KR101323636B1 - Gasification melting furnace and treating method for combustible material using the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a gasification melting furnace and method for treating a combustible material using the same, more specifically, to a gasification melting furnace and method for treating a combustible material using the same that include a gasification unit into which a combustible material is injected, a sedimentation unit which is communicated with the lower portion of the gasification unit, and a melting unit which is communicated with the side of the sedimentation unit and includes a heating means, that are capable of stably and rapidly processing the combustible material, reducing the energy consumption of the heating means, and providing the synthetic gas which contains less harmful substances by injecting, into the gasification unit, the gas that is generated in the melting unit by filling the sedimentation unit with the combustible material and passes through the combustible material.

Description

가스화 용융로 및 이를 이용한 가연성 물질 처리 방법{Gasification Melting Furnace And Treating Method For Combustible Material Using The same}Gasification Melting Furnace And Treating Method For Combustible Material Using The same}

본 발명은 가스화 용융로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 폐기물을 포함하는 가연성물질을 처리 및 에너지화할 때 사용되는 가스화 용융로에 관한 것이다.
The present invention relates to a gasification furnace, and more particularly, to a gasification furnace used for treating and energizing combustible materials including waste.

가연성 폐기물을 에너지로 전환하는 반응은 산소가 많은 분위기에서 처리하는 소각(연소)와 산소가 적은 분위기에서 처리하는 가스화로 분류할 수 있다. 대부분의 폐기물은 소각을 통해서 고온의 배가스를 생성하고 배가스의 폐열에서 스팀회수하는 방식이나, 소각 과정에서 대량의 대기오염물질(SOx, NOx, 다이옥신 등)과 투입물의 10~20% 의 양으로 중금속이 용출되어 매립이 필요한 소각재가 발생하며, 스팀의 에너지 활용도가 낮기 때문에 이에 대한 대안이 될 수 있는 가스화 방식을 통한 폐기물 처리 기술도 함께 검토되고 있다. The reaction of converting flammable waste into energy can be classified into incineration (combustion) in an oxygen-rich atmosphere and gasification in a low-oxygen atmosphere. Most wastes are produced by incineration to generate hot flue gases and steam recovery from the waste heat of the flue gases.In the process of incineration, heavy air pollutants (SOx, NOx, dioxin, etc.) and heavy metals are charged in amounts of 10 to 20%. The incineration ash that is eluted and needs to be landfilled is generated, and the waste treatment technology through gasification that is an alternative to the energy utilization of steam is being considered.

일반적으로 가스화는 산소가 적은 환원성 분위기의 600도 이상에서 가연성 물질 내의 탄소, 수소, 산소 등 가스상으로 변환될 수 있는 물질들이 일산화탄소, 수소, 물, 탄화수소로 변환되는 과정을 의미한다. 그리고, 1000℃ 이상에서는 이 물질들도 더 열분해되어 일산화탄소 및 수소로 전환되게 된다. 가스화 반응은 흡열반응으로 외부에서 어느 정도 열원이 공급되어야 하며, 이 열원은 합성가스의 일부가 더 산화되어 이산화탄소로 변화하면서 발생한 열로 가스화 반응이 진행되는 특징을 가진다. 이에 따라 가스화가 되더라도 배가스 내에는 이산화탄소가 일부 포함되어 있으며, 이산화탄소가 생성되면서 발생한 열은 가스화를 위한 흡열반응으로 사용되었음을 의미한다. 가스화 반응을 거치는 경우, 산화 반응으로 인해 발생하는 대기오염물질(SOx, NOx, 다이옥신)의 발생을 억제할 수 있고, 가스엔진/터빈 발전 등 스팀보다 고효율로 전력생산이 가능하거나, 수소 및 에탄올 등 연료로 변환시킬 수 있는 합성가스가 얻어지며, 고온의 가스화를 통해 가연성 물질내 포함된 비가연성 성분을 재(ash)가 아닌 유리상의 슬래그로 전환시킬 수 있는 장점이 있다. In general, gasification refers to a process in which substances that can be converted into a gaseous phase such as carbon, hydrogen, and oxygen in a combustible material are converted to carbon monoxide, hydrogen, water, and hydrocarbons in a reducing atmosphere of less than 600 degrees of oxygen. At 1000 ° C and above, these materials are further pyrolyzed to convert to carbon monoxide and hydrogen. The gasification reaction is an endothermic reaction, and a heat source must be supplied to the outside to some extent, and this heat source has a characteristic that the gasification reaction proceeds with heat generated as a part of the synthesis gas is further oxidized to carbon dioxide. Accordingly, even when gasified, some of the carbon dioxide is contained in the exhaust gas, and the heat generated when the carbon dioxide is generated means that it is used as an endothermic reaction for gasification. In the case of gasification reaction, it is possible to suppress the generation of air pollutants (SOx, NOx, dioxin) generated by the oxidation reaction, and to produce power more efficiently than steam, such as gas engine / turbine power generation, or hydrogen and ethanol, etc. Synthetic gas that can be converted into fuel is obtained, and there is an advantage that the non-combustible components included in the combustible material can be converted into slag on the glass instead of ash through high temperature gasification.

하지만, 현재까지 개발된 대부분의 가스화 반응에서는 투입물의 균일도 및 열량이 낮은 폐기물의 특성상, 가스화 반응에 필요한 엔탈피가 투입물 일부의 산화반응에 의해서 안정되게 공급되는데 큰 어려움을 갖게 된다. 또한, 가스화 온도의 열평형 온도도 낮게 형성되어서 1000℃ 이상의 고온을 안정적으로 얻기가 상당히 어렵다. 또한, 배가스 내에 미연분이나 분해되지 못한 오염물질이 많이 배출될 가능성도 높아지게 된다. 그리고, 온도가 낮아 슬래그가 아닌 재(ash)가 얻어지게 된다. However, in most gasification reactions developed to date, the enthalpy required for gasification reaction has a great difficulty in stably supplying part of the input due to the uniformity of the input and the characteristics of the waste with low calories. In addition, the thermal equilibrium temperature of the gasification temperature is also formed low, so that it is very difficult to stably obtain a high temperature of 1000 ° C or higher. In addition, the likelihood that a lot of unburned or undecomposed pollutants are discharged in the exhaust gas. In addition, the ash is not slag, because the temperature is low.

폐기물의 완전한 처리, 재의 슬래그 변환 및 고온 조건의 안정적 제공을 위해 플라즈마 토치를 폐기물 처리 및 에너지화에 적용하려는 노력이 많이 되어 왔다. 수천도의 플라즈마 토치에서 공급되는 에너지로 폐기물을 용융/가스화한 뒤, 비가연분은 슬래그로 전환시키고 가연분은 합성가스로 전환하여 에너지화하는 플라즈마 가스화 용융로에 대해 많은 개발이 진행되고 있다. 특히 플라즈마로 투입되는 전력량을 최소화하면서 에너지효율을 좋게 하기 위한 노력이 지속되고 있다. Efforts have been made to apply plasma torches to waste treatment and energy for complete disposal of waste, slag conversion of ash and stable provision of high temperature conditions. Many developments have been made for plasma gasification melting furnaces that melt / gasify waste with energy supplied from thousands of degrees of plasma torch, convert nonflammables into slag, and convert flammables into syngas. In particular, efforts have been made to improve energy efficiency while minimizing the amount of power input to plasma.

