KR101272796B1 - 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 187
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 22
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 18
- 238000010338 mechanical breakdown Methods 0.000 abstract description 12
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011943 nanocatalyst Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 3
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VAYOSLLFUXYJDT-RDTXWAMCSA-N Lysergic acid diethylamide Chemical compound C1=CC(C=2[C@H](N(C)C[C@@H](C=2)C(=O)N(CC)CC)C2)=C3C2=CNC3=C1 VAYOSLLFUXYJDT-RDTXWAMCSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 indium metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
본 발명은 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판은 광 투과성과 플렉서블한 재질을 갖는 지지 기판 및 상기 지지 기판 상에 형성되며, 전기 전도성과 광 투과성을 갖는 재질로 이루어지며, 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하는 전극을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따르면, 나노 가지 구조체를 가지는 전극에 의해 높은 곡률의 변형에서도 기계적 파괴가 없이 우수한 전기 전도도와 광 투과도를 유지할 수 있는 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다.
또한, 이러한 다수의 나노 가지 구조체를 종래의 화학기상증착 방식에 비해 높은 증착 온도가 요구되지 않는 전자선 증착 방법으로서 기판의 상면에 증착시켜 성장 형성함으로써, 제조 단가를 절감하고 제조 시간도 줄일 수 있어 대면적 플렉서블 광전자 소자에 직접 적용하여 플렉서블 광전자 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판은 광 투과성과 플렉서블한 재질을 갖는 지지 기판 및 상기 지지 기판 상에 형성되며, 전기 전도성과 광 투과성을 갖는 재질로 이루어지며, 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하는 전극을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따르면, 나노 가지 구조체를 가지는 전극에 의해 높은 곡률의 변형에서도 기계적 파괴가 없이 우수한 전기 전도도와 광 투과도를 유지할 수 있는 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다.
또한, 이러한 다수의 나노 가지 구조체를 종래의 화학기상증착 방식에 비해 높은 증착 온도가 요구되지 않는 전자선 증착 방법으로서 기판의 상면에 증착시켜 성장 형성함으로써, 제조 단가를 절감하고 제조 시간도 줄일 수 있어 대면적 플렉서블 광전자 소자에 직접 적용하여 플렉서블 광전자 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 투명 산화물 나노 가지 구조체를 이용하여 매우 큰 곡률에서도 기계적 파괴 없이 높은 전기 전도도를 가질 수 있는 투명 전도성 플렉서블 기판 및 이러한 고 품질의 투명 전도성 플렉서블 기판을 대면적으로 저렴하고 신속하게 제조할 수 있는 제조방법에 관한 것이다.
플렉서블(FLEXIBLE) 광전자 소자의 발전에 따라 매우 큰 곡률에서도 기계적 파괴 없이 높은 투과도와 전기 전도도를 가지는 투명 전도성 플렉서블 기판에 대한 요구가 매우 크다.
비플렉서블 투명 전도성 기판의 경우에는 인듐 주석 산화물(ITO)이나 알루미늄 아연 산화물(AZO) 등을 통해 높은 투과도와 전기 전도도를 쉽게 얻을 수 있다.
이러한 투명 전도성 산화물은 재료의 연성이 매우 낮기 때문에 낮은 곡률에서도 손쉽게 기계적 파괴가 발생하고 전기 전도도가 크게 감소하는 문제점이 있어 플렉서블 기판에 사용할 수 없는 단점이 있다.
재료의 연성과 전기 전도도가 우수한 금속 박막의 경우에는 광 투과도가 매우 불량하기 때문에 이 또한 투명 전도성 플렉서블 기판에 적용할 수 없는 단점이 있다.
최근 이러한 문제점을 해결하고자 전기 전도도가 우수한 금속 재료인 은(Ag) 또는 구리(Cu) 나노 막대를 불규칙하게 엮어 전기 전도도와 투과도 및 유연성을 확보하기 위한 연구가 많이 진행되고 있지만, 대면적 제작이 용이하지 않으며 금속 자체의 낮은 광투과 특성으로 인해 투과도에 한계점이 있는 문제가 있다.
또한, 그래핀 및 탄소 나노 튜브 또한 플렉서블 투명 전도성 재료도 현재 많은 연구가 진행되고 있지만, 재료가 가지는 전기 전도도의 한계점과 대면적 생산의 단점으로 인해 연구 단계에 머무르고 있는 실정이다.
