KR101336075B1 - A manufacture device of a material - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims abstract description 52
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
본 발명은 그 구조가 간단하여 생산설비가 경제적이며 가공작업이 빠르고 간편하게 이루어져 생산성이 증대할 수 있도록, 실리콘 융착액(L)이 수용되며 일 측에 상기 실리콘 융착액(L)이 토출되는 토출구(3)가 구비된 수용조(4)와, 상기 토출구(3)의 하부에 구비되며 전도성 심재(1)가 통과하면서 이동하고 상기 실리콘 융착액(L)이 유도되어 수용되는 홈으로 이루어진 이송로(5)가 구비된 형틀(6)로 이루어지며, 상기 토출구(3)와 형틀(6)은 전도성 재질로 이루어져 사이 간격에서 전원을 공급받아 전계(F)를 형성하는 것으로 이루어진 소재의 가공장치에 관한 것이다.The present invention has a simple structure, the production equipment is economical, and the processing operation is quick and simple to increase the productivity, the silicon fusion liquid (L) is accommodated and the discharge port for discharging the silicon fusion liquid (L) on one side ( Transfer path consisting of a receiving tank (4) having a 3, and a groove provided in the lower portion of the discharge port (3), the conductive core material (1) is passed through and the silicon fusion solution (L) is guided and received ( 5) is provided with a mold (6), the discharge port (3) and the mold (6) is made of a conductive material for the processing device of the material consisting of a power source at the interval between the forming the electric field (F) will be.
Description
본 발명은 전도성 심재로 이루어진 소재의 표면에 실리콘층을 형성하도록 된 소재의 가공장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 그 구조가 간단하여 생산설비가 경제적이며 가공작업이 빠르고 간편하게 이루어져 생산성이 증대할 수 있는 소재의 가공장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a processing apparatus of a material to form a silicon layer on the surface of the material consisting of a conductive core material, more specifically, the structure is simple, the production equipment is economical, and the processing operation is quick and simple, so that productivity can be increased. The present invention relates to a processing apparatus of a material.
최근, 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목받고 있다.Recently, as the exhaustion of existing energy resources such as oil and coal is predicted, interest in alternative energy to replace them is increasing. In particular, solar cells are attracting particular attention because they are rich in energy resources and have no problems with environmental pollution.
태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양광(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지가 있으며, 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하 태양전지라 한다)를 일컫는다.Solar cells include solar cells that generate the steam needed to rotate the turbine using solar heat and solar cells that convert photons into electrical energy using the properties of semiconductors. Photovoltaic cells (hereinafter referred to as solar cells).
이러한, 태양전지는 다이오드와 같이 p형 반도체와 n형 반도체의 접합 구조를 가지며, 태양전지에 태양광이 입사되면 태양광과 태양전지의 반도체를 구성하는 물질과의 상호작용으로 (-) 전하를 띤 전자와 전자가 빠져나가 (+) 전하를 띤 정공이 발생하여 이들이 이동하면서 전류가 흐르게 된다.This solar cell has a junction structure of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor, such as a diode. When a solar cell is incident on a solar cell, the interaction between the solar cell and the material constituting the semiconductor of the solar cell results in (-) charge The charged electrons and electrons escape, and positive holes with charged electrons are generated.
이를 광기전력효과(photovoltaic effect)라 하는데, 태양전지를 구성하는 p형 및 n형 반도체 중 전자는 n형 반도체 쪽으로, 정공은 p형 반도체 쪽으로 끌어 당겨져 각각 n형반도체 및 p형 반도체와 접합된 전극으로 이동하게 되고, 이 전극들을 전선으로 연결하면 전기가 흐르므로 전력을 얻을 수 있다.This photovoltaic effect is called photovoltaic effect. In the p-type and n-type semiconductors constituting the solar cell, electrons are attracted toward the n-type semiconductor and holes are attracted toward the p-type semiconductor, When these electrodes are connected by electric wires, electric power can be obtained because electricity flows.
이와 같은 태양전지의 출력특성은 일반적으로 솔라시뮬레이터를 이용하여 얻어진 출력전류전압곡선 상에서 출력전류 Ip와 출력전압 Vp의 곱 Ip×Vp의 최대값(Pm)을 태양전지로 입사하는 총광에너지(S×I: S는 소자면적, I는 태양전지에 조사되는 광의 강도)로 나눈 값인 변환효율에 의해 평가된다. The output characteristics of such a solar cell are generally expressed by the sum total energy (S x) of incident solar light on the maximum value (Pm) of the product Ip x Vp of the output current Ip and the output voltage Vp on the output current- I: S is the element area, and I is the intensity of the light irradiated to the solar cell).
