KR101373406B1 - display device and a method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

얼라인 키(align mark)을 구비한 유연한 표시 장치 및 그 제조 방법이 개재된다. 본 발명에 따른 표시 장치는, 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 주변에 비액티브 영역을 갖는 제 1 기판과 상기 액티브 영역에 형성된 표시 소자와 상기 비액티브 영역에 형성되며, 상기 제 1 기판을 관통하는 홀 패턴으로 이루어진 제 1 얼라인 키와 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판, 및 상기 제 2 기판 상에 형성되며, 상기 제 1 얼라인 키와 정렬되는 제 2 얼라인 키를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이로써, 본 발명은 플렉서블 표시 장치에서, 적어도 한 기판이 불투명한 기판일 경우 제 1 및 제 2 기판의 합착 정렬이 잘 이루어지는 장점이 있다.A flexible display device having an align mark and a method of manufacturing the same are provided. A display device according to the present invention includes a first substrate having an active region and an inactive region around the active region, a display element formed in the active region, and a hole formed in the inactive region and passing through the first substrate. And a second alignment key formed of a pattern, a second substrate facing the first substrate, and a second alignment key formed on the second substrate and aligned with the first alignment key. do. Accordingly, in the flexible display device, when the at least one substrate is an opaque substrate, the bonding alignment of the first and second substrates is well performed.

플렉서블, 얼라인 키, 홀 패턴 Flexible, Align Key, Hole Pattern

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{display device and a method for manufacturing the same}Display device and a method for manufacturing the same

도 1은 본 발명에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도.1 is a plan view showing a display device according to the present invention.

도 2a는 본 발명에 따른 표시 장치의 제 1 기판의 제 1 얼라인 키를 보여주는 부분 평면도.2A is a fragmentary plan view showing a first alignment key of a first substrate of a display device according to the present invention;

도 2b는 본 발명에 따른 표시 장치의 제 2 기판의 제 2 얼라인 키를 보여주는 부분 평면도.2B is a partial plan view showing a second alignment key of a second substrate of the display device according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 표시 장치에서, 도 2a 및 도 2b의 제 1 및 제 2 얼라인 키를 정렬시킨 얼라인 키를 보여주는 평면도.3 is a plan view illustrating an alignment key in which the first and second alignment keys of FIGS. 2A and 2B are aligned in the display device according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 플렉서블 표시 장치를 보여주는 단면도.4 is a cross-sectional view illustrating a flexible display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 플렉서블 표시 장치에서, 제 1 기판의 제 1 얼라인 키를 형성하는 순서를 보여주는 부분 단면도들.5A through 5E are partial cross-sectional views illustrating a procedure of forming a first alignment key of a first substrate in the flexible display device according to the present invention.

도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 플렉서블 표시 장치에서, 제 2 기판의 제 2 얼라인 키의 실시예들을 보여주는 단면도들.6 to 8 are cross-sectional views illustrating embodiments of a second alignment key of a second substrate in the flexible display device according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>Description of the Related Art [0002]

100 : 표시 장치 110 : 제 1 기판100 display device 110 first substrate

111 : 게이트 전극 112 : 게이트 절연막111 gate electrode 112 gate insulating film

114 : 반도체층 115 : 소스 전극114: semiconductor layer 115: source electrode

116 : 드레인 전극 117 : 보호막116: drain electrode 117: protective film

118 : 드레인 콘택홀 119 : 화소 전극118: drain contact hole 119: pixel electrode

120 : 제 2 기판 121 : 광차단층120: second substrate 121: light blocking layer

123 : 컬러필터 패턴 125 : 공통 전극층123: color filter pattern 125: common electrode layer

160 : 얼라인 키 160a : 제 1 얼라인 키160: alignment key 160a: first alignment key

160b : 제 2 얼라인 키 161 : 홀 패턴160b: second alignment key 161: hole pattern

162, 221, 223 : 패턴 162, 221, 223: pattern

본 발명은 얼라인 키(align key)를 구비한 유연한 표시 장치(display device) 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible display device having an alignment key and a method of manufacturing the same.

정보화 사회가 발전함에 따라 근래에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel: PDP), 전기발광 표시 장치(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔다.With the development of the information society, in recent years, there have been various liquid crystal display devices (LCDs), plasma display panels (PDPs), electroluminescent displays (VFDs), and vacuum fluorescent displays (VFDs). Flat panel display devices have been studied.

그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 장점으로 인하여 이동형 화상 표시장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)를 대체하면서 액정 표시 장 치가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비전, 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.Among them, the liquid crystal display is the most widely used as a substitute for the CRT (Cathode Ray Tube) for mobile image display because of the excellent image quality, light weight, thinness and low power consumption. In addition to the use of the present invention, a variety of applications such as a television, a computer monitor, and the like for receiving and displaying broadcast signals have been developed.

최근에는 평판표시장치를 전자종이(Electronic Sheet), 암밴드(Arm Band), 지갑, 노트북 컴퓨터 등의 휴대성 제품에 채용하고자 하는 요구에 따라, 유연성(flexibility)을 가진 표시장치의 개발이 진행되고 있다. Recently, in accordance with the demand for adopting a flat panel display device for portable products such as electronic sheets, arm bands, wallets, notebook computers, and the like, development of a display device having flexibility has been in progress. .

이와 같은 전자종이, 암밴드, 지갑, 노트북 컴퓨터, 이-북(E-book) 등과 같이 휴대성 제품에 탑재되는 표시 장치는 외부로부터 가해지는 힘에 순응하여 휘어질 수 있도록 유연한 특성을 가져야 한다.Such display devices mounted on portable products such as electronic papers, arm bands, wallets, notebook computers, and e-books should have flexible characteristics so that they can bend in response to external forces.

따라서, 상기 표시 장치는 구부러질 수 있는 플렉서블(flexible) 기판으로 이루어져야 한다.Therefore, the display device should be made of a flexible substrate that can be bent.

