KR101340109B1

KR101340109B1 - Pulling method

Info

Publication number: KR101340109B1
Application number: KR1020110129457A
Authority: KR
Inventors: 황정하
Original assignee: 주식회사 엘지실트론
Priority date: 2011-12-06
Filing date: 2011-12-06
Publication date: 2013-12-10
Also published as: KR20130063115A

Abstract

석영도가니의 열화를 방지하여 석영도가니를 장시간 사용할 수 있고, 단결정 잉곳의 생산수율을 향상시키는 방법으로서, 씨드를 침지하는 디핑; 전위를 제거하는 네킹; 웨이퍼로 사용되기 위한 일정 직경으로 잉곳의 직경을 확장하는 쇼울더링; 상기 잉곳을 성장시키고, 상기 잉곳의 반경을 X라고 할 때, 멜트의 깊이가 0.4X-0.6X일 때 하방열원의 열공급을 시작하고, 측방열원의 열공급을 감소시키는 바디공정; 및 상기 잉곳을 멜트로부터 제거하기 위하여 직경을 축소해 가며, 잉곳의 반경을 X라고 할 때, 멜트의 깊이가 0.2X에서 0.4X일 때, 상기 잉곳 직경의 축소를 시작하는 테일링이 포함되는 인상방법이 개시된다. A method of improving the production yield of a single crystal ingot by preventing quartz crucible from being deteriorated for a long time, the method comprising: dipping a seed; Necking to remove dislocations; Shoulder ring extending the diameter of the ingot to a certain diameter for use as a wafer; A body process of growing the ingot, when the radius of the ingot is X, starting the heat supply of the downward heat source when the depth of the melt is 0.4X-0.6X, and reducing the heat supply of the lateral heat source; And a tailing which reduces the diameter to remove the ingot from the melt, and when the radius of the ingot is X, when the depth of the melt is 0.2X to 0.4X, tailing to start the reduction of the ingot diameter. This is disclosed.

Description

How to raise {PULLING METHOD}

본 발명은 실리콘 잉곳인상장치의 인상방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pulling method of a silicon ingot raising device.

초클랄스키법에 의한 단결정 성장방법은 대략, 씨드를 침지하는 공정(Dipping), 전위를 제거하기 위하여 좁은 직경으로 인상하는 공정(Necking), 웨이퍼로 사용될 수 있는 정도로 잉곳의 직경을 확장하는 공정(Shouldering), 일정 직경을 일정하게 유지하여 성장시키는 공정(Body), 유전위화 없이 멜트로부터 단결정 실리콘 잉곳을 제거하기 위하여 직경을 축소해 가는 직경축소공정(Tailing)으로 이루어진다. The single crystal growth method by the Czochralski method is roughly a process of dipping a seed, a process of pulling up to a narrow diameter to remove dislocations, and a process of expanding the diameter of an ingot to the extent that it can be used as a wafer. Shouldering), a process of growing by maintaining a constant diameter (Body), and a diameter reducing process (Tailing) to reduce the diameter in order to remove the single crystal silicon ingot from the melt without dielectric dislocation.

상기 직경축소공정은 성장된 단결정을 유전위화 없이 멜트로부터 제거하기 위한 공정으로서, 이 공정이 없어지면, 끝단부에서 상측으로 전위가 전파되어 단결정의 생산성이 급격하게 떨어진다. The diameter reduction process is a process for removing the grown single crystal from the melt without dielectric dislocation. When this process is eliminated, dislocation propagates upward from the end and the productivity of the single crystal drops drastically.

한편, 근래 들어서는 웨이퍼의 직경이 커지고 있는데, 잉곳의 직경이 커지면 커질수록 상기 직경축소공정에서 직경을 축소시키기 위하여 많은 시간이 필요하게 된다. 직경축소공정에서 시간이 많이 소모되면 될수록 인상장치의 사용효율이 떨어져서 잉곳의 생산성이 나빠진다. 특히, 석영도가니에 멜트가 담겨있는 시간이 늘어나므로, 석영도가니의 사용연한도 줄어드는 문제가 있다. 일 예로서 직경 300mm의 실리콘 잉곳을 한차례 인상하면 석영 도가니를 재사용할 수 없는 정도로 열화가 진행되어 버리는 문제점이 있다.On the other hand, in recent years, the diameter of the wafer is increasing, the larger the diameter of the ingot, the larger the time required to reduce the diameter in the diameter reduction process. The more time is spent in the diameter reduction process, the lower the efficiency of use of the pulling device is, and the productivity of the ingot becomes worse. In particular, since the time the melt is contained in the quartz crucible increases, there is a problem that the service life of the quartz crucible is also reduced. As an example, when the silicon ingot having a diameter of 300 mm is once lifted, there is a problem that deterioration proceeds to a degree that the quartz crucible cannot be reused.