태양전지의 변환효율을 향상시키기 위해서는 태양전지의 태양광에 대한 흡수율을 높이고, 캐리어들의 재결합 정도를 줄여야 하며, 반도체 기판 및 전극에서의 저항을 낮추어야 한다. 태양전지에 대한 연구들은 대체로 이들과 관련하여 진행되고 있다.In order to improve the conversion efficiency of the solar cell, it is necessary to increase the absorption rate of the solar cell to the sunlight, reduce the degree of recombination of the carriers, and lower the resistance of the semiconductor substrate and the electrode. Studies on solar cells are largely going on with them.
최근에는 전면에서의 전극에 의한 흡수율 감소를 없애기 위하여, 전극 모두를 후면에 설치하는 IBC(Interdigit Back Contact cell)형 태양전지가 개발되고 있다. Recently, an interdigit back contact cell (IBC) type solar cell has been developed in which all of the electrodes are disposed on the rear surface in order to eliminate the decrease in the absorption rate due to the electrodes on the front surface.
대한민국 공개특허 공개번호 10-2008-0087337호(ＩＢＣ형 태양전지의 제조방법 및 ＩＢＣ형 태양전지)는 후면전극형 태양전지에 관한 것으로, 제조 공정을 개선하여 제조 공정을 단순화하고 제조 비용을 감소하고 있는 효과가 있다고 하고 있으나, 기본적으로 태양전지는 다음과 같은 문제점이 있었다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2008-0087337 (IBC type solar cell manufacturing method and IBC type solar cell) relates to a back electrode type solar cell, which improves the manufacturing process to simplify the manufacturing process, reduce the manufacturing cost However, basically, the solar cell has the following problems.
첫째, 태양광 모듈은 일측면에서만 태양광을 흡수하기 때문에 바닥에 눕혀놓는 형태로 구성되어 있어 아침시간이나 늦은 오후 시간에는 태양광의 흡수효율이 낮았다.First, since the solar module absorbs sunlight only on one side, it is laid down on the floor, so the absorption efficiency of sunlight is low in the morning or late afternoon.
둘째, 태양광 흡수효율을 높이기 위해서는 태양광을 추적하는 추적기를 별도로 구성하고, 추적기에서의 추적결과에 따라 모터를 이용해 태양광 모듈을 해당 방향으로 계속 이동시켜야 태양광 모듈을 구성하는 별도의 추가비용이 소요되므로 이는 결국 태양광 모듈 생산 단가가 증가되는 문제로 이어지게 되었다.
Second, in order to increase the solar absorption efficiency, a tracker for tracking the sunlight must be separately provided, and the solar module must be moved in the corresponding direction by using the motor according to the result of tracking in the tracker. This results in an increase in the production cost of the photovoltaic module.
이에 따라, 본 출원인은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 한국특허출원번호 제10-2011-132466호(명칭: 태양전지)를 통해 전도성 심재를 전극으로 하고, 전도성 심재의 외주면에 태양광을 흡수하는 반도체층을 형성함으로써 태양광이 있는 동안 최대의 효율로 태양광을 흡수하는 것은 물론 설치가 용이한 태양전지를 제안하였다.
Accordingly, the present applicant is to solve all the disadvantages and problems of the prior art as described above, the conductive core material as an electrode through the Korean Patent Application No. 10-2011-132466 (name: solar cell), the conductive core material By forming a semiconductor layer that absorbs sunlight on the outer circumferential surface of the solar cell, a solar cell that absorbs sunlight at maximum efficiency and is easy to install is proposed.
그러나, 상기와 같은 본 출원인에 의해 제안된 태양전지를 제조할 때, 전도성 심재의 외주면에 반도체층을 형성하도록 된 가공장치가 제대로 구비되지 못한 문제점이 있었다.However, when manufacturing the solar cell proposed by the present applicant as described above, there was a problem that the processing device to form a semiconductor layer on the outer peripheral surface of the conductive core material is not provided properly.