본 발명은 높은 곡률에서도 기계적 파괴가 없이 높은 전기 전도도와 광 투과도를 가지며 대면적 플렉서블 광소자에 적용 가능한 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판은 광 투과성과 플렉서블한 재질을 갖는 지지 기판 및 상기 지지 기판 상에 형성되며, 전기 전도성과 광 투과성을 갖는 재질로 이루어지며, 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하는 전극을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서, 상기 나노 가지 구조체는 상기 지지 기판에 성장 형성된 메인 나노 가지부 및 상기 메인 나노 가지부에 수직 방향으로 성장 형성된 보조 나노 가지부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서, 상기 전극은 상기 지지 기판 상에 형성되며, 막 형상 또는 메쉬 형상을 갖는 전극체를 더 포함하고, 상기 나노 가지 구조체는 상기 전극체 상에 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서, 상기 전극체와 상기 나노 가지 구조체의 재질은 동일한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서, 상기 전극은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서, 상기 지지 기판은 플라스틱, 유리, 세라믹 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 박판 재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서, 상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 2mm 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서, 상기 지지 기판이 플라스틱을 포함하는 경우, 상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 2mm 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서, 상기 지지 기판이 유리를 포함하는 경우, 상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 500㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서, 상기 지지 기판이 세라믹을 포함하는 경우, 상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 500㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서, 상기 지지 기판이 금속을 포함하는 경우, 상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 1mm 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법은 광 투과성과 플렉서블한 재질을 갖는 지지 기판을 챔버의 내부에 배치하는 지지 기판 배치단계 및 상기 지지 기판 상에 전기 전도성과 광 투과성을 갖는 재질로 이루어지며 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하는 전극을 형성하는 전극 형성단계를 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법에 있어서, 상기 나노 가지 구조체는 상기 지지 기판에 성장 형성된 메인 나노 가지부 및 상기 메인 나노 가지부에 수직 방향으로 성장 형성된 보조 나노 가지부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서, 상기 전극 형성단계는 상기 나노 가지 구조체를 형성하기 위한 대상 물질에 전자선을 조사하여 상기 대상 물질을 증발시키는 전자선 조사단계 및 증발된 기체 상태의 대상 물질을 상기 지지 기판 상에 증착시켜 상기 나노 가지 구조체를 성장시키는 나노 가지 구조체 성장단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서, 상기 전극 형성단계는 상기 지지 기판 상에 막 형상 또는 메쉬 형상을 갖는 전극체를 형성하는 전극체 형성단계, 상기 나노 가지 구조체를 형성하기 위한 대상 물질에 전자선을 조사하여 상기 대상 물질을 증발시키는 전자선 조사단계 및 증발된 기체 상태의 대상 물질을 상기 전극체 상에 증착시켜 상기 나노 가지 구조체를 성장시키는 나노 가지 구조체 성장단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서, 상기 전극체와 상기 나노 가지 구조체의 재질은 동일한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서, 상기 대상 물질은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서, 상기 나노 가지 구조체 성장단계에서의 상기 지지 기판의 온도는 초기에 증착된 인듐과 주석이 액상 상태를 유지할 수 있는 최저 온도 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서, 상기 나노 가지 구조체 성장단계에서의 상기 지지 기판의 온도는 80℃ 이상 상기 지지 기판의 융점 미만인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서, 상기 지지 기판의 표면에너지의 조절을 통해 형성되는 나노 가지 구조체의 크기 또는 밀도를 조절하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서, 상기 지지 기판은 플라스틱, 유리, 세라믹 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 박판 재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서, 상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 2mm 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 나노 가지 구조체를 가지는 전극에 의해 높은 곡률의 변형에서도 기계적 파괴가 없이 우수한 전기 전도도와 광 투과도를 유지할 수 있는 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다.
또한, 이러한 다수의 나노 가지 구조체를 종래의 화학기상증착 방식에 비해 높은 증착 온도가 요구되지 않는 전자선 증착 방법으로서 기판의 상면에 증착시켜 성장 형성함으로써, 제조 단가를 절감하고 제조 시간도 줄일 수 있어 대면적 플렉서블 광전자 소자에 직접 적용하여 플렉서블 광전자 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 플렉서블 기판을 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 플렉서블 기판에 곡률 변형이 가해지는 경우 전극의 기계적 파괴가 발생하는 현상을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 곡률 변형이 가해져도 나노 가지 구조체에 의해 기계적 파괴가 방지되어 우수한 전기 전도도와 광투과도가 유지되는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 대면적으로 증착 성장시켜 형성된 ITO 재질의 나노 가지 구조체를 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)으로 촬영한 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 광 투과도 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 곡률에 따른 전기 전도도 변화 측정 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 극한 곡률 신뢰도 측정 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 곡률 변화에 따른 광학 현미경 분석 사진이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 곡률 테스트 후 주사전자현미경 분석 사진이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법의 공정 순서도이다.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법의 공정 단면도들이다.
도 16은 전자선 증착 장비를 통해 형성된 ITO 나노 가지 구조체의 주사 전자 현미경 사진 및 투과 전자 현미경 사진, 그리고 나노 가지 구조체의 조성 분석을 위한 EDS(Energy Dispersive x-ray Spectroscopy) 성분 분석 결과이다.
도 17은 표면에너지가 다른 Si(100) 기판과 사파이어(0006) 기판, 그리고 텅스텐 박막이 코팅된 기판에서 성장되는 ITO 나노 나노 가지 구조체의 성장 초기 원자현미경 사진과, 성장 후기 주사 전자 현미경 사진이다.
