KR101359754B1 - Precision adjustable optical EUV light generating device - Google Patents

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KR101359754B1 KR1020120067423A KR20120067423A KR101359754B1 KR 101359754 B1 KR101359754 B1 KR 101359754B1 KR 1020120067423 A KR1020120067423 A KR 1020120067423A KR 20120067423 A KR20120067423 A KR 20120067423A KR 101359754 B1 KR101359754 B1 KR 101359754B1
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Abstract

본 발명은 스테이지가 구비된 EUV 광 발생장치에 관한 것으로, 레이저를 출력하는 레이저 소스, 상기 레이저 소스에서 출력되는 레이저 빔을 반사시키는 TLM(Tunable Laser Mirror), 상기 TLM에서 반사되는 레이저 빔을 포커싱하는 FM(Focusing Mirror), 상기 FM에서 포커싱되는 레이저를 입사받아 초점이 맺혀지는 구간에 해당하는 플라즈마 유도로에 대해 가스 공급로로부터 반응 가스를 공급받아 레이저 빔과 반응 가스에 의해 플라즈마를 형성하여 극자외선을 발생시키는 가스셀, 상기 TLM, FM, 가스셀을 진공상태로 수용하는 진공챔버, 상기 레이저 소스와 진공챔버를 지지하는 플레이트, 상기 레이저 소스와 진공챔버를 일체로 지지하거나 상기 레이저 소스만을 지지하는 플레이트, 상기 스테이지의 이동에 의해 상기 진공챔버에서 출력되는 EUV 광의 위치를 검출하는 센서부 및 상기 센서부에서 검출되는 정보에 따라 상기 스테이지를 구동시켜 빔 정렬을 제어하는 제어 단말기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 구성되는 본 발명은 다양한 광 검출부를 구비하여 EUV 광 발생에서 광의 위치, 포커싱, 세기 등을 능동적으로 정밀하게 제어할 수 있는 장점이 있다.The present invention relates to a stage-equipped EUV light generating apparatus, comprising: a laser source for outputting a laser, a tunable laser mirror (TLM) for reflecting a laser beam output from the laser source, and a laser beam reflected from the TLM FM (Focusing Mirror), receiving a reaction gas from a gas supply passage for a plasma induction furnace corresponding to a section in which the laser focused by the FM is focused, and forms a plasma by a laser beam and the reaction gas to form extreme plasma Generating a gas cell, the TLM, FM, a vacuum chamber accommodating the gas cell in a vacuum state, a plate supporting the laser source and the vacuum chamber, integrally supporting the laser source and the vacuum chamber or supporting only the laser source. The position of the EUV light output from the vacuum chamber by the movement of the plate, the stage And a control terminal for controlling the beam alignment by driving the stage according to the sensor unit and the information detected by the sensor unit. The present invention configured as described above has an advantage of actively and precisely controlling the position, focusing, and intensity of light in EUV light generation by providing various light detection units.

Description

광 정밀 조절이 가능한 ＥＵＶ 광 발생장치{Precision adjustable optical EUV light generating device}EJ light generating device capable of precise light control {Precision adjustable optical EUV light generating device}

본 발명은 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 최종적으로 생성된 EUV 광을 출력시킬 때 해당 어플리케이션에 정확하게 제공하기 위하여 정밀하게 자동 제어할 수 있는 EUV 광 발생장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an EUV light generating device capable of precisely adjusting light, and more particularly, to an EUV light generating device which can be precisely and automatically controlled to accurately provide the corresponding application when outputting finally generated EUV light. It is about.

반도체 집적 회로의 집적도가 증가함에 따라, 회로 패턴이 미세화 되어 종래 사용되어 오던 가시광선이나 자외선을 사용한 노광 장치에서는 그 해상도가 부족해지고 있다. 반도체 제조공정에서 노광 장치의 해상도는 전사 광학계의 개구수(NA)에 비례하고, 노광에 사용하는 광의 파장에 반비례한다. 그 때문에 해상도를 높이는 한 시도로서, 가시광선이나 자외선광 대신 파장이 짧은 EUV(Extreme Ultraviolet) 광원을 노광 전사에 사용하는 시도가 이루어지고 있다. 이러한 노광 전사 장치에 사용되는 EUV 광 발생 장치로서 적용 되고 있는 것이 레이저 플라즈마 EUV 광원과 방전 플라즈마 EUV 광원이 있다.As the degree of integration of a semiconductor integrated circuit increases, the circuit pattern becomes finer, and the resolution of the exposure apparatus using visible light or ultraviolet rays, which has been conventionally used, is insufficient. In the semiconductor manufacturing process, the resolution of the exposure apparatus is proportional to the numerical aperture (NA) of the transfer optical system, and is inversely proportional to the wavelength of light used for exposure. Therefore, an attempt has been made to use an EUV (Extreme Ultraviolet) light source having a short wavelength in place of visible light or ultraviolet light for exposure transfer as an attempt to increase the resolution. A laser plasma EUV light source and a discharge plasma EUV light source are applied as the EUV light generator used in such an exposure transfer apparatus.

EUV 노광 장치에서 사용되는 파장은 20nm 이하이고, 대표적으로 13.5nm를 적용하고 있는 광원으로서, 레이저 플라즈마 광원의 대표 반응 물질로서 Ne 가스를 이용한 Ne 플라즈마를 이용하는 것이 널리 연구 개발되고 있으며, 그 이유는 비교적 높은 변환 효율(입력 에너지에 대하여 얻어지는 EUV 광 강도의 비율)을 가지는 것이다. Ne는 상온에서 기체인 재료이기 때문에 비산 입자(debris)의 문제가 발생하는 어려운 점에 있다. 그러나 고출력의 EUV 광원을 얻기 위해서는 타겟으로서 Ne 가스를 사용하는 것은 한계가 있고, 다른 물질을 이용하는 것도 요망되고 있다.The wavelength used in the EUV exposure apparatus is 20 nm or less, and 13.5 nm is typically applied. As a representative reaction material of the laser plasma light source, Ne plasma using Ne gas has been widely researched and developed. It has high conversion efficiency (ratio of EUV light intensity obtained with respect to input energy). Ne is a material that is a gas at room temperature, so the problem of debris is difficult. However, in order to obtain a high-output EUV light source, the use of Ne gas as a target is limited, and it is also desired to use other materials.

