KR101372412B1 - Method of fabricating large area encapsulation glass for oled using frit with low melting point - Google Patents
Method of fabricating large area encapsulation glass for oled using frit with low melting point Download PDFInfo
- Publication number
- KR101372412B1 KR101372412B1 KR1020120065332A KR20120065332A KR101372412B1 KR 101372412 B1 KR101372412 B1 KR 101372412B1 KR 1020120065332 A KR1020120065332 A KR 1020120065332A KR 20120065332 A KR20120065332 A KR 20120065332A KR 101372412 B1 KR101372412 B1 KR 101372412B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- frit
- mol
- large area
- low melting
- organic light
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 접착력과 레이저 실링 효율을 향상시킬 수 있는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 커버유리의 테두리부에 프릿을 인쇄하는 제1 단계; 상기 커버유리와 마주하도록 유기발광소자가 형성된 후면기판을 상기 프릿 상에 배치하는 제2 단계; 및 상기 프릿을 소성하는 제3 단계를 포함하되, 상기 제1 단계에서는 상기 프릿이 20 ~ 30㎛의 높이를 갖도록 인쇄하는 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a large area encapsulated glass manufacturing method using a low melting frit, and more particularly to a large area encapsulated glass manufacturing method using a low melting frit that can improve adhesion and laser sealing efficiency. It is about.
To this end, the present invention comprises a first step of printing a frit on the rim of the cover glass; Arranging a rear substrate on which the organic light emitting element is formed to face the cover glass on the frit; And a third step of firing the frit, wherein in the first step, the frit is printed such that the frit has a height of 20 to 30 μm. To provide.
Description
본 발명은 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적인캡글라스 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 접착력과 레이저 실링 효율을 향상시킬 수 있는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a large area cap glass manufacturing method for an organic light emitting device using a low melting point frit, and more particularly, to a large area encap glass manufacturing method for an organic light emitting device using a low melting point frit that can improve adhesion and laser sealing efficiency. It is about.
OLED는 넓은 분야의 이용 및 전자발광성(electroluminescent) 디바이스에서의 잠재적인 이용성 때문에 최근 활발히 연구되고 있다. 예를 들어, OLED는 기존 디스플레이 패널에 비해 얇은 두께로 패널을 제작할 수 있고, 패널을 제작함에 있어, 제조 공정이 용이하며, 차세대 디스플레이인 플렉서블 디스플레이에 대한 적합성으로 인해 차세대 디스플레이로 각광받고 있다. 또한, OLED 디스플레이는 매우 밝고 우수한 컬러 대비(contrast) 및 넓은 시야각(viewing angle)을 가지며, 높은 휘도, 경량성, 낮은 구동전압 등의 많은 장점을 가지고 있다.OLEDs have been actively researched recently because of their wide field of use and their potential for use in electroluminescent devices. For example, OLEDs can be manufactured with a thinner thickness than conventional display panels, are easy to manufacture in manufacturing panels, and are attracting attention as next-generation displays due to their suitability for flexible displays, which are next-generation displays. In addition, OLED displays are very bright, have excellent color contrast and wide viewing angle, and have many advantages such as high brightness, light weight, low driving voltage.
그러나 OLED 디스플레이는 내부로 새어 들어오는 산소 및 수분과 소자의 전극이 작용하여 열화가 발생되기 쉽고, 이로 인해, 다크 스폿(dark spot), 픽셀 수축 현상(pixel shrinkage) 등이 발생되어 수율이 저하되는 문제를 갖고 있다.However, OLED displays tend to deteriorate due to the action of oxygen and moisture leaking into the inside and the electrodes of the device, which causes dark spots, pixel shrinkage, etc., resulting in a decrease in yield. Have
TV와 같은 대면적 OLED 디스플레이의 경우는 이를 해결하기 위해, 유기 접착제를 사용하여 금속시트나 커버 유리를 후면 기판(back plane)에 붙이고, 내부에 흡습제(desiccant)를 넣는 방법을 주로 사용하였으나, 만족할 만한 봉지 특성을 얻기 어려웠다.In the case of large-area OLED displays such as TVs, in order to solve this problem, a metal sheet or a cover glass is attached to the back plane using an organic adhesive, and a desiccant is put inside. It was difficult to obtain the encapsulation characteristics.
또한, 종래의 프릿(frit)을 이용한 밀봉 방법은 유동성이 좋지 않았고, 레이저 실링 후 유효 실링 폭이 작아 접착력이 낮은 문제가 있었고, 대면적 OLED 디스플레이의 접착과 봉지에 적합한 프릿의 폭과 높이 등의 치수(dimension)가 확립되지 않은 문제점이 있었다.
In addition, the conventional sealing method using frit has a problem of poor fluidity, low effective sealing width after laser sealing, and low adhesive strength, and a width and height of a frit suitable for adhesion and encapsulation of a large area OLED display. There was a problem that dimensions were not established.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 접착력과 레이저 실링 효율을 향상시킬 수 있고 10만 시간 이상의 충분한 수명을 확보할 수 있는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, an object of the present invention is to use a low-melting frit that can improve the adhesion and laser sealing efficiency and ensure a sufficient life of more than 100,000 hours It is to provide a large area encapsulated glass manufacturing method for an organic light emitting device.
이를 위해, 본 발명은 커버유리의 테두리부에 프릿을 인쇄하는 제1 단계; 상기 커버유리와 마주하도록 유기발광소자가 형성된 후면기판을 상기 프릿 상에 배치하는 제2 단계; 및 상기 프릿을 소성하는 제3 단계를 포함하되, 상기 제1 단계에서는 상기 프릿이 20 ~ 30㎛의 높이를 갖도록 인쇄하는 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법을 제공한다.To this end, the present invention comprises a first step of printing a frit on the rim of the cover glass; Arranging a rear substrate on which the organic light emitting element is formed to face the cover glass on the frit; And a third step of firing the frit, wherein in the first step, the frit is printed such that the frit has a height of 20 to 30 μm. To provide.
여기서, 상기 제1 단계에서는 스크린 프린팅을 통해 상기 프릿을 인쇄할 수 있다.Here, in the first step, the frit may be printed by screen printing.
이때, 상기 프릿을 인쇄하는 속도는 100㎜/s 미만일 수 있다.In this case, the printing speed of the frit may be less than 100 mm / s.
또한, 상기 프릿을 인쇄하는 속도는 40 ~ 80㎜/s일 수 있다.In addition, the speed of printing the frit may be 40 ~ 80mm / s.
