KR101327381B1 - Jigs for manufacturing silicon carbide structures - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a jig for manufacturing a silicon carbide structure and includes a graphite base material and a guide part which is in contact with the outer part and the inner part of the graphite base material and which has the thicker thickness than the thickness of the graphite base material. The present invention reduces manufacturing costs and improves productivity because there is no need to post-process the outer part and the inner part of a silicon carbide structure by limiting the deposition position of SiC deposited on the upper part of the graphite base material using high-purity alumina to manufacture the accurate silicon carbide structure.

Description

실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그{Jigs for manufacturing silicon carbide structures}Jigs for manufacturing silicon carbide structures

본 발명은 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외경 또는 외경 및 내경의 가공이 요구되지 않는 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그에 관한 것이다.
The present invention relates to a jig for producing a silicon carbide structure, and more particularly to a jig for producing a silicon carbide structure that does not require the processing of the outer diameter or the outer diameter and the inner diameter.

일반적으로, 반도체 제조공정에서 사용되는 건식식각장치는, 기체상의 식각가스를 사용하는 플라즈마식각 등이 있다. 이는 식각가스를 반응용기내로 인입시키고, 이온화시킨 후, 웨이퍼 표면으로 가속시켜 웨이퍼 표면의 최상층을 물리적, 화학적으로 제거하며, 식각의 조절이 용이하고, 생산성이 높으며, 수십 nm 수준의 미세 패턴형성이 가능하여 널리 사용되고 있다.2. Description of the Related Art In general, a dry etching apparatus used in a semiconductor manufacturing process includes plasma etching using a gaseous etching gas. This is because the etching gas is introduced into the reaction vessel, ionized and then accelerated to the wafer surface to physically and chemically remove the uppermost layer of the wafer surface. The etching is easily controlled, the productivity is high, And is widely used.

플라즈마 식각에서의 균일한 식각을 위하여 고려되어야 할 변수(parameter)들로는 식각할 층의 두께와 밀도, 식각가스의 에너지 및 온도, 포토레지스트의 접착성과 웨이퍼 표면의 상태 및 식각가스의 균일성 등을 들 수 있다. 특히, 식각가스를 이온화시키고, 이온화된 식각가스를 웨이퍼 표면으로 가속시켜 식각을 수행하는 원동력이 되는 고주파(RF: Radio frequency)의 조절은 중요한 변수가 될 수 있으며, 또한 실제 식각과정에서 직접적으로 그리고 용이하게 조절할 수 있는 변수로 고려된다.Parameters to be considered for uniform etching in plasma etching include the thickness and density of the layer to be etched, the energy and temperature of the etching gas, the adhesion of the photoresist, the state of the wafer surface and the uniformity of the etching gas . In particular, the control of radio frequency (RF), which is the driving force for ionizing the etching gas and accelerating the ionized etch gas to the wafer surface, can be an important parameter, It is considered as a variable that can be easily adjusted.

그러나, 실제로 식각이 이루어지는 웨이퍼를 기준으로 볼 때, 웨이퍼 표면 전체에 대한 균일한 에너지 분포를 갖도록 하는 고른 고주파의 적용은 필수적이며, 이러한 고주파의 적용시의 균일한 에너지 분포의 적용은 고주파의 출력의 조절만으로는 달성될 수 없으며, 이를 해결하기 위하여는 고주파를 웨이퍼에 인가하는데 사용되는 고주파 전극으로서의 스테이지와 애노우드의 형태 및 실질적으로 웨이퍼를 고정시키는 기능을 하는 포커스링 등에 의하여 크게 좌우된다.
However, it is necessary to apply a uniform high-frequency wave to the wafer surface to obtain a uniform energy distribution over the entire surface of the wafer, and the application of a uniform energy distribution in the application of such a high- And it is highly dependent on the stage as the high-frequency electrode used for applying the high frequency to the wafer, the shape of the anode, and the focus ring functioning to substantially fix the wafer in order to solve this problem.

