KR101364104B1 - 전자 빔 발생 장치 및 이를 이용한 전자 빔 발생 방법 - Google Patents

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홍주호
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Abstract

전자 빔 발생 장치 및 이를 이용한 전자 빔 발생 방법이 제공된다. 전자 빔 발생 장치는 하우징 및 제 1 도파관(waveguide)을 포함한다. 상기 하우징의 내측에는 공진 공동이 마련된다. 상기 제 1 도파관은 상기 하우징의 외주부에 결합되고, 제 1 커플링 홀을 통하여 상기 공진 공동과 연통된다. 상기 제 1 커플링 홀은 상기 제 1 도파관의 측벽에 마련된다. 전자기파는 상기 제 1 도파관의 바닥판에 인가되며, 제 1 도파관을 통해 상기 하우징에 입사된다.

Description

전자 빔 발생 장치 및 이를 이용한 전자 빔 발생 방법{APPARATUS AND METHOD FOR GENARATING ELECTRON BEAM}
본 발명은 전자 빔 발생 장치 및 이를 이용한 전자 빔 발생 방법에 관한 것이다.
과학 기술이 발전함에 따라 현대 과학에서는 물체의 화학적 또는 물리학적 특성을 파악하기 위하여 전자 빔 발생 장치, 즉 전자 총을 사용하고 있다.
전자 총이란 전자를 가늘게 빔 형상으로 발생시키는 것으로서, 전자 현미경, 진행파관, 브라운관 등에 사용되며, 아울러 입자 가속기, 사이클로트론 등에 구비되어 물체의 특성을 파악하는데도 이용된다.
전자 빔을 방출시키기 위해서 레이저 빔을 전극(cathode)에 입사시킬 수 있고, 이때 방출되는 전자 빔을 가속하는 수단으로 고주파가 입사되는 공진 공동을 이용할 수 있다.
본 발명의 목적은 전자 빔 발생 장치 및 이를 이용한 전자 빔 발생 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 고주파의 전자기파가 반사되는 양을 조절하는 방법이 기존의 전자기파 인가 방법에 비해 용이한 전자기파 인가 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자가 명확하게 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 하우징 및 제 1 도파관(waveguide)을 포함하는 전자 빔 발생 장치가 제공된다. 상기 하우징의 내측에는 공진 공동이 마련된다. 상기 제 1 도파관은 상기 하우징의 외주부에 결합되고, 제 1 커플링 홀을 통하여 상기 공진 공동과 연통된다. 상기 제 1 커플링 홀은 상기 제 1 도파관의 측벽에 마련된다. 전자기파는 상기 제 1 도파관의 바닥판에 인가되며, 제 1 도파관을 통해 상기 하우징에 입사된다.
상기 전자 빔 발생 장치는 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 제 1 튜너를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면 전자 빔 발생 장치를 이용한 전자 빔 발생 방법이 제공된다. 상기 방법은 상기 제 1 도파관의 바닥판에 전자기파를 인가시키는 단계, 상기 전자 빔 발생 장치의 커플링 값을 측정하는 단계, 및 상기 커플링 값에 기반하여 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 단계를 포함한다.
상기 커플링 값이 1보다 작은 경우, 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 1 튜너에 의해 늘어날 수 있다.
상기 커플링 값이 1보다 큰 경우, 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 1 튜너에 의해 줄어들 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면 하우징, 제 1 도파관, 제 2 도파관을 포함하는 전자 빔 발생 장치가 제공된다. 상기 하우징의 내측에는 공진 공동이 마련된다. 상기 제 1 도파관은 상기 하우징의 외주부에 결합되고, 제 1 커플링 홀을 통하여 상기 공진 공동과 연통된다. 상기 제 1 커플링 홀은 상기 제 1 도파관의 측벽에 마련된다. 상기 제 2 도파관은 상기 하우징의 외주부에서 상기 제 1 도파관의 반대편에 결합되고, 제 2 커플링 홀을 통하여 상기 공진 공동과 연통된다. 상기 제 2 커플링 홀은 상기 제 2 도파관의 측벽에 마련된다. 전자기파는 상기 제 1 도파관의 바닥판 및 제 2 도파관의 바닥판에 인가되며, 제 1 도파관 및 제 2 도파관을 통해 상기 하우징에 입사된다.
