KR101356593B1 - 실리콘 카바이드 구조물 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘 카바이드 구조물 제조방법에 관한 것으로, a) 그라파이트 베이스의 측면에 분리판을 접촉시킨 상태로 SiC를 증착하여 SiC층을 형성하는 단계와, b) 상기 분리판을 분리시켜 상기 그라파이트 베이스의 측면측에 증착된 상기 SiC층을 분리 제거하여 상기 그라파이트 베이스의 측면을 노출시키는 단계와, c) 측면이 노출된 상기 그라파이트 베이스의 중앙부를 상하 분할하여, 분할된 한 쌍의 그라파이트 베이스 각각의 일면에 SiC층이 증착된 구조물을 획득하는 단계와, d) 분할된 한 쌍의 그라파이트 베이스를 제거하여 한 쌍의 SiC층을 획득하는 단계를 포함한다. 본 발명은 그라파이트 베이스의 측면에 분리판을 둔 상태에서 SiC를 증착하고, SiC가 증착된 상태에서 분리판을 분리시켜, 상기 그라파이트 베이스의 측면에 증착된 SiC를 용이하게 제거할 수 있게 되어, 실리콘 카바이드 구조물의 제조 공정을 단순화하여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 실리콘 카바이드 구조물 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외경가공이 불필요한 실리콘 카바이드 구조물 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 SiC 기판이나 식각장치용 SiC링, SiC전극을 제조하는 방법으로는 그라파이트 베이스의 전면에 SiC를 증착하고, 외경측을 가공 제거하여 상기 그라파이트 베이스의 측면부분을 노출시킨다.
그 다음, 노출된 그라파이트 베이스를 횡으로 절단하여 그라파이트 베이스와 그 상부에 SiC가 증착된 한 쌍의 구조물을 획득한 후, 그라파이트 베이스를 물리적 또는 화학적 처리법으로 제거하여 SiC 구조물을 획득하는 방법을 사용하였다.
이와 같은 실리콘 카바이드 구조물을 제조하는 방법으로, 본 발명의 출원인의 등록특허 10-1001674(2010년 12월 9일 등록)에 상세하게 공개되어 있다.
그러나 상기와 같은 종래의 실리콘 카바이드 구조물 제조방법은 경도가 높은 실리콘 카바이드의 외경을 절단하여 제거해야 하기 때문에 가공시간이 많이 소요되며, 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 과제는, 그라파이트 베이스의 측면에 증착되는 SiC를 절단 가공하지 않고도 SiC 구조물을 제조할 수 있는 실리콘 카바이드 구조물 제조방법을 제공함에 있다.
또한 본 발명의 다른 과제는 상기 그라파이트 베이스의 중앙부를 절단 가공하는 과정을 생략할 수 있는 실리콘 카바이드 구조물 제조방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명 실리콘 카바이드 구조물 제조방법은, a) 그라파이트 베이스의 측면에 분리판을 접촉시킨 상태로 SiC를 증착하여 SiC층을 형성하는 단계와, b) 상기 분리판을 분리시켜 상기 그라파이트 베이스의 측면측에 증착된 상기 SiC층을 분리 제거하여 상기 그라파이트 베이스의 측면을 노출시키는 단계와, c) 측면이 노출된 상기 그라파이트 베이스의 중앙부를 상하 분할하여, 분할된 한 쌍의 그라파이트 베이스 각각의 일면에 SiC층이 증착된 구조물을 획득하는 단계와, d) 분할된 한 쌍의 그라파이트 베이스를 제거하여 한 쌍의 SiC층을 획득하는 단계를 포함한다.
본 발명은, 그라파이트 베이스의 측면에 분리판을 둔 상태에서 SiC를 증착하고, SiC가 증착된 상태에서 분리판을 분리시켜, 상기 그라파이트 베이스의 측면에 증착된 SiC를 용이하게 제거할 수 있게 되어, 실리콘 카바이드 구조물의 제조 공정을 단순화하여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명은 이 중의 분리판을 사용하며, 내측의 분리판을 상호 분할된 그라파이트 베이스의 사이에 삽입되도록 하여, 그라파이트 베이스를 횡으로 절단하는 공정을 생략할 수 있어, 공정 단순화 및 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조공정 수순 단면도이다.
도 7 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조공정 수순 단면도이다.
도 7 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조공정 수순 단면도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물의 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 실시에에 따른 실리콘 카바이드 구조물의 제조공정 수순 단면도이다.
먼저, 도 1에서와 같이 원판형의 그라파이트 베이스(10)의 측면에 접하며, 상하로 연장되어 노출되는 분리판(20)을 준비한다.