즉, 기존의 가공장치를 이용하여 제조할 경우, 생산성이 떨어져 비경제적인 문제점이 있었다.
That is, when manufactured using the existing processing apparatus, there was a problem that the productivity is uneconomical.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 전도성 심재의 외주면에 반도체층을 형성하는 가공장치의 구조를 간단하여 생산설비를 경제적으로 할 수 있으며, 특히, 가공작업이 빠르고 간편하게 이루어져 생산성이 증대할 수 있도록 된 소재의 가공장치를 제공하는 것에 있다.
The present invention has been proposed to solve the conventional problems as described above, an object of the present invention is to simplify the structure of the processing apparatus for forming a semiconductor layer on the outer peripheral surface of the conductive core material to economical production facilities, in particular, It is an object of the present invention to provide a processing apparatus for materials in which processing can be performed quickly and easily to increase productivity.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 소재의 가공장치는 실리콘 융착액이 수용되며 일 측에 상기 실리콘 융착액이 토출되는 토출구가 구비된 수용조, 상기 토출구의 하부에 구비되며 전도성 심재가 통과하면서 이동하고 상기 실리콘 융착액이 유도되어 수용되는 홈으로 이루어진 이송로가 구비된 형틀로 이루어지며, 상기 토출구와 형틀은 전도성 재질로 이루어져 사이 간격에서 전원을 공급받아 전계를 형성하도록 된 것을 특징으로 한다.The processing apparatus of the raw material according to the present invention for achieving the object of the present invention as described above is provided in the receiving tank having a discharge port for discharging the silicon fusion solution on one side, the lower portion of the discharge port It is made of a mold provided with a conveying path made of a groove that is moved through the conductive core material and the silicon fusion solution is guided and received, the discharge port and the mold is made of a conductive material to form an electric field by receiving power from the gap between It is characterized by.
상기한 형틀은 상기 전도성 심재가 길이방향으로 수용되면서 이송되는 다수의 이송로를 가지는 판상의 전도성 재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.The mold is characterized in that the conductive core material is made of a plate-like conductive material having a plurality of transport paths are transported while being received in the longitudinal direction.
상기한 형틀과 토출구의 사이에 형성된 전계가는 상기 이송로의 내부에서 생성되도록 전원이 인가되는 것을 특징으로 한다.The electric field value formed between the mold and the discharge port is characterized in that the power is applied to be generated inside the transfer path.
상기 이송로의 내부에 생성되는 전계는 이송로를 관통하여 이동하는 전도성심재를 중심으로 포물형의 곡면을 가지게 형성되어 전계로 유도되는 실리콘 융착액이 이송로를 이동하는 상기 전도성 심재의 외주면에 점착되는 것을 특징으로 한다.The electric field generated inside the transfer path is formed to have a parabolic curved surface centering on the conductive core material moving through the transfer path so that the silicon fusion liquid induced by the electric field adheres to the outer peripheral surface of the conductive core material moving the transfer path. It is characterized by.
상기한 수용조에는 내부에 수용된 실리콘 융착액을 가열하여 실리콘 융착액의 온도를 유지하도록 된 것을 특징으로 한다.The accommodation tank is characterized in that to maintain the temperature of the silicon fusion solution by heating the silicon fusion solution contained therein.
상기한 토출구는 상기 수용조에 수용된 실리콘 융착액이 자유 낙하하지 않을 정도의 표면 장력을 가지는 크기로 이루어진 것을 특징으로 한다.The discharge port is characterized in that it is made of a size having a surface tension such that the silicon fusion solution accommodated in the container does not fall free.
상기 전도성 심재는 탄소재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.The conductive core is made of carbon.
상기 전도성 심재는 전도성섬유 또는 탄소섬유 중 하나인 것을 특징으로 한다.Wherein the conductive core is one of conductive fibers or carbon fibers.
상기 전도성 심재는 금속재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.The conductive core material is made of a metal material.
상기 전도성 심재는 은(Ag)으로 이루어진 것을 특징으로 한다.And the conductive core is made of silver (Ag).
상기 전도성 심재는 알루미늄(Al)으로 이루어진 것을 특징으로 한다.And the conductive core is made of aluminum (Al).
상기 탄소섬유의 표면에는 금속피막이 도금되어 있는 것을 특징으로 한다.And the surface of the carbon fiber is plated with a metal coating.