도 18은 ITO 펠릿이 전자선과 반응하여 In-Sn 마이크로 점을 형성시키는 과정을 광학 현미경과 전자 현미경으로 촬영한 사진 및 고 분해능 광전자 분광분석 결과를 나타낸 도면이다.
도 19는 Si (100) 기판 위에 형성되는 ITO 나노 가지 구조체를 증착온도별로 주사 전자 현미경으로 촬영한 사진이다.
도 20은 도 19를 통해 ITO 나노 가지 구조체가 형성되는 과정을 열역학적인 상태도를 통해 나타내는 도면이다.
도 2는 종래의 플렉서블 기판에 곡률 변형이 가해지는 경우 전극의 기계적 파괴가 발생하는 현상을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 곡률 변형이 가해져도 나노 가지 구조체에 의해 기계적 파괴가 방지되어 우수한 전기 전도도와 광투과도가 유지되는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 대면적으로 증착 성장시켜 형성된 ITO 재질의 나노 가지 구조체를 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)으로 촬영한 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 광 투과도 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 곡률에 따른 전기 전도도 변화 측정 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 극한 곡률 신뢰도 측정 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 곡률 변화에 따른 광학 현미경 분석 사진이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 곡률 테스트 후 주사전자현미경 분석 사진이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법의 공정 순서도이다.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법의 공정 단면도들이다.
도 16은 전자선 증착 장비를 통해 형성된 ITO 나노 가지 구조체의 주사 전자 현미경 사진 및 투과 전자 현미경 사진, 그리고 나노 가지 구조체의 조성 분석을 위한 EDS(Energy Dispersive x-ray Spectroscopy) 성분 분석 결과이다.
도 17은 표면에너지가 다른 Si(100) 기판과 사파이어(0006) 기판, 그리고 텅스텐 박막이 코팅된 기판에서 성장되는 ITO 나노 나노 가지 구조체의 성장 초기 원자현미경 사진과, 성장 후기 주사 전자 현미경 사진이다.
도 18은 ITO 펠릿이 전자선과 반응하여 In-Sn 마이크로 점을 형성시키는 과정을 광학 현미경과 전자 현미경으로 촬영한 사진 및 고 분해능 광전자 분광분석 결과를 나타낸 도면이다.
도 19는 Si (100) 기판 위에 형성되는 ITO 나노 가지 구조체를 증착온도별로 주사 전자 현미경으로 촬영한 사진이다.
도 20은 도 19를 통해 ITO 나노 가지 구조체가 형성되는 과정을 열역학적인 상태도를 통해 나타내는 도면이다.
본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법은, 나노 가지 구조체를 이용하여 극한의 곡률에도 재료의 기계적 파괴 없이 높은 광 투과도와 전기 전도도를 가지는 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판을 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 곡률 변형이 가해져도 나노 가지 구조체에 의해 기계적 파괴가 방지되어 우수한 전기 전도도와 광투과도가 유지되는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 3과 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판은 지지 기판(100) 및 전극(200)을 포함하여 구성된다.
지지 기판(100)은 높은 광 투과성과 플렉서블한 재질을 갖는 물질로 이루어지며, 후술하는 전극(200)이 형성되는 공간을 제공한다.
예를 들어, 이러한 지지 기판(100)은 플라스틱, 유리, 세라믹 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 박판 재질로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 광 투과성과 유연성의 확보를 위하여 지지 기판(100)의 두께는 20㎛ 이상 2mm 이하로 설정하는 것이 바람직하다.
지지 기판(100)이 플라스틱을 포함하여 구성되는 경우, 지지 기판(100)의 두께는 20㎛ 이상 mm 이하인 것이 바람직하다.
지지 기판(100)이 유리를 포함하여 구성되는 경우, 지지 기판(100)의 두께는 20㎛ 이상 500㎛ 이하인 것이 바람직하다.
지지 기판(100)이 세라믹을 포함하는 경우, 지지 기판(100)의 두께는 20㎛ 이상 500㎛ 이하인 것이 바람직하다.
지지 기판(100)이 금속을 포함하는 경우, 지지 기판(100)의 두께는 20㎛ 이상 1mm 이하인 것이 바람직하다.
전극(200)은 지지 기판(100) 상에 형성되며, 전기 전도성과 광 투과성을 갖는 재질로 이루어지며, 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 다수의 나노 가지 구조체(220)를 포함하여 구성된다.
이러한 나노 가지 구조체(220)는 지지 기판(100)에 성장 형성된 메인 나노 가지부(221) 및 이 메인 나노 가지부(221)에 수직 방향으로 성장 형성된 보조 나노 가지부(222)를 포함하는 형상으로 구비될 수 있다.
나노 가지 구조체(220)가 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 원리를 설명하면 다음과 같다.