상기 포커스링은 플라즈마가 존재하는 가혹한 조건의 반응챔버내에서 플라즈마의 확산을 방지하고, 식각 처리가 이루어지는 웨이퍼 주변에 플라즈마가 한정되도록 하는 역할을 하는 것이다.
The focus ring serves to prevent the diffusion of the plasma in the reaction chamber under the harsh conditions in which the plasma exists and to limit the plasma around the wafer on which the etching process is performed.

이처럼 포커스링은 웨이퍼의 직경에 비해 더 큰 직경의 내경을 가지는 것이며, 종래에는 웨이퍼보다 더 큰 실리콘 포커스링을 제조하기 위하여 더 큰 직경의 실리콘 잉곳(ingot)을 성장시키고, 그 실리콘 잉곳을 소정 두께의 원판 형태로 절단 한 후, 그 실리콘 원판의 중앙부를 가공하여 제거하여 제조하였다.
As such, the focus ring has an inner diameter of a larger diameter than the diameter of the wafer, and conventionally, a silicon ingot of a larger diameter is grown to produce a silicon focus ring larger than the wafer, and the silicon ingot has a predetermined thickness. After cutting to the disk shape of the silicon disc was processed by removing the center portion was prepared.

그러나 웨이퍼의 대형화가 심화되면서 직경이 더 큰 포커스링의 사용이 필요하고, 대형의 포커스링을 제조하기 위한 잉곳의 형성 및 가공면적의 증가 등에 의하여 제조가 용이하지 않은 문제점이 발생하였다.
However, as the size of the wafer has become larger, the use of a larger diameter focus ring is required, and ingot formation and an increase in the processing area for manufacturing a large focus ring have caused problems that are not easy to manufacture.

또한 앞서 설명한 바와 같이 포커스링은 그 역할이 웨이퍼의 주변에서 플라즈마의 확산을 방지하는 역할을 하기 때문에 항상 플라즈마에 노출되어 있다. 따라서 표면이 식각되어지며 그 식각에 의해 수명이 단축되어 빈번하게 교체를 해줘야 한다.In addition, as described above, the focus ring is always exposed to the plasma because its role prevents the diffusion of the plasma around the wafer. Therefore, the surface is etched and its life is shortened by the etching, so it must be replaced frequently.

이와 같은 포커스링의 빈번한 교체는 그 포커스링의 교체를 위하여 건식식각공정을 중단해야 하기 때문에 생산성이 저하되는 문제점이 있었으며, 그 포커스링의 식각에 따른 식각부산물의 양이 증가하여 식각공정의 원활한 진행이 어려운 문제점이 있었다.Such frequent replacement of the focus ring had a problem in that the productivity was reduced because the dry etching process had to be stopped for the replacement of the focus ring, and the amount of etching by-products increased due to the etching of the focus ring. There was this difficult issue.

또한 그 포커스링의 수명이 짧기 때문에 소모품으로서의 포커스링의 사용량이 많아 제조비용이 증가하는 문제점이 있었다.
In addition, since the life of the focus ring is short, the amount of use of the focus ring as a consumable increases, leading to an increase in manufacturing cost.

아울러 종래 포커스링은 웨이퍼에 비해 직경이 더 큰 실리콘 잉곳을 형성하고, 그 잉곳을 절단하여 원판을 획득한 후, 그 원판의 중앙부를 제거하는 공정이 필요하기 때문에, 그 실리콘 잉곳의 대부분을 사용할 수 없어 재료의 낭비가 심하고, 그 버려지는 실리콘의 처리가 용이하지 않은 문제점이 있었다.
In addition, since the conventional focus ring requires a process of forming a silicon ingot larger in diameter than the wafer, cutting the ingot to obtain a disc, and then removing the center of the disc, most of the silicon ingot can be used. There was a problem that the waste of the material is severe, and the disposal of the discarded silicon is not easy.

이러한 문제점을 감안하여 본 발명의 출원인이 출원 공개한 공개특허 10-2011-0033355호에는 원판형의 그라파이트 베이스에 SiC를 증착하고, 그 그라파이트 베이스의 측면을 노출시키는 절단 가공을 수행하여, 그 베이스의 측면부에 위치하는 SiC링을 획득하여 포커스링으로 사용하도록 한 것입니다.In view of such a problem, Patent Application Publication No. 10-2011-0033355, filed by the applicant of the present invention, deposits SiC on a disk-shaped graphite base, and performs cutting to expose the side surface of the graphite base. SiC ring located in the side part is acquired and used as a focus ring.

