KR101344259B1 - Liquid crystal display panel and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 액정표시패널은 하부어레이기판과 상부어레이기판; 상기 하부어레이기판의 제1면과 상부어레이기판의 제1면사이에 개재된 액정층; 상기 하부어레이기판의 제2면에 형성된 제1편광판; 상기 상부어레이기판의 제2면에 형성된 반사억제층; 및 상기 상부어레이기판의 반사억제층상에 형성된 제2편광판;을 포함하여 구성되며, 상부어레이기판위에 굴절률이 다른 물질층을 추가하므로써 외부광에 의한 액정표시패널의 반사율을 감소시킬 수 있는 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display panel and a method for manufacturing the same, wherein the liquid crystal display panel according to the present invention comprises a lower array substrate and an upper array substrate; A liquid crystal layer interposed between the first surface of the lower array substrate and the first surface of the upper array substrate; A first polarizing plate formed on a second surface of the lower array substrate; A reflection suppression layer formed on a second surface of the upper array substrate; And a second polarizing plate formed on the reflection suppression layer of the upper array substrate. By adding a material layer having a different refractive index on the upper array substrate, the reflectance of the liquid crystal display panel due to external light can be reduced.

반사억제층, 외부광, 굴절률, 액정표시패널, 편광판  Reflection suppression layer, external light, refractive index, liquid crystal display panel, polarizing plate

Description

액정표시패널 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Liquid crystal display panel and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

도 1은 종래기술에 따른 액정표시패널을 개략적으로 나타낸 분해사시도.1 is an exploded perspective view schematically showing a liquid crystal display panel according to the prior art.

도 2는 종래기술에 따른 액정표시패널을 개략적으로 나타낸 단면도.2 is a cross-sectional view schematically showing a liquid crystal display panel according to the prior art.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시패널을 개략적으로 나타낸 분해사시도.Figure 3 is an exploded perspective view schematically showing a liquid crystal display panel according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 액정표시패널을 개략적으로 나타낸 단면도.4 is a cross-sectional view schematically showing a liquid crystal display panel according to the present invention.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 액정표시패널 제조공정을 개략적으로 나타낸 공정 단면도.5A to 5D are cross-sectional views schematically illustrating a process of manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention.

도 6은 본 발명에 액정표시패널에 있어서, 반사억제층의 두께에 따른 기판표면 반사율 변화를 나타낸 그래프.6 is a graph showing a change in reflectivity of the substrate surface according to the thickness of the reflection suppression layer in the liquid crystal display panel according to the present invention.

- 도면의 주요부분에 대한 부호설명 -DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS -

101 : 하부기판 103 : 게이트라인101: lower substrate 103: gate line

103a : 게이트전극 105 : 게이트절연막103a: gate electrode 105: gate insulating film

107 : 액티브패턴 109 : 데이터라인107: active pattern 109: data line

109a : 소스전극 109b : 드레인전극109a: source electrode 109b: drain electrode

111 : 보호막 113 : 화소전극111 protective film 113 pixel electrode

121 : 상부기판 123 : 블랙매트릭스121: upper substrate 123: black matrix

125 : 칼라필터층 127 : 공통전극125: color filter layer 127: common electrode

129 : 반사억제층 131 : 제1편광판129: reflection suppression layer 131: first polarizing plate

133 : 제2편광판 141 : 액정층 133: second polarizing plate 141: liquid crystal layer

본 발명은 액정표시패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판위에 굴절률이 다른 물질층을 추가하므로써 외부광에 의한 액정표시패널의 반사율을 감소시킬 수 있는 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display panel, and more particularly, to a liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same, which can reduce the reflectance of the liquid crystal display panel due to external light by adding a material layer having a different refractive index on a substrate.

통상적으로, 액정표시소자(Liquid Crystal Display device; LCD)는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상이 표시된다.In general, a liquid crystal display device (LCD) displays an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field.

이를 위하여, 액정표시소자는 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정표시패널과, 이 액정표시패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비하게 된다.To this end, the liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel in which liquid crystal cells are arranged in a matrix, and a driving circuit for driving the liquid crystal display panel.

액정표시패널에는 액정셀들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소전극들과 기준전극, 즉 공통전극이 마련되어 있다.The liquid crystal display panel includes pixel electrodes for applying an electric field to each of the liquid crystal cells and a reference electrode, that is, a common electrode.

통상적으로, 화소전극은 하부기판상에 액정셀별로 형성되는 반면, 공통전극은 상부기판의 전면에 일체화되어 형성된다. 화소전극들 각각은 스위칭소자로 사용되는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 "TFT"라 함)에 접속된다.In general, the pixel electrode is formed for each liquid crystal cell on the lower substrate, while the common electrode is integrally formed on the entire surface of the upper substrate. Each of the pixel electrodes is connected to a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) which is used as a switching element.

화소전극은 TFT를 통해 공급되는 데이터 신호에 따라 공통전극과 함께 구동된다.The pixel electrode is driven together with the common electrode according to the data signal supplied through the TFT.

이러한 관점에서, 종래기술에 액정표시패널에 대해 도 1 및 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.In this regard, the liquid crystal display panel of the related art will be described with reference to FIGS. 1 and 2 as follows.

