KR101321628B1 - Plastic substrate and element containing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명에는 플라스틱 필름, 반사성 및/또는 전기전도성 금속막, 및 전도성 물질이 분산된 수지층을 포함하는 플라스틱 기판을 개시한다. 이는 투과형 전자 종이 표시소자 및 디스플레이 장치의 하부기판으로 유용하다.The present invention discloses a plastic substrate comprising a plastic film, a reflective and / or electrically conductive metal film, and a resin layer in which a conductive material is dispersed. This is useful as a lower substrate of a transmissive electronic paper display device and a display device.

Description

플라스틱 기판 및 이를 포함하는 소자{Plastic substrate and element containing the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a plastic substrate,

본 발명은 플라스틱 기판 및 이를 포함하는 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자 종이 표시소자 및 디스플레이 장치용 플라스틱 기판 및 투명전극에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a plastic substrate and a device including the plastic substrate, and more particularly to a plastic substrate and a transparent electrode for an electronic paper display device and a display device.

전자 종이 표시소자 및 액정 표시 장치 뿐만 아니라, 대부분의 액정 표시 장치는 종래에는 상, 하부 기판으로 유리 기판을 사용하여 왔으며, 경량화를 구현하기 위하여 상하 유리기판의 두께가 점차 감소되고 있다. 그러나 현재에는 기판의 두께가 한계에 다다르고 있음에도 불구하고 만족할 만큼의 경량을 얻기 어려워 기판의 소재를 바꾸고자 연구노력하고 있으며, 이의 일환으로 유리 기판 대신 유리보다 경량인 플라스틱 기판을 사용하는 기술이 제안되었다.Most liquid crystal display devices, as well as electronic paper display devices and liquid crystal display devices, have conventionally used glass substrates as the upper and lower substrates, and the thickness of the upper and lower glass substrates is gradually decreasing to realize weight reduction. However, despite the fact that the thickness of the substrate is now at its limit, it is difficult to obtain a satisfactory light weight. Therefore, a study has been made to change the material of the substrate. As a part of this, a technique of using a plastic substrate .

그러나 플라스틱 기판은 어레이 패턴 형성 공정, 컬러 필터 형성 공정 등을 진행할 때 열적, 화학적, 기계적 손상을 많이 입어 액정 표시 장치의 화질 특성을 저하시킬 수 있다.However, the plastic substrate may suffer from thermal, chemical, and mechanical damages during the array pattern forming process, the color filter forming process, and the like, thereby degrading the image quality characteristics of the liquid crystal display.

통상 플라스틱 기판을 포함하는 액정표시소자의 일예를 도 1의 (a)로 간략히 도시하였는바, 구체적으로는 플라스틱으로 형성된 상부 및 하부기판(1)과; 상기 상부 및 하부기판 상에 소자의 구동 전압을 인가하고 투명전극으로 형성된 상부 및 하부 전극(11)과; 상기 상부 및 하부기판 간격을 일정하게 유지하고, 이층 구조로 형성된 격벽(140)과; 상기 격벽 입자에 의해 형성된 셀에 주입된 대전입자 또는 액정층(150)을 포함할 수 있다. 이때 상부기판으로 사용되는 플라스틱 절연기판의 외측면에 형성되는 편광판 및 하부 기판 외측면에 형성되는 반사판 및 투과형 기판을 포함할 수 있고, 상부 플라스틱 절연 기판에는 단위 화소를 한정하도록 블랙 매트릭스가 형성될 수 있고, 블랙 매트릭스로 둘러싸인 공간에는 컬러 필터가 구비될 수 있다. 한편, 하부 기판에는 단위 화소별로 스위칭 소자와 화소 전극이 구비될 수 있다.An example of a liquid crystal display device generally including a plastic substrate is briefly illustrated in FIG. 1A, specifically, upper and lower substrates 1 formed of plastic; Upper and lower electrodes (11) formed of transparent electrodes by applying a driving voltage of the device on the upper and lower substrates; A barrier rib (140) formed in a two-layer structure to keep the gap between the upper and lower substrates constant; And a charged particle or liquid crystal layer 150 injected into the cell formed by the barrier rib particles. A polarizing plate formed on an outer surface of a plastic insulating substrate used as an upper substrate, and a reflective plate and a transmissive substrate formed on an outer surface of the lower substrate. A black matrix may be formed on the upper plastic insulating substrate to define unit pixels. And a color filter may be provided in a space surrounded by the black matrix. On the other hand, a switching element and a pixel electrode may be provided for each unit pixel on the lower substrate.

또 다른 평판 디스플레이 장치의 일예로 유기 EL 소자의 단면도를 도 1의 (b) 내지 (c)로 도시하였는바, 이 또한 기판(1) 상에 투명전극(110) 또는 반사형 전극(113)이 형성된 구조를 갖는다. 1 (b) to 1 (c) show a cross-sectional view of an organic EL element as an example of another flat panel display device. In addition, a transparent electrode 110 or a reflective electrode 113 is formed on a substrate 1 Lt; / RTI >

플라스틱 기판을 도입함에 따라 소자의 두께가 얇아지고 경량화되기는 하였으나, 최종 적용 제품의 화질 특성 저하를 억제하면서도 보다 여러 기능들을 집적화하여 소자의 두께를 얇게 하고 경량화하고자 하는 노력이 여전히 요구되고 있다. Though the thickness of the device is thinned and lightened by introducing the plastic substrate, efforts to reduce the thickness and weight of the device by integrating various functions while suppressing deterioration of the image quality of the final application product are still required.

한편 반사형의 액정 표시 장치에서는, 외광을 반사하여 조도를 얻기 때문에, 외광을 확산 반사시키기 위한 반사재를 구비하고 있다. 반사재를 구비하는 형태에 따라, 반사재를 기판의 액정층 측과 반대측 면에 형성하는 외부부착 반사재 방식과, 반사재를 기판의 액정층측 면에 형성하는 내부부착 반사재 방식이 있다.On the other hand, in the reflective liquid crystal display device, since illuminance is obtained by reflecting external light, a reflective material for diffusing and reflecting external light is provided. According to the aspect provided with a reflector, there exist an external reflector system which forms a reflector in the surface on the opposite side to the liquid-crystal layer side of a board | substrate, and the internal-attachment reflector system which forms a reflector in the liquid crystal layer side surface of a board | substrate.

외부부착 반사재 방식은 반사재가 기판의 액정층측의 반대측 면에 형성되므로, 외부로부터 입사된 광은 반사재에서 확산 반사되고, 반사된 광은 기판을 투과하고 나서 액정층을 투과하여 표시 화면에서 외부로 출사된다. 이 때, 반사광이 기판 두께의 영향을 받음으로 시차가 생기고, 이로 인해 액정 표시되는 화상이 이중으로 되거나, 색 표시가 혼색으로 되는 등의 화상 흐려짐이 발생한다.In the external reflector method, since the reflector is formed on the opposite side of the liquid crystal layer side of the substrate, light incident from the outside is diffusely reflected by the reflector, and the reflected light passes through the substrate and then passes through the liquid crystal layer to exit from the display screen. do. At this time, parallax occurs because the reflected light is affected by the thickness of the substrate, which causes an image blur such as a double display of the liquid crystal display or a mixed color display.

한편, 내부부착 반사재 방식에서는, 반사재가 기판의 액정층측의 면에 형성되므로, 외부로부터 입사된 광은 반사재에서 확산 반사되고, 이 반사된 광은 기판을 투과하지 않고 액정층을 투과하여 표시 화면에서 외부로 출사된다. 이 경우 반사재와 액정층이 근접해 있고, 반사광이 기판 두께의 영향을 받지 않기 때문에, 시차가 생기지 않게 되어 화상 흐려짐이 발생하지 않게 된다. On the other hand, in the internal reflection material method, since the reflection material is formed on the surface of the liquid crystal layer side of the substrate, light incident from the outside is diffusely reflected by the reflection material, and the reflected light passes through the liquid crystal layer without passing through the substrate, It is emitted to the outside. In this case, since the reflecting material and the liquid crystal layer are close to each other, and the reflected light is not affected by the substrate thickness, parallax does not occur and image blurring does not occur.

기판이 플라스틱 기판인 경우, 즉 필름을 사용한 경우에는 두께를 유리보다 얇게 할 수 있으므로, 그만큼 시차는 거의 생기지 않는다. 그러나, 칼라 필터를 구비한 경우, 한 개의 화소가 3분의 1 크기의 칼라 도트로 분할되므로, 반사광이 단색인 경우보다 다른 도트를 통과하기 쉬워져, 필름 두께의 영향을 무시할 수 없게 된다.When a board | substrate is a plastic board | substrate, ie, when a film is used, thickness can be made thinner than glass, and the parallax hardly arises by that much. However, when a color filter is provided, one pixel is divided into color dots of a third size, so that the reflected light is more likely to pass through other dots than in the case of a single color, and the influence of the film thickness cannot be ignored.

따라서, 기판으로 필름을 사용한 경우에도, 특히 칼라화된 액정 표시 장치에서는 내부부착 반사재 방식으로 반사재를 구성할 필요성이 생긴다.Therefore, even when a film is used as the substrate, in particular, in the colored liquid crystal display device, there is a need to configure the reflector in an internally-attached reflector method.

그러나, 내부부착 반사재 방식의 액정 표시 장치는 구조가 복잡하여 제조가 곤란하게 될 우려가 있다. 특히 기판으로 필름을 사용한 경우 필름은 열이나 습도의 영향으로 신축을 일으키기 쉽고, 재료나 제조 공정의 조건이 제한된다. 이 때문 에, 기판으로서 필름을 사용한 내부부착 반사재 방식의 액정 표시 장치를, 설계 요구에 따라서 비용을 줄이고, 또한 고수율로 제조할 수 있는 제조 방법이 요망되고 있다.However, there is a fear that the liquid crystal display device of the internal reflection reflecting method is complicated in structure and difficult to manufacture. In particular, when the film is used as the substrate, the film is easily stretched due to the influence of heat and humidity, and the conditions of the material and the manufacturing process are limited. For this reason, the manufacturing method which can manufacture the liquid crystal display device of the internal reflection reflector system which used the film as a board | substrate according to a design request | requirement can reduce cost and high yield.

또한, 종래의 반사형이나 반투과형 액정 표시 장치의 반사재의 제조 방법은 포토마스크를 사용한 포토리소그래피에 의해, 레지스트 막 등의 수지의 표면에 요철을 형성하고, 이 요철면 위에 광을 반사하기 쉬운 금속막을 형성하여 반사재를 형성하는 방법이 제안되어 있다.In addition, the conventional reflective or semi-transmissive liquid crystal display manufacturing method of the reflective material is formed by photolithography using a photomask to form irregularities on the surface of the resin such as a resist film and to easily reflect light on the uneven surface. A method of forming a film to form a reflector has been proposed.

수지의 표면에 요철을 형성하는 다른 방법으로는, 미세한 입자를 분산시킨 수지에 의해 요철을 형성하는 방법(일본 특개평4-267220호 공보), 2개의 다른 성분으로 되는 수지의 경화시의 상분리를 이용하여 요철을 형성하는 방법(특개평12-193807호 공보) 및 광열경화형 수지 재료의 경화시의 내부 응력을 제어하여 요철을 형성하는 방법(특개평12-171792호 공보) 등이 알려져 있다.As another method of forming the irregularities on the surface of the resin, a method of forming the irregularities by the resin in which fine particles are dispersed (Japanese Patent Laid-Open No. H4-267220), phase separation at the time of curing the resin comprising two different components The method of forming an unevenness | corrugation by using it, and the method of forming an unevenness | corrugation by controlling the internal stress at the time of hardening of a light thermosetting resin material, and the like (JP-A-12-171792) are known.

그러나, 기재로서 필름을 사용한 내부부착 반사재 방식의 액정 표시 장치의 전극 기재를, 필름 상에 반사재 등을 직접 형성하여 제조하는 경우에는, 이하와 같은 문제가 있다; 반사재는 외광을 확산 반사하는 기능이 필요하기 때문에 표면에 요철을 구비하고 있다. 이 요철은 액정층의 면을 요철로 함으로써 되기 때문에, 액정 구동에 악영향을 미칠 염려가 있다. 이 때문에, 특별히, 고도의 평탄화를 행하는 기술이 필요하게 되어, 비용이 올라가고, 수율이 저하할 가능성이 있다. 또한, 반사재로 되는 금속막을 형성한 뒤에 투명 전극 등의 형성 공정에서의 약품 처리로, 먼저 형성한 반사재가 데미지(damage)를 입을 우려가 있다. 또한, 기재로 서 필름을 사용하기 때문에, 열이나 습도의 영향으로 필름에 신축이 발생하기 쉽고, 반사재 및 투명 전극 등의 재료나 제조 조건이 제한되므로, 설계 요구에 따른 액정 표시 장치를 제조함이 곤란해진다. 더욱이, 광원으로서, 백라이트 또는 외광에 의한 반사광을 모두 사용할 수 있는 반투과형의 액정 표시 장치의 전극 기재를, 필름 상에 반사재 등을 직접 형성하여 제조하는 경우 상기한 문제가 더욱 심화될 수 있다.However, when the electrode base material of the liquid crystal display device of the internal reflection type system using a film as a base material is produced by directly forming a reflector etc. on a film, there exist the following problems; Since the reflector needs the function to diffuse-reflect external light, the surface is provided with irregularities. Since this unevenness | corrugation is made by making the surface of a liquid crystal layer into unevenness, there exists a possibility that it may adversely affect liquid crystal drive. For this reason, the technique which performs a high leveling plan especially is needed, a cost rises and there exists a possibility that a yield may fall. Moreover, after forming the metal film used as a reflector, the chemical | medical agent process in the formation process of transparent electrodes etc. may cause damage to the reflector formed previously. In addition, since the film is used as the base material, the film is easily stretched under the influence of heat and humidity, and materials and manufacturing conditions such as reflectors and transparent electrodes are limited. It becomes difficult. In addition, the above-described problem may be further exacerbated when the electrode substrate of the transflective liquid crystal display device, which can use both the backlight and the reflected light by external light, is formed by directly forming a reflector or the like on the film.

반사재를 내부에 형성할 경우, 먼저 플라스틱 필름 위 전면에 금속막으로 되는 반사재를 형성한 뒤, 그 후의 공정에서 형성되는 투명 전극의 화소로 되는 부분에 대응하는 금속막으로 된 반사재 부분 중 그 화소로 되는 부분의 면적보다 작은 면적을, 백라이트가 투과할 수 있도록 정밀하게, 금속막으로 된 반사재를 제거할 필요가 있다. In the case of forming the reflector therein, first, a reflector made of a metal film is formed on the entire surface of the plastic film, and then the pixel of the reflector part made of a metal film corresponding to the part of the pixel of the transparent electrode formed in a subsequent step is applied to the pixel. It is necessary to remove the reflective material of the metal film precisely so that the backlight can transmit the area smaller than the area of the portion to be made.

그 후, 반사재 위쪽에 투명 전극을 형성할 때, 그 금속막으로 된 반사재를 제거한 부분에 투명 전극의 화소로 되는 부분이 겹쳐지도록, 투명 전극으로 되는 ITO를 성막하고, 그 ITO 상에 레지스트 막을 형성하여 정밀도 좋게 위치를 맞추어, 레지스트 막을 노광, 현상하고, ITO를 제거하여 투명 전극의 패턴을 형성할 필요가 있다. 즉, 이 경우 고도의 위치 맞춤 기술이 요구된다.Then, when forming a transparent electrode above a reflector, the ITO used as a transparent electrode is formed into a film so that the part used as the pixel of a transparent electrode may overlap with the part which removed the reflector made of the metal film, and a resist film is formed on this ITO. It is necessary to adjust the position precisely, to expose and develop the resist film, to remove ITO, and to form a pattern of the transparent electrode. In this case, a high degree of positioning technology is required.

그러나, 플라스틱으로 이루어진 필름은, 예를 들면, 수세 처리를 행하는 것만으로 신장이 발생하고, 이것을 건조시키면, 역으로 수축이 발생한다. 또한, 이들의 신축은 곧바로 안정되지 않고, 안정되기까지 장시간이 걸린다. 즉, 필름이 한번 수축하면, 필름 상에 형성된 패턴의 치수는 장시간 동안 신장이 발생하게 되어, 상 술한 것과 같은 위치 맞춤에 관련되는 재현성을 얻기가 곤란하다. However, in the film made of plastic, elongation occurs only by performing a water washing treatment, and when it is dried, shrinkage occurs in reverse. In addition, these expansion and contraction is not stabilized immediately, but it takes a long time to stabilize. That is, once the film shrinks, the dimension of the pattern formed on the film causes elongation for a long time, making it difficult to obtain reproducibility related to alignment as described above.

따라서, 필름 상에 반사재나 투명 전극 등을 직접 형성함으로써, 반투과형의 액정 표시 장치를 제조함은 곤란하다.Therefore, it is difficult to manufacture a transflective liquid crystal display device by directly forming a reflector, a transparent electrode, etc. on a film.

또한, 종래의 반사(반투과)형 액정 표시 장치의 반사재의 제조 방법에서는 다음과 같은 문제가 있다. In addition, the conventional method of manufacturing a reflector of a reflective (transflective) type liquid crystal display device has the following problems.

포토리소그래피에 의해 레지스트 막 등의 수지의 표면에 요철을 형성하는 방법은 반사재의 요철의 패턴을 평면 방향으로 단순히 반복하는 패턴으로 하면 반사재가 회절 격자로서 작용하게 되므로, 액정 표시화면을 관찰했을 때에, 무지개 색으로 발색하거나, 배선이나 블랙 매트릭스 등의 다른 반복 패턴과의 위치 관계의 미묘한 차이에 의해, 이른바 무아레(moire) 줄무늬가 보이는 등 표시상의 불량이 발생할 우려가 있다. 이 때문에, 요철의 패턴을 형성하기 위한 포토마스크의 설계에서, 통상의 화소 패턴과 같은 단순한 반복 패턴을 사용할 수 없고, 번잡하고 곤란한 설계를 행할 필요가 있다. 이와 같이, 통상의 포토리소그래피에 의해 적당한 확산능을 가진 반사재를 형성하는 것은 용이하지 않다.In the method of forming irregularities on the surface of a resin such as a resist film by photolithography, the reflective material acts as a diffraction grating when the pattern of irregularities of the reflective material is simply repeated in the planar direction. Display defects may occur, such as color development in rainbow colors or subtle differences in positional relationships with other repetitive patterns such as wiring and black matrices, so-called moire stripes. For this reason, in the design of the photomask for forming the uneven pattern, it is not possible to use a simple repetitive pattern like a normal pixel pattern, and it is necessary to perform a complicated and difficult design. As such, it is not easy to form a reflector having a suitable diffusivity by ordinary photolithography.

또한, 일본 특개평 4-267220호 공보에 기재된 방법은 수지 중에 그 수지와는 다른 재료의 입자를 분산시키는 것이고, 일본 특개평12-193807호 공보에 기재된 방법은 2개의 다른 수지의 경화시의 상분리를 이용한 것이고, 일본 특개평12-171792호 공보에 기재되어 있는 방법은 수지의 표면측의 일부를 경화하고, 그 내부가 미경화가 되도록 노광이나 소성을 행하여 요철을 형성하는 것이다. 이러한 종래의 반사재의 제조 방법에 의해, 반사재를 막 두께가 50∼200㎛인 플라스틱 필름 상 에 직접 형성하는 경우, 수지 경화시의 응력에 의해 플라스틱 필름에 휨이 발생하기 쉽다. In addition, the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 4-267220 is disperse | distributing particle | grains of material different from the resin in resin, and the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 12-193707 is phase separation at the time of hardening two different resins. The method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 12-171792 discloses that part of the surface side of the resin is cured and exposed or baked so as to be uncured, thereby forming irregularities. When the reflective material is directly formed on a plastic film having a film thickness of 50 to 200 µm by such a conventional method for producing a reflective material, warpage is likely to occur in the plastic film due to the stress at the time of curing the resin.

또한, 상기한 제조 방법으로 제조된 반사재는, 각각 수지와 입자의 계면이나 상분리한 계면을 경계로 하여 실질적으로 굴절률이 다른 재료로 구성되게 된다. 반사재의 요철면이 전극 기재의 액정층 측의 반대측의 면에 형성되는 경우, 편광판에 편광된 입사광이, 액정층을 통해서 반사재의 굴절률이 다른 재료의 계면을 투과하고 나서 금속막에 의해 반사된다.In addition, the reflecting material manufactured by the above-mentioned manufacturing method is comprised from the material with which refractive index differs substantially with the interface of resin and particle | grains, or the interface separated from each other. When the uneven surface of the reflecting material is formed on the surface on the opposite side of the liquid crystal layer side of the electrode substrate, incident light polarized on the polarizing plate is reflected by the metal film after passing through the interface of the material with different refractive indexes of the reflecting material through the liquid crystal layer.

이 때, 편광된 입사광 및 금속막에서 산란된 반사광이, 굴절률이 다른 재료의 계면에서 굴절함에 기인하여 광의 편광도가 저하하는 편광소멸 효과가 발생하기 쉽다. 이에 의해, 상술한 것과 같은 구성으로 배치된 반사재를 액정 표시 장치에 적용한 경우, 액정 표시화면의 콘트라스트비가 저하하는 등의 문제가 발생하기 쉽다.At this time, the polarization extinction effect which the polarization degree of light falls easily arises because polarized incident light and the reflected light scattered from the metal film are refracted at the interface of materials with different refractive index. Thereby, when applying the reflecting material arrange | positioned with the structure as mentioned above to a liquid crystal display device, problems, such as the contrast ratio of a liquid crystal display screen, fall easily.