이와 같이, 유연성을 구비한 표시장치는 유기 전계 발광 표시장치(OLED), 액정표시장치(LCD), 전계 방출 표시장치(FED) 등이 해당될 수 있으며, 특히 유기 전계 발광 표시장치가 가장 유연한 기판을 사용할 수 있는 것으로 알려져 있다. As such, the flexible display device may be an organic light emitting display (OLED), a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), or the like. In particular, the organic light emitting display is the most flexible substrate. It is known that can be used.

상기 플렉서블 기판은 투명한 플라스틱, 얇은 유리기판 등이 사용될 수 있으며, 상기 플렉서블 기판은 불투명한 금속기판이 사용될 수도 있다.The flexible substrate may be a transparent plastic, a thin glass substrate, or the like, and the flexible substrate may be an opaque metal substrate.

일반적으로, 표시장치는 여러가지 용도의 얼라인 키(align key)들을 구비하고 있는데, 예를 들어, 하부 기판 상에 박막 트랜지스터 형성시에 포토 마스크와 하부 기판을 정 위치에 정렬시키기 위한 얼라인 키, 상부 기판과 하부 기판을 서로 합착시키기 위한 얼라인 키 등이 있다.In general, the display device includes alignment keys for various purposes, for example, an alignment key for aligning a photomask and a lower substrate in a position when forming a thin film transistor on the lower substrate, And an alignment key for bonding the upper substrate and the lower substrate to each other.

상기와 같은 얼라인 키는 화면을 생성시키지 않는 비액티브 영역에서 적어도 한 군데 이상의 위치에서 형성된다. Such an align key is formed at at least one position in an inactive area that does not generate a screen.

그런데 상기 플렉서블 기판이 금속기판과 같이 불투명한 기판으로 이루어질 경우 상기 상부 기판과 상기 하부 기판의 정렬이 어려운 문제점이 있다.However, when the flexible substrate is made of an opaque substrate such as a metal substrate, it is difficult to align the upper substrate and the lower substrate.

일반적으로 상기 기판 상에 형성된 얼라인 키를 인식하는 방법은 광원 예를 들어 헬륨-네온 레이저(He-Ne laser), LED(light emitting diode) 등을 이용하여 인식하는 방법을 이용한다. 상기 광원으로부터 발생된 광은 상기 기판의 얼라인 키에서 반사되거나 투과됨으로써 발생된 신호를 검출함으로써 정렬 장비는 상기 얼라인 키를 인식하게 된다.In general, a method of recognizing an alignment key formed on the substrate may be performed by using a light source, for example, a helium-neon laser, a light emitting diode (LED), or the like. The light generated from the light source is reflected or transmitted from the alignment key of the substrate to detect a signal generated so that the alignment equipment recognizes the alignment key.

예를 들어, 상기 기판에서는 광이 투과됨으로써 발생되는 신호를 검출하고 상기 얼라인 키에서는 광이 반사됨으로써 발생되는 신호를 검출하여 얼라인 키의 위치를 정확하게 검출해 낼 수 있다.For example, the position of the alignment key may be accurately detected by detecting a signal generated by light transmission on the substrate and a signal generated by light reflection on the alignment key.

그러나, 현재 상기 정렬 장비는 투명한 유리 기판 상에 형성된 얼라인 키를 인식하도록 설정되어 있으므로 상기 기판이 불투명한 기판일 경우 상기 기판에서도 광이 반사되고 상기 얼라인 키에서도 광이 반사된다. 따라서, 상기 반사되는 광으로 검출된 신호로부터 상기 기판과 상기 얼라인 키를 정확하게 구별하기가 어렵다.However, the alignment equipment is currently set to recognize the alignment key formed on the transparent glass substrate, so that when the substrate is an opaque substrate, the light is reflected on the substrate and the light is reflected on the alignment key. Therefore, it is difficult to accurately distinguish the substrate and the alignment key from the signal detected by the reflected light.

특히, 상기 기판이 금속 기판과 같이 불투명한 기판일 경우 상기 기판 상에 배리어막을 형성하고 상기 배리어막 상에 박막 트랜지스터 등의 표시 소자를 형성하기 때문에 상기 기판의 광 반사율은 현저히 떨어지게 된다. 따라서, 상기 기판과 상기 얼라인 키로부터 발생되는 신호는 더욱 구별하기가 어려워 상기 정렬 장비의 얼라인 키 인식률이 저하되는 문제점이 있다.In particular, when the substrate is an opaque substrate such as a metal substrate, since a barrier film is formed on the substrate and a display element such as a thin film transistor is formed on the barrier film, the light reflectance of the substrate is significantly reduced. Therefore, the signal generated from the substrate and the alignment key is more difficult to distinguish, and thus there is a problem in that the alignment key recognition rate of the alignment device is lowered.

본 발명은 표시 장치의 비액티브 영역에서 플렉서블 기판을 관통하는 얼라인 키를 형성함으로써 상, 하판의 정렬이 잘 이루어질 수 있도록 하는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a display device and a method of manufacturing the same, by forming an alignment key that penetrates through a flexible substrate in an inactive region of the display device so that the upper and lower plates can be aligned.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 표시 장치는, 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 주변에 비액티브 영역을 갖는 제 1 기판; 상기 액티브 영역에 형성된 표시 소자; 상기 비액티브 영역에 형성되며, 상기 제 1 기판을 관통하는 홀 패턴으로 이루어진 제 1 얼라인 키; 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판; 및 상기 제 2 기판 상에 형성되며, 상기 제 1 얼라인 키와 정렬되는 제 2 얼라인 키를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including: a first substrate having an active area and an inactive area around the active area; A display element formed in the active region; A first alignment key formed in the inactive region and having a hole pattern penetrating the first substrate; A second substrate facing the first substrate; And a second alignment key formed on the second substrate and aligned with the first alignment key.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 주변에 비액티브 영역을 갖는 제 1 기판을 준비하는 단계; 상기 비액티브 영역에 홀 패턴으로 이루어진 제 1 얼라인 키를 형성하는 단계; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판 상에 제 2 얼라인 키를 형성하는 단계; 및 상기 제 1 얼라인 키 및 상기 제 2 얼라인 키를 정렬하여 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device, including: preparing a first substrate having an active region and an inactive region around the active region; Forming a first alignment key having a hole pattern in the inactive region; Forming a second alignment key on a second substrate facing the first substrate; And aligning the first align key and the second align key to bond the first substrate and the second substrate together.