도 1은 종래기술에 따른 액정표시패널을 나타내는 분해사시도이다.1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display panel according to the prior art.

도 2는 종래기술에 따른 액정표시패널을 개략적으로 나타낸 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display panel according to the related art.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래기술에 따른 액정표시패널은 액정(31)을 사이에 두고 합착되는 하부 어레이기판(11)과 상부 어레이기판(21)이 구비되어 있으며, 상기 하부어레이기판(11)과 상부 어레이기판(21)표면에는 상하 편광판(43,41)이 각각 구비되어 있다.1 and 2, a liquid crystal display panel according to the related art includes a lower array substrate 11 and an upper array substrate 21 bonded to each other with a liquid crystal 31 interposed therebetween, and the lower array substrate ( 11) and upper and lower polarizing plates 43 and 41 are provided on the surface of the upper array substrate 21, respectively.

여기서, 상기 액정(31)은 자신에게 인가된 전계에 응답하여 회전되므로써 하부어레이기판(11)을 경유하여 입사되는 빛의 투과량을 조절하게 된다.Here, the liquid crystal 31 is rotated in response to an electric field applied to the liquid crystal 31 to adjust the amount of light transmitted through the lower array substrate 11.

또한, 상부어레이기판(21)의 배면상에는 컬러필터(25)과 공통전극(27) 및 상부배향막(미도시)이 형성되어 있다.In addition, a color filter 25, a common electrode 27, and an upper alignment layer (not shown) are formed on the rear surface of the upper array substrate 21.

그리고, 상기 컬러필터(25)는 적(R), 녹(G) 및 청(B)색의 컬러필터를 포함하여 특정 파장 대역의 빛을 투과시키므로써 컬러표시를 가능하게 한다.In addition, the color filter 25 includes color filters of red (R), green (G), and blue (B) colors to allow color display by transmitting light of a specific wavelength band.

또한, 인접한 컬러필터(25)들사이에는 블랙매트릭스(23)가 형성되어 있어, 인접한 셀로부터 입사되는 빛을 흡수하므로써 콘트라스트의 저하를 방지한다.In addition, a black matrix 23 is formed between the adjacent color filters 25 to prevent the decrease in contrast by absorbing light incident from the adjacent cells.

한편, 상기 하부 어레이기판(11)의 전면에는 게이트절연막(미도시)을 사이에 두고 데이터라인(19)과 게이트라인(13)이 상호 교차되게 형성되며, 그 교차부에 TFT(T)가 형성되어 있다.On the other hand, the data line 19 and the gate line 13 are formed to cross each other with a gate insulating film (not shown) on the front surface of the lower array substrate 11, and a TFT (T) is formed at the intersection thereof. It is.

여기서, 상기 TFT(T)는 게이트라인(13)에 접속된 게이트전극(미도시), 데이 터라인(19)에 접속된 소스전극(미도시), 활성층(미도시) 및 오믹접촉층(미도시)을 포함하는 채널부를 사이에 두고 소스전극(미도시)과 마주 보는 드레인전극(미도시)으로 이루어진다.The TFT T may include a gate electrode (not shown) connected to the gate line 13, a source electrode (not shown) connected to the data line 19, an active layer (not shown), and an ohmic contact layer (not shown). And a drain electrode (not shown) facing the source electrode (not shown) with a channel portion interposed therebetween.

또한, 상기 TFT(T)는 보호막(미도시)을 관통하는 접촉홀을 통해 화소전극(15)과 접속된다.In addition, the TFT T is connected to the pixel electrode 15 through a contact hole penetrating a protective film (not shown).

이러한 TFT(T)는 게이트라인(13)으로부터의 게이트신호에 응답하여 데이터라인(19)으로부터의 데이터신호를 선택적으로 화소전극(15)에 공급한다.The TFT T selectively supplies the data signal from the data line 19 to the pixel electrode 15 in response to the gate signal from the gate line 13.

상기 화소전극(15)은 데이터라인(19)과 게이트라인(13)에 의해 분할된 셀영역에 위치하며, 광투과율이 높은 투명전도성물질로 이루어진다.The pixel electrode 15 is positioned in a cell region divided by the data line 19 and the gate line 13 and is made of a transparent conductive material having high light transmittance.

이 화소전극(15)은 드레인전극(미도시)을 경유하여 공급되는 데이터신호에 의해 공통전극(27)과 전위차를 발생시키게 된다. The pixel electrode 15 generates a potential difference from the common electrode 27 by a data signal supplied via a drain electrode (not shown).

이 전위차에 의해 하부 어레이기판(11)과 상부 어레이기판(21)사이에 위치하는 액정의 유전율 이방성에 의해 회전하게 된다.This potential difference causes the liquid crystal to be rotated by the dielectric anisotropy of the liquid crystal positioned between the lower array substrate 11 and the upper array substrate 21.

이에 따라, 광원으로부터 화소전극(15)을 경유하여 공급되는 광이 상부 어레이기판(21)쪽으로 투과된다.Accordingly, light supplied from the light source via the pixel electrode 15 is transmitted toward the upper array substrate 21.

