KR101341811B1 - 용액 합성법을 이용한 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법 및 이에 의해 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선 - Google Patents

용액 합성법을 이용한 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법 및 이에 의해 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선 Download PDF

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Abstract

본 발명은 용액 합성법을 이용한 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법 및 이에 의해 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 카드뮴 텔러라이드 나노선의 합성방법에 의하면 용액을 이용하여 저온에서, 대면적 기판 상에 나노선의 성장이 가능하여 생산원가를 절감할 수 있고, 동시에 기판 상에 직접 수직으로 성장되는 나노선의 제조가 가능하여 태양전지, 광촉매, LED, 적외선 센서 등의 소자에 응용이 가능하다.

Description

용액 합성법을 이용한 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법 및 이에 의해 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선{Method of preparing cadmium telluride nanowire using solution synthesis and the cadmium telluride nanowire by the same}
본 발명은 용액 합성법을 이용하여 카드뮴 텔러라이드 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 높은 성장 밀도와 정방정 구조 결정을 갖는 카드뮴 텔러라이드 나노선을 소다 석회 유리 기판상에서 고밀도로 성장시키는 방법 및 이에 의해서 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선에 관한 것이다.
반도체 나노선 (semiconductor nanowire)은 1차원 나노소재로서 기존의 박막소재보다 결정결함이 적고 독특한 전기적, 광학적 성질로 인하여 최근 많은 연구가 진행되어 왔으며 IT, BT, ET 등 다양한 분야에 응용이 되고 있다.
특히, 카드뮴 텔러라이드는 약 1.44 eV의 에너지 띠간격(energy band gap)을 갖는 반도체 물질로서 약 861 ㎚ 부근에서 발광 (emission) 및 흡광 (absobption) 현상을 보이는 물질로 알려져 있다. 이러한 광학 및 전기적 특성에 기인하여 카드뮴 텔러라이드는 태양전지, 근적외선 수발광소자 등에 폭넓게 이용되고 있다.
최근에는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 장점이 주목을 받게 됨에 따라 이를 제조하고자 하는 많은 노력이 수행되어 왔다. 그러나, 몇몇 그룹에 의해서만 보고가 되고 있으며 모두 수용액 상에서 분산되어 제조되거나, 고온의 공정 조건이 필요한 CVD 등의 기상성장 방법으로 제한되어 왔다. 또한, 수용액상에 분산될 시에는 소자 구성이 불가능한 문제점이 있고, 기상 성장법의 경우에는 고온의 공정조건(700 이상)이 필요하므로 저가의 소다 석회 유리 기판상에는 적용이 불가능한 문제점이 있다.
카드뮴 텔러라이드(CdTe)의 제조와 관련하여 종래 기술로서, 한국공개특허 10-2011-0117362에 실리콘 기판 위에 단결정 CdTe 박막을 제조하는 방법이 기재되어 있으며, 한국공개특허 10-2011-0051014에 연속흐름반응법을 이용한 태양전지용 CdTe 박막의 제조방법이 기재되어 있다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 용액 합성법을 이용하여 태양전지, LED, 수발광소자 등에 활용이 가능한 저가의 소다 석회 유리 기판 상에서 고밀도로 수직 성장되는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 상기 제조방법에 의해서 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 달성하기 위하여,
(a) 소다 석회 유리 기판에 스퍼터링을 이용하여 카드뮴 텔러라이드 박막층을 코팅하는 단계;
(b) 상기 카드뮴 텔러라이드 박막층 위에 스퍼터링을 이용하여 비스무트(Bi) 촉매층을 코팅하는 단계;
(c) 상기 비스무트 촉매층 위에 딥-코팅으로 폴리비닐알콜올(PVA)을 코팅하는 단계;
(d) 상기 CdTe, Bi 및 PVA층이 차례로 형성된 소다 석회 유리 기판을 열처리하여 상기 비스무트 촉매층을 구형의 비스무트 나노입자로 분해하는 단계;
(e) 상기 열처리한 기판을 제1 용액에 장입한 후, 제2 용액을 제1 용액에 첨가하여 기판 상에서 카드뮴 텔러라이드 나노선을 수직 성장시키는 단계;를 포함하고,
