KR101316589B1 - 나노콜로이드 제조 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 분산매와 나노입자가 수용된 챔버, 및 상기 챔버의 외부를 둘러싸고 상기 챔버에 인접 또는 부착되며, 인가된 전압에 따라 전기장을 발생하여 상기 챔버 내에 나노입자를 균일하게 분산시키는 유도전극을 포함하는 나노콜로이드 제조 장치 및 방법에 관한 것이다.

Description

나노콜로이드 제조 장치 및 방법{APPARATUS FOR MANUFACTURING NANO COLLOID SOLUTION AND METHOD THEREOF}

본 발명은, 나노콜로이드의 제조 장치에 관한 것으로, 상세하게는 콜로이드 용액에 포함되는 나노입자의 균일한 분포를 장시간 보장하기 위한 나노콜로이드 제조 장치 및 방법에 관한 것이다.

최근 나노기술에 대한 관심과 아울러 콜로이드 나노입자에 대한 연구가 매우 활발히 진행되고 있으며, 콜로이드 나노입자를 활용하기 위한 나노입자 분산매의 제조방법은 전기분해법, 졸-겔법, 마이크로 에멀젼법 및 화학환원법 등이 있다.

전기분해법과 졸-겔법은 제조비용이 높고 많은 양의 금속 콜로이드를 제조하기 어려운 단점이 있고, 마이크로 에멀젼법은 제조방법이 복잡하여 입자의 크기 및 형상을 제어하기 어려운 단점이 있어 실용성이 낮은 문제가 있다. 화학환원법은 고분자 분산안정제의 존재 하에 환원력을 갖는 분산매를 이용한 금속염의 환원에 의하여 나노입자를 제조하는 것으로 제조방법이 간단하고 대량생산이 가능하다는 장점으로 나노금속입자 분산매의 제조에 많이 사용되고 있으나, 분산안정제의 사용과 부산물생성이 불가피 하여 친환경성이나 순도가 떨어진다는 단점이 있다.

전기선폭발법은 펄스파워(pulse power)를 이용하여 고전압 대전류가 금속와이어를 통과할 때, 금속와이어가 미세한 입자나 금속증기형태로 폭발하는 전기선폭발을 분산매 내에서 진행하여 나노금속입자 분산매를 제조하는 공정으로서, 이 공정은 고순도, 균일한 크기의 나노분말을 제조할 수 있으며, 입자의 응집제어가 가능하고 산화막 형성제어가 가능한 장점이 있을 뿐만 아니라 분산매의 종류에 제한이 없다는 특징이 있어 나노금속입자 분산매를 제조하는 공정으로서 활용도가 증가하고 있다.

이러한 방법을 통하여 제조된 나노입자는 의약, 향장학, 첨단 정보통신 기술에 이르기까지 활용되는 핵심기술로 각광을 받고 있다. 특히 나노금속입자를 분산매 내에 분산(dispersion), 부유(suspension)시킨 나노금속입자 분산매를 제작하여 의약품, 화장품 뿐만아니라 전도성 페이스트와 잉크의 제조 등의 다양한 분야에 활용하고 있으며, 현재 이러한 제품들은 고기능성, 고부가가치성을 추구하는 방향으로 발전하는 추세에 있다. 고품질이 요구되는 제품들에 적용하기 위한, 나노금속입자 분산매를 제조함에 있어서 특히 중요하게 요구되는 것은 콜로이드 나노입자들 간의 응집이 일어나지 않고 균일한 분산상태가 장시간 유지되는 기술이다.

본 발명의 목적은, 나노콜로이드의 제조에 있어서, 콜로이드 용액에 포함되는 나노입자의 균일한 분포를 장시간 보장하기 위한 나노콜로이드 제조 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 실시예와 관련된 나노콜로이드 제조 장치는, 분산매와 나노입자가 수용된 챔버, 및 상기 챔버의 외부를 둘러싸고 상기 챔버에 부착되거나 또는 챔버에 인접하여 설치되며, 인가된 전압에 따라 전기장을 발생하여 상기 챔버 내에 나노입자의 분산 상태를 균일화시키는 유도전극을, 포함할 수 있다.

