KR101298486B1 - 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로 - Google Patents

발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR101298486B1
KR101298486B1 KR1020120058709A KR20120058709A KR101298486B1 KR 101298486 B1 KR101298486 B1 KR 101298486B1 KR 1020120058709 A KR1020120058709 A KR 1020120058709A KR 20120058709 A KR20120058709 A KR 20120058709A KR 101298486 B1 KR101298486 B1 KR 101298486B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
voltage
channel
turn
Prior art date
Application number
KR1020120058709A
Other languages
English (en)
Inventor
김용근
이상영
Original Assignee
주식회사 실리콘웍스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 실리콘웍스 filed Critical 주식회사 실리콘웍스
Priority to KR1020120058709A priority Critical patent/KR101298486B1/ko
Priority to EP13170180.7A priority patent/EP2670220A3/en
Priority to US13/907,419 priority patent/US9288862B2/en
Priority to US13/907,254 priority patent/US9237618B2/en
Priority to EP13170179.9A priority patent/EP2670219A3/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101298486B1 publication Critical patent/KR101298486B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
    • H05B45/48—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix having LEDs organised in strings and incorporating parallel shunting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
    • H05B45/46—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix having LEDs disposed in parallel lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/345—Current stabilisation; Maintaining constant current
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/355—Power factor correction [PFC]; Reactive power compensation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/395—Linear regulators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Landscapes

  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로를 개시하며, 상기 발광 다이오드 조명 장치는, 정류 전압을 출력하는 전원 장치; 하나 이상의 발광 다이오드를 포함하는 N(상기 N은 복수의 자연수) 개의 발광 다이오드 채널이 직렬로 구성되는 광원; 및 상기 각 발광 다이오드 채널 별 턴온 전압으로 상기 정류 전압의 가변 폭이 N 개의 구간으로 구분되고, 상기 정류 전압의 레벨을 따르는 검출 전압에 따라서 상기 정류 전압의 현재 레벨에 대응하는 상기 구간에 해당하는 상기 발광 다이오드 채널의 출력단과 접지 간의 정전류 경로를 형성함으로써 현재의 상기 정류 전압에 대응하여 상기 광원의 발광을 제어하는 정전류 제어 회로;를 포함함을 특징으로 한다.

Description

발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로{LED LIGHTING SYSTEM AND CONTROL CIRCUIT THEREOF}
본 발명은 교류 다이렉트 방식의 발광 다이오드 조명 장치에 관한 것으로서 보다 상세하게는 역률(POWER FACTOR) 및 온도 특성을 개선할 수 있는 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로에 관한 것이다.
에너지 절감을 위하여 발광 다이오드(LED)를 광원으로 하는 조명 기술의 개발이 지속적으로 이루어지고 있다.
특히, 고 휘도 발광 다이오드는 에너지 소비량, 수명 및 광질 등과 같은 다양한 요소에서 다른 광원들과 차별화되는 이점을 갖는다.
그러나, 발광 다이오드를 광원으로 하는 조명 장치는 발광 다이오드가 정전류에 의하여 구동되는 특성에 의하여 추가적인 회로가 많이 필요한 문제점이 있다.
상기한 문제점을 해결하고자 개발된 일예가 교류 다이렉트 방식(AC DIRECT TYPE)의 조명이다.
교류 다이렉트 방식의 발광 다이오드 조명은 상용 교류 전원에서 정류 전압을 생성하여 발광 다이오드를 구동하는 것이며 인턱터 및 캐패시터를 사용하지 않고 정류 전압을 입력 전압으로 바로 사용하기 때문에 역률(POWER FACTOR)이 양호한 특성이 있다.
상술한 교류 다이렉트 방식의 발광 다이오드 장치의 일예가 대한민국 특허등록 제10-1128680호에 개시된 바 있다.
그러나, 점차 발광 다이오드 조명이 보급됨에 따라서 발광 다이오드를 광원으로 하는 조명 장치는 낮은 소비전력과 개선된 역률을 보장하도록 요구되고 간소한 부품과 간단한 구조를 가질 것이 요구되는 실정이다.
본 발명의 목적은 개선된 역률을 가지면서 접지의 검출 전압을 이용하여 복수의 발광 다이오드 채널을 포함하는 광원의 발광을 위한 정전류 경로를 제공함으로써 간단한 구조로 상기 광원의 발광을 제어하는 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 직렬로 연결된 복수의 발광 다이오드 채널들 별로 턴온 동작이 이루어지며 채널 별 동작에 따른 전류 레귤레이션을 개선한 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 또다른 목적은 개선된 방열 효율과 조도를 갖도록 기판 상의 일정 영역에 배열되는 광원의 발광 다이오드 채널들을 정렬하는 발광 다이오드 조명 장치를 제공함에 있다.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 발광 다이오드 조명 장치는, 교류를 변환하여 정류 전압으로 제공하는 전원부; 하나 이상의 발광 다이오드를 포함하는 N(상기 N은 복수의 자연수) 개의 발광 다이오드 채널로 구성되는 광원; 및 상기 각 발광 다이오드 채널 별 턴온 전압에 따라 상기 정류 전압의 가변 폭이 N 개의 구간으로 구분되고, 상기 구간에 해당하는 상기 발광 다이오드 채널로 흐르는 전류를 검출하고, 상기 채널 별로 검출된 검출 전류에 대응하여 상기 광원의 발광을 제어하는 정전류 제어 회로;를 포함함을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 발광 다이오드 조명 장치는, 교류를 변환하여 정류 전압으로 출력하는 전원부; 하나 이상의 발광 다이오드를 포함하는 N(상기 N은 복수의 자연수) 개의 발광 다이오드 채널로 구성되는 광원; 및 상기 각 발광 다이오드 채널 별 턴온 전압에 따라 상기 정류 전압의 가변 폭이 N 개의 구간으로 구분되며, 상기 구간에 해당하는 상기 발광 다이오드 채널로 흐르는 전류를 검출하고, 채널별 검출된 상기 전류에 대응하여 상기 광원의 발광을 제어하는 정전류 제어 회로를 포함하며, 상기 발광 다이오드 채널은 기판 상의 일정 영역 내에 배열되며, 광 출력에 의한 발열량에 따라 방열 우선 순위가 결정되고, 상기 방열 우선 순위에 따라 상기 발광 다이오드 채널의 기판 상 위치가 결정됨을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로는, 하나 이상의 발광 다이오드를 포함하는 N(상기 N은 복수의 자연수) 개의 발광 다이오드 채널이 직렬로 구성되는 광원을 정류 전압으로 구동하는 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로에 있어서, 상기 정류 전압의 가변 폭을 N 개의 구간으로 정의하는 턴온 전압을 갖는 N 개의 상기 발광 다이오드 채널의 각 출력단 별로 병렬로 연결되어서 정전류 경로를 형성하는 N 개의 스위칭 회로; N 개의 상기 스위칭 회로에 독립적으로 연결되어서 검출 전압을 제공하는 N 개의 전류 검출 저항; 및 N 개의 상기 스위칭 회로 별로 해당하는 상기 발광 다이오드 채널의 상기 턴온 전압에 대응하는 레벨을 갖는 기준 전압을 생성하여서 제공하는 기준 전압 생성 회로;를 포함함으로써, N 개의 상기 스위칭 회로는 자신의 상기 기준 전압과 상기 검출 전압을 비교하여서 상기 검출 전압이 턴온 조건에 부합하면 턴온되어서 상기 정전류 경로를 형성하며, 턴온 상태에서 상기 정류 전압의 상승에 따라 상기 검출전압이 상승하여서 상기 턴온 조건을 벗어나면 턴오프되어서 상기 광원의 발광을 제어함을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로는, 하나 이상의 발광 다이오드를 포함하는 N(상기 N은 복수의 자연수) 개의 발광 다이오드 채널이 직렬로 구성되는 광원을 정류 전압으로 구동하는 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로에 있어서, 상기 정류 전압의 가변 폭을 N 개의 구간으로 정의하는 턴온 전압을 갖는 N 개의 상기 발광 다이오드 채널의 각 출력단 별로 병렬로 연결되어서 정전류 경로를 형성하는 N 개의 스위칭 회로; 상기 각 스위칭 회로에 독립적으로 연결되어서 검출 전압을 제공하는 N 개의 전류 검출 저항; 및 고정된 레벨을 갖는 기준 전압을 상기 각 스위칭 회로에 공통으로 제공하는 기준 전압 생성 회로;를 포함함으로써, 상기 각 스위칭 회로는 상기 기준 전압과 상기 검출 전압을 비교하여서 상기 검출 전압이 턴온 조건에 부합하면 턴온되어 상기 정전류 경로를 형성하며, 턴온 상태에서 상기 정류 전압의 상승에 따라 상기 검출 전압이 상승하여서 상기 턴온 조건을 벗어나면 턴오프되어서 상기 광원의 발광을 제어함을 특징으로 한다.
