KR101309660B1 - Naphthyl phenyl derivatives and organoelectroluminescent device employing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 나프틸페닐 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 증착 및 용액공정으로 용이하게 적용될 수 있는 청색 발광 화합물인 나프틸페닐 유도체를 이용하여 유기 전계발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a naphthylphenyl derivative and an organic electroluminescent device using the same, and more particularly, to an organic electroluminescent device using a naphthylphenyl derivative which is a blue light emitting compound that can be easily applied by deposition and solution processes. .

Description

나프틸페닐 유도체 및 이를 채용한 유기 전계 발광 소자{Naphthyl phenyl derivatives and organoelectroluminescent device employing the same}Naphthyl phenyl derivatives and organoelectroluminescent device employing the same}

본 발명은 나프틸페닐 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 증착 및 용액공정으로 용이하게 적용될 수 있는 청색 발광 화합물인 나프틸페닐 유도체를 이용하여 유기 전계발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a naphthylphenyl derivative and an organic electroluminescent device using the same, and more particularly, to an organic electroluminescent device using a naphthylphenyl derivative which is a blue light emitting compound that can be easily applied by deposition and solution processes. .

유기 전계 발광 소자(유기 EL 소자)는 형광성 또는 인광성 유기 화합물 박막(이하, 유기막이라고 함)에 전류를 흘려주면, 전자와 홀이 유기막에서 결합하면서 빛이 발생하는 현상을 이용한 능동 발광형 표시 소자로서, 경량이며, 부품이 간소하고 제작공정이 간단한 구조를 갖고 있고 고화질에 광시야각을 확보하고 있다. 그리고 동영상을 완벽하게 구현할 수 있고, 고색순도 구현이 가능하며, 저소비전력, 저전압 구동으로 휴대용 전자기기에 적합한 전기적 특성을 갖고 있다.An organic electroluminescent device (organic EL device) is an active light emitting type using a phenomenon in which light is generated while electrons and holes are combined in an organic film when a current flows through a thin film of fluorescent or phosphorescent organic compound (hereinafter referred to as an organic film). As a display element, it is lightweight, has a simple structure, a simple manufacturing process, and secures a wide viewing angle at high image quality. In addition, it is possible to realize a video perfectly, to realize high color purity, and to have electrical characteristics suitable for portable electronic devices with low power consumption and low voltage driving.

유기 전계 발광 소자는 유기막의 형성 재료에 따라 저분자 유기 EL 소자와 고분자 EL 소자로 구분할 수 있다. The organic electroluminescent device can be classified into a low molecular organic EL device and a polymer EL device according to the material for forming the organic film.

저분자 유기 EL 소자는 발광 재료를 합성하기가 간단하고 고순도로 정제하기용이하고 삼원색의 컬러 화소를 쉽게 구현할 수 있는 장점을 가지고 있다. 그러나, 진공증착법을 사용하여 유기막을 형성하므로 스핀코팅, 잉크젯 프린팅과 같은 방법을 사용하는 대면적화 공정에 적용하기가 어렵고 실질적인 응용을 위해서는 양자 효율의 향상과 박막의 결정화 방지 및 색순도의 향상 등의 미해결 과제가 남아 있다. 또한 저분자 유기 EL 소자는 고효율 및 고휘도의 발광 특성을 얻기 위해서는 홀주입층, 정공수송층, 전자수송층, 홀억제층 등과 같은 다층 구조를 이용해야만 한다. 그런데 상기 홀주입층, 정공수송층, 전자수송층, 홀억제층 등과 같은 유기막은 소자 작동시에 열적 및 전기적으로 안정해야 한다. 그 이유는 전압을 인가한 경우 소자에서 발생된 열로 인하여 열안정성이 낮은 분자는 결정 안정성(morphological stability)이 낮아 재배열 현상이 일어나고 결국 결정화가 국부적으로 발생되어 발광 효율이 저하됨으로써 결국 소자의 수명이 단축된다. The low molecular organic EL device has advantages in that it is simple to synthesize a light emitting material, is easy to purify with high purity, and can easily implement three primary color pixels. However, since the organic film is formed using the vacuum deposition method, it is difficult to apply to the large-area process using methods such as spin coating and inkjet printing, and for practical applications, unsolved problems such as improvement of quantum efficiency, prevention of crystallization of thin film, and improvement of color purity The task remains. In addition, the low molecular organic EL device must use a multilayer structure such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, a hole suppression layer, etc. in order to obtain high efficiency and high luminance light emission characteristics. However, the organic film such as the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, the hole suppression layer should be thermally and electrically stable during device operation. The reason is that when a voltage is applied, molecules with low thermal stability due to heat generated in the device have low morphological stability, resulting in rearrangement, and localization of crystallization, resulting in low luminous efficiency. It is shortened.

한편, 고분자 유기 EL 소자는 π-공액 고분자인 폴리(1,4-페닐렌비닐렌)에 전기를 가했을 때 발광한다는 사실이 보고된 이래, 활발한 연구가 진행되고 있다. π-공액 고분자는 단일 결합 (또는 시그마 결합)과 이중 결합(혹은 π결합)이 교대로 있는 화학구조를 갖고 있어, 편재화되지 않고 결합 사슬을 따라 비교적 자유롭게 움직일 수 있는 π전자를 갖고 있다. 이러한 반도체적인 성질로 인하여 π-공액 고분자를 전계 발광 소자의 발광층에 적용하는 경우 HOMO(highest occupied molecular orbital)와 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital)간의 밴드갭(band-gap)에 해당하는 전 가시광 영역의 빛을 분자 설계를 통하여 용이하게 얻을 수 있고, 스핀 코팅 혹은 프린팅 방법으로 박막을 간단하게 형성할 수 있어 제조 공정이 간단하고 적은 비용으로 대면적화가 가능한 장점을 가지고 있다. 그러나 고분자 EL 소자는 저분자 EL 소자에 비해 발광 효율이 낮고, 발광 고분자의 열화에 기인하여 소자의 수명 특성이 저하되는 문제가 발생한다. 이는 고분자 물질의 특성상 합성하는 과정에서 분자 사슬 내에 열화를 촉진하는 결함들이 존재하게 되고 불순물 정제가 어려워 고순도 물질을 얻기가 어렵기 때문이다. 따라서 상술한 고분자와 저분자의 장점을 수용하면서 단점을 보완할 수 있는 새로운 재료의 개발이 시급하다.
On the other hand, since it has been reported that a polymer organic EL device emits light when electricity is applied to poly (1,4-phenylenevinylene), which is a π-conjugated polymer, active research is being conducted. The π-conjugated polymer has a chemical structure with alternating single bonds (or sigma bonds) and double bonds (or π bonds), and has π electrons that can move relatively freely along the bond chain without being localized. Due to this semiconducting nature, when the π-conjugated polymer is applied to the light emitting layer of the EL device, the entire visible light region corresponding to the band gap between the highest occupied molecular orbital (HOMO) and the lower unoccupied molecular orbital (LUMO) Light can be easily obtained through molecular design, and a thin film can be simply formed by spin coating or printing method, so the manufacturing process is simple and large area can be reduced at low cost. However, polymer EL devices have a lower luminous efficiency than low molecular EL devices, resulting in a problem of deterioration of lifetime characteristics of the devices due to deterioration of the light emitting polymer. This is because defects that promote deterioration in the molecular chain are present in the process of synthesis due to the nature of the polymer material, and it is difficult to obtain a high purity material due to difficulty in purifying impurities. Therefore, it is urgent to develop a new material that can compensate for the disadvantages while accepting the advantages of the above-mentioned polymers and low molecules.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기존에 알려진 저분자와 고분자의 단점을 보완하고 이들의 장점을 도입하여 분자결함이 없고, 열적 안정성과 결정 안정성이 우수하고 정제하기 쉬우며 가용성 용매를 이용하여 박막을 형성하기가 용이한 나프틸페닐 유도체를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to complement the disadvantages of the known low-molecules and polymers and introduce their advantages, there is no molecular defects, excellent thermal stability and crystal stability, easy to purify and form a thin film using a soluble solvent It is to provide a naphthylphenyl derivative which is easy to follow.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 보다 향상된 휘도, 구동전압 및 발광 효율 특성이 개선된 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic EL device having improved luminance, driving voltage, and luminous efficiency.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는 하기 화학식 1로 표시되는 나프틸페닐 유도체를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a naphthylphenyl derivative represented by the following Chemical Formula 1.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112011025149030-pat00001
Figure 112011025149030-pat00001

상기식중, Ar1, Ar2 와 Ar3 는 서로에 관계없이 탄소수 6~40의 치환 또는 비치환 아릴기; 상기 치환체로는 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 탄소수 1∼10의 아민기, 탄소수 6~10의 아릴기, 탄소수 4~20의 헤테로아릴기 중에서 선택된 하나 이상의 치환기를 갖는 군으로부터 선택되고, 상기 Ar1과 Ar2 와 Ar3 중 선택된 하나 이상은 서로 연결될 수 있다.Wherein Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms; The substituents include one or more substituents selected from alkyl groups of 1 to 10 carbon atoms, alkoxy groups of 1 to 10 carbon atoms, amine groups of 1 to 10 carbon atoms, aryl groups of 6 to 10 carbon atoms, and heteroaryl groups of 4 to 20 carbon atoms. Selected from the group, and one or more selected from Ar 1 , Ar 2, and Ar 3 may be connected to each other.

본 발명의 다른 기술적 과제는 한 쌍의 전극 사이에 유기막을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 유기막이 상술한 나프틸페닐 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자에 의하여 이루어진다.Another technical problem of the present invention is an organic electroluminescent device comprising an organic film between a pair of electrodes, wherein the organic film comprises an organic electroluminescent device comprising the above-mentioned naphthylphenyl derivative.

또한 본 발명은 특히, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 나프틸페닐 유도체는 페닐나프틸 단위를 중심 분자 구조로 하고 상기 나프틸 단위의 2번 및 페닐의 3번, 5번 탄소 위치에 아로마틱기가 각각 도입된 구조를 갖고 있다. In particular, the present invention, naphthylphenyl derivative represented by the formula (1) of the present invention has a phenylnaphthyl unit as the central molecular structure and the aromatic group at the carbon positions 2 and 3 and 5 of the phenyl naphthyl units, respectively It has a structure introduced.

본 발명은 이러한 구조적 특징으로 말미암아, 화학식 1의 나프틸페닐 유도체는 저분자/고분자 재료의 단점을 보완하고 이들의 장점을 도입하여 즉, 분자 결함이 없으며, 정제하기 쉽고, 또한 가용성 용매를 이용하여 다양한 두께의 박막을 쉽게 형성할 수 있다. Due to these structural features, the present invention provides that the naphthylphenyl derivatives of formula (1) compensate for the disadvantages of the low molecular / polymeric materials and introduce their advantages, i.e. free from molecular defects, easy to purify, and also with various soluble solvents. Thin films of thickness can be easily formed.