도 2에 개시된 바와 같이, 종래에는 일정 크기 이상의 곡률 변형이 가해지는 경우 플렉서블 기판에 형성되어 있는 전극(200)이 기계적으로 파괴되고, 이에 따라 광 투과성과 전기 전도성이 크게 저하되는 문제점이 있었다.
그러나 도 4에 개시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 곡률변형에 의해 전극체(210)에 기계적 파괴가 발생해도 전극체(210) 상에 형성되어 있는 나노 가지 구조체(220)가 전기 전도성이 유지된다. 또한, 나노 가지 구조체(220)는 입사되는 빛을 확산 및 산란시키기 때문에, 광 투과성도 동시에 향상된다.
이와 같이, 플렉서블 소자의 작동에 있어 곡률에 의한 기계적 파괴 없이 효율적으로 전기 전도도를 확보하는 동시에 광 투과도를 확보하는 기능을 수행하는 나노 가지 구조체(220)는 나노 스케일의 나뭇가지 형상으로 구비되는데, 여기서 나노 스케일이라 함은 1000㎛ 이내의 길이를 갖는 것을 의미한다.
예를 들어, 나노 가지 구조체(220)는 그 직경이 수십 ㎚ 이하, 그 길이는 1000㎛이하 정도로 형성될 수 있으나 그 크기가 이에 한정되는 것은 아니다.
후술하겠지만, 이러한 다수의 나노 가지 구조체(220)는 전극체(210)의 상면 또는 지지 기판(100)의 상면에 전자선 증착 방식으로 형성될 수 있으며, 보다 구체적으로는 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 방법을 통해 성장 형성되는 것이 바람직하다.
그 이유는 이러한 전자선 증착 방식은 종래의 화학기상증착 방식에 비해 높은 증착 온도가 요구되지 않으므로 제조 단가를 절감하고 제조 시간도 줄일 수 있으며 대면적의 전극체(210) 또는 지지 기판(100)에도 다수의 나노 가지 구조체(220)를 용이하게 형성할 수 있기 때문이다.
하나의 예로, 전극(200)은 인듐 주석 산화물(ITO) 재질의 나노 가지 구조체(220)만으로 구성될 수 있다. 즉, 이 경우에는 나노 가지 구조체(220)가 지지 기판(100) 상에 직접 형성되는 경우이다.
도 16은 전자선 증착 장비를 통해 형성된 ITO 재질의 나노 가지 구조체(220)의 주사 전자 현미경 사진 및 투과 전자 현미경 사진, 그리고 나노 가지 구조체(220)의 조성 분석을 위한 EDS(Energy Dispersive x-ray Spectroscopy) 성분 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 16의 a는 300℃로 유지된 Si(100) 기판 위에 ITO 나노 가지 구조체(220)를 성장시킬 때, 증착 시기별 주사 전자 현미경 사진이다. 도 16의 e를 참조하면, 나노 가지 구조체(220)의 끝단에는 VLS(Vapour-Liquid-Solid) 성장과정을 거치게 됨을 의미하는 구형의 나노점이 있음을 확인할 수 있다.
도 16의 b 내지 d는 상기 조건으로 성장된 ITO 나노 가지 구조체(220)의 투과 전자 현미경 사진이다. ITO 나노 가지 구조체(220)는 표면 에너지가 낮은 단결정 (100)면으로 잘 성장하고 있음을 확인할 수 있고, 그 나노 가지 구조체(220)는 빅스비아이트(Bixbyite) 입방체 결정구조의 영향으로 각각 90°방향을 가지며 성장되고 있음을 확인하였다.
도 16의 e를 참조하면, 성장된 나노 가지 구조체(220) 분석을 통해 VLS의 구형 나노 점은 인듐과 주석의 자체 촉매로 나노 막대의 성장이 진행되었음을 알 수 있다.
다른 예로, 전극(200)은 전극체(210) 및 나노 가지 구조체(220)를 포함하여 구성될 수 있다,
전극체(210)는 지지 기판(100) 상에 형성되며, 막 형상 또는 메쉬 형상을 갖도록 구성될 수 있으며, 나노 가지 구조체(220)는 이 전극체(210) 상에 형성된다.
예를 들어, 전극체(210)와 나노 가지 구조체(220)의 재질은 동일할 수 있으며, 이 경우 그 재질은 광 투과성과 전기 전도성이 우수한 인듐 주석 산화물(ITO)인 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 전극체(210)는 별도의 전도성 재질로 형성되고, 나노 가지 구조체(220)는 전극체(210)의 상면에 인듐 주석 산화물로 구비될 수도 있으며, 다수의 나노 가지 구조체(220)도 다른 전도성, 광투과성 재질로 이루어질 수도 있다.
그리고 도 3은 개략도로서 전극체(210)의 상면에 형성되는 나노 가지 구조체(220)의 형상은 도 3에 도시된 바에 의해 한정되는 것은 아니다. 즉, 전극체(210)의 상면에 대해 기울어지게 형성될 수도 있고, 인접한 다른 나노 가지 구조체(220)와 그 가지가 서로 맞닿거나 겹치게 형성될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판에 대면적으로 증착 성장시켜 형성된 ITO 재질의 나노 가지 구조체(220)를 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)으로 촬영한 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 광 투과도 그래프이다.