상기 제1 용액은 카드뮴 전구체를 계면활성제와 1-ODE(1-Octadecyne) 용매에 용해시켜 제조한 것이고, 상기 제2 용액은 텔러륨(Te)을 TBP(tri-n-butyl phosphine)에 용해시켜 제조한 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 카드뮴 전구체는 카드뮴 옥사이드, 카드뮴 스테아레이트 또는 이들의 혼합물일 수 있고, 바람직하게는 카드뮴 옥사이드(CdO)일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 계면활성제는 TOPO(tri-n-octyl phosphine oxide), HDA(Hexadecyl amine) 및 올레익 산의 혼합물이고, 상기 1-ODE 용매와 TOPO의 중량비는 10-100 : 1이고, 상기 1-ODE 용매와 HDA의 중량비는 100-300 : 1이며, 상기 1-ODE 용매와 올레익산의 중량비는 10-30 : 1일 수 있으며, 바람직한 중량비는 각각 30 : 1, 200 : 1, 15 : 1일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 제1 용액 내의 카드뮴 전구체 몰수는 0.03-0.2 mM일 수 있고, 바람직하게는 0.05 mM일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 제1 용액은 상기 카드뮴 전구체를 200-240 ℃의 온도에서 용해시켜서 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 제2 용액은 상기 TBP 기준 1-10 중량%의 텔러륨을 용해시킬 수 있고, 바람직하게는 3-7 중량%일 수 있으며, 용해시 70-90 ℃의 온도에서 용해시켜 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 카드뮴 텔러라이드 박막층의 두께는 35-45 ㎚이고, 상기 비스무트 촉매층의 두께는 3-7 ㎚일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 (c) 단계는 아르곤 분위기 하에서 200-300 ℃에서 5-15 분간 열처리할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 의하면, 상기 (d) 단계는 상기 제1 용액 기준 0.1-1.0 중량%의 제2 용액을 제1 용액에 첨가할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 제조방법에 따라 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선으로서, 결정 구조가 정방정(Cubic) 섬아연광(Zinc Blende) 구조인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 카드뮴 텔러라이드 나노선은 직경이 10-15 ㎚이고, 길이가 2-4 ㎛일 수 있다.
본 발명에 따른 카드뮴 텔러라이드 나노선의 합성방법에 의하면 용액을 이용하여 저온에서, 대면적 기판 상에 나노선의 성장이 가능하여 생산원가를 절감할 수 있고, 동시에 기판 상에서 직접 수직으로 성장되는 나노선의 제조가 가능하여 태양전지, 광촉매, LED, 적외선 센서 등의 소자에 응용이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법을 나타낸 공정 흐름도이다.
도 2는 본 발명에 따라 소다 석회 유리 기판에서 용액 합성법을 통해 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선에 대한 XRD 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
도 3a와 도 3b는 본 발명에 따라 소다 석회 유리 기판에서 합성된 카드뮴 텔러라이드 나노선에 대한 SEM 이미지이다.
도 4a와 도 4b는 본 발명에 따라 소다 석회 유리 기판에서 합성된 카드뮴 텔러라이드 나노선에 대한 투과전자현미경(TEM) 이미지이다.
도 5는 본 발명에 따라 소다 석회 유리 기판에서 합성된 카드뮴 텔러라이드 나노선에 대한 UV-visible 및 PL (photoluminescence) 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 저온 용액 합성법(Solution-liquid-solid, SLS)을 이용하여 소다 석회 유리 기판 상에서 카드뮴 텔러라이드(CdTe) 나노선을 성장시켜 제조하는 방법에 관한 것으로서, 태양전지, 가스 및 광학센서, 흡발광소자 등으로 응용이 가능하며, 특히 기존의 기상증착공정에 비해 월등히 저온이므로 (~220 ℃) 저가의 소다 석회 유리 기판상에 적용이 가능하고, 제조 공정이 용액합성법이므로 대면적의 기판상에 제조가 가능한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법은 하기의 단계를 포함한다.
(a) 소다 석회 유리 기판에 스퍼터링을 이용하여 카드뮴 텔러라이드 나노선 성장을 위한 씨앗층인 카드뮴 텔러라이드 박막층을 코팅하는 단계,
(b) 상기 카드뮴 텔러라이드 박막층 위에 스퍼터링을 이용하여 SLS 성장을 위한 비스무트(Bi) 촉매층을 코팅하는 단계,
(c) 상기 비스무트 촉매층 위에 딥-코팅으로 초기 나노선 합성 시 Bi 촉매의 유실을 방지해주는 폴리비닐알콜올(PVA) 폴리머 막을 코팅하는 단계,
(d) 상기 CdTe, Bi 및 PVA층이 차례로 형성된 소다 석회 유리 기판기판을 열처리하여 상기 비스무트 촉매층을 구형의 비스무트 나노입자로 분해하는 단계,
(e) 상기 열처리한 기판을 제1 용액에 장입한 후, 제2 용액을 제1 용액에 첨가하여 기판상에서 카드뮴 텔러라이드 나노선을 수직 성장시키는 단계.