이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 표시 장치에 대해서 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에서 사용하는 '제 1~', '제 2~' 과 같은 용어는 각각 선택적으로 또는 교환적으로 사용될 수 있으며 꼭 그 순서대로 형성되는 것을 의미하지는 않는다.The terms 'first to' and 'second to' used in the present invention may be used selectively or interchangeably, respectively, and do not necessarily mean being formed in that order.

또한, 본 발명에서 구조물과 기준이 되는 기판과의 관계에 있어서, '~ 상에', '~ 상부에', '~ 하에', '~ 하부에' 와 같이 위치 관계를 나타내는 용어는, 그 구조물이 기판과 직접 접촉하여 형성될 수도 있으며 집적 접촉하지 않는다 하더라도 그 위치 관계를 만족하는 범위에서 충분히 적용될 수 있다.In addition, in the present invention, in the relationship between the structure and the substrate as a reference, the terms indicating the positional relationship such as 'on', 'up', 'under', 'under' The substrate may be formed in direct contact with the substrate and may be sufficiently applied in a range that satisfies its positional relationship even when not in integrated contact.

도 1은 본 발명에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도이고, 도 2a는 본 발명에 따른 표시 장치의 제 1 기판의 제 1 얼라인 키를 보여주는 부분 평면도이고, 도 2b는 본 발명에 따른 표시 장치의 제 2 기판의 제 2 얼라인 키를 보여주는 부분 평면도이다.1 is a plan view showing a display device according to the present invention, FIG. 2A is a partial plan view showing a first alignment key of a first substrate of the display device according to the present invention, and FIG. 2B is a first view of the display device according to the present invention. A partial plan view showing a second alignment key of a second substrate.

한편, 도 3은 본 발명에 따른 표시 장치에서, 도 2a 및 도 2b의 제 1 및 제 2 얼라인 키를 정렬시킨 얼라인 키를 보여주는 평면도이다.3 is a plan view illustrating an alignment key in which the first and second alignment keys of FIGS. 2A and 2B are aligned in the display device according to the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 표시 장치(100)는 사용자에게 이미지를 제공하는 액티브 영역(active area, AA)과 상기 액티브 영역(AA)의 주변 영역인 비액티브 영역(non-active area, NA)으로 정의된다.As shown in FIG. 1, the display device 100 includes an active area AA that provides an image to a user and a non-active area NA that is a peripheral area of the active area AA. Is defined.

상기 표시 장치(100)는 사용자에 의해 유연하게 휘어질 수 있으며, 상기 표시 장치(100)는 유연한 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(120)이 대향 합착되어 형성된 다.The display device 100 may be flexibly bent by a user, and the display device 100 may be formed by opposing and bonding the flexible first and second substrates 110 and 120.

본 발명에 따른 플렉서블 표시 장치(100)의 얼라인 키(160)는 상기 비액티브 영역(NA)의 적어도 한 군데 이상의 위치에 형성된다.The alignment key 160 of the flexible display device 100 according to the present invention is formed at at least one position of the inactive area NA.

도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 얼라인 키(160)는 상기 제 1 기판(110)의 비액티브 영역(NA)에 형성된 제 1 얼라인 키(160a)와 상기 제 2 기판(120)의 비액티브 영역(NA)에 형성된 제 2 얼라인 키(160b)로 이루어진다.As shown in FIGS. 2A and 2B, the alignment key 160 may include the first alignment key 160a and the second substrate 120 formed in the inactive area NA of the first substrate 110. It consists of a second alignment key 160b formed in the inactive region NA.

상기 중첩된 제 1 얼라인 키(160a)와 제 2 얼라인 키(160b)로부터 신호를 검출하여 상기 제 1 기판(110)과 상기 제 2 기판(120)의 합착 시에 정렬이 잘 이루어졌는지 판단할 수 있다.Detecting a signal from the overlapped first align key 160a and the second align key 160b to determine whether the alignment is well performed when the first substrate 110 and the second substrate 120 are bonded together. can do.

이때, 상기 제 1 기판(110)은 불투명한 기판으로 이루어지며, 상기 제 1 기판(110)은 휘는 특성을 가지는 금속기판일 수 있다.In this case, the first substrate 110 may be made of an opaque substrate, and the first substrate 110 may be a metal substrate having a bending property.

상기 제 1 기판(110)에 형성된 상기 제 1 얼라인 키(160a)는 상기 제 1 기판(110)을 관통하여 형성된 홀 패턴(161)으로 이루어진다.The first alignment key 160a formed on the first substrate 110 includes a hole pattern 161 formed through the first substrate 110.

상기 제 2 기판(120)은 상기 제 1 얼라인 키(160a)와 대응하여 소정의 패턴들로 이루어진 제 2 얼라인 키(160b)가 형성된다.The second substrate 120 has a second alignment key 160b formed of predetermined patterns in correspondence with the first alignment key 160a.

상기 제 2 얼라인 키(160b)는 상기 제 2 기판(120)에 형성되는 여러 가지 필름의 패턴(162)으로 형성할 수 있다.The second alignment key 160b may be formed as a pattern 162 of various films formed on the second substrate 120.

상기 제 2 기판(120)에 형성되는 여러가지 필름의 예들로는 광차단막층(예를 들어, 블랙 매트릭스 등), 컬러필터 패턴, 오버코트층, 공통전극층 등이 있다.Examples of various films formed on the second substrate 120 include light blocking layers (eg, black matrices), color filter patterns, overcoat layers, and common electrode layers.

