KR101283484B1 - Pressure-sensitive adhesive tape for dicing semiconductor wafer - Google Patents

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KR101283484B1 KR1020120032942A KR20120032942A KR101283484B1 KR 101283484 B1 KR101283484 B1 KR 101283484B1 KR 1020120032942 A KR1020120032942 A KR 1020120032942A KR 20120032942 A KR20120032942 A KR 20120032942A KR 101283484 B1 KR101283484 B1 KR 101283484B1
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안용국
이강엽
정근영
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Abstract

PURPOSE: An adhesive tape for a semiconductor is provided to have excellent picking up performance in the thin semiconductor, to minimize generation of burrs, and to minimize defects of a product. CONSTITUTION: An adhesive tape for a semiconductor dicing comprises a base film (10), an adhesive film (20) formed on the base film, and a protection film (30) formed on the adhesive film. The base film is formed by mixing 5-200 parts by weight or 10-150 parts by weight of one polymer selected from a homopolypropylene resin, block copolymerized polypropylene, terpolypropylene, an ethylene resin, an ethylene-acid vinyl copolymer resin, or an ethylene-propylene copolymer resin, into 100 parts by weight of elastomer resin.

Description

반도체 다이싱용 점착테이프{PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR DICING SEMICONDUCTOR WAFER}Adhesive tape for semiconductor dicing {PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR DICING SEMICONDUCTOR WAFER}

본 발명의 일 실시예는 반도체 다이싱용 점착테이프에 관한 것이다.
One embodiment of the present invention relates to an adhesive tape for semiconductor dicing.

종래의 반도체 다이싱용 테이프는 방사선경화에 의해 점착력이 소실되는 방사선 경화형 점착제를 사용해왔다. 이러한 반도체 다이싱용 테이프는 방사선 경화 전에는 높은 점착력을 유지하여 다이싱 시에는 비산되지 않도록 해주고, 다이싱 후에는 방사선 가교에 의해 점착력이 소실되어 다이 픽업 시 쉽게 다이가 테이프로부터 박리될 수 있도록 하여 픽업작업을 용이하게 해주는 기능을 가지고 있다. The conventional tape for semiconductor dicing has used the radiation hardening type adhesive which loses adhesive force by radiation hardening. The tape for semiconductor dicing maintains high adhesive force before radiation hardening so that it does not scatter during dicing, and after dicing, the adhesive force is lost by radiation crosslinking, so that the die can be easily peeled from the tape when picking up the die. It has a function that makes it easy.

한편, 최근 반도체 웨이퍼는 전기전자제품에서의 경박단소화 경향에 맞추어 지속적으로 얇아지는 추세에 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼가 후막일 경우에는 종래의 다이싱용 테이프로 픽업작업을 하는데 큰 무리가 없었으나, 반도체 웨이퍼가 점점 얇아지면서 픽업작업이 어려워지게 되었다. 그 이유는 반도체 웨이퍼가 얇아지게 되면 픽업 시 다이가 휘게 되고, 또한 반도체 칩 모서리가 깨지는 칩핑이 발생하기 쉽고, 이에 따라서 다이싱 블레이드도 커프 폭이 작은 것을 사용할 수 밖에 없게 되며, 이와 같이 다이싱 라인이 좁아지게 되면 픽업 성능이 떨어지게 되는 문제점이 있었기 때문이다. 따라서, 칩핑을 최소화하고, 픽업성능을 높일 수 있는 반도체 다이싱 테이프의 개발이 절실히 요구되고 있다.
On the other hand, semiconductor wafers have been continuously thinned in recent years to meet the trend of light and thin in electric and electronic products. Therefore, when the semiconductor wafer is a thick film, the picking operation with the conventional dicing tape was not great, but the picking operation became difficult as the semiconductor wafer became thinner and thinner. The reason is that when the semiconductor wafer becomes thinner, the die bends during pick-up, and chipping of the semiconductor chip edges is liable to occur. Accordingly, the dicing blade also has to use a small cuff width. This is because there is a problem that the pickup performance is reduced if this is narrowed. Therefore, there is an urgent need for the development of semiconductor dicing tapes that can minimize chipping and increase pickup performance.

본 발명의 일 실시예는 반도체 웨이퍼를 다이싱 후 다이 픽업 시에 우수한 픽업성능을 얻을 수 있는 반도체 다이싱용 점착테이프를 제공한다.
An embodiment of the present invention provides a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor dicing that can obtain excellent pick-up performance when die picking up a semiconductor wafer.