광 파장이 200㎚ ~ 10㎚에 이르는 진공 자외선 영역에서 장파장 측의 반에 해당하는 200㎚ ~ 100㎚ 영역을 VUV 광, 단파장 측의 반에 해당하는 100㎚ ~ 10㎚ 영역을 EUV 광이라고 일반적으로 구분한다. 플라즈마로부터 발생하는 중심파장이 100nm 이하 정도인 EUV 광은 그 자체가 대기 또는 집광거울(일반적인 반사 코팅을 적용한) 등 광학계에서는 반사되지 못하고 흡수되기 때문에 EUV 광 변환 효율을 높이기에는 아직까지 산업계에서 어려움이 따른다.A region of 200 nm to 100 nm corresponding to half of the long wavelength side in a vacuum ultraviolet region having a light wavelength of 200 nm to 10 nm is referred to as VUV light, and a region of 100 nm to 10 nm corresponding to half of the short wavelength side is referred to as EUV light It is classified. EUV light having a center wavelength of less than 100 nm generated from a plasma is difficult to be absorbed in the optical system such as air or a condensing mirror Follow.

단파장 영역에 해당하는 EUV 광은 레이저 발진법이나 측정법, 사용 광학 재료 등에 많은 미해결 문제가 따르며, 응용 분야의 개발도 앞으로의 과제이다. 이에 EUV 광이 대기 중이나 광학계 등에서 소멸되는 문제점을 해결하기 위해서는 일정 압력 이하의 진공환경(ex. 10-3 torr ~ 10-9 torr)이 필요하며 특수 물질(EUV 빔 반사 코팅 물질)로 코팅된 집광 미러 및 렌즈 등을 이용해야 한다.EUV light in the short wavelength region has many unresolved problems such as laser oscillation method, measurement method, and optical material used, and the development of application field is also a future problem. In order to solve the problem of EUV light disappearing in the air or in the optical system, a vacuum environment (ex. 10 -3 torr ~ 10 -9 torr) below a certain pressure is required and the light is coated with a special material (EUV beam reflection coating material). Mirrors and lenses should be used.

따라서, 이러한 조건을 적용하여 보다 효율적으로 레이저 플라즈마를 이용한 EUV 광 발생장치의 개발이 필요한 실정이다.Therefore, it is necessary to develop EUV light generating apparatus using laser plasma more efficiently by applying these conditions.

이에 따라 본 출원인은 대한민국 특허출원 제 10-2011-0017579호, [발명의 명칭 : 플라즈마를 이용한 안정화된 극자외선 발생장치]는, 레이저를 출력하는 레이저 소스, 상기 레이저 소스에서 출력되는 레이저를 입사 받아 초점이 맺혀지는 구간에 해당하는 플라즈마 유도로에 대해 가스 공급로로부터 가스를 공급받아 레이저와 가스에 의해 플라즈마를 형성하여 극자외선을 발생시키는 가스셀, 상기 가스셀을 수용하는 것으로, 일정 진공도를 유지하는 제 1진공챔버, 상기 가스셀에서 발생된 극자외선을 입사받아 상기 극자외선을 외부로 출사시키기 위한 공간으로써 일정 진공도를 유지하는 제 2진공챔버, 상기 가스셀의 가스 공급로로 상기 레이저와 플라즈마를 유도하기 위한 가스를 공급하는 가스 공급부 및 상기 제 1진공챔버와 제 2진공챔버의 진공도를 각각 형성하기 위한 제 1진공펌프와 제 2진공펌프 및 상기 레이스 소스에서 출력되는 광을 전달하는 복수개의 광학계를 포함하여 구성된다.Accordingly, the applicant of the Republic of Korea Patent Application No. 10-2011-0017579, [Inventive name: stabilized extreme ultraviolet light generating apparatus using plasma], receives a laser source for outputting a laser, the laser output from the laser source By maintaining the vacuum degree by receiving the gas from the gas supply path to the plasma induction furnace corresponding to the focusing section, and forming the plasma by the laser and the gas to generate the extreme ultraviolet rays, the gas cell The first vacuum chamber, the second vacuum chamber for maintaining a constant vacuum degree as a space for receiving the extreme ultraviolet rays generated from the gas cell to emit the extreme ultraviolet rays to the outside, the gas supply path of the gas cell and the laser and plasma Gas supply unit for supplying a gas for inducing a vacuum degree of the first vacuum chamber and the second vacuum chamber A first vacuum pump and the second for each formation is a vacuum pump and comprising a plurality of optical system for transmitting light output from the source race.

상기와 같은 구성으로 극자외선 발생장치는 본 출원인이 출원한 발명으로써 플라즈마 반응을 통해 안정화된 극자외선을 발생시킬 수 있는 매우 우수한 기술에 해당한다.The extreme ultraviolet ray generator according to the present invention is a very superior technology capable of generating a stabilized extreme ultraviolet ray through a plasma reaction as an invention filed by the present applicant.

이와 같이 기체 플라즈마를 이용하여 EUV 광을 생성하는 장치는 다양한 산업 분야에서 적용되는데, 파장 영역이 나노 수준에 따라 정밀 제어가 필요하다. 따라서, EUV 광 발생장치에서 발생된 광은 타겟(application)에 정확하게 출력하기 위해서는 발생장치를 정밀하게 제어할 필요성이 따른다.
As such, the apparatus for generating EUV light using gas plasma is applied in various industrial fields, and the wavelength region needs precise control according to the nano level. Therefore, in order to accurately output the light generated by the EUV light generator to the target application, there is a need to precisely control the generator.

KR 10-2007-0019736호KR 10-2007-0019736

따라서, 본 발명은 EUV 광 발생장치에서 출력되는 EUV 광을 정확한 위치로 출력될 수 있도록 입사빔 위치를 조정하고 입사빔이 Gas cell의 반응 위치에 상시 초점이 될 수 있도록 능동적으로 제어할 수 있는 EUV 광 발생장치를 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.
Accordingly, the present invention adjusts the position of the incident beam so that the EUV light output from the EUV light generator can be output at the correct position, and can actively control the incident beam so that the incident beam is always focused at the reaction position of the gas cell. An object of the present invention is to provide a light generating device.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 레이저를 출력하는 레이저 소스, 상기 레이저 소스에서 출력되는 레이저 빔을 반사시키는 TLM(Tunable Laser Mirror), 상기 TLM에서 반사되는 레이저 빔을 포커싱하는 FM(Focusing Mirror), 상기 FM에서 포커싱되는 레이저를 입사받아 초점이 맺혀지는 구간에 해당하는 플라즈마 유도로에 대해 가스 공급로로부터 반응 가스를 공급받아 레이저 빔과 반응 가스에 의해 플라즈마를 형성하여 극자외선을 발생시키는 가스셀, 상기 TLM, FM, 가스셀을 진공상태로 수용하는 진공챔버, 상기 레이저 소스와 진공챔버를 일체로 지지하거나 상기 레이저 소스만을 지지하는 플레이트, 상기 플레이트를 다축으로 이동시키는 스테이지, 상기 스테이지의 이동에 의해 상기 진공챔버에서 출력되는 EUV 광의 위치를 검출하는 센서부 및 상기 센서부에서 검출되는 정보에 따라 상기 스테이지를 구동시켜 빔 정렬을 제어하는 제어 단말기를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, a laser source for outputting a laser, a tunable laser mirror (TLM) for reflecting the laser beam output from the laser source, FM (Focusing focusing the laser beam reflected from the TLM) Mirror) is supplied with a reaction gas from a gas supply path to a plasma induction furnace corresponding to a section in which the laser focused by the FM is focused and generates plasma by a laser beam and the reaction gas to generate extreme ultraviolet rays. A gas chamber, the TLM, FM, a vacuum chamber accommodating the gas cells in a vacuum state, a plate integrally supporting the laser source and the vacuum chamber or supporting only the laser source, a stage for moving the plate in multiple axes, A sensor unit and the sensor for detecting a position of EUV light output from the vacuum chamber by movement; And a control terminal for controlling the beam alignment by driving the stage according to information detected from the west.