그런데, 외부광이 상부 어레이기판을 통해 액정패널내부로 입사되어질때, 상부어레이기판의 매끄러운 유리 표면이 외부에 노출되어 있기 때문에, 외부광이 유리면에서 약 4% 이상이 반사되므로써 액정패널의 시인성이 저하되는 문제점이 발생한다.However, when external light is incident on the inside of the liquid crystal panel through the upper array substrate, since the smooth glass surface of the upper array substrate is exposed to the outside, the external light is reflected by about 4% or more from the glass surface, so that the visibility of the liquid crystal panel is improved. The problem of deterioration occurs.

이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 상부어레이기판표면에 굴절률이 다른 물질층을 추가하므로써 외부광에 의한 액정표시패널의 반사율을 감소시켜 액정패널의 시인성을 향상시킬 수 있는 액정표시패널 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art, an object of the present invention is to reduce the reflectance of the liquid crystal display panel by external light by adding a material layer having a different refractive index on the surface of the upper array substrate liquid crystal panel It is to provide a liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same that can improve the visibility.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시패널은, 하부어레이기판과 상부어레이기판; 상기 하부어레이기판의 제1면과 상부어레이기판의 제1면사이에 개재된 액정층; 상기 하부어레이기판의 제2면에 형성된 제1편광판; 상기 상부어레이기판의 제2면에 형성된 반사억제층; 및 상기 상부어레이기판의 반사억제층상에 형성된 제2편광판;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display panel includes a lower array substrate and an upper array substrate; A liquid crystal layer interposed between the first surface of the lower array substrate and the first surface of the upper array substrate; A first polarizing plate formed on a second surface of the lower array substrate; A reflection suppression layer formed on a second surface of the upper array substrate; And a second polarizing plate formed on the reflection suppression layer of the upper array substrate.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시패널 제조방법은, 하부어레이기판과 상부어레이기판을 제공하는 단계; 상기 하부어레이기판의 제2면에 제1편광판을 형성하는 단계; 상기 상부어레이기판의 제2면에 반사억제층을 형성하는 단계; 상기 상부어레이기판의 반사억제층상에 제2편광판을 형성하는 단계; 및 상기 하부어레이기판의 제1면과 상부어레이기판의 제1면사이에 액정층을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display panel, including: providing a lower array substrate and an upper array substrate; Forming a first polarizing plate on a second surface of the lower array substrate; Forming a reflection suppression layer on a second surface of the upper array substrate; Forming a second polarizing plate on the reflection suppression layer of the upper array substrate; And forming a liquid crystal layer between the first surface of the lower array substrate and the first surface of the upper array substrate.

이하, 본 발명에 따른 액정표시패널 및 그 제조방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시패널을 개략적으로 나타낸 분해사시도이다.3 is an exploded perspective view schematically showing a liquid crystal display panel according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 액정표시패널을 개략적으로 나타낸 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display panel according to the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시패널은 액정(141)을 사이에 두고 합착되는 하부어레이기판(101)과 상부어레이기판(121)으로 구성된다.3 and 4, the liquid crystal display panel according to the present invention includes a lower array substrate 101 and an upper array substrate 121 bonded together with the liquid crystal 141 interposed therebetween.

여기서, 상기 하부 어레이기판(101)에는 게이트절연막(미도시; 도 5a의 105)을 사이에 두고 절연되는 데이터라인(109)과 게이트라인(103)이 상호 교차하도록 형성되어 있으며, 그 교차부에는 TFT(T)가 형성되어 있으며, 상기 TFT(T)에는 화소전극(113)이 접속되어 있다.Here, the lower array substrate 101 is formed such that the data line 109 and the gate line 103 which are insulated with a gate insulating film (not shown; 105 in FIG. 5A) intersect with each other. A TFT (T) is formed, and a pixel electrode 113 is connected to the TFT (T).

또한, 상기 TFT(T)는 게이트라인(103)에 접속된 게이트전극(미도시), 데이터라인(109)에 접속된 소스전극(미도시), 활성층(미도시) 및 오믹접촉층(미도시)을 포함하는 채널부를 사이에 두고 소스전극(미도시)과 마주 보는 드레인전극(미도시)으로 이루어진다.In addition, the TFT T includes a gate electrode (not shown) connected to the gate line 103, a source electrode (not shown) connected to the data line 109, an active layer (not shown), and an ohmic contact layer (not shown). It is composed of a drain electrode (not shown) facing the source electrode (not shown) with a channel portion including a).

여기서, 상기 TFT(T)는 보호막(미도시)을 관통하는 접촉홀을 통해 화소전극(113)과 접속된다.Here, the TFT (T) is connected to the pixel electrode 113 through a contact hole penetrating a protective film (not shown).

이러한 TFT(T)는 게이트라인(103)으로부터의 게이트신호에 응답하여 데이터라인으로부터의 데이터신호를 선택적으로 화소전극(113)에 공급한다.The TFT T selectively supplies the data signal from the data line to the pixel electrode 113 in response to the gate signal from the gate line 103.

상기 화소전극(113)은 데이터라인(109)과 게이트라인(103)에 의해 분할된 셀영역에 위치하며, 광투과율이 높은 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명성 도전물질로 이루어진다.The pixel electrode 113 is positioned in a cell region divided by the data line 109 and the gate line 103 and is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) having high light transmittance.

