KR101383928B1 - Organic electro-luminescence display device and driving method thereof - Google Patents

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Abstract

유기전계발광 표시장치 및 그 구동 방법이 개시된다.An organic light emitting display device and a driving method thereof are disclosed.

유기전계발광 표시장치는, 제n 게이트라인; 상기 제n 게이트라인과 평행하게 배치된 제n+1 게이트라인; 상기 게이트라인에 의해 교차하도록 배치된 데이터라인; 상기 제n 게이트라인, 상기 데이터라인 및 제1 노드에 연결된 제1 박막트랜지스터; 상기 제n 게이트라인, 상기 제1 노드 및 제2 노드에 연결된 제2 박막트랜지스터; 상기 제1 및 제2 노드들과 상기 제n+1 게이트라인에 연결된 제3 박막트랜지스터; 및 공급전압 라인과 상기 제1 노드에 연결된 유기발광다이오드를 포함한다. An organic light emitting display device includes: an nth gate line; An n + 1th gate line disposed in parallel with the nth gate line; Data lines arranged to intersect by the gate lines; A first thin film transistor connected to the nth gate line, the data line, and the first node; A second thin film transistor connected to the nth gate line, the first node, and the second node; A third thin film transistor connected to the first and second nodes and the n + 1th gate line; And an organic light emitting diode connected to a supply voltage line and the first node.

유기전계발광 표시장치, 개구율, 공급전압 라인, 스캔전압, 정전류 Organic light emitting display, aperture ratio, supply voltage line, scan voltage, constant current

Description

유기전계발광 표시장치 및 그 구동 방법{Organic electro-luminescence display device and driving method thereof}Organic electroluminescent display device and driving method thereof

본 발명은 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 화질을 향상시킬 수 있는 유기전계발광 표시장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device capable of improving image quality and a driving method thereof.

정보화 기술의 발달로 인해 정보를 표시할 수 있는 다양한 표시장치가 개발되고 있다. 표시장치는 유기전계발광 표시장치, 액정표시장치(liquid crystal display device), 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel) 및 전계발광 표시장치(field emission display device)를 포함한다.Due to the development of information technology, various display devices capable of displaying information have been developed. The display device includes an organic light emitting display device, a liquid crystal display device, a plasma display panel, and a field emission display device.

이 중에서 유기전계발광 표시장치는 스스로 색을 갖는 광을 발생하는 능동형 소자로서, 액정표시장치와 같이 백라이트 어셈블리가 필요치 않아 무게가 가볍고 두께가 얇으며, 구조가 간단하며, 고 휘도를 얻을 수 있는 장점이 있어 최근에 활발히 연구되고 있다.Among them, the organic light emitting display device is an active device that generates light of its own color, and as such a liquid crystal display does not require a backlight assembly, it is light in weight, thin in thickness, simple in structure, and high in brightness. It has been actively studied recently.

도 1은 종래의 유기전계발광 표시장치를 도시한 도면이다.1 illustrates a conventional organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 다수의 게이트라인들(GL1 내지 GLn)과 다수의 데이터라인들(DL1 내지 DLm)이 교차하여 배치된다. 또한, 데이터라인(DL1 내지 DLm)과 평행하 게 다수의 공급전압 라인들(20)이 배치된다. 각 게이트라인(GL1 내지 GLn), 각 데이터라인(DL1 내지 DLm) 및 각 공급전압 라인(20)에 의해 단위 화소(2)가 정의된다.Referring to FIG. 1, a plurality of gate lines GL1 to GLn and a plurality of data lines DL1 to DLm cross each other. In addition, a plurality of supply voltage lines 20 are disposed parallel to the data lines DL1 to DLm. The unit pixel 2 is defined by each gate line GL1 to GLn, each data line DL1 to DLm, and each supply voltage line 20.

따라서, 종래의 유기전계발광 표시장치는 단위 화소마다 공급전압 라인이 배치되므로, 공급전압 라인의 수가 증가하여 제조 비용이 증가하며, 공급전압 라인에 의해 각 화소의 개구율이 감소하여 화질이 저하되는 문제가 있다.Therefore, in the conventional organic light emitting display device, since supply voltage lines are arranged for each unit pixel, the number of supply voltage lines increases and manufacturing cost increases, and the aperture ratio of each pixel is reduced by the supply voltage line, thereby degrading image quality. There is.