또한, 상기 프릿을 인쇄한 후 상기 프릿의 폭은 1.0 ~ 3.0㎜일 수 있다.In addition, the width of the frit after printing the frit may be 1.0 ~ 3.0mm.
또한, 제3 단계에서는 350 ~ 400℃로 상기 프릿을 소성할 수 있다.In addition, in the third step, the frit may be fired at 350 to 400 ° C.
이때, 소성 후 상기 프릿의 수축률은 소성 전 대비 30 ~ 50%일 수 있다.At this time, the shrinkage of the frit after firing may be 30 to 50% compared to before firing.
또한, 소성 후 상기 프릿의 높이는 10 ~ 20㎛일 수 있다.In addition, the height of the frit after firing may be 10 ~ 20㎛.
또한, 소성 전, 후 상기 프릿의 폭은 동일할 수 있다.In addition, the width of the frit before and after firing may be the same.
또한, 상기 프릿은, V2O5, 49.16 ~ 66.40 몰%, P2O5 17.19 ~ 29.42 몰%, Sb2O3 2.90 ~ 18.94 몰%, Fe2O3 1.57 ~ 2.69 몰%, TiO2 0.65 ~ 1.12 몰% 및 Al2O3 0.65 ~ 1.12 몰%를 포함할 수 있다.In addition, the frit is V 2 O 5 , 49.16 to 66.40 mol%, P 2 O 5 17.19 to 29.42 mol%, Sb 2 O 3 2.90 to 18.94 mol%, Fe 2 O 3 1.57 to 2.69 mol%, TiO 2 0.65 ~ 1.12 mol% and Al 2 O 3 0.65 ~ 1.12 mol%.
이때, 상기 프릿은, 상기 V2O5, 56.40 몰%, 상기 P2O5 26.30 몰%, 상기 Sb2O3 12.90 몰%, 상기 Fe2O3 2.40 몰%, 상기 TiO2 1.00 몰% 및 상기 Al2O3 1.00 몰%를 포함할 수 있다.In this case, the frit is V 2 O 5 , 56.40 mol%, 26.30 mol% of P 2 O 5 , 12.90 mol% of Sb 2 O 3 , 2.40 mol% of Fe 2 O 3 , 1.00 mol% of TiO 2 , and It may include 1.00 mol% of Al 2 O 3 .
아울러, 상기 프릿의 전이온도(Tg)는 297 ~ 348℃일 수 있다.In addition, the transition temperature (T g ) of the frit may be 297 ~ 348 ℃.
또한, 상기 프릿의 열팽창계수는 66 ~ 88×10-7/℃일 수 있다.In addition, the coefficient of thermal expansion of the frit may be 66 ~ 88 × 10 -7 / ℃.
더불어, 상기 프릿은 유기 바인더 및 유기 용매와 혼합된 페이스트일 수 있다.
In addition, the frit may be a paste mixed with an organic binder and an organic solvent.
본 발명에 따르면, 종래보다 유리전이온도(Tg)를 낮출 수 있고, 유동성을 향상시킬 수 있으며, 열팽창계수(CTE) 변화를 최소화할 수 있다. 그리고 이를 통해, 접착력과 레이저 실링 효율을 향상시킬 수 있고, 10만 시간 이상의 수명을 확보할 수 있다.
According to the present invention, it is possible to lower the glass transition temperature (T g ), improve fluidity, and minimize the change in the coefficient of thermal expansion (CTE) than before. And through this, it is possible to improve the adhesion and laser sealing efficiency, it is possible to secure a life of more than 100,000 hours.
도 1은 본 발명에 따른 볼밀링 후 프릿의 입도 분석 그래프.
도 2는 본 발명에 따른 V2O5의 함량 변화별 전이온도 및 열팽창계수 변화를 시뮬레이션한 그래프.
도 3은 본 발명의 비교 예1과 실시 예1의 프릿에 대한 플로우 버튼 테스트 결과를 나타낸 사진.
도 4는 본 발명에 따른 실시 예7의 소성 전, 후 높이를 나타낸 그래프.
도 5는 본 발명에 따른 실시 예8의 소성 전, 후 높이를 나타낸 그래프.
도 6은 본 발명에 따른 비교 예2의 소성 전, 후 높이를 나타낸 그래프.
도 7은 본 발명에 따른 실시 예9의 소성 후 온도 별 전자현미경 사진.
도 8은 본 발명에 따른 비교 예3의 소성 후 온도 별 전자현미경 사진.
도 9는 본 발명에 따른 실시 예9의 소성온도별 XRD 측정 결과를 나타낸 그래프.
도 10은 본 발명의 실시 예9에 따른 프릿의 내수성 테스트를 위해 PCT(pressure cooler tester) 장비를 이용하여 측정한 결과 이미지.1 is a particle size analysis graph of the frit after the ball milling according to the present invention.
2 is a graph simulating the change in transition temperature and coefficient of thermal expansion according to the change in content of V 2 O 5 according to the present invention.
Figure 3 is a photograph showing the flow button test results for the frit of Comparative Example 1 and Example 1 of the present invention.
Figure 4 is a graph showing the height before, after firing of Example 7 according to the present invention.
5 is a graph showing the height before and after firing of Example 8 according to the present invention.
6 is a graph showing the height before and after firing of Comparative Example 2 according to the present invention.
7 is an electron micrograph of the temperature after firing of Example 9 according to the present invention.
8 is an electron micrograph of the temperature after firing of Comparative Example 3 according to the present invention.
9 is a graph showing the results of XRD measurement by firing temperature of Example 9 according to the present invention.
10 is a result image measured using a pressure cooler tester (PCT) equipment for the water resistance test of the frit according to the ninth embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a large area encapsulated glass manufacturing method for an organic light emitting diode using a low melting point frit according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.In the following description of the present invention, detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
본 발명에 따른 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법은 프릿 인쇄단계, 후면기판 배치단계 및 소성단계를 포함한다.
The large area encapsulated glass manufacturing method for an organic light emitting device according to the present invention includes a frit printing step, a rear substrate arrangement step and a firing step.