상기 화소전극(113)은 드레인전극(미도시)을 경유하여 공급되는 데이터신호에 의해 공통전극(127)과 전위차를 발생시키게 된다. 이 전위차에 의해 하부 어레이기판(101)과 상부 어레이기판(121)사이에 위치하는 액정(141)은 유전율 이방성에 의해 회전하게 된다.The pixel electrode 113 generates a potential difference from the common electrode 127 by a data signal supplied through a drain electrode (not shown). Due to this potential difference, the liquid crystal 141 positioned between the lower array substrate 101 and the upper array substrate 121 is rotated by the dielectric anisotropy.

이에 따라 광원으로부터 화소전극(113)을 경유하여 공급되는 광이 상부 어레이기판(121)쪽으로 투과된다.Accordingly, light supplied from the light source via the pixel electrode 113 is transmitted toward the upper array substrate 121.

한편, 상기 상부 어레이기판(121)은 블랙매트릭스(123)와 이 블랙매트릭스(123)사이에 형성된 컬러필터(125) 및 블랙매트릭스(123)와 컬러필터(127)를 포함한 기판상에 형성된 공통전극(127)을 구비하고 있다.Meanwhile, the upper array substrate 121 includes a color filter 125 formed between the black matrix 123 and the black matrix 123 and a common electrode formed on a substrate including the black matrix 123 and the color filter 127. 127 is provided.

또한, 상기 상부어레이기판(121) 전면에는 외부광에 의한 반사를 억제하기 위한 반사억제층(129)이 형성되어 있다. In addition, a reflection suppression layer 129 is formed on the entire surface of the upper array substrate 121 to suppress reflection by external light.

여기서, 상기 반사억제층(129)을 형성하기 위한 물질로는 굴절률이 약 1.6 ∼ 1.7 인 물질, 예를들어 Al2O3 와 같은 물질을 사용한다.The material for forming the reflection suppression layer 129 may be a material having a refractive index of about 1.6 to 1.7, for example, Al 2 O 3. Use materials such as

또한, A2O3 두께는 0.01μm 내지 2.0 μm 범위로 형성되며, 가장 바람직하게는 0.5 내지 0.8 μm 범위로 형성된다.In addition, the A 2 O 3 thickness is formed in the range of 0.01 μm to 2.0 μm, most preferably in the range of 0.5 to 0.8 μm.

또한, 인접한 색의 컬러필터(125)들사이에 형성된 블랙매트릭스(123)는 인접한 셀로부터 입사되는 빛을 흡수함으로써 콘트라스트의 저하를 방지하게 된다.In addition, the black matrix 123 formed between the color filters 125 of the adjacent color absorbs the light incident from the adjacent cells, thereby preventing the lowering of the contrast.

또한, 상기 컬러필터(125)는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터를 포함하여 특정 파장대역의 빛을 투과시키므로써 컬러표시를 가능하게 한다.In addition, the color filter 125 includes color filters of red (R), green (G), and blue (B) colors to allow color display by transmitting light of a specific wavelength band.

한편, 상기 하부 어레이기판(101)과 상부 어레이기판(121)의 전면에는 제1편광판(141)과 제2편광판(143)이 각각 구비되어 있다.On the other hand, the first polarizing plate 141 and the second polarizing plate 143 are provided on the front of the lower array substrate 101 and the upper array substrate 121, respectively.

또한편, 상기 반사억제층(129)은 Al2O3 물질로 구성되어 있는데, 상부어레이 기판의 유리재질과의 굴절률 차이에 의해 빛이 상쇄간섭을 일으키기 때문에 외부광의 반사로 인한 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the reflection suppression layer 129 is Al 2 O 3 It is made of a material, the light due to the difference in the refractive index with the glass material of the upper array substrate can interfere with the visibility due to the reflection of the external light can be prevented.

특히, 제1매질과 제2매질의 굴절률 n1, n2일 경우, 서로 다른 매질 경계면에서의 반사율(R)에 대해 설명하면 다음과 같다. Particularly, when the refractive indices n1 and n2 of the first medium and the second medium are described, the reflectances R at different media interfaces are as follows.

여기서, 제1매질은 유리로서 굴절률이 1.52이고, 제2매질은 Al2O3 물질로서 이 Al2O3 물질의 굴절률은 1.65로 가정한다.Here, the first medium is glass, the refractive index is 1.52, the second medium is Al 2 O 3 As a substance this Al 2 O 3 The refractive index of the material is assumed to be 1.65.

R = [(n1-n2)/(n1+n2)]2 R = [(n1-n2) / (n1 + n2)] 2

따라서, 기판 표면이 유리면일 경우, 외부광이 유리면에서의 반사는 다음과 같이 계산되어진다.Therefore, when the substrate surface is a glass surface, the reflection of external light on the glass surface is calculated as follows.