본 발명은 플렉서블 표시 장치에서, 불투명한 기판에 형성된 얼라인 키를 상 기 불투명한 기판을 관통하는 홀 패턴으로 형성함으로써 상기 얼라인 키의 인식률을 높인다.In the flexible display device, the alignment key formed on the opaque substrate is formed in a hole pattern penetrating the opaque substrate to increase the recognition rate of the alignment key.

본 발명은 플렉서블 표시 장치에서 홀 패턴으로 이루어진 제 1 얼라인 키를 갖는 제 1 기판과 상기 얼라인 키와 대응하는 제 2 얼라인 키를 갖는 제 2 기판을 정확하게 정렬하여 합착함으로써 제품에 대한 신뢰도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, reliability of a product is improved by accurately aligning and bonding a first substrate having a first alignment key having a hole pattern and a second substrate having a second alignment key corresponding to the alignment key in the flexible display device. Can be improved.

도 4는 본 발명에 따른 플렉서블 표시 장치를 보여주는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a flexible display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 유연한 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(120)이 대향 합착하여 형성된다.As illustrated in FIG. 4, the display device 100 according to the exemplary embodiment of the present invention is formed by opposing and bonding the flexible first and second substrates 110 and 120.

상기 제 1 기판(110) 및 상기 제 2 기판(120)은 플렉서블 기판으로서, 예를 들어, 금속기판, 플라스틱 중 하나일 수 있다.The first substrate 110 and the second substrate 120 may be a flexible substrate, for example, one of a metal substrate and a plastic.

바람직하게는, 상기 제 1 기판(110)은 불투명한 플렉서블 기판으로 이루어진다.Preferably, the first substrate 110 is made of an opaque flexible substrate.

예를 들어, 상기 불투명한 플렉서블 기판은 스테인레스 스틸(stainless steel) 기판, 금속박(metal foil), 철(Fe)을 포함하는 기판 등의 금속 기판일 수 있다.For example, the opaque flexible substrate may be a metal substrate such as a stainless steel substrate, a metal foil, or a substrate including iron (Fe).

상기 제 1 기판(110) 상의 액티브 영역(AA)에 게이트 배선(도시되지 않음)이 형성되며, 상기 게이트 배선은 게이트 전극(111)을 포함한다.A gate wiring (not shown) is formed in the active region AA on the first substrate 110, and the gate wiring includes a gate electrode 111.

상기 게이트 배선(111)이 형성된 상기 제 1 기판(110)의 전면에 게이트 절연막(112)을 형성한다.A gate insulating layer 112 is formed on the entire surface of the first substrate 110 on which the gate wiring 111 is formed.

상기 게이트 절연막(112)은 예를 들어, 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산 화막(SiOx)으로 이루어진다.The gate insulating layer 112 is formed of, for example, a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOx).

상기 게이트 전극(111)에 대응하여 상기 게이트 절연막(112) 상에 반도체층(114)이 형성된다.The semiconductor layer 114 is formed on the gate insulating layer 112 corresponding to the gate electrode 111.

상기 반도체층(114)은 제 1 반도체층(114a) 및 상기 제 1 반도체층(114a)의 일측과 타측에 각각 형성되어 서로 이격된 제 2 반도체층(114b)으로 이루어진다.The semiconductor layer 114 includes a first semiconductor layer 114a and a second semiconductor layer 114b formed on one side and the other side of the first semiconductor layer 114a and spaced apart from each other.

상기 제 1 반도체층(114a)은 비정질 실리콘(amorphous silicon : 이하, a-Si)으로 이루어지며, 상기 제 2 반도체층(114b)은 n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 실리콘(이하, n+a-Si)으로 이루어진다.The first semiconductor layer 114a is made of amorphous silicon (a-Si), and the second semiconductor layer 114b is made of amorphous silicon (hereinafter, n + a) doped with a high concentration of n-type impurities. -Si).

상기 제 1 기판(110) 상에 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선(도시하지 않음)이 형성된다.A data line (not shown) defining a pixel area is formed on the first substrate 110 to cross the gate line.

상기 데이터 배선은 상기 제 2 반도체층(114b) 상에 접촉된 소스 전극(115) 및 드레인 전극(116)을 포함한다.The data line includes a source electrode 115 and a drain electrode 116 in contact with the second semiconductor layer 114b.

상기 데이터 배선과 상기 소스 및 드레인 전극(114, 115)은 동일한 금속 물질로 이루어지며, 한번의 공정을 통해 동시에 형성된다.The data line and the source and drain electrodes 114 and 115 are made of the same metal material and are simultaneously formed through one process.

상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극(114, 115)은 서로 소정 간격 이격되어 상기 소스 전극(114) 및 상기 드레인 전극(115) 사이에서 상기 제 1 반도체층(114a)을 노출시킨다.The source electrode and the drain electrodes 114 and 115 are spaced apart from each other by a predetermined interval to expose the first semiconductor layer 114a between the source electrode 114 and the drain electrode 115.

상기 게이트 전극(111), 게이트 절연막(112), 반도체층(114), 소스 전극(115) 및 드레인 전극(116)은 박막 트랜지스터(TFT)를 구성하며, 상기 화소 영역에 적어도 하나 이상 배치되어 있다.The gate electrode 111, the gate insulating layer 112, the semiconductor layer 114, the source electrode 115, and the drain electrode 116 constitute a thin film transistor TFT, and are disposed in at least one pixel area. .

상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 제 1 기판(110) 상에 보호막(117)이 형성된다.The passivation layer 117 is formed on the first substrate 110 on which the thin film transistor is formed.

상기 보호막(117)은 상기 드레인 전극(116)의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(118)을 포함한다.The passivation layer 117 includes a drain contact hole 118 exposing a portion of the drain electrode 116.