본 발명의 화학식 1의 화합물은 특히 상기 Ar1, Ar2 와 Ar3 의 아로마틱기가 치환된 나프틸페닐 구조가 매우 우수한 특성을 나타내고 있어서 이를 이용한 유기 전계 발광 소자, 보다 상세하게는 증착 및 용액공정으로 용이하게 적용될 수 있는 청색 발광 화합물을 유기 전계발광 소자에 유용하게 사용될 수 있다. The compound of Formula 1 of the present invention exhibits particularly excellent properties of the naphthylphenyl structure in which the aromatic groups of Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 are substituted, and thus, an organic electroluminescent device using the same, and more specifically, as a deposition and solution process. A blue light emitting compound that can be easily applied can be usefully used in an organic electroluminescent device.

따라서, 화학식 1의 나프틸페닐 유도체 단독으로 또는 통상적인 도펀트와 병용하여 발광 재료로 이용하면 휘도 및 구동전압 특성이 우수한 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있다. Therefore, when the naphthylphenyl derivative of Formula 1 alone or in combination with a conventional dopant is used as a light emitting material, an organic EL device having excellent luminance and driving voltage characteristics can be manufactured.

본 발명의 화학식 1로 표시되는 나프틸페닐 유도체는 발광층 형성 재료 이외에 홀 주입층, 홀 수송층, 전자주입층 및 전자수송층 형성재료로도 이용가능하다.The naphthylphenyl derivative represented by Formula 1 of the present invention may be used as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer forming material in addition to the light emitting layer forming material.

특히, 상기 화학식 1의 Ar1과 Ar2 와 Ar3 는 서로 독립적으로 화학식 2 또는 3으로 표시되는 그룹인 것이 더욱 바람직하며, 특히 화학식 2로 표시되는 9-페닐안트라센 유도체 그룹인 것이 더욱 바람직하다.In particular, Ar 1 and Ar 2 and Ar 3 of the formula (1) is more preferably a group represented by the formula (2) or 3 independently of each other, particularly preferably a 9-phenylanthracene derivative group represented by the formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112011025149030-pat00002
Figure 112011025149030-pat00002

[화학식 3](3)

Figure 112011025149030-pat00003
Figure 112011025149030-pat00003

상기 화학식 2 및 화학식 3의 R1 내지 R16은 서로에 관계없이 수소; 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알킬기; 탄소수 5 내지 20의 사이클로알킬기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 탄소수 4 내지 20의 헤테로아릴기; 또는 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 10의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 탄소수 4 내지 10의 헤테로아릴기 중에서 선택된 하나 이상의 치환기를 갖는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 R1, R2 , R3, R4 , R5 , R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13 , R14 , R15 R16 중 선택된 하나 이상은 서로 연결될 수 있다.R 1 to R 16 of Chemical Formula 2 and Chemical Formula 3 are each independently hydrogen; Linear or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms; A cycloalkyl group having 5 to 20 carbon atoms; Aryl groups having 6 to 20 carbon atoms; Heteroaryl groups having 4 to 20 carbon atoms; Or at least one substituent selected from a halogen atom, a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and a heteroaryl group having 4 to 10 carbon atoms It is selected from the group consisting of an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 and R 16 One or more selected may be connected to each other.

본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 구체적인 예로서는, 예를 들면 하기식 1a~1f 의 화합물을 들 수 있으며, 이들에 한정되는 것은 아니다.As a specific example of the compound represented by the said General formula (1) of this invention, the compound of following formula 1a-1f is mentioned, for example, It is not limited to these.

Figure 112011025149030-pat00004
Figure 112011025149030-pat00004

Figure 112011025149030-pat00005
Figure 112011025149030-pat00005

Figure 112011025149030-pat00006
Figure 112011025149030-pat00006

또한 상기 화학식 3에서, R14 는 하기 화학식 4로 표시되는 그룹인 것이 더욱 바람직하다.In Formula 3, R 14 is more preferably a group represented by Formula 4 below.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112011025149030-pat00007
Figure 112011025149030-pat00007

상기식 중, B1, B2, B3, B4, B5는 서로에 관계없이 수소; 탄소수 1∼20의 선형 또는 분지형 알킬기; 탄소수 5∼20의 사이클로알킬기; 탄소수 6∼20의 아릴기; 탄소수 4∼20의 헤테로아릴기; 또는 할로겐 원자; 탄소수 1∼10의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 탄소수 1∼10의 아민기, 탄소수 6~10의 아릴기, 탄소수 4~10의 헤테로아릴기 중에서 선택된 하나 이상의 치환기를 갖는 탄소수 6∼20의 아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택된다. In the above formula, B 1 , B 2 , B 3 , B 4 , B 5 are each independently hydrogen; Linear or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms; A cycloalkyl group having 5 to 20 carbon atoms; Aryl groups having 6 to 20 carbon atoms; Heteroaryl groups having 4 to 20 carbon atoms; Or a halogen atom; A halogenated alkyl group of 1 to 10 carbon atoms, an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group of 1 to 10 carbon atoms, an amine group of 1 to 10 carbon atoms, an aryl group of 6 to 10 carbon atoms, or a heteroaryl group of 4 to 10 carbon atoms It is selected from the group consisting of; an aryl group having 6 to 20 carbon atoms having one or more substituents.

본 발명의 화학식 1로 표시되는 나프틸페닐 유도체는 특히 화학식 1a 또는 1b로 표시되는 화합물인 것이 더욱 바람직하다.The naphthylphenyl derivative represented by the general formula (1) of the present invention is more preferably a compound represented by the general formula (1a) or (1b).

[화학식 1a][Formula 1a]

Figure 112011025149030-pat00008
Figure 112011025149030-pat00008

[화학식 1b][Chemical Formula 1b]

Figure 112011025149030-pat00009
Figure 112011025149030-pat00009

이하에서는 상술한 화학식 1로 표시되는 나프틸페닐 유도체를 채용한 유기 전계 발광 소자와, 이의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, an organic electroluminescent device employing a naphthylphenyl derivative represented by Chemical Formula 1 and a manufacturing method thereof will be described.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예들에 따른 유기 EL 소자의 적층 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 제1전극(3) 상부에 상기 화학식 1의 나프틸페닐 유도체를 포함한 발광층(5)이 적층되고, 상기 발광층(5) 상부에 정공(홀)억제층(HBL)(6) 및 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL)(7)이 적층되고 있고, 그 상부에는 제2전극(8)이 형성된다. 도 1의 유기 EL 소자는 제1전극(3)과 발광층(5) 사이에 정공주입층(HIL) 및 정공수송층 (HTL)(4)이 형성된다. 도 1의 유기 EL 소자는 경우에 따라서 발광층(5) 상부에 정공억제층(HBL)(6)을 제외하고 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)(7)이 형성된 구조를 가질 수 있다.1 is a view schematically showing a laminated structure of an organic EL device according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, an emission layer 5 including a naphthylphenyl derivative of Chemical Formula 1 is stacked on the first electrode 3, and a hole suppression layer (HBL) 6 is disposed on the emission layer 5. ), An electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) 7 are stacked, and a second electrode 8 is formed thereon. In the organic EL device of FIG. 1, a hole injection layer (HIL) and a hole transport layer (HTL) 4 are formed between the first electrode 3 and the light emitting layer 5. The organic EL device of FIG. 1 may have a structure in which an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL) 7 are formed on the light emitting layer 5 except for the hole suppression layer (HBL) 6. .

상술한 적층 구조를 갖는 유기 EL 소자는 통상적인 제작방법에 의하여 형성가능하며 그 제작방법이 특별하게 한정되는 것은 아니다. The organic EL device having the above-described laminated structure can be formed by a conventional manufacturing method, and the manufacturing method thereof is not particularly limited.

이하, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 유기 EL 소자의 제작방법을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a manufacturing method of an organic EL device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described.

먼저, 기판 상부에 패터닝된 제 1전극(3)을 형성한다. 여기에서 상기 기판은 통상적인 유기 전계 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 상기 기판의 구체적인 예로는 유리기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판, 폴리카보네이트 기판, 폴리이미드 기판 등이 있다. 그리고 상기 기판의 두께는 0.3 내지 1.1 mm인 것이 바람직하다.First, the patterned first electrode 3 is formed on the substrate. Here, the substrate is a substrate used in a conventional organic electroluminescent device, preferably a glass substrate or a transparent plastic substrate excellent in transparency, surface smoothness, ease of handling and waterproof. Specific examples of the substrate include a glass substrate, a polyethylene terephthalate substrate, a polycarbonate substrate, a polyimide substrate, and the like. And the thickness of the substrate is preferably 0.3 to 1.1 mm.

상기 제1전극(3)의 형성 재료는 특별하게 제한되지는 않는다. 만약 제1전극가 캐소드(cathode)인 경우에는 캐소드는 홀 주입이 용이한 전도성 금속 또는 그 산화물로 이루어지며, 구체적인 예로서, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 이리듐(Ir) 등을 사용한다.The material for forming the first electrode 3 is not particularly limited. If the first electrode is a cathode, the cathode is made of a conductive metal or an oxide thereof, which is easy to inject holes. As a specific example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), nickel (Ni), Platinum (Pt), gold (Au), iridium (Ir) and the like are used.

상기 제1전극(3)이 형성된 기판을 세정한 다음, UV-오존 처리를 실시한다. 이 때 세정방법으로는 이소프로판올(IPA), 아세톤 등의 유기용매를 이용한다.After cleaning the substrate on which the first electrode 3 is formed, UV-ozone treatment is performed. At this time, an organic solvent such as isopropanol (IPA) or acetone is used as the washing method.

세정된 기판의 제 1전극(3) 상부에 홀 주입층(4)을 선택적으로 형성한다. 이와 같이 홀 주입층(4)을 형성하면, 제1전극(3)과 발광층(5)의 접촉저항을 감소시키는 동시에, 발광층(5)에 대한 제1전극(3)의 홀 수송능력이 향상되어 소자의 구동전압과 수명 특성이 전반적으로 개선되는 효과를 얻을 수 있다. 이러한 홀 주입층(4) 형성재료는, 통상적으로 사용되는 물질이라면 모두 다 사용가능하며, 구체적인 예로는 PEDOT{poly(3, 4-ethylenedioxythiophene)}/PSS(polystyrene parasulfonate), 스타버스트계 물질, 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine),A hole injection layer 4 is selectively formed on the first electrode 3 of the cleaned substrate. When the hole injection layer 4 is formed in this manner, the contact resistance between the first electrode 3 and the light emitting layer 5 is reduced, and the hole transport capacity of the first electrode 3 with respect to the light emitting layer 5 is improved. The driving voltage and lifetime characteristics of the device can be improved overall. The hole injection layer 4 may be formed of any material that is commonly used. Specific examples thereof include PEDOT {poly (3,4-ethylenedioxythiophene)} / PSS (polystyrene parasulfonate), a starburst material, and copper. Phthalocyanine,

폴리티오펜(polythiophene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylene vinylene), 또는 이들의 유도체, m-MTDATA(4,4',4"-tris[N-(3-methylphenyl)-N-Polythiophene, polyaniline, polyacetylene, polypyrrole, polyphenylene vinylene, or derivatives thereof, m-MTDATA (4,4 ', 4 "- tris [N- (3-methylphenyl) -N-

phenylamino]triphenylamine)등을 들 수 있다. 이러한 물질을 이용하여 제 1전극(3) 상부에 스핀코팅한 다음, 이를 건조하여 홀 주입층(4)을 형성한다. 여기에서 홀 주입층(4)의 두께는 300-2000Å이고, 보다 바람직하게는 500-1100Å이다. 만약 홀 주입층(4)의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우에는 홀 주입 특성이 불량하므로 바람직하지 못하다. 상기 건조 온도는 100 내지 250 ℃인 것이 바람직하다.phenylamino] triphenylamine), and the like. The material is spin coated on the first electrode 3 and then dried to form the hole injection layer 4. Here, the thickness of the hole injection layer 4 is 300-2000 kPa, More preferably, it is 500-1100 kPa. If the thickness of the hole injection layer 4 is out of the above range, it is not preferable because the hole injection characteristics are poor. It is preferable that the said drying temperature is 100-250 degreeC.