일반적인 플라즈마 가스화 용융에서 플라즈마는 금속 및 회분과 같은 비가연성 물질의 용융이나 가스화된 이후의 합성가스 내에 미연탄소 및 탄화수소류를 제거하기 위한 세정을 위해 온도를 높이는 역할을 주로 수행하고 있다. 또한, 기존의 플라즈마 가스화 용융로는 수직 방향으로 일자형의 샤프트로가 가장 일반적인데, 폐기물은 샤프트로의 상부에서 투입되어 용융 반응이 일어나는 하단부로 이동하게 되고, 샤프트로의 하단부에는 복수의 플라즈마 토치가 설치된 구조를 갖는다. 플라즈마 토치는 용융부의 하부면 쪽으로 이동하는 폐기물을 용융시키는 역할을 한다. 또한, 코크스 등 고열량의 연료를 추가적으로 공급하여 안정적인 가스화 반응이 일어나도록 한다. 용융부의 바닥면에는 용융물에 의한 용탕이 형성되고 합성가스는 용융부의 상부로 상승하여 용융부 바깥으로 배출된다. In general plasma gasification melting, the plasma mainly plays a role of raising the temperature for the cleaning of unburned carbon and hydrocarbons in the synthesis gas after melting or non-combustible materials such as metal and ash. In addition, the conventional plasma gasification melting furnace is most commonly a straight shaft furnace in the vertical direction, the waste is injected from the top of the shaft to the lower end where the melting reaction occurs, a plurality of plasma torch is installed at the lower end of the shaft Has a structure. The plasma torch serves to melt the waste moving toward the lower surface of the melt. In addition, a high-calorie fuel such as coke is additionally supplied so that a stable gasification reaction occurs. Melt formed by the melt is formed on the bottom of the melt, and the synthesis gas rises to the top of the melt and is discharged out of the melt.

이러한 기존의 플라즈마 가스화 용융로는 수직방향으로 일자형 구조를 갖기 때문에 용융부 내부로 투입된 폐기물이 연속적으로 일정한 속도로 용융부의 바닥면 쪽으로 이동해야만 안정적으로 용융 및 가스화가 진행되지만 폐기물의 이동속도를 조정하기 쉽지 않다. 또한, 폐기물이 용융부의 바닥면 쪽으로의 이동속도에 변화가 발생하는 경우 폐기물의 처리 속도, 용융 및 가스화에 문제가 발생될 수 있다. 특히 폐기물의 투입량이 커지면 폐기물과 가스의 접촉이 효율적으로 이뤄지지 않아서 반응속도가 늦어지는 문제점이 발생될 수 있다. Since the conventional plasma gasification melting furnace has a straight structure in the vertical direction, melting and gasification proceeds stably only when the waste introduced into the melting portion continuously moves toward the bottom of the melting portion at a constant speed, but it is easy to adjust the movement speed of the waste. not. In addition, when a change in the moving speed of the waste toward the bottom of the melt portion may cause problems in the processing speed, melting and gasification of the waste. In particular, when the input amount of the waste is large, the contact of the waste and the gas may not be efficiently performed, which may cause a problem of slowing the reaction rate.

이와 함께 기존의 플라즈마 가스화 용융로는 1600도에서 용융반응이 일어나지만 가스화온도는 훨씬 낮은 1200℃ 이하이며, 합성가스가 배출되는 온도는 1000℃ 이하이다. 이로 인해, 합성가스 내에 수% 수준의 탄화수소류 및 타르가 포함되며, 후단 공정에서 다이옥신이 재합성될 가능성도 존재한다. 그래서, 후단에서 고온의 합성가스를 바로 냉각시켜서 오염물질의 발생을 억제하게 되는데 이로 인해 에너지 효율이 떨어지는 문제점이 발생하게 된다. 또한, 후단의 합성가스 정제공정이 다단계로 진행됨으로써 복잡하게 구성되어 설비가 과도해질 수 있다. 현재는 이를 해결하기 위해 합성가스를 다시 플라즈마로 온도를 올려서 세정하기도 하지만, 전체적인 효율이 떨어지는 단점이 있다.
In addition, the conventional plasma gasification melting furnace occurs a melting reaction at 1600 degrees, but the gasification temperature is much lower than 1200 ℃, the temperature at which the synthesis gas is discharged below 1000 ℃. Because of this, several percent of hydrocarbons and tar are included in the syngas, and there is also the possibility of dioxin resynthesis in the subsequent process. Therefore, the high temperature synthesis gas is immediately cooled at the rear end to suppress the generation of pollutants, resulting in a problem of low energy efficiency. In addition, the synthesis gas purification process of the subsequent stage is carried out in a multi-stage complex configuration can be excessive. Currently, to solve this problem, the synthesis gas is cleaned again by raising the temperature with plasma, but the overall efficiency is lowered.

한국공개특허 제2011-121914호Korean Patent Publication No. 2011-121914 일본공개특허 특개2008-275180호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-275180 일본공개특허 특개2002-013718호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2002-013718 일본공개특허 특개2003-327976호Japanese Patent Laid-Open No. 2003-327976

따라서 본 발명의 목적은 대량의 폐기물을 효율적으로 처리할 수 있는 가스화 용융로 및 이를 이용한 가연성 물질 처리 방법을 제공하는데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a gasification furnace and a method for treating combustible materials using the same that can efficiently treat a large amount of waste.

본 발명의 다른 목적은 1200℃ 이상의 고온 가스화 반응을 수행하여 타르나 다이옥신과 같은 유해물질이 제거된 합성가스를 얻을 수 있는 가스화 용융로 및 이를 이용한 가연성 물질 처리 방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide a gasification furnace and a method for treating combustible materials using the same, by performing a hot gasification reaction of 1200 ° C. or higher to obtain a synthesis gas from which harmful substances such as tar and dioxins have been removed.

본 발명의 또 다른 목적은 타르나 다이옥신과 같은 유해물질이 제거된 합성가스를 얻을 수 있는 가스화 용융로 및 이를 이용한 가연성 물질 처리 방법을 제공하는데 있다.
Still another object of the present invention is to provide a gasification furnace and a method of treating combustible materials using the same, which can obtain a synthesis gas from which harmful substances such as tar and dioxins have been removed.

1. 가연성 물질이 다수의 공극을 두고 퇴적되는 퇴적부; 상기 퇴적부로부터 유입된 가연성 물질을 용융시키는 용융부; 및 상기 용융부에서 생성된 가스가 상기 퇴적부의 공극을 통과하여 도달하는 가스화부를 포함하는 가스화 용융로.1. a deposit in which flammable material is deposited with multiple voids; A melting part for melting the combustible material introduced from the deposition part; And a gasification unit in which gas generated in the melting unit reaches through the pores of the deposition unit.

2. 위 1에 있어서, 상기 퇴적부에 상기 가연성 물질을 공급하는 가연성 물질 투입구를 더 포함하는 가스화 용융로.2. The gasification furnace of 1 above, further comprising a combustible material inlet for supplying the combustible material to the deposition unit.

3. 위 1에 있어서, 상기 용융부는 상기 퇴적부의 측면으로 연통되고 상기 가스화부는 상기 퇴적부의 상부로 연통되는 가스화 용융로.3. The gasification furnace of 1 above, wherein the molten portion is communicated to the side of the deposition portion and the gasification portion is communicated to the upper portion of the deposition portion.

4. 위 1에 있어서, 상기 용융부의 가열수단은 플라즈마 토치인 가스화 용융로.4. In the above 1, wherein the heating means of the melting unit is a gasification melting furnace of the plasma torch.