본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 다이싱용 점착테이프는 기재필름; 상기 기재필름 상에 형성된 점착제층; 상기 점착제층 상에 형성된 보호필름을 포함하고, 상기 기재필름은 호모폴리프로필렌수지, 블록공중합폴리프로필렌, 터폴리프로필렌, 에틸렌수지, 에틸렌-초산비닐 공중합수지, 에틸렌-프로필렌 공중합수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 100 중량부에 엘라스토머수지 5 내지 200 중량부 또는 상기 엘라스토머수지를 10 내지 150 중량부로 혼합하여 압출온도 150 내지 300℃에서 압출되어 50 내지 250 마이크론(micron)의 두께로 형성되며, 상기 엘라스토머 수지는 합성고무, 아이오노머 수지, 에틸렌 아크릴 공중합수지, 에틸렌 메타크릴 공중합수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 한다.Adhesive tape for semiconductor dicing according to an embodiment of the present invention is a base film; An adhesive layer formed on the base film; The protective film formed on the pressure-sensitive adhesive layer, the base film is a homopolypropylene resin, block copolymer polypropylene, terpolypropylene, ethylene resin, ethylene-vinyl acetate copolymer resin, ethylene-propylene copolymer resin and mixtures thereof 100 parts by weight of any one selected from the group consisting of 5 to 200 parts by weight of the elastomer resin or 10 to 150 parts by weight of the elastomer resin is mixed and extruded at an extrusion temperature of 150 to 300 ℃ to form a thickness of 50 to 250 microns (micron) The elastomer resin is characterized in that at least one selected from the group consisting of synthetic rubber, ionomer resin, ethylene acrylic copolymer resin, ethylene methacryl copolymer resin and mixtures thereof.

상기 기재필름은 상기 압출온도 180 내지 250℃에서 압출될 수 있다.The base film may be extruded at the extrusion temperature of 180 to 250 ℃.

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상기 기재필름은 70 내지 150 마이크론의 두께로 형성될 수 있다.The base film may be formed to a thickness of 70 to 150 microns.

삭제delete

상기 점착제층은 아크릴계, 폴리에스테르계, 실리콘계, 고무계 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer may be formed of one or more selected from the group consisting of acrylic, polyester, silicone, rubber, and mixtures thereof.

상기 점착제층은 열경화형 점착 수지, 열경화제, 방사선가교형 올리고머 및 모노머, 광개시제, 용제 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer may be formed of one or more selected from the group consisting of a thermosetting adhesive resin, a thermosetting agent, a radiation crosslinking oligomer and a monomer, a photoinitiator, a solvent, and a mixture thereof.

상기 보호필름은 실리콘계 또는 불소계 이형수지가 코팅된 필름일 수 있다.The protective film may be a film coated with a silicone-based or fluorine-based release resin.

상기 보호필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌-에틸렌 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있다.
The protective film may be formed of at least one selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, polypropylene-ethylene, and mixtures thereof.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 다이싱용 점착테이프는 기재필름의 경도와 탄성을 개질하여 얇은 반도체 웨이퍼에서도 픽업성능이 우수하고, 칩핑도 최소화할 수 있다.
Adhesive tape for semiconductor dicing according to an embodiment of the present invention is excellent in pick-up performance even in a thin semiconductor wafer by modifying the hardness and elasticity of the base film, it is possible to minimize the chipping.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 다이싱용 점착테이프를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an adhesive tape for semiconductor dicing according to an embodiment of the present invention.

본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
DETAILED DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in which those skilled in the art can readily implement the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 다이싱용 점착테이프를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an adhesive tape for semiconductor dicing according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 다이싱용 점착테이프는, 기재필름(10), 점착제층(20) 및 보호필름(30)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the adhesive tape for semiconductor dicing according to an embodiment of the present invention includes a base film 10, an adhesive layer 20, and a protective film 30.

상기 기재필름(10)은 자외선이 투과할 수 있는 투명도를 가지고, 기재필름(10)을 구성하는 수지는 단독 또는 혼용하여 사용할 수 있다. 이러한 기재필름(10)은 주수지와 개질수지로 형성된다. 상기 주수지로서 사용할 수 있는 폴리머로서는 범용수지인 호모폴리프로필렌수지, 블록공중합폴리프로필렌, 터폴리프로필렌, 에틸렌수지, 에틸렌-초산비닐 공중합수지, 에틸렌-프로필렌 공중합수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 수지일 수 있다. 또한, 상기 개질수지로서 사용할 수 있는 폴리머로서는 스티렌에틸렌부타디엔스티렌 등의 합성고무, 또는 강도가 우수하고 에라스토마 특성을 보유하고 있는 아이오노머 수지, 에틸렌 아크릴 공중합수지, 에틸렌 메타크릴 공중합수지 등의 엘라스토머 수지가 사용될 수 있으며, 이들의 복합 가공 필름 또는 공압출 적층 필름일 수도 있다. The base film 10 has a transparency that can transmit ultraviolet rays, and the resin constituting the base film 10 may be used alone or in combination. The base film 10 is formed of a main resin and a modified resin. Examples of the polymer that can be used as the main resin include homopolypropylene resins, block copolymer polypropylenes, terpolypropylene, ethylene resins, ethylene-vinyl acetate copolymer resins, ethylene-propylene copolymer resins, and mixtures thereof. It may be either resin. Further, the polymer that can be used as the modified resin may be a synthetic rubber such as styrene ethylene butadiene styrene or an elastomer such as ionomer resin, ethylene acrylic copolymer resin or ethylene methacryl copolymer resin having excellent strength and elastomeric characteristics. Resin may be used, and these may be a composite processed film or a coextruded laminated film.