R = [(1.52-1.65)/(1.52+1.65)]2 = 0.016R = [(1.52-1.65) / (1.52 + 1.65)] 2 = 0.016

이상에서와 같이, 반사억제층의 굴절률을 1.65로 가정하였을때, 액정표시패널로 입사되는 외부광은 약 1.6 % 정도만 반사하게 된다. As described above, when the refractive index of the reflection suppression layer is assumed to be 1.65, external light incident on the liquid crystal display panel reflects only about 1.6%.

이렇듯 기판의 유리면의 굴절률과 다른 굴절률을 가진 Al2O3 물질층을 유리기판의 표면에 형성하므로써 굴절률의 차이로 인해 외부광의 반사율을 기존에 비해 감소시킬 수 있어 외부광의 반사로 인한 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.As such, Al 2 O 3 has a different refractive index than that of the glass surface of the substrate. Since the material layer is formed on the surface of the glass substrate, the reflectance of the external light can be reduced due to the difference in refractive index, thereby preventing the visibility of the external light from deteriorating.

한편, 본 발명에 따른 액정표시패널 제조방법에 대해 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, a method of manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 5D.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 액정표시패널 제조공정을 개략적으로 나 타낸 공정 단면도이다.5A to 5D are cross-sectional views schematically illustrating a process of manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention.

도 5a를 참조하면, 투명한 유리 등으로 이루어진 하부 어레이기판(101)상에 금속물질을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 게이트라인(103)과, 상기 게이트라인(109)에서 돌출된 게이트전극(103a)을 형성한다. Referring to FIG. 5A, a metal material is deposited on a lower array substrate 101 made of transparent glass, and then selectively patterned by a mask process to protrude from the gate line 103 and the gate line 109. The gate electrode 103a is formed.

이때, 상기 금속물질로는 Al과 Al합금등의 Al 계열 금속, Ag과 Ag합금 등의 Ag 계열금속, Mo과 Mo 합금 등의 Mo 계열금속, Cr, Ti, Ta 등을 사용한다. In this case, Al-based metals such as Al and Al alloys, Ag-based metals such as Ag and Ag alloys, Mo-based metals such as Mo and Mo alloys, Cr, Ti, Ta and the like.

또한, 이들은 물질적 성질이 다른 두개의 막, 즉 하부막과 그 위의 상부막을 포함할 수 있다. 상부막은 게이트라인의 신호지연이나 전압강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를들면 Al 계열금속 또는 Ag 계열 금속으로 이루어진다.In addition, they may include two membranes of different material properties, that is, the lower layer and the upper layer thereon. The upper layer is made of a low resistivity metal such as an Al-based metal or an Ag-based metal so as to reduce the signal delay or voltage drop of the gate line.

이와는 달리, 하부막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide)나 IZO (indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 예를들어 Ti, Ta, Cr, Mo 계열 금속 등으로 이루어지거나, 또는 하부막과 상부막의 조합의 예로는 Cr/Al-Nd 합금을 들 수 있다.On the other hand, the lower layer may be made of other materials, especially materials having excellent physical, chemical and electrical contact properties with indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), for example, Ti, Ta, Cr, Mo-based metals, or the like. Or an example of the combination of the lower layer and the upper layer is a Cr / Al-Nd alloy.

그다음, 상기 게이트라인(103)과 게이트전극(103a)을 포함한 하부어레이기판(101)상에 질화규소(SiNx) 등으로 이루어진 게이트절연막(105)을 형성한다.Next, a gate insulating film 105 made of silicon nitride (SiNx) or the like is formed on the lower array substrate 101 including the gate line 103 and the gate electrode 103a.

이어서, 상기 게이트절연막(105)상부에는 수소화 비정질실리콘층(hydroge-nated amorphous silicon) 등으로 이루어진 반도체층(미도시)을 형성한다.Subsequently, a semiconductor layer (not shown) made of a hydrogenated amorphous silicon layer or the like is formed on the gate insulating layer 105.

그다음, 상기 반도체층(미도시) 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질실리콘 등의 물질로 이루어진 오 믹콘택층(미도시)을 형성한다.Next, an ohmic contact layer (not shown) made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which silicide or n-type impurities are heavily doped is formed on the semiconductor layer (not shown).

이어서, 상기 오믹콘택층과 반도체층을 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 액티브패턴(107)과 오믹콘택층패턴(미도시)을 형성한다.Subsequently, the ohmic contact layer and the semiconductor layer are selectively patterned by a mask process to form an active pattern 107 and an ohmic contact layer pattern (not shown).

그다음, 상기 액티브패턴(107)과 오믹콘택층패턴(미도시)을 포함한 하부어레이기판(101)상에 데이터라인용 금속물질을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 데이터라인(109)과, 이 데이터라인(109)에서 돌출된 소스전극(109a)과, 이 소스전극(109a)과 일정간격만큼 이격된 드레인전극(109b)을 각각 형성한다. Thereafter, a metal material for a data line is deposited on the lower array substrate 101 including the active pattern 107 and the ohmic contact layer pattern (not shown), and then patterned by a mask process to selectively pattern the data line. And a source electrode 109a protruding from the data line 109 and a drain electrode 109b spaced apart from the source electrode 109a by a predetermined interval, respectively.

