membrane switch sheet
410: lower sheet 420: spacer sheet
430: upper sheet 500: microcontroller unit
600: FSR member 610: lower substrate
620: spacer sheet 630: FSR sheet

Claims (16)

열주사라인들 및 행주사라인들이 연결된 복수의 스위치들을 포함하는 키매트릭스에 연결된 키입력장치에서,
상기 열주사라인들과 일대일 대응되는 복수의 열스위치부들을 포함하고, CPU의 열주사신호와 인에이블신호(EN)에 따라, (i) 정상주사모드에서 각 열마다 제1 입력전압(Vup) 및 제2 입력전압(VA) 중 하나를 선택적으로 입력받고, (ii) 전원절약모드에서 홀딩전압(Vh)을 입력받는 열스위치부의 스위칭동작에 따라 열주사 동작을 상기 모드별로 수행하는 열주사제어장치; 및
상기 정상주사모드에서 상기 열주사제어장치의 열주사신호에 동기하여 상기 CPU의 행주사신호에 따라 행주사를 수행하고, 상기 인에이블신호(EN)에 따라 상기 전원절약모드로 동작하는 행주사제어장치를 포함하되,
상기 열주사제어장치는, 기준전압과 상기 열스위치부들 각각의 사이에 배치되고 상기 제1 입력전압(Vup)을 가변하여 상기 열스위치부들 각각에 제공하는 제1 가변저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 키입력장치.
In a key input device connected to a key matrix including a plurality of switches connected to column scan lines and row scan lines,
(I) a first input voltage Vup for each column in the normal scan mode, and (ii) a second input voltage Vup for each column in the normal scan mode, according to the column scan signal and the enable signal EN of the CPU. And a second input voltage VA; and (ii) a column scan unit for performing a column scan operation for each mode in accordance with a switching operation of a column switch unit receiving the holding voltage Vh in a power- Device; And
A scan driver for performing a row scan in accordance with a row scan signal of the CPU in synchronization with a column scan signal of the column scan control device in the normal scan mode, Device,
Wherein the thermal scan control device includes a reference voltage and a first variable resistor which is disposed between each of the thermal switch units and varies the first input voltage Vup to provide the reference voltage to each of the thermal switch units Key input device.
제1항에 있어서, 상기 열주사제어장치는
상기 CPU의 제어하에 열주사신호와 인에이블신호(EN)를 출력하는 열제어부;
상기 열제어부의 열주사신호에 의해 선택된 열주사라인과 미선택된 나머지 열주사라인 각각을 입력되는 전압에 따라 스위칭하여 열주사를 수행하도록 상기 열주사라인에 일대일 대응하도록 연결된 복수의 스위치부들;
상기 열제어부의 인에이블신호에 따라 선택적으로 인에이블 및 디스에이블되어 상기 제1 입력전압(Vup), 상기 제2 입력전압(VA) 및 상기 홀딩전압(Vh)을 상기 정상주사모드와 상기 전원절약모드에 따라 선택적으로 상기 스위치부로 출력하는 전원공급부; 및
상기 열제어부의 인에이블신호에 따라 인에이블되어 상기 정상주사모드로 동작하고, 상기 열제어부의 인에이블신호에 따라 디스에이블되어 상기 전원절약모드로 동작하되, 기준전압생성용 저항(R1, R2)의 저항값을 근거로 생성된 가변전압과 상기 제1 입력전압(Vup)을 비교하여 그 결과를 상기 CPU에 출력하는 전압비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 키입력장치.
The apparatus of claim 1, wherein the column scan control device
A column controller for outputting a column scan signal and an enable signal EN under the control of the CPU;
A plurality of switch units connected in a one-to-one correspondence with the column scan lines to perform column scanning by switching the column scan lines selected by the column scan signal of the column control unit and the remaining unselected column scan lines according to an input voltage;
The second input voltage VA and the holding voltage Vh are selectively enabled and disabled in accordance with an enable signal of the thermal control unit so that the first input voltage Vup, A power supply unit selectively outputting power to the switch unit according to a mode; And
And the reference voltage generating resistors (R1, R2) are enabled according to an enable signal of the column control unit and are operated in the normal scan mode and are disabled according to an enable signal of the column control unit, And a voltage comparator for comparing the variable voltage generated based on the resistance value of the first input voltage Vup with the first input voltage Vup and outputting the result to the CPU.