상기 기재필름(10)의 제조는 무연신 혹은 이축연신을 할 수 있는 모노 혹은 공압출 설비를 이용하여 제조할 수 있다. The base film 10 may be manufactured using a mono or coextrusion facility capable of non-stretching or biaxial stretching.

또한, 상기 기재필름(10)을 제조하기 위한 앨로이 수지의 조성물 혼합비율에 있어서, 주수지 100 중량부에 대해 엘라스토머수지 5 내지 200 중량부가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 주수지 100 중량부에 대해 엘라스토머 수지 10 내지 150 중량부가 최적으로 사용될 수 있다. 여기서, 상기 엘라스토머 수지의 사용량이 주수지 100 중량부에 대해 엘라스토머수지 5 중량부보다 적을 경우에는 탄성 부여의 효과가 적어 픽업 성능 개선 및 칩핑 최소화 효과가 적으며, 상기 엘라스토머 수지의 사용량이 주수지 100 중량부에 대해 엘라스토머수지 200 중량부보다 과다하게 되면, 압출시 두께가 불균일하고, 압출 작업성이 나빠지게 된다. In addition, in the composition mixing ratio of the alloy resin for producing the base film 10, 5 to 200 parts by weight of the elastomer resin with respect to 100 parts by weight of the main resin may be used. Preferably, 10 to 150 parts by weight of the elastomer resin may be optimally used with respect to 100 parts by weight of the main resin. Here, when the amount of the elastomer resin is less than 5 parts by weight of the elastomer resin relative to 100 parts by weight of the main resin, the effect of imparting elasticity is less, so that the pick-up performance is improved and the chipping minimization effect is less. The amount of the elastomer resin is used in the main resin 100 When the amount is more than 200 parts by weight of the elastomer resin relative to the parts by weight, the thickness is uneven during extrusion, and the extrusion workability is deteriorated.

한편, 상기 픽업 성능 및 칩핑 성능은 본 발명에 따른 반도체 다이싱용 점착테이프를 구성하는 기재필름(10)의 개질을 위해서 사용되는 엘라스토마의 종류에 의해서도 그 최소화에 많은 영향을 받게 된다. 즉, 합성고무인 스티렌에틸렌부타디엔스티렌의 경우 적은 양으로도 기재필름(10)의 연성화와 탄성 부여에 효과가 좋으나, 압출 작업시 균일한 두께 조절이 어려울 수 있고, 에틸렌 아크릴릭 에시드의 아이오노머 수지는 강간한 물성과 탄성이 균형화된 수지로서 픽업성능과 칩핑 최소화에 우수한 성능을 가지고 있으나, 용융수지의 강도가 높아 압출작업시 부하가 걸릴 수 있기 때문에, 상기 수지를 사용하여 기재필름(10)을 개질하기 위하여는 그 중량을 적절하게 조절하는 것이 바람직하다. On the other hand, the pickup performance and the chipping performance is greatly affected by the minimization by the kind of elastomer used for the modification of the base film 10 constituting the adhesive tape for semiconductor dicing according to the present invention. That is, styrene ethylene butadiene styrene, which is a synthetic rubber, is effective in softening and providing elasticity of the base film 10 even with a small amount, but it may be difficult to control uniform thickness during extrusion, and the ionomer resin of ethylene acrylic acid is raped. As a resin with balanced physical properties and elasticity, it has excellent performance in minimizing pick-up performance and chipping. However, since the strength of the molten resin may be high, it may take a load during extrusion, thereby modifying the base film 10 using the resin. In order to adjust the weight, it is preferable to adjust suitably.