본 발명은 상기되는 배경에서 제안되는 것으로서, 직경축소공정을 개선함으로써, 석영도가니의 열화를 방지하여 석영도가니를 장시간 사용할 수 있도록 하고, 단결정 잉곳의 생산성을 향상시키는 것을 기술적 과제로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is proposed in the background described above, and by improving the diameter reduction process, it is possible to prevent degradation of the quartz crucible so that the quartz crucible can be used for a long time, and to improve the productivity of the single crystal ingot.

상기되는 과제를 해결하는 인상방법은, 씨드를 침지하는 디핑; 전위를 제거하는 네킹; 웨이퍼로 사용되기 위한 일정 직경으로 잉곳의 직경을 확장하는 쇼울더링; 상기 잉곳을 성장시키고, 상기 잉곳의 반경을 X라고 할 때, 멜트의 깊이가 0.4X-0.6X일 때 하방열원의 열공급을 시작하고, 측방열원의 열공급을 감소시키는 바디공정; 및 상기 잉곳을 멜트로부터 제거하기 위하여 직경을 축소해 가며, 잉곳의 반경을 X라고 할 때, 멜트의 깊이가 0.2X에서 0.4X일 때, 상기 잉곳 직경의 축소를 시작하는 테일링이 포함된다.Impression method for solving the above problems, the dipping to immerse the seed; Necking to remove dislocations; Shoulder ring extending the diameter of the ingot to a certain diameter for use as a wafer; A body process of growing the ingot, when the radius of the ingot is X, starting the heat supply of the downward heat source when the depth of the melt is 0.4X-0.6X, and reducing the heat supply of the lateral heat source; And reducing the diameter to remove the ingot from the melt, and when the radius of the ingot is X, the tailing to start the reduction of the ingot diameter when the depth of the melt is 0.2X to 0.4X.

여기서, 상기 테일링이 종료되었을 때 잔류멜트는 상기 잉곳과 접촉되어 있고, 상기 테일링이 시작될 때 상기 하방열원의 열공급은 서서히 제거된다. Here, the residual melt is in contact with the ingot when the tailing is finished, the heat supply of the downward heat source is gradually removed when the tailing is started.

다른 측면에 따른 본 발명의 인상방법은, 석영도가니의 측방에 마련되는 측방열원, 상기 석영도가니의 하방에 마련되는 하방열원을 구비하는 인상장치를 이용하여 실리콘을 인상하는 방법으로서, 상기 하방열원은 멜트깊이가 0.4X-0.6X일 때 열공급을 시작하고, 멜트깊이가 0.2X-0.4X일 때 서서히 열공급을 제거하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 측방열원은 상기 멜트깊이가 0.4X-0.6X일 때 열공급을 점진적으로 줄이는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of pulling up silicon using a pulling device having a side heat source provided on a side of a quartz crucible and a bottom heat source provided below the quartz crucible. The heat supply is started when the melt depth is 0.4X-0.6X, and the heat supply is gradually removed when the melt depth is 0.2X-0.4X. Here, the lateral heat source is characterized in that gradually reducing the heat supply when the melt depth is 0.4X-0.6X.

또 다른 측면에 따른 본 발명의 인상방법은, 씨드를 침지하는 디핑; 전위를 제거하는 네킹; 웨이퍼로 사용되기 위한 일정 직경으로 잉곳의 직경을 확장하는 쇼울더링; 상기 잉곳의 직경을 유지하면서 성장시키는 바디공정; 및 상기 잉곳을 멜트로부터 제거하기 위하여 직경을 축소해 가는 테일링이 포함되고, 상기 테일링이 종료시에, 상기 잉곳의 테일의 끝은 잔류멜트에 부착되는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, a pulling method includes: dipping a seed; Necking to remove dislocations; Shoulder ring extending the diameter of the ingot to a certain diameter for use as a wafer; Body process to grow while maintaining the diameter of the ingot; And tailings having a reduced diameter in order to remove the ingots from the melt, and when the tailing ends, an end of the tail of the ingot is attached to the residual melt.