본 발명은 공급전압 라인을 단위 화소에서 배제시켜 제조 비용을 절감하고 개구율의 증가에 따른 화질을 향상시킬 수 있는 유기전계발광 표시장치 및 그 구동 방법을 제공함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of driving the same, which can reduce manufacturing costs and improve image quality by increasing aperture ratio by excluding supply voltage lines from unit pixels.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기전계발광 표시장치는, 제n 게이트라인; 상기 제n 게이트라인과 평행하게 배치된 제n+1 게이트라인; 상기 게이트라인에 의해 교차하도록 배치된 데이터라인; 상기 제n 게이트라인, 상기 데이터라인 및 제1 노드에 연결된 제1 박막트랜지스터; 상기 제n 게이트라인, 상기 제1 노드 및 제2 노드에 연결된 제2 박막트랜지스터; 상기 제1 및 제2 노드들과 상기 제n+1 게이트라인에 연결된 제3 박막트랜지스터; 및 공급전압 라인과 상기 제1 노드에 연결된 유기발광다이오드를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, an organic light emitting display device includes: an nth gate line; An n + 1th gate line disposed in parallel with the nth gate line; Data lines arranged to intersect by the gate lines; A first thin film transistor connected to the nth gate line, the data line, and the first node; A second thin film transistor connected to the nth gate line, the first node, and the second node; A third thin film transistor connected to the first and second nodes and the n + 1th gate line; And an organic light emitting diode connected to a supply voltage line and the first node.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 유기전계발광 표시장치는, 제n 게이트라 인; 상기 제n 게이트라인과 평행하게 배치된 제n+1 게이트라인; 상기 제n 게이트라인, 상기 데이터라인 및 제1 노드에 연결된 제1 박막트랜지스터; 상기 제n 게이트라인, 상기 데이터라인 및 제2 노드에 연결된 제2 박막트랜지스터; 상기 제1 및 제2 노드들과 상기 n+1 게이트라인에 연결된 제3 박막트랜지스터; 및 공급전압 라인과 상기 제1 노드에 연결된 유기발광다이오드를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, an organic light emitting display device includes: an nth gate line; An n + 1th gate line disposed in parallel with the nth gate line; A first thin film transistor connected to the nth gate line, the data line, and the first node; A second thin film transistor connected to the nth gate line, the data line, and a second node; A third thin film transistor connected to the first and second nodes and the n + 1 gate line; And an organic light emitting diode connected to a supply voltage line and the first node.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제n 게이트라인과, 상기 제n 게이트라인과 평행하게 배치된 제n+1 게이트라인과, 상기 게이트라인에 의해 교차하도록 배치된 데이터라인과, 상기 제n 게이트라인, 상기 데이터라인 및 제1 노드에 연결된 제1 박막트랜지스터와, 상기 제n 게이트라인, 상기 제1 노드 및 제2 노드에 연결된 제2 박막트랜지스터와, 상기 제1 및 제2 노드들과 상기 제n+1 게이트라인에 연결된 제3 박막트랜지스터와, 공급전압 라인과 상기 제1 노드에 연결된 유기발광다이오드를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 구동 방법은, 제1 구간 동안, 상기 제n 게이트라인으로 공급된 제3 스캔전압에 의해 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터들이 턴온되고, 상기 데이터라인으로 공급된 데이터신호에 상응하는 게이트전압을 상기 제3 박막트랜지스터의 게이트전극에 설정하는 단계; 제2 구간 동안, 상기 제n 게이트라인으로 공급된 제1 스캔전압에 의해 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터들이 턴오프되고, 상기 공급전압라인으로 공급된 공급전압과 상기 제n+1 게이트라인으로 공급된 상기 제3 스캔전압에 의해 상기 제3 박막트랜지스터의 상기 게이트전극에 설정된 게이트전압을 유지하는 단계; 및 제3 구간 동안, 상기 제n 및 제n+1 게이트라인들로 공급된 상기 제1 스캔전압에 의해 상기 제3 박막트랜지스터의 상기 게이트전극 에 설정된 게이트전압에 상응하는 구동전류를 상기 유기발광다이오드로 공급하는 단계를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, an n-th gate line, an n + 1 gate line arranged in parallel with the n-th gate line, a data line arranged to cross by the gate line, and the n-th gate line A first thin film transistor connected to a gate line, the data line and a first node, a second thin film transistor connected to the nth gate line, the first node and a second node, the first and second nodes, and the A driving method of an organic light emitting display device comprising a third thin film transistor connected to an n + 1 gate line, a supply voltage line, and an organic light emitting diode connected to the first node, the n-th gate line during a first period; The first and second thin film transistors are turned on by the third scan voltage supplied to the gate line, and a gate voltage corresponding to the data signal supplied to the data line is applied to the gate of the third thin film transistor. Establishing in the electrode; During the second period, the first and second thin film transistors are turned off by the first scan voltage supplied to the nth gate line, and are supplied to the supply voltage supplied to the supply voltage line and the n + 1th gate line. Maintaining a gate voltage set to the gate electrode of the third thin film transistor by the supplied third scan voltage; And a driving current corresponding to a gate voltage set to the gate electrode of the third thin film transistor by the first scan voltage supplied to the nth and n + 1th gate lines during the third period. Supplying the same.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제n 게이트라인과, 상기 제n 게이트라인과 평행하게 배치된 제n+1 게이트라인과, 상기 제n 게이트라인, 상기 데이터라인 및 제1 노드에 연결된 제1 박막트랜지스터와, 상기 제n 게이트라인, 상기 데이터라인 및 제2 노드에 연결된 제2 박막트랜지스터와, 상기 제1 및 제2 노드들과 상기 n+1 게이트라인에 연결된 제3 박막트랜지스터와, 공급전압 라인과 상기 제1 노드에 연결된 유기발광다이오드를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 구동 방법은, 제1 구간 동안, 상기 제n 게이트라인으로 공급된 제3 스캔전압에 의해 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터들이 턴온되고, 상기 데이터라인으로 공급된 데이터신호에 상응하는 게이트전압을 상기 제3 박막트랜지스터의 게이트전극에 설정하는 단계; 제2 구간 동안, 상기 제n 게이트라인으로 공급된 상기 제1 스캔전압에 의해 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터들이 턴오프되고, 상기 공급전압라인으로 공급된 공급전압과 상기 제n+1 게이트라인으로 공급된 상기 제3 스캔전압에 의해 상기 제3 박막트랜지스터의 상기 게이트전극에 설정된 게이트전압을 유지하는 단계; 및 제3 구간 동안, 상기 제n 및 제n+1 게이트라인들로 공급된 상기 제1 스캔전압에 의해 상기 제3 박막트랜지스터의 상기 게이트전극에 설정된 게이트전압에 상응하는 구동전류를 상기 유기발광다이오드로 공급하는 단계를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, an nth gate line, an n + 1 gate line disposed in parallel with the nth gate line, an nth gate line, the data line, and a first node connected to the first node A first thin film transistor, a second thin film transistor connected to the nth gate line, the data line, and a second node, a third thin film transistor connected to the first and second nodes and the n + 1 gate line, and supplied In a method of driving an organic light emitting display device including a voltage line and an organic light emitting diode connected to the first node, the first and second parts of the organic light emitting display device are driven by a third scan voltage supplied to the nth gate line during a first period. Turning on the thin film transistors and setting a gate voltage corresponding to the data signal supplied to the data line to the gate electrode of the third thin film transistor; During the second period, the first and second thin film transistors are turned off by the first scan voltage supplied to the nth gate line, and the supply voltage supplied to the supply voltage line and the n + 1 th gate line are provided. Maintaining a gate voltage set to the gate electrode of the third thin film transistor by the third scan voltage supplied to the third thin film transistor; And a driving current corresponding to a gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor by the first scan voltage supplied to the nth and n + 1th gate lines during the third period. Supplying the same.

따라서, 본 발명은 제3 박막트랜지스터의 드레인전극을 다음 단의 게이트라 인에 연결시켜 줌으로써, 단위 화소에 공급전압의 라인이 배치되지 않게 되어 라인수 감소에 따른 비용 절감과 개구율 향상의 효과를 얻을 수 있다.Therefore, the present invention connects the drain electrode of the third thin film transistor to the gate line of the next stage, so that the line of supply voltage is not arranged in the unit pixel, thereby reducing the cost and improving the aperture ratio by reducing the number of lines. Can be.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단위 화소를 도시한 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating a unit pixel of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 제n 게이트라인(GLn)과 제n+1 게이트라인(GLn+1)이 평행하게 배치되고, 상기 제n 및 제n+1 게이트라인들(GLn, GLn+1)에 교차하여 데이터라인(DL)이 배치된다. 상기 제n 게이트라인(GLn)과 상기 데이터라인(DL)의 교차에 의해 단위 화소가 정의될 수 있다. Referring to FIG. 2, an n-th gate line GLn and an n-th + 1 gate line GLn + 1 are disposed in parallel and are disposed at the n-th and n-th + 1 gate lines GLn and GLn + 1. The data lines DL are disposed to intersect. A unit pixel may be defined by the intersection of the nth gate line GLn and the data line DL.

제1 박막트랜지스터(TFT 1)는 게이트전극이 제n 게이트라인(GLn)에 연결되고, 소오스전극이 데이터라인(DL)에 연결되며, 드레인전극이 제1 노드(nd1)에 연결된다. 상기 제1 박막트랜지스터(TFT 1)는 상기 제n 게이트라인(GLn)으로 공급된 제제3 스캔전압에 의해 턴온되어, 상기 데이터라인(DL)으로 공급된 데이터신호가 상기 제1 노드(nd1)로 공급될 수 있다. 상기 데이터신호는 정전류 신호일 수 있다.In the first thin film transistor TFT 1, a gate electrode is connected to the n-th gate line GLn, a source electrode is connected to the data line DL, and a drain electrode is connected to the first node nd1. The first thin film transistor TFT 1 is turned on by the formulation 3 scan voltage supplied to the nth gate line GLn, so that the data signal supplied to the data line DL is transferred to the first node nd1. Can be supplied. The data signal may be a constant current signal.

