KR101325213B1 - 전자빔 조사를 이용한 ｐｃｂｍ의 전자밴드 구조의 조절방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 89
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 claims description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 claims description 3
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 4
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 12
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N Methyl butyrate Chemical group CCCC(=O)OC UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 125000003184 C60 fullerene group Chemical group 0.000 description 2
- CIUQDSCDWFSTQR-UHFFFAOYSA-N [C]1=CC=CC=C1 Chemical compound [C]1=CC=CC=C1 CIUQDSCDWFSTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000005100 correlation spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005224 alkoxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000001093 anti-cancer Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- GRVDJDISBSALJP-UHFFFAOYSA-N methyloxidanyl Chemical compound [O]C GRVDJDISBSALJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007040 multi-step synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 전자빔 조사를 이용하여 플러렌(C60, fullerene) 유도체 중 PCBM ([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester)의 전자 밴드 구조를 조절하는 기술에 관한 것으로, 기존의 복잡하고 다단계로 이루어진 화학적 합성공정을 없앤 전자빔 조사 단일공정만으로 PCBM의 전자 밴드 구조를 변화시킬 수 있고, 조사 변수를 통제함에 따라 전자 밴드 구조를 조절할 수 있는 특징이 있다.
본 발명에 따른 PCBM의 에너지 밴드 구조의 조절에 의하면, PCBM의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 레벨의 상승으로 유기태양전지의 개방전압을 향상시켜 결과적으로 태양전지의 에너지 변환 효율을 증진시킬 수 있다.
본 발명에 따른 PCBM의 에너지 밴드 구조의 조절에 의하면, PCBM의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 레벨의 상승으로 유기태양전지의 개방전압을 향상시켜 결과적으로 태양전지의 에너지 변환 효율을 증진시킬 수 있다.
Description
본 발명은 유기태양전지에서 가장 널리 사용되고 있는 플러렌 유도체인 PCBM의 전자 밴드 구조의 조절에 관한 것으로서, 구체적으로는 전자빔 조사를 이용하여 PCBM의 LUMO와 HOMO 준위를 전자빔 조사 변수에 따라 조절하는 기술에 관한 것이다.
플러렌은 분자 자체의 독특한 물리화학적 특성 때문에 많은 관심의 대상이 되어왔다. C60 및 C70으로 대표되는 플러렌은 분자간력에 의한 결합으로 높은 대칭성을 지닌 분자로서, 분자 중의 모든 탄소원자가 등가이고, 서로 공유 결합되어 있으며, 매우 안정된 결정체이다.
이러한 특성에 기초하여, 플러렌은 새로운 탄소계 재료로서 각종 용도에 대한 응용이 기대되고 있다. 이에, 가장 강력하고 수명이 긴 산화방지제이며, 최근에는 항암 효능으로 생의학 분야에서도 주목을 받고 있다. 특히, C60 등의 플러렌은 소성 변형능이나 가공경화성 등의 금속적인 역학 특성으로 인하여, 초전도 재료, 촉매재료, 윤활제 재료, 생체 재료 및 비선형 광학 재료 분야의 응용에 관심이 모아지고 있다.
편중된 탄소-탄소 이중결합을 가진 5각형 및 6각형으로 이루어진 플러렌 분자는 방향족이 아니라 알켄(alkene) 구조를 가지므로, 플러렌 분자에 대해 다양한 알켄 부가반응을 통해 용도가 다양한 새로운 플러렌 유도체들을 제조할 수 있고, 최근에는 플러렌 자체의 연구뿐 아니라, 플러렌에 화학적 기능화 과정을 거친 플러렌 함유 유도체 개발이 많이 시도되고 있다.
또한, 환원 시, 전자이동에 의한 구조의 변화가 전혀 없는 플러렌의 성질을 이용하여, 전자수용체로서의 적용가능성을 기대할 수 있으며, 화학적 기능화를 통한 플러렌의 물리화학적 성질의 증대를 통하여 다양한 용도의 플러렌 유도체 개발이 진행되고 있다.