도 6을 참조하면, 나노 가지 구조체(220)를 증착하기 전 전극체(210) 자체의 투과도 (A)와 나노 가지 구조체(220)를 증착한 후의 광 투과도(B, C)가 개시된다.
B와 C는 증착 시간을 달리한 두 가지 시료의 광 투과도이다. 즉, B에 비하여 C의 경우, 증착 시간이 길며 이에 따라 형성되는 나노 가지 구조체(220)의 길이도 길어진다. 나노 가지 구조체(220)를 증착하기 전과 후 가시광선 영역에서 모두 80% 이상의 높은 광 투과도를 나타내는 것을 알 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 곡률에 따른 전기 전도도 변화 측정 그래프로서, 도 6의 세 가지 시료에 대한 곡률 변화에 따른 면 저항의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7을 참조하면, 전극체(210)만 형성된 경우(A) 0.5cm-1 이상의 곡률에서 저항이 크게 증가하는 반면, 나노 가지 구조체(220)가 성장된 이후의 경우(B, C)에는 1.0cm-1의 극한 곡률에서도 저항의 증가가 나타나지 않음을 확인할 수 있다. 뿐만 아니라, 성장시간이 긴 경우(C) 나노 가지 구조체(220)가 더 발달하게 되므로 보다 낮은 면 저항 값을 가지게 됨을 알 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 극한 곡률 신뢰도 측정 그래프로서, 1.0cm-1의 극한 곡률을 주기적으로 인가하였을 때 두 가지 나노 가지 구조체(220)에서 나타나는 저항의 변화를 측정한 그래프이다.
도 8을 참조하면, 10,000번 이상의 주기에서도 저항이 균일하게 유지되는 것을 확인할 수 있고, 이를 통해 나노 가지 구조체(220)가 극한의 곡률 환경에서도 높은 신뢰도를 가진다는 것을 알 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 곡률 변화에 따른 광학 현미경 분석 사진으로서, 전극체(210)만 형성된 시료와 나노 가지 구조체(220)가 형성된 시료를 1.0cm-1의 곡률 시험 후 촬영한 광학 현미경 사진이다.
도 9를 참조하면, 전극체(210)만 형성된 시료의 경우 실제로 많은 기계적 파괴가 발생한 것을 확인할 수 있는 반면, 나노 가지 구조체(220)에서는 기계적 파괴가 발생하지 않음을 알 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 곡률 테스트 후 주사전자현미경 분석 사진으로서, 광학 현미경 사진을 바탕으로 실제 기계적 파괴가 발생한 전극체 부위와 기계적 파괴가 발생하지 않는 나노 가지 구조체(220)의 전자현미경 사진이다.
도 10을 참조하면, 나노 가지 구조체(220)를 사용하면 재료의 기계적 파괴 없이 극한의 곡률에서도 높은 전기 전도도를 유지할 수 있음을 알 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법의 공정 순서도이고, 도 12 내지 도 15는 그 공정 단면도들이다.
도 11 내지 도 15를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법은 지지 기판 배치단계(S10) 및 전극 형성단계를 포함하여 구성된다.
지지 기판 배치단계(S10)에서는, 광 투과성과 플렉서블한 재질을 갖는 지지 기판(100)을 챔버의 내부에 배치하는 과정이 수행된다.
예를 들어, 지지 기판(100)은 플라스틱, 유리, 세라믹 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 박판 재질로 이루어질 수 있으며, 그 두께는 광 투과성과 유연성 확보를 위하여 20㎛ 이상 2mm 이하로 하는 것이 바람직하다.
전극 형성단계에서는, 지지 기판(100) 상에 전기 전도성과 광 투과성을 갖는 재질로 이루어지며 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 다수의 나노 가지 구조체(220)를 포함하는 전극(200)을 형성하는 과정이 수행된다.
하나의 예로, 전극 형성단계는 전자선 조사단계(S30) 및 나노 가지 구조체 성장단계(S40)를 포함하여 구성될 수 있다.
전자선 조사단계(S30)에서는, 나노 가지 구조체(220)를 형성하기 위한 대상 물질에 전자선을 조사하여 대상 물질을 증발시키는 과정이 수행된다. 이 대상 물질은 인듐 주석 산화물(ITO)일 수 있다.
나노 가지 구조체 성장단계(S40)에서는, 증발된 기체 상태의 대상 물질을 지지 기판(100) 상에 증착시켜 나노 가지 구조체(220)를 성장시키는 과정이 수행된다.
구체적인 공정 조건의 예는 다음과 같다.
ITO 재질의 나노 가지 구조체(220)를 제조하기 위한 전자선 증착 장비의 초기 진공은 10-5 Torr 이하로 한다.