먼저, 프릿 인쇄단계는 커버유리의 테두리부에 프릿을 인쇄하는 단계이다. 이 단계에서는 스크린 프린팅을 통해 프릿을 인쇄할 수 있다. 이때, 프릿을 인쇄하는 속도, 즉, 스퀴즈(squeeze) 속도는 100㎜/s 미만, 바람직하게는 40 ~ 80㎜/s일 수 있다. 그리고 프릿 인쇄단계에서는 스퀴즈 압력 0.1 ~ 0.2㎫, 스퀴즈 압입력 2 ~ 3㎜, 스크린 마스크 325 메쉬, 에멀젼 두께 10 ~ 15㎛, 클리어런스(clearance) 2 ~ 8㎜로 인쇄 조건을 제어할 수 있다. 이와 같은 프릿 인쇄단계를 통해 커버유리의 테두리부에는 프릿이 대략 20 ~ 30㎛ 높이 및 1.0 ~ 3.0㎜의 폭으로 인쇄될 수 있다.First, the frit printing step is a step of printing the frit on the edge of the cover glass. In this step, you can print the frit through screen printing. At this time, the speed of printing the frit, that is, the squeeze (squeeze) speed may be less than 100mm / s, preferably 40 ~ 80mm / s. In the frit printing step, the printing conditions may be controlled by a squeeze pressure of 0.1 to 0.2 MPa, a squeeze pressing force of 2 to 3 mm, a screen mask of 325 mesh, an emulsion thickness of 10 to 15 μm, and a clearance of 2 to 8 mm. Through the frit printing step, the frit may be printed on the edge of the cover glass with a height of approximately 20 to 30 μm and a width of 1.0 to 3.0 mm.
여기서, 프릿은 V2O5, 49.16 ~ 66.40 몰%, P2O5 17.19 ~ 29.42 몰%, Sb2O3 2.90 ~ 18.94 몰%, Fe2O3 1.57 ~ 2.69 몰%, TiO2 0.65 ~ 1.12 몰% 및 Al2O3 0.65 ~ 1.12 몰%, 바람직하게는 V2O5, 56.40 몰%, P2O5 26.30 몰%, Sb2O3 12.90 몰%, Fe2O3 2.40 몰%, TiO2 1.00 몰% 및 Al2O3 1.00 몰%를 포함할 수 있다. 그리고 이러한 조성의 프릿은 스크린 인쇄를 위해 유기 용매에 혼합되어 페이스트 형태로 준비될 수 있다. 이때, 페이스트에는 유기 바인더가 혼합될 수 있다. 예를 들어, 유기 용매로는 부틸카비톨아세테이트(butyl carbitol acetate; BCA), α-테르피네올(α-terpineol; α-TPN), 디부틸프탈레이트(dibutyl phthalate; DBP), 에틸 아세테이트(ethyl acetate), β-테르피네올(β-terpineol), 사이클로 헥사논(cyclohexanone), 사이클로 펜타논(cyclopentanone), 헥실렌 글리콜(hexylene glycol), 고비점 알코올, 알코올 에스테르의 혼합물 등이 1종 이상 선택되어 사용될 수 있다. 또한, 유기 바인더로는 에틸셀룰로우스(ethyl cellulose), 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 프로필렌글리콜(propylene glycol), 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스(ethylhydroxyethlcellulose), 페놀성 수지, 에틸셀룰로오스와 페놀성 수지의 혼합물, 에스터 중합체, 메타크릴레이트 중합체, 저급 아코올의 메타크릴레이트 중합체, 에틸렌 글리콜 모노아세테이트의 모노부틸에테르 등이 1종 이상 선택되어 사용될 수 있다.Wherein frit is V 2 O 5 , 49.16 to 66.40 mol%, P 2 O 5 17.19 to 29.42 mol%, Sb 2 O 3 2.90 to 18.94 mol%, Fe 2 O 3 1.57 to 2.69 mol%, TiO 2 0.65 to 1.12 Mol% and Al 2 O 3 0.65 to 1.12 mol%, preferably V 2 O 5 , 56.40 mol%, P 2 O 5 26.30 mol%, Sb 2 O 3 12.90 mol%, Fe 2 O 3 2.40 mol%, TiO 2 1.00 mol% and Al 2 O 3 1.00 mol%. And the frit of this composition can be prepared in paste form by mixing in an organic solvent for screen printing. At this time, the organic binder may be mixed in the paste. For example, organic solvents include butyl carbitol acetate (BCA), α-terpineol (α-TPN), dibutyl phthalate (DBP), ethyl acetate ), β-terpineol, cyclohexanone, cyclopentanone, cyclopentanone, hexylene glycol, a mixture of high boiling alcohols, alcohol esters, etc. Can be used. In addition, the organic binder is ethyl cellulose, ethylene glycol, propylene glycol, ethyl hydroxyethyl cellulose, phenolic resin, mixture of ethyl cellulose and phenolic resin. , Ester polymers, methacrylate polymers, methacrylate polymers of lower alcohols, monobutyl ethers of ethylene glycol monoacetate and the like can be selected and used.
여기서, 이러한 프릿은 유기 바인더 및 유기 용매와 혼합되어 페이스트 상태로 되기 전, 충진재(filler)와 혼합/용융/분쇄 공정을 거치게 된다. 즉, 프릿은 용융 후 조분쇄장치인 디스크 밀(disk mill)을 통해 대략 200㎛ 이하의 덩어리들로 분쇄되고, 도 1에 나타낸 바와 같이, 미분쇄장치인 볼 밀(ball mill) 및 분급(air-classifier)을 통해 최대 직경(Dmax)이 7㎛ 미만인 미분으로 얻어진다. 이때, 바람직한 분급의 속도는 4500rpm일 수 있다.Here, the frit is subjected to mixing / melting / crushing with a filler before mixing with an organic binder and an organic solvent to form a paste. That is, the frit is pulverized into lumps of approximately 200 μm or less through a disk mill, which is a coarse grinding machine after melting, and as shown in FIG. -classifier gives a derivative with a maximum diameter (D max ) of less than 7 μm. At this time, the preferred classification speed may be 4500rpm.
이와 같은 프릿은 저융점 즉, 297 ~ 348℃의 전이온도(Tg)를 갖고, 66 ~ 88×10-7/℃의 열팽창계수(CTE)를 갖는다. 이때, 상기와 같은 조성 즉, V2O5과 P2O5를 포함하는 프릿은 전이온도(Tg)와 열팽창계수(CTE)가 특정 조성 변화에 같은 경향성을 갖는다. 즉, 도 2의 그래프에 나타낸 바와 같이, 프릿은 상기의 함량비 범위에서, V2O5의 함량비를 증가시키면서 Sb2O3의 함량비를 감소시키면, 전이온도(Tg)는 감소하고, 열팽창계수(CTE)의 증가는 최소화됨을 확인할 수 있다.