5. 위 1에 있어서, 상기 용융부는 제1 산화제 투입구를 구비한 가스화 용융로.5. according to the above 1, wherein the melting part is a gasification furnace with a first oxidant inlet.

6. 위 1에 있어서, 상기 용융부의 하부에는 용융물이 배출되는 출탕구가 구비된 가스화 용융로.6. In the above 1, the gasification melting furnace having a hot water outlet through which the melt is discharged in the lower portion.

7. 위 1에 있어서, 상기 퇴적부는 퇴적된 가연성 물질을 상기 용융부로 이송하는 푸싱부를 구비하는 가스화 용융로.7. The gasification melting furnace of claim 1, wherein the deposition unit includes a pushing unit for transferring the accumulated combustible material to the melting unit.

8. 위 1에 있어서, 상기 가스화부는 제2 산화제 투입구를 구비한 가스화 용융로.8. In the above 1, wherein the gasifier is a gasification furnace having a second oxidant inlet.

9. 위 8에 있어서, 상기 제2 산화제 투입구는 산화제가 상기 가스화부 내에서 선회할 수 있도록 하는 위치에 구비되는 가스화 용융로.9. The gasification melting furnace of claim 8, wherein the second oxidant inlet is provided at a position to allow the oxidant to pivot in the gasifier.

10. 위 1에 있어서, 상기 가스화부는 내부에 합성 가스의 착화 및 연소 상태의 유지를 위하여 파일럿 버너를 더 구비하는 가스화 용융로.10. The gasification furnace of 1 above, wherein the gasifier further comprises a pilot burner for maintaining the ignition and combustion state of the synthesis gas therein.

11. 위 1에 있어서, 상기 가스화부의 상부에는 합성 가스가 배출되는 배출구를 구비하는 가스화 용융로.11. The gasification furnace according to the above 1, wherein the upper part of the gasifier has a discharge port through which the synthesis gas is discharged.

12. 용융부에서 생성된 가스를 다수의 공극을 두고 퇴적된 가연성 물질 퇴적체에 통과시키는 단계를 포함하는 가연성 물질의 처리 방법.12. A method of treating a combustible material comprising passing the gas produced in the melt through a combustible material deposit deposited with a plurality of voids.

13. 위 12에 있어서, 상기 가스는 상기 가연성 물질이 상기 용융부로 유입된 후 가열되어 발생되는 것인 가연성 물질의 처리 방법.13. The method according to the above 12, wherein the gas is generated by heating after the inflammable material is introduced into the molten portion.

14. 위 12에 있어서, 상기 가연성 물질 퇴적체를 통과한 가스의 일부를 산화시키는 단계를 더 포함하는 가연성 물질의 처리 방법.14. The method of 12 above, further comprising the step of oxidizing a portion of the gas passing through the combustible material deposit.

15. 위 12에 있어서, 상기 용융부에서 가스 생성시 제1 산화제를 투입하는 단계를 더 포함하는 가연성 물질의 처리 방법.15. The method of claim 12, further comprising the step of injecting a first oxidant during gas generation in the melter.

16. 위 12에 있어서, 상기 가스는 가연성 물질을 플라즈마 토치로 가열하여 생성된 것인 가연성 물질의 처리 방법.16. The method of claim 12, wherein the gas is generated by heating the combustible material with a plasma torch.

17. 위 12에 있어서, 퇴적된 가연성 물질을 상기 용융부로 이송시키는 단계를 더 포함하는 가연성 물질의 처리 방법.17. The method according to 12 above, further comprising transferring the deposited flammable material to the melted portion.

18. 위 12에 있어서, 상기 가스는 1400℃ 이상의 온도를 갖는 가연성 물질의 처리 방법.18. The method of 12 above, wherein the gas has a temperature of 1400 ℃ or more.

19. 위 14에 있어서, 상기 산화 단계를 거친 가스는 1200℃ 이상의 온도를 갖는 가연성 물질의 처리 방법.19. The method according to the above 14, wherein the gas that has passed through the oxidation step has a temperature of 1200 ° C. or more.

20. 위 14에 있어서, 상기 산화 단계는 제2 산화제 투입으로 수행되는 가연성 물질의 처리 방법.
20. The method of claim 14, wherein the oxidizing step is performed by adding a second oxidant.

본 발명의 가스화 용융로는 가스화부와 용융부가 직접 연통되지 않으므로, 가스화부에서 용융부로 급격하게 폐기물이 이동하는 것이 방지될 수 있어, 일자형의 구조에 비해서 안정적으로 가연성 물질을 처리할 수 있다. Since the gasification furnace of the present invention does not communicate directly with the gasification unit and the melting unit, it is possible to prevent the rapid movement of waste from the gasification unit to the melting unit, thereby stably treating the combustible material as compared to the straight structure.

또한 본 발명의 가스화 용융로는 용융부에서 생성된 합성가스가 퇴적부에 채워진 가연성 물질을 반드시 통과하게 되므로 가연성 물질의 가스화 반응을 충분히 진행시키고 가연성 물질의 처리 속도를 향상시킬 수 있다.In addition, the gasification melting furnace of the present invention because the synthesis gas generated in the molten portion necessarily passes through the combustible material filled in the deposition portion it is possible to sufficiently proceed the gasification reaction of the combustible material and to improve the processing speed of the combustible material.

또한 본 발명의 가스화 용융로는 가연성 물질이 채워진 퇴적부에 채워진 가연성 물질에 의해 용융 및 가스화 반응이 일어나는 영역과 합성가스의 부분 산화 반응이 일어나는 영역이 분리되기 때문에, 가스화 용융로를 안정적으로 구동시킬 수 있다. 즉 본 발명의 가스화 용융로는 용융부와 가스화부를 퇴적부에 채워진 가연성 물질로 분리함으로써, 가열수단의 고열을 용융에 집중적으로 활용하고 여기에서 발생하는 고온의 가스를 퇴적부의 가연성 물질에 통과시킴으로서 가연성 물질이 효율적으로 가스화되도록 유도하고, 퇴적부에서 방출되는 고열량의 가스를 다시 부분 산화시켜 온도를 1200℃ 이상으로 상승시킴으로서 타르나 다이옥신과 같은 유해물질이 제거된 합성가스를 얻을 수 있다.In addition, the gasification furnace of the present invention can stably drive the gasification furnace because the region where the melting and gasification reaction takes place and the region where the partial oxidation reaction of the synthesis gas takes place is separated by the combustible material filled in the deposition portion filled with the combustible material. . That is, the gasification melting furnace of the present invention separates the molten portion and the gasification portion into a combustible material filled in the deposition portion, thereby intensively utilizing the high heat of the heating means for melting and passing the high temperature gas generated therein through the combustible material of the deposition portion. By inducing the gas to be efficiently and partially oxidizing the high-heat gas emitted from the deposit, the temperature is raised to 1200 ° C or more, thereby obtaining a synthesis gas from which harmful substances such as tar and dioxin have been removed.