상기 챔버의 외부에서 내부로 관통하여 상기 분산매에 침지되고, 양극과 음극으로 이루어져 상기 챔버 내부로 공급된 금속와이어에 저항열을 발생시켜 상기 금속와이어의 금속성분을 나노입자로 만드는 전극을, 더 포함할 수 있다.

상기 유도전극은, 음극과 양극으로 구성되며, 상기 음극과 상기 양극은 서로 대향되는 위치에 이격되도록 배치될 수 있다.

상기 음극과 상기 양극은, 발생된 상기 전기장의 분포범위를 확장시키기 위해 서로 교차되는 돌출부가 각각 형성될 수 있다.

상기 유도전극은, 금속 박막 또는 코일 형태로 형성될 수 있다.

상기 챔버가 침지되며, 상기 챔버의 하부 또는 측면에서 매질을 통해 상기 챔버에 초음파를 조사하여 상기 나노입자의 분산 상태를 균일화시키는 초음파 발생기를, 더 포함할 수 있다.

상기 분산매에 침지되며, 초음파를 발생시켜 상기 나노입자의 분산 상태를 균일화시키는 초음파 발생기를, 더 포함할 수 있다.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 다른 실시예와 관련된 나노콜로이드 제조 장치는, 분산매를 수용하고 있는 전기 절연 소재의 챔버, 상기 챔버 내부에 침지 된 양극과 음극의 두 전극, 상기 두 전극 사이에 위치되도록 상기 챔버를 관통하여 공급되고, 전류가 인가되면 저항열이 발생되어 폭발하면서 나노입자로 형성되어 상기 분산매에 혼합되는 금속와이어, 및 상기 나노입자의 분산 상태를 균일화시키기 위한 유도전극을, 포함할 수 있다.

상기 유도전극은, 음극과 양극으로 구성되며, 상기 음극과 양극은 서로 대향되는 위치에 이격되도록 배치된 금속 박막 또는 코일 형태로 형성될 수 있다.

상기 음극과 상기 양극은, 전압이 인가되면 상기 유도전극 주변에 전기장이 발생되고, 발생된 상기 전기장의 분포범위를 확장시키기 위해 서로 교차되는 돌출부가 각각 구비될 수 있다.

상기 챔버의 내부 또는 외부에는, 상기 챔버에 초음파를 조사하여 상기 나노입자의 분산 상태를 균일화시키는 초음파 발생기가, 더 형성될 수 있다.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 실시예와 관련된 나노콜로이드 용액 제조 방법은, 분산매가 수용된 챔버의 내부로 금속와이어를 공급시키는 단계, 상기 챔버 주위에 전기장 형성처리 또는 초음파를 조사처리 중 적어도 하나를 수행하는 단계, 및 상기 금속와이어를 폭발시켜 상기 금속와이어의 금속성분을 나노입자로 형성시킴과 동시에 상기 분산매에 상기 나노입자를 분산시켜 균일한 나노콜로이드를 제조하는 단계를, 포함할 수 있다.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 관련된 나노콜로이드 제조 장치 및 방법에 의하면, 고전압 전기장과 초음파를 발생시켜 콜로이드에 포함되는 나노입자의 균일한 분포를 장시간 보장할 수 있는 효과가 있다. 또한, 균일화 된 콜로이드를 이용하여 만들어진 이차 가공제품의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노콜로이드 제조 장치의 개념도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노콜로이드 제조 장치의 개념도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노콜로이드 제조방법의 순서도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 나노콜로이드 제조장치의 개념도이다.
도 5는 종래의 나노콜로이드 제조 장치를 이용하여 생산된 나노콜로이드의 시간에 따른 분산 상태를 보여주기 위한 사진이다.
도 6은 본 발명의 나노콜로이드 제조 장치를 이용하여 생산된 나노콜로이드의 시간에 따른 분산 상태를 보여주기 위한 사진이다.
도 7은 종래의 나노콜로이드 제조 장치를 이용하여 생산된 나노콜로이드 내의 나노입자를 확인하기 위한 TEM 사진이다.
도 8은 본 발명의 나노콜로이드 제조 장치를 이용하여 생산된 나노콜로이드 내의 나노입자를 확인하기 위한 TEM 사진이다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 나노콜로이드 제조 장치 및 방법에 대하여 첨부한 도면 및 사진을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 나노콜로이드 제조 장치의 개념도이다.