SiC 포커스링을 제조한 후, 그 포커스링의 내경부와 외경부를 다시 정밀하게 가공해야 하기 때문에 생산성이 저하되며, 제조비용이 증가하는 문제점이 있었다.
After manufacturing the SiC focus ring, the inner diameter and the outer diameter of the focus ring must be precisely processed again, thereby lowering productivity and increasing manufacturing costs.

이와 유사하게 SiC 재질의 구조물의 예로, SiC 기판이 있다.Similarly, an example of a structure made of SiC material is a SiC substrate.

SiC 기판 역시 위의 포커스링의 제조와 유사하게 그라파이트 베이스에 SiC를 증착하고, 그 그라파이트 베이스의 측면 절단, 측면이 노출된 그라파이드 베이스를 상하로 분할 한 후, 그 그라파이트 베이스를 제거하여 SiC 기판을 제조하는 방법이 제안되었다.SiC substrate is also deposited on the graphite base, similar to the manufacturing of the focus ring above, the side of the graphite base, the graphite base exposed side is divided up and down, the graphite base is removed to remove the SiC substrate A method of preparation has been proposed.

그러나 이와 같은 SiC 기판 역시 외경부분을 후가공 처리해야 하기 때문에 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
However, such SiC substrate also has a problem that productivity is reduced because the outer diameter portion must be post-processed.

상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 과제는, 후가공이 요구되지 않는 SiC 구조물 제조용 지그를 제공함에 있다.
An object of the present invention for solving the above problems is to provide a jig for producing a SiC structure that does not require post-processing.

상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그는, 그라파이트 모재와, 상기 그라파이트 모재의 외경 또는 외경 및 내경에 접하여 위치하며, 상기 그라파이트 모재의 두께보다 더 두꺼운 두께의 가이드부를 포함한다.
The jig for producing a silicon carbide structure of the present invention for achieving the above object is located in contact with the graphite base material, the outer diameter or the outer diameter and the inner diameter of the graphite base material, and includes a guide portion thicker than the thickness of the graphite base material.

본 발명은, 고순도 알루미나, SiN, AlN 등의 그라파이트 모재와는 다른 열팽창계수를 가지는 지그를 이용하여 그라파이트 모재의 상부에 증착되는 SiC의 증착위치를 한정하여 정확한 실리콘 카바이드 구조물을 제작할 수 있어, 그 실리콘 카바이드 구조물의 외경 또는 외경 및 내경을 후가공하지 않아도 되기 때문에 생산성을 향상시키며, 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
According to the present invention, by using a jig having a thermal expansion coefficient different from that of a graphite base material such as high purity alumina, SiN, AlN, and the like, a silicon carbide structure can be manufactured by limiting the deposition position of SiC deposited on the graphite base material. Since the outer diameter or the outer diameter and the inner diameter of the carbide structure do not need to be post-processed, productivity is improved and manufacturing costs can be reduced.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그의 일실시 단면 구성도이다.
도 2는 도 1의 지그에 CVD법으로 SiC를 증착한 상태의 단면 구성도이다.
도 3은 도 2에서 지그를 제거한 상태의 SiC층의 단면 구성도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그의 단면 구성도이다.
도 5는 도 4의 지그에 CVD법으로 SiC를 증착한 상태의 단면 구성도이다.
도 6은 도 4에서 지그를 제거한 상태의 SiC층의 단면 구성도이다.
도 7은 도 1의 지그의 다른 예의 평면 구성도이다.
도 8과 도 9는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그의 단면 구성도이다.1 is a cross-sectional configuration of an embodiment of a jig for manufacturing silicon carbide structure according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional configuration diagram of SiC deposited on the jig of FIG. 1 by CVD method. FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram of the SiC layer with the jig removed in FIG. 2.
4 is a cross-sectional view of a jig for manufacturing a silicon carbide structure according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional configuration diagram of SiC deposited on the jig of FIG. 4 by CVD method. FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional configuration diagram of a SiC layer with a jig removed in FIG. 4.
7 is a plan configuration diagram of another example of the jig of FIG. 1.
8 and 9 are cross-sectional views of a jig for manufacturing silicon carbide structures according to another embodiment of the present invention, respectively.