또한, 상기 기재필름(10)을 제조하기 위한 앨로이 수지의 압출공정시 스크류 및 헤드의 온도는 150 내지 300℃ 범위로 유지하여 작업한다. 바람직하게는, 앨로이 수지의 압출공정시 스크류 및 헤드의 온도는 180 내지 250℃ 범위로 유지하여 작업하는 것이 좋다. 즉, 상기 기재필름(10)을 제조하기 위한 앨로이 수지의 압출공정시 스크류 및 헤드의 온도가 300℃보다 높을 경우 균일한 혼련효과는 좋아지나 두께 조절이 나빠지는 단점이 있고, 스크류 및 헤드의 온도가 150℃보다 낮을 경우에는 두께 조절은 좋아지나 피쉬아이 등 결점이 발생하기 쉽게 된다. In addition, during the extrusion process of the alloy resin for manufacturing the base film 10, the temperature of the screw and the head is maintained in the range of 150 to 300 ℃. Preferably, during the extrusion process of the alloy resin, the temperature of the screw and head is preferably maintained at 180 to 250 ℃ range. That is, when the temperature of the screw and head is higher than 300 ° C. during the extrusion process of the alloy resin for manufacturing the base film 10, the uniform kneading effect is improved but the thickness control is deteriorated. If the temperature is lower than 150 ℃, the thickness control is better, but defects such as fish eyes are likely to occur.

또한, 상기 기재필름(10)은 표면의 접착력을 향상시키기 위하여 코로나 방전처리, 프라이머처리 등 물리화학적 처리를 할 수 있다. 또한, 상기 기재필름(10)에 대한 물리화학적 처리 후 표면장력은 40 dyne/cm2 내지 75dyne/cm2의 표면장력을 가지게 된다. 바람직하게는, 상기 기재필름(10)에 대한 물리화학적 처리 후 표면장력은 45 dyne/cm2 내지 55dyne/cm2의 범위일 때가 표면의 접착력이 가장 우수하다. In addition, the base film 10 may be subjected to physicochemical treatment, such as corona discharge treatment, primer treatment to improve the adhesion of the surface. Further, the surface tension after the physical and chemical treatment on the base film 10 is to have a surface tension of 40 dyne / cm 2 to 75dyne / cm 2. Preferably, after physical and chemical treatment on the base material film 10, the surface tension is most excellent when the surface adhesive strength in the range of 45 dyne / cm 2 to 55dyne / cm 2.

상기와 같은 공정을 통하여 제조된 기재필름(10)의 두께(D1)는 50 micron 내지 250 micron 범위를 가진다. 바람직하게는, 상기 기재필름(10)의 두께(D1)가 70 micron 내지 150micron 범위를 가지는 것이 좋다. 상기 두께(D1)가 50 micron 미만이면, 다이싱 공정에서 절단 깊이(cut depth)의 조절이 불안해질 우려가 있고, 250 micron 를 초과하면, 다이싱 공정에서 버(burr)가 다량 발생하게 되거나, 연신률이 떨어져서 익스펜딩 공정이 정확하게 이루어지지 않을 우려가 있다.The thickness D1 of the base film 10 manufactured through the above process has a range of 50 micron to 250 micron. Preferably, the thickness D1 of the base film 10 may have a range of 70 micron to 150 micron. If the thickness D1 is less than 50 microns, the cutting depth may become unstable in the dicing process. If the thickness D1 exceeds 250 microns, a large amount of burrs may be generated in the dicing process. There is a fear that the expansion process may not be performed accurately because the elongation is low.

또한, 상기 기재 필름은 점착부에 자외선 경화형 점착제를 사용하는 경우에 자외선 투과율이 우수한 것이 바람직하며, 예를 들면, 70% 이상, 바람직하게는 투명한 90% 이상의 자외선 투과율을 가질 수 있다.In addition, the base film is preferably excellent in the UV transmittance when using the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive portion, for example, may have a UV transmittance of 70% or more, preferably transparent 90% or more.

상기 점착제층(20)은 기재필름(10) 상에 형성되어, 열 및 방사선 가교를 할 수 있는 점착제이다. 이러한 점착제층(20)은, 아크릴계, 폴리에스테르계, 실리콘계, 고무계 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 점착제층(20)은 아크릴계 점착제를 사용하는 것이 좋다. 상기 점착제층(20)은 열경화형 점착 수지, 열경화제, 방사선가교형 올리고머 및 모노머, 광개시제, 용제 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된다. 또한, 상기 아크릴계 점착제를 사용하여 점착제층(20)을 형성하는 경우, 점착제 조성물을 콤마 나이프코타, 슬롯다이코타, 립코타, 리버스콤마나이프코타, 그라비아코타 등을 이용하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 점착제층(20)의 두께(D2)는 3 micron 내지 50 micron의 범위로 형성된다. 바람직하게는, 상기 점착제층(20)의 두께(D2)는 5 micron 내지 30 micron이 좋다. The pressure-sensitive adhesive layer 20 is formed on the base film 10, and is an adhesive capable of heat and radiation crosslinking. The pressure-sensitive adhesive layer 20 may be formed of at least one selected from the group consisting of acrylic, polyester, silicone, rubber, and mixtures thereof. More preferably, the pressure-sensitive adhesive layer 20 may use an acrylic pressure-sensitive adhesive. The pressure-sensitive adhesive layer 20 is formed of at least one selected from the group consisting of a thermosetting adhesive resin, a thermosetting agent, a radiation crosslinking oligomer and a monomer, a photoinitiator, a solvent, and a mixture thereof. In addition, when the pressure-sensitive adhesive layer 20 is formed using the acrylic pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive composition may be formed using a comma knife coater, a slot die coater, a lip coater, a reverse comma knife coater, and a gravure coater. At this time, the thickness (D2) of the pressure-sensitive adhesive layer 20 is formed in the range of 3 micron to 50 micron. Preferably, the thickness D2 of the pressure-sensitive adhesive layer 20 is preferably 5 micron to 30 micron.