제2 박막트랜지스터(TFT 2)는 게이트전극이 제n 게이트라인(GLn)에 연결되고, 소오스전극이 제2 노드(nd2)에 연결되며, 드레인전극이 상기 제1 노드(nd1)에 연결된다. 상기 제2 박막트랜지스터(TFT 2)는 상기 제n 게이트라인(GLn)으로 공급된 상기 제3 스캔전압에 의해 턴온되어, 상기 제1 및 제2 노드들(nd1, nd2) 사이를 전기적으로 쇼트시킬 수 있다. In the second thin film transistor TFT 2, a gate electrode is connected to the n-th gate line GLn, a source electrode is connected to the second node nd2, and a drain electrode is connected to the first node nd1. The second thin film transistor TFT 2 is turned on by the third scan voltage supplied to the n-th gate line GLn to electrically short between the first and second nodes nd1 and nd2. Can be.

제3 박막트랜지스터(TFT 3)는 게이트전극이 제2 노드(nd2)에 연결되고, 소오스전극이 제1 노드(nd1)에 연결되며, 드레인전극이 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)에 연결된다. 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)는 상기 제1 박막트랜지스터(TFT 1)를 경유한 상기 데이터신호에 상응하는 게이트전압을 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정한다. 상기 게이트전압은 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 문턱전압보다 적어도 클 수 있다. 상기 게이트전압에 의해 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 소오스전극에서 드레인전극으로 데이터신호가 흐를 수 있다.The third thin film transistor TFT 3 has a gate electrode connected to the second node nd2, a source electrode connected to the first node nd1, and a drain electrode connected to the n + 1 gate line GLn + 1. Is connected to. The third thin film transistor TFT 3 sets a gate voltage corresponding to the data signal via the first thin film transistor TFT 1 to the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3. The gate voltage may be at least greater than the threshold voltage of the third thin film transistor TFT 3. The data signal may flow from the source electrode of the third thin film transistor TFT 3 to the drain electrode by the gate voltage.

캐패시터(C)는 상기 제2 노드(nd2)와 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1) 사이에 연결된다. 상기 캐패시터(C)는 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정된 게이트전압을 한 프레임 동안 유지시켜 준다.The capacitor C is connected between the second node nd2 and the n + 1 th gate line GLn + 1. The capacitor C maintains the gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 for one frame.

유기발광다이오드(OLED)는 아노드전극이 공급전압(VDD)의 라인에 연결되고 캐소드전극이 상기 제1 노드(nd1)에 연결된다. 상기 유기발광다이오드(OLED)는 공급전압(VDD)의 라인으로부터 상기 제1 노드(nd1)로 구동전류(IOLED)가 흐를 수 있다. In the organic light emitting diode OLED, an anode electrode is connected to the line of the supply voltage VDD, and a cathode electrode is connected to the first node nd1. In the organic light emitting diode OLED, a driving current I OLED may flow from the line of the supply voltage VDD to the first node nd1.

상기 제n 및 제n+1 게이트라인들(GLn, GLn+1) 각각에는 제1 내지 제3 스캔전압들이 공급될 수 있다. 상기 제1 스캔전압은 그라운드 전압이나 이보다 낮은 전압일 수 있다. 상기 제2 스캔전압은 상기 공급전압(VDD)의 라인으로 공급되는 공급전압(VDD)과 동일한 전압이거나 상기 공급전압(VDD)과 상기 유기발광다이오드(VDD) 사이의 차이값일 수 있다. 상기 제3 스캔전압은 적어도 상기 공급전압(VDD)보다 높은 전압일 수 있다.First to third scan voltages may be supplied to each of the n th and n th +1 th gate lines GLn and GLn + 1. The first scan voltage may be a ground voltage or a lower voltage. The second scan voltage may be the same voltage as the supply voltage VDD supplied to the line of the supply voltage VDD or may be a difference value between the supply voltage VDD and the organic light emitting diode VDD. The third scan voltage may be at least higher than the supply voltage VDD.

상기 제n 및 제n+1 게이트라인들(GLn, GLn+1) 각각에는 상기 제1, 제2 및 제3 스캔전압들의 순서로 공급될 수 있다. 상기 제 내지 제3 스캔전압들은 상기 제n 및 제n+1 게이트라인들(GLn, GLn+1) 사이에서 1 수평주기로 시프트된다. 이에 따라, 상기 제n 게이트라인(GLn)에 제2 스캔전압이 공급될 때, 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)에 제1 스캔전압이 공급될 있다. 또한, 상기 제n 게이트라인(GLn)에 제3 스캔전압이 공급될 때, 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)에 제2 스캔전압이 공급될 수 있다. Each of the nth and nth + 1 gate lines GLn and GLn + 1 may be supplied in the order of the first, second and third scan voltages. The third to third scan voltages are shifted by one horizontal period between the nth and nth + 1th gate lines GLn and GLn + 1. Accordingly, when the second scan voltage is supplied to the nth gate line GLn, the first scan voltage may be supplied to the n + 1th gate line GLn + 1. In addition, when a third scan voltage is supplied to the nth gate line GLn, a second scan voltage may be supplied to the n + 1th gate line GLn + 1.

상기 데이터라인(DL)에는 상기 제n 게이트라인(GLn)에 상기 제3 스캔전압이 공급될 때 데이터신호가 공급될 수 있다. 이러한 경우, 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)에는 제2 스캔전압이 공급되고, 공급전압(VDD)의 라인에는 하이 레벨의 공급전압이 공급될 수 있다.A data signal may be supplied to the data line DL when the third scan voltage is supplied to the nth gate line GLn. In this case, a second scan voltage may be supplied to the n + 1th gate line GLn + 1 and a high level supply voltage may be supplied to a line of the supply voltage VDD.

이에 따라, 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터들(TFT 1, TFT 2)이 턴온되고, 상기 제1 박막트랜지스터(TFT 1)를 경유하여 데이터신호가 제1 노드(nd1)로 공급될 수 있다. 상기 제2 박막트랜지스터(TFT 2)의 턴온에 의해 상기 제1 및 제2 노드들(nd1, nd2)은 전기적으로 쇼트되므로, 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)에서 상기 제2 노드(nd2)에 연결된 게이트전극과 상기 제1 노드(nd1)에 연결된 소오스전극이 공통 연결될 수 있다. 이때, 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)는 다이오드형 트랜지스터 구조를 가질 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 노드(nd1)에 연결된 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 소오스전극으로 공급된 데이터신호에 상응하는 게이트전압이 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정될 수 있다. 상기 게이 트전압은 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 문턱전압보다 적어도 클 수 있다.Accordingly, the first and second thin film transistors TFT 1 and TFT 2 may be turned on, and a data signal may be supplied to the first node nd1 via the first thin film transistor TFT 1. Since the first and second nodes nd1 and nd2 are electrically shorted by turning on the second thin film transistor TFT 2, the third thin film transistor TFT 3 is connected to the second node nd2. The connected gate electrode and the source electrode connected to the first node nd1 may be commonly connected. In this case, the third thin film transistor TFT 3 may have a diode transistor structure. In this case, a gate voltage corresponding to the data signal supplied to the source electrode of the third thin film transistor TFT 3 connected to the first node nd1 may be set to the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3. Can be. The gate voltage may be at least greater than the threshold voltage of the third thin film transistor TFT 3.

