KR101330955B1 - The method of predicting silicon content and the method of predicting silicon oxide content using the same - Google Patents
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Abstract
시료 내 실리콘과 실리콘 옥사이드 각각의 함량을 알 수 있는 시료 내 실리콘 함량 예측 방법 및 이를 이용한 시료 내 실리콘 옥사이드 함량 예측방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 실리콘 함량 예측 방법은 (a) 도가니 내에 일정량의 시료를 넣은 후 질량(A)를 측정하는 단계; (b) 상기 시료가 담긴 도가니를 전기로에 투입하고, 940~960℃에서 하기 화학식 1에 따라 실리콘과 산소를 반응시킨 후, 상기 실리콘과 산소가 반응이 이루어진 시료가 담긴 도가니를 전기로로부터 꺼낸 후 질량(B)를 측정하는 단계; 및 (c) 상기 질량(A)과 상기 질량(B)의 질량을 비교하여 실리콘 함량을 구하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Si + O2 → SiO2(S)Disclosed is a method for predicting silicon content in a sample and a method for predicting silicon oxide content in a sample using the same, wherein the content of silicon and silicon oxide in the sample can be known.
Silicon content prediction method according to the invention comprises the steps of (a) measuring the mass (A) after a predetermined amount of sample in the crucible; (b) The crucible containing the sample is put into an electric furnace, and after reacting silicon and oxygen according to the following formula (1) at 940 ~ 960 ℃, the crucible containing the sample in which the silicon and oxygen reacted is removed from the electric furnace mass Measuring (B); And (c) obtaining a silicon content by comparing the mass (A) with the mass (B).
[Formula 1]
Si + O 2 → SiO 2 (S)
Description
본 발명은 시료에 포함되어 있는 실리콘 함량을 예측할 수 있는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 시료 내 실리콘 함량 및 실리콘 옥사이드 함량을 각각 예측할 수 있는 시료 내 실리콘 함량 예측 방법 및 이를 이용한 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for predicting the silicon content contained in the sample, and more particularly, a silicon content prediction method and a silicon oxide content prediction method for predicting the silicon content and silicon oxide content in the sample, respectively It is about.
시료 내 실리콘의 함량 분석은 습식분석법 또는 유도결합플라즈마(ICP)법으로 진행된다. The content of silicon in the sample can be analyzed by wet analysis or inductively coupled plasma (ICP).
습식분석법은 시료의 산을 이용한 전처리 후 질량 감량을 통하여, 기기분석보다 오차가 작다. 하지만, 습식분석법은 실리콘 옥사이드 함량은 비교적 정확히 예측할 수 있지만, 실리콘 함량을 예측하기가 어려운 문제점이 있다.Wet analysis method has less error than instrument analysis through weight loss after pretreatment with acid of sample. However, wet analysis has a problem that silicon oxide content can be predicted relatively accurately, but silicon content is difficult to predict.
또한, 유도결합플라즈마(ICP)를 이용하여 실리콘을 분석할 경우, 연료 분무기(Nebulizer) 입구가 실리콘 옥사이드 미세입자로 인해 막힘으로써 기기 고장이 발생할 수 있다.In addition, when analyzing silicon using an inductively coupled plasma (ICP), the device failure may occur because the fuel inlet (Nebulizer) inlet is blocked by the silicon oxide fine particles.
본 발명에 관련된 기술로는 대한민국 공개 제10-1988-0011583호(1988. 10. 29. 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 용융금속의 실리콘 함량을 측정하는 농축셀이 개시되어 있다.
The technology related to the present invention is Republic of Korea Publication No. 10-1988-0011583 (published October 29, 1988), the document discloses a concentration cell for measuring the silicon content of the molten metal.
본 발명의 목적은 시료 내 실리콘과 실리콘 옥사이드 각각의 함량을 알 수 있는 시료 내 실리콘 함량 예측 방법 및 이를 이용한 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법을 제공하는 것이다.