제2항에 있어서, 상기 전압비교기는 히스테리시스 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 키입력장치.3. The key input device of claim 2, wherein the voltage comparator has a hysteresis characteristic. 제2항에 있어서, 상기 전압비교기는 아날로그-디지털 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 키입력장치.3. The key input device of claim 2, wherein the voltage comparator includes an analog-to-digital converter. 제2항에 있어서, 상기 정상주사모드에서 상기 CPU의 제어에 따라 인에이블신호(EN)가 인에이블되면, 상기 전원공급부는 상기 제1 입력전압(Vup)과 상기 제2 입력전압(VA)을 상기 스위칭 매트릭스의 각각의 열주사선으로 선택적으로 공급하는 것을 특징으로 하는 키입력장치.The power supply unit according to claim 2, wherein when the enable signal (EN) is enabled under the control of the CPU in the normal scan mode, the power supply unit supplies the first input voltage (Vup) Wherein the switching matrix is selectively supplied to each column scan line of the switching matrix. 제2항에 있어서, 상기 전원절약모드에서 상기 CPU의 제어에 따라 인에이블신호(EN)가 디스에이블(disable)되면, 상기 전원공급부는 상기 홀딩전압(Vh)을 모든 스위칭 매트릭스의 각각의 열주사선으로 동시에 연결해 주는 것을 특징으로 하는 키입력장치.The power supply unit according to claim 2, wherein when the enable signal (EN) is disabled under the control of the CPU in the power saving mode, the power supply unit supplies the holding voltage (Vh) And the key input device is connected to the key input device at the same time. 제6항에 있어서, 상기 열주사제어장치는 상기 전원절약모드에서 상기 전원공급부로부터 공급되는 상기 홀딩전압(Vh)이 연결되고, 행주사제어장치가 모든 행주사 제어신호라인을 0V에 연결한 상태에서 사용자에 의해서 키입력이 발생하였을 경우 상기 CPU로 인터럽트신호(INT)를 발생하는 것을 특징으로 하는 키입력장치.The method of claim 6, wherein the column scan control device is configured to control the column scan control device such that the holding voltage (Vh) supplied from the power supply unit is connected in the power saving mode, And generates an interrupt signal (INT) to the CPU when a key input is generated by a user. 제7항에 있어서, 상기 인터럽트신호는, 상기 정상주사모드인 경우 인터럽트신호를 발생시키지 않으며, 상기 전원절약모드에서는 사용자의 키입력이 발생하였을 경우에만 인터럽트신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 키입력장치.The method as claimed in claim 7, wherein the interrupt signal does not generate an interrupt signal in the normal scan mode, and generates an interrupt signal only when a user's key input occurs in the power saving mode. . 제7항에 있어서, 상기 행주사제어장치는, 상기 정상주사모드에서는 CPU의 제어를 받아 순차적으로 행주사 신호라인을 각각 0V에 연결해 주는 기능을 수행하고, 전원 절약 모드에서는 행주사 신호라인을 모두 0V로 연결해 주는 기능을 수행하는 행제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 키입력장치.The method according to claim 7, wherein in the normal scan mode, the row scan control device performs a function of sequentially connecting the scan line signal lines to 0V under the control of the CPU, and in the power saving mode, And a row controller for performing a function of connecting the input signal to the input terminal. 제2항에 있어서, 상기 전원절약모드에서 전원소비가 최소화하도록 상기 열제어부는 상기 전원공급부 및 상기 전압비교기에 인가되는 인에이블신호(EN)를 디스에이블시키는 것을 특징으로 하는 키입력장치.3. The key input device of claim 2, wherein the thermal controller disables the enable signal (EN) applied to the power supply and the voltage comparator to minimize power consumption in the power saving mode. 열주사라인들 및 행주사라인들이 연결된 복수의 스위치들을 포함하는 키매트릭스; 및
상기 키매트릭스에 연결된 키입력장치를 포함하고, 상기 키입력장치는,
상기 열주사라인들과 일대일 대응되는 복수의 열스위치부들을 포함하고, CPU의 열주사신호와 인에이블신호(EN)에 따라, (i) 정상주사모드에서 각 열마다 제1 입력전압(Vup) 및 제2 입력전압(VA) 중 하나를 선택적으로 입력받고, (ii) 전원절약모드에서 홀딩전압(Vh)을 입력받는 열스위치부의 스위칭동작에 따라 열주사 동작을 상기 모드별로 수행하는 열주사제어장치; 및
상기 정상주사모드에서 상기 열주사제어장치의 열주사신호에 동기하여 상기 CPU의 행주사신호에 따라 행주사를 수행하고, 상기 인에이블신호(EN)에 따라 상기 전원절약모드로 동작하는 행주사제어장치를 포함하되,
상기 열주사제어장치는, 기준전압과 상기 열스위치부들 각각의 사이에 배치되고 상기 제1 입력전압(Vup)을 가변하여 상기 열스위치부들 각각에 제공하는 제1 가변저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 키보드.