Such frit has a low melting point, that is, a transition temperature (T g ) of 297 to 348 ° C., and a thermal expansion coefficient (CTE) of 66 to 88 × 10 −7 / ° C. At this time, the frit containing the composition as described above, that is, V 2 O 5 and P 2 O 5 has the same tendency for the transition temperature (T g ) and the coefficient of thermal expansion (CTE) to the specific composition change. That is, as shown in the graph of Figure 2, the frit in the above content ratio range, while increasing the content ratio of V 2 O 5 while reducing the content ratio of Sb 2 O 3 , the transition temperature (T g ) decreases and Increasing the coefficient of thermal expansion (CTE) is minimal.
다음으로, 후면기판 배치단계는 커버유리와 합착되어 OLED 패널을 이루는 후면기판을 커버유리와 마주하도록 인쇄된 프릿 상에 배치하는 단계이다. 여기서, 후면기판에는 유기발광소자가 형성되어 있다. 따라서, 후면기판 배치단계에서는 유기발광소자가 프릿으로 테두리된 영역 내에 배치되도록 후면기판을 커버유리와 마주하게 배치해야 한다. 여기서, 유기발광소자는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드의 적층 구조로 이루어진다. 이때, 애노드는 전공 주입이 잘 일어나도록 일함수(work function)가 큰 금속 Au, In, Sn 또는 ITO와 같은 금속 또는 산화물로 이루어질 수 있고, 캐소드는 전자 주입이 잘 일어나도록 일함수가 작은 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막으로 이루어져 있고, 전면 발광(top emission) 구조인 경우 유기 발광층에서 발광된 빛이 잘 투과될 수 있도록 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막의 반투명 전극(semitransparent electrode)과 인듐 주석산화물(indium tin oxide; ITO)과 같은 산화물 투명 전극(transparent electrode) 박막의 다층구조로 이루어질 수 있다. 그리고 유기 발광층은 애노드 상에 차례로 적층되는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하여 형성된다. 이러한 구조에 따라, 애노드와 캐소드 사이에 순방향 전압이 인가되면, 캐소드로부터 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되고, 애노드로부터 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 된다. 그리고 발광층 내로 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 전이하면서 빛을 방출하게 되는데, 이때, 방출되는 빛의 밝기는 애노드와 캐소드 사이에 흐르는 전류량에 비례하게 된다.
Next, the rear substrate arranging step is a step of arranging the rear substrate bonded to the cover glass to form the OLED panel on the printed frit to face the cover glass. Here, the organic light emitting device is formed on the rear substrate. Therefore, in the rear substrate arrangement step, the rear substrate must be disposed to face the cover glass so that the organic light emitting element is disposed in the area bordered by the frit. Here, the organic light emitting device has a stacked structure of an anode, an organic light emitting layer and a cathode. In this case, the anode may be made of a metal or oxide such as Au, In, Sn or ITO having a large work function so that the injection of electrons can be well performed. The cathode may be made of Al, A semi-transparent electrode of a metal thin film of Al, Al: Li or Mg: Ag so that light emitted from the organic light emitting layer can be well transmitted when the light emitting element is a metal thin film of Al: Li or Mg: layer structure of a transparent electrode thin film such as a semitransparent electrode and an indium tin oxide (ITO). The organic light emitting layer is formed to include a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer which are sequentially stacked on the anode. According to this structure, when a forward voltage is applied between the anode and the cathode, electrons are moved from the cathode to the light emitting layer through the electron injection layer and the electron transport layer, and holes are moved from the anode to the light emitting layer through the hole injection layer and the hole transport layer do. The electrons and holes injected into the light emitting layer recombine in the light emitting layer to generate excitons. The excitons emit light while transitioning from an excited state to a ground state. At this time, The brightness of the light is proportional to the amount of current flowing between the anode and the cathode.
다음으로, 커버유리와 후면기판 사이에 배치되어 있는 프릿을 소성한다. 이때, 프릿 페이스트에 포함된 유기물을 태우기 위해 소성 전 300 ~350℃로 열처리하는 것이 바람직하다. 그리고 프릿에 대한 소성 온도는 350 ~ 400℃로 제어하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 소성된 프릿은 그 수축률이 소정 전 대비 30 ~ 50%를 나타낸다. 즉, 프릿은, 인쇄 후 20 ~ 30㎛인 높이가 소성 후 10 ~ 20㎛로 감소된다. 하지만, 인쇄 후 1.0 ~ 3.0㎜의 폭은 소성 후에도 큰 변화를 보이지 않거나 동일하게 나타난다.
Next, the frit is disposed between the cover glass and the rear substrate. At this time, it is preferable to heat-treat at 300 ~ 350 ℃ before firing to burn the organic material contained in the frit paste. And the firing temperature for the frit is preferably controlled to 350 ~ 400 ℃. As such, the fired frit has a shrinkage of 30 to 50% compared to a predetermined time. That is, the frit has a height of 20 to 30 µm after printing to 10 to 20 µm after firing. However, the width of 1.0 mm to 3.0 mm after printing does not show a large change even after firing or appears the same.
실시 예 1Example 1
먼저, V2O5, 56.40 몰%, P2O5 26.30 몰%, Sb2O3 12.90 몰%, Fe2O3 2.40 몰%, TiO2 1.00 몰% 및 Al2O3 1.00 몰%의 함량비를 갖는 배치(batch) 원료를 혼합하고, 용융하였다. 그 다음, 용융물을 성형한 후 볼밀 분쇄 및 분급하여 프릿을 제조하였다. 그리고 제조된 프릿의 전이온도 및 열팽창계수를 측정하였다. 또한, 380℃의 온도에서 플로우 버튼(flow button) 값을 측정하여 프릿의 퍼짐성과 유리기판과의 매칭성을 테스트하였다.
First, the content of V 2 O 5 , 56.40 mol%, P 2 O 5 26.30 mol%, Sb 2 O 3 12.90 mol%, Fe 2 O 3 2.40 mol%, TiO 2 1.00 mol% and Al 2 O 3 1.00 mol% Batch raw materials having a ratio were mixed and melted. The melt was then shaped and ball milled and classified to produce a frit. And the transition temperature and thermal expansion coefficient of the prepared frit were measured. In addition, the flow button (flow button) value was measured at a temperature of 380 ℃ to test the spreadability of the frit and the matching of the glass substrate.
실시 예 2Example 2
먼저, V2O5, 55.66 몰%, P2O5 21.75 몰%, Sb2O3 18.94 몰%, Fe2O3 1.98 몰%, TiO2 0.83 몰% 및 Al2O3 0.83 몰%의 함량비를 갖는 배치(batch) 원료를 혼합하고, 용융하였다. 그 다음, 용융물을 성형한 후 볼밀 분쇄 및 분급하여 프릿을 제조하였다. 그리고 제조된 프릿의 전이온도 및 열팽창계수를 측정하였다.