본 발명은 전기전도성을 향상시키고 자체적으로 보조전극 역할을 수행할 수 있는 플라스틱 기판을 제공하고자 한다.The present invention provides a plastic substrate which can improve the electrical conductivity and can serve as an auxiliary electrode by itself.

본 발명의 일 구현예에서는 전기전도성을 향상시키고 자체적으로 보조전극 역할을 수행할 수 있으면서도 후면으로부터 입사되는 광의 투과도를 저해하지 않는 플라스틱 기판을 제공하고자 한다.One embodiment of the present invention to provide a plastic substrate that can improve the electrical conductivity and can serve as an auxiliary electrode itself, but does not inhibit the transmittance of light incident from the rear surface.

본 발명의 일 구현예에서는 금속막을 포함하면서도 밴딩시 균열이 발생되지 않는 플라스틱 기판을 제공하고자 한다.In one embodiment of the present invention to provide a plastic substrate including a metal film but no cracking when bending.

본 발명의 일 구현예에서는 전극을 외부로부터 보호하면서도 전기전도성이 보다 향상된 투명전극 필름을 제공하고자 한다. In one embodiment of the present invention to provide a transparent electrode film with improved electrical conductivity while protecting the electrode from the outside.

본 발명은 또한 금속막 상에 도전성 물질이 포함된 유기 보호층을 코팅 경화하는 방법으로 보호층 또는 전극층을 도입함으로써 기존 투명전극인 ITO의 증착공정에서 발생하는 고온에 따른 필름의 치수 변화를 방지할 수 있는 플라스틱 기판을 제공하고자 한다. The present invention also prevents the dimensional change of the film due to the high temperature generated in the deposition process of the existing transparent electrode ITO by introducing a protective layer or an electrode layer by coating and curing the organic protective layer containing a conductive material on the metal film. To provide a plastic substrate that can be.

본 발명은 고광투과성을 이용하여 고대비비의 선명한 화질을 갖는 플라스틱 기판을 이용한 전자종이 표시소자 및 액정 표시 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an electronic paper display device and a liquid crystal display device using a plastic substrate having a high contrast sharp image quality using high light transmittance.

본 발명은 또한 상기와 같은 플라스틱 기판을 하부 기판으로 포함하여 경량화된 전자종이, 액정 표시 장치 소자 및 유기 발광 소자를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an electronic paper, a liquid crystal display device, and an organic light emitting device that are lightened by including the plastic substrate as the lower substrate.

본 발명의 일 구현예에서는 플라스틱 필름; 반사성 및/또는 전기전도성 금속 막; 및 전도성 물질이 분산된 수지층을 포함하는 플라스틱 기판을 제공한다. In one embodiment of the present invention, a plastic film; Reflective and / or electrically conductive metal films; And a resin layer in which a conductive material is dispersed.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에서 금속막은 알루미늄, 티타늄, 은, 백금, 마그네슘, 텅스텐, 팔라듐 및 이의 합금, 인듐-주석 산화물(ITO) 및 인듐-아연 산화물(IZO) 중 선택되는 단일층 또는 다층의 반사성 금속막일 수 있다. 바람직한 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에서 반사성 금속막은 알루미늄, 마그네슘 및 이들의 합금 중에서 선택되는 것일 수 있다. 다른 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에서 반사성 금속막은 알루미늄, 마그네슘 및 이들의 합금 중에서 선택되는 하부금속막과; 인듐-주석 산화물 또는 인듐-아연 산화물로 되는 상부금속막으로 되는 것일 수 있다. In the plastic substrate according to the embodiment of the present invention, the metal film is a single layer selected from aluminum, titanium, silver, platinum, magnesium, tungsten, palladium and alloys thereof, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). Or a multilayer reflective metal film. In the plastic substrate according to a preferred embodiment, the reflective metal film may be selected from aluminum, magnesium, and alloys thereof. In another embodiment, the reflective metal film may include a lower metal film selected from aluminum, magnesium, and an alloy thereof; It may be an upper metal film of indium tin oxide or indium zinc oxide.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에서 반사성 금속막은 두께가 10 내지 1,000nm일 수 있고, 좋기로는 두께가 50 내지 300nm인 것일 수 있다. In the plastic substrate according to the embodiment of the present invention, the reflective metal film may have a thickness of 10 to 1,000 nm, and preferably, a thickness of 50 to 300 nm.

본 발명의 다른 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에서 금속막은 마그네슘, 바륨, 금, 알루미늄, 티타늄, 은, 백금, 탄탈륨 및 팔라듐 중 선택되는 단독, 이들의 합금 또는 산화물; 인듐-주석 산화물 및 인듐-아연 산화물 중에서 선택되는 전기전도성 금속막일 수 있다. In the plastic substrate according to another embodiment of the present invention, the metal film may be selected from magnesium, barium, gold, aluminum, titanium, silver, platinum, tantalum and palladium alone, alloys or oxides thereof; It may be an electrically conductive metal film selected from indium tin oxide and indium zinc oxide.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에서 전기전도성 금속막은 인듐-주석 산화물 또는 인듐-아연 산화물일 수 있다. In the plastic substrate according to the exemplary embodiment of the present invention, the electrically conductive metal film may be indium tin oxide or indium zinc oxide.

구체적인 일 구현예에 있어서 전기전도성 금속막은 마그네슘, 바륨 및 금 중에서 선택되는 단독 또는 이들의 산화물로 되는 것일 수 있고, 다른 일예로 전기전도성 금속막은 인듐-주석 산화물로 되는 것일 수 있다. In a specific embodiment, the electroconductive metal film may be one selected from magnesium, barium and gold, or an oxide thereof, and in another example, the electroconductive metal film may be indium tin oxide.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에 있어서 전기전도성 금속막은 두께가 1 내지 300nm인 것일 수 있다. In the plastic substrate according to the embodiment of the present invention, the electrically conductive metal film may have a thickness of 1 to 300 nm.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에 있어서 전기전도성 금속막은 두께가 1 내지 100nm인 것일 수 있다. 좋기로는 전기전도성 금속막은 두께가 1 내지 50nm일 수 있다. In the plastic substrate according to the embodiment of the present invention, the electrically conductive metal film may have a thickness of 1 to 100 nm. Specifically, the electrically conductive metal film may have a thickness of 1 to 50 nm.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에 있어서 금속막은 가스 차단막 또는 수분차단막일 수 있다. In the plastic substrate according to the embodiment of the present invention, the metal film may be a gas barrier film or a moisture barrier film.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에 있어서 플라스틱 필름은 폴리이미드계 필름일 수 있다. In the plastic substrate according to an embodiment of the present invention, the plastic film may be a polyimide film.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에 있어서 플라스틱 필름은 필름 두께 50~100㎛를 기준으로 열기계분석법에 의해 50 내지 250℃ 범위에서 측정한 평균 선팽창계수(CTE)가 50.0ppm/℃이하이고 황색도가 15 이하인 폴리이미드 필름일 수 있다. In the plastic substrate according to the embodiment of the present invention, the plastic film has an average linear expansion coefficient (CTE) of 50.0 ppm / ° C. or less measured in a range of 50 to 250 ° C. by thermomechanical analysis based on a film thickness of 50 to 100 μm. It may be a polyimide film having a yellowness of 15 or less.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에 있어서 플라스틱 필름은 필름 두께 50~100㎛를 기준으로 UV 분광광도계로 색좌표를 측정하였을 때 L값이 90이상이고, a값이 5이하이며, b값이 5이하인 폴리이미드 필름일 수 있다. In the plastic substrate according to the embodiment of the present invention, the plastic film has an L value of 90 or more, a value of 5 or less, and b value of the color coordinate measured by a UV spectrophotometer based on a film thickness of 50 to 100 μm. It may be a polyimide film of 5 or less.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판은 금속막 상에 형성되는 보호층을 더 포함할 수 있다. 이때 보호층은 두께 50~100㎛를 기준으로 열기계분석법에 의해 50 내지 250℃ 범위에서 측정한 평균 선팽창계수(CTE)가 50.0ppm/℃이하이고 황색도가 15 이하인 폴리이미드층일 수 있다. 또한 보호층은 두께 50~100㎛를 기준 으로 UV 분광광도계로 투과도를 측정하였을 때 380 내지 780nm에서의 평균 투과도가 85% 이상인 폴리이미드층일 수 있다. 또 다른 일예로 보호층은 두께 50~100㎛를 기준으로 UV 분광광도계로 투과도를 측정하였을 때 550nm에서 투과도가 88% 이상이고, 420nm에서 투과도가 70% 이상인 폴리이미드층일 수 있다. The plastic substrate according to the embodiment of the present invention may further include a protective layer formed on the metal film. In this case, the protective layer may be a polyimide layer having an average linear expansion coefficient (CTE) of 50.0 ppm / ° C. or less and a yellowness of 15 or less, measured in the range of 50 to 250 ° C. by thermomechanical analysis based on a thickness of 50 to 100 μm. In addition, the protective layer may be a polyimide layer having an average transmittance of 85% or more at 380 to 780 nm when the transmittance is measured by a UV spectrophotometer based on a thickness of 50 ~ 100㎛. As another example, the protective layer may be a polyimide layer having a transmittance of 88% or more at 550 nm and a transmittance of 70% or more at 420 nm when the transmittance is measured by a UV spectrophotometer based on a thickness of 50 to 100 μm.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에 있어서, 전도성 물질은 탄소나노튜브 또는 인듐-주석 산화물 분말일 수 있다. In the plastic substrate according to the embodiment of the present invention, the conductive material may be carbon nanotubes or indium-tin oxide powder.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에 있어서, 전도성 물질이 분산된 수지층은 전도성 물질이 분산된 폴리이미드 바니쉬로부터 형성되는 것일 수 있다. In the plastic substrate according to the embodiment of the present invention, the resin layer in which the conductive material is dispersed may be formed from a polyimide varnish in which the conductive material is dispersed.

구체적인 일 구현예에서 전도성 물질이 분산된 수지층은 폴리이미드 수지 고형분 함량 100중량부에 대해 0.001 내지 1 중량부의 탄소나노튜브를 함유하는 폴리이미드 바니쉬로부터 형성되는 것일 수 있다. In a specific embodiment, the resin layer in which the conductive material is dispersed may be formed from a polyimide varnish containing 0.001 to 1 parts by weight of carbon nanotubes based on 100 parts by weight of the polyimide resin solid content.

구체적인 일 구현예에서 전도성 물질이 분산된 수지층은 폴리이미드 수지 고형분 함량 100중량부에 대해 2 내지 100 중량부의 인듐-주석 산화물 분말을 함유하는 폴리이미드 바니쉬로부터 형성되는 것일 수 있다. In a specific embodiment, the resin layer in which the conductive material is dispersed may be formed from a polyimide varnish containing 2 to 100 parts by weight of indium tin oxide powder based on 100 parts by weight of the polyimide resin solid content.

이때, 인듐-주석 산화물 분말은 산화인듐 80 내지 95중량%와 산화주석 5 내지 20중량%를 함유하는 것일 수 있다.In this case, the indium-tin oxide powder may contain 80 to 95% by weight of indium oxide and 5 to 20% by weight of tin oxide.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판에 있어서 전도성 물질이 분산된 수지층은 두께가 10nm 내지 25um일 수 있다. In the plastic substrate according to the embodiment of the present invention, the resin layer in which the conductive material is dispersed may have a thickness of 10 nm to 25 μm.

본 발명의 다른 일 구현예에 의한 플라스틱 기판은 플라스틱 필름의 적어도 일면에 내화학층을 포함하는 것일 수 있다. 이때 내화학층은 아크릴계 수지, 에폭 시계 수지, 폴리실라잔 및 폴리이미드계 수지 중 선택되는 적어도 1종의 수지층일 수 있다. Plastic substrate according to another embodiment of the present invention may be to include a chemical resistant layer on at least one side of the plastic film. In this case, the chemical resistant layer may be at least one resin layer selected from acrylic resin, epoxy resin, polysilazane and polyimide resin.

본 발명의 다른 일 구현예에 의한 플라스틱 기판은 플라스틱 필름의 하부 또는 금속막의 하부에 형성되는, 무기물층을 포함하는 것일 수 있다. Plastic substrate according to another embodiment of the present invention may be to include an inorganic layer, which is formed on the lower portion of the plastic film or the lower portion of the metal film.

이때, 무기물층은 SiNx, AlxOy, SiOx 중 선택되는 적어도 1종의 무기물을 포함하는 단일층 또는 다층의 것일 수 있다. In this case, the inorganic layer may be a single layer or a multilayer including at least one inorganic material selected from SiNx, AlxOy, and SiOx.

본 발명의 다른 일 구현예에 의한 플라스틱 기판은 전도성 물질이 분산된 수지층 상부 또는 하부 면에 형성되는 금속 산화막층을 포함하는 것일 수 있다. The plastic substrate according to another embodiment of the present invention may include a metal oxide layer formed on the upper or lower surface of the resin layer in which the conductive material is dispersed.

이때 금속 산화막층은 AgO로 이루어진 층일 수 있다. In this case, the metal oxide layer may be a layer made of AgO.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판은 500nm 파장의 광투과도가 50% 이상인 것일 수 있다. 또한 표면저항이 2.5× 106Ω/sq. 이하인 것일 수 있다. The plastic substrate according to one embodiment of the present invention may have a light transmittance of 50% or more at 500 nm wavelength. In addition, the surface resistance is 2.5 × 10 6 Ω / sq. It may be the following.

본 발명의 다른 일 구현예에서는 플라스틱 필름; 플라스틱 필름 상에 형성되며 소정의 패턴으로 되는 인듐-주석 산화물 또는 인듐-아연 산화물 박막; 및 인듐-주석 산화물 또는 인듐-아연 산화물 박막 상에 형성되는, 전도성 물질이 분산된 수지층을 포함하는 투명전극 필름을 제공한다. 이때 전도성 물질은 탄소나노튜브 또는 인듐-주석 산화물 분말일 수 있다.In another embodiment of the present invention, a plastic film; An indium tin oxide or indium zinc oxide thin film formed on a plastic film and having a predetermined pattern; And a resin layer in which a conductive material is dispersed, which is formed on an indium tin oxide or an indium zinc oxide thin film. In this case, the conductive material may be carbon nanotube or indium-tin oxide powder.

본 발명의 일 구현예에 있어서 투명전극 필름은 500nm 파장의 광투과도가 50% 이상인 것일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the transparent electrode film may have a light transmittance of 50% or more at a wavelength of 500 nm.

본 발명의 일 구현예에 있어서 투명전극 필름은 표면저항이 700Ω/sq. 이하 인 것일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the transparent electrode film has a surface resistance of 700Ω / sq. It may be below.

본 발명의 예시적인 일 구현예에서는 상기 구현예들에 의한 플라스틱 기판을 하부 기판으로 포함하는 투과형 전자 종이 소자를 제공한다. An exemplary embodiment of the present invention provides a transmissive electronic paper device including a plastic substrate according to the embodiments as a lower substrate.

본 발명의 다른 예시적인 일 구현예에서는 상기 구현예들에 의한 플라스틱 기판을 하부 기판으로 포함하는 디스플레이 장치 소자를 제공한다.Another exemplary embodiment of the present invention provides a display device device including the plastic substrate according to the embodiments as a lower substrate.

본 발명의 다른 예시적인 일 구현예에서는 상기 구현예들에 의한 플라스틱 기판을 하부 기판으로 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. Another exemplary embodiment of the present invention provides an organic light emitting device including the plastic substrate according to the embodiments as a lower substrate.

본 발명의 일 구현예에 따른 플라스틱 기판은 전기전도성이 향상되고 또한 투과도의 저해가 없으며 금속막으로 인한 필름의 균열 발생 등이 없는 기판이다. The plastic substrate according to the embodiment of the present invention is a substrate having improved electrical conductivity, no inhibition of transmittance, and no cracking of the film due to the metal film.

또한 본 발명의 일 구현예에 따른 플라스틱 기판은 반사성 금속막을 구비함으로써, 이를 내부부착 반사재 방식의 형태로 적용하면, 일예로 액정표시장치 외부로부터 입사된 광이 플라스틱 필름 상에 형성된 금속막에서 확산 반사되고, 반사된 광이 플라스틱 필름을 투과하지 않기 때문에 시차가 생기기 어렵게 되어 화상 흐려짐이 없는 선명한 화상을 얻을 수 있고, 외부의 공기나 수분 뿐만 아니라 필름 자체에 함유되는 공기나 수분을 금속막이 차단할 수 있어 특별히 플라스틱 필름의 액정층 측의 면에 가스 배리어층을 형성할 필요가 없으므로 더욱 비용을 줄일 수 있고 또한 수율을 향상시킬 수 있다. In addition, the plastic substrate according to the embodiment of the present invention is provided with a reflective metal film, and when applied in the form of an internal reflection material, for example, light incident from the outside of the liquid crystal display device is diffusely reflected from the metal film formed on the plastic film. Since the reflected light does not penetrate the plastic film, parallax is hardly generated, and a clear image without image blurring can be obtained, and the metal film can block not only external air or moisture but also air or moisture contained in the film itself. In particular, since it is not necessary to form a gas barrier layer on the side of the liquid crystal layer side of the plastic film, the cost can be further reduced and the yield can be improved.

이러한 본 발명의 일 구현예들에 의한 플라스틱 기판은 전자종이 표시소자 및 액정표시장치 등에 있어서 하부 기판으로 유용하며, 이를 하부 기판으로 포함함 에 따라 해당 표시소자의 경량화를 가능케 할 수 있다. The plastic substrate according to one embodiment of the present invention is useful as a lower substrate in an electronic paper display device, a liquid crystal display device, and the like, and as a lower substrate, the plastic substrate can reduce the weight of the display device.

이하 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명은 전자 종이 표시소자 및 디스플레이 장치 등에 이용되는 플라스틱 기판에 관한 것으로, 일 구현예에 의하면 투과형 전자 종이 표시소자 및 디스플레이 장치 등에 있어서 투과기능 및 전극기능을 수행할 수 있는 플라스틱 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a plastic substrate used for an electronic paper display device, a display device, and the like, and, according to an embodiment, relates to a plastic substrate capable of performing a transmission function and an electrode function in a transmission type electronic paper display device and a display device.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판의 일예를 도 2로 도시하였는바, 이를 참조하면 플라스틱 필름(100); 상기 플라스틱 필름 상에 배치되며 전도성 기능을 갖는 금속막(110), 금속막의 표면 상에 형성되는 전도성 물질이 분산된 수지층(120)을 포함한다. 후술하는 다른 일 구현예에 의한 플라스틱 기판의 경우 전도성 기능을 갖는 금속막(110)은 반사성 금속막 내지는 전도성이면서 반사성인 금속막일 수 있다. 2 shows an example of a plastic substrate according to an embodiment of the present invention, referring to the plastic film 100; A metal film 110 disposed on the plastic film and having a conductive function, and a resin layer 120 on which a conductive material formed on the surface of the metal film is dispersed. In the case of the plastic substrate according to another embodiment, which will be described later, the metal film 110 having a conductive function may be a reflective metal film or a conductive and reflective metal film.

플라스틱 필름(100) 상에 직접 증착을 통해 금속막을 형성하는 경우 또는 필름 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 올리는 공정(TFT ARRAY)을 수행하는 경우 등의 후속 공정에 있어서, 필름은 열이나 습도의 영향으로 신축을 일으킬 수 있다. 이에 따라 후속 공정 조건이 제한되거나, 후속 층이나 부재와의 얼라인먼트(Allignment)가 맞지 않거나, 또는 필름이 수평(평탄화)성을 유지하지 못해서 휨 현상이 발생할 수 있으므로, 플라스틱 기판을 구성하는 플라스틱 필름(100)은 유리전이온도가 250 ℃ 이상이고 선팽창계수가 작을수록 유리하며, 구체적으로는 필름 두께 50~100㎛를 기준으로 열기계분석법(Thermomechanical Analyzer)에 의해 50 내지 250℃ 범위에서 측정한 평균 선팽창계수(CTE)가 50.0ppm/℃이하, 좋기로는 35.0ppm/℃ 이하인 고내열성 필름인 것이 유리할 수 있다. 이의 일예로는 폴리이미드 필름을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In a subsequent process such as a case where a metal film is formed directly on the plastic film 100 by vapor deposition or a process (TFT ARRAY) of raising a thin film transistor (TFT) on the film, Can cause expansion and contraction. As a result, the plastic film constituting the plastic substrate may be limited due to limited process conditions, misalignment with subsequent layers or members, or failure to maintain horizontal (flattening) film. 100) is advantageous as the glass transition temperature is 250 ° C. or higher and the coefficient of linear expansion is small. Specifically, the average linear expansion measured in the range of 50 to 250 ° C. by the Thermomechanical Analyzer based on the film thickness of 50 to 100 μm. It may be advantageous that the coefficient (CTE) is a high heat resistant film having 50.0 ppm / ° C. or less, preferably 35.0 ppm / ° C. or less. Examples thereof include, but are not limited to, polyimide films.