이때, 상기 공급전압(VDD)의 라인과 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)에는 각각 하이 레벨의 공급전압과 제2 스캔전압이 공급될 수 있다. 상기 하이 레벨의 공급전압과 상기 제2 스캔전압은 동일한 전압을 가지므로, 유기발광다이오드(OLED)는 발광되지 않게 된다.In this case, a high level supply voltage and a second scan voltage may be supplied to the line of the supply voltage VDD and the n + 1 th gate line GLn + 1, respectively. Since the high level supply voltage and the second scan voltage have the same voltage, the organic light emitting diode OLED does not emit light.

상기 제n 게이트라인(GLn)에 제1 스캔전압이 공급될 때, 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)에는 제3 스캔전압이 공급되고, 공급전압(VDD)의 라인에는 하이 레벨의 공급전압이 공급될 수 있다. 이러한 경우에도 상기 공급전압(VDD)의 라인에는 하이 레벨의 공급전압이 공급되고, 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)에는 상기 공급전압(VDD)보다 높은 제3 스캔전압이 공급됨에 따라, 상기 유기발광다이오드(OLED)는 발광되지 않게 된다.When a first scan voltage is supplied to the nth gate line GLn, a third scan voltage is supplied to the n + 1th gate line GLn + 1 and a high level is supplied to the line of the supply voltage VDD. Supply voltage can be supplied. Even in this case, a high level supply voltage is supplied to the line of the supply voltage VDD, and a third scan voltage higher than the supply voltage VDD is supplied to the n + 1th gate line GLn + 1. The organic light emitting diode OLED does not emit light.

상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)에 상기 제1 스캔전압이 공급될 때, 상기 유기발광다이오드(OLED)는 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정된 게이트전압에 상응하는 구동전류에 의해 발광되게 된다. When the first scan voltage is supplied to the n + 1th gate line GLn + 1, the organic light emitting diode OLED corresponds to a gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3. The light is emitted by the driving current.

상기 공급전압(VDD)는 항상 하이 레벨의 전압이 유지될 수 있다.The supply voltage VDD may always be maintained at a high level.

도 2 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 구동을 상세히 설명한다.2 to 4, the driving of the organic light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.

도 2의 유기전계발광 표시장치의 단위 화소는 3개의 구간, 즉 3 수평 구간(3H)에 의해 구동될 수 있다. 1 수평 구간은 1라인분의 데이터들이 표시되는 구간을 의미한다.The unit pixel of the organic light emitting display device of FIG. 2 may be driven by three sections, that is, three horizontal sections 3H. One horizontal section means a section in which data for one line is displayed.

제1 구간 동안, 제n 게이트라인(GLn)에 제3 스캔전압이 공급되고, 제n+1 게이트라인(GLn+1)에 제2 스캔전압이 공급되고, 공급전압(VDD)의 라인에 하이 레벨의 공급전압(VDD)이 공급되며, 데이터라인(DL)에 데이터신호(Id)가 공급된다.During the first period, a third scan voltage is supplied to the nth gate line GLn, a second scan voltage is supplied to the n + 1th gate line GLn + 1, and a high level is supplied to the line of the supply voltage VDD. The level supply voltage VDD is supplied, and the data signal Id is supplied to the data line DL.

도 3a에 도시한 바와 같이, 상기 제n 게이트라인(GLn)으로 공급된 제3 스캔전압에 의해 제1 및 제2 박막트랜지스터들(TFT 1, TFT 2)이 턴온된다. 상기 데이터라인(DL)으로 공급된 데이터신호(Id)가 상기 제1 박막트랜지스터(TFT 1)를 경유하여 제1 노드(nd1)로 공급된다. 상기 제2 박막트랜지스터(TFT 2)가 턴온됨에 따라, 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극과 소오스전극이 공통 연결된다. 이에 따라, 상기 제1 노드(nd1)로 공급된 데이터신호(Id)에 상응하는 게이트전압이 상기 제2 노드(nd2)에 연결된 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정될 수 있다. 상기 데이터신호(Id)가 커질수록, 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정된 게이트전압은 커질 수 있다. 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정된 게이트전압은 상기 캐패시터(C)에 의해 유지될 수 있다.As shown in FIG. 3A, the first and second thin film transistors TFT 1 and TFT 2 are turned on by the third scan voltage supplied to the n-th gate line GLn. The data signal Id supplied to the data line DL is supplied to the first node nd1 via the first thin film transistor TFT 1. As the second thin film transistor TFT 2 is turned on, the gate electrode and the source electrode of the third thin film transistor TFT 3 are commonly connected. Accordingly, a gate voltage corresponding to the data signal Id supplied to the first node nd1 may be set at the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 connected to the second node nd2. . As the data signal Id increases, the gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 may increase. The gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 may be maintained by the capacitor C.

제2 구간 동안, 제n 게이트라인(GLn)에 제1 스캔전압이 공급되고, 제n+1 게이트라인(GLn+1)에 제3 스캔전압이 공급되고, 공급전압(VDD)의 라인에 하이 레벨의 공급전압이 공급되며, 상기 데이터라인(DL)에 데이터신호(Id)가 공급되지 않게 된다.During the second period, the first scan voltage is supplied to the nth gate line GLn, the third scan voltage is supplied to the n + 1th gate line GLn + 1, and the high level is supplied to the line of the supply voltage VDD. The level supply voltage is supplied, and the data signal Id is not supplied to the data line DL.

도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 제n 게이트라인(GLn)으로 공급된 상기 제1 스캔전압에 의해 제1 및 제2 박막트랜지스터들(TFT 1, TFT 2)이 턴오프된다. 이에 따라, 상기 제1 노드(nd1)로 데이터신호(Id)가 더 이상 공급되지 않게 되고, 상기 제2 박막트랜지스터(TFT 2)의 턴오프에 의해 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극과 소오스전극 사이가 단선되게 된다. 또한, 상기 공급전압(VDD)의 라인으로 하이 레벨의 공급전압이 공급되고, 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)으로 상기 공급전압(VDD)보다 높은 상기 제3 스캔전압이 공급되므로, 상기 유기발광다이오드(OLED)은 발광되지 않게 된다. 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 상기 게이트전극에 설정된 게이트전압은 그대로 유지되게 된다.As shown in FIG. 3B, the first and second thin film transistors TFT 1 and TFT 2 are turned off by the first scan voltage supplied to the n-th gate line GLn. Accordingly, the data signal Id is no longer supplied to the first node nd1, and the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 is turned off by turning off the second thin film transistor TFT 2. And the source electrode are disconnected. In addition, since a high level supply voltage is supplied to the line of the supply voltage VDD and the third scan voltage higher than the supply voltage VDD is supplied to the n + 1th gate line GLn + 1, The organic light emitting diode OLED does not emit light. The gate voltage set on the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 is maintained as it is.