상기 홀 주입층(4) 상부에 발광층 형성용 조성물을 스핀코팅법 등을 이용하여 코팅 및 건조하여 발광층(5)를 형성한다. 여기에서 상기 발광층 형성용 조성물은 발광재료인 화학식 1의 나프틸페닐 유도체 0.5 내지 5 중량%와 용매 99.5 내지 95 중량%로 이루어진다. 상기 용매는 발광 재료를 용해시킬 수 있는 것이라면 모두 다 사용가능하며, 구체적인 예로서, 톨루엔, 클로로벤젠 등을 사용한다. The light emitting layer 5 is formed by coating and drying the light emitting layer forming composition on the hole injection layer 4 using a spin coating method or the like. Herein, the light emitting layer forming composition is made of 0.5 to 5% by weight of the naphthylphenyl derivative of Formula 1, which is a light emitting material, and 99.5 to 95% by weight of the solvent. Any solvent can be used as long as it can dissolve the light emitting material, and specific examples thereof include toluene, chlorobenzene, and the like.

경우에 따라서는 상기 발광층 형성용 조성물을 통상적인 발광 물질과 혼합하여 발광층으로 사용할 수 있다. 이 때 상기 발광 물질의 함량은 가변적이지만, 화학식 1의 나프틸페닐 유도체 0.1 내지 99.9 중량%에 대하여 제 3의 발광층 형성 재료 99.9 내지 0.1 중량%인 것이 바람직하다.In some cases, the light emitting layer forming composition may be mixed with a conventional light emitting material to be used as a light emitting layer. In this case, the content of the light emitting material is variable, but it is preferable that the third light emitting layer forming material is 99.9 to 0.1% by weight based on 0.1 to 99.9% by weight of the naphthylphenyl derivative of the general formula (1).

상기 통상적인 발광 물질로는 특별하게 제한되지는 않으나 폴리아릴렌(Polyarylenes) 또는 폴리(p-페닐렌 비닐렌){Poly(p-phenylene vinylene)} 등이 가능하며, 구체적인 예로서, 폴리(9,9-디옥틸플루오렌)(PC8F), Poly(p-페닐렌), MEHPPV (2-Methyloxy-5-(2-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene)을 들 수 있다.The conventional light emitting material is not particularly limited but may be polyarylenes or poly (p-phenylene vinylene), and specific examples thereof include poly (9). , 9-dioctyl fluorene) (PC8F), Poly (p-phenylene), MEHPPV (2-Methyloxy-5- (2-ethylhexyloxy) -p-phenylene vinylene).

상기 발광층 (5)의 막두께는 발광층 형성용 조성물의 농도와 스핀코팅시 스핀 속도를 조절함으로써 100-1000 Å 범위가 되도록 조절하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 500-1000 Å이다. 만약 발광층 (3)의 두께가 100 Å 미만인 경우에는 발광 효율이 저하되고, 1000 Å 을 초과하는 경우에는 구동전압이 상승되어 바람직하지 못하다.The film thickness of the light emitting layer 5 is preferably adjusted to be in the range of 100-1000 kPa by adjusting the concentration of the light emitting layer forming composition and the spin speed during spin coating, and more preferably 500-1000 kPa. If the thickness of the light emitting layer 3 is less than 100 mW, the luminous efficiency is lowered. If the thickness of the light emitting layer 3 is more than 1000 mW, the driving voltage is increased, which is not preferable.

상기 홀 주입층 (4)과 발광층 (5) 사이에는 홀 수송층 (4)을 선택적으로 형성할 수 있다. 여기에서 홀 수송막 형성 재료는 홀 수송성을 만족하는 재료라면 모두 다 사용가능하며, 구체적인 예로는 PEDOT, 폴리아닐린, 폴리트리페닐아민 등을 사용할 수 있다. 그리고 홀 수송층의 두께는 100 내지 1000 Å인 것이 바람직하다.A hole transport layer 4 may be selectively formed between the hole injection layer 4 and the light emitting layer 5. Here, the hole transporting film forming material may be used as long as the material satisfies the hole transporting property, and specific examples thereof may include PEDOT, polyaniline, polytriphenylamine, and the like. And it is preferable that the thickness of a hole transport layer is 100-1000 GPa.

상기 발광층 (5) 상부에는 증착 또는 스핀코팅 방법을 이용하여 홀 억제층(6) 및 / 또는 전자수송층 (7)을 형성한다. 여기에서 홀 억제층 (6)은 발광물질에서 형성되는 엑시톤이 전자수송층 (7)으로 이동되는 것을 막아주거나 홀이 전자수송층 (7)으로 이동되는 것을 막아주는 역할을 한다. The hole suppression layer 6 and / or the electron transport layer 7 are formed on the light emitting layer 5 by using a deposition or spin coating method. Here, the hole suppression layer 6 prevents excitons formed from the light emitting material from moving to the electron transport layer 7 or prevents holes from moving to the electron transport layer 7.

상기 홀억제층 (6)의 형성재료로는 TAZ(3-phenyl-4-(1'-naphthyl) -5-phenyl-1, 2, 4-triazole), BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), LiF, MgF2, 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사, BCP), 이미다졸계 화합물, 트리아졸(triazoles)계 화합물, 옥사디아졸(oxadiazoles)계 화합물(예: PBD), 알루미늄 착물(aluminum complex)(UDC사) 하기 구조식의 BAlq(Aluminum(III) bis(2-methyl-8-quinolinato)4-phenylpheolate) 등을 사용한다.Examples of the material for forming the hole suppression layer 6 include TAZ (3-phenyl-4- (1'-naphthyl) -5-phenyl-1, 2, 4-triazole), BCP (2,9-dimethyl-4, 7-diphenyl-1,10-phenanthroline), LiF, MgF 2 , phenanthrolines-based compounds (e.g. UDC, BCP), imidazole-based compounds, triazoles-based compounds, oxadiazoles ( oxadiazoles) compounds (eg, PBD), aluminum complex (Aluminum complex) (UDC) BAlq (Aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) 4-phenylpheolate) having the following structural formula is used.

Figure 112011025149030-pat00010
Figure 112011025149030-pat00010

페난트롤린 함유 유기 화합물 이미다졸 함유 유기 화합물Phenanthroline-containing organic compounds Imidazole-containing organic compounds

Figure 112011025149030-pat00011
Figure 112011025149030-pat00011

트리아졸 함유 유기 화합물 옥사디아졸 함유 화합물 Triazole-containing organic compound Oxadiazole-containing compound

Figure 112011025149030-pat00012
Figure 112011025149030-pat00012

BAlqBAlq

상기 전자수송층(ETL)(7)의 형성 재료로는 옥사졸계 화합물, 이소옥사졸계 화합물, 트리아졸계 화합물, 이소티아졸(isothiazole)계 화합물, 옥사디아졸계 화합물, 티아다아졸(thiadiazole)계 화합물, 페릴렌(perylene)계 화합물, 알루미늄 착물(예: Alq3(트리스(8-퀴놀리놀라토)-알루미늄(tris(8-quinolinolato)-aluminium), BAlq, SAlq, Almq3), 갈륨 착물(예: Gaq'2OPiv, Gaq'2OAc, 2(Gaq'2))을 사용한다.Examples of the material for forming the electron transport layer (ETL) 7 include an oxazole compound, an isoxazole compound, a triazole compound, an isothiazole compound, an oxadiazole compound, a thiadiazole compound, Perylene-based compounds, aluminum complexes (e.g. Alq3 (tris (8-quinolinolato) -aluminium) , BAlq, SAlq, Almq3), gallium complexes (e.g. Gaq '2OPiv, Gaq' 2 OAc, 2 (Gaq '2)).

Figure 112011025149030-pat00013
Figure 112011025149030-pat00013

페릴렌계 화합물 Perylene-Based Compound

Figure 112011025149030-pat00014
Figure 112011025149030-pat00014

Alq3 BAlq        Alq3 BAlq

Figure 112011025149030-pat00015
Figure 112011025149030-pat00015

SAlq Almq3         SAlq Almq3

Figure 112011025149030-pat00016
Figure 112011025149030-pat00016

Gaq'2OPiv Gaq'2Oac 2(Gaq'2)      Gaq'2 OPiv Gaq '2 Oac 2 (Gaq'2)

상기 홀 억제층(6)의 두께는 100 내지 1000 Å이고, 상기 전자 수송층의 두께는 100 내지 1000 Å인 것이 바람직하다. 만약 상기 홀 억제층의 두께와 전자 수송층의 두께를 상기 범위를 벗어나는 경우에는 전자수송능력이나 홀 억제능력면에서 바람직하지 못하다.It is preferable that the thickness of the said hole suppression layer 6 is 100-1000 GPa, and the thickness of the said electron carrying layer is 100-1000 GPa. If the thickness of the hole suppression layer and the thickness of the electron transporting layer are outside the above ranges, it is not preferable in terms of electron transport ability or hole suppression ability.

이어서, 상기 결과물에 제 2전극(8)을 형성하고, 상기 결과물을 봉지하여 유기 EL 소자를 완성한다.Subsequently, a second electrode 8 is formed on the resultant, and the resultant is sealed to complete an organic EL device.

상기 제 2전극 (8)의 형성재료는 특별하게 제한되지는 않고, 일 함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, Ca/Al, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Mg 합금을 이용하여 이를 증착하여 형성한다. 상기 제 2전극(8)의 두께는 50 내지 3000 Å인 것이 바람직하다.  The material for forming the second electrode 8 is not particularly limited, and a metal having a small work function, i.e., Li, Ca, Ca / Al, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg, Mg alloy is used. It is formed by vapor deposition. The thickness of the second electrode 8 is preferably 50 to 3000 mm 3.