이하, 본 발명의 실시예들에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the configuration and operation of the jig for manufacturing silicon carbide structure according to the embodiments of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그의 구성도이다.1 is a block diagram of a jig for manufacturing a silicon carbide structure according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그는, 원판형의 그라파이트 모재(10)와, 상기 원판형의 그라파이트 모재(10)의 주변을 감싸는 링 형태의 가이드부(20)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, a jig for manufacturing a silicon carbide structure according to an embodiment of the present invention includes a disc-shaped graphite base material 10 and a ring-shaped guide part 20 surrounding a periphery of the disc-shaped graphite base material 10. It is configured to include).

상기 가이드부(20)의 두께는 상기 그라파이트 모재(10)의 두께보다 더 크다.The thickness of the guide portion 20 is larger than the thickness of the graphite base material 10.

상기 가이드부(20)는 SiC의 증착률이 상기 그라파이트 모재(10)에 비하여 현저하게 낮으며, SiC의 증착온도에서 불순물의 방출이 없는 고순도 알루미나(Al2O3)를 사용함이 바람직하다.The guide portion 20 is a SiC deposition rate is significantly lower than the graphite base material 10, it is preferable to use a high purity alumina (Al 2 O 3 ) without the release of impurities at the deposition temperature of SiC.

또한 고순도 알루미나 이외에 SiN, AlN 등의 세라믹을 사용할 수 있다.
In addition to the high purity alumina, ceramics such as SiN and AlN may be used.

상기 그라파이트 모재(10)와 가이드부(20)의 형상 및 배치는 원판형의 SiC구조물을 제조하기 위한 것으로, 플레이트나 SiC 기판을 제조하는데 적당한 것이다.
The shape and arrangement of the graphite base material 10 and the guide part 20 are for manufacturing a disc-shaped SiC structure, and are suitable for manufacturing a plate or a SiC substrate.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 일실시예에 따른 지그를 증착로에 장입하고, SiC를 CVD법으로 증착하면 그라파이트 모재(10)의 상부에 더 두꺼운 SiC가 증착된다.
When the jig according to the embodiment of the present invention configured as described above is charged to the deposition furnace, and the SiC is deposited by the CVD method, thicker SiC is deposited on the graphite base material 10.

도 2는 상기 도 1에 도시한 본 발명의 일실시예에 따른 SiC 구조물 제조용 지그에 SiC를 증착한 상태의 단면 구성도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of SiC deposited in a SiC structure manufacturing jig according to an embodiment of the present invention shown in FIG.

도 2를 참조하면 증착되는 SiC층(30)은 상기 그라파이트 모재(10)의 상부에 더 두껍게 증착되며, 상기 가이드부(20)의 상부에는 얇은 두께로 증착된다.
Referring to FIG. 2, the SiC layer 30 to be deposited is deposited thicker on the graphite base material 10, and is deposited on the upper portion of the guide part 20 in a thin thickness.

이와 같은 상태에서 SiC층(30)으로 이루어진 원판형의 SiC 구조물을 획득하기 위해서는, 상기 그라파이트 모재(10)로부터 가이드부(20)를 분리한다.In this state, in order to obtain a disc-shaped SiC structure composed of the SiC layer 30, the guide portion 20 is separated from the graphite base material 10.

이때 상기 그라파이트 모재(10)와 가이드부(20)의 상부에는 연속적인 SiC층(30)이 형성되어 있으나, 그 가이드부(20)의 상부에 증착된 SiC층(30)의 두께가 현저하게 얇기 때문에 쉽게 파단되어 그라파이트 모재(10)와 가이드부(20)를 분리할 수 있게 된다.
In this case, although the continuous SiC layer 30 is formed on the graphite base material 10 and the guide part 20, the thickness of the SiC layer 30 deposited on the guide part 20 is remarkably thin. Because of this, it is easily broken so that the graphite base material 10 and the guide part 20 can be separated.