본 발명에 따르면 석영도가니는 장시간 사용할 수 있고, 인상과정이 빨리 가능하고, 단결정 잉곳의 생산수율이 향상되는 이점을 기대할 수 있다. According to the present invention it can be expected that the quartz crucible can be used for a long time, the pulling process can be quickly performed, and the production yield of the single crystal ingot is improved.

도 1은 실시예에 따른 핫존을 나타내는 도면.
도 2는 실시예에 따른 인상방법의 전체 흐름도.
도 3은 인상방법에서 테일링 및 그 직전의 흐름을 상세하게 설명하는 흐름도.1 illustrates a hot zone in accordance with an embodiment.
2 is an overall flowchart of a pulling method according to the embodiment;
3 is a flowchart for explaining in detail the tailing and the flow immediately before it in the pulling method;

이하에서는 도면을 참조하여, 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 이하의 실시예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 및 추가 등에 의해서 용이하게 제안할 수 있을 것이나 이 또한 본 발명 사상의 범위 내에 포함된다고 할 수 있다. Hereinafter, with reference to the drawings, a specific embodiment of the present invention will be described in detail. However, the spirit of the present invention is not limited to the following embodiments, and those skilled in the art who understand the spirit of the present invention can easily add, change, delete, and add other embodiments included in the scope of the same idea. It may be suggested that the invention is included within the scope of the present invention.

도가니 내의 멜트 유동에 대하여 설명한다. The melt flow in the crucible will be described.

공지의 사실과 같이, 도가니의 회전속도가 저속일 경우에는 자연대류에 의한 유동이 단결정 중심부로 이동하게 되나, 일정 수준 이상일 경우에는 이러한 유동이 반대로 일어나게 되고 이와 함께 멜트의 온도 불균일성도 높아지게 된다. 상기 온도 불균일성은, 단결정 성장과정 중에서 딥핑공정이나 넥킹공정의 경우에는 멜트와 접촉하고 있는 면적이 작기 때문에, 공정에 미치는 영향이 작다. 그러나, 테일링공정의 경우에는, 최대 바디의 결정 직경을 가지고 있기 때문에 이러한 온도 불균일성은 유전위화을 일으킬 수 있고, 테일링 공정이 채 끝나기 전에 잉곳과 멜트와의 접촉이 끊어지게 될 우려가 있다.As is known, when the rotation speed of the crucible is low, the flow due to natural convection moves to the center of the single crystal, but when above a certain level, the flow is reversed and the temperature nonuniformity of the melt is increased. The temperature nonuniformity has a small effect on the process because the area in contact with the melt is small in the case of the dipping process or the necking process during the single crystal growth process. However, in the case of the tailing process, since it has a crystal diameter of the maximum body, such a temperature nonuniformity may cause dielectric dislocation and the contact between the ingot and the melt may be broken before the tailing process is completed.

상기되는 테일링 공정의 문제로 인하여 도가니 회전속도는 가능한 한 저속으로 유지하는 것이 일반적이었다. 그러나, 멜트의 양이 더욱 감소하게 되면, 시드회전에 의한 강제대류의 영향이 강화되기 때문에, 측면히터로부터 오는 열원의 공급보다는, 석영 도가니 중심부에서의 상대적으로 낮은 온도를 가진 대류의 직접적인 열전달로 인해 직경을 감소시키는 것이 어렵다. 또한, 테일링 공정 중에 도가니 회전속도를 낮추면 측면히터로부터의 열공급도 감소된다. 이로 인해 직경 감소가 원활히 되지 않아 시간이 더 소요되고 석영 도가니의 열화도 가중된다. Due to the problem of the tailing process described above, it was common to keep the crucible rotation speed as low as possible. However, as the amount of melt further decreases, the influence of forced convection by the seed rotation is intensified, which is due to the direct heat transfer of the relatively low temperature convection at the center of the quartz crucible, rather than the supply of heat source from the side heater. It is difficult to reduce the diameter. In addition, lowering the crucible rotation rate during the tailing process also reduces the heat supply from the side heaters. This results in less diameter reduction, which adds time and adds to the deterioration of the quartz crucible.

이 문제를 개선하기 위하여, 자기장 분포의 약화를 통하여 자연대류를 강화시키는 방법이 시도되고 있다. 이 방법에 따르면, 낮은 측면히터의 출력으로 석영도가니의 열화가 감소되는 효과를 얻을 수 있었다. In order to solve this problem, a method of strengthening natural convection through weakening of the magnetic field distribution has been attempted. According to this method, the deterioration of the quartz crucible was obtained by the output of the low side heater.