또한, 상기 스테이지는, 6축(X, Y, Z, Xθ, Yθ, Theta) 방향으로 구동되는 6축 스테이지에 해당하는 것을 특징으로 한다.The stage may be a six-axis stage driven in six-axis directions (X, Y, Z, Xθ, Yθ, Theta).

또한, 상기 센서부는, 중앙이 홀이 구성된 quad sensor(photo detector) 센서이며, 상기 진공챔버에서 출력되는 EUV 광이 상기 센서부에 검출되지 않고 중앙 홀을 관통할 때 정확한 정렬이 구현된 것으로 제어하는 것을 특징으로 한다.In addition, the sensor unit, the center is a quad sensor (photo detector) sensor is configured with a hole, the EUV light output from the vacuum chamber is not detected by the sensor unit to control that the correct alignment is implemented when passing through the center hole It is characterized by.

또한, 상기 제어단말기는, 상기 센서부에서 검출되는 신호값에 따라 상기 스테이지를 구동시키는 것을 특징으로 한다.The control terminal may drive the stage in accordance with a signal value detected by the sensor unit.

또한, 상기 FM으로 입사되는 광 경로의 광을 반사받아 빔의 포지션을 검출하는 포지션 검출부를 더 포함하며, 상기 포지션 검출부에서 검출되는 광의 포지션은 상기 FM으로 광을 입사시켜주는 반사미러를 구동시켜 정렬하는 것을 특징으로 한다.The apparatus may further include a position detector for detecting a position of a beam by reflecting light from an optical path incident to the FM, wherein the position of the light detected by the position detector is driven by driving a reflecting mirror that injects light into the FM. Characterized in that.

또한, 상기 FM에서 반사되는 광 경로의 광을 반사받아 빔의 포커싱을 검출하는 포커싱 검출부를 더 포함하며, 상기 포커싱 검출부에서 검출되는 광은 상기 FM을 구동시켜 정렬하는 것을 특징으로 한다.The apparatus may further include a focusing detector configured to detect the focus of the beam by reflecting the light of the optical path reflected by the FM, wherein the light detected by the focusing detector drives and aligns the FM.

또한, 상기 가스셀로 포커싱되는 광의 정렬 상태를 검출하기 위하여 가스셀에서 출력되는 광을 반사받아 검출하는 가스셀 빔 검출부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
The apparatus may further include a gas cell beam detector configured to reflect and detect light output from the gas cell in order to detect an alignment state of the light focused into the gas cell.

상기와 같이 구성되고 작용되는 본 발명은 EUV 광 발생장치에서 출력되는 광을 타겟(application)에 정확하게 입사시킬 수 있으며, 센서부의 광 위치 검출을 통해 능동적으로 제어할 수 있는 효과가 있다.
The present invention constructed and operated as described above can accurately inject light output from the EUV light generating device into a target, and can actively control the light position through the sensor unit.

도 1은 본 발명에 따른 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치의 개략적인 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 EUV 광 발생을 위한 주요 구성을 나타낸 상세도,
도 3은 본 발명에 따른 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치의 정면도,
도 4는 본 발명에 따른 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치의 평면도,
도 5는 본 발명에 따른 센서부의 검출 정보를 도시한 도면,
도 6은 본 발명에 따른 다른 실시예를 나타낸 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치의 개략도,
도 7은 본 발명에 따른 다른 실시예를 나타낸 상세도,
도 8은 본 발명에 따른 EUV 광 발생장치에서 포지션 검출부와 포커싱 검출부의 상세도,
도 9는 본 발명에 따른 가스셀 빔 검출부의 상세도.1 is a schematic configuration diagram of an EUV light generating apparatus capable of precisely adjusting light according to the present invention;
Figure 2 is a detailed view showing the main configuration for generating EUV light according to the present invention,
3 is a front view of an EUV light generating apparatus capable of precisely adjusting light according to the present invention;
4 is a plan view of an EUV light generating apparatus capable of precisely adjusting light according to the present invention;
5 is a diagram showing detection information of a sensor unit according to the present invention;
6 is a schematic diagram of an EUV light generating apparatus capable of precisely adjusting light showing another embodiment according to the present invention;
7 is a detailed view showing another embodiment according to the present invention;
8 is a detailed view of a position detector and a focusing detector in the EUV light generator according to the present invention;
9 is a detailed view of a gas cell beam detector according to the present invention;

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the EUV light generating apparatus capable of precise light control according to the present invention.

본 발명에 따른 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치는, 레이저를 출력하는 레이저 소스, 상기 레이저 소스에서 출력되는 레이저 빔을 반사시키는 TLM(Tunable Laser Mirror), 상기 TLM에서 반사되는 레이저 빔을 포커싱하는 FM(Focusing Mirror), 상기 FM에서 포커싱되는 레이저를 입사받아 초점이 맺혀지는 구간에 해당하는 플라즈마 유도로에 대해 가스 공급로로부터 반응 가스를 공급받아 레이저 빔과 반응 가스에 의해 플라즈마를 형성하여 극자외선을 발생시키는 가스셀, 상기 TLM, FM, 가스셀을 진공상태로 수용하는 진공챔버, 상기 레이저 소스와 진공챔버를 일체로 지지하거나 상기 레이저 소스만을 지지하는 플레이트, 상기 플레이트를 다축으로 이동시키는 스테이지, 상기 스테이지의 이동에 의해 상기 진공챔버에서 출력되는 EUV 광의 위치를 검출하는 센서부 및 상기 센서부에서 검출되는 정보에 따라 상기 스테이지를 구동시켜 빔 정렬을 제어하는 제어 단말기를 포함하는 것을 특징으로 한다.EUV light generating apparatus capable of precise light control according to the present invention, a laser source for outputting a laser, TLM (Tunable Laser Mirror) for reflecting the laser beam output from the laser source, focusing the laser beam reflected from the TLM FM (Focusing Mirror), receiving a reaction gas from a gas supply passage for a plasma induction furnace corresponding to a section in which the laser focused by the FM is focused, and forms a plasma by a laser beam and the reaction gas to form extreme plasma A gas cell for generating a gas chamber, the TLM, FM, a vacuum chamber accommodating the gas cell in a vacuum state, a plate integrally supporting the laser source and the vacuum chamber or supporting only the laser source, a stage for moving the plate in multiple axes, Sensor unit for detecting the position of the EUV light output from the vacuum chamber by the movement of the stage And a control terminal for controlling the beam alignment by driving the stage according to the information detected by the sensor unit.