특히, 플러렌 유도체 중 [6,6]-페닐-C61-부틸산 메틸에스테르(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester)(PCBM)는 유기태양전지의 전자받개 물질로 가장 널리 이용되고 있다. 이러한 PCBM을 이용한 유기태양전지의 에너지 변환 효율을 향상시키기 위해서는 전지의 개방 전압을 증가시켜야 한다. 개방 전압의 상한은 전자주개 물질의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 준위와 전자받개 물질의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 준위의 차이에 의해 결정되므로, 전자받개 물질인 PCBM의 LUMO 준위를 증가시키는 연구가 활발히 이루어지고 있다.
이와 관련한 종래기술로서, 미국공개특허 제2006-0011233호에서는 전자공여체로서 폴리-3-헥실티오펜(P3HT)과, 전자수용체로서 PCBM을 사용하고 스핀코팅의 방법으로 관전변환층이 도입된 유기 광기전력 장치를 제시하고 있다.
또한, 대한민국 공개특허 제2011-0017763호는 비금속 나노입자를 포함하는 유기태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 기판 위에 형성된 제 1 유기물층과 이 제 1 유기물층과 접하고 복수의 비금속 나노입자들을 포함하는 제 2 유기물층으로 구성되고, 이때 제 2 유기물층은 전자주개물질층으로 작용하도록 PCBM으로 이루어지는 유기태양전지의 기술이 개시되고 있다.
또한, 대한민국 공개특허 제2010-0062855호는 플러렌 유도체, 이를 포함하는 유기태양전지 및 이를 포함하는 유기박막트랜지스터에 관한 것으로, 전자받개 물질로 알콕시 벤젠을 치환기로서 함유하는 플러렌 유도체를 사용하여 개방전압을 향상시킨 유기태양전지의 기술이 개시되어 있다.
그러나, 종래의 기술에서는 PCBM의 페닐고리 수소 중 일부를 전자주개 혹은 전자받개 작용기와 치환을 하거나 비스애덕트(bisadduct) 형태의 PCBM을 화학적으로 합성하여 PCBM의 LUMO 준위를 증가시키는 방법을 채택하고 있고, 이러한 방법들은 일반적으로 복잡하고 다단계로 이루어진 합성과정을 거쳐야 하고, 최종 합성물의 수율이 낮은 단점이 있다.
따라서, 이러한 종래 기술의 대안으로, 방사선 화학을 이용한 유기물질의 합성에서 기존 물질의 분자구조와 함께 전자 밴드 구조를 변화시킬 수 있는 기술이 필요하다.
따라서, 본 발명의 기술적 과제는 상기한 바와 같은 종래 기술에 나타낸 문제점을 해결하기 위한 것으로, 복잡한 화학적 합성과정을 거치지 않고, 전자빔 조사의 단일공정을 이용함으로써 PCBM의 분자구조에 변화를 줄 수 있는 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법의 제공을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 기술적 과제는 PCBM에 전자빔을 조사함으로써 PCBM의 LUMO 준위를 증가시켜 개방 전압을 증가시킬 수 있는 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법의 제공을 목적으로 한다.
그러나 본 발명의 목적은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법은, 용매에 플러렌 유도체인 PCBM([6,6]-페닐-C61-부틸산 메틸에스테르) 분말을 용해하여 PCBM 용액을 제공하는 단계; 상기 PCBM 용액을 기판에 적하하는 단계; 상기 PCBM 용액이 적하된 기판을 스핀코팅하여 PCBM 박막을 형성하는 단계; 상기 PCBM 박막에 전자빔을 조사하는 단계; 및 상기 전자빔 조사에 의해 PCBM의 분자구조를 변경시키는 단계;를 포함하되, 하기 반응식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법:
[반응식 1]
본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법은, 상기 용매가 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 톨루엔으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법은, 상기 기판이 순환전압전류법 측정을 위해 유리상 탄소 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법은, 상기 PCBM 용액이 24mM 농도인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법은, 상기 PCBM 박막을 형성하는 단계는, 2000rpm으로 60초 동안 스핀코팅을 수행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법은, 상기 PCBM 박막에 전자빔을 조사하는 단계는, 상온 및 2×10-5 Torr의 진공 하에서 수행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법은, 상기 PCBM 박막에 조사되는 상기 전자빔의 전자 에너지는 50KeV, 전류 밀도는 1.6㎂㎝-2인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법은, 상기 전자빔이 1시간, 2시간, 4시간 중 어느 하나의 조건으로 상기 PCBM 박막에 조사되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법은, 상기 PCBM 박막에 조사되는 상기 전자빔의 플루언스를 단계별로 증가시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법에 의하면, 기존의 복잡한 화학적 합성과정을 거치지 않고 PCBM에 전자빔을 조사함으로써 PCBM의 분자구조에 변화를 주고, 그로 인하여 PCBM의 LUMO 준위를 증가시켜 개방 전압을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명의 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법에 따르면, 전자빔 조사 기술은 유기반도체 물질의 전자 밴드 구조를 조절할 수 있는 청정한 단일 공정으로 광전자 소자의 성능을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절을 위해 수행되는 일련의 단계를 나타내는 예시도이다.