또한, 본 발명의 가스화 용융로는 용융부에서 생성된 합성가스가 가연성 물질을 통과하여 가스화실의 상부로 이동하는 동안 떨어진 온도를 상승시키기 위하여, 가연성 물질을 통과한 합성가스에 산화제를 공급하여 부분 산화 반응을 일으키도록 함으로써, 가연성 물질을 가스화하여 1200℃ 이상의 고온 합성가스를 생산하면서 가열수단의 에너지 소모량을 최소화할 수 있다.In addition, the gasification melting furnace of the present invention is partially oxidized by supplying an oxidant to the synthesis gas passed through the combustible material in order to increase the temperature dropped while the synthesis gas generated in the melt portion passes through the combustible material and moves to the top of the gasification chamber. By causing the reaction, it is possible to minimize the energy consumption of the heating means while gasifying the combustible material to produce a high temperature synthesis gas of 1200 ℃ or more.

이와 같이 본 발명의 가스화 용융로는, 가스화 반응의 온도를 1200℃ 이상에서 안정적으로 유지함으로써, 합성가스 내 불순물 및 대기오염물질의 발생을 최소화할 수 있다. 즉 1200℃ 이상 고온에서 가스화하는 경우, 배출되는 합성가스의 성상 내 탄화수소 및 재 등의 발생을 최소화할 수 있고 질소산화물, 황산화물 등 산화물 계 대기오염물질 및 다이옥신 발생을 억제할 수 있다.As described above, the gasification furnace of the present invention can stably maintain the temperature of the gasification reaction at 1200 ° C or higher, thereby minimizing the generation of impurities and air pollutants in the synthesis gas. That is, when gasifying at a high temperature of more than 1200 ℃, it is possible to minimize the generation of hydrocarbons and ash in the properties of the syngas discharged, it is possible to suppress the generation of oxide-based air pollutants such as nitrogen oxides, sulfur oxides and dioxins.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 가스화 용융로는 퇴적부에 푸싱부를 설치하여 용융부쪽으로 가연성 물질을 이송시킴으로써, 가연성 물질을 안정적으로 용융부에 공급하여 가연성 물질의 처리 속도를 향상시킬 수 있다. 또한 푸싱부의 구동 제어를 통하여 가연성 물질의 처리 속도를 용이하게 제어할 수 있다.In addition, the gasification melting furnace according to an embodiment of the present invention by installing a pushing portion in the deposition portion to transfer the combustible material toward the melt portion, it is possible to stably supply the combustible material to the molten portion to improve the processing speed of the combustible material. In addition, it is possible to easily control the processing speed of the combustible material through the driving control of the pushing unit.

그리고 본 발명에 따른 가스화 용융로는 일 100톤 이상의 대량의 폐기물을 안정적으로 처리하면서 1200℃ 이상의 고온 합성가스를 생산하여 가스엔진 및 연료전지 발전에 이용할 수 있다.
In addition, the gasification furnace according to the present invention can be used for gas engine and fuel cell power generation by producing a high temperature synthesis gas of 1200 ℃ or more while stably processing a large amount of waste of more than 100 tons.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가스화 용융로를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 가스화 용융로를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 가스화부를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가스화 용융로를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 가스화부를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 가스화 용융로를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 가스화 용융로를 보여주는 단면도이다.
1 is a view showing a gasification melting furnace according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the gasification furnace of FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating a gasifier of FIG. 1.
4 is a view showing a gasification melting furnace according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a gasifier of FIG. 4.
6 is a view showing a gasification furnace according to a third embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing the gasification melting furnace of FIG.

본 발명은, 가연성 물질이 다수의 공극을 두고 퇴적되는 퇴적부; 상기 퇴적부로부터 유입된 가연성 물질을 용융시키는 용융부; 및 상기 용융부에서 생성된 가스가 상기 퇴적부의 공극을 통과하여 도달하는 가스화부를 포함함으로써, 안정적이고 신속하게 가연성 물질을 처리하고, 가열수단의 에너지 소모를 적게하고, 유해물질이 적은 합성가스를 제공할 수 있는 가스화 용융로에 관한 것이다.
The present invention provides a flammable material comprising: a deposition portion in which flammable material is deposited with a plurality of voids; A melting part for melting the combustible material introduced from the deposition part; And a gasification part in which the gas generated in the melting part reaches through the pores of the deposition part, thereby stably and quickly treating the combustible material, reducing the energy consumption of the heating means, and providing a synthesis gas with less harmful substances. It is related with the gasification melting furnace which can be performed.

이하, 본 발명을 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The terms or words used in this specification and claims are not to be construed as limiting in their usual or dictionary meanings, and the inventors may appropriately define the concept of terms in order to best explain their invention in the best way possible. It should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention based on the principle that the present invention.

제1 실시예First Embodiment

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가스화 용융로를 보여주는 도면이다. 도 2는 도 1의 가스화 용융로를 보여주는 단면도이다. 도 3은 도 1의 가스화부를 보여주는 단면도이다. 1 is a view showing a gasification melting furnace according to a first embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view showing the gasification furnace of FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a gasifier of FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 가스화 용융로(100)는 가스화부(10), 용융부(20) 및 퇴적부(60)를 포함한다. 가스화부(10)에서 투입된 가연성 물질(50)은 퇴적부에 퇴적되고, 용융부(20)의 가열수단에 의해 가연성 물질 내의 가연성 성분이 합성가스(53)로 변환되며, 생성된 합성가스(53)는 가연성 물질의 퇴적체(50)을 통과하여 가스화부(10)로 이동한다.1 to 3, the gasification melting furnace 100 according to the first embodiment of the present invention includes a gasification unit 10, a melting unit 20, and a deposition unit 60. The combustible material 50 introduced from the gasification unit 10 is deposited on the deposition unit, and the combustible components in the combustible material are converted into the synthesis gas 53 by the heating means of the melting unit 20, and the generated syngas 53 ) Passes through the deposit 50 of the combustible material and moves to the gasification unit 10.

여기서 제1 실시예에 따른 가스화 용융로(100)에서 일어나는 가스화 반응과, 부분 산화 반응은 아래의 화학식 1 내지 5와 같다. 여기서 화학식 1 및 2는 가스화 반응을 나타내고, 화학식 3 내지 5는 산화 반응을 나타낸다.Here, the gasification reaction and partial oxidation reaction occurring in the gasification melting furnace 100 according to the first embodiment are shown in the following Chemical Formulas 1 to 5. Where Chemical Formulas 1 and 2 represent gasification reactions, and Chemical Formulas 3 to 5 represent oxidation reactions.

Figure 112013080002716-pat00001
Figure 112013080002716-pat00001

Figure 112013080002716-pat00002
Figure 112013080002716-pat00002

Figure 112013080002716-pat00003
Figure 112013080002716-pat00003

Figure 112013080002716-pat00004
Figure 112013080002716-pat00004

Figure 112013080002716-pat00005
Figure 112013080002716-pat00005

이와 같이 제1 실시예에 따른 가스화 용융로(100)에 대해서 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.As described above, the gasification melting furnace 100 according to the first embodiment will be described in detail.

용융부(20)는 가연성 물질(50)의 용융 및 가스화와 합성가스와의 열교환이 이루어지는 부분으로서, 제1 산화제 주입구(25) 및 가열수단(30)을 포함한다.The melter 20 is a portion in which the combustible material 50 is melted and gasified and heat exchanged with the synthesis gas, and includes a first oxidant injection port 25 and a heating means 30.