본 발명에 따른 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치는, 기체 플라즈마 반응을 통해 생성된 EUV 광을 적용 타겟(application)에 출력시킬 때 정확한 위치에 출력시킬 수 있도록 장치의 위치를 조절하거나, 광 경로를 통과하는 과정에서 광의 위치나 포커싱을 정밀하게 조절할 수 있는 EUV 발생장치를 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.In the EUV light generating apparatus capable of precisely adjusting light according to the present invention, the EUV light generated by the gas plasma reaction is controlled to adjust the position of the device so as to output the correct position when outputting to the application target (application), or the optical path It is an object of the present invention to provide an EUV generator capable of precisely adjusting the position or focusing of light in the course of passing through it.

도 1은 본 발명에 따른 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치의 개략적인 구성도이다. 본 발명은 크게, 레이저 소스(100), 상기 레이저 소스에서 출력되는 광을 기체 플라즈마 반응을 통해 EUV 광을 생성하는 진공챔버(200), 상기 진공챔버와 레이저 소스를 지지하는 소정 크기의 플레이트(400), 상기 플레이트를 이동시켜 레이저 소스와 진공챔버를 일체로 구동시키는 스테이지(410), 상기 스테이지의 구동에 의해 출력되는 EUV 광의 위치를 검출하는 센서부(500) 및 상기 센서부에서 검출되는 신호를 검출하여 상기 스테이지를 능동적으로 제어하는 제어단말기(510)를 포함하여 구성된다.
1 is a schematic configuration diagram of an EUV light generating apparatus capable of precisely adjusting light according to the present invention. The present invention is largely the laser source 100, a vacuum chamber 200 for generating EUV light through the gas plasma reaction of the light output from the laser source, a plate 400 of a predetermined size for supporting the vacuum chamber and the laser source ), A stage 410 for driving the laser source and the vacuum chamber integrally by moving the plate, a sensor unit 500 for detecting a position of EUV light output by the driving of the stage, and a signal detected by the sensor unit. And a control terminal 510 for detecting and actively controlling the stage.

우선, EUV 광 발생을 위한 시스템에 대해 간략히 살펴본다.First, the system for generating EUV light will be briefly described.

도 2는 본 발명에 따른 EUV 광 발생을 위한 주요 구성을 나타낸 상세도이다.2 is a detailed view showing the main configuration for generating EUV light according to the present invention.

레이저 소스(100)는 임의의 파장을 가지는 레이저를 출력하는 소스원으로써, 상기 레이저 소스에서 출력되는 레이저를 플라즈마 유도를 통해 20nm 이하의 파장을 가지는 극자외선을 생성하게 된다. 본 발명에서는 일예로 펨토초(femto sencond)급 레이저 소스를 사용하여 세부 사양으로는 매질로 티타늄 사파이어 증폭 레이저 시스템으로써, 그 특성은 IR 펨토초 pulse 레이저의 펄스폭(pulse width)은 30fs ~ 50fs, IR wave 800nm ~ 1600nm 조건을 갖는 것이 바람직하다.The laser source 100 is a source source for outputting a laser having an arbitrary wavelength. The laser source 100 generates extreme ultraviolet rays having a wavelength of 20 nm or less through plasma induction of the laser output from the laser source. In the present invention, for example, a femto sencond class laser source using a titanium sapphire amplified laser system in detail as a specification, the characteristics of the pulse width of the IR femtosecond pulse laser (30s ~ 50fs, IR wave) It is desirable to have a condition of 800 nm to 1600 nm.

TLM은 진공챔버 외측에 위치한 레이저 소스로부터 출력되는 레이저 빔을 반사하여주는 미러로써, 레이저 소스에서 출력되는 입사 경로에 배치되어 입사받은 레이저 빔을 후술할 포커싱 미러(230)로 반사시킨다. 이때, TLM은 포커싱 미러로 반사되는 각이 대략 2°의 입사각을 갖도록 반사되는데 즉, 포커싱 미러에서 입사되는 입사각이 대략 2°를 가지도록 반사시킨다.The TLM is a mirror that reflects a laser beam output from a laser source located outside the vacuum chamber. The TLM is disposed in an incident path output from the laser source, and reflects the incident laser beam to a focusing mirror 230 described later. At this time, the TLM is reflected such that the angle reflected by the focusing mirror has an angle of incidence of approximately 2 °, that is, the incident angle incident from the focusing mirror is reflected so as to have approximately 2 °.

FM(230)은 극자외선 광 발생을 위해 입사받은 광을 포커싱하여 반사한다. 레이저 소스에서 출력된 레이저 빔은 TLM 미러를 통해 반사되어 포커싱 미러로 반사시키며, 상기 포커싱 미러(FM)는 입사된 레이저 빔을 포커싱하여 플라즈마 유도를 통해 EUV 광을 생성하는 가스셀로 포커싱한다.The FM 230 focuses and reflects incident light for generating extreme ultraviolet light. The laser beam output from the laser source is reflected by the TLM mirror and reflected by the focusing mirror, and the focusing mirror FM focuses the incident laser beam into a gas cell that generates EUV light through plasma induction.

상기 가스셀은 투명재료로 구비되며, 바람직하게는 석영으로 이루어지는 것으로 레이저가 통과할 수 있는 관통로가 형성되며, 그 중앙으로는 레이저 소스에서 출력되는 레이저가 집광되는 초점 영역인 플라즈마 유도로(330)가 구비되고, 상기 플라즈마 유도로 양측으로는 배기로(320)가 형성되며, 상기 플라즈마 유도로에 가스 공급을 위한 가스 공급로(310)가 플라즈마 유도로와 연결되어 있다.The gas cell is made of a transparent material, preferably made of quartz, a through path through which a laser can pass is formed, and in the center thereof, a plasma induction furnace 330 which is a focal region where a laser output from a laser source is focused. ), An exhaust path 320 is formed at both sides of the plasma induction furnace, and a gas supply path 310 for supplying gas to the plasma induction furnace is connected to the plasma induction furnace.