상기 보호막(117) 상의 상기 화소 영역에는 화소 전극(119)이 형성되어 있으며, 상기 화소 전극(119)은 상기 드레인 콘택홀(118)을 통하여 상기 드레인 전극(116)과 접속된다.A pixel electrode 119 is formed in the pixel area on the passivation layer 117, and the pixel electrode 119 is connected to the drain electrode 116 through the drain contact hole 118.

상기 비액티브 영역(NA)에는 상기 보호막(117), 상기 게이트 절연막(112) 및 상기 제 1 기판(110)을 관통하는 홀 패턴(161)이 형성되어 제 1 얼라인 키(160a)를 구성한다.A hole pattern 161 penetrating through the passivation layer 117, the gate insulating layer 112, and the first substrate 110 is formed in the inactive region NA to form a first alignment key 160a. .

상기 제 1 얼라인 키(160a)는 상기 제 1 기판(110)의 배면까지 관통되어 형성되므로 상기 홀 패턴(161)의 깊이는 상기 보호막(117), 상기 게이트 절연막(112) 및 상기 제 1 기판(110)의 두께와 동일하다.Since the first alignment key 160a is formed to penetrate to the rear surface of the first substrate 110, the depth of the hole pattern 161 may be defined by the passivation layer 117, the gate insulating layer 112, and the first substrate. It is equal to the thickness of 110.

따라서, 상기 제 1 기판(110)이 불투명한 기판일 경우 상기 제 1 기판(110)으로 조사되는 광 또는 전기 신호는 상기 제 1 기판(110)에서 반사되거나 흡수되나, 상기 제 1 기판(110)의 상기 제 1 얼라인 키(160a)로 조사되는 광 또는 전기 신호는 그대로 투과된다.Therefore, when the first substrate 110 is an opaque substrate, light or electric signals emitted to the first substrate 110 are reflected or absorbed from the first substrate 110, but the first substrate 110 The light or electric signal irradiated with the first alignment key 160a of the light is transmitted as it is.

상기 제 1 기판(110)과 대향하는 제 2 기판(120) 상에는 컬러필터 패턴(123) 및 광차단층(121)이 형성되어 있다.The color filter pattern 123 and the light blocking layer 121 are formed on the second substrate 120 facing the first substrate 110.

상기 광차단층(121)은 예를 들어, 광을 흡수 또는 차단하는 블랙 매트릭스 등이 있다.The light blocking layer 121 may be, for example, a black matrix that absorbs or blocks light.

상기 컬러필터 패턴(123)은 상기 화소 영역과 대응하는 영역에 형성되며, 상기 광차단층(121)은 상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막 트랜지스터 영역 등과 대응하는 영역에 형성된다.The color filter pattern 123 is formed in a region corresponding to the pixel region, and the light blocking layer 121 is formed in a region corresponding to the gate wiring, the data wiring, the thin film transistor region, and the like.

상기 컬러필터 패턴(123) 및 상기 광차단층(121)이 형성된 상기 제 2 기판(120) 전면에 오버코트층이 더 형성될 수도 있다.An overcoat layer may be further formed on the entire surface of the second substrate 120 on which the color filter pattern 123 and the light blocking layer 121 are formed.

상기 제 2 기판(120) 전면에는 공통 전극층(125)이 더 형성될 수도 있다.The common electrode layer 125 may be further formed on the entire surface of the second substrate 120.

상기 공통 전극층(125)은 투명한 도전성 전극 물질로 이루어지며, 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide), 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함한다.The common electrode layer 125 is made of a transparent conductive electrode material and includes at least one selected from the group consisting of indium tin oxide and indium zinc oxide.

상기 제 2 기판(120)의 비액티브 영역(NA)에는 상기 제 1 얼라인 키(160a)와 대응하여 패턴(162)으로 이루어진 제 2 얼라인 키(160b)가 형성된다.A second alignment key 160b formed of a pattern 162 is formed in the inactive area NA of the second substrate 120 to correspond to the first alignment key 160a.

상기 패턴(162)은 상기 컬러필터 패턴(123) 형성시에 동일 물질로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 패턴(162)은 상기 광차단층(121) 형성시에 동일 물질로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 패턴(162)은 상기 오버코트층 형성시에 동일 물질로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 패턴(162)은 상기 공통 전극층(125) 형성시에 동일 물질로 형성될 수 있다.The pattern 162 may be formed of the same material when the color filter pattern 123 is formed. Alternatively, the pattern 162 may be formed of the same material when the light blocking layer 121 is formed. Alternatively, the pattern 162 may be formed of the same material when the overcoat layer is formed. Alternatively, the pattern 162 may be formed of the same material when the common electrode layer 125 is formed.

한편, 도시되지는 않았으나, 상기 제 1 기판(110)은 기판의 평탄화를 위하여 보호막(117)과 화소 전극(119) 사이에 형성되는 유기막을 더 포함할 수 있다.Although not shown, the first substrate 110 may further include an organic layer formed between the passivation layer 117 and the pixel electrode 119 to planarize the substrate.

본 발명에 따른 표시 장치의 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(120)은 플렉서블 기판을 사용한다.The first substrate 110 and the second substrate 120 of the display device according to the present invention use a flexible substrate.

본 발명에 따른 표시 장치의 제 1 기판(112)은 불투명한 기판일 수 있으며, 상기 제 2 기판(120)은 투명한 기판일 수 있다.The first substrate 112 of the display device according to the present invention may be an opaque substrate, and the second substrate 120 may be a transparent substrate.

본 발명은 플렉서블 표시 장치(100)에서, 적어도 한 기판이 불투명한 기판일 경우 제 1 및 제 2 기판(110, 120) 합착시 정렬이 잘 이루어진다.According to the present invention, when the at least one substrate is an opaque substrate, the flexible display device 100 performs alignment when the first and second substrates 110 and 120 are bonded together.

