KR101325403B1 - 전자 재결합 방지 효과가 우수한 금속 기판을 이용한 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
전자 재결합 방지 효과가 우수한 금속 기판을 이용한 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법은 금속 기판 상에 Ti층을 형성하는 단계; 상기 Ti층 표면에 TiO2층을 형성하는 단계; 상기 TiO2층 상에 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면에 염료를 흡착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법은 금속 기판 상에 Ti층을 형성하는 단계; 상기 Ti층 표면에 TiO2층을 형성하는 단계; 상기 TiO2층 상에 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면에 염료를 흡착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 기판을 이용한 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
염료감응 태양전지(Dye-sensitized solar cells; DSSCs)는, 기존의 p-n 접합에 의한 실리콘 태양전지와 달리, 가시광선의 빛을 흡수하여 전자-홀 쌍(electron-hole pair)을 생성할 수 있는 염료분자와, 생성된 전자를 전달하는 전이금속 산화물을 주 구성 재료로 하는 광 전기화학적 태양전지이다.
일반적으로, 염료감응 태양전지는 서로 대향되는 두 유리기판 사이에 빛을 받아 전자를 발생시키는 염료 분자가 흡착된 다공성의 전이금속 산화물층과, 상기 전이금속 산화물층과 대향되는 촉매박막전극, 및 이들 사이에 개재된 전해질로 이루어져 있다.
이상의 염료감응 태양전지의 구성요소 중 유리기판은 표면에 도전성 투명전극이 코팅되어 있다. 이 도전성 투명전극으로는 주로 불소가 도핑된 산화주석(fluorine doped tin oxide; FTO)이 사용되고 있는데, 이는 FTO가 전해질과의 반응성이 가장 낮아 장시간의 사용에도 안정하기 때문이다.
그러나, FTO 코팅 유리기판은 태양전지 전체 비용의 60%를 차지할 만큼 상대적으로 값이 비싸고, 상대적으로 저항이 10~15Ω/㎠로 크며, 깨지기 쉽다는 단점이 있다. 또한, 휘어지지 않는 특성으로 인해 플렉서블(flexible)한 염료감응 태양전지의 도입을 어렵게 하고 있다.
관련 선행문헌으로는 대한민국 등록특허 제10-0786334호(2007.12.17. 공고)가 있으며, 상기 문헌에는 FTO 박막을 증착시킨 유리기판에 대하여 개시하고 있다. 최근에는 유연한 염료감응 태양전지가 주목받고 있으며, 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는 실정이다.
본 발명의 목적은 원가 절감 및 경량화가 가능한 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법은 금속 기판 상에 Ti층을 형성하는 단계; 상기 Ti층 상에 TiO2층을 형성하는 단계; 상기 TiO2층 상에 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면에 염료를 흡착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 염료감응 태양전지는 제1 기판 및 반도체 산화물 전극을 포함하는 반도체 전극; 상기 반도체 전극과 마주보는 상대 전극; 및 상기 반도체 전극과 상기 상대 전극 사이에 개재된 전해질층;을 포함하며, 상기 반도체 전극은 상기 제1 기판 상에 차례로 Ti층, TiO2층 및 반도체 산화물 전극이 형성되고, 상기 제1 기판은 금속 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 기존 FTO를 금속 기판으로 대체하여 기판의 전도도가 향상된다.
또한, Ti층 상에 코팅된 TiO2층이 전자의 재결합을 방지하는 차단층 역할을 하므로 염료감응형 셀 제작 시 별도의 차단층 코팅 공정을 생략할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법은 기존 FTO를 상대적으로 저렴한 금속 기판으로 대체함으로써, 재료비를 절감하여 제조단가를 낮출 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지를 도시한 단면도이다.
도 2는 내지 도 8은 도 1의 제조 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 2는 내지 도 8은 도 1의 제조 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예는 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 본 명세서에서 어떤 막이 다른 막 또는 기판의 "위"에 있다라고 기재된 경우, 상기 어떤 막이 상기 다른 막 또는 기판의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 다른 막이 개재될 수도 있다. 첨부 도면에서, 막들 및 영역들의 두께 및 크기는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 나타낸 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부 도면에 도시된 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다. 첨부 도면에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지(100)는 서로 대향하고 있는 반도체 전극(110)과 상대 전극(120)을 포함한다. 반도체 전극(110)과 상대 전극(120) 사이에는 전해질층(electrolyte layer, 130)이 개재되어 있다.