상기 분리판(20)의 형상은 그라파이트 베이스(10)의 외경부를 감싸는 링형의 구조이며, 그라파이트 베이스(10)의 측면에 접촉되는 중앙접촉부(21)에서 상하로 각각 연장되는 상부연장부(22)와 하부연장부(23)로 구성된다.
상기 상부연장부(22)와 하부연장부(23)는 각각 그라파이트 베이스(10)의 측면과 평행한 방향이거나, 외측으로 경사진 것일 수 있다.
상기 분리판(20)의 재질은 그라파이트로 하는 것이 바람직하다. 그 이유는 그라파이트 베이스(10)와 동일한 재질로 하여, 이후 SiC를 증착할 때 증착비가 동일하게 유지될 수 있도록 한다.
그 다음, 도 2에서는 상기 그라파이트 베이스(10)의 측면에 분리판(20)이 접촉된 상태에서, SiC를 전면에 증착한다.
이와 같은 증착으로 상기 분리판(20)과 그라파이트 베이스(10)의 전면에 SiC층(30)이 증착되며, 상기 분리판(20)의 상부연장부(22)와 하부연장부(23)의 전체에도 SiC층(30)이 증착된다.
그 다음, 도 3에 도시한 바와 같이 상기 상부연장부(22)와 하부연장부(23)를 절단하여 상기 분리판(20)의 중앙접촉부(21)의 외측에 증착된 SiC층(30)과 상기 그라파이트 베이스(10)의 상면과 하면에 증착된 SiC층(30)을 분리한다.
그 다음, 도 4에 도시한 바와 같이 상기 분리판(20)을 그라파이트 베이스(10)에서 분리하여, 그 분리판(20)의 외측에 증착된 SiC층(30)을 제거하여, 그라파이트 베이스(10)의 측면을 노출시킨다.
이와 같이 경도가 높은 SiC층(30)을 절단가공하지 않고, 분리판(20)을 사용하여 분리하여 제거할 수 있게 되어, 공정시간이 단축되며 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.
그 다음, 도 5에 도시한 바와 같이 상기 노출된 그라파이트 베이스(10)의 중앙부를 횡방향으로 절단한다. 이러한 절단에 의하여 분할된 한 쌍의 그라파이트 베이스(10)의 일면에 SiC층(30)이 증착된 구조를 획득할 수 있게 된다.
그 다음, 도 6에 도시한 바와 같이 상기 SiC(30)을 제외한 그라파이트 베이스(10)를 제거한다. 이때의 제거방법은 물리적으로 연마하여 제거하거나, 화학적 반응에 의해 제거할 수 있다.
이와 같이 SiC층(30)을 제외하고, 그라파이트 베이스(10)를 제거함으로써, SiC층(30)인 실리콘 카바이드 구조물을 획득할 수 있게 된다.
상기한 바와 같이 본 발명은 SiC를 증착한 후, 그라파이트 베이스(10)의 측면측의 SiC를 가공하여 제거하는 공정이 요구되지 않기 때문에 생산성을 높일 수 있게 된다.
도 7 내지 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물의 제조공정 수순 단면도이다.
먼저, 도 7에 도시한 바와 같이 상하로 분할된 제1 및 제2그라파이트 베이스(11,12)를 준비하고, 내측분리판(40)과 외측분리판(50)을 상기 제1 및 제2그라파이트 베이스(11,12)의 측면에 순차적으로 위치시킨다.
상기 내측분리판(40)은 제1그라파이트 베이스(11)와 제2그라파이트 베이스(12)의 측면에 접촉되는 중앙접촉부(41)와, 중앙접촉부(41)의 상부와 하부에서 각각 연장되는 상부연장부(42)와 하부연장부(43)와, 상기 중앙접촉부(41)의 내측 중앙에서 돌출되어 상기 제1그라파이트 베이스(11)와 제2그라파이트 베이스(12)의 사이를 분리시키는 분리돌출부(44)를 포함하여 구성된다.
상기 외측분리판(50)은 앞선 실시예에서의 분리판(30)과 동일한 형상이다.
상기 외측분리판(50)은 내측분리판(40)의 중앙접촉부(41)의 외측에 접촉되는 중앙접촉부(51)와, 상기 중앙접촉부(51)의 상부와 하부에서 각각 상하로 연장되는 상부연장부(52)와 하부연장부(53)를 포함한다.
도 8에 도시한 바와 같이 상기 도 7에 도시한 구조에 SiC를 증착하여, SiC층(30)을 증착한다.
이때 상기 SiC층(30)은 제1그라파이트 베이스(11)의 상부와, 제2그라파이트 베이스(12)의 하부에 증착되며, 상기 외측분리판(50)의 측면부와 상부연장부(42,52), 하부연장부(43,53)의 전면에 증착된다.