상기 전자 빔 발생 장치는 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 제 1 튜너 및 상기 제 2 도파관의 바닥판과 상기 제 2 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 제 2 튜너를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면 전자 빔 발생 장치를 이용한 전자 빔 발생 방법이 제공된다. 상기 방법은 상기 제 1 도파관의 바닥판에 전자기파를 인가시키는 단계, 상기 전자 빔 발생 장치의 커플링 값을 측정하는 단계, 및 상기 커플링 값에 기반하여 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리 및 상기 제 2 도파관의 바닥판과 상기 제 2 커플링 홀 사이의 거리 중에서 적어도 하나를 조절하는 단계를 포함한다.
전자 빔 발생 장치의 제작 과정을 간편하게 하여 생산 단가를 낮출 수 있다.
전자 빔 발생 장치의 작동 주기를 높일 수 있다.
본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 전자 빔 발생 장치에 대한 시뮬레이션 장치의 배치도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 빔 발생 장치의 사시도이다.
도 3은 도 2의 전자 빔 발생 장치를 x 축에 수직으로 절단한 단면도이다.
도 4는 도 2의 전자 빔 발생 장치를 z 축에 수직으로 절단한 단면 사시도이다.
도 5는 일반적인 전자 빔 발생 장치에서의 전자기파 인가 방법을 나타낸다.
도 6은 전자 빔 발생 장치의 일 예를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자기파 인가 방법이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 빔 발생 장치를 나타낸 개념도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 빔 발생 장치를 이용한 시뮬레이션의 결과를 나타낸다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있다.
도 1은 전자 빔 발생 장치에 대한 시뮬레이션 장치의 배치도이다.
도 1을 참조하면, 레이저는 전자 빔 발생 장치(100)의 앞쪽에서 내측으로 유입될 수 있다. 레이저는 전자 빔 발생 장치(100) 내측의 전극(cathode)과 충돌함으로써 전자 빔을 생성한다.
생성된 전자 빔은 전자 빔 발생 장치(100)의 외측으로 방출된다. 방출된 전자 빔은 외측의 솔레노이드(solenoid: 110)에 의해 집중되며, 가속 컬럼(accelerating column)에 의해 가속된다. 또한, 공간 하전(space charge)에 의한 에미턴스(emittance) 증가를 방지하기 위해 솔레노이드와 부스터 선형 가속기(booster linear accelerator: booster linac)가 사용될 수 있다.
전자 빔은 전자 빔의 위치를 모니터(monitor)하기 위한 벤딩 포지션 모니터(bending position monitor: 120) 및 쿼드러폴 마그넷(quadrupole magnet: 130)을 통과할 수 있다. 이후, 전자 빔은 벤딩 마그넷(bending magnet: 140)을 거쳐, 패러데이 컵(Faraday cup: 150)에 도달할 수 있다.
상술한 시뮬레이션 조건에서 공진 공동의 복수 주기 성분 전기장으로부터의 에미턴스 증가는 시뮬레이션 프로그램 PARMELA에 의하여 계산될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 빔 발생 장치의 사시도이다. 도 3은 도 2의 전자 빔 발생 장치를 x 축에 수직으로 절단한 단면도이다. 도 4는 도 2의 전자 빔 발생 장치를 z 축에 수직으로 절단한 단면 사시도이다.
도 2를 참조하면, 전자 빔 발생 장치(200)는 하우징(210), 도파관(waveguide: 220) 및 전자 빔 배출관(230)을 포함한다. 이하 설명의 편의를 위해, 전자 빔의 진행 방향을 z 축으로 설정한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 하우징(210)은 원통 형상으로 마련되어 있으며, 전극(211), 원판(212) 및 측벽(213)을 포함한다.
전극(211)은 도 3을 기준으로 하우징(210)의 우측면에 해당한다. 전극(211)은 입사된 레이저가 충돌하여 전자 빔이 발생되는 부분이다.
원판(212)은 도 3을 기준으로 하우징(210)의 좌측에 위치한다. 즉, 전극(211)에서 좌측으로 소정 거리만큼 이격(離隔)되어 마주한다.