반도체 전극(110)은 제1 기판(111) 및 제1 기판(111)의 일면 상에 차례로 형성된 제1 및 제2 기능층(113, 114)을 포함하는 기능층(112)을 포함한다.
제1 기판(111)은 금속 기판, 예컨대, 스테인리스 스틸(stainless steel; SUS), 철(Fe), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 등의 재질을 하나 이상 포함하여 형성될 수 있으며, 스테인리스 스틸로 형성되는 것이 바람직하다.
스테인리스 스틸은 가격 경쟁력이 있고, 구입이 용이하고, 쉽게 휘는 특성을 가진다. 또한, 하기의 표 1에 나타낸 바와 같이 FTO(fluorine doped tin oxide) 코팅 유리에 비해 높은 전도도를 가지며, 고온으로 가열한 후에도 높은 전도도를 유지한다는 장점을 가진다.
[표 1]
그러나, 스테인리스 스틸(SUS)은 I(iodine)와 I-(iodide anion)에 대해서 내식성이 취약하여 전해질에 의한 부식을 충분히 억제하는데 한계가 있으므로 이에 대한 보완이 요구되며, 이에 대해서는 후술하기로 한다.
제1 기능층(113)은 전해질에 대한 부식 방지를 통해 제1 기판(111)의 내식성을 향상기키기 위한 것으로, I- 이온에 대한 내식성이 강하고, 전도성이 우수하여 전자의 이동이 용이한 물질로 형성될 수 있다.
일례로, 제1 기능층(113)은 티타늄(Ti) 재질로 형성된 Ti층일 수 있다. 이는 티타늄(Ti)이 전해질에 대한 내식성이 우수할 뿐만 아니라 상기한 표 1에서와 같이 전도성이 우수하여 전자의 이동이 용이하다는 장점을 지니기 때문이다.
이러한 제1 기능층(113)은 100nm 내지 1000nm 범위의 두께로 형성될 수 있다. 제1 기능층(113)의 두께가 100nm 미만일 경우, 전해질에 대한 내식성을 충분히 가질 수 없어 제1 기판(111)의 부식을 초래할 수 있고, 반면에 1000nm을 초과하는 경우, 코팅 비용이 많이 들고, 제1 기판(111)에 대한 밀착력이 떨어질 수 있다.
제2 기능층(114)은 Ti로 이루어진 제1 기능층(113) 상에 형성되며, TiO2층이다. 이러한 TiO2층은 Ti층의 표면 상에 코팅 또는 증착되어 형성될 수 있다.
기판 상에 Ti/TiO2층이 형성된 반도체 전극을 포함하는 염료감응 태양전지를 제작한 후 하기와 같이 이의 전기적 특성을 평가한 결과, TiO2층이 전자의 재결합을 방지하는 기존 차단층(blocking layer)의 역할을 동일하게 수행함을 확인할 수 있었다. 즉, 제2 기능층(114)의 TiO2층이 기존 차단층을 대체함을 알 수 있다.
본 발명의 제2 기능층(114)인 TiO2층은 20nm 내지 100nm의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. TiO2층의 두께가 20nm 미만이면, 전자의 재결합을 방지하는 효과가 불충분할 수 있고, 반면에, 100nm를 초과하면, 저항으로 작용하여 전자의 흐름을 방해하기 때문에 생성된 전자의 전달이 원활하지 않아 태양전지의 광전변환 효율을 떨어뜨릴 수 있다.
반도체 산화물 전극(115)은 제2 기능층(114) 상에 형성된다. 반도체 산화물 전극(115)은 작동 전극(working electrode)으로서, 다공성(porous) 금속 산화물 반도체층(116) 및 다공성 금속 산화물 반도체층(116)의 표면에 흡착되는 염료층(117)을 포함할 수 있다.
다공성 금속 산화물 반도체층(116)은 전이 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물들 중 적어도 하나의 산화물 반도체 입자들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 전이 금속 산화물로는 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 이산화지르코늄(ZrO2), 이산화규소(SiO2), 산화마그네슘(MgO), 오산화니오븀(Nb2O5), 산화아연(ZnO) 등이 사용될 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2종 이상 혼용하여 사용될 수 있다. 다공성 금속 산화물 반도체층(116)은 광 효율 향상을 위하여 아나타제형의 이산화티탄(TiO2)으로 형성되는 것이 바람직하다. 다공성 금속 산화물 반도체층(116)의 형성 물질은 상술한 물질들에 특별히 한정되는 것은 아니다. 다공성 금속 산화물 반도체층(116)은, 일례로, 평균 입경 5nm 내지 30nm인 나노(nano)급 사이즈의 입자 크기를 가지는 산화물 반도체 입자들로 형성될 수 있다.