이와 같이 분리한 후에 그라파이트 모재(10)를 제거하여 SiC층(30)으로 이루어지는 SiC 구조물을 획득할 수 있게 된다.After separation as described above, the graphite base material 10 may be removed to obtain an SiC structure including the SiC layer 30.

상기 그라파이트 모재(10)를 제거하는 방법으로는 기계적인 연마나 절삭가공에 의해 가능하며, 또한 산소분위기에서 열처리하는 방법을 사용할 수 있다.
The graphite base material 10 may be removed by mechanical polishing or cutting, and may be heat treated in an oxygen atmosphere.

이와 같이 얻어진 SiC층(30)인 SiC 구조물의 외경은 상기 가이드부(20)의 측면에 의해 정의되는 형상과 크기에 의해 별도의 후가공이 요구되지 않는 상태로 얻어지게 된다.
The outer diameter of the SiC structure, which is the SiC layer 30 thus obtained, is obtained in a state in which no separate post-processing is required by the shape and size defined by the side surface of the guide part 20.

도 3은 상기 도 2에서 가이드부(20)와 그라파이트 모재(10)를 제거한 상태의 SiC층(30)의 단면 구성도이다.3 is a cross-sectional configuration diagram of the SiC layer 30 in a state where the guide part 20 and the graphite base material 10 are removed in FIG. 2.

도 3을 참조하면 원판형의 실리콘 카바이드 구조물인 SiC층(30)을 얻을 수 있으며, 그 SiC층(30)은 상하 절단을 통해 한 쌍의 원판형 실리콘 카바이드 구조물을 얻을 수 있게 된다.
Referring to FIG. 3, a SiC layer 30, which is a disc-shaped silicon carbide structure, may be obtained, and the SiC layer 30 may obtain a pair of disc-shaped silicon carbide structures through vertical cutting.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그의 단면 구성도이다.4 is a cross-sectional view of a jig for manufacturing a silicon carbide structure according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그는, 원판형의 제1가이드부(40)와, 상기 원판형의 제1가이드부(40)의 외측에 밀착되는 고리형의 그라파이트 모재(50)와, 상기 그라파이트 모재(50)의 외측에 밀착되는 링형의 제2가이드부(60)를 포함하여 구성된다.
Referring to FIG. 4, the jig for manufacturing a silicon carbide structure according to another embodiment of the present invention may have a circular first shape guide portion 40 and an annular shape in close contact with the outer side of the first circular guide portion 40. It comprises a graphite base material 50 and a ring-shaped second guide portion 60 in close contact with the outside of the graphite base material (50).

상기 제1가이드부(40)와 제2가이드부(60)의 높이는 상호 동일하며, 상기 그라파이트 모재(50)의 두께보다는 더 두꺼운 것이다.The heights of the first guide part 40 and the second guide part 60 are the same, and are thicker than the thickness of the graphite base material 50.

이와 같은 본 발명의 다른 실시예는 링형의 SiC 구조물을 제조하기 위한 지그의 형상이며, 링형의 SiC 구조물은 링으로 사용을 할 수 있다.
Another embodiment of the present invention is the shape of the jig for manufacturing a ring-shaped SiC structure, the ring-shaped SiC structure can be used as a ring.

도 5는 상기 도 4에 도시한 본 발명의 다른 실시예의 SiC 구조물 제조용 지그에 SiC를 증착한 상태의 단면 구성도이다.
FIG. 5 is a cross-sectional configuration diagram of SiC deposited in a SiC structure manufacturing jig according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 4.

도 5에 도시한 바와 같이 상기 제1가이드부(40)와 제2가이드부(60)는 모두 앞서 설명한 가이드부(20)와 같이 고순도 알루미나 등의 세라믹을 사용하며, 따라서 상기 제1가이드부(40)와 제2가이드부(60)의 사이 그라파이트 모재(50) 상에 SiC층(30)이 증착된다.As shown in FIG. 5, both the first guide part 40 and the second guide part 60 use ceramics such as high purity alumina as the guide part 20 described above, and therefore, the first guide part ( The SiC layer 30 is deposited on the graphite base material 50 between the 40 and the second guide part 60.