It is an object of the present invention to provide a method for predicting silicon content in a sample and a method for predicting silicon oxide content using the same, wherein the content of silicon and silicon oxide in the sample can be known.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 함량 예측 방법은 (a) 도가니 내에 일정량의 시료를 넣은 후 질량(A)를 측정하는 단계; (b) 상기 시료가 담긴 도가니를 전기로에 투입하고, 940~960℃에서 하기 화학식 1에 따라 실리콘과 산소를 반응시킨 후, 상기 실리콘과 산소가 반응이 이루어진 시료가 담긴 도가니를 전기로로부터 꺼낸 후 질량(B)를 측정하는 단계; 및 (c) 상기 질량(A)와 상기 질량(B)의 질량을 비교하여 실리콘 함량을 구하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Silicon content prediction method according to an embodiment of the present invention for achieving the above object comprises the steps of (a) measuring the mass (A) after putting a certain amount of sample in the crucible; (b) The crucible containing the sample is put into an electric furnace, and after reacting silicon and oxygen according to the following formula (1) at 940 ~ 960 ℃, the crucible containing the sample in which the silicon and oxygen reacted is removed from the electric furnace mass Measuring (B); And (c) obtaining a silicon content by comparing the mass (A) with the mass (B).
[화학식 1][Formula 1]
Si + O2 → SiO2(S)
Si + O 2 → SiO 2 (S)
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법은 (a) 도가니 내에 일정량의 시료를 넣은 후 시료에 함유되어 있는 실리콘을 화학반응시켜, 실리콘 옥사이드를 생성하는 단계; (b) 상기 실리콘 옥사이드가 생성된 시료가 담긴 도가니의 질량(C)를 측정하는 단계; (c) 상기 시료를 불산 처리하여 하기 화학식 2에 따라 시료에 포함된 실리콘 옥사이드를 제거하고, 실리콘 옥사이드가 제거된 시료가 담긴 도가니의 질량(D)를 측정하는 단계; (d) 상기 질량(C)와 상기 질량(D)를 비교하여 실리콘 옥사이드를 포함한 시료 내 총 실리콘 옥사이드 질량(E)를 측정하는 단계; (e) 시료의 실리콘과 산소가 반응한 전후 질량을 비교하여 실리콘의 질량(F)를 구하는 단계; 및 (f) 상기 질량(E)와 상기 질량(F)의 질량을 비교하여 실리콘 옥사이드 함량을 구하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Silicon oxide according to an embodiment of the present invention for achieving the above object Content prediction method may include the steps of (a) placing a certain amount of sample in the crucible and chemically reacting the silicon contained in the sample to produce silicon oxide; (b) measuring the mass (C) of the crucible containing the sample in which the silicon oxide is produced; (c) treating the sample with hydrofluoric acid to remove silicon oxide contained in the sample according to Chemical Formula 2, and measuring the mass (D) of the crucible containing the sample from which the silicon oxide has been removed; (d) comparing the mass (C) with the mass (D) to determine the total silicon oxide mass (E) in the sample including silicon oxide; (e) calculating the mass (F) of silicon by comparing the mass before and after the silicon and oxygen of the sample react; And (f) obtaining a silicon oxide content by comparing the mass of the mass (E) with the mass (F).
[화학식 2] (2)
SiO2 + 4HF → SiF4 + 2H2O
SiO 2 + 4 HF → SiF 4 + 2H 2 O
본 발명에 따른 실리콘 함량 예측 방법은 실리콘과 산소를 반응시켜 실리콘 옥사이드로 변화하면서 증가한 질량을 환산하여 시료 내 실리콘의 함량을 예측할 수 있다.In the method of predicting silicon content according to the present invention, silicon and oxygen may be reacted to change silicon oxide to increase the mass, thereby predicting the amount of silicon in the sample.
또한, 상기 시료 내 실리콘 함량을 통하여, 실리콘 옥사이드의 함량을 예측할 수 있는 효과가 있다.
In addition, through the silicon content in the sample, there is an effect that can predict the content of silicon oxide.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 함량 예측 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법을 나타낸 순서도이다. 1 is a flow chart showing a silicon content prediction method according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of predicting silicon oxide content according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시료 내 실리콘 함량 예측 방법 및 이를 이용한 시료 내 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, a method for predicting silicon content in a sample and a method for predicting silicon oxide content in a sample using the same according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 함량 예측 방법을 나타낸 순서도이다. 1 is a flow chart showing a silicon content prediction method according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 도시된 실리콘 함량 예측 방법은 가열 단계(S110), 반응 전 질량 측정 단계(S120), 반응 후 질량 측정 단계(S130) 및 질량 비교 단계(S140)을 포함한다.