본 발명에 따른 화학식 1의 나프틸페닐 유도체는 상기 유기 전계 발광 소자 제작시 발광층 형성 재료로 사용되고 있지만, 그 특성상 홀 주입층 또는 홀 수송층 형성재료로도 이용가능하다.The naphthylphenyl derivative of Chemical Formula 1 according to the present invention is used as a light emitting layer forming material when the organic electroluminescent device is manufactured, but can also be used as a hole injection layer or a hole transporting layer forming material.

이하는 본 발명의 나프틸페닐계 발광체의 제조방법 및 이를 이용한 발광소자의 제조 및 그의 성능에 대하여 실시예를 통하여 구체적으로 살펴본다. 본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 구체화될 것이며, 하기 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.Hereinafter, a method of manufacturing a naphthylphenyl-based light emitter of the present invention, a light emitting device using the same, and a performance thereof will be described in detail with reference to Examples. The invention will be further illustrated by the following examples, which are intended for the purpose of illustration of the invention and are not intended to limit the scope of protection defined by the appended claims.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 기존에 알려진 저분자와 고분자의 단점을 보완하고 이들의 장점을 도입하여 분자결함이 없고, 열적 안정성과 결정 안정성이 우수하고 정제하기 쉬우며 가용성 용매를 이용하여 박막을 형성하기가 용이하다.The organic electroluminescent device according to the present invention compensates for the shortcomings of the known low molecules and polymers, and introduces the advantages thereof, so that there are no molecular defects, the thermal stability and crystal stability are excellent, easy to purify, and thin films using It is easy to form.

또한 보다 향상된 휘도, 구동전압 및 발광 효율 특성이 개선된다.In addition, improved luminance, driving voltage, and luminous efficiency characteristics are improved.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예들에 따른 유기 EL 소자의 적층 구조를 개략적으로 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 합성예 1에 따라 합성된 화학식 1a로 표시되는 화합물의 1H-NMR 스펙트럼이고,
도 3은 본 발명의 합성예 2에 따라 합성된 화학식 1b로 표시되는 화합물의 1H-NMR 스펙트럼이고,
도 4는 본 발명의 합성예 1과 2에 따라 합성된 화학식 1a 와 1b로 표시되는 화합물을 용액상태에서의 UV-VIS, PL(Photoluminescent) 스펙트럼을 나타낸 것이고,
도 5는 본 발명의 합성예 1과 2에 따라 합성된 화학식 1a와 1b로 표시되는 화합물을 스핀코팅을 이용하여 제조된 필름 상태에서의 UV-VIS, PL(Photoluminescent) 스펙트럼을 나타낸 것이고,
도 6은 본 발명의 합성예 1에 따라 합성된 화학식 1a로 표시되는 화합물과 비교예 1에서 사용된 청색 발광층 재료인 DPVBi 의 TGA(Thermogravimetric analysis) data 를 비교하여 나타낸 것이고,
도 7은 본 발명의 합성예 1에 따라 합성된 화학식 1a로 표시되는 화합물과 청색 발광층 재료인 DPVBi 의 DSC(Differential Scanning Calorimetry) data 를 비교하여 나타낸 것이고,
도 8은 본 발명의 실시예 1 과 비교예 1에 따라 제작된 전계 발광 소자들을 이용하여 측정된 EL(electroluminescence) 스펙트럼을 나타낸 것이고,
도 9는 본 발명의 실시예 1 과 비교예 1 에 따라 제작된 전계 발광 소자들을 이용하여 측정된 전압에 대한 전류밀도 및 휘도에 대한 그래프이다.
1 is a view schematically showing a laminated structure of an organic EL device according to an embodiment of the present invention,
2 is a 1 H-NMR spectrum of a compound represented by Chemical Formula 1a synthesized according to Synthesis Example 1 of the present invention,
3 is a 1 H-NMR spectrum of the compound represented by Chemical Formula 1b synthesized according to Synthesis Example 2 of the present invention,
4 shows UV-VIS and PL (Photoluminescent) spectra of the compounds represented by Chemical Formulas 1a and 1b synthesized according to Synthesis Examples 1 and 2 of the present invention in a solution state,
Figure 5 shows the UV-VIS, PL (Photoluminescent) spectrum in the film state prepared by spin coating the compound represented by Formula 1a and 1b synthesized according to Synthesis Examples 1 and 2 of the present invention,
FIG. 6 shows a comparison of the compound represented by Chemical Formula 1a synthesized according to Synthesis Example 1 of the present invention with TGA (Thermogravimetric analysis) data of DPVBi, a blue light emitting layer material used in Comparative Example 1,
FIG. 7 is a diagram illustrating the comparison of DSC (Differential Scanning Calorimetry) data of DPVBi, which is a compound represented by Chemical Formula 1a, synthesized according to Synthesis Example 1 of the present invention and a blue light emitting layer material.
8 illustrates EL (electroluminescence) spectra measured using electroluminescent devices fabricated according to Example 1 and Comparative Example 1 of the present invention.
9 is a graph of current density and luminance with respect to voltage measured using the electroluminescent devices manufactured according to Example 1 and Comparative Example 1 of the present invention.

합성예Synthetic example 1: 화학식 1a로 표시되는 화합물 1: Compound represented by Formula 1a

하기 scheme 1은 화학식 1a로 표시되는 화합물의 제조방법을 개략적으로 도시하였으며 이하는 이를 합성하는 구체적인 실시예를 설명한다.Scheme 1 below schematically shows a method for preparing a compound represented by Chemical Formula 1a and the following describes a specific embodiment for synthesizing it.

Figure 112011025149030-pat00017
Figure 112011025149030-pat00017

1) 화합물 (1)의 제조 1) Preparation of Compound (1)

2,6-디브로모나프탈렌 5g(174.8 mmol)을 무수 THF(175 mL)에 용해시켰다. 상기 혼합물을 약 -78℃로 냉각한 후, 여기에 n-부틸리튬 10.93 mL(1.00 eq)를 서서히 첨가하고, 10분 동안 교반하였다. 상기 반응 혼합물에 2-이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxabo -rolane) 6.75g(3.5 eq)을 첨가하여 1시간 동안 반응시켰다. 반응이 완결된 후, 물과 클로로포름의 혼합용매(물:클로로포름=1:1 부피비)를 이용하여 3회 반복 추출하고, 추출된 유기층을 MgSO4로 건조하여 농축한 후, 그 농축액을 n-헥산을 사용하여 재결정시켜 화합물 (1) 3.78g (수율: 65%)을 수득하였다. 화합물 (1)의 구조는 1H-NMR을 통하여 확인하였다. 5 g (174.8 mmol) of 2,6-dibromonaphthalene were dissolved in anhydrous THF (175 mL). After cooling the mixture to about -78 ° C, 10.93 mL (1.00 eq) of n-butyllithium was slowly added thereto and stirred for 10 minutes. In the reaction mixture, 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3, 6.75 g (3.5 eq) of 2-dioxabo-rolane) was added and reacted for 1 hour. After the reaction was completed, the mixture was extracted three times using a mixed solvent of water and chloroform (water: chloroform = 1: 1 volume ratio), and the extracted organic layer was dried over MgSO 4 , concentrated, and the concentrated solution was n-hexane. Recrystallization using gave 3.78 g (yield: 65%) of compound (1). The structure of compound (1) was confirmed by 1 H-NMR.

1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.32(s,1H), 7.997-7.993(d,1H), 7.867-7.844(q,1H), 7.755-7.719(q,2H), 7.554-7.528(q,1H), 1.387(s,12H). 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.32 (s, 1H), 7.997-7.993 (d, 1H), 7.867-7.844 (q, 1H), 7.755-7.719 (q, 2H), 7.554-7.528 (q, 1 H), 1.387 (s, 12 H).

2)화합물 (2)의 제조2) Preparation of Compound (2)

1,3,5-트리브로모벤젠(1,3,5-tribromobenzene)을 무수 디에틸이서(anhydrous diethylether) 244 mL에 용해시켰다. 상기 혼합물을 약 -78℃로 냉각한 후, 여기에 n-부틸리튬 20.05 mL(1.01 eq)를 서서히 첨가하고, 10분 동안 교반하였다. 상기 반응 혼합물에 아이오딘(Iodine) 9.68g (1.2 eq)을 첨가하여 1시간 동안 반응시켰다.1,3,5-tribromobenzene (1,3,5-tribromobenzene) was dissolved in 244 mL of anhydrous diethylether. After cooling the mixture to about -78 ° C, 20.05 mL (1.01 eq) of n-butyllithium was slowly added thereto and stirred for 10 minutes. 9.68 g (1.2 eq) of iodine was added to the reaction mixture and reacted for 1 hour.

반응이 완결된 후, 소듐바이설페이트(Sodium bisulfate)수용액과 디에틸이서(diethylether)의 혼합용매(수용액:디에틸이서=2:1 부피비)를 이용하여 2회 반복 추출하여 잔여 아이오딘(Iodine)을 제거하고, 이를 다시 물과 디에틸이서(diethylether)의 혼합용매(물:디에틸이서=2:1 부피비)를 이용하여 3회 반복 추출하였다. 추출된 유기층을 MgSO4로 건조하여 농축한 후, 그 농축액을 n-헥산을 사용하여 재결정시켜 화합물 (2) 9.19g (수율: 80%)을 수득하였다. 화합물 (2)의 구조는 1H-NMR을 통하여 확인하였다. After the reaction was completed, the remaining iodine was extracted twice by using a mixed solvent of aqueous sodium bisulfate solution and diethylether (aqueous solution: diethyl ether = 2: 1 volume ratio). After removing the mixture, the mixture was extracted three times using a mixed solvent of water and diethyl ether (water: diethyl ether = 2: 1 volume ratio). The extracted organic layer was dried over MgSO 4 , concentrated, and the concentrate was recrystallized with n-hexane to give 9.19 g (yield: 80%) of compound (2). The structure of the compound (2) was confirmed by 1 H-NMR.

1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 7.730-7.726(d,2H), 7.574-7.566(t,1H). 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 7.730-7.726 (d, 2H), 7.574-7.566 (t, 1H).