또한 투과성 측면에서 무색투명한 플라스틱 필름, 구체적으로는 필름 두께 50~100㎛를 기준으로 황색도가 15 이하인 폴리이미드 필름이 바람직할 수 있다. 또한 필름 두께 50~100㎛를 기준으로 UV 분광광도계로 투과도를 측정하였을 때 380 내지 780nm에서의 평균 투과도가 85% 이상인 폴리이미드 필름을 플라스틱 필름으로 이용할 수 있다. 이와 같은 투과성을 만족하는 경우 투과형 전자 종이 및 액정표시장치용의 플라스틱 기재로 사용가능하다. 더욱이 플라스틱 필름은 필름 두께 50~100㎛를 기준으로 UV 분광광도계로 투과도를 측정하였을 때 550nm에서 투과도가 88% 이상, 420nm에서 투과도가 70% 이상인 폴리이미드 필름일 수 있다. In view of transparency, a colorless transparent plastic film, specifically a polyimide film having a yellow degree of 15 or less based on a film thickness of 50 to 100 mu m, may be preferable. Also, a polyimide film having an average transmittance of 85% or more at 380 to 780 nm can be used as a plastic film when the transmittance is measured using a UV spectrophotometer based on a film thickness of 50 to 100 μm. When such transparency is satisfied, it can be used as a transparent electronic paper and a plastic substrate for a liquid crystal display device. Moreover, the plastic film may be a polyimide film having a transmittance of at least 88% at 550 nm and a transmittance of at least 70% at 420 nm when the transmittance is measured by a UV spectrophotometer based on a film thickness of 50 to 100 μm.

또한 투명성을 향상시켜 투과성을 높이는 측면에서 폴리이미드 필름은 필름 두께 50~100㎛를 기준으로 UV 분광광도계로 색좌표를 측정하였을 때 L값이 90이상이고, a값이 5이하이며, b값이 5이하인 폴리이미드 필름일 수 있다.The polyimide film has an L value of 90 or more, a value of 5 or less and a b value of 5 or less when a color coordinate is measured by a UV spectrophotometer based on a film thickness of 50 to 100 占 퐉 in terms of improving transparency and enhancing permeability. Lt; / RTI > or less.

이와 같은 폴리이미드 필름은 방향족 디안하이드라이드와 디아민을 중합하여 폴리아믹산을 얻은 다음, 이를 이미드화하여 얻을 수 있는바, 이때 방향족 디안하이드라이드의 예로는 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드(6-FDA), 4-(2,5-디옥소테트라하이드로푸란-3-일)-1,2,3,4-테트라하이드로나 프탈렌-1,2-디카르복실릭 안하이드라이드(TDA), 4,4′-(4,4′-이소프로필리덴디페녹시)비스(프탈릭안하이드라이드)(HBDA), 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA), 비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BPDA) 및 옥시디프탈릭 디안하이드라이드(ODPA) 중 선택된 1종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Such a polyimide film may be obtained by polymerizing an aromatic dianhydride and a diamine to obtain a polyamic acid, and then imidating it. Examples of the aromatic dianhydride include 2,2-bis (3,4-dicarboxy). Phenyl) hexafluoropropane dianhydride (6-FDA), 4- (2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl) -1,2,3,4-tetrahydro or phthalene-1,2 Dicarboxylic anhydride (TDA), 4,4 ′-(4,4′-isopropylidenediphenoxy) bis (phthalic anhydride) (HBDA), pyromellitic dianhydride (PMDA) ), Biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and oxydiphthalic dianhydride (ODPA), but is not limited thereto.

방향족 디아민의 예로는, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-페닐]프로판(6HMDA), 2,2′-비스(트리프루오로메틸)-4,4′-디아미노비페닐(2,2′-TFDB), 3,3′-비스(트리프루오로메틸)-4,4′-디아미노비페닐(3,3′-TFDB), 4,4′-비스(3-아미노페녹시)디페닐설폰(DBSDA), 비스(3-아미노페닐)설폰(3DDS), 비스(4-아미노페닐)설폰(4DDS), 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠(APB-133), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠(APB-134), 2,2′-비스[3(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판(3-BDAF), 2,2′-비스[4(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판(4-BDAF), 2,2′-비스(3-아미노페닐)헥사플루오로프로판(3,3′-6F), 2,2′-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판(4,4′-6F) 및 옥시디아닐린(ODA) 중 선택된 1종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of the aromatic diamine include 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) -phenyl] propane (6HMDA), 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'- Biphenyl (2,2'-TFDB), 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (3,3'-TFDB), 4,4'-bis (3-aminophenoxy) diphenyl sulfone (DBSDA), bis (3-aminophenyl) sulfone (3DDS), bis (APB-133), 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene (APB-134), 2,2'-bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane ), Hexafluoropropane (4-BDAF), 2,2'-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane (3,3 ' But not limited to, at least one selected from the group consisting of 2,2'-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane (4,4'-6F) .

*이와 같은 단량체를 이용하여 폴리이미드 필름을 제조하는 방법에 있어서 각별히 한정이 있는 것은 아니며, 그 일예로는 방향족 디아민과 방향족 디안하이드라이드를 제1용매 하에서 중합하여 폴리아믹산 용액을 수득하고, 수득된 폴리아믹산 용액을 이미드화한 후, 이미드화한 용액을 제2용매에 투입하고 여과 및 건조하여 폴리이미드 수지의 고형분을 수득하고, 수득된 폴리이미드 수지 고형분을 제1 용매에 용해시킨 폴리이미드 용액을 제막공정을 통하여 필름화할 수 있다. 이때, 제2용매는 제1용매보다 극성이 낮은 것일 수 있으며, 구체적으로 제1용매는 m-크로졸, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸설폭사이드(DMSO), 아세톤, 디에틸아세테이트 중 선택된 1종 이상이고, 제2용매는 물, 알코올류, 에테르류 및 케톤류 중 선택된 1종 이상일 수 있다. * There is no particular limitation in the method for producing a polyimide film by using such a monomer, and for example, the aromatic diamine and the aromatic dianhydride are polymerized under a first solvent to obtain a polyamic acid solution. After imidating the polyamic acid solution, the imidized solution was added to the second solvent, filtered and dried to obtain a solid content of the polyimide resin, and the polyimide solution obtained by dissolving the obtained polyimide resin solid content in the first solvent was prepared. It can form into a film through a film forming process. In this case, the second solvent may have a lower polarity than the first solvent. Specifically, the first solvent may include m-crossover, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), dimethylformamide (DMF) Amide (DMAc), dimethylsulfoxide (DMSO), acetone, and diethyl acetate, and the second solvent may be at least one selected from water, alcohols, ethers and ketones.

한편 플라스틱 필름 상에 금속막을 형성시킴에 있어서 균일한 두께의 금속막을 형성시키기 위해서는 플라스틱 필름의 표면 평활도는 2㎛ 이하, 좋기로는 0.001 내지 0.04㎛인 것일 수 있다. On the other hand, in order to form a metal film on the plastic film, the surface smoothness of the plastic film may be 2 탆 or less, preferably 0.001 to 0.04 탆, in order to form a metal film of uniform thickness.

이와 같은 플라스틱 필름 상에 전도성을 갖는 금속막(110, 이하, "전도성 금속막"이라 한다.)을 형성하는 바, 투과성을 고려할 때는 전도성 금속막의 두께는 1 내지 300nm인 것이 투과도 등의 광학 특성의 저하를 억제하는데 유리하며, 특히 전도성 금속막의 두께가 1 내지 100nm인 것이 금속막으로 인한 투과도 등의 광학 특성의 저하가 없으면서 플라스틱 필름 기판의 선팽창계수를 낮추는데 유리하다. 전도성 금속막의 두께가 이보다 두꺼워지면 전도성은 증가하나 플라스틱 필름의 밴딩시 균열이 발생할 우려가 있다. A metal film 110 (hereinafter, referred to as a "conductive metal film") having conductivity is formed on such a plastic film. When the permeability is taken into account, the thickness of the conductive metal film is 1 to 300 nm, In particular, when the thickness of the conductive metal film is 1 to 100 nm, it is advantageous to lower the coefficient of linear expansion of the plastic film substrate without deterioration of the optical characteristics such as the transmittance due to the metal film. If the thickness of the conductive metal film is thicker than this, the conductivity is increased but the plastic film may be cracked during the bending.

이때 전도성 금속막으로는 마그네슘, 바륨, 금, 알루미늄, 티타늄, 은, 백금, 탄탈륨 및 팔라듐 중에서 선택된 단독, 이들의 합금 또는 산화물이나 인듐-주석 산화물(ITO, Indium-Tin-Oxide) 또는 인듐-아연 산화물(IZO, Indium-Zinc-Oxide)로 이루어진 막을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 금속 또는 금속의 합금인 경우 금속 산화물인 경우에 비하여 두께에 의한 투과도의 영향이 클 수 있으므로, 금속 또는 금속의 합금일 경우 바람직한 금속막의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다. In this case, the conductive metal film may be selected from magnesium, barium, gold, aluminum, titanium, silver, platinum, tantalum, and palladium alone, alloys or oxides thereof, or indium-tin oxide (ITO, Indium-Tin-Oxide) or indium-zinc. An oxide (IZO, Indium-Zinc-Oxide) may be mentioned, but is not limited thereto. In the case of a metal or an alloy of metal, the influence of the transmittance by thickness may be greater than in the case of a metal oxide. Therefore, in the case of an alloy of a metal or a metal, the thickness of the metal film may be 1 to 50 nm.

이와 같은 전도성 금속막을 포함하는 경우 투과도를 저해하지 않으면서 전기전도성을 향상시키고 나아가서는 전도성 금속막이 전극으로서의 기능을 할 수 있다. 특히 이러한 점에서 전도성 금속막은 ITO 또는 IZO 박막일 수 있다.When such a conductive metal film is included, the electrical conductivity can be improved without hindering the permeability, and further, the conductive metal film can function as an electrode. Particularly in this respect, the conductive metal film may be an ITO or IZO thin film.

이와 같은 전도성 금속막은 전기전도성 측면에서도 유리하며, 아울러 가스 차단성 및/또는 수분 차단성을 발현하여 플라스틱 필름이 가스나 수분에 의해 변형되는 것을 억제하는 기능도 수행할 수 있다. Such a conductive metal film is also advantageous from the viewpoint of electrical conductivity and exhibits gas barrier properties and / or moisture barrier properties, and can also function to inhibit the plastic film from being deformed by gas or moisture.

플라스틱 필름 상에 전도성 금속막의 형성은 스퍼터링, 이온증착, 전기도금 또는 화학증착 방식 등을 이용할 수 있으며, 이에 각별히 한정이 있는 것은 아니다. The conductive metal film may be formed on the plastic film by sputtering, ion deposition, electroplating or chemical vapor deposition, and the present invention is not limited thereto.

본 발명의 일 구현예에 따르면 플라스틱 필름으로 고내열성 필름을 사용하므로, 기존의 플라스틱 기재에 비해 전도성 금속막의 형성 공정 조건이 거의 제한되지 않는다.According to one embodiment of the present invention, since the high heat-resistant film is used as the plastic film, the process conditions for forming the conductive metal film are almost unlimited as compared with the conventional plastic substrate.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판은 이러한 전도성 금속막(110) 상에 전도성 물질이 분산된 수지층(120), 구체적으로는 탄소나노튜브 또는 ITO 분말이 분산된 수지층을 더 형성하는바, 탄소나노튜브 또는 ITO 분말이 분산된 수지층은 전도성을 보다 향상시키고 추가적인 전극층으로도 기능할 수 있다. 탄소나노튜브 또는 ITO 분말이 분산된 수지층은 탄소나노튜브 또는 ITO 분말을 포함하는 투명 바니쉬를 도포하여 얻어지는 층일 수 있으며, 투명 폴리이미드 바니쉬에 탄소나노 튜브 또는 ITO 분말을 분산시켜 도포함으로써 형성된 층일 수 있다. The plastic substrate according to an embodiment of the present invention further includes a resin layer 120 on which a conductive material is dispersed, specifically, a resin layer in which carbon nanotubes or ITO powder are dispersed, on the conductive metal film 110 , A resin layer in which carbon nanotubes or ITO powder is dispersed can further improve the conductivity and function as an additional electrode layer. The resin layer in which the carbon nanotubes or ITO powder is dispersed may be a layer obtained by applying a transparent varnish containing carbon nanotubes or ITO powder and may be a layer formed by dispersing and applying carbon nanotubes or ITO powder to a transparent polyimide varnish have.

이때 디스플레이용 전극필름의 표면 저항 및 광투과도 측면에서 폴리이미드 바니쉬 중의 탄소나노튜브는 바니쉬 중의 수지 고형분 함량 100중량부에 대하여 0.001 내지 1중량부로 포함될 수 있다. At this time, the carbon nanotubes in the polyimide varnish may be included in an amount of 0.001 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the resin solid content in the varnish in terms of the surface resistance and light transmittance of the display electrode film.

한편 탄소나노튜브는 그 종류에 한정이 있는 것은 아니며, 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT), 이중벽 탄소나노튜브(DWCNT), 다중벽 탄소나노튜브(MWCNT) 및 탄소나노튜브 표면이 화학적 또는 물리적 처리를 통해 개질된 개질-탄소나노튜브 등일 수 있다. On the other hand, carbon nanotubes are not limited in their kind, and the chemical or physical treatment of single-wall carbon nanotubes (SWCNTs), double wall carbon nanotubes (DWCNTs), multiwall carbon nanotubes (MWCNTs) Modified carbon nanotubes or the like.

또한 바니쉬 중에서 탄소나노튜브의 분산방법은 특별히 제한이 있는 것은 아니며, 일예로 초음파 분산, 3본롤 분산, 호모게나이저 또는 Kneader, Mill-Blender, 볼밀 등의 물리적 분산과 화학적 처리를 통해 바니쉬의 단량체와의 화학 결합 등으로 바니쉬 내에 탄소나노튜브를 분산할 수 있으며, 이때 CNT의 투입은 바니쉬의 중합시 In-situ로 하거나 바니쉬의 중합 후 Blending의 방법으로 진행 할 수 있으며, CNT의 적절한 분상을 위해 분산제나 유화제 등의 첨가물 등을 사용하는 방법 등을 들 수 있다.In addition, the method of dispersing the carbon nanotubes in the varnish is not particularly limited. For example, physical dispersion and chemical treatment such as ultrasonic dispersion, three-roll dispersion, homogenizer or Kneader, Mill-Blender, The carbon nanotubes can be dispersed in the varnish by the chemical bonding of the CNTs. In this case, the introduction of the CNT can be carried out by in-situ polymerization of the varnish or by blending after the polymerization of the varnish, And a method of using an additive such as an emulsifier or the like.

탄소나노튜브가 분산된 수치층의 형성은 스핀 코팅법, 닥터 블레이드(doctor blade) 등의 캐스팅법 등을 이용할 수 있으며, 이에 한정이 있는 것은 아니다. The numerical layer in which the carbon nanotubes are dispersed can be formed by a spin coating method, a casting method such as a doctor blade, and the like. However, the present invention is not limited thereto.

특히 금속 박막을 통해 투과도에 저해를 받지 않은 광이 탄소나노튜브가 갖는 특유의 구조로 인해 투과성에 각별한 저해를 받지 않으면서 전도성을 향상시킬 수 있는 점에서, 탄소나노튜브가 분산된 수지층을 금속막 상에 형성하는 것이 바람 직하다.In particular, since the light having not been inhibited by the transmittance through the metal thin film can improve the conductivity without being significantly inhibited by the permeability due to the unique structure of the carbon nanotube, It is preferable to form it on a film.

탄소나노튜브와 함께 또는 이를 대신하여 ITO 분말을 사용할 경우 그 함량은 바니쉬 중의 수지 고형분 함량 100중량부에 대해 2 내지 100중량부일 수 있다. When the ITO powder is used together with or in place of the carbon nanotubes, the content thereof may be 2 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of resin solids content in the varnish.

ITO 분말을 첨가할 경우의 전기적 특성은 인듐-주석 혼합 산화물의 함량에 따라서도 조절이 가능하며, 인듐-주석 혼합 산화물 자체에서 산화인듐과 산화주석의 함량을 조절함으로서도 조절이 가능하다. 인듐-주석 혼합 산화물(ITO)은 바람직하게는 산화인듐(In2O3) 80~95중량%와 산화주석(SnO2) 5~20 중량%를 함유하는 것일 수 있다. 인듐-주석 혼합 산화물은 분말 형태일 수 있으며, 그 크기는 사용되는 물질 및 반응 조건에 따르는데, 평균 최소 직경이 30~70㎚, 평균 최대 직경이 60~120㎚인 것이 바람직하다.The electrical properties of ITO powders can be controlled by adjusting the content of indium-tin mixed oxide and by adjusting the content of indium oxide and tin oxide in the indium-tin mixed oxide itself. The indium-tin mixed oxide (ITO) may preferably contain 80 to 95% by weight of indium oxide (In 2 O 3 ) and 5 to 20% by weight of tin oxide (SnO 2 ). The indium-tin mixed oxide may be in the form of powder, and the size thereof depends on the materials used and the reaction conditions, and preferably has an average minimum diameter of 30 to 70 nm and an average maximum diameter of 60 to 120 nm.

인듐-주석 혼합 산화물을 포함하는 바니쉬의 제조방법은 각별히 한정이 있는 것은 아니나, 인듐-주석 혼합 산화물을 폴리아믹산 용액에 분산시킬 수 있으며, 폴리아믹산 고형분 함량 100중량부에 대하여 인듐-주석 혼합 산화물(ITO) 2~100중량부되도록 포함하는 것이 전도성의 발현이나 필름의 연성을 유지할 수 있는 측면에서 유리할 수 있다. There is no particular limitation on the method for producing the varnish containing the indium-tin mixed oxide, but the indium-tin mixed oxide can be dispersed in the polyamic acid solution, and the indium-tin mixed oxide ( ITO) in an amount of 2 to 100 parts by weight may be advantageous in terms of conductivity and maintaining the ductility of the film.

인듐-주석 혼합 산화물을 폴리아믹산 용액 중에 첨가하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 중합 전 또는 중합 중의 폴리아믹산 용액에 첨가하는 방법, 폴리아믹산 중합 완료 후 인듐-주석 혼합 산화물을 혼련하는 방법, 인듐-주석 혼합 산화물을 포함하는 분산액을 준비하여 이것을 폴리아믹산 용액에 혼합하는 방법 등을 들 수 있다. 이 때, 인듐-주석 혼합 산화물의 분산성은 분산용액의 산-염기성 및 점도 등에 영향을 받으며, 분산성에 따라 전도성 및 가시광선의 투과도의 균일성에 영향을 주기 때문에 분산 공정을 충분히 수행해야한다. 바람직한 분산 방법으로는 3본롤, 초음파 분산기, 호모게나이저(Homogenizer) 또는 볼밀 등이 있다.The method of adding the indium-tin mixed oxide to the polyamic acid solution is not particularly limited, and examples thereof include a method of adding the indium-tin mixed oxide to the polyamic acid solution before or during the polymerization, a method of kneading the indium- A method in which a dispersion containing an indium-tin mixed oxide is prepared and mixed with a polyamic acid solution, and the like. At this time, the dispersion property of the indium-tin mixed oxide is influenced by the acid-basicity and viscosity of the dispersion solution and affects the conductivity and the uniformity of the transmittance of the visible light depending on the dispersion. Preferred dispersing methods include a three-roll mill, an ultrasonic dispersing machine, a homogenizer or a ball mill.

이와 같이 CNT 또는 ITO 분말이 분산된 수지층을 형성함에 있어서 두께가 10nm 내지 25um인 것이 디스플레이의 투과도 등의 광학 특성의 저하를 억제하는 측면에서 유리할 수 있다.In forming the resin layer in which CNT or ITO powder is dispersed, the thickness of 10 nm to 25 mu m may be advantageous in terms of suppressing deterioration of optical characteristics such as transmittance of the display.

이와 같이 기판이 플라스틱으로 형성되면서 투과판 및 투명전극 기판의 역할을 수행할 수 있게 되므로, 액정 표시장치가 경량화 될 수 있다. Since the substrate is formed of plastic, it can serve as a transparent plate and a transparent electrode substrate, so that the liquid crystal display device can be lightened.

본 발명의 다른 일 구현예에 의한 플라스틱 기판은 전도성 물질이 분산된 수지층(120)의 상부 또는 하부에 금속 산화막층을 형성하는 것도 가능할 수 있는데, 산화막은 투과도를 향상시키고 또한 가스 및 수분을 차단하는 배리어층으로서도 기능할 수 있다. 구체적인 일예로 산화막은 산화은(AgO)으로 이루어진 막일 수 있다. 이를 도시하여 도 3 내지 도 4로 나타내었다. 도 3은 전도성 물질이 분산된 수지층(120)의 상부에 산화막(111)을 형성한 플라스틱 기판의 일예를 도시한 것이고, 도 4는 전도성 물질이 분산된 수지층(120)의 하부에 산화막(111)을 형성한 플라스틱 기판의 일예를 도시한 것이다. Plastic substrate according to another embodiment of the present invention may also be able to form a metal oxide layer on the upper or lower portion of the resin layer 120 in which the conductive material is dispersed, the oxide film to improve the permeability and also to block gas and moisture It can also function as a barrier layer. As a specific example, the oxide film may be a film made of silver oxide (AgO). This is shown in Figs. 3 to 4. FIG. 3 illustrates an example of a plastic substrate having an oxide film 111 formed on a resin layer 120 on which a conductive material is dispersed. FIG. 4 illustrates an example of a plastic substrate on which an oxide film 111 are formed on a surface of a plastic substrate.