상기 제1 용액은 전구체인 카드뮴옥사이드(CdO)를 계면활성제인 tri-n-octylphosphine oxide(TOPO), Hexadecyl amine(HDA), Oleic acid 등과 혼합하여 용매인 1-Octadecyne (1-ODE)에 혼합 후 가열하여 제조하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제2 용액은 Te을 tri-n-butylphosphine(TBP)에 10-100 : 1의 농도로 용해시켜서 제조하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법은 카드뮴 텔러라이드 나노선을 원하는 길이가 될 때까지 성장시키고, 이후 성장된 카드뮴 텔러라이드 나노선을 세척하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면에 의거하여 상세히 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않고, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
하기 도 1은 카드뮴 텔러라이드 나노선을 기판 상에서 성장시켜 제조하는 방법을 나타낸 공정흐름도이다.
본 발명에서는 저가의 소다 석회 유리 기판에 카드뮴 텔러라이드 나노선 성장을 위하여 씨앗층인 카드뮴 텔러라이드는 박막을 소다 석회 유리 기판에 직류 스퍼터링(DC Sputtering)으로 약 40 ㎚의 두께로 코팅한다. 이어 카드뮴 텔러라이드 박막층 위에 카드뮴 텔러라이드 나노선 SLS 성장을 위한 촉매층인 Bi 박막층을 약 5 nm 두께로 스퍼터링으로 코팅한다. 이후 초기 나노선 합성시 Bi 촉매의 유실을 방지해주는 폴리비닐알콜(polyvinyl alcohol, PVA) 폴리머 막을 Dip coating으로 입힌다.
이후 PVA/Bi/CdTe/소다석회유리 기판을 관상 전기로에 장입하고 아르곤 분위기하에서 250 ℃에서 10 분간 열처리하여 Bi 박막을 구형이고 수 ㎚ 크기의 Bi 나노입자로 분해한다. 이 분해된 Bi 나노입자들은 SLS에 의한 카드뮴 텔러라이드 나노선 성장의 촉매로 작용하게 된다. 또한, 상기 열처리 온도에서 PVA 층은 분해되지 않고 잔류하여 SLS에 의한 카드뮴 텔러라이드 나노선의 성장에 필요한 Bi 촉매를 소다석회 유리기판 위에 유지시켜주는 역할을 담당한다.
카드뮴 텔러라이드 나노선의 SLS 성장을 위한 카드뮴 전구체로서 산화카드뮴 (CdO)를 계면활성제인 TOPO, HDA, Oleic acid와 용매인 1-ODE에 혼합한 용액을 3-neck flask 내에 넣고 220 ℃까지 가열한다. 이때 산화카드뮴 전구체는 Oleic acid에 의해 분해되며 이후 순차적으로 계면 활성제인 TOPO, HDA등과 반응을 한다. 그 결과 상기 혼합 용액은 불투명한 붉은색에서 투명한 노란색으로 변함에 따라 본 발명에 따른 제1 용액이 완성된다.
상기 제1 용액의 제조에 사용되는 용매인 1-ODE와 계면활성제들의 무게비는 올레익산이 10-30 : 1, TOPO가 10-100 : 1, HDA가 100-300 : 1이며, 바람직한 비는 각각 15 : 1, 30 : 1, 200 : 1이다.
상기 제1 용액 내의 산화카드뮴의 몰수를 0.03-0.2 mM로 해주며, 바람직하게는 0.05 mM로 해준다.
상기 제1 용액의 제조에 대해서 보다 자세하게 설명하면, 일정용기에 용매로서 1-ODE와 계면활성제로서 올레익산, TOPO, HDA를 섞어준 후, 여기에 카드뮴산화물 분말을 용해시켜 준다.
이때, 카드뮴산화물 분말의 용해도를 증가시키고 카드뮴산화물 분말에 함유되어 있는 기타 유기물들을 "충분히" 탈리(secession) 및 탈가스시켜 주기 위하여 가열을 해주게 되는데, 가열온도는 사용되는 카드뮴 전구체의 종류에 따라 달라지나, 보다 나은 물성 확보를 위하여 200-250 ℃ 정도의 온도로 가열한다.