상기 금속피막은 은(Ag) 피막인 것을 특징으로 한다.And the metal coating is a silver (Ag) coating.
상기 금속피막은 알루미늄(Al) 피막인 것을 특징으로 한다.The metal film is characterized in that the aluminum (Al) film.
상기한 이송로는 단면상 원형의 전도성 심재가 수용되도록 단면 형상이 정사각 형상으로 이루어진 것을 특징으로 한다.The transfer path is characterized in that the cross-sectional shape is made of a square shape so that the conductive core material of the circular cross section is accommodated.
상기한 이송로는 판상의 전도성 심재가 수용되어 이송되도록 단면 형상이 직사각 형상으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
The transfer path is characterized in that the cross-sectional shape is made of a rectangular shape so that the plate-shaped conductive core material is accommodated and transferred.
상기와 같이 이루어진 본 발명에 의한 소재의 가공장치는 전도성 심재의 외주면에 반도체층을 형성하는 가공장치의 구조가 간단하여 생산설비를 경제적으로 할 수 있으며, 특히, 전도성 심재의 외주면에 실리콘 융착액을 이송로에 형성되는 전계에 의해 균일하도록 융착하여 접착할 수 있어, 가공작업이 빠르고 간편하게 이루어져 생산성이 증대할 수 있는 효과를 가진다.
The processing apparatus of the material according to the present invention made as described above is simple in the structure of the processing apparatus for forming a semiconductor layer on the outer peripheral surface of the conductive core material can be economical production equipment, in particular, the silicon fusion solution on the outer peripheral surface of the conductive core material It can be fused and bonded uniformly by the electric field formed in the transfer path, the processing operation is made quickly and simply has the effect that the productivity can be increased.
도 1 및 도 2는 태양전지의 구조를 보인 예시도,
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 일 실시예에 의한 소재의 가공장치를 보인 개략 예시도,
도 5 및 도 6은 본 실시예에 의한 소재의 가공장치에 의해 소재가가공되는 것을 개략하여 보인 일부 발췌 확대 예시도,
도 7은 본 발명에 따른 다른 실시예에 의한 소재의 가공장치를 구성하는 형틀을 보인 개략 단면 예시도.1 and 2 is an exemplary view showing a structure of a solar cell,
3 and 4 is a schematic illustration showing a processing apparatus of a raw material according to an embodiment according to the present invention,
5 and 6 is an enlarged view showing a part of the excerpts schematically showing that the workpiece is processed by the processing apparatus of the workpiece according to the present embodiment,
Figure 7 is a schematic cross-sectional view showing a form constituting the processing apparatus of the workpiece according to another embodiment according to the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 다른 바람직한 실시예에 의한 소재의 가공장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the processing apparatus of the material according to another preferred embodiment of the present invention.
아울러, 본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며 이 경우는 해당되는 발명의 설명부분에서 상세히 그 의미를 기재하였으므로, 단순한 용어의 명칭이 아닌 용어가 가지는 의미로서 본 발명을 파악하여야 함을 밝혀두고자 한다. 또한 실시예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고, 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 더욱 명확히 전달하기 위함이다.
In addition, although the terms used in the present invention have been selected as general terms that are widely used at present, there are some terms selected arbitrarily by the applicant in a specific case. In this case, since the meanings are described in detail in the description of the relevant invention, It is to be understood that the present invention should be grasped as a meaning of a term other than a name. Further, in describing the embodiments, descriptions of technical contents which are well known in the technical field to which the present invention belongs and which are not directly related to the present invention will be omitted. This is for the sake of clarity of the present invention without omitting the unnecessary explanation.
도 3 및 도 4는 본 실시예에 의한 소재의 가공장치를 구조를 보인 도면으로, 도 3은 전도성 심재의 이송방향에 대해 측면도이고, 도 4는 정면도이다.
3 and 4 is a view showing the structure of the processing apparatus of the material according to the embodiment, Figure 3 is a side view with respect to the conveying direction of the conductive core material, Figure 4 is a front view.