Referring to FIG. 1, the illustrated silicon content prediction method includes a heating step S110, a pre-reaction mass measurement step S120, a post-reaction mass measurement step S130, and a mass comparison step S140.
가열heating
가열 단계(S110)는 가스 공급 라인이 연결된 전기로를 가열한다. 여기서, 가스 공급 라인의 가스는 대기 중에서 실리콘과 반응하는 산소(O2)를 이용하는 것이 바람직하다.The heating step S110 heats the electric furnace to which the gas supply line is connected. Here, the gas of the gas supply line preferably uses oxygen (O 2 ) that reacts with silicon in the atmosphere.
또한, 전기로의 온도는 940~960℃ 인 것이 바람직하다. 만일, 전기로의 온도가 940℃를 미만일 경우에는 실리콘의 산화 속도가 낮아지는 문제가 있다. 반대로, 전기로의 온도가 960℃를 초과할 경우에는 도가니 자체에 화학반응이 발생할 수 있다.
Moreover, it is preferable that the temperature of an electric furnace is 940-960 degreeC. If the temperature of the electric furnace is less than 940 ℃, there is a problem that the oxidation rate of silicon is lowered. On the contrary, when the temperature of the electric furnace exceeds 960 ° C, a chemical reaction may occur in the crucible itself.
반응 전 질량 측정Mass measurement before reaction
반응 전 질량 측정 단계(S120)는 시료가 담긴 도가니를 전기로에 투입하기 전에 일정량의 실리콘 시료를 넣은 도가니의 질량(A)를 측정한다. 이때, 도가니는 니켈 또는 백금 도가니를 사용하는 것이 바람직하며, 니켈 도가니를 이용하는 것이 보다 바람직하다. 니켈 도가니는 공기 및 습기에도 잘 산화되지 않으며, 알칼리에도 잘 침식되지 않는 장점이 있다.
The mass measurement step (S120) before the reaction measures the mass (A) of the crucible into which a certain amount of silicon sample is placed before the crucible containing the sample is put into an electric furnace. At this time, it is preferable to use nickel or a platinum crucible, and it is more preferable to use a nickel crucible. Nickel crucibles do not oxidize well in air and moisture and do not erode well in alkali.
반응 후 질량 측정Mass measurement after reaction
반응 후 질량 측정 단계(S130)는 시료가 담긴 도가니를 전기로에 투입한 후, 940~960℃에서 하기 화학식 1에 따라 실리콘과 산소를 반응 시킨다. 그 후에, 전기로에서 도가니를 꺼낸 후 실리콘과 산소가 반응한 후의 질량(B)를 측정한다.After the reaction, the mass measurement step (S130), after the crucible containing the sample is put into an electric furnace, and reacts the silicon and oxygen according to the formula (1) at 940 ~ 960 ℃. Then, after taking out a crucible from an electric furnace, the mass (B) after silicon and oxygen react is measured.
[화학식 1][Formula 1]
Si + O2 → SiO2(S)
Si + O 2 → SiO 2 (S)
질량 비교Mass comparison
질량 비교 단계(S140)는 질량(A)와 Si → SiO2 가 되면서 증가된 질량(B)를 비교하여 시료 내의 실리콘의 함량을 연산한다. Mass comparison step (S140) is a mass (A) and Si → SiO 2 The amount of silicon in the sample is calculated by comparing the increased mass (B).
예를 들어, 실리콘 시료를 넣은 도가니의 반응 전 질량(A)가 1000g이고, 반응 후 측정한 질량(B)가 1050g으로, 질량이 50g이 증가하였다면, 반응 전후의 증가한 질량은 산소의 질량으로 50g임을 알 수 있다. 따라서, 상기 화학식 1에 의할 때, 산소는 분자량이 32이고 질량이 50g이며, 실리콘의 분자량은 28이기 때문에 시료 내의 실리콘 질량은 28 x 50 / 32 = 43.75g, 약 44g임을 알 수 있다.