상기한 본 발명에 의하면, 인덕터나 캐패시터 요소의 사용을 배제하여 역률이 개선될 수 있고 각 채널 별로 입력 전압을 따라가는 검출 전압을 적용함으로써 보다 개선된 역률과 전류 레귤레이션 특성으로 고품질의 조명 장치를 확보할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 정류 전압에 따른 검출 전압이 발광 다이오드의 각 채널 별로 정의될 수 있어서 발광 다이오드 구동 회로를 이루는 부품이 간소화되고 그에 따라 간단한 구조로 회로가 구현될 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판의 영역 상에 발광 다이오드 채널들이 배치되는 방법이 개선됨에 따라서 방열 효율이 개선되고 조도가 개선되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 발광 다이오드 조명 장치의 바람직한 실시예를 나타내는 회로도.
도 2는 도 1의 구동 장치의 동작 특성을 설명하는 파형도.
도 3의 (a)는 광원의 발광 다이오드 채널의 발광 다이오드를 등간격으로 배치하는 방법을 나타내는 배치도,
도 3의 (b)는 광원의 발광 다이오드 채널의 발광 다이오드를 다른 간격으로 배치하는 방법을 나타내는 배치도.
도 4는 광원의 발광 다이오드 채널들이 기판의 소정 영역에 배치되는 일예를 예시한 배치도.
도 5는 도 4의 기판을 세 개의 영역으로 구분한 예시도.
도 6(a)는 도 4의 배치 상태에서 LED1이 발광한 상태의 배치도.
도 6(b)는 도 4의 배치 상태에서 LED1 및 LED2가 발광한 상태의 배치도.
도 6(c)는 도 4의 배치 상태에서 LED1 내지 LED3이 발광한 상태의 배치도.
도 7(a)는 광원의 발광 다이오드 채널들이 도 4와 다른 배치 상태를 갖는 일예를 도시하며 LED1이 발광한 상태의 배치도.
도 7(b)는 도 7(a)의 배치 상태에서 LED1 및 LED2가 발광한 상태의 배치도.
도 7(c)는 도 7(a)의 배치 상태에서 LED1 내지 LED3이 발광한 상태의 배치도.
도 8는 본 발명에 따른 발광 다이오드 조명 장치의 다른 실시예를 나타내는 회로도.
도 9는 본 발명에 따른 발광 다이오드 조명 장치의 또다른 실시예를 나타내는 회로도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.
본 발명에 따른 발광 다이오드 조명 장치는 교류 다이렉트 방식으로 구현되며, 정류 전압에 따른 검출 전류의 변화를 검출 전압으로 검출하여서 현재 정류 전압 상태에 따른 발광을 제어할 수 있도록 직렬로 연결된 다수 개(N 개, 여기에서 N은 복수의 자연수)의 발광 다이오드 채널 별 정전류 경로를 제어하는 구성을 개시한다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 실시예는 세 개의 발광 다이오드 채널(LED1 내지 LED3)을 포함한 것을 예시하며, 전원부와 광원(12) 및 정전류 제어 회로(14)를 포함한다.
전원부는 교류 전압을 변환하여서 정류 전압을 출력하며, 교류 전압을 공급하는 교류 전원(VAC)과 교류 전압을 정류하여 정류 전압을 출력하는 정류 회로(10)를 포함한다. 여기에서 교류 전원(VAC)는 상용 교류 전원일 수 있다.
정류 회로(10)는 교류 전원(VAC)의 사인 파형을 갖는 교류 전압을 전파 정류한 파형을 갖도록 정류 전압을 출력한다. 따라서, 정류 전압은 상용 교류 전압의 반 주기 단위로 전압 레벨이 승하강하는 리플 성분을 갖는 특성이 있다.
광원(12)은 직렬 연결된 세 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)을 포함하며, 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)은 각각 하나 이상의 직렬 연결된 발광 다이오드를 포함한다.
그리고, 정전류 제어 회로(14)는 정류 전압에 따른 검출 전류 변화를 검출 전압으로 검출하여서 현재 정류 전압 상태에 따른 광원(12)의 발광을 제어하는 기능을 갖는다.
광원(12)의 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)은 정전류 제어 회로(14)의 제어에 의하여 발광한다.
보다 구체적으로, 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)은 정류 전압이 상승하는 경우 정류 전압이 인가되는 쪽부터 먼 곳으로 순차적으로 턴온되어서 발광하는 채널의 수가 증가하며, 정류 전압이 하강하는 경우 정류 전압이 인가되는 쪽에서 먼 곳부터 정류 전압이 인가되는 쪽으로 순차적으로 턴오프되어서 발광하는 채널의 수가 감소한다. 이때 정전류 제어 회로(14)는 발광이 이루어질 수 있도록 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3) 중 현재 정류 전압 상태에 대응하는 위치에 정전류 경로를 형성한다.
광원(12)의 발광은 상술한 바와 같이 정전류 제어 회로(14)에 의하여 제어될 수 있으며, 정전류 제어 회로(14)는 기준 전압 생성 회로(20), 전류 검출 저항(Rg) 및 3 개의 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)를 포함한다.
여기에서, 기준 전압 생성 회로(20)는 정전압 Vref가 인가되는 직렬 연결된 다수의 저항 R1, R2 ... R4를 포함한다.
저항 R1은 접지에 연결되고 저항 R4에는 정전압 Vref가 인가되며, 이 중 저항 R4는 출력을 조정하기 위한 부하 저항으로 작용한다. 저항 R1, R2, R3은 서로 다른 레벨의 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)을 출력하기 위한 것이다. 기준 전압들(VREF1, VREF2, VREF3) 중에서 기준 전압 VREF1이 가장 낮은 전압 레벨을 가지며 기준 전압 VREF3이 가장 높은 전압 레벨을 갖는다.
즉, 각 저항 R1, R2, R3은 도 2와 같이 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)로 인가되는 정류 전압의 상승치에 대응하여 점점 높은 레벨을 가지는 3 개의 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)을 출력하도록 설정되는 것이 바람직하다.
보다 구체적으로 3 개의 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)은 3 개의 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3) 별로 연결되는 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)의 각 출력단의 턴온 전압들에 각각 대응하는 레벨을 갖도록 생성될 수 있다.