측벽(213)은 전극(211)과 원판(212)을 연결한다. 내측에는 공진 공동(214)이 마련된다.
도파관(220)는 측벽(221)과 바닥판(222)을 포함한다.
측벽(221)은 사각형의 상자 형상으로 마련될 수 있으며, 일면에 바닥판(222)이 연결된다. 내측에는 전자기파발생부(미도시)에서 발생된 전자기파를 공진 공동(214)으로 전달하기 위한 전자기파 공동(223)이 마련된다. 또한, 측벽(221)에는 공진 공동(214)과 전자기파 공동(223)을 연통시키도록 커플링 홀(224)이 마련되며, 이것은 고주파 전력을 고주파 전자 총에 제공하기 위함이다.
전자 빔 배출관(230)은 측벽(231)을 포함한다. 측벽(231)은 일측이 방사형으로 부드러운 곡면으로 확장되면서 원판(212)에 결합되며, 타측에는 전자 빔이 배출되도록 홀(232)이 마련된다.
홀(232)를 통하여 레이저가 내측으로 z 축에 대하여 비스듬하게 입사되며, 상기 레이저에 의해 발생된 전자 빔이 홀(232)을 통하여 배출될 수 있다. 즉, 상기 홀(232)은 레이저가 입사되는 입사홀, 반사된 레이저가 배출되는 배출홀 및 전자 빔이 배출되는 전자 빔 배출홀의 기능을 동시에 수행할 수 있다.
한편, 전자 빔 발생 장치는 도 3과 같이 하나의 공진 공동을 포함할 수 있지만, 둘 이상의 공진 공동을 포함할 수도 있다. 즉, 하나의 원통형 하우징으로 구성하지 않고, 제 1 하우징과 제 2 하우징과 같이 둘 이상의 하우징을 포함할 수 있으며, 하우징들 사이는 연결부 등에 마련된 연결 공동을 통해 연통될 수 있다.
또한, 전자 빔 발생 장치는 필요에 따라, 적어도 하나 이상의 펌핑 포트를 포함할 수 있다. 상기 펌핑 포트는 공진 공동의 진공도를 유지하기 위해 진공 펌프와 연결된다.
또한, 전자 빔 발생 장치는 하나의 홀이 마련된 전자 빔 배출관을 포함할 수 있지만, 둘 이상의 홀이 마련된 전자 빔 배출관을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 홀은 레이저가 입사되는 입사홀, 레이저가 반사되어 배출되는 배출홀, 전자 빔이 배출되는 전자 빔 배출홀의 역할을 수행할 수 있다.
도 4에서 전자 빔은 z축 방향으로 진행한다.
한편, 일반적인 전자 빔 발생 장치에 고주파의 전자기파를 인가하는 방법에서는 도파관의 바닥면을 공진 공동에 연결하고, 도파관의 바닥면으로 전자기파를 인가하였다. 도 5는 일반적인 전자 빔 발생 장치에서의 전자기파 인가 방법을 나타낸다. 도 6은 전자 빔 발생 장치의 일 예를 나타낸다.
도 5와 같은 일반적인 전자기파 인가 방법이 실제 전자 빔 발생 장치에 적용되는 경우를 살펴보면, 포항 가속기 연구소(Pohang Accelerator Laboratory: PAL)의 fs-THz 빔 라인에서는 도 6과 같이 하나의 도파관을 포함하는 전자 빔 발생 장치가 사용된다.
기존의 전자기파 인가 방법에서는, 도파관에서 전자 빔 발생 장치로 고주파가 커플링되는 특성이 도파관과 전자 빔 발생 장치 사이의 구멍, 즉 커플링 홀의 크기에 의해 결정되었다. 따라서, 실험자가 원하는 커플링 값을 얻기 위해서는 커플링 홀의 크기를 변경하는 불편을 감수해야만 한다. 또한, 이러한 방법은 한 번 커플링 값을 변화시키면 다시 이전 값으로 돌아갈 수 없으며, 커플링 홀의 가공 시 전자 빔 발생 장치 내부에 손상을 입힐 수 있다는 단점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 새로운 전자 빔 발생 장치에서의 전자기파 인가 방법을 제안한다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자기파 인가 방법이다.