염료층(117)은 다공성 금속 산화물 반도체층(116)의 표면에 흡착되어 태양광에 의해 여기 전자를 생성할 수 있는 염료 분자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 염료층(117)은 금속 복합체로 형성될 수 있으며, 이 경우, Ruthenium 535-bisTBA(N719) 또는 Ruthenium 620-1H3TBA(Black dye) 등의 루테늄 착체 같은 염료 분자들로 이루어질 수 있다. 이와는 다르게, 염료층(117)은 유기 염료(organic dye), 양자점(quantum-dot) 또는 자연 염료(natural dye) 중 적어도 하나의 염료 분자들로 이루어질 수 있다. 염료층(117)은 태양광에 의해 여기 전자를 생성할 수 있는 염료 분자들이라면 특별히 이에 한정되지 않는다. 한편, 본 발명에서의 염료층(117)은 제2 기능층(114)의 상면에도 흡착되어 있을 수 있다.
상대 전극(120)은 제2 기판(121)과, 제2 기판(121) 상에 형성된 촉매층(123)을 포함한다. 촉매층(123)은 반도체 산화물 전극(115)과 서로 대향 배치된다. 촉매층(123)은 전해질의 환원 과정에 참여할 수 있도록 전해질층(130)과 접촉된다. 전해질층(130)이 요오드계 산화환원 전해질(redox iodide electrolyte)을 포함한다면, 촉매층(123)은 백금(Pt) 또는 카본블랙으로 형성될 수 있다.
제2 기판(121)은 빛을 수광하는 기판으로서, 투명성을 가진다. 이를 위해, 제2 기판(121)은 우수한 투광성을 가지며, 일례로 투명 전극이 코팅된 유리 기판으로 형성될 수 있다.
한편, 도면으로 도시하지는 않았으나, 제2 기판(121)이나, 제2 기판(121) 및 촉매층(123)의 적어도 일 영역에는 전해질층(130) 형성 시 주입구로 사용되는 하나 이상의 전해질 주입구가 형성될 수 있다.
반도체 전극(110)과 상대 전극(120)은 실링부재(140)에 의해 바깥 둘레를 따라 서로 접합되어 실링(sealing)된다. 실링부재(140)의 일 측은 제2 기능층(114)의 상면과 접촉되고, 타 측은 제2 기판(121)의 상면과 접촉될 수 있다. 실링부재(140)는 반도체 산화물 전극(115) 및 촉매층(123)을 둘러싸는 폐루프(closed loop) 형상일 수 있다. 실링부재(140)에 의해 반도체 전극(110)과 상대 전극(120) 사이에는 소정의 공간이 구획된다.
전해질층(130)은 실링부재(140)에 의해 구획된 반도체 전극(110)과 상대 전극(120) 사이의 공간에 개재될 수 있다. 전해질층(130)은 요오드계 산화-환원 액체 전해질, 예를 들면 1-비닐-3-헥실-이미다졸륨 아이오다이드 (1-vinyl-3-hexyl-immidazolium iodide)와, 0.1 M의 LiI와, 40 mM의 I2 (iodine)를 아세토니트릴/발레로니트릴(acetonitril/valeronitril) 혼합 용액에 용해시킨 I3 -/I-의 전해질 용액으로 이루어질 수 있다. 전해질층(130)은 염료층(117)에 산화-환원반응에 의해 전자를 공급할 수 있는 범위 내에서 다양한 전해질 용액을 이용할 수 있음은 물론이다.
도시하지 않았으나, 염료감응 태양전지(100)는 제1 기판(111)과 제2 기판(121) 각각에 접속된 외부 회로를 더 포함할 수 있다.
이렇듯, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지(100)는 반도체 전극(110)에서, Ti로 이루어진 제1 기능층(113)과 반도체 산화물 전극(115) 사이에 TiO2로 이루어진 제2 기능층(114)이 형성되는데, 이 TiO2층이 제1 기판(111)과 전해질층(130) 사이에서 전자의 재결합을 방지하는 차단층으로서의 기능을 하여 전자의 손실을 방지하므로 광전 변환효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 기판(111)이 금속 기판으로 형성되므로 내식성 및 전도도가 향상될 수 있고, 경량화가 가능하다.