여기에서, 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3) 별 턴온 전압은 각 채널별 턴온에 필요한 전압으로 정의될 수 있다.
발광 다이오드 채널(LED1)의 턴온에 필요한 전압이 발광 다이오드 채널(LED1)의 턴온 전압이며, 발광 다이오드 채널(LED1)의 턴온 전압은 발광 다이오드 채널(LED1)에 포함된 발광다이오드들을 턴온할 수 있는 레벨로 정의될 수 있다. 발광 다이오드 채널(LED1. LED2)의 턴온에 필요한 전압이 발광 다이오드 채널(LED2)의 턴온 전압이며, 발광 다이오드 채널(LED2)의 턴온 전압은 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)에 포함된 발광다이오드들을 턴온할 수 있는 레벨로 정의될 수 있다. 그리고, 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1. LED2, LED3)의 턴온에 필요한 전압이 발광 다이오드 채널(LED3)의 턴온 전압이며, 발광 다이오드 채널(LED3)의 턴온 전압은 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)에 포함된 발광다이오드들을 턴온할 수 있는 레벨로 정의될 수 있다.
여기에서, 정류 전압은 상기한 턴온 전압을 기준으로 가변 폭이 3 개의 구간으로 구분될 수 있으며, 기준 전압은 각 구간 별 턴온 전압에 대응하는 레벨을 갖도록 설정될 수 있고, 정류 전압이 상승 또는 하강하여 상기한 특정 구간으로 진입하면 해당 구간에 대응하는 발광 다이오드 채널들이 해당 스위칭 회로의 동작에 의하여 턴온될 수 있다.
도 2는 세 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)을 구동하는 경우를 예시한 파형도이며 정류 전압과 기준 전압의 상관 관계와 턴온 전압에 따른 채널 구분을 설명하기 위한 것이다.
도 2에서 정류 전압은 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)이 턴온되는 시점의 전압 값 즉 턴온 전압들을 기준으로 구간(CH1, CH2, CH3)이 구분되며, 구간(CH1, CH2, CH3) 별로 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)이 턴온 전압에 대응하는 레벨을 갖도록 설정됨을 볼 수 있다.
도 1 및 도 2의 실시예는 3 개의 발광 다이오드 채널을 예시하여 본 발명에 따른 구성 및 동작을 설명하기 위한 것이나, 제작자의 의도에 따라 발광 다이오드 채널의 수를 N 개로 증가시켜서 구성할 수 있고 그에 따라 도 2의 채널들이 세분화될 수 있으며, 결과적으로 도 2에 도시되는 기준 전압의 레벨이 실질적으로 정류 전압의 변화를 따라가도록 설계될 수 있다.
한편, 3 개의 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)는 각 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)의 출력단 별로 병렬로 연결되고, 각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)는 접지 사이에 공통으로 연결되어서 검출 전압을 제공하는 전류 검출 저항(Rg)에 공통으로 연결된다.
그리고, 3 개의 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)는 광원(12)을 턴온하기 위한 하나의 정전류 경로를 제공한다.
3 개의 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)는 자신의 기준 전압과 전류 검출 저항(Rg)의 검출 전압을 비교하여서 검출 전압이 턴온 조건에 부합하면 턴온되어서 상기 정전류 경로를 형성하고 검출 전압이 턴온 조건 이상 상승하면 턴오프된다.
3 개의 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)은 정류 전압이 인가되는 위치로부터 먼 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)에 연결된 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)일수록 증가한 레벨로 제공된다. 다시 설명하면, 광원에 포함되는 발광 다이오드 채널 개수가 N개일 때, N-1 번째 발광 다이오드 채널에 대응하는 스위칭 회로에 인가되는 기준전압의 레벨보다 N 번째 발광 다이오드 채널에 대응하는 스위칭 회로에 인가되는 기준전압의 레벨이 높다.
각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)는 자신에게 해당하는 기준 전압과 전류 검출 저항(Rg)에 인가된 검출 전압을 비교하는 비교기(50)와 비교기(50)의 출력에 의하여 자신에 연결된 발광 다이오드 채널의 출력단과 전류 검출 저항(Rg) 간의 전류 경로를 온오프하는 스위칭 소자를 각각 포함한다. 여기에서 스위칭 소자는 NMOS 트랜지스터(52)로 구성됨이 바람직하다.
각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)의 비교기(50)의 네가티브 단자(-)는 검출 전압이 인가되도록 전류 검출 저항(Rg)에 공통으로 연결된다.
각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)의 비교기(50)의 포지티브 단자(+)는 기준 전압 발생 회로(14)에서 제공되는 자신에 해당하는 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)을 인가받는다.
각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)의 NMOS 트랜지스터(52)는 소스가 해당 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)의 출력단(채널 CH1, CH2, CH3)에 각각 연결되며 게이트에는 비교기(50)의 출력이 인가되고 드레인은 비교기(50)의 네가티브 단자(-) 및 전류 검출 저항(Rg)에 연결된다.
상기한 구성에 의하여 각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)는 자신에 해당하는 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)과 전류 검출 저항(Rg)의 검출 전류에 따라 검출되는 검출 전압을 비교하고 비교 결과가 턴온 조건에 부합하면 턴온된다.
즉, 각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)의 비교기(50)는 자신에 해당하는 기준전압과 전류 검출 저항(Rg)의 검출 전압을 비교하여 턴온 조건에 부합하면 NMOS 트랜지스터(52)가 턴온 가능한 레벨의 신호를 출력하고, NMOS 트랜지스터(52)는 비교기(50)의 출력에 따라 턴온될 수 있다.
전류 검출 저항(Rg)은 턴온된 스위칭 회로로부터 유입되는 정전류를 제공받으며, 전류 검출 저항(Rg)의 검출 전압은 정류 전압이 상승하면 그에 따른 정전류 유입량 증가에 따라서 레벨이 상승하고 정류 전압이 하강하면 그에 따른 정전류 유입량 감소에 따라서 레벨이 하강한다.
도 1과 같이 구성되는 본 발명에 따른 실시예의 구체적인 동작을 설명한다.
정류 전압은 도 2와 같이 교류 전압(VAC)을 전파 정류한 형상과 같이 교류 전압(VAC)의 반주기 단위로 레벨의 상승 및 하강이 반복되는 리플 성분을 갖는다.
기준 전압 생성 회로(20)는 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)의 출력단의 턴온 전압에 대응하는 레벨의 3 개의 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)을 출력하며, 정류 전압이 인가되는 위치에서 멀수록 높은 기준 전압을 제공한다.
각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)는 자신에게 인가되는 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)과 전류 검출 저항(Rg)의 검출 전압의 레벨을 비교하여 정전류 경로를 제공한다.
정류 전압이 발광 다이오드 채널(LED1)을 발광하기 위한 턴온 전압에 도달하지 못하면 광원(12)은 발광하지 않고 정전류 경로도 형성되지 않는다.
정류 전압이 상승하여 발광 다이오드 채널(LED1)을 발광할 수 있는 턴온 전압에 도달하면 이때 턴온 전압은 스위칭 회로(30_1)의 NMOS 트랜지스터(52)의 소스에 인가된다.
초기 상태에 전류 검출 저항(Rg)은 접지 전압에 의한 검출 전압을 스위칭 회로(30_1)의 네가티브 단자(-)에 제공하며, 비교기(50)는 기준 전압 VREF1과 전류 검출 저항(Rg)에 인가된 검출 전압에 의하여 NMOS 트랜지스터(52)를 턴온시킨다.