앞서 설명한 바와 같이 제1가이드부(40)와 제2가이드부(60)의 상부에도 SiC가 증착되기는 하나 이는 매우 얇은 두께로 증착되는 것이며, 따라서 상기 SiC층(30)의 증착 후 제1가이드부(40)와 제2가이드부(60)를 용이하게 분리 제거할 수 있게 된다.As described above, although SiC is also deposited on the first guide part 40 and the second guide part 60, it is deposited to a very thin thickness. Therefore, the first guide part after the SiC layer 30 is deposited. 40 and the second guide portion 60 can be easily separated and removed.

또한 물리적, 화학적 방법으로 상기 그라파이트 모재(50)를 제거하게 된다.
In addition, the graphite base material 50 is removed by physical and chemical methods.

따라서 본 발명은 그라파이트 모재(50)의 상부에 그 그라파이트 모재(50)와 동일한 형상을 가지며, 내경이 제1가이드부(40)의 외측면에 접하고 외경이 제2가이드부(60)의 내측면에 접하여 그 내경과 외경을 후 가공할 필요가 없는 링 구조의 SiC 구조물을 제조할 수 있게 된다.
Therefore, the present invention has the same shape as the graphite base material 50 on the graphite base material 50, the inner diameter is in contact with the outer surface of the first guide portion 40 and the outer diameter is the inner surface of the second guide portion 60 It is possible to produce a ring-structured SiC structure that does not need to be processed after contacting the inner and outer diameters.

도 6은 도 5에서 제1가이드부(40)와 제2가이드부(60) 및 그라파이트 모재(50)를 제거한 상태의 SiC층(30)의 단면 구성도이다.FIG. 6 is a cross-sectional configuration diagram of the SiC layer 30 in which the first guide part 40, the second guide part 60, and the graphite base material 50 are removed in FIG. 5.

도 6을 참조하면 상기 도 5에서 제1가이드부(40)와 제2가이드부(60) 및 그라파이트 모재(50)를 제거하여 고리형 SiC층(30)을 얻을 수 있게 된다.Referring to FIG. 6, the cyclic SiC layer 30 may be obtained by removing the first guide part 40, the second guide part 60, and the graphite base material 50 from FIG. 5.

고리형 SiC층(30) 또한 상하로 분할하여 다수의 고리형 실리콘 카바이드 구조물을 얻을 수 있게 된다.
The cyclic SiC layer 30 may also be divided up and down to obtain a plurality of cyclic silicon carbide structures.

도 7은 상기 도 1에 도시한 지그의 일실시 평면도이다.7 is a plan view of one embodiment of the jig illustrated in FIG. 1.

도 7을 참조하면 상기 원판형의 그라파이트 모재(10)의 둘레를 알루미나 재질의 링형 가이드부(20)가 에워싼 형태이나, 상기 그라파이트 모재(10)의 열팽창률과 알루미나 재질의 가이드부(20)의 열팽창률의 차이를 고려하여 그 링형 가이드부(20)를 분할된 다수의 가이드기재(21,22,23)로 구성할 수 있다.
Referring to FIG. 7, the ring-shaped guide part 20 made of alumina surrounds the circumferential graphite base material 10, but the thermal expansion coefficient of the graphite base material 10 and the guide part 20 made of alumina material. Considering the difference in the thermal expansion coefficient of the ring-shaped guide portion 20 can be composed of a plurality of divided guide base material (21, 22, 23).

즉, 가이드부(20)를 분할된 호형의 가이드기재(21,22,23)로 구성함으로써, 열팽창률 차이에 따른 균열 등의 발생을 방지할 수 있게 된다.
That is, by constituting the guide portion 20 with the divided arc-shaped guide substrates 21, 22, 23, it is possible to prevent the occurrence of cracks or the like due to the difference in thermal expansion coefficient.