제3 구간 동안, 제n 및 제n+1 게이트라인들(GLn, GLn+1)에 제1 스캔전압이 공급되고, 공급전압(VDD)의 라인에 하이 레벨의 공급전압이 공급된다. 따라서, 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 공급전압(VDD)의 라인으로 하이 레벨의 공급전압이 공급되고, 제n+1 게이트라인(GLn+1)으로 상기 공급전압(VDD)보다 낮은 상기 제1 스캔전압이 공급됨에 따라, 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정된 게이트전압에 상응하는 구동전류(IOLED)가 상기 유기발광다이오드(OLED)로 공급되어, 상기 유기발광다이오드(OLED)가 상기 구동전류(IOLED)에 상응하는 휘도의 광이 발광될 수 있다. During the third period, the first scan voltage is supplied to the nth and n + 1th gate lines GLn and GLn + 1 and the high level supply voltage is supplied to the line of the supply voltage VDD. Therefore, as shown in FIG. 3B, the high level supply voltage is supplied to the line of the supply voltage VDD, and the first voltage lower than the supply voltage VDD is supplied to the n + 1 gate line GLn + 1. As one scan voltage is supplied, a driving current I OLED corresponding to a gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 is supplied to the organic light emitting diode OLED, thereby providing the organic light emitting diode ( The OLED may emit light having a luminance corresponding to the driving current I OLED .

따라서, 본 실시예는 제3 박막트랜지스터의 드레인전극을 다음 단의 게이트라인에 연결시켜 줌으로써, 단위 화소에 공급전압의 라인이 배치되지 않게 되어 라인수 감소에 따른 비용 절감과 개구율 향상의 효과를 얻을 수 있다.Therefore, in the present embodiment, the drain electrode of the third thin film transistor is connected to the gate line of the next stage, so that the line of the supply voltage is not arranged in the unit pixel, thereby reducing the cost and improving the aperture ratio by reducing the number of lines. Can be.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단위 화소를 도시한 회로도이다.5 is a circuit diagram illustrating a unit pixel of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 제n 게이트라인(GLn)과 제n+1 게이트라인(GLn+1)이 평행하게 배치되고, 상기 제n 및 제n+1 게이트라인들(GLn, GLn+1)에 교차하여 데이터라인(DL)이 배치된다. 상기 제n 게이트라인(GLn)과 상기 데이터라인(DL)의 교차에 의해 단위 화소가 정의될 수 있다. Referring to FIG. 5, an nth gate line GLn and an nth + 1th gate line GLn + 1 are disposed in parallel, and are disposed on the nth and nth + 1th gate lines GLn and GLn + 1. The data lines DL are disposed to intersect. A unit pixel may be defined by the intersection of the nth gate line GLn and the data line DL.

제1 박막트랜지스터(TFT 1)는 게이트전극이 제n 게이트라인(GLn)에 연결되고, 소오스전극이 데이터라인(DL)에 연결되며, 드레인전극이 제1 노드(nd1)에 연결된다. 상기 제1 박막트랜지스터(TFT 1)는 상기 제n 게이트라인(GLn)으로 공급된 제3 스캔전압에 의해 턴온되어, 상기 데이터라인(DL)으로 공급된 데이터신호가 상기 제1 노드(nd1)로 공급될 수 있다. 상기 데이터신호는 정전류 신호일 수 있다.In the first thin film transistor TFT 1, a gate electrode is connected to the n-th gate line GLn, a source electrode is connected to the data line DL, and a drain electrode is connected to the first node nd1. The first thin film transistor TFT 1 is turned on by the third scan voltage supplied to the nth gate line GLn, so that the data signal supplied to the data line DL is transferred to the first node nd1. Can be supplied. The data signal may be a constant current signal.

제2 박막트랜지스터(TFT 2)는 게이트전극이 제n 게이트라인(GLn)에 연결되고, 소오스전극이 상기 데이터라인(DL)에 연결되며, 드레인전극이 상기 제2 노드(nd2)에 연결된다. 상기 제2 박막트랜지스터(TFT 2)는 상기 제n 게이트라인(GLn)으로 공급된 상기 제3 스캔전압에 의해 턴온되어, 상기 제1 및 제2 노드들(nd1, nd2) 사이를 전기적으로 쇼트시킬 수 있다. In the second thin film transistor TFT 2, a gate electrode is connected to the n-th gate line GLn, a source electrode is connected to the data line DL, and a drain electrode is connected to the second node nd2. The second thin film transistor TFT 2 is turned on by the third scan voltage supplied to the n-th gate line GLn to electrically short between the first and second nodes nd1 and nd2. Can be.

제3 박막트랜지스터(TFT 3)는 게이트전극이 제2 노드(nd2)에 연결되고, 소오스전극이 제1 노드(nd1)에 연결되며, 드레인전극이 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)에 연결된다. 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)는 상기 제1 박막트랜지스터(TFT 1)를 경유한 상기 데이터신호에 상응하는 게이트전압을 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정한다. 상기 게이트전압은 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 문턱전압보다 적어도 클 수 있다. 상기 게이트전압에 의해 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 소오스전극에서 드레인전극으로 데이터신호(Id)가 흐를 수 있다.The third thin film transistor TFT 3 has a gate electrode connected to the second node nd2, a source electrode connected to the first node nd1, and a drain electrode connected to the n + 1 gate line GLn + 1. Is connected to. The third thin film transistor TFT 3 sets a gate voltage corresponding to the data signal via the first thin film transistor TFT 1 to the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3. The gate voltage may be at least greater than the threshold voltage of the third thin film transistor TFT 3. The data signal Id may flow from the source electrode of the third thin film transistor TFT 3 to the drain electrode by the gate voltage.

캐패시터(C)는 상기 제2 노드(nd2)와 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1) 사이에 연결된다. 상기 캐패시터(C)는 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정된 게이트전압을 한 프레임 동안 유지시켜 준다.The capacitor C is connected between the second node nd2 and the n + 1 th gate line GLn + 1. The capacitor C maintains the gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 for one frame.

유기발광다이오드(OLED)는 아노드전극이 공급전압(VDD)의 라인에 연결되고 캐소드전극이 상기 제1 노드(nd1)에 연결된다. 상기 유기발광다이오드(OLED)는 공급전압(VDD)의 라인으로부터 상기 제1 노드(nd1)로 구동전류(IOLED)가 흐를 수 있다. In the organic light emitting diode OLED, an anode electrode is connected to the line of the supply voltage VDD, and a cathode electrode is connected to the first node nd1. In the organic light emitting diode OLED, a driving current I OLED may flow from the line of the supply voltage VDD to the first node nd1.

상기 제n 및 제n+1 게이트라인들(GLn, GLn+1) 각각에는 제1 내지 제3 스캔전압들이 공급될 수 있다. 상기 제1 스캔전압은 그라운드 전압이나 이보다 낮은 전압일 수 있다. 상기 제2 스캔전압은 상기 공급전압(VDD)의 라인으로 공급되는 공급전압(VDD)과 동일한 전압이거나 상기 공급전압(VDD)과 상기 유기발광다이오드(VDD) 사이의 차이값일 수 있다. 상기 제3 스캔전압은 적어도 상기 공급전압(VDD)보다 높은 전압일 수 있다.First to third scan voltages may be supplied to each of the n th and n th +1 th gate lines GLn and GLn + 1. The first scan voltage may be a ground voltage or a lower voltage. The second scan voltage may be the same voltage as the supply voltage VDD supplied to the line of the supply voltage VDD or may be a difference value between the supply voltage VDD and the organic light emitting diode VDD. The third scan voltage may be at least higher than the supply voltage VDD.