3)화합물 (3)의 제조3) Preparation of Compound (3)

250 mL 둥근바닥 플라스크(round-bottomed flask)에 화합물 (1) 3.50 g(1 eq), 화합물 (2) 4.93g(1.3 eq), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(0)(Pd(pph3)4) 0.36g (0.03 mol% vs. 화합물 (1)) 및 테트라에틸암모늄하이드록사이드((n-Et)4NOH) 수용액 4.86 mL를 넣고, 무수 톨루엔(anhydrous toluene) 105 mL 와 무수 THF 26 mL를 첨가하여 고형성분을 용해시킨 다음, 100℃에서 12시간 동안 반응시켰다.반응이 완결된 후, 물과 클로로포름의 혼합용매(물:클로로포름=1:1 부피비)를 사용하여 추출하고, 추출된 유기층을 MgSO4로 건조하였다. 상기 결과물을 감압증류하여 유기용매를 제거하여 고체를 얻고, 이를 톨루엔에 다시 용해한 다음, 이를 실리카겔 크로마토크래피를 이용하여 1차 정제한 후, n-헥산을 이용하여 재결정시켜 화합물(3) 3.48g (수율= 75%)을 수득하였다. 화합물 (3)의 구조는 1H-NMR을 통하여 확인하였다. In a 250 mL round-bottomed flask, 3.50 g (1 eq) of compound (1), 4.93 g (1.3 eq) of compound (2), tetrakistriphenylphosphinepalladium (0) (Pd (pph 3 ) 4 ) Add 0.36 g (0.03 mol% vs. compound (1)) and 4.86 mL of aqueous tetraethylammonium hydroxide ((n-Et) 4 NOH) solution, add 105 mL of anhydrous toluene and 26 mL of anhydrous THF. Was added to dissolve the solid component, and then reacted at 100 ° C. for 12 hours. After completion of the reaction, the mixture was extracted using a mixed solvent of water and chloroform (water: chloroform = 1: 1 by volume), and the extracted organic layer. Was dried over MgSO 4 . The resulting product was distilled under reduced pressure to remove the organic solvent to obtain a solid, which was dissolved in toluene again, which was first purified using silica gel chromatography, and then recrystallized using n-hexane to give 3.48 g of Compound (3). (Yield = 75%) was obtained. The structure of the compound (3) was confirmed by 1 H-NMR.

1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.038-8.034(d,1H), 7.950(s,1H), 7.843-7.821(d,1H), 7.778-7.759(t,3H), 7.683-7.654(m,2H), 7.616-7.590(q,1H). 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.038-8.034 (d, 1H), 7.950 (s, 1H), 7.843-7.821 (d, 1H), 7.778-7.759 (t, 3H), 7.683-7.654 (m, 2 H), 7.616-7.590 (q, 1 H).

4) 화합물 (4)의 제조 4) Preparation of Compound (4)

500 mL 둥근바닥 플라스크 내에서 클로로포름 100mL 에 9-페닐안트라센(9-phenylanthracene) 9.6g (37.75 mmol)을 가한 후, 0℃를 유지하면서 브롬 5.58g(1.2 eq)을 천천히 첨가하면서 교반하였다. 상기 반응 혼합물로부터 9-페닐안트라센(9-phenylanthracene)이 사라지는 것을 TLC로 확인한 후, 브롬 첨가를 중지하고 반응을 중지 시켰다. 상기 반응 혼합물을 소듐바이설페이트(Sodium bisulfate)수용액과 클로로포름의 혼합용매(수용액:클로로포름=2:1 부피비)를 이용하여 2회 반복 추출하여 잔여 브롬을 제거하고, 이를 다시 물과 클로로포름의 혼합용매(물:클로로포름=2:1 부피비)를 이용하여 3회 반복 추출하였다. 추출된 유기층을 MgSO4로 건조하여 농축한 후, 그 농축액을 n-헥산을 사용하여 재결정시켜 화합물 (4) 10.31g (수율: 82%)을 수득하였다. 화합물 (4)의 구조는 1H-NMR을 통하여 확인하였다. 9.6 g (37.75 mmol) of 9-phenylanthracene was added to 100 mL of chloroform in a 500 mL round bottom flask, followed by stirring while slowly adding 5.58 g (1.2 eq) of bromine while maintaining 0 ° C. After confirming the disappearance of 9-phenylanthracene (9-phenylanthracene) from the reaction mixture by TLC, bromine addition was stopped and the reaction was stopped. The reaction mixture was extracted twice using an aqueous solution of sodium bisulfate and a mixed solvent of chloroform (aqueous solution: chloroform = 2: 1 volume ratio) to remove residual bromine, and again, a mixed solvent of water and chloroform ( Water: chloroform = 2: 1 volume ratio), and extracted three times. The extracted organic layer was dried over MgSO 4 , concentrated, and the concentrate was recrystallized with n-hexane to give 10.31 g (yield: 82%) of compound (4). The structure of compound (4) was confirmed by 1 H-NMR.

1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.624-8.602(d,2H), 7.657-7.636(d,2H), 7.612-7.547(m,5H), 7.417-7.373(m,4H). 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.624-8.602 (d, 2H), 7.657-7.636 (d, 2H), 7.612-7.547 (m, 5H), 7.417-7.373 (m, 4H).

5)화합물 (5)의 제조5) Preparation of Compound (5)

100 mL 둥근바닥 플라스크 내에서 화합물 (4) 5g(15 mmol)을 무수 THF(50 mL)에 용해시켰다. 상기 혼합물을 약 -78℃로 냉각한 후, 여기에 n-부틸리튬 14.07 mL(1.5 eq)를 서서히 첨가하고, 10분 동안 교반하였다. 상기 반응 혼합물에 2-이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(2-isopropoxy-4,4,5,5-tetrameth yl-1,3,2-dioxaborolane) 4.96g(3.0 eq)을 첨가하여 1시간 동안 반응시켰다. 5 g (15 mmol) of Compound (4) was dissolved in anhydrous THF (50 mL) in a 100 mL round bottom flask. After cooling the mixture to about -78 ° C, 14.07 mL (1.5 eq) of n-butyllithium was slowly added thereto and stirred for 10 minutes. 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3) was added to the reaction mixture. , 2-dioxaborolane) 4.96 g (3.0 eq) was added to react for 1 hour.

반응이 완결된 후, 물과 클로로포름의 혼합용매(물:클로로포름=1:1 부피비)를 이용하여 3회 반복 추출하고, 추출된 유기층을 MgSO4로 건조하여 농축한 후, 그 농축액을 n-헥산을 사용하여 재결정시켜 화합물 (1) 3.5g (수율: 61%)을 수득하였다. 화합물 (1)의 구조는 1H-NMR을 통하여 확인하였다. After the reaction was completed, the mixture was extracted three times using a mixed solvent of water and chloroform (water: chloroform = 1: 1 volume ratio), and the extracted organic layer was dried over MgSO 4 , concentrated, and the concentrated solution was n-hexane. Recrystallization using gave 3.5 g (yield: 61%) of compound (1). The structure of compound (1) was confirmed by 1 H-NMR.

1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.442-8.420(d,2H), 7.636-7.614(d,2H), 7.590-7.521(m,3H), 7.488-7.447(m,2H), 7.398-7.374(m, 2H), 7.333-7.292(m,2H), 1.604(s,12H). 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.442-8.420 (d, 2H), 7.636-7.614 (d, 2H), 7.590-7.521 (m, 3H), 7.488-7.447 (m, 2H), 7.398 -7.374 (m, 2H), 7.333-7.292 (m, 2H), 1.604 (s, 12H).

6) 화학식 1a로 표시되는 화합물의 제조6) Preparation of the compound represented by Formula 1a

질소 가스 분위기하에서, 250 mL의 둥근바닥 플라스크에 화합물 (3) 0.9g (2.0 mmol), 화합물 (5)2.6 g(6.5 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(0)(Pd(PPh3)4) 0.07g (0.05 mol% vs. 화합물 (1)) 및 테트라에틸암모늄하이드록사이드((n-Et)4NOH) 수용액 5 mL를 넣고, 무수 톨루엔(anhydrous toluene) 100 mL 와 무수 THF 25 mL를 첨가하였다. 상기 반응 혼합물의 온도를 오일 배쓰를 이용하여 약 110℃로 올린 후, 이 온도에서 반응 혼합물을 약 72시간 동안 교반하였다.In a nitrogen gas atmosphere, in a 250 mL round bottom flask, 0.9 g (2.0 mmol) of compound (3), 2.6 g (6.5 mmol) of compound (5), tetrakistriphenylphosphinepalladium (0) (Pd (PPh 3 ) 4 ) Add 0.07 g (0.05 mol% vs. compound (1)) and 5 mL of tetraethylammonium hydroxide ((n-Et) 4 NOH) aqueous solution, 100 mL of anhydrous toluene and 25 mL of anhydrous THF. Was added. The temperature of the reaction mixture was raised to about 110 ° C. using an oil bath, and at this temperature the reaction mixture was stirred for about 72 hours.

반응이 종결된 뒤 물과 클로로포름의 혼합용매(물:클로로포름=1:1 부피비)를 이용하여 3회 반복 추출하고, 추출된 유기층을 MgSO4로 건조하였다. 그리고 상기 결과물을 감압증류하여 유기용매를 제거하여 고체를 얻고, 이를 n-헥산과 클로로포름의 혼합용매(n-헥산:클로로포름=6:1)를 사용하여 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 분리 및 정제하였다. 화학식 1a 로 표시되는 화합물 1.41 g(수율: 약 72%)을 얻었다. 도 2에 화학식 1a의 1H-NMR을 도시하였다. After the reaction was completed, the mixture was extracted three times using a mixed solvent of water and chloroform (water: chloroform = 1: 1 volume ratio), and the extracted organic layer was dried over MgSO 4 . The resulting product was distilled under reduced pressure to remove an organic solvent to obtain a solid, which was separated and purified using silica gel column chromatography using a mixed solvent of n-hexane and chloroform (n-hexane: chloroform = 6: 1). . 1.41 g (yield: about 72%) of the compound represented by Formula 1a were obtained. 2 shows 1 H-NMR of Chemical Formula 1a.

1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.425(s,1H), 8.194-8.169(d,6H), 8.117-7.999(m,4H), 7.764-7.475(m,29H), 7.420-7.382(t,4H), 7.382-7.295(q,4H). 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3): δ 8.425 (s, 1H), 8.194-8.169 (d, 6H), 8.117-7.999 (m, 4H), 7.764-7.475 (m, 29H), 7.420-7.382 ( t, 4H), 7.382-7.295 (q, 4H).

합성예Synthetic example 2: 화학식 1b로 표시되는 화합물 2: compound represented by formula (1b)

하기 scheme 2는 화학식 1b로 표시되는 화합물의 제조방법을 개략적으로 도시하였으며 이하는 이를 합성하는 구체적인 실시예를 설명한다. Scheme 2 below schematically shows a method for preparing a compound represented by Formula 1b and the following describes a specific embodiment for synthesizing it.

Figure 112011025149030-pat00018
Figure 112011025149030-pat00018

1) 화합물 (6)의 제조 1) Preparation of Compound (6)

1,4-디브로모나프탈렌 5 g (174.8 mmol)을 무수 THF (175 mL)에 용해시켰다. 상기 혼합물을 약 -78℃로 냉각한 후, 여기에 n-부틸리튬 10.93 mL(1.00 eq)를 서서히 첨가하고, 10분 동안 교반하였다. 상기 반응 혼합물에 2-이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxabo -rolane) 6.75 g (3.5 eq)을 첨가하여 1시간 동안 반응시켰다. 5 g (174.8 mmol) of 1,4-dibromonaphthalene were dissolved in anhydrous THF (175 mL). After cooling the mixture to about -78 ° C, 10.93 mL (1.00 eq) of n-butyllithium was slowly added thereto and stirred for 10 minutes. In the reaction mixture, 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3, 6.75 g (3.5 eq) of 2-dioxabo-rolane) were added and reacted for 1 hour.