산화막(111)을 형성하는 경우 그 두께는 각별히 한정이 있는 것은 아니나, 수지층과의 접착성, 산화막의 두께 균일도 및 기판의 밴딩시 균열의 방지를 위한 측면에서 10nm 내지 300nm 정도인 것이 유리할 수 있다. When the oxide film 111 is formed, the thickness of the oxide film 111 is not particularly limited, but may be advantageously about 10 nm to 300 nm in terms of adhesion to the resin layer, uniformity of the thickness of the oxide film, and prevention of cracking during bending of the substrate .

본 발명의 또 다른 일 구현예에 의한 플라스틱 기판은 기판 및 전극으로의 용제 침투를 방지하기 위한 층을 더 포함할 수 있다. 본 발명에서는 이와 같은 층을 내화학층으로 명명한다. The plastic substrate according to another embodiment of the present invention may further include a layer for preventing penetration of the solvent into the substrate and the electrode. In the present invention, such a layer is referred to as a chemical-resistant layer.

내화학층을 형성한 플라스틱 기판의 일예를 도 5 내지 도 8로 도시하는바, 도 5 및 도 8의 경우는 플라스틱 필름(100)의 하부에 내화학층(102)을 형성한 일예를 도시한 것이고, 도 6은 플라스틱 필름(100)의 상부 및 하부에 내화학층(102)을 형성한 일예를 도시한 것이며, 도 7은 플라스틱 필름(100)의 상부에만 내화학층(102)을 형성한 일예를 도시한 것이다.Examples of the plastic substrate on which the chemical layer is formed are shown in FIGS. 5 to 8, and FIGS. 5 and 8 show examples in which the chemical layer 102 is formed under the plastic film 100 6 shows an example of forming the chemical-resistant layer 102 on the upper and lower portions of the plastic film 100, and FIG. 7 shows an example in which the chemical-resistant layer 102 is formed only on the upper portion of the plastic film 100 FIG.

내화학층(102) 형성에 사용되는 조성으로는 투명성을 저해하지 않으면서 디스플레이 제조 공정상에서 세정 및 유기 용제에 대한 불용성과 기재 필름과의 접착성이 양호한 조건을 만족하는 조성이면 각별히 한정이 있는 것은 아니며, 구체적인 일예로는 아크릴레이트계 수지, 에폭시계 수지, 폴리실라잔(Polysilazane) 및 폴리이미드계 수지 중에서 선택된 1종 이상의 수지를 포함하는 층일 수 있다. The composition used for forming the chemical resistant layer 102 is particularly limited so long as it is a composition that satisfies conditions of good insolubility in organic solvents and good adhesion to a base film in a display manufacturing process without impairing transparency. The specific example may be a layer including at least one resin selected from an acrylate resin, an epoxy resin, a polysilazane, and a polyimide resin.

플라스틱 필름(100)의 하부에 내화학층(102)을 형성하는 것은 플라스틱 필름 외부로부터의 용제 침투를 방지할 수 있으며, 플라스틱 필름(100)의 상부에 내화학층(120)을 형성하는 것은 용제 침부방지의 기능 뿐만 아니라 플라스틱 필름(100) 상에 전기전도성 금속막(110)의 형성을 도울 수 있다.The formation of the chemical-resistant layer 102 on the lower side of the plastic film 100 can prevent the solvent penetration from the outside of the plastic film 100 and the formation of the chemical- It is possible to help form the electrically conductive metal film 110 on the plastic film 100 as well as the function of the anti-

내화학층(102)의 형성방법은 각별히 한정이 있는 것은 아니나, 일예로 스핀 코팅, 캐스팅, 롤코팅, 함침 등의 방법을 이용할 수 있다. The method of forming the chemical resistant layer 102 is not particularly limited, but for example, spin coating, casting, roll coating, or impregnation may be used.

내화학층(102)의 두께는 한정되는 것은 아니나, 10nm 내지 500nm 정도인 것이 두께 균일도 및 투과도 등의 광학 특성을 저해하지 않는 측면에서 유리할 수 있다. Although the thickness of the chemical resistant layer 102 is not limited, the thickness of about 10 nm to 500 nm may be advantageous in terms of not impairing optical properties such as thickness uniformity and transmittance.

본 발명의 다른 일 구현예에 의한 플라스틱 기판은 금속막을 형성한 후 보호층(평탄화층)을 더 형성할 수 있으며, 그 일예를 도 8에 도시하였다. 보호층(103)은 반사성 금속막을 보호하고 반사성 금속막의 표면을 평활하게 하는 기능을 수행하고 또한 후속적으로 전도성 물질이 분산된 수지층(120)의 형성을 용이하게 하고 플라스틱 기판의 휨 발생을 방지할 수 있는 측면에서 유리할 수 있다. 이러한 측면에서 보호층은 반사성 금속막을 통해 반사된 광의 투과를 저해하지 않으면서 절연성을 갖춘 것이 유리할 수 있다.The plastic substrate according to another embodiment of the present invention may further form a protective layer (flattening layer) after forming a metal film, an example of which is illustrated in FIG. 8. The protective layer 103 serves to protect the reflective metal film and to smooth the surface of the reflective metal film, and subsequently facilitates the formation of the resin layer 120 in which the conductive material is dispersed, and prevents occurrence of warping of the plastic substrate. It may be advantageous in terms of what it can do. In this respect, the protective layer may be advantageously provided with insulation without inhibiting the transmission of light reflected through the reflective metal film.

이러한 점에서 플라스틱 필름으로서 예시된 폴리이미드 필름과 같은 폴리이미드 수지층으로 보호층을 형성할 수 있다. 일예로 보호층은 가시광선 투과도가 85% 이상인 무색 투명한 수지층인 것이 유리하다.In this regard, a protective layer can be formed of a polyimide resin layer such as a polyimide film exemplified as a plastic film. For example, the protective layer is advantageously a colorless transparent resin layer having a visible light transmittance of 85% or more.

보호층(103)의 두께는 반사성 금속막(110)으로 인해 불균일해진 면을 평탄화할 수 있는 정도면 충분하며 그 한정이 있는 것은 아니나, 금속막 층과의 접착력 및 유기 발광층의 증착 용이성 측면을 고려하여 10nm 내지 500nm 정도일 수 있다. The thickness of the protective layer 103 may be sufficient to planarize the uneven surface due to the reflective metal film 110, and the thickness of the protective layer 103 is not limited, but considering the adhesive strength with the metal film layer and the ease of deposition of the organic light emitting layer. 10 nm to about 500 nm.

본 발명의 또 다른 일 구현예에 의한 플라스틱 기판은 무기물층을 구비할 수 있다. 플라스틱 기판은 플라스틱 필름(100)을 기판으로 하는 것이며, 필름은 그 자체가 공기나 수분 등을 함유하며, 또한 통기성이나 투습성이 높기 때문에 외기나 필름 자신으로부터 액정층 또는 유기 발광소자층으로 공기나 수분 등이 침입하여 기포가 생기거나, 수분 및 산소에 의해 액정 및 유기 발광소자 등이 산화되어 표시 장치의 수명 감소와 열화될 우려가 있다. 이를 위해 플라스틱 기판의 내면 또는 외면에 단층 또는 다층으로 무기물층을 형성하여 가스 및 수분을 차단하는 배리어층으로 이용할 수 있다. 즉, 외부로부터 유입되는 공기나 수분 뿐만 아니라, 필름 자신에 함유된 공기나 수분도 차단할 수 있다. The plastic substrate according to another embodiment of the present invention may have an inorganic layer. The plastic substrate is made of the plastic film 100 as a substrate, and since the film itself contains air or moisture, and the air permeability and moisture permeability are high, air or moisture is transferred from the outside air or the film itself to the liquid crystal layer or the organic light emitting element layer. There is a possibility that bubbles may be generated by intrusion, or the liquid crystal and the organic light emitting element may be oxidized by moisture and oxygen, resulting in deterioration and deterioration of the lifespan of the display device. For this purpose, a single layer or multilayer inorganic layer may be formed on the inner or outer surface of the plastic substrate to serve as a barrier layer for blocking gas and moisture. That is, not only the air or moisture which flows in from the outside but also the air or moisture contained in the film itself can be interrupted | blocked.

이의 일예를 도 9 내지 도 10으로 도시한다. An example of this is shown in Figs. 9 to 10.

도 9는 플라스틱 필름(100)의 하부에 무기물층(101)을 형성한 일예를 도시한 것이고, 도 10은 플라스틱 필름(100)의 하부 및 전도성 물질이 분산된 수지층(120)의 하부면에 각각 무기물층(101)을 형성한 경우를 도시한 것이다. FIG. 9 shows an example in which the inorganic layer 101 is formed on the lower part of the plastic film 100. FIG. 10 shows an example in which the inorganic film 101 is formed on the lower side of the plastic film 100 and the lower surface of the resin layer 120 in which the conductive material is dispersed. And the inorganic layer 101 is formed.

물론, 상술한 것과 같이 이러한 무기물층 없이도 전도성 금속막(110)이나 산화막(111) 등 또한 수분 및 가스 배리어층으로 유용할 수 있으나, 보다 충분한 수분 및 가스 배리어성을 부여하기 위한 일 구현예로 무기물층(101)을 더 구비할 수 있다.Of course, the conductive metal layer 110, the oxide layer 111, etc. may also be useful as a moisture and gas barrier layer without the inorganic layer as described above, but the inorganic material as an embodiment for providing more sufficient moisture and gas barrier properties. The layer 101 may be further provided.

무기물층(101)의 형성에는 SiOx, SiNx, AlxOy 계열의 산화물 등을 사용할 수 있으며, 그 형성방법에는 한정이 있는 것은 아니나, 저온 성막법, 고온 성막법, PECVD등의 일반적으로 알려진 무기물 증착 방법을 이용할 수 있다. 무기물층(101)의 두께는 그 한정이 있는 것은 아니나, 금속막 층 및 유기물층, 액정층의 산화 방지를 위해 가스 및 수분의 투과도를 낮추고 유기 발광층의 증착 용이성 측면을 고려하여 10nm 내지 300nm 정도일 수 있다. 또한 평탄화층과 함께 2~4층의 다층을 형 성 할 수도 있다. SiOx, SiNx, AlxOy-based oxides and the like may be used for the formation of the inorganic layer 101. Although the formation method is not limited, generally known inorganic vapor deposition methods such as low temperature film formation method, high temperature film formation method and PECVD may be used. It is available. Although the thickness of the inorganic layer 101 is not limited thereto, the thickness of the inorganic layer 101 may be about 10 nm to 300 nm in consideration of the ease of deposition of the organic light emitting layer and the low permeability of gas and moisture to prevent oxidation of the metal layer, the organic layer, and the liquid crystal layer. . It is also possible to form two to four layers of multilayers together with the planarization layer.

이와 같이 얻어진 본 발명 구현예들에 의한 플라스틱 기판은 전자 종이 표시소자 및 디스플레이 장치 소자 등에 있어서 기판으로 유용하며, 이를 하부기판으로 사용할 경우 후면으로부터 입사된 광의 투과도를 저해하지 않으면서 전기전도성은 향상되어 밝은 영상을 구현할 수 있다. The plastic substrate according to the embodiments of the present invention thus obtained is useful as a substrate in electronic paper display devices and display device devices, and when used as a lower substrate, the electrical conductivity is improved without impairing the transmittance of light incident from the rear surface. A bright image can be realized.

또한, 플라스틱 기판의 경우 전도성 금속막을 형성하여 전극으로 이용하기 위해서는 플라스틱 필름 상에 증착되는 전도성 금속막의 두께가 두꺼워지고 이로 인해 플라스틱 기판의 구부림시 플라스틱 기판과 금속층간의 유연성의 차이로 인한 박리 및 금속층의 균열을 일으키게 되어 전극의 기능을 손실할 수 있다. 그러나 본 발명의 일 구현예에 따른 플라스틱 기판의 경우 전도성 금속막과 함께 전도성 물질이 분산된 수지층을 도입함에 따라 전도성 금속막의 두께를 보다 얇게 할 수 있으며, 플라스틱 필름 및 필름 상의 전도성 금속막 및 전도성 금속막 상에 올라가는 전도성 물질이 분산된 수지층의 수지로 인해 구부림시 발생하는 치수안정성의 차이에 따른 전도성 금속막의 박리 및 균열에 대한 문제점을 감소시킬 수 있으므로 기존의 전도성 금속막의 단일 전극층에 비하여 디스플레이 및 기판의 구부림에 대한 내박리성 및 내균일성을 향상시킬 수 있다. In addition, in the case of a plastic substrate, in order to form a conductive metal film and use it as an electrode, the thickness of the conductive metal film deposited on the plastic film becomes thick, which causes peeling and metal layers due to a difference in flexibility between the plastic substrate and the metal layer when the plastic substrate is bent. This can cause cracks, which can lead to loss of electrode function. However, in the case of the plastic substrate according to an embodiment of the present invention, the thickness of the conductive metal film can be made thinner by introducing the resin layer in which the conductive material is dispersed together with the conductive metal film, and the conductive metal film and the conductive It is possible to reduce the problems of peeling and cracking of the conductive metal film due to the difference in dimensional stability caused by bending due to the resin of the resin layer in which the conductive material rising on the metal film is dispersed, And the peeling resistance and the uniformity against bending of the substrate can be improved.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판은 디스플레이용으로 바람직하기로는 표면저항이 2.5× 106Ω/sq. 이하인 것일 수 있으며, 500nm 파장의 광투과도가 50% 이상인 것이다. The plastic substrate according to one embodiment of the present invention preferably has a surface resistance of 2.5 x 10 6 Ω / sq. Or less, and the light transmittance at a wavelength of 500 nm is 50% or more.

본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판을 하부기판으로 적용한 평판 디스플레이 장치 소자 중 액정 디스플레이 장치 소자의 일예를 도 11로 도시하였고, 이를 유기 EL 소자의 기판으로 적용한 일예를 도 12 내지 도 13으로 도시하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 특히 도 13은 투과형 유기 EL 소자를 도시한 것이다. An example of a liquid crystal display device of a flat panel display device in which a plastic substrate according to an embodiment of the present invention is applied as a lower substrate is shown in Fig. 11 and an example in which the same is applied to a substrate of an organic EL device is shown in Figs. 12 to 13 But is not limited thereto. In particular, Fig. 13 shows a transmissive organic EL device.

한편 이와 같은 플라스틱 기판은 투명전극 필름으로도 유용할 수 있는데, 이 경우는 특히 전도성 금속막이 ITO 또는 IZO 박막인 것일 수 있다.On the other hand, such a plastic substrate may be useful as a transparent electrode film. In this case, the conductive metal film may be an ITO or IZO thin film.

유기 EL 소자의 제작시에는 Ag, Mg, Ba 또는 Ca이 포함된 전도성 금속막으로 전극층을 형성하여, Ag가 포함된 투명전극은 Anode로 사용하고, Ca 또는 Mg이 포함된 투명전극은 Cathode로 이용할 수도 있다. In fabricating the organic EL device, an electrode layer is formed of a conductive metal film containing Ag, Mg, Ba or Ca, the transparent electrode containing Ag is used as an anode, and the transparent electrode containing Ca or Mg is used as a cathode It is possible.

투명전극의 단면의 일예는 도 2로 도시한 플라스틱 기판에 있어서 전도성 금속막(110)이 포토리소그래피 및 에칭에 의해 스트라이프 형상으로 된 것이고, 스트라이프 형상의 전도성 금속막(110) 상에 전도성 물질이 분산된 수지층(120)이 형성된 것을 제외하고 유사한 바, 각별히 투명전극의 일예들을 도시하지 않는다. An example of the cross section of the transparent electrode is that the conductive metal film 110 in the plastic substrate shown in Fig. 2 is formed into a stripe shape by photolithography and etching, and a conductive material is dispersed on the stripe- Except that a resin layer 120 is formed.

투명전극 필름으로 제조할 경우, 플라스틱 필름 상에 전도성 금속막(110)을 형성한 다음, 포토리소그래피 및 에칭에 의해 전도성 금속막을 패터닝하여 스트라이프 형상의 금속막을 형성한다. 이와 같이 형성된 스트라이프 형상의 금속막은 투명전극으로서 역할하게 된다. 형성된 금속전극 상에 ITO 투명전극 상에 전도성 물질이 분산된 수지층을 상술한 방법으로 형성한다. 이어서 가열, 경화하면 투명전극 필름을 얻을 수 있다. In the case of a transparent electrode film, a conductive metal film 110 is formed on a plastic film, and then the conductive metal film is patterned by photolithography and etching to form a stripe-shaped metal film. The stripe-shaped metal film thus formed serves as a transparent electrode. The resin layer in which the conductive material is dispersed on the ITO transparent electrode is formed on the formed metal electrode by the above-described method. Subsequently, when heated and cured, a transparent electrode film can be obtained.

이와 같이 얻어지는 투명전극 필름은 입사된 광의 투과도를 저해하지 않으면서 전기전도성은 향상되어 밝은 영상을 구현할 수 있으며, 특히 탄소나노튜브만으로 구성된 전극필름에 비해서도 높은 광투과성을 나타냄으로 밝은 영상의 구현이 가능한 측면에서 유리하다.The transparent electrode film thus obtained can improve the electrical conductivity without impairing the transmittance of the incident light, thereby realizing a bright image. In particular, the transparent electrode film exhibits a higher light transmittance than an electrode film composed of only carbon nanotubes, It is advantageous from the side.

본 발명의 일 구현예에 의한 투명전극 필름은 전극으로 유용하기로는 표면저항이 700Ω/sq. 이하인 것일 수 있으며, 500nm 파장의 광투과도가 50% 이상인 것이다.The transparent electrode film according to an embodiment of the present invention may have a surface resistance of 700? / Sq. Or less, and the light transmittance at a wavelength of 500 nm is 50% or more.

본 발명의 다른 일 구현예에 따른 플라스틱 기판은 도 2에 도시한 구조를 가질 수 있으며, 다만 전기전도성 금속막을 반사성을 갖는 금속막(110)으로 대체할 수 있다. The plastic substrate according to another embodiment of the present invention may have the structure shown in FIG. 2, but may replace the electrically conductive metal film with the reflective metal film 110.

반사성을 고려할 때 금속막은 후막으로 형성되는 것이 유리한데, 바람직하기로는 금속막의 두께는 10 내지 1000nm인 것이다. In consideration of reflectivity, the metal film is advantageously formed into a thick film, and preferably, the metal film has a thickness of 10 to 1000 nm.

반사성의 기능에 비하여 투과성을 향상시키고자 하는 경우, 일예로 투과형 전자종이 및 액정표시장치 소자에 이용될 경우라면 금속막은 박막으로 형성되는 것이 유리한바, 좋기로는 50 내지 300nm 정도인 것이 금속막으로 인한 투과도 등의 광학 특성의 저하가 없으며, 플라스틱 필름 기판의 표면에 증착된 금속막으로 인해 선팽창계수를 낮추는 잇점이 있다. In order to improve the transmittance as compared to the reflective function, for example, when used in the transmission type electronic paper and the liquid crystal display device, the metal film is advantageously formed into a thin film. Preferably, the metal film is about 50 to 300 nm. There is no deterioration in optical properties such as transmittance, and there is an advantage of lowering the coefficient of linear expansion due to the metal film deposited on the surface of the plastic film substrate.

금속막의 두께가 지나치게 두꺼워지면 반사성이나 전도성은 증가하나 플라스틱 필름의 밴딩시 균열이 발생할 우려가 있다. If the thickness of the metal film is too thick, the reflectivity or conductivity is increased, but there is a risk of cracking when bending the plastic film.

이때 금속막으로는 알루미늄, 티타늄, 은, 백금, 마그네슘, 탄탈륨 및 팔라듐 중에서 선택된 단독 또는 이들의 합금이거나 또는 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 IZO(Indium-Zinc-Oxide)를 포함하는 막으로 이루어진 막일 수 있다. In this case, the metal film may be made of aluminum, titanium, silver, platinum, magnesium , tantalum and palladium alone or an alloy thereof, or a film including ITO (Indium-Tin-Oxide) or IZO (Indium-Zinc-Oxide). It can be.

이와 같은 반사성 금속막을 포함하는 경우 투과도를 저해하지 않으면서 전기전도성을 향상시키고 나아가서는 반사성 금속막이 전극으로서의 기능을 할 수 있다. 특히 이러한 점에서 반사성 금속막은 ITO 또는 IZO 박막을 알루미늄 또는 이의 합금, 또는 마그네슘 또는 이의 합금으로 이루어진 반사성 금속막의 상부에 포함하는 것일 수 있다.In the case of including such a reflective metal film, the electrical conductivity can be improved without hindering transmittance, and the reflective metal film can function as an electrode. In this regard, the reflective metal film may include an ITO or IZO thin film on top of the reflective metal film made of aluminum or an alloy thereof, or magnesium or an alloy thereof.

이와 같은 반사성 금속막은 전기전도성 측면에서도 유리하며, 아울러 가스 차단성 및/또는 수분 차단성을 발현하여 플라스틱 필름이 가스나 수분에 의해 변형되는 것을 억제하는 기능도 수행할 수 있다. Such a reflective metal film is advantageous in terms of electrical conductivity, and may also perform a function of suppressing deformation of the plastic film by gas or moisture by expressing gas barrier properties and / or moisture barrier properties.

플라스틱 필름 상에 반사성 금속막의 형성은 스퍼터링, 이온증착, 전기도금 또는 화학증착 방식 등을 이용할 수 있으며, 이에 각별히 한정이 있는 것은 아니다. Formation of the reflective metal film on the plastic film may use sputtering, ion deposition, electroplating, or chemical vapor deposition, and the like, but is not particularly limited thereto.