그러나, 멜트라인 및 이로 인한 멜트 바이브레이션에 의한 석영도가니의 열화 및 유전위화의 문제는 여전히 발생할 수 있다. 여기서, 멜트라인은 멜트표면이 석영도가니에 접하는 부분으로서 이 부분에서는 기/액/고상의 삼중점이 만들어진다. 멜트라인은, 석영도가니 벽면이 기/액/고상 삼중점의 극한 환경에서 상변화(크리스토발라이트화)하여 멜트로 떨어져 나오는 것에 의한 석영도가니 내면이 변형된 자국을 말하고, 이 자국은 멜트의 회전시에 멜트 바이브레이션을 일으키는 요인이 된다. 또한, 상기 크리스토발라이트는 실리콘 잉곳을 유전위화시키는 요인이 되고, 상기 멜트 바이브레이션은 잉곳의 고액계면에 영향을 미쳐 유전위화의 요인이 된다. 그러므로, 석영도가니에서 멜트라인과 멜트 바이브레이션은 가능한 한 없애는 것이, 석영도가니의 사용연한의 연장 및 실리콘 잉곳의 품질향상을 위하여 중요하다. However, problems of deterioration and dielectric dislocation of the quartz crucible due to melt line and thus melt vibration may still occur. Herein, the melt line is a portion where the melt surface is in contact with the quartz crucible, where triplets of gas / liquid / solid phase are made. Melt line refers to the mark where the inner surface of the quartz crucible is deformed due to the phase change (cristobalite) of the quartz crucible wall surface in the extreme environment of gas / liquid / solid triple point and falling off into the melt. It causes melt vibration. In addition, the cristobalite is a factor that causes dielectric inversion of the silicon ingot, and the melt vibration affects the high liquid interface of the ingot, which is a factor of dielectric inversion. Therefore, eliminating melt line and melt vibration in the quartz crucible as much as possible is important for extending the service life of the quartz crucible and improving the quality of the silicon ingot.

한편, 테일링 공정의 개시시점에서 잔류 멜트량을 최대한으로 감소시키면, 석영도가니의 내부에 남게 되는 잔류멜트의 양을 최소한으로 줄일 수 있다. 이는 바디의 양을 최대로 하여 늘리고, 인상의 종류 후에 남아 있을 수 있는 잔류멜트로 의한 석영도가니의 열화문제를 개선하는 장점으로서 작용할 수 있다. On the other hand, by reducing the amount of residual melt to the maximum at the start of the tailing process, it is possible to reduce the amount of residual melt remaining inside the quartz crucible to a minimum. This may act as an advantage of increasing the amount of the body to the maximum, and improving the deterioration problem of the quartz crucible by residual melt that may remain after the kind of impression.

그러나, 잔류 멜트량을 감소시키게 되면 측면 히터의 파워가 상승되더라도 단결정으로부터 빠져나오는 냉각 및 열원과의 거리가 더 멀어지는 구조적인 문제, 그리고 석영 도가니와 접촉하고 있는 도가니 지지대로 빠져나가는 열원 등으로 인해 멜트가 고체화되기 쉽게 된다. 이러한 문제점을 개선하기 위하여 석영도가니의 하측에 제 2 열원으로 하방열원으로 더 마련하고 있다.However, if the amount of residual melt is reduced, due to the structural problems such as cooling from the single crystal and the distance from the heat source is increased even though the power of the side heater is increased, and the heat source from the crucible support in contact with the quartz crucible, etc. Becomes liable to solidify. In order to improve this problem, the second heat source is further provided as a lower heat source under the quartz crucible.

상기되는 배경하에서 제안되는 것으로서 실시예에 따른 핫존을 도 1에 제시한다. A hot zone in accordance with an embodiment is proposed in FIG. 1 as proposed under the background described above.

도 1을 참조하면, 멜트가 담기는 석영도가니(1)와, 멜트로부터의 열배출을 차단하는 열 차폐부(4)가 마련된다. 멜트에 열을 가하기 위한 측방열원(2)과 하방열원(3)이 더 마련된다. 도면에서 실리콘 잉곳은 X의 반경을 가지고 인상되고 있는 것을 나타내고 있다. Referring to FIG. 1, a quartz crucible 1 containing a melt and a heat shield 4 for blocking heat discharge from the melt are provided. A side heat source 2 and a bottom heat source 3 for applying heat to the melt are further provided. The figure shows that the silicon ingot is being pulled up with a radius of X.