상기 "충분히"라는 용어의 의미는 유기물의 100% 탈리를 상정할 수 없고, 그렇다고 일정% 탈리될 때까지라고 설정하면 본 발명의 권리범위가 지나치게 좁아질 우려가 있으므로, 본 발명에서는 상기 "충분히"의 의미에 대하여 "최종적으로 생성될 카드뮴 텔러라이드 나노선이 상기 유기물들에 의해 영향을 받지 않을 정도"라는 의미로서 해석하며, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실험을 통하여 얻을 수 있는 개념이다.
상기와 같이 제1 용액의 제조에 있어서 가열을 통하여 제1 용액에 잔류하는 유기물들을 탈리시켜 주는 이유는 카드뮴 텔러라이드 나노선 합성에 있어서 캡핑 리간드(capping ligand)의 역할에 영향을 주기 때문이다.
본 발명에 따른 제2 용액은 텔러륨(Te)을 TBP 용액 내에 녹여서 5 wt%의 Te/TBP용액을 제조하고, 완전히 용해를 시켜주기 위해서 약 80 ℃ 정도에서 유지시켜 주는 것이 바람직하다.
본 발명의 카드뮴 텔러라이드 나노선을 제조하기 위해서는 기판이 장입된 상기 제1 용액에 제2 용액을 첨가해주는 방식으로 나노선을 성장시켜 준다. 제2 용액을 제1 용액에 첨가시 약 0.1-1 ㎖, 바람직하게는 0.5 ㎖를 첨가해 준다.
그 결과 제1 용액이 담겨져 있는 용기(vessel) 내부에는 카드뮴 텔러라이드 핵들이(nuclei) Bi 촉매와 소다석회 유리기판 사이에 형성되기 시작한다. 이는 Bi 촉매에 카드뮴, 텔러륨 소스의 과포화로 인한 카드뮴 텔러라이드 핵 석출에 기인하는 것이다.
다음으로, 상기 카드뮴 텔러라이드 나노선을 원하는 길이로 성장시켜주게 된다. 카드뮴 텔러라이드 나노선은 그 성장 온도 및 성장 시간에 따라서 직경 및 길이가 변화하게 되는데, 이때 성장시간은 원하는 발광영역 파장대와 에너지 띠간격 (bandgap)을 고려해 필요한 시간만큼 성장시키는 방식으로 진행하게 된다. 마지막으로, 상기와 같이 원하는 크기로 성장된 카드뮴 텔러라이드 나노선을 클로로포름과 아세톤을 이용하여 세척해준다.
상기와 같은 공정을 통하여 제조된 본 발명에 따른 카드뮴 텔러라이드 나노선은 정방정(Cubic)에 속하는 Zinc Blende(섬아연광) 구조를 가지며, 직경은 10-15 ㎚, 길이는 2-4 ㎛이다.
하기 도 2는 본 발명에 따라 소다 석회 유리 기판 위에서 성장된 카드뮴 텔러라이드 나노선의 XRD 그래프이다.
유리 기판상에서 제조된 황화카드뮴 나노선의 결정상은 섬아연광(Zinc Blende)상을 가지며 (111) 결정면의 회절 픽 강도가 증가되는 것을 알 수 있다. 이는 나노선이 (111)방향으로 성장한 것을 나타내며 결정성이 높은 것을 알 수 있다.
하기 도 3a는 본 발명의 카드뮴 텔러라이드 나노선의 FESEM (Field Emission Scanning Electron Microscopy) 이미지로 직경이 10-15 ㎚이고 길이 2-4 ㎛의 균일하고 직선형의 고 품위 카드뮴텔러라이드 나노선이 제조된 것을 확인할 수 있다.
하기 도 3b는 유리 기판상에서 성장한 카드뮴 텔러라이드 나노선의 단면도이며 기판에서 고밀도로 성장한 것을 확인할 수 있다. 또한, 나노선의 끝 부분에는 Bi 촉매가 존재하는 것을 볼 수 있다. 이는 나노선이 SLS 성장 기구에 의해 제조되었다는 것을 보여주는 것이다.
하기 도 4는 본 발명에 따라 소다 석회 유리 기판상에서 합성된 카드뮴 텔러라이드의 TEM 사진이다. 하기 도 4a는 개별적인 카드뮴 텔러라이드 나노선의 저배율 TEM 이미지이며 유리 기판 상에 준비되었으나 초음파세척을 통해 떼어낸 나노선의 이미지이다.
하기 도 4b는 고분해 (High-Resolution) TEM 이미지이며 <111> 방향으로 나노선이 성장한 것을 알 수 있으며 면간 거리는 섬아연광 결정 구조의 (111) 면간거리와 일치하는 0.372 ㎚이다.