가스셀(240)은 투명 재질로 형성되며, 양쪽으로 광유도로가 형성되고, 광 유도로를 연결하기 위해 중앙에 플라즈마 유도로가 형성된다. 상기 포커싱 미러에서 반사되는 광은 상기 플라즈마 유도로의 센터 부분에 집광되도록 포커싱되며 플라즈마 유도로에 공급되는 반응가스와 반응하여 EUV 광을 생성한다. 즉, 중앙 부분에 해당하는 플라즈마 유도로에는 레이저 소스에서 출력되는 레이저의 초점이 맞아 집광되며, 외부 가스 공급부에서 플라즈마 유도로와 관통하는 가스공급로를 통해 Ne 가스를 공급한다. 또한, 플라즈마 유도로 양측으로는 공급된 가스를 외부로 배기시킴과 동시에 플라즈마 유도로 내의 진공도를 유지시키기 위한 배기로가 각각 형성되어 있다. 가스 공급로를 통해 공급된 가스가 레이저 초점이 집광되는 영역 외에 확산되면 가스 입자의 비산으로 인해 원활한 플라즈마 유도가 불가능하다. 또한, 플라즈마 유도로 내에는 일정한 진공도가 유지되어 하지만, 진공 시스템의 다양한 문제점(진공챔버 실링, 불순물 등)으로 인해 일정 진공도를 유지 못할 경우 이 또한 EUV 광 생성에 방해 요소가 될 수 있기 때문에 상기 배기로를 통해 가스 배기 및 진공도를 유지시킨다. 상기 배기로는 외부 드레인(drain) 펌프(가스를 배기시키기 위한 장치)를 통해 배기한다.The gas cell 240 is formed of a transparent material, and a light induction path is formed at both sides, and a plasma induction path is formed at the center to connect the light induction paths. The light reflected by the focusing mirror is focused to be focused on the center portion of the plasma induction furnace and reacts with the reaction gas supplied to the plasma induction furnace to generate EUV light. That is, the plasma induction furnace corresponding to the central portion is focused by the laser output from the laser source, and the Ne gas is supplied from the external gas supply unit through the plasma induction furnace and through the gas supply passage. Further, on both sides of the plasma induction furnace, there are formed exhaust passages for exhausting the supplied gas to the outside and for maintaining the degree of vacuum in the plasma induction furnace. If the gas supplied through the gas supply path diffuses outside the region where the laser focus is focused, it is impossible to induce smooth plasma due to scattering of the gas particles. In addition, although a certain degree of vacuum is maintained in the plasma induction furnace, if it can not maintain a certain degree of vacuum due to various problems (vacuum chamber sealing, impurities, etc.) of the vacuum system, And the gas exhaust and the degree of vacuum are maintained through the furnace. The exhaust path is exhausted through an external drain pump (apparatus for evacuating the gas).

한편, 극자외선 광을 발생시키기 위한 구성요소를 진공상태에서 수용하는 진공챔버가 구성된다. 상기 진공챔버는 제 1진공챔버(200) 영역과 제 2진공챔버(210) 영역으로 분할 구성된다.On the other hand, a vacuum chamber for accommodating constituent elements for generating extreme ultraviolet light in a vacuum state is constituted. The vacuum chamber is divided into a first vacuum chamber 200 region and a second vacuum chamber 210 region.

제 1진공챔버(200)는 극자외선이 생성되는 영역이며, 제 2진공챔버(210)는 상기 제 1진공챔버에서 생성된 극자외선을 안정적으로 공급하기 위한 영역에 해당한다. 본 발명에서는 레이저빔과 외부에서 공급되는 가스에 의해 플라즈마를 유도하여 극자외선을 생성하게 되는데, 후술할 가스셀을 통해 극자외선이 생성된다. 이때, 가스셀 내부로 외부에서 Ne, Xe, He 등과 같은 가스가 공급되기 때문에 일정한 진공도를 유지하기 어렵고, 이에 따라 가스셀이 위치한 챔버에서는 가스셀에서 생성된 EUV 광효율이 떨어질 수 있다. 따라서, 가스셀은 일정 진공도를 유지하는 제 1진공챔버에 위치시키고, 가스셀에서 생성된 EUV 광은 바로 진공도가 더 낮은 제 2진공챔버로 전달하여 효율이 떨어지는 것을 방지한다.The first vacuum chamber 200 corresponds to a region where extreme ultraviolet rays are generated, and the second vacuum chamber 210 corresponds to a region for stably supplying extreme ultraviolet rays generated in the first vacuum chamber. In the present invention, extreme ultraviolet rays are generated through a gas cell, which will be described later, by inducing plasma by a laser beam and a gas supplied from the outside. At this time, since a gas such as Ne, Xe, He, etc. is supplied into the gas cell from the outside, it is difficult to maintain a constant vacuum degree, and thus, in the chamber where the gas cell is located, EUV light efficiency generated in the gas cell may be reduced. Therefore, the gas cell is positioned in the first vacuum chamber maintaining a constant vacuum degree, and EUV light generated in the gas cell is transferred directly to the second vacuum chamber having a lower vacuum degree, thereby preventing the efficiency from falling.

상기 제 1진공챔버와 제 2진공챔버는 서로 다른 진공도를 유지하기 위해 각각 제 1진공펌프(300)와 제 2진공펌프(310)가 구성되고, 제 2진공챔버에는 보다 낮은 진공도 형성을 위하여 그에 적합한 복수개의 진공펌프를 설치할 수 있다. 예를 들면, Cryo pump, Diffusion Pump, Turbo Pump, Ion pump등의 Medium Vacuum 급 진공펌프로 구성한다. 각 챔버부의 진공도는 제 1진공챔버에서 10-3torr 이하, 제 2진공챔버에서는 10-6torr 이하의 진공도를 유지하는 것이 바람직하다.The first vacuum chamber and the second vacuum chamber are configured with a first vacuum pump 300 and a second vacuum pump 310, respectively, to maintain different vacuum degrees, and the second vacuum chamber has a lower vacuum degree to form a lower vacuum degree. It is possible to install a plurality of suitable vacuum pumps. For example, it is composed of a medium vacuum type vacuum pump such as Cryo pump, Diffusion pump, Turbo pump and Ion pump. Each vacuum section has a first chamber in the 10 -3 torr or less, a second vacuum chamber in the vacuum chamber, it is desirable to maintain a degree of vacuum of less than 10 -6 torr.

따라서, 제 1진공챔버에서는 극자외선 광을 발생시키고, 제 2진공챔버에서는 효율 저하를 방지하여 최종 광이 어플리케이션에 공급되도록 구성한다. 이때, 분할 구성되는 진공챔버는 하나의 챔버에서 격벽을 형성하여 분할 구성하며, 격벽으로는 가스셀에서 생성된 극자외선이 투과할 수 있는 광학 렌즈가 설치되어 있는 것이다.Thus, ultraviolet light is generated in the first vacuum chamber and efficiency is prevented from lowering in the second vacuum chamber, so that the final light is supplied to the application. In this case, the divided vacuum chamber is divided by forming a partition in one chamber, the partition is provided with an optical lens that can transmit the extreme ultraviolet rays generated in the gas cell.