도 3 및 도 4에서 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 소재의 가공장치는 전도성 심재(1)로 이루어진 소재의 외주면에 실리콘층(2)을 형성하여 가공하는 것에 사용된다.As shown in Figs. 3 and 4, the processing apparatus of the material according to the present embodiment is used to form and process the
즉, 도 1 및 도 2에서 도시된 바와 같이 전도성 심재(1)의 외주면에 실리콘으로 이루어진 반도체층이 형성되도록 소재(전도성 심재)의 외주면에 실리콘 융착액(L)을 융착하여 가공하게 된다.That is, as shown in FIGS. 1 and 2, the silicon fusion solution L is fused and processed on the outer circumferential surface of the material (conductive core material) such that a semiconductor layer made of silicon is formed on the outer circumferential surface of the
이때, 상기 전도성 심재(1)는 도 1 및 도 2에서 도시된 바와 같이 그 단면 형상이 원으로 이루어진 원기둥형상으로 이루어질 수 있으며, 도 7에서 도시된 바와 같이 판상의 판형으로 이루어질 수 있다.In this case, the
여기서, 전도성 심재(1)는 태양전지의 전극으로써, 탄소재질이나 금속재질 및 전도성 섬유 중 하나로 구성할 수 있다.Here, the
그리고, 탄소재질로 구성하는 경우에는 탄소섬유로 구성할 수 있다.In the case of a carbon material, carbon fiber may be used.
한편, 전도성 심재를 금속 재질로 구성하는 경우에는 그 재질을 특별히 한정할 필요는 없으나 은 또는 알루미늄으로 구성하는 것이 바람직하다.
On the other hand, when the conductive core material is made of a metal material, the material is not particularly limited, but is preferably made of silver or aluminum.
또한, 상기 전도성 심재(1)의 외주면에는 금속피막이 형성될 수 있으며, 상기 금속피막은 역시 은 또는 알루미늄 피막으로 구성할 수 있다.
In addition, a metal film may be formed on an outer circumferential surface of the
이와 같은, 본 실시예에 의한 소재의 가공장치는 실리콘 융착액(L)이 수용되며 일 측에 상기 실리콘 융착액(L)이 토출되는 토출구(3)가 구비된 수용조(4)와, 상기 토출구(3)의 하부에 구비되며 전도성 심재(1)가 통과하면서 이동하고 상기 실리콘 융착액(L)이 유도되어 수용되는 홈으로 이루어진 이송로(5)가 구비된 형틀(6)로 이루어지며, 상기 토출구(3)와 형틀(6)은 전도성 재질로 이루어져 사이 간격에서 전원을 공급받아 전계(F)를 형성하는 것으로 구성된다.As described above, the processing apparatus of the raw material according to the present embodiment includes a receiving
즉, 상기 토출구(3)와 상기 형틀(4)에 전원을 인가하면 상기 토출구(3)와 형틀(6)의 사이에 전계(F)(電界, electric field)를 형성하여 정전력(靜電力)이 작용하게 된다.That is, when electric power is applied to the
이에 따라, 토출구(3)에 위치된 실리콘 융착액(L)이 정전력에 의해 형틀(6) 측으로 유도되어 이송로(5)의 내부로 이동하게 된다.Accordingly, the silicon fusion liquid L located at the
따라서, 이송로(5)의 내부에 수용되어 이송되는 상기 전도성 심재(1)의 외주면에 실리콘 융착액(L)이 융착되어 실리콘층(2)을 형성하면서 가공된다.Therefore, the silicon fusion liquid L is fused to the outer circumferential surface of the
상기에서 토출구(3)의 위치는 상기 수용조(4)에서 실리콘 융착액(L)이 토출되는 위치면 만족하는 것으로, 그 위치가 한정되지 아니한다.In the above, the position of the
다만, 도 3에서 도시된 바와 같이 수용조(4)의 수직상에서 하부에 위치되는 것이 가장 바람직하다.
However, as shown in Figure 3 is most preferably located in the lower portion on the vertical of the receiving tank (4).
상기와 같이 이송로(5)의 내부에서 전도성 심재(1)의 외주면에 실리콘 융착액(L)이 융착 가공될 수 있도록, 상기한 형틀(6)과 토출구(3)의 사이에 형성된 전계(F)를 상기 이송로(5)의 내부에서 생성될 수 있도록 전원이 인가되는 것이 바람직하다.