따라서, 스위칭 회로(30_1)는 발광 다이오드 채널(LED1)을 턴온시키는 턴온 전압에 도달한 정류 전압을 전류 검출 저항(Rg)에 인가한다. 즉, 스위칭 회로(30_1)는 정류 전압이 발광 다이오드 채널(LED1)의 턴온 전압에 도달함에 대응하여 정전류 경로를 제공한다.
상기와 같이 스위칭 회로(30_1)에 의하여 정전류 경로가 제공되면 발광 다이오드 채널(LED1)이 발광한다.
발광 다이오드 채널(LED1)이 발광된 후 정류 전압이 상승하면, 스위칭 회로(30_1)를 경유하여 전류 검출 저항(Rg)에 공급되는 정전류 유입량이 증가하여 검출 전류가 상승한다. 결과적으로 전류 검출 저항(Rg)의 검출 전압이 상승한다. 즉, 정류 전압의 상승에 따라 공통 접지 전압(Rg)의 검출 전압도 상승한다.
전류 검출 저항(Rg)의 검출 전압은 각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)에 공통으로 적용된다. 즉, 각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)의 비교기(50)의 네가티브 단자(-)에 인가되는 검출 전압이 상승한다. 그러나, 현재 정류 전압의 레벨이 발광 다이오드 채널(LED1)만 턴온할 수 있는 수준이므로 발광 다이오드 채널(LED2, LED3)의 출력단에 연결된 스위칭 회로(30_2, 30_3)의 동작 상태는 광원(12)의 발광 상태에 영향을 미치지 않는다.
상기와 같이 스위칭 회로(30_1)가 턴온된 상태에서 정류 전압이 상승하면 정전류 유입량 증가에 의하여 전류 검출 저항(Rg)에 형성되는 검출 전압도 상승한다.
정류 전압이 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)를 턴온하는 턴온 전압에 도달하기 전까지 전류 검출 저항(Rg)에 인가되는 검출 전압은 NMOS 트랜지스터(52)의 턴온 상태를 유지하는 수준을 벗어나지 않는다.
그 후 정류 전압이 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)을 턴온시키는 발광 다이오드 채널(LED2)의 턴온 전압에 도달하고, 턴온 전압은 스위칭 회로(30_2)의 NMOS 트랜지스터(52)의 소스에 인가된다.
턴온된 스위칭 회로(30_2)는 정류 전압에 대한 정전류 경로를 제공하며, 스위칭 회로(30_2)의 정전류 경로 제공에 따라서 정전류가 전류 검출 저항(Rg)으로 공급됨에 따라서 검출 전류가 증가하여서 검출 전압이 상승하고, 스위칭 회로(30_1)는 자신의 기준 전압(VREF1) 이상으로 상승한 전류 검출 저항(Rg)의 검출 전압에 의하여 턴오프된다.
이와 같이 정전류 경로는 정류 전압의 상승에 대응하여 스위칭 회로(30_1)에서 스위칭 회로(30_2)로 변경되며, 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)이 스위칭 회로(30_2)로 변경된 정전류 경로에 의하여 발광한다.
발광 다이오드 채널(LED1, LED2)이 발광한 후 정류 전압이 상승하면 스위칭 회로(30_2)를 경유하여 전류 검출 저항(Rg)에 공급되는 정전류 유입량이 증가하고, 결과적으로 전류 검출 저항(Rg)의 검출 전압도 상승한다.
상술한 바와 같이 정류 전압의 상승에 따라서 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)에 의하여 제공되는 정전류 경로의 위치가 순차적으로 변경되고, 발광하는 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)의 수가 순차적으로 증가한다.
상술한 바와 같이 정류 전압이 상승하면, 그에 따라서 정전류 경로가 정류 전압이 인가되는 위치로부터 먼 쪽으로 시프트된다.
발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)이 모두 턴온된 후 정류 전압은 하강한다.
정류 전압이 하강을 시작하여서 발광 다이오드 채널(LED3)의 턴온 전압 이하로 떨어지면 발광 다이오드 채널(LED3)은 소광되고 정전류 경로는 스위칭 회로(30_2)에 의하여 형성된다.
이때 전류 검출 저항(Rg)에 형성되는 검출 전압은 현재 발광한 발광 다이오드 채널(LED1, LED2) 중 정류 전압이 인가되는 위치로부터 가장 먼 최종단의 발광 다이오드 채널(LED2)과 스위칭 회로(30_2)를 통하여 공급되는 정전류에 의한 것으로 하강한다.
정류 전압의 하강에 따라서 발광 다이오드 채널(LED3, LED2, LED1)은 순차적으로 턴오프되어서 소광되고, 전류 검출 저항(Rg)에 인가되는 검출 전압은 발광된 발광 다이오드 채널 중 정류 전압이 인가되는 위치로부터 가장 먼 발광다이오드 채널과 스위칭 회로를 통하여 공급되는 전류에 의한 것으로 하강한다.
정류 전압의 하강에 따라서 정전류 경로는 정류 전압이 인가되는 위치에서 먼 쪽에서부터 가까운 쪽으로 순차적으로 시프트되고, 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)은 정류 전압이 인가되는 위치로부터 가까운 쪽으로 순차적으로 하나씩 추가적으로 소광된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 실시예는 하나의 전류 검출 저항(Rg)에 흐르는 정전류에 의한 검출 전압과 정류 전압의 상승 및 하강에 연동하여서 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)이 정류 전압이 인가되는 위치로부터 먼 쪽으로 하나씩 추가적으로 턴온되거나 반대 방향으로 하나씩 추가적으로 턴오프될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 실시예는 인덕터나 캐패시터 요소를 사용하지 않을 뿐만 아니라 각 채널 별로 정류 전압을 따라가는 검출 전압을 적용함으로써 최적의 역률이 보장되고 충분한 전류 레귤레이션 특성을 확보될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 한 개의 전류 검출 저항을 이용하여 발광 다이오드 채널 별로 정전류 경로를 형성함으로써 발광 다이오드 구동 회로를 이루는 부품이 간소화되고 그에 따라 간단한 구조로 회로가 구현될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 기판 상의 일정 영역에 배열되는 광원(12)에 포함된 발광 다이오드 채널들의 정렬 상태를 개선함으로써 방열 효율과 조도를 개선할 수 있다.
본 발명에 따른 실시예는 도 3에 도시된 바와 같이 각 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)에는 다수개의 발광다이오드가 배치되며, 도 3의 (a)와 같이 광원(12)에 포함되는 3 개의 발광 다이오드 채널의 발광 다이오드들을 균일한 간격(D)으로 배치할 수 있다.
이와 달리 본 발명에 따른 실시예는 도 3의 (b)와 같이 광원(12)에 포함되는 3 개의 발광 다이오드 채널 별로 발광 다이오드들을 서로 다른 간격(D1 > D2 > D3)으로 배치할 수 있다.
그리고, 도 3의 (a) 및 (b)와 같이 배치되는 3 개의 발광 다이오드 채널은 도 4와 같이 평면 기판(100) 상의 일정 영역 내에 나선형으로 배열될 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)에는 다수개의 발광다이오드가 배치된다.
도 1 및 도 2의 설명에서 알 수 있듯이, 전원 장치에 첫째로 연결된 발광 다이오드 채널(LED1)이 가장 많은 시간 동안 발광 상태를 유지하므로 가장 많이 발열한다. 그리고, 순차적으로 발광 상태를 유지하는 시간과 발열량이 줄어들어서 가장 마지막에 연결된 발광 다이오드 채널(LED3)이 가장 짧은 시간 발광 상태를 유지하고 가장 적게 발열한다.