한편, 상기 석영도가니(1)는 제조사와 무관하게 거의 동일한 형상으로 제조되고 있다. 구체적으로는, 상하로 연장되는 수직부(41), 직경이 완만하게 줄어드는 완만경사부(42), 직경이 급격하게 줄어드는 급격경사부(43), 및 석영도가니의 바닥을 이루는 바닥부(44)로 이루어진다. On the other hand, the quartz crucible 1 is manufactured in almost the same shape regardless of the manufacturer. Specifically, the vertical portion 41 that extends up and down, the gentle inclined portion 42 gradually decreasing in diameter, the sharply inclined portion 43 rapidly decreasing in diameter, and the bottom portion 44 forming the bottom of the quartz crucible. Is made of.

상기되는 핫존에서 실시예에 따라서 진행되는 인상방법을 설명한다. 먼저, 도 2에 제시되는 실시예에 따른 인상방법에서 볼 수 있는 바와 같이, 인상방법은, 디핑(S1), 넥킹(S2), 쇼울더링(S3), 바디공정(S4) 및 테일링(S5)의 순으로 진행된다. The pulling method that proceeds according to the embodiment in the hot zone described above will be described. First, as can be seen in the pulling method according to the embodiment shown in Figure 2, the pulling method, dipping (S1), necking (S2), shouldering (S3), body process (S4) and tailing (S5) Proceeds in the order of.

본 발명의 실시예에서의 일 특징은 상기 테일링 공정에 있다. 도 3은 테일링 및 그 직전의 흐름도를 나타내고 있다. One feature of an embodiment of the invention lies in the tailing process. 3 shows the tailing and the flow chart just before it.

먼저 테일링이 개시되기 전에, 잔류멜트의 깊이가 0.4X-0.6X(여기서, X는 잉곳의 반경)일 때 하방열원(3)으로부터 열을 공급하고, 측방열원(2)으로부터의 열공급을 감소시킨다(S41). 이는 이미 설명된 바와 같이, 이 구간에서는 열손실이 많은데, 측방히터(51)만으로 열을 공급하면 지나친 온도의 상승으로 대류가 불안정 해지기 쉽기 때문이다. 따라서 측방히터(2)의 출력을 약화시키고 하방히터(3)를 작동시킨다. 이렇게 되면 멜트의 하방으로 누설되는 열을 막을 수 있다. First, before tailing starts, heat is supplied from the lower heat source 3 when the depth of the residual melt is 0.4X-0.6X (where X is the radius of the ingot) and reduces the heat supply from the lateral heat source 2. (S41). This is because, as already described, there is a lot of heat loss in this section, because when the heat is supplied only to the side heater 51, convection tends to become unstable due to excessive temperature rise. Therefore, the output of the side heater 2 is weakened and the lower heater 3 is operated. This prevents heat from leaking down the melt.

만약, 하방으로 누설되는 열의 차단이 원활히 될 수 있다면 하방열원에 의한 열원공급은 하지 않을 수도 있다. 본 공정은 석영도가니의 열화 등과의 직접적인 관계는 없고, 유전위화를 가능한 한 억제시키기 위한 공정이다.If the heat leaking downward can be smoothly blocked, the heat source may not be supplied by the downward heat source. This process has no direct relationship with the deterioration of quartz crucibles and is a process for suppressing dielectric dislocation as much as possible.

이후에 잔류멜트의 깊이가 0.2X-0.3X(여기서, X는 잉곳의 반경)에 이르렀을 때, 테일링을 개시한다(S52). 테일링은 잉곳의 직경을 감소시키는 공정으로 진행될 수 있다. 도 1에는 테일링이 시작되는 잔류멜트의 깊이를 나타내고 있다.After that, when the depth of the residual melt reaches 0.2X-0.3X (where X is the radius of the ingot), tailing is started (S52). Tailing can proceed to a process of reducing the diameter of the ingot. Figure 1 shows the depth of the residual melt starting tailing.