상술한 바는 EUV 광 발생장치에서 대해서 언급한 것이다. 다음은 본 발명에 따른 주요 기술인 스테이지에 대하여 언급하기로 한다.The foregoing is a reference to the EUV light generating device. Next, reference will be made to stage, which is the main technique according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치의 정면도이다. 앞서 언급한 바에 따른 레이저 소스(100) 및 EUV 광을 생성하는 진공챔버(200)는 하나의 플레이트(400 ; plate)에 올려지게 되며, 상기 플레이트는 스테이지에 놓여진다. 따라서, 하나의 플레이트에 놓여지는 진공챔버와 레이저 소스는 스테이지의 구동에 따라 이동시킬 수 있고, 이는 결과적으로 진공챔버에서 출력되는 EUV 광의 위치를 제어할 수 있는 것이다. 상기 플레이트는 일반적으로 금속재의 플레이트로써, 진공챔버와 레이저 소스 시스템을 지지할 수 있도록 적절히 설계된다.3 is a front view of an EUV light generating apparatus capable of precisely adjusting light according to the present invention. The laser source 100 and the vacuum chamber 200 for generating EUV light as described above are mounted on one plate 400, which is placed on a stage. Therefore, the vacuum chamber and the laser source placed on one plate can be moved according to the driving of the stage, which in turn can control the position of the EUV light output from the vacuum chamber. The plate is generally a metal plate and is suitably designed to support the vacuum chamber and the laser source system.

그리고 상기 플레이트(400)는 스테이지(410)에 의해 지지된다. 스테이지는 상기 플레이트(400)의 위치를 제어하고, 이에 따라 플레이트에 놓여진 진공챔버를 제어하여 출력되는 EUV 광의 위치를 제어할 수 있는 것이다.The plate 400 is supported by the stage 410. The stage can control the position of the plate 400, thereby controlling the position of the EUV light output by controlling the vacuum chamber placed on the plate.

상기 스테이지는 6축(X, Y, Z, Xθ, Yθ, Theta) 방향으로 구동되는 6축 스테이지로써, 센서부(450)에서 검출되는 신호를 제어단말기가 피드백(feedback)하여 능동적으로 구동되는 시스템으로써, 상기 스테이지는 EUV 광 발생장치의 최초 구동시 빔 정렬을 구현하기 위하여 동작한다.The stage is a six-axis stage that is driven in the six-axis (X, Y, Z, Xθ, Yθ, Theta) direction, a system in which the control terminal feedbacks the signal detected by the sensor unit 450 to be actively driven. As such, the stage operates to implement beam alignment upon initial drive of the EUV light generator.

도 4는 본 발명에 따른 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치의 평면도이다. 도시된 바와 같이 스테이지가 구비된 EUV 광 발생장치는 레이저 소스와 진공챔버가 나란히 배열되며, 진공챔버의 일측면으로 EUV 광이 출력된다. 이때 EUV 광이 출력되는 광 진행 방향에는 EUV 광의 위치를 검출하기 위한 센서부(500)가 위치한다.4 is a plan view of the EUV light generating device capable of precise light control according to the present invention. As illustrated, the stage-equipped EUV light generator includes a laser source and a vacuum chamber arranged side by side, and EUV light is output to one side of the vacuum chamber. At this time, the sensor unit 500 for detecting the position of the EUV light is located in the light traveling direction in which the EUV light is output.

도 5는 본 발명에 따른 센서부의 검출 정보를 도시한 도면이다. 센서부(500)는 중앙으로 관통된 홀이 구성된 quad sensor(Photo detector)로써, 진공챔버와 레이저 소스가 정확하게 위치할 경우 센서부의 중앙 홀을 관통한다. 하지만, 정렬되지 않은 경우는 센서면에 광이 입사되며 이는 센서의 출력 신호값이 출력된다. 이때, 센서에 맺힌 광 이미지에 따라 제어 단말기를 센서 신호를 수신받고, 이를 스테이지 제어 신호로 변환하여 스테이지를 구동시키도록 제어한다.5 is a diagram illustrating detection information of a sensor unit according to the present invention. The sensor unit 500 is a quad sensor (photo detector) configured with a hole penetrated to the center, and penetrates through the center hole of the sensor unit when the vacuum chamber and the laser source are correctly positioned. However, when not aligned, light is incident on the sensor surface, and the output signal value of the sensor is output. At this time, the control terminal receives the sensor signal according to the optical image formed on the sensor, and converts it into a stage control signal to control the stage to be driven.

도면에서 도면, a, b, c 스폿은 출력광의 위치가 제대로 정렬되지 않아 센서에 스폿이 맺히게 된다. 이때 센서의 신호값은 제어단말기로 입력되며, 이를 통해 제어단말기를 스테이지를 제어한다. 의 스폿은 센서 중앙의 홀을 정확하게 관통하여 정렬이 완벽히 구현된 것으로 스테이지 구동이 필요 없다.In the drawings, spots a, b, and c have spots on the sensor because the positions of the output light are not properly aligned. At this time, the signal value of the sensor is input to the control terminal, through which the control terminal controls the stage. The spots are precisely aligned through the hole in the center of the sensor and are perfectly aligned, eliminating the need for stage driving.

한편, 앞서 언급한 내용에서는 EUV 발생장치를 통해 생성되는 EUV 광을 어플리케이션에 공급될 때 정확하게 광을 정렬할 수 있는 구성에 대해서 언급하였으며, 아래에서부터는 EUV 광 발생장치 내에서 광을 정밀하게 제어할 수 있는 구성을 언급하기로 한다.On the other hand, the above-mentioned information mentioned a configuration that can accurately align the light when the EUV light generated by the EUV generator is supplied to the application, from the bottom to precisely control the light in the EUV light generator Reference may be made to configurations.

도 6은 본 발명에 따른 다른 실시 예를 나타낸 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치의 개략도이다. 도 6의 도시에서 보면, 6축 스테이지를 통해 연동하는 플레이트가 레이저 소스만을 지지하는 구조를 가지고 있으며, EUV 발생장치 챔버 내에서는 각 위치에 따라 광의 위치나 포커싱, 광 세기를 검출할 수 있는 검출부가 구성된다.6 is a schematic diagram of an EUV light generating apparatus capable of precisely adjusting light according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, the plate interlocked through the six-axis stage has a structure for supporting only a laser source. In the EUV generator chamber, a detection unit capable of detecting light position, focusing, and light intensity according to each position is provided. It is composed.

도 7은 본 발명에 따른 다른 실시 예를 나타낸 상세도이다.7 is a detailed view showing another embodiment according to the present invention.