상기 보호필름(30)은 점착제층(20) 상에 형성되고, 실리콘계 또는 불소계 이형수지가 코팅된 필름이다. 이러한 보호필름(30)에 사용되는 수지는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌-에틸렌 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이 사용 될 수 있다. 바람직하게는, 상기 보호필름(30)에 사용되는 수지는 폴리에틸렌테레프탈레이트가 가장 좋다. 또한, 상기 보호필름(30)을 코팅하는 방법으로서는 롤 코타 그라비아코타, 마이크로그라비아코타 등이 사용될 수 있다. 이와 같은 방법으로 제조되는 보호필름(30)의 코팅두께(D3)는 0.1 micron 내지 1 micron 범위를 가지는 것이 바람직하다.
The protective film 30 is formed on the pressure-sensitive adhesive layer 20, a film coated with a silicone-based or fluorine-based release resin. The resin used in the protective film 30 may be one or more selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, polypropylene-ethylene, and mixtures thereof. Preferably, the resin used in the protective film 30 is the best polyethylene terephthalate. In addition, a roll coat gravure coater, micro gravure coater, or the like may be used as a method of coating the protective film 30. Coating thickness (D3) of the protective film 30 is produced in this way preferably has a range of 0.1 micron to 1 micron.

이하에서는 본 반도체 다이싱용 점착테이프에 따른 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의하여 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples according to the present adhesive tape for semiconductor dicing, but the scope of the present invention is not limited to the following examples.

실시예Example 1 One

기재필름(점착기재)의 제조Production of base film (adhesive base material)

주수지 블록공중합폴리프로필렌 100 중량부, 엘라스토마 아이오노머 수지 50 중량부, 에틸렌 에틸아크릴산 공중합수지 30 중량부를 혼합하여 압출온도 200 내지 250℃의 조건에서 압출하여 80미크론의 점착용 기재필름(10)을 제조하였다Main resin block copolymerized polypropylene 100 parts by weight, 50 parts by weight of elastomeric ionomer resin, 30 parts by weight of ethylene ethylacrylic acid copolymer resin was mixed and extruded under the conditions of extrusion temperature 200 to 250 ℃ (80 micron adhesive base film (10 )

점착필름의 제조Preparation of Adhesive Film

중량평균분자량 60만인 아크릴계 공중합 점착수지 100 중량부, 이소시아네이트경화제 5 중량부, 다관능성올리고머 20 중량부, MDK계 광개시제 1.5 중량부를 혼합하여 15분간 믹싱하고, 탈포하여 이형처리된 38미크론의 폴리에스터 필름 위에 건조기준 20미크론의 두께로 도포하고, 100℃에서 2분간 건조한 후 상기 제조된 기재필름(10)과 라미네이팅하여 다이싱용 점착필름을 제조하였다.
100 parts by weight of acrylic copolymer adhesive resin having a weight average molecular weight of 600,000, 5 parts by weight of isocyanate curing agent, 20 parts by weight of polyfunctional oligomer, 1.5 parts by weight of MDK-based photoinitiator were mixed and mixed for 15 minutes by degassing and release-processed 38 micron polyester film The coating was applied to a thickness of 20 microns on a dry basis, dried at 100 ° C. for 2 minutes, and then laminated with the prepared base film 10 to prepare an adhesive film for dicing.

실시예Example 2  2

다이싱용 기재필름(10)의 제조 시에서의 아이오노머 수지를 50 중량부를 스티렌 에틸렌부타디엔 스티렌으로 대체한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 점착기재 필름을 제조하였다.
An adhesive base film was prepared in the same manner as in Example 1, except that 50 parts by weight of the ionomer resin in the production of the base film 10 for dicing was replaced with styrene ethylenebutadiene styrene.

실시예Example 3 3

다이싱용 기재필름(10)의 제조 시에서의 에틸렌 에틸아크릴산 공중합 수지를 빼고 아이오노머 수지를 80 중량부로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 점착기재 필름을 제조하였다.
An adhesive base film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the ionomer resin was 80 parts by weight without the ethylene ethylacrylic acid copolymer resin in the production of the dicing base film 10.