본 발명의 일 구현예에 따르면 상술한 것과 같이 플라스틱 필름으로 고내열성 필름을 사용하므로, 기존의 플라스틱 기재에 비해 반사성 금속막의 형성 공정 조건이 거의 제한되지 않는다.According to one embodiment of the present invention, since the high heat resistant film is used as the plastic film as described above, the process conditions for forming the reflective metal film are hardly limited as compared with the conventional plastic substrate.

이와 같이 플라스틱 필름 상에 반사성을 갖는 금속막이 형성된 경우, 이를 내부부착 반사재 방식의 형태로 적용하면, 일예로 액정표시장치 외부로부터 입사된 광이 플라스틱 필름 상에 형성된 금속막에서 확산 반사되고, 반사된 광이 플라스틱 필름을 투과하지 않기 때문에 시차가 생기기 어렵게 되어 화상 흐려짐이 없는 선명한 화상을 얻을 수 있다. When the reflective metal film is formed on the plastic film as described above, when it is applied in the form of an internal reflection reflector, light incident from the outside of the liquid crystal display device is diffusely reflected on the metal film formed on the plastic film, Since light does not penetrate the plastic film, parallax is hardly produced, and a clear image without image blur can be obtained.

플라스틱 필름 상에 금속막의 형성은 상술한 것과 같이 스퍼터링, 이온증착, 전기도금 또는 화학증착 방식 등을 이용할 수 있으며, 이에 각별히 한정이 있는 것은 아니다. Formation of the metal film on the plastic film may use sputtering, ion deposition, electroplating, or chemical vapor deposition as described above, but is not particularly limited thereto.

반사성 금속막을 포함하는 본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판의 경우도 상술한 것과 같이 금속 산화막층, 내화학층, 무기물층 등을 포함할 수 있음은 물론이다.Plastic substrates according to an embodiment of the present invention including a reflective metal film may also include a metal oxide film layer, a chemical resistant layer, an inorganic material layer, and the like, as described above.

이와 같이 얻어진 본 발명의 일 구현예에 의한 반사성 금속막을 포함하는 플라스틱 기판은 전자 종이 표시소자 및 평판 디스플레이 장치 소자 등에 있어서 기판으로 유용하며, 반사성 금속막이 없이 하부기판으로 사용할 경우에는 후면으로부터 입사된 광의 투과도를 저해하지 않으면서 전기전도성은 향상되어 투과형 디스플레이에서 밝은 영상을 구현할 수 있다.The plastic substrate including the reflective metal film according to the embodiment of the present invention thus obtained is useful as a substrate in electronic paper display devices and flat panel display devices, and when used as a lower substrate without a reflective metal film, The electrical conductivity is improved without impairing the transmittance, so that a bright image can be realized in the transmissive display.

이와 같이 기판이 플라스틱으로 이루어지면서 반사판 및 투명전극 기판의 역할을 수행할 수 있게 되므로, 액정 표시장치가 경량화 될 수 있다. As such, since the substrate is made of plastic, the substrate may serve as a reflector and a transparent electrode substrate, thereby reducing the weight of the liquid crystal display.

본 발명의 일 구현예에 따른 반사성 금속막을 포함하는 플라스틱 기판은 내부 광원을 갖지 않고 외부로부터의 광을 반사시켜 화상을 구현하는 반사형 전자종이 및 액정 표시장치 등의 하부기판으로 유용하다.The plastic substrate including the reflective metal film according to the embodiment of the present invention is useful as a lower substrate such as a reflective electronic paper and a liquid crystal display device that implements an image by reflecting light from the outside without having an internal light source.

만일 금속막을 패터닝화할 경우라면 반투과형 전자종이 및 액정 표시장치 등의 하부기판으로도 유용한바, 그 일예로 투명 전극의 화소부의 주연부에 대응하는 부분에 반사재로 되는 금속막이 남도로 패턴을 형성하고, 화소부의 중심부에 금속막이 제거된 부분이 화소부의 면적보다 작게 되도록, 일예로 화소부 면적의 10 내지 20% 정도) 위치를 맞춘 상태로 형성시킨다.If the metal film is to be patterned, it is also useful as a semi-transparent electronic paper and a lower substrate such as a liquid crystal display device. For example, a metal film made of a reflective material forms a pattern at a portion corresponding to the periphery of the pixel portion of the transparent electrode. In the center of the pixel portion, for example, the portion where the metal film is removed is smaller than the area of the pixel portion, for example, in a state where the position of the pixel portion is approximately 10-20%).

이와 같이 패턴 공정을 추가하여 플라스틱 기판을 반투과형 액정표시장치에도 사용할 수 있다. 즉 광원으로 백라이트를 사용하는 경우에는 화소부에 대응하는 반사재 부분 중, 금속막이 존재하지 않는 부분(window, 창)을 광이 투과함으로써 화상을 표시할 수 있다. 또한 광원으로서 외광을 사용하는 경우에는 화소부에 대응하는 반사재 부분 중 금속막이 존재하는 부분에서 외광이 반사되어 화상을 표시할 수 있다. In this way, the plastic substrate may be used in the transflective liquid crystal display device by adding a pattern process. In other words, when the backlight is used as the light source, the image can be displayed by transmitting light through a portion of the reflector corresponding to the pixel portion where no metal film exists. In addition, when external light is used as the light source, the external light is reflected at the portion where the metal film exists among the reflector portions corresponding to the pixel portion to display an image.

또한, 플라스틱 기판의 경우 반사성 금속막을 형성하여 전극으로 이용하기 위해서는 플라스틱 필름 상에 증착되는 반사성 금속막의 두께가 두꺼워지고 이로 인해 플라스틱 기판의 구부림시 플라스틱 기판과 금속층간의 유연성의 차이로 인한 박리 및 금속층의 균열을 일으키게 되어 전극의 기능을 손실할 수 있다. 그러나 본 발명의 일 구현예에 따른 플라스틱 기판의 경우 반사성 금속막과 함께 전도성 물질이 분산된 수지층을 도입함에 따라 반사성 금속막의 두께를 보다 얇게 할 수 있으며, 플라스틱 필름 및 필름 상의 반사성 금속막 및 반사성 금속막 상에 올라가는 전도성 물질이 분산된 수지층의 수지로 인해 구부림시 발생하는 치수안정성의 차이에 따른 반사성 금속막의 박리 및 균열에 대한 문제점을 감소시킬 수 있으므로 기존의 반사성 금속막의 단일 전극층에 비하여 디스플레이 및 기판의 구부림에 대한 내박리성 및 내균일성을 향상시킬 수 있다. In addition, in the case of a plastic substrate, in order to form a reflective metal film and use it as an electrode, the thickness of the reflective metal film deposited on the plastic film becomes thick, which causes peeling and metal layers due to a difference in flexibility between the plastic substrate and the metal layer when the plastic substrate is bent. This can cause cracks, which can lead to loss of electrode function. However, in the case of the plastic substrate according to the embodiment of the present invention, the thickness of the reflective metal film may be reduced by introducing a resin layer in which a conductive material is dispersed along with the reflective metal film, and the reflective metal film and the reflective film on the plastic film and the film Since the resin of the resin layer in which the conductive material on the metal film is dispersed can reduce the problem of peeling and cracking of the reflective metal film due to the difference in the dimensional stability generated when bending, the display of the reflective metal film as compared to the single electrode layer of the conventional reflective metal film. And peeling resistance and uniformity against bending of the substrate can be improved.

한편, 본 발명에 따라 플라스틱 필름, 금속막, 보호층 및 투명전극층을 포함하는 플라스틱 기판을 제조하는 방법에는 각별히 한정이 있는 것은 아니며, 그 일예로는 플라스틱 필름으로 되는 폴리이미드 전구체 용액을 준비하는 공정; 상기 전구체 용액 중의 전구체의 일부가 적어도 부분적으로 폐환, 축합, 가교 또는 중합함으로써 부분적으로 경화된 중간체를 함유하는 용액을 제조하는 공정; 부분적으로 경화한 중간체를 함유하는 용액에 기초하여 도포액을 제조하는 공정; 도포액을 피도물 위에 도포하는 공정; 도포액을 가열하여 완전히 경화시킴으로써 플라스틱 필름을 수득하는 공정; 및 상기의 수지를 이용하여 금속막의 표면 평탄화를 위한 보호층(평탄화층)을 형성하는 공정; 및 금속막의 표면 위에 전도성 물질을 포함하는 수지층을 형성하여 투명전극층으로 하는 공정을 포함할 수 있다.On the other hand, the method for producing a plastic substrate comprising a plastic film, a metal film, a protective layer and a transparent electrode layer according to the present invention is not particularly limited, the process of preparing a polyimide precursor solution of a plastic film as an example ; Preparing a solution containing a partially cured intermediate by at least partly ring closing, condensing, crosslinking or polymerizing a portion of the precursor in the precursor solution; Preparing a coating liquid based on a solution containing a partially cured intermediate; Applying a coating liquid onto the workpiece; Obtaining a plastic film by heating and completely curing the coating liquid; And forming a protective layer (planarization layer) for planarizing the surface of the metal film using the above resin. And forming a resin layer including a conductive material on the surface of the metal film to form a transparent electrode layer.

이하 본 발명을 실시예에 의거 상세히 설명하면 다음과 같은바, 본 발명이 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to these examples.

<플라스틱 필름의 제조>&Lt; Production of plastic film &

제조예 1Production Example 1

먼저, 2,2′-비스(트리프루오로메틸)-4,4′-디아미노비페닐(2,2′-TFDB)과 비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BPDA)와 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드(6-FDA)를 디메틸아세트아미드 중에서 공지의 방법으로 축합함으로써, 폴리이미드 전구체 용액(고형분 20%)을 얻었다. 이 반응 과정을 다음 반응식 1로 나타내었다.First, a mixture of 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (2,2'-TFDB), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) -Bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropanediamine hydrate (6-FDA) was condensed in dimethylacetamide by a known method to obtain a polyimide precursor solution (solid content 20%). This reaction process is shown in Scheme 1 below.

(반응식 1)(Scheme 1)

Figure 112009038950918-pat00001
Figure 112009038950918-pat00001

그 후, 이 폴리이미드 전구체 용액 300g를 상기에서 공지한 공정에 따라 화학경화제로써 아세틱안하이드라이드(Acetic Anhydride, Acetic oxide ; 삼전사) 및 피리딘(Pyridine, 삼전사)을 각각 2~4당량 첨가 한 후 폴리아믹산 용액을 20 ~ 180℃ 범위내의 온도에서 1~10℃/min 속도로 승온시키면서 2~10시간 동안 가열하여 폴리아믹산 용액을 일부 이미드화 하여 경화함으로써, 부분적으로 이미드화한(부분적으로 경화한) 중간체를 함유하는 용액을 제조하였다. Subsequently, 300 g of this polyimide precursor solution was added with 2 to 4 equivalents of acetic anhydride (Acet oxide) and pyridine (Pyridine) as a chemical curing agent, according to a known process. After heating the polyamic acid solution at a temperature in the range of 20 to 180 ° C. at a rate of 1 to 10 ° C./min for 2 to 10 hours, the polyamic acid solution was partially imidized and cured by partially imidizing (partially curing). Korean) A solution containing an intermediate was prepared.

다음 반응식 2는 폴리이미드의 전구체를 가열하여 폴리이미드막을 얻는 과정을 나타낸 것으로, 본 발명의 실시 형태에서는 전구체 용액을 완전히 이미드화시켜서 폴리이미드로 함은 아니고, 전구체 중, 소정의 비율분만을 이미드화한 것을 이용하도록 한 것이다.The following Reaction Scheme 2 shows a process of obtaining a polyimide film by heating a polyimide precursor. In the embodiment of the present invention, the precursor solution is not completely imidized to form a polyimide, but only a predetermined proportion of the precursor is imidized I would like to use one.

(반응식 2)(Scheme 2)

Figure 112009038950918-pat00002
Figure 112009038950918-pat00002

더 구체적으로 설명하면, 폴리이미드 전구체 용액을 소정의 조건으로 가열 교반하여, 폴리이미드 전구체의 아미드기의 수소 원자와 카복실기 사이에서 탈수 폐환함으로써, 다음 화학식 1에 나타내는 바와 같이, 반응식 2에 나타낸 것과 같이 반응에 의한 중간체부의 형체B 및 이미드부의 형체C가 생성된다. 또한, 분자쇄 중에는 탈수가 완전히 일어나지 않은 형체A(폴리이미드 전구체부)도 존재한다.More specifically, the polyimide precursor solution is heated and stirred under predetermined conditions to dehydrate and close the ring between the hydrogen atom and the carboxyl group of the amide group of the polyimide precursor, as shown in the following formula (1). Similarly, the form B of the intermediate portion and the form C of the imide portion are generated by the reaction. Also, in the molecular chain, a form A (polyimide precursor part) in which dehydration does not occur completely exists.

즉, 폴리이미드 전구체가 부분적으로 이미드화된 분자쇄 중에는, 다음 화학식 1에 나타내는 바와 같이, 형체A(폴리이미드 전구체부), 형체B(중간체부), 형체C(이미드부)의 구조가 혼재해 있게 된다.That is, the molecular chain in which the polyimide precursor is partially imidized has a structure of a form A (polyimide precursor), a form B (intermediate part) and a form C (imide part) as shown in the following chemical formula 1 .

Figure 112009038950918-pat00003
Figure 112009038950918-pat00003

따라서 상기의 구조가 혼재된 이미드화된 용액 30g을 물 300g에 투입하여 침전시키고, 침전된 고형분을 여과 및 분쇄 공정을 거쳐 미세 분말화한 후 80~100℃의 진공 건조 오븐에서 2~6시간 건조하여 약 8g의 수지 고형분 분말을 얻었다. 상기의 공정을 거치면서 [형체 A]의 폴리이미드 전구체부는 [형체 B] 또는 [형체 C]로 전환하게 되며, 이 수지 고형분을 중합용매인 DMAc 또는 DMF 32g에 용해시켜 20wt%의 폴리이미드 용액을 얻었다. 이를 40~400℃에 이르는 온도 범위에서 온도를 1~10℃/min 속도로 승온시키면서 2~8시간 가열하여 두께 50㎛ 및 100㎛의 폴리이미드 필름을 얻었다.Therefore, 30 g of the imidized solution containing the above structures is put into 300 g of water and precipitated. The precipitated solids are filtered and pulverized to fine powder, dried in a vacuum drying oven at 80 to 100 ° C for 2 to 6 hours To obtain about 8 g of resin solid powder. The polyimide precursor part of the [Form A] was converted into [Form B] or [Form C] by passing through the above steps. The resin solid content was dissolved in 32 g of DMAc or DMF as a polymerization solvent to prepare a 20 wt% polyimide solution . This was heated for 2 to 8 hours while raising the temperature at a rate of 1 to 10 ° C./min in a temperature range of 40 to 400 ° C. to obtain a polyimide film having a thickness of 50 μm and a thickness of 100 μm.

이 폴리이미드 전구체가 부분적으로 이미드화된 상태를 반응식으로 표시하면 반응식 3과 같다.When the polyimide precursor partially imidated, the reaction scheme is shown in Scheme 3.

(반응식 3)(Scheme 3)

Figure 112009038950918-pat00004
Figure 112009038950918-pat00004

예를 들면, 상기한 조건하에서, 전구체의 45∼50%정도가 이미드화하여 경화한다. 전구체의 일부가 이미드화하는 이미드화율은 가열 온도나 시간 등을 변경함으로써 용이하게 조절할 수 있고, 30∼90%정도로 하는 것이 바람직하다. For example, under the above conditions, about 45 to 50% of the precursor is imidized and cured. The imidization rate at which a part of the precursor is imidized can be easily controlled by changing the heating temperature, time, etc., and is preferably about 30 to 90%.

또한, 이 폴리이미드 전구체의 일부를 이미드화하는 공정에서는, 폴리이미드 전구체가 탈수 폐환하여 이미드화할 때에 물이 발생하고, 이 물이 폴리이미드 전구체의 아미드의 가수분해나 분자쇄의 절단 등을 일으켜 안정성을 저하시킬 우려가 있으므로, 상기의 폴리이미드 전구체 용액의 가열시에 톨루엔이나 자일렌 등을 이용한 Azeotropic 반응을 추가하거나 상기에서 언급한 탈수제의 휘발을 통해 제거한다.In the step of imidizing a part of the polyimide precursor, water is generated when the polyimide precursor is dehydrated and cyclized and imidized, and this water causes hydrolysis of the amide of the polyimide precursor and cleavage of the molecular chain There is a fear that the stability may be lowered. Therefore, when the polyimide precursor solution is heated, an azeotropic reaction using toluene, xylene, or the like is added or removed by volatilization of the dehydrating agent mentioned above.

다음에, 도포액을 제조하는 공정의 일례를 설명한다. 우선, 부분적으로 경화한 중간체를 폴리이미드 전구체의 제조시에 사용한 용제에 용액 100중량부, 폴리이미드 전구체 20~30중량부의 비율로 균일 도포액을 제조한다.Next, an example of a step of manufacturing a coating liquid will be described. First, a uniform coating liquid is prepared in the ratio of 100 weight part of solutions and 20-30 weight part of polyimide precursors to the solvent which used the partially hardened intermediate at the time of manufacture of a polyimide precursor.

그 다음에, 상기의 수지 용액을 유리 또는 SUS 등의 필름 제막용 피도포판 에 스핀 코팅 또는 닥터 블레이드를 이용하여 캐스팅한 후 상기에서 언급한 고온 건조 공정을 통해 두께 50㎛인 필름을 제막하였다. 이때 제막된 필름은 필름 편면의 수직/수평축을 기준으로 어느 한 면만이 연신하는 공정을 거치지 않으므로 인해 필름 전체 면에서 동일한 굴절률로 형성되었다.Subsequently, the resin solution was cast on a coated film for film forming such as glass or SUS using spin coating or a doctor blade, and then a film having a thickness of 50 μm was formed through the above-mentioned high temperature drying process. At this time, the formed film was formed with the same refractive index on the entire surface of the film because only one side was not stretched based on the vertical / horizontal axis of the film.

제조예 2Production Example 2

반응기로써 교반기, 질소주입장치, 적하깔때기, 온도조절기 및 냉각기를 부착한 100㎖ 3-Neck 둥근바닥 플라스크에 질소를 통과시키면서 N,N-디메틸아세타아미드(DMAc) 34.1904g을 채운 후, 반응기의 온도를 0℃로 낮춘 후 6-HMDA 4.1051g(0.01mol)을 용해하여 이 용액을 0℃로 유지하였다. 여기에 6-FDA 4.4425g(0.01mol)을 첨가하고, 1시간동안 교반하여 6-FDA를 완전히 용해시켰다. 이 때 고형분의 농도는 20중량%였으며, 이 후 용액을 상온으로 방치하여 8시간 교반하였다. 이 때 23℃에서의 용액점도 2400cps의 폴리아믹산 용액을 얻었다.N, N-dimethylacetamide (DMAc) (34.1904 g) was charged into a 100 ml 3-neck round bottom flask equipped with a stirrer, a nitrogen inlet, a dropping funnel, a temperature controller and a condenser, After lowering the temperature to 0 占 폚, 4.1051 g (0.01 mol) of 6-HMDA was dissolved and the solution was maintained at 0 占 폚. To this, 4.4425 g (0.01 mol) of 6-FDA was added and stirred for 1 hour to completely dissolve 6-FDA. At this time, the solid content was 20 wt%, and then the solution was left at room temperature and stirred for 8 hours. At this time, a polyamic acid solution having a solution viscosity of 2400 cps at 23 占 폚 was obtained.

반응이 종료된 후 수득된 폴리아믹산 용액을 유리판에서 Doctor blade를 이용하여 두께 500㎛~1000㎛로 캐스팅한 후 진공오븐에서 40℃에서 1시간, 60℃에서 2시간 건조하여 Self standing film을 얻은 후 고온 퍼니스 오븐에서 5℃/min의 승온속도로 80℃에서 3시간, 100℃에서 1시간, 200℃에서 1시간, 300℃에서 30분 가열하여 두께 50㎛인 폴리이미드 필름을 얻었다. After completion of the reaction, the polyamic acid solution obtained was cast to a thickness of 500㎛ ~ 1000㎛ by using a doctor blade on a glass plate and dried in a vacuum oven for 1 hour at 40 ℃, 2 hours at 60 ℃ to obtain a self standing film A polyimide film having a thickness of 50 μm was obtained by heating at 80 ° C. for 3 hours at 100 ° C., 1 hour at 100 ° C., 1 hour at 200 ° C., and 30 minutes at 300 ° C. in a high temperature furnace oven.

제조예 3Production Example 3

상기 제조예 2에서 N,N-디메틸아세타아미드(DMAc) 32.2438g에 6-HMDA 2.87357g(0.007mol)을 용해한 후 4-DDS 0.7449g(0.003mol)을 투입하여 완전히 용해시킨 후 6-FDA 4.4425g(0.01mol)을 첨가하고 1시간동안 교반하여 6-FDA를 완전히 용해시켰다. 이 때 고형분의 농도는 20중량%였으며, 이후 용액을 상온으로 방치하여 8시간 교반하였다. 이 때 23℃에서의 용액 점도가 2300cps 인 폴리아믹산 용액을 얻었다. In Preparation Example 2, 2.87357 g (0.007 mol) of 6-HMDA was dissolved in 32.2438 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) and 0.7449 g (0.003 mol) of 4-DDS was added thereto. 4.4425 g (0.01 mol) was added and stirred for 1 hour to completely dissolve 6-FDA. At this time, the solid content was 20 wt%, and then the solution was left at room temperature and stirred for 8 hours. At this time, a polyamic acid solution having a solution viscosity of 2300 cps at 23 ° C was obtained.