For example, if the crucible containing a silicon sample is 1000g before the reaction, the mass (B) measured after the reaction is 1050g, and the mass is increased by 50g, the mass before and after the reaction is 50g as the mass of oxygen. It can be seen that. Therefore, according to Chemical Formula 1, since oxygen has a molecular weight of 32, a mass of 50g, and a molecular weight of silicon of 28, it can be seen that the silicon mass in the sample is 28 × 50/32 = 43.75g, about 44g.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법을 나타낸 순서도이다. 2 is a flowchart illustrating a method of predicting silicon oxide content according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 도시된 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법은 실리콘 옥사이드 생성단계(S210), 질량 측정 단계(S220), 불산 처리 단계(S230), 질량 비교 단계(S240), 실리콘 질량 측정 단계(S250) 및 실리콘 옥사이드 함량 측정 단계(S260)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the illustrated method of predicting silicon oxide content is silicon oxide. Production step (S210), mass measurement step (S220), hydrofluoric acid treatment step (S230), mass comparison step (S240), silicon mass measurement step (S250) and silicon oxide Content measurement step (S260) is included.
실리콘 silicon 옥사이드Oxide 생성produce
실리콘 옥사이드 생성단계(S210)는 시료 내 실리콘을 화학반응시켜 실리콘 옥사이드를 생성한다. Silicon oxide The production step (S210) generates silicon oxide by chemical reaction of the silicon in the sample.
실리콘의 화학반응은 염산용액, 질산용액 및 과염소산용액을 이용하여 실리콘을 반응시켜 실리콘 옥사이드를 생성시킬 수 있다. In the chemical reaction of silicon, silicon oxide may be formed by reacting silicon using a hydrochloric acid solution, nitric acid solution, and perchloric acid solution.
이 경우, 실리콘의 화학반응은 시료를 여과지에 올려놓은 상태에서 실시될 수 있다. 여과지를 이용할 경우, 본 발명에 따른 시료 내 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법을 수행하기 위하여, 백금 또는 니켈 도가니 재질의 전기로에서 회화시키는 과정이 요구된다. 이는 여과지의 질량을 제외한 도가니의 질량을 정확하게 측정하기 위한 것이다.
In this case, the chemical reaction of silicon can be carried out with the sample placed on the filter paper. In the case of using the filter paper, in order to perform the method for predicting the silicon oxide content in the sample according to the present invention, a process of incineration in an electric furnace made of platinum or nickel crucible is required. This is to accurately measure the mass of the crucible excluding the mass of the filter paper.
또한, 실리콘의 화학반응은 시료 내 실리콘을 하기 화학식 1에 따라 화학반응 시켜, 실리콘 옥사이드를 생성시키는 방법도 이용할 수 있다. In addition, the chemical reaction of silicon can also be used to chemically react the silicon in the sample according to the following formula (1) to produce silicon oxide.
[화학식 1] [Formula 1]
Si + O2 → SiO2(S)Si + O 2 → SiO 2 (S)
이는 도 1에서 설명한 바와 동일하므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
This is the same as described in Figure 1, so a detailed description thereof will be omitted.
질량 측정Mass measurement
질량 측정 단계(S220)는 시료가 담긴 도가니의 질량(C)를 측정한다. 즉, 질량 측정 단계(S220)에서는 원래 시료 내에 포함된 실리콘 옥사이드에, Si → SiO2가 된 것까지 포함한 실리콘 옥사이드의 질량을 알 수 있다.
Mass measurement step (S220) measures the mass (C) of the crucible containing the sample. That is, in the mass measurement step S220, the mass of silicon oxide including Si → SiO 2 in the silicon oxide originally included in the sample can be known.
불산 처리Foshan Treatment
불산 처리 단계(S230)는 백금 도가니에 불산(HF) 처리를 하여 실리콘 옥사이드를 하기 화학식 2로 기체(SiF4) 형태로 대기 중으로 증발시킨다. The hydrofluoric acid treatment step (S230) is a hydrofluoric acid (HF) treatment on the platinum crucible to evaporate silicon oxide into the atmosphere in the form of gas (SiF 4 ) by the following formula (2).
[화학식 2] (2)
SiO2 + 4HF → SiF4(g) + 2H2OSiO 2 + 4 HF → SiF 4 (g) + 2H 2 O
화학식 2에 따라 반응 시킨 후, 기체 형태로 날라간 SiO2의 질량 만큼 시료 내 전체 질량이 감량하게 된다.
After reacting according to Chemical Formula 2, the total mass in the sample is reduced by the mass of SiO 2 blown off as a gas.