실시예Example 4 4

다이싱용 기재필름(10)의 제조 시에서의 아이오노머 수지를 빼고, 에틸렌 에틸아크릴산 공중합수지를 80 중량부로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 점착기재 필름을 제조하였다.
An adhesive base film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the ionomer resin in the production of the base film 10 for dicing was removed and 80 parts by weight of ethylene ethylacrylic acid copolymer resin was used.

실시예Example 5 5

다이싱용 기재필름(10)의 제조 시에서의 에틸렌 에틸아크릴 공중합수지를 에틸렌 메틸아크릴레이트 공중합수지로 대체한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일한 방법으로 점착기재 필름을 제조하였다.
An adhesive base film was prepared in the same manner as in Example 4, except that the ethylene ethylacryl copolymer resin was replaced with the ethylene methylacrylate copolymer resin in the manufacturing of the dicing base film 10.

실시예Example 6 6

다이싱용 기재필름(10)의 제조 시에서의 아이오노머 수지, 에틸렌 에틸아크릴산 공중합 수지 대신 스티렌에틸렌부타디엔스티렌 수지를 80 중량부를 넣는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 점착기재 필름을 제조하였다.
An adhesive base film was prepared in the same manner as in Example 1, except that 80 parts by weight of styrene ethylene butadiene styrene resin was used instead of the ionomer resin and the ethylene ethyl acrylic acid copolymer resin during the production of the base film 10 for dicing. .

비교예Comparative example 1 One

다이싱용 기재필름(10)의 제조 시에서의 아이오노머 수지, 에틸렌 에틸아크릴산 공중합 수지 대신 에틸비닐아세테이트 공중합 수지를 80 중량부로 대체한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 점착기재 필름을 제조하였다.
A pressure-sensitive adhesive base film was prepared in the same manner as in Example 1, except that 80 parts by weight of ethyl vinyl acetate copolymer resin was substituted for the ionomer resin and ethylene ethyl acrylic acid copolymer resin during the production of the base film 10 for dicing. It was.

비교예Comparative example 2 2

다이싱용 기재필름(10)의 제조 시에서의 아이오노머 수지, 에틸렌 에틸아크릴산 공중합 수지 대신 에틸비닐아세테이트 공중합 수지를 50 중량부, 저밀도폴리에틸렌 30 중량부로 대체한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 점착기재 필름을 제조하였다.The same method as in Example 1 except for replacing 50 parts by weight of ethyl vinyl acetate copolymer resin and 30 parts by weight of low density polyethylene instead of the ionomer resin and the ethylene ethyl acrylic acid copolymer resin during the production of the base film 10 for dicing. To prepare a pressure-sensitive adhesive base film.

상기 제조된 실시예 및 비교예의 점착기재 필름의 수지조성을 하기 [표 1]에 정리하여 기재하였다. 여기서, 하기 [표 1]에서 A는 블록 공중합폴리 프로필렌 수지이고, B는 아이오노머 수지이며, C는 에틸렌 에틸 아크릴산 공중합수지이고, D는 에틸렌 메틸 아크릴레이트 공중합수지이며, E는 스티렌 에틸렌 부타디엔 스티렌 수지이고, F는 에틸렌비닐 아세테이트 수지이며, G는 저밀도 폴리에틸렌 수지이다.
The resin composition of the pressure-sensitive adhesive base film of Examples and Comparative Examples prepared above is summarized in Table 1 below. Here, in Table 1, A is a block copolymerized polypropylene resin, B is an ionomer resin, C is an ethylene ethyl acrylic acid copolymer resin, D is an ethylene methyl acrylate copolymer resin, and E is a styrene ethylene butadiene styrene resin. , F is an ethylenevinyl acetate resin, and G is a low density polyethylene resin.

시료sample AA BB CC DD EE FF GG 실시예 1Example 1 100100 5050 3030 00 00 00 00 실시예 2Example 2 100100 00 3030 00 5050 00 00 실시예 3Example 3 100100 8080 00 00 00 00 00 실시예 4Example 4 100100 00 8080 00 00 00 00 실시예 5Example 5 100100 00 00 8080 00 00 00 실시예 6Example 6 100100 00 00 00 8080 00 00 비교예 1Comparative Example 1 100100 00 00 00 00 8080 00 비교예 2Comparative Example 2 100100 00 00 00 00 5050 3030

상기와 같이 제조된 필름에 대하여 하기와 같은 방법으로 그 물성을 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다. 여기서, 아래 표 2에서의 A'항목은 픽업성능평가를 나타내고, B'항목은 칩핑 발생개수를 의미하며, C' 항목은 버 발생개수를 나타낸다.
The physical properties of the film prepared as described above were measured in the following manner, and the results are shown in Table 2 below. Herein, item A 'in Table 2 indicates pickup performance evaluation, item B' means chipping occurrence number, and item C 'indicates burr generation number.