커플링 값은 커플링 홀의 크기에 의해 결정되기도 하지만, 도파관의 바닥판과 커플링 홀 사이의 거리에 따라 변화되기도 한다. 즉, 도 7을 참조하면, 커플링 홀(824)이 도파관(820)의 측벽(821)에 마련되고, 커플링 홀(824)을 통해 도파관(820)과 공진 공동(814)을 연통시키는 경우, 커플링 값은 도파관(820)의 바닥판(822)과 커플링 홀(824) 사이의 거리(LCT)에 기반하여 결정될 수 있다. 여기서, 전자기파가 인가되는 방향이 일반적인 전자 빔 발생 장치와 다름을 주의한다.
도 5 및 8을 참조하면, 일반적인 전자 빔 발생 장치에서는 전자기파가 도면을 기준으로 상측에서 하측으로 인가되지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 빔 발생 장치에서는 도면을 기준으로 좌측에서 우측으로 인가된다. 즉, 전자기파가 인가되는 방향을 기준으로 도파관의 바닥면을 정의하면, 일반적인 전자 빔 발생 장치에서 커플링 홀(524)은 바닥면(522)에 마련되고, 도파관(520)은 커플링 홀(524)을 통해 하우징(510)의 공진 공동(514)과 연통되지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 빔 발생 장치에서의 커플링 홀(824)은 측벽(821)에 마련되고, 도파관(820)은 커플링 홀(824)을 통해 하우징(810)의 공진 공동(814)과 연통된다.
상술한 방법에 따르면, 커플링 홀의 크기가 아닌 도파관의 바닥판과 커플링 홀 사이의 거리를 변화시킴으로써, 원하는 커플링 값을 얻을 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 빔 발생 장치를 나타낸 개념도이다.
도 8의 전자 빔 발생 장치는 하우징(910), 제 1 도파관(920), 제 2 도파관(930), 제 1 튜너(940) 및 제 2 튜너(950)를 포함한다. 한편, 도 8의 예에 있어서, 전자 빔 발생 장치는 두 개의 도파관 및 튜너를 포함하지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 즉, 전자 빔 발생 장치는 하나의 도파관 및 튜너, 또는 셋 이상의 도파관 및 튜너를 포함할 수 있다.
도 8을 참조하면, 두 개의 도파관(920, 930)의 옆면(921, 931)은 중앙 하우징(910)의 공진 공동(914)과 연결된다. 좀 더 구체적으로, 하우징(910)은 원통 형상으로 마련되며, 내측에는 공진 공동(914)이 마련된다.
제 1 도파관(920)은 하우징(910)의 외주부에 결합되고, 제 1 커플링 홀(924)을 통하여 공진 공동(914)과 연통된다. 이때, 제 1 커플링 홀(924)은 제 1 도파관(920)의 측벽(921)에 마련된다.
제 2 도파관(930)은 하우징(910)의 외주부에서 제 1 도파관(920)의 반대편에 결합되고, 제 2 커플링 홀(934)을 통하여 공진 공동(914)과 연통된다. 이때, 제 2 커플링 홀(934)은 제 2 도파관(930)의 측벽(931)에 마련된다.
전자기파는 제 1 도파관(920) 및/또는 제 2 도파관(930)의 바닥판(922, 932)에 인가되며, 제 1 도파관(920) 및/또는 제 2 도파관(930)을 통해 하우징(910)에 입사된다.
제 1 튜너(940)는 제 1 도파관(920)의 바닥판(922)과 제 1 커플링 홀(924) 사이의 거리를 조절한다. 마찬가지로, 제 2 튜너(950)는 제 2 도파관(930)의 바닥판(932)과 제 2 커플링 홀(934) 사이의 거리를 조절한다. 예를 들어, 제 1 도파관(920) 및 제 2 도파관(930)의 끝에는 금속 판이 있고, 제 1 튜너(940) 및 제 2 튜너(950)에 의해 상기 금속판을 조절할 수 있다.