지지 기판(100)은 ITO 펠릿과 20cm 상부 위치에 뒤집어 증착하며 SiC 히터로 지지 기판(100)에 열을 가해 정해진 지지 기판(100)의 온도가 유지되도록 하며, 본 발명의 실시예에서는 지지 기판(100)의 온도와 ITO 재질의 나노 가지 구조체(220) 형성의 관계를 확인하기 위하여 지지 기판(100)의 온도를 40℃, 80℃ 및 110℃로 유지하였다. 텅스텐 필라멘트에서 발생하는 전자선은 6.5 kV 전압과 20mA 전류의 세기로 ITO 펠릿에 조사되어 나노 가지 구조체(220)를 제조한다.
도 16은 전자선 증착 장비를 통해 형성된 ITO 재질의 나노 가지 구조체(220)의 주사 전자 현미경 사진 및 투과 전자 현미경 사진, 그리고 나노 가지 구조체(220)의 조성 분석을 위한 EDS(Energy Dispersive x-ray Spectroscopy) 성분 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 16의 a는 300℃로 유지된 Si(100) 기판 위에 ITO 나노 가지 구조체(220)를 성장시킬 때, 증착 시기별 주사 전자 현미경 사진이다. 도 16의 e를 참조하면, 나노 가지 구조체(220)의 끝단에는 VLS(Vapour-Liquid-Solid) 성장과정을 거치게 됨을 의미하는 구형의 나노점이 있음을 확인할 수 있다.
도 16의 b 내지 d는 상기 조건으로 성장된 ITO 나노 가지 구조체(220)의 투과 전자 현미경 사진이다. ITO 나노 가지 구조체(220)는 표면 에너지가 낮은 단결정 (100)면으로 잘 성장하고 있음을 확인할 수 있고, 그 나노 가지 구조체(220)는 빅스비아이트(Bixbyite) 입방체 결정구조의 영향으로 각각 90°방향을 가지며 성장되고 있음을 확인하였다.
도 16의 e를 참조하면, 성장된 나노 가지 구조체(220) 분석을 통해 VLS의 구형 나노 점은 인듐과 주석의 자체 촉매로 나노 막대의 성장이 진행되었음을 알 수 있다.
또한, 도 18은 ITO 펠릿이 전자선과 반응하여 In-Sn 마이크로 점을 형성시키는 과정을 광학 사진 및 전자 현미경 사진, 그리고 고 분해능 광전자 분광분석을 통해 확인할 수 있는 도면이다.
도 18의 (a)와 같이 전자선을 조사하기 전에는 전형적인 소결된 산화물 펠릿의 표면을 보여주고 있는 반면, 도 18의 (b)와 같이 전자선을 조사한 후에는 특정 모양의 3차원 구조가 펠릿 표면에 전체적으로 분포하고 있음을 확인하였다.
이러한 전자선 조사 후에 나타나는 표면 형상의 변화를 이해하기 위해 고 분해능 광전자 분광분석을 시도한 결과, 상기 3차원 구조물은 인듐과 주석, 특히 주석의 양이 크게 증가한 것을 확인할 수 있다. 이를 통해 전자선과 반응한 ITO 펠릿으로부터 인듐과 주석이 나노 막대 증착 초기에 다량 증착되어 자체 촉매를 형성함을 알 수 있다.
한편, 나노 가지 구조체 성장단계(S40)에서의 지지 기판(100)의 온도는 초기에 증착된 인듐과 주석이 액상 상태를 유지할 수 있는 최저 온도 이상이거나, 80℃ 이상 지지 기판(100)의 융점 미만인 것이 바람직하다.
이를 도 19와 도 20을 참조하여 설명한다.
도 19는 Si (100) 기판 위에 형성되는 ITO 나노 가지 구조체(220)를 증착온도별로 주사 전자 현미경으로 촬영한 사진이다.
도 19를 참조하면, 60℃ 이하의 증착 온도에서는 뚜렷한 ITO 나노 가지 구조체(220)의 형성 없이 불균일한 3차원 구조의 표면을 가지는 반면 80℃ 이상의 증착 온도에서는 뚜렷한 ITO 나노 가지 구조체(220)의 형성을 확인할 수 있다.
나노 크기 금속은 벌크 상태와 달리 녹는점이 낮아질 수 있음이 잘 알려져 있으며 인듐 금속 역시 153℃의 녹는점을 가지지만 나노 크기가 되면 녹는점이 80℃까지 낮아질 수 있음이 알려져 있다. 이러한 이유로 증착 온도가 80℃ 까지 낮아져도 VLS 성장과정의 액상 촉매를 유지할 수 있기 때문에 ITO 나노 가지 구조체(220)가 성장될 수 있게 된다.
도 20은 도 19를 통해 ITO 나노 가지 구조체(220)가 형성되는 과정을 열역학적인 상태도를 통해 나타내는 도면이다.