1. 마운팅1. Mounting

8인치 반도체 웨이퍼에 60℃에서 롤로 라미네이팅하였다.The 8 inch semiconductor wafer was laminated with a roll at 60 ° C.

2. 다이싱(Dicing)2. Dicing

다이 사이즈 7x8, 4만 rpm, 속도 120mm/sec, 블레이드 높이 60미크론의 장비(DFD 640, DISCO사)로 다이싱하였다. Dicing was carried out using equipment (DFD 640, DISCO) with a die size of 7 × 8, 40,000 rpm, a speed of 120 mm / sec and a blade height of 60 microns.

3. UV조사3. UV irradiation

다이싱 공정 후에 300mj/cm2의 UV를 조사하였다.UV of 300mj / cm 2 was irradiated after a dicing process.

4. 픽업(pick-up) 성능평가4. Pick-up Performance Evaluation

다이 본딩(Die bonding)기에 장착하여 성능평가를 실시하였다. 이때, 장비는 8개의 핀수를 가지는 알파셈 9000/SWISSLINE사를 사용하였다.Performance evaluation was performed by attaching to a die bonding machine. At this time, the instrument used Alphasem 9000 / SWISSLINE with 8 pins.

5. 칩핑(Chipping) 억제특성 평가5. Evaluation of chipping suppression characteristics

상기 조건으로 다이싱후 100마이크론 이상 깨진 칩의 개수를 측정하였다.The number of chips broken by 100 microns or more after dicing was measured under the above conditions.

6. 버(Burr) 억제특성 평가6. Evaluation of Burr Suppression Characteristics

상기 조건으로 다이싱 후 반도체 칩 위에 올라있는 버의 개수를 측정하였다.
The number of burrs on the semiconductor chip after dicing was measured under the above conditions.

실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 실시예5Example 5 실시예6Example 6 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 A'A ' OO OO OO OO OO OO xx B'B ' 00 00 00 00 00 00 77 1010 C'C ' 00 00 00 00 00 00 33 55

[표 2]로부터, 실시예 1 내지 6에 대한 다이싱 후의 픽업성은, 아이오노머 수지, 에틸렌 에틸아크릴산 공중합 수지를 사용하지 않은 비교예 1 및 2에 비하여 우수하다는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 1 내지 6에 대한 다이싱 시 나타날 수 있는 칩핑 발생개수나 버 발생개수는, 아이오노머 수지, 에틸렌 에틸아크릴산 공중합 수지를 사용하지 않은 비교예 1 및 2와는 반대로 전혀 나타나지 않고 있다는 것을 알 수 있다.From Table 2, it can be seen that the pickup properties after dicing for Examples 1 to 6 are superior to Comparative Examples 1 and 2 which do not use an ionomer resin or an ethylene ethylacrylic acid copolymer resin. In addition, it can be seen that the number of chipping occurrences and the number of burr generations that may appear during dicing for Examples 1 to 6 do not appear at all as opposed to Comparative Examples 1 and 2, which do not use ionomer resins or ethylene ethylacrylic acid copolymer resins. Can be.

따라서, 본 실시예의 반도체 다이싱용 테이프는 얇은 반도체 웨이퍼에서도 픽업성능이 우수하고, 칩핑 및 버의 발생도 최소화할 수 있게 된다. 나아가, 이러한 반도체 다이싱용 테이프를 반도체 웨이퍼에 적용하게 되면 제품 불량화를 최소화할 수 있을 것이다.
Therefore, the tape for semiconductor dicing of this embodiment is excellent in pick-up performance even in a thin semiconductor wafer, and can minimize the occurrence of chipping and burrs. Furthermore, if the tape for semiconductor dicing is applied to a semiconductor wafer, product deterioration may be minimized.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 반도체 다이싱용 점착테이프를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
What has been described above is just one embodiment for carrying out the adhesive tape for semiconductor dicing according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the following claims, the gist of the present invention Without departing from the technical spirit of the present invention to the extent that any person of ordinary skill in the art to which the present invention pertains various modifications can be made.

10: 기재필름 20: 점착제층
30: 보호필름
10: base film 20: pressure-sensitive adhesive layer
30: protective film

Claims (10)