상기 제n 및 제n+1 게이트라인들(GLn, GLn+1) 각각에는 상기 제1, 제2 및 제3 스캔전압들의 순서로 공급될 수 있다. 상기 제 내지 제3 스캔전압들은 상기 제n 및 제n+1 게이트라인들(GLn, GLn+1) 사이에서 1 수평주기로 시프트된다. 이에 따라, 상기 제n 게이트라인(GLn)에 제2 스캔전압이 공급될 때, 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)에 제1 스캔전압이 공급될 있다. 또한, 상기 제n 게이트라인(GLn)에 제3 스캔전압이 공급될 때, 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)에 제2 스캔전압이 공급될 수 있다. Each of the nth and nth + 1 gate lines GLn and GLn + 1 may be supplied in the order of the first, second and third scan voltages. The third to third scan voltages are shifted by one horizontal period between the nth and nth + 1th gate lines GLn and GLn + 1. Accordingly, when the second scan voltage is supplied to the nth gate line GLn, the first scan voltage may be supplied to the n + 1th gate line GLn + 1. In addition, when a third scan voltage is supplied to the nth gate line GLn, a second scan voltage may be supplied to the n + 1th gate line GLn + 1.

도 4 내지 도 6b를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 구동을 상세히 설명한다.4 to 6B, the driving of the organic light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.

도 5의 유기전계발광 표시장치의 단위 화소는 3개의 구간, 즉 3 수평 구간(3H)에 의해 구동될 수 있다.The unit pixel of the organic light emitting display device of FIG. 5 may be driven by three sections, that is, three horizontal sections 3H.

제1 구간 동안, 제n 게이트라인(GLn)에 제3 스캔전압이 공급되고, 제n+1 게이트라인(GLn+1)에 제2 스캔전압이 공급되고, 공급전압(VDD)의 라인에 하이 레벨의 공급전압이 공급되며, 데이터라인(DL)에 데이터신호(Id)가 공급된다.During the first period, a third scan voltage is supplied to the nth gate line GLn, a second scan voltage is supplied to the n + 1th gate line GLn + 1, and a high level is supplied to the line of the supply voltage VDD. The level supply voltage is supplied, and the data signal Id is supplied to the data line DL.

도 6a에 도시한 바와 같이, 상기 제n 게이트라인(GLn)으로 공급된 제3 스캔전압에 의해 제1 및 제2 박막트랜지스터들(TFT 1, TFT 2)이 턴온된다. 상기 데이터라인(DL)으로 공급된 데이터신호(Id)가 상기 제1 박막트랜지스터(TFT 1)를 경유하여 제1 노드(nd1)로 공급되고, 상기 제2 박막트랜지스터(TFT 2)를 경유하여 제2 노드(nd2)로 공급된다. 이에 따라, 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극과 소오스전극이 공통 연결된다. 따라서, 상기 제1 노드(nd1)로 공급된 데이터신호(Id)에 상응하는 게이트전압이 상기 제2 노드(nd2)에 연결된 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정될 수 있다. 상기 데이터신호(Id)가 커질수록, 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정된 게이트전압은 커질 수 있다. 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정된 게이트전압은 상기 캐패시터(C)에 의해 유지될 수 있다.As shown in FIG. 6A, the first and second thin film transistors TFT 1 and TFT 2 are turned on by the third scan voltage supplied to the n-th gate line GLn. The data signal Id supplied to the data line DL is supplied to the first node nd1 via the first thin film transistor TFT 1, and is formed through the second thin film transistor TFT 2. It is supplied to two nodes nd2. Accordingly, the gate electrode and the source electrode of the third thin film transistor TFT 3 are commonly connected. Therefore, a gate voltage corresponding to the data signal Id supplied to the first node nd1 may be set at the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 connected to the second node nd2. As the data signal Id increases, the gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 may increase. The gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 may be maintained by the capacitor C.

제2 구간 동안, 제n 게이트라인(GLn)에 제1 스캔전압이 공급되고, 제n+1 게 이트라인(GLn+1)에 제3 스캔전압이 공급되고, 공급전압(VDD)의 라인에 하이 레벨의 공급전압이 공급되며, 상기 데이터라인(DL)에 데이터신호(Id)가 공급되지 않게 된다.During the second period, the first scan voltage is supplied to the nth gate line GLn, the third scan voltage is supplied to the n + 1 gate line GLn + 1, and the line of the supply voltage VDD is supplied. The high level supply voltage is supplied to the data line, and the data signal Id is not supplied to the data line DL.

도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 제n 게이트라인(GLn)으로 공급된 상기 제1 스캔전압에 의해 제1 및 제2 박막트랜지스터들(TFT 1, TFT 2)이 턴오프된다. 이에 따라, 상기 제1 노드(nd1)로 데이터신호(Id)가 더 이상 공급되지 않게 되고, 상기 제2 박막트랜지스터(TFT 2)의 턴오프에 의해 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극과 소오스전극 사이가 단선되게 된다. 또한, 상기 공급전압(VDD)의 라인으로 공급된 하이 레벨의 공급전압(VDD)과 상기 제n+1 게이트라인(GLn+1)으로 공급된 상기 제3 스캔전압이 동일한 전압을 가지므로, 상기 유기발광다이오드(OLED)에 어떠한 구동 전류도 흐르지 않게 되어 상기 유기발광다이오드(OLED)는 발광되지 않게 된다. 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 상기 게이트전극에 설정된 게이트전압은 그대로 유지되게 된다. As shown in FIG. 6B, the first and second thin film transistors TFT 1 and TFT 2 are turned off by the first scan voltage supplied to the n-th gate line GLn. Accordingly, the data signal Id is no longer supplied to the first node nd1, and the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 is turned off by turning off the second thin film transistor TFT 2. And the source electrode are disconnected. In addition, since the high level supply voltage VDD supplied to the line of the supply voltage VDD and the third scan voltage supplied to the n + 1 th gate line GLn + 1 have the same voltage, No driving current flows through the organic light emitting diode OLED so that the organic light emitting diode OLED does not emit light. The gate voltage set on the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 is maintained as it is.

제3 구간 동안, 제n 및 제n+1 게이트라인들(GLn, GLn+1)에 제1 스캔전압이 공급되고, 공급전압(VDD)의 라인에 하이 레벨의 공급전압이 공급된다. 따라서, 도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 공급전압(VDD)의 라인으로 하이 레벨의 공급전압이 공급되고, 제n+1 게이트라인(GLn+1)으로 상기 공급전압(VDD)보다 낮은 상기 제1 스캔전압이 공급됨에 따라, 상기 제3 박막트랜지스터(TFT 3)의 게이트전극에 설정된 게이트전압에 상응하는 구동전류(IOLED)가 상기 유기발광다이오드(OLED)로 공급되어, 상기 유기발광다이오드(OLED)가 상기 구동전류(IOLED)에 상응하는 휘도의 광이 발광될 수 있다. During the third period, the first scan voltage is supplied to the nth and n + 1th gate lines GLn and GLn + 1 and the high level supply voltage is supplied to the line of the supply voltage VDD. Therefore, as shown in FIG. 6B, the high level supply voltage is supplied to the line of the supply voltage VDD, and is lower than the supply voltage VDD to the n + 1 gate line GLn + 1. As one scan voltage is supplied, a driving current I OLED corresponding to a gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor TFT 3 is supplied to the organic light emitting diode OLED, thereby providing the organic light emitting diode ( The OLED may emit light having a luminance corresponding to the driving current I OLED .