이때, 상기 데이터라인(109)은 상기 게이트라인(103)과 서로 교차되게 형성되어 있으며, 상기 소스전극(109a)과 드레인전극(109b)은 그 아래의 게이트전극(103a)과 함께 스위칭소자인 박막트랜지스터(T)를 구성한다. In this case, the data line 109 is formed to cross the gate line 103, and the source electrode 109a and the drain electrode 109b together with the gate electrode 103a under the thin film as a switching element. The transistor T is constituted.

또한, 상기 박막트랜지스터(T)의 채널은 상기 소스전극(109a)과 드레인전극(109b)사이의 액티브패턴(107)내에 형성된다.In addition, a channel of the thin film transistor T is formed in the active pattern 107 between the source electrode 109a and the drain electrode 109b.

그리고, 상기 데이터라인(109)을 형성하기 위한 금속물질로는 Al 계열 금속, Ag 계열 금속, Mo 계열 금속, Cr, Ti, Ta 등의 물질을 사용하며, 다중층으로 형성할 수도 있다.The metal material for forming the data line 109 may be formed of an Al-based metal, an Ag-based metal, a Mo-based metal, Cr, Ti, Ta, or the like, and may be formed in multiple layers.

그다음, 도 5b를 참조하면, 상기 데이터라인(109)과 드레인전극(109b)을 포함한 하부어레이기판(101)상에 평탄화 특성이 우수하며 감광성을 가지는 유기물질, 또는 저유전율 특성을 가지는 절연물질, 또는 무기물질인 질화 규소 등으로 이루어진 보호막(111)을 형성한다.Next, referring to FIG. 5B, an organic material having excellent planarization characteristics and photosensitivity, or an insulating material having low dielectric constant, on the lower array substrate 101 including the data line 109 and the drain electrode 109b; Alternatively, a protective film 111 made of silicon nitride or the like, which is an inorganic material, is formed.

이어서, 상기 보호막(111)을 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 상기 보호막(111)내에 상기 드레인전극(109b)의 일부를 노출시키는 콘택홀(미도시)을 형성한다.Subsequently, the protective film 111 is selectively patterned by a mask process to form a contact hole (not shown) that exposes a part of the drain electrode 109b in the protective film 111.

그다음, 상기 콘택홀(미도시)을 포함한 보호막(111)상에 ITO 또는 IZO 등의 투명도전물질으로 이루어진 금속물질층(미도시)을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 제거하여 화소전극(113)을 형성한다. Next, a metal layer (not shown) made of a transparent conductive material such as ITO or IZO is deposited on the passivation layer 111 including the contact hole (not shown), and then selectively removed by the mask process to form a pixel electrode ( 113).

이때, 상기 화소전극(113)은 데이터전압이 인가되면, 공통전압(common voltage)을 인가받은 다른 상부어레이기판(121)의 공통전극(127)과 함께 전기장을 생성하므로써 화소전극(113)과 공통전극(127)사이의 액정층(141)의 액정분자들을 배열시키게 된다. In this case, when a data voltage is applied, the pixel electrode 113 generates an electric field together with the common electrode 127 of another upper array substrate 121 to which a common voltage is applied, thereby creating a common electric field with the pixel electrode 113. The liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 141 between the electrodes 127 are arranged.

한편, 도 5c를 참조하면, 상부어레이기판(121)상에는 Cr과 같은 불투명 금속물질로 복수개의 단위셀영역을 한정하는 블랙매트릭스(123)를 형성한다. Meanwhile, referring to FIG. 5C, a black matrix 123 is formed on the upper array substrate 121 to define a plurality of unit cell regions with an opaque metal material such as Cr.

이때, 상기 블랙매트릭스(123)는 인접한 셀로부터 입사되는 빛을 흡수함으로써 콘트라스트의 저하를 방지하게 된다.In this case, the black matrix 123 absorbs light incident from an adjacent cell to prevent a decrease in contrast.

그다음, 상기 블랙매트릭스(123)사이의 상부어레이기판(121)표면에는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터층(125)을 형성한다.Next, a color filter layer 125 of red (R), green (G), and blue (B) color is formed on the surface of the upper array substrate 121 between the black matrices 123.

이때, 상기 컬러필터층(125)는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터를 포함하여 특정 파장대역의 빛을 투과시키므로써 컬러표시를 가능하게 한다.In this case, the color filter layer 125 may include color filters of red (R), green (G), and blue (B) colors to transmit light of a specific wavelength band, thereby enabling color display.

이어서, 상기 컬러필터층(125) 및 블랙매트릭스(123)를 포함한 상부어레이기판(121)상에 투명도전물질로 구성된 공통전극(127)을 형성한다. Subsequently, a common electrode 127 made of a transparent conductive material is formed on the upper array substrate 121 including the color filter layer 125 and the black matrix 123.

여기서는, 상기 공통전극(127)은 상부어레이기판에 형성된 경우에 대해 설명하였지만, 액정표시패널의 구동모드에 따라 하부어레이기판(101)에 형성할 수도 있다. Here, although the case in which the common electrode 127 is formed on the upper array substrate has been described, it may be formed on the lower array substrate 101 according to the driving mode of the liquid crystal display panel.