기재필름;
상기 기재필름 상에 형성된 점착제층; 및
상기 점착제층 상에 형성된 보호필름을 포함하고,
상기 기재필름은 호모폴리프로필렌수지, 블록공중합폴리프로필렌, 터폴리프로필렌, 에틸렌수지, 에틸렌-초산비닐 공중합수지, 에틸렌-프로필렌 공중합수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 100 중량부에 엘라스토머수지 5 내지 200 중량부 또는 상기 엘라스토머수지를 10 내지 150 중량부로 혼합하여 압출온도 150 내지 300℃에서 압출되어 50 내지 250 마이크론(micron)의 두께로 형성되며, 상기 엘라스토머 수지는 합성고무, 아이오노머 수지, 에틸렌 아크릴 공중합수지, 에틸렌 메타크릴 공중합수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱용 점착테이프.
A base film;
An adhesive layer formed on the base film; And
It includes a protective film formed on the pressure-sensitive adhesive layer,
The base film is any one of 100 parts by weight of an elastomer selected from the group consisting of homopolypropylene resin, block copolymer polypropylene, terpolypropylene, ethylene resin, ethylene-vinyl acetate copolymer resin, ethylene-propylene copolymer resin and mixtures thereof 5 to 200 parts by weight of resin or 10 to 150 parts by weight of the elastomer resin is mixed and extruded at an extrusion temperature of 150 to 300 ° C. to form a thickness of 50 to 250 microns, and the elastomer resin is a synthetic rubber or ionomer resin. And at least one selected from the group consisting of ethylene acrylic copolymer resins, ethylene methacryl copolymer resins, and mixtures thereof.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기재필름은 상기 압출온도 180 내지 250℃에서 압출되는 반도체 다이싱용 점착테이프.
The method of claim 1,
The base film is an adhesive tape for semiconductor dicing is extruded at the extrusion temperature 180 to 250 ℃.
삭제delete 삭제delete 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 기재필름은 70 내지 150 마이크론의 두께로 형성된 반도체 다이싱용 점착테이프.
The method according to claim 1 or 3,
The base film is a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor dicing formed to a thickness of 70 to 150 microns.
제1항에 있어서,
상기 점착제층은 아크릴계, 폴리에스테르계, 실리콘계, 고무계 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된 반도체 다이싱용 점착테이프.
The method of claim 1,
The pressure-sensitive adhesive layer is an adhesive tape for semiconductor dicing formed of at least one selected from the group consisting of acrylic, polyester, silicone, rubber and mixtures thereof.
제1항에 있어서,
상기 점착제층은 열경화형 점착 수지, 열경화제, 방사선가교형 올리고머 및 모노머, 광개시제, 용제 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된 반도체 다이싱용 점착테이프.
The method of claim 1,
The pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor dicing formed of at least one selected from the group consisting of a thermosetting adhesive resin, a thermosetting agent, a radiation crosslinking oligomer and a monomer, a photoinitiator, a solvent and a mixture thereof.
제1항에 있어서,
상기 보호필름은 실리콘계 또는 불소계 이형수지가 코팅된 필름인 반도체 다이싱용 점착테이프.
The method of claim 1,
The protective film is an adhesive tape for semiconductor dicing which is a film coated with a silicone-based or fluorine-based release resin.
제9항에 있어서,
상기 보호필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌-에틸렌 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된 반도체 다이싱용 점착테이프.
10. The method of claim 9,
The protective film is an adhesive tape for semiconductor dicing formed of at least one selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, polypropylene-ethylene and mixtures thereof.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101452856B1 (en) 2014-03-27 2014-10-23 에이엠씨주식회사 Photosensitive adhesive film using a epoxy group containing acrylic copolymer
KR101452858B1 (en) 2014-03-27 2014-10-23 에이엠씨주식회사 Method for manufacturing of photosensitive adhesive film using a epoxy group containing acrylic copolymer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0827239A (en) * 1994-07-12 1996-01-30 Lintec Corp Energy beam-curing type pressure-sensitive tacky agent composition and its utilization
JP2003007654A (en) * 2001-06-27 2003-01-10 Nitto Denko Corp Adhesive sheet for dicing
JP2010251722A (en) * 2009-03-23 2010-11-04 Furukawa Electric Co Ltd:The Dicing tape, method for preventing curing inhibition of dicing tape, and ultraviolet curable adhesive for dicing tape
KR101191120B1 (en) 2008-05-14 2012-10-15 주식회사 엘지화학 Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheet and semiconductor wafer backgrinding method using the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0827239A (en) * 1994-07-12 1996-01-30 Lintec Corp Energy beam-curing type pressure-sensitive tacky agent composition and its utilization
JP2003007654A (en) * 2001-06-27 2003-01-10 Nitto Denko Corp Adhesive sheet for dicing
KR101191120B1 (en) 2008-05-14 2012-10-15 주식회사 엘지화학 Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheet and semiconductor wafer backgrinding method using the same
JP2010251722A (en) * 2009-03-23 2010-11-04 Furukawa Electric Co Ltd:The Dicing tape, method for preventing curing inhibition of dicing tape, and ultraviolet curable adhesive for dicing tape

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101452856B1 (en) 2014-03-27 2014-10-23 에이엠씨주식회사 Photosensitive adhesive film using a epoxy group containing acrylic copolymer
KR101452858B1 (en) 2014-03-27 2014-10-23 에이엠씨주식회사 Method for manufacturing of photosensitive adhesive film using a epoxy group containing acrylic copolymer

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