이후 상기 제조예 2와 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조하였다.Then, a polyimide film was produced in the same manner as in Production Example 2 above.

제조예 4Production Example 4

상기 제조예 2에서 N,N-디메틸아세타아미드(DMAc) 32.4623g에 6-HMDA 4.1051g(0.01mol)을 용해하고, 6-FDA 3.1097g(0.007mol)을 투입한 후 TDA 0.90078g(0.003mol)을 투입하여 1시간동안 교반하여 6-FDA 및 TDA를 완전히 용해시켰다. 이 때 고형분의 농도는 20중량%였으며, 이후 용액을 상온으로 방치하여 8시간 교반하였다. 이 때 23℃에서의 용액 점도가 2200cps 인 폴리아믹산 용액을 얻었다. 4.1051 g (0.01 mol) of 6-HMDA was dissolved in 32.4623 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc) in Production Example 2 and 3.1097 g (0.007 mol) of 6-FDA was added thereto. mol) were added and stirred for 1 hour to completely dissolve 6-FDA and TDA. At this time, the solid content was 20 wt%, and then the solution was left at room temperature and stirred for 8 hours. At this time, a polyamic acid solution having a solution viscosity of 2200 cps at 23 占 폚 was obtained.

이후 상기 제조예 2와 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조하였다.Then, a polyimide film was produced in the same manner as in Production Example 2 above.

제조예 5Production Example 5

상기 제조예 2에서 N,N-디메틸아세타아미드(DMAc) 29.4632g에 APB-133 2.9233g(0.01mol)을 용해하고, 6-FDA 4.4425g(0.01mol)을 투입한 후 1시간동안 교 반하여 6-FDA를 완전히 용해시켰다. 이 때 고형분의 농도는 20중량%였으며, 이후 용액을 상온으로 방치하여 8시간 교반하였다. 이 때 23℃에서의 용액 점도가 1200cps 인 폴리아믹산 용액을 얻었다. In Preparation Example 2, 2.9233 g (0.01 mol) of APB-133 was dissolved in 29.4632 g of N, N-dimethylacetamide (DMAc), and 4.4425 g (0.01 mol) of 6-FDA was added thereto, followed by stirring for 1 hour. 6-FDA was completely dissolved. At this time, the solid content was 20 wt%, and then the solution was left at room temperature and stirred for 8 hours. At this time, a polyamic acid solution having a solution viscosity of 1200 cps at 23 占 폚 was obtained.

이후 상기 제조예 2와 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조하였다.Then, a polyimide film was produced in the same manner as in Production Example 2 above.

상기 제조예 1 내지 5로부터 얻어진 폴리이미드 필름에 대해 물성을 다음과 같이 측정하여 다음 표 1에 나타내었다. The physical properties of the polyimide films obtained in Production Examples 1 to 5 were measured as follows and shown in Table 1 below.

(1) 투과도 및 색좌표(1) Transmission and color coordinates

제조된 필름을 UV분광계(Varian사, Cary100)을 이용하여 가시광선 투과도를 측정하였다. The visible light transmittance of the prepared film was measured using a UV spectrometer (Varian, Cary100).

또한 색좌표를 제조된 필름을 UV분광계(Varian사, Cary100)을 이용하여 ASTM E 1347-06 규격에 따라 측정하였으며, 광원(Illuminant)은 CIE D65에 의한 측정값을 기준으로 하였다. The color coordinates of the prepared film were measured according to the ASTM E 1347-06 standard by using a UV spectrometer (Varian, Cary100), and the illuminant was measured based on the measured value by CIE D65.

(2) 황색도(2) Yellowness

ASTM E313규격으로 황색도를 측정하였다.Yellowness was measured according to ASTM E313 standard.

(3) 선팽창계수(CTE)(3) Coefficient of linear expansion (CTE)

TMA(TA Instrument사, Q400)를 이용하여 TMA-Method에 따라 50~250℃에서의 평균 선팽창계수를 측정하였다.TMA (TA Instrument, Inc., Q400) was used to measure the average coefficient of linear expansion at 50-250 ° C. according to TMA-Method.

구분division 두께
(㎛)
thickness
(탆)
선팽창계수
(ppm/℃)
Coefficient of linear expansion
(ppm / DEG C)
황색도Yellowness 투과도Permeability 색좌표Color coordinates
380㎚
~780㎚
380 nm
~ 780 nm
551㎚
~780㎚
551 nm
~ 780 nm
550㎚550 nm 500㎚500 nm 420㎚420 nm LL aa bb
제조예Manufacturing example 1One 5050 21.621.6 2.462.46 86.986.9 90.590.5 89.889.8 89.389.3 84.684.6 96.2296.22 -0.27-0.27 1.031.03 22 5050 4646 1.591.59 87.687.6 90.090.0 89.789.7 89.289.2 85.485.4 95.8595.85 -0.12-0.12 0.990.99 33 5050 3535 2.762.76 87.987.9 89.689.6 89.589.5 89.089.0 58.658.6 95.6195.61 -0.42-0.42 1.911.91 44 5050 4040 3.453.45 88.288.2 90.090.0 89.889.8 89.389.3 60.160.1 95.5695.56 -0.49-0.49 2.052.05 55 5050 46.046.0 6.466.46 83.883.8 88.888.8 87.287.2 84.884.8 73.273.2 94.694.6 0.590.59 5.095.09

실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 7(플라스틱 기판의 제조의 예)Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 7 (Example of Production of Plastic Substrate)

상기 제조예 1 내지 5로부터 얻어진 각각의 플라스틱 필름(두께 50㎛) 상에, 전도성 금속을 증착하여 전도성 금속막을 형성시키고, 여기에 탄소나노튜브(SWNT, CNI社)를 투명 폴리이미드 수지 고형분 100중량부에 대해 0.001 내지 1중량부로 분산시킨 폴리이미드 바니쉬(이때 폴리이미드 조성은 상기 제조예 1 내지 제조예 5로부터 얻어지는 폴리아믹산 조성을 사용)를 Casting 또는 Spray 등의 방법으로 박막으로 도포하여 탄소나노튜브가 분산된 수지층을 형성하였다. 또 다른 발명의 구현 예에서는 상기에서 제조된 CNT가 분산된 수지층을 형성함에 있어서 폴리이미드 수지 고형분 함량 100중량부에 대해 5 내지 25중량부의 ITO 분말을 추가 혼합 분산시켜 수지층을 형성하였다(실시예 9 내지 10). A conductive metal film was deposited on each of the plastic films (thickness 50 탆) obtained from Production Examples 1 to 5 to form a conductive metal film. Carbon nanotubes (SWNT, CNI) were immersed in a transparent polyimide resin solid content of 100 wt% Polyimide varnish dispersed in an amount of 0.001 to 1 part by weight per 100 parts by weight of the polyimide varnish (wherein the polyimide composition is obtained by using the polyamic acid composition obtained from Preparation Examples 1 to 5) is applied as a thin film by casting or spraying, Thereby forming a dispersed resin layer. In another embodiment of the invention to form a resin layer by further mixing and dispersing 5 to 25 parts by weight of ITO powder with respect to 100 parts by weight of the polyimide resin solid content in forming the resin layer in which the CNT prepared above is dispersed (execution) Examples 9-10).

구체적인 금속막층의 종류 및 두께, 탄소나노튜브 또는 ITO 분말이 분산된 수지층 중의 탄소나노튜브 또는 ITO 분말 함량 및 두께 등은 다음 표 2에 나타내었다.The type and thickness of the specific metal film layer and the carbon nanotube or ITO powder content and thickness in the resin layer in which carbon nanotubes or ITO powder are dispersed are shown in Table 2 below.

플라스틱 필름Plastic film 전도성 금속막Conductive metal film 전도성 물질 분산
수지층
Dispersion of conductive material
Resin layer
종류Kinds 두께
(nm)
thickness
(nm)
두께
(um)
thickness
(um)
CNT 함량*
CNT content *
ITO 분말
함량*
ITO powder
content*
실시예 1Example 1 제조예 1Production Example 1 MgMg 1010 0.40.4 0.010.01 -- 실시예 2Example 2 제조예 2Production Example 2 MgMg 1010 1.21.2 0.010.01 -- 실시예 3Example 3 제조예 1Production Example 1 MgMg 1010 2.52.5 0.010.01 -- 실시예 4Example 4 제조예 5Production Example 5 MgMg 5050 2.52.5 0.010.01 -- 실시예 5Example 5 제조예 1Production Example 1 AlAl 1010 0.40.4 0.010.01 -- 실시예 6Example 6 제조예 2Production Example 2 AlAl 1010 1.21.2 0.010.01 -- 실시예 7Example 7 제조예 1Production Example 1 AlAl 1010 2.52.5 0.010.01 -- 실시예 8Example 8 제조예 5Production Example 5 AlAl 5050 2.52.5 0.010.01 -- 실시예 9Example 9 제조예 1Production Example 1 AlAl 1010 2.52.5 0.010.01 55 실시예 10Example 10 제조예 1Production Example 1 AlAl 5050 2.52.5 0.010.01 2525 비교예 1Comparative Example 1 제조예 1Production Example 1 -- -- -- -- -- 비교예 2Comparative Example 2 제조예 1Production Example 1 -- -- 0.040.04 0.0010.001 -- 비교예 3Comparative Example 3 제조예 4Production Example 4 -- -- 0.20.2 0.030.03 -- 비교예 4Comparative Example 4 제조예 4Production Example 4 -- -- 0.20.2 0.050.05 -- 비교예 5Comparative Example 5 제조예 1Production Example 1 -- -- 0.4 0.4 0.010.01 -- 비교예 6Comparative Example 6 제조예 1Production Example 1 -- -- 1.21.2 0.010.01 -- 비교예 7Comparative Example 7 제조예 2Production Example 2 -- -- 2525 0.010.01 -- (주)
* 바니쉬 중 포함되는 폴리아믹산 고형분 함량 100중량부에 대한 중량부로 표시
(week)
* Expressed as parts by weight based on 100 parts by weight of the polyamic acid solid content in the varnish

실험예 1Experimental Example 1

상기 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 7로부터 얻어진 플라스틱 기판에 대해 다음과 같이 평가하였으며 그 결과를 표 3에 나타내었다.The plastic substrates obtained from Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 7 were evaluated as follows, and the results are shown in Table 3.

(1) 광학특성(1) Optical characteristics

제조된 플라스틱 기판에 대하여 UV분광계(Varian사, Cary100)를 이용하여 가시광선 투과도를 측정하였다. The visible light transmittance of the prepared plastic substrate was measured using a UV spectrometer (Varian, Cary100).

하기 표 3의 결과로부터, 비교예를 보면 표면 저항의 감소를 위해 CNT함량을 늘렸을 경우 투과도의 급격한 감소가 보인다. 이로 인해 CNT 만을 사용하는 전극의 경우 디스플레이에서 요구하는 표면 저항을 달성할 수 없음을 알 수 있다.From the results shown in the following Table 3, the comparative example shows a drastic reduction in the permeability when the CNT content is increased to reduce the surface resistance. As a result, it can be seen that the surface resistance required by the display can not be achieved for an electrode using only CNTs.

이에 본 발명의 구현예에 따라 전도성 금속막 상에 CNT 투명전극을 형성할 경우 기존 CNT로 된 전극과 대비하여 CNT의 필요량이 감소하게 되어 낮은 표면저항을 나타내면서도 70% 이상의 높은 광투과성을 갖게 되어 디스플레이용 투명전극으로의 사용이 가능함을 알 수 있다. Accordingly, when the CNT transparent electrode is formed on the conductive metal film according to the embodiment of the present invention, the required amount of CNT is reduced compared with the conventional CNT electrode, so that the CNT transparent electrode has a low surface resistance and a high light transmittance of 70% It can be used as a transparent electrode for a display.

또한 CNT만을 이용한 투명 전극의 경우 CNT의 분산 정도에 따라 전극 표면상의 저항이 유의차가 영향을 많이 받게 되고 이는 분산을 비롯한 제조 공정상의 어려움을 야기할 수 있는 반면 본 발명의 구현에 따라 제조된 투명 전극의 경우 금속층으로 인해 일정한 전극 기능을 기본 적으로 수행할 수 있으므로 이는 디스플레이 제작에 있어서 전극기능의 손실에 따른 영상 미 구현의 가능성을 감소시키는 효과를 가질 수 있다. Also, in the case of a transparent electrode using only CNTs, a significant difference in resistance on the surface of the electrode depends on the degree of dispersion of the CNTs, which may cause difficulties in manufacturing process including dispersion. On the other hand, A certain electrode function can be performed basically due to the metal layer, which can reduce the possibility of image non-implementation due to the loss of the electrode function in the display production.

(2) 표면저항(2) surface resistance

표면저항 측정은 고 저항계(Hiresta-UP MCT-HT450 (Mitsuibishi Chemical Corporation), 측정 범위 : 10× 105 ~ 10× 1015) 및 저 저항계(CMT-SR 2000N (Advanced Instrument Technology; AIT사), 4- Point Probe System, 측정 범위 : 10× 10-3 ~ 10× 105 )를 이용하여, 10회 측정하여 평균값을 구하였다.The surface resistance was measured using a high resistance meter (Hiresta-UP MCT-HT450 (Mitsuibishi Chemical Corporation), measuring range: 10 × 10 5 to 10 × 10 15 ) and a low resistance meter (CMT-SR 2000N - Point Probe System, measurement range: 10 × 10 -3 to 10 × 10 5 ).

다음 표 3의 결과로부터, 본 발명의 일 구현예에 따른 투명전극의 경우 동일한 CNT의 양을 기준으로 할 때 CNT층만을 갖는 투명전극(비교예 5 내지 7)에 비하여 더 낮은 표면 저항의 구현이 가능함을 알 수 있다. 따라서 CNT만의 투명 전극에 비해 투과도가 우수한 투명전극의 구현이 가능함을 알 수 있다.From the results shown in the following Table 3, the transparent electrode according to an embodiment of the present invention has a lower surface resistance than the transparent electrodes having only the CNT layer (Comparative Examples 5 to 7) based on the same amount of CNTs It is possible to know. Therefore, it can be understood that a transparent electrode having excellent transparency compared to a transparent electrode of only CNT can be realized.

(3) 플라스틱 기판의 균열발생 유무(3) Cracking of plastic substrate

플라스틱 기판의 경우 전도성 금속막을 형성하여 전극으로 이용하기 위해서는 플라스틱 필름 상에 증착되는 전도성 금속막의 두께가 두꺼워지고 이로 인해 플라스틱 기판의 구부림시 플라스틱 기판과 금속층간의 유연성의 차이로 인한 박리 및 금속층의 균열을 일으키게 되어 전극의 기능을 손실할 수 있다. 그러나 본 발명의 일 구현예에 따른 플라스틱 기판의 경우 전도성 금속막과 함께 전도성 물질이 분산된 수지층을 도입함에 따라 전도성 금속막의 두께를 보다 얇게 할 수 있으며, 플라스틱 필름 및 필름 상의 전도성 금속막 및 전도성 금속막 상에 올라가는 전도성 물질이 분산된 수지층의 수지로 인해 구부림시 발생하는 치수안정성의 차이에 따른 전도성 금속막의 박리 및 균열에 대한 문제점을 감소시킬 수 있으므로 기존의 전도성 금속막의 단일 전극층에 비하여 디스플레이 및 기판의 구부림에 대한 내박리성 및 내균일성이 향상될 수 있다. In the case of a plastic substrate, in order to form a conductive metal film and use it as an electrode, the thickness of the conductive metal film deposited on the plastic film becomes thick, thereby causing peeling due to the difference in flexibility between the plastic substrate and the metal layer, And the function of the electrode may be lost. However, in the case of the plastic substrate according to an embodiment of the present invention, the thickness of the conductive metal film can be made thinner by introducing the resin layer in which the conductive material is dispersed together with the conductive metal film, and the conductive metal film and the conductive It is possible to reduce the problems of peeling and cracking of the conductive metal film due to the difference in dimensional stability caused by bending due to the resin of the resin layer in which the conductive material rising on the metal film is dispersed, And the peel resistance and the uniformity against bending of the substrate can be improved.

이와 관련하여서는 구체적인 평과결과를 표 3에 기재하지는 않는다. Concrete evaluation results are not shown in Table 3 in this regard.

(4) 가스 및 수분 차단 특성(4) Gas and moisture barrier properties

- 산소투과도(OTR)- Oxygen Permeability (OTR)

Mocon Oxytran 1000을 이용하여 ASTM D-39859에 따라 23℃, 0%RH에서 10회 측정하여 평균값을 구하였다.The average value was determined by measuring 10 times at 23 DEG C and 0% RH in accordance with ASTM D-39859 using Mocon Oxytran 1000.

- 수분투과도(WVTR)- Water permeability (WVTR)

Mocon Aquatran Model 1을 이용하여 ASTM F-1249에 따라 38℃, 90%RH에서 10회 측정하여 평균값을 구하였다.The average value was determined by measuring 10 times at 38 DEG C and 90% RH according to ASTM F-1249 using Mocon Aquatran Model 1.

필름은 그 자체가 공기나 수분 등을 함유하며, 또한 통기성이나 투습성이 높기 때문에 외기나 필름으로부터 액정층 또는 유기 발광소자층으로 공기나 수분 등이 침입하여 기포가 생기거나, 수분 및 산소에 의해 액정 및 유기 발광소자 등이 산화 되어 표시 장치의 수명 감소와 열화될 우려가 있다. 이의 해결 방안으로, 기판으로 사용하는 필름의 내면 또는/그리고 외면에 단층 무기물층 또는 유기층/무기물층의 다층을 형성하여 가스 및 수분을 차단하는 배리어층을 형성할 수 있다. 즉, 외기의 공기나 수분 뿐만이 아니라, 필름 자신에 함유되는 공기나 수분도 차단할 수 있다. Since the film itself contains air or moisture and has high air permeability and moisture permeability, air or water enters the liquid crystal layer or the organic light emitting element layer from the outside air or the film, bubbles are generated, And the organic light emitting device or the like are oxidized to reduce the life of the display device and deteriorate the display device. In order to solve this problem, it is possible to form a multilayer of a monolayer inorganic layer or an organic layer / inorganic layer on the inner and / or outer surface of a film used as a substrate to form a barrier layer for shielding gas and moisture. That is, not only air and moisture of outside air, but also air and moisture contained in the film itself can be blocked.

그러나 본 발명의 플라스틱 기판에 포함되는 전도성 금속막은 기판이 되는 플라스틱 필름 상부에 형성되어 전극의 역할 뿐만 아니라 가스 배리어층 역할을 수행하여 표시소자의 제작 비용을 줄일 수 있고, 또한 수명을 향상시킬 수 있음을 표 3의 산소투과율 및 수분투과율의 결과로부터 확인할 수 있다. However, the conductive metal film included in the plastic substrate of the present invention is formed on the plastic film serving as a substrate to serve not only as an electrode but also as a gas barrier layer, thereby reducing the manufacturing cost of the display device and improving the lifetime. Can be confirmed from the results of the oxygen permeability and the water permeability in Table 3.

표면저항
(Ω/Sq)
Surface resistance
(Ω / Sq)
투과도
(500nm, %)
Permeability
(500 nm,%)
OTR
(cc/M2Day)
OTR
(cc / M 2 Day)
WVTR
(g/M2Day)
WVTR
(g / M 2 Day)
실시예 1Example 1 2.2x106 2.2 x 10 6 81.281.2 0.0250.025 0.0680.068 실시예 2Example 2 1.9x106 1.9x10 6 81.281.2 0.020.02 0.0540.054 실시예 3Example 3 4.2x105 4.2 x 10 5 83.483.4 0.010.01 0.0280.028 실시예 4Example 4 2.2x102 2.2x10 2 80.180.1 0.0040.004 0.0120.012 실시예 5Example 5 5.0x105 5.0x10 5 79.779.7 0.0290.029 0.0590.059 실시예 6Example 6 2.0x105 2.0x10 5 81.581.5 0.0220.022 0.0510.051 실시예 7Example 7 4.2x104 4.2 x 10 4 84.484.4 0.010.01 0.0350.035 실시예 8Example 8 6.0x101 6.0x10 1 81.181.1 0.0040.004 0.0160.016 실시예 9Example 9 3.6x102 3.6 x 10 2 85.285.2 0.00960.0096 0.030.03 실시예 10Example 10 7.0x101 7.0x10 1 85.685.6 0.00320.0032 0.0120.012 비교예 1Comparative Example 1 > 1013 > 10 13 89.389.3 5757 17.817.8 비교예 2Comparative Example 2 3.2x1011 3.2x10 11 8989 20.920.9 88 비교예 3Comparative Example 3 2.2x103 2.2 x 10 3 7575 3.53.5 55 비교예 4Comparative Example 4 1.2x101 1.2x10 1 5454 1.71.7 1.21.2 비교예 5Comparative Example 5 3.0x108 3.0x10 8 77.377.3 0.90.9 33 비교예 6Comparative Example 6 1.9x107 1.9x10 7 75.275.2 0.50.5 1.11.1 비교예 7Comparative Example 7 4.2x106 4.2 x 10 6 72.272.2 0.290.29 0.90.9

실시예 11 내지 23 및 비교예 8 내지 14(투명전극필름의 제조의 예)Examples 11 to 23 and Comparative Examples 8 to 14 (Examples of Production of Transparent Electrode Film)

상기 제조예 1 내지 5로부터 얻어진 각각의 플라스틱 필름 상에, ITO 증착막 또는 IZO 증착막을 형성시키고, 이어서 포토리소그래피 및 에칭에 의해 ITO 증착층 또는 IZO 증착층을 패터닝하여 스트라이프 형상의 투명전극을 형성하였다. An ITO vapor deposition film or an IZO vapor deposition film was formed on each of the plastic films obtained in Production Examples 1 to 5 and then an ITO vapor deposition layer or an IZO vapor deposition layer was formed by photolithography and etching to form a stripe transparent electrode.