본 도면을 참조하면, 나노콜로이드 제조 장치는 분산매(11)와 나노입자가 수용된 챔버(10), 및 상기 챔버(10)의 외부를 둘러싸고 상기 챔버(10)에 부착되거나 또는 챔버에 인접하여 설치되며, 인가된 전압에 따라 전기장을 발생하여 상기 챔버 내에 나노입자의 분산 상태를 균일화시키는 유도전극(100)을 포함할 수 있다. 또한, 초음파를 발생시켜 나노입자를 분산시키는 초음파 발생기(200)가 더 포함될 수 있다.

챔버(10) 내부에 수용된 분산매(11)는 나노입자, 즉, 분산질의 종류에 따라 달라질 수 있다. 구체적으로는 증류수, 물, 알코올, 벤젠, 아세톤 등의 액상의 용매 중 분산질과 잘 섞이는 성질의 용매를 분산매(11)로 선택할 수 있다. 또한, 챔버(10)는 절연 재질로 이루어지는데, 특히, PET(polyethylene terephthalate)재질의 챔버(10)가 주로 사용된다.

챔버(10)에는 분산매(11)와 함께 나노입자가 혼합되어 있는데, 특히 미세나노입자는 인접된 나노입자 간의 인력에 의하여 서로 결합되면서 크기가 성장하려는 특징이 있으며, 나노입자가 일부분으로 집중되어 모이면 서로 결합하여 성장이 이루어질 가능성이 더욱 높아진다. 이러한 현상이 발생되면 나노콜로이드 중에 분산된 나노입자의 크기가 불규칙하게 될 뿐만 아니라 나노입자의 분산 정도도 불균일하게 하게 되어, 고품질의 균일한 나노콜로이드를 장시간 유지하는 데 어려움이 있다.

본 발명에 의한 챔버(10)의 외부에는 유도전극(100)이 형성되어, 전압이 인가됨에 따라 챔버(10)의 주변 및 내부로 전기장을 발생시켜 전기적 환경에 민감한 반응을 보이는 금속나노입자를 챔버(10)의 내부에서 고르게 분산시켜 균일한 나노콜로이드를 제조한다. 특히, 챔버(10)의 중심부에 나노입자가 집중되는 것을 방지할 수 있다. 나노입자는 일반적으로 전기전도도가 높을수록 크기가 미세할수록 유도전극(100)에 의하여 생성된 전기장의 영향을 크게 받으므로 생성시키는 나노입자의 전기전도도 및 크기에 따라 유도전극(100)에 인가되는 전압의 크기를 달리하여 발생시키는 전기장의 크기를 조절할 필요가 있다.

구체적으로 유도전극(100)은 챔버(10)의 외부 표면을 둘러싸는 형태로 형성되고, 챔버(10)에 부착되거나 또는 챔버(10)에 인접하여 설치될 수 있다. 유도전극(100)은 음극과 양극으로 구성되며, 상기 음극과 양극은 서로 대향되는 위치에 이격되도록 배치되어 있으며, 유도전극(100)에 전압이 인가되면 유도전극(100)의 주변에 전기장이 발생되면서 챔버(10) 내부의 분산질, 즉 나노입자에 전기적 영향을 주어 챔버(10) 내의 나노입자를 균일하게 분산시키게 된다. 구체적으로는, 유도전극(100)의 주변에 발생된 전기장은 반대 극성의 전하를 가진 나노입자를 유도전극(100)이 형성된 챔버(10)의 표면 부분으로 유도시켜 나노입자를 분산시키게 되고, 챔버(10) 표면 부분으로 유도되어 모인 나노입자는 서로 간에 같은 극성의 전하를 띄게 되어 나노입자 간의 응집이 발생될 확률이 낮아지게 된다. 동시에 챔버(10)의 표면 부분으로 유도된 나노입자가 전기장의 영향을 받아 극성이 중성화되면서 이후 나노입자 간의 응집이 방지된다.