이러한 염료감응 태양 전지(100)의 구동 메카니즘은 다음과 같다.
외부로부터 상대 전극(120)의 투명한 제2 기판(121)을 투과한 태양 빛이 반도체 전극(110)의 다공성 금속 산화물 반도체층(116)의 표면에 흡착되어 있는 염료층(117)의 염료에 의해 흡수된다. 이때, 제2 기능층(114)의 상면에 각각 흡착되어 있는 염료층(117)에서도 빛이 흡수될 수 있다. 빛을 흡수한 염료층(117)의 각 염료 분자들은 여기되어 전자를 다공성 금속 산화물 반도체층(116)의 전도대로 주입하게 된다.
다공성 금속 산화물 반도체층(116)으로 주입된 전자는 다공성 금속 산화물 반도체층(116) 내의 입자간 계면을 통해 상기 제2 기능층(114), 제1 기능층(113) 및 제1 기판(111)에 전달되고, 외부 전선(미도시)을 통하여 전기적 작업을 수행한 후 상대 전극(120)으로 이동된다.
상대 전극(120)에 도달된 전자는 제2 기판(121) 및 촉매층(123)을 통과하여, 전해질층(130)에 있는 요오드계 전해질의 산화-환원 작용(3I-→ I3 -+ 2e-)에 의하여 다공성 금속 산화물 반도체층(116)에 전자가 주입된다.
반도체 전극(110)에서 전자 전이의 결과로 산화된 염료층(117)에 있는 각 염료 분자들은 전해질층(130)에서의 산화 환원 작용에 의해 제공되는 전자를 받아 다시 환원되며, 산화된 요오드 이온(I3 -)은 상대 전극(120)에 도달한 전자에 의해 다시 환원되어 염료감응 태양전지(100)의 작동 과정이 완성된다.
이 과정에 있어서, 반도체 전극(110)에서 제1 기판(111)과 반도체 산화물 전극(117) 사이에 형성된 제2 기능층(114), 즉 TiO2층에 의해 제1 기판(111)과 전해질층(130) 사이에서의 전자의 재결합이 방지되어, 제1 기판(111) 표면에서의 전자 손실이 차단됨으로써 에너지 변환 효율이 향상될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 제조 방법에 대하여 간략하게 설명한다.
도 2는 내지 도 8은 도 1의 제조 방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 2를 참조하면, 제1 기판(111)을 마련한 후, 제1 기판(111) 상에 Ti층으로 이루어진 제1 기능층(113)을 형성한다.
제1 기판(111)은 금속 재질, 예컨대 스테인리스 스틸(stainless steel; SUS), 철(Fe), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 등의 재질을 하나 이상 포함하여 형성될 수 있다.
일례로, 제1 기능층(113)은 Ti 금속 고체 표면에 고에너지의 입자를 충돌시키면 고체 내부의 원자와 분자들이 운동량 교환을 통해 표면 밖으로 튀어나오게 하여 코팅시키는 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용하여 약 100 nm 내지 1000nm의 두께로 형성할 수 있다.
도 3을 참조하면, 제1 기능층(113)의 표면에 TiO2층으로 이루어진 제2 기능층(114)을 형성한다. 제2 기능층(114)은 상기한 스퍼터링 방법을 이용하여 약 200 nm 내지 100nm 의 두께로 코팅하여 형성할 수 있다. 이 경우, 제2 기능층(114) 형성을 위한 스퍼터링 방법은, Ti를 타겟(target)으로 하여 산소 분위기에서 실시할 수 있고, 제1 기능층(113)인 Ti층을 형성한 후 인시츄(in-situ)로 실시하는 것이 가능하다. 이와는 다르게, 제2 기능층(114)은 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD) 방법 등의 증착법 또는 스핀 코팅 등의 통상의 코팅법 등을 이용하여 형성할 수도 있다. 이로써, 제1 및 제2 기능층(113, 114)을 포함하는 기능층(112)이 형성된다.