따라서, 본 실시예는 제3 박막트랜지스터의 드레인전극을 다음 단의 게이트라인에 연결시켜 줌으로써, 단위 화소에 공급전압의 라인이 배치되지 않게 되어 라인수 감소에 따른 비용 절감과 개구율 향상의 효과를 얻을 수 있다.Therefore, in the present embodiment, the drain electrode of the third thin film transistor is connected to the gate line of the next stage, so that the line of the supply voltage is not arranged in the unit pixel, thereby reducing the cost and improving the aperture ratio by reducing the number of lines. Can be.

도 1은 종래의 유기전계발광 표시장치를 도시한 도면.1 is a view illustrating a conventional organic light emitting display device.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단위 화소를 도시한 회로도.2 is a circuit diagram illustrating a unit pixel of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b는 도 2의 유기전계발광 표시장치의 단위 화소의 구동 원리를 설명하는 도면.3A and 3B illustrate a driving principle of a unit pixel of the organic light emitting display device of FIG. 2.

도 4는 도 2의 유기전계발광 표시장치의 단위 화소를 구동하기 위한 파형도.4 is a waveform diagram for driving a unit pixel of the organic light emitting display device of FIG. 2;

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 단위 화소를 도시한 회로도.5 is a circuit diagram illustrating a unit pixel of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6a 및 도 6b는 도 5의 유기전계발광 표시장치의 단위 화소의 구동 원리를 설명하는 도면.6A and 6B illustrate driving principles of a unit pixel of the organic light emitting display device of FIG. 5.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

TFT: 박막트랜지스터 OLED:유기발광다이오드TFT: thin film transistor OLED: organic light emitting diode

C: 캐패시터 GL: 게이트라인C: Capacitor GL: Gate Line

DL: 데이터라인 VDD: 공급전압DL: Data line VDD: Supply voltage

Id: 데이터신호 IOLED: 구동전류Id: data signal I OLED : drive current

nd: 노드nd: node

Claims (13)