A key matrix including a plurality of switches to which column scan lines and row scan lines are connected; And
And a key input device connected to the key matrix,
(I) a first input voltage Vup for each column in the normal scan mode, and (ii) a second input voltage Vup for each column in the normal scan mode, according to the column scan signal and the enable signal EN of the CPU. And a second input voltage VA; and (ii) a column scan unit for performing a column scan operation for each mode in accordance with a switching operation of a column switch unit receiving the holding voltage Vh in a power- Device; And
A scan driver for performing a row scan in accordance with a row scan signal of the CPU in synchronization with a column scan signal of the column scan control device in the normal scan mode, Device,
Wherein the thermal scan control device includes a reference voltage and a first variable resistor which is disposed between each of the thermal switch units and varies the first input voltage Vup to provide the reference voltage to each of the thermal switch units keyboard.
제11항에 있어서, 상기 키매트릭스는 멤브레인 스위치시트인 것을 특징으로 하는 키보드. 12. The keyboard according to claim 11, wherein the key matrix is a membrane switch sheet. 제11항에 있어서, 상기 키매트릭스는 포스 센싱 저항(Force sensing resister, FSR)시트인 것을 특징으로 하는 키보드. 12. The keyboard according to claim 11, wherein the key matrix is a force sensing resister (FSR) sheet. 제11항에 있어서,
일단이 상기 열스위치의 출력단에 연결된 외부저항; 및
일단이 상기 외부저항의 타단에 연결되고, 타단이 그라운드 연결된 외부스위치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 키보드.
12. The method of claim 11,
An external resistor whose one end is connected to the output terminal of the thermal switch; And
Further comprising an external switch, one end of which is connected to the other end of the external resistor, and the other end of which is grounded.
제11항에 있어서, 상기 열주사제어장치는
상기 CPU의 제어하에 열주사신호와 인에이블신호(EN)를 출력하는 열제어부;
상기 열제어부의 열주사신호에 의해 선택된 열주사라인과 미선택된 나머지 열주사라인 각각을 입력되는 전압에 따라 스위칭하여 열주사를 수행하도록 상기 열주사라인에 일대일 대응하도록 연결된 복수의 스위치부들;
상기 열제어부의 인에이블신호에 따라 선택적으로 인에이블 및 디스에이블되어 상기 제1 입력전압(Vup), 상기 제2 입력전압(VA) 및 상기 홀딩전압(Vh)을 상기 정상주사모드와 상기 전원절약모드에 따라 선택적으로 상기 스위치부로 출력하는 전원공급부; 및
상기 열제어부의 인에이블신호에 따라 인에이블되어 상기 정상주사모드로 동작하고, 상기 열제어부의 인에이블신호에 따라 디스에이블되어 상기 전원절약모드로 동작하되, 기준전압생성용 저항(R1, R2)의 저항값을 근거로 생성된 가변전압과 상기 제1 입력전압(Vup)을 비교하여 그 결과를 상기 CPU에 출력하는 전압비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 키보드.
The apparatus of claim 11, wherein the column scan control device
A column controller for outputting a column scan signal and an enable signal EN under the control of the CPU;
A plurality of switch units connected in a one-to-one correspondence with the column scan lines to perform column scanning by switching the column scan lines selected by the column scan signal of the column control unit and the remaining unselected column scan lines according to an input voltage;
The second input voltage VA and the holding voltage Vh are selectively enabled and disabled in accordance with an enable signal of the thermal control unit so that the first input voltage Vup, A power supply unit selectively outputting power to the switch unit according to a mode; And
And the reference voltage generating resistors (R1, R2) are enabled according to an enable signal of the column control unit and are operated in the normal scan mode and are disabled according to an enable signal of the column control unit, And a voltage comparator for comparing the variable voltage generated based on the resistance value of the first input voltage Vup with the first input voltage Vup and outputting the result to the CPU.
제15항에 있어서,
일단이 상기 열스위치의 출력단에 연결된 외부저항; 및
일단이 상기 외부저항의 타단에 연결되고, 타단이 그라운드 연결된 외부스위치를 더 포함하고,
상기 외부저항은 상기 키매트릭스가 IC가 수용할 수 없는 수준의 큰 온 저항값을 가질 때 상기 외부저항의 저항값은 조정되어 상기 전압비교기의 입력단으로 인가되는 키 누름에 의한 제1 입력전압(Vup)의 범위를 조정하는 것을 특징으로 하는 키보드.
16. The method of claim 15,
An external resistor whose one end is connected to the output terminal of the thermal switch; And
Further comprising an external switch having one end connected to the other end of the external resistor and the other end grounded,
When the key matrix has a large on-resistance value of a level that the IC can not accommodate, the resistance of the external resistor is adjusted so that the first input voltage Vup by the key push applied to the input terminal of the voltage comparator ) Of the keyboard is adjusted.
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