ITO 또는 IZO 투명전극 상에 탄소나노튜브(SWNT, CNI社)를 투명 폴리이미드 수지 고형분의 0.001 내지 1중량%로 분산시킨 폴리이미드 바니쉬(이때 폴리이미드 조성은 상기 제조예 1 내지 제조예 5로부터 얻어지는 폴리아믹산 조성을 사용)를 Casting 또는 Spray 등의 방법으로 박막으로 도포하여 탄소나노튜브가 분산된 수지층을 형성하였다. 또 다른 발명의 구현 예에서는 상기에서 제조된 CNT가 분산된 수지층을 형성함에 있어서 폴리이미드 수지 고형분 함량 100중량부에 대해 5 내지 25중량부의 ITO 분말을 추가 혼합 분산시켜 수지층을 형성하였다(실시예 20 내지 21).A polyimide varnish in which carbon nanotubes (SWNT, CNI) are dispersed in an amount of 0.001 to 1% by weight based on the solid content of a transparent polyimide resin on an ITO or IZO transparent electrode (polyimide varnish having a polyimide composition obtained from Production Examples 1 to 5 Polyamic acid composition) was applied as a thin film by casting or spraying to form a resin layer in which carbon nanotubes were dispersed. In another embodiment of the invention to form a resin layer by further mixing and dispersing 5 to 25 parts by weight of ITO powder with respect to 100 parts by weight of the polyimide resin solid content in forming the resin layer dispersed in the CNT prepared above (execution) Examples 20-21).

구체적인 ITO 또는 IXO 증착막의 두께, 탄소나노튜브가 분산된 수지층 중의 탄소나노튜브 함량, ITO 분말 함량 및 두께 등은 다음 표 4 나타내었다. The thickness of the ITO or IXO deposited film, the carbon nanotube content in the resin layer in which the carbon nanotubes are dispersed, the ITO powder content, and the thickness are shown in Table 4 below.

플라스틱 필름Plastic film ITO 증착막ITO deposition film IZO 증착막IZO deposition film 전도성 물질 분산
수지층
Dispersion of conductive material
Resin layer
두께
(nm)
thickness
(nm)
두께
(nm)
thickness
(nm)
두께
(um)
thickness
(um)
CNT 함량*CNT content * ITO 분말 함량*ITO powder content *
실시예 11Example 11 제조예 1Production Example 1 5050 -- 0.40.4 0.010.01 -- 실시예 12Example 12 제조예 2Production Example 2 5050 -- 1.21.2 0.010.01 -- 실시예 13Example 13 제조예 1Production Example 1 5050 -- 2.52.5 0.010.01 -- 실시예 14Example 14 제조예 5Production Example 5 100100 -- 0.4 0.4 0.020.02 -- 실시예 15Example 15 제조예 1Production Example 1 100100 -- 1.21.2 0.020.02 -- 실시예 16Example 16 제조예 2Production Example 2 100100 -- 2.52.5 0.020.02 -- 실시예 17Example 17 제조예 1Production Example 1 150150 -- 0.40.4 0.050.05 -- 실시예 18Example 18 제조예 5Production Example 5 150150 -- 1.21.2 0.050.05 -- 실시예 19Example 19 제조예 1Production Example 1 150150 -- 2.52.5 0.050.05 -- 실시예 20Example 20 제조예 1Production Example 1 5050 -- 2.52.5 0.010.01 55 실시예 21Example 21 제조예 1Production Example 1 5050 -- 2.52.5 0.010.01 2525 실시예 22Example 22 제조예 1Production Example 1 -- 100100 2.52.5 0.010.01 -- 실시예 23Example 23 제조예 1Production Example 1 -- 150150 2.52.5 0.010.01 -- 비교예 8Comparative Example 8 제조예 2Production Example 2 5050 -- -- -- -- 비교예 9Comparative Example 9 제조예 3Production Example 3 100100 -- -- -- -- 비교예 10Comparative Example 10 제조예 1Production Example 1 150150 -- -- -- -- 비교예 11Comparative Example 11 제조예 1Production Example 1 200200 -- -- -- -- 비교예 12Comparative Example 12 제조예 1Production Example 1 300300 -- -- -- -- 비교예 13Comparative Example 13 제조예 1Production Example 1 -- -- -- -- 2525 비교예 14Comparative Example 14 제조예 1Production Example 1 -- 150150 -- -- -- (주)
* 바니쉬 중 포함되는 폴리아믹산 고형분 함량 100중량부에 대한 중량부로 표시
(week)
* Expressed as parts by weight based on 100 parts by weight of the polyamic acid solid content in the varnish

실험예 2Experimental Example 2

상기 실시예 11 내지 23 및 비교예 8 내지 14로부터 얻어진 투명전극 필름에 대해 다음과 같이 평가하여 그 결과를 다음 표 5에 나타내었다.The transparent electrode films obtained in Examples 11 to 23 and Comparative Examples 8 to 14 were evaluated as follows, and the results are shown in Table 5 below.

(1) 광학특성(1) Optical characteristics

제조된 투명전극 필름에 대하여 UV분광계(Varian사, Cary100)를 이용하여 가시광선 투과도를 측정하였다. The visible light transmittance of the prepared transparent electrode film was measured using a UV spectrometer (Varian, Cary100).

표 5의 결과에서 보면 ITO 또는 IZO 증착층의 증착 두께가 두꺼워 짐에 따라 표면 저항이 감소하고 투과도가 상승하는 것을 볼 수 있다. 하지만 ITO층(또는 IZO층)의 두께가 200~300nm 이상으로 두꺼워질 경우 전극 필름을 구부리게 되면 ITO층(또는 IZO층)과 플라스틱 필름 간의 박리 및 ITO층(또는 IZO층)의 균열을 유발하여 성능이 저해되어 ITO가 두껍게 올라간 전극의 경우 Banding 자체가 어렵거나 기판의 유연성이 극히 작게 되어 본 발명의 목적중의 하나인 Flexibility는 감소할 수 있다.From the results in Table 5, it can be seen that as the thickness of the ITO or IZO deposition layer increases, the surface resistance decreases and the transmittance increases. However, when the thickness of the ITO layer (or IZO layer) is increased to 200 to 300 nm or more, bending of the electrode film causes peeling between the ITO layer (or IZO layer) and the plastic film and cracking of the ITO layer (or IZO layer) In the case of an electrode in which the performance is impaired and the ITO is thickly raised, the banding itself is difficult or the flexibility of the substrate is extremely small, so that flexibility which is one of the objects of the present invention can be reduced.

이에 본 발명의 구현예에 따라 ITO층(또는 IZO층) 상에 전도성 물질 분산 수지층을 형성할 경우 ITO층(또는 IZO층)만을 갖는 투명전극 필름에 비해 동일한 표면저항 구현에 필요한 ITO층(또는 IZO층)의 두께를 감소시킬 수 있고, 이때 소요되는 전도성 물질 분산 수지층 중의 전도성 물질의 양 역시 ITO층(또는 IZO층)의 존재로 인해 극소량만으로도 구현하고자 하는 표면 저항에 도달할 수 있으므로 전도성 물질 분산 수지층 형성으로 인한 투과도의 저해가 극히 작으며, 전도성 물질 분산 수지층 역시 고투과성의 무색 수지이므로 ITO층(또는 IZO층)만으로 된 후막에 비하여 유사한 수준의 투과도를 나타낼 수 있다. 또한 하기에서 언급하는 바와 같이 본 발명 구현예에 의해 전도성 물질 분산 수지층을 포함하는 투명전극 필름은 ITO층(또는 IZO층)의 박리 및 균열에 대한 보정기능도 가능케 한다. Therefore, when a conductive material-dispersed resin layer is formed on the ITO layer (or the IZO layer) according to the embodiment of the present invention, the ITO layer (or the ITO layer) required to realize the same surface resistance as the transparent electrode film having only the ITO layer IZO layer), and the amount of the conductive material in the conductive material-dispersed resin layer at this time can also reach the surface resistance desired to be achieved with only a very small amount due to the presence of the ITO layer (or the IZO layer) Since the dispersion of the conductive material dispersed resin layer is also a highly transparent colorless resin, a similar level of transmittance can be exhibited as compared with the thick film formed only of the ITO layer (or IZO layer). In addition, as described below, the transparent electrode film including the conductive material dispersed resin layer according to the embodiment of the present invention also enables the correction function for peeling and cracking of the ITO layer (or IZO layer).

(2) 표면저항(2) surface resistance

표면저항 측정은 고 저항계(Hiresta-UP MCT-HT450 (Mitsuibishi Chemical Corporation),측정 범위 : 10× 105 ~ 10× 1015) 및 저 저항계(CMT-SR 2000N (Advanced Instrument Teshnology; AIT사), 4- Point Probe System, 측정 범위 : 10× 10-3 ~ 10× 105 )를 이용하여, 10회 측정하여 평균값을 구하였다.The surface resistance was measured using a high resistance meter (Hiresta-UP MCT-HT450 (Mitsuibishi Chemical Corporation), a measuring range of 10 10 -5 to 10 10 15 ) and a low resistance meter (CMT-SR 2000N (Advanced Instrument Teshnology; - Point Probe System, measurement range: 10 × 10 -3 to 10 × 10 5 ).

하기 표 4에 나타낸 것과 같이 본 발명의 구현예에 따른 투명전극의 경우 동일한 CNT의 양을 기준할 때 CNT만의 투명전극에 비하여 더 낮은 표면 저항의 구현이 가능함을 알 수 있다. 따라서 CNT만의 투명 전극에 비해 투과도가 우수한 투명전극의 구현이 가능함을 알 수 있다. As shown in Table 4 below, it can be seen that the transparent electrode according to the embodiment of the present invention can have a lower surface resistance than the transparent electrode having only CNT based on the same amount of CNTs. Therefore, it can be understood that a transparent electrode having excellent transparency compared to a transparent electrode of only CNT can be realized.

(3) ITO Banding(3) ITO Banding

표 4의 결과에 의하면 ITO의 증착 두께가 두꺼워 짐에 따라 표면 저항이 감소하고 투과도가 상승하는 것을 볼 수 있다. 하지만 ITO층의 두께 증가에 따라 전극 필름을 구부릴 경우 ITO층에 균열을 유발하여 성능이 저해되어 ITO가 두껍게 올라간 전극의 경우 Banding 자체가 어렵거나 기판의 유연성이 극히 작게 되어 Flexibility는 감소할 수 있다. 그러나 본 발명의 일 구현예에 따라 ITO증착층(또는 IZO 증착층) 상에 전도성 물질이 분산된 수지층을 포함하는 경우 상대적으로 필요한 표면 저항 및 광투과도를 달성하기 위한 ITO층의 두께가 얇아지게 되어 기존 구조의 전극 필름에 비해 투명 전극의 유연성이 증가할 뿐만 아니라 전도성 물질이 분산된 수지층의 수지로 인해 ITO층(또는 IZO층)은 상/하에 유연한 고분자 수지로 보호되어 기존 ITO 전극에 비하여 구부림으로 인한 균열의 발생율이 감소하게 됨을 알 수 있다.The results of Table 4 show that as the thickness of the ITO deposition increases, the surface resistance decreases and the transmittance increases. However, when the electrode film is bent according to the increase of the thickness of the ITO layer, cracks are generated in the ITO layer and the performance is impaired. In the case of the ITO thick electrode, the banding itself is difficult or the flexibility of the substrate is extremely small. However, according to one embodiment of the present invention, when a resin layer containing a conductive material is dispersed on the ITO deposition layer (or the IZO deposition layer), the thickness of the ITO layer for achieving a relatively required surface resistance and light transmittance is reduced The flexibility of the transparent electrode is increased as compared with the electrode film of the conventional structure, and the ITO layer (or the IZO layer) is protected by the flexible polymer resin at the top and the bottom due to the resin of the resin layer in which the conductive material is dispersed, The occurrence rate of cracks due to bending is reduced.

이상에서 본 것과 같이, 본 발명의 일 구현예들에 의하면 전기전도도가 우수하며, 두께는 얇게 하여도 투과도를 우수하게 할 수 있으며, 기존의 CNT 혹은 ITO로 이루어진 단층의 투명전극에 비하여 저가의 재료로 박막 및 우수한 투과성을 갖는 투명전극을 얻을 수 있다.As described above, according to the embodiments of the present invention, the electrical conductivity is excellent, and even if the thickness is reduced, the transmittance can be improved. In addition, compared with the single-layer transparent electrode made of the conventional CNT or ITO, A thin film and a transparent electrode having excellent permeability can be obtained.

또한 Ag, Mg,Ba 등은 금속이므로 능동 매트릭스(Active Matrix) 패널 제작시 TFT등의 소자와 접합부분에서 오믹 컨텍(Ohmic contact)을 쉽게 만들 수 있으며, 유기 EL 소자 제작시에는 일함수가 높은 Ag가 포함된 투명전극은 Anode로 사용하고, Ca 또는 Mg가 포함된 투명전극은 Cathode로 이용할 수 있는 장점이 있다. Since Ag, Mg, and Ba are metals, it is easy to make Ohmic contact at junctions with devices such as TFTs in the production of active matrix panels. In manufacturing organic EL devices, Ag Is used as an anode, and a transparent electrode containing Ca or Mg can be used as a cathode.

표면저항
(Ω/Sq)
Surface resistance
(Ω / Sq)
투과도
(500nm, %)
Permeability
(500 nm,%)
OTR
(cc/M2Day)
OTR
(cc / M 2 Day)
WVTR
(g/M2Day)
WVTR
(g / M 2 Day)
실시예 11Example 11 7.0x102 7.0 x 10 2 88.288.2 0.0260.026 0.060.06 실시예 12Example 12 4.7x102 4.7x10 2 87.987.9 0.0240.024 0.0510.051 실시예 13Example 13 2.8x102 2.8x10 2 87.787.7 0.0180.018 0.0470.047 실시예 14Example 14 5.0x102 5.0 x 10 2 86.986.9 0.00850.0085 0.0350.035 실시예 15Example 15 2.0x102 2.0x10 2 86.286.2 0.00770.0077 0.030.03 실시예 16Example 16 6.0x101 6.0x10 1 85.885.8 0.00680.0068 0.0270.027 실시예 17Example 17 5.0x101 5.0x10 1 86.386.3 0.0060.006 0.0220.022 실시예 18Example 18 3.0x101 3.0x10 1 85.885.8 0.00450.0045 0.0160.016 실시예 19Example 19 2.3x101 2.3x10 1 85.185.1 0.0040.004 0.0120.012 실시예 20Example 20 4.5x101 4.5x10 1 88.288.2 0.00380.0038 0.0110.011 실시예 21Example 21 2.2x101 2.2x10 1 88.288.2 0.00150.0015 0.0060.006 실시예 22Example 22 1.5x102 1.5x10 2 86.486.4 0.0040.004 0.0130.013 실시예 23Example 23 5.2x101 5.2x10 1 87.387.3 0.00170.0017 0.0070.007 비교예 8Comparative Example 8 2.0x103 2.0x10 3 87.287.2 0.030.03 0.0620.062 비교예 9Comparative Example 9 7.0x102 7.0 x 10 2 86.986.9 0.010.01 0.0410.041 비교예 10Comparative Example 10 5.0x102 5.0 x 10 2 87.887.8 0.00690.0069 0.0270.027 비교예 11Comparative Example 11 4.0x101 4.0x10 1 87.587.5 0.0040.004 0.0150.015 비교예 12Comparative Example 12 6.0x100 6.0x10 0 86.786.7 0.0030.003 0.0110.011 비교예 13Comparative Example 13 4.0x102 4.0x10 2 87.187.1 0.040.04 0.150.15 비교예 14Comparative Example 14 8.0x102 8.0x10 2 87.987.9 0.00450.0045 0.0190.019

참고실시예 1 내지 6 및 비교시료Reference Examples 1 to 6 and Comparative Samples

상기 제조예 1 내지 5로부터 얻어진 각각의 플라스틱 필름(두께 50㎛) 상에, 다음 표 6과 같은 반사성 금속을 증착하여 반사성 금속막을 형성시키고, 형성된 금속막에 대한 반사도를 측정하였다. On each of the plastic films (thickness 50 μm) obtained from Production Examples 1 to 5, a reflective metal film was formed by depositing a reflective metal as shown in Table 6 below, and reflectance of the formed metal film was measured.

반사 특성의 평가에 사용한 반사재의 구조에 대해서 설명한다.The structure of the reflecting material used for evaluation of a reflection characteristic is demonstrated.

먼저, 플라스틱 기판 위에, 상기한 제조 방법에 의해, 표면에 금속막을 형성하고, 이 금속막 위에 투명플라스틱 보호층 또는 투명플라스틱 수지를 이용한 전극층을 형성함으로써, 플라스틱 기판과 이 위에 형성된 금속막으로 된 플라스틱 기판을 제조하여 이를 평가 시료로 하였다. First, by forming a metal film on the surface of the plastic substrate by the above-described manufacturing method, and forming an electrode layer using a transparent plastic protective layer or a transparent plastic resin on the metal film, the plastic of the plastic substrate and the metal film formed thereon The board | substrate was manufactured and it was set as the evaluation sample.

본 반사 특성의 평가는, 플라스틱 기판에 있어서 금속막이 반사형 액정표시장치의 구조에서 투명 보호층 또는 투명전극층의 아래에 형성됨에 따라 외부광이 액정표시장치의 전면부를 통하여 투명 보호층 또는 투명전극층의 폴리이미드막을 투과한 뒤에 금속막에서 확산 반사되도록 하였다.The evaluation of the reflective characteristics is that the external light passes through the front portion of the liquid crystal display device as the metal film is formed under the transparent protective layer or the transparent electrode layer in the structure of the reflective liquid crystal display device in the plastic substrate. After passing through the polyimide film, the metal film was diffusely reflected.

반사재의 휘도의 측정에 사용한 측정계에 대해서 설명한다.The measuring system used for the measurement of the brightness of a reflecting material is demonstrated.

그 일예를 도 14에 나타내었는바, 반사판이 형성된 플라스틱 기판의 상부의 일정 위치에 휘도계를 배치하고, 반사판의 측면측에 광원을 배치하였다. 광원으로부터 방출되는 입사광과 반사광으로 형성되는 각도를 입사각도(θ)로 정의하고, 이 광원은 입사각도(θ)를 가변할 수 있도록 소정의 위치로 이동할 수 있게 되어 있다. 광원으로서 백색광을 사용하며, 편광 필름은 사용하지 않는 측정계로 하였다. 이어서, 입사각도(θ)를 7.4о∼35.6о의 범위로 변경하면서 광원에서 백색광을 방출하고, 금속막에서 반사된 광의 휘도를 휘도계에 의해 측정함으로써, 휘도의 입사각도(θ) 의존성을 조사하였다. An example thereof is shown in Fig. 14, where a luminance meter is arranged at a predetermined position on the upper side of the plastic substrate on which the reflecting plate is formed, and a light source is arranged on the side surface of the reflecting plate. The angle formed by the incident light emitted from the light source and the reflected light is defined as the incident angle θ, and the light source can move to a predetermined position so as to vary the incident angle θ. White light was used as a light source, and the polarizing film was used as the measuring system. Subsequently, the white light is emitted from the light source while the incident angle θ is changed to a range of 7.4 ° to 35.6 ° , and the luminance angle of the light reflected from the metal film is measured by a luminance meter, thereby investigating the incident angle θ dependency of the brightness. It was.

또한, 세라믹 타입의 표준 백색 확산판을 준비하고, 상기와 같은 측정 방법으로 표준 백색 확산판에서 반사한 광의 휘도의 입사각도θ 의존성을 측정하고, 이것을 광반사 휘도의 기준치로 하였다.In addition, a ceramic type standard white diffuser plate was prepared, and the incident angle θ dependence of the luminance of light reflected from the standard white diffuser plate was measured by the above-described measuring method, and this was taken as the reference value of the light reflection luminance.

그 다음에, 플라스틱 기판으로부터 얻어진 휘도값을 표준 백색 확산판의 휘도값으로 나누고, 이것에 100을 곱한 값을 구하였다. 즉, 표준 백색 확산판의 휘도를 100으로 했을 때의 플라스틱 기판의 상대 휘도값을 구하였다.Then, the luminance value obtained from the plastic substrate was divided by the luminance value of the standard white diffuser plate, and the value obtained by multiplying this by 100 was obtained. That is, the relative luminance value of the plastic substrate when the luminance of the standard white diffuser plate was set to 100 was obtained.

그 결과는 다음 표 6과 같다.The results are shown in Table 6 below.