용융부(20)는 일측이 퇴적부(60)와 연통되고, 일측과 마주보는 타측의 하부에 용융물(51)이 배출되는 출탕구(23)가 형성되어 있다. 따라서 용융부(20)는 바닥면에 가연성 물질(50) 중 비가연성 성분인 회분이 용융되어 형성된 용융물(51)이 용탕을 형성하고, 용융물(51)이 일정 양 이상이 되면 출탕구(23)를 통하여 외부로 배출시킬 수 있다. 예컨대 회분이 포함된 가연성 물질(50)이 투입되는 경우, 해당 가연성 물질(50)의 용융물(51)로 용탕을 형성하고, 일정 양의 용융물(51)이 용융부(20) 내에 남아 있도록 할 수 있다. 즉 회분과 같은 비가연분은 1200℃ 이상에서 용융되는데, 용융물(51)을 바로 외부로 배출하지 않고 내부에 일정 정도 용탕을 형성시킴으로써, 가스화 반응에 대한 히트 싱크(heat sink) 역할을 제공하고, 용융부(20)의 내부 온도를 일정 정도 균일하게 유지시킬 수 있다. 바람직하게는, 용융실 내부에서 형성되는 합성 가스가 1400℃ 이상의 온도를 가지도록 내부 온도를 유지할 수 있다.Melting portion 20 is one side is in communication with the deposition portion 60, the hot water outlet 23 for discharging the melt 51 is formed in the lower side of the other side facing one side. Accordingly, the melter 20 has a melt 51 formed by melting ash, which is a non-combustible component, of the combustible material 50 on the bottom surface, and forms a molten metal. When the melt 51 becomes a predetermined amount or more, the tap opening 23 It can be discharged to the outside through. For example, when the combustible material 50 including ash is introduced, a molten metal may be formed from the melt 51 of the combustible material 50, and a certain amount of the melt 51 may remain in the melt 20. have. That is, the non-combustibles such as ash are melted at 1200 ° C. or higher, and by forming a molten metal to some extent without discharging the melt 51 directly to the outside, thereby providing a heat sink for the gasification reaction, melting The internal temperature of the part 20 can be maintained uniformly to some extent. Preferably, the internal temperature may be maintained such that the synthesis gas formed inside the melting chamber has a temperature of 1400 ° C. or more.

또한 용융부(20)는 주입되는 산화제가 내부에서 선회할 수 있도록 가능한 정방형, 예를 들면 직육면체 또는 정육면체로 형성하는 것이 바람직하다. In addition, the molten portion 20 is preferably formed of a square, for example, a cube or a cube, so that the injected oxidant can pivot inside.

제1 산화제 투입구(25)는, 용융부(20)의 한 측면 또는 상부에 설치되어, 용융부(20)가 환원 분위기를 유지할 수 있도록 산화제를 주입한다. 이러한 측면에서, 산화제가 용융부(20) 내부에서 선회가 용이하도록 제1 산화제 주입구(25)는 지면에 대해서 소정의 각도를 갖도록 경사지게 설치되는 것이 바람직하며, 투입구의 방향은 퇴적부(60) 쪽을 향하도록 할 수 있다.The first oxidant inlet 25 is provided on one side or top of the melter 20 to inject the oxidant so that the melter 20 can maintain a reducing atmosphere. In this aspect, it is preferable that the first oxidant inlet 25 is inclined to have a predetermined angle with respect to the ground so that the oxidant is easily rotated in the melting part 20, and the direction of the inlet is toward the deposition part 60. Can be faced.

제1 산화제 투입구(25)를 통해 주입되는 산화제는 용융실 내부의 온도 저하를 방지하기 위해 300 내지 500℃의 온도로 예열된 산화제인 것이 바람직하다. 예열된 산화제를 주입한다. 이때 제1 산화제 투입구(25)의 주입 속도는 40 내지 80 m/s이다. 이때 산화제로는 공기 또는 산소가 사용될 수 있다.The oxidant injected through the first oxidant inlet 25 is preferably an oxidant preheated to a temperature of 300 to 500 ° C. in order to prevent a temperature drop inside the melting chamber. Inject preheated oxidant. At this time, the injection speed of the first oxidant inlet 25 is 40 to 80 m / s. At this time, air or oxygen may be used as the oxidant.

가열수단(30)은 용융부(20)의 측벽에 설치되어, 가연성 물질(50)을 용융 및 가스화하는 열에너지를 제공한다. 가연성 물질(50) 및 용융물(51)에 효과적으로 열을 전달하기 위해서, 가열수단(30)은 바닥면을 향하도록 설치될 수 있다. 가열수단(30)은 당분야에서 통상적으로 사용되는 가열수단이 특별한 제한없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 플라즈마 토치를 들 수 있다. The heating means 30 is installed on the side wall of the melting part 20 to provide thermal energy for melting and gasifying the combustible material 50. In order to effectively transfer heat to the combustible material 50 and the melt 51, the heating means 30 may be installed to face the bottom surface. The heating means 30 may be any heating means commonly used in the art without particular limitation, and for example, a plasma torch.

가열수단(30)의 일 예시로서, 플라즈마 토치를 사용한 경우에는, 플라즈마 토치 모듈(30)은 복수의 플라즈마 토치(35)를 포함할 수 있다. 플라즈마 토치(35)에서 방출되는 플라즈마 제트에 의해 용융부(20)의 열화 및 내화물의 손상을 억제하기 위해서, 플라즈마 제트가 직접 용융부(20)의 바닥면에 닿지 않도록 플라즈마 제트의 길이와 플라즈마 토치(35)의 설치 각도를 조절할 필요가 있다. 플라즈마 토치(35)는 플라즈마 소스로 압축공기, 산소, 스팀 등을 사용할 수 있다.As an example of the heating means 30, when the plasma torch is used, the plasma torch module 30 may include a plurality of plasma torches 35. In order to suppress deterioration of the melted portion 20 and damage of the refractory by the plasma jet emitted from the plasma torch 35, the length of the plasma jet and the plasma torch are prevented from directly contacting the bottom surface of the melted portion 20. It is necessary to adjust the installation angle of (35). The plasma torch 35 may use compressed air, oxygen, steam, or the like as a plasma source.

퇴적부(60)는 가연성 물질이 다수의 공극을 두고 퇴적하여 형성된 부분으로서, 용융부(20)와 가스화부(10)를 매개하여, 용융부(20)와 가스화부(10)가 직접 연통되지 않도록 한다. 따라서, 용융부(20), 퇴적부(60) 및 가스화부(10)의 구체적인 위치관계는 퇴적부(60)가 용융부(20)와 가스화부(10)를 직접 연결되지 않게만 한다면 특별한 제한은 없다. The deposition part 60 is a part formed by depositing a plurality of voids with a combustible material, and the melting part 20 and the gasification part 10 are not directly communicated through the melting part 20 and the gasification part 10. Do not. Therefore, the specific positional relationship between the melter 20, the depositor 60, and the gasifier 10 is a special limitation as long as the depositor 60 does not directly connect the melter 20 and the gasifier 10. Is not.

본 발명의 제1 실시예에서는, 가스화부(10)가 퇴적부(60)의 상부에 위치하도록 연통되나, 퇴적부(60)와 가스화부(10)가 연결되는 구체적인 각도는 특별히 제한되지 않는다. 또한, 용융부(20)의 일측면에 퇴적부(60)가 위치하도록 연통되나, 퇴적부(60)의 측면과 용융부(20)가 연결되는 구체적인 각도는 특별히 제한되지 않는다. 이 때, 용융부(20), 퇴적부(60) 및 가스화부(10)의 각 단면은 서로 동일하거나 다를 수도 있다. In the first embodiment of the present invention, the gasification unit 10 is communicated to be located above the deposition unit 60, but the specific angle at which the deposition unit 60 and the gasification unit 10 is connected is not particularly limited. In addition, although the deposit 60 is in communication with one side of the melted portion 20, the specific angle at which the side of the deposit 60 and the melted portion 20 is not particularly limited. In this case, each cross section of the melting part 20, the deposition part 60, and the gasification part 10 may be the same or different from each other.