상기한 설명에서 가장 많은 시간 동안 발광하는 발광 다이오드 채널(LED1)이 방열을 가장 필요로 하므로 방열 우선 순위가 높으며, 가장 짧은 시간 발광 상태를 유지하는 발광 다이오드 채널(LED3)이 가장 적은 양의 발열을 수행하므로 방열 우선 순위가 낮다.
그러므로, 본 발명에 따른 실시예는 도 4과 같이 나선형으로 평면 기판(100) 상에 N 개의 발광 다이오드 채널을 배치하는 경우 전원 장치에 첫째로 연결되어서 가장 많이 발열하는 방열 우선 순위가 높은 발광 다이오드 채널(LED1)은 외측에 배치하고 그에 순차적으로 연결된 발광 다이오드 채널들은 점차 내측으로 배치할 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 실시예와 같이 광원(12)이 세 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)을 포함한 경우, 도 4 및 도 6의 (a) 내지 (c)와 같이 전원 장치에 첫째로 연결된 발광 다이오드 채널(LED1)은 도 5의 최외곽(A1)에 배치하고 이후 연결된 순서대로 발광 다이오드 채널들(LED2, LED3)이 점차 내측의 사이 영역(A3) 및 중심(A2)에 배치될 수 있다.
그에 따라서, 광원(12)에 포함된 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)은 정류 전압의 상승에 따라서 도 6의 (a) 내지 (c)의 순서로 발광이 이루어질 수 있다.
도 4 및 도 6의 (a) 내지 (c)와 같이 구성되는 실시예는 발광 시간이 길어서 발열량이 많은 발광 다이오드 채널은 외측에 배치되므로 발열 공간이 확보될 수 있다. 그러므로 조명 장치의 방열 효율이 개선될 수 있다.
보다 효과적인 방열을 위해서 도 4 및 도 6의 (a) 내지 (c)의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)은 도 3의 (b)와 같이 내측에 위치한 발광 다이오드 채널에 포함된 발광 다이오드들의 이격 간격보다 외측에 위치한 발광 다이오드 채널에 포함된 발광 다이오드들의 이격 간격이 점차 넓도록 배치될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 도 7의 (a) 내지 (c)와 같이 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)을 배치할 수 있다.
도 7의 (a) 내지 (c)는 전원 장치에 첫째로 연결된 발광 다이오드 채널(LED1)은 도 5의 최외곽(A1)에 배치하고 둘째로 연결된 발광 다이오드 채널(LED2)은 도 5의 중심(A2)에 배치하며 마지막으로 연결된 발광 다이오드 채널(LED3)은 도 5의 사이 영역(A3)에 배치한 것을 예시한다.
그에 따라서, 도 7의 실시예는 정류 전압의 상승에 따라서 최외곽(A1)의 발광 다이오드 채널(LED1)이 발광하고 다음으로 중심(A2)의 발광 다이오드 채널(LED2)이 발광하고 마지막으로 사이 영역(A3)의 발광 다이오드 채널(LED3)이 발광한다.
도 7의 실시예는 발광 시간이 짧은 것을 사이 영역(A3)에 배치함에 따라 발광 다이오드 채널(LED3)가 소등된 동안 가장 발열량이 많은 발광 다이오드 채널(LED1)과 다음으로 발열량이 많은 발광 다이오드 패널(LED2) 간의 방열 공간이 확보될 수 있다.
그리고, 도 7의 실시예는 발광이 최외곽(A1), 중심(A2) 및 사이 영역(A3)로 진행됨에 따라서 발광 상태를 분산할 수 있어서 조명 장치의 전면 조도를 개선하는 효과가 있다.
도 7의 실시예를 구성함에 있어서 발광 다이오드 채널(LED1)과 발광 다이오드 채널(LED3)을 평면적으로 연결하는데 어려움이 있을 경우 점퍼와 같은 연결 부재를 이용하여 각 채널 간 전기적 연결이 이루어질 수 있으며, 이 경우 각 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)은 평면적으로 배선이 채널 별로 끊어진 패턴을 가질 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 실시예는 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)을 구동하기 위하여 도 8과 같이 독립된 전류 검출 저항을 채용한 구성으로 실시될 수 있다.
도 8의 실시예는 도 1의 실시예와 비교하여 전류 검출 저항(Rg)이 구성되는 대신 각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)에 독립적으로 연결된 전류 검출 저항(Rg1, Rg2, Rg3)이 구성되는 것이 다르며 나머지 구성 요소는 동일하므로 이에 대한 중복된 구성 설명과 동작 설명은 생략한다.
도 8의 구성에서, 3 개의 전류 검출 저항(Rg1, Rg2, Rg3)은 각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3) 별 턴온 조건을 만족하도록 균일한 저항값을 가짐이 바람직하다.
3 개의 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)에 인가되는 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)은 정류 전압이 인가되는 위치에서 멀수록 높은 전압을 갖도록 제공된다. 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3) 별 턴온 전압은 정류 전압이 인가되는 위치에서 멀수록 높아진다. 그러므로, 균일한 저항값을 갖는 도 8의 3 개의 전류 검출 저항(Rg1, Rg2, Rg3)은 정류 전압이 인가되는 위치에서 멀수록 높은 정류 전압이 인가되어서 자신이 연결된 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)의 기준 전압과 턴온 조건에 부합하는 레벨의 검출 전압을 제공할 수 있다.
도 8의 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)의 발광 동작을 설명한다.
3 개의 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)는 자신에게 인가되는 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)과 자신에 연결된 전류 검출 저항(Rg1, Rg2, Rg3)의 검출 전압의 레벨을 비교하여 정전류 경로를 제공한다.
초기 상태의 3 개의 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)는 접지 전압으로 전류 검출 저항(Rg1, Rg2 ... Rg3)에 형성된 검출 전압과 자신에 인가되는 기준 전압(VREF1, VREF2, VREF3)의 차에 의하여 턴온 상태를 유지한다.
그러나, 초기 상태의 정류 전압은 발광 다이오드 채널(LED1)을 발광시키기 위한 턴온 전압에 못미치기 때문에 광원(12)을 발광시키지 못하고 그에 따라서 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)에 의한 정전류 경로도 형성되지 않는다.
정류 전압이 상승하여 발광 다이오드 채널(LED1)을 발광할 수 있는 턴온 전압에 도달하면 이때 정류 전압은 스위칭 회로(30_1)에 의하여 형성되는 정전류 경로를 통하여 전류 검출 저항(Rg1)에 인가된다.
즉, 스위칭 회로(30_1)는 정류 전압이 발광 다이오드 채널(LED1)의 턴온 전압에 도달함에 대응하여 정전류 경로를 제공하고, 스위칭 회로(30_1)에 의하여 정전류 경로가 제공되면 발광 다이오드 채널(LED1)이 발광한다.
발광 다이오드 채널(LED1)이 발광된 후 정류 전압이 상승하면 스위칭 회로(30_1)를 경유하여 전류 검출 저항(Rg1)에 공급되는 정전류 유입량이 증가하고, 결과적으로 전류 검출 저항(Rg)에 인가되는 전압이 상승함으로써 검출 전압의 레벨이 상승한다. 즉, 정류 전압의 상승에 따라 접지 전압(Rg1)의 검출 전압도 상승한다.
정류 전압이 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)을 턴온하는 턴온 전압에 도달하기 전까지 전류 검출 저항(Rg)에 인가되는 검출 전압은 NMOS 트랜지스터(52)의 턴온 상태를 유지하는 수준을 벗어나지 않는다.
그 후 정류 전압이 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)을 턴온시키는 턴온 전압에 도달하면, 턴온된 스위칭 회로(30_2)가 정전류 경로를 제공한다.