도 20을 참조하면, 증착 초기에 형성된 자체 촉매로부터 산소의 비율이 증가하게 되면 자체 촉매의 액상에는 산소가 포화되어 존재할 수 없고 레버(Lever) 법칙에 의거하여 금속산화물이 되어 석출되게 된다. 이때 증착 온도가 나노 촉매의 액상유지 이상의 온도가 되면, 액상과 석출되는 고체 산화물 사이에 계면 배열이 발생할 수 있기 때문에 고품질 단결정의 ITO 나노 가지 구조체(220)가 형성될 수 있다.
반면 증착 온도가 나노 촉매의 액상을 유지할 수 없게 되면, 계면 배열이 발생할 수 없고 불규칙 3차원의 표면 형상이 나타나게 된다.
한편, 지지 기판(100)의 표면에너지의 조절을 통해 형성되는 나노 가지 구조체(220)의 크기 또는 밀도를 조절할 수 있다.
이를 도 17을 참조하여 설명한다.
도 17은 표면에너지가 다른 Si(100) 기판과 사파이어(0006) 기판, 그리고 텅스텐 박막이 코팅된 기판에서 성장되는 ITO 나노 나노 가지 구조체(220)의 성장 초기 원자현미경 사진과, 성장 후기 주사 전자 현미경 사진이다.
도 17을 참조하면, 성장 초기의 원자 현미경 사진을 통해 표면에너지가 낮은 Si(100) 기판에서는 인듐 주석의 액상 촉매점의 성장 시기가 빠르고 그 밀도 또한 큰 것을 확인할 수 있다.
반면 표면에너지가 매우 큰 텅스텐이 코팅된 기판의 경우 인듐 주석의 촉매가 나노 점을 형성하지 않고 평탄하게 증착되는 것을 확인할 수 있다.
이에 비해, 실리콘과 텅스텐의 중간 정도의 표면에너지를 가지는 사파이어(0006)는 Si (100)과 텅스텐 코팅 기판 사이의 인듐 주석 액상 촉매점 밀도를 가지고 있음이 확인되었다.
이러한 성장 초기의 나노 점의 밀도 차이는 추후 나노 막대 성장 시 막대의 크기와 밀도에도 직접적인 영향을 미치게 되며, 실제 주사 전자 현미경을 통해 그 차이를 확인할 수 있으며, 기판의 표면에너지의 조절을 통해 형성되는 나노 막대의 크기와 밀도를 제어할 수 있음을 알 수 있다.
다른 예로, 전극 형성단계는 전극체 형성단계(S20), 전자선 조사단계(S30) 및 나노 가지 구조체 성장단계(S40)를 포함하여 구성될 수 있다.
전극체 형성단계(S20)에서는, 지지 기판(100) 상에 막 형상 또는 메쉬 형상을 갖는 전극체(210)를 형성하는 과정이 수행된다.
전자선 조사단계(S30)에서는, 나노 가지 구조체(220)를 형성하기 위한 대상 물질에 전자선을 조사하여 상기 대상 물질을 증발시키는 과정이 수행된다.
나노 가지 구조체 성장단계(S40)에서는, 증발된 기체 상태의 대상 물질을 전극체(210) 상에 증착시켜 나노 가지 구조체(220)를 성장시키는 과정이 수행된다.
전극 형성을 위한 이 예는 앞서 설명한 예와 비교하여 지지 기판(100) 상에 전극체(210)를 형상한 후, 이 전극체(210) 상에 나노 가지 구조체(220)를 형성한다는 점에서 차이가 있다.
예를 들어, 전극체(210)와 나노 가지 구조체(220)의 재질은 동일할 수 있으며, 이 경우 그 재질은 광 투과성과 전기 전도성이 우수한 인듐 주석 산화물(ITO)인 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 전극체(210)는 별도의 전도성 재질로 형성되고, 나노 가지 구조체(220)는 전극체(210)의 상면에 인듐 주석 산화물로 구비될 수도 있으며, 다수의 나노 가지 구조체(220)도 다른 전도성, 광투과성 재질로 이루어질 수도 있다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 나노 가지 구조체를 가지는 전극에 의해 높은 곡률의 변형에서도 기계적 파괴가 없이 우수한 전기 전도도와 광 투과도를 유지할 수 있는 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다.