반응이 완결된 후, 물과 클로로포름의 혼합용매(물:클로로포름=1:1 부피비)를 이용하여 3회 반복 추출하고, 추출된 유기층을 MgSO4로 건조하여 농축한 후, 그 농축액을 n-헥산을 사용하여 재결정시켜 화합물 (6) 3.95g (수율: 68%)을 수득하였다. 화합물 (6)의 구조는 1H-NMR을 통하여 확인하였다. After the reaction was completed, the mixture was extracted three times using a mixed solvent of water and chloroform (water: chloroform = 1: 1 volume ratio), and the extracted organic layer was dried over MgSO 4 , concentrated, and the concentrated solution was n-hexane. Recrystallization using gave 3.95 g (yield: 68%) of compound (6). The structure of compound (6) was confirmed by 1 H-NMR.

1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.793-8.760(m,1H), 8.299-8.259(m,1H), 7.899-7.880(d,1H), 7.794-7.775(d,1H), 7.606-7.581(m,2H), 1.421(s,12H). 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.793-8.760 (m, 1H), 8.299-8.259 (m, 1H), 7.899-7.880 (d, 1H), 7.794-7.775 (d, 1H), 7.606 -7.581 (m, 2H), 1.421 (s, 12H).

2) 화합물 (7)의 제조2) Preparation of Compound (7)

250 mL 둥근바닥 플라스크(round-bottomed flask)에 화합물 (6) 3.50 g(1 eq), 화합물 (2) 4.93g(1.3 eq), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(0)(Pd(PPh3)4) 0.36g (0.03 mol% vs. 화합물 (6)) 및 테트라에틸암모늄하이드록사이드((n-Et)4NOH) 수용액 4.86 mL를 넣고, 무수 톨루엔(anhydrous toluene) 105 mL 와 무수 THF 26 mL를 첨가하여 고형성분을 용해시킨 다음, 100 ℃에서 35 시간 동안 반응시켰다.3.50 g (1 eq) of compound (6), 4.93 g (1.3 eq) of compound (2), tetrakistriphenylphosphinepalladium (0) (Pd (PPh 3 ) in a 250 mL round-bottomed flask 4 ) Add 0.36 g (0.03 mol% vs. compound (6)) and 4.86 mL of an aqueous tetraethylammonium hydroxide ((n-Et) 4 NOH) solution, add 105 mL of anhydrous toluene and 26 mL of anhydrous THF. Was added to dissolve the solid component, and then reacted at 100 ° C. for 35 hours.

반응이 완결된 후, 물과 클로로포름의 혼합용매(물:클로로포름=1:1 부피비)를 사용하여 추출하고, 추출된 유기층을 MgSO4로 건조하였다. 상기 결과물을 감압증류하여유기용매를 제거하여 고체를 얻고, 이를 톨루엔에 다시 용해한 다음, 이를 실리카겔 크로마토크래피를 이용하여 1차 정제한 후, n-헥산을 이용하여 재결정시켜 화합물(7) 2.95g (수율= 63%)을 수득하였다. 화합물 (7)의 구조는 1H-NMR을 통하여 확인하였다. After the reaction was completed, the mixture was extracted using a mixed solvent of water and chloroform (water: chloroform = 1: 1 volume ratio), and the extracted organic layer was dried over MgSO 4 . The resulting product was distilled under reduced pressure to remove the organic solvent to obtain a solid, which was dissolved in toluene again, which was first purified using silica gel chromatography, and then recrystallized using n-hexane to give 2.95 g of compound (7). (Yield = 63%) was obtained. The structure of compound (7) was confirmed by 1 H-NMR.

1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.348-8.326(d,1H), 7.841-7.822(d,1H), 7.788-7.755(q,2H), 7.663-7.622(m,1H), 7.562-7.521(m,3H), 7.234-7.215(d,1H). 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.348-8.326 (d, 1H), 7.841-7.822 (d, 1H), 7.788-7.755 (q, 2H), 7.663-7.622 (m, 1H), 7.562 -7.521 (m, 3 H), 7.234-7.215 (d, 1 H).

3) 화합물 (8)의 제조3) Preparation of Compound (8)

질소 가스 분위기하에서, 100 mL의 둥근바닥 플라스크에 화합물 (7)2.00g (4.54 mmol), 4,4,4',4',5,5,5'-옥타메틸-2,2'-디(1,3,2-디옥사보롤란) (4,4,4',4',5,5,5',5'-octamethyl-2,2'-di(1,3,2-dioxaborolane) 3.30 g(3.3 eq), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(Ⅱ) (Pd(dppf)Cl2 ) 0.33g(4.5x 10-4 mol), 그리고 포타슘아세테이트(KOAc) 4.45 g(10.0 eq) 및 무수 1,4-다이옥산(anhydrous 1,4-dioxane) 45 mL를 부가하였다. 상기 반응 혼합물의 온도를 오일 배쓰를 이용하여 100℃ 까지 올린 다음, 이를 12 시간 동안 교반하였다. 반응이 완결된 후, 물과 클로로포름의 혼합용매(물:클로로포름=1:1 부피비)를 사용하여 추출하고, 추출된 유기층을 MgSO4로 건조하였다. 상기 결과물을 감압 증류하여 유기용매를 제거하여 고체를 얻고, 이를 톨루엔에 다시 용해한 다음, 이를 실리카겔 크로마토크래피를 이용하여 1차 정제한 후, n-헥산을 이용하여 재결정시켜 화합물(8) 0.8g (수율= 30%)을 수득하였다. 화합물 (8)의 구조는 1H-NMR을 통하여 확인하였다. In a nitrogen gas atmosphere, in a 100 mL round bottom flask, 2.00 g (4.54 mmol), 4,4,4 ', 4', 5,5,5'-octamethyl-2,2'-di (7) 1,3,2-dioxaborolane) (4,4,4 ', 4', 5,5,5 ', 5'-octamethyl-2,2'-di (1,3,2-dioxaborolane) 3.30 g (3.3 eq), [1,1'-bis (diphenylphosphino) ferrocene] dichloropalladium (II) (Pd (dppf) Cl 2 ) 0.33 g (4.5x 10 -4 mol), and potassium acetate (KOAc ) 4.45 g (10.0 eq) and 45 mL of anhydrous 1,4-dioxane were added in. The temperature of the reaction mixture was raised to 100 ° C. using an oil bath and stirred for 12 h. After the reaction was completed, the mixture was extracted using a mixed solvent of water and chloroform (water: chloroform = 1: 1 by volume), and the extracted organic layer was dried over MgSO 4. The resultant was distilled under reduced pressure to remove the organic solvent. To obtain a solid, which was dissolved in toluene again, and then using silica gel chromatography. After primary purification, recrystallization with n-hexane gave 0.8 g (yield = 30%) of compound (8) The structure of compound (8) was confirmed by 1 H-NMR.

1H-NMR (400 MHz, CDCl3): δ 8.832-8.811(d,1H), 8.336(s,1H), 8.089-8.071(d,1H), 7.990-7.987(d,2H), 7.809-7.788(d,1H), 7.537-7.496(m,1H), 7.417-7.376(m,2H), 1.446(s,12H), 1.340(s,24H). 1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 8.832-8.811 (d, 1H), 8.336 (s, 1H), 8.089-8.071 (d, 1H), 7.990-7.987 (d, 2H), 7.809-7.788 (d, 1H), 7.537-7.496 (m, 1H), 7.417-7.376 (m, 2H), 1.446 (s, 12H), 1.340 (s, 24H).

4) 화학식 1b로 표시되는 화합물의 제조4) Preparation of the compound represented by Formula 1b

질소 가스 분위기하에서, 100 mL의 둥근바닥 플라스크에 화합물 (8)0.8g (4.54 mmol), 화합물 (4) 1.6g(3.5 eq), Pd(PPh--3-)4 0.08g(0.7 x 10-4 mol), (n-Et)NOH 1.91 mL(3.3 eq), 무수 톨루엔 46 mL 및 무수 THF 12 mL를 부가하였다. 상기 반응 혼합물의 온도를 오일 배쓰를 이용하여 약 100℃까지 올린 다음, 이를 48시간 교반하였다. 반응이 종결된 뒤 물과 클로로포름의 혼합용매(물:클로로포름=1:1 부피비)를 이용하여 3회 반복 추출하고, 추출된 유기층을 MgSO4로 건조하였다. 그리고 상기 결과물을 감압 증류하여 유기용매를 제거하여 고체를 얻고, 이를 n-헥산과 클로로포름의 혼합용매(n-헥산:클로로포름=6:1)를 사용하여 실리카겔 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 분리 및 정제하였다. 화학식 1b 로 표시되는 화합물 0.22g(수율: 약17%)을 얻었다. 도 3에 화학식 1b의 1H-NMR을 도시하였다. Under a nitrogen gas atmosphere, 0.8 g (4.54 mmol) of Compound (8), 1.6 g (3.5 eq) of Compound (4), Pd (PPh- 3 ) 4 0.08 g (0.7 × 10 ) in a 100 mL round bottom flask 4 mol), 1.91 mL (3.3 eq) of (n-Et) NOH, 46 mL of anhydrous toluene and 12 mL of anhydrous THF were added. The temperature of the reaction mixture was raised to about 100 ° C. using an oil bath and then stirred for 48 hours. After the reaction was completed, the mixture was extracted three times using a mixed solvent of water and chloroform (water: chloroform = 1: 1 volume ratio), and the extracted organic layer was dried over MgSO 4 . The resultant was distilled under reduced pressure to remove an organic solvent to obtain a solid, which was separated and purified using silica gel column chromatography using a mixed solvent of n-hexane and chloroform (n-hexane: chloroform = 6: 1). . 0.22 g (yield: about 17%) of the compound represented by Chemical Formula 1b was obtained. 3 shows 1 H-NMR of Chemical Formula 1b.

1H-NMR (400 MHz, CD2Cl2): δ 8.593-8.572(d,1H), 8.285-8.263(d,4H), 8.084-8.080(d,2H), 8.023-8.005(d,1H), 7.801-7.794(t,1H), 7.746-7.724(d,6H), 7.693-7.469(m,25H), 7.433-7.392(m,4H), 7.340-7.298(m,2H), 7.272-7.203(m,4H).
1 H-NMR (400 MHz, CD 2 Cl 2 ): δ 8.593-8.572 (d, 1H), 8.285-8.263 (d, 4H), 8.084-8.080 (d, 2H), 8.023-8.005 (d, 1H) , 7.801-7.794 (t, 1H), 7.746-7.724 (d, 6H), 7.693-7.469 (m, 25H), 7.433-7.392 (m, 4H), 7.340-7.298 (m, 2H), 7.272-7.203 ( m, 4H).