도 2의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 환원 특성을 나타내는 음의 포텐셜 순환전압전류 곡선이고, 도 2의 B는 산화 특성을 나타내는 양의 포텐셜 순환전압전류 곡선을 나타내는 도면이고, 도 2의 C는 LUMO와 HOMO 준위를 계산하여 나타낸 예시도이다.
도 3의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 FTIR 스펙트럼을 나타내는 예시도이고, 도 3의 B는 전자빔 조사 플루언스에 따른 상대적인 강도 차이 변호를 나타내는 예시도이다.
도 4의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 1H NMR 스펙트럼, 도 4의 B는 PCBM의 페닐 고리의 메타 위치의 수소에서 발생하는 신호를 나타내는 예시도, 및 도 4의 C는 PCBM의 페닐 고리의 메타 위치의 수소에서 발생하는 신호를 나타내는 예시도를 각각 나타낸다.
도 5의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 라만 스펙트럼, 도 5의 B는 선형적으로 증가하는 라만산란 백그라운드 신호를 제거한 라만 스펙트럼의 예시도이다.
도 2의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 환원 특성을 나타내는 음의 포텐셜 순환전압전류 곡선이고, 도 2의 B는 산화 특성을 나타내는 양의 포텐셜 순환전압전류 곡선을 나타내는 도면이고, 도 2의 C는 LUMO와 HOMO 준위를 계산하여 나타낸 예시도이다.
도 3의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 FTIR 스펙트럼을 나타내는 예시도이고, 도 3의 B는 전자빔 조사 플루언스에 따른 상대적인 강도 차이 변호를 나타내는 예시도이다.
도 4의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 1H NMR 스펙트럼, 도 4의 B는 PCBM의 페닐 고리의 메타 위치의 수소에서 발생하는 신호를 나타내는 예시도, 및 도 4의 C는 PCBM의 페닐 고리의 메타 위치의 수소에서 발생하는 신호를 나타내는 예시도를 각각 나타낸다.
도 5의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 라만 스펙트럼, 도 5의 B는 선형적으로 증가하는 라만산란 백그라운드 신호를 제거한 라만 스펙트럼의 예시도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예의 상세한 설명은 첨부된 도면들을 참조하여 설명할 것이다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절을 위해 일련의 순서를 나타내는 예시도이다.
도면에 나타낸 바와 같이, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 톨루엔 등의 용매(1)에 플러렌 유도체인 PCBM([6,6]-페닐-C61-부틸산 메틸에스테르) 분말(2)을 용해하여 PCBM 용액(10)을 제조한다. 본 실시예에서는, 용매(1)에 65㎎의 PCBM 분말(2)을 용해하여 24mM의 PCBM 용액(10)을 제조하였다.
이후, 제조된 PCBM 용액(10)을 유리상 탄소 기판(20)에 적하한 후, 2000rpm으로 60초 동안 스핀 코팅을 하여 PCBM 박막(30)을 제조한다. 이렇게 제조된 PCBM 박막(30)에 전자빔(40)을 조사한다. 전자빔 조사는 상온에서, 2×10-5 Torr 미만의 진공 하에서 이루어진다.