본 발명은 플렉서블 표시 장치에서 합착 오정렬에 의한 불량을 방지하고 제품에 대한 신뢰도를 향상시킬 수 있다.The present invention can prevent defects due to adhesion misalignment and improve reliability of a product in a flexible display device.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 플렉서블 표시 장치에서, 제 1 기판의 제 1 얼라인 키를 형성하는 순서를 보여주는 부분 단면도들이다.5A through 5E are partial cross-sectional views illustrating a procedure of forming a first alignment key of a first substrate in the flexible display device according to the present invention.

도 5a에 도시된 바와 같이, 비액티브 영역(NA)은 제 1 기판(110) 상에 게이트 절연막(112), 보호막(117)이 순서대로 적층되어 있다.As shown in FIG. 5A, the gate insulating layer 112 and the protective layer 117 are sequentially stacked on the first substrate 110 in the inactive region NA.

상기 제 1 기판(110) 상에 상기 게이트 절연막(112) 및 보호막(117) 중 어느 하나만 형성될 수도 있고, 상기 보호막(117) 상에 절연막이 더 형성될 수도 있다.Only one of the gate insulating layer 112 and the passivation layer 117 may be formed on the first substrate 110, and an insulating layer may be further formed on the passivation layer 117.

도시되지는 않았으나, 상기 제 1 기판(110)의 액티브 영역(AA)에는 게이트 배선들과 데이터 배선들이 교차되어 다수의 화소 영역들이 정의되고, 상기 화소 영역에는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.Although not shown, a plurality of pixel regions are defined by crossing gate lines and data lines in the active region AA of the first substrate 110, and a thin film transistor is formed in the pixel region.

도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 기판(110) 상에 포토 레지스트 패턴(130)을 형성한다.As shown in FIG. 5B, a photoresist pattern 130 is formed on the first substrate 110.

상기 포토 레지스트 패턴(130)은 제 1 얼라인 키가 형성되는 영역과 대응하는 보호막(117)을 노출시키킨다.The photoresist pattern 130 exposes the passivation layer 117 corresponding to the region where the first alignment key is formed.

도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 포토 레지스트 패턴(130)을 마스크로 사용하여 노출된 보호막(117)과 게이트 절연막(112)을 식각하여 예비 홀 패턴(163)을 형성한다.As illustrated in FIG. 5C, the preliminary hole pattern 163 is formed by etching the exposed passivation layer 117 and the gate insulating layer 112 using the photoresist pattern 130 as a mask.

이후, 도 5d에 도시된 바와 같이, 식각된 상기 보호막(117) 및 게이트 절연막(112)의 예비 홀 패턴(163)에 의해 노출되는 제 1 기판(110)을 식각하여 홀 패턴(161)을 형성한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 5D, the first substrate 110 exposed by the preliminary hole pattern 163 of the etched passivation layer 117 and the gate insulating layer 112 is etched to form a hole pattern 161. do.

상기 제 1 기판을 식각하는 방법은 습식 식각법을 이용한다.The method of etching the first substrate uses a wet etching method.

상기 습식 식각법에서 사용되는 식각액은 상기 염화철(FeCl2)을 포함한다.The etchant used in the wet etching method includes the iron chloride (FeCl 2 ).

최종적으로, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(117) 상에 남아있는 포토 레지스트 패턴(130)은 제거한다.Finally, as shown in FIG. 5E, the photoresist pattern 130 remaining on the passivation layer 117 is removed.

상기 홀 패턴(161)은 상기 제 1 기판(110)을 관통하여 형성된 것으로, 상기 제 1 기판(110)이 불투명하여 광을 차단하는 특징을 가지고 있다면 상기 홀 패턴(161)은 상기 광을 투과하는 특징을 가진다.The hole pattern 161 is formed through the first substrate 110. If the first substrate 110 is opaque to block light, the hole pattern 161 transmits the light. Has characteristics.

상기 홀 패턴(161)은 상기 제 1 기판(110) 상에 제 1 얼라인 키(160a)를 형성한다.The hole pattern 161 forms a first alignment key 160a on the first substrate 110.

상기 제 1 얼라인 키(160a)가 형성된 제 1 기판(110)과 대향 합착되는 제 2 기판(120) 상에는 상기 제 1 얼라인 키(160a)와 대응하는 제 2 얼라인 키(160b)를 형성한다.A second alignment key 160b corresponding to the first alignment key 160a is formed on the second substrate 120 facing and bonded to the first substrate 110 on which the first alignment key 160a is formed. do.

상기 제 1 기판(110)이 불투명한 기판일 경우 상기 제 1 기판(110)으로 조사 되는 광 또는 전기 신호는 상기 제 1 기판(110)에서 반사되거나 흡수되나, 상기 제 1 기판(110)의 상기 제 1 얼라인 키(160a)로 조사되는 광 또는 전기 신호는 그대로 투과된다.When the first substrate 110 is an opaque substrate, the light or electric signal irradiated onto the first substrate 110 is reflected or absorbed by the first substrate 110. The light or electric signal irradiated with the first alignment key 160a is transmitted as it is.

상기 제 1 얼라인 키(160a)가 형성된 제 1 기판(110)과 대향 합착되는 제 2 기판(120) 상의 비액티브 영역(NA)에는 제 2 얼라인 키(160b)가 형성된다.A second alignment key 160b is formed in the inactive area NA on the second substrate 120 that is bonded to the first substrate 110 on which the first alignment key 160a is formed.

상기 제 1 얼라인 키(160a)가 상기 제 1 기판(110)을 식각하여 형성된 홀 패턴(161)으로 이루어진 반면에 상기 제 2 얼라인 키(160b)는 상기 제 2 기판(120)에 형성된 여러가지 물질층들의 더미 패턴으로 형성한다.While the first alignment key 160a is formed of a hole pattern 161 formed by etching the first substrate 110, the second alignment key 160b is formed on the second substrate 120. It is formed into a dummy pattern of material layers.