제n 게이트라인;An nth gate line; 상기 제n 게이트라인과 평행하게 배치된 제n+1 게이트라인;An n + 1th gate line disposed in parallel with the nth gate line; 상기 제n 게이트라인 및 상기 제n+1 게이트라인과 교차하도록 배치된 데이터라인;A data line arranged to intersect the nth gate line and the nth + 1 gate line; 상기 제n 게이트라인에 게이트전극이 연결되고, 상기 데이터라인에 소오스전극이 연결되며, 제1 노드에 드레인전극이 연결되는 제1 박막트랜지스터;A first thin film transistor having a gate electrode connected to the nth gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to a first node; 상기 제n 게이트라인에 게이트전극이 연결되고, 제2 노드에 소오스전극이 연결되며, 상기 제1 노드에 드레인전극이 연결되는 제2 박막트랜지스터;A second thin film transistor having a gate electrode connected to the nth gate line, a source electrode connected to a second node, and a drain electrode connected to the first node; 상기 제2 노드에 게이트전극이 연결되고, 상기 제1 노드에 소오스전극이 연결되며, 상기 제n+1 게이트라인에 드레인전극이 연결되는 제3 박막트랜지스터; 및A third thin film transistor having a gate electrode connected to the second node, a source electrode connected to the first node, and a drain electrode connected to the n + 1th gate line; And 공급전압 라인과 상기 제1 노드에 연결된 유기발광다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.And an organic light emitting diode connected to a supply voltage line and the first node. 제n 게이트라인;An nth gate line; 상기 제n 게이트라인과 평행하게 배치된 제n+1 게이트라인;An n + 1th gate line disposed in parallel with the nth gate line; 상기 제n 게이트라인 및 상기 제n+1 게이트라인과 교차하도록 배치된 데이터라인;A data line arranged to intersect the nth gate line and the nth + 1 gate line; 상기 제n 게이트라인에 게이트전극이 연결되고, 상기 데이터라인에 소오스전극이 연결되며, 제1 노드에 드레인전극이 연결되는 제1 박막트랜지스터;A first thin film transistor having a gate electrode connected to the nth gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to a first node; 상기 제n 게이트라인에 게이트전극이 연결되고, 상기 데이터라인에 소오스전극이 연결되며, 제2 노드에 드레인전극이 연결되는 제2 박막트랜지스터;A second thin film transistor having a gate electrode connected to the nth gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to a second node; 상기 제2 노드에 게이트전극이 연결되고, 상기 제1 노드에 소오스전극이 연결되며, 상기 n+1 게이트라인에 드레인전극이 연결되는 제3 박막트랜지스터; 및A third thin film transistor having a gate electrode connected to the second node, a source electrode connected to the first node, and a drain electrode connected to the n + 1 gate line; And 공급전압 라인과 상기 제1 노드에 연결된 유기발광다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.And an organic light emitting diode connected to a supply voltage line and the first node. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 노드와 상기 제n+1 게이트라인에 연결된 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.The organic light emitting display device as claimed in claim 1 or 2, further comprising a capacitor connected to the second node and the n + 1th gate line. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 n 게이트라인으로 제1 내지 제3 스캔전압들이 순차적으로 공급되고, 상기 제1 내지 제3 스캔전압의 순서로 전압이 높아지며, 상기 제2 스캔전압은 상기 공급전압 라인으로 공급된 공급전압과 동일한 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.3. The method of claim 1, wherein the first to third scan voltages are sequentially supplied to the n gate line, and the voltages are increased in the order of the first to third scan voltages. An organic light emitting display device having a voltage equal to a supply voltage supplied to a supply voltage line. 제4항에 있어서, 상기 제n 게이트라인으로 공급된 상기 제3 스캔전압에 의해 상기 제1 및 제2 게이트라인들이 턴온되고, 상기 제3 박막트랜지스터의 게이트전극과 소오스전극이 공통 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.The method of claim 4, wherein the first and second gate lines are turned on by the third scan voltage supplied to the nth gate line, and the gate electrode and the source electrode of the third thin film transistor are commonly connected. An organic light emitting display device. 제5항에 있어서, 상기 데이터라인으로 공급된 데이터신호에 상응하는 게이트전압이 상기 제3 박막트랜지스터의 상기 게이트전극에 설정되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.The organic light emitting display device according to claim 5, wherein a gate voltage corresponding to the data signal supplied to the data line is set at the gate electrode of the third thin film transistor. 제6항에 있어서, 상기 제n 및 제n+1 게이트라인들로 상기 제1 스캔전압이 공급되고, 상기 공급전압 라인으로 상기 공급전압이 공급될 때, 상기 제3 박막트랜지스터의 상기 게이트전극에 설정된 게이트전압에 상응하는 구동전류가 상기 유기발광다이오드로 공급되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.7. The gate electrode of claim 6, wherein the first scan voltage is supplied to the nth and n + 1th gate lines, and the supply voltage is supplied to the supply voltage line. And a driving current corresponding to a set gate voltage is supplied to the organic light emitting diode. 제n 게이트라인;An nth gate line; 상기 제n 게이트라인과 평행하게 배치된 제n+1 게이트라인;An n + 1th gate line disposed in parallel with the nth gate line; 상기 제n 게이트라인 및 상기 제n1 게이트라인과 배치된 데이터라인;A data line disposed with the nth gate line and the nth gate line; 상기 제n 게이트라인에 게이트전극이 연결되고, 상기 데이터라인에 소오스전극이 연결되며, 제1 노드에 드레인전극이 연결되는 제1 박막트랜지스터;A first thin film transistor having a gate electrode connected to the nth gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to a first node; 상기 제n 게이트라인에 게이트전극이 연결되고, 제2 노드에 소오스전극이 연결되며, 상기 제1 노드에 드레인전극이 연결되는 제2 박막트랜지스터;A second thin film transistor having a gate electrode connected to the nth gate line, a source electrode connected to a second node, and a drain electrode connected to the first node; 상기 제2 노드에 게이트전극이 연결되고, 상기 제1 노드에 소오스전극이 연결되며, 상기 제n+1 게이트라인에 드레인전극이 연결되는 제3 박막트랜지스터;및 A third thin film transistor having a gate electrode connected to the second node, a source electrode connected to the first node, and a drain electrode connected to the n + 1th gate line; and 공급전압 라인과 상기 제1 노드에 연결된 유기발광다이오드를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 구동 방법에 있어서, A driving method of an organic light emitting display device comprising a supply voltage line and an organic light emitting diode connected to the first node. 제1 구간 동안, 상기 제n 게이트라인으로 공급된 제3 스캔전압에 의해 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터들이 턴온되고, 상기 데이터라인으로 공급된 데이터신호에 상응하는 게이트전압을 상기 제3 박막트랜지스터의 게이트전극에 설정하는 단계;During the first period, the first and second thin film transistors are turned on by the third scan voltage supplied to the nth gate line, and the gate voltage corresponding to the data signal supplied to the data line is converted into the third thin film transistor. Setting to the gate electrode of the; 제2 구간 동안, 상기 제n 게이트라인으로 공급된 제1 스캔전압에 의해 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터들이 턴오프되고, 상기 공급전압라인으로 공급된 공급전압과 상기 제n+1 게이트라인으로 공급된 상기 제3 스캔전압에 의해 상기 제3 박막트랜지스터의 상기 게이트전극에 설정된 게이트전압을 유지하는 단계; 및During the second period, the first and second thin film transistors are turned off by the first scan voltage supplied to the nth gate line, and are supplied to the supply voltage supplied to the supply voltage line and the n + 1th gate line. Maintaining a gate voltage set to the gate electrode of the third thin film transistor by the supplied third scan voltage; And 제3 구간 동안, 상기 제n 및 제n+1 게이트라인들로 공급된 상기 제1 스캔전압에 의해 상기 제3 박막트랜지스터의 상기 게이트전극에 설정된 게이트전압에 상응하는 구동전류를 상기 유기발광다이오드로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동 방법.During the third period, a driving current corresponding to a gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor by the first scan voltage supplied to the nth and n + 1th gate lines is transferred to the organic light emitting diode. And supplying the organic light emitting display device. 제n 게이트라인;An nth gate line; 상기 제n 게이트라인과 평행하게 배치된 제n+1 게이트라인;An n + 1th gate line disposed in parallel with the nth gate line; 상기 제n 게이트라인 및 상기 제n+1 게이트라인과 교차하도록 배치된 데이터라인;A data line arranged to intersect the nth gate line and the nth + 1 gate line; 상기 제n 게이트라인에 게이트전극이 연결되고, 상기 데이터라인에 소오스전극이 연결되며, 제1 노드에 드레인전극이 연결되는 제1 박막트랜지스터;A first thin film transistor having a gate electrode connected to the nth gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to a first node; 상기 제n 게이트라인에 게이트전극이 연결되고, 상기 데이터라인에 소오스전극이 연결되며, 제2 노드에 드레인전극이 연결되는 제2 박막트랜지스터;A second thin film transistor having a gate electrode connected to the nth gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to a second node; 상기 제2 노드에 게이트전극이 연결되고, 상기 제1 노드에 소오스전극이 연결되며, 상기 n+1 게이트라인에 드레인전극이 연결되는 제3 박막트랜지스터;A third thin film transistor having a gate electrode connected to the second node, a source electrode connected to the first node, and a drain electrode connected to the n + 1 gate line; 공급전압 라인과 상기 제1 노드에 연결된 유기발광다이오드를 포함하는 유기전계발광 표시장치의 구동 방법에 있어서,A driving method of an organic light emitting display device comprising a supply voltage line and an organic light emitting diode connected to the first node. 제1 구간 동안, 상기 제n 게이트라인으로 공급된 제3 스캔전압에 의해 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터들이 턴온되고, 상기 데이터라인으로 공급된 데이터신호에 상응하는 게이트전압을 상기 제3 박막트랜지스터의 게이트전극에 설정하는 단계;During the first period, the first and second thin film transistors are turned on by the third scan voltage supplied to the nth gate line, and the gate voltage corresponding to the data signal supplied to the data line is converted into the third thin film transistor. Setting to the gate electrode of the; 제2 구간 동안, 상기 제n 게이트라인으로 공급된 상기 제1 스캔전압에 의해 상기 제1 및 제2 박막트랜지스터들이 턴오프되고, 상기 공급전압라인으로 공급된 공급전압과 상기 제n+1 게이트라인으로 공급된 상기 제3 스캔전압에 의해 상기 제3 박막트랜지스터의 상기 게이트전극에 설정된 게이트전압을 유지하는 단계; 및During the second period, the first and second thin film transistors are turned off by the first scan voltage supplied to the nth gate line, and the supply voltage supplied to the supply voltage line and the n + 1 th gate line are provided. Maintaining a gate voltage set to the gate electrode of the third thin film transistor by the third scan voltage supplied to the third thin film transistor; And 제3 구간 동안, 상기 제n 및 제n+1 게이트라인들로 공급된 상기 제1 스캔전압에 의해 상기 제3 박막트랜지스터의 상기 게이트전극에 설정된 게이트전압에 상응하는 구동전류를 상기 유기발광다이오드로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동 방법.During the third period, a driving current corresponding to a gate voltage set at the gate electrode of the third thin film transistor by the first scan voltage supplied to the nth and n + 1th gate lines is transferred to the organic light emitting diode. And supplying the organic light emitting display device. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1 구간 동안, 상기 공급전압 라인에는 하이 레벨의 공급전압이 공급되고, 상기 제n+1 게이트라인에는 제2 스캔전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동 방법.The method of claim 8, wherein, during the first period, the supply voltage line is supplied with a high level supply voltage, and the n + 1 gate line is supplied with a second scan voltage. A method of driving an electroluminescent display. 제10항에 있어서, 상기 제2 스캔전압은 상기 하이 레벨의 공급전압과 동일한 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동 방법.The method of claim 10, wherein the second scan voltage has the same voltage as that of the high level supply voltage. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제2 구간 동안, 상기 공급전압 라인에는 하이 레벨의 공급전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동 방법.10. The method of claim 8 or 9, wherein, during the second period, the supply voltage line is supplied with a high level supply voltage. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제3 구간 동안, 상기 공급전압 라인에는 하이 레벨의 공급전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 구동 방법.10. The method of claim 8 or 9, wherein, during the third period, the supply voltage line is supplied with a high level supply voltage.
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