As described above, the electric field F formed between the
상기에서 형틀(6)의 이송로(5)에 형성되는 전계(F)의 하부는 도 5에서 도시된 바와 같이 전도성 심재(1)를 중심으로 원형을 이루기 때문에, 실리콘 융착액(L)이 이송로(5)의 내부에서 원형을 이루어 전도성 심재(1)의 외주면에 고른 두께로 융착하게 된다.Since the lower part of the electric field (F) formed in the conveying
즉, 상기 이송로(5)의 내부에 생성되는 전계(F)는 이송로(5)를 관통하여 이동하는 전도성 심재(1)를 중심으로 포물형의 곡면을 가지게 형성되어 전계(F)로 유도되는 실리콘 융착액(L)이 이송로(5)를 이동하는 상기 전도성 심재(1)의 외주면에 융착된다.
That is, the electric field F generated inside the conveying
그리고, 상기한 형틀(6)은 도 4에서 도시된 바와 같이, 상기 전도성 심재(1)가 길이방향으로 수용되면서 이송되는 다수의 이송로(5)를 가지는 판상의 전도성 재질로 이루어져, 다수의 전도성 심재(1)를 동시에 가공할 수 있다.And, as shown in Figure 4, the
물론, 도 7에서 도시된 바와 같이 상기 전도성 심재(1)가 판 형상일 경우, 단일의 이송로(5)로 구비될 수도 있으며, 이 경우 상기한 이송로(5)는 판상의 전도성 심재(1)가 수용되어 이송되도록 단면 형상이 직사각 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다.
Of course, as shown in FIG. 7, when the
또한, 상기에서 토출구(3)는 수용된 실리콘 융착액(1)이 자유 낙하하지 않을 정도의 표면 장력을 가지는 직경으로 이루어지는 것이 바람직하며, 전원이 인가되어 전계(F)가 형성될 경우 정전력에 의해 형틀(6)의 이송로(5)로 유도되는 것이 가장 바람직하다.In addition, the
즉, 평상시에는 상기 실리콘 융착액(L)이 표면장력에 의해 토출구(3)에서 외부로 유출되지 않지만, 전계(F)가 형성될 경우에만 정전력의 형성 방향으로 실리콘 융착액(L)이 유도되어 가공된다.That is, although the silicon fusion liquid L does not normally flow out from the
이때, 상기 실리콘 융착액(L)은 토출구(3)에 인가되는 전원에 의해 극성을 가지어 또 다른 극성을 가진 형틀(6) 측으로 이동하게 되어 가공이 원활하게 이루어진다.
At this time, the silicon fusion solution (L) has a polarity by the power applied to the
그리고, 상기한 수용조(4)에는 내부에 수용된 실리콘 융착액(L)을 가열하여 실리콘 융착액(L)의 온도를 유지하도록 가열수단(7)이 구비되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the receiving
즉, 실리콘 융착액(L)이 장기간 수용조(4)에 수용되더라도 온도를 유지하여 응고되는 것을 방지하게 된다.
That is, even if the silicon fusion liquid L is accommodated in the
상기한 바와 같이 본 실시예에 의한 소재의 가공장치는 전도성 심재(1)의 외주면에 실리콘층(2)(반도체층)을 형성하는 가공장치의 구조가 간단하여 생산설비를 경제적으로 할 수 있으며, 특히, 가공작업이 빠르고 간편하게 이루어져 생산성이 증대할 수 있다.
As described above, the processing apparatus of the material according to the present embodiment has a simple structure of the processing apparatus for forming the silicon layer 2 (semiconductor layer) on the outer circumferential surface of the
이상과 같은 예로 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 예들에 국한되는 것이 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서 본 발명에 개시된 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 예들에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
While the present invention has been described with reference to the exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Therefore, the examples disclosed in the present invention are not intended to limit the scope of the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.
1 : 전도성 심재 2 : 실리콘층
3 : 토출구 4 : 수용조
5 : 이송로 6 : 형틀
7 : 가열수단 L : 실리콘 융착액
F : 전계1: conductive core material 2: silicon layer
3: discharge port 4: container
5: transfer path 6: mold
7: heating means L: silicon fusion solution
F: Electric field
Claims (16)
상기 토출구의 하부에 구비되며 전도성 심재가 통과하면서 이동하고 상기 실리콘 융착액이 유도되어 수용되는 홈으로 이루어진 이송로가 구비된 형틀로 이루어지며, 상기 토출구와 형틀은 전도성재질로 이루어져 사이 간격에서 전원을 공급받아 전계를 형성하도록 된 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
Receiving tank containing the silicon fusion solution and the discharge port for discharging the silicon fusion solution on one side,
It is provided in the lower portion of the discharge port is made of a mold provided with a transfer path made of a groove that is moved while the conductive core material is passed through the silicon fusion solution is received, the discharge port and the mold is made of a conductive material to power the power in the interval between The processing apparatus of the material, characterized in that to form an electric field supplied.