물성의 측정Measurement of physical properties

상기 합성예에 따라 제조된 화학식 1a 와 1b로 표시되는 화합물을 클로로벤젠에 용해시켜, 그 용액을 석영 기판 위에 스핀 코팅한 다음, 건조하여 박막을 형성하였다. The compounds represented by Formulas 1a and 1b prepared according to the synthesis example were dissolved in chlorobenzene, the solution was spin coated on a quartz substrate, and then dried to form a thin film.

상기 과정에 따라 얻은 박막의 UV-가시광선 흡수 스펙트럼(UV-VIS spectrum)과 PL(photoluminescence) 스펙트럼을 측정하였고 그 결과는 도 5에 수록하였다. 도 5를 참조하면, 화학식 1a로 표시되는 화합물의 최대 UV-VIS 흡수 피크의 위치는 3개의 특성적인 피크가 각각 362 nm, 381 nm와 402 nm에서 나타났으며, 최대 흡수 파장대를 여기 파장으로 하여 측정한 최대 PL 피크의 위치는 대략 435 nm에서 나타났다. 또한, TGA(Thermogravimetric analysis)와 DSC(Differential Scanning Calorimetry)를 이용하여 상기 합성예에 따라 제조된 화학식 1a로 표시되는 화합물의 열적 특성을 살펴보았다. 이 때 열적 특성은 질소 가스 분위기하, 10 ℃/min의 속도로 측정하였다. 상기 TGA 및 DSC 측정 결과는 도 6 및 7에 각각 나타내었다. 도 6에서, 화학식 1a 는 합성예에서 제조한 화학식 1a로 표시되는 화합물에 대한 것이고, 화학식5라고 도에서 명명한 것은 청색 발광재료로 일반적으로 비교되고 있는 DPVBi [4,4' bis(2,2- diphenylvinyl)-1,1' biphenyl] 에 대한 것이다. 도 6을 참조하면, DPVBi는 약 362℃ 근처에서 5%의 중량 손실이 관측되었으며, 440℃ 근처에서 약 50 중량%의 잔존량을 보였다. 반면, 화학식 1a로 표시되는 화합물의 경우는, 5 %의 중량 손실이 약 525 ℃ 근처에서 관측되며, 600 ℃ 근처에서 약 77 중량%의 잔존량을 보이는 우수한 열적 안정성을 보였다. 한편 도 7을 참조하면, 대부분의 저분자 전계 발광 재료들에서 관찰되는 뚜렷한 녹는점을 보이는데 반하여 (심지어는 녹고나서 재냉각을 빠르게 하여도 뚜렷한 녹는점을 보이는데 반하여), 화학식 1a로 표시되는 화합물은 350℃ 까지 가열 중에 어떠한 녹는 현상이 보이질 않았다. 이는 화학식 1a로 표시되는 화합물은 열적으로 매우 안정하며, 완전한 비결정질 상태가 됨을 의미한다. 또한 스핀코팅을 이용하여 박막을 제조하여 그 표면을 편광현미경을 통해 관찰하는 경우, 상기 박막내에서 어떠한 결정영역도 발견할 수 없었다.
The UV-VIS spectrum and PL (photoluminescence) spectrum of the thin film obtained by the above procedure were measured, and the results are shown in FIG. 5. Referring to FIG. 5, the positions of the maximum UV-VIS absorption peaks of the compound represented by Chemical Formula 1a showed three characteristic peaks at 362 nm, 381 nm, and 402 nm, respectively. The location of the largest PL peak measured was approximately 435 nm. In addition, the thermal properties of the compound represented by Formula 1a prepared according to the synthesis example by using TGA (Thermogravimetric analysis) and DSC (Differential Scanning Calorimetry) were examined. At this time, the thermal characteristics were measured at a rate of 10 ° C./min under a nitrogen gas atmosphere. The TGA and DSC measurement results are shown in FIGS. 6 and 7, respectively. In FIG. 6, Chemical Formula 1a is for the compound represented by Chemical Formula 1a prepared in Synthesis Example, and the chemical formula 5 is named DPVBi [4,4 'bis (2,2) which is generally compared with a blue light emitting material. diphenylvinyl) -1,1 'biphenyl]. Referring to FIG. 6, DPVBi had a weight loss of about 5% at about 362 ° C., and a residual amount of about 50% by weight at about 440 ° C. On the other hand, in the case of the compound represented by Formula 1a, a weight loss of 5% was observed at about 525 ° C., and showed excellent thermal stability showing a residual amount of about 77% by weight at around 600 ° C. On the other hand, with reference to Figure 7, while showing a distinct melting point observed in most of the low-molecular electroluminescent materials (although it shows a distinct melting point even after melting and re-cooling fast), the compound represented by Formula 1a is 350 No melting phenomenon was observed during heating to ℃. This means that the compound represented by the formula (1a) is thermally very stable and is in a completely amorphous state. In addition, when the thin film was prepared using spin coating and the surface thereof was observed through a polarizing microscope, no crystal region was found in the thin film.

실시예Example 1: 유기  1: organic 전계Field 발광 소자의 제작 Fabrication of light emitting device

ITO(indium-tin oxide)가 패터닝된 투명 전극 기판 위에 진공 증착기를 이용하여 (진공도 4×10-6 torr 이하로 유지) 홀주입층 형성용 조성물인 2-TNATA [4,4,4'-Tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)-tripenylamine] 과 홀수송층 형성용 조성물인 α-NPB [N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'- diphenylbenzidine] 를 순차적으로 각각 600Å 과 150Å 의 두께로 증착하고 상기 홀 수송층 상부에, 합성예 1에 따라 제조된 발광층 형성용 조성물인 화학식 1a 화합물을 300Å 의 두께로 형성시켰다.(증착속도 : 1 Å/sec) 이어서, 상기 발광층 상부에 Alq3와 LiF 및 Al을 순차적으로 증착하여 2500~3000Å 두께의 캐소드를 형성하고 이를 봉지(encapsulation)함으로써 유기 전계 발광 소자를 완성하였다. 상기 증착공정에서 막두께 및 막의 성장속도는 크리스탈 센서(crystal sensor)를 이용하여 조절하였다. 이와 같이 제작된 EL 소자의 개략적인 구조는 도 1에 도시된 바와 같으며, 적층된 소자 구조는 ITO / 2-TNATA(600 Å)/ NPB (150 Å)/ 화학식 1a (300 Å)/ Alq3 (300 Å)/ LiF (10 Å) / Al(2000 Å) 이며 발광면적은 6 mm2이었다. 제조된 소자의 물성으로서, 도 8은 EL 스펙트럼을 보여주고 있고, 도 9는 전류밀도 및 휘도, 표 1은 발광효율, 휘도, 구동전압, 및 색좌표 데이터를 기록하였다. 화학식 1a를 발광층으로 사용한 경우 상업적으로 사용되고 있는 DPVBi대비 Turn-on 전압도 2 V 이상 크게 낮아지고 효율 또한 향상되었으며 무엇보다 소자의 수명은, 500 cd/m2에서의 반감기, 1.5 배 이상 향상되었다.
2-TNATA [4,4,4'-Tris], a composition for forming a hole injection layer, using a vacuum evaporator on a transparent electrode substrate patterned with indium-tin oxide (ITO) (with a vacuum degree of 4 × 10 -6 torr or less) (N- (2-naphthyl) -N-phenyl-amino) -tripenylamine] and α-NPB [N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenylbenzidine], a composition for forming a hole transport layer Were sequentially deposited to a thickness of 600 kPa and 150 kPa, respectively, and a compound of Formula 1a, a light emitting layer forming composition prepared according to Synthesis Example 1, was formed on the hole transport layer to a thickness of 300 kPa. Subsequently, Alq 3 , LiF, and Al were sequentially deposited on the emission layer to form a cathode having a thickness of 2500˜3000 μm, and encapsulation thereof to complete an organic EL device. In the deposition process, the film thickness and the growth rate of the film were controlled by using a crystal sensor. The schematic structure of the EL device thus fabricated is as shown in FIG. 1, and the stacked device structure is ITO / 2-TNATA (600 kV) / NPB (150 kV) / Formula 1a (300 kV) / Alq3 ( 300 Å) / LiF (10 Å) / Al (2000 Å) and the emission area was 6 mm 2 . As physical properties of the fabricated device, FIG. 8 shows EL spectra, FIG. 9 shows current density and brightness, and Table 1 records luminous efficiency, brightness, driving voltage, and color coordinate data. Was commercially is significantly lower than 2 V Turn-on voltage compared to DPVBi also improve efficiency in use was what improved half-life in the life of the device, 500 cd / m 2, more than 1.5 times the case of using the formula (1a) as a light emitting layer.

실시예Example 2: 유기  2: Organic 전계Field 발광 소자의 제작 Fabrication of light emitting device

상기 실시예 1과 동일한 방식으로 소자가 제작되었으며, 다만 발광층으로 화학식 1b를 사용하였다. 적층된 소자 구조를 정리하면 적층된 소자 구조는 ITO / 2-TNATA(600 Å)/ NPB (150 Å)/ 화학식 1b (300 Å)/ Alq3 (300 Å)/ LiF (10 Å) / Al(2000 Å) 이며 발광면적은 6 mm2이었다. 표 1은 발광효율, 휘도, 구동전압, 및 색좌표 데이터를 기록하였다. 화학식 1b를 발광층으로 사용한 경우 이 건 실시예의 경우 상업적으로 사용되고 있는 DPVBi대비 Turn-on 전압도 1 V 이상 낮아지고 효율 또한 30 % 이상 향상되었으며 소자의 수명은, 500 cd/m2에서의 반감기, 1.2 배 이상 향상되었다.
The device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Chemical Formula 1b was used as the emission layer. The stacked device structure is composed of ITO / 2-TNATA (600 Å) / NPB (150 Å) / Formula 1b (300 Å) / Alq3 (300 Å) / LiF (10 Å) / Al (2000) Iii) and the emission area was 6 mm 2 . Table 1 records the luminous efficiency, luminance, driving voltage, and color coordinate data. In the case of using the formula 1b as a light emitting layer, in this embodiment, the turn-on voltage is lowered by 1 V or more and the efficiency is also improved by 30% or more compared with the DPVBi which is commercially used. The lifetime of the device is half life at 500 cd / m 2 , 1.2. Improvements over 2x.