그다음, 상기 상부어레이기판(121) 전면에는 외부광에 의한 반사를 억제하기 위한 반사억제층(129)을 형성한다.Next, a reflection suppression layer 129 is formed on the front surface of the upper array substrate 121 to suppress reflection by external light.

이때, 상기 반사억제층(129)으로 사용하는 물질로는 굴절률이 1.6 ∼ 1.7인 물질, 예를들어 A2O3 또는 기타 다른 절연물질을 이용할 수도 있다. In this case, a material having a refractive index of 1.6 to 1.7, for example, A 2 O 3 or another insulating material may be used as the material used as the reflection suppression layer 129.

또한, A2O3 두께는 0.01μm 내지 2.0 μm 범위로 형성하며, 가장 바람직하게는 0.5 내지 0.8 μm 범위로 형성한다.In addition, the A 2 O 3 thickness is formed in the range of 0.01 μm to 2.0 μm, most preferably in the range of 0.5 to 0.8 μm.

이러한 반사억제층(129)은, 앞에서 기술한 상부어레이기판(121)의 유리재질과의 굴절률 차이에 의해 빛이 상쇄간섭을 일으키기 때문에 외부광의 반사로 인한 시인성이 저하되는 것을 방지시키는 기능을 한다.The reflection suppression layer 129 serves to prevent deterioration of visibility due to reflection of external light because light causes interference due to a difference in refractive index with the glass material of the upper array substrate 121 described above.

이어서, 앞에서 어레이 형성공정을 수행한 하부어레이기판(101) 및 상부어레이기판(121)의 전면에는 제1편광판(131)과 제2편광판(133)을 각각 형성한다.Subsequently, a first polarizing plate 131 and a second polarizing plate 133 are formed on the front surfaces of the lower array substrate 101 and the upper array substrate 121 which have been subjected to the array forming process.

이렇게 하부어레이기판(101) 및 상부어레이기판(121)에서의 어레이공정을 진행한후 이들 하부어레이기판(101) 및 상부어레이기판(121)사이에 액정층(141)을 형성하므로써 액정표시패널 제조공정을 완료한다.After the array process is performed on the lower array substrate 101 and the upper array substrate 121, a liquid crystal layer 141 is formed between the lower array substrate 101 and the upper array substrate 121 to manufacture the liquid crystal display panel. Complete the process.

한편, 상기와 같이 구성되는 액정표시패널의 외부광에 의한 반사율에 대해 도 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다.On the other hand, the reflectance by the external light of the liquid crystal display panel configured as described above with reference to Figure 6 as follows.

도 6은 본 발명에 액정표시패널에 있어서, 반사억제층의 두께에 따른 표면 반사율 변화를 나타낸 그래프이다. 6 is a graph showing a surface reflectance change according to the thickness of the reflection suppression layer in the liquid crystal display panel according to the present invention.

도 6을 참조하면, A2O3 을 반사억제층으로 사용하고, A2O3 두께를 0.01μm 내지 2.0 μm 범위에서 반사율을 조사해 본 결과, 반사율은 1.5 내지 2.0 % 정도로 나타났다.Referring to Figure 6, A 2 O 3 is used as a reflection preventative layer, A 2 O 3 The results investigating the reflectivity in the thickness range 0.01μm to 2.0 μm, the reflectance was about 1.5 to 2.0%.

또한, 액정표시패널의 표면에서의 외부광에 의한 반사율은 A2O3 두께가 0.5 내지 0.8 μm 범위에서 약 1.5% 정도로 가장 적게 나타났다.In addition, the reflectance by external light on the surface of the liquid crystal display panel was the smallest in the range of about 1.5% in the A 2 O 3 thickness range of 0.5 to 0.8 μm.

따라서, A2O3 을 반사억제층으로 사용하는 경우, A2O3 층 두께가 0.5 내지 0.8 μm 범위에서 반사율이 감소됨을 알 수 있다.Therefore, when A 2 O 3 is used as the reflection suppression layer, it can be seen that the reflectance is reduced in the range of A 2 O 3 layer 0.5 to 0.8 μm.

상기에서 설명한 바와같이, 본 발명에 따른 액정표시패널 및 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다. As described above, according to the liquid crystal display panel and the manufacturing method thereof according to the present invention has the following effects.

본 발명에 따른 액정표시패널 및 그 제조방법은 상부어레이기판의 표면상에 유리면과 굴절률이 다른 A2O3와 같은 물질로 구성된 반사억제층을 추가하므로써 상부어레이기판의 유리재질과의 굴절률 차이에 의해 빛이 상쇄간섭을 일으켜 외부광에 의한 반사를 억제시키므로써 외부광의 반사에 인해 시인성이 저하되는 것을 방지시킬 수 있다.The liquid crystal display panel according to the present invention and a method of manufacturing the same are added to the difference in refractive index with the glass material of the upper array substrate by adding a reflection suppression layer composed of a material such as A 2 O 3 having a different refractive index from the glass surface on the surface of the upper array substrate. As a result, light causes interference and suppresses reflection by external light, thereby preventing visibility from being lowered due to reflection of external light.

한편, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.On the other hand, while described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below And can be changed.