예를 들어, 상기 제 2 기판(120) 상에는 컬러필터 패턴(123) 및 광차단층(121)이 형성된다.For example, the color filter pattern 123 and the light blocking layer 121 are formed on the second substrate 120.

상기 광차단층(121)은 예를 들어, 광을 흡수 또는 차단하는 블랙 매트릭스 등이 있다.The light blocking layer 121 may be, for example, a black matrix that absorbs or blocks light.

상기 컬러필터 패턴(123)은 상기 화소 영역과 대응하는 영역에 형성되며, 상기 광차단층(121)은 상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막 트랜지스터 영역 등과 대응하는 영역에 형성된다.The color filter pattern 123 is formed in a region corresponding to the pixel region, and the light blocking layer 121 is formed in a region corresponding to the gate wiring, the data wiring, the thin film transistor region, and the like.

상기 컬러필터 패턴(123) 및 상기 광차단층(121)이 형성된 상기 제 2 기판(120) 전면에 오버코트층이 더 형성된다.An overcoat layer is further formed on the entire surface of the second substrate 120 on which the color filter pattern 123 and the light blocking layer 121 are formed.

상기 제 2 기판(120) 전면에는 공통 전극층(125)이 더 형성된다.The common electrode layer 125 is further formed on the entire surface of the second substrate 120.

한편, 상기 제 2 기판(120) 상에는 상기 컬러필터 패턴(123), 광차단층(121), 오버코트층, 공통 전극층(125) 중 적어도 어느 하나가 형성될 수도 있다.Meanwhile, at least one of the color filter pattern 123, the light blocking layer 121, the overcoat layer, and the common electrode layer 125 may be formed on the second substrate 120.

도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 플렉서블 표시 장치에서, 제 2 기판의 제 2 얼라인 키의 실시예들을 보여주는 단면도들이다.6 to 8 are cross-sectional views illustrating embodiments of a second alignment key of a second substrate in the flexible display device according to the present invention.

도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 기판(120) 상의 액티브 영역(AA)에 공통 전극층(125) 형성시에 상기 제 2 기판(120) 상의 비액티브 영역(NA)에 상기 공통 전극층(125)의 더미 패턴(162)을 형성하여 제 2 얼라인 키(160b)로 사용할 수 있다.4 and 6, when the common electrode layer 125 is formed in the active region AA on the second substrate 120, the common region is in common with the inactive region NA on the second substrate 120. The dummy pattern 162 of the electrode layer 125 may be formed and used as the second alignment key 160b.

상기 공통 전극층(125)은 투명한 도전성 전극 물질로 이루어지며, 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide), 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함한다.The common electrode layer 125 is made of a transparent conductive electrode material and includes at least one selected from the group consisting of indium tin oxide and indium zinc oxide.

상기 패턴(162)은 상기 제 1 얼라인 키(160a)와 대응한다.The pattern 162 corresponds to the first align key 160a.

도 4 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 기판(120) 상의 액티브 영역(AA)에 광차단층(121) 형성시에 상기 제 2 기판(120) 상의 비액티브 영역(NA)에는 상기 광차단층(121)의 더미 패턴으로 패턴(221)을 형성할 수 있다.As shown in FIGS. 4 and 7, when the light blocking layer 121 is formed in the active region AA on the second substrate 120, the light difference is formed in the inactive region NA on the second substrate 120. The pattern 221 may be formed using a dummy pattern of the single layer 121.

상기 패턴(221)은 상기 제 1 얼라인 키(160a)와 대응하는 제 2 얼라인 키(160b)를 형성한다.The pattern 221 forms a second alignment key 160b corresponding to the first alignment key 160a.

한편, 상기 광차단층(121)을 상기 비액티브 영역(NA)에도 형성할 경우에는 상기 광차단층(121)을 패터닝하여 상기 제 2 얼라인 키(160b)를 형성할 수도 있다.On the other hand, when the light blocking layer 121 is also formed in the non-active region NA, the light blocking layer 121 may be patterned to form the second alignment key 160b.

도 4 및 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 기판(120) 상의 액티브 영역(AA)에 컬러필터 패턴(123) 형성시에 상기 제 2 기판(120) 상의 비액티브 영역(NA)에는 상기 컬러필터 패턴(123)의 더미 패턴으로 패턴(223)을 형성할 수 있 다.4 and 8, when the color filter pattern 123 is formed in the active area AA on the second substrate 120, the inactive area NA on the second substrate 120 is located in the inactive area NA. The pattern 223 may be formed as a dummy pattern of the color filter pattern 123.

상기 패턴(223)은 적색, 녹색, 청색 컬러필터 패턴으로 이루어지며, 상기 패턴(223)은 상기 적색, 녹색, 청색 컬러필터 패턴 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.The pattern 223 may be formed of a red, green, and blue color filter pattern, and the pattern 223 may be formed of at least one of the red, green, and blue color filter patterns.

상기 패턴(223)은 상기 제 2 얼라인 키(160b)와 대응하는 제 2 얼라인 키(160b)를 형성한다.The pattern 223 forms a second alignment key 160b corresponding to the second alignment key 160b.

한편, 상기 패턴은 상기 제 2 기판(120) 상에 오버코트층 형성시에 동일 물질로 형성될 수 있다.The pattern may be formed of the same material when the overcoat layer is formed on the second substrate 120.

상기 제 1 얼라인 키(160a)와 상기 제 2 얼라인 키(160b)로 구성되는 얼라인 키(160)는 상기 제 1 기판(110)이 불투명 기판일 경우 상기 제 1 기판(110)과 상기 제 2 기판(120)의 합착시 정렬이 잘 이루어지도록 하기 위한 것이다.The alignment key 160 including the first alignment key 160a and the second alignment key 160b includes the first substrate 110 and the first substrate 110 when the first substrate 110 is an opaque substrate. This is to ensure that the alignment is well performed when the second substrate 120 is bonded.