도 4를 참조하면, TiO2층으로 이루어진 제2 기능층(114) 상에 다공성 금속 산화물 반도체층(116)을 형성한다. 먼저, 유기 용액 내에 다공성의 금속 산화물 입자들 및 고분자 바인더가 분산되어 있는 페이스트를 제2 기능층(114) 상에 도포한 후 열처리하여 다공성 금속 산화물 반도체층(116)을 형성한다.
도 5를 참조하면, 다공성 금속 산화물 반도체층(116)의 표면에 염료층(117)을 형성한다. 염료층(117)은 다공성 금속 산화물 반도체층(116)을 태양광에 의해 여기 전자를 생성할 수 있는 염료 분자들을 포함하는 염료용액에 침지시켜 다공성 금속 산화물 반도체층(116)을 구성하는 복수의 금속 산화물 입자의 표면에 흡착시켜 형성할 수 있다. 다공성 금속 산화물 반도체층(116) 및 염료층(117)은 반도체 산화물 전극(115)으로 형성된다.
이로써, 제1 기판(111) 및 제1 기판(111) 상에 차례로 형성된 제1 및 제2 기능층(113, 114), 및 표면에 염료층(117)이 흡착된 다공성 금속 산화물 반도체층(116)을 포함하는 반도체 전극(110)이 완성된다.
도 6을 참조하면, 투명성을 가진 유리 기판 재질의 제2 기판(121)을 마련한 후, 제2 기판(121) 상에 촉매층(123)을 형성하여 상대 전극(120)을 완성한다.
촉매층(123)은 제2 기판(121) 상에 백금(Pt) 또는 카본블랙을 포함하는 용액을 코팅한 후 열처리하여 형성할 수 있다.
일례로, 촉매층(123)을 백금(Pt)으로 형성할 경우, 제2 기판(121) 상에 약 10mM의 백금 이온이 포함되어 있는 이소프로필알코올 용액을 1000RPM의 속도로 스핀 코팅(spin coating) 한 후, 약 450~550℃의 온도로 30분간 가열하여 형성할 수 있다. 이때, 미세 드릴(drill) 혹은 레이저(laser)를 사용하여 제2 기판(121)의 일부 영역이나 제2 기판(121) 및 촉매층(123)의 일부 영역을 관통하도록 식각하여 상대 전극(120)에 적어도 하나 이상의 전해질 주입구(미도시)를 형성한다.
한편, 도면에서는 반도체 전극(110)을 마련한 후 상대 전극(120)을 마련하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상대 전극(120)을 마련한 후 반도체 전극(110)을 마련해도 무관하다.
도 7을 참조하면, 반도체 전극(110) 또는 상대 전극(120)의 바깥 둘레를 따라 폐루프(closed loop) 형상의 실링 부재(140)를 형성한 후, 반도체 전극(110)과 상대 전극(120)을 합착시킨다.
합착은 반도체 전극(110)과 상대 전극(120)이 소정 공간을 사이에 두고 상호 대향하도록 제1 기판(111)과 제2 기판(121)을 정렬한 후, 실링 부재(140)를 통해 제1 기판(111)과 제2 기판(121)을 합착시킨다. 실링 부재(140)는, 일례로, 썰린(Surlyn)을 사용할 수 있다.
일례로, 합착은 반도체 전극(110)의 산화물 반도체 전극(115)과 상대 전극(120)의 촉매층(123)을 마주하여, 실링 부재(140)를 사이에 두고 밀착한 다음, 프레스의 온도가 제1 기판(111)은 100℃, 제2 기판(121)은 80℃가 되도록 약 450~550℃의 온도로 가열하여 수행할 수 있다.
도 8을 참조하면, 전해질 주입구(미도시)를 통해, 합착된 반도체 전극(110)과 상대 전극(120)의 소정 공간에 요오드계 산화환원 전해질 등의 액체 전해질을 주입하여 전해질층(130)을 형성한 후, 전해질 주입구를 밀봉하여 염료감응 태양전지(100)를 완성한다.
이렇듯, 본 발명에 따르면, 반도체 전극(110)의 제1 기판(111)에 FTO를 대체하여 상대적으로 가격이 저렴한 금속 기판을 도입함으로써 재료비 절감을 통해 제조단가가 저렴한 염료감응 태양전지를 제작할 수 있다. 또한, 금속 기판은 FTO에 비해 상대적으로 전도도가 우수한 염료감응 태양전지의 제작도 가능하다. 아울러, Ti층 상에 TiO2층의 도입을 통해 염료감응형 셀 제작 시 별도의 차단층 코팅 공정을 생략할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
1. 염료감응 태양전지 제조
실시예
0.15mm 두께의 스테인레스 스틸(SUS) 기판 상에 차례로 1000nm 두께의 Ti층과, 20nm 두께의 TiO2층을 형성하고, 이외의 구성은 통상적인 방법으로 하여 염료감응 태양전지를 제작하였다.