유도전극(100)의 음극과 양극이 서로 대향되는 부분에는 서로 교차되도록 돌출부(110)가 형성되어 인가되는 전압에 의하여 발생되는 전기장의 분포범위를 확장시키게 된다. 또한, 유도전극(100)은 금속재질로 형성되며, 구체적으로는 금속 박막 또는 코일의 형태로서 챔버(10)의 외표면을 감싸도록 형성될 수 있다.

챔버(10)의 외부 또는 내부 중 일측에는 초음파 발생기(200)를 설치하여 챔버(10)에 초음파를 조사하여 나노입자에 진동을 가하여 줌으로써, 인접한 나노입자가 서로 결합하여 크기가 성장하는 것을 방지하고, 나노입자의 분산도를 증가시킬 수 있다. 초음파 발생기(200)는 챔버(10)가 침지되며, 챔버(10)의 하부 또는 측면에서 매질(210)을 통해 챔버(10)에 초음파를 조사한다. 상기 매질(210)은 초음파 발생기(200)와 챔버(10) 사이에 채워진 물 또는 절연 유체이다. 또는, 도 2에 도시된 바와 같이, 초음파 발생기(200)는 챔버(10)에 수용된 분산매(11)에 침지되어 초음파를 발생시킬 수도 있다.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액중 전기폭발법에 의한 나노콜로이드 제조 장치의 도면이다.

본 도면을 참조하면, 액중 전기폭발법에 의한 나노콜로이드 제조 장치는 분산매(11)를 수용하고 있는 전기 절연 소재의 챔버(10), 상기 챔버(10) 내부에 침지 된 전극(20), 상기 두 전극(20) 사이에 위치되도록 상기 챔버(10)를 관통하여 공급되고, 전류가 인가되면 저항열이 발생되어 폭발하면서 나노입자로 형성되어 상기 분산매(11)에 혼합되는 금속와이어(301), 및 상기 나노입자의 분산 상태를 균일화시키기 위한 유도전극(100)을, 포함할 수 있다.

전극(20)은 양극과 음극으로 이루어지고, 상기 챔버(10)의 외부에서 내부로 관통되는 형태로 설치된다. 전극(20)의 일단에는 전원장치 및 제어장치가 연결되어 전극(20)에 전류의 인가 여부 및 인가되는 전류의 크기를 제어한다. 챔버(10)의 내부의 분산매(11)에 침지 된 음극과 양극의 두 전극(20)의 사이에는 외부로부터 공급된 금속와이어(301)가 위치된다. 구체적으로, 금속와이어(301)는 챔버(10)를 관통하여 외부의 공급기(300)에서 두 전극(20)의 사이까지 연장된 형태이다.

유도전극(100)은 음극과 양극으로 구성되며, 서로 대향되는 위치에 이격되도록 배치된 금속 박막 또는 코일 형태로 형성된다. 유도전극(100)은 음극과 양극으로 구성되고, 전압이 인가되면 상기 유도전극(100) 주변에 전기장을 발생시킨다. 또한, 유도전극(100)의 음극과 양극이 서로 대향되는 방향에는 돌출부(110)가 구비되어 발생된 전기장의 분포 범위를 확장시키게 된다.

챔버(10)의 내부 또는 외부의 일측에는 초음파 발생기(200)가 더 설치될 수 있다. 초음파 발생기는 챔버(10)에 초음파를 조사하여 나노입자에 진동을 가하여줌으로써 나노입자의 분산 상태를 균일화시키는 것이다.

전극(20)에 전류가 인가되면, 두 전극(20) 사이에 위치된 금속와이어(301)에 전류가 흐르면서 금속의 저항열에 의하여 금속와이어(301)가 발열되다가 한계점에서 폭발하여, 금속와이어(301)에서 금속 미립자로 승화되면서 나노입자가 만들어진다. 이 때 챔버(10) 내의 액상 분산매(11) 중에서 금속와이어(301)가 폭발하는 순간, 폭발되는 부분이 진공상태가 되고, 폭발로 생성된 나노입자 중 다수가 진공 폭발부(15)와 액상 분산매(11)의 경계부분에 위치된다.