First, the content of V 2 O 5 , 55.66 mol%, P 2 O 5 21.75 mol%, Sb 2 O 3 18.94 mol%, Fe 2 O 3 1.98 mol%, TiO 2 0.83 mol% and Al 2 O 3 0.83 mol% Batch raw materials having a ratio were mixed and melted. The melt was then shaped and ball milled and classified to produce a frit. And the transition temperature and thermal expansion coefficient of the prepared frit were measured.
실시 예 3Example 3
먼저, V2O5, 64.96 몰%, P2O5 17.19 몰%, Sb2O3 14.97 몰%, Fe2O3 1.57 몰%, TiO2 0.65 몰% 및 Al2O3 0.65 몰%의 함량비를 갖는 배치(batch) 원료를 혼합하고, 용융하였다. 그 다음, 용융물을 성형한 후 볼밀 분쇄 및 분급하여 프릿을 제조하였다. 그리고 제조된 프릿의 전이온도 및 열팽창계수를 측정하였다.
First, the content of V 2 O 5 , 64.96 mol%, P 2 O 5 17.19 mol%, Sb 2 O 3 14.97 mol%, Fe 2 O 3 1.57 mol%, TiO 2 0.65 mol% and Al 2 O 3 0.65 mol% Batch raw materials having a ratio were mixed and melted. The melt was then shaped and ball milled and classified to produce a frit. And the transition temperature and thermal expansion coefficient of the prepared frit were measured.
실시 예 4Example 4
먼저, V2O5, 49.16 몰%, P2O5 27.86 몰%, Sb2O3 18.32 몰%, Fe2O3 2.54 몰%, TiO2 1.06 몰% 및 Al2O3 1.06 몰%의 함량비를 갖는 배치(batch) 원료를 혼합하고, 용융하였다. 그 다음, 용융물을 성형한 후 볼밀 분쇄 및 분급하여 프릿을 제조하였다. 그리고 제조된 프릿의 전이온도 및 열팽창계수를 측정하였다.
First, the content of V 2 O 5 , 49.16 mol%, P 2 O 5 27.86 mol%, Sb 2 O 3 18.32 mol%, Fe 2 O 3 2.54 mol%, TiO 2 1.06 mol% and Al 2 O 3 1.06 mol% Batch raw materials having a ratio were mixed and melted. The melt was then shaped and ball milled and classified to produce a frit. And the transition temperature and thermal expansion coefficient of the prepared frit were measured.
실시 예 5Example 5
먼저, V2O5, 51.91 몰%, P2O5 29.42 몰%, Sb2O3 13.74 몰%, Fe2O3 2.69 몰%, TiO2 1.12 몰% 및 Al2O3 1.12 몰%의 함량비를 갖는 배치(batch) 원료를 혼합하고, 용융하였다. 그 다음, 용융물을 성형한 후 볼밀 분쇄 및 분급하여 프릿을 제조하였다. 그리고 제조된 프릿의 전이온도 및 열팽창계수를 측정하였다.
First, the content of V 2 O 5 , 51.91 mol%, P 2 O 5 29.42 mol%, Sb 2 O 3 13.74 mol%, Fe 2 O 3 2.69 mol%, TiO 2 1.12 mol% and Al 2 O 3 1.12 mol% Batch raw materials having a ratio were mixed and melted. The melt was then shaped and ball milled and classified to produce a frit. And the transition temperature and thermal expansion coefficient of the prepared frit were measured.
실시 예 6Example 6
먼저, V2O5, 66.40 몰%, P2O5 26.30 몰%, Sb2O3 2.90 몰%, Fe2O3 2.40 몰%, TiO2 1.00 몰% 및 Al2O3 1.00 몰%의 함량비를 갖는 배치(batch) 원료를 혼합하고, 용융하였다. 그 다음, 용융물을 성형한 후 볼밀 분쇄 및 분급하여 프릿을 제조하였다. 그리고 제조된 프릿의 전이온도 및 열팽창계수를 측정하였다.
First, the content of V 2 O 5 , 66.40 mol%, P 2 O 5 26.30 mol%, Sb 2 O 3 2.90 mol%, Fe 2 O 3 2.40 mol%, TiO 2 1.00 mol% and Al 2 O 3 1.00 mol% Batch raw materials having a ratio were mixed and melted. The melt was then shaped and ball milled and classified to produce a frit. And the transition temperature and thermal expansion coefficient of the prepared frit were measured.
비교 예 1Comparative Example 1
먼저, V2O5, 46.40 몰%, P2O5 26.30 몰%, Sb2O3 22.90 몰%, Fe2O3 2.40 몰%, TiO2 1.00 몰% 및 Al2O3 1.00 몰%의 함량비를 갖는 배치(batch) 원료를 혼합하고, 용융하였다. 그 다음, 용융물을 성형한 후 볼밀 분쇄 및 분급하여 프릿을 제조하였다. 그리고 제조된 프릿의 전이온도 및 열팽창계수를 측정하였다.
First, the content of V 2 O 5 , 46.40 mol%, P 2 O 5 26.30 mol%, Sb 2 O 3 22.90 mol%, Fe 2 O 3 2.40 mol%, TiO 2 1.00 mol% and Al 2 O 3 1.00 mol% Batch raw materials having a ratio were mixed and melted. The melt was then shaped and ball milled and classified to produce a frit. And the transition temperature and thermal expansion coefficient of the prepared frit were measured.
실시 예1 내지 실시 예6은 비교 예1과 비교하여 V2O5이 증가되도록 변화시켰다. 이 중, 실시 예2와 실시 예3은 V2O5 함량을 증가시킨 만큼 다른 조성도 모두 균등하게 동일한 비율로 감소시켰다. 또한, 실시 예4와 실시 예5는 Sb2O3 함량을 낮추고, 다른 조성을 모두 균등하게 동일한 비율로 감소시켰다. 그리고 실시 예1과 실시 예6은 V2O5 함량을 증가시킨 만큼 똑 같은 양의 Sb2O3를 감소시켰다.Examples 1 to 6 were changed so that V 2 O 5 was increased compared to Comparative Example 1. Among them, in Example 2 and Example 3, as the content of V 2 O 5 was increased, all other compositions were also reduced in the same ratio. In addition, Example 4 and Example 5 lowered the Sb 2 O 3 content, and reduced all other compositions evenly at the same ratio. And Example 1 and Example 6 reduced the same amount of Sb 2 O 3 by increasing the V 2 O 5 content.