질량 비교Mass comparison
질량 비교 단계(S240)는 반응이 끝난 후에 실리콘 옥사이드가 제거된 시료가 담긴 도가니의 질량(D)를 측정한다.The mass comparison step (S240) measures the mass (D) of the crucible containing the sample from which the silicon oxide is removed after the reaction is completed.
그 후에, 질량(C)와 질량(D)를 비교하여, 실리콘의 화학반응에 의해 생성된 실리콘 옥사이드를 포함한 시료 내 전체 실리콘 옥사이드 질량(E)를 연산한다. Thereafter, the mass (C) and the mass (D) are compared to calculate the total silicon oxide mass (E) in the sample including the silicon oxide produced by the chemical reaction of silicon.
예를 들어, 질량(C)가 1000g이고, 질량(D)가 900g 이었다면, 100g의 질량차이가 시료 내 전체 실리콘 옥사이드 질량(E)가 된다. For example, if the mass (C) is 1000 g and the mass (D) is 900 g, the mass difference of 100 g is the total silicon oxide mass (E) in the sample.
그러나, 이때 구해진 실리콘 옥사이드 질량(E)는 시료 내 포함되어 있는 실리콘이 반응하여 생성된 실리콘 옥사이드의 질량까지 더해진 것이므로, 보다 정확한 시료 내 실리콘 옥사이드 함량을 예측하기 위해서는 추가의 과정이 더 필요하다.
However, since the obtained silicon oxide mass (E) is added to the mass of silicon oxide produced by the reaction of silicon contained in the sample, an additional process is required to more accurately predict the silicon oxide content in the sample.
실리콘이 반응하여 생성된 실리콘 Silicon produced by reaction of silicon 옥사이드Oxide 질량 연산 Mass calculation
실리콘이 반응하여 생성된 실리콘 옥사이드 질량 연산 단계(S250)는 실리콘과 산소가 반응하기 전, 그리고 실리콘과 산소가 반응한 후의 질량을 비교하여, 실리콘이 화학반응하여 생성된 실리콘 옥사이드 질량(F)를 연산한다. The silicon oxide mass calculation step (S250) generated by the reaction of silicon compares the mass before the reaction between silicon and oxygen and after the reaction between silicon and oxygen, and compares the mass of silicon oxide (F) generated by chemical reaction of silicon. Calculate
여기서, 본 단계(S250)는 도 1에 도시된 방법으로 실시될 수 있다.
Here, the step S250 may be performed by the method illustrated in FIG. 1.
시료 내 실리콘 Silicon in Sample 옥사이드Oxide 함량 연산 Content calculation
실리콘 옥사이드 함량 연산 단계(S260)는 질량(E)와 질량(F)를 비교하여, 시료 내 실리콘 옥사이드의 함량을 연산한다.The silicon oxide content calculating step (S260) compares the mass (E) and the mass (F) to calculate the content of silicon oxide in the sample.
여기서, 실리콘이 반응하여 생성된 실리콘 옥사이드를 포함한 전체 실리콘 옥사이드 질량(E)가 100g이고, 실리콘이 반응하여 생성된 실리콘 옥사이드 질량(F)가 30g이라면, 최종적인 시료 내 실리콘 옥사이드 질량은 70g이 된다. Here, if the total silicon oxide mass (E) including silicon oxide produced by the reaction of silicon is 100g and the silicon oxide mass (F) produced by the reaction of silicon is 30g, the final silicon oxide mass in the sample is 70g. .
여기서, 질량(E)와 질량(F)를 정확하게 비교하기 위하여 질량(E)를 연산하는 데 사용된 시료의 양과 질량(F)를 연산하는데 사용된 시료의 양이 서로 동일해야 함은 당연하다.
Here, in order to accurately compare mass (E) and mass (F), it is natural that the amount of sample used to calculate mass (E) and the amount of sample used to calculate mass (F) must be equal to each other.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 실리콘 함량 예측 방법은 실리콘과 산소를 반응시켜 실리콘 옥사이드로 변화하면서 증가한 질량을 환산하여 시료 내 실리콘의 함량을 예측할 수 있으며, 나아가 이를 이용하여, 시료 내 실리콘 옥사이드의 함량을 예측할 수 있는 효과가 있다.