특히, 액중 전기폭발법에 의하여 나노콜로이드를 생성시키는 경우, 상기 내용과 같이 전기폭발에 의한 제조 과정의 특성상, 진공 폭발부(15)와 액상 분산매(11)의 경계에 분산질, 즉 나노입자가 집중되는 현상이 발생되어 나노입자의 성장이 불가피하게 이루어진다.

따라서, 본 발명의 일실시예와 같이, 챔버(10)의 외부에 유도전극(100)을 설치하여 생성된 나노입자를 전기장에 의하여 챔버(10) 표면부분으로 분산시키고, 챔버(10)에 초음파를 조사하여 생성된 나노입자를 진동시켜 줌으로써, 나노입자가 분산매(11)의 일부분에 집중되는 현상을 방지하고 나노입자의 성장을 억제시킴으로써 고품질의 균일한 나노콜로이드를 장시간 보장할 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노콜로이드 제조 방법의 순서도이다.

본 순서도를 참조하면, 분산매(11)가 수용된 챔버(10)의 내부로 금속와이어(301)를 공급시키는 단계, 상기 챔버(10) 주위에 전기장 형성처리 또는 초음파를 조사처리 중 적어도 하나를 수행하는 단계, 및 상기 금속와이어(301)를 폭발시켜 상기 금속와이어(301)의 금속성분을 나노입자로 형성시킴과 동시에 상기 분산매(11)에 상기 나노입자를 분산시켜 균일한 나노콜로이드를 제조하는 단계를, 포함할 수 있다.

상기 전기장 형성처리 또는 초음파 조사처리의 단계는 금속와이어(301)를 공급시키는 단계의 수행 직전 또는 직후에 수행될 수 있다.

도 5는 종래의 나노콜로이드 제조 장치를 이용하여 생산된 나노콜로이드의 분산 직후와 48시간 경과 후의 분산 상태를 보여주기 위한 사진이고, 도 6는 본 발명의 나노콜로이드 제조 장치를 이용하여 생산된 나노콜로이드의 분산 직후와 48시간 경과 후의 분산 상태를 보여주기 위한 사진이다.

도 5 및 도 6을 비교하여 설명하면, 종래의 나노콜로이드는 제조 직후에도 양전하와 음전하로 하전된 분말간의 응집현상이 보이며, 약 48시간 후 분산된 나노입자가 대부분 바닥면으로 가라앉은 것을 확인할 수 있다. 반면에 본 발명이 적용된 나노콜로이드는 종래의 나노콜로이드보다 분산 직후의 분산 상태도 더욱 균일할 뿐만 아니라 약 48시간 후에도 분산 직후의 균일한 분산상태를 유지하고 있는 것을 확인할 수 있다.

도 7은 종래의 나노콜로이드 제조 장치를 이용하여 생산된 나노콜로이드 내의 나노입자의 응집 분포(a) 및 크기(b)를 확인하기 위한 TEM 사진이고, 도 8은 본 발명의 나노콜로이드 내의 나노입자의 응집 분포(a) 및 크기(b)를 확인하기 위한 TEM 사진이다.

도 7의 사진을 참조하면, 종래의 나노콜로이드는 양전하 및 음전하로 하전된 나노입자들이 상호 간의 인력이 발생하여 응집(a)이 이루어지며, 특히 챔버(10) 내부의 전극(20) 주변, 즉 진공 폭발부(15)와 분산매(11)의 경계부분에 나노입자가 집중되면서 농도가 높아져 나노입자 간의 결합이 발생될 확률이 높아지고, 이러한 나노입자의 응집에 의하여 나노입자의 크기가 성장(b)된 것을 확인할 수 있다.

반면에 도 8의 사진을 참조하면, 본 발명이 적용된 나노콜로이드 내의 나노입자는 응집이 발생되지 않으며(a), 따라서 나노입자의 크기 성장이 발생될 가능성이 감소되어 작은 크기의 나노입자가 생성(b)된 것을 확인할 수 있다.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 관련된 나노콜로이드 제조 장치 및 방법에 의하면, 고전압 전기장과 초음파를 발생시켜 콜로이드에 포함되는 나노입자의 균일한 분포를 장시간 보장할 수 있는 효과가 있다. 또한, 균일화 된 콜로이드를 이용하여 만들어진 이차 가공제품의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

상기와 같은 나노콜로이드 제조 장치 및 방법은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다.