한편, 전자기파가 제 1 도파관 및/또는 제 2 도파관에 인가되면, 전자 빔 발생 장치의 커플링 값을 측정할 수 있다. 상술한 바와 같이, 전자 빔 발생 장치의 커플링 값은 도파관의 바닥판과 커플링 홀 사이의 거리 사이에 기반하여 결정될 수 있으므로, 제 1 튜너 및/또는 제 2 튜너를 이용하여 도파관의 바닥판과 커플링 홀 사이의 거리를 조절함으로써 커플링 값을 결정할 수 있다. 따라서, 일반적인 전자 빔 발생 장치에 비해 제작이 간편하고, 튜너를 이용하여 용이하게 커플링 값을 획득할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 빔 발생 장치를 이용한 시뮬레이션의 결과를 나타낸다.
도 9를 참조하면, 도파관의 바닥판과 커플링 홀 사이의 거리(LCT)를 조절함으로써, 간단하게 커플링 값을 변화시킬 수 있음을 확인할 수 있다. 커플링 값이 1보다 작은 경우를 언더 커플링(under coupling)이라 하고, 커플링 값이 1보다 큰 경우를 오버 커플링(over coupling)이라 한다. 커플링 값이 1인 크리티컬 커플링(critical coupling)인 상태에서 동작하는 것이 유리하므로, 언더 커플링의 경우, 튜너을 조절하여 도파관의 바닥판과 커플링 홀 사이의 거리를 늘어나게 한다. 반면에, 오버 커플링의 경우, 튜너을 조절하여 도파관의 바닥판과 커플링 홀 사이의 거리를 줄어들게 한다.
앞에서 설명되고 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호 범위에 속하게 될 것이다.

Claims (10)

  1. 내측에 공진 공동이 마련된 원통형의 하우징; 및
    상기 하우징의 외주부에 결합되고, 제 1 커플링 홀을 통하여 상기 공진 공동과 연통되며, 상기 하우징에 전자기파를 입사시키는 제 1 도파관(waveguide)을 포함하되,
    상기 제 1 커플링 홀은 상기 전자기파의 인가 방향과 수직되는 방향에 위치하고,
    상기 전자기파가 인가되는 방향에 위치하는 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리 조절을 통해 고주파를 커플링하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 제 1 튜너를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항의 전자 빔 발생 장치를 이용한 전자 빔 발생 방법에 있어서,
    상기 제 1 도파관의 바닥판에 전자기파를 인가시키는 단계;
    상기 전자 빔 발생 장치의 커플링 값을 측정하는 단계; 및
    상기 커플링 값에 기반하여 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 단계를 포함하는 전자 빔 발생 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 1 튜너에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 커플링 값이 1보다 작은 경우,
    상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 1 튜너에 의해 늘어나는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 커플링 값이 1보다 큰 경우,
    상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 1 튜너에 의해 줄어드는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 방법.

  7. 내측에 공진 공동이 마련된 원통형의 하우징;
    상기 하우징의 외주부에 결합되고, 제 1 커플링 홀을 통하여 상기 공진 공동과 연통되며, 상기 하우징에 전자기파를 입사시키는 제 1 도파관(waveguide); 및
    상기 하우징의 외주부에서 상기 제 1 도파관의 반대편에 결합되고, 제 2 커플링 홀을 통하여 상기 공진 공동과 연통되며, 상기 하우징에 전자기파를 입사시키는 제 2 도파관(waveguide)을 포함하되,
    상기 제 1 커플링 홀 및 상기 제 2 커플링 홀은 상기 전자기파의 인가 방향과 수직되는 방향에 위치하고, 상기 전자기파가 인가되는 방향에 위치하는 상기 제 1 및 제 2 도파관의 바닥판과 상기 제 1 및 제 2 커플링 홀 사이의 거리 조절을 통해 고주파를 커플링하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 제 1 튜너; 및
    상기 제 2 도파관의 바닥판과 상기 제 2 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 제 2 튜너를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 장치.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항의 전자 빔 발생 장치를 이용한 전자 빔 발생 방법에 있어서,
    상기 제 1 도파관의 바닥판에 전자기파를 인가시키는 단계;
    상기 전자 빔 발생 장치의 커플링 값을 측정하는 단계; 및
    상기 커플링 값에 기반하여 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리 및 상기 제 2 도파관의 바닥판과 상기 제 2 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 단계를 포함하는 전자 빔 발생 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 1 튜너에 의해 조절되고,
    상기 제 2 도파관의 바닥판과 상기 제 2 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 2 튜너에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 방법.
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