본 발명의 제1 실시예에 따르면 가스화부(10)의 하부에 퇴적부(60)가 연통되는 구조를 가지므로, 가스화부(10)에서 투입되는 가연성 물질(50)이 퇴적부(60)에 퇴적된다. 또한, 퇴적부(60)의 측면으로 용융부(20)가 연통되므로, 용융물(51)이 용융부(20)의 하부에 일정량 존재하도록 조절할 수 있다.According to the first exemplary embodiment of the present invention, since the deposition unit 60 communicates with the lower portion of the gasification unit 10, the combustible material 50 introduced from the gasification unit 10 is transferred to the deposition unit 60. To be deposited. In addition, since the melting part 20 communicates with the side of the deposition part 60, the melt 51 may be adjusted to exist in a predetermined amount in the lower part of the melting part 20.

도 1에는 퇴적부(60)에 형성되는 가연성 물질(50)의 퇴적체의 임의적인 형태가 개략적으로 도시되어 있다. 퇴적부(60)에 형성되는 가연성 물질(50)의 퇴적체가 용융부(20)와 퇴적부(60)가 연통되는 개구를 막아 용융부(20)에서 생성된 합성가스(53)가 퇴적체를 통과하도록 하며, 합성가스(53)가 벽면을 타고 가연성 물질(50)과 접촉하지 않고 곧바로 가스화부(10)로 진입하는 것을 방지한다.1 schematically depicts an arbitrary form of deposit of combustible material 50 formed in deposit 60. The deposits of the combustible material 50 formed in the deposits 60 block the openings in which the melted part 20 and the deposits 60 communicate with each other, so that the syngas 53 generated in the melted part 20 receives the deposits. It passes through, and prevents the syngas 53 from entering the gasification section 10 without coming into contact with the combustible material 50 on the wall.

퇴적체는 다공성 구조를 갖는다. 따라서, 용융부(20)에서 생성된 합성가스(53)가 다공성 구조의 퇴적체를 통과하면서 가연성 물질(50)을 예열시키고, 또한 퇴적된 가연성 물질(50) 일부와 가스화 반응을 일으킴으로써, 가연성 물질(50)의 처리 속도를 향상시키며, 가열수단(30)의 에너지 소모를 적게 할 수 있다. 또한 퇴적체에 의해 용융 및 가스화 반응이 일어나는 용융부(20)와 합성가스의 부분 산화 반응이 일어나는 가스화부(10)가 분리되기 때문에, 가스화 용융로(100)를 안정적으로 구동시킬 수 있다. 이때 퇴적부(60)에서는 화학식 1 및 2에 해당하는 가스화 반응이 일어난다.The deposit has a porous structure. Therefore, the syngas 53 generated in the molten part 20 preheats the combustible material 50 while passing through the deposit of the porous structure, and also causes a gasification reaction with a part of the deposited combustible material 50, thereby making it combustible. It is possible to improve the processing speed of the material 50 and to reduce the energy consumption of the heating means 30. In addition, since the melted portion 20 in which the melting and gasification reactions occur and the gasification portion 10 in which the partial oxidation reaction of the synthesis gas occurs are separated by the deposit, the gasification melting furnace 100 can be driven stably. In this case, in the deposition unit 60, gasification reactions corresponding to Chemical Formulas 1 and 2 occur.

푸싱부(40)는 용융부(20)가 연결된 방향과 마주보는 방향의 퇴적부(60)의 외측에 설치되어 퇴적부(60)에 퇴적된 가연성 물질(50)을 용융부(20)쪽으로 이송시키는 푸셔(41)를 구비하여 가연성 물질(50)이 용융 및 가스화될 수 있도록 한다. 푸셔(41)로는 실린더 방식이 사용될 수 있다. 이와 같이 푸싱부(40)는 용융부(20)쪽으로 가연성 물질(50)을 이송시킴으로써, 가연성 물질(50)을 안정적으로 용융부(20)쪽으로 공급하여 가연성 물질(50)의 처리 속도를 향상시킬 수 있다. 또한 푸싱부(40)의 구동 제어를 통하여 가연성 물질(50)의 처리 속도를 용이하게 제어할 수 있다.The pushing unit 40 is installed on the outside of the deposition unit 60 in a direction facing the melting unit 20 to which the melting unit 20 is connected to transfer the combustible material 50 deposited on the deposition unit 60 toward the melting unit 20. And a pusher 41 to allow the combustible material 50 to be melted and gasified. As the pusher 41, a cylinder type may be used. As such, the pushing unit 40 transfers the combustible material 50 toward the melting part 20, thereby stably supplying the combustible material 50 toward the melting part 20 to improve the processing speed of the combustible material 50. Can be. In addition, the processing speed of the combustible material 50 may be easily controlled by driving control of the pushing unit 40.

가스화부(10)는 가연성 물질(50)의 투입과, 합성가스(53)의 온도를 1200℃ 이상으로 유지할 수 있도록 부분 산화 반응이 일어나는 부분으로서, 퇴적부(60)의 상부와 연통되며, 가연성 물질(50)이 투입되는 투입구(13)가 형성되어 있다. 또한, 측면에 산화제를 투입하는 복수의 제2 산화제 투입구(15)가 설치되어 있고, 상부에 합성가스(53)가 배출되는 배출구(17)가 형성되어 있다. 이때 산화제로는 산소 또는 공기가 사용될 수 있다.The gasification unit 10 is a portion in which the partial oxidation reaction occurs so that the input of the combustible material 50 and the temperature of the synthesis gas 53 can be maintained at 1200 ° C. or higher, and is in communication with the upper portion of the deposition unit 60, and is combustible. An inlet 13 through which the substance 50 is introduced is formed. In addition, a plurality of second oxidant inlets 15 for injecting an oxidant are provided on the side surface, and a discharge port 17 through which the syngas 53 is discharged is formed in the upper portion. At this time, oxygen or air may be used as the oxidizing agent.

이때 가스화부(10)는 수직 방향으로 설치될 수 있으며, 관형 구조, 예를 들면 상하 방향으로 연장된 통형 구조를 가지며, 퇴적부(20) 쪽으로 내려갈수록 내부 공간이 줄어들게 형성될 수도 있다. 도 1에는 가스화부(10)는 원통관 형태로 구현된 예를 개시하였지만, 그 단면의 형태가 특별히 제한되는 것은 아니다.In this case, the gasification unit 10 may be installed in a vertical direction, and may have a tubular structure, for example, a tubular structure extending in an up and down direction, and may be formed such that the internal space decreases toward the deposition unit 20. In FIG. 1, the gasification unit 10 is disclosed as an example in the form of a cylindrical tube, but the shape of the cross section is not particularly limited.

제2 산화제 투입구(15)는 가스화부(10) 내에서 산화반응을 유도하기 위해 산화제를 투입하기 위한 수단이다. 가스화부(10)의 외주면에 가연성 물질(50)의 투입구(13)보다 높은 위치에 설치될 수 있다.The second oxidant inlet 15 is a means for injecting an oxidant to induce an oxidation reaction in the gasifier 10. The outer peripheral surface of the gasification unit 10 may be installed at a position higher than the inlet 13 of the combustible material 50.