실시예Example 3: 유기  3: organic 전계Field 발광 소자의 제작 Fabrication of light emitting device

ITO(indium-tin oxide)가 패터닝된 투명 전극 기판위에 PEDOT (poly(styrene sulfonate)-doped poly(3,4-ethylenedioxy thiophene : Bayer사의 Batron P 4083)을 약 400Å의 두께로 코팅한 후, 180℃에서 약 1시간 동안 베이킹(baking)하여 홀 주입층을 형성하였다.상기 홀 주입층 상부에, 합성예 1에 따라 제조된 화학식 1a의 화합물 0.15 g 을 클로로벤젠 9.85 g에 용해하여 얻은 발광층 형성용 조성물을 상기 홀 주입층 상부에 스핀 코팅(spin coating)하고, 90 ℃에서 2시간동안 베이킹 처리한 뒤, 진공 오븐내에서 용매를 완전히 제거하여 두께 500Å의 발광층을 형성시켰다. 이어서, 상기 고분자 발광층 상부에 진공증착기를 이용하여 진공도를 4×10-6 torr 이하로 유지하면서 TPBi와 LiF 및 Al을 순차적으로 증착하여 2500~3000Å 두께의 캐소드를 형성하고 이를 봉지(encapsulation)함으로써 유기 전계 발광 소자를 완성하였다. 상기 LiF와 Al 증착시 막두께 및 막의 성장속도는 크리스탈 센서(crystal sensor)를 이용하여 조절하였다. 이와 같이 제작된 EL 소자의 구조는 ITO/ PEDOT:PSS (400 Å)/ 화학식 1a (500 Å)/ TPBi (300 Å) / LiF (10 Å) / Al(2000 Å) 이며, 발광면적은 6 mm2이었다. 중요한 점은 화학식 1a를 발광층으로 증착이 아닌 스핀코팅법으로 용이하게 제작할 수 있었으며 얻어진 소자의 결과 또한 증착대비 거의 동등 수준의 결과를 얻을 수 있었다. 구체적인 결과는 표 1에 나타나 있다.
PEDOT (poly (styrene sulfonate) -doped poly (3,4-ethylenedioxy thiophene: Batron P 4083 from Bayer) was coated with a thickness of about 400in on a transparent electrode substrate patterned with indium-tin oxide (ITO), followed by 180 ° C At about 1 hour to form a hole injection layer. A light emitting layer-forming composition obtained by dissolving 0.15 g of the compound of Formula 1a prepared according to Synthesis Example 1 in 9.85 g of chlorobenzene on the hole injection layer. Was spin coated on the hole injection layer, baked for 2 hours at 90 ° C., and then completely removed in a vacuum oven to form a light emitting layer having a thickness of 500 Å. The organic electroluminescent device is fabricated by sequentially depositing TPBi, LiF and Al while forming vacuum and encapsulating the cathode by encapsulating the TPBi, LiF and Al while maintaining the vacuum degree below 4 × 10 -6 torr using a vacuum evaporator. The film thickness and growth rate of the LiF and Al deposition were controlled by using a crystal sensor.The structure of the EL device fabricated as described above was ITO / PEDOT: PSS (400 kV) / Formula 1a ( 500 Å) / TPBi (300 Å) / LiF (10 Å) / Al (2000 Å) and the emission area was 6 mm 2. The important point is that the formula 1a can be easily manufactured by spin coating method, not by evaporation. The result of the obtained device was also nearly equivalent to that of the deposition, which is shown in Table 1.

실시예Example 4: 유기  4: organic 전계Field 발광 소자의 제작 Fabrication of light emitting device

상기 실시예 3과 동일한 방식으로 소자가 제작되었으며, 다만 발광층으로 화학식 1b를 사용하였다. 도 10에 본 발명에 따른 전류밀도, 휘도, 발광효율, 구동전압 및 색좌표의 데이터를 제시하였다. 실시예 3과 동일하게 화학식 1b를 발광층으로 증착이 아닌 스핀코팅법으로 용이하게 제작할 수 있었으며 얻어진 소자의 결과 또한 증착대비 거의 동등 수준의 결과를 얻을 수 있었다. 그리고 작동전압 역시 상증착의 경우보다 2 V정도 즐어드는 우수한 결과를 보였다. 구체적인 결과는 표 1에 나타나 있다.
The device was manufactured in the same manner as in Example 3, except that Chemical Formula 1b was used as the light emitting layer. 10 shows data of current density, luminance, luminous efficiency, driving voltage, and color coordinates according to the present invention. In the same manner as in Example 3, Chemical Formula 1b could be easily manufactured by spin coating instead of deposition as a light emitting layer, and the result of the obtained device was also nearly equivalent to that of deposition. In addition, the operating voltage also showed a better result of 2 V than the phase deposition. Specific results are shown in Table 1.

비교예Comparative example 1: 유기  1: organic 전계Field 발광 소자의 제작 Fabrication of light emitting device

상기 실시예 1 에서 제작한 방법과 동일한 진공 증착 조건과 동일한 적층 구조를 사용하고, 합성예 1 에서 제조된 화학식 1a 화합물을 대신하여 비교물질인 DPVBi [4,4'-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl] 를 사용하여 유기 EL 소자를 제작하였다. 상기 유기 전계 발광 소자에서 청색 발광 재료로서 비교물질로 사용한 DPVBi 의 구조는 하기 화학식 5 와 같다.DPVBi [4,4'-bis (2,2-diphenylvinyl) as a comparative material in place of the compound of Formula 1a prepared in Synthesis Example 1 using the same lamination structure as the vacuum deposition condition as in the method prepared in Example 1 ) biphenyl] was used to fabricate an organic EL device. The structure of DPVBi used as a comparative material as a blue light emitting material in the organic EL device is represented by the following Chemical Formula 5.

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112011025149030-pat00019
Figure 112011025149030-pat00019

DPVBi             DPVBi

상기 실시예 1 과 비교예 1로부터 측정된 EL 스펙트럼을 도 8에 나타내었다. 또한 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 발광효율을 계산하였다. 유기광전소자의 계산된 발광효율을 하기 표 1에 나타내었다. 또한, 휘도, 구동전압 및 색좌표도 하기 표 1에 나타내었으며, 도 8에는 EL스펙트럼을 나타낸 것이다.The EL spectra measured from Example 1 and Comparative Example 1 are shown in FIG. 8. In addition, luminous efficiency was calculated using luminance, current density, and voltage. The calculated luminous efficiency of the organic photoelectric device is shown in Table 1 below. In addition, luminance, driving voltage and color coordinates are also shown in Table 1 below, and FIG. 8 shows the EL spectrum.

발광재료Emitting material 제막방식Production Process 전류밀도
(mA/cm2)
Current density
(mA / cm 2 )
휘도
(cd/m2)
Luminance
(cd / m 2 )
구동전압
(V)
Driving voltage
(V)
발광효율
(lm/W)
Luminous efficiency
(lm / W)
색좌표
(x, y)
Color coordinates
(x, y)
실시예 1Example 1 화학식 1aFormula 1a 증착deposition 1010 383383 6.66.6 1.821.82 0.177, 0.1810.177, 0.181 실시예 2Example 2 화학식 1b1b 증착deposition 1010 395395 7.57.5 1.651.65 0.194, 0.1840.194, 0.184 실시예 3Example 3 화학식 1aFormula 1a 스핀코팅Spin coating 1010 297297 5.45.4 1.731.73 0.178, 0.1810.178, 0.181 실시예 4Example 4 화학식 1b1b 스핀코팅Spin coating 1010 290290 5.75.7 1.601.60 0.193, 0.1820.193, 0.182 비교예 1Comparative Example 1 DPVBiDPVBi 증착deposition 1010 345345 8.68.6 1.261.26 0.151, 0.1660.151, 0.166

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 나프틸페닐 유도체는 나프틸페닐 단위를 중심구조로 하고 상기 나프틸페닐 단위의 나프틸의 2번 위치와 페닐의 3번, 5번 위치에 아로마틱가 도입된 구조를 갖는 청색 발광 화합물로서, 열적 안정성과 결정 안정성이 우수하고 정제하기 쉬우며 가용성 용매를 이용하여 박막을 형성하기가 용이하다. 또한 본 발명의 나프틸페닐 유도체는 증착 공정을 통한 소자 제조가 가능할 뿐만 아니라, 용액 공정을 통한 유기 전계 발광 소자의 제조가 가능하다. 그리고 상기 청색 발광 화합물을 이용하면 휘도, 구동전압 및 발광 효율 특성이 개선된 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.As described in detail above, the naphthylphenyl derivative of the present invention has a structure having a naphthylphenyl unit as the center structure and an aromatic is introduced at positions 2 and 3 and 5 of naphthyl of the naphthylphenyl unit. As a blue light-emitting compound having a good thermal stability and crystal stability, easy to purify, it is easy to form a thin film using a soluble solvent. In addition, the naphthylphenyl derivative of the present invention is not only capable of manufacturing a device through a deposition process, but also capable of manufacturing an organic electroluminescent device through a solution process. Using the blue light emitting compound, an organic EL device having improved luminance, driving voltage, and luminous efficiency may be manufactured.

Claims (6)

하기 화학식 1로 표시되는 나프틸페닐 유도체:
[화학식 1]
Figure 112013046380942-pat00033

상기식중, Ar1, Ar2 와 Ar3 는 서로에 관계없이 하기 화학식 2로 표시된다.
[화학식 2]
Figure 112013046380942-pat00034

상기 화학식 2의 R1 내지 R13은 서로에 관계없이 수소; 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형 알킬기; 탄소수 5 내지 20의 사이클로알킬기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 탄소수 4 내지 20의 헤테로아릴기; 또는 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 10의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 아민기 탄소수 6 내지 10의 아릴기, 탄소수 4 내지 10의 헤테로아릴기중에서 선택된 하나 이상의 치환기를 갖는 탄소수 6 내지 20의 아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택된다.
Naphthylphenyl derivative represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure 112013046380942-pat00033

In the above formula, Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 are represented by the following formula (2) irrespective of each other.
(2)
Figure 112013046380942-pat00034

R 1 to R 13 in Formula 2 may be independently selected from hydrogen; Linear or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms; A cycloalkyl group having 5 to 20 carbon atoms; Aryl groups having 6 to 20 carbon atoms; Heteroaryl groups having 4 to 20 carbon atoms; Or halogen atom, halogenated alkyl group of 1 to 10 carbon atoms, alkyl group of 1 to 10 carbon atoms, alkoxy group of 1 to 10 carbon atoms, amine group of 1 to 10 carbon atoms, aryl group of 6 to 10 carbon atoms, heteroaryl of 4 to 10 carbon atoms It is selected from the group consisting of; an aryl group having 6 to 20 carbon atoms having one or more substituents selected from the group.
삭제delete 삭제delete 한 쌍의 전극 사이에 유기막을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 있어서,
상기 유기막이 제1항에 따른 나프틸페닐 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
An organic electroluminescent device comprising an organic film between a pair of electrodes,
The organic electroluminescent device comprising the naphthylphenyl derivative according to claim 1.
제4항에 있어서, 상기 유기막이 발광층, 홀 주입층, 홀 수송층, 전자주입 및 전자 수송층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The organic electroluminescent device according to claim 4, wherein the organic film is a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection and an electron transport layer.
제5항에 있어서,
상기 유기막이 발광층이고;
상기 발광층이 나프틸페닐 유도체 0.1 내지 99.9 중량%와, 발광 물질 99.9 내지 0.1 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
The method of claim 5,
The organic film is a light emitting layer;
And the light emitting layer comprises 0.1 to 99.9% by weight of naphthylphenyl derivative and 99.9 to 0.1% by weight of a light emitting material.
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