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 실시 예1 내지 실시 예6 모두는 비교 예1보다 낮은 전이온도(Tg) 값을 얻을 수 있었고, 열팽창계수(CTE) 값도 대부분 비교 예1보다 낮아졌으며, 증가되더라도 그 편차가 크지 않음이 확인되었다.As shown in Table 1, all of Examples 1 to 6 were able to obtain a transition temperature (T g ) value lower than Comparative Example 1, the coefficient of thermal expansion (CTE) was also lower than most Comparative Example 1, increased Even if it was confirmed that the deviation is not large.
또한, 플로우 버튼 테스트 결과 실시 예1과 실시 예6이 우수한 유동성 및 glassy한 표면을 나타내었다. 도 3은 비교 예1과 실시 예1의 프릿에 대한 플로우 버튼 테스트 결과를 나타낸 사진으로, 동일 온도에서 비교 예1의 프릿(a)보다 실시 예1의 프릿(b)의 유동성이 우수함이 확인되었다. 비교 예1의 프릿을 실시 예1의 프릿과 유사한 유동을 보이는 형태로 만들기 위해서는 온도를 대략 20℃ 이상 상승시켜야 했다.
In addition, the flow button test results of Example 1 and Example 6 showed excellent flowability and glassy surface. 3 is a photograph showing the flow button test results for the frits of Comparative Example 1 and Example 1, it was confirmed that the flowability of the frit (b) of Example 1 is superior to the frit (a) of Comparative Example 1 at the same temperature . In order to make the frit of Comparative Example 1 show a flow similar to that of Example 1, the temperature had to be raised by approximately 20 ° C or more.
실시 예 7Example 7
실시 예1의 조성으로 이루어진 프릿을 스크린 프린팅을 통해 유리기판에 인쇄한 다음, 이를 소성한 후 소성 전, 후의 높이(두께)를 비교하였다. 이때, 인쇄 조건은 스퀴즈(squeeze) 속도 70㎜/s스크린 마스크 325 메쉬로 제어하였다.
A frit made of the composition of Example 1 was printed on a glass substrate through screen printing, and then fired, and then the height (thickness) before and after firing was compared. At this time, printing conditions were controlled by a squeeze speed of 70 mm / s screen mask 325 mesh.
실시 예 8Example 8
실시 예1의 조성으로 이루어진 프릿을 스크린 프린팅을 통해 유리기판에 인쇄한 다음, 이를 소성한 후 소성 전, 후의 높이(두께)를 비교하였다. 이때, 인쇄 조건은 스퀴즈(squeeze) 속도 60㎜/s, 스크린 마스크 325 메쉬로 제어하였다.
A frit made of the composition of Example 1 was printed on a glass substrate through screen printing, and then fired, and then the height (thickness) before and after firing was compared. At this time, printing conditions were controlled by the squeeze speed of 60 mm / s and the screen mask 325 mesh.
비교 예 2Comparative Example 2
실시 예1의 조성으로 이루어진 프릿을 스크린 프린팅을 통해 유리기판에 인쇄한 다음, 이를 소성한 후 소성 전, 후의 높이(두께)를 비교하였다. 이때, 인쇄 조건은 스퀴즈(squeeze) 속도 100㎜/s, 스크린 마스크 325 메쉬로 제어하였다.
A frit made of the composition of Example 1 was printed on a glass substrate through screen printing, and then fired, and then the height (thickness) before and after firing was compared. At this time, printing conditions were controlled by the squeeze speed of 100 mm / s and the screen mask 325 mesh.
비교 예2와 같이, 프릿을 100㎜/s 속도로 인쇄한 경우 실시 예7과 실시 예8과 달리, 건조 후에도 건조가 잘 되지 않고 손으로 터치 시 묻어나는 현상이 나타났다.As in Comparative Example 2, when the frit was printed at a speed of 100 mm / s, unlike the seventh and eighth embodiments, the drying did not occur well even after drying, and when the frit was touched by hand.
한편, 도 4는 실시 예7의 소성 전, 후 높이, 도 5는 실시 예8의 소성 전, 후 높이, 도 6은 비교 예2의 소성 전, 후 높이를 나타낸 그래프로, 실시 예7의 경우 소성 전 24㎛에서, 소성 후 15㎛로 수축되어 소성 후 수축률이 37.5%로 나타났고, 실시 예8의 경우 소성 전 22㎛에서, 소성 후 14㎛로 수축되어 소성 후 수축률이 36.4%로 나타났다. 이에 반해, 비교 예2의 경우 즉, 프릿을 100㎜/s 속도로 인쇄한 경우 소성 전 26㎛에서, 소성 후 22㎛로 수축되어 소성 후 수축률이 15.4%로 나타났다. 이를 통해, 프릿의 인쇄 속도가 너무 빠르면, 프릿의 급격한 점도 변화 및 변성이 발생되어, 유기물의 burn-out 및 소성 공정이 방해 받는 것으로 추정된다.
4 is a graph showing the height before and after firing of Example 7, FIG. 5 is the height before and after firing of Example 8, and FIG. 6 is a graph showing the height before and after firing of Comparative Example 2. At 24 μm before firing, the shrinkage was 15 μm after firing, and the shrinkage after firing was 37.5%. In Example 8, the shrinkage was 22 μm before firing, and 14 μm after firing, and the shrinkage after firing was 36.4%. On the contrary, in the case of Comparative Example 2, that is, the frit was printed at 100 mm / s speed, the shrinkage was 26 µm before firing and 22 µm after firing, resulting in a shrinkage rate of 15.4%. Through this, if the printing speed of the frit is too fast, it is estimated that the drastic viscosity change and denaturation of the frit occur, which hinders the burn-out and baking process of the organic matter.
실시 예 9Example 9
실시 예7에 따라 인쇄된 프릿을 380, 400, 420, 440℃에서 각각 소성한 후 레이저 실링하였다.
The frits printed according to Example 7 were fired at 380, 400, 420 and 440 ° C., respectively, and then laser-sealed.
비교 예 3Comparative Example 3
비교 예1의 조성으로 이루어진 프릿을 스크린 프린팅으로 유리기판에 인쇄한 다음 380, 400℃에서 각각 소성한 후 레이저 실링하였다.
A frit made of the composition of Comparative Example 1 was printed on a glass substrate by screen printing, and then fired at 380 and 400 ° C., respectively, and laser-sealed.