이때, 스위칭 회로(30_1)의 비교기(50)의 네가티브 단자(-)에 인가되는 검출 전압이 전류 검출 저항(Rg1)에 인가되는 정류 전압의 상승에 의하여 기준 전압(VREF1) 보다 높아진 상태이다. 그러므로 스위칭 회로(30_1)는 턴오프되어서 정전류 경로를 제공하지 않고, 스위칭 회로(30_2)에 의해서만 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)를 발광하기 위한 정전류 경로가 제공된다.
이와 같이 정전류 경로는 정류 전압의 상승에 대응하여 스위칭 회로(30_1)에서 스위칭 회로(30_2)로 변경되며, 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)이 스위칭 회로(30_2)로 변경된 정전류 경로에 의하여 발광한다.
정류 전압이 상승하면, 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)은 정류 전압이 인가되는 위치로부터 먼 쪽으로 순차적으로 하나씩 추가로 턴온되고, 정전류 경로는 정류 전압이 인가되는 위치로부터 먼 쪽으로 순차적으로 이동된다.
발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)이 모두 턴온된 후 정류 전압은 하강한다.
정류 전압이 하강을 시작하여서 발광 다이오드 채널(LED3)을 턴온하는 턴온 전압 이하로 떨어지면 발광 다이오드 채널(LED3)은 턴오프되고 정전류 경로는 스위칭 회로(30_2)에 의하여 형성된다.
정류 전압의 하강에 따라서 발광 다이오드 채널(LED3, LED2, LED1)은 순차적으로 턴오프하고, 정전류 경로는 정류 전압이 인가되는 위치에서 먼 쪽에서부터 가까운 쪽으로 순차적으로 시프트된다.
또한편, 본 발명에 따른 실시예는 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)을 구동하기 위하여 도 9와 같이 균일한 기준 전압과 독립된 전류 검출 저항을 채용한 구성으로 실시될 수 있다.
도 9의 실시예는 도 8의 실시예와 비교하여 기준 전압 생성 회로(20)의 구성에 차이점이 있고 나머지 구성 요소는 동일하므로 이에 대한 중복된 구성 설명과 동작 설명은 생략한다.
도 9의 구성에서, 기준 전압 생성 회로(20)는 고정된 기준 전압(Vrefc)을 각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)에 제공하며, 정전압(Vref)을 저항(Rr1, Rr2)에 의하여 분압하여 기준 전압(Vrefc)을 출력하는 구성을 갖는다.
이에 대응하여 3 개의 전류 검출 저항(Rg1, Rg2, Rg3)은 각 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3) 별 턴온 조건을 만족하도록 정류 전압이 인가되는 위치에서 멀수록 낮은 저항값을 가짐이 바람직하다.
각 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3) 별 턴온 전압은 정류 전압이 인가되는 위치에서 멀수록 높아진다.
그러므로, 정류 전압이 인가되는 위치에서 멀수록 낮은 저항값을 갖는 각 전류 검출 저항(Rg1, Rg2, Rg3)은 정류 전압이 인가되는 위치에서 멀수록 높은 턴온 전압이 적용되어서 고정된 기준 전압(Vrefc)과 대응되는 검출 전압을 제공할 수 있다.
도 9의 3 개의 발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)의 발광 동작을 설명한다.
3 개의 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)는 기준 전압(Vrefc)과 자신에 연결된 전류 검출 저항(Rg1, Rg2, Rg3)의 검출 전압의 레벨을 비교하여 정전류 경로를 제공한다.
초기 상태의 3 개의 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)은 접지 전압으로 전류 검출 저항(Rg1, Rg2, Rg3)에 형성된 검출 전압과 기준 전압(Vrefc)의 차에 의하여 턴온 상태를 유지한다.
초기 상태의 정류 전압은 발광 다이오드 채널(LED1)을 발광시키기 위한 턴온 전압에 못미치기 때문에 광원(12)을 발광시키지 못하고 그에 따라서 스위칭 회로(30_1, 30_2, 30_3)에 의한 정전류 경로도 형성되지 않는다.
정류 전압이 상승하여 발광 다이오드 채널(LED1)을 발광할 수 있는 턴온 전압에 도달하면, 이때 정류 전압이 스위칭 회로(30_1)에 의하여 형성되는 정전류 경로를 통하여 전류 검출 저항(Rg1)에 인가된다.
즉, 스위칭 회로(30_1)는 정류 전압이 발광 다이오드 채널(LED1)의 턴온 전압에 도달함에 대응하여 정전류 경로를 제공하고, 스위칭 회로(30_1)에 의하여 정전류 경로가 제공되면 발광 다이오드 채널(LED1)이 발광한다.
스위칭 회로(30_1)를 통하여 정류 전압이 전류 검출 저항(Rg1)에 인가되면 전류 검출 저항(Rg1)의 검출 전압은 턴온 전압 레벨로 상승한 후 정류 전압의 변동을 따른다.
발광 다이오드 채널(LED1)이 발광된 후 정류 전압이 상승하면 스위칭 회로(30_1)를 경유하여 전류 검출 저항(Rg1)에 공급되는 정전류 유입량이 증가하고, 결과적으로 전류 검출 저항(Rg)에 인가되는 전압이 상승함으로써 검출 전압의 레벨이 상승한다. 즉, 정류 전압의 상승에 따라 전류 검출 전압(Rg1)의 검출 전압도 상승한다.
정류 전압이 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)를 턴온하는 전압에 도달하기 전까지 전류 검출 저항(Rg)에 인가되는 검출 전압은 NMOS 트랜지스터(52)의 턴온 상태를 유지하는 수준을 벗어나지 않는다.
그 후 정류 전압이 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)을 턴온하는 발광 다이오드 채널(LED2)의 턴온 전압에 도달하면, 턴온된 스위칭 회로(30_2)가 정전류 경로를 제공한다.
이때, 스위칭 회로(30_1)의 비교기(50)의 네가티브 단자(-)에 인가되는 검출 전압은 정류 전압의 상승에 의하여 기준 전압(Vrefc)보다 높아진 상태이므로 스위칭 회로(30_1)는 턴오프되어서 정전류 경로를 제공하지 않는다. 그러므로, 스위칭 회로(30_2)에 의해서만 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)를 발광하기 위한 정전류 경로가 제공된다.
이와 같이 정전류 경로는 정류 전압의 상승에 대응하여 스위칭 회로(30_1)에서 스위칭 회로(30_2)로 변경되며, 발광 다이오드 채널(LED1, LED2)이 스위칭 회로(30_2)로 변경된 정전류 경로에 의하여 발광한다.
그 후 점차 정류 전압이 상승하면, 정전류 경로는 정류 전압이 인가되는 위치로부터 먼 쪽으로 순차적으로 이동된다. 그에 따라서 발광 다이오드 채널(LED1, LED, LED3)은 정류 전압이 인가되는 위치로부터 먼 쪽으로 순차적으로 하나씩 추가로 발광한다.
발광 다이오드 채널(LED1, LED2, LED3)이 모두 턴온된 후 정류 전압은 하강한다.
정류 전압이 하강을 시작하여서 발광 다이오드 채널(LED3)을 턴온하는 턴온 전압 이하로 떨어지면 발광 다이오드 채널(LED3)은 턴오프되고 정전류 경로는 스위칭 회로(30_2)에 의하여 형성된다.
정류 전압의 하강에 따라서 발광 다이오드 채널(LED3, LED2, LED1)은 순차적으로 턴오프하고, 정전류 경로는 정류 전압이 인가되는 위치에서 먼 쪽에서부터 가까운 쪽으로 순차적으로 시프트된다.