이때, 조사되는 전자빔(40)의 전자의 에너지는 50keV, 전류 밀도는 1.6㎂cm-2이다. 또한, 열전자가 발생하는 필라멘트의 전류와 조사시간을 통제하여 전자빔 플루언스를 조절한다.
전자빔 플루언스는 전자빔 전류밀도(C/s ㎝-2) × 조사 시간(s) / 1.6E-19 (C-1) 로 단위는 ㎝-2로 계산할 수 있다. 따라서, PCBM 박막(30)에 조사되는 전자빔 플루언스는 각각 3.6×1016 ㎝-2, 7.2×1016 ㎝-2, 1.44×1017 ㎝-2로 조사될 수 있으나, 그 범위는 이것에 한정되지 않는다.
상술한 바와 같이, 전자빔(40)이 조사된 PCBM의 분자 구조는 하기 반응식 1로 나타날 수 있다.
[반응식 1]
PCBM은 플러렌 유도체(C60)로서 부틸산 메틸에스테르(butyric acid methyl ester) 곁사슬과 페닐 고리가 C60 플러렌에 결합되어 있는 분자구조(A)를 가지고, 이후 전자빔(40)의 조사에 의해 메톡시 라디칼과 페닐 라디칼이 형성되고(B), 메톡시 라디칼과 페닐 라디칼의 결합에 의해 새로운 메톡시기가 치환된 페닐 고리가 형성된다(C). 이후, 높은 전자빔 조사 플루언스에 의해 C60의 분자 구조가 파괴된다(D). 이러한, 에너지 밴드 구조의 변화는 후술할 1H NMR, FTIR 및 라만 분광법을 통해 분석할 수 있다.
전자빔이 조사된 PCBM의 분자구조 측정방법
1. 순환전압전류법
순환전압전류법을 이용하여 전자빔이 조사된 PCBM 박막의 환원 및 산화특성을 나타낸다.
도 2의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 환원 특성을 나타내는 음의 포텐셜 순환전압전류 곡선이고, 도 2의 B는 산화 특성을 나타내는 양의 포텐셜 순환전압전류 곡선을 나타내는 도면이고, 도 2의 C는 LUMO와 HOMO 준위를 계산하여 나타낸 예시도이다. 또한, 각 도면에서 (a)는 전자빔을 조사하지 않은 PCBM, (b)는 3.6×1016㎝- 2 의 플루언스로 전자빔이 조사된 PCBM, (c)는 7.2×1016㎝-2의 플루언스로 전자빔이 조사된 PCBM, 그리고 (d)는 1.44×1017㎝-2의 플루언스로 전자빔 조사된 PCBM의 특성을 나타낸다.
전자빔이 조사된 PCBM 박막의 순환전압전류법의 측정조건으로, 도시하지는 않았지만, 삼전극 체계 하에서 PCBM 박막이 코팅된 유리상 탄소 기판을 작업 전극으로, 백금선을 상대 전극으로, Ag/Ag+ 전극을 기준 전극으로 Bu4NPF6 0.1M 농도의 아세토나이트릴 용액 내에서 측정하고, 모든 측정은 100 mV s-1의 주사속도(scan rate)로 측정할 수 있다.
도시한 바와 같이, 전자빔을 조사하지 않은 PCBM 박막은 세 개의 환원 피크(peak)(-1.11V, -1.33V, -1.92V vs Ag/Ag+)를 가지며, 한 개의 산화 피크(+1.76V vs Ag/Ag+)를 가진다.
이후, 전자빔 조사로 환원 피크들은 음의 포텐셜로, 산화 피크는 양의 포텐셜로 이동하는 효과가 있다.
이러한 순환전압전류 측정을 바탕으로, 전자빔이 조사된 PCBM 박막의 LUMO와 HOMO 준위는 아래의 식에 의해 계산한다.