상기 얼라인 키(160)의 형상을 다양하게 형성될 수 있으며, 상기 얼라인 키(160)는 상기 표시 장치(100) 주변의 비액티브 영역(NA)에서 적어도 한 군데 이상의 위치에 형성되기만 하면 된다.The alignment key 160 may be formed in various shapes, and the alignment key 160 may be formed at at least one location in the inactive area NA around the display device 100. .

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

본 발명은 플렉서블 표시 장치에서, 불투명한 기판에 형성된 얼라인 키를 상기 불투명한 기판을 관통하는 홀 패턴으로 형성함으로써 상기 얼라인 키의 인식률을 높이는 제 1의 효과가 있다.The present invention has the first effect of increasing the recognition rate of the alignment key by forming the alignment key formed on the opaque substrate in a hole pattern penetrating the opaque substrate.

본 발명은 플렉서블 표시 장치에서 홀 패턴으로 이루어진 제 1 얼라인 키를 갖는 제 1 기판과 상기 얼라인 키와 대응하는 제 2 얼라인 키를 갖는 제 2 기판을 정확하게 정렬하여 합착함으로써 제품에 대한 신뢰도를 향상시키는 제 2의 효과가 있다.According to the present invention, reliability of a product is improved by accurately aligning and bonding a first substrate having a first alignment key having a hole pattern and a second substrate having a second alignment key corresponding to the alignment key in the flexible display device. There is a second effect of improving.

Claims (23)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 액티브 영역과 상기 액티브 영역의 주변에 비액티브 영역을 갖는 제 1 기판을 준비하는 단계;Preparing a first substrate having an active region and an inactive region around the active region; 상기 비액티브 영역에 홀 패턴으로 이루어진 제 1 얼라인 키를 형성하는 단계;Forming a first alignment key having a hole pattern in the inactive region; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판 상에 제 2 얼라인 키를 형성하는 단계; 및Forming a second alignment key on a second substrate facing the first substrate; And 상기 제 1 얼라인 키 및 상기 제 2 얼라인 키를 정렬하여 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며, Aligning the first align key and the second align key to bond the first substrate and the second substrate together; 상기 제 1 얼라인 키를 형성하는 단계에 있어서,Forming the first alignment key, 상기 제 1 기판 상에 상기 비액티브 영역의 일부만 노출된 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;Forming a photoresist pattern exposing only a portion of the inactive region on the first substrate; 상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 상기 제 1 기판을 관통하는 상기 홀 패턴을 형성하는 단계; 및Forming the hole pattern penetrating the first substrate using the photoresist pattern as a mask; And 상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.And removing the photoresist pattern. 제 11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 제 1 기판 상의 상기 액티브 영역에 표시 소자를 형성하는 단계에 있어서,Forming a display element in the active region on the first substrate; 상기 제 1 기판 상에 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계;Forming a gate wiring including a gate electrode on the first substrate; 상기 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film covering the gate wiring; 상기 게이트 전극과 대응하여 상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계;Forming a semiconductor layer on the gate insulating layer corresponding to the gate electrode; 상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하며, 상기 반도체층 일측에 접속된 소스 전극 및 타측에 접속된 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계; 및Forming a data line on the gate insulating layer to define a pixel area crossing the gate line, the data line including a source electrode connected to one side of the semiconductor layer and a drain electrode connected to the other side; And 상기 화소 영역에 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.Forming a pixel electrode electrically connected to the drain electrode in the pixel area. 제 12항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 제 2 기판 상에 광차단층을 형성하는 단계; Forming a light blocking layer on the second substrate; 상기 제 2 기판 상에 컬러필터 패턴을 형성하는 단계; 및Forming a color filter pattern on the second substrate; And 상기 제 2 기판 상에 상기 화소 전극과 전계를 형성하기 위한 공통전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.And forming a common electrode layer for forming the pixel electrode and the electric field on the second substrate. 제 11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 제 2 기판 전면에 오버코트층 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.And forming an overcoat layer over the entire surface of the second substrate. 제 13항에 있어서,14. The method of claim 13, 상기 제 2 기판 상에 컬러필터 패턴을 형성하는 단계에 있어서,In the forming of the color filter pattern on the second substrate, 상기 제 2 얼라인 키는 상기 컬러필터 패턴의 더미 패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.And the second alignment key is a dummy pattern of the color filter pattern. 제 13항에 있어서,14. The method of claim 13, 상기 제 2 기판 상에 광차단층을 형성하는 단계에 있어서,In the step of forming a light blocking layer on the second substrate, 상기 제 2 얼라인 키는 상기 광차단층 패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.And the second alignment key is formed of the light blocking layer pattern. 제 13항에 있어서,14. The method of claim 13, 상기 제 2 기판 상에 공통전극층을 형성하는 단계에 있어서,In the forming of the common electrode layer on the second substrate, 상기 제 2 얼라인 키는 상기 공통 전극층 패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.And the second alignment key is formed of the common electrode layer pattern. 제 14항에 있어서,15. The method of claim 14, 상기 제 2 기판 전면에 오버코트층 형성하는 단계에 있어서,In the step of forming an overcoat layer on the entire surface of the second substrate, 상기 제 2 얼라인 키는 상기 오버코트층 패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.And the second alignment key is formed of the overcoat layer pattern. 제 11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.And the first substrate and the second substrate are flexible substrates. 제 11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 제 1 기판은 불투명한 기판인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.And the first substrate is an opaque substrate. 제 11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 제 1 기판 상의 상기 액티브 영역에 표시 소자를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.And forming a display element in the active region on the first substrate. 삭제delete 제 11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 제 1 기판을 관통하는 상기 홀 패턴을 형성하는 단계에 있어서,In the forming of the hole pattern penetrating the first substrate, 상기 제 1 기판은 염화철(FeCl2)을 포함하는 식각액에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.The first substrate is etched by an etchant containing iron chloride (FeCl 2 ).
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