제2 산화제 투입구(15)는 필요에 따라 복수로 설치될 수 있고 이 경우 서로 등간격으로 배치될 수 있으며 동일 평면 상에 형성될 수 있다. 예컨대 제1 실시예에서는 4 개의 제2 산화제 투입구(15)가 설치된 예를 개시하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉 복수의 제1 산화제 투입구(15)는 가스화부(10)의 직경에 따라 적정수가 설치될 수 있다. The second oxidant inlet 15 may be provided in plurality, if necessary, in this case may be arranged at equal intervals from each other and may be formed on the same plane. For example, in the first embodiment, an example in which four second oxidant inlets 15 are provided is disclosed, but the present invention is not limited thereto. That is, a plurality of first oxidant inlet 15 may be installed according to the diameter of the gasification unit 10.

제2 산화제 투입구(15)는 바람직하게는 산화제를 가스화부(10)의 중심축에서 빗겨나게 가스화부(10)의 내부로 투입하여, 투입된 산화제의 선회를 용이하게 할 수 있다. 이와 같이 산화제를 투입하는 이유는, 가스화부(10)로 이동한 합성가스와 부분 산화 반응이 안정적으로 일어날 수 있도록 하기 위해서이다. The second oxidant inlet 15 may be preferably introduced into the gasifier 10 to be deviated from the central axis of the gasifier 10 to facilitate the turning of the oxidant. The reason for introducing the oxidant in this way is to allow the partial gas reaction with the syngas that has moved to the gasifier 10 to occur stably.

또한 필요에 따라, 가스화부(10)는 제2 산화제 투입구(15) 위치 부근에 합성가스(53)의 착화 및 연소상태의 유지를 위하여 파일럿 버너가 함께 설치될 수 있다.In addition, if necessary, the gasification unit 10 may be provided with a pilot burner together to maintain the ignition and combustion state of the synthesis gas 53 near the position of the second oxidant inlet 15.

이때 제2 산화제 투입구(15)는 주입되는 가스가 선회하도록 중심에 대하여 일정한 각도로 설치하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로서 미연분의 가스화부(14) 내 체류시간을 연장하며 가스화부(14)를 빠져나가는 것을 줄일 수 있다. 전체 산화제의 투입량은 가스화부(14)의 온도를 1200℃ 이상으로 유지하는 조건을 만족하면서 화학양론적으로 완전연소에 필요한 산화제량의 50~70%를 유지하는 것이 바람직하다.At this time, the second oxidant inlet 15 is preferably installed at a constant angle with respect to the center so that the injected gas is rotated. By doing so, it is possible to extend the residence time in the unburned gasifier 14 and reduce the exit from the gasifier 14. The total amount of the oxidant is preferably maintained at 50 to 70% of the amount of the oxidant required for stoichiometric combustion while satisfying the condition for maintaining the temperature of the gasifier 14 at 1200 ° C or higher.

또한 제1 실시예에서는 가스화부(14)를 통하여 합성가스(53)를 포함한 배가스가 빠져나가는 배출구(17)를 축로나 높이 문제 등과 같은 현실적인 제약 조건을 고려하여 가스화부(14)의 상부의 측부에 형성하는 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다. In addition, in the first embodiment, the side of the upper portion of the gasification unit 14 in consideration of realistic constraints such as a shaft or a height problem in the outlet 17 through which the exhaust gas including the syngas 53 exits through the gasification unit 14. Although the example which forms in is disclosed, it is not limited to this.

이와 같이 제1 실시예에 따른 가스화 용융로(100)는 가열수단(30)이 용융 및 가스화 반응에 필요한 열원을 공급하고, 또한 퇴적부(60)을 통과한 합성가스에 산화제를 투입하여 부분 산화 반응을 통하여 열을 제공함으로써, 1200℃ 이상의 고온 가스화 반응을 원활하게 수행할 수 있다. 또한 가연성 물질(50)에 대한 가스화 반응이 원활히 수행됨으로써, 플라즈마의 전력 소모를 줄일 수 있다.
As described above, in the gasification melting furnace 100 according to the first embodiment, the heating means 30 supplies a heat source necessary for the melting and gasification reaction, and also adds an oxidant to the synthesis gas passed through the deposition unit 60 to partially oxidize the reaction. By providing heat through, it is possible to smoothly perform the hot gasification reaction of 1200 ℃ or more. In addition, since gasification of the combustible material 50 is performed smoothly, power consumption of the plasma may be reduced.

제 2 Second 실시예Example

한편 제1 실시예에서는 가스화부(10)가 원통관으로 형성된 예를 개시하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 가스화부(110)는 사각관으로 형성될 수 있다. 여기서 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가스화 용융로(200)를 보여주는 도면이다. 그리고 도 5는 도 4의 가스화부(110)를 보여주는 단면도이다.On the other hand, although the example in which the gasification part 10 was formed in the cylindrical tube was disclosed in 1st Example, it is not limited to this. As shown in FIG. 4 and FIG. 5, the gasifier 110 may be formed as a square tube. 4 is a view showing a gasification furnace 200 according to a second embodiment of the present invention. 5 is a cross-sectional view illustrating the gasifier 110 of FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제2 실시예에 따른 가스화 용융로(200)는 가스화부(110)가 사각관으로 형성된 것을 제외하면 제1 실시예에 따른 가스화 용융로(도 1의 100)와 동일한 구조를 갖기 때문에, 가스화부(110)를 중심으로 설명하면 다음과 같다.4 and 5, the gasification melting furnace 200 according to the second embodiment is the same as the gasification melting furnace 100 according to the first embodiment except that the gasification unit 110 is formed of a square tube. Since it has a structure, the gasification unit 110 will be described as follows.

가스화부(110)는 퇴적부(160)의 상부에 연결되어 있으며, 측면에 산화제를 투입하는 복수의 제2 산화제 투입구(115)이 설치되어 있고, 상부에 합성가스가 배출되는 배출구(117)가 형성되어 있다. 이때 복수의 제2 산화제 투입구(115)은 가스화부(110)의 측면에 서로 등간격으로 배치되며, 가스화부(110)의 중심에서 빗겨나게 산화제를 가스화부(110)의 내부로 투입하여 선회시킬 수 있다. 이와 같이 산화제를 투입하는 이유는, 가스화부(110)로 이동한 합성가스와 부분 산화 반응이 안정적으로 일어날 수 있도록 하기 위해서이다. 이때 복수의 제2 산화제 투입구(115)는 동일 평면 상에 형성될 수 있다. 예컨대 제2 실시예에서는 복수의 제2 산화제 투입구(115)가 가스화부(110)의 네 개의 측면에 각각 형성된 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다.
The gasification unit 110 is connected to the upper portion of the deposition unit 160, a plurality of second oxidant inlet 115 for injecting the oxidant is installed on the side, the discharge port 117 for discharging the synthesis gas on the top Formed. At this time, the plurality of second oxidant inlet 115 is arranged at equal intervals on the side of the gasifier 110, the oxidant is introduced into the gasifier 110 to be turned away from the center of the gasifier 110 to turn. Can be. The reason for introducing the oxidant in this way is to allow the partial gas reaction with the syngas that has moved to the gasification unit 110 to occur stably. In this case, the plurality of second oxidant inlets 115 may be formed on the same plane. For example, in the second embodiment, although the plurality of second oxidant inlets 115 are formed on the four side surfaces of the gasification unit 110, the examples are not limited thereto.