비교예
SUS/Ti/TiO2 기판 상에, 에탄올 용매에 티타늄비스에틸아세토아세타토디이소프로폭사이드(Titanium(IV)bis(ethylacetoacetato)diisopropoxide))의 금속 산화물 전구체를 포함하는 금속 산화물 전구체 용액을 스핀코팅으로 코팅하여 100nm 두께 TiO2층의 전자 재결합 차단층을 추가로 형성한 것을 제외하고는 실시예와 동일하다.
2. 전기적 특성 평가
(1) 전자 재결합 차단층 유, 무에 따른 전기적 특성 평가
실시예 및 비교예에 대해 태양전지 효율 측정기를 사용하여 변환효율(Efficiency), 충진율(Fill Factor; FF), 단락전류(Jsc) 및 개방전압(Voc)을 측정하였으며, 그 결과를 표 2에 나타내었다.
[표 2] (O : 있음, X : 없음)
표 2를 참조하면, 실시예와 비교예의 대조 결과, 전자 재결합 차단층의 유·무에 따른 변환효율의 유의차가 전혀 없었다. 그리고, 충진율, 단락전류, 개방전압 등의 다른 팩터들도 전자 재결합 차단층의 유·무에 따른 유의차가 거의 없었다. 이를 통해, Ti층 상에 형성된 TiO2층이 전자의 재결합을 방지하는 차단층으로서 기능하는 것을 알 수 있었다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
100 : 염료감응 태양전지 110 : 반도체 전극
111 : 제1 기판 112 : 기능층
113 : 제1 기능층 114 : 제2 기능층
115 : 반도체 산화물 전극 116 : 다공성 금속 산화물 반도체층
117 : 염료층 120 : 상대 전극
121 : 제2 기판 123 : 촉매층
130 : 전해질층 140 : 실링 부재
111 : 제1 기판 112 : 기능층
113 : 제1 기능층 114 : 제2 기능층
115 : 반도체 산화물 전극 116 : 다공성 금속 산화물 반도체층
117 : 염료층 120 : 상대 전극
121 : 제2 기판 123 : 촉매층
130 : 전해질층 140 : 실링 부재
Claims (7)
- 금속 기판 상에 스퍼터링을 실시하여 Ti층을 형성하는 단계;
상기 Ti층 상에 인시츄 타입으로 스퍼터링을 실시ㅎ여 TiO2층을 형성하는 단계;
상기 TiO2층 상에 다공성 금속 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및
상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면에 염료를 흡착시키는 단계;를 포함하며,
상기 Ti층은 100 ~ 1000nm의 두께로 형성하고, 상기 TiO2층은 20 ~ 100nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 금속 기판은
스테인리스 스틸(stainless steel), 철(Fe), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 중에서 하나 이상을 포함하는 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법.
- 제1 기판 및 반도체 산화물 전극을 포함하는 반도체 전극;
상기 반도체 전극과 마주보는 상대 전극; 및
상기 반도체 전극과 상기 상대 전극 사이에 개재된 전해질층;을 포함하며,
상기 반도체 전극은, 상기 제1 기판 상에 차례로 Ti층, TiO2층 및 반도체 산화물 전극이 형성되고, 상기 제1 기판은 금속 재질로 형성되되,
상기 Ti층 및 TiO2층은 인시츄 타입의 스퍼터링법으로 형성되며, 상기 Ti층은 100 ~ 1000nm의 두께를 갖고, 상기 TiO2층은 20 ~ 100nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 제4항에 있어서,
상기 제1 기판은
스테인리스 스틸(stainless steel), 철(Fe), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 중에서 하나 이상을 포함하는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 제4항에 있어서,
상기 반도체 산화물 전극은
다공성 금속 산화물 반도체층 및 상기 다공성 금속 산화물 반도체층의 표면에 흡착된 염료층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 제4항에 있어서,
상기 상대 전극은
제2 기판 및 상기 제2 기판 상에 형성된 촉매층을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
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- 2012-03-21 KR KR1020120028667A patent/KR101325403B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
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