도 7은 실시 예9의 소성 후 온도 별 전자현미경 사진이고, 도 8은 비교 예3의 소성 후 온도 별 전자현미경 사진이다. 먼저, 비교 예3의 경우 소성온도가 380℃(a)일 때 미소성된 이미지가 관찰되었다. 이에 반해, 실시 예9의 경우 소성온도가 380℃(a) 일 때나 400℃(b)일 때 큰 차이를 보이지 않았다.
7 is an electron microscope picture of temperature after firing of Example 9, and FIG. 8 is an electron microscope picture of temperature after firing of Comparative Example 3. FIG. First, in Comparative Example 3, an unbaked image was observed when the firing temperature was 380 ° C (a). In contrast, in Example 9, no significant difference was found when the firing temperature was 380 ° C (a) or 400 ° C (b).
비교 예3의 경우 소성온도가 380℃(a)일 때 유효 실링 폭이 77%로, 소성온도가 400℃(b)의 85%와 많은 차이가 있는 반면, 실시 예9의 경우 소성온도가 380℃(a) 일 때나 400℃(b)일 때 큰 차이를 보이지 않았다.In Comparative Example 3, when the firing temperature was 380 ° C (a), the effective sealing width was 77%, and the firing temperature was significantly different from 85% of 400 ° C (b) .In Example 9, the firing temperature was 380 ° C. There was no significant difference in the case of ℃ (a) or 400 ℃ (b).
도 9는 실시 예9의 소성온도별 XRD 측정 결과를 나타낸 그래프로, 380℃에서는 결정화 피크(peak)가 보이지 않으나 400℃에서부터 결정화 피크가 보이기 시작하여 그 이상의 온도에서는 결정화가 부분적으로 시작됨을 명확히 검증하였다.
9 is a graph showing the XRD measurement results according to the firing temperature of Example 9, the crystallization peak (peak) is not visible at 380 ℃, but the crystallization peak starts to appear from 400 ℃, the crystallization is partially started at a temperature higher than that It was.
한편, 도 10은 실시 예9에 따른 프릿의 내수성 테스트를 위해 PCT(pressure cooler tester) 장비를 이용하였으며, 테스트 조건은 121℃, 100%습도이다. PCT는 상온, 1기압에서 약 50배의 가속수명을 가지는 85%-85℃ 조건보다 약 15~40배의 가속수명을 가진다고 알려져 있다. 본 테스트에서는 PCT 장비로 144시간 테스트를 진행하여 상온, 1기압에서 10만시간 이상의 수명을 가질수 있는지를 측정하였다. 측정한 결과 이미지로, (a)는 장변이고, (b)는 코너를 보여준다. 144시간 PCT 테스트 후 현미경 이미지를 분석한 결과, 장변의 침투길이는 0.176㎜로, 침투율 8.8%를 나타내었고, 코너의 침투길이는 0.150㎜로, 침투율 7.5%를 나타내었다. 또한, 보여지는 바와 같이, 프릿의 가장자리부터 외부의 습기가 침투해 온 흔적이 관찰되었으며, 침투율은 장변 및 코너 모두 10% 이내로 나타났다. 즉, 본 발명에 따른 프릿은 144시간 동안 투습을 완전히 차단하였으며, 여전히 많은 여력이 남아있음을 검증하였다.
On the other hand, Figure 10 used a PCT (pressure cooler tester) equipment for the water resistance test of the frit according to Example 9, the test conditions are 121 ℃, 100% humidity. PCT is known to have an accelerated life of about 15 to 40 times that of 85% -85 ° C, which has an accelerated life of about 50 times at room temperature and 1 atmosphere. In this test, PCT equipment was tested for 144 hours to determine whether it could have a life of more than 100,000 hours at room temperature and 1 atmosphere. As a result of the measurement, (a) is a long side and (b) shows a corner. After analyzing the microscope image after 144 hours of PCT test, the long side penetration length was 0.176 mm, 8.8% penetration rate, and the corner penetration length was 0.150 mm, 7.5% penetration rate. In addition, as seen, traces of external moisture penetration from the edge of the frit were observed, and the penetration rate was within 10% in both the long side and the corner. That is, the frit according to the present invention completely blocked the breathing for 144 hours, it was verified that a lot of room still remains.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. This is possible.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be determined by the scope of the appended claims as well as the appended claims.
Claims (14)
상기 커버유리와 마주하도록 유기발광소자가 형성된 후면기판을 상기 프릿 상에 배치하는 제2 단계; 및
상기 프릿을 소성하는 제3 단계;
를 포함하고,
상기 제1 단계에서는 상기 프릿이 20 ~ 30㎛의 높이를 갖도록 인쇄하되,
상기 프릿을 인쇄하는 속도는 100㎜/s 미만인 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
A first step of printing the frit on the edge of the cover glass;
Arranging a rear substrate on which the organic light emitting element is formed to face the cover glass on the frit; And
Firing the frit;
Lt; / RTI >
In the first step, the frit is printed to have a height of 20 ~ 30㎛,
The printing method of the frit is a large area encapsulated glass manufacturing method for an organic light emitting device using a low melting point frit, characterized in that less than 100mm / s.
상기 제1 단계에서는 스크린 프린팅을 통해 상기 프릿을 인쇄하는 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
The method of claim 1,
In the first step, a large area encapsulated glass manufacturing method using an organic light emitting device using a low melting point frit, characterized in that for printing the frit through the screen printing.
상기 프릿을 인쇄하는 속도는 40 ~ 80㎜/s인 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
The method of claim 1,
The printing method of the frit is a large area encapsulated glass manufacturing method for an organic light emitting device using a low melting point frit, characterized in that 40 to 80mm / s.
상기 프릿을 인쇄한 후 상기 프릿의 폭은 1.0 ~ 3.0㎜인 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
The method of claim 1,
Method for producing a large area encapsulated glass for organic light emitting device using a low-melting frit, characterized in that the width of the frit after printing the frit is 1.0 ~ 3.0㎜.
제3 단계에서는 350 ~ 400℃로 상기 프릿을 소성하는 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
The method of claim 1,
In the third step, a large-area encapsulated glass manufacturing method using an organic light emitting device using a low melting point frit, characterized in that the frit is fired at 350 ~ 400 ℃.
소성 후 상기 프릿의 수축률은 소성 전 대비 30 ~ 50%인 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
The method according to claim 6,
Shrinkage rate of the frit after firing is a large area encapsulated glass manufacturing method using an organic light emitting device using a low melting point frit, characterized in that 30 ~ 50% than before firing.
소성 후 상기 프릿의 높이는 10 ~ 20㎛인 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
8. The method of claim 1 or 7,
Method for producing a large area encapsulated glass for organic light-emitting device using a low melting frit characterized in that the height of the frit after firing is 10 ~ 20㎛.