여기서 추가 구성되는 검출부는 레이저 소스에서 입사되는 광의 포지션을 검출하는 포지션 검출부(250), FM에서 포커싱된 광의 포커싱 위치를 검출하는 포커싱 검출부(260), 가스셀 내에서 포커싱되는 광의 얼라인먼트를 검출하는 가스셀 빔 검출부(270) 그리고 FM(230)에서 반사되는 광을 검출하여 빔의 파워나 안정성을 검출하는 빔 파워 검출부(280)를 포함하여 구성된다.The detector further includes a position detection unit 250 for detecting a position of light incident from a laser source, a focusing detection unit 260 for detecting a focusing position of light focused by FM, and a gas for detecting alignment of light focused in a gas cell. The cell beam detector 270 and the beam power detector 280 which detects the light reflected by the FM 230 and detects the power or the stability of the beam.

또한, 빔 정렬을 제어하기 위하여 상기 TLM에서 반사되는 광을 FM으로 바로 반사시키지 않고, 빔 각도를 제어하기 위한 구동형 반사미러(221)을 더 포함하여 구성된다.In addition, the drive reflection mirror 221 is configured to control the beam angle without directly reflecting the light reflected from the TLM to the FM to control the beam alignment.

도 8은 본 발명에 따른 EUV 광 발생장치에서 포지션 검출부와 포커싱 검출부의 상세도이다. 도 8에서는 상기 포지션 검출부(250)와 포커싱 검출부(260)를 상세히 나타낸 것으로, 우선 포지션 검출부의 경우 FM으로 입사되는 광을 반사받기 위하여 제 1빔스플리터(251)와 같은 광 반사 부품을 배치함으로써 상기 FM으로 반사되는 광의 일부를 반사시켜 beam Center를 검출할 수 있도록 포지션 검출부를 구비한다. 여기서 검출되는 빔의 포지션에 따라 상기 반사미러(221)를 구동시켜 FM으로 입사되는 광을 상시로 정렬시킬 수 있다. 상기 반사미러는 2축 구동스테이지와 결합하여 연동하는 것으로써, 이 반사미러와 포지션 검출부와 피드백 신호를 통해 FM으로 입사되는 빔의 포지션을 상시 정렬하도록 구동한다.8 is a detailed view of a position detector and a focusing detector in the EUV light generator according to the present invention. In FIG. 8, the position detector 250 and the focusing detector 260 are described in detail. First, in the case of the position detector, a light reflection component such as the first beam splitter 251 is disposed to reflect the light incident to the FM. A position detection unit is provided to reflect a portion of the light reflected by the FM to detect the beam center. Here, the reflection mirror 221 may be driven according to the position of the beam detected to align light incident to the FM at all times. The reflection mirror is coupled to the two-axis driving stage and interlocked with each other to drive alignment of the beam incident to the FM through the reflection mirror, the position detection unit, and the feedback signal.

상기 포커싱 검출부(260)는 FM에서 반사되는 광의 경로에서 제 2빔 스플리터(261)를 배치하여 포커싱되는 광의 일부를 반사받아 검출하는데, 이때 진공챔버의 공간적 제약을 해소하기 위하여 다수의 미러[제 1미러(262), 제 2미러(263)]를 배치하여 포커싱 광을 적절한 위치에서 입사받아 포커싱 상태를 검출한다.The focusing detection unit 260 arranges the second beam splitter 261 in the path of the light reflected by the FM and detects a part of the focused light by reflecting a part of the plurality of mirrors. Mirror 262 and a second mirror 263] to receive the focusing light at an appropriate position to detect the focusing state.

이때, 상기 FM은 2축 스테이지와 결합되어 구동되도록 설계되며, 포커싱 검출부와 FM은 피드백 신호를 통해 포커싱 여부를 상시 제어하도록 구현한다.In this case, the FM is designed to be driven in combination with the two-axis stage, and the focusing detector and the FM are implemented to always control whether or not to focus through a feedback signal.

따라서, 상기 포지션 검출부는 상기 반사미러와 연동하여 빔의 포지션 검출과 포지션을 제어하며, 포커싱 검출부는 FM 미러와 연동하여 포커싱 검출과 포커싱 제어를 상시 구현한다. 이는 EUV 광 발생장치의 구동 중에 외부 진동 등으로 인하여 빔 정렬이 구현되지 않으면 결과적으로 EUV 광 발생을 실현하지 못하기 때문에 실시간으로 정밀 정렬을 능동적으로 구현하기 위하여 구성되는 것이다.Accordingly, the position detection unit controls the position detection and the position of the beam in cooperation with the reflection mirror, and the focusing detection unit always implements the focusing detection and the focusing control in conjunction with the FM mirror. This is configured to actively implement precision alignment in real time because the EUV light generation is not realized unless the beam alignment is implemented due to external vibration or the like during driving of the EUV light generator.

또한, 레이저 소스 즉, 적외선 레이저 광의 파워나 안정성을 검출하기 위하여 상기 제 2빔스플리터에서 반사되는 광을 입사받아 적외선 레이저 광의 세기나 안정성(stability)를 검출하기 위한 빔 파워 검출부(280)를 구성하여 광의 정보를 검출할 수 있다. 상기 빔 파워 검출부는 제 2빔스플리터를 투과하는 일부 광을 전달받아 빔의 안정성을 상시 검출한다.In addition, a beam power detector 280 is configured to detect the intensity or stability of the infrared laser light by receiving the light reflected from the second beam splitter to detect the power or stability of the laser source, that is, the infrared laser light. Information of light can be detected. The beam power detector detects the stability of the beam at all times by receiving some light passing through the second beam splitter.

도 9는 본 발명에 따른 가스셀 빔 검출부의 상세도이다. 가스셀 빔 검출부는 가스셀 내에서 포커싱되는 광의 위치를 모니터링 할 수 있도록 구성되는 것으로, 가스셀에서 출력되는 광의 반사시키기 위한 제 3빔스플리터를 배치하고, 광 경로를 변환시켜주는 제 3미러(272)로 구성되어 가스셀에서 출사되는 광을 반사받아 가스셀 내부에 광을 정확하게 정렬되었는지를 모니터링 할 수 있는 것이다.9 is a detailed view of a gas cell beam detector according to the present invention. The gas cell beam detector is configured to monitor the position of the light focused in the gas cell. The third mirror 272 arranges a third beam splitter for reflecting the light output from the gas cell and converts the optical path. ), It is possible to monitor whether the light is correctly aligned inside the gas cell by reflecting the light emitted from the gas cell.

상기에서 언급하는 검출부는 다양한 CCD 소자나 포토다이오드(PD)와 같은 광학적 소자를 통해 적용할 수 있다.The detector mentioned above may be applied through various CCD devices or optical devices such as photodiodes (PDs).