As described above, the silicon content prediction method according to the present invention can predict the content of silicon in the sample by converting the increased mass by changing the silicon oxide by reacting silicon and oxygen, and further, by using this, It has the effect of predicting the content.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
While the invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments. Such changes and modifications are intended to fall within the scope of the present invention unless they depart from the scope of the present invention. Accordingly, the scope of the present invention should be determined by the following claims.
S110: 가열
S120: 반응 전 질량 측정
S130: 반응 후 질량 측정
S140: 질량 비교
S210: 실리콘 옥사이드 생성
S211: 여과지 분리
S212: 여과지 회화
S220: 질량 측정
S230: 불산처리
S240: 질량 비교
S250: 실리콘이 반응하여 생성된 실리콘 옥사이드 질량 연산
S260: 시료 내 실리콘 옥사이드 함량 연산S110: heating
S120: Mass measurement before reaction
S130: Mass measurement after reaction
S140: mass comparison
S210: silicon oxide produce
S211: filter paper separation
S212: filter paper painting
S220: mass measurement
S230: hydrofluoric acid treatment
S240: mass comparison
S250: Silicon oxide mass calculation produced by reaction of silicon
S260: Calculation of silicon oxide content in the sample
Claims (6)
(b) 상기 실리콘 옥사이드가 생성된 시료가 담긴 도가니의 질량(C)를 측정하는 단계;
(c) 상기 시료를 불산 처리하여, 하기 화학식 2에 따라 시료에 포함된 실리콘 옥사이드를 제거하고, 실리콘 옥사이드가 제거된 시료가 담긴 도가니의 질량(D)를 측정하는 단계;
[화학식 2]
SiO2 + 4HF → SiF4 + 2H2O
(d) 상기 질량(C)와 상기 질량(D)를 비교하여, 상기 (a) 단계에서 생성된 실리콘 옥사이드를 포함한 시료 내 총 실리콘 옥사이드 질량(E)를 측정하는 단계;
(e) 시료의 실리콘과 산소가 반응한 전후 질량을 비교하여 실리콘의 질량(F)를 구하는 단계; 및
(f) 상기 질량(E)와 상기 질량(F)의 질량을 비교하여 실리콘 옥사이드 함량을 구하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 시료 내 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법.
(a) placing a predetermined amount of sample in the crucible and then chemically reacting the silicon contained in the sample to produce silicon oxide;
(b) measuring the mass (C) of the crucible containing the sample in which the silicon oxide is produced;
(c) treating the sample with hydrofluoric acid to remove silicon oxide contained in the sample according to Chemical Formula 2 and measuring the mass (D) of the crucible containing the sample from which the silicon oxide has been removed;
(2)
SiO 2 + 4 HF → SiF 4 + 2H 2 O
(d) comparing the mass (C) with the mass (D) and measuring the total silicon oxide mass (E) in the sample including the silicon oxide produced in the step (a);
(e) calculating the mass (F) of silicon by comparing the mass before and after the silicon and oxygen of the sample react; And
(f) silicon oxide by comparing the mass (E) with the mass (F) Obtaining the content; silicon oxide in the sample comprising a Content prediction method.
상기 도가니는
니켈 또는 백금 재질인 것을 특징으로 하는 시료 내 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법.
The method of claim 3,
The crucible is
Silicon oxide in the sample, characterized in that the material is nickel or platinum Content prediction method.
상기 (a) 단계에서,
염산용액, 질산용액 또는 과염소산용액을 이용하여 상기 실리콘을 화학반응시키는 것을 특징으로 하는 시료 내 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법.
The method of claim 3,
In the step (a)
Silicon oxide in a sample characterized by chemically reacting the silicon using a hydrochloric acid solution, nitric acid solution or perchloric acid solution Content prediction method.
상기 (a) 단계에서,
940~960℃에서 상기 실리콘을 산소와 화학반응시키는 것을 특징으로 하는 시료 내 실리콘 옥사이드 함량 예측 방법.The method of claim 3,
In the step (a)
Silicon oxide in the sample, characterized in that the silicon is chemically reacted with oxygen at 940 ~ 960 ℃ Content prediction method.
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|---|---|---|---|---|
| KR20230033402A (en) | 2021-09-01 | 2023-03-08 | 주식회사 코리아캐스트 | A method for quantitative analysis of silicon in a sample |
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- 2012-04-25 KR KR1020120043525A patent/KR101330955B1/en not_active IP Right Cessation
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