제 3 Third 실시예Example

또한 제1 실시예에서는 가스화부(10)를 통하여 합성가스(53)를 포함한 배가스가 빠져나가는 배출구(17)를 축로나 높이 문제 등과 같은 현실적인 제약 조건을 고려하여 가스화부(10)의 상부의 측부에 형성하는 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 미연분 또는 회분의 탈출을 억제하기 위해서, 가스화부(10)의 배출구(17)는 가스화부(10)의 최상부의 중심에 위치할 수 있도록 형성할 수 있다. 여기서 도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 가스화 용융로(300)를 보여주는 도면이다. 그리고 도 7은 도 6의 가스화 용융로(300)를 보여주는 단면도이다. In addition, in the first embodiment, the side of the upper portion of the gasification unit 10 in consideration of realistic constraints such as a shaft or a height problem of the outlet 17 through which the exhaust gas including the syngas 53 exits through the gasification unit 10. Although the example which forms in is disclosed, it is not limited to this. For example, as illustrated in FIGS. 6 and 7, in order to suppress the escape of unburned or ash, the outlet 17 of the gasifier 10 may be formed so as to be located at the center of the uppermost part of the gasifier 10. Can be. 6 is a view showing a plasma gasification furnace 300 according to a third embodiment of the present invention. 7 is a cross-sectional view illustrating the gasification furnace 300 of FIG. 6.

도 6 및 도 7을 참조하면, 제3 실시예에 따른 플라즈마 가스화 용융로(300)는 제1 실시예와는 용융부(20) 및 가스화부(10)는 동일하나 배가스를 가스화부(10)의 상부 돔 중앙에서 배출되도록 배출구(17)의 배출 위치가 달라지는 특성을 가진다. 배출구(17)의 중앙에서 배출될 경우, 가스화부(10)의 높이는 더 높아지지만, 가스화부(10) 내에서 퇴적부(60)을 통과한 가연성 물질 내에 포함된 탄화물의 부분산화 반응이 충분히 일어나고 미연탄소 성분이 배가스 내에 포함되어 배출될 가능성을 더 크게 억제할 수 있다. 특히, 제2 산화제 투입구(15)에 의해 형성되는 가스화부(10) 내의 선회류에 의해 탄화물의 배출을 억제가 더 용이하기 때문에, 배가스 내의 탄화물 배출량 억제 및 부분산화 반응 진행에 더 원활한 특성을 갖게 된다. 6 and 7, the plasma gasification furnace 300 according to the third embodiment has the same melting part 20 and gasification part 10 as in the first embodiment, but the exhaust gas of the gasification part 10. The discharge position of the discharge port 17 is varied so as to discharge from the center of the upper dome. When discharged from the center of the outlet 17, the height of the gasifier 10 is higher, but the partial oxidation reaction of the carbide contained in the combustible material passing through the deposit 60 in the gasifier 10 sufficiently occurs. It is possible to further suppress the possibility that the unburned carbon component is contained in the exhaust gas and discharged. In particular, since it is easier to suppress the emission of carbides by the swirl flow in the gasification unit 10 formed by the second oxidant inlet 15, it has a more smooth characteristics in suppressing the emission of carbides in the exhaust gas and progress of the partial oxidation reaction. do.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.
On the other hand, the embodiments disclosed in the specification and drawings are merely presented specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It is apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention can be carried out in addition to the embodiments disclosed herein.

10, 110 : 가스화부 13, 113 : 가연성 물질 투입구
15, 115 : 제2 산화제 투입구 17, 117 : 배출구
60, 160 : 퇴적부 20, 120 : 용융부
23 : 출탕구 25, 125 : 제1 산화제 투입구
30, 130 : 플라즈마 토치 모듈(가열수단) 35, 135 : 플라즈마 토치
40, 140 : 푸싱부 50 : 가연성 물질
51 : 용융물 53 : 합성가스
100, 200, 300 : 가스화 용융로
10, 110: gasification unit 13, 113: combustible material inlet
15, 115: second oxidant inlet 17, 117: outlet
60, 160: sedimentation part 20, 120: melting part
23: hot water outlet 25, 125: first oxidant inlet
30, 130: plasma torch module (heating means) 35, 135: plasma torch
40, 140: pushing section 50: flammable material
51: melt 53: syngas
100, 200, 300: gasification melting furnace

Claims (9)

가연성 물질이 다수의 공극을 두고 퇴적되는 퇴적부;
상기 퇴적부로부터 유입된 가연성 물질을 용융시키는 용융부; 및
상기 용융부와 직접 연통되지 않고 상기 퇴적부를 매개로 연결되며, 상기 용융부에서 생성된 가스가 상기 퇴적부의 공극을 통과하여 도달하는 가스화부;를 포함하고,
상기 퇴적부는 퇴적된 가연성 물질을 상기 용융부로 이송하는 푸싱부를 구비하며,
상기 가스화부는 제2 산화제 투입구를 구비하고,
상기 제2 산화제 투입구는 산화제가 상기 가스화부 내에서 선회할 수 있도록 하는 위치에 구비되는, 가스화 용융로.
A deposit in which flammable material is deposited with a plurality of voids;
A melting part for melting the combustible material introduced from the deposition part; And
And a gasification unit connected to the deposition unit without directly communicating with the melting unit, wherein a gas generated in the melting unit reaches through the pores of the deposition unit.
The deposition unit includes a pushing unit for transferring the accumulated combustible material to the melting unit,
The gasifier has a second oxidant inlet,
And the second oxidant inlet is provided at a position to allow oxidant to pivot in the gasifier.
청구항 1에 있어서, 상기 퇴적부에 상기 가연성 물질을 공급하는 가연성 물질 투입구를 더 포함하는 가스화 용융로.
The gasification melting furnace of claim 1, further comprising a combustible material inlet for supplying the combustible material to the deposition portion.
청구항 1에 있어서, 상기 용융부는 상기 퇴적부의 측면으로 연통되고 상기 가스화부는 상기 퇴적부의 상부로 연통되는 가스화 용융로.
The gasification melting furnace of claim 1, wherein the melting portion communicates with the side of the deposition portion and the gasification portion communicates with the upper portion of the deposition portion.
청구항 1에 있어서, 상기 용융부의 가열수단은 플라즈마 토치인 가스화 용융로.
The gasification melting furnace of claim 1, wherein the heating means of the melting part is a plasma torch.
청구항 1에 있어서, 상기 용융부는 제1 산화제 투입구를 구비한 가스화 용융로.
The gasification melting furnace of claim 1, wherein the melting part has a first oxidant inlet.
청구항 1에 있어서, 상기 용융부의 하부에는 용융물이 배출되는 출탕구가 구비된 가스화 용융로.
The gasification melting furnace of claim 1, wherein a lower portion of the melting portion is provided with a hot water outlet through which the melt is discharged.
삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 가스화부는 내부에 합성 가스의 착화 및 연소 상태의 유지를 위하여 파일럿 버너를 더 구비하는 가스화 용융로.
The gasification melting furnace of claim 1, wherein the gasification unit further includes a pilot burner to maintain the ignition of the synthesis gas and the combustion state therein.
청구항 1에 있어서, 상기 가스화부의 상부에는 합성 가스가 배출되는 배출구를 구비하는 가스화 용융로.The gasification melting furnace of claim 1, further comprising a discharge port through which the synthesis gas is discharged.
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