LUMO( 또는 HOMO) (eV) = -4.8 - ( E on - E 1 /2 (ferrocene))
여기서, E on 은 첫 번째 환원 피크(LUMO 계산 시) 혹은 첫 번째 산화 피크(HOMO 계산 시)의 온셋(onset) 포텐셜이며, E 1 /2 (ferrocene)은 페로센(ferrocene)의 산화환원 반응의 반파전위이다. 표1에 나타낸 바와 같이, 전자빔 조사에 의해 PCBM의 LUMO 준위는 상승하며, HOMO 준위는 하강하는 효과가 있다.
[표 1]
2. FTIR 스펙트럼 측정
또한, FTIR은 퓨리에 트랜스폼 적외선 분광법(Fourier-Transform Infrared spectroscopy)으로, 시료에 적외선을 조사하여 분자를 구성하는 각기 다른 원자간 결합이 이 적외선을 흡수하는 차이를 도시하여 분자 내의 어떠한 작용기가 존재하는지를 알 수 있는 분광법이다.
전자빔 조사된 PCBM의 FTIR 측정 조건으로는, 전자빔이 조사된 PCBM의 0.005g을 KBr과 혼합하여 샘플 pellet을 제조하여 스펙트럼을 측정하였다.
도 3의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 FTIR 스펙트럼을 나타내는 예시도이고, 도 3의 B는 전자빔 조사 플루언스에 따른 상대적인 강도 차이 변호를 나타내는 예시도이다.
도면에서 (a)는 전자빔이 조사되지 않은 PCBM이고, (b)는 3.6×1016cm-2의 플루언스로 전자빔이 조사된 PCBM이고, (c)는 7.2×1016cm-2의 플루언스로 전자빔이 조사된 PCBM이며, (d)는 1.44×1017cm-2의 플루언스로 전자빔이 조사된 PCBM을 나타낸다. 또한 몇몇 피크 위치와 그에 상응하는 진동 모드를 명시하였다.
도시한 바와 같이, FTIR 스펙트럼에서 전자빔 조사에 따라 모든 진동 모드의 피크 강도가 감소하는 것을 알 수 있다. 전자빔 플루언스를 증가시킴으로써 PCBM의 모든 분자 결합이 점차적으로 분해되는 효과가 있다.
특히, C-O 결합이 전자빔 조사에 의해 가장 빨리 분해가 되며, 이는 부틸산 메틸에스테르 곁사슬에서 C-O 결합이 분해되어 메톡시 라디칼이 생성되는 효과가 있다. 또한, 페닐 고리에 있는 수소의 C-H 결합이 분해되어 페닐 라디칼이 생성되는 효과가 있다.
이 두 라디칼이 서로 결합하여 메톡시기가 치환된 페닐 고리를 생성하는 효과가 있으며 이는 1H NMR을 통해 설명될 수 있다.
3. 1H NMR 스펙트럼 측정
1H NMR은 수소 핵자기공명법(1H Nuclear Magnetic Resonance spectroscopy)으로 시료에 강한 외부 자기장을 가한 상태에서 전자기복사선을 조사하여 분자 내의 각기 다른 수소원자들이 이 전자기복사선을 흡수하는 차이를 도시하여 분자의 탄소-수소 골격에 관한 지도를 얻을 수 있는 분광법이다.
전자빔이 조사된 PCBM의 1H NMR 측정 조건으로는, 전자빔이 조사된 PCBM의 0.005g을 1mL CDCl3 용액에 용해시킨 후 측정하였다.
도 4의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 1H NMR 스펙트럼, 도 4의 B는 PCBM의 페닐 고리의 메타 위치의 수소에서 발생하는 신호를 나타내는 예시도, 및 도 4의 C는 PCBM의 페닐 고리의 메타 위치의 수소에서 발생하는 신호를 나타내는 예시도를 나타낸다.
도 4의 A에 나타낸 바와 같이, PCBM의 페닐 고리의 파라 위치에 메톡시 작용기가 결합하고, 그 메톡시 작용기의 수소(a)에서 새로운 3.79ppm 신호 발생하고, PCBM의 페닐 고리의 메타 위치의 수소(b)에서 새로운 6.86ppm 신호가 발생하였다.