상술한 도 8 및 도 9의 실시예도 인덕터나 캐패시터 요소를 사용하지 않을 뿐만 아니라 각 채널 별로 입력 전압을 따라가는 검출 전압을 적용함으로써 최적의 역률이 보장되고 충분한 전류 레귤레이션 특성을 확보될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실시예는 발광 다이오드 채널 별로 전류 경로를 형성함으로써 발광 다이오드 구동 회로를 이루는 부품이 간소화되고 그에 따라 간단한 구조로 회로가 구현될 수 있다.
10 : 정류 회로 12 : 광원
14 : 정전류 제어 회로 20 : 기준 전압 발생 회로
30_1, 30_2, 303 : 스위칭 회로 50 : 비교기
52 : NMOS 트랜지스터 100 : 기판
Rg, Rg1 - Rg3 : 전류 검출 저항

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 교류를 변환하여 정류 전압으로 출력하는 전원부;
    하나 이상의 발광 다이오드를 포함하는 N(상기 N은 복수의 자연수) 개의 발광 다이오드 채널로 구성되는 광원; 및
    상기 각 발광 다이오드 채널 별 턴온 전압에 따라 상기 정류 전압의 가변 폭이 N 개의 구간으로 구분되며, 상기 구간에 해당하는 상기 발광 다이오드 채널로 흐르는 전류를 검출하고, 채널별 검출된 상기 전류에 대응하여 상기 광원의 발광을 제어하는 정전류 제어 회로를 포함하며,
    상기 발광 다이오드 채널은 기판 상의 일정 영역 내에 배열되며, 광 출력에 의한 발열량에 따라 방열 우선 순위가 결정되고, 상기 방열 우선 순위에 따라 상기 발광 다이오드 채널의 기판 상 위치가 결정됨을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 방열 우선 순위가 높은 상기 발광 다이오드 채널은 외측에 배치되고 상기 방열 우선 순위가 낮은 상기 발광 다이오드 채널은 내측에 배치되는 발광 다이오드 조명 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 광원은 직렬로 연결된 제1 내지 제3 발광 다이오드 채널을 포함하며, 상기 제2 발광 다이오드 채널은 상기 제1 발광 다이오드 채널과 상기 제3 발광 다이오드 채널 사이에 배치되는 발광 다이오드 조명 장치.
  13. 제10 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 채널들은 상기 영역 내에 나선형으로 배열되는 발광 다이오드 조명 장치.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 채널들은 내측에 위치한 상기 발광 다이오드 채널에 포함된 상기 발광 다이오드들의 이격 간격보다 외측에 위치한 상기 발광 다이오드 채널에 포함된 상기 발광 다이오드들의 이격 간격이 점차 넓도록 배치되는 발광 다이오드 조명 장치.
  15. 하나 이상의 발광 다이오드를 포함하는 N(상기 N은 복수의 자연수) 개의 발광 다이오드 채널이 직렬로 구성되는 광원을 정류 전압으로 구동하는 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로에 있어서,
    상기 정류 전압의 가변 폭을 N 개의 구간으로 정의하는 턴온 전압을 갖는 N 개의 상기 발광 다이오드 채널의 각 출력단 별로 병렬로 연결되어서 정전류 경로를 형성하는 N 개의 스위칭 회로;
    N 개의 상기 스위칭 회로에 독립적으로 연결되어서 검출 전압을 제공하는 N 개의 전류 검출 저항; 및
    N 개의 상기 스위칭 회로 별로 해당하는 상기 발광 다이오드 채널의 상기 턴온 전압에 대응하는 레벨을 갖는 기준 전압을 생성하여서 제공하는 기준 전압 생성 회로;를 포함함으로써,
    N 개의 상기 스위칭 회로는 자신의 상기 기준 전압과 상기 검출 전압을 비교하여서 상기 검출 전압이 턴온 조건에 부합하면 턴온되어서 상기 정전류 경로를 형성하며, 턴온 상태에서 상기 정류 전압의 상승에 따라 상기 검출전압이 상승하여서 상기 턴온 조건을 벗어나면 턴오프되어서 상기 광원의 발광을 제어함을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로.
  16. 하나 이상의 발광 다이오드를 포함하는 N(상기 N은 복수의 자연수) 개의 발광 다이오드 채널이 직렬로 구성되는 광원을 정류 전압으로 구동하는 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로에 있어서,
    상기 정류 전압의 가변 폭을 N 개의 구간으로 정의하는 턴온 전압을 갖는 N 개의 상기 발광 다이오드 채널의 각 출력단 별로 병렬로 연결되어서 정전류 경로를 형성하는 N 개의 스위칭 회로;
    상기 각 스위칭 회로에 독립적으로 연결되어서 검출 전압을 제공하는 N 개의 전류 검출 저항; 및
    고정된 레벨을 갖는 기준 전압을 상기 각 스위칭 회로에 공통으로 제공하는 기준 전압 생성 회로;를 포함함으로써,
    상기 각 스위칭 회로는 상기 기준 전압과 상기 검출 전압을 비교하여서 상기 검출 전압이 턴온 조건에 부합하면 턴온되어 상기 정전류 경로를 형성하며, 턴온 상태에서 상기 정류 전압의 상승에 따라 상기 검출 전압이 상승하여서 상기 턴온 조건을 벗어나면 턴오프되어서 상기 광원의 발광을 제어함을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로.