소성 후 상기 프릿의 폭은 동일한 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
8. The method of claim 1 or 7,
Method for producing a large area encapsulated glass for organic light-emitting device using a low melting frit characterized in that the width of the frit after firing the same.
상기 프릿은,
V2O5, 49.16 ~ 66.40 몰%, P2O5 17.19 ~ 29.42 몰%, Sb2O3 2.90 ~ 18.94 몰%, Fe2O3 1.57 ~ 2.69 몰%, TiO2 0.65 ~ 1.12 몰% 및 Al2O3 0.65 ~ 1.12 몰%를 포함하는 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
The method of claim 1,
The frit is,
V 2 O 5 , 49.16 to 66.40 mol%, P 2 O 5 17.19 to 29.42 mol%, Sb 2 O 3 2.90 to 18.94 mol%, Fe 2 O 3 1.57 to 2.69 mol%, TiO 2 0.65 to 1.12 mol% and Al 2 O 3 A large area encapsulated glass manufacturing method for an organic light emitting device using a low melting point frit characterized in that it comprises 0.65 ~ 1.12 mol%.
상기 프릿은,
상기 V2O5, 56.40 몰%, 상기 P2O5 26.30 몰%, 상기 Sb2O3 12.90 몰%, 상기 Fe2O3 2.40 몰%, 상기 TiO2 1.00 몰% 및 상기 Al2O3 1.00 몰%를 포함하는 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
11. The method of claim 10,
The frit is,
The V 2 O 5 , 56.40 mol%, the P 2 O 5 26.30 mol%, the Sb 2 O 3 12.90 mol%, the Fe 2 O 3 2.40 mol%, the TiO 2 1.00 mol% and the Al 2 O 3 1.00 A large area encapsulated glass manufacturing method for an organic light emitting device using a low melting frit, characterized in that it comprises mol%.
상기 프릿의 전이온도(Tg)는 297 ~ 348℃인 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
The method of claim 1,
Transition temperature (T g ) of the frit is a large area encapsulated glass manufacturing method using a low-melting frit, characterized in that 297 ~ 348 ℃.
상기 프릿의 열팽창계수는 66 ~ 88×10-7/℃인 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.
The method of claim 1,
The thermal expansion coefficient of the frit is 66 ~ 88 × 10 -7 / ℃ A large area encapsulated glass manufacturing method using an organic light emitting device using a low melting point frit.
상기 프릿은 유기 바인더 및 유기 용매와 혼합된 페이스트인 것을 특징으로 하는 저융점 프릿을 이용한 유기발광소자용 대면적 인캡글라스 제조방법.The method of claim 1,
The frit is a large area encapsulated glass manufacturing method using a low melting point frit characterized in that the paste is mixed with an organic binder and an organic solvent.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120065332A KR101372412B1 (en) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | Method of fabricating large area encapsulation glass for oled using frit with low melting point |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120065332A KR101372412B1 (en) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | Method of fabricating large area encapsulation glass for oled using frit with low melting point |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130142265A KR20130142265A (en) | 2013-12-30 |
KR101372412B1 true KR101372412B1 (en) | 2014-03-10 |
Family
ID=49985882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120065332A KR101372412B1 (en) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | Method of fabricating large area encapsulation glass for oled using frit with low melting point |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101372412B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201806411D0 (en) | 2018-04-19 | 2018-06-06 | Johnson Matthey Plc | Kit, particle mixture, paste and methods |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100671647B1 (en) * | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting display device |
KR100673765B1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light-emitting display device and the preparing method of the same |
JP2010244866A (en) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Canon Inc | Organic el display device |
KR20110042332A (en) * | 2008-07-28 | 2011-04-26 | 코닝 인코포레이티드 | Method for sealing a liquid within a glass package and the resulting glass package |
-
2012
- 2012-06-19 KR KR1020120065332A patent/KR101372412B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100673765B1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light-emitting display device and the preparing method of the same |
KR100671647B1 (en) * | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting display device |
KR20110042332A (en) * | 2008-07-28 | 2011-04-26 | 코닝 인코포레이티드 | Method for sealing a liquid within a glass package and the resulting glass package |
JP2010244866A (en) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Canon Inc | Organic el display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130142265A (en) | 2013-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5768717B2 (en) | Glass for scattering layer of organic LED element and organic LED element using the same | |
EP2178343B1 (en) | Translucent substrate, method for manufacturing the translucent substrate and organic led element | |
KR101464321B1 (en) | Low melting point frit paste composition and a sealing method for electric element using the same | |
EP2219416B1 (en) | Light transmitting substrate, method for manufacturing light transmitting substrate, organic led element and method for manufacturing organic led element | |
WO2010061853A1 (en) | Glass member having sealing/bonding material layer, electronic device using same, and manufacturing method thereof | |
US20140191223A1 (en) | Glass for scattering layer of organic led element, laminated substrate for organic led element and method of manufacturing the same, and organic led element and method of manufacturing the same | |
CN104045235B (en) | Glass frit compositions, frit and active matrix organic light-emitting diode Sealing Method | |
TW201427922A (en) | Sealing material, substrate having sealing material layer, layered body, and electronic device | |
US9209424B2 (en) | Laminated substrate for organic LED element, and organic LED element | |
KR101615525B1 (en) | Light extraction substrate for oled, method of fabricating thereof and oled including the same | |
US9425430B2 (en) | Method of fabricating light extraction substrate for OLED | |
KR101372412B1 (en) | Method of fabricating large area encapsulation glass for oled using frit with low melting point | |
JP2010171349A (en) | Display panel substrate, manufacturing method therefor, display panel using the same, and manufacturing method therefor | |
JP2004311345A (en) | Coating liquid for organic el display moisture absorption film, its manufacturing method, and moisture absorption film | |
JP2015107892A (en) | Glass composition and light take-out layer | |
US9656907B2 (en) | Low expansion glass filler, method of manufacturing the same and glass frit including the same | |
KR20110064074A (en) | New glass frit, the glass frit paste composition for sealing an electric device, and sealing method of an electric device using the same | |
JP4079021B2 (en) | Hygroscopic material for organic EL display hygroscopic film and method for producing the same | |
JP2015006968A (en) | Glass for forming light-extracting layer and glass substrate for organic el element prepared using the same | |
KR20050096544A (en) | Binder for frit paste burned-out under non-oxidizing atmosphere and frit composition comprising the same and flat panel display packaged with the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170123 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171222 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191219 Year of fee payment: 7 |