테일링이 시작된 다음에는 잔류멜트의 양이 급격히 줄어들기 시작하므로, 급격한 온도상승을 막기 위하여, 하방열원(3)을 서서히 제거해 간다(S3). 열원제거과정(S3)이 계속해서 진행되면 최종적으로는 잉곳의 테일의 끝단과 잔류멜트가 접촉된 상태로 잔류멜트가 고화될 수 있다(S553). 잔류멜트까지 전체적으로 고화되면, 잉곳과 잔류멜트의 고화물이 함께 붙어 있게 되고, 이 상태에서 실리콘 잉곳을 끌어내면 석영도가니(1)의 내부에는 잔류멜트가 전혀 남아있지 않게 된다. After tailing is started, the amount of residual melt begins to decrease sharply, so as to prevent a sudden temperature rise, the lower heat source 3 is gradually removed (S3). If the heat source removal process (S3) continues to be carried out finally, the residual melt may be solidified in the state in which the end of the tail of the ingot and the residual melt is in contact (S553). When the solidified to the residual melt as a whole, the solid of the ingot and the residual melt is stuck together, and if the silicon ingot is pulled out in this state, no residual melt remains inside the quartz crucible (1).

이로써, 잔류멜트에 의한 멜트라인과 멜트 바이브레이션과 석영도가니에 의한 상변화 등에 의한 문제가 없어지고, 잔류멜트의 팽창차이로 의한 석영도가니의 응력이 제거될 수 있다. 그러면, 석영도가니의 열화 문제가 없어지고, 이후에 석영도가니의 내표면을 재처리하고 폴리실리콘을 재충전하여 사용할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 또한 거의 모든 멜트가 실리콘 잉곳의 바디부에 사용되므로 단결정 실리콘 잉곳의 생산수율이 높아지는 이점을 기대할 수 있다. As a result, the problem due to the melt line due to the residual melt, the melt vibration and the phase change due to the quartz crucible is eliminated, and the stress of the quartz crucible due to the expansion difference of the residual melt can be eliminated. Then, the problem of deterioration of the quartz crucible is eliminated, and the effect of reprocessing the inner surface of the quartz crucible and recharging the polysilicon can be obtained. In addition, almost all the melt is used in the body portion of the silicon ingot can be expected to increase the production yield of the single crystal silicon ingot.

실험에 따르면, 300mm의 웨이퍼의 경우, 테일링 공정에 기존에는 9시간 정도 걸렸으나, 본 발명에서는 테일링 공정에 3시간이 소요되었다. According to the experiment, in the case of a 300 mm wafer, the tailing process took about 9 hours, but in the present invention, the tailing process took 3 hours.

본 발명의 사상에 포함되는 또 다른 실시예로 상기 하방열원공급 및 측방열원열공급감소(S41)은 멜트깊이가 0.4X-0.6X에서 시작하지 않고 테일링이 시작될 때 개시할 수도 있다. 그러나, 이는 열손실을 충분히 막을 수 있는 것을 그 배경으로 해야할 것이다. In another embodiment included in the spirit of the present invention, the downward heat source supply and side heat source heat supply reduction (S41) may be started when the tailing starts without the melt depth starts at 0.4X-0.6X. However, this should be set against the background of sufficient protection against heat loss.

본 발명에 따르면, 석영도가니의 열화를 방지하여 석영도가니를 장시간 사용할 수 있고, 단결정 잉곳의 생산수율을 향상시킬 수 있고, 생산된 잉곳의 유전위화를 줄일 수 있다. According to the present invention, it is possible to prevent deterioration of the quartz crucible, so that the quartz crucible can be used for a long time, the production yield of the single crystal ingot can be improved, and the dielectric inversion of the produced ingot can be reduced.

2 : 측방열원
3 : 하방열원
4 : 석영도가니2: side heat source
3: downward heat source
4: quartz crucible

Claims

Dipping to soak seeds;
Necking to remove dislocations;
Shoulder ring extending the diameter of the ingot to a certain diameter for use as a wafer;
A body process of growing the ingot, when the radius of the ingot is X, starting the heat supply of the downward heat source when the depth of the melt is 0.4X-0.6X, and reducing the heat supply of the side heat source; And
And a tailing to reduce the diameter in order to remove the ingot from the melt, and when the radius of the ingot is X, when the depth of the melt is 0.2X to 0.4X, tailing to start the reduction of the ingot diameter.

The method of claim 1,
And the residual melt is brought into contact with the ingot when the tailing is finished.

The method of claim 1,
And the heat supply of the downward heat source is gradually removed when the tailing starts.

A method of pulling up silicon using a pulling device having a side heat source provided on a side of a quartz crucible and a bottom heat source provided below a quartz crucible,
The downward heat source is a pulling method to start the heat supply when the melt depth is 0.4X-0.6X, and gradually remove the heat supply when the melt depth is 0.2X-0.4X.

5. The method of claim 4,
The side heat source is a pulling method to gradually reduce the heat supply when the melt depth is 0.4X-0.6X.

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