따라서, 본 발명은 센서부와 검출부를 통해 빔의 위치나 포커싱, 파워 등을 검출하고, 센서부에서 검출된 신호를 수신받아 스테이지, 반사미러, FM 미러를 능동적으로 제어하여 정확하게 광을 조절할 수 있는 이점이 있다.Accordingly, the present invention can detect the position of the beam, focusing, power, etc. through the sensor unit and the detection unit, and receives the signal detected by the sensor unit to actively control the stage, reflecting mirror, FM mirror to accurately adjust the light There is an advantage.

이상, 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시 예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. On the contrary, those skilled in the art will appreciate that many modifications and variations of the present invention are possible without departing from the spirit and scope of the appended claims. And all such modifications and changes as fall within the scope of the present invention are therefore to be regarded as being within the scope of the present invention.

100 : 레이저 소스
200 : 제 1진공챔버
210 : 제 2진공챔버
220 : TLM
221 : 반사미러
230 : FM
240 : 가스셀
250 : 포지션 검출부
251 : 제 1빔스플리터
260 : 포커싱 검출부
261 : 제 2빔스플리터
262 : 제 1미러
263 : 제 2미러
270 : 가스셀 빔 검출부
271 : 제 3빔스플리터
272 : 제 3미러
280 : 빔 파워 검출부
300 : 제 1진공펌프
310 : 제 2진공펌프
400 : 플레이트
410 : 6축 스테이지
500 : 센서부
510 : 제어단말기100: laser source
200: first vacuum chamber
210: second vacuum chamber
220: TLM
221: reflection mirror
230: FM
240 gas cell
250: position detection unit
251: first beam splitter
260: focusing detection unit
261: second beam splitter
262: first mirror
263: second mirror
270: gas cell beam detector
271: third beam splitter
272: third mirror
280: beam power detection unit
300: first vacuum pump
310: Second vacuum pump
400: plate
410: 6 axis stage
500: sensor
510: control terminal

Claims (8)

레이저를 출력하는 레이저 소스;
상기 레이저 소스에서 출력되는 레이저 빔을 반사시키는 TLM(Tunable Laser Mirror);
상기 TLM에서 반사되는 레이저 빔을 포커싱하는 FM(Focusing Mirror);
상기 FM에서 포커싱되는 레이저를 입사받아 초점이 맺혀지는 구간에 해당하는 플라즈마 유도로에 대해 가스 공급로로부터 반응 가스를 공급받아 레이저 빔과 반응 가스에 의해 플라즈마를 형성하여 극자외선을 발생시키는 가스셀;
상기 TLM, FM, 가스셀을 진공상태로 수용하는 제 1진공챔버와, 상기 가스셀에서 생성된 EUV광을 전달받기 위해 상기 제 1진공챔버 보다 고진공 상태를 유지하는 제 2진공챔버로 분할 구성되는 진공챔버;
상기 레이저 소스와 진공챔버를 일체로 지지하거나 상기 레이저 소스만을 지지하는 플레이트;
상기 플레이트를 다축으로 이동시키는 스테이지;
상기 스테이지의 이동에 의해 상기 진공챔버에서 출력되는 EUV 광의 위치를 검출하는 센서부; 및
상기 센서부에서 검출되는 정보에 따라 상기 스테이지를 구동시켜 빔 정렬을 제어하는 제어 단말기;를 포함하고,
상기 FM으로 입사되는 광 경로의 광을 반사받아 빔의 포지션을 검출하는 포지션 검출부를 더 포함하며,
상기 포지션 검출부에서 검출되는 광의 포지션은 상기 FM으로 광을 입사시켜주는 반사미러와 상기 FM을 구동시켜 정렬하는 것을 특징으로 하는 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치.A laser source for outputting a laser;
Tunable Laser Mirror (TLM) for reflecting the laser beam output from the laser source;
Focusing Mirror (FM) for focusing the laser beam reflected from the TLM;
A gas cell for receiving a laser beam focused by the FM and supplying a reaction gas from a gas supply path to a plasma induction furnace corresponding to a focal point and generating a plasma by a laser beam and a reactive gas to generate extreme ultraviolet rays;
The first vacuum chamber for accommodating the TLM, FM, and gas cells in a vacuum state, and the second vacuum chamber for maintaining a higher vacuum than the first vacuum chamber to receive the EUV light generated in the gas cell Vacuum chamber;
A plate which integrally supports the laser source and the vacuum chamber or supports only the laser source;
A stage for moving the plate in multiple axes;
A sensor unit detecting a position of EUV light output from the vacuum chamber by the movement of the stage; And
And a control terminal for controlling beam alignment by driving the stage according to the information detected by the sensor unit.
A position detection unit for detecting the position of the beam by reflecting the light of the optical path incident to the FM,
The position of the light detected by the position detection unit is EUV light generating device capable of fine adjustment of light, characterized in that the drive by driving the FM and the reflecting mirror and the light incident to the FM. 제 1항에 있어서, 상기 스테이지는,
6축(X, Y, Z, Xθ, Yθ, Theta) 방향으로 구동되는 6축 스테이지에 해당하는 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치.The method of claim 1, wherein the stage,
EUV light generator capable of precise light control corresponding to the six-axis stage driven in the six-axis (X, Y, Z, Xθ, Yθ, Theta) direction. 제 1항에 있어서, 상기 센서부는,
중앙이 홀이 구성된 quad sensor(photo detector) 센서이며, 상기 진공챔버에서 출력되는 EUV 광이 상기 센서부에 검출되지 않고 중앙 홀을 관통할 때 정확한 정렬이 구현된 것으로 제어하는 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치.The method of claim 1, wherein the sensor unit,
The center is a quad sensor (photo detector) sensor with a hole, and EUV light can be precisely controlled to control that accurate alignment is realized when EUV light output from the vacuum chamber passes through the center hole without being detected by the sensor unit. Light generating device. 제 1항에 있어서, 상기 제어단말기는,
상기 센서부에서 검출되는 신호값에 따라 상기 스테이지를 구동시키는 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치.The method of claim 1, wherein the control terminal,
And an EUV light generator capable of precisely adjusting the light to drive the stage according to the signal value detected by the sensor unit. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 가스셀로 포커싱되는 광의 정렬 상태를 검출하기 위하여 가스셀에서 출력되는 광을 반사받아 검출하는 가스셀 빔 검출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치.The method of claim 1,
And a gas cell beam detector configured to reflect and detect light output from the gas cell in order to detect an alignment state of the light focused into the gas cell. 제 1항에 있어서,
상기 FM에서 반사되는 광 경로의 광을 반사받아 빔의 파워나 안정성을 검출하기 위한 빔 파워 검출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 정밀 조절이 가능한 EUV 광 발생장치.The method of claim 1,
And a beam power detector for detecting the power or stability of the beam by receiving the light of the optical path reflected by the FM.
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