Claims (14)

하부어레이기판과 상부어레이기판;A lower array substrate and an upper array substrate; 상기 하부어레이기판의 제1면과 상부어레이기판의 제1면사이에 개재된 액정층;A liquid crystal layer interposed between the first surface of the lower array substrate and the first surface of the upper array substrate; 상기 하부어레이기판의 제2면에 형성된 제1편광판;A first polarizing plate formed on a second surface of the lower array substrate; 상기 상부어레이기판의 제2면에 형성되고, 상기 상부어레이기판의 굴절률과 다르며 1.6 내지 1.7의 굴절률을 가진 반사억제층; 및A reflection suppression layer formed on a second surface of the upper array substrate, the reflection suppression layer having a refractive index of 1.6 to 1.7 and different from the refractive index of the upper array substrate; And 상기 상부어레이기판의 반사억제층상에 형성된 제2편광판;을 포함하여 구성되며, And a second polarizing plate formed on the reflection suppression layer of the upper array substrate. 상기 반사억제층은 A2O3 을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.The reflection suppression layer is a liquid crystal display panel comprising A 2 O 3 . 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 A2O3은 0.01μm 내지 2.0 μm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.The liquid crystal display panel of claim 1, wherein the A 2 O 3 has a thickness of 0.01 μm to 2.0 μm. 제1항에 있어서, 상기 반사억제층을 형성하는 물질은 하나의 물질 또는 그 이상의 물질이 결합된 것을 특징으로하는 액정표시패널.The liquid crystal display panel of claim 1, wherein the material forming the reflection suppression layer is formed by combining one or more materials. 제1항에 있어서, 상기 하부어레이기판상에는 서로 교차되게 배열된 복수개의 게이트라인과 데이터라인, 이들이 교차되는 지점에 구비된 박막트랜지스터 및 이 박막트랜지스터와 접속되는 화소전극이 구비된 것을 특징으로 하는 액정표시패널.The liquid crystal display of claim 1, wherein a plurality of gate lines and data lines arranged on the lower array substrate to intersect with each other, a thin film transistor provided at a point where they intersect, and a pixel electrode connected to the thin film transistor. Display panel. 제1항에 있어서, 상기 상부어레이기판상에는 블랙매트릭스와 인접하는 블랙매트릭스사이에 형성되는 칼라필터층 및 이들 블랙매트릭스와 칼라필터층상에 형성된 공통전극이 구비된 것을 특징으로 하는 액정표시패널.The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein a color filter layer formed between the black matrix and the adjacent black matrix and a common electrode formed on the black matrix and the color filter layer are provided on the upper array substrate. 하부어레이기판과 상부어레이기판을 제공하는 단계;Providing a lower array substrate and an upper array substrate; 상기 하부어레이기판의 제2면에 제1편광판을 형성하는 단계;Forming a first polarizing plate on a second surface of the lower array substrate; 상기 상부어레이기판의 제2면에 상기 상부어레이기판의 굴절률과 다르며, 1.6 내지 1.7의 굴절률을 가진 반사억제층을 형성하는 단계; Forming a reflection suppression layer on the second surface of the upper array substrate that is different from the refractive index of the upper array substrate and has a refractive index of 1.6 to 1.7; 상기 상부어레이기판의 반사억제층상에 제2편광판을 형성하는 단계; 및Forming a second polarizing plate on the reflection suppression layer of the upper array substrate; And 상기 하부어레이기판의 제1면과 상부어레이기판의 제1면사이에 액정층을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되며, And forming a liquid crystal layer between the first surface of the lower array substrate and the first surface of the upper array substrate. 상기 반사억제층을 형성하는 물질은 A2O3을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널 제조방법.The material forming the reflection suppression layer comprises a liquid crystal display panel comprising A 2 O 3 . 삭제delete 삭제delete 제8항에 있어서, 상기 A2O3은 0.01μm 내지 2.0 μm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시패널 제조방법.The method of claim 8, wherein the A 2 O 3 has a thickness of 0.01 μm to 2.0 μm. 제8항에 있어서, 상기 반사억제층을 형성하는 물질은 하나의 물질 또는 그 이상의 물질이 결합된 것을 특징으로하는 액정표시패널 제조방법.The method of claim 8, wherein the material forming the reflection suppression layer comprises one or more materials combined. 제8항에 있어서, 상기 하부어레이기판상에는 서로 교차되게 배열되는 복수개의 게이트라인과 데이터라인, 이들이 교차되는 지점에 마련되는 박막트랜지스터 및 이 박막트랜지스터와 접속되는 화소전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널 제조방법.10. The method of claim 8, further comprising: forming a plurality of gate lines and data lines arranged on the lower array substrate to cross each other, a thin film transistor provided at a point where they cross, and a pixel electrode connected to the thin film transistor. Liquid crystal display panel manufacturing method characterized in that. 제8항에 있어서, 상기 상부어레이기판상에는 블랙매트릭스와 인접하는 블랙매트릭스사이에 형성되는 칼라필터층 및 이들 블랙매트릭스와 칼라필터층상에 형성되는 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널 제조방법.The liquid crystal display of claim 8, further comprising forming a color filter layer formed between the black matrix and the adjacent black matrix on the upper array substrate, and a common electrode formed on the black matrix and the color filter layer. Display panel manufacturing method.
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