또한, 이러한 다수의 나노 가지 구조체를 종래의 화학기상증착 방식에 비해 높은 증착 온도가 요구되지 않는 전자선 증착 방법으로서 기판의 상면에 증착시켜 성장 형성함으로써, 제조 단가를 절감하고 제조 시간도 줄일 수 있어 대면적 플렉서블 광전자 소자에 직접 적용하여 플렉서블 광전자 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명에 대한 기술 사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만, 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
100: 지지 기판
200: 전극
210: 전극체
220: 나노 가지 구조체
221: 메인 나노 가지부
222: 보조 나노 가지부
S10: 지지 기판 배치단계
S20: 전극체 형성단계
S30: 전자선 조사단계
S40: 나노 가지 구조체 성장단계
200: 전극
210: 전극체
220: 나노 가지 구조체
221: 메인 나노 가지부
222: 보조 나노 가지부
S10: 지지 기판 배치단계
S20: 전극체 형성단계
S30: 전자선 조사단계
S40: 나노 가지 구조체 성장단계
Claims (22)
- 투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서,
광 투과성과 플렉서블한 재질을 갖는 지지 기판 및
상기 지지 기판 상에 형성되며, 전기 전도성과 광 투과성을 갖는 재질로 이루어지며, 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하는 전극을 포함하며,
상기 나노 가지 구조체는 상기 지지 기판에 성장 형성된 메인 나노 가지부; 및 상기 메인 나노 가지부에 수직 방향으로 성장 형성된 보조 나노 가지부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 전극은
상기 지지 기판 상에 형성되며, 막 형상 또는 메쉬 형상을 갖는 전극체를 더 포함하고,
상기 나노 가지 구조체는 상기 전극체 상에 형성된 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판. - 제3항에 있어서,
상기 전극체와 상기 나노 가지 구조체의 재질은 동일한 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판. - 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전극은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판. - 제1항에 있어서,
상기 지지 기판은 플라스틱, 유리, 세라믹 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 박판 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판. - 제1항에 있어서,
상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 2mm 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판. - 제6항에 있어서,
상기 지지 기판이 플라스틱을 포함하는 경우,
상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 2mm 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판. - 제6항에 있어서,
상기 지지 기판이 유리를 포함하는 경우,
상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 500㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판. - 제6항에 있어서,
상기 지지 기판이 세라믹을 포함하는 경우,
상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 500㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판. - 제6항에 있어서,
상기 지지 기판이 금속을 포함하는 경우,
상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 1mm 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판. - 투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서,
광 투과성과 플렉서블한 재질을 갖는 지지 기판을 챔버의 내부에 배치하는 지지 기판 배치단계 및
상기 지지 기판 상에 전기 전도성과 광 투과성을 갖는 재질로 이루어지며 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하는 전극을 형성하는 전극 형성단계를 포함하고,
상기 나노 가지 구조체는 상기 지지 기판에 성장 형성된 메인 나노 가지부; 및 상기 메인 나노 가지부에 수직 방향으로 성장 형성된 보조 나노 가지부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법. - 삭제
- 제12항에 있어서,
상기 전극 형성단계는
상기 나노 가지 구조체를 형성하기 위한 대상 물질에 전자선을 조사하여 상기 대상 물질을 증발시키는 전자선 조사단계; 및
증발된 기체 상태의 대상 물질을 상기 지지 기판 상에 증착시켜 상기 나노 가지 구조체를 성장시키는 나노 가지 구조체 성장단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법. - 제12항에 있어서,
상기 전극 형성단계는
상기 지지 기판 상에 막 형상 또는 메쉬 형상을 갖는 전극체를 형성하는 전극체 형성단계;
상기 나노 가지 구조체를 형성하기 위한 대상 물질에 전자선을 조사하여 상기 대상 물질을 증발시키는 전자선 조사단계; 및
증발된 기체 상태의 대상 물질을 상기 전극체 상에 증착시켜 상기 나노 가지 구조체를 성장시키는 나노 가지 구조체 성장단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법. - 제15항에 있어서,
상기 전극체와 상기 나노 가지 구조체의 재질은 동일한 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법. - 제12항, 제14항 및 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 대상 물질은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법. - 제17항에 있어서,
상기 나노 가지 구조체 성장단계에서의 상기 지지 기판의 온도는 초기에 증착된 인듐과 주석이 액상 상태를 유지할 수 있는 최저 온도 이상인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법. - 제17항에 있어서,
상기 나노 가지 구조체 성장단계에서의 상기 지지 기판의 온도는 80℃ 이상 상기 지지 기판의 융점 미만인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법. - 제17항에 있어서,
상기 지지 기판의 표면에너지의 조절을 통해 형성되는 나노 가지 구조체의 크기 또는 밀도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법. - 제12항에 있어서,
상기 지지 기판은 플라스틱, 유리, 세라믹 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 박판 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법. - 제12항에 있어서,
상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 2mm 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110089790A KR101272796B1 (ko) | 2011-09-05 | 2011-09-05 | 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법 |
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| KR1020110089790A KR101272796B1 (ko) | 2011-09-05 | 2011-09-05 | 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130026279A KR20130026279A (ko) | 2013-03-13 |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120008231A (ko) * | 2010-07-16 | 2012-01-30 | 광주과학기술원 | 산화아연 나노 구조체 전극 제조 방법 및 이를 이용한 염료 감응형 태양 전지 제조 방법 |
-
2011
- 2011-09-05 KR KR1020110089790A patent/KR101272796B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120008231A (ko) * | 2010-07-16 | 2012-01-30 | 광주과학기술원 | 산화아연 나노 구조체 전극 제조 방법 및 이를 이용한 염료 감응형 태양 전지 제조 방법 |
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| KR20130026279A (ko) | 2013-03-13 |
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