하기 도 5는 본 발명에 따라 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선의 자외선-가시광선(UV-visible) 흡광 및 광루미네슨스(Photoluminescence: PL) 발광특성을 나타낸 그래프이다.
상기 유리 기판상에서 성장한 카드뮴 텔러라이드 나노선의 UV-visible 흡광개시 파장과 PL 발광 픽 파장은 778 ㎚이다. 이는 약 1.59 eV의 밴드갭을 나타내며 벌크 형태의 섬아연광 구조의 카드뮴 텔러라이드의 흡발광 위치(861 ㎚, 1.44 eV) 보다 단파장이고 고에너지이다. 이는 본 발명에서 합성된 카드뮴 텔러라이드의 직경이 10-15 ㎚여서 반경이 5-7.5 ㎚인 벌크 카드뮴 텔러라이드의 보어반경(7.3 ㎚)보다 대체로 작아 양자구속효과(Quantum Confinement)가 일어난 것으로 판단된다. 나노 구조체에서는 양자구속에 의하여 에너지 띠간격이 증가된다고 널리 알려져 있다.
상기와 같이, 본 발명에 따른 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법에 의해서 고온의 기상 증착법에서나 구현이 가능했던 기판상에 고밀도로 성장한 카드뮴 텔러라이드 나노선을 저온 수용액 합성법을 이용하여 저가의 소다 석회 유리 기판에서 성장시켜서 제조하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명에 따라 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선은 높은 성장밀도와 결정성을 가진다. 따라서, 태양전지, 광촉매, LED, 적외선 센서 등의 다양한 전기화학 소자에 적용이 가능할 것이다.

Claims (11)

  1. (a) 소다 석회 유리 기판에 스퍼터링을 이용하여 카드뮴 텔러라이드(CdTe) 박막층을 코팅하는 단계;
    (b) 상기 카드뮴 텔러라이드 박막층 위에 스퍼터링을 이용하여 비스무트(Bi) 촉매층을 코팅하는 단계;
    (c) 상기 비스무트 촉매층 위에 딥-코팅으로 폴리비닐알콜(PVA)을 코팅하는 단계;
    (d) 상기 카드뮴 텔러라이드 박막층, 비스무트 촉매층 및 폴리비닐알콜이 차례로 형성된 소다 석회 유리 기판을 열처리하여 상기 비스무트 촉매층을 구형의 비스무트 나노입자로 분해하는 단계;
    (e) 상기 열처리한 기판을 제1 용액에 장입한 후, 제2 용액을 제1 용액에 첨가하여 기판상에서 카드뮴 텔러라이드 나노선을 수직 성장시키는 단계;를 포함하고,
    상기 제1 용액은 카드뮴 전구체를 계면활성제와 1-ODE(1-Octadecyne) 용매에 용해시켜 제조한 것이고, 상기 제2 용액은 텔러륨(Te)을 TBP(tri-n-butyl phosphine)에 용해시켜 제조한 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 카드뮴 전구체는 카드뮴 옥사이드, 카드뮴 스테아레이트 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 계면활성제는 TOPO(tri-n-octylphosphine oxide), HDA(Hexadecyl amine) 및 올레익 산의 혼합물이고, 상기 1-ODE 용매와 TOPO의 중량비는 10-100 : 1이고, 상기 1-ODE 용매와 HDA의 중량비는 100-300 : 1이며, 상기 1-ODE 용매와 올레익산의 중량비는 10-30 : 1인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 용액 내의 카드뮴 전구체 몰수는 0.03-0.2 mmol인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 용액은 상기 카드뮴 전구체를 200-240 ℃의 온도에서 용해시켜서 제조하는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 용액은 상기 TBP 기준 1-10 중량%의 텔러륨을 용해시키고, 용해시 70-90 ℃의 온도에서 용해시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 카드뮴 텔러라이드 박막층의 두께는 35-45 ㎚이고, 상기 비스무트 촉매층의 두께는 3-7 ㎚인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 (c) 단계는 아르곤 분위기 하에서 200-300 ℃에서 5-15 분간 열처리하는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 (d) 단계는 상기 제1 용액 기준 0.1-1.0 중량%의 제2 용액을 제1 용액에 첨가하는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선의 제조방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 카드뮴 텔러라이드 나노선으로서, 결정 구조가 정방정(Cubic) 섬아연광(Zinc Blende) 구조인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 카드뮴 텔러라이드 나노선은 직경이 10-15 ㎚이고, 길이가 2-4 ㎛인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔러라이드 나노선.
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