또한, PCBM의 페닐 고리의 올쏘 위치의 수소(c)의 7.24ppm 신호가 도 4의 B의 2D H-H COSY(2-Dimensional Hydrogen-Hydrogen Correlation Spectroscopy)로부터 보이는 점에 근거하여 전자빔 조사에 의해 메톡시기가 치환된 페닐 고리를 가지는 PCBM이 형성되고, 따라서 LUMO 레벨이 상승됨을 알 수 있다.
4. 라만 스펙트럼 측정
도 5의 A는 본 발명에 따른 전자빔이 조사된 PCBM의 라만 스펙트럼, 도 5의 B는 선형적으로 증가하는 라만 산란 백그라운드 신호를 제거한 1300 ~ 1700cm-1 구간에서의 라만 스펙트럼의 예시도이다.
전자빔 조사에 의해 부틸산 메틸에스테르 곁사슬에 변화가 생기는 것과 함께 C60 플러렌 또한 분자 구조의 변형이 이루어지는 것을 확인할 수 있다. 도 5에서 나타낸 바와 같이, 전자빔 플루언스가 증가함에 따라 C60에서 가장 강하게 나오는 1464cm-1 피크의 강도가 감소하며, 양의 기울기를 가지는 백그라운드(background)가 증가하는 효과가 있다. 이는 전자빔 조사에 의해 PCBM이 hydrogenated amorphous carbon(수소화 비정질 탄소)으로 점차적으로 변화하는 효과가 있는 것으로, HOMO 레벨이 하강함을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 전자빔 조사에 의해 PCBM의 전자 밴드 구조가 조절됨으로써, PCBM의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 레벨의 상승 및 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨의 하강으로 유기태양전지의 개방전압을 향상시켜 결과적으로 태양전지의 에너지 변환 효율을 증진시킬 수 있는 특징이 있다.
상기 본 발명의 내용은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
1: 용매 2: PCBM 분말
10: PCBM 용액 20: 기판
30: PCBM 박막 40: 전자빔
10: PCBM 용액 20: 기판
30: PCBM 박막 40: 전자빔
Claims (7)
- 용매에 하기 반응식 1의 화학식 A로 표시되는, 플러렌 유도체인 PCBM([6,6]-페닐-C61-부틸산 메틸에스테르) 분말을 용해하여 PCBM 용액을 제공하는 단계;
상기 PCBM 용액을 기판에 적하하는 단계;
상기 PCBM 용액이 적하된 기판을 스핀코팅하여 PCBM 박막을 형성하는 단계;
상기 PCBM 박막에 전자빔을 조사하는 단계; 및
상기 전자빔 조사에 의해 하기 반응식 1과 같이, 화학식 A의 PCBM의 분자구조를 화학식 B 및 C의 분자구조를 순차적으로 거쳐 화학식 D의 분자구조로 변경시키는 단계;를 포함하는,
하기 반응식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법:
[반응식 1]
.
- 제 1 항에 있어서,
상기 용매는 클로로벤젠, 디클로로벤젠 및 톨루엔으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 순환전압전류법 측정을 위해 유리상 탄소 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 PCBM 박막에 전자빔을 조사하는 단계는, 상온 및 2×10-5 Torr의 진공 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법.
- 제 4 항에 있어서,
상기 PCBM 박막에 조사되는 상기 전자빔의 전자 에너지는 50KeV, 전류 밀도는 1.6㎂㎝-2인 것을 특징으로 하는 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법.
- 제 5 항에 있어서,
상기 전자빔은 1시간, 2시간 및 4시간 중에서 선택되는 어느 하나의 시간 동안 계속해서 상기 PCBM 박막에 조사되는 것을 특징으로 하는 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 PCBM 박막에 조사되는 상기 전자빔의 플루언스를 단계별로 증가시키는 것을 특징으로 하는 전자빔 조사를 이용한 PCBM의 전자밴드 구조의 조절방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| KR (1) | KR101325213B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH11258796A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Agency Of Ind Science & Technol | 電子線レジスト、レジストパターンの形成方法及び微細パターンの形成方法 |
| US6998285B2 (en) | 1999-06-25 | 2006-02-14 | Sony Corporation | Charge separation type heterojunction structure and manufacturing method therefor |
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