상기한 형틀은 상기 전도성 심재가 길이방향으로 수용되면서 이송되는 다수의 이송로를 가지는 판상의 전도성 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
The method of claim 1,
The mold is processing apparatus of the material, characterized in that the conductive core material is made of a plate-like conductive material having a plurality of transport paths are transported while being received in the longitudinal direction.
상기한 형틀과 토출구의 사이에 형성된 전계가 상기 이송로의 내부에서 생성되도록 전원이 인가되는 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
The method of claim 1,
And a power source is applied such that an electric field formed between the mold and the discharge port is generated inside the transfer path.
상기 이송로의 내부에 생성되는 전계는 이송로를 관통하여 이동하는 전도성심재를 중심으로 포물형의 곡면을 가지게 형성되어 전계로 유도되는 실리콘 융착액이 이송로를 이동하는 상기 전도성 심재의 외주면에 융착되는 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.The method of claim 3,
The electric field generated inside the transfer path is formed to have a parabolic curved surface centering on the conductive core material moving through the transfer path, and the silicon fusion liquid induced by the electric field is fused to the outer peripheral surface of the conductive core material moving the transfer path. Processing apparatus of the material, characterized in that.
상기한 수용조는 내부에 수용된 실리콘 융착액을 가열하여 실리콘 융착액의 온도를 유지하도록 된 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
The method of claim 1,
The receiving tank is a processing apparatus of a material, characterized in that to maintain the temperature of the silicon fusion liquid by heating the silicon fusion liquid contained therein.
상기한 토출구는 상기 수용조에 수용된 실리콘 융착액이 자유 낙하하지 않을 정도의 표면 장력을 가지는 크기로 이루어진 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
The method of claim 1,
The discharge port is a processing apparatus of the raw material, characterized in that the size of the silicon fusion solution accommodated in the receiving tank has a surface tension that does not fall freely.
상기 전도성 심재는 탄소재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
The method of claim 1,
The conductive core material is a processing device of a material, characterized in that made of carbon material.
상기 전도성 심재는 전도성섬유 또는 탄소섬유 중 하나인 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
The method of claim 1,
The conductive core material is a processing device of the material, characterized in that one of the conductive fibers or carbon fibers.
상기 전도성 심재는 금속재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
The method of claim 1,
The conductive core material is a processing device of a material, characterized in that made of a metallic material.
상기 전도성 심재는 은(Ag)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
The method of claim 9,
The conductive core material is a processing apparatus of the material, characterized in that made of silver (Ag).
상기 전도성 심재는 알루미늄(Al)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
The method of claim 9,
The conductive core material is a processing apparatus of the material, characterized in that made of aluminum (Al).
탄소섬유의 표면에는 금속피막이 도금되어 있는 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치
8. The method of claim 7,
Processing equipment for materials characterized in that the surface of the carbon fiber is plated with a metal coating
상기 금속피막은 은(Ag) 피막인 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
13. The method of claim 12,
The metal film is a processing apparatus of a material, characterized in that the silver (Ag) film.
상기 금속피막은 알루미늄(Al) 피막인 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
13. The method of claim 12,
The metal film is a processing apparatus of the material, characterized in that the aluminum (Al) film.
상기한 이송로는 단면상 원형의 전도성 심재가 수용되는 단면 형상이 정사각 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
The method of claim 1,
The conveying path is a processing apparatus of the material, characterized in that the cross-sectional shape in which the conductive core material of circular shape in the cross section is formed in a square shape.
상기한 이송로는 판상의 전도성 심재가 수용되어 이송되는 단면 형상이 직사각 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 소재의 가공장치.
The method of claim 1,
The conveying path is a processing apparatus of the material, characterized in that the cross-sectional shape of the plate-shaped conductive core material is accommodated and carried in a rectangular shape.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020120013929A KR101336075B1 (en) | 2012-02-10 | 2012-02-10 | A manufacture device of a material |
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| KR (1) | KR101336075B1 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2012
- 2012-02-10 KR KR1020120013929A patent/KR101336075B1/en not_active IP Right Cessation
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