그 다음, 도 9에 도시한 바와 같이 상기 내측분리판(40)과 외측분리판(50)의 상부연장부(42,52)와 하부연장부(43,53)의 중단 부분을 절단한다.
그 다음, 도 10에 도시한 바와 같이 상기 외측분리판(50)을 분리하여 그 외측분리판(50)의 외측에 증착되어진 SiC층을 제거한다. 이때 외측분리판(50)의 제거로 인하여, 내측분리판(40)의 외측이 노출된다.
그 다음, 도 11에 도시한 바와 같이 상기 내측분리판(40)을 분리한다. 이때 내측분리판(40)은 상기 제1그라파이트 베이스(11)와 제2그라파이트 베이스(12)를 상호 이격시키는 분리돌출부(44)가 제거되어, 상기 제1그라파이트 베이스(11)와 제2그라파이트 베이스(12)를 상호 분리할 수 있게 된다.
앞서 설명한 바와 같이 제1그라파이트 베이스(11)의 상부에는 SiC층(30)이 증착되어 있으며, 제2그라파이트 베이스(12)의 하부에도 SiC층(30)이 증착되어 있다.
즉, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한 실시예에서와 같이 그라파이트 베이스를 상하 분할하는 공정이 필요 없기 때문에 공정 시간을 단축하여 생산성을 높일 수 있게 된다.
그 다음, 도 12에 도시한 바와 같이 상기 제1그라파이트 베이스(11)와 제2그라파이트 베이스(12)를 제거하여, 한 쌍의 SiC층(30)을 얻을 수 있게 된다.
상기 도 7 내지 도 12를 참조하여 설명한 실시예에서는 분리판을 내측분리판(40)과 외측분리판(50)을 사용하여 증착된 SiC층(30)의 외경부를 절단가공공정 없이 분리하고, 그라파이트 베이스를 분할가공하는 공정을 생략할 수 있는 것으로 설명하였다.
그러나 내측분리판(40) 만을 사용하여도 동일하게 SiC층(30)의 외경부를 쉽게 분리할 수 있으며, 그라파이트 베이스를 상하로 분리할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명에 대하여 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
10:그라파이트 베이스 11:제1그라파이트 베이스
12:제2그라파이트 베이스 20:분리판
21,41,51:중앙접촉부 22,42,52:상부연장부
23,43,53:하부연장부 30:SiC층
44:분리돌출부
12:제2그라파이트 베이스 20:분리판
21,41,51:중앙접촉부 22,42,52:상부연장부
23,43,53:하부연장부 30:SiC층
44:분리돌출부
Claims (5)
- a) 그라파이트 베이스의 측면에 분리판을 접촉시킨 상태로 SiC를 증착하여 SiC층을 형성하는 단계;
b) 상기 분리판을 분리시켜 상기 그라파이트 베이스의 측면측에 증착된 상기 SiC층을 분리 제거하여 상기 그라파이트 베이스의 측면을 노출시키는 단계;
c) 측면이 노출된 상기 그라파이트 베이스의 중앙부를 상하 분할하여, 분할된 한 쌍의 그라파이트 베이스 각각의 일면에 SiC층이 증착된 구조물을 획득하는 단계; 및
d) 분할된 한 쌍의 그라파이트 베이스를 제거하여 한 쌍의 SiC층을 획득하는 단계를 포함하는 실리콘 카바이드 구조물 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 분리판은,
상기 그라파이트 베이스의 측면에 접촉되는 중앙접촉부; 및
상기 중앙접촉부의 상부와 하부 각각에서 상하로 연장되는 상부연장부 및 하부연장부를 포함하는 실리콘 카바이드 구조물 제조방법.
- 제2항에 있어서,
상기 상부연장부 및 상기 하부연장부 각각은,
상기 중앙접촉부의 수직방향으로 연장되거나,
수직방향으로부터 외측방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 구조물 제조방법.
- 제3항에 있어서,
상기 그라파이트 베이스는,
상호 상하로 배치되는 제1그라파이트 베이스와 제2그라파이트 베이스를 포함하며,
상기 중앙접촉부의 내측 중앙부에서 돌출되어, 상기 제1그라파이트 베이스와 제2그라파이트 베이스의 사이를 이격시키는 분리돌출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 구조물 제조방법.
- 제4항에 있어서,
상기 분리판은 상기 분리돌출부가 마련된 내측분리판과, 상기 내측분리판의 외측에 접하여 상기 제1그라파이트 베이스와 제2그라파이트 베이스의 측면측에 증착된 SiC층을 분리하는 실리콘 카바이드 구조물 제조방법.
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