플라스틱
필름

plastic
film
반사성 금속막Reflective metal film 반사특성 평가Reflective property evaluation

종류

Kinds
두께
(nm)
thickness
(nm)
7.4о 7.4 о 17.7о 17.7 о 22.3о 22.3 о 26.6о 26.6 о 31.8о 31.8 о 35.6о 35.6 о
참고실시예 1Reference Example 1 제조예 1Production Example 1 MgMg 1010 486486 249249 196196 112112 9191 1414 참고실시예 2Reference Example 2 제조예 2Production Example 2 MgMg 1010 470470 267267 218218 122122 109109 1919 참고실시예 3Reference Example 3 제조예 5Production Example 5 MgMg 5050 468468 264264 204204 128128 112112 1414 참고실시예 4Reference Example 4 제조예 1Production Example 1 AlAl 1010 493493 278278 218218 9999 9191 1111 참고실시예 5Reference Example 5 제조예 2Production Example 2 AlAl 1010 487487 280280 220220 130130 116116 1515 참고실시예 6Reference Example 6 제조예 5Production Example 5 AlAl 5050 476476 284284 210210 138138 122122 2929 비교시료Comparative Sample -- -- -- 443443 279279 222222 173173 134134 9191

상기 표 6의 결과로부터, 금속막 형성에 따른 플라스틱 기판에 있어서 반사 특성의 평가 결과를 설명하면, 입사각도(θ)가 7.4о, 17.7о, 22.3о일 때는 비교 시료와 반사광의 휘도가 거의 동등하지만, 표준 백색 확산판에 대해서는 2.2~4.4배 정도의 휘도가 얻어졌다. From the results of Table 6, in the plastic substrate according to the forming the metal film will be described the results of the evaluation of the reflection property, the incident angle (θ) is 7.4 о, 17.7 о, 22.3 о the luminance of the comparison sample and the reflected light substantially the same when the However, about 2.2 to 4.4 times the luminance was obtained for the standard white diffuser plate.

이와 같이, 본 발명의 실시 형태의 반사재의 제조 방법으로 제조된 플라스틱 기판은 대부분의 광의 입사각도에서 표준 백색 확산판보다 높은 휘도가 얻어짐과 동시에, 입사각도(θ)가 큰 입사광, 즉 금속막의 측면측에서의 입사광의 반사의 휘도를 비교 시료보다 높게 할 수 있음을 알았다.As described above, the plastic substrate manufactured by the method of manufacturing the reflector according to the embodiment of the present invention obtains higher luminance than the standard white diffuser at most incident angles of the light, and at the same time the incident light having a large incident angle? It was found that the luminance of the reflection of the incident light on the side surface can be made higher than that of the comparative sample.

또는, 이 평가가 플라스틱 기판에 있어서 금속막 상에 투명전극층을 형성한 것인 상태, 즉 입사광이 폴리이미드막을 투과하여 확산 반사되는 구조로 평가하였음에도 불구하고, 표준 백색 확산판보다 높은 광반사 휘도가 얻어지므로, 폴리이미드막은 투명성이 높아 이러한 구조에서도 아무런 문제가 없음을 확인할 수 있었다.Alternatively, although the evaluation was performed in a state in which a transparent electrode layer was formed on a metal film in a plastic substrate, that is, a structure in which incident light was diffused and reflected through a polyimide film, a light reflectance higher than that of a standard white diffuser plate was obtained. Since the polyimide membrane had high transparency, it was confirmed that there was no problem even in such a structure.

또한, 금속막측으로부터 광을 쬔 형태에서도, 본 평가결과와 동등 이상의 반사 특성을 갖는 것은 말할 필요도 없다. In addition, it goes without saying that even in the form in which light is emitted from the metal film side, it has a reflection characteristic equivalent to or higher than the present evaluation result.

또한, 본 발명의 플라스틱 기판은 폴리이미드막의 전체에 걸쳐서 굴절률이 동일한 것으로 되기 때문에, 입사광이 폴리이미드막을 투과하여 확산 반사되도록 배치되는 경우에도, 광의 편광소멸 효과의 발생이 적은 반사재로 할 수 있다. In addition, since the plastic substrate of the present invention has the same refractive index over the entire polyimide film, even when the incident light is arranged to diffusely reflect through the polyimide film, it can be used as a reflective material with little occurrence of polarization extinction effect.

즉, 특별히 명기하지는 않았지만, 상기한 측정계에서 광원측과 휘도계측에 서로 편광축이 평행한 편광 필름을 배치한 경우의 휘도(La)와, 광원측과 휘도계측에 서로 편광축이 수직인 편광 필름을 배치한 경우의 휘도(Lb)를 측정하고, La/Lb값(콘트라스트비)을 산출하면, 종래의 수지 내에서 굴절률이 다른 반사재보다, 큰 La/Lb값을 얻을 수 있다. 이는 본 발명에 따른 플라스틱 기판이 편광소멸 효과의 발생이 적은 반사재인 것을 의미한다.That is, although not specifically stated, in the above-described measuring system, the luminance La when the polarizing films are arranged parallel to each other on the light source side and the luminance measurement, and the polarizing films having the polarization axes perpendicular to each other are arranged on the light source side and the luminance measurement. When the luminance Lb in one case is measured and the La / Lb value (contrast ratio) is calculated, a La / Lb value larger than that of the reflective material having a different refractive index in the conventional resin can be obtained. This means that the plastic substrate according to the present invention is a reflective material with little occurrence of polarization extinction effect.

도 1은 평판 디스플레이 장치 소자의 단면도로, (a)는 액정 디스플레이 장치 소자, (b) 내지 (c)는 유기 EL 소자의 단면도. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view of a flat panel display device, in which (a) is a liquid crystal display device element, and (b) to (c)

도 2는 본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판의 단면도. 2 is a sectional view of a plastic substrate according to an embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 10은 본 발명의 플라스틱 기판의 다양한 일 구현예들을 도시한 단면도. Figures 3 to 10 are cross-sectional views illustrating various embodiments of the plastic substrate of the present invention.

도 11은 본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판을 적용한 LCD 소자의 단면도. 11 is a sectional view of an LCD device to which a plastic substrate according to an embodiment of the present invention is applied.

도 12는 본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판을 적용한 유기 EL 소자의 단면도.12 is a sectional view of an organic EL device to which a plastic substrate according to an embodiment of the present invention is applied.

도 13은 본 발명의 일 구현예에 의한 플라스틱 기판을 적용한 투과형 유기 EL 소자의 단면도. 13 is a sectional view of a transmission type organic EL device to which a plastic substrate according to an embodiment of the present invention is applied.

도 14는 본 발명의 일 구현예에 따라 제조된 플라스틱 기판의 반사도를 측정하기 위한 휘도 측정방법의 일예를 도시한 것이다.14 illustrates an example of a luminance measuring method for measuring reflectivity of a plastic substrate manufactured according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>Description of the Related Art [0002]

1 : 유리기판, 11 : ITO 전극 1: glass substrate, 11: ITO electrode

100 : 플라스틱 기판, 101 : 무기물층 100: plastic substrate, 101: inorganic layer

102 : UC (내화학층), 103 : 보호층(평탄화층) 102: UC (chemical layer), 103: protective layer (planarization layer)

110 : 전도성 및/또는 반사성금속막, 112 : 금속 전극110: conductive and / or reflective metal film, 112: metal electrode

113 : 반사형 전극, 111 : 산화막 113: reflective electrode, 111: oxide film

120 : 전도성 물질이 분산된 수지층, 130 : 배향막 120: a resin layer in which a conductive material is dispersed, 130:

140 : 격벽, 150 : 액정 140: barrier rib, 150: liquid crystal

160 : 유기 발광층160: organic light emitting layer

Claims (42)

플라스틱 필름;Plastic film; 상기 플라스틱 필름 상에 형성된 반사성 및/또는 전기전도성 금속막; A reflective and / or electrically conductive metal film formed on the plastic film; 상기 금속막 상에 형성된 보호층; 및A protective layer formed on the metal film; And 상기 보호층 상에 형성된 전도성 물질이 분산된 수지층을 포함하며,It includes a resin layer in which a conductive material formed on the protective layer is dispersed, 상기 보호층은 두께 50~100㎛를 기준으로 열기계분석법에 의해 50 내지 250℃ 범위에서 측정한 평균 선팽창계수(CTE)가 50.0ppm/℃ 이하이고, 두께 50~100㎛를 기준으로 UV 분광광도계로 투과도를 측정하였을 때 380 내지 780nm에서의 평균 투과도가 85% 이상인 폴리이미드층인 플라스틱 기판. The protective layer has an average linear expansion coefficient (CTE) of 50.0 ppm / ° C or less measured by a thermomechanical method based on a thickness of 50 to 100 μm, and a UV spectrophotometer based on a thickness of 50 to 100 μm. The plastic substrate which is a polyimide layer whose average transmittance in 380-780 nm is 85% or more when the transmittance | permeability is measured by the furnace. 제 1 항에 있어서, 금속막은 알루미늄, 티타늄, 은, 백금, 마그네슘, 탄탈륨, 팔라듐 및 이의 합금, 인듐-주석 산화물(ITO) 및 인듐-아연 산화물(IZO) 중 선택되는 단일층 또는 다층의 반사성 금속막인 플라스틱 기판.The reflective metal of claim 1, wherein the metal film is selected from aluminum, titanium, silver, platinum, magnesium, tantalum, palladium and alloys thereof, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). Membrane plastic substrate. 제 2 항에 있어서, 반사성 금속막은 알루미늄, 마그네슘 및 이들의 합금 중에서 선택되는 것인 플라스틱 기판.The plastic substrate of claim 2, wherein the reflective metal film is selected from aluminum, magnesium, and alloys thereof. 제 2 항에 있어서, 반사성 금속막은 알루미늄, 마그네슘 및 이들의 합금 중에서 선택되는 하부금속막과; 인듐-주석 산화물 또는 인듐-아연 산화물로 되는 상부금속막으로 되는 것인 플라스틱 기판.The method of claim 2, wherein the reflective metal film is a lower metal film selected from aluminum, magnesium and alloys thereof; A plastic substrate comprising an upper metal film of indium tin oxide or indium zinc oxide. 제 2 항에 있어서, 반사성 금속막은 두께가 10 내지 1,000nm인 것인 플라스틱 기판. The plastic substrate according to claim 2, wherein the reflective metal film has a thickness of 10 to 1,000 nm. 제 2 항에 있어서, 반사성 금속막은 두께가 50 내지 300nm인 것인 플라스틱 기판. The plastic substrate according to claim 2, wherein the reflective metal film has a thickness of 50 to 300 nm. 제 1 항에 있어서, 금속막은 마그네슘, 바륨, 금, 알루미늄, 티타늄, 은, 백금, 탄탈륨 및 팔라듐 중 선택되는 단독, 이들의 합금 및 산화물; 인듐-주석 산화물 및 인듐-아연 산화물 중에서 선택되는 전기전도성 금속막인 것인 플라스틱 기판. The method of claim 1, wherein the metal film is selected from magnesium, barium, gold, aluminum, titanium, silver, platinum, tantalum and palladium alone, alloys and oxides thereof; A plastic substrate which is an electrically conductive metal film selected from indium tin oxide and indium zinc oxide. 제 7 항에 있어서, 전기전도성 금속막은 인듐-주석 산화물 또는 인듐-아연 산화물인 것인 플라스틱 기판. 8. The plastic substrate of claim 7, wherein the electrically conductive metal film is indium tin oxide or indium zinc oxide. 제 7 항에 있어서, 전기전도성 금속막은 마그네슘, 바륨 및 금 중에서 선택되는 단독 또는 이들의 산화물로 되는 것인 플라스틱 기판. 8. The plastic substrate according to claim 7, wherein the electrically conductive metal film is made of one or an oxide thereof selected from magnesium, barium and gold. 제 7 항에 있어서, 전기전도성 금속막은 인듐-주석 산화물로 되는 것인 플라스틱 기판. 8. The plastic substrate according to claim 7, wherein the electrically conductive metal film is made of indium tin oxide. 제 7 항에 있어서, 전기전도성 금속막은 두께가 1 내지 300nm인 것인 플라스틱 기판. 8. The plastic substrate according to claim 7, wherein the electrically conductive metal film has a thickness of 1 to 300 nm. 제 7 항에 있어서, 전기전도성 금속막은 두께가 1 내지 100nm인 것인 플라스틱 기판. 8. The plastic substrate of claim 7, wherein the electrically conductive metal film has a thickness of 1 to 100 nm. 제 7 항에 있어서, 전기전도성 금속막은 두께가 1 내지 50nm인 것인 플라스틱 기판. 8. The plastic substrate of claim 7, wherein the electrically conductive metal film has a thickness of 1 to 50 nm. 제 1 항에 있어서, 금속막은 가스 차단막 또는 수분차단막인 것인 플라스틱 기판. The plastic substrate of claim 1, wherein the metal film is a gas barrier film or a moisture barrier film. 제 1 항에 있어서, 플라스틱 필름은 폴리이미드계 필름인 것인 플라스틱 기판.The plastic substrate according to claim 1, wherein the plastic film is a polyimide film. 제 1 항에 있어서, 플라스틱 필름은 필름 두께 50~100㎛를 기준으로 열기계분석법에 의해 50 내지 250℃ 범위에서 측정한 평균 선팽창계수(CTE)가 50.0ppm/℃이하이고 황색도가 15 이하인 폴리이미드 필름인 것인 플라스틱 기판.The method according to claim 1, wherein the plastic film has a polyolefin having an average coefficient of linear expansion (CTE) of 50.0 ppm / 占 폚 or less and a yellowness of 15 or less, measured by a thermomechanical method based on a film thickness of 50 to 100 μm. The plastic substrate which is a mid film. 제 1 항에 있어서, 플라스틱 필름은 필름 두께 50~100㎛를 기준으로 UV 분광광도계로 색좌표를 측정하였을 때 L값이 90이상이고, a값이 5이하이며, b값이 5이하인 폴리이미드 필름인 것인 플라스틱 기판.The method of claim 1, wherein the plastic film is a polyimide film having an L value of 90 or more, an a value of 5 or less, and a b value of 5 or less when the color coordinate is measured by a UV spectrophotometer based on a film thickness of 50 to 100 µm. Plastic substrate. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 보호층은 두께 50~100㎛를 기준으로 황색도가 15 이하인 폴리이미드층인 플라스틱 기판.The plastic substrate of claim 1, wherein the protective layer is a polyimide layer having a yellowness of 15 or less based on a thickness of 50 to 100 μm. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 보호층은 두께 50~100㎛를 기준으로 UV 분광광도계로 투과도를 측정하였을 때 550nm에서 투과도가 88% 이상이고, 420nm에서 투과도가 70% 이상인 폴리이미드층인 플라스틱 기판.The plastic substrate of claim 1, wherein the protective layer is a polyimide layer having a transmittance of 88% or more at 550 nm and a transmittance of 70% or more at 420 nm when the transmittance is measured by a UV spectrophotometer based on a thickness of 50 to 100 μm. 제 1 항에 있어서, 전도성 물질은 탄소나노튜브 또는 인듐-주석 산화물 분말인 것인 플라스틱 기판. The plastic substrate of claim 1, wherein the conductive material is carbon nanotube or indium-tin oxide powder. 제 1 항에 있어서, 전도성 물질이 분산된 수지층은 전도성 물질이 분산된 폴리이미드 바니쉬로부터 형성되는 것인 플라스틱 기판.The plastic substrate of claim 1, wherein the resin layer in which the conductive material is dispersed is formed from a polyimide varnish in which the conductive material is dispersed. 제 1 항에 있어서, 전도성 물질이 분산된 수지층은 폴리이미드 수지 고형분 함량 100중량부에 대해 0.001 내지 1 중량부의 탄소나노튜브를 함유하는 폴리이미드 바니쉬로부터 형성되는 것인 플라스틱 기판. The plastic substrate of claim 1, wherein the resin layer in which the conductive material is dispersed is formed from a polyimide varnish containing 0.001 to 1 parts by weight of carbon nanotubes based on 100 parts by weight of a polyimide resin solid content. 제 1 항에 있어서, 전도성 물질이 분산된 수지층은 폴리이미드 수지 고형분 함량 100중량부에 대해 2 내지 100 중량부의 인듐-주석 산화물 분말을 함유하는 폴리이미드 바니쉬로부터 형성되는 것인 플라스틱 기판.The plastic substrate according to claim 1, wherein the resin layer in which the conductive material is dispersed is formed from a polyimide varnish containing 2 to 100 parts by weight of indium-tin oxide powder with respect to 100 parts by weight of a polyimide resin solid content. 제 22 항 또는 25 항에 있어서, 인듐-주석 산화물 분말은 산화인듐 80 내지 95중량%와 산화주석 5 내지 20중량%를 함유하는 것인 플라스틱 기판. 26. The plastic substrate of claim 22 or 25, wherein the indium tin oxide powder contains 80 to 95 weight percent indium oxide and 5 to 20 weight percent tin oxide. 제 1 항에 있어서, 전도성 물질이 분산된 수지층은 두께가 10nm 내지 25um인 것인 플라스틱 기판. The plastic substrate of claim 1, wherein the resin layer in which the conductive material is dispersed has a thickness of 10 nm to 25 μm. 제 1 항에 있어서, 플라스틱 필름의 적어도 일면에 내화학층을 포함하는 플라스틱 기판. The plastic substrate of claim 1, further comprising a chemical resistant layer on at least one surface of the plastic film. 제 28 항에 있어서, 내화학층은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리실라잔(Polysilazane) 및 폴리이미드계 수지 중 선택되는 적어도 1종의 수지를 포함하 는 층인 것인 플라스틱 기판. 29. The plastic substrate of claim 28, wherein the chemical resistant layer is a layer comprising at least one resin selected from acrylic resin, epoxy resin, polysilazane, and polyimide resin. 제 1 항에 있어서, 플라스틱 필름의 하부 또는 금속막의 하부에 형성되는, 무기물층을 포함하는 플라스틱 기판. The plastic substrate of claim 1, further comprising an inorganic layer formed under the plastic film or under the metal film. 제 30 항에 있어서, 무기물층은 SiNx, AlxOy, SiOx 중 선택되는 적어도 1종의 무기물을 포함하는 단일층 또는 다층의 것인 플라스틱 기판. 31. The plastic substrate of claim 30, wherein the inorganic layer is a single layer or a multilayer comprising at least one inorganic material selected from SiNx, AlxOy, and SiOx. 제 1 항에 있어서, 전도성 물질이 분산된 수지층 상부 또는 하부 면에 형성되는 금속 산화막층을 포함하는 플라스틱 기판.  The plastic substrate of claim 1, further comprising a metal oxide layer formed on an upper surface or a lower surface of the resin layer in which the conductive material is dispersed. 제 32 항에 있어서, 금속 산화막층은 AgO로 이루어진 층인 것인 플라스틱 기판. 33. The plastic substrate of claim 32, wherein the metal oxide layer is a layer made of AgO. 제 1 항에 있어서, 500nm 파장의 광투과도가 50% 이상인 플라스틱 기판. The plastic substrate according to claim 1, wherein the light transmittance of 500 nm wavelength is 50% or more. 제 1 항에 있어서, 표면저항이 2.5× 106Ω/sq. 이하인 플라스틱 기판. The surface resistance of claim 1, wherein the surface resistance is 2.5 × 10 6 Ω / sq. The plastic substrate which is below. 플라스틱 필름;Plastic film; 상기 플라스틱 필름 상에 형성되며 소정의 패턴으로 되는 인듐-주석 산화물 또는 인듐-아연 산화물 박막;An indium tin oxide or indium zinc oxide thin film formed on the plastic film and having a predetermined pattern; 상기 박막 상에 형성된 보호층; 및A protective layer formed on the thin film; And 상기 보호층 상에 형성된, 전도성 물질이 분산된 수지층을 포함하며,A resin layer in which a conductive material is dispersed, formed on the protective layer, 상기 보호층은 두께 50~100㎛를 기준으로 열기계분석법에 의해 50 내지 250℃ 범위에서 측정한 평균 선팽창계수(CTE)가 50.0ppm/℃ 이하이고, 두께 50~100㎛를 기준으로 UV 분광광도계로 투과도를 측정하였을 때 380 내지 780nm에서의 평균 투과도가 85% 이상인 폴리이미드층인 투명전극 필름. The protective layer has an average linear expansion coefficient (CTE) of 50.0 ppm / ° C or less measured by a thermomechanical method based on a thickness of 50 to 100 μm, and a UV spectrophotometer based on a thickness of 50 to 100 μm. The transparent electrode film which is a polyimide layer whose average transmittance at 380-780 nm is 85% or more when the transmittance | permeability is measured by the furnace. 제 36 항에 있어서, 전도성 물질은 탄소나노튜브 또는 인듐-주석 산화물 분말인 것인 투명전극 필름.The transparent electrode film of claim 36, wherein the conductive material is carbon nanotube or indium-tin oxide powder. 제 36 항에 있어서, 500nm 파장의 광투과도가 50% 이상인 투명전극 필름.37. The transparent electrode film of claim 36, wherein the light transmittance of 500 nm wavelength is at least 50%. 제 37 항에 있어서, 표면저항이 700Ω/sq. 이하인 투명전극 필름. 38. The method of claim 37, wherein the surface resistance is 700? / Sq. Transparent electrode film which is below. 제 1 항의 플라스틱 기판을 하부 기판으로 포함하는 투과형 전자 종이 소자. A transmission type electronic paper device comprising the plastic substrate of claim 1 as a lower substrate. 제 1 항의 플라스틱 기판을 하부 기판으로 포함하는 디스플레이 장치 소자. A display device element comprising the plastic substrate of claim 1 as a lower substrate. 제 1 항의 플라스틱 기판을 하부 기판으로 포함하는 유기 발광 소자. An organic light emitting device comprising the plastic substrate of claim 1 as a lower substrate.
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