10: 챔버 11: 분산매
15: 진공 폭발부 20: 전극
100: 유도전극 110: 돌출부
200: 초음파 발생기 210: 매질
300: 금속와이어 공급기 301: 금속와이어

Claims (12)

1. 분산매와 나노입자가 수용된 챔버; 및
   상기 챔버의 외부를 둘러싸고 상기 챔버에 부착되거나 또는 챔버에 인접하여 설치되며, 발생된 전기장의 분포범위를 확장시키기 위하여 서로 교차하는 돌출부가 각각 형성되고 대향되는 위치에 이격되도록 배치되어 인가된 전압에 따라 전기장을 발생하는 음극과 양극으로 구성된 상기 챔버 내에 나노입자의 분산 상태를 균일화하는 유도전극;을 포함하는, 나노 콜로이드 제조장치.
   
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 챔버의 외부에서 내부로 관통하여 상기 분산매에 침지되고, 양극과 음극으로 이루어져 상기 챔버 내부로 공급된 금속와이어에 저항열을 발생시켜 상기 금속와이어의 금속성분을 나노입자로 만드는 전극;을 더 포함하는, 나노콜로이드 제조 장치.
   
3. 삭제
4. 삭제
5. 청구항 1에 있어서,
   상기 유도전극은, 금속 박막 또는 코일 형태로 형성되는, 나노콜로이드 제조 장치.
   
6. 청구항 1에 있어서,
   상기 챔버가 침지되며, 상기 챔버의 하부 또는 측면에서 매질을 통해 상기 챔버에 초음파를 조사하여 상기 나노입자의 분산 상태를 균일화시키는 초음파 발생기;를 더 포함하는, 나노콜로이드 제조 장치.
   
7. 청구항 1에 있어서,
   상기 분산매에 침지되며, 초음파를 발생시켜 상기 나노입자의 분산 상태를 균일화시키는 초음파 발생기;를 더 포함하는, 나노콜로이드 제조 장치.
   
8. 분산매를 수용하고 전기 절연 소재의 챔버;
   상기 챔버 내부에 침지된 양극과 음극의 두 전극;
   상기 두 전극 사이에 위치되도록 상기 챔버를 관통하여 공급되고, 전류가 인가되면 저항열이 발생되어 폭발하면서 나노입자로 형성되어 상기 분산맥에 혼합되는 금속와이어; 및
   상기 나노입자의 분산 상태를 균일화시키기 위하여 서로 대향되는 위치에 이격되게 배치되고 금속 박막 또는 코일 형태의 음극과 양극으로 구성된 유도전극;을 포함하는 나노콜로이드 제조장치.
   
9. 삭제
10. 청구항 8에 있어서,
    상기 유도전극의 음극과 양극은, 전압이 인가되면 상기 유도전극 주변에 전기장이 발생되고, 발생된 상기 전기장의 분포범위를 확장시키기 위해 서로 교차되는 돌출부가 각각 구비된, 나노콜로이드 제조 장치.
    
11. 청구항 8에 있어서,
    상기 챔버의 내부 또는 외부에는, 상기 챔버에 초음파를 조사하여 상기 나노입자의 분산 상태를 균일화시키는 초음파 발생기;가 더 설치된, 나노콜로이드 제조 장치.
    
12. 분산매가 수용된 챔버의 내부로 금속와이어를 공급시키는 단계;
    상기 챔버 주위에 서로 교차하는 돌출부가 각각 형성되고 대향되는 위치에 이격되도록 배치된 음극과 양극의 유도전극으로부터 전기장 형성처리 또는 초음파 조사처리 중 적어도 하나를 수행하는 단계; 및
    상기 금속와이어를 폭발시켜 상기 금속와이어의 금속성분을 나노입자로 형성시킴과 동시에 상기 분산매에 상기 나노입자를 분산시켜 균일한 나노콜로이드를 제조하는 단계;를 포함하는, 나노콜로이드 제조방법.
    

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