상기 분할된 가이드부(20)의 구조는 앞서 설명한 링형 SiC 구조물 제작을 위한 제1가이드부(40)와 제2가이드부(60)에도 동일하게 적용될 수 있다.
The structure of the divided guide portion 20 may be equally applied to the first guide portion 40 and the second guide portion 60 for manufacturing the ring-shaped SiC structure described above.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그의 단면 구성도이다.8 is a cross-sectional view of a jig for manufacturing a silicon carbide structure according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그는, 그라파이트 모재(10)의 가장자리에 위치하는 링 형상의 가이드부(20)를 보다 두껍게 하여 그라파이트 모재(10)의 상부와 하부측으로 모두 돌출되는 구조를 가지고 있다.
Referring to FIG. 8, the jig for manufacturing a silicon carbide structure according to another embodiment of the present invention may further thicken the ring-shaped guide part 20 positioned at the edge of the graphite base material 10 and the upper portion of the graphite base material 10. It has a structure that all protrudes to the lower side.

이와 같은 구조에 의하여 상기 그라파이트 모재(10)의 상부와 하부에는 각각 SiC층(30)이 증착될 수 있으며, 따라서 1회의 증착으로 한 쌍의 SiC 구조물을 획득할 수 있게 된다.
By such a structure, the SiC layer 30 may be deposited on the upper and lower portions of the graphite base material 10, and thus, a pair of SiC structures may be obtained by one deposition.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그의 단면 구성도이다.9 is a cross-sectional view of a jig for manufacturing silicon carbide structure according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그는, 원판형의 제1가이드부(40)와, 상기 원판형의 제1가이드부(40)의 외측에 밀착되는 고리형의 그라파이트 모재(50)와, 상기 그라파이트 모재(50)의 외측에 밀착되는 링형의 제2가이드부(60)를 포함하되, 상기 제1가이드부(40)와 제2가이드부(60)의 두께를 보다 두껍게 하여, 상기 그라파이트 모재(50)의 상부와 하부로 돌출되도록 구성한다.
Referring to FIG. 9, a jig for manufacturing a silicon carbide structure according to another embodiment of the present invention may have an annular shape in which a first guide portion 40 of a disc shape and an outer side of the first guide portion 40 of a disc shape are closely contacted. The graphite base material 50 and the ring-shaped second guide portion 60 in close contact with the outer side of the graphite base material 50, the thickness of the first guide portion 40 and the second guide portion 60 To thicken more, it is configured to protrude to the top and bottom of the graphite base material (50).

이와 같은 구성에 의하여 상기 그라파이트 모재(50)의 상면과 하면에는 각각 SiC가 증착되어 SiC층이 형성되며, 따라서 두 개의 링형의 SiC 구조물을 획득할 수 있게 된다.
In this configuration, SiC is deposited on the upper and lower surfaces of the graphite base material 50 to form a SiC layer, thereby obtaining two ring-shaped SiC structures.

전술한 바와 같이 본 발명에 대하여 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And this also belongs to the present invention.

10,50:그라파이트 모재 20:가이드부
30:SiC층 40:제1가이드부
50:제2가이드부10,50: graphite base material 20: guide part
30: SiC layer 40: first guide part
50: second guide part

Claims (5)

원판형 또는 고리형 그라파이트 모재와,
상기 그라파이트 모재의 외경 또는 외경 및 내경에 접하여 위치하며, 상기 그라파이트 모재의 두께보다 제조하고자하는 실리콘 카바이드 구조물의 두께만큼 더 두꺼운 두께의 가이드부를 포함하는 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그.
Disc or annular graphite base material,
Jig for producing a silicon carbide structure comprising a guide portion which is located in contact with the outer diameter or the outer diameter and the inner diameter of the graphite base material, the thickness of the thickness of the silicon carbide structure to be manufactured than the thickness of the graphite base material.
제1항에 있어서,
상기 가이드부는 알루미나, SiN 또는 AlN인 세라믹 재질인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그.
The method of claim 1,
The guide unit jig for manufacturing silicon carbide structure, characterized in that the ceramic material is alumina, SiN or AlN.
삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 가이드부는,
호형으로 다분할 된 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그.
3. The method according to claim 1 or 2,
The guide unit,
Jig for producing silicon carbide structure, characterized in that divided into arcs.
제1항에 있어서,
상기 가이드부는,
상기 그라파이트 모재의 상부측과 하부측으로 돌출되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 구조물 제조용 지그.The method of claim 1,
The guide unit,
Jig for producing a silicon carbide structure, characterized in that protruding to the upper side and the lower side of the graphite base material.
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