KR1020120058709A 2012-05-31 2012-05-31 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로 KR101298486B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120058709A KR101298486B1 (ko) 2012-05-31 2012-05-31 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로
EP13170180.7A EP2670220A3 (en) 2012-05-31 2013-05-31 LED lighting apparatus
US13/907,419 US9288862B2 (en) 2012-05-31 2013-05-31 LED lighting apparatus and control circuit thereof
US13/907,254 US9237618B2 (en) 2012-05-31 2013-05-31 LED lighting apparatus
EP13170179.9A EP2670219A3 (en) 2012-05-31 2013-05-31 LED lighting apparatus and control circuit thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120058709A KR101298486B1 (ko) 2012-05-31 2012-05-31 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101298486B1 true KR101298486B1 (ko) 2013-08-21

Family

ID=48628273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120058709A KR101298486B1 (ko) 2012-05-31 2012-05-31 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9237618B2 (ko)
EP (2) EP2670219A3 (ko)
KR (1) KR101298486B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101459505B1 (ko) * 2014-03-14 2014-11-07 주식회사 에이디텍 발광 다이오드 조명 장치
CN104797037A (zh) * 2014-01-16 2015-07-22 安恩科技股份有限公司 具备多级驱动阶段和低频闪的发光二极管照明装置
WO2015147513A1 (ko) * 2014-03-27 2015-10-01 주식회사 실리콘웍스 조명 장치

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9907139B2 (en) * 2010-07-07 2018-02-27 MIKPOWER, Inc. LED controller
US10267506B2 (en) * 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
KR101298486B1 (ko) * 2012-05-31 2013-08-21 주식회사 실리콘웍스 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로
TW201406208A (zh) * 2012-07-30 2014-02-01 Luxul Technology Inc 高效率交流ｌｅｄ驅動電路
CN104969663B (zh) * 2013-02-05 2017-06-23 株式会社流明斯 Led照明装置
WO2014201583A1 (zh) * 2013-06-18 2014-12-24 钰瀚科技股份有限公司 驱动应用高电压的发光二极管串的装置
KR20150070792A (ko) * 2013-12-17 2015-06-25 삼성전기주식회사 발광 다이오드 구동 장치 및 발광 다이오드 조명 장치
DE102014008615B3 (de) * 2014-06-07 2015-10-01 Diehl Aerospace Gmbh Beleuchtungsvorrichtung mit Steuereinrichtung sowie Verwendung der Beleuchtungsvorrichtung
US10299324B2 (en) * 2014-07-09 2019-05-21 Silicon Works Co., Ltd. LED lighting apparatus
JP6422049B2 (ja) * 2014-07-24 2018-11-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 点灯装置及び照明器具
TWI547204B (zh) * 2014-09-09 2016-08-21 普誠科技股份有限公司 發光二極體（ｌｅｄ）驅動裝置及改善發光二極體（ｌｅｄ）驅動裝置的電流諧波失真的方法
DE102015103332A1 (de) * 2015-03-06 2016-09-08 Schott Ag LED-Beleuchtungseinrichtung
US9883554B2 (en) * 2015-09-29 2018-01-30 Microchip Technology Inc. Commutation circuit for sequential linear LED drivers
US9730280B2 (en) 2015-10-01 2017-08-08 Microchip Technology Inc. Ripple reduction circuit for sequential linear LED drivers
CN105282929B (zh) * 2015-10-20 2018-04-27 晨辉光宝科技有限公司 一种自动切换模式的全电压分段式线性恒流led驱动电路
US10271394B1 (en) 2017-12-29 2019-04-23 MIKPOWER, Inc. LED controller

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101005199B1 (ko) * 2010-09-02 2010-12-31 (주)상지기술 엘이디 조명기구의 엘이디 부하 비정상상태 발생시 엘이디 보호장치
US20110084619A1 (en) * 2009-10-14 2011-04-14 Mr. Richard Landry Gray Light Emitting Diode Selection Circuit
KR101062193B1 (ko) * 2009-07-17 2011-09-05 (주)칩앤라이트 스위치 컨트롤러를 이용한 엘이디 전원의 구동 장치
KR20110128426A (ko) * 2010-05-24 2011-11-30 주식회사 디엠비테크놀로지 발광소자의 구동 장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2225235A1 (en) * 1997-12-19 1999-06-19 Northern Telecom Limited A line interface module
US7081722B1 (en) * 2005-02-04 2006-07-25 Kimlong Huynh Light emitting diode multiphase driver circuit and method
US20090161318A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Dialogic Corporation Thermal management systems and methods
US8044609B2 (en) * 2008-12-31 2011-10-25 02Micro Inc Circuits and methods for controlling LCD backlights
US8410717B2 (en) * 2009-06-04 2013-04-02 Point Somee Limited Liability Company Apparatus, method and system for providing AC line power to lighting devices
US8324840B2 (en) * 2009-06-04 2012-12-04 Point Somee Limited Liability Company Apparatus, method and system for providing AC line power to lighting devices
JP5471330B2 (ja) * 2009-07-14 2014-04-16 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード駆動回路及び発光ダイオードの点灯制御方法
US20110068700A1 (en) * 2009-09-21 2011-03-24 Suntec Enterprises Method and apparatus for driving multiple LED devices
KR100997050B1 (ko) * 2010-05-06 2010-11-29 주식회사 티엘아이 광량을 향상시키는 엘이디 조명 장치
US8314566B2 (en) * 2011-02-22 2012-11-20 Quarkstar Llc Solid state lamp using light emitting strips
KR102006007B1 (ko) * 2011-04-19 2019-08-01 이동일 Ｌｅｄ 구동 장치 및 이를 이용한 ｌｅｄ 구동 방법
JP5821279B2 (ja) * 2011-05-24 2015-11-24 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード駆動装置
CN202203727U (zh) * 2011-08-16 2012-04-25 惠州元晖光电有限公司 具有光切换阵列的光引擎
KR101128680B1 (ko) 2011-12-05 2012-03-23 (주) 알에프세미 교류 직결형 발광다이오드 조명장치
KR20130078500A (ko) * 2011-12-30 2013-07-10 매그나칩 반도체 유한회사 Ｌｅｄ 구동 회로 및 이를 이용한 조명 장치
KR101298486B1 (ko) * 2012-05-31 2013-08-21 주식회사 실리콘웍스 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로
CN102858062A (zh) * 2012-08-22 2013-01-02 深圳市明微电子股份有限公司 一种具有高功率因数的led控制电路及led照明装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101062193B1 (ko) * 2009-07-17 2011-09-05 (주)칩앤라이트 스위치 컨트롤러를 이용한 엘이디 전원의 구동 장치
US20110084619A1 (en) * 2009-10-14 2011-04-14 Mr. Richard Landry Gray Light Emitting Diode Selection Circuit
KR20110128426A (ko) * 2010-05-24 2011-11-30 주식회사 디엠비테크놀로지 발광소자의 구동 장치
KR101005199B1 (ko) * 2010-09-02 2010-12-31 (주)상지기술 엘이디 조명기구의 엘이디 부하 비정상상태 발생시 엘이디 보호장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104797037A (zh) * 2014-01-16 2015-07-22 安恩科技股份有限公司 具备多级驱动阶段和低频闪的发光二极管照明装置
CN104797037B (zh) * 2014-01-16 2017-04-12 安恩科技股份有限公司 具备多级驱动阶段和低频闪的发光二极管照明装置
KR101459505B1 (ko) * 2014-03-14 2014-11-07 주식회사 에이디텍 발광 다이오드 조명 장치
WO2015147513A1 (ko) * 2014-03-27 2015-10-01 주식회사 실리콘웍스 조명 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP2670220A2 (en) 2013-12-04
EP2670219A2 (en) 2013-12-04
US9237618B2 (en) 2016-01-12
EP2670219A3 (en) 2017-05-17
US9288862B2 (en) 2016-03-15
EP2670220A3 (en) 2017-05-17
US20130320868A1 (en) 2013-12-05
US20130320867A1 (en) 2013-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101298486B1 (ko) 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 회로
KR101175934B1 (ko) 발광 다이오드 구동 회로 및 그를 이용한 교류 다이렉트 방식의 발광 다이오드 조명 장치
KR102085725B1 (ko) 발광 다이오드 조명 장치 및 그의 제어 방법
KR101495756B1 (ko) 반도체 발광소자 조명장치
US9883559B2 (en) Light emitting diode lighting device
KR20170019943A (ko) 조명 장치
KR102335311B1 (ko) 조명 장치
KR102248090B1 (ko) 발광 소자 구동 장치
KR102237030B1 (ko) 조명 장치의 구동 회로
KR101431614B1 (ko) 발광 다이오드 조명등 및 발광 다이오드 조명 장치
KR102654416B1 (ko) 발광 다이오드 조명 장치
KR101584948B1 (ko) 발광 다이오드 조명 장치
KR101459505B1 (ko) 발광 다이오드 조명 장치
US20160079863A1 (en) Power converter and driving method for the same
KR20170084954A (ko) 조명 장치
KR102305838B1 (ko) 발광 소자 구동 장치
US20160029452A1 (en) Lighting apparatus
KR102098008B1 (ko) 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로
KR20170009455A (ko) 조명 장치
KR102182017B1 (ko) 발광 소자 구동 장치
KR102286777B1 (ko) 발광 다이오드 조명 장치
KR102231642B1 (ko) 발광 소자 구동 장치
KR101454818B1 (ko) 반도체 발광소자 조명장치
KR101453489B1 (ko) 반도체 발광소자 조명장치
KR101988660B1 (ko) Ｌｅｄ 모듈 